KR101304389B1 - Laser trimming method - Google Patents

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류광현
박형찬
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Abstract

본 발명은 트리밍 속도가 향상된 레이저 트리밍 방법에 관한 것이다.
본 발명의 레이저 트리밍 방법에서는 저항체의 미리 설정된 일부분(S1)을 1차 트리밍하고, 1차 트리밍에 의해 변화된 저항값(R1)을 측정한다. 일부분(S1)과 저항값(R1)의 관계를 이용하여 남은 저항체의 저항값이 최종목표 저항값(RT)으로부터 미리 설정된 범위 이내인 저항값(R2)이 될 때까지 2차 트리밍한다. 2차 트리밍 이후에 남은 저항체의 저항값을 실시간으로 측정하면서 트리밍하되, 실시간 측정되는 저항값이 최종목표 저항값(RT)이 될 때까지 3차 트리밍한다.The present invention relates to a laser trimming method having an improved trimming speed.
In the laser trimming method of the present invention, the predetermined portion S1 of the resistor is first trimmed, and the resistance value R1 changed by the first trimming is measured. By using the relationship between the portion S1 and the resistance value R1, the second trimming is performed until the resistance value of the remaining resistor becomes a resistance value R2 within a preset range from the final target resistance value R T. After the second trimming, trimming is performed while measuring the resistance value of the remaining resistor in real time, and the third trimming is performed until the resistance value measured in real time becomes the final target resistance value R T.

Description

레이저 트리밍 방법{LASER TRIMMING METHOD}LASER TRIMMING METHOD

본 발명은 레이저 트리밍 방법에 관한 것으로서, 특히 기판상에 형성된 저항체에 레이저를 조사하여 그 일부를 빠른 속도로 트리밍함으로써 처리속도가 개선된 레이저 트리밍 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser trimming method, and more particularly, to a laser trimming method having improved processing speed by irradiating a laser to a resistor formed on a substrate and trimming a portion thereof at a high speed.

최근 전자산업 분야에서는 비교적 원하는 저항값으로 후막 또는 박막 저항을 트리밍(trimming)하기 위해 레이저를 이용하는 추세를 보이고 있다. 이러한 레이저 트리밍(laser trimming)은 세라믹, 저항 및 반도체 소자 등에 레이저광을 집속하여 조사하고 이들 소자를 탑재한 시료를 이동하면서 관통하지 않을 정도의 에너지로 시료의 일부분을 제거함으로써 소자의 전기적 특성, 특히 저항값을 원하는 값으로 조정하도록 한다.Recently, the electronic industry has shown a trend of using a laser to trim a thick film or a thin film resistor to a relatively desired resistance value. This laser trimming is focused on the laser, ceramics, resistors, and semiconductor devices by irradiating laser light and removing a portion of the sample with energy that does not penetrate while moving the sample mounted thereon. Adjust the resistance to the desired value.

이러한 레이저 트리밍 공정에서 원하는 저항값으로 트리밍하기 위해서는 출력된 레이저의 세기, 빔 스폿사이즈(spot size), 시료의 이동속도 등이 함께 고려되어야 한다. 하지만 실제 작업환경의 트리밍 공정에서는 여러 가지 공정변수 및 장치의 오차 등이 존재하기 때문에 이들 값이 변하게 되어 정확한 저항값으로 트리밍하기가 어렵다는 문제점이 있다.In order to trim to a desired resistance value in the laser trimming process, the intensity of the output laser, the beam spot size, the moving speed of the sample, etc. should be considered together. However, in the trimming process of the actual working environment, since there are various process variables and device errors, these values are changed, which makes it difficult to trim to an accurate resistance value.

이러한 종래의 문제점을 해결하기 위해 최근에는 레이저 트리밍 시스템에 저항값을 실시간으로 측정하기 위한 저항측정장치가 구비된다. 이는 저항측정장치에 마련된 한 쌍의 프로브(probe)를 저항체에 접촉연결하여 저항값을 실시간으로 측정하면서 트리밍하기 위한 것이다. 다시 말하면, 저항값을 실시간으로 측정하면서 트리밍하되, 실시간 측정되는 저항값이 원하는 최종목표 저항값이 될 때까지 트리밍하는 것이다.In order to solve such a conventional problem, a resistance measuring device for measuring a resistance value in real time in a laser trimming system is provided in recent years. This is for trimming while measuring a resistance value in real time by contacting a pair of probes (probe) provided in the resistance measuring device to the resistor. In other words, while the resistance value is trimmed in real time, trimming is performed until the resistance value measured in real time reaches a desired final target resistance value.

그러나, 이러한 종래기술의 레이저 트리밍 방법에서는 정확한 저항값으로 트리밍할 수 있다는 장점이 있으나, 원하는 저항값이 될 때까지 실시간으로 저항값을 측정해야 하므로 트리밍 작업속도를 향상시키는 데는 한계가 있다는 문제점을 안고 있다. 또한, 종래의 레이저 트리밍 방법의 경우 실시간 측정되는 저항값이 원하는 저항값이 되는지 실시간으로 비교해야 하므로 데이터 처리가 복잡해지고, 저항측정장치의 실시간 구동에 따른 비용이 증가하는 문제점이 존재한다.However, the laser trimming method of the prior art has the advantage that it can be trimmed to an accurate resistance value. However, since the resistance value needs to be measured in real time until a desired resistance value is obtained, there is a limitation in improving the trimming operation speed. have. In addition, in the conventional laser trimming method, since the resistance value measured in real time needs to be compared in real time to a desired resistance value, data processing becomes complicated and there is a problem in that the cost of real-time driving of the resistance measuring apparatus increases.

따라서, 해당 기술분야에서는 레이저 트리밍시 정확한 저항값으로 트리밍하면서도 트리밍 속도를 개선할 수 있고 데이터 처리의 간소화 및 비용감소를 도모할 수 있는 기술의 개발이 요구되고 있다.Therefore, in the technical field, there is a demand for the development of a technology capable of improving the trimming speed and simplifying data processing and reducing the cost while trimming to an accurate resistance value when laser trimming.

따라서, 본 발명은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 트리밍 속도가 개선된 레이저 트리밍 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been proposed to solve the problems of the prior art, and an object thereof is to provide a laser trimming method having an improved trimming speed.

