KR101307137B1 - Device to prevent the buildup of powder on the discharge line of the semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

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KR101307137B1
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이승건
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    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber

Abstract

PURPOSE: A device for preventing the buildup of powder on the discharge line of a semiconductor manufacturing apparatus is provided to prevent the buildup of powder by using an insulation layer for preventing the cooling of the discharge line. CONSTITUTION: An outer tube is formed in a heating chamber. An inner tube (130) is formed in the outer tube. A flange (150) loads the outer tube and the inner tube. A wafer boat (170) moves a wafer to the inner tube. An elevating unit elevates the wafer boat.

Description

반도체 제조장치 배출라인의 파우더 고착 방지장치{Device to prevent the buildup of powder on the discharge line of the semiconductor manufacturing equipment}Device to prevent the buildup of powder on the discharge line of the semiconductor manufacturing equipment

본 발명은 반도체 제조장치 배출라인의 파우더 고착 방지장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 배출라인의 외측에 히터를 구비하고, 상기 히터의 외측에 에어로겔로 구성되는 단열층을 구비하여 배출라인의 냉각을 방지함으로써 배출라인의 내측에 파우더가 고착되는 것을 방지할 수 있는 반도체 제조장치 배출라인의 파우더 고착 방지장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a powder adhesion preventing device of a semiconductor manufacturing apparatus discharge line, and more particularly, having a heater on the outside of the discharge line, and provided with an insulation layer composed of an airgel on the outside of the heater to prevent cooling of the discharge line. The present invention relates to a powder adhesion preventing device of a semiconductor manufacturing apparatus discharge line which can prevent the powder from adhering to the inside of the discharge line.

반도체 제조공정에 사용되는 공정튜브들은 진공상태에서 화학기상증착(CVD : chemical vapor deposion) 공정을 수행하게 된다. 이를 위하여, 튜브의 내부에 있는 웨이퍼 위에 막질을 적층하기 위하여 튜브의 내부로 웨이퍼의 표면에 증착시킬 화학소스를 가스상태로 공급하게 된다. 그리고, 튜브의 내부로 유입된 증기상태의 확학소스는 증착공정이 마무리된 후에 다시 배출관을 따라 외부로 배출되게 된다.Process tubes used in the semiconductor manufacturing process are subjected to chemical vapor deposition (CVD) in a vacuum. To this end, in order to deposit the film quality on the wafer inside the tube, a chemical source to be deposited on the surface of the wafer into the tube is supplied in a gaseous state. In addition, the vapor expansion source introduced into the tube is discharged to the outside along the discharge pipe again after the deposition process is completed.

이때, 듀브의 내부는 고온의 상태가 유지되기 때문에 화학소스가 기체상태로 유지될 수 있으나, 배출관을 통하여 이동하면서 온도가 급격히 낮아지게 되어 일부 가스가 배출라인의 내측 벽면에 고착되게 된다. 배출관의 내측 벽면에 증착가스가 고착되게 되면, 배출관의 내부압력을 상승시키고 배기력을 저하시키게 되는 문제점이 발생하게 된다.At this time, the inside of the dive may be maintained in a gaseous state because the state of the high temperature is maintained, but the temperature is drastically lowered as it moves through the discharge pipe and some gas is fixed to the inner wall of the discharge line. When the deposition gas is fixed to the inner wall of the discharge pipe, there is a problem that increases the internal pressure of the discharge pipe and lowers the exhaust force.

이러한 문제점을 방지하기 위하여, 배출관은 일정한 주기로 청소를 해 주게 되는데, 청소를 하는 동안에는 제조공정을 멈춰야 하기 때문에 생산성을 떨어뜨리게 되는 문제점이 발생하게 된다.In order to prevent this problem, the discharge pipe is to be cleaned at regular intervals, while the cleaning process has to stop the manufacturing process, which causes a problem that reduces productivity.

배출관의 내측 벽면에 고착화를 방지하기 위해서는 배출관 내부의 온도를 약 100℃~250℃정도로 유지시켜야 한다. 배출관의 내부 온도가 위 온도 이하로 떨어지는 경우에는 배출관의 내부에 증착가스가 고착되는 문제점이 발생하게 된다.To prevent sticking to the inner wall of the discharge pipe, the temperature inside the discharge pipe should be maintained at about 100 ℃ ~ 250 ℃. When the internal temperature of the discharge pipe falls below the above temperature, a problem occurs that the deposition gas is fixed inside the discharge pipe.

