KR101299020B1 - Active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same - Google Patents

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KR101299020B1 KR1020100085431A KR20100085431A KR101299020B1 KR 101299020 B1 KR101299020 B1 KR 101299020B1 KR 1020100085431 A KR1020100085431 A KR 1020100085431A KR 20100085431 A KR20100085431 A KR 20100085431A KR 101299020 B1 KR101299020 B1 KR 101299020B1
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Abstract

[과제] 우수한 성능을 갖는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 그것을 사용한 패턴형성방법을 제공한다.
[해결 수단] 본 발명에 의한 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은 하기 일반식(I)으로 표시되는 반복단위(A)를 포함하는 수지를 함유하고 있다. 제 1 실시형태에서는, 상기 조성물은 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 더 함유하고 있다. 제 2 실시형태에서는, 상기 수지는 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 반복단위(B)를 더 포함하고 있다.

Figure 112010056796558-pat00096
[PROBLEMS] To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition having excellent performance and a pattern forming method using the same.
SOLUTION The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition by this invention contains resin containing the repeating unit (A) represented by following General formula (I). In 1st Embodiment, the said composition contains the compound which generate | occur | produces an acid by irradiation of actinic light or a radiation. In 2nd Embodiment, the said resin further contains the repeating unit (B) which generate | occur | produces an acid by irradiation of actinic light or a radiation.
Figure 112010056796558-pat00096

Description

감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 그것을 사용한 패턴형성방법{ACTIVE RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME}ACTIVE RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME}

본 발명은 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 그것을 사용한 패턴형성방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 초 LSI 및 고용량 마이크로칩의 제조 프로세스, 나노임프린트용 몰드 작성 프로세스 및 고밀도 정보기록 매체의 제조 프로세스 등에 적용가능한 초마이크로리소그래피 프로세스, 및 기타 포토패브리케이션 프로세스에 적합하게 사용되는 조성물, 및 그것을 사용한 패턴형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photoactive radiation-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and a pattern forming method using the same. More specifically, the present invention is suitably used for the manufacturing process of ultra LSI and high capacity microchips, the mold making process for nanoimprinting and the manufacturing process of high density information recording medium, and the like, and are used suitably for other microfabrication processes. A composition, and a pattern formation method using the same.

또한, 여기에서 「활성광선」또는 「방사선」이란, 예를 들면 수은등의 휘선 스펙트럼, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, 극자외선(EUV), X선 또는 전자선(EB)을 의미하고 있다. 또한, 본 발명에 있어서 「광」이란 활성광선 또는 방사선을 의미하고 있다.In addition, "active light" or "radiation" means here the light spectrum of a mercury lamp, the ultraviolet-ray represented by an excimer laser, extreme ultraviolet (EUV), an X-ray, or an electron beam (EB), for example. In addition, in this invention, "light" means actinic light or radiation.

또한, 여기에서 「노광」이란 특별히 단정하지 않는 한 수은등, 원자외선, X선 및 EUV광 등에 의한 광조사뿐만 아니라 전자선 및 이온빔 등의 입자선에 의한 묘화도 의미하고 있다.In addition, unless otherwise indicated here, "exposure" means not only light irradiation by a mercury lamp, far ultraviolet rays, X-rays, EUV light, etc., but also drawing by particle beams, such as an electron beam and an ion beam.

종래, IC나 LSI 등의 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는 포토레지스트 조성물을 사용한 리소그래피에 의한 미세 가공이 행해지고 있다. 최근, 집적 회로의 고집적화에 따라서, 서브미크론 영역이나 쿼터미크론 영역의 초미세 패턴 형성이 요구되어 오고 있다. 이것에 따라, 노광 파장도 g선으로부터 i선으로 또한 KrF 엑시머 레이저광으로 단파장화의 경향이 보여진다. 또한, 현재에는 엑시머 레이저광 이외에도 전자선, X선 및 EUV광 등을 사용한 리소그래피도 개발이 진행되고 있다.Conventionally, in the manufacturing process of semiconductor devices, such as IC and LSI, the microprocessing by the lithography using a photoresist composition is performed. In recent years, with the high integration of integrated circuits, there has been a demand for the formation of ultrafine patterns in the submicron region and the quarter micron region. Accordingly, the tendency of shortening the exposure wavelength is also seen from the g line to the i line and the KrF excimer laser light. In addition, lithography using electron beams, X-rays, EUV light, and the like, in addition to excimer laser light, is currently under development.

최근 집적 회로의 고집적화에 따른 서브미크론 영역이나 쿼터미크론 영역의 초미세 패턴형성의 요구에 의해 박막화가 필요로 되고 있다. 그러나, 박막화에 의해, 드라이에칭 내성 저하가 문제로 되어 오고 있어 충분히 만족할 수 없는 것이 현재의 상황이다.In recent years, thinning is required due to the requirement of forming an ultrafine pattern in a submicron region or a quarter micron region due to the high integration of integrated circuits. However, the current situation is that the fall of dry etching resistance has become a problem by thinning, and it cannot fully satisfy | fill.

또한, 전자선(EB) 리소그래피에서는 EB의 가속 전압을 증대시킴으로써 레지스트막 중에서의 전자 산란, 즉 전방 산란의 영향이 작아지는 것을 알 수 있다. 그 때문에, 최근에서는 EB의 가속 전압은 증대하는 경향이 있다. 그러나, EB의 가속 전압을 증대시키면, 레지스트막의 전자 에너지 포착률이 저하하여 감도가 저하하는 경우가 있다.In addition, in electron beam (EB) lithography, it can be seen that by increasing the acceleration voltage of EB, the influence of electron scattering in the resist film, that is, forward scattering, is reduced. Therefore, in recent years, the acceleration voltage of EB tends to increase. However, when the acceleration voltage of EB is increased, the electron energy capture rate of a resist film may fall and a sensitivity may fall.

이들 문제를 해결하는 방법의 하나로서 나프탈렌 골격을 갖는 수지의 사용이 검토되고 있다(예를 들면, 일본 특허문헌 1~3 참조). 나프탈렌 골격을 갖는 수지를 사용함으로써, 예를 들면 드라이 에칭 내성 및 감도를 향상시키는 것이 가능해진다.As one of the methods of solving these problems, use of resin which has a naphthalene frame | skeleton is examined (for example, refer Japanese patent documents 1-3). By using resin which has a naphthalene skeleton, it becomes possible to improve dry etching resistance and a sensitivity, for example.

그러나, EB의 가속 전압을 증대시키면, 전방 산란의 영향이 작아지는 대신에 레지스트 기판에 있어서 반사된 전자의 산란, 즉 후방 산란의 영향이 증대한다. 그리고, 노광 면적이 큰 고립 패턴을 형성할 경우에는 이 후방 산란의 영향이 특히 크다. 그러므로, 예를 들면 EB의 가속 전압을 증대시키면, 고립 패턴의 해상성이 저하될 가능성이 있다. However, if the acceleration voltage of EB is increased, the influence of forward scattering, that is, back scattering, increases in the resist substrate instead of decreasing the influence of forward scattering. And when the isolation pattern with a large exposure area is formed, the influence of this backscattering is especially large. Therefore, if the acceleration voltage of EB is increased, for example, there is a possibility that the resolution of the isolation pattern is lowered.

또한, 초미세 패턴형성에 따라서 기판과의 밀착성이 저하하고, 고립 패턴의 해상성 저하가 문제가 되고 있어 고립 패턴의 해상성 향상이 소망되고 있지만 충분히 만족할 수 없다.In addition, the adhesion to the substrate decreases as the ultrafine pattern is formed, and the resolution of the isolation pattern is deteriorated, and the resolution improvement of the isolation pattern is desired, but cannot be sufficiently satisfied.

또한, 특히 전자선 리소그래피는 차세대 또는 차차세대의 패턴형성 기술로서 위치하고 있어, 고감도, 고해상성의 포지티브형 레지스트가 소망되고 있다. 특히 웨이퍼 처리 시간의 단축화를 위해서 고감도화는 매우 중요한 과제이지만, 전자선용 포지티브형 레지스트에 있어서는 고감도화를 추구하고자 하면, 해상력의 저하뿐만 아니라 라인 엣지 러프니스의 악화가 일어나서 이들 특성을 동시에 만족하는 레지스트의 개발이 강하게 소망되고 있다. 여기에서, 라인 엣지 러프니스란 레지스트의 패턴과 기판 계면의 엣지가 레지스트의 특성에 기인하여 라인 방향과 수직한 방향으로 불규칙하게 변동하기 때문에, 패턴을 바로 위에서 보았을 때에 엣지가 요철로 보이는 것을 말한다. 이 요철이 레지스트를 마스크로 하는 에칭 공정에 의해 전사되어 전기 특성을 열화시키기 때문에 수율을 저하시킨다. 특히, 0.25㎛ 이하의 초미세 영역에서는 라인 엣지 러프니스는 매우 중요한 개량 과제로 되고 있다. 고감도와 양호한 패턴형상, 양호한 라인 엣지 러프니스는 트래이드 오프(trade-off)의 관계에 있고, 이것을 어떻게 동시에 만족시키느냐가 매우 중요하다.In addition, in particular, electron beam lithography is positioned as a next generation or next generation pattern forming technology, and a high sensitivity and high resolution positive resist is desired. In particular, high sensitivity is a very important issue for shortening wafer processing time. However, in the case of pursuing high sensitivity in an electron beam positive resist, a resist that satisfies these characteristics simultaneously due to deterioration of line edge roughness as well as a reduction in resolution is generated. Development is strongly hoped. Here, the line edge roughness means that the edges of the pattern and the substrate interface of the resist fluctuate irregularly in the direction perpendicular to the line direction due to the characteristics of the resist, so that the edges appear uneven when viewed from the top. This unevenness is transferred by an etching process using the resist as a mask, thereby deteriorating the electrical properties, thereby lowering the yield. In particular, line edge roughness has become a very important improvement subject in the ultrafine region of 0.25 micrometer or less. High sensitivity, good pattern shape, and good line edge roughness are in a trade-off relationship, and how to simultaneously satisfy this is very important.

또한, X선 및 EUV광 등을 사용하는 리소그래피에 있어서도 마찬가지로 고감도, 양호한 패턴형상, 양호한 라인 엣지 러프니스, 고립 패턴의 해상성 및 드라이 에칭 내성을 동시에 만족시키는 것이 중요한 과제로 되고 있고, 이들의 해결이 필요하다.In addition, in lithography using X-rays, EUV light, and the like, it is important to simultaneously satisfy high sensitivity, good pattern shape, good line edge roughness, resolution of the isolated pattern, and dry etching resistance, and these solutions. This is necessary.

그러나, 현재 알려져 있는 공지의 기술의 조합에서는 전자선, X선 또는 EUV광 리소그래피에 있어서 고감도, 양호한 패턴형상, 양호한 라인 엣지 러프니스 및 드라이 에칭 내성을 동시에 충분히 만족시킬 수 없는 것이 현재의 상황이다.However, the present situation is that the combination of the known techniques currently known cannot sufficiently satisfy high sensitivity, good pattern shape, good line edge roughness and dry etching resistance simultaneously in electron beam, X-ray or EUV light lithography.

또한, 폴리머 주쇄 또는 측쇄에 광산발생제를 갖는 수지의 사용이 검토되고 있다(예를 들면, 일본 특허문헌 4~10 및 비특허문헌 1 참조). 그러나, 일본 특허문헌 4에 있어서의 검토에서는 광산발생제를 갖는 수지와 산분해에 의해 알칼리 현상액에의 용해성이 증대하는 용해 저지 화합물의 혼합계이기 때문에, 이들 소재의 불균일 혼합성에 기인해서 양호한 패턴형상이나 라인 엣지 러프니스를 얻는 것이 곤란했다. Moreover, use of resin which has a photo-acid generator in a polymer main chain or a side chain is examined (for example, refer patent document 4-10 and nonpatent literature 1). However, in the examination in Japanese Patent Document 4, since it is a mixed system of a resin having a photoacid generator and a dissolution inhibiting compound in which solubility in an alkaline developer is increased by acid decomposition, a good pattern shape is caused due to nonuniform mixing of these materials. It was difficult to get roughness or line edge.

한편, 일본 특허문헌 5~9에서는 광산발생기 및 산분해에 의해 알칼리 현상액에의 용해성이 증대하는 기를 동일 분자 내에 갖는 수지가 개시되어 있지만, 전자선, X선 또는 EUV광에 대한 감도에 대해서 충분하다고는 말하기 어려웠다.On the other hand, Japanese Patent Literatures 5 to 9 disclose resins having a photoacid generator and a group in which the solubility in an alkali developer is increased by acid decomposition in the same molecule, but are sufficient for sensitivity to electron beams, X-rays, or EUV light. It was hard to say.

또한, 일본 특허문헌 10이나 비특허문헌 1에는 히드록시스티렌, 아다만틸기 함유 아크릴레이트 및 광산발생제 함유 아크릴레이트의 3원 공중합체가 기재되어 있다. 특허문헌 11은 고해상성, 소밀 의존성, 노광 마진을 향상시키기 위해서 고에너지선 또는 열에 감응하고, 측쇄의 불소 함유 말단에 술폰산을 발생하는 반복단위를 함유하는 수지를 함유하는 레지스트를 개시하고 있다.In addition, Japanese Patent Document 10 and Non-Patent Document 1 describe ternary copolymers of hydroxystyrene, adamantyl group-containing acrylate, and photoacid generator-containing acrylate. Patent Document 11 discloses a resist containing a resin containing a repeating unit which is sensitive to high energy rays or heat and generates sulfonic acid at the fluorine-containing end of the side chain in order to improve high resolution, roughness dependency and exposure margin.

그러나, 현재 알려져 있는 공지의 기술의 조합에서는 전자선, X선 또는 EUV광 리소그래피에 있어서, 고감도, 고해상성, 양호한 패턴 형상 및 양호한 라인 엣지 러프니스 등을 동시에 충분히 만족시킬 수 없는 것이 현재의 상황이다.However, in the presently known combination of well-known techniques, it is the present situation that in the electron beam, X-ray, or EUV optical lithography, high sensitivity, high resolution, good pattern shape, good line edge roughness and the like cannot be sufficiently satisfied at the same time.

일본 특허공개 2008-169346호 공보Japanese Patent Publication No. 2008-169346 국제공개 제 2007-046453호 공보International Publication No. 2007-046453 일본 특허공개 2008-50568호 공보Japanese Patent Publication No. 2008-50568 일본 특허공개 평 9-325497호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 9-325497 일본 특허공개 평 10-221852호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 10-221852 일본 특허공개 2006-178317호 공보Japanese Patent Publication No. 2006-178317 일본 특허공개 2007-197718호 공보Japanese Patent Publication No. 2007-197718 국제공개 제06/121096호 팜플렛International Publication No. 06/121096 Brochure 미국 특허출원 공개 제 2006/121390호 명세서US Patent Application Publication No. 2006/121390 미국 특허출원 공개 제 2007/117043호 명세서US Patent Application Publication No. 2007/117043 일본 특허공개 2008-133448호 공보Japanese Patent Publication No. 2008-133448

Proc. of SPIE Vol. 6923, 692312, 2008 Proc. of SPIE Vol. 6923, 692312, 2008

본 발명의 목적은 우수한 성능을 갖는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 그것을 사용한 패턴형성방법을 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition having excellent performance and a pattern forming method using the same.

본 발명은, 예를 들면 이하와 같다. 또한, 여기에서 「중량 평균 분자량」이란 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된 폴리스티렌 환산치를 의미하고 있다.This invention is as follows, for example. In addition, the "weight average molecular weight" here means the polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography (GPC).

본 발명의 제 1 실시형태에 의하면, 하기 일반식(I)으로 표시되는 반복단위를 포함하는 수지와 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 구비한 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물이 제공된다.According to the first embodiment of the present invention, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive with a resin containing a repeating unit represented by the following general formula (I) and a compound which generates an acid by irradiation with actinic light or radiation A resin composition is provided.

Figure 112010056796558-pat00001
Figure 112010056796558-pat00001

식(I) 중,In formula (I),

Ra는 수소원자, 알킬기, 히드록실기, 알콕시기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 시클로알킬기, 시클로알킬옥시기, 아릴기, 카르복실기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기 또는 아랄킬기를 나타낸다.R a is a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkyloxy group, an aryl group, a carboxyl group, an alkyloxycarbonyl group, an alkylcarbon A carbonyloxy group or an aralkyl group is represented.

Ya는 2가의 연결기를 나타낸다. Y a represents a divalent linking group.

Ar은 복수의 방향환을 포함하는 구조단위를 나타내고, 상기 복수의 방향환은 축환하여 다환식 구조를 형성하고 있거나 또는 단일결합을 통해서 서로 연결되어 있다.Ar represents a structural unit including a plurality of aromatic rings, and the plurality of aromatic rings are condensed to form a polycyclic structure or are connected to each other through a single bond.

Yb는 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.Y b represents a single bond or a divalent linking group.

A3은 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타낸다.A 3 represents a group leaving by the action of an acid.

S2는 치환기(수소원자는 제외함)를 나타내고, r≥2일 경우에는 복수의 상기 S2는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.S 2 represents a substituent (excluding hydrogen atoms), and in the case of r ≧ 2, the plurality of S 2 may be the same as or different from each other.

p는 1~5의 정수를 나타낸다.p represents the integer of 1-5.

q는 1~5의 정수를 나타낸다.q represents the integer of 1-5.

r은 p+r≤5가 되는 관계를 만족하는 0~4의 정수를 나타낸다.r represents the integer of 0-4 which satisfy | fills the relationship which becomes p + r <= 5.

본 발명의 제 2 실시형태에 의하면, 상기 일반식(I)으로 표시되는 반복단위(A)와 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 반복단위(B)를 구비한 수지를 포함하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물이 제공된다.According to 2nd Embodiment of this invention, persimmon containing resin with the repeating unit (A) represented by the said General formula (I), and the repeating unit (B) which generate | occur | produces an acid by irradiation of actinic light or radiation. An actinic ray- or radiation-sensitive resin composition is provided.

본 발명의 제 3 실시형태에 의하면, 제 1 또는 제 2 실시형태에 의한 조성물을 사용하여 형성된 레지스트막이 제공된다.According to the 3rd Embodiment of this invention, the resist film formed using the composition which concerns on 1st or 2nd Embodiment is provided.

본 발명의 제 4 실시형태에 의하면, 제 1 또는 제 2 실시형태에 의한 조성물을 사용하여 막을 형성하는 것과, 상기 막을 노광하는 것과, 상기 노광된 막을 현상하는 것을 포함하는 패턴형성방법이 제공된다.According to the fourth embodiment of the present invention, there is provided a pattern forming method comprising forming a film using the composition according to the first or second embodiment, exposing the film and developing the exposed film.