또한, 본 발명은 저항체의 일부분에 대해서는 저항값을 측정하지 않고 트리밍하기 때문에 저항값 측정에 따른 비용 및 데이터 처리시간을 줄일 수 있는 레이저 트리밍 방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.Further, another object of the present invention is to provide a laser trimming method which can reduce the cost and data processing time due to the resistance value measurement because the part of the resistor is trimmed without measuring the resistance value.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법은, 저항체를 레이저로 트리밍하는 레이저 트리밍 방법에 있어서, 상기 저항체의 미리 설정된 일부분(S1)을 1차 트리밍하는 제1 트리밍단계; 상기 1차 트리밍에 의해 변화된 저항값(R1)을 측정하는 저항측정단계; 상기 일부분(S1)과 상기 저항값(R1)의 관계를 이용하여 남은 저항체의 저항값이 최종목표 저항값(RT)으로부터 미리 설정된 범위 이내인 저항값(R2)이 될 때까지 2차 트리밍하되, 상기 저항체의 저항값이 상기 저항값(R2)이 될 때까지는 저항값의 측정 없이 트리밍하는 제2 트리밍단계; 및 상기 2차 트리밍 이후에 남은 저항체의 저항값을 실시간으로 측정하면서 트리밍하되, 상기 실시간 측정되는 저항값이 상기 최종목표 저항값(RT)이 될 때까지 3차 트리밍하는 제3 트리밍단계를 포함한다.A laser trimming method according to an embodiment of the present invention for achieving the above object comprises: a first trimming step of first trimming a predetermined portion (S1) of the resistor; A resistance measuring step of measuring a resistance value R1 changed by the first trimming; The second trimming is performed until the resistance value of the remaining resistor becomes a resistance value R2 within a preset range from the final target resistance value R T by using the relationship between the portion S1 and the resistance value R1. A second trimming step of trimming without measuring the resistance value until the resistance value of the resistor becomes the resistance value R2; And a third trimming step of trimming while measuring the resistance value of the resistor remaining after the second trimming in real time, and performing the third trimming until the resistance value measured in real time becomes the final target resistance value R T. do.

본 발명의 실시 예에서, 상기 1차 트리밍에 의해 변화된 저항값(R1)을 측정하는 단계는, 상기 1차 트리밍 이후에 남은 저항체의 저항값(Rm)을 측정하는 단계; 및 상기 저항체의 최초 저항값(R0)과 상기 측정된 저항값(Rm)의 차이를 이용하여 상기 저항값(R1)을 계산하는 단계를 포함한다.In an embodiment of the present disclosure, measuring the resistance value R1 changed by the first trimming may include measuring the resistance value Rm of the resistor remaining after the first trimming; And calculating the resistance value R1 using the difference between the initial resistance value R 0 of the resistor and the measured resistance value Rm.

본 발명의 실시 예에서, 상기 저항값(R2)은 상기 최종목표 저항값(RT)의 70~95% 범위 내에 있는 것이 바람직하다. In an embodiment of the present invention, the resistance value R2 is preferably in the range of 70 to 95% of the final target resistance value R T.

삭제delete

본 발명의 실시 예에서, 상기 제2 트리밍 단계는, 상기 일부분(S1)과 상기 측정된 저항값(R1)의 관계로부터 상기 저항값(R2)이 될 때까지 2차 트리밍될 부분의 크기를 계산하는 단계; 및 상기 계산된 크기를 연속적으로 2차 트리밍하는 단계를 포함함이 바람직하다.
In an embodiment of the present disclosure, the second trimming step may calculate the size of the portion to be secondary trimmed until the resistance value R2 is obtained from the relationship between the portion S1 and the measured resistance value R1. Doing; And successively secondary trimming the calculated magnitude.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법은, 저항체를 레이저로 트리밍하는 레이저 트리밍 방법에 있어서, 상기 저항체의 저항값 변화를 실시간으로 측정하면서 트리밍하되, 상기 저항체의 미리 설정된 일부분(S1)을 1차 트리밍하는 1차트리밍단계; 상기 1차 트리밍이 완료된 시점에 상기 저항체에서 변화된 저항값(R1)과 상기 일부분(S1) 간의 관계를 연산하는 연산단계; 상기 연산된 관계를 이용하여 상기 1차 트리밍 후 남은 저항체의 저항값이 최종목표 저항값(RT)으로부터 미리 설정된 범위 이내인 저항값(R2)이 될 때까지 2차 트리밍하되, 상기 남은 저항체의 저항값이 상기 저항값(R2)이 될 때까지는 저항값의 측정 없이 트리밍하는 2차트리밍단계; 및 상기 2차 트리밍 이후에 남은 저항체의 저항값을 실시간으로 측정하면서 트리밍하되, 상기 실시간 측정되는 저항값이 상기 최종목표 저항값(RT)이 될 때까지 3차 트리밍하는 3차트리밍단계를 포함한다.
In addition, the laser trimming method according to another embodiment of the present invention for achieving the above object, in the laser trimming method for trimming the resistor with a laser, while trimming while measuring the resistance value change of the resistor in real time, A first trimming step of first trimming the predetermined portion S1; Calculating a relationship between the resistance value R1 changed in the resistor and the portion S1 when the first trimming is completed; By using the calculated relation, the second trimming is performed until the resistance value of the remaining resistor after the first trimming becomes a resistance value R2 within a preset range from the final target resistance value R T. A second trimming step of trimming without measuring the resistance value until the resistance value becomes the resistance value R2; And a third trimming step of trimming while measuring the resistance value of the resistor remaining after the second trimming in real time, until the resistance value measured in real time becomes the final target resistance value R T. do.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법은, 저항체를 레이저로 트리밍하는 레이저 트리밍 방법에 있어서, 상기 저항체의 미리 설정된 일부분(S1)을 트리밍할 때 변화되는 저항값(R1)을 미리 설정하는 단계; 상기 일부분(S1)과 상기 설정된 저항값(R1) 간의 관계를 이용하여 상기 저항체의 저항값이 최종목표 저항값(RT)으로부터 미리 설정된 범위 이내인 저항값(R2)이 될 때까지 트리밍하는 단계; 및 상기 트리밍 이후에 남은 저항체의 저항값을 실시간으로 측정하면서 트리밍하되, 상기 실시간 측정되는 저항값이 상기 최종목표 저항값(RT)이 될 때까지 재차 트리밍하는 단계를 포함하며, 상기 재차 트리밍하는 단계는 상기 남은 저항체의 저항값이 상기 저항값(R2)이 될 때까지는 저항값의 측정 없이 트리밍하는 것을 특징으로 한다.In addition, the laser trimming method according to another embodiment of the present invention for achieving the above object, in the laser trimming method for trimming the resistor with a laser, the resistance that is changed when trimming the predetermined portion (S1) of the resistor Presetting a value R1; Trimming until the resistance value of the resistor reaches a resistance value R2 within a preset range from the final target resistance value R T by using the relationship between the portion S1 and the set resistance value R1. ; And trimming while measuring the resistance value of the resistor remaining after the trimming in real time, and trimming again until the resistance value measured in real time becomes the final target resistance value R T , and the trimming is performed again. The step may be trimmed without measuring the resistance value until the resistance value of the remaining resistor becomes the resistance value R2.