종래에 이러한 문제점을 해결하기 위하여 배출관의 외측에 히팅자켓(heating jacket)을 구비하여 상기 히팅자켓으로 배출관을 가열함으로써 배출관의 내부 온도가 소정의 온도 이하로 떨어지는 것을 방지하였다. Conventionally, in order to solve this problem, a heating jacket is provided on the outside of the discharge pipe to heat the discharge pipe with the heating jacket to prevent the internal temperature of the discharge pipe from falling below a predetermined temperature.

그러나 히팅자켓을 이용하여 열을 가하는 경우에 히팅자켓을 설비 세정할 때마다 분리하고 다시 착용하여야 하기 때문에 작업시간이 오래 걸리고, 고장이 발생할 우려가 높아지게 되는 문제점이 있다. 그러므로, 일체형 배출관을 만들어 분해를 하지 않으면서 세정을 할 수 있고, 온도를 최대한 유지시킬 수 있는 기술이 필요하다.
However, when heat is applied using a heating jacket, the heating jacket has to be removed and worn again every time the equipment is cleaned, and thus, a long work time may occur and a risk of failure may increase. Therefore, there is a need for a technology capable of making an integrated discharge pipe and cleaning without disassembly and maintaining the temperature as much as possible.

KR10-1999-0070780 a1KR10-1999-0070780 a1 KR10-2005-0089237 a1KR10-2005-0089237 a1 KR10-2005-0102205 a1KR10-2005-0102205 a1 KR10-2006-0012803 a1KR10-2006-0012803 a1 KR10-2004-0082250 a1KR10-2004-0082250 a1 KR10-2007-0069907 a1KR10-2007-0069907 a1

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 배출관을 외측에 열선을 구비하여 상기 열선의 외측에 에어로겔 등과 같은 단열층을 구비하여 배출관의 내부에서 발생된 열의 손실을 최소화하여 온도를 유지시켜 줌으로써 적은 에너지로 배출관의 내부에 공정 후 잔여 가스에 의한 부산물이 고착되는 것을 방지할 수 있는 반도체 제조장치 배출라인의 파우더 고착 방지장치를 제공하는데 그 목적이 있다. 또한, 단열층의 외측에 스테인레스 등의 재질로 구성된 밀폐층을 구비하여 배출관의 청소를 위하여 히터를 분리하여야 하는 번거로움을 방지할 수 있는 이점이 있다.
The present invention is to solve the above problems, the discharge pipe is provided with a heating wire on the outside to provide a heat insulating layer such as aerogel on the outside of the heating wire to minimize the loss of heat generated inside the discharge pipe to maintain the temperature It is an object of the present invention to provide a powder adhesion preventing device of the semiconductor manufacturing apparatus discharge line that can prevent the by-products by the residual gas after the process is fixed in the discharge pipe to the energy. In addition, there is an advantage that can be prevented from having to separate the heater for cleaning the discharge pipe by providing a sealing layer made of a material such as stainless on the outside of the heat insulating layer.

상기의 목적을 달성하기 위한 기술적 사상으로서의 본 발명은, 히팅챔버(heating chamber)와, 상기 히팅챔버의 내측에 구비되는 외측튜브(outer tube)와, 상기 외측튜브의 내측에 구비되는 내측튜브(inner tube)와, 상기 외측튜브 및 내측튜브를 안착시키는 플랜지와, 웨이퍼를 적재하여 상기 내측튜브로 투입시키는 웨이퍼보트와, 상기 웨이퍼보트를 승강시키는 승강대와, 상기 플랜지의 한쪽 측면에 구비되어 증착장치의 내부로 공정반응가스를 주입하는 가스공급관 및 상기 플랜지의 다른 쪽 측면에 구비되어 공정반응이 완료된 가스를 배출시키는 가스배출관을 포함하여 구성되어 반도체 제조공정에서 웨이퍼에 미세회로 패턴을 형성하기 위한 반도체 소자를 제조하는 화학기상증착장치에 있어서, 상기 가스배출관의 외측에 구비되는 히터; 상기 히터의 외주면에 구비되어 상기 가스배출관의 열이 외부로 유출되는 것을 방지하는 단열층; 상기 단열층의 외측에 구비되는 보호케이스; 및 상기 보호케이스에 구비되는 플러그부를 포함하여 구성될 수 있다.The present invention as a technical concept for achieving the above object, the heating chamber (heating chamber), the outer tube (outer tube) provided inside the heating chamber, and the inner tube (inner) provided inside the outer tube (inner) tube), a flange for seating the outer tube and the inner tube, a wafer boat for loading a wafer into the inner tube, a lifting platform for lifting the wafer boat, and one side of the flange, A semiconductor device for forming a microcircuit pattern on a wafer in a semiconductor manufacturing process, comprising a gas supply pipe for injecting a process reaction gas into the inside and a gas discharge pipe provided on the other side of the flange to discharge the gas after the process reaction is completed. In the chemical vapor deposition apparatus for producing a heater provided on the outside of the gas discharge pipe; A heat insulation layer provided on an outer circumferential surface of the heater to prevent heat of the gas discharge pipe from flowing out; A protective case provided on the outside of the heat insulation layer; And it may be configured to include a plug portion provided in the protective case.

