KR101302893B1 - Nanostructures formed azo buffer layer and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 치밀한 구조 및 일정한 두께를 가진 상부전극을 나노선과 간단히 결합할 수 있으며, 나노선이 균일한 두께로 수직 성장할 수 있는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법은 투명전극 상에 AZO(Al doped ZnO) 버퍼층이 형성되는 S1단계, AZO 버퍼층 상에 제1금속을 함유한 전구체 및 산소가 공급되어 나노선이 성장되는 S2단계 및 성장된 나노선 상에 접촉되도록 상부전극이 배치되는 것을 S3단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a nanostructure in which an AZO buffer layer is formed and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a nanostructure and a method for manufacturing the AZO buffer layer in which an upper electrode having a dense structure and a constant thickness can be easily combined with a nanowire, and the nanowire can be vertically grown to a uniform thickness.
In the method of manufacturing a nanostructure in which an AZO buffer layer is formed according to the present invention, in step S1 in which an AZO (Al doped ZnO) buffer layer is formed on a transparent electrode, a precursor containing a first metal and oxygen are supplied onto the AZO buffer layer, thereby providing a nanowire. The step S3 is characterized in that it comprises a step S3 and the upper electrode is disposed so as to contact the grown nanowires.

Description

ＡＺＯ버퍼층이 형성된 나노 구조체 및 그 제조방법{NANOSTRUCTURES FORMED AZO BUFFER LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Nano structure with AO buffer layer and manufacturing method thereof {NANOSTRUCTURES FORMED AZO BUFFER LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 치밀한 구조 및 일정한 두께를 가진 상부전극을 나노선과 간단히 결합할 수 있으며, 나노선이 균일한 두께로 수직 성장할 수 있는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nanostructure in which an AZO buffer layer is formed and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a nanostructure and a method for manufacturing the AZO buffer layer in which an upper electrode having a dense structure and a constant thickness can be easily combined with a nanowire, and the nanowire can be vertically grown to a uniform thickness.

일반적으로 금속산화물은 절연체 또는 유전체로서 다양한 전자 소자에 이용되어 왔다. 특히 최근 들어 산화아연과 같은 반도체 금속산화물의 적용이 널리 알려지고 있고, 이에 따라 금속산화물을 이용한 나노구조체의 제조방법에 관한 연구가 활발하게 진행되고 있다. In general, metal oxides have been used in various electronic devices as insulators or dielectrics. In particular, the application of semiconductor metal oxides such as zinc oxide has been widely known in recent years, and thus, researches on a method of manufacturing nanostructures using metal oxides have been actively conducted.

한편, 전계 방출 소자는 뾰족한 팁(tip)을 갖는 나노구조체를 갖고, 나노구조체에 인가된 전기장에 의해 팁으로부터 전자 방출을 유도하는 전자 소자이다. 전계 방출 소자는 다양한 전자 장치로 응용되고 있으며, 예를 들어, 전계 방출 디스플레이(field emission display), X-레이 소스, 빔 레이저, 마이크로웨이브 파워증폭기 및 바이오 센서 등 다양한 센서들에 채택되고 있다. 이러한 다양한 응용 제품에서, 전계 방출 소자는 저전압에서도 용이하게 전자가 터널링하도록 구현되어야 한다. 즉 나노구조체의 팁의 반경 및 팁 표면의 일함수를 최소화할 수 있는 나노구조체로 제작될 필요가 있다.On the other hand, the field emission device is an electronic device having a nanostructure having a sharp tip and inducing electron emission from the tip by an electric field applied to the nanostructure. Field emission devices are being applied to a variety of electronic devices, for example, they are adopted in various sensors such as field emission displays, X-ray sources, beam lasers, microwave power amplifiers and biosensors. In these various applications, field emission devices must be implemented to facilitate electron tunneling even at low voltages. That is, it is necessary to manufacture a nanostructure that can minimize the radius of the tip of the nanostructure and the work function of the tip surface.

이를 실현하기 위해, 나노구조체의 구조 및 재질에 대하여 다양한 연구가 진행 중에 있으며, 이러한 연구 결과, 탄소나노튜브(또는 와이어) 또는 금속 산화물 반도체가 나노구조체의 재료로 주목받고 있다. 이러한 소재들은 우수한 기계적, 열적, 전기적 안정성으로 인해 많은 각광을 받고 있다.In order to realize this, various researches are being conducted on the structure and material of nanostructures, and as a result of these studies, carbon nanotubes (or wires) or metal oxide semiconductors are attracting attention as materials for nanostructures. These materials are in the spotlight due to their excellent mechanical, thermal and electrical stability.

그러나, 나노구조체의 다양한 성장 방법이 제시되고 있으나, 수직 배향하는데 많은 어려움을 갖고 있다. 또한, 탄소나노튜브는 금속 산화물 반도체에 비해 어스펙스 비(aspect ratio)가 낮고, 열적, 기계적 안정성도 떨어진다.However, various methods of growth of nanostructures have been proposed, but there are many difficulties in vertical alignment. In addition, carbon nanotubes have a lower aspect ratio than the metal oxide semiconductor, and are inferior in thermal and mechanical stability.

한편, 금속 산화물 반도체를 이용한 수직형 나노구조체는 예컨대, 금속 촉매제를 이용하여 에피택시 성장(epitaxi growth)을 할 수 있다. 이러한 성장 방법은 실리콘 기판 상에 소정의 금속, 예컨대 산화물 나노선 제작에 널리 쓰이는 금(Au) 등의 금속 촉매제를 사진공정을 이용하여 패터닝 한 후에, 실리콘 기판 상에 아연 함유 전구체를 공급함으로써 나노구조체들을 성장시키는 것이다.On the other hand, the vertical nanostructure using a metal oxide semiconductor, for example, may be epitaxy growth (epitaxi growth) using a metal catalyst. The growth method is a nanostructure by supplying a zinc-containing precursor on a silicon substrate after patterning a metal catalyst such as gold (Au), which is widely used in the production of oxide nanowires, on a silicon substrate using a photo process. To grow them.

이러한 에피택시 성장은 화학기상증착(Chemical Vapor Depostion; CVD) 공정을 이용한 에피택시 성장으로써 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 메카니즘에 의해 형성될 수 있다. 이러한 방법에 의하면, 나노구조체들이 성장함에 따라 씨앗을 이루는 금(Au)이 나노 와이어들의 팁(tip) 부분으로 이동되고, 아연(Zn)이 하단으로 이동되는 경향을 가진다.Such epitaxy growth may be formed by a Vapor-Liquid-Solid (VLS) mechanism by epitaxy growth using a Chemical Vapor Depostion (CVD) process. According to this method, as the nanostructures grow, the seed gold (Au) tends to move to the tip portion of the nanowires, and zinc (Zn) moves to the bottom.

금속촉매제는 비발광 재결합으로 인한 광학적 특성의 저하, 나노선의 전도도에 대한 제어의 곤란성, 나노선의 배향성 저하 등의 문제점을 야기한다. 이를 해결하기 위해 다양한 방법들이 시도되고 있다.Metal catalysts cause problems such as deterioration of optical properties due to non-luminescent recombination, difficulty in controlling the conductivity of nanowires, and deterioration in the orientation of nanowires. Various methods have been tried to solve this problem.