본 발명에 의하면, 우수한 성능을 갖는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 그것을 사용한 패턴형성방법을 제공하는 것이 가능해진다.According to this invention, it becomes possible to provide the actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which has the outstanding performance, and the pattern formation method using the same.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

또한, 여기에서는 치환 또는 무치환을 명시하고 있지 않은 기 및 원자단에는 치환기를 갖고 있지 않은 것과 치환기를 갖고 있는 것의 쌍방이 포함되는 것으로 한다. 예를 들면, 치환 또는 무치환을 명시하고 있지 않은 「알킬기」는 치환기를 갖고 있지 않은 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라 치환기를 갖고 있는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것으로 한다.In addition, group and atom group which do not specify a substitution or unsubstitution here shall include both the thing which does not have a substituent, and the thing which has a substituent. For example, the "alkyl group" which does not specify a substituted or unsubstituted shall include not only the alkyl group (unsubstituted alkyl group) which does not have a substituent but the alkyl group (substituted alkyl group) which has a substituent.

본 발명의 제 1 실시형태에 의한 조성물은 후술하는 반복단위(A)를 포함하는 수지와 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물(이하, 광산발생제라고도 함)을 함유하고 있다.The composition by 1st Embodiment of this invention contains the resin containing the repeating unit (A) mentioned later, and the compound (henceforth a photoacid generator) which generate | occur | produces an acid by irradiation of actinic light or a radiation.

본 발명의 제 2 실시형태에 의한 조성물은 후술하는 반복단위(A) 및 반복단위(B)의 쌍방을 포함하는 수지를 함유하고 있다.The composition by 2nd Embodiment of this invention contains resin containing both the repeating unit (A) and repeating unit (B) mentioned later.

[1] 수지[1] resins

본 발명에 의한 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은 하기 일반식(I)으로 표시되는 반복단위(A)를 포함하고 있다. 반복단위(A)는 후술하는 바와 같이, 산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 가용성기를 발생하는 기(이하, 산분해성 기라고도 함)를 구비하고 있다.The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to the present invention contains a repeating unit (A) represented by the following general formula (I). The repeating unit (A) has a group (hereinafter also referred to as an acid-decomposable group) that decomposes under the action of an acid to generate an alkali-soluble group, as described later.

반복단위(A)는 하기 일반식(I)으로 표시된다.The repeating unit (A) is represented by the following general formula (I).

Figure 112010056796558-pat00002
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식(I) 중, Ra는 수소원자, 알킬기, 히드록실기, 알콕시기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 시클로알킬기, 시클로알킬옥시기, 아릴기, 카르복실기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기 또는 아랄킬기를 나타낸다.In formula (I), R a represents a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkyloxy group, an aryl group, a carboxyl group, An alkyloxycarbonyl group, an alkylcarbonyloxy group, or an aralkyl group is shown.

Ya는 2가의 연결기를 나타낸다.Y a represents a divalent linking group.

Ar은 복수의 방향환을 포함하는 구조단위를 나타내고, 상기 복수의 방향환은 축환하여 다환식 구조를 형성하고 있거나 또는 단일결합을 통해서 서로 연결되어 있다.Ar represents a structural unit including a plurality of aromatic rings, and the plurality of aromatic rings are condensed to form a polycyclic structure or are connected to each other through a single bond.

Yb는 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.Y b represents a single bond or a divalent linking group.

A3은 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타낸다.A 3 represents a group leaving by the action of an acid.

S2는 치환기(수소원자는 제외함)를 나타내고, r≥2일 경우에는 복수의 상기 S2는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.S 2 represents a substituent (excluding hydrogen atoms), and in the case of r ≧ 2, the plurality of S 2 may be the same as or different from each other.

p는 1~5의 정수를 나타낸다.p represents the integer of 1-5.

q는 1~5의 정수를 나타낸다.q represents the integer of 1-5.

r은 p+r≤5가 되는 관계를 만족하는 0~4의 정수를 나타낸다.r represents the integer of 0-4 which satisfy | fills the relationship which becomes p + r <= 5.

Ra는 상술한 바와 같이 수소원자, 알킬기, 히드록실기, 알콕시기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 시클로알킬기, 시클로알킬옥시기, 아릴기, 카르복실기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기 또는 아랄킬기를 나타낸다.R a is a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkyloxy group, an aryl group, a carboxyl group, or an alkyloxy, as described above. A carbonyl group, an alkylcarbonyloxy group, or an aralkyl group is shown.

알킬기는 직쇄 알킬기이어도 좋고, 분기쇄 알킬기이어도 좋다.The alkyl group may be a straight chain alkyl group or a branched chain alkyl group.

직쇄 알킬기로서는 탄소수가 1~30개인 것이 바람직하고, 탄소수가 1~20개인 것이 보다 바람직하다. 이러한 직쇄 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기 및 n-데카닐기를 들 수 있다.The linear alkyl group preferably has 1 to 30 carbon atoms, and more preferably 1 to 20 carbon atoms. As such a linear alkyl group, for example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-jade Tyl group, n-nonyl group, and n-decanyl group are mentioned.

분기쇄 알킬기로서는 탄소수가 3~30개인 것이 바람직하고, 탄소수가 3~20개인 것이 보다 바람직하다. 이러한 분기쇄 알킬기로서는, 예를 들면 i-프로필기, i-부틸기, t-부틸기, i-펜틸기, t-펜틸기, i-헥실기, t-헥실기, i-헵틸기, t-헵틸기, i-옥틸기, t-옥틸기, i-노닐기 및 t-데카노일기를 들 수 있다.The branched alkyl group preferably has 3 to 30 carbon atoms, and more preferably 3 to 20 carbon atoms. As such a branched alkyl group, for example, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, i-hexyl group, t-hexyl group, i-heptyl group, t -Heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group and t-decanoyl group.

알콕시기로서는 탄소수가 1~8개인 것이 바람직하다. 이러한 알콕시기로서는, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기 및 헥실옥시기를 들 수 있다. As the alkoxy group, one having 1 to 8 carbon atoms is preferable. As such an alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, butoxy group, a pentyloxy group, and a hexyloxy group are mentioned, for example.

할로겐원자로서는 불소원자, 염소원자, 브롬원자 및 요오드원자를 들 수 있다. 그 중에서도, 불소원자가 특히 바람직하다.Examples of the halogen atom include fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom. Especially, a fluorine atom is especially preferable.

아실기로서는 탄소수가 2~8개인 것이 바람직하다. 이러한 아실기로서는, 예를 들면 포르밀기, 아세틸기, 프로파노일기, 부타노일기, 피발로일기 및 벤조일기를 들 수 있다. As an acyl group, a C2-C8 thing is preferable. Examples of such acyl groups include formyl group, acetyl group, propanoyl group, butanoyl group, pivaloyl group and benzoyl group.

아실옥시기로서는 탄소수가 2~8개인 것이 바람직하다. 이러한 아실옥시기로서는, 예를 들면 아세톡시기, 프로피오닐옥시기, 부티릴옥시기, 발레릴옥시기, 피발로일옥시기, 헥사노일옥시기, 옥타노일옥시기 및 벤조일옥시기를 들 수 있다. As an acyloxy group, a C2-C8 thing is preferable. As such an acyloxy group, an acetoxy group, propionyloxy group, butyryloxy group, valeryloxy group, pivaloyloxy group, hexanoyloxy group, octanoyloxy group, and benzoyloxy group are mentioned, for example.

시클로알킬기는 단환형이어도 좋고, 다환형이어도 좋다. 후자의 경우, 시클로알킬기는 가교식이어도 좋다. 즉, 이 경우 시클로알킬기는 가교 구조를 갖고 있어도 좋다. 또한, 시클로알킬기 중의 탄소원자의 일부는 산소원자 등의 헤테로원자에 의해 치환되어 있어도 좋다.The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. In the latter case, the cycloalkyl group may be crosslinked. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a crosslinked structure. In addition, a part of carbon atoms in a cycloalkyl group may be substituted by hetero atoms, such as an oxygen atom.

단환형의 시클로알킬기로서는 탄소수 3~8개의 것이 바람직하다. 이러한 시클로알킬기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로부틸기 및 시클로옥틸기를 들 수 있다. As monocyclic cycloalkyl group, a C3-C8 thing is preferable. As such a cycloalkyl group, a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group are mentioned, for example.

다환형의 시클로알킬기로서는, 예를 들면 비시클로, 트리시클로 또는 테트라 시클로 구조를 갖는 기를 들 수 있다. 다환형의 시클로알킬기로서는 탄소수가 6~20개인 것이 바람직하다. 이러한 시클로알킬기로서는, 예를 들면 아다만틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기, 캄파닐기, 디시클로펜틸기, α-피넬기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로도데실기 및 안드로스타닐기를 들 수 있다.As a polycyclic cycloalkyl group, group which has a bicyclo, tricyclo, or tetracyclo structure is mentioned, for example. As a polycyclic cycloalkyl group, a C6-C20 thing is preferable. As such a cycloalkyl group, an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, campanyl group, dicyclopentyl group, (alpha)-pinenel group, tricyclo decanyl group, tetracyclo dodecyl group, and androstanyl group is mentioned, for example. .

이들 시클로알킬기로서는, 예를 들면 하기식으로 표시되는 것을 들 수 있다.As these cycloalkyl groups, what is represented by a following formula is mentioned, for example.

Figure 112010056796558-pat00003
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아릴기로서는 탄소수가 6~14개인 것이 바람직하다. 이러한 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 크실릴기, 톨루일기, 쿠메닐기, 나프틸기 및 안트릴기를 들 수 있다. As an aryl group, a C6-C14 thing is preferable. As such an aryl group, a phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, and anthryl group is mentioned, for example.

알킬옥시카르보닐기로서는 탄소수가 2~8개인 것이 바람직하다. 이러한 알킬옥시카르보닐기로서는, 예를 들면 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기 및 프로폭시카르보닐기를 들 수 있다.As the alkyloxycarbonyl group, one having 2 to 8 carbon atoms is preferable. As such an alkyloxycarbonyl group, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and a propoxycarbonyl group are mentioned, for example.

알킬카르보닐옥시기로서는 탄소수가 2~8개인 것이 바람직하다. 이러한 알킬카르보닐옥시기로서는, 예를 들면 메틸카르보닐옥시기 및 에틸카르보닐옥시기를 들 수 있다.As the alkylcarbonyloxy group, one having 2 to 8 carbon atoms is preferable. As such an alkylcarbonyloxy group, a methylcarbonyloxy group and an ethylcarbonyloxy group are mentioned, for example.

아랄킬기로서는 탄소수가 7~16개인 것이 바람직하다. 이러한 아랄킬기로서는, 예를 들면 벤질기를 들 수 있다.As the aralkyl group, one having 7 to 16 carbon atoms is preferable. As such an aralkyl group, a benzyl group is mentioned, for example.

이들 알킬기, 알콕시기, 아실기, 아실옥시기, 시클로알킬기, 시클로알킬옥시기, 아릴기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기 및 아랄킬기의 각각은 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. Each of these alkyl groups, alkoxy groups, acyl groups, acyloxy groups, cycloalkyl groups, cycloalkyloxy groups, aryl groups, alkyloxycarbonyl groups, alkylcarbonyloxy groups and aralkyl groups may further have a substituent.

이 치환기로서는, 예를 들면 히드록실기; 불소, 염소, 브롬 및 요오드원자 등의 할로겐원자; 니트로기; 시아노기; 아미드기; 술폰아미드기; 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기 및 도데실기 등의 알킬기; 메톡시기, 에톡시기, 히드록시에톡시기, 프로폭시기, 히드록시프로폭시기 및 부톡시기 등의 알콕시기; 메톡시카르보닐기 및 에톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기; 포르밀기, 아세틸기 및 벤조일기 등의 아실기; 아세톡시기 및 부틸옥시기 등의 아실옥시기, 및 카르복실기를 들 수 있다.As this substituent, it is a hydroxyl group, for example; Halogen atoms such as fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms; A nitro group; Cyano; Amide group; Sulfonamide groups; Alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group and dodecyl group; Alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group and butoxy group; Alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; Acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group; Acyloxy groups, such as an acetoxy group and a butyloxy group, and a carboxyl group are mentioned.

Ya는 상술한 바와 같이 2가의 연결기를 나타낸다.Y a represents a divalent linking group as described above.

폴리스티렌 골격을 구성하고 있는 벤젠환과 상기 Ar 사이에 Ya를 개재시킴으로써, 예를 들면 주쇄 부근에서의 π-π 상호작용의 강도를 약화시켜 수지의 소수성을 저하시켜서 조성물의 현상성을 향상시키는 것이 가능해진다.By interposing Y a between the benzene ring constituting the polystyrene skeleton and Ar, for example, the strength of the π-π interaction in the vicinity of the main chain can be weakened to reduce the hydrophobicity of the resin, thereby improving the developability of the composition. Become.

이 연결기로서는, 예를 들면 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 아릴렌기, 카르보닐기, 술피드기, 술폰기, -COO-, -CH2O-, -COOCH2-, -CONH-, -SO2NH-, -CF2-, -CF2CF2-, -OCF2O-, -CF2OCF2-, -SS-, -CH2SO2CH2-, -CH2COCH2-, -COCF2CO-, -COCO-, -OCOO-, -OSO2O-, -O-, -S-, -NH-, -N(R)-, 아실기, 알킬술포닐기, -CH=CH-, -C≡C-, 아미노카르보닐아미노기, 아미노술포닐아미노기 및 이들의 2개 이상의 조합을 들 수 있다. 여기에서, R은 1가의 치환기를 나타낸다. 이들 연결기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.As this linking group, for example, an alkylene group, a cycloalkylene group, an arylene group, a carbonyl group, a sulfide group, a sulfone group, -COO-, -CH 2 O-, -COOCH 2- , -CONH-, -SO 2 NH- , -CF 2- , -CF 2 CF 2- , -OCF 2 O-, -CF 2 OCF 2- , -SS-, -CH 2 SO 2 CH 2- , -CH 2 COCH 2- , -COCF 2 CO -, -COCO-, -OCOO-, -OSO 2 O-, -O-, -S-, -NH-, -N (R)-, acyl group, alkylsulfonyl group, -CH = CH-, -C And -C-, aminocarbonylamino groups, aminosulfonylamino groups, and combinations of two or more thereof. Here, R represents a monovalent substituent. These linking groups may further have a substituent.

또한, Ya가 비대칭의 구조를 갖고 있을 경우, Ar은 먼저 예시한 연결기의 어느 측에 결합하고 있어도 좋다. 예를 들면, Ya가 -COO-일 경우, 「Ya-Ar」으로 표시되는 구조는 「-COO-Ar」이어도 좋고, 「Ar-COO-」이어도 좋다.In addition, when Y <a> has an asymmetric structure, Ar may couple | bond with either side of the coupling group illustrated previously. For example, when Y a is -COO-, the structure represented by "Y a -Ar" may be "-COO-Ar" or "Ar-COO-".

Ya는 바람직하게는 -O-, -CH2O-, -COO- 또는 -COOCH2-이며, 특히 바람직하게는 -CH2O-, -COO- 또는 -COOCH2-이다. 이러한 구성을 채용하면, 감도를 더욱 향상시키는 것이 가능해진다.Y a is preferably -O-, -CH 2 O-, -COO- or -COOCH 2- , particularly preferably -CH 2 O-, -COO- or -COOCH 2- . By adopting such a configuration, it becomes possible to further improve the sensitivity.

Ya에 포함되는 원자수(수소원자는 제외함)는 1~15개인 것이 바람직하고, 1~10개인 것이 보다 바람직하고, 1~8개인 것이 더욱 바람직하고, 2~8개인 것이 특히 바람직하다. 이 원자수를 과도하게 크게 하면, 수지의 주쇄와 후술하는 산분해성 기 사이의 거리가 과도하게 커져서 조성물의 러프니스 특성이 저하되는 경우가 있다. 이 원자수를 과도하게 작게 하면, 측쇄의 플렉시빌리티(유연성)가 감소하여 조성물의 감도 등이 저하될 가능성이 있다.The number of atoms (excluding hydrogen atoms) contained in Y a is preferably 1 to 15, more preferably 1 to 10, still more preferably 1 to 8, and particularly preferably 2 to 8. When the number of atoms is excessively large, the distance between the main chain of the resin and the acid-decomposable group to be described later becomes excessively large, which may reduce the roughness characteristics of the composition. When the number of atoms is made excessively small, the flexibility of the side chain (flexibility) may decrease, and the sensitivity of the composition may decrease.

Ya의 「최소 연결 원자수」는 1~10개인 것이 바람직하고, 1~5개인 것이 보다 바람직하고, 2~4개인 것이 더욱 바람직하고, 2개 또는 3개인 것이 특히 바람직하다. 이 「최소 연결 원자수」를 과도하게 크게 하면, 수지의 주쇄와 후술하는 산분해성 기 사이의 거리가 과도하게 커져서 조성물의 러프니스 특성이 저하되는 경우가 있다. 이 「최소 연결 원자수」를 과도하게 작게 하면, 측쇄의 플렉시빌리티(유연성)가 감소하고, 조성물의 감도 등이 저하될 가능성이 있다."The minimum number of connection atom" for Y is a 1-10 individuals, and preferably, 1 to 5 individuals is more preferred, and 2-4 individuals, it is more preferable, and preferably two or three. When this "minimum connection atom number" is made too large, the distance between the principal chain of resin and the acid-decomposable group mentioned later may become large too much, and the roughness characteristic of a composition may fall. When this "minimum connection atom number" is made too small, the side chain flexibility (flexibility) may decrease, and the sensitivity of a composition etc. may fall.

또한, Ya의 「최소 연결 원자수」는 이하와 같이 하여 정해지는 수이다. 즉, 우선 Ya를 구성하고 있는 원자 중, 수지의 주쇄에 직접 결합되어 있는 벤젠환과 결합하고 있는 원자와 Ar과 결합하고 있는 원자를 연결하는 원자의 열을 고려한다. 다음에, 이들 열의 각각에 포함되는 원자수를 구한다. 그리고, 이들 원자수 중 최소의 것을 Ya의 「최소 연결 원자수」라고 한다. In addition, the "minimum connection atom number" of Y a is a number determined as follows. That is, first, the heat of the atom which connects the atom couple | bonded with the benzene ring couple | bonded with the main chain of resin directly with the atom couple | bonded with Ar among the atoms which comprise Y a is considered. Next, the number of atoms contained in each of these columns is obtained. And the minimum of these atoms is called "minimum connection atom number" of Y a .

예를 들면, Ya가 -O-일 경우, 그 최소 연결 원자수는 1개이다. Ya가 -CH2O-일 경우, 그 최소 연결 원자수는 2개이다. Ya가 -COO-일 경우, 그 최소 연결 원자수는 2개이다. Ya가 -COOCH2-일 경우, 그 최소 연결 원자수는 3개이다. Ya가 2-메틸-부틸렌기일 경우, 그 최소 연결 원자수는 4개이다. Ya가 1,4-시클로헥실렌기일 경우, 그 최소 연결 원자수는 4개이다. 또한, Ya가 직쇄상의 알킬렌기일 경우, Ya의 최소 연결 원자수는 그 탄소수와 동일하다. For example, when Y a is -O-, the minimum number of connecting atoms is one. When Y a is —CH 2 O—, the minimum number of linked atoms is two. If Y a is -COO-, the minimum number of linked atoms is two. If Y a is —COOCH 2 —, the minimum number of linked atoms is three. When Y a is a 2-methyl-butylene group, the minimum number of linked atoms is four. When Y a is a 1,4-cyclohexylene group, the minimum number of linking atoms is four. In addition, Y is a minimum number of connected atoms in the case of a straight-chain alkylene date, Y a is equal to the number of carbon atoms.

