KR101302264B1 - 프로브 구조체 및 프로브 구조체 제조방법 - Google Patents

Abstract

하부 기판상에, 외부의 물리력에 탄성적으로 수축 또는 팽창하고 기판과 지지 빔의 중간에 연결되어 구조적 지지대 역할을 하는 지지 본체부를 패터닝에 의해 형성하는 단계와, 상부 기판 하부에 포토리소그래피에 의해 형성되는 평면 절곡 구조로써 외부의 물리력에 탄성적으로 운동하며 지지 본체부와 프로브 팁을 연결하는 지지 빔을 형성하는 단계와, 지지 본체부와 지지 빔을 결합하는 단계와 상부 기판과 무관하게 상기 지지 빔 위에 검사대상 소자의 검사부와 직접 접촉하는 프로브 팁을 포토리소그래피를 이용하여 형성하는 단계를 포함하는 프로브 구조체 제조방법이다.

프로브 팁과 지지 빔은 일체적으로 제조되지 않고 개별적인 웨이퍼에서 분리되어 형성되며, 프로브 팁의 형성은 웨이퍼 안이 아닌 밖에서 제조되는 양각법에 의하여 수행된다.

프로브 구조체, 지지 빔, 지지 본체부, 프로브 팁

Description

프로브 구조체 및 프로브 구조체 제조방법 {PROBE STRUCTURE AND PROBE STRUCTURE MANUFACTURING METHOD}

도 1a 및 도 1b 는 종래의 캔틸레버형 프로브 구조체 제조방법을 설명하는 기판 단면도.

도 2a 내지 도 2e 는 본 발명에 따른 프로브 구조체 제조 방법에 있어서, 지지본체부를 예비제조하는 공정 흐름을 순차적으로 도시한 공정도.

도 3a 및 도 3c 는 본 발명에 따른 프로브 구조체 제조 방법에 있어서, 지지빔을 예비제조하는 공정 흐름을 도시한 공정도.

도 4a 내지 도 4d 는 본 발명에 따른 프로브 구조체 제조 방법에 있어서, 플립칩본딩법을 이용한 지지빔과 지지 본체부 와의 결합과정을 도시한 공정도.

도 5a 내지 도 5b 는 본 발명에 따른 프로브 구조체 제조 방법에 있어서, 금속간화합물 본딩법을 이용한 지지 본체부와 지지 빔과의 결합과정을 도시한 공정도.

도 6a 내지 도 6h 는 본 발명의 따른 프로브 구조체 제조 방법에 있어서, 최종 공정인 프로브 팁 제조과정을 도시한 공정도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

50. 60 : 기판 56 : 금속 범프

57 : 기둥 58 : 지지 본체부

63 : 지지 빔 75 : 프로브 팁

본 발명은 프로브 구조체 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 집적회로 장치의 전기적 시험을 위한 프로브 구조체 제조방법에 관한 것이다.

종래에는 이러한 프로브 구조체 제조방법으로서 프로브 팁과 지지 빔을 동일 웨이퍼에서 동시에 제조하는 방법이 제안되어 왔다.

도 1a 및 도 1b 는 종래의 캔틸레버형 프로브 제조방법을 설명하는 기판의 단면도이다. 도 1a 및 도 1b 에 도시된 켄틸레버형 프로브 카드의 경우, 그 제조 과정은 다음과 같다. 도 1b 에 도시된 바와 같이, 먼저 기판 (42) 위에 범프 (43) 를 형성하고, 별도의 실리콘 웨이퍼 (44) 상에서 프로브 팁 (45b) 과 지지 빔 (45a) 을 형성한다. 그 후에 범프 (43) 와 지지 빔 (45a) 을 본딩하여 프로브 팁 (45b) 이 일체화된 프로브 (45; 도 1a 참조) 를 형성한다. 이렇게 프로브가 형성되면 실리콘 웨이퍼 (44) 를 제거하고, 도 1a 에 도시된 바와 같이, 별도의 보강재 (46) 를 이용하여 상기 기판 (42) 을 주회로 기판 (41) 에 장착한다.