예컨대 VS(Vapor-Solid) 메카니즘이 적용되는 유기금속 화학기상증착(Metal Organic Chemical Vapor Depostion; MOCVD) 공정을 이용한 에피택시 성장방법으로 나노선을 제조할 수 있다. 이 공정은 금속 촉매제의 사용을 배제하고 나노선의 성장을 진행시킬 수 있다. 그리고 유리기판 상에 나노구조체를 형성하는 유기금속 화학기상증착 공정은 유리의 전이온도로 인해 저온에서 진행되어 밀도가 크고 균일한 나노구조체를 제조할 수 없었다.For example, nanowires may be manufactured by an epitaxy growth method using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process to which a VS (Vapor-Solid) mechanism is applied. This process allows the growth of nanowires without the use of metal catalysts. In addition, the organometallic chemical vapor deposition process of forming a nanostructure on a glass substrate proceeds at a low temperature due to the transition temperature of glass, and thus it is not possible to manufacture a dense and uniform nanostructure.

한편, ITO 전극과 같은 투명전극과 ZnO(산화아연)의 높은 격자상수 불일치도로 인해 나노선의 수직 성장이 어렵고, 높이가 균일하게 성장되지 못하는 문제가 있다.On the other hand, due to a high lattice constant mismatch between ZnO (zinc oxide) and a transparent electrode such as an ITO electrode, the vertical growth of the nanowires is difficult, and the height does not grow uniformly.

또한, 수직 성장되지 않은 나노선 상에 스퍼터링 방식으로 상부전극을 직접 증착시키는 경우에는 형성된 전극의 두께가 일정하지 못할 뿐만 아니라, 전극으로서의 치밀한 구조를 형성하지 못하는 문제가 있다. 그리고 치밀하고 일정한 두께의 상부전극을 형성하기 위해서는 공정이 복잡해지고, 그에 따른 제조비용이 상승한다는 문제가 있다.In addition, in the case of directly depositing the upper electrode on the nanowire that is not vertically grown by sputtering, the thickness of the formed electrode may not be constant, and there is a problem in that a dense structure as an electrode may not be formed. In addition, in order to form a dense and uniform thickness of the upper electrode, the process becomes complicated, and thus there is a problem in that the manufacturing cost increases.

그리고 ITO 등의 투명기판 상에 AZO 버퍼층을 형성하고 그 위에 나노선을 성장시키는 공정 및 나노선 상에 상부전극을 메카니컬(mechanical) 방식으로 결합하는 것에 대한 연구나 성공한 사례는 아직까지 보고되지 않고 있는 실정이다.
In addition, there have been no studies on the process of forming an AZO buffer layer on a transparent substrate such as ITO and growing nanowires on it, and on the mechanical bonding of the upper electrode on the nanowires. It is true.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체 및 그 제조방법은 상기한 바와 같은 종래 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 다음과 같은 해결과제를 가진다.Nanostructure formed with the AZO buffer layer and a method for manufacturing the same according to the present invention was devised to solve the conventional problems as described above, has the following problems.

첫째, AZO 버퍼층의 두께를 간단하게 제어하고, 투명전극과 나노선의 격자상수의 불일치도가 큰 경우에도 나노선이 일정한 두께를 가지고 수직으로 성장할 수 있는 방법을 제공하고자 한다.First, it is to simply control the thickness of the AZO buffer layer, and to provide a method in which the nanowires can grow vertically with a constant thickness even when the lattice constant between the transparent electrode and the nanowires is large.

둘째, 치밀하고 일정한 두께를 가진 상부전극을 형성할 수 있으며, 제조된 상부전극을 간단한 공정으로 결합할 수 있는 방법을 제공하고자 한다.Second, it is possible to form an upper electrode having a dense and constant thickness, and to provide a method for combining the manufactured upper electrode in a simple process.

셋째, 투명전극과 나노선 사이에 AZO 버퍼층이 삽입된 구조를 가지며, 기계적 ㆍ전기적으로 우수한 성능을 가진 나노구조체를 제공하고자 한다. Third, an AZO buffer layer is inserted between the transparent electrode and the nanowire, and a nanostructure having excellent mechanical and electrical performance is provided.

본 발명의 해결과제는 이상에서 언급한 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.
The solution of the present invention is not limited to those mentioned above, and other solutions not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법은 투명전극 상에 AZO(Al doped ZnO) 버퍼층이 형성되는 S1단계를 포함한다.The method for manufacturing a nanostructure in which an AZO buffer layer is formed according to the present invention includes a step S1 in which an AZO (Al doped ZnO) buffer layer is formed on a transparent electrode.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법은 AZO 버퍼층 상에 제1금속을 함유한 전구체 및 산소가 공급되어 나노선이 성장되는 S2단계를 포함한다.The method of manufacturing a nanostructure in which an AZO buffer layer is formed according to the present invention includes a step S2 in which a precursor containing a first metal and oxygen are supplied onto the AZO buffer layer to grow nanowires.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법은 성장된 나노선 상에 접촉되도록 상부전극이 배치되는 것을 S3단계를 포함한다.The method of manufacturing a nanostructure in which an AZO buffer layer is formed according to the present invention includes a step S3 in which an upper electrode is disposed to contact a grown nanowire.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법에 있어서, AZO 버퍼층은 ALD(Atomic Layer Deposition)법을 이용하여 ZnO와 Al2O3가 교대로 증착되어 형성되는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a nanostructure in which the AZO buffer layer is formed according to the present invention, the AZO buffer layer is preferably formed by alternately depositing ZnO and Al 2 O 3 using ALD (Atomic Layer Deposition).

본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법에 있어서, AZO 버퍼층은 10~100nm의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a nanostructure having an AZO buffer layer according to the present invention, the AZO buffer layer is preferably formed to a thickness of 10 ~ 100nm.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법에 있어서, S2단계는 상기 제1금속을 함유한 전구체가 5~10μmol/min의 유량으로 20~40분간 공급되는 것이 바람직하다.In the method of manufacturing a nanostructure having an AZO buffer layer according to the present invention, in the step S2, the precursor containing the first metal is preferably supplied for 20 to 40 minutes at a flow rate of 5 to 10 mol / min.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법에 있어서, 제1금속을 함유한 전구체는 불활성 기체로 이루어진 캐리어 가스에 의해 공급되는 것이 바람직하다.In the method for producing a nanostructure having an AZO buffer layer according to the present invention, the precursor containing the first metal is preferably supplied by a carrier gas made of an inert gas.

본 발명에 따른 캐리어 가스는 200~400℃의 온도에서 10~30 torr의 압력으로 공급되는 것이 바람직하다.Carrier gas according to the invention is preferably supplied at a pressure of 10 to 30 torr at a temperature of 200 ~ 400 ℃.

본 발명에 따른 S2단계에서 공급되는 제1금속을 함유한 전구체와 산소의 유량비는 1:180~1:200인 것이 바람직하다.The flow rate ratio of the precursor and oxygen containing the first metal supplied in step S2 according to the present invention is preferably 1: 180 to 1: 200.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법에 있어서, 산소는 산소함유 가스에 의해 공급되며, 산소함유 가스는 오존, 이산화질소, 수증기 및 이산화탄소로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a nanostructure having an AZO buffer layer according to the present invention, oxygen is supplied by an oxygen-containing gas, and the oxygen-containing gas is preferably selected from the group consisting of ozone, nitrogen dioxide, water vapor and carbon dioxide.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법에 있어서, 산소함유 가스는 200~400℃의 온도에서 10~30 torr의 압력으로 공급되는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a nanostructure having an AZO buffer layer according to the present invention, the oxygen-containing gas is preferably supplied at a pressure of 10 to 30 torr at a temperature of 200 to 400 ℃.