본 발명의 바람직한 실시예로, 상기 단열층은 에어로겔(aerogel)로 구성될 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the heat insulating layer may be composed of aerogel (aerogel).

본 발명의 바람직한 실시예로, 상기 에어로겔 단열층은 상기 가스배출관의 외측면을 감싸도록 구비되고, 상기 보호케이스는 스테인레스로 구성되어 상기 에어로겔 단열층의 외측면을 감싸도록 구성되되, 상기 가스배출관의 양측으로 갈수록 외측면이 상기 가스배출관에 가까워지도록 구성되며, 상기 보호케이스의 양단은 상기 가스배출관의 양측에 일체로 결합될 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the airgel heat insulating layer is provided to surround the outer surface of the gas discharge pipe, the protective case is made of stainless steel is configured to surround the outer surface of the airgel heat insulating layer, both sides of the gas discharge pipe Increasingly, the outer surface is configured to be closer to the gas discharge pipe, both ends of the protective case may be integrally coupled to both sides of the gas discharge pipe.

본 발명의 바람직한 실시예로, 상기 플러그부에는 방수캡이 더 구비되는 것을 특징으로 한다.
In a preferred embodiment of the present invention, the plug portion is characterized in that the waterproof cap is further provided.

본 발명에 따른 반도체 제조장치 배출라인의 파우더 고착 방지장치는 배출관의 외측에 히터와 단열층이 구비되어 배출관의 열이 손실되는 것을 최소화함으로써 배출관 내측 벽면에 부산물 가스가 고착되는 것을 최소화하고, 배출관의 온도를 안정적으로 유지하는 동시에 배출관세정작업의 효율을 향상시키며, 고장을 최소화하여 생산원가를 절감할 수 있는 이점이 있다.
Powder adhesion prevention device of the semiconductor manufacturing apparatus discharge line according to the present invention is provided with a heater and a heat insulating layer on the outside of the discharge pipe to minimize the loss of heat of the discharge pipe to minimize the by-product gas is fixed on the inner wall of the discharge pipe, the temperature of the discharge pipe It is possible to reduce the cost of production by minimizing failure while improving the efficiency of the exhaust pipe cleaning operation while maintaining the stable.

도 1은 본 발명에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면.
도 2는 도 1에 도시된 가스배츨관의 구성을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체제조장치 배출라인의 구조를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명에 따른 반도체제조장치 배출라인에 구비된 플러그부의 구성을 나타내는 도면.1 is a view showing a schematic configuration of a chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
2 is a view showing the configuration of a gas discharge tube shown in FIG.
3 is a view showing the structure of a semiconductor manufacturing apparatus discharge line according to another embodiment of the present invention.
Figure 4 is a view showing the configuration of the plug portion provided in the semiconductor manufacturing apparatus discharge line according to the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 가스배츨관의 구성을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a schematic configuration of a chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, Figure 2 is a view showing the configuration of a gas discharge tube shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체제조장치 배출라인의 파우더 고착 방지장치는 히팅챔버(100, heating chamber)와 상기 히팅챔버(100)의 내측에 구비되는 외측튜브(110)(outer tube)와 상기 외측튜브(110)의 내측에 구비되는 내측튜브(130)(inner tube)와 상기 외측튜브(110) 및 내측튜브(130)를 안착시키는 플랜지(150)와 웨이퍼를 적재하여 상기 내측튜브(130)로 투입시키는 웨이퍼보트(170)와 상기 웨이퍼보트(170)를 승강시키는 승강대(180)와 증착장치의 내부로 공정반응가스를 주입하는 가스공급관(190) 및 공정반응이 완료된 가스를 배출시키는 가스배출관(200)을 포함하여 구성되되, 상기 가스배출관(200)의 외주면에는 단열층(230)이 더 구비되어 상기 가스배출관(200)의 열이 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.1 and 2, the powder adhesion preventing device of the semiconductor manufacturing apparatus discharge line according to the present invention is a heating chamber (100, heating chamber) and the outer tube (110) provided inside the heating chamber 100 ( outer tube) and an inner tube 130 (inner tube) provided inside the outer tube 110, the flange 150 and the wafer for mounting the outer tube 110 and the inner tube 130 is loaded to the Wafer boat 170 to be introduced into the inner tube 130, lifting platform 180 to elevate the wafer boat 170, the gas supply pipe 190 for injecting the process reaction gas into the deposition apparatus and the process reaction is completed gas It is configured to include a gas discharge pipe 200, the outer peripheral surface of the gas discharge pipe 200 is further provided with a heat insulating layer 230 can prevent the heat of the gas discharge pipe 200 to flow out.