종래 기술에 따르면, 지지 빔 (45a) 과 프로브 팁 (45b) 이 동일 웨이퍼 상에서 제조되므로, 프로브 팁 (45b) 제조를 위한 희생 기판이 필요하고, 지지 빔 (45a) 과 범프 (43) 결합시 플립칩본딩법을 사용함에 따른 제조의 어려움, 즉, 본딩부위에 솔더를 도포하고 얼라인을 맞추는 과정의 어려움이 있었다. 또한, 프로브 팁 (45b) 제조가 프로브 구조체 제조의 최종 공정이 아니므로 복수의 프로브 팁 (45b) 제조시 동일한 높이를 갖는 프로브 팁 (45b) 들을 원하는 위치에 정확히 배열할 수 없는 문제가 있었다.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로, 프로브 팁을 지지 빔과 개별적인 웨이퍼 상에서 포토리소그래피를 이용하여 양각법으로 제조하고, 프로브 팁 제조공정을 프로브 구조체 제조과정의 최종공정으로 함으로써, 고정밀하게 동일한 높이와 정확한 위치에 정렬되는 프로브 팁을 구비하는 프로브 구조체의 제조방법을 제공함을 목적으로 한다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 프로브 구조체 제조 방법에 있어서, 하부 기판 상에 지지 본체부를 형성하는 단계와, 상부 기판 상에 지지 빔을 형성하는 단계와, 하부 기판 상에 존재하는 지지 본체부와 상부 기판으로부터 분리된 지지 빔을 본딩하는 단계와, 지지 빔 위에 프로브 팁을 형성하는 단계를 포함하는, 프로브 구조체 제조방법을 제공한다. 이렇게 프로브 팁 제조 공정을 프로브 구조체 제조의 최종 공정으로 함으로써 지지 본체부와 지지 빔의 본딩이 보다 용이해지고, 프로브 팁의 높이가 동일하고 정확한 위치 정렬이 되는 프로브 카드를 제조할 수 있다.

지지 본체부와 지지 빔을 본딩하는 단계 사이에는, 하부 기판과 지지 빔 사이에 레진과 같은 수지를 도포한 후 상기 하부 기판에서부터 상기 지지 빔까지 동일한 높이를 가질 수 있도록 하는 평탄화 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
평탄화 공정에 사용되는 수지는 액상 포토레지스터, 레진, 또는 에폭시 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.

전술한 지지 본체부를 형성하는 단계는, 하부 기판 상에 포토리소그래피를 이용하여 포토레지스터에 금속 범프 형성용 패턴을 형성하는 단계와, 상기 패턴에 전해도금법으로 금속 범프를 형성하는 단계와, 상기 금속 범프 위에 사진 석판술을 이용하여 전해도금법으로 기둥을 형성하는 단계를 포함한다.

전술한 지지 빔을 형성하는 단계는, 상부 기판 하부에 포토 레지스터를 도포, 노광 및 현상하여 상기 지지 빔 형성용 패턴을 형성하는 단계와, 이 패턴에 전해도금법을 이용하여 지지빔을 형성하는 단계를 포함한다.

위 지지 본체부와 지지 빔을 본딩하는 단계는, 플립칩 본딩법 또는 지지 본체부 위에 금속간 화합물을 성장시키고 그 위에 순차적으로 지지빔을 생성시키는 금속간 화합물 본딩법을 이용하는 것이 바람직하다.

위 프로브 팁을 형성하는 단계는, 지지 빔 위에 사진 석판술을 이용하여 상기 프로브 팁 형성용 패턴을 형성하는 단계와, 이 패턴 면에 본딩을 위한 금속간 화합물을 형성하는 단계와, 이 패턴에 전해도금법으로 프로브 팁을 형성하는 단계를 포함한다.

위 전해도금법은 니켈합금을 사용하여 수행되는 것이 바람직하다. 이에 따르면 프로브 팁이 IC 에 접촉시 닳는 것을 최소화할 수 있다.

이하 본 발명을 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.

본 발명에 따른 프로브 구조체 제조방법은, 지지 본체부를 형성하는 공정, 지지 빔을 형성하는 공정, 지지 본체부와 지지 빔을 형성하는 공정, 및 프로브 팁을 형성하는 공정을 포함한다.

첨부되는 도면에서, 도 2a 내지 도 2e 는 하부 기판상에, 외부의 물리력에 의해 탄성적으로 수축 또는 팽창하고 기판과 지지 빔의 중간에 연결되어 구조적 지지대 역할을 하는 지지 본체부를 패터닝에 의해 형성하는 공정을 순차적으로 도시하고, 도 3a 내지 도 3b 는 상부 기판 상에, 포토리소그래피에 의해 형성된 평면 절곡 구조로써 외부의 물리력에 탄성적으로 운동하며 지지 본체부와 프로브 팁을 연결하는 지지 빔을 형성하는 공정을 순차적으로 도시하며, 도 4a 내지 도 4c 는 지지 본체부와 지지 빔을 결합하고, 실리콘 웨이퍼와 무관하게 상기 지지 빔 위에 검사대상 소자의 검사부와 직접 접촉하는 프로브 팁을 포토리소그래피를 이용하여 형성하는 공정을 도시한다.