본 발명에 따른 상부전극은 폴리머층에 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2금속을 증착시켜 형성되는 것이 바람직하다.The upper electrode according to the present invention is preferably formed by depositing a second metal on the polymer layer by sputtering.

본 발명에 따른 폴리머층은 폴리이미드, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리 아미드이미드 및 폴리에테르이미드로 이루어진 군에서 적어도 하나 선택되는 폴리머로 이루어지는 것이 바람직하다.The polymer layer according to the present invention is preferably made of at least one polymer selected from the group consisting of polyimide, polysulfone, polyethersulfone, polyamideimide and polyetherimide.

본 발명에 따른 제2금속은 Pt, Ni, Ag, Au, Pd 및 Se으로 이루어진 군에서 적어도 하나 선택되는 것이 바람직하다.The second metal according to the present invention is preferably at least one selected from the group consisting of Pt, Ni, Ag, Au, Pd and Se.

본 발명에 따른 제S3단계의 상부전극은 결합지지부재에 의해 결합되는 것이 바람직하며, 결합지지부재는 수지인 것이 바람직하다.Preferably, the upper electrode of step S3 according to the present invention is coupled by a coupling support member, and the coupling support member is preferably a resin.

본 발명에 따른 수지는 버퍼층의 나노선이 성장되지 않은 테두리부에 도포되고, 도포된 수지가 경화되면서 버퍼층과 상부전극이 결합되는 것이 바람직하다.The resin according to the present invention is applied to the edge portion of the nanowire of the buffer layer is not grown, it is preferable that the buffer layer and the upper electrode is bonded while the applied resin is cured.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체는 본 발명에 따른 제조방법에 의하여 제조되는 것이 바람직하다.The nanostructure in which the AZO buffer layer according to the present invention is formed is preferably manufactured by the manufacturing method according to the present invention.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법은 투명기판 상에 형성되는 AZO 버퍼층의 두께를 간단하고 정확하게 제어하여 일정한 두께를 가지고 수직으로 성장시킬 수 있는 효과가 있다.The method for manufacturing a nanostructure in which an AZO buffer layer is formed according to the present invention has the effect of vertically growing with a certain thickness by simply and accurately controlling the thickness of the AZO buffer layer formed on a transparent substrate.

또한, 본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법은 치밀한 구조 및 일정한 두께를 가진 상부전극을 나노선과 간단히 결합할 수 있는 효과가 있다.In addition, the method of manufacturing a nanostructure in which the AZO buffer layer is formed according to the present invention has an effect of simply combining the upper electrode having a dense structure and a constant thickness with the nanowire.

또한, 본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체는 투명전극과 나노선 사이에 AZO 버퍼층이 삽입된 구조이고, 나노선과 상부전극이 견고하게 결합하여 기계적 ㆍ전기적으로 우수한 성능을 발휘할 수 있다.In addition, the nanostructure in which the AZO buffer layer is formed according to the present invention is a structure in which the AZO buffer layer is inserted between the transparent electrode and the nanowire, and the nanowire and the upper electrode are firmly coupled to each other to exhibit excellent mechanical and electrical performance.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.
The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법의 일실시예를 도시하는 공정도이다.
도 2는 본 발명에 따른 투명전극 상에 AZO 버퍼층이 형성된 모습을 도시하는 측면도이다.
도 3(a)는 본 발명에 따른 AZO 버퍼층 상에 나노선이 성장된 모습을 도시하는 측면도이다.
도 3(b)는 본 발명에 따른 AZO 버퍼층 상에 씨드층이 형성된 모습을 도시하는 사시도이고, 도3(c)는 본 발명에 따른 씨드층에서 나노선이 성장된 모습을 도시하는 사시도이다.
도 4(a)는 본 발명에 따른 AZO 버퍼층 상에 결합지지부재가 도포된 모습을 도시하는 측면도이고, 도 4(b)는 본 발명에 따른 상부전극이 배치되는 모습을 도시하는 측면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 AZO 버퍼층 상에 300℃성장된 나노선의 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
도 6은 본 발명에 따른 AZO 버퍼층 상에 400℃에서 성장된 나노선의 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
도 7은 AZO 버퍼층이 형성되지 않은 상태에서 ITO 전극 상에 성장된 나노선의 성장된 주사전자현미경(SEM) 사진이다.1 is a process diagram showing an embodiment of a method of manufacturing a nanostructure formed AZO buffer layer according to the present invention.
2 is a side view illustrating a state in which an AZO buffer layer is formed on a transparent electrode according to the present invention.
Figure 3 (a) is a side view showing the growth of nanowires on the AZO buffer layer according to the present invention.
Figure 3 (b) is a perspective view showing the seed layer is formed on the AZO buffer layer according to the present invention, Figure 3 (c) is a perspective view showing the growth of nanowires in the seed layer according to the present invention.
Figure 4 (a) is a side view showing a state in which the bonding support member is applied on the AZO buffer layer according to the present invention, Figure 4 (b) is a side view showing a state in which the upper electrode according to the present invention is disposed.
5 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of a nanowire grown at 300 ° C. on an AZO buffer layer according to the present invention.
6 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of the nanowires grown at 400 ° C. on the AZO buffer layer according to the present invention.
FIG. 7 is a grown scanning electron microscope (SEM) photograph of nanowires grown on an ITO electrode without an AZO buffer layer.

이하, 첨부된 도면들 및 후술 되어 있는 내용을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어 지는 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and the contents described below. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed contents are thorough and complete, and that the technical spirit of the present invention can be sufficiently delivered to those skilled in the art.

첨부된 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 내용 전달의 명확성을 기하기 위하여 일부 과장되어 있음을 밝힌다. 본 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
In the accompanying drawings, it is apparent that the thicknesses of layers and regions are partially exaggerated for clarity of content transfer. Like numbers refer to like elements throughout.

이하 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법의 일실시예를 도시하는 공정도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 금속산화물 나노구조체의 제조방법은 투명전극(102) 상에 AZO(Al doped ZnO) 버퍼층(200)이 형성되는 S1단계, 상기 AZO 버퍼층(200) 상에 제1금속을 함유한 전구체 및 산소가 공급되어 나노선(300)이 성장되는 S2단계 및 상기 성장된 나노선(300) 상에 접촉되도록 상부전극(500)이 배치되는 것을 S3단계를 포함하는 것이다.1 is a process diagram showing an embodiment of a method of manufacturing a nanostructure formed AZO buffer layer according to the present invention. As shown in FIG. 1, in the method of manufacturing a metal oxide nanostructure according to the present invention, step S1 in which an AZO (Al doped ZnO) buffer layer 200 is formed on a transparent electrode 102, is performed on the AZO buffer layer 200. S2 step of supplying a precursor and oxygen containing the first metal to the nanowires 300 is grown, and S3 step of placing the upper electrode 500 to be in contact with the grown nanowires 300 will be.

도 2는 본 발명에 따른 투명전극 상에 AZO 버퍼층이 형성된 모습을 도시하는 측면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 S1단계는 투명전극(102) 상에 AZO(Al doped ZnO) 버퍼층(200)이 형성되는 것이다.2 is a side view illustrating a state in which an AZO buffer layer is formed on a transparent electrode according to the present invention. As shown in FIG. 2, in the step S1 according to the present invention, an AZO (Al doped ZnO) buffer layer 200 is formed on the transparent electrode 102.