히팅챔버(100)(heating chamber)는 후술하여 설명할 외측튜브(110, outer tube)의 바깥쪽에 일정한 두께로 밀폐구조를 가지며, 튜브를 가열하는데 필요한 열을 공급하게 된다. 외측튜브(110)는 일측이 개방된 원통형으로 구성되고, 내측튜브(130, inner tube)는 양측이 개방된 원통형으로 구성될 수 있다. 그리하여 외측튜브(110)의 내측에 내측튜브(130)가 구비된 상태로 상기 외측튜브(110)의 개방부가 아래 방향을 향하도록 하여 후술하여 설명할 플랜지(150)의 상부에 안착 되게 된다.The heating chamber 100 has a sealed structure with a predetermined thickness on the outer side of the outer tube 110 to be described later, and supplies heat required to heat the tube. The outer tube 110 may be configured in a cylindrical shape with one side open, and the inner tube 130 may be configured in a cylindrical shape with both sides open. Thus, the opening of the outer tube 110 in a state where the inner tube 130 is provided on the inner side of the outer tube 110 is directed downward to be seated on the upper portion of the flange 150 to be described later.

웨이퍼보트(170)는 반응공정을 수행할 웨이퍼를 적재하는 것으로, 승강대(180)에 의하여 내측튜브(130)의 안으로 투입된다. 승강대(180)는 웨이퍼가 적재된 웨이퍼보트(170)를 승강시켜서 내측튜브(130)의 안쪽으로 밀어넣게 된다.The wafer boat 170 loads a wafer to perform a reaction process, and is introduced into the inner tube 130 by the lifting platform 180. The lifting platform 180 lifts the wafer boat 170 loaded with the wafer and pushes the inside of the inner tube 130.

한편, 플랜지(150)의 한쪽 측면에는 증착장치의 내부로 공정반응가스를 주입하는 가스공급관(190)이 이 구비되어 있으며, 플랜지(150)의 다른 쪽 측면에는 공정반응이 완료된 가스를 배출시키는 가스배출관(200)이 구비되어 있다.On the other hand, one side of the flange 150 is provided with a gas supply pipe 190 for injecting the process reaction gas into the interior of the deposition apparatus, the other side of the flange 150 is a gas for discharging the gas is completed the process reaction Discharge pipe 200 is provided.

가스배출관(200)은 외주면에 히터(210)가 구비되어 가스배출관(200)의 온도가 떨어질 경우 열을 공급하여 온도를 유지시켜주며, 히터(210)의 외측에는 단열층(230)이 구비되어 상기 가스배출관(200)의 열이 외부로 유출되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 증착장치의 내부로 주입되는 반응가스는 온도가 낮아지면 주변의 벽면에 고착되어 쌓이게 되는 문제점이 있다. 따라서 외측튜브(110)의 바깥쪽에 히팅챔버(100)를 구비하여 튜브 내부의 반응공간 온도가 650℃ 내지 750℃ 정도로 유지되도록 하게 된다.The gas discharge pipe 200 is provided with a heater 210 on the outer circumferential surface to maintain the temperature by supplying heat when the temperature of the gas discharge pipe 200 falls, and is provided with a heat insulation layer 230 on the outside of the heater 210. The heat of the gas discharge pipe 200 may be configured to prevent the outflow. The reaction gas injected into the deposition apparatus has a problem in that when the temperature is lowered, it is fixed and accumulated on the surrounding wall. Therefore, the heating chamber 100 is provided on the outside of the outer tube 110 so that the reaction space temperature inside the tube is maintained at about 650 ° C to 750 ° C.

그러나 반응공정을 마친 배출가스가 가스배출관(200)을 통하여 배출되면서 열손실이 발생하여 상기 가스배출관(200)의 내부 온도가 급격히 떨어지게 된다. 그리하여 가스배출관(200)의 내측 벽면에는 반응가스의 잔류물이 파우더(powder) 형태로 쌓이게 된다. 따라서 가스배출관(200)의 온도는 바람직하게는 100℃~250℃로 유지시켜 반응가스의 고착화를 방지할 필요가 있다.However, as the exhaust gas, which has completed the reaction process, is discharged through the gas discharge pipe 200, heat loss occurs, and the internal temperature of the gas discharge pipe 200 rapidly drops. Thus, residues of the reaction gas are accumulated in the form of powder on the inner wall of the gas discharge pipe 200. Therefore, the temperature of the gas discharge pipe 200 is preferably maintained at 100 ° C to 250 ° C to prevent the reaction gas from sticking.