여기서, 상기 저항값(R2)은 상기 최종목표 저항값(RT)의 70~95% 범위 내에 있는 것이 바람직하다.Here, the resistance value R2 is preferably in the range of 70 to 95% of the final target resistance value RT.

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또한, 상기 재차 트리밍하는 단계는, 상기 일부분(S1)과 저항값(R1) 간의 관계로부터 상기 저항값(R2)이 될 때까지 트리밍될 부분의 크기를 계산하는 단계; 및 상기 계산된 크기를 연속적으로 트리밍하는 단계를 포함함이 바람직하다.In addition, the trimming step may further include calculating a size of a portion to be trimmed until the resistance value R2 is obtained from the relationship between the portion S1 and the resistance value R1; And continuously trimming the calculated size.

상기와 같은 본 발명의 구성에 의한 레이저 트리밍 방법은 하기와 같은 효과를 갖는다.The laser trimming method according to the configuration of the present invention as described above has the following effects.

먼저, 본 발명은 레이저 트리밍시 저항체의 일부분에 대해서는 저항값의 변화를 측정하기 위한 공정이 필요 없으므로 트리밍 작업속도를 향상시킬 수 있다.First, the present invention does not need a process for measuring the change in the resistance value for a portion of the resistor during laser trimming can improve the trimming operation speed.

또한, 본 발명에서는 상기와 같이 저항체의 일부분은 저항값을 측정하지 않음으로써 저항값 처리가 간편해지고 저항측정장치의 구동에 따른 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, in the present invention, a portion of the resistor as described above does not measure the resistance value, thereby simplifying the resistance value processing and reducing the cost of driving the resistance measuring device.

나아가, 본 발명에 따르면 최종 트리밍 단계에서는 저항값을 실시간으로 측정하면서 트리밍 작업을 하기 때문에 원하는 저항값으로 정확하게 맞출 수 있다.Furthermore, according to the present invention, since the trimming operation is performed while measuring the resistance value in real time in the final trimming step, it is possible to accurately match the desired resistance value.

도 1은 본 발명이 적용되는 레이저 트리밍 장치의 예시적인 구성도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법을 보이는 흐름도.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법을 보이는 흐름도.
도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법에서 트리밍 단계별 저항체의 변화를 나타낸 개념도.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법을 보이는 흐름도.
도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법을 보이는 흐름도.
도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법에서 트리밍 단계별 저항체의 변화를 나타낸 개념도.1 is an exemplary configuration diagram of a laser trimming apparatus to which the present invention is applied.
2 is a flowchart illustrating a laser trimming method according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a laser trimming method according to a first embodiment of the present invention.
4 is a conceptual diagram illustrating a change in a resistor according to trimming in the laser trimming method according to the first embodiment of the present invention;
5 is a flowchart illustrating a laser trimming method according to a second embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a laser trimming method according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a conceptual diagram illustrating a change of a resistor according to trimming in the laser trimming method according to the third exemplary embodiment of the present invention. FIG.

이하에서, 본 발명의 바람직한 실시 예가 첨부된 도면들을 참조하여 설명할 것이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명이 적용되는 레이저 트리밍 장치의 예시적인 구성도이다.1 is an exemplary configuration diagram of a laser trimming apparatus to which the present invention is applied.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 레이저 트리밍 장치(100)는 레이저 발진기(110), 스캐너 광학계(120), 저항측정장치(130) 및 컨트롤러(140)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the laser trimming device 100 according to the present invention includes a laser oscillator 110, a scanner optical system 120, a resistance measuring device 130, and a controller 140.

레이저 발진기(110)는 일정한 세기를 갖는 레이저(10)를 발생시킨다. 본 발명의 실시 예에서 레이저 발진기(110)는 레이저 매질, 펌핑부, 스위칭부 등으로 구성되어 소정 펄스 폭의 레이저(10)를 출력한다. 이러한 레이저 발진기(110)에서 발진된 레이저(10)는 예컨대 펨토초(femtosecond) 또는 피코초(picosecond) 단위의 펄스 폭을 가지는 극초단 레이저 펄스임이 바람직하다. 이와 같이 극초단 펄스를 갖는 레이저 빔을 이용함으로써 열 확산 시간보다 펄스 지속 시간이 짧아 전자와 격자 간의 에너지 전달이 없어 높은 에너지 강도로 레이저 빔에 노출된 저항체를 순식간에 제거할 수 있게 된다.The laser oscillator 110 generates the laser 10 having a constant intensity. In the embodiment of the present invention, the laser oscillator 110 is composed of a laser medium, a pumping unit, a switching unit, etc. to output the laser 10 having a predetermined pulse width. The laser 10 oscillated by the laser oscillator 110 is preferably an ultra-short laser pulse having a pulse width in a femtosecond or picosecond unit. By using the laser beam having the ultra-short pulse as described above, the pulse duration is shorter than the heat diffusion time, so there is no energy transfer between the electron and the grating, and thus the resistor exposed to the laser beam can be removed at a high energy intensity.

스캐너 광학계(120)는 레이저 발진기(110)에서 출력되는 레이저(10)를 집광하여 기판(20)상의 저항체(30)에 조사되도록 한다. 본 발명의 스캐너 광학계(120)는 X-Y축으로 이동이 가능하여 저항체(30)의 원하는 위치에서 트리밍할 수 있도록 한다. 도면에 도시하지 않았으나 이러한 스캐너 광학계(120)는 레이저(10)를 수신하여 저항체(30)로 조사하기 위하여 빔스캐너, 미러(mirror), 집광렌즈 등과 같은 다양한 구성요소를 포함할 수 있다. 이러한 구성요소들의 구성 및 배치는 해당 기술분야에서 일반적으로 공지된 기술이므로 상세한 설명은 생략한다.The scanner optical system 120 collects the laser 10 output from the laser oscillator 110 and irradiates the resistor 30 on the substrate 20. The scanner optical system 120 of the present invention is movable in the X-Y axis so that it can be trimmed at a desired position of the resistor 30. Although not shown, the scanner optical system 120 may include various components such as a beam scanner, a mirror, a condenser lens, etc. to receive the laser 10 and irradiate the resistor 30 to the resistor 30. The construction and arrangement of these components are well known in the art, so detailed description thereof will be omitted.