본 발명에 따른 투명전극(102)은 투명기판 위에 형성될 수 있으며, 투명기판(101)은 500℃이상의 고온에서도 견딜 수 있고, 투과율이 70%이상인 것이라면 특별히 제한할 필요는 없다.The transparent electrode 102 according to the present invention may be formed on a transparent substrate, and the transparent substrate 101 may withstand high temperatures of 500 ° C. or higher and does not need to be particularly limited as long as the transmittance is 70% or more.

본 발명에 따른 투명전극(102)은 가시광영역(400~700nm)에서 70%이상의 광투과도를 가지며, 10~103/옴센티의 전기전도도를 가지는 것이 바람직하다.The transparent electrode 102 according to the present invention has a light transmittance of 70% or more in the visible light region (400 to 700 nm), and preferably has an electrical conductivity of 10 to 10 3 / ohm centimeter.

예를 들어, 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide), SnO2(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, FTO(Fluorine-doped Tin Oxide) 및 CNT(Carbon Nano Tube)으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 선택되는 물질로 이루어질 수 있다. ㄱ그리고 그 중에서 투명도가 우수하고 전기도 잘 통하며 생산성도 우수한 ITO를 사용하는 것이 바람직하다.For example, the transparent electrode may include at least one selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), indium zinc oxide (IZO), znO, fluorine-doped tin oxide (FTO), and carbon nanotube (CNT). It may be made of one selected material. Among them, it is preferable to use ITO having excellent transparency, good electricity, and good productivity.

그리고, 본 실시예에서는 투명기판(101)으로 코닝글래스를 사용하고, 투명전극(102)으로는 ITO를 사용하였다. 그리고 투명기판(101) 위에 ITO를 적층하는 방법으로는 이온 빔(ion-beam), 전자 빔(electron-beam) 또는 스퍼터링(sputtering) 및 엑시머 레이저를 이용하는 방법 등을 다양하게 이용할 수 있다.In the present embodiment, Corning glass is used as the transparent substrate 101 and ITO is used as the transparent electrode 102. In addition, as a method of stacking ITO on the transparent substrate 101, an ion beam, an electron beam, a sputtering method, or an excimer laser may be used.

특히, 스퍼터링 방식 중에서 RF(Radio-Frequency magnetron sputtering) 방식으로 ITO를 투명기판(101) 상에 적층하는 경우에는 대략 250~350℃의 온도에서 수행될 수 있다.In particular, in the case of laminating the ITO on the transparent substrate 101 by RF (Radio-Frequency magnetron sputtering) among the sputtering method it may be performed at a temperature of approximately 250 ~ 350 ℃.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층(200)은 ALD(Atomic Layer Deposition)법을 이용하여 ZnO와 Al2O3가 교대로 증착되어 형성될 수 있다. ALD법을 이용하게 되면 ZnO와 Al2O3를 교대로 증착하는 것에 의해 AZO(Al doped ZnO) 버퍼층의 두께를 쉽게 제어할 수 있으며, 표면이 균일한 AZO 버퍼층을 형성할 수 있다.The AZO buffer layer 200 according to the present invention may be formed by alternately depositing ZnO and Al 2 O 3 by using an atomic layer deposition (ALD) method. By using the ALD method, it is possible to easily control the thickness of the AZO (Al doped ZnO) buffer layer by alternately depositing ZnO and Al 2 O 3 , thereby forming an AZO buffer layer having a uniform surface.

본 발명에 따른 AZO 버퍼층은 10~100nm의 두께로 형성될 수 있다. AZO 버퍼층(200)의 두께가 10~100nm일 때 박막 형상의 씨드층(301)의 형성이 원활하게 될 수 있으며, 높은 수직배향성 및 균일한 높이의 나노선이 성장될 수 있다.The AZO buffer layer according to the present invention may be formed to a thickness of 10 ~ 100nm. When the thickness of the AZO buffer layer 200 is 10 to 100 nm, the formation of the seed layer 301 having a thin film shape may be smooth, and nanowires having high vertical alignment and uniform height may be grown.

그리고, AZO 버퍼층(200)의 두께가 10nm 미만인 경우에는 전극으로서 불안정한 유전막(절연막)의 특성을 가지는 문제가 생길 수 있다. AZO 버퍼층(200)의 두께가 100nm를 초과하여 형성되더라도 그 초과되는 두께에 따른 나노선의 수직배향성 및 나노선의 높이 균일에 대한 효과는 크지 않다.
In addition, when the thickness of the AZO buffer layer 200 is less than 10 nm, there may be a problem of having an unstable dielectric film (insulation film) as an electrode. Even if the thickness of the AZO buffer layer 200 is greater than 100 nm, the effect on the vertical alignment of the nanowires and the height uniformity of the nanowires according to the excess thickness is not large.

도 3(a)는 본 발명에 따른 AZO 버퍼층 상에 나노선이 성장된 모습을 도시하는 측면도이다. 도 3(a)에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 S2단계는 AZO 버퍼층(200) 상에 제1금속을 함유한 전구체 및 산소가 공급되어 나노선(300)이 성장되는 것이다. Figure 3 (a) is a side view showing the growth of nanowires on the AZO buffer layer according to the present invention. As shown in FIG. 3 (a), in the S2 step according to the present invention, the precursor and oxygen containing the first metal are supplied onto the AZO buffer layer 200 to grow the nanowires 300.

도 3(b)는 본 발명에 따른 AZO 버퍼층 상에 씨드층이 형성된 모습을 도시하는 사시도이고, 도3(c)는 본 발명에 따른 씨드층에서 나노선이 성장된 모습을 도시하는 사시도이다. 도 3(a) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이 제1금속을 함유한 전구체 및 산소가 공급되면, AZO 버퍼층(200) 상에 제1금속은 금속산화물로 변환되어 단결정상의 씨드층(301)을 형성한다. 그리고 씨드층(301)에서 선택적으로 나노선(300)이 성장하게 된다.Figure 3 (b) is a perspective view showing the seed layer is formed on the AZO buffer layer according to the present invention, Figure 3 (c) is a perspective view showing the growth of nanowires in the seed layer according to the present invention. As shown in FIGS. 3A and 3B, when a precursor and oxygen containing a first metal are supplied, the first metal is converted into a metal oxide on the AZO buffer layer 200 to form a single crystal seed layer ( 301 is formed. The nanowire 300 is selectively grown in the seed layer 301.

본 발명에 따른 나노선(300)은 AZO 버퍼층(200) 상에서 수직되는 방위로 성장되고, 직경이 10~50nm로 일정한 막대 형상으로 성장될 수 있는 것이 바람직하다. 만일 나노선이 수직 성장되지 않거나, 일정하지 않은 두께로 성장되는 경우에는 수직성장된 나노선에 비하여 전압 인가시 저항이 증가될 수 있으며, 응답속도가 느리게 되는 문제가 있다. 그리고 나노선(300)의 두께를 10nm 미만으로 성장시키는 경우에는 나노선의 기계적 물성이 약해질 수 있으며, 공정의 조작이 복잡해질 수 있다. 나노선의 두께가 50nm를 초과하여 성장시키면, 씨드층 또는 나노선 간의 네트워킹으로 인해 박막 형태로 성장될 수 있기 때문이다.Nanowire 300 according to the present invention is grown in the direction perpendicular to the AZO buffer layer 200, it is preferable that the diameter can be grown in a rod shape of 10 ~ 50nm. If the nanowires are not vertically grown or grown at an inconsistent thickness, resistance may be increased when voltage is applied as compared to the vertically grown nanowires, and the response speed may be slow. In addition, when the thickness of the nanowires 300 is grown to less than 10 nm, the mechanical properties of the nanowires may be weakened, and the manipulation of the process may be complicated. This is because if the thickness of the nanowires is larger than 50 nm, they may be grown in a thin film form due to the seed layer or the networking between the nanowires.