Ar은 상술한 바와 같이 복수의 방향환을 포함하는 구조단위를 나타내고 있다. 이들 복수의 방향환은 축환하여 다환식 구조를 형성하고 있어도 좋고, 단일결합을 통해서 서로 연결되어 있어도 좋다. 또한, 이들 방향환의 각각은 헤테로원자를 포함하고 있어도 좋다.Ar represents the structural unit containing a some aromatic ring as mentioned above. These plural aromatic rings may be condensed to form a polycyclic structure, or may be connected to each other via a single bond. In addition, each of these aromatic rings may contain a hetero atom.

Ar로서 복수의 방향환을 포함하는 구조단위를 사용함으로써, 예를 들면 드라이에칭 내성의 향상 및 2차 전자 발생량의 증대에 기인한 감도의 향상을 달성할 수 있다.By using a structural unit containing a plurality of aromatic rings as Ar, for example, improvement in sensitivity due to improvement in dry etching resistance and increase in secondary electron generation amount can be achieved.

Ar이 포함할 수 있는 방향환으로서는, 예를 들면 벤젠환, 티오펜환, 피롤 환, 푸란환, 이미다졸환, 피리딘환 및 피라졸환을 들 수 있다. 또한, 여기에서 「벤젠환」이란 6개의 탄소원자로 이루어진 환으로서, 환 중에 최다수의 비집적 이중 결합(최다수 공역 이중결합)을 포함하고 있는 것을 말한다.As an aromatic ring which Ar may contain, a benzene ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a furan ring, an imidazole ring, a pyridine ring, and a pyrazole ring are mentioned, for example. In addition, a "benzene ring" here means a ring which consists of six carbon atoms and contains the largest number of non-integrated double bonds (most conjugated double bonds) in a ring.

복수의 방향환이 축환하여 형성할 수 있는 다환식 구조로서는, 예를 들면 나프탈렌환, 안트라센환, 페난트렌환, 피렌환, 트리페닐렌환, 테트라센환, 펜타센환, 크리센환, 테트라펜환, 피센환, 펜타펜환, 페릴렌환, 헬리센환, 코로넨환, 인돌환, 벤즈이미다졸환, 카르바졸환 및 페노티아진환을 들 수 있다. 이 중에서도, 인돌환, 피렌환, 페난트렌환, 안트라센환 및 나프탈렌환이 더욱 바람직하고, 안트라센환 및 나프탈렌환이 특히 바람직하다.As a polycyclic structure which a plurality of aromatic rings can be condensed, for example, a naphthalene ring, anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, a triphenylene ring, a tetracene ring, a pentacene ring, a chrysene ring, a tetraphen ring, a pisene ring, Pentaphen ring, perylene ring, helisen ring, coronene ring, indole ring, benzimidazole ring, carbazole ring and phenothiazine ring. Among these, indole ring, pyrene ring, phenanthrene ring, anthracene ring and naphthalene ring are more preferable, and anthracene ring and naphthalene ring are especially preferable.

복수의 방향환이 단일결합을 통해서 서로 연결된 구조로서는, 예를 들면 비페닐 구조, 터페닐 구조 및 비올로겐 구조를 들 수 있다. 그 중에서도, 비페닐 구조 및 터페닐 구조가 특히 바람직하다.As a structure in which several aromatic rings were mutually connected through a single bond, a biphenyl structure, a terphenyl structure, and a viologen structure are mentioned, for example. Especially, a biphenyl structure and a terphenyl structure are especially preferable.

Ar에 포함되는 방향환의 수는 바람직하게는 2~5개이며, 보다 바람직하게는 2~4개이며, 가장 바람직하게는 2개 또는 3개이다. 방향환의 수를 과도하게 많게 하면, 수지의 소수성이 과도하게 높아져서 패턴의 누락성이 저하하여 패턴 형상의 열화 등의 영향을 미치는 경우가 있다. 또한, 여기에서 「방향환의 수」란 벤젠환 또는 이것에 대응하는 단환 헤테로아릴환의 수이다. 예를 들면, 나프탈렌 잔기, 비페닐 잔기 및 비피리딘 잔기의 그것은 2개이고, 안트라센 잔기, 카르바졸 잔기 및 페노티아진 잔기의 그것은 3개이다.The number of aromatic rings contained in Ar becomes like this. Preferably it is 2-5 pieces, More preferably, it is 2-4 pieces, Most preferably, they are two or three pieces. When the number of aromatic rings is excessively large, the hydrophobicity of the resin may be excessively high, and the dropability of the pattern may decrease, which may affect the deterioration of the pattern shape. In addition, "the number of aromatic rings" here is the number of a benzene ring or the monocyclic heteroaryl ring corresponding to this. For example, it is two of naphthalene residues, biphenyl residues and bipyridine residues, and three of anthracene residues, carbazole residues and phenothiazine residues.

또한, Ar에 포함되는 방향환은 -(YbCOOA3)q 이외의 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 히드록실기; 불소, 염소, 브롬 및 요오드원자 등의 할로겐원자; 니트로기; 시아노기; 아미드기; 술폰아미드기; 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기 및 도데실기 등의 알킬기; 메톡시기, 에톡시기, 히드록시에톡시기, 프로폭시기, 히드록시프로폭시기 및 부톡시기 등의 알콕시기; 메톡시카르보닐기 및 에톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기; 포르밀기, 아세틸기 및 벤조일기 등의 아실기; 아세톡시기 및 부틸옥시기 등의 아실옥시기, 및 카르복실기를 들 수 있다.Further, the ring direction contained in the Ar - (Y b COOA 3) may be further have a substituent other than q. As this substituent, it is a hydroxyl group, for example; Halogen atoms such as fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms; A nitro group; Cyano; Amide group; Sulfonamide groups; Alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group and dodecyl group; Alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group and butoxy group; Alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; Acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group; Acyloxy groups, such as an acetoxy group and a butyloxy group, and a carboxyl group are mentioned.

Yb는 상술한 바와 같이 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 이 2가의 연결기로서는, 예를 들면 먼저 Ya에 대해서 설명한 것과 같은 연결기를 들 수 있다.Y b represents a single bond or a divalent linking group as described above. As this bivalent coupling group, the coupling group similar to what was demonstrated previously about Y <a> is mentioned, for example.

Yb는 바람직하게는 단일결합, -CH2O- 또는 -COOCH2-이다. Yb에 포함되는 원자수(수소원자는 제외함)는 0~15개인 것이 바람직하고, 0~10개인 것이 보다 바람직하고, 0~8개인 것이 더욱 바람직하다. 이 원자수를 과도하게 크게 하면, 수지의 주쇄와 후술하는 산분해성 기 사이의 거리가 과도하게 커져서 조성물의 러프니스 특성이 저하되는 경우가 있다.Y b is preferably a single bond, -CH 2 O- or -COOCH 2- . The number of atoms (excluding hydrogen atoms) contained in Y b is preferably 0 to 15, more preferably 0 to 10, and still more preferably 0 to 8. When the number of atoms is excessively large, the distance between the main chain of the resin and the acid-decomposable group to be described later becomes excessively large, which may reduce the roughness characteristics of the composition.

Yb의 「최소 연결 원자수」는 0~10개인 것이 바람직하고, 0~5개인 것이 보다 바람직하고, 0~3개인 것이 더욱 바람직하다. 이 「최소 연결 원자수」를 과도하게 크게 하면, 수지의 주쇄와 후술하는 산분해성 기 사이의 거리가 과도하게 커져서 조성물의 러프니스 특성이 저하되는 경우가 있다. 또한, Yb의 「최소 연결 원자수」는 Ya에 대해서 설명한 것과 동일하게 해서 정해지는 수이다.It is preferable that "minimum connection atom number" of Y b is 0-10, It is more preferable that it is 0-5, It is still more preferable that it is 0-3. When this "minimum connection atom number" is made too large, the distance between the principal chain of resin and the acid-decomposable group mentioned later may become large too much, and the roughness characteristic of a composition may fall. In addition, Y b of the "minimum number of connections atom" is a number which is determined by the same manner as that described with respect to a Y.

A3은 상술한 바와 같이 산의 작용에 의해 이탈하는 기이다.A 3 is a group which is released by the action of an acid as described above.

일반식(I)으로 표시되는 반복단위를 포함하는 수지에 산을 작용시키면, A3 중 적어도 일부가 이탈하여 알칼리 가용성기인 카르복실기가 생성된다. 즉, 이 반복단위는 산분해성 기로서 「-COOA3」으로 표시되는 기를 갖고 있다.When an acid is made to react with resin containing the repeating unit represented by General formula (I), at least one part of A <3> will leave and a carboxyl group which is an alkali-soluble group will be produced | generated. That is, this repeating unit has a group represented by "-COOA 3 " as an acid-decomposable group.

A3은 탄화수소기인 것이 바람직하다. 이 탄화수소기로서는 탄소수가 1~30개인 것이 바람직하고, 탄소수가 4~25개인 것이 보다 바람직하다. 특히는 A3은 t-부틸기, t-아밀기 또는 지환 구조를 포함하는 탄화수소기(예를 들면, 지환기 또는 지환기에 의해 치환된 알킬기)인 것이 바람직하다.It is preferable that A <3> is a hydrocarbon group. The hydrocarbon group preferably has 1 to 30 carbon atoms, and more preferably 4 to 25 carbon atoms. In particular, A 3 is preferably a t-butyl group, a t-amyl group or a hydrocarbon group containing an alicyclic structure (for example, an alkyl group substituted by an alicyclic group or an alicyclic group).

상기 지환 구조는 단환형이어도 좋고, 다환형이어도 좋다. 구체적으로는, 이 지환 구조로서 모노시클로, 비시클로, 트리시클로 및 테트라시클로 구조 등을 들 수 있다. 이 지환 구조의 탄소수는 전형적으로는 5개 이상이며, 바람직하게는 6~30개이며, 특히 바람직하게는 7~25개이다. 또한, 지환 구조를 포함하는 탄화수소기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.The alicyclic structure may be monocyclic or polycyclic. Specifically, a monocyclo, bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure, etc. are mentioned as this alicyclic structure. Carbon number of this alicyclic structure is typically 5 or more, Preferably it is 6-30, Especially preferably, it is 7-25. In addition, the hydrocarbon group containing an alicyclic structure may further have a substituent.

이 지환 구조의 구체예로서는 먼저 Ra의 시클로알킬기에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.Specific examples of the alicyclic structure may be mentioned first as described for the cycloalkyl group of R a.

바람직한 지환 구조로서는, 예를 들면 아다만틸기, 노르아다만틸기, 데칼린 잔기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기, 노르보르닐기, 세드롤기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로데카닐기 및 시클로도데카닐기를 들 수 있다. 보다 바람직하게는 아다만틸기, 데칼린 잔기, 노르보르닐기, 세드롤기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로데카닐기 및 시클로도데카닐기를 들 수 있다. 또한, 여기에서는 지환 구조를 1가의 지환기로서 표기하고 있다.As a preferable alicyclic structure, an adamantyl group, a noadamantyl group, a decalin residue, a tricyclo decanyl group, a tetracyclo dodecanyl group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, Cyclodecanyl group and cyclododecanyl group are mentioned. More preferably, an adamantyl group, a decalin residue, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, and a cyclododecanyl group are mentioned. In addition, an alicyclic structure is described here as a monovalent alicyclic group.

이들 지환 구조가 가질 수 있는 치환기로서는, 예를 들면 알킬기, 할로겐원자, 히드록실기, 알콕시기, 카르복실기 및 알콕시카르보닐기를 들 수 있다.As a substituent which these alicyclic structures can have, an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group are mentioned, for example.

알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기 및 부틸기 등의 저급 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 이소프로필기가 더욱 바람직하다.As the alkyl group, lower alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group and butyl group are preferable, and methyl group, ethyl group, propyl group and isopropyl group are more preferable.

알콕시기로서는, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기 및 부톡시기 등의 탄소수가 1~4개인 알킬기를 들 수 있다.As an alkoxy group, C1-C4 alkyl groups, such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and butoxy group, are mentioned, for example.

이들 알킬기 및 알콕시기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 히드록실기, 할로겐원자 및 알콕시기를 들 수 있다.These alkyl groups and alkoxy groups may further have a substituent. As this substituent, a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group are mentioned, for example.

A3은 하기 일반식(pI)~일반식(pV) 중 어느 하나로 표시되는 기인 것이 특히 바람직하다.It is especially preferable that A <3> is group represented by either of the following general formula (pI)-general formula (pV).

Figure 112010056796558-pat00004
Figure 112010056796558-pat00004

일반식(pI)~(pV) 중,In general formula (pI)-(pV),

R11은 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 또는 sec-부틸기를 나타내고, Z는 탄소원자와 함께 시클로알킬기를 형성하는데 필요한 원자단을 나타낸다.R 11 represents a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group or sec-butyl group, and Z represents an atomic group necessary for forming a cycloalkyl group together with carbon atoms.

R12~R16은 각각 독립적으로 탄소수 1~4개의 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. 단, R12~R14 중 적어도 1개는 시클로알킬기를 나타낸다. 또한, R15 및 R16 중 어느 하나는 시클로알킬기를 나타낸다.R <12> -R <16> represents a C1-C4 linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group each independently. Provided that at least one of R 12 to R 14 represents a cycloalkyl group. Any one of R 15 and R 16 represents a cycloalkyl group.

R17~R21은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~4개의 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. 단, R17~R21 중 적어도 1개는 시클로알킬기를 나타낸다. 또한, R19 및 R21 중 어느 하나는 탄소수 1~4개의 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.R 17 to R 21 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a cycloalkyl group. Provided that at least one of R 17 to R 21 represents a cycloalkyl group. In addition, any one of R <19> and R <21> represents a C1-C4 linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group.

R22~R25는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~4개의 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. 단, R22~R25 중 적어도 1개는 시클로알킬기를 나타낸다. 또한, R23과 R24는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 좋다.R 22 to R 25 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a cycloalkyl group. Provided that at least one of R 22 to R 25 represents a cycloalkyl group. In addition, R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring.

R12~R25의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기 및 t-부틸기를 들 수 있다.As an alkyl group of R <12> -R <25> , a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, and t-butyl group are mentioned, for example.

이들 알킬기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 탄소수 1~4개의 알콕시기, 할로겐원자(불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자), 아실기, 아실옥시기, 시아노기, 히드록실기, 카르복실기, 알콕시카르보닐기 및 니트로기를 들 수 있다.These alkyl groups may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), acyl group, acyloxy group, cyano group, hydroxyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, and the like. Nitro group is mentioned.

Z와 탄소원자가 형성하는 시클로알킬기 및 R12~R25의 시클로알킬기로서는, 예를 들면 먼저 Ra의 시클로알킬기에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.Examples of the cycloalkyl group formed by Z and the carbon atom and the cycloalkyl group of R 12 to R 25 include the same as those described above for the cycloalkyl group of R a .

A3의 구체예로서는 이하의 기를 들 수 있다.Specific examples of A 3 include the following groups.

Figure 112010056796558-pat00005
Figure 112010056796558-pat00005

S2는 r≥2일 경우에는 각각 독립적으로 치환기(수소원자는 제외함)를 나타낸다. S2로 표시되는 치환기의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 이 치환기로서는, 예를 들면 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아실기, 아실옥시기, 아릴기, 아릴옥시기, 아랄킬기, 아랄킬옥시기, 히드록실기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기 및 아랄킬티오기를 들 수 있다.S 2 independently represents a substituent (excluding hydrogen atoms) when r ≧ 2 . Types of substituents represented by S 2 is not particularly limited. Examples of the substituent include an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, an aralkyl group, an aralkyloxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, and a sulfonate. A vinyl group, an alkylthio group, an arylthio group, and an aralkylthio group are mentioned.

알킬기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 상기 알킬기 및 시클로알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 시클로펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기 및 도데실기 등의 탄소수 1~20개의 것이 바람직하다.The alkyl group may be linear or branched. Examples of the alkyl and cycloalkyl groups include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, t-butyl, pentyl, cyclopentyl, hexyl, cyclohexyl, octyl and dodecyl groups. C1-C20 things, such as these, are preferable.

아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 크실릴기, 톨루일기, 쿠메닐기, 나프틸기 및 안트릴기 등의 탄소수가 6~14개인 것을 들 수 있다.Examples of the aryl group include those having 6 to 14 carbon atoms, such as a phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, and anthryl group.

아랄킬기로서는, 예를 들면 벤질기를 들 수 있다.As an aralkyl group, a benzyl group is mentioned, for example.

이들 기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 히드록실기, 할로겐원자, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 아실아미노기, 술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 아랄킬티오기, 티오펜카르보닐옥시기, 티오펜메틸카르보닐옥시기 및 피롤리돈 잔기 등의 헤테로환 잔기를 들 수 있다. 이 치환기의 탄소수는 바람직하게는 12개 이하이다.These groups may further have a substituent. Examples of the substituent include alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, hydroxyl group, halogen atom, nitro group, acyl group, acyloxy group, acylamino group, sulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group, thiophenecar Heterocyclic residues, such as a carbonyloxy group, a thiophenmethyl carbonyloxy group, and a pyrrolidone residue, are mentioned. Carbon number of this substituent becomes like this. Preferably it is 12 or less.

치환기를 갖는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 및 아랄킬기로서는, 예를 들면 시클로헥실에틸기, 알킬카르보닐옥시메틸기, 알킬카르보닐옥시에틸기, 시클로알킬카르보닐옥시메틸기, 시클로알킬카르보닐옥시에틸기, 아릴카르보닐옥시에틸기, 아랄킬카르보닐옥시에틸기, 알킬옥시메틸기, 시클로알킬옥시메틸기, 아릴옥시메틸기, 아랄킬옥시메틸기, 알킬옥시에틸기, 시클로알킬옥시에틸기, 아릴옥시에틸기, 아랄킬옥시에틸기, 알킬티오메틸기, 시클로알킬티오메틸기, 아릴티오메틸기, 아랄킬티오메틸기, 알킬티오에틸기, 시클로알킬티오에틸기, 아릴티오에틸기 및 아랄킬티오에틸기를 들 수 있다.As an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, and an aralkyl group which have a substituent, for example, a cyclohexylethyl group, an alkylcarbonyloxymethyl group, an alkylcarbonyloxyethyl group, a cycloalkylcarbonyloxymethyl group, a cycloalkylcarbonyloxyethyl group, an arylcarbon Bonyloxyethyl group, aralkylcarbonyloxyethyl group, alkyloxymethyl group, cycloalkyloxymethyl group, aryloxymethyl group, aralkyloxymethyl group, alkyloxyethyl group, cycloalkyloxyethyl group, aryloxyethyl group, aralkyloxyethyl group, alkylthiomethyl group , Cycloalkylthiomethyl group, arylthiomethyl group, aralkylthiomethyl group, alkylthioethyl group, cycloalkylthioethyl group, arylthioethyl group and aralkylthioethyl group.