저항측정장치(130)는 기판(20)상의 저항체(30)에 연결되어 저항체(30)의 저항값을 측정한다. 이때, 저항측정장치(130)는 후술하는 컨트롤러(140)에서 출력되는 저항측정신호에 따라 선택적으로 저항값을 측정한다. 보다 구체적으로는, 컨트롤러(140)에서 저항측정신호가 출력되는 경우에만 저항값을 측정한다. 또한, 본 발명의 저항측정장치(130)는 컨트롤러(140)의 신호에 의해 저항값을 실시간으로 측정할 수도 있다. 이와 같이 측정된 저항값은 컨트롤러(140)로 전송된다.The resistance measuring device 130 is connected to the resistor 30 on the substrate 20 to measure the resistance of the resistor 30. In this case, the resistance measuring device 130 selectively measures the resistance value according to the resistance measurement signal output from the controller 140 to be described later. More specifically, the resistance value is measured only when the resistance measurement signal is output from the controller 140. In addition, the resistance measuring apparatus 130 of the present invention may measure the resistance value in real time by the signal of the controller 140. The resistance value measured as described above is transmitted to the controller 140.

컨트롤러(130)는 저항측정장치(130)로부터 전송되는 저항값을 수신하고 그 수신되는 저항값에 따라 레이저 발진기(110) 및/또는 스캐너 광학계(120)의 동작을 제어한다. 이를 구체적으로 설명하면, 컨트롤러(130)는 초기 설정이 완료되고 상위 컴퓨터(미도시)로부터 트리밍 개시신호가 수신되면 레이저 발진기(110)와 스캐너 광학계(120)의 동작을 제어하여 트리밍 작업이 시작되도록 한다. 이로써 레이저 발진기(110)에서 레이저(10)가 출력되고 스캐너 광학계(120)는 미리 설정된 경로를 따라 이동하면서 기판(20)상의 저항체(30)로 레이저(10)가 조사되어 트리밍 작업이 수행되도록 한다. 또한, 컨트롤러(130)는 미리 설정된 알고리즘에 의해 레이저(10)의 출력 또는 저항체(10)로의 조사를 중단시키도록 레이저 발진기(110) 또는 스캐너 광학계(120)의 동작을 제어할 수 있다. 이를 위하여, 컨트롤러(130)는 트리밍된 저항체(30)와 저항측정장치(130)로부터 전송되는 저항값 간의 관계를 분석하고 이를 이용하여 레이저 발진기(110) 또는 스캐너 광학계(120)의 동작을 제어한다.
The controller 130 receives the resistance value transmitted from the resistance measuring device 130 and controls the operation of the laser oscillator 110 and / or the scanner optical system 120 according to the received resistance value. Specifically, the controller 130 controls the operations of the laser oscillator 110 and the scanner optical system 120 to start the trimming operation when the initial setting is completed and the trimming start signal is received from the upper computer (not shown). do. As a result, the laser 10 is output from the laser oscillator 110, and the scanner optical system 120 moves along the preset path so that the laser 10 is irradiated onto the resistor 30 on the substrate 20 to perform a trimming operation. . In addition, the controller 130 may control the operation of the laser oscillator 110 or the scanner optical system 120 to stop the output of the laser 10 or the irradiation to the resistor 10 by a preset algorithm. To this end, the controller 130 analyzes the relationship between the trimmed resistor 30 and the resistance value transmitted from the resistance measuring device 130 and controls the operation of the laser oscillator 110 or the scanner optical system 120 by using the same. .

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 저항측정장치의 상세 구성도이다.2 is a detailed configuration diagram of a resistance measuring apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에서 저항측정장치(130)에는 한 쌍의 프로브(probe)(131)가 구비된다. 이러한 프로브(131)는 저항체(30)의 저항값을 측정하기 위하여 저항체(30)에 직접 접촉되며 프로브(131)를 통해 전송되는 신호를 저항측정회로(132)에서 수신하여 해당 저항체(30)의 저항값을 측정하도록 한다. 2, in the exemplary embodiment of the present invention, the resistance measuring apparatus 130 is provided with a pair of probes 131. The probe 131 is in direct contact with the resistor 30 to measure the resistance of the resistor 30, and receives a signal transmitted through the probe 131 from the resistance measurement circuit 132 to determine the resistance of the resistor 30. Measure the resistance value.

본 발명의 프로브(131)는 구리(Cu) 등과 같은 도전성 재료로 구현됨이 바람직하며 미세가공을 위해 미세 저항체(30)에 접촉이 용이하도록 일단이 뾰족하게 형성됨이 바람직하다.
The probe 131 of the present invention is preferably implemented with a conductive material such as copper (Cu), and preferably has one end pointed to facilitate contact with the micro resistor 30 for fine processing.

도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법을 보이는 흐름도이고, 도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법에서 트리밍 단계별 저항체의 변화를 나타낸 개념도이다.3 is a flowchart illustrating a laser trimming method according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating a change of a resistor in each trimming step in the laser trimming method according to the first embodiment of the present invention.

본 발명의 제1 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법에서는 1-3단계로 트리밍을 수행한다. 이를 위하여 본 발명의 레이저 트리밍 장치(100)는 후술하는 실시 예들의 트리밍 작업을 위한 프로그램에 의해 동작한다. In the laser trimming method according to the first embodiment of the present invention, trimming is performed in steps 1-3. To this end, the laser trimming apparatus 100 of the present invention operates by a program for trimming operations in the following embodiments.

본 실시 예에서는 먼저, 레이저 트리밍 장치(100)에서 저항체(30)의 미리 설정된 일부분(S1)을 1차 트리밍한다(S101). 이때, 미리 설정된 일부분(S1)은 레이저의 출력과 관계가 있다. 예컨대, 미리 설정된 레이저(10)의 출력시간에 트리밍되는 부분을 일부분(S1)으로 설정할 수 있다. 또한, 미리 설정된 레이저(10)의 펄스 폭 의 에너지를 출력하는 경우 트리밍되는 부분을 일부분(S1)으로 설정할 수도 있다. 따라서, 본 발명에서는 레이저 출력시간, 에너지 등과 트리밍되는 일부분(S1)은 미리 결정되어 있는 것이 바람직하다.In the present embodiment, first, the predetermined trimming part S1 of the resistor 30 is first trimmed in the laser trimming apparatus 100 (S101). In this case, the predetermined portion S1 is related to the output of the laser. For example, the portion trimmed at the output time of the preset laser 10 can be set as the portion S1. In addition, when outputting the energy of the pulse width of the preset laser 10 may be set to the portion to be trimmed (S1). Therefore, in the present invention, it is preferable that the portion S1 to be trimmed is determined in advance.