본 발명에 따른 나노선은 유기금속 화학기상증착법, 기상 에피택시 및 분자빔 에피택시로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 방법으로 성장될 수 있다.The nanowires according to the present invention can be grown by one method selected from the group consisting of organometallic chemical vapor deposition, gas phase epitaxy and molecular beam epitaxy.

본 발명에 따른 제1금속은 아연(Zn)이며, 상기 아연을 함유한 전구체는 디메틸아연[Zn(CH3)2], 디에틸아연[Zn(C2H5)2], 아연아세테이트[Zn(OOCCH3)2H2O], 아연아세테이트 무수물[Zn(OOCCH3)2] 및 아연 아세틸아세토네이트[Zn(C5H7O2)2]으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택될 수 있다.The first metal according to the present invention is zinc (Zn), the precursor containing zinc is dimethyl zinc [Zn (CH 3 ) 2 ], diethyl zinc [Zn (C 2 H 5 ) 2 ], zinc acetate [Zn (OOCCH 3 ) 2 H 2 O], zinc acetate anhydride [Zn (OOCCH 3 ) 2 ] and zinc acetylacetonate [Zn (C 5 H 7 O 2 ) 2 ].

본 발명에 따른 제1금속을 함유한 전구체는 불활성 기체로 이루어진 캐리어 가스에 의해 공급될 수 있다.The precursor containing the first metal according to the invention can be supplied by a carrier gas consisting of an inert gas.

유기금속 화학증착법에 의한 나노선의 성장에 있어서는 챔버 내로 공급되는 가스의 온도와 압력에 따라 나노선의 성장여부 및 구조가 결정될 수 있다. 본 발명에서는 캐리어 가스 및 산소함유 가스가 200~400℃의 온도에서 10~30 torr의 압력으로 공급될 수 있다. 나노선이 성장되는 진공 챔버 내의 온도를 캐리어 가스 및 산소함유 가스에 의해 200~400℃의 온도로 유지하고 10~30 torr의 압력으로 공급함으로써, 단결정상의 씨드층의 형성이 원활히 이루어지고, 형성된 씨드층 상에서 나노선이 성장하게 된다.In the growth of nanowires by organometallic chemical vapor deposition, the growth and structure of the nanowires may be determined according to the temperature and pressure of the gas supplied into the chamber. In the present invention, the carrier gas and the oxygen-containing gas may be supplied at a pressure of 10 to 30 torr at a temperature of 200 to 400 ° C. By maintaining the temperature in the vacuum chamber in which the nanowires are grown at a temperature of 200 to 400 ° C. by a carrier gas and an oxygen-containing gas and supplying at a pressure of 10 to 30 torr, the seed layer is smoothly formed and the formed seed is formed. Nanowires grow on the layer.

본 발명에 따른 산소는 산소함유 가스에 의해 공급되며, 상기 산소함유 가스는 오존, 이산화질소, 수증기 및 이산화탄소로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택될 수 있다.Oxygen according to the present invention is supplied by an oxygen-containing gas, the oxygen-containing gas may be at least one selected from the group consisting of ozone, nitrogen dioxide, water vapor and carbon dioxide.

그리고 본 발명에 따른 나노선이 유기금속 화학기상증착법에 의하여 이루어지는 경우에는 제1금속을 함유한 전구체가 5~10μmol/min의 유량으로 20~40분간 공급될 수 있다.And when the nanowires according to the present invention is made by an organometallic chemical vapor deposition method, the precursor containing the first metal may be supplied for 20 to 40 minutes at a flow rate of 5 ~ 10μmol / min.

본 발명에 따른 S2단계는 상기 제1금속을 함유한 전구체가 5~10μmol/min의 유량으로 공급될 수 있다. 제1금속을 함유한 전구체가 5μmol/min 미만으로 공급되는 경우에는 나노선의 성장기반인 씨드층의 형성이 이루어지지 않을 수 있고, 나노선이 성장되더라도 수직배향성이 우수하지 못할 수 있다. 그리고 제1금속을 함유한 전구체가 10μmol/min를 초과하여 공급되면 나노선이 형성되지 않고, 나노선들 간의 네트워킹된 구조의 박막이 형성되는 문제가 있다.In the step S2 according to the present invention, the precursor containing the first metal may be supplied at a flow rate of 5 to 10 mol / min. When the precursor containing the first metal is supplied at less than 5 μmol / min, the seed layer, which is the growth base of the nanowires, may not be formed, and even if the nanowires are grown, vertical alignment may not be excellent. When the precursor containing the first metal is supplied in excess of 10 μmol / min, nanowires are not formed, and a thin film having a networked structure between the nanowires is formed.

본 발명에 따른 S2단계의 캐리어가스 및 산소함유 가스는 20~40분간 공급될 수 있다. 캐리어가스 및 산소함유 가스가 20분 미만으로 공급되는 경우에는 나노선이 충분히 성장하지 못할 수 있다. 그리고 캐리어가스 및 산소함유 가스가 40분을 초과하여 공급되더라도 초과 공급되는 가스의 양에 비해 나노선의 성장에는 크게 영향을 미치지 못하게 될 뿐만 아니라, 오히려 나노선의 표면이 거칠어 질 수 있다.Carrier gas and oxygen-containing gas of step S2 according to the present invention can be supplied for 20 to 40 minutes. When the carrier gas and the oxygen-containing gas are supplied in less than 20 minutes, the nanowires may not grow sufficiently. In addition, even if the carrier gas and the oxygen-containing gas are supplied for more than 40 minutes, not only does not significantly affect the growth of the nanowires compared to the amount of the excess gas, but the surface of the nanowires may be rough.

S2단계에서 공급되는 제1금속을 함유한 전구체와 산소의 유량비는 1:180~1:200인 것이 바람직하다. 아연의 공급 유량 1을 기준으로 산소의 공급유량이 200배를 초과하면, 형성되는 나노선(300)이 두꺼워져 뭉쳐진 파티클(paticle) 형태로 되는 문제점이 있다. 그리고 아연의 공급 유량 1을 기준으로 산소의 공급유량이 180배 미만이면, 나노(namo)단위의 나노선이 형성되지 못하고 마이크로(micro)단위의 선(wire)가 형성될 수 있기 때문이다.It is preferable that the flow rate ratio of the precursor and oxygen containing the 1st metal supplied in step S2 is 1: 180-1: 200. When the supply flow rate of oxygen exceeds 200 times based on the supply flow rate 1 of zinc, there is a problem in that the nanowires 300 formed are thickened to form agglomerated particles. When the supply flow rate of oxygen is less than 180 times based on the supply flow rate 1 of zinc, the nanowires may not be formed and the microwires may be formed.

본 발명에 따른 나노선(300)은 우르짜이트(wurtzite) 결정 구조를 갖는 것이 바람직하다.Nanowire 300 according to the present invention preferably has a wurtzite crystal structure.