본 발명에 따른 반도체제조장치 배출라인의 파우더 고착 방지장치는 가스배출관(200)의 외주면에 히터(210)가 구비되어 가스배출관(200)의 온도가 일정한 온도 이하로 떨어질 경우에 열을 가하여 필요한 온도를 유지시킬 수 있다. 그리고 히터의 외측에는 단열층(230)을 더 구비하여 가스배출관(200)의 열이 외부로 유출되는 것을 최소화함으로써 상기 가스배출관(200)의 열손실을 최소화하여 적은 에너지로 가스배출관(200)의 온도를 필요한 온도로 유지시킬 수 있다. 그리하여 반응가스의 잔류물이 가스배출관(200)의 내측 벽면에 고착되는 것을 방지할 수 있다.Powder sticking prevention device of the semiconductor manufacturing apparatus discharge line according to the present invention is provided with a heater 210 on the outer peripheral surface of the gas discharge pipe 200 is required temperature by applying heat when the temperature of the gas discharge pipe 200 falls below a certain temperature Can be maintained. In addition, a heat insulating layer 230 is further provided on the outside of the heater to minimize the heat flowing out of the gas discharge pipe 200 to the outside, thereby minimizing the heat loss of the gas discharge pipe 200 to reduce the temperature of the gas discharge pipe 200 with little energy. Can be maintained at the required temperature. Thus, the residue of the reaction gas can be prevented from sticking to the inner wall surface of the gas discharge pipe 200.

본 발명의 바람직한 실시예로, 히터(210)는 판상 또는 코일형태의 발열히터 등 공지의 다양한 발열히터로 구성될 수 있다. 그리하여 가스배출관(200)의 온도가 미리 설정된 온도 이하로 떨어지면 히터(210)를 이용하여 가열하게 된다.In a preferred embodiment of the present invention, the heater 210 may be composed of a variety of known heating heaters, such as a heating heater in the form of a plate or coil. Thus, when the temperature of the gas discharge pipe 200 falls below a preset temperature, the gas is heated using the heater 210.

본 발명의 바람직한 실시예로, 단열층(230)은 에어로겔(aerogel)로 구성될 수 있으며, 상기 에어로겔 단열층(230)은 가스배출관(200)의 외주면을 완전히 감싸도록 구성될 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the heat insulating layer 230 may be composed of an airgel (aerogel), the airgel heat insulating layer 230 may be configured to completely surround the outer peripheral surface of the gas discharge pipe (200).

에어로겔은 규소산화물(SiO2)로 구성되어 가벼운 동시에 단열성 및 내열성이 이 매우 우수한 단열재이다. 에어로겔은 공지의 구성으로 고상, 액상은 물론 시트형태로도 제조되고 있다. 따라서 고상 또는 시트형태의 에어로겔 단열층(230)을 가스배출관(200)의 외주면에 완전히 감싸도록 구성할 수 있다.Aerogels are made of silicon oxide (SiO2), which is light and at the same time has excellent thermal and heat resistance. The airgel is manufactured in a solid state, a liquid state, or a sheet form with a known structure. Therefore, the airgel heat insulating layer 230 in the form of a solid or sheet may be configured to completely surround the outer circumferential surface of the gas discharge pipe 200.

본 발명의 더욱 바람직한 실시예로, 상기 에어로겔 단열층(230)의 외측면에는 보호케이스(250)가 더 구비되되, 상기 보호케이스(250)는 스테인레스(SUS, Stainless Steel)로 구성될 수 있다. 스테인레스로 구성된 보호케이스(250)는 에어로겔 단열층(230)의 외측면을 감쌓도록 구성되고, 양단은 가스배출관(200)의 양측에 일체로 결합되어 상기 에어로겔 단열층(230)을 완전히 밀폐시킨다. 그리하여 에어로겔 단열층을 보호하는 동시에 방수 등의 기능을 수행하여 배출관의 부식 등을 방지할 수 있으며, 내구성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In a more preferred embodiment of the present invention, the protective case 250 is further provided on the outer surface of the airgel heat insulating layer 230, the protective case 250 may be made of stainless steel (SUS, Stainless Steel). The protective case 250 made of stainless steel is configured to wrap the outer surface of the airgel heat insulating layer 230, and both ends are integrally coupled to both sides of the gas discharge pipe 200 to completely seal the airgel heat insulating layer 230. Thus, it protects the airgel insulation layer and at the same time performs a function such as waterproofing to prevent corrosion of the discharge pipe, and has the effect of improving durability.