이후, 최초의 저항체(30)에서 상기의 1차 트리밍에 의해 변화된 저항값(R1)을 측정한다(S103). 이러한 저항값(R1)은 다양한 방법으로 측정될 수 있다. 예컨대 1차 트리밍 이후에 남은 저항체의 저항값(Rm)을 저항측정장치(130)에서 측정하고, 1차 트리밍하기 이전의 저항체(30)의 최초 저항값(R0)과 상기 저항값(Rm)의 차이로부터 해당 저항값(R1)을 구할 수 있다. Thereafter, the resistance value R1 changed by the first trimming in the first resistor 30 is measured (S103). This resistance value R1 may be measured in various ways. For example, the resistance value Rm of the resistor remaining after the first trimming is measured by the resistance measuring device 130, and the initial resistance value R 0 and the resistance value Rm of the resistor 30 before the first trimming are measured. The resistance value R1 can be obtained from the difference of.

계속해서, 컨트롤러(140)에서는 저항측정장치(130)에서 측정된 저항값(R1)과 1차 트리밍된 일부분(S1)과의 관계를 분석한다(S105). 이러한 분석은 미리 설정된 저항체(30)의 일부분(S1)을 트리밍하는데 얼마만큼의 저항값이 변하는지를 판단하기 위한 것이다. 이러한 분석을 통해 미리 설정된 시간 또는 에너지로 레이저(10)가 출력되어 트리밍될 때 저항체(130)에서 변화하는 저항값(R1)이 얼마인지를 판단할 수 있게 된다.Subsequently, the controller 140 analyzes the relationship between the resistance value R1 measured by the resistance measuring device 130 and the first trimmed portion S1 (S105). This analysis is for determining how much the resistance value changes in trimming the portion S1 of the predetermined resistor 30. Through this analysis, when the laser 10 is output and trimmed with a predetermined time or energy, it is possible to determine how much the resistance value R1 changes in the resistor 130.

이어, 컨트롤러(140)는 상기와 같이 분석된 일부분(S1)과 저항값(R1)의 관계를 이용하여 1차 트리밍 이후에 남은 저항체(30)의 저항값이 최종목표 저항값(RT)으로부터 미리 설정된 범위 이내인 저항값(R2)이 될 때까지 2차 트리밍한다(S107). 이때, 남은 저항체(30)에 대하여 어떠한 저항값 측정 없이 2차 트리밍을 수행한다. 이는 일부분(S1)과 저항값(R1) 간의 관계를 이용함으로써 가능한 것이다. 즉, 이들의 관계를 이용하면 남은 저항체(30)의 저항값이 원하는 저항값(R2)이 될 때까지 얼마동안 레이저를 출력할지 또는 얼마의 에너지로 레이저를 출력할지 결정할 수 있기 때문이다. 특히, 2차 트리밍 단계(S107)에서는 일부분(S1)과 저항값(R1)의 관계로부터 원하는 저항값(R2)이 될 때까지 2차 트리밍될 부분의 크기를 계산하고 그 계산된 크기를 연속적으로 2차 트리밍함이 바람직하다. 따라서, 남은 저항체(30)의 저항값이 원하는 저항값(R2)까지 될 때까지는 저항값의 측정 없이도 연속적으로 트리밍을 수행할 수 있게 된다. 이와 같이 저항값 측정 없이 트리밍을 연속적으로 수행하기 때문에 트리밍 작업속도의 향상을 초래할 수 있다.Subsequently, the controller 140 uses the relationship between the portion S1 analyzed as described above and the resistance value R1 to determine the resistance value of the resistor 30 remaining after the first trimming from the final target resistance value R T. The secondary trimming is performed until the resistance value R2 is within the preset range (S107). At this time, the secondary trimming is performed on the remaining resistor 30 without measuring any resistance. This is possible by using the relationship between the portion S1 and the resistance value R1. That is, by using these relationships, it is possible to determine how long the laser is output or how much energy is output until the resistance value of the remaining resistor 30 becomes the desired resistance value R2. In particular, in the secondary trimming step S107, the size of the portion to be secondary trimmed is calculated from the relationship between the portion S1 and the resistance value R1 until the desired resistance value R2 is obtained, and the calculated size is continuously Secondary trimming is preferred. Therefore, trimming can be continuously performed without measuring the resistance value until the resistance value of the remaining resistor 30 reaches a desired resistance value R2. As such, since trimming is continuously performed without measuring the resistance value, the trimming operation speed may be improved.

계속해서, 상기와 같이 2차 트리밍이 완료된 이후에는 남은 저항체(30)의 저항값을 저항측정장치(130)를 이용하여 실시간으로 측정하면서 트리밍하되, 실시간 측정되는 저항값이 최종목표 저항값(RT)이 될 때까지 3차 트리밍한다(S109). 이러한 3차 트리밍시에는 보다 빠르고 정확하게 최종목표 저항값(RT)에 도달할 수 있도록 실시간 저항값 측정을 동시에 수행하는 것이다.
Subsequently, after the secondary trimming is completed as described above, the resistance value of the remaining resistor 30 is measured while measuring in real time using the resistance measuring device 130, but the resistance value measured in real time is the final target resistance value (R). The third trimming is performed until T ) (S109). In the third trimming, real-time resistance measurement is simultaneously performed to reach the final target resistance value R T more quickly and accurately.

도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법을 보이는 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating a laser trimming method according to a second embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법에서도 1-3단계로 트리밍을 수행한다. 먼저, 저항측정장치(130)를 이용하여 저항체(30)의 저항값 변화를 실시간으로 측정하면서 상기 저항체(30)의 미리 설정된 일부분(S1)을 1차 트리밍한다(S201). 이후에, 컨트롤러(140)에서는 1차 트리밍이 완료된 시점에서 저항체(30)에서 변화된 저항값(R1)과 상기 일부분(S1) 간의 관계를 분석한다(S203).4 and 5, the trimming is performed in steps 1-3 in the laser trimming method according to the second embodiment of the present invention. First, the predetermined portion S1 of the resistor 30 is first trimmed while measuring a change in resistance of the resistor 30 in real time using the resistance measuring apparatus 130 (S201). Thereafter, the controller 140 analyzes the relationship between the resistance value R1 changed in the resistor 30 and the portion S1 when the first trimming is completed (S203).