한편, S2단계의 나노선은 제1금속과 산소가 반응한 금속산화물로 이루어지고, 금속산화물은 상기한 ZnO 이외에도 CaO, SrO, BaO, WO3, UO3, NiO, Cu2O, CuO, HgO, PbO2, BiO5, Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, FeO, CoO, Cr2O3, MnO, P2O5, Co3O4, Fe3O4, BeO, B2O3, MgO, Nb2O5, MoO3, CdO, SnO2, GeO2, Sb2O5, As2O5, Fe2O3, ZrO2, Sc2O3, TiO2, V2O5, Sn2O3, Eu2O3, Gd2O3, Er2O3, Lu2O3, Yb2O3, RuO2, Y2O3, La2O3, Ga2O3 ℃, SnO3 및 Sb3O3으로 이루어진 군으로부터 선택될 수도 있다.
On the other hand, the nanowire of the step S2 is made of a metal oxide reacted with the first metal and oxygen, the metal oxide, in addition to the above ZnO CaO, SrO, BaO, WO 3 , UO 3 , NiO, Cu 2 O, CuO, HgO , PbO 2 , BiO 5 , Al 2 O 3 , SiO 2 , Ta 2 O 5 , HfO 2 , FeO, CoO, Cr 2 O 3 , MnO, P 2 O 5 , Co 3 O 4 , Fe 3 O 4 , BeO , B 2 O 3 , MgO, Nb 2 O 5 , MoO 3 , CdO, SnO 2 , GeO 2 , Sb 2 O 5 , As 2 O 5 , Fe 2 O 3 , ZrO 2 , Sc 2 O 3 , TiO 2 , V 2 O 5 , Sn 2 O 3 , Eu 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Er 2 O 3 , Lu 2 O 3 , Yb 2 O 3 , RuO 2 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 , Ga 2 It may be selected from the group consisting of O 3 ° C , SnO 3 and Sb 3 O 3 .

도 4(a)는 본 발명에 따른 AZO 버퍼층 상에 결합지지부재가 도포된 모습을 도시하는 측면도이고, 도 4(b)는 본 발명에 따른 상부전극이 배치되는 모습을 도시하는 측면도이다. 도 4(a) 및 도 4(b)에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 S3단계는 성장된 나노선 상에 접촉되도록 상부전극이 배치되는 것이다.Figure 4 (a) is a side view showing a state in which the bonding support member is applied on the AZO buffer layer according to the present invention, Figure 4 (b) is a side view showing a state in which the upper electrode according to the present invention is disposed. As shown in Figure 4 (a) and 4 (b) step S3 according to the present invention is the upper electrode is disposed so as to contact on the grown nanowire.

본 발명에 따른 상부전극(500)은 폴리머층(502)에 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2금속(501)을 증착시켜 형성될 수 있다. 즉 본 발명은 기존과 같이 나노선 위에 직접 스퍼터링 방식으로 상부전극을 형성하지 않고, 별개의 공정을 통하여 상부전극(500)을 형성한 후 나노선 상에 배치하는 것이다. 따라서 나노선 위에 직접 상부전극을 형성하는 것에 비하여 보다 견고한 구조의 상부전극을 간단하게 형성할 수 있게 된다.The upper electrode 500 according to the present invention may be formed by depositing the second metal 501 on the polymer layer 502 by sputtering. That is, in the present invention, the upper electrode 500 is formed on a nanowire after a separate process without forming the upper electrode on the nanowire by sputtering. Therefore, compared to forming the upper electrode directly on the nanowire, it is possible to easily form the upper electrode of a more robust structure.

본 발명에 따른 폴리머층(502)은 상부전극(500)을 지지하는 역할을 함과 동시에 증착된 제2금속(501)이 나노선(300)과 접촉이 원활히 이루어질 수 있도록 도와주는 역할을 한다. 따라서 폴리머층(502)을 이루는 재질은 제2금속(501)이 스퍼터링되는 온도에서 견딜 수 있는 내열성을 가지며, 나노선(300)과의 접촉시 나노선(300)의 훼손이 방지되도록 부드럽고 탄성이 있는 것이 바람직하다. 예를 들어 본 발명에 따른 폴리머층(502)은 폴리이미드, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리 아미드이미드 및 폴리에테르이미드로 이루어진 군에서 적어도 하나 선택되는 폴리머로 이루어질 수 있다.The polymer layer 502 according to the present invention serves to support the upper electrode 500 and at the same time serves to facilitate the contact of the deposited second metal 501 with the nanowire 300. Therefore, the material constituting the polymer layer 502 has heat resistance to withstand the temperature at which the second metal 501 is sputtered, and is soft and elastic so that the nanowire 300 is prevented from being contacted with the nanowire 300. It is desirable to have. For example, the polymer layer 502 according to the present invention may be made of at least one polymer selected from the group consisting of polyimide, polysulfone, polyethersulfone, polyamideimide and polyetherimide.

본 발명에 따른 제2금속(501)은 Pt, Ni, Ag, Au, Pd 및 Se으로 이루어진 군에서 적어도 하나 선택될 수 있다. 상기 제2금속 중에서 전압 인가시 낮은 저항과 빠른 응답특성을 낼 수 있는 Pt가 바람직하다.At least one second metal 501 according to the present invention may be selected from the group consisting of Pt, Ni, Ag, Au, Pd, and Se. Among the second metals, Pt, which may exhibit low resistance and fast response when voltage is applied, is preferable.

본 발명에 따른 제S3단계의 상부전극(500)은 결합지지부재(400)에 의해 결합될 수 있다. 그리고 본 발명에 따른 결합지지부재(400)는 나노선(300) 상에 접촉 배치된 상부전극(500)을 결합시키고 지지하는 역할을 한다.The upper electrode 500 of step S3 according to the present invention may be coupled by the coupling support member 400. In addition, the coupling support member 400 according to the present invention serves to couple and support the upper electrode 500 disposed in contact with the nanowire 300.

본 발명에 따른 결합지지부재(400)는 에폭시 수지 또는 페놀 수지 등의 수지일 수 있다.Coupling support member 400 according to the present invention may be a resin such as epoxy resin or phenol resin.

그리고 도 3(a), 도 4(a) 및 도 4(b)에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 수지는 AZO 버퍼층(200)의 나노선이 성장되지 않은 테두리부(201)에 도포되고, 상기 도포된 수지가 경화되면서 AZO 버퍼층(200)과 상부전극(500)이 결합될 수 있다. 예를 들어 AZO 버퍼층(200)의 나노선이 성장되지 않은 테두리부(201)에 졸-겔 내지 액상의 에폭시 수지를 도포한 후에 미리 제작된 상부전극(500)을 나노선(300) 위에 올려놓는다. 이때, 에폭시 수지가 상부전극(500)과 접할 수 있도록 나노선(300)의 길이보다 두껍게 도포되는 것이 바람직하다.3 (a), 4 (a) and 4 (b), the resin according to the present invention is applied to the edge portion 201 where the nanowires of the AZO buffer layer 200 are not grown. As the coated resin is cured, the AZO buffer layer 200 and the upper electrode 500 may be combined. For example, after applying a sol-gel or a liquid epoxy resin to the edge portion 201 where the nanowires of the AZO buffer layer 200 are not grown, a prefabricated upper electrode 500 is placed on the nanowires 300. . In this case, it is preferable that the epoxy resin is thicker than the length of the nanowires 300 so as to be in contact with the upper electrode 500.

본 발명에 따른 도포되는 수지의 경화온도 및 경화시간은 수지의 종류에 따라 달리 조절될 수 있다. 예를 들어, 에폭시 수지의 경우에는 대략 70~90℃의 온도에서 50~70분 동안 경화시킬 수 있다.
The curing temperature and curing time of the resin to be applied according to the present invention can be adjusted differently depending on the type of resin. For example, the epoxy resin can be cured for 50 to 70 minutes at a temperature of approximately 70 ~ 90 ℃.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to preferred examples and comparative examples.