알킬카르보닐옥시에틸기 및 시클로알킬카르보닐옥시에틸기의 예로서는 시클로헥실카르보닐옥시에틸기, t-부틸시클로헥실카르보닐옥시에틸기 및 n-부틸시클로헥실카르보닐옥시에틸기를 들 수 있다. 아릴옥시에틸기의 예로서는 페닐옥시에틸기 및 시클로헥실페닐옥시에틸기를 들 수 있다. 이들 기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.Examples of the alkylcarbonyloxyethyl group and the cycloalkylcarbonyloxyethyl group include cyclohexylcarbonyloxyethyl group, t-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group and n-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group. Examples of the aryloxyethyl group include a phenyloxyethyl group and a cyclohexylphenyloxyethyl group. These groups may further have a substituent.

아랄킬카르보닐옥시에틸기의 예로서는 벤질카르보닐옥시에틸기를 들 수 있다. 이들 기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.An example of the aralkylcarbonyloxyethyl group is a benzylcarbonyloxyethyl group. These groups may further have a substituent.

p는 상술한 바와 같이 1~5의 정수이다. p는 바람직하게는 1 또는 2이며, 특히 바람직하게는 1이다.p is an integer of 1-5 as mentioned above. p is preferably 1 or 2, and particularly preferably 1.

q는 상술한 바와 같이 1~5의 정수이다. q는 바람직하게는 1 또는 2이며, 특히 바람직하게는 1이다. q is an integer of 1-5 as mentioned above. q is preferably 1 or 2, and particularly preferably 1.

r은 상술한 바와 같이 p+r≤5가 되는 관계를 만족하는 1~4의 정수이다. r은 바람직하게는 0~2이며, 보다 바람직하게는 0 또는 1이며, 특히 바람직하게는 0이다.r is an integer of 1-4 which satisfy | fills the relationship which becomes p + r <= 5 as mentioned above. r is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.

반복단위(A)에서는 Ra가 수소원자 또는 메틸기이며, p=1이고 또한 q=1인 것이 바람직하다. 즉, 반복단위(A)는 하기 일반식(II)으로 표시되는 구조를 갖고 있는 것이 바람직하다.In the repeating unit (A), R a is a hydrogen atom or a methyl group, preferably p = 1 and q = 1. That is, it is preferable that the repeating unit (A) has a structure represented by the following general formula (II).

Figure 112010056796558-pat00006
Figure 112010056796558-pat00006

식(II) 중, Ra는 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다. Ya, Ar, Yb, A3 및 S2는 먼저 일반식(I)에 대해서 설명한 것과 동일한 의미이다. r은 0~4의 정수를 나타낸다.In formula (II), R a represents a hydrogen atom or a methyl group. Y a , Ar, Y b , A 3 and S 2 have the same meanings as those described for general formula (I). r represents the integer of 0-4.

반복단위(A)에서는 「-Ya-Ar-Yb-COOA3」으로 표시되는 기가 수지의 주쇄에 직접 결합되어 있는 벤젠환의 파라 위치에 치환되어 있는 것이 바람직하다. 특히는 Ra는 수소원자 또는 메틸기이며, p=1이며, q=1이며, 또한 「-Ya-Ar-Yb-COOA3」으로 표시되는 기는 주쇄에 직접 결합되어 있는 벤젠환의 파라 위치에 치환되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 반복단위(A)는 하기 일반식(III)으로 표시되는 구조를 갖고 있는 것이 바람직하다.In the repeating unit (A), the group represented by "-Y a -Ar-Y b -COOA 3 " is preferably substituted at the para position of the benzene ring directly bonded to the main chain of the resin. In particular, R a is a hydrogen atom or a methyl group, p = 1, q = 1, and the group represented by "-Y a -Ar-Y b -COOA 3 " is located in the para position of the benzene ring directly bonded to the main chain. It is preferable that it is substituted. That is, it is preferable that the repeating unit (A) has a structure represented by the following general formula (III).

Figure 112010056796558-pat00007
Figure 112010056796558-pat00007

식(III) 중, Ra는 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다. Ya, Ar, Yb, A3 및 S2는 먼저 일반식(I)에 대해서 설명한 것과 동일한 의미이다. r은 0~4의 정수를 나타낸다.In formula (III), R a represents a hydrogen atom or a methyl group. Y a , Ar, Y b , A 3 and S 2 have the same meanings as those described for general formula (I). r represents the integer of 0-4.

반복단위(A)에서는 상술한 바와 같이, r=0인 것이 바람직하다. 특히는 Ra는 수소원자 또는 메틸기이며, p=1이며, q=1이며, 「-Ya-Ar-Yb-COOA3」으로 표시되는 기는 주쇄에 직접 결합되어 있는 벤젠환의 파라 위치에 치환되어 있고, 또한 r=0인 것이 바람직하다. 즉, 반복단위(A)는 하기 일반식(IV)으로 표시되는 구조를 갖고 있는 것이 바람직하다.In the repeating unit (A), as described above, r = 0 is preferable. In particular, R a is a hydrogen atom or a methyl group, p = 1, q = 1, and the group represented by "-Y a -Ar-Y b -COOA 3 " is substituted at the para position of the benzene ring directly bonded to the main chain. It is preferable that r = 0. That is, it is preferable that the repeating unit (A) has a structure represented by the following general formula (IV).

Figure 112010056796558-pat00008
Figure 112010056796558-pat00008

식(IV) 중, Ra는 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다. Ya, Ar, Yb 및 A3은 먼저 일반식(I)에 대해서 설명한 것과 동일한 의미이다. In formula (IV), R a represents a hydrogen atom or a methyl group. Y a , Ar, Y b and A 3 have the same meanings as those described for general formula (I).

반복단위(A)의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명의 범위는 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the specific example of a repeating unit (A) is shown below, the scope of the present invention is not limited to these.

Figure 112010056796558-pat00009
Figure 112010056796558-pat00009

본 발명에 의한 조성물은 상술한 바와 같이 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 반복단위(B)를 구비하고 있어도 좋다.The composition according to the present invention may be provided with a repeating unit (B) which generates an acid by irradiation of actinic light or radiation as described above.

반복단위(B) 중 적어도 일부는 하기 일반식(B1), (B2) 및 (B3) 중 어느 하나로 표시되는 반복단위인 것이 바람직하다. 이들 중, 하기 일반식(B1) 또는 (B3)으로 표시되는 반복단위가 보다 바람직하고, 하기 일반식(B1)으로 표시되는 반복단위가 특히 바람직하다.At least a part of the repeating unit (B) is preferably a repeating unit represented by any one of the following general formulas (B1), (B2) and (B3). Among these, the repeating unit represented by the following general formula (B1) or (B3) is more preferable, and the repeating unit represented by the following general formula (B1) is particularly preferable.

Figure 112010056796558-pat00010
Figure 112010056796558-pat00010

식 중, A는 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 산 음이온을 발생하는 구조 부위를 나타낸다.In the formula, A represents a structural site that is decomposed by actinic radiation or radiation to generate an acid anion.

R04, R05 및 R07~R09는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다.R 04 , R 05 and R 07 to R 09 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.

R06은 시아노기, 카르복실기, -CO-OR25 또는 -CO-N(R26)(R27)을 나타낸다. R25는 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다. R26과 R27은 서로 결합하여 질소원자와 함께 환을 형성하고 있어도 좋다. R26 및 R27은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다.R 06 represents a cyano group, a carboxyl group, -CO-OR 25, or -CO-N (R 26 ) (R 27 ). R 25 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 26 and R 27 may be bonded to each other to form a ring together with a nitrogen atom. R 26 and R 27 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.

X1~X3은 각각 독립적으로 단일결합, 아릴렌기, 알킬렌기, 시클로알킬렌기, -O-, -SO2-, -CO-, -N(R33)- 또는 이들의 복수를 조합한 2가의 연결기를 나타낸다. R33은 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다.X 1 to X 3 are each independently a single bond, an arylene group, an alkylene group, a cycloalkylene group, -O-, -SO 2- , -CO-, -N (R 33 )-or a combination of a plurality thereof; Shows a coupling group. R 33 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.

R04, R05 및 R07~R09의 알킬기로서는 탄소수가 20개 이하인 것이 바람직하고, 탄소수가 8개 이하인 것이 보다 바람직하다. 이러한 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 및 도데실기를 들 수 있다. 또한, 이들 알킬기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.As an alkyl group of R <04> , R <05> and R <07> -R 09 , it is preferable that carbon number is 20 or less, and it is more preferable that carbon number is 8 or less. As such an alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group, and dodecyl group are mentioned, for example. In addition, these alkyl groups may further have a substituent.

R04, R05 및 R07~R09의 시클로알킬기는 단환형이어도, 다환형이어도 좋다. 이 시클로알킬기로서는 탄소수가 3~8개인 것이 바람직하다. 이러한 시클로알킬기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로펜틸기 및 시클로헥실기를 들 수 있다.The cycloalkyl group of R 04 , R 05 and R 07 to R 09 may be monocyclic or polycyclic. As this cycloalkyl group, C3-C8 is preferable. As such a cycloalkyl group, a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group are mentioned, for example.

R04, R05 및 R07~R09의 할로겐원자로서는 불소원자, 염소원자, 브롬원자 및 요오드원자를 들 수 있다. 이들 중, 불소원자가 특히 바람직하다. Examples of the halogen atoms of R 04 , R 05 and R 07 to R 09 include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms. Of these, fluorine atoms are particularly preferred.

R04, R05 및 R07~R09의 알콕시카르보닐기에 포함되는 알킬기로서는, 예를 들면 먼저 R04, R05 및 R07~R09의 알킬기로서 열거한 것이 바람직하다. R 04, the alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group of R 05 and R 07 ~ R 09, for example, it is preferable that the first listed as an alkyl group of R 04, R 05 and R 07 ~ R 09.

R25~R27 및 R33의 알킬기로서는, 예를 들면 먼저 R04, R05 및 R07~R09의 알킬기로서 열거한 것이 바람직하다.As an alkyl group of R <25> -R <27> and R <33> , what was enumerated as the alkyl group of R <04> , R <05> and R <07> -R 09 , for example is preferable.

R25~R27 및 R33의 시클로알킬기로서는, 예를 들면 먼저 R04, R05 및 R07~R09의 시클로알킬기로서 열거한 것이 바람직하다.As the cycloalkyl group of R 25 ~ R 27 and R 33, for example, it is preferable that the first listed as the cycloalkyl group of R 04, R 05 and R 07 ~ R 09.

R25~R27 및 R33의 알케닐기로서는 탄소수가 2~6개인 것이 바람직하다. 이러한 알케닐기로서는, 예를 들면 비닐기, 프로페닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기 및 헥세닐기를 들 수 있다.As an alkenyl group of R <25> -R <27> and R <33> , a C2-C6 thing is preferable. As such an alkenyl group, a vinyl group, a propenyl group, an allyl group, butenyl group, a pentenyl group, and a hexenyl group are mentioned, for example.

R25~R27 및 R33의 시클로알케닐기로서는 탄소수가 3~6개인 것이 바람직하다. 이러한 시클로알케닐기로서는, 예를 들면 시클로헥세닐기를 들 수 있다.As a cycloalkenyl group of R <25> -R <27> and R <33> , a C3-C6 thing is preferable. The cycloalkenyl group includes, for example, a cyclohexenyl group.

R25~R27 및 R33의 아릴기는 단환의 방향족기이어도 좋고, 다환의 방향족기이어도 좋다. 이 아릴기로서는 탄소수가 6~14개인 것이 바람직하다. 이 아릴기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 또한, 아릴기끼리 서로 결합하여 복소환을 형성하고 있어도 좋다. R25~R27 및 R33의 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 클로로페닐기, 메톡시페닐기 및 나프틸기를 들 수 있다.The aryl group of R 25 to R 27 and R 33 may be a monocyclic aromatic group or a polycyclic aromatic group. As this aryl group, a C6-C14 thing is preferable. This aryl group may further have a substituent. Further, aryl groups may be bonded to each other to form a heterocycle. As an aryl group of R <25> -R <27> and R <33> , a phenyl group, a tolyl group, a chlorophenyl group, a methoxyphenyl group, and a naphthyl group are mentioned, for example.

R25~R27 및 R33의 아랄킬기로서는 탄소수가 7~15개인 것이 바람직하다. 이 아랄킬기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. R25~R27 및 R33의 아랄킬기로서는, 예를 들면 벤질기, 페네틸기 및 쿠밀기를 들 수 있다.As the aralkyl group of R 25 to R 27 and R 33 , one having 7 to 15 carbon atoms is preferable. This aralkyl group may further have a substituent. As an aralkyl group of R <25> -R <27> and R <33> , a benzyl group, a phenethyl group, and a cumyl group are mentioned, for example.

R26과 R27이 서로 결합해서 질소원자와 함께 형성하는 환으로서는 5~8원환이 바람직하고, 구체적으로는, 예를 들면 피롤리딘, 피페리딘 및 피페라진을 들 수 있다.As a ring which R <26> and R <27> combine with each other and form together with a nitrogen atom, a 5-8 membered ring is preferable, Specifically, a pyrrolidine, a piperidine, and a piperazine are mentioned, for example.

X1~X3의 아릴렌기로서는 탄소수가 6~14개인 것이 바람직하다. 이러한 아릴렌기로서는, 예를 들면 페닐렌기, 톨릴렌기 및 나프틸렌기를 들 수 있다. 이들 아릴렌기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.As the arylene group of X 1 to X 3 , one having 6 to 14 carbon atoms is preferable. As such arylene group, a phenylene group, a tolylene group, and a naphthylene group are mentioned, for example. These arylene groups may further have a substituent.

X1~X3의 알킬렌기로서는 탄소수가 1~8개인 것이 바람직하다. 이러한 알킬렌기로서는, 예를 들면 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기 및 옥틸렌기를 들 수 있다. 이들 알킬렌기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.As an alkylene group of X <1> -X <3> , a C1-C8 thing is preferable. As such an alkylene group, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, butylene group, hexylene group, and octylene group is mentioned, for example. These alkylene groups may further have a substituent.

시클로알킬렌기로서는 탄소수가 5~8개인 것이 바람직하다. 이러한 시클로알킬렌기로서는, 예를 들면 시클로펜틸렌기 및 시클로헥실렌기를 들 수 있다. 이들 시클로알킬렌기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.As a cycloalkylene group, a C5-C8 thing is preferable. As such a cycloalkylene group, a cyclopentylene group and a cyclohexylene group are mentioned, for example. These cycloalkylene groups may further have a substituent.

상기 일반식(B1)~(B3)에 있어서의 각 기가 가질 수 있는 바람직한 치환기로서는, 예를 들면 히드록실기; 할로겐원자(불소, 염소, 브롬, 요오드); 니트로기; 시아노기; 아미드기; 술폰아미드기; 먼저 R04, R05 및 R07~R09로서 열거한 알킬기; 메톡시기, 에톡시기, 히드록시에톡시기, 프로폭시기, 히드록시프로폭시기, 및 부톡시기 등의 알콕시기; 메톡시카르보닐기 및 에톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기; 포르밀기, 아세틸기 및 벤조일기 등의 아실기; 아세톡시기 및 부틸옥시기 등의 아실옥시기, 및 카르복실기를 들 수 있다. 이들 치환기는 탄소수가 8개 이하인 것이 바람직하다.As a preferable substituent which each group in said general formula (B1)-(B3) can have, it is a hydroxyl group, for example; Halogen atoms (fluorine, chlorine, bromine, iodine); A nitro group; Cyano; Amide group; Sulfonamide groups; Alkyl groups listed first as R 04 , R 05 and R 07 to R 09 ; An alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, a hydroxyethoxy group, a propoxy group, a hydroxypropoxy group, and a butoxy group; Alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; Acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group; Acyloxy groups, such as an acetoxy group and a butyloxy group, and a carboxyl group are mentioned. These substituents preferably have 8 or less carbon atoms.

A는 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 산을 발생하는 구조 부위를 나타내고, 구체적으로는 광양이온 중합의 광개시제, 광라디칼 중합의 광개시제, 색소류의 광소색제, 광변색제, 및 마이크로레지스트 등에 사용되고 있는 공지의 광에 의해 산을 발생하는 화합물이 갖는 구조 부위를 들 수 있다.A represents a structural site that is decomposed by irradiation of actinic radiation or radiation to generate an acid, and specifically, a photoinitiator for photocationic polymerization, a photoinitiator for photoradical polymerization, a photochromic agent for pigments, a photochromic agent, a microresist, and the like. The structural site which the compound which produces | generates an acid by the well-known light used is mentioned.

A로서는 술포늄 염 또는 요오드늄염을 포함하는 이온성 구조 부위가 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, A로서 하기 일반식(ZI) 또는 (ZII)으로 표시되는 기가 바람직하다.As A, the ionic structure site containing a sulfonium salt or an iodonium salt is more preferable. More specifically, group represented by the following general formula (ZI) or (ZII) as A is preferable.

Figure 112010056796558-pat00011
Figure 112010056796558-pat00011

일반식(ZI) 중,In general formula (ZI),

R201, R202 및 R203은 각각 독립적으로 유기기를 나타낸다.R 201 , R 202 and R 203 each independently represent an organic group.

R201, R202 및 R203으로서의 유기기의 탄소수는 일반적으로는 1~30개이며, 바람직하게는 1~20개이다. 또한, R201~R203 중 2개가 결합해서 환 구조를 형성해도 좋고, 환내에 산소원자, 황원자, 에스테르 결합, 아미드 결합, 카르보닐기를 포함하고 있어도 좋다. R201~R203 중의 2개가 결합해서 형성하는 기로서는, 예를 들면 부틸렌기 및 펜틸렌기 등의 알킬렌기를 들 수 있다. Carbon number of the organic group as R <201> , R <202> and R <203> is 1-30 normally, Preferably it is 1-20. In addition, two of R 201 to R 203 may be bonded to each other to form a ring structure, and the ring may include an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, and a carbonyl group. As group which two of R <201> -R <203> combine and form, alkylene groups, such as a butylene group and a pentylene group, are mentioned, for example.

Z-은 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 발생하는 산 음이온을 나타낸다. Z-은 비구핵성 음이온인 것이 바람직하다. 비구핵성 음이온으로서는, 예를 들면 술폰산 음이온, 카르복실산 음이온, 술포닐이미드 음이온, 비스(알킬술포닐)이미드 음이온, 및 트리스(알킬술포닐)메틸 음이온을 들 수 있다.Z <-> represents the acid anion which arises by decomposing | disassembled by irradiation of actinic light or a radiation. Z - is preferably an unconjugated anion. As a non-nucleophilic anion, a sulfonic acid anion, a carboxylic acid anion, a sulfonyl imide anion, a bis (alkylsulfonyl) imide anion, and a tris (alkylsulfonyl) methyl anion are mentioned, for example.

또한, 비구핵성 음이온이란 구핵반응을 일으키는 능력이 현저히 낮은 음이온을 의미하고 있다. 비구핵성 음이온을 사용하면, 분자내 구핵반응에 의한 경시 분해를 억제할 수 있다. 이것에 의해 수지 및 조성물의 경시 안정성을 향상시키는 것이 가능해진다.In addition, non-nucleophilic anion means the anion which is remarkably low in the ability to produce nucleophilic reaction. Use of non-nucleophilic anions can suppress degradation over time due to intramolecular nucleophilic reactions. Thereby, it becomes possible to improve stability with time of resin and a composition.