먼저, 도 2a 내지 도 2e 를 참조하여, 지지 본체부를 예비제조하는 공정을 설명한다. 도 2a 는 지지 본체부가 형성될 하부 기판 (50) 을 도시한다. 먼저, 도 2b 에 도시된 바와 같이, 하부 기판 (50) 상에 포토 레지스터 (54) 를 도포, 노광 및 현상하여 원하는 금속 범프의 패턴을 형성하고, 형성된 패턴에 도금을 하기 위해 기판 (50) 하부 전면 (51) 에 절연성 막 (55) 을 형성한다. 이때 패턴은 평면 절곡 구조를 가지며 외부의 물리력에 의한 지지 빔 (63; 도 3b 참조) 의 탄성적 휨에 대해 간섭을 최소화하기 위해 절곡된 형상의 깊이를 최대화하는 것이 바람직하다. 이는 드라이 필름을 여러 장 겹쳐서 패턴의 높이를 확보하는 방법으로 달성될 수 있다.

그 다음으로, 도 2c 에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피에 의해 형성된 패턴 상에 전해도금법으로 금속범프 (56) 를 형성하고, 예를 들면, 금속범프를 형성하고, 금속범프 표면을 평탄화하는 그라인딩을 이용하여 울퉁불퉁한 전해 도금면을 평탄화한다. 그 후, 도 2d 및 도 2e 에 도시된 바와 같이 평탄화된 금속범프 (56) 상에 기둥 (57) 을 형성한다.

도 2d 및 도 2e 는 금속범프 (56) 위에 두 개의 기둥 (57) 을 형성하는 과정을 도시한다. 먼저 포토리소그래피를 이용하여 금속 범프 (56) 상에 포토 레지스터 (59) 를 도포, 노광 및 현상하여 원하는 기둥의 패턴을 형성한다. 이 패턴의 높이와 너비는 기둥의 탄성 변형이 가능하도록 적절하게 선택될 수 있다. 그 후, 전해도금법으로 두 개의 기둥 (57) 을 형성한다. 기둥 (57) 을 형성하는 방법은 금속범프 (56) 를 에칭한 후 기둥을 전해 도금하는 방법 또는 범프 (56) 와 기둥 사이에 금속간 화합물을 도포하여 본딩하는 방법이 사용될 수 있다. 이러한 방법으로 두 개 이상의 기둥이 형성될 수도 있다.

도 2e 는 하부 기판상에 금속 범프 (56) 와 기둥 (57) 이 형성되고 에칭에 의해 포토레지스터 (54, 59) 가 제거된 후의 지지 본체부 (58) 의 단면도이다. 지지 본체부 (58) 는 금속 범프 (56) 와 기둥 (57) 을 포함한다.

다음으로, 도 3a 및 3b 를 참조하여, 본 발명에 따른 프로브 구조체 제조방법에 있어서, 지지 빔을 예비제조하는 공정을 설명한다.

먼저, 도 3a 에 도시된 바와 같이, 상부 기판 (60) 하부 전면에 포토 레지스터 (62) 를 도포, 노광 및 현상하여 원하는 지지 빔의 패턴을 형성한다. 이 패턴의 높이 및 너비는 지지 빔의 탄성 변형이 가능하도록 적절하게 선택될 수 있다. 그 후 전해도금법을 이용하여 지지 빔 (63; 도 3b 참조) 을 형성한다.

도 3b 및 3c 에 도시된 바와 같이, 사진 석판술과 전해 도금법을 이용하여 지지 빔 (63) 을 형성하고, 에칭에 의해 포토레지스터 (62) 를 제거함으로써 지지 빔 제조과정을 마친다.

지지 빔 (63) 을 형성한 후에 이를 지지 본체부 (58) 와 결합하고, 지지 빔 (63) 상에 프로브 팁 (72) 을 형성한다.

이러한 지지빔 (63) 과 지지 본체부 (58) 와의 결합에는 플립칩본딩법 또는 금속간화합물 본딩법이 사용될 수 있다.