1. 투명기판은 700℃의 온도에서도 변형이 일어나지 않는 코닝(corning)사의 코닝글래스(corning glass)를 사용하였고, 코닝글래스 상에 RF magnetron 스퍼터링 방식으로 ITO를 증착시켰다.1. The transparent substrate used Corning's Corning glass (corning glass) that does not deform even at a temperature of 700 ℃, ITO was deposited on the Corning glass by RF magnetron sputtering method.

2. ITO가 증착된 코닝글래스를 ALD 방식으로 AZO 버퍼층을 ZnO와 Al2O3가 교대로 증착시켰다. 그리고 carrier density는 5.6×1020A[carrier 개수/cm3 이고, mobility는 15u로 수행하여 두께 20nm의 AZO 버퍼층을 형성하였다.2. Corning glass on which ITO was deposited was alternately deposited with ZnO and Al 2 O 3 in the AZO buffer layer by ALD. And carrier density is 5.6 × 10 20 A [Number of carriers / cm 3 Mobility was performed at 15u to form a 20 nm thick AZO buffer layer.

3. 산소를 500sccm의 유량, 20Torr의 압력 및 300℃의 온도인 조건으로 공급하였고, 제1금속을 함유한 전구체로서 디메틸아연디에틸아연[Zn(C2H5)2]을 5~10μmol/min의 유량으로 30분간 공급하였다. 이 때, 6N의 아르곤 가스를 챔버 내에서 캐리어 가스로 사용하였고, 아르곤 가스를 300℃의 온도로 공급하여 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Desposition) 방식으로 ZnO 나노선을 성장시켰다.3. Oxygen was supplied under conditions of a flow rate of 500 sccm, a pressure of 20 Torr and a temperature of 300 ° C., and 5-10 μmol / of dimethylzinc diethyl zinc [Zn (C 2 H 5 ) 2 ] as a precursor containing the first metal. 30 minutes was supplied by the flow volume of min. At this time, 6N argon gas was used as a carrier gas in the chamber, and argon gas was supplied at a temperature of 300 ° C. to grow ZnO nanowires by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Desposition) method.

도 5는 본 발명에 따른 AZO 버퍼층 상에 300℃에서 성장된 나노선의 주사전자현미경(SEM) 사진이다.5 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of a nanowire grown at 300 ° C. on an AZO buffer layer according to the present invention.

상기 [실시예 1]에서 산소 및 아르곤 가스가 400℃에서 공급되는 것을 제외하고는 [실시예 1]과 동일하다.[Example 1] is the same as [Example 1] except that the oxygen and argon gas is supplied at 400 ℃.

도 6은 본 발명에 따른 AZO 버퍼층 상에 400℃에서 성장된 나노선의 주사전자현미경(SEM) 사진이다.6 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of the nanowires grown at 400 ° C. on the AZO buffer layer according to the present invention.

[비교예 1] [ Comparative Example 1 ]

상기 [실시예 1]에서 AZO 버퍼층이 형성되지 않은 상태에서 ITO 전극 상에 나노선을 성장시킨 것을 제외하고는 [실시예 1]과 동일하다.In Example 1, except that the nanowires were grown on the ITO electrode in the state in which the AZO buffer layer was not formed, the same procedure as in Example 1.

도 7은 AZO 버퍼층이 형성되지 않은 상태에서 ITO 전극 상에 성장된 나노선의 성장된 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
FIG. 7 is a grown scanning electron microscope (SEM) photograph of nanowires grown on an ITO electrode without an AZO buffer layer.

도 5 및 도 6의 본 발명에 따른 나노선 사진에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노선은 우수한 수직배향성을 가지며, 일정한 두께로 형성되었다. 그에 반해, 도 7과 같이 AZO 버퍼층 없는 상태에서 ITO 전극 상에 성장된 나노선은 수직배향성이 불량하고 두께도 일정하지 않게 성장되었다.As shown in the nanowire picture according to the present invention of Figures 5 and 6, the nanowires formed with the AZO buffer layer according to the present invention has excellent vertical alignment and was formed to a constant thickness. On the contrary, as shown in FIG. 7, the nanowires grown on the ITO electrode without the AZO buffer layer were grown with poor vertical alignment and irregular thickness.

상기와 같이 나노선의 구조적 차이가 발생하는 이유는 ITO 전극과 ZnO의 격자상수의 불일치도가 높기 때문이다. 이러한 격자상수의 불일치로 인해 나노선이 무질서하게 성장되는 것을 방지하기 위해서는 본 발명에 따른 AZO 버퍼층을 형성한 상태에서 나노선을 성장시키는 것이 바람직하다.
The reason for the structural difference between the nanowires as described above is that the mismatch between the lattice constant between the ITO electrode and ZnO is high. In order to prevent nanowires from growing randomly due to the mismatch of lattice constants, it is preferable to grow the nanowires in a state in which the AZO buffer layer according to the present invention is formed.

상기 [실시예 1]에서 성장된 나노선 상에 상부전극을 배치하였다. 상부전극의 폴리머층은 폴리이미드(polyimide)로 제조하였고, 폴리머층 상에 스퍼터링 방식으로 제2금속인 Pt를 증착시켜 형성하였다. AZO 버퍼층 상에 나노선이 성장되지 않은 테두리부에 결합지지부재인 에폭시 수지를 도포하였다. 그리고, 상부전극을 나노선 위에 배치한 후, 80℃의 온도에서 1시간 동안 에폭시 수지를 경화시켜 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체를 제조하였다.
An upper electrode was disposed on the nanowires grown in [Example 1]. The polymer layer of the upper electrode was made of polyimide, and was formed by depositing Pt, a second metal, on the polymer layer by sputtering. On the AZO buffer layer, an epoxy resin serving as a bonding support member was applied to the edge where no nanowires were grown. Then, after placing the upper electrode on the nanowire, the epoxy resin was cured for 1 hour at a temperature of 80 ℃ to prepare a nanostructure in which the AZO buffer layer was formed.

본 명세서에서 설명되는 실시예와 첨부한 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 예시적으로 설명하는 것에 불과하다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것이 아님은 자명하다. 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
The embodiments described herein and the accompanying drawings are merely illustrative of some of the technical ideas included in the present invention. Therefore, since the embodiments disclosed herein are not intended to limit the technical spirit of the present invention but to explain, it is obvious that the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Modifications and specific embodiments that can be easily inferred by those skilled in the art within the scope of the technical spirit included in the specification and drawings of the present invention should be construed as being included in the scope of the present invention.