에어로겔 단열층(230)은 전술하여 설명한 바와 같이 고상 또는 시트형태가 주로 사용될 수 있는데, 고상의 에어로겔 단열층(230)은 충격에 취약하다는 단점이 있다. 따라서 고상의 에어로겔 단열층(230)이 사용되는 경우에는 상기 에어로겔 단열층(230)과 스테인레스 사이에 충격흡수층(미도시)이 더 구비될 수 있다. 충격흡수층은 공지의 다양한 완충재가 사용될 수 있다.As described above, the airgel heat insulating layer 230 may be mainly used in a solid state or a sheet form, and the airgel heat insulating layer 230 may be vulnerable to impact. Therefore, when a solid airgel heat insulating layer 230 is used, a shock absorbing layer (not shown) may be further provided between the airgel heat insulating layer 230 and stainless steel. As the shock absorbing layer, various known buffers may be used.

한편, 본 발명에 따른 반도체 제조장치 배출라인의 파우더 고착 방지장치의 외주면에는 전술하여 설명한 히터(210)에 전원을 공급하는 플러그부(270)가 더 구비되는데, 상기 블러그부(270)는 방수캡(275)이 더 구비될 수 있다. 방수캡(275)에 관해서는 후술하여 상세하게 설명한다.On the other hand, the outer peripheral surface of the powder fixing prevention device of the semiconductor manufacturing apparatus discharge line according to the present invention is further provided with a plug portion 270 for supplying power to the heater 210 described above, the plug portion 270 is a waterproof cap 275 may be further provided. The waterproof cap 275 will be described later in detail.

가스배출관(200)의 양단은 플랜지(290)가 구비되어 인접한 가스배출관(200)의 플렌지와 대면시킨 후 고정지그(295)를 이용하여 고정하게 된다. 플렌지(290)는 외측면(인접한 플렌지와 대면되는 면을 내측이라고 하고, 반대쪽면을 외측면이라 함, 이하 동일)에 동심원의 고정홈(미도시)을 형성하고, 고정지그(295)에는 상기 고정홈에 삽입되는 돌기(미도시)가 구비되어 상기 돌기를 고정홈에 장착한 후 볼트 등으로 체결하게 된다.Both ends of the gas discharge pipe 200 are provided with a flange 290 to face the flange of the adjacent gas discharge pipe 200 and then fixed using the fixing jig 295. The flange 290 forms a concave fixing groove (not shown) on the outer surface (the surface facing the adjacent flange is called the inner side, and the opposite surface is called the outer surface, hereinafter the same), and the fixing jig 295 A protrusion (not shown) inserted into the fixing groove is provided, and then the protrusion is mounted in the fixing groove and fastened with a bolt or the like.

한편, 본 발명에 따른 파우더 고착 방지장치는, 전술하여 설명한 바와 같이, 플렌지(290)에 고정지그(295)가 장착되기 때문에 상기 플렌지(290)와 인접한 부분은 고정지그(295)의 장착을 방해하지 않도록 상기 플렌지(290)에 가까워질 수록 지름이 작아지도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 도면에 도시된 바와 같이 히터(210)와 단열층(230) 등 가스배출관(200)의 외측에 구비된 구성이 상기 플렌지(290)에 가까워질수록 상기 가스배출관(200)에 가까워지도록 두께가 얇아지거나 필요에 따라서는 일부구간은 단열층(230) 및 히터(210)가 생략될 수도 있다. 그리하여 보호케이스(250)를 가스배출관(200)의 양단(플렌지와 인접한 위치)에 용접 등의 방식으로 밀폐고정한다. 다만, 구체적인 형상은 반드시 도면에 도시된 바와 같이 테이퍼형상에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라서는 소정의 폭을 가지는 수직홈으로 구성될 수도 있다.
On the other hand, in the powder sticking prevention device according to the present invention, as described above, since the fixing jig 295 is mounted on the flange 290, the portion adjacent to the flange 290 interferes with the mounting of the fixing jig 295. In order to avoid this, the closer the flange 290 is, the smaller the diameter is desirable. That is, as shown in the drawing, the thickness of the heater 210 and the heat insulation layer 230, such that the configuration provided on the outside of the gas discharge pipe 200 is closer to the flange 290, the closer to the gas discharge pipe 200 In some cases, the insulating layer 230 and the heater 210 may be omitted. Thus, the protective case 250 is hermetically fixed to both ends (positions adjacent to the flange) of the gas discharge pipe 200 by welding or the like. However, the specific shape is not necessarily limited to the tapered shape as shown in the drawings, and may be configured as a vertical groove having a predetermined width as necessary.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체제조장치 배출라인의 구조를 나타내는 도면이다.3 is a view showing the structure of a semiconductor manufacturing apparatus discharge line according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체제조장치는 가스배출관(200)의 외주면에 히터(210)가 구비되고, 상기 히터(210)의 외측에 에어로겔로 구성된 단열층(230)이 구비되며, 상기 에어로겔 단열층(230)의 외측에 스테인레스재질의 보호케이스(250)가 구비되는 것은 전술하여 설명한 구성과 동일하다. 다만, 본 발명의 또 다른 실시예에서는 단열층(230)과 보호케이스(250)의 사이에 공기층(240)이 더 구비되어 보호케이스(250)로 전달되는 열을 최소화할 수 있도록 구성된다.
Referring to FIG. 3, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, a heater 210 is provided on an outer circumferential surface of the gas discharge pipe 200, and an insulation layer 230 formed of an airgel is provided on the outside of the heater 210. The protection case 250 made of stainless steel is provided outside the airgel heat insulating layer 230, and is the same as the structure described above. However, in another embodiment of the present invention, an air layer 240 is further provided between the heat insulation layer 230 and the protective case 250 to minimize the heat transferred to the protective case 250.