이후에는, 도 3에서와 같이 상기 분석된 관계를 이용하여 1차 트리밍 이후에 남은 저항체(30)의 저항값이 최종목표 저항값(RT)으로부터 미리 설정된 범위 이내인 저항값(R2)이 될 때까지 2차 트리밍한다(S205). 저항값(R2)은 최종목표 저항값(RT)의 70~95% 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 여기서, 도 3에서와 같이 2차 트리밍 도중에는 저항체(30)에 대한 실시간 저항값 측정은 이루어지지 않는다. 따라서, 원하는 저항값(R2)이 될 때까지 연속적으로 트리밍할 수 있어 트리밍 작업속도를 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 2차 트리밍 단계(S205)는 일부분(S1)과 저항값(R1)의 관계로부터 원하는 저항값(R2)이 될 때까지 2차 트리밍될 부분의 크기를 계산하고 그 계산된 크기를 연속적으로 2차 트리밍함이 바람직하다.Thereafter, as shown in FIG. 3, the resistance value of the resistor 30 remaining after the first trimming using the analyzed relationship becomes a resistance value R2 within a preset range from the final target resistance value R T. The second trimming is performed (S205). It is preferable that the resistance value R2 is in the range of 70 to 95% of the final target resistance value RT. Here, the real-time resistance value measurement for the resistor 30 is not made during the secondary trimming as shown in FIG. 3. Therefore, it is possible to continuously trim until the desired resistance value R2 is achieved, thereby improving the trimming work speed. Further, the secondary trimming step S205 calculates the size of the portion to be secondary trimmed from the relationship between the portion S1 and the resistance value R1 until the desired resistance value R2 and continuously calculates the calculated size. Secondary trimming is preferred.

계속해서, 2차 트리밍 이후에는 남은 저항체(30)의 저항값을 실시간으로 측정하면서 트리밍하되, 이처럼 실시간 측정되는 저항값이 최종목표 저항값(RT)이 될 때까지 3차 트리밍한다(S207).Subsequently, after the second trimming, trimming is performed while measuring the resistance value of the remaining resistor 30 in real time, and the third trimming is performed until the resistance value measured in real time becomes the final target resistance value R T (S207). .

이와 같이, 본 실시 예에서는 트리밍하고자 하는 저항체(30)에 대하여 적은 크기의 1차 트리밍 및 3차 트리밍시에만 실시간 저항값 측정이 이루어지고 상대적으로 큰 크기의 2차 트리밍시에는 실시간 저항값 측정이 이루어지지 않으므로 2차 트리밍시 간단한 데이터 처리 및 작업속도 향상을 도모할 수 있다.
As described above, in the present embodiment, real-time resistance value measurement is performed only for the first and third trimmings having a small size with respect to the resistor 30 to be trimmed. Since this is not done, it is possible to simplify data processing and improve work speed during the second trimming.

도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법을 보이는 흐름도이고, 도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 레이저 트리밍 방법에서 트리밍 단계별 저항체의 변화를 나타낸 개념도이다.6 is a flowchart illustrating a laser trimming method according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a conceptual diagram illustrating a change of a resistor according to trimming in the laser trimming method according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 제3 실시 예의 레이저 트리밍 방법에서는 1-2단계로 트리밍을 수행한다. 본 실시 예에서는 우선, 저항체(30)의 미리 설정된 일부분(S1)을 트리밍할 때 변화되는 저항값(R1)을 미리 설정한다(S301). 이러한 설정단계(S301)는 레이저 트리밍 장치(100)의 특성을 근거로 이루어질 수 있다. 예컨대, 레이저의 출력시간, 출력에너지, 펄스 폭 등의 특성에 따라 트리밍되는 양과 이에 따른 변화된 저항값(R1)을 미리 설정할 수 있다. 이러한 설정을 통해 트리밍된 일부분(S1)과 그에 따라 변화된 저항값(R1)의 관계를 분석한다(S303).6 and 7, in the laser trimming method of the third exemplary embodiment of the present invention, trimming is performed in steps 1-2. In the present embodiment, first, a resistance value R1 that is changed when trimming the predetermined portion S1 of the resistor 30 is preset in advance (S301). This setting step (S301) may be made based on the characteristics of the laser trimming device 100. For example, the amount trimmed according to the characteristics of the output time, the output energy, the pulse width, and the like of the laser, and the changed resistance value R1 according thereto may be preset. Through this setting, the relationship between the trimmed portion S1 and the resistance value R1 changed accordingly is analyzed (S303).

이후, 상기 일부분(S1)과 저항값(R1) 간의 관계를 이용하여 저항체(30)의 저항값이 최종목표 저항값(RT)으로부터 미리 설정된 범위 이내인 저항값(R2)이 될 때까지 트리밍한다(S305). 여기서, 저항값(R2)은 최종목표 저항값(RT)의 70~95% 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 또한, 도 3 및 도 5에서와 같이 2차 트리밍 도중에는 저항체(30)에 대한 실시간 저항값 측정은 이루어지지 않는다. 또한, 상기 트리밍 단계(S305)에서는 일부분(S1)과 저항값(R1)의 관계로부터 원하는 저항값(R2)이 될 때까지 트리밍될 부분의 크기를 계산하고 그 계산된 크기를 연속적으로 트리밍함이 바람직하다.Thereafter, using the relationship between the portion S1 and the resistance value R1, trimming is performed until the resistance value of the resistor 30 becomes the resistance value R2 within a preset range from the final target resistance value R T. (S305). Here, the resistance value R2 is preferably in the range of 70 to 95% of the final target resistance value RT. In addition, as shown in FIGS. 3 and 5, real-time resistance value measurement for the resistor 30 is not performed during the secondary trimming. Further, in the trimming step S305, the size of the portion to be trimmed is calculated from the relationship between the portion S1 and the resistance value R1 until the desired resistance value R2, and the trimming is performed continuously. desirable.

계속해서, 트리밍 이후에 남은 저항체(30)의 저항값을 실시간으로 측정하면서 트리밍하되, 이처럼 실시간 측정되는 저항값이 최종목표 저항값(RT)이 될 때까지 재차 트리밍한다(S307).Subsequently, trimming is performed while measuring the resistance value of the resistor 30 remaining after the trimming in real time, but trimming again until the resistance value measured in real time becomes the final target resistance value R T (S307).

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 제1~3 실시 예에서는 저항체(30)의 미리 설정된 일부분(S1)과 그 일부분(S1)의 트리밍시 변화되는 저항값(R1) 간의 관계를 분석하고, 그 분석된 결과를 이용하여 최종목표 저항값(RT)의 설정된 범위 내의 저항값(R2)이 될 때까지는 저항값의 측정 없이 트리밍을 연속적으로 실시하도록 한다. 이후에는 남은 저항체(30)의 저항값이 최종목표 저항값()이 될 때까지 실시간으로 저항값을 측정하면서 트리밍하도록 한다. 이 경우, 상대적으로 큰 크기를 트리밍하는 과정에서는 실시간 저항값 측정이 이루어지지 않으므로 트리밍 속도향상 및 데이터 처리의 간소화를 도모할 수 있다.As described above, in the first to third embodiments of the present invention, the relationship between the predetermined portion S1 of the resistor 30 and the resistance value R1 changed when trimming the portion S1 is analyzed and the Using the analyzed result, trimming is continuously performed without measuring the resistance value until the resistance value R2 within the set range of the final target resistance value R T is reached. Thereafter, the resistance value of the remaining resistor 30 is trimmed while measuring the resistance value in real time until the final target resistance value (). In this case, since the real-time resistance value measurement is not performed in the process of trimming a relatively large size, it is possible to improve the trimming speed and simplify the data processing.