먼저, 도 4a 내지 도 4d 를 참조하여, 플립칩본딩법을 이용한 지지빔 (63) 과 지지 본체부 (58) 와의 결합과정을 설명한다. 먼저, 도 4a 에 도시된 바와 같이, 예비제조된 지지 본체부 (58) 의 기둥 상에 솔더 (51) 를 도포하며, 이 도포과정에는 전해도금 또는 스크린 프린팅법이 이용될 수 있다. 그 후, 도 4b 및 4c 에 도시된 바와 같이, 지지 빔 (63) 을 포함하고 있는 예비제조된 상부 기판 (60) 을 지지 본체부 (58) 를 포함하는 하부 기판 (50) 과 결합시키고, 에칭에 의해 상부 기판 (60) 을 제거한다.

이러한 솔더 페이스트를 이용한 플립칩 본딩법에 의하면, 미량의 액상을 갖는 솔더페이스트의 특성과 대면적 결합시 생기는 플립칩 본더의 온도 차이, 즉, 심 한 온도 구배 때문에 본딩 후 하부 기판 (50) 으로부터 지지 빔 (63) 까지의 높이 (h) 의 편차가 심하게 생기므로 평탄화 공정이 필요하다. 따라서, 도 4d 에 도시된 바와 같이, 프로브팁을 형성하기에 앞서, 하부 기판 (50) 과 지지 빔 (63) 사이에 액상 포토레지스트, 레진, 또는 에폭시 등과 같은 수지 (64) 를 이용하여 몰딩한 후 하부 기판 (50) 에서 지지 빔 (63) 까지의 높이를 평탄화 시킨다. 이에 따라 본딩 시 불균일한 평탄도를 해소하여 동일한 높이를 갖는 프로브 팁의 제조가 가능하고, 이에 따라 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.

다음으로, 도 5a 및 5b 를 참조하여, 금속간화합물 본딩법을 이용한 지지 본체부 (58) 와 지지 빔 (63) 의 결합공정을 설명한다. 이 공정에 따르면, 도 5a 에 도시된 바와 같이, 지지 본체부 (58) 에서 기둥 (57) 을 형성할 당시 포토리소그래피법을 이용하여 금속 지지대 (70) 도 함께 형성해야 한다. 이 금속 지지대 (70) 는 구리로 형성될 수 있다. 그 후, 도 5b 에 도시된 바와 같이, 기둥 (57) 상에 포토 레지스터 (65) 를 도포, 노광 및 현상하여 원하는 지지 빔 (63) 의 패턴을 형성시키고, 형성된 패턴 내에서 기둥 (57) 과 금속 지지대 (70) 상에 구리층 (69) 을 형성시킨다. 이렇게 형성된 구리층 (69) 상에 포토레지스터 (65) 의 패턴에 따라 지지 빔 (63) 을 형성시키고, 최종적인 프로브 팁 구조체 제작 후, 열처리 공정을 통하여 니켈 층 (지지빔) 과 구리층 사이에서 이온 확산이 일어나도록 하면, 기둥 (57) 과 지지 빔 (63) 사이에 금속간 확산층 (Ni-Cu 확산층) 이 생기게 되며, 이 과정에서 이온의 확산 방향은 구리 (Cu) 층에서 니켈 (Ni) 쪽으로 이루어진다. 이 열처리 공정에서, 400℃ 이상의 열을 가하게 되면 프로브 팁이 변형될 수 있으므로, 열처리 온도는 400℃ 미만으로 조절되어야 하며, 열처리 온도는 공정의 시간에 반비례한다. 즉, 열처리 온도가 높으면 짧은 시간동안만 열을 가하더라도 금속간 확산층을 형성시킬 수 있다. 또한, 지지빔 (63) 을 받쳐주던 금속 지지대 (70; 구리층) 는 최종적으로 지지 빔 (63) 상에 프로브 팁을 형성한 후 구리 (Cu) 를 선택적으로 녹이는 물질을 이용하여 제거되며, 이와 함께 기타 포토레지스트 패턴들도 제거된다.