R201, R202 및 R203의 유기기로서는, 예를 들면 후술하는 (ZI-1), (ZI-2), (ZI-3)으로 표시되는 기에 있어서의 대응하는 기를 들 수 있다.As an organic group of R <201> , R <202> and R <203> , the corresponding group in group represented by (ZI-1), (ZI-2), (ZI-3) mentioned later is mentioned, for example.

더욱 바람직한 (ZI)으로 표시되는 기로서 이하에 설명하는 (ZI-1)기, (ZI-2)기, (ZI-3)기 및 (ZI-4)기를 들 수 있다. As group represented by more preferable (ZI), the (ZI-1) group, the (ZI-2) group, the (ZI-3) group, and the (ZI-4) group demonstrated below are mentioned.

(ZI-1)기는 상기 일반식(ZI)에 있어서의 R201~R203 중 적어도 1개가 아릴기인 아릴술포늄을 양이온으로 하는 기이다.The (ZI-1) group is a group in which at least one of R 201 to R 203 in General Formula (ZI) is an arylsulfonium whose aryl group is a cation.

R201~R203의 모두가 아릴기이어도 좋고, R201~R203의 일부가 아릴기이고 나머지가 알킬기 또는 시클로알킬기이어도 좋다.All of R 201 to R 203 may be an aryl group, a part of R 201 to R 203 may be an aryl group, and the rest may be an alkyl group or a cycloalkyl group.

(ZI-1)기로서는, 예를 들면 트리아릴술포늄, 디아릴알킬술포늄, 아릴디알킬술포늄, 디아릴시클로알킬술포늄, 및 아릴디시클로알킬술포늄의 각각에 상당하는 기를 들 수 있다.Examples of the (ZI-1) group include groups corresponding to each of triarylsulfonium, diarylalkylsulfonium, aryldialkylsulfonium, diarylcycloalkylsulfonium, and aryldicycloalkylsulfonium. have.

아릴술포늄에 있어서의 아릴기로서는 페닐기 또는 나프틸기가 바람직하고, 페닐기가 보다 바람직하다. 아릴기는 산소원자, 질소원자 및 황원자 등의 헤테로원자를 포함하는 복소환 구조를 갖고 있어도 좋다. 이 복소환 구조로서는, 예를 들면 피롤, 푸란, 티오펜, 인돌, 벤조푸란 및 벤조티오펜을 들 수 있다. 아릴술포늄이 2개 이상의 아릴기를 가질 경우, 이들 아릴기는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.As an aryl group in arylsulfonium, a phenyl group or a naphthyl group is preferable, and a phenyl group is more preferable. The aryl group may have a heterocyclic structure containing hetero atoms such as oxygen atom, nitrogen atom and sulfur atom. Examples of the heterocyclic structure include pyrrole, furan, thiophene, indole, benzofuran and benzothiophene. When the arylsulfonium has two or more aryl groups, these aryl groups may be the same as or different from each other.

아릴술포늄이 필요에 따라서 갖고 있는 알킬기 또는 시클로알킬기는 탄소수 1~15개의 직쇄 또는 분기 알킬기 또는 탄소수 3~15개의 시클로알킬기가 바람직하다. 이러한 알킬기 또는 시클로알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, 시클로프로필기, 시클로부틸기 및 시클로헥실기를 들 수 있다.The alkyl group or cycloalkyl group which arylsulfonium has as needed has a C1-C15 linear or branched alkyl group, or a C3-C15 cycloalkyl group is preferable. As such an alkyl group or a cycloalkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group are mentioned, for example.

R201~R203의 아릴기, 알킬기 또는 시클로알킬기는 알킬기(예를 들면 탄소수 1~15개), 시클로알킬기(예를 들면 탄소수 3~15개), 아릴기(예를 들면 탄소수 6~14개), 알콕시기(예를 들면 탄소수 1~15개), 할로겐원자, 히드록실기 또는 페닐티오기를 치환기로서 가져도 좋다.The aryl group, alkyl group or cycloalkyl group of R 201 to R 203 is an alkyl group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, having 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (for example, having 6 to 14 carbon atoms) ), An alkoxy group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group or a phenylthio group may be used as a substituent.

바람직한 치환기로서는, 예를 들면 탄소수 1~12개의 직쇄 또는 분기 알킬기, 탄소수 3~12개의 시클로알킬기, 및 탄소수 1~12개의 직쇄, 분기 또는 환상의 알콕시기를 들 수 있다. 보다 바람직한 치환기로서는, 예를 들면 탄소수 1~4개의 알킬기 및 탄소수 1~4개의 알콕시기를 들 수 있다. 치환기는 3개의 R201~R203 중 어느 1개에 치환되어 있어도 좋고, 이들 중 2개 이상에 치환되어 있어도 좋다. 또한, R201~R203이 페닐기일 경우, 이들 치환기는 페닐기의 p-위치에 치환되어 있는 것이 바람직하다.As a preferable substituent, a C1-C12 linear or branched alkyl group, a C3-C12 cycloalkyl group, and a C1-C12 linear, branched or cyclic alkoxy group are mentioned, for example. As a more preferable substituent, a C1-C4 alkyl group and a C1-C4 alkoxy group are mentioned, for example. The substituent may be substituted on any one of three R 201 to R 203 , and may be substituted on two or more of these. When R 201 to R 203 are phenyl groups, these substituents are preferably substituted at the p-position of the phenyl group.

다음에,(ZI-2)기에 대해서 설명한다.Next, the (ZI-2) group will be described.

(ZI-2)기는 일반식(ZI)에 있어서의 R201~R203은 각각 독립적으로 방향환을 함유하지 않는 유기기를 나타내는 기이다. 여기에서, 방향환에는 헤테로원자를 포함하는 복소환도 포함된다.The (ZI-2) group is a group in which R 201 to R 203 in General Formula (ZI) each independently represent an organic group containing no aromatic ring. Here, the aromatic ring also includes a heterocycle including a hetero atom.

R201~R203으로서의 방향환을 함유하지 않는 유기기는 탄소수가 일반적으로는 1~30개이며, 바람직하게는 1~20개이다.The organic group which does not contain an aromatic ring as R 201 to R 203 generally has 1 to 30 carbon atoms, and preferably 1 to 20 carbon atoms.

R201~R203은 각각 독립적으로 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 알릴기 또는 비닐기이며, 보다 바람직하게는 직쇄 또는 분기쇄의 2-옥소알킬기, 2-옥소시클로알킬기 또는 알콕시카르보닐메틸기이며, 더욱 바람직하게는 직쇄 또는 분기쇄의 2-옥소알킬기이다.R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group or a vinyl group, more preferably a straight or branched 2-oxoalkyl group, 2-oxocycloalkyl group or an alkoxycarbonylmethyl group, More preferably, they are a linear or branched 2-oxoalkyl group.

R201~R203의 알킬기 및 시클로알킬기로서는 바람직하게는 탄소수 1~10개의 직쇄 또는 분기 알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 또는 펜틸기), 및 탄소수 3~10개의 시클로알킬기(예를 들면, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 또는 노르보르닐기)를 들 수 있다. 이 알킬기로서는 보다 바람직하게는 2-옥소알킬기 및 알콕시카르보닐메틸기를 들 수 있다. 시클로알킬기로서는 보다 바람직하게는 2-옥소시클로알킬기를 들 수 있다.The alkyl group and the cycloalkyl group of R 201 to R 203 are preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group or pentyl group), and cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. (For example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, or norbornyl group) is mentioned. As this alkyl group, More preferably, a 2-oxoalkyl group and the alkoxycarbonylmethyl group are mentioned. As a cycloalkyl group, More preferably, a 2-oxocycloalkyl group is mentioned.

2-옥소알킬기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 2-옥소알킬기로서는 바람직하게는 상기 알킬기의 2위치에 >C=O를 갖는 기를 들 수 있다. 2-옥소시클로알킬기로서는 바람직하게는 상기 시클로알킬기의 2위치에 >C=O를 갖는 기를 들 수 있다.The 2-oxoalkyl group may be linear or branched. As 2-oxoalkyl group, Preferably, the group which has> C = O at the 2 position of the said alkyl group is mentioned. As a 2-oxocycloalkyl group, Preferably, the group which has> C = O at the 2-position of the said cycloalkyl group is mentioned.

알콕시카르보닐메틸기에 있어서의 알콕시기로서는 바람직하게는 탄소수 1~5개의 알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 또는 펜톡시기)를 들 수 있다.As an alkoxy group in an alkoxycarbonylmethyl group, Preferably, a C1-C5 alkoxy group (for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, butoxy group, or a pentoxy group) is mentioned.

R201~R203은, 예를 들면 할로겐원자, 알콕시기(예를 들면 탄소수 1~5개), 히드록실기, 시아노기 또는 니트로기에 의해 더 치환되어 있어도 좋다.R 201 to R 203 may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (for example, 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group.

다음에, (ZI-3)기에 대해서 설명한다.Next, the (ZI-3) group will be described.

(ZI-3)기란 이하의 일반식(ZI-3)으로 표시되는 기이며, 페나실술포늄염 구조를 갖는 기이다.(ZI-3) group is group represented by the following general formula (ZI-3), and is group which has a phenacylsulfonium salt structure.

Figure 112010056796558-pat00012
Figure 112010056796558-pat00012

일반식(ZI-3) 중, R1c~R5c는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기 또는 할로겐원자를 나타낸다.In General Formula (ZI-3), R 1c to R 5c each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom.

R6c 및 R7c는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.R 6c and R 7c each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.

Rx 및 Ry는 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 알릴기 또는 비닐기를 나타낸다.R x and R y each independently represent an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group or a vinyl group.

R1c~R5c 중 2개 이상, R6c와 R7c, 및 Rx와 Ry는 각각 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 좋다. 이 환 구조는 산소원자, 황원자, 에스테르 결합 및/또는 아미드 결합을 포함하고 있어도 좋다. 이들이 서로 결합해서 형성하는 기로서는, 예를 들면 부틸렌기 및 펜틸렌기를 들 수 있다.Two or more of R 1c to R 5c , R 6c and R 7c , and R x and R y may be bonded to each other to form a ring structure. This ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond and / or an amide bond. As a group which these couple | bond together and form, a butylene group and a pentylene group are mentioned, for example.

Zc-은 비구핵성 음이온을 나타내고, 예를 들면, 일반식(ZI)에 있어서의 Z-와 같은 것을 들 수 있다.Zc <-> represents a non-nucleophilic anion, For example, the same thing as Z <-> in general formula (ZI) is mentioned.

일반식(ZI-3)의 양이온부의 구체적 구조로서는 일본 특허공개 2004-233661호 공보의 단락 0047 및 0048, 및 일본 특허공개 2003-35948호 공보의 단락 0040~0046에 예시되어 있는 산발생제의 양이온부의 구조를 참조할 수 있다.As a specific structure of the cation part of general formula (ZI-3), cation of the acid generator illustrated by Paragraph 0047 and 0048 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-233661, and Paragraph 0040-0046 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-35948 See negative structure.

이어서, (ZI-4)기에 대해서 설명한다.Next, the (ZI-4) group will be described.

(ZI-4)기란 이하의 일반식(ZI-4)으로 표시되는 기이다. 이 기는 아웃 가스의 억제에 유효하다.(ZI-4) group is group represented by the following general formula (ZI-4). This group is effective for suppressing outgas.

Figure 112010056796558-pat00013
Figure 112010056796558-pat00013

일반식(ZI-4) 중, R1~R13은 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환기를 나타낸다. R1~R13 중 적어도 1개는 알콜성 히드록실기를 포함하는 치환기인 것이 바람직하다. 또한, 여기에서 「알콜성 히드록실기」란 알킬기의 탄소원자에 결합한 히드록실기를 의미하고 있다.In General Formula (ZI-4), R 1 to R 13 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. At least one of R 1 to R 13 is preferably a substituent containing an alcoholic hydroxyl group. In addition, an "alcoholic hydroxyl group" means the hydroxyl group couple | bonded with the carbon atom of an alkyl group here.

Z는 단일결합 또는 2가의 연결기이다.Z is a single bond or a divalent linking group.

Zc-는 비구핵성 음이온을 나타내고, 예를 들면 일반식(ZI)에 있어서의 Z-와 같은 것을 들 수 있다.Zc <-> represents a non-nucleophilic anion, For example, the same thing as Z <-> in general formula (ZI) is mentioned.

R1~R13이 알콜성 히드록실기를 포함하는 치환기일 경우, R1~R13은 -(W-Y)으로 표시되는 기인 것이 바람직하다. 여기에서, Y는 히드록실기로 치환된 알킬기이며, W는 단일결합 또는 2가의 연결기이다.When R <1> -R <13> is a substituent containing an alcoholic hydroxyl group, it is preferable that R <1> -R <13> is group represented by-(WY). Wherein Y is an alkyl group substituted with a hydroxyl group and W is a single bond or a divalent linking group.

Y으로 표시되는 알킬기의 바람직한 예로서는 에틸기, 프로필기 및 이소프로필기를 들 수 있다. Y는 특히 바람직하게는 -CH2CH2OH으로 표시되는 구조를 포함하고 있다.Preferred examples of the alkyl group represented by Y include ethyl group, propyl group and isopropyl group. Y particularly preferably includes a structure represented by -CH 2 CH 2 OH.

W로 표시되는 2가의 연결기로서는 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 단일결합, 알콕시기, 아실옥시기, 아실아미노기, 알킬 및 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 알킬술포닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기 또는 카르바모일기에 있어서의 임의의 수소원자를 단일결합으로 치환한 2가의 기이며, 더욱 바람직하게는 단일결합, 아실옥시기, 알킬술포닐기, 아실기 또는 알콕시카르보닐기에 있어서의 임의의 수소원자를 단일결합으로 치환한 2가의 기이다.The divalent linking group represented by W is not particularly limited, but is preferably a single bond, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group, an alkyl and an arylsulfonylamino group, an alkylthio group, an alkylsulfonyl group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group or It is a divalent group which substituted arbitrary hydrogen atoms in a carbamoyl group by a single bond, More preferably, any hydrogen atom in a single bond, an acyloxy group, an alkylsulfonyl group, an acyl group, or an alkoxycarbonyl group is single. It is a bivalent group substituted by the bond.

R1~R13이 알콜성 히드록실기를 포함하는 치환기일 경우, 포함되는 탄소수는 바람직하게는 2~10개이며, 더욱 바람직하게는 2~6개이며, 특히 바람직하게는 2~4개이다.R 1 - R 13 is an alcoholic when the substituent containing a hydroxyl group, the number of carbon atoms contained is preferably from 2 to 10, more preferably 2 to a 6, particularly preferably from two to four.

R1~R13으로서의 알콜성 히드록실기를 포함하는 치환기는 알콜성 히드록실기를 2개 이상 갖고 있어도 좋다. R1~R13으로서의 알콜성 히드록실기를 포함하는 치환기가 갖는 알콜성 히드록실기의 수는 1~6개이며, 바람직하게는 1~3개이며, 더욱 바람직하게는 1개이다.The substituent containing an alcoholic hydroxyl group as R 1 to R 13 may have two or more alcoholic hydroxyl groups. The number of alcoholic hydroxyl groups which the substituent containing alcoholic hydroxyl groups as R <1> -R <13> has is 1-6, Preferably it is 1-3, More preferably, it is one.

(ZI-4)기가 포함하고 있는 알콜성 히드록실기의 수는 R1~R13 모두 합해서 1~10개이며, 바람직하게는 1~6개이며, 더욱 바람직하게는 1~3개이다.The number of alcoholic hydroxyl groups contained in the (ZI-4) group is 1 to 10 in total, preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3 in all of R 1 to R 13 .

R1~R13이 알콜성 히드록실기를 함유하지 않을 경우, R1~R13으로서의 치환기로서는, 예를 들면 할로겐원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 복소환기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 복소환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기(아닐리노기를 포함함), 암모니오기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬 및 아릴술포닐아미노기, 메르캅토기, 알킬티오기, 아릴티오기, 복소환 티오기, 술파모일기, 술포기, 알킬 및 아릴술피닐기, 알킬 및 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 아릴 및 복소환 아조기, 이미드기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 포스포노기, 실릴기, 히드라지노기, 우레이도기, 붕소산기[-B(OH)2], 포스페이트기[-OPO(OH)2], 술페이트기(-OSO3H), 및 다른 공지의 치환기를 들 수 있다.When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, examples of the substituent for R 1 to R 13 include a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, Heterocyclic group, cyano group, nitro group, carboxyl group, alkoxy group, aryloxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group (Including an anilino group), ammonia group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, mercapto group, alkylthio group, aryl Thio group, heterocyclic thio group, sulfamoyl group, sulfo group, alkyl and arylsulfinyl group, alkyl and arylsulfonyl group, acyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, aryl and heterocycle Azo group, imide group, phosphino group, phosphinyl group, phosphinyloxy group, phosphinylamino group, phosphono group, silyl group, hydrazino group, ureido group, boronic acid group [-B (OH) 2 ], phosphate group [ -OPO (OH) 2 ], a sulfate group (-OSO 3 H), and other well-known substituents are mentioned.

R1~R13이 알콜성 히드록실기를 함유하지 않을 경우, R1~R13은 바람직하게는 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 시아노기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬 및 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 술파모일기, 알킬 및 아릴술포닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 이미드기, 실릴기 또는 우레이도기이다.When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 preferably represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, Cyano group, carboxyl group, alkoxy group, aryloxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group , Alkylthio group, arylthio group, sulfamoyl group, alkyl and arylsulfonyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, imide group, silyl group or ureido group.

R1~R13이 알콜성 히드록실기를 함유하지 않을 경우, R1~R13은 더욱 바람직하게는 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 시클로알킬기, 시아노기, 알콕시기, 아실옥시기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 알킬 및 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 술파모일기, 알킬 및 아릴술포닐기, 알콕시카르보닐기 또는 카르바모일기이다.When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are more preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group , Aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, alkylthio group, sulfamoyl group, alkyl and arylsulfonyl group, alkoxycarbonyl group or carbamoyl group.

R1~R13이 알콜성 히드록실기를 함유하지 않을 경우, R1~R13은 특히 바람직하게는 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐원자 또는 알콕시기이다.When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are particularly preferably a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom or an alkoxy group.

R1~R13 중 인접하는 2개가 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 좋다. 이 환 구조에는 방향족 및 비방향족의 탄화수소환 및 복소환이 포함된다. 이들 환 구조는 더 조합되어 축합환을 형성하고 있어도 좋다.Two adjacent ones of R 1 to R 13 may be bonded to each other to form a ring structure. This ring structure includes aromatic and nonaromatic hydrocarbon rings and heterocycles. These ring structures may further be combined to form a condensed ring.

(ZI-4)기는 바람직하게는 R1~R13 중 적어도 1개가 알콜성 히드록실기를 포함하는 구조를 갖고 있고, 더욱 바람직하게는 R9~R13 중 적어도 1개가 알콜성 히드록실기를 포함하는 구조를 갖고 있다.The (ZI-4) group preferably has a structure in which at least one of R 1 to R 13 includes an alcoholic hydroxyl group, and more preferably at least one of R 9 to R 13 is an alcoholic hydroxyl group. It has a structure to include.