이때, 본 발명의 실시 예에서는 저항체(30)의 일부분(S1)을 트리밍할 때 변화하는 저항값(R1)을 측정하는 방법은 3가지가 제시된다. 첫째, 일부분(S1)을 트리밍한 후에 변화된 저항값(R1)을 측정하는 것이다(제1 실시예). 이는 일부분(S1)의 트리밍 이후에 남은 저항체의 저항값을 측정하여 트리밍 전의 초기 저항값과의 차이를 이용함으로써 상기 저항값(R1)을 측정할 수 있게 된다. 둘째, 일부분(S1)을 트리밍하면서 변화하는 저항값을 실시간으로 측정하는 것이다(제2 실시예). 셋째, 일부분(S1)의 트리밍시 변화하는 저항값(R1)을 미리 설정하는 것이다(제3 실시예). 이는 상기한 바와 같이 출력되는 레이저(10)의 특성으로부터 일부분(S1)의 크기와 저항값(R1)을 미리 설정할 수 있다.
At this time, in the embodiment of the present invention, three methods of measuring the resistance value R1 that changes when trimming the portion S1 of the resistor 30 are presented. First, after changing the portion S1, the changed resistance value R1 is measured (first embodiment). The resistance value R1 may be measured by measuring a resistance value of the resistor remaining after the trimming of the portion S1 and using a difference from the initial resistance value before trimming. Second, the resistance value that changes while trimming the portion S1 is measured in real time (second embodiment). Third, the resistance value R1 which changes when trimming the portion S1 is set in advance (third embodiment). This can be set in advance the size of the portion (S1) and the resistance value (R1) from the characteristics of the laser 10 output as described above.

이상에서 설명한 본 발명은 바람직한 실시 예들을 통하여 상세하게 설명되었지만, 본 발명은 이러한 실시 예들의 내용에 한정되는 것이 아님을 밝혀둔다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 비록 실시 예에 제시되지 않았지만 첨부된 청구항의 기재 범위 내에서 다양한 본 발명에 대한 모조나 개량이 가능하며, 이들 모두 본 발명의 기술적 범위에 속함은 너무나 자명하다 할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. Those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope of the appended claims, The genius will be so self-evident. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

전자 제품의 소형화 및 경량화가 요구되면서 이에 탑재되는 기판, 칩, 소자 등과 같은 부품에 대한 레이저 미세 가공기술이 주목받고 있다. 특히, 레이저 트리밍 기술은 부품에서 저항체를 원하는 저항값으로 구현하기 위하여 저항값을 실시간으로 측정하면서 트리밍 작업을 수행하고 있다.As miniaturization and light weight of electronic products are required, laser micromachining technology for components such as substrates, chips, and devices mounted thereon is drawing attention. In particular, the laser trimming technology performs trimming while measuring the resistance value in real time in order to implement the resistor to the desired resistance value in the component.

최근에는 전자 제품의 양산화를 위하여 정확한 저항값을 구현하면서도 트리밍 작업속도를 향상시키는 기술에 대한 연구가 진행되고 있다. 이러한 측면에서 볼 때 본 발명은 저항체의 일부분에 대해서는 저항값의 실시간 측정이 필요 없으므로 작업속도를 향상시킬 수 있고, 실시간 저항측정을 위한 장비의 구동에 따른 비용의 절감은 물론, 실시간 측정되는 저항값의 데이터 처리가 필요 없으므로 데이터 처리가 간편해질 수 있다. 따라서, 본 발명은 반도체, PCB 기판 등과 같이 레이저 가공기술이 요구되는 산업분야에 매우 유용하게 적용할 수 있을 것이다.Recently, research has been conducted on techniques for improving the trimming speed while realizing accurate resistance values for mass production of electronic products. In view of this aspect, the present invention does not require real-time measurement of the resistance value for a part of the resistor, thereby improving the working speed, and reducing the cost of driving the equipment for real-time resistance measurement, as well as the resistance value measured in real time. Because no data processing is required, data processing can be simplified. Therefore, the present invention may be very usefully applied to an industrial field requiring laser processing technology such as semiconductors and PCB substrates.

10 : 레이저 20 : 기판
30 : 저항체 110 : 레이저 발진기
120 : 스캐너 광학계 130 : 저항측정장치
131 : 프로브(probe) 132 : 저항측정회로
140 : 컨트롤러10 laser 20 substrate
30: resistor 110: laser oscillator
120: scanner optical system 130: resistance measuring device
131: probe 132: resistance measurement circuit
140: controller

Claims (10)