도 4는 본 발명에 따른 반도체제조장치 배출라인에 구비된 플러그부의 구성을 나타내는 도면이다.4 is a view showing the configuration of the plug portion provided in the semiconductor manufacturing apparatus discharge line according to the present invention.

도 4를 참조하면, 플러그부(270)는 가스배출관(200)의 외주면에 구비된 히터(210)에 전력을 공급하는 것으로, 보호케이스(250)에 일체로 결합되어 구비되고, 내부전선은 히터에 연결되도록 구성된다. 플러그부(270)는 보호케이스(250)의 외측면 중 어느 한 부분에 선택적으로 구비될 수 있다.Referring to FIG. 4, the plug part 270 is to supply power to the heater 210 provided on the outer circumferential surface of the gas discharge pipe 200, and is integrally coupled to the protection case 250, and the inner wire is provided to the heater. It is configured to be connected to. The plug part 270 may be selectively provided at any part of the outer surface of the protective case 250.

플러그부(270)의 끝단에는 방수캡(275)이 더 구비되어 상기 방수캡(275)으로 플러그부(270)를 밀폐시킬 수 있도록 구성된다. 방수캡(275)은 내측에 암나사가 형성되어 플러그부(270)의 외주면에 형성된 수나사와 나사결합되며, 상기 방수캡(275)의 내면으로 플러그부(270)의 끝단이 맞닿는 부분에는 탄성재질의 방수시트 또는 오-링 등이 구비될 수 있다.The end of the plug portion 270 is further provided with a waterproof cap 275 is configured to seal the plug portion 270 with the waterproof cap 275. The waterproof cap 275 has a female thread formed therein, and is screwed with a male screw formed on an outer circumferential surface of the plug portion 270. An elastic material is formed at a portion where the end of the plug portion 270 abuts against the inner surface of the waterproof cap 275. Waterproof sheets or o-rings may be provided.

가스배출관(200)은 일정기간 사용하면 내측면에 증착가스가 고착되게 된다. 가스배출관(200)을 아무리 고온으로 유지하여도 고착되는 시간을 늦출 수 있을 뿐 완전히 방지하는 건 어렵기 때문에 정기적으로 분리하여 세척을 해 주어야 한다.If the gas discharge pipe 200 is used for a certain period of time, the deposition gas is fixed to the inner surface. Even if the gas discharge pipe 200 is maintained at a high temperature, it can only slow down the time of fixation, so it is difficult to completely prevent the gas discharge pipe 200, so that the gas discharge pipe 200 must be separated and washed regularly.

그런데, 배출관을 분리하여 세척할 경우에 플러그부(270)를 통하여 세척액이 내부로 침투할 염려가 있다. 따라서 플러그부(270)에 방수캡(275)을 구비하여 세척시에 상기 플러그부(270)를 방수캡(275)으로 완전히 밀폐시켜서 세척할 수 있게 할 수 있다. 방수캡(275)은 필요에 따라 버클식(플러그부에 돌기를 구비하여 방수캡에 고리를 구비하여 거는 형식) 등 공지의 다양한 방식이 적용될 수 있다.
However, when the discharge pipe is separated and washed, there is a fear that the washing liquid penetrates through the plug portion 270. Accordingly, the plug portion 270 may be provided with a waterproof cap 275 to completely clean the plug portion 270 with the waterproof cap 275 when washing. Waterproof cap 275 may be applied to a variety of known methods, such as buckle type (type provided with a protrusion on the plug portion to be hooked to the waterproof cap) as necessary.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
Although the present invention has been described in connection with certain exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be defined by the appended claims and equivalents thereof.