Z는 상술한 바와 같이 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타내고 있다. 이 2가의 연결기로서는, 예를 들면 알킬렌기, 아릴렌기, 카르보닐기, 술포닐기, 카르보닐옥시기, 카르보닐아미노기, 술포닐아미드기, 에테르기, 티오에테르기, 아미노기, 디술피드기, 아실기, 알킬술포닐기, -CH=CH-, 아미노카르보닐아미노기 및 아미노술포닐아미노기를 들 수 있다.Z represents a single bond or a divalent linking group as described above. As this bivalent coupling group, an alkylene group, arylene group, carbonyl group, sulfonyl group, carbonyloxy group, carbonylamino group, sulfonylamide group, ether group, thioether group, amino group, disulfide group, acyl group, Alkylsulfonyl group, -CH = CH-, an aminocarbonylamino group, and an aminosulfonylamino group are mentioned.

이 2가의 연결기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 이들 치환기로서는, 예를 들면 먼저 R1~R13에 대해서 열거한 것과 같은 것을 들 수 있다.This divalent linking group may have a substituent. As these substituents, the thing similar to what was enumerated about R <1> -R <13> first is mentioned, for example.

Z는 바람직하게는 단일결합, 알킬렌기, 아릴렌기, 에테르기, 티오에테르기, 아미노기, -CH=CH-, 아미노카르보닐아미노기 및 아미노술포닐아미노기 등의 전자 구인성을 갖지 않는 결합 또는 기이며, 더욱 바람직하게는 단일결합, 에테르기 또는 티오에테르기이며, 특히 바람직하게는 단일결합이다.Z is preferably a bond or group having no electron withdrawing properties such as a single bond, an alkylene group, an arylene group, an ether group, a thioether group, an amino group, -CH = CH-, an aminocarbonylamino group and an aminosulfonylamino group More preferably, they are a single bond, an ether group, or a thioether group, Especially preferably, they are a single bond.

다음에, 일반식(ZII)에 대해서 설명한다.Next, general formula (ZII) will be described.

일반식(ZII) 중, R204~R205는 각각 독립적으로 아릴기, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. In General Formula (ZII), R 204 to R 205 each independently represent an aryl group, an alkyl group, or a cycloalkyl group.

R204~R207의 아릴기, 알킬기, 시클로알킬기의 구체예 및 바람직한 형태 등은 상술한 화합물(ZI-1)에 있어서의 R201~R203에 대해서 설명한 것과 같다.Specific examples, preferred forms, and the like of the aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 204 to R 207 are the same as those described for R 201 to R 203 in the compound (ZI-1) described above.

R204~R207의 아릴기, 알킬기, 시클로알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서도 상술한 화합물(ZI-1)에 있어서의 R201~R203에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.The aryl group, alkyl group and cycloalkyl group represented by R 204 to R 207 may have a substituent. As this substituent, the same thing as what was demonstrated about R <201> -R <203> in the above-mentioned compound (ZI-1) is mentioned.

Z-은 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 발생하는 산 음이온을 나타내고, 비구핵성 음이온이 바람직하고, 예를 들면 일반식(ZI)에 있어서의 Z-와 같은 것을 들 수 있다.Z <-> represents the acid anion which decomposes | disassembles by irradiation of actinic light or a radiation, A non-nucleophilic anion is preferable, For example, the same thing as Z <-> in general formula (ZI) is mentioned.

A의 바람직한 예로서는 하기 일반식(ZCI) 또는 (ZCII)으로 표시되는 기도 들 수 있다.Preferred examples of A include airways represented by the following general formula (ZCI) or (ZCII).

Figure 112010056796558-pat00014
Figure 112010056796558-pat00014

상기 일반식(ZCI) 중,In the formula (ZCI),

R301 및 R302는 각각 독립적으로 유기기를 나타낸다. 이 유기기의 탄소수는 일반적으로는 1~30개이며, 바람직하게는 1~20개이다. R301 및 R302는 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 좋다. 이 환 구조는 환내에 산소원자, 황원자, 에스테르 결합, 아미드 결합 및/또는 카르보닐기를 포함하고 있어도 좋다. R301과 R302가 서로 결합해서 형성할 수 있는 기로서는 부틸렌기 및 펜틸렌기 등의 알킬렌기를 들 수 있다.R 301 and R 302 each independently represent an organic group. Carbon number of this organic group is 1-30 normally, Preferably it is 1-20. R 301 and R 302 may be bonded to each other to form a ring structure. This ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond and / or a carbonyl group in the ring. Examples of the group which R 301 and R 302 may combine with each other to form include an alkylene group such as a butylene group and a pentylene group.

R301 및 R302의 유기기로서는, 예를 들면 일반식(ZI)에 있어서의 R201~R203의 예로서 열거한 아릴기, 알킬기 및 시클로알킬기를 들 수 있다.As an organic group of R <301> and R <302> , the aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group listed as an example of R <201> -R <203> in general formula (ZI) are mentioned, for example.

M은 프로톤이 부가됨으로써 산을 형성하는 원자단을 나타낸다. 보다 구체적으로는, 후술하는 일반식 AN1~AN3 중 어느 하나로 표시되는 구조를 들 수 있다. 이들 중, 일반식 AN1으로 표시되는 구조가 특히 바람직하다.M represents the atomic group which forms an acid by the addition of protons. More specifically, the structure represented by either of general formula AN1-AN3 mentioned later is mentioned. Among these, the structure represented by general formula AN1 is especially preferable.

R303은 유기기를 나타낸다. R303으로서의 유기기의 탄소수는 일반적으로 1~30개, 바람직하게는 1~20개이다. R303의 유기기로서 구체적으로는, 예를 들면 상기 일반식(ZII)에 있어서의 R204, R205의 구체예로서 열거한 아릴기, 알킬기, 시클로알킬기 등을 들 수 있다.R 303 represents an organic group. The carbon number of the organic group as R 303 is generally 1-30, preferably 1-20. Specifically as an organic group of R <303> , the aryl group, alkyl group, cycloalkyl group, etc. which were listed as specific examples of R <204> , R <205> in the said general formula (ZII) are mentioned, for example.

또한, 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 구조 부위로서는, 예를 들면 하기 광산발생제가 갖고 있는 술폰산 전구체가 되는 구조 부위를 들 수 있다. 이 광산발생제로서는, 예를 들면 이하의 (1)~(3)의 화합물을 들 수 있다.Moreover, as a structural site | part which generate | occur | produces an acid by irradiation of actinic light or a radiation, the structural site | part used as the sulfonic acid precursor which the following photo-acid generator has is mentioned, for example. As this photo-acid generator, the compound of the following (1)-(3) is mentioned, for example.

(1) M. TUNOOKA et al., Polymer Preprints Japan, 35(8); G. Berner et al., J. Rad. Curing, 13(4); W. J. Mijs et al., Coating Technol., 55(697), 45(1983); H. Adachi et al., Polymer Preprints, Japan, 37(3); 유럽 특허 제0199,672호, 동 84515호, 동 199,672호, 동 044,115호, 동 0101,122호, 미국 특허 제618,564호, 동 4,371,605호, 동 4,431,774호의 각 명세서, 일본 특허공개 소64-18143호, 일본 특허공개 평2-245756호 및 일본 특허공개 평4-365048호 등의 각 공보에 기재된 이미노술포네이트 등으로 대표되는 광분해되어 술폰산을 발생하는 화합물.(1) M. TUNOOKA et al., Polymer Preprints Japan, 35 (8); G. Berner et al., J. Rad. Curing, 13 (4); W. J. Mijs et al., Coating Technol., 55 (697), 45 (1983); H. Adachi et al., Polymer Preprints, Japan, 37 (3); European Patent Nos. 0199,672, 84515, 199,672, 044,115, 0101,122, U.S. Patents 618,564, 4,371,605, 4,431,774, and Japanese Patent Application Publication No. 64-18143. And a compound which is photodegraded to generate sulfonic acid, such as iminosulfonate described in each publication such as Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 2-245756 and Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-365048.

(2) 일본 특허공개 소 61-166544호 공보 등에 기재된 디술폰 화합물.(2) The disulfone compound described in Japanese Patent Application Laid-open No. 61-166544.

(3) V. N. R. Pillai, Synthesis, (1), 1(1980); A. Abad et al, Tetrahedron Lett., (47) 4555(1971); D. H. R. Barton et al., J. Chem. Soc., (C), 329(1970); 미국 특허 제 3 ,779,778호; 및 유럽 특허 제 126,712호 등에 기재된 광에 의해 산을 발생하는 화합물.(3) V. N. R. Pillai, Synthesis, (1), 1 (1980); A. Abad et al, Tetrahedron Lett., (47) 4555 (1971); D. H. R. Barton et al., J. Chem. Soc., (C), 329 (1970); US Patent No. 3,779,778; And compounds which generate acids by light described in European Patent No. 126,712 and the like.

반복단위(B)는 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산 음이온으로 변환되는 구조 부위를 구비하고 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 일반식(B1)~(B3)에 있어서의 A는 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산 음이온으로 변환되는 구조 부위인 것이 바람직하다.It is preferable that the repeating unit (B) has a structural site which is converted into an acid anion by irradiation with actinic light or radiation. For example, it is preferable that A in the said general formula (B1)-(B3) is a structural site converted into an acid anion by irradiation of actinic light or a radiation.

즉, 반복단위(B)는 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 수지의 측쇄에 산 음이온이 발생하는 구조인 것이 보다 바람직하다. 이러한 구조를 채용하면, 발생한 산 음이온의 확산이 억제되어 해상도 및 러프니스 특성 등을 더욱 향상시키는 것이 가능해진다.That is, the repeating unit (B) is more preferably a structure in which acid anions are generated in the side chain of the resin by irradiation with actinic light or radiation. By adopting such a structure, diffusion of generated acid anions can be suppressed, and the resolution, roughness characteristics and the like can be further improved.

일반식(B1)에 있어서의 부위 -X1-A, 일반식(B2)에 있어서의 부위 -X2-A, 및 일반식(B3)에 있어서의 부위 -X3-A의 각각은 하기 일반식(L1), (L2) 및 (L3) 중 어느 하나로 표시되는 것이 바람직하다.Each region -X 3 -A in the formula (B1) site -X 1 -A, formula (B2) site -X 2 -A, and the general formula (B3) in the in the following general It is preferable that it is represented by any one of formula (L1), (L2), and (L3).

-X11-L11-X12-Ar1-X13-L12-Z1(L1)-X 11 -L 11 -X 12 -Ar 1 -X 13 -L 12 -Z 1 (L1)

-Ar2-X21-L21-X22-L22-Z2(L2)-Ar 2 -X 21 -L 21 -X 22 -L 22 -Z 2 (L2)

-X31-L31-X32-L32-Z3(L3)-X 31 -L 31 -X 32 -L 32 -Z 3 (L3)

우선, 일반식(L1)으로 표시되는 부위에 대해서 설명한다.First, the site | part represented by general formula (L1) is demonstrated.

X11은 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기 또는 이들을 조합시킨 기를 나타낸다.X 11 represents —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, or a combination thereof.

R의 알킬기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 또한, R의 알킬기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 알킬기는 탄소수가 20개 이하인 것이 바람직하고, 탄소수가 8개 이하인 것이 보다 바람직하고, 탄소수가 3개 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기 및 도데실기를 들 수 있다. R로서는 수소원자, 메틸기 또는 에틸기가 특히 바람직하다.The alkyl group of R may be linear or branched. In addition, the alkyl group of R may further have a substituent. The alkyl group preferably has 20 or less carbon atoms, more preferably 8 or less carbon atoms, and even more preferably 3 or less carbon atoms. As such an alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group, and dodecyl group are mentioned, for example. As R, a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group is particularly preferable.

또한, 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기란 적어도 1개의 질소원자를 갖는 바람직하게는 3~8원의 비방향족 복소환기를 의미한다.In addition, a bivalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group means preferably a 3-8 membered non-aromatic heterocyclic group which has at least 1 nitrogen atom.

X11은 -O-, -CO-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기) 또는 이들을 조합시킨 기인 것이 보다 바람직하고, -COO- 또는 -CONR-(R은 수소원자 또는 알킬기)인 것이 특히 바람직하다.X 11 is more preferably -O-, -CO-, -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group) or a combination thereof, particularly preferably -COO- or -CONR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group). desirable.

L11은 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기 또는 이들 중 2개 이상을 조합시킨 기를 나타낸다. 상기 조합시킨 기에 있어서, 조합되는 2개 이상의 기는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다. 또한, 이들 기는 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 2가의 방향환기 또는 이들을 조합시킨 기를 통해서 연결되어 있어도 좋다.L 11 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group or a group in which two or more thereof are combined. In the above combined group, two or more groups to be combined may be the same as or different from each other. In addition, these groups include -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, a divalent aromatic ring group or a combination thereof. It may be connected via a flag.

L11의 알킬렌기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 이 알킬렌기로서는 탄소수가 1~8개인 것이 바람직하고, 탄소수가 1~6개인 것이 보다 바람직하고, 탄소수가 1~4개인 것이 더욱 바람직하다.The alkylene group of L 11 may be linear or branched. The alkylene group preferably has 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and even more preferably 1 to 4 carbon atoms.

L11의 알케닐렌기로서는, 예를 들면 상기 알킬렌기의 임의의 위치에 이중 결합을 구비한 기를 들 수 있다.As an alkenylene group of L <11>, the group provided with the double bond in arbitrary positions of the said alkylene group is mentioned, for example.

L11로서의 2가의 지방족 탄화수소환기는 단환형이어도 좋고, 다환형이어도 좋다. 이 2가의 지방족 탄화수소환기로서는 탄소수가 5~12개인 것이 바람직하고, 탄소수가 6~10개인 것이 보다 바람직하다.The divalent aliphatic hydrocarbon ring group as L 11 may be monocyclic or polycyclic. The divalent aliphatic hydrocarbon ring group preferably has 5 to 12 carbon atoms, and more preferably 6 to 10 carbon atoms.

연결기로서의 2가의 방향환기는 아릴렌기이어도 좋고, 헤테로아릴렌기이어도 좋다. 이 방향환기는 탄소수가 6~14개인 것이 바람직하다. 이 방향환기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.The divalent aromatic ring group as the linking group may be an arylene group or a heteroarylene group. It is preferable that this aromatic ring group has 6-14 carbon atoms. This aromatic ring group may further have a substituent.

또한, 연결기로서의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기는, 예를 들면 상술한 X11에 있어서의 각각과 같다.In addition, non-aromatic heterocyclic group containing 2 -NR- and bivalent linking group is nitrogen as, for example, as each of the above-described X 11.

L11로서는 알킬렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기 또는 -OCO-, -O- 또는 -CONH-FMF 통해서 알킬렌기와 2가의 지방족 탄화수소환기를 조합시킨 기(예를 들면, -알킬렌기-O-알킬렌기-, -알킬렌기-OCO-알킬렌기- 또는 -2가의 지방족 탄화수소환기-O-알킬렌기-, -알킬렌기-CONH-알킬렌기-)가 특히 바람직하다.L 11 is an alkylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group or a group in which an alkylene group and a divalent aliphatic hydrocarbon ring group are combined via -OCO-, -O- or -CONH-FMF (for example, -alkylene group-O-alkylene group). -, -Alkylene group-OCO-alkylene group- or -divalent aliphatic hydrocarbon ring group-O-alkylene group-, -alkylene group-CONH-alkylene group-) are particularly preferable.

X12 및 X13에 있어서의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는 상술한 X11에 있어서의 각각과 같은 구체예를 들 수 있고, 바람직한 예도 같다.Specific examples of -NR- and a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group for X 12 and X 13 include the same specific examples as in X 11 described above, and preferred examples thereof are also the same.

X12로서는 단일결합, -S-, -O-, -CO-, -SO2- 또는 이들을 조합시킨 기가 보다 바람직하고, 단일결합, -S-, -OCO- 또는 -OSO2-가 특히 바람직하다.As X 12, a single bond, -S-, -O-, -CO-, -SO 2 -or a combination thereof is more preferable, and a single bond, -S-, -OCO- or -OSO 2 -is particularly preferable. .

X13으로서는 -O-, -CO-, -SO2- 또는 이들을 조합시킨 기가 보다 바람직하고, -OSO2-가 특히 바람직하다.Examples of X 13 -O-, -CO-, -SO 2 - group or a combination thereof and more preferably, -OSO 2 - is particularly preferred.

Ar1은 2가의 방향환기를 나타낸다. 2가의 방향환기는 아릴렌기이어도 좋고, 헤테로아릴렌기이어도 좋다. 이 2가의 방향환기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 알킬기, 알콕시기 및 아릴기를 들 수 있다.Ar 1 represents a divalent aromatic ring. The divalent aromatic ring group may be an arylene group or a heteroarylene group. This divalent aromatic ring group may further have a substituent. As this substituent, an alkyl group, an alkoxy group, and an aryl group are mentioned, for example.

Ar1로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6~18개의 아릴렌기 또는 탄소수 6~18개의 아릴렌기와 탄소수 1~4개의 알킬렌을 조합시킨 아랄킬렌기가 보다 바람직하고, 페닐렌기, 나프틸렌기, 비페닐렌기 또는 페닐기로 치환된 페닐렌기가 특히 바람직하다.As Ar 1, an aralkylene group having a C 6-18 arylene group which may have a substituent or a C 6-18 arylene group and a C 1-4 alkylene is more preferable, and a phenylene group, a naphthylene group, or a biphenyl Particular preference is given to phenylene groups substituted with ylene groups or phenyl groups.

L12는 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기 또는 이들 중 2개 이상을 조합시킨 기를 나타내고, 이들 기는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자, 불화 알킬기, 니트로기, 및 시아노기에서 선택되는 치환기로 치환되어 있다. 상기 조합시킨 기에 있어서, 조합되는 2개 이상의 기는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다. 또한, 이들 기는 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 2가의 방향환기 또는 이들을 조합시킨 기를 통해서 연결되어 있어도 좋다.L 12 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more thereof, and some or all of the hydrogen atoms of the group are a fluorine atom, an fluorinated alkyl group, a nitro group, And a substituent selected from a cyano group. In the above combined group, two or more groups to be combined may be the same as or different from each other. In addition, these groups include -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, a divalent aromatic ring group or a combination thereof. It may be connected via a flag.

L12로서는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자 또는 불화 알킬기(보다 바람직하게는 퍼플루오로알킬기)로 치환된 알킬렌기, 2가의 방향환기 또는 이들을 조합시킨 기가 보다 바람직하고, 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자로 치환된 알킬렌기 또는 2가의 방향환기가 특히 바람직하다. L12로서는 수소원자수의 30~100%가 불소원자로 치환된 알킬렌기 또는 2가의 방향환기가 특히 바람직하다.As L 12 , an alkylene group in which part or all of hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms or fluorinated alkyl groups (more preferably perfluoroalkyl groups), divalent aromatic ring groups, or a combination thereof is more preferable, and part or all of hydrogen atoms is more preferable. The alkylene group or bivalent aromatic ring group substituted with the fluorine atom is especially preferable. As L 12, an alkylene group or a divalent aromatic ring group in which 30 to 100% of the number of hydrogen atoms is substituted with a fluorine atom is particularly preferable.

L12의 알킬렌기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 이 알킬렌기는 탄소수가 1~6개인 것이 바람직하고, 탄소수가 1~4개인 것이 보다 바람직하다.The alkylene group of L 12 may be linear or branched. The alkylene group preferably has 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms.