종래의 프로브 구조체 제조방법에 있어서는, 지지 빔 상부에 프로부 팁을 형성한 후 이를 지지 본체부와 본딩을 하였기 때문에, 반드시 플립칩 본딩법을 사용했어야 했고, 이 방법은, 본딩에 앞서 본딩 부위에 솔더를 도포하고 지지 빔과 지지 본체부를 결합하는 과정에서 이미 형성된 프로브 팁들 간의 얼라인을 맞춰야 하므로, 그 과정이 매우 어려웠다. 그러나, 본 발명에 따른 프로브 구조체 제조방법에 있어서는, 프로브 팁의 제조를 최종 공정으로 하고 있으므로, 지지 본체부 (58) 와 지지 빔 (63) 의 결합에 전술한 금속간화합물 본딩법 (도 5a 및 5b 참조) 을 사용할 수 있으며, 이러한 금속간화합물 본딩법은, 금속간 화합물 (69) 을 성장시키고 그 위에 지지 빔 (63) 을 순차적으로 생성시키는 방법인 바, 결합 과정에서 프로브 팁들 간의 얼라인을 맞출 필요가 없어 지지 빔 (63) 과 지지 본체부 (58) 의 본딩이 용이해진다.

다음으로, 본 발명의 프로브 구조체 제조 방법에 있어서, 최종 공정인 프로브 팁 제조과정을 도 6a 내지 6h 를 참조하여 설명한다. 여기서는, 플립칩본딩법을 사용하여 지지 본체부 (58) 와 지지 빔 (63) 을 결합 (도 4a 내지 4d 참조) 한 후 프로브 팁을 제조하는 과정에 대해 설명하며, 금속간화합물 본딩법을 이용한 공정에서도 프로브 팁의 제조과정은 이와 동일하다.

먼저, 도 6a 내지 도 6d 에 도시된 바와 같이, 레진과 같은 수지 (64) 가 충진된 지지 빔 (63) 상에 포토 레지스터 (70) 를 도포, 노광 및 현상하여 프로브 팁을 지지할 수 있는 프로브 팁 지지부의 패턴을 형성하고, 형성된 패턴 내에서 지지 빔 (63) 상에 구리층 (71) 을 형성시킨다. 그 후 상기 구리층 (71) 상의 패턴에 전해도금법을 이용하여 프로브 팁 지지부 (72) 를 형성시킨다.

그 다음, 도 6d 내지 6f 에 도시된 바와 같이, 프로브 팁 지지부 (72) 상에 포토 레지스터 (73) 를 도포, 노광 및 현상하여 프로브 팁의 패턴을 형성시키고, 그 패턴 내에 구리층 (74) 을 도포하고, 전해도금법을 이용하여 프로브 팁 (75) 을 차례로 형성시킨다. 여기서 프로브 팁 (72) 의 재질은 전해도금의 특성상 내마모성이 우수한 Ni 또는 Ni계 합금 등으로 하는 것이 바람직하며, Ni 계 합금 중 Ni-Co 계로 하는 것이 가장 바람직하다. 그 후, 충진되었던 수지 (64) 를 제거하고, 열처리에 의해 구리층 (71, 74) 과 그 주변의 니켈층 (프로브 팁, 프로브 팁 지지부 및 지지 빔) 사이에서의 이온확산을 가능하게 함으로써 프로브 팁 (75), 프로브 팁 지지부 (72) 및 지지 빔 (63) 을 결합시키고, 프로브 팁 (75) 과 프로브 팁 지지부 (72) 사이, 및 프로브 팁 지지부 (72) 와 지지 빔 (63) 사이에 금속간 확산층 (Ni-Cu 확산층) 을 형성시킨다.

마지막으로, 도 6g 및 6h 에 도시된 바와 같이, 샌딩법을 이용하여 프로브 팁 (75) 가공을 하여 프로브 팁 (75) 을 보다 예리하게 만든다.

이와 같이, 본 발명에 따른 프로브 구조체 제조방법은, 프로브 팁 (72) 의 형성을 최종 공정으로 하고 있으므로 동일한 높이를 갖는 프로브 팁 (72) 들을 정확한 위치에 정렬할 수 있고, 양각법을 이용하여 제조하므로 프로브 팁 (72) 제조시 희생기판의 필요가 없으며, 지지 본체부 (58) 와 지지 빔 (63) 의 결합을 금속간확산본딩법에 의하여 할 수 있으므로 본딩을 용이하게 할 수 있고, 접합력도 극대화 시킬 수 있다.

본 발명에 따르면 프로브 구조체 제조의 최종 공정이 포토리소그래피에 의한 프로브 팁 제조이므로 지지 본체부와 지지 빔의 결합시 금속간화합물 본딩법을 이용할 수 있어 본딩이 보다 용이해지고, 프로브 팁의 높이가 동일하고 정확한 위치 정렬이 되는 프로브 카드를 제조할 수 있다.