101 : 투명기판
102 : 투명전극
200 : AZO 버퍼층
201 : 테두리부
300 : 나노선
400 : 결합지지부재
500 : 상부전극
501 : 제2금속
502 : 폴리머층101: transparent substrate
102: transparent electrode
200: AZO buffer layer
201: border
300: nanowire
400: coupled support member
500: upper electrode
501: second metal
502 polymer layer

Claims (21)

투명전극 상에 AZO(Al doped ZnO) 버퍼층이 형성되는 S1단계; 상기 AZO 버퍼층 상에 제1금속을 함유한 전구체 및 산소가 공급되어 나노선이 성장되는 S2단계; 및 상기 성장된 나노선 상에 접촉되도록 상부전극이 배치되는 것을 S3단계를 포함하며,
상기 AZO 버퍼층은 ALD(Atomic Layer Deposition)법을 이용하여 ZnO와 Al2O3가 교대로 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.S1 step of forming an AZO (Al doped ZnO) buffer layer on the transparent electrode; S2 step of growing a nanowire by supplying a precursor and oxygen containing a first metal on the AZO buffer layer; And a step S3 in which an upper electrode is disposed to contact the grown nanowire,
The AZO buffer layer is a method of manufacturing a nano-structure formed with an AZO buffer layer, characterized in that the ZnO and Al 2 O 3 is formed by alternating deposition using the ALD (Atomic Layer Deposition) method. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 AZO 버퍼층은 10~100nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1,
The AZO buffer layer is a method of manufacturing a nano-structure formed AZO buffer layer, characterized in that formed in a thickness of 10 ~ 100nm. 제1항에 있어서,
상기 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide), SnO2(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, FTO(Fluorine-doped Tin Oxide) 및 CNT(Carbon Nano Tube)으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1,
The transparent electrode is at least one selected from the group consisting of ITO (Indium Tin Oxide), SnO 2 (Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO, FTO (Fluorine-doped Tin Oxide) and CNT (Carbon Nano Tube) Method for producing a nanostructure formed with an AZO buffer layer, characterized in that consisting of a material. 제1항에 있어서,
상기 나노선은 상기 AZO 버퍼층 상에서 수직되는 방위로 형성되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1,
The nanowire is a method of manufacturing a nano-structure formed with an AZO buffer layer, characterized in that formed in a direction perpendicular to the AZO buffer layer. 제1항에 있어서,
상기 나노선은 직경이 10~50nm인 막대 형상인 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1,
The nanowire is a method of manufacturing a nanostructure formed AZO buffer layer, characterized in that the rod shape having a diameter of 10 ~ 50nm. 제1항에 있어서,
상기 S2단계는 상기 제1금속을 함유한 전구체가 5~10μmol/min의 유량으로 20~40분간 공급되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1,
In the step S2, the precursor containing the first metal is a method of manufacturing a nanostructure having an AZO buffer layer, wherein the AZO buffer layer is supplied for 20 to 40 minutes at a flow rate of 5 to 10 mol / min. 제1항에 있어서,
상기 제1금속은 아연(Zn)이며, 상기 아연을 함유한 전구체는 디메틸아연[Zn(CH3)2], 디에틸아연[Zn(C2H5)2], 아연아세테이트[Zn(OOCCH3)2H2O], 아연아세테이트 무수물[Zn(OOCCH3)2] 및 아연 아세틸아세토네이트[Zn(C5H7O2)2]으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1,
The first metal is zinc (Zn), and the precursor containing zinc is dimethyl zinc [Zn (CH 3 ) 2 ], diethyl zinc [Zn (C 2 H 5 ) 2 ], zinc acetate [Zn (OOCCH 3). ) 2 H 2 O], zinc acetate anhydride [Zn (OOCCH 3 ) 2 ] and zinc acetylacetonate [Zn (C 5 H 7 O 2 ) 2 ] AZO buffer layer characterized in that at least one selected from the group consisting of Method for producing the formed nanostructures. 제1항에 있어서,
상기 제1금속을 함유한 전구체는 불활성 기체로 이루어진 캐리어 가스에 의해 공급되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1,
The precursor containing the first metal is a method of manufacturing a nano-structure formed with an AZO buffer layer, characterized in that supplied by a carrier gas consisting of an inert gas. 제9항에 있어서,
상기 캐리어 가스는 200~400℃의 온도에서 10~30 torr의 압력으로 공급되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.10. The method of claim 9,
The carrier gas is a method of manufacturing a nano-structure formed AZO buffer layer, characterized in that supplied at a pressure of 10 ~ 30 torr at a temperature of 200 ~ 400 ℃. 제1항에 있어서,
상기 S2단계에서 공급되는 제1금속을 함유한 전구체와 산소의 유량비는 1:180~1:200인 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1,
Flow rate ratio of the precursor and oxygen containing the first metal supplied in the step S2 is 1: 180 ~ 1: 200 manufacturing method of the nano-structure formed with a buffer layer, characterized in that. 제1항에 있어서,
상기 산소는 산소함유 가스에 의해 공급되며, 상기 산소함유 가스는 오존, 이산화질소, 수증기 및 이산화탄소로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1,
The oxygen is supplied by the oxygen-containing gas, the oxygen-containing gas is at least one selected from the group consisting of ozone, nitrogen dioxide, water vapor and carbon dioxide AZO buffer layer manufacturing method of the nanostructures formed. 제12항에 있어서,
상기 산소함유 가스는 200~400℃의 온도에서 10~30 torr의 압력으로 공급되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 12,
The oxygen-containing gas is a method for producing a nano-structure formed AZO buffer layer, characterized in that supplied at a pressure of 10 ~ 30 torr at a temperature of 200 ~ 400 ℃. 제1항에 있어서,
상기 나노선은 유기금속 화학기상증착법, 기상 에피택시 및 분자빔 에피택시로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 방법으로 성장되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1,
The nanowires are grown by one method selected from the group consisting of organometallic chemical vapor deposition, gas phase epitaxy and molecular beam epitaxy. 제1항에 있어서,
상기 상부전극은 폴리머층에 스퍼터링(sputtering) 방식으로 제2금속을 증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1,
And the upper electrode is formed by depositing a second metal on the polymer layer by a sputtering method. 제15항에 있어서,
상기 폴리머층은 폴리이미드, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리 아미드이미드 및 폴리에테르이미드로 이루어진 군에서 적어도 하나 선택되는 폴리머로 이루어지는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.16. The method of claim 15,
The polymer layer is a method for producing a nano-structure formed with an AZO buffer layer, characterized in that made of at least one polymer selected from the group consisting of polyimide, polysulfone, polyethersulfone, polyamideimide and polyetherimide. 제15항에 있어서,
상기 제2금속은 Pt, Ni, Ag, Au, Pd 및 Se으로 이루어진 군에서 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.16. The method of claim 15,
The second metal is Pt, Ni, Ag, Au, Pd and Se at least one selected from the group consisting of a method for producing a nanostructures with a AZO buffer layer is formed. 제1항에 있어서,
상기 제S3단계의 상부전극은 결합지지부재에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1,
The upper electrode of step S3 is a method of manufacturing a nano-structure formed with an AZO buffer layer, characterized in that coupled by a coupling support member. 제18항에 있어서,
상기 결합지지부재는 수지인 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.19. The method of claim 18,
The bonding support member is a manufacturing method of the nanostructures formed AZO buffer layer, characterized in that the resin. 제19항에 있어서,
상기 수지는 버퍼층의 나노선이 성장되지 않은 테두리부에 도포되고, 상기 도포된 수지가 경화되면서 버퍼층과 상부전극이 결합되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법.20. The method of claim 19,
The resin is applied to the edge portion of the nanowires of the buffer layer is not grown, the method of manufacturing a nano-structure formed AZO buffer layer, characterized in that the buffer layer and the upper electrode is bonded while the applied resin is cured. 제1항, 제3항 내지 제20항 중 어느 하나의 제조방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체.21. A nanostructure with an AZO buffer layer formed by the method of any one of claims 1, 3-20.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007535412A (en) 2004-04-30 2007-12-06 ナノシス・インコーポレイテッド Systems and methods for nanowire growth and fabrication
KR100813243B1 (en) 2006-07-04 2008-03-13 삼성에스디아이 주식회사 Interlayer wiring of semiconductor device using carbon nanotube and manufecturing process of the same
KR20100130296A (en) * 2009-06-03 2010-12-13 성균관대학교산학협력단 Method of fabricating a zinc oxide based nanowire using a buffer layer in a high temperature process and method of fabricating a electronic device using the same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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