L12의 알케닐렌기로서는, 예를 들면 상기 알킬렌기의 임의의 위치에 이중 결합을 구비한 기를 들 수 있다.As an alkenylene group of L <12>, the group provided with the double bond in arbitrary positions of the said alkylene group is mentioned, for example.

L12의 2가의 지방족 탄화수소환기는 단환형이어도 좋고, 다환형이어도 좋다. 이 2가의 지방족 탄화수소환기로서는 탄소수가 3~17개인 것이 바람직하다.The divalent aliphatic hydrocarbon ring group of L 12 may be monocyclic or polycyclic. As this bivalent aliphatic hydrocarbon ring group, a C3-C17 thing is preferable.

L12의 2가의 방향환기로서는, 예를 들면 먼저 L11에 있어서의 연결기로서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.As a bivalent aromatic ring group of L <12> , the same thing as what was demonstrated previously as a coupling group in L <11> is mentioned, for example.

또한, L12에 있어서의 연결기의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는 상술한 X11에 있어서의 각각과 같은 구체예를 들 수 있고, 바람직한 예도 같다.Moreover, the same specific example as each in X <11> mentioned above is mentioned as -NR- and bivalent nitrogen containing non-aromatic heterocyclic group of the coupling group in L <12> , A preferable example is also the same.

Z1은 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 술폰산기가 되는 부위를 나타내고, 구체적으로는, 예를 들면 상기 식(ZI)으로 표시되는 구조를 들 수 있다.Z <1> shows the site | part which becomes a sulfonic acid group by irradiation of actinic light or a radiation, Specifically, the structure represented by said formula (ZI) is mentioned, for example.

다음에, 일반식(L2)으로 표시되는 부위에 대해서 설명한다.Next, the site | part represented by general formula (L2) is demonstrated.

Ar2는 2가의 방향환기를 나타낸다. 2가의 방향환기는 아릴렌기이어도 좋고, 헤테로아릴렌기이어도 좋다. 이들 2가의 방향환기는 탄소수가 6~18개인 것이 바람직하다. 이들 2가의 방향환기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.Ar 2 represents a bivalent aromatic ring. The divalent aromatic ring group may be an arylene group or a heteroarylene group. It is preferable that these divalent aromatic ring groups have 6-18 carbon atoms. These divalent aromatic ring groups may further have a substituent.

X21은 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기 또는 이들을 조합시킨 기를 나타낸다. X 21 represents —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, or a combination thereof.

X21에 있어서의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는, 예를 들면 먼저 X11에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.Examples of the -NR- and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group for X 21 include the same ones as those described above for X 11 .

X21로서는 -O-, -S-, -CO-, -SO2- 또는 이들을 조합시킨 기가 보다 바람직하고, -O-, -OCO- 또는 -OSO2-가 특히 바람직하다.X 21 as -O-, -S-, -CO-, -SO 2 - or a combination thereof, and more preferred groups, -O-, -OCO- or -OSO 2 - is particularly preferred.

X22는 단일결합, -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기 또는 이들을 조합시킨 기를 나타낸다. X22에 있어서의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는, 예를 들면 먼저 X11에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.X 22 represents a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, or a combination thereof. Examples of the -NR- and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group for X 22 include the same ones as those described above for X 11 .

X22로서는 -O-, -S-, -CO-, -SO2- 또는 이들을 조합시킨 기가 보다 바람직하고, -O-, -OCO- 또는 -OSO2-가 특히 바람직하다.X 22 as -O-, -S-, -CO-, -SO 2 - or a combination thereof, and more preferred groups, -O-, -OCO- or -OSO 2 - is particularly preferred.

L21은 단일결합, 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기 또는 이들 중 2개 이상을 조합시킨 기를 나타낸다. 상기 조합시킨 기에 있어서, 조합되는 2개 이상의 기는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다. 또한, 이들 기는 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 2가의 방향환기 또는 이들을 조합시킨 기를 통해서 연결되어 있어도 좋다.L 21 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the above combined group, two or more groups to be combined may be the same as or different from each other. In addition, these groups include -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, a divalent aromatic ring group or a combination thereof. It may be connected via a flag.

L21의 알킬렌기, 알케닐렌기, 및 2가의 지방족 탄화수소환기로서는, 예를 들면 먼저 L11에 있어서의 각각에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.Examples of the alkylene group, the alkenylene group, and the divalent aliphatic hydrocarbon ring group of L 21 include the same ones as those described above for each of L 11 .

L21의 2가의 방향환기는 아릴렌기이어도 좋고, 헤테로아릴렌기이어도 좋다. 이 2가의 방향환기는 탄소수가 6~14개인 것이 바람직하다.The divalent aromatic ring group of L 21 may be an arylene group or a heteroarylene group. It is preferable that this bivalent aromatic ring group has 6-14 carbon atoms.

L21에 있어서의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는, 예를 들면 먼저 X11에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.Examples of the -NR- and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group for L 21 include the same ones as those described above for X 11 .

L21로서는 단일결합, 알킬렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기, 이들 중 2개 이상을 조합시킨 기(예를 들면, -알킬렌기-2가의 방향환기- 또는 -2가의 지방족 탄화수소환기-알킬렌기-) 또는 -OCO-, -COO-, -O- 및 -S- 등의 연결기를 통해서 이들 중 2개 이상을 조합시킨 기(예를 들면, -알킬렌기-OCO-2가의 방향환기-, -알킬렌기-S-2가의 방향환기- 또는 -알킬렌기-O-알킬렌기-2가의 방향환기-)가 특히 바람직하다.L 21 is a single bond, an alkylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more of them (for example, an -alkylene group-divalent aromatic ring group- or -divalent aliphatic hydrocarbon ring group). -Alkylene group-) or a group in which two or more of these are combined via a linking group such as -OCO-, -COO-, -O- and -S- (for example, an aromatic ring group of -alkylene group-OCO-2) -, -Alkylene group-S-2valent aromatic ring group- or -alkylene group-O-alkylene group-2valent aromatic ring group-) is particularly preferred.

L22는 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기 또는 이들 중 2개 이상을 조합시킨 기를 나타내고, 이들 기는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자, 불화 알킬기, 니트로기, 및 시아노기에서 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 좋다. 상기 조합시킨 기에 있어서, 조합되는 2개 이상의 기는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다. 또한, 이들 기는 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 2가의 방향환기 또는 이들을 조합시킨 기를 통해서 연결되어 있어도 좋다.L 22 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more thereof, and some or all of the hydrogen atoms of the group are a fluorine atom, an fluorinated alkyl group, a nitro group, And a substituent selected from a cyano group. In the above combined group, two or more groups to be combined may be the same as or different from each other. In addition, these groups include -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, a divalent aromatic ring group or a combination thereof. It may be connected via a flag.

L22로서는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자 또는 불화 알킬기(보다 바람직하게는 퍼플루오로알킬기)로 치환된 알킬렌기, 2가의 방향환기 또는 이들을 조합시킨 기가 보다 바람직하고, 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자로 치환된 알킬렌기 또는 2가의 방향환기가 특히 바람직하다.As L 22 , an alkylene group in which part or all of hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group), a divalent aromatic ring group, or a combination thereof is more preferable, and part or all of the hydrogen atoms are more preferable. The alkylene group or bivalent aromatic ring group substituted with the fluorine atom is especially preferable.

L22으로 표시되는 알킬렌기, 알케닐렌기, 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기, 및 이들 중 2개 이상을 조합시킨 기의 구체예로서는 일반식(VI)에 있어서 L12로서 먼저 예시한 구체예와 같은 기를 들 수 있다.Specific examples of the alkylene group represented by L 22 , the alkenylene group, the aliphatic hydrocarbon ring group, the divalent aromatic ring group, and the group in which two or more of them are combined include the specific examples exemplified earlier as L 12 in General Formula (VI). The same group can be mentioned.

또한, L22에 있어서의 연결기의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는 상술한 X11에 있어서의 각각과 같은 구체예를 들 수 있고, 바람직한 예도 같다.Moreover, the same specific example as each in X <11> mentioned above is mentioned as -NR- and bivalent nitrogen containing non-aromatic heterocyclic group of the coupling group in L <22> , and a preferable example is also the same.

Z2는 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 술폰산기가 되는 부위를 나타낸다. Z2의 구체예로서는 먼저 Z1에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.Z <2> represents the site which becomes a sulfonic acid group by irradiation of actinic light or a radiation. Specific examples of Z 2 include the same as those described above for Z 1 .

이어서, 일반식(L3)으로 표시되는 부위에 대해서 설명한다.Next, the site | part represented by general formula (L3) is demonstrated.

X31 및 X32는 각각 독립적으로 단일결합, -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기 또는 이들을 조합시킨 기를 나타낸다.X 31 and X 32 are each independently a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, or The group which combined these is shown.

X31 및 X32의 각각에 있어서의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는, 예를 들면 먼저 X11에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.Examples of the -NR- and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic groups in each of X 31 and X 32 include the same ones as those described above for X 11 .

X31로서는 단일결합, -O-, -CO-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기) 또는 이들을 조합시킨 기가 보다 바람직하고, 단일결합, -COO- 또는 -CONR-(R은 수소원자 또는 알킬기)가 특히 바람직하다.As X 31, a single bond, -O-, -CO-, -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group) or a group combining them is more preferable, and a single bond, -COO- or -CONR- (R is a hydrogen atom or Alkyl groups) are particularly preferred.

X32로서는 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기 또는 이들을 조합시킨 기가 보다 바람직하고, -O-, -OCO- 또는 -OSO2-가 특히 바람직하다.As X 32, -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group or a combination thereof are more preferable, and -O-, -OCO- or -OSO 2- Particularly preferred.

L31은 단일결합, 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기 또는 이들 중 2개 이상을 조합시킨 기를 나타낸다. 상기 조합시킨 기에 있어서, 조합되는 2개 이상의 기는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다. 또한, 이들 기는 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 2가의 방향환기 또는 이들을 조합시킨 기를 통해서 연결되어 있어도 좋다.L 31 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the above combined group, two or more groups to be combined may be the same as or different from each other. In addition, these groups include -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, a divalent aromatic ring group or a combination thereof. It may be connected via a flag.

L31의 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 및 2가의 방향환기로서는, 예를 들면 먼저 L21에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.Examples of the alkylene group, the alkenylene group, the divalent aliphatic hydrocarbon ring group, and the divalent aromatic ring group for L 31 include, for example, the same as those described above for L 21 .

또한, L31에 있어서의 연결기의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는 상술한 X11에 있어서의 각각과 같은 구체예를 들 수 있고, 바람직한 예도 같다.Moreover, the same specific example as each in X <11> mentioned above is mentioned as -NR- and bivalent nitrogen containing non-aromatic heterocyclic group of the coupling group in L <31> , and a preferable example is also the same.

L32는 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기 또는 이들 중 2개 이상을 조합시킨 기를 나타낸다. 상기 조합시킨 기에 있어서, 조합되는 2개 이상의 기는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다. 또한, 이들 기는 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 2가의 방향환기 또는 이들을 조합시킨 기를 통해서 연결되어 있어도 좋다.L 32 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the above combined group, two or more groups to be combined may be the same as or different from each other. In addition, these groups include -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, a divalent aromatic ring group or a combination thereof. It may be connected via a flag.

L32의 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기 또는 이들 중 2개 이상을 조합시킨 기는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자, 불화 알킬기, 니트로기, 및 시아노기에서 선택되는 치환기로 치환되어 있는 것이 바람직하다.L 32 in the alkylene group, an alkenylene group, a bivalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent direction group or some or all of the fluorine atom, a fluorinated alkyl group is a hydrogen atom which is a combination of two or more of them, a nitro group in, and cyano It is preferable to substitute by the substituent selected.

L32로서는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자 또는 불화 알킬기(보다 바람직하게는 퍼플루오로알킬기)로 치환된 알킬렌기, 2가의 방향환기 또는 이들을 조합시킨 기가 보다 바람직하고, 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자로 치환된 알킬렌기 또는 2가의 방향환기가 특히 바람직하다.As L 32 , an alkylene group in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group), a divalent aromatic ring group, or a combination thereof is more preferable, and part or all of the hydrogen atoms are more preferable. The alkylene group or bivalent aromatic ring group substituted with the fluorine atom is especially preferable.

L32의 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기, 및 이들 중 2개 이상을 조합시킨 기로서는, 예를 들면 먼저 L12에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다. L32에 있어서의 연결기의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는 상술한 X11에 있어서의 각각과 같은 구체예를 들 수 있고, 바람직한 예도 같다.Examples of the alkylene group, alkenylene group, divalent aliphatic hydrocarbon ring group, divalent aromatic ring group, and a combination of two or more of them, for example, L 32 include those similar to those described earlier for L 12 . Examples of the -NR- and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic groups of the linking group in L 32 include the same specific examples as in X 11 described above, and preferred examples thereof are also the same.

또한, X3이 단일결합이고 또한 L31이 방향환기일 경우에 있어서, R32가 L31의 방향환기와 환을 형성할 경우, R32로 표시되는 알킬렌기는 탄소수가 1~8개인 것이 바람직하고, 탄소수가 1~4개인 것이 보다 바람직하고, 탄소수가 1~2개인 것이 더욱 바람직하다.Further, X 3 is a single bond Further, in the case of L 31 is the direction of ventilation, R if 32 is formed in the direction of ventilation and exchange of L 31, the alkylene group is preferably a carbon number of 1-8 individuals represented by R 32 And it is more preferable that it is C1-C4, and it is still more preferable that it is C1-C2.

Z3은 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 이미드산기 또는 메티드산기가 되는 오늄염을 나타낸다. Z3으로 표시되는 오늄염으로서는 술포늄염 또는 요오드늄염이 바람직하고, 하기 일반식(ZIII) 또는 (ZIV)으로 표시되는 구조가 바람직하다.Z <3> represents the onium salt which turns into an imide acid group or a methic acid group by irradiation of actinic light or a radiation. As an onium salt represented by Z <3> , a sulfonium salt or an iodonium salt is preferable, and the structure represented by the following general formula (ZIII) or (ZIV) is preferable.

Figure 112010056796558-pat00015
Figure 112010056796558-pat00015

일반식(ZIII) 및 (ZIV) 중, Z1, Z2, Z3, Z4, Z5는 각각 독립적으로 -CO- 또는 -SO2-를 나타내고, 보다 바람직하게는 -SO2-이다.In General Formulas (ZIII) and (ZIV), Z 1 , Z 2 , Z 3 , Z 4 and Z 5 each independently represent -CO- or -SO 2- , and more preferably -SO 2- .

Rz1, Rz2 및 Rz3은 각각 독립적으로 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다. 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자 또는 플루오로알킬기(보다 바람직하게는 퍼플루오로알킬기)로 치환된 형태가 보다 바람직하다.Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 each independently represent an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group or an aralkyl group. More preferably, some or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms or fluoroalkyl groups (more preferably perfluoroalkyl groups).

Rz1, Rz2 및 Rz3의 알킬기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 이 알킬기는 탄소수가 1~8개인 것이 바람직하고, 탄소수가 1~6개인 것이 보다 바람직하고, 탄소수가 1~4개인 것이 더욱 바람직하다.The alkyl group of Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 may be linear or branched. The alkyl group preferably has 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably 1 to 4 carbon atoms.

Rz1, Rz2 및 Rz3의 1가의 지방족 탄화수소환기는 탄소수가 3~10개인 것이 바람직하고, 탄소수가 3~6개인 것이 보다 바람직하다.The monovalent aliphatic hydrocarbon ring group of Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 6 carbon atoms.

Rz1, Rz2 및 Rz3의 아릴기는 탄소수가 6~18개인 것이 바람직하고, 탄소수가 6~10개인 아릴기인 것이 보다 바람직하다. 이 아릴기로서는 페닐기가 특히 바람직하다.The aryl groups of Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 preferably have 6 to 18 carbon atoms, and more preferably 6 to 10 carbon atoms. As this aryl group, a phenyl group is especially preferable.

Rz1, Rz2 및 Rz3의 아랄킬기의 바람직한 예로서는 탄소수 1~8개의 알킬렌기와 상기 아릴기가 결합한 것을 들 수 있다. 탄소수 1~6개의 알킬렌기와 상기 아릴기가 결합해서 이루어진 아랄킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1~4개의 알킬렌기와 상기 아릴기가 결합해서 이루어진 아랄킬기가 특히 바람직하다.Rz 1, Rz 2 Rz 3 and preferred examples of the aralkyl group may be mentioned the combined group having 1 to 8 alkylene group wherein the aryl group. The aralkyl group which the C1-C6 alkylene group and the said aryl group couple | bonded is more preferable, The aralkyl group which the C1-C4 alkylene group and the said aryl group couple | bonded is especially preferable.

A+는 술포늄 양이온 또는 요오드늄 양이온을 나타낸다. A+의 바람직한 예로서는 일반식(ZI)에 있어서의 술포늄 양이온 또는 일반식(ZII)에 있어서의 요오드늄 양이온 구조를 들 수 있다.A + represents a sulfonium cation or an iodonium cation. As a preferable example of A <+>, the sulfonium cation in general formula (ZI) or the iodonium cation structure in general formula (ZII) is mentioned.

이하에 반복단위(B)의 구체예를 들지만, 본 발명의 범위는 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the specific example of a repeating unit (B) is given to the following, the scope of the present invention is not limited to these.

Figure 112010056796558-pat00016
Figure 112010056796558-pat00016

상기 수지는 하기 일반식(A1)으로 표시되는 반복단위 및 하기 일반식(A2)으로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나를 더 포함하고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the said resin further contains at least one of the repeating unit represented by the following general formula (A1), and the repeating unit represented by the following general formula (A2).

Figure 112010056796558-pat00017
Figure 112010056796558-pat00017

일반식(A1) 중, m은 0~4의 정수를 나타낸다. n은 m+n≤5가 되는 관계를 만족하는 1~5의 정수를 나타낸다. S1은 치환기(수소원자는 제외함)를 나타내고, m≥2일 경우에는 복수의 상기 S1은 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다. A1은 수소원자 또는 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타내고, n≥2일 경우에는 복수의 상기 A1은 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.M shows the integer of 0-4 in general formula (A1). n represents the integer of 1-5 which satisfy | fills the relationship which becomes m + n <= 5. S 1 represents a substituent (excluding hydrogen atoms), and in the case of m ≧ 2, a plurality of S 1 may be the same as or different from each other. A 1 represents a group which is released by the action of a hydrogen atom or an acid, and when n ≧ 2, a plurality of the A 1 's may be the same as or different from each other.

일반식(A2) 중, X는 수소원자, 알킬기, 히드록실기, 알콕시기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 시클로알킬기, 시클로알킬옥시기, 아릴기, 카르복실기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기 또는 아랄킬기를 나타낸다. A2는 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타낸다.In general formula (A2), X is a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkyloxy group, an aryl group, a carboxyl group, An alkyloxycarbonyl group, an alkylcarbonyloxy group, or an aralkyl group is shown. A 2 represents a group leaving by the action of an acid.