100: 히팅챔버
110: 외측튜브
130: 내측튜브
150: 플랜지
170: 웨이퍼보트
180: 승강대
190: 강스공급관
200: 가스배출관
210: 히터
230: 단열층
240: 공기층
250: 보호케이스
270: 플러그부
275: 방수캡100: heating chamber
110: outer tube
130: inner tube
150: flange
170: wafer boat
180: platform
190: Steels supply pipe
200: gas discharge pipe
210: heater
230: heat insulation layer
240: air layer
250: protective case
270: plug portion
275: waterproof cap

Claims (4)

삭제delete 삭제delete 히팅챔버(heating chamber)와, 상기 히팅챔버의 내측에 구비되는 외측튜브(outer tube)와, 상기 외측튜브의 내측에 구비되는 내측튜브(inner tube)와, 상기 외측튜브 및 내측튜브를 안착시키는 플랜지와, 웨이퍼를 적재하여 상기 내측튜브로 투입시키는 웨이퍼보트와, 상기 웨이퍼보트를 승강시키는 승강대와, 상기 플랜지의 한쪽 측면에 구비되어 증착장치의 내부로 공정반응가스를 주입하는 가스공급관 및 상기 플랜지의 다른 쪽 측면에 구비되어 공정반응이 완료된 가스를 배출시키는 가스배출관을 포함하여 구성되어 반도체 제조공정에서 웨이퍼에 미세회로 패턴을 형성하기 위한 반도체 소자를 제조하는 화학기상증착장치에 있어서,
상기 가스배출관의 외측에 구비되는 히터, 상기 히터의 외주면에 구비되어 상기 가스배출관의 열이 외부로 유출되는 것을 방지하는 단열층, 상기 단열층의 외측에 구비되는 보호케이스 및 상기 보호케이스에 구비되는 플러그부를 포함하여 구성되고,
상기 단열층은 에어로겔(aerogel)로 구성되되, 에어로겔 단열층은 상기 가스배출관의 외측면을 감싸도록 구비되고, 상기 보호케이스는 스테인레스로 구성되어 상기 에어로겔 단열층의 외측면을 감싸도록 구성되며, 상기 가스배출관의 양측으로 갈수록 외측면이 상기 가스배출관에 가까워지도록 경사지게 구성되어 상기 보호케이스의 양단은 상기 가스배출관의 양측에 일체로 결합되도록 구성되며,
상기 가스배출관의 양단에는 외측면에 동심원의 고정홈이 형성되어 있는 플렌지가 구비되어 인접한 가스배출관의 플렌지와 대면되도록 구비되고, 상기 플렌지에는 상기 고정홈에 삽입되는 돌기가 구비된 고정지그가 구비되어 상기 돌기를 상기 고정홈에 장착하여 체결하는 반도체제조장치 배출라인의 파우더 고착 방지장치.
A heating chamber, an outer tube provided inside the heating chamber, an inner tube provided inside the outer tube, and a flange for seating the outer tube and the inner tube. A wafer boat for loading a wafer into the inner tube, a lift table for elevating the wafer boat, a gas supply pipe provided at one side of the flange and injecting a process reaction gas into the deposition apparatus, and the flange In the chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device for forming a microcircuit pattern on the wafer in the semiconductor manufacturing process, comprising a gas discharge pipe provided on the other side for discharging the gas has completed the process reaction,
Heater provided on the outside of the gas discharge pipe, the heat insulating layer provided on the outer peripheral surface of the heater to prevent the heat of the gas discharge pipe to the outside, a protective case provided on the outside of the heat insulating layer and the plug portion provided in the protective case Are configured to include,
The insulation layer is composed of an airgel (aerogel), the airgel insulation layer is provided to surround the outer surface of the gas discharge pipe, the protective case is made of stainless steel is configured to surround the outer surface of the airgel insulation layer, the It is configured to be inclined so that the outer surface is closer to the gas discharge pipe toward both sides so that both ends of the protective case is integrally coupled to both sides of the gas discharge pipe,
Both ends of the gas discharge pipe are provided with flanges having concentric fixing grooves formed on the outer surface thereof to face the flanges of the adjacent gas discharge pipes, and the flanges are provided with fixing jig having protrusions inserted into the fixing grooves. Powder fixing device of the semiconductor manufacturing apparatus discharge line for fastening by mounting the projection in the fixing groove.
청구항 3에 있어서,
상기 플러그부에는 방수캡이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체제조장치 배출라인의 파우더 고착 방지장치.
The method according to claim 3,
Powder plug prevention device of the semiconductor manufacturing apparatus discharge line, characterized in that the plug portion is further provided with a waterproof cap.
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