저항체를 레이저로 트리밍하는 레이저 트리밍 방법에 있어서,
상기 저항체의 미리 설정된 일부분(S1)을 1차 트리밍하는 제1 트리밍단계;
상기 1차 트리밍에 의해 변화된 저항값(R1)을 측정하는 저항측정단계;
상기 일부분(S1)과 상기 저항값(R1)의 관계를 이용하여 남은 저항체의 저항값이 최종목표 저항값(RT)으로부터 미리 설정된 범위 이내인 저항값(R2)이 될 때까지 2차 트리밍하되, 상기 저항체의 저항값이 상기 저항값(R2)이 될 때까지는 저항값의 측정 없이 트리밍하는 제2 트리밍단계; 및
상기 2차 트리밍 이후에 남은 저항체의 저항값을 실시간으로 측정하면서 트리밍하되, 상기 실시간 측정되는 저항값이 상기 최종목표 저항값(RT)이 될 때까지 3차 트리밍하는 제3 트리밍단계; 를 포함하는 레이저 트리밍 방법.In the laser trimming method for trimming the resistor with a laser,
A first trimming step of first trimming the predetermined portion S1 of the resistor;
A resistance measuring step of measuring a resistance value R1 changed by the first trimming;
The second trimming is performed until the resistance value of the remaining resistor becomes a resistance value R2 within a preset range from the final target resistance value R T by using the relationship between the portion S1 and the resistance value R1. A second trimming step of trimming without measuring the resistance value until the resistance value of the resistor becomes the resistance value R2; And
A third trimming step of trimming while measuring a resistance value of the resistor remaining after the second trimming in real time, and performing a third trimming until the resistance value measured in real time becomes the final target resistance value R T ; Laser trimming method comprising a. 제1항에 있어서,
상기 1차 트리밍에 의해 변화된 저항값(R1)을 측정하는 단계는,
상기 1차 트리밍 이후에 남은 저항체의 저항값(Rm)을 측정하는 단계; 및
상기 저항체의 최초 저항값(R0)과 상기 측정된 저항값(Rm)의 차이를 이용하여 상기 저항값(R1)을 계산하는 단계; 를 포함하는 레이저 트리밍 방법.The method of claim 1,
Measuring the resistance value (R1) changed by the first trimming,
Measuring a resistance value Rm of the resistor remaining after the first trimming; And
Calculating the resistance value (R1) by using a difference between the initial resistance value (R 0 ) of the resistor and the measured resistance value (Rm); Laser trimming method comprising a. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 저항값(R2)은 상기 최종목표 저항값(RT)의 70~95% 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 레이저 트리밍 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The resistance value (R2) is a laser trimming method, characterized in that in the range of 70 ~ 95% of the final target resistance value (R T ). 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 트리밍 단계는,
상기 일부분(S1)과 상기 측정된 저항값(R1)의 관계로부터 상기 저항값(R2)이 될 때까지 2차 트리밍될 부분의 크기를 계산하는 단계; 및
상기 계산된 크기를 연속적으로 2차 트리밍하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 트리밍 방법.The method of claim 1,
The second trimming step,
Calculating the size of the portion to be secondary trimmed until the resistance value R2 is obtained from the relationship between the portion S1 and the measured resistance value R1; And
Successively second trimming the calculated magnitude; Laser trimming method comprising a. 저항체를 레이저로 트리밍하는 레이저 트리밍 방법에 있어서,
상기 저항체의 저항값 변화를 실시간으로 측정하면서 트리밍하되, 상기 저항체의 미리 설정된 일부분(S1)을 1차 트리밍하는 1차트리밍단계;
상기 1차 트리밍이 완료된 시점에 상기 저항체에서 변화된 저항값(R1)과 상기 일부분(S1) 간의 관계를 연산하는 연산단계;
상기 연산된 관계를 이용하여 상기 1차 트리밍 후 남은 저항체의 저항값이 최종목표 저항값(RT)으로부터 미리 설정된 범위 이내인 저항값(R2)이 될 때까지 2차 트리밍하되, 상기 남은 저항체의 저항값이 상기 저항값(R2)이 될 때까지는 저항값의 측정 없이 트리밍하는 2차트리밍단계; 및
상기 2차 트리밍 이후에 남은 저항체의 저항값을 실시간으로 측정하면서 트리밍하되, 상기 실시간 측정되는 저항값이 상기 최종목표 저항값(RT)이 될 때까지 3차 트리밍하는 3차트리밍단계; 를 포함하는 레이저 트리밍 방법.In the laser trimming method for trimming the resistor with a laser,
A first trimming step of trimming while measuring a change in resistance of the resistor in real time, and first trimming a predetermined portion S1 of the resistor;
Calculating a relationship between the resistance value R1 changed in the resistor and the portion S1 when the first trimming is completed;
By using the calculated relation, the second trimming is performed until the resistance value of the remaining resistor after the first trimming becomes a resistance value R2 within a preset range from the final target resistance value R T. A second trimming step of trimming without measuring the resistance value until the resistance value becomes the resistance value R2; And
A third trimming step of trimming while measuring the resistance value of the remaining resistor after the second trimming in real time, and performing the third trimming until the resistance value measured in real time becomes the final target resistance value R T ; Laser trimming method comprising a. 저항체를 레이저로 트리밍하는 레이저 트리밍 방법에 있어서,
상기 저항체의 미리 설정된 일부분(S1)을 트리밍할 때 변화되는 저항값(R1)을 미리 설정하는 단계;
상기 일부분(S1)과 상기 설정된 저항값(R1) 간의 관계를 이용하여 상기 저항체의 저항값이 최종목표 저항값(RT)으로부터 미리 설정된 범위 이내인 저항값(R2)이 될 때까지 트리밍하는 단계; 및
상기 트리밍 이후에 남은 저항체의 저항값을 실시간으로 측정하면서 재차 트리밍하되, 상기 실시간 측정되는 저항값이 상기 최종목표 저항값(RT)이 될 때까지 재차 트리밍하는 단계; 를 포함하며,
상기 재차 트리밍하는 단계는 상기 남은 저항체의 저항값이 상기 저항값(R2)이 될 때까지는 저항값의 측정 없이 트리밍하는 것을 특징으로 하는 레이저 트리밍 방법.In the laser trimming method for trimming the resistor with a laser,
Presetting a resistance value R1 which is changed when trimming the predetermined portion S1 of the resistor;
Trimming until the resistance value of the resistor reaches a resistance value R2 within a preset range from the final target resistance value R T by using the relationship between the portion S1 and the set resistance value R1. ; And
Trimming again while measuring the resistance value of the resistor remaining after the trimming in real time, and trimming again until the resistance value measured in real time becomes the final target resistance value R T ; Including;
In the trimming again, the laser trimming method performs trimming without measuring the resistance value until the resistance value of the remaining resistor becomes the resistance value (R2). 제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 저항값(R2)은 상기 최종목표 저항값(RT)의 70~95% 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 레이저 트리밍 방법.8. The method according to claim 6 or 7,
The resistance value (R2) is a laser trimming method, characterized in that in the range of 70 ~ 95% of the final target resistance value (RT). 삭제delete 제7항에 있어서,
상기 재차 트리밍하는 단계는,
상기 일부분(S1)과 저항값(R1) 간의 관계로부터 상기 저항값(R2)이 될 때까지 트리밍될 부분의 크기를 계산하는 단계; 및
상기 계산된 크기를 연속적으로 트리밍하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 트리밍 방법.
The method of claim 7, wherein
The trimming step again,
Calculating the size of the portion to be trimmed until the resistance value (R2) is obtained from the relationship between the portion (S1) and the resistance value (R1); And
Continuously trimming the calculated size; Laser trimming method comprising a.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001326112A (en) * 2000-05-15 2001-11-22 Nec Corp Laser trimming method and apparatus
KR20020038134A (en) * 2000-11-16 2002-05-23 성규동 Apparatus for automated trimming an integrated circuit using laser
KR20040094170A (en) * 2003-05-02 2004-11-09 주식회사 이오테크닉스 Trimming an resistor of semiconductor device using laser
KR20090013476A (en) * 2007-08-02 2009-02-05 주식회사 파이컴 Laser trimming apparatus and method using image processing

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001326112A (en) * 2000-05-15 2001-11-22 Nec Corp Laser trimming method and apparatus
KR20020038134A (en) * 2000-11-16 2002-05-23 성규동 Apparatus for automated trimming an integrated circuit using laser
KR20040094170A (en) * 2003-05-02 2004-11-09 주식회사 이오테크닉스 Trimming an resistor of semiconductor device using laser
KR20090013476A (en) * 2007-08-02 2009-02-05 주식회사 파이컴 Laser trimming apparatus and method using image processing

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