Claims (11)

1. 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 집적회로 장치의 전기적 시험을 위한 프로브 구조체 제조방법으로서,

   하부 기판 상에, 상기 하부 기판과 지지 빔의 중간에 연결되어 구조적 지지대 역할을 하는 지지 본체부를 형성하는 단계;

   상부 기판 상에, 상기 지지 본체부와 프로브 팁을 연결하는 지지 빔을 형성하는 단계;

   상기 지지 본체부와 상기 지지 빔을 본딩하는 단계; 및

   상기 상부 기판과 무관하게 상기 지지 빔 위에 검사대상 소자의 검사부와 직접 접촉하는 상기 프로브 팁을 형성하는 단계

   를 포함하는, 프로브 구조체 제조방법.
2. 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 집적회로 장치의 전기적 시험을 위한 프로브 구조체 제조방법으로서,

   하부 기판 상에, 상기 하부 기판과 지지 빔의 중간에 연결되어 구조적 지지대 역할을 하는 지지 본체부를 형성하는 단계로서, 상기 하부 기판 상에, 지지 본체부와 동일한 높이로 금속 지지대를 형성하는 단계를 포함하는 지지 본체부를 형성하는 단계;

   상기 지지 본체부 및 금속 지지대 상에 포토리소그래피를 이용하여 지지 빔 의 패턴을 형성하는 단계;

   상기 패턴 내에 구리층을 형성하는 단계;

   상기 구리층 상에 상기 포토 레지스터의 패턴에 따라, 상기 지지 본체부와 프로브 팁을 연결하는 지지 빔을 형성시키는 단계;

   상기 지지 빔 위에 검사대상 소자의 검사부와 직접 접촉하는 상기 프로브 팁을 형성하는 단계; 및

   상기 구리층과 지지 본체부 사이, 및 상기 구리층과 지지 빔 사이에서 이온확산이 일어날 수 있도록 함으로써, 상기 지지 본체부와 지지 빔이 결합될 수 있도록, 열처리하는 단계

   를 포함하는, 프로브 구조체 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 지지 본체부와 지지 빔을 본딩하는 단계는,

   플립칩 본딩법을 이용하는, 프로브 구조체 제조 방법.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 플립칩 본딩법은,

   상기 하부 기판과 지지 빔 사이에 수지를 도포한 후 상기 하부 기판에서부터 상기 지지 빔까지 동일한 높이를 가질 수 있도록 하는 평탄화 공정을 더 포함하는, 프로브 구조체 제조 방법.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 수지는 액상 포토레지스터, 레진, 또는 에폭시인, 프로브 구조체 제조 방법.
6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 지지 본체부를 형성하는 단계는,

   상기 하부 기판 상에 포토리소그래피를 이용하여 포토레지스터에 금속 범프 형성용 패턴을 형성하는 단계;

   상기 패턴에 전해도금법으로 금속 범프를 형성하는 단계; 및

   상기 금속 범프 위에 사진 석판술을 이용하여 전해도금법으로 기둥을 형성하는 단계

   를 포함하는, 프로브 구조체 제조 방법.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 지지 빔을 형성하는 단계는,

   상부 기판 하부 전면에 포토 레지스터를 도포, 노광 및 현상하여 상기 지지 빔 형성용 패턴을 형성하는 단계; 및

   상기 패턴에 전해도금법을 이용하여 지지빔을 형성하는 단계

   를 포함하는, 프로브 구조체 제조 방법.
8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 프로브 팁을 형성하는 단계는,

   상기 지지 빔 위에 사진 석판술을 이용하여 상기 프로브 팁 형성용 패턴을 형성하는 단계;

   상기 패턴 면에 본딩을 위한 구리층을 형성하는 단계;

   상기 패턴에 전해도금법으로 상기 프로브 팁을 형성하는 단계; 및

   열처리를 하여 상기 구리층과 상기 지지 빔 사이, 및 상기 구리 층과 프로브 팁 사이에서 이온확산이 일어나게 함으로써 상기 지지 빔과 상기 프로브 팁을 결합시키는 단계를 포함하는,

   프로브 구조체 제조 방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 전해도금법은 니켈합금을 사용하여 수행되는, 프로브 구조체 제조 방법.
10. 제 8 항에 있어서,

    샌딩에 의해 프로브 팁을 예리하게 가공하는 단계를 더 포함하는, 프로브 구조체 제조 방법.
11. 제 2 항에 기재되어 있는 프로브 구조체 제조 방법에 의해 제조된 프로브 구조체로서,

    지지 본체부와 지지 빔 사이에 금속간 확산층이 구비되어 있는 프로브 구조체.

Images