우선, 일반식(A1)으로 표시되는 반복단위에 대해서 설명한다.First, the repeating unit represented by general formula (A1) is demonstrated.

m은 상술한 바와 같이 0~4의 정수이다. m은 바람직하게는 0~2이며, 보다 바람직하게는 0 또는 1이며, 특히 바람직하게는 0이다. m is an integer of 0-4 as mentioned above. m is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.

n은 상술한 바와 같이 m+n≤5가 되는 관계를 만족하는 1~5의 정수이다. n은 바람직하게는 1 또는 2이며, 특히 바람직하게는 1이다.n is an integer of 1-5 which satisfy | fills the relationship which m + n <= 5 as mentioned above. n is preferably 1 or 2, and particularly preferably 1.

S1은 상술한 바와 같이 치환기(수소원자는 제외함)를 나타낸다. 이 치환기로서는, 예를 들면 먼저 일반식(I)에 있어서의 S2에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.S 1 represents a substituent (excluding hydrogen atoms) as described above. As this substituent, the thing similar to what was previously demonstrated about S <2> in General formula (I) is mentioned, for example.

A1은 상술한 바와 같이 수소원자 또는 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타낸다. A1이 산의 작용에 의해 이탈하는 기일 경우, 일반식(A1)으로 표시되는 반복단위는 산분해성 기를 포함하는 반복단위이다. A1이 수소원자일 경우, 이 반복단위는 산분해성 기를 포함하지 않는 반복단위이다.A 1 represents a group released by the action of a hydrogen atom or an acid as described above. When A 1 is a group leaving by the action of an acid, the repeating unit represented by the general formula (A1) is a repeating unit containing an acid-decomposable group. When A 1 is a hydrogen atom, this repeating unit is a repeating unit containing no acid-decomposable group.

산의 작용에 의해 이탈하는 기로서는, 예를 들면 t-부틸기 및 t-아밀기 등의 3급 알킬기, t-부톡시카르보닐기, t-부톡시카르보닐메틸기, 및 식-C(L1)(L2)-O-Z2로 표시되는 아세탈기를 들 수 있다.Examples of the group leaving by the action of an acid include tertiary alkyl groups such as t-butyl group and t-amyl group, t-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonylmethyl group, and formula-C (L 1 ). (L 2) it may be an acetal represented by -OZ 2.

이하, 식 -C(L1)(L2)-O-Z2로 표시되는 아세탈기에 대해서 설명한다. 식 중, L1 및 L2는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아랄킬기를 나타낸다. Z2는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아랄킬기를 나타낸다. 또한, Z2와 L1은 서로 결합하여 5원 또는 6원환을 형성하고 있어도 좋다. Hereinafter, formula -C (L 1) (L 2 ) will be described acetal groups represented by -OZ 2. In the formulas, L 1 and L 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aralkyl group. Z 2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aralkyl group. In addition, Z 2 and L 1 may be bonded to each other to form a 5- or 6-membered ring.

알킬기는 직쇄 알킬기이어도 좋고, 분기쇄 알킬기이어도 좋다.The alkyl group may be a straight chain alkyl group or a branched chain alkyl group.

직쇄 알킬기로서는 탄소수가 1~30개인 것이 바람직하고, 탄소수가 1~20개인 것이 보다 바람직하다. 이러한 직쇄 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기 및 n-데카닐기를 들 수 있다.The linear alkyl group preferably has 1 to 30 carbon atoms, and more preferably 1 to 20 carbon atoms. As such a linear alkyl group, for example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-jade Tyl group, n-nonyl group, and n-decanyl group are mentioned.

분기쇄 알킬기로서는 탄소수가 3~30개인 것이 바람직하고, 탄소수가 3~20개인 것이 보다 바람직하다. 이러한 분기쇄 알킬기로서는, 예를 들면 i-프로필기, i-부틸기, t-부틸기, i-펜틸기, t-펜틸기, i-헥실기, t-헥실기, i-헵틸기, t-헵틸기, i-옥틸기, t-옥틸기, i-노닐기 및 t-데카노일기를 들 수 있다.The branched alkyl group preferably has 3 to 30 carbon atoms, and more preferably 3 to 20 carbon atoms. As such a branched alkyl group, for example, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, i-hexyl group, t-hexyl group, i-heptyl group, t -Heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group and t-decanoyl group.

이들 알킬기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 히드록실기; 불소, 염소, 브롬 및 요오드원자 등의 할로겐원자; 니트로기; 시아노기; 아미드기; 술폰아미드기; 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기 및 도데실기 등의 알킬기; 메톡시기, 에톡시기, 히드록시에톡시기, 프로폭시기, 히드록시프로폭시기 및 부톡시기 등의 알콕시기; 메톡시카르보닐기 및 에톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기; 포르밀기, 아세틸기 및 벤조일기 등의 아실기; 아세톡시기 및 부틸옥시기 등의 아실옥시기, 및 카르복실기를 들 수 있다.These alkyl groups may further have a substituent. As this substituent, it is a hydroxyl group, for example; Halogen atoms such as fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms; A nitro group; Cyano; Amide group; Sulfonamide groups; Alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group and dodecyl group; Alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group and butoxy group; Alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; Acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group; Acyloxy groups, such as an acetoxy group and a butyloxy group, and a carboxyl group are mentioned.

알킬기로서는 에틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, 시클로헥실에틸기, 페닐메틸기 또는 페닐에틸기가 특히 바람직하다.As the alkyl group, an ethyl group, isopropyl group, isobutyl group, cyclohexylethyl group, phenylmethyl group or phenylethyl group is particularly preferable.

시클로알킬기는 단환형이어도 좋고, 다환형이어도 좋다. 후자의 경우, 시클로알킬기는 가교식이어도 좋다. 즉, 이 경우, 시클로알킬기는 가교 구조를 갖고 있어도 좋다. 또한, 시클로알킬기 중의 탄소원자의 일부는 산소원자 등의 헤테로원자에 의해 치환되어 있어도 좋다.The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. In the latter case, the cycloalkyl group may be crosslinked. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a crosslinked structure. In addition, a part of carbon atoms in a cycloalkyl group may be substituted by hetero atoms, such as an oxygen atom.

단환형의 시클로알킬기로서는 탄소수 3~8개의 것이 바람직하다. 이러한 시클로알킬기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로부틸기 및 시클로옥틸기를 들 수 있다. As monocyclic cycloalkyl group, a C3-C8 thing is preferable. As such a cycloalkyl group, a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group are mentioned, for example.

다환형의 시클로알킬기로서는, 예를 들면 비시클로, 트리시클로 또는 테트라 시클로 구조를 갖는 기를 들 수 있다. 다환형의 시클로알킬기로서는 탄소수가 6~20개인 것이 바람직하다. 이러한 시클로알킬기로서는, 예를 들면 아다만틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기, 캄파닐기, 디시클로펜틸기, α-피넬기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로도데실기 및 안드로스타닐기를 들 수 있다.As a polycyclic cycloalkyl group, group which has a bicyclo, tricyclo, or tetracyclo structure is mentioned, for example. As a polycyclic cycloalkyl group, a C6-C20 thing is preferable. As such a cycloalkyl group, an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, campanyl group, dicyclopentyl group, (alpha)-pinenel group, tricyclo decanyl group, tetracyclo dodecyl group, and androstanyl group is mentioned, for example. .

시클로알킬기의 구체예로서는, 예를 들면 먼저 일반식(I)에 있어서의 Ra에 대해서 열거한 것과 같은 것을 들 수 있다. 이들 시클로알킬기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 먼저 알킬기가 가질 수 있는 치환기로서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다. 시클로알킬기로서는 시클로헥실기가 특히 바람직하다.As a specific example of a cycloalkyl group, the same thing as what was listed about R <a> in General formula (I) is mentioned, for example first. These cycloalkyl groups may further have a substituent. As this substituent, the same thing as what was demonstrated as a substituent which an alkyl group may have, for example is mentioned first. As a cycloalkyl group, a cyclohexyl group is especially preferable.

L1, L2 및 Z2에 있어서의 아랄킬기로서는, 예를 들면 벤질기 및 페네틸기 등의 탄소수가 7~15개인 것을 들 수 있다.As an aralkyl group in L <1> , L <2> and Z <2> , the thing of 7-15 carbon atoms, such as a benzyl group and a phenethyl group, is mentioned, for example.

이들 아랄킬기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는 바람직하게는 알콕시기, 히드록실기, 할로겐원자, 니트로기, 아실기, 아실아미노기, 술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기 및 아랄킬티오기를 들 수 있다. 치환기를 갖는 아랄킬기로서는, 예를 들면 알콕시벤질기, 히드록시벤질기 및 페닐티오페네틸기를 들 수 있다. 또한, 이들 아랄킬기가 가질 수 있는 치환기의 탄소수는 바람직하게는 12개 이하이다.These aralkyl groups may further have a substituent. As this substituent, Preferably, an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, and an aralkylthio group are mentioned. As an aralkyl group which has a substituent, an alkoxybenzyl group, a hydroxybenzyl group, and a phenylthio phenethyl group are mentioned, for example. The carbon number of the substituent which these aralkyl groups may have is preferably 12 or less.

Z2와 L1이 서로 결합해서 형성할 수 있는 5원 또는 6원환으로서는, 예를 들면 테트라히드로피란환 및 테트라히드로푸란환을 들 수 있다. 이들 중, 테트라히드로피란환이 특히 바람직하다.As a 5- or 6-membered ring which Z <2> and L <1> couple | bond with each other and can form, a tetrahydropyran ring and a tetrahydrofuran ring are mentioned, for example. Among them, tetrahydropyran ring is particularly preferable.

Z2는 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 본 발명의 효과가 한층 현저해진다.Z 2 is preferably a linear or branched alkyl group. Thus, the effect of the present invention becomes more remarkable.

이하에, 일반식(A1)으로 표시되는 반복단위의 구체예를 들지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the specific example of the repeating unit represented by general formula (A1) is given below, it is not limited to these.

Figure 112010056796558-pat00018
Figure 112010056796558-pat00018

Figure 112010056796558-pat00019
Figure 112010056796558-pat00019

다음에, 일반식(A2)으로 표시되는 반복단위에 대해서 설명한다. 이 반복단위는 후술하는 바와 같이 산분해성 기를 갖고 있다.Next, the repeating unit represented by general formula (A2) is demonstrated. This repeating unit has an acid-decomposable group as described later.

X는 상술한 바와 같이 수소원자, 알킬기, 히드록실기, 알콕시기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 시클로알킬기, 시클로알킬옥시기, 아릴기, 카르복실기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기 또는 아랄킬기를 나타낸다. 이들 기 또는 원자로서는, 예를 들면 먼저 일반식(I)에 있어서의 Ra에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.X is a hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxyl group, alkyloxycarbonyl group as described above. , An alkylcarbonyloxy group or an aralkyl group. As these groups or atoms, the same thing as what was previously demonstrated about R <a> in General formula (I) is mentioned, for example.

A2는 상술한 바와 같이 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타낸다. 즉, (A2)로 표시되는 반복단위는 산분해성 기로서 「-COOA2」로 표시되는 기를 갖고 있다. A2로서는, 예를 들면 먼저 일반식(I)에 있어서의 A3에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.A 2 represents a group leaving by the action of an acid as described above. That is, the repeating unit represented by (A2) has a group represented by "-COOA 2 " as an acid-decomposable group. As A <2> , the same thing as what was previously demonstrated about A <3> in general formula (I) is mentioned, for example.

이하에, 일반식(A2)으로 표시되는 반복단위에 대응한 모노머의 구체예를 들지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the specific example of the monomer corresponding to the repeating unit represented by general formula (A2) is given to the following, it is not limited to these.

Figure 112010056796558-pat00020
Figure 112010056796558-pat00020

Figure 112010056796558-pat00021
Figure 112010056796558-pat00021

Figure 112010056796558-pat00022
Figure 112010056796558-pat00022

이하에, 일반식(A2)으로 표시되는 반복단위의 구조의 구체예를 들지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the specific example of the structure of the repeating unit represented by general formula (A2) is given below, it is not limited to these.

Figure 112010056796558-pat00023
Figure 112010056796558-pat00023

일반식(A2)으로 표시되는 반복단위는 t-부틸메타크릴레이트 또는 에틸시클로펜틸메타크릴레이트의 반복단위인 것이 바람직하다. 또한, 일반식(A2)으로 표시되는 반복단위는 하기 일반식(A2')으로 표시되는 반복단위인 것도 바람직하다.It is preferable that the repeating unit represented by general formula (A2) is a repeating unit of t-butyl methacrylate or ethylcyclopentyl methacrylate. Moreover, it is also preferable that the repeating unit represented by general formula (A2) is a repeating unit represented with the following general formula (A2 ').

Figure 112010056796558-pat00024
Figure 112010056796558-pat00024

일반식(A2') 중, AR은 페닐기, 나프틸기 또는 안트릴기를 나타낸다. Rn은 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. A는 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알킬옥시카르보닐기를 나타낸다. 또한, AR과 Rn은 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 좋다.In general formula (A2 '), AR represents a phenyl group, a naphthyl group, or an anthryl group. Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group. A represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group. AR and Rn may be bonded to each other to form a ring.

AR은 상술한 바와 같이 페닐기, 나프틸기 또는 안트릴기이다. AR이 나프틸기 또는 안트릴기일 경우, Rn이 결합하고 있는 탄소원자와 AR의 결합 위치에는 특별히 제한은 없다. 예를 들면, AR이 나프틸기일 경우, 이 탄소원자는 나프틸기의 α위치에 결합하고 있어도 좋고, β위치에 결합하고 있어도 좋다. 또는, AR이 안트릴기일 경우, 이 탄소원자는 안트릴기의 1위치에 결합하고 있어도 좋고, 2위치에 결합하고 있어도 좋고, 9위치에 결합하고 있어도 좋다.AR is a phenyl group, a naphthyl group, or an anthryl group as mentioned above. When AR is a naphthyl group or anthryl group, there is no restriction | limiting in particular in the bonding position of AR and the carbon atom which Rn couple | bonds. For example, when AR is a naphthyl group, this carbon atom may be couple | bonded with the (alpha) position of a naphthyl group, and may be couple | bonded with the (beta) position. Alternatively, when AR is an anthryl group, this carbon atom may be bonded to one position of the anthryl group, may be bonded to two positions, or may be bonded to nine positions.

AR로서의 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기는 각각 1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 좋다.The phenyl group, naphthyl group, and anthryl group as AR may each have one or more substituents.

이 치환기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 옥틸기 및 도데실기 등의 탄소수가 1~20개인 직쇄 또는 분기쇄 알킬기, 이들 알킬기 부분을 포함하는 알콕시기, 시클로펜틸기 및 시클로헥실기 등의 시클로알킬기, 이들 시클로알킬기 부분을 포함하는 시클로알콕시기, 히드록실기, 할로겐원자, 아릴기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 아실아미노기, 술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 아랄킬티오기, 티오펜카르보닐옥시기, 티오펜메틸카르보닐옥시기, 및 피롤리돈 잔기 등의 헤테로환 잔기를 들 수 있다. 이 치환기로서는 조성물의 해상력의 관점에서 탄소수 1~5개의 직쇄 또는 분기쇄 알킬기 또는 이들 알킬기 부분을 포함하는 알콕시기가 바람직하다.As this substituent, C1-C20, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, and dodecyl group, is mentioned, for example. Individual linear or branched alkyl groups, cycloalkyl groups such as alkoxy groups including these alkyl group moieties, cyclopentyl groups and cyclohexyl groups, cycloalkoxy groups containing these cycloalkyl group moieties, hydroxyl groups, halogen atoms, aryl groups, and cyan No group, nitro group, acyl group, acyloxy group, acylamino group, sulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group, thiophencarbonyloxy group, thiophenemethylcarbonyloxy group, and pyrrolidone Heterocyclic residues, such as a residue, are mentioned. As this substituent, the C1-C5 linear or branched alkyl group or the alkoxy group containing these alkyl-group parts from a viewpoint of the resolution of a composition is preferable.

AR은 바람직하게는 페닐기, 파라 메틸페닐기 또는 파라 메톡시페닐기이다.AR is preferably a phenyl group, para methylphenyl group or para methoxyphenyl group.

Rn은 상술한 바와 같이 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group as described above.

Rn의 알킬기는 직쇄 알킬기이어도 좋고, 분기쇄 알킬기이어도 좋다. 이 알킬기로서는 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기 및 도데실기 등의 탄소수가 1~20개인 것을 들 수 있다.The alkyl group of Rn may be a straight chain alkyl group or a branched chain alkyl group. As this alkyl group, Preferably carbon number, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, octyl group, and dodecyl group, One to 20 things can be mentioned.

Rn의 시클로알킬기로서는, 예를 들면 시클로펜틸기 및 시클로헥실기 등의 탄소수가 3~15개인 것을 들 수 있다.As a cycloalkyl group of Rn, a C3-C15 thing, such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, is mentioned, for example.

Rn의 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 크실릴기, 톨루일기, 쿠메닐기, 나프틸기 및 안트릴기 등의 탄소수가 6~14개인 것이 바람직하다.As an aryl group of Rn, C6-C14 is preferable, for example, a phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, and anthryl group.

이들 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기의 각각은 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 알콕시기, 히드록실기, 할로겐원자, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 아실아미노기, 술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 아랄킬티오기, 티오펜카르보닐옥시기, 티오펜메틸카르보닐옥시기, 및 피롤리돈 잔기 등의 헤테로환 잔기를 들 수 있다. 그 중에서도, 알콕시기, 히드록실기, 할로겐원자, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 아실아미노기 및 술포닐아미노기가 특히 바람직하다.Each of these alkyl groups, cycloalkyl groups, and aryl groups may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkoxy group, hydroxyl group, halogen atom, nitro group, acyl group, acyloxy group, acylamino group, sulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group and thiophencarbo Heterocyclic residues, such as a silyloxy group, a thiophenmethylcarbonyloxy group, and a pyrrolidone residue, are mentioned. Especially, an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, and a sulfonylamino group are especially preferable.

A는 상술한 바와 같이 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알킬옥시카르보닐기를 나타낸다.A represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group as described above.

A의 알킬기 및 시클로알킬기로서는, 예를 들면 먼저 Rn에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다. 이들 알킬기 및 시클로알킬기의 각각은 치환기를 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 먼저 Rn에 대해서 설명한 것과 같은 것을 들 수 있다.As an alkyl group and a cycloalkyl group of A, the same thing as what was demonstrated previously about Rn is mentioned, for example. Each of these alkyl groups and cycloalkyl groups may have a substituent. As this substituent, the same thing as what was demonstrated previously about Rn is mentioned, for example.

A가 치환기를 갖는 알킬기 또는 시클로알킬기일 경우, 특히 바람직한 A로서, 예를 들면 CF3기, 알킬옥시카르보닐메틸기, 알킬카르보닐옥시메틸기, 히드록시메틸기 및 알콕시메틸기를 들 수 있다.When A is an alkyl group or a cycloalkyl group having a substituent, particularly preferred A include CF 3 group, alkyloxycarbonylmethyl group, alkylcarbonyloxymethyl group, hydroxymethyl group and alkoxymethyl group.

A의 할로겐원자로서는 불소원자, 염소원자, 브롬원자 및 요오드원자를 들 수 있다. 그 중에서도, 불소원자가 특히 바람직하다.Examples of the halogen atom of A include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms. Especially, a fluorine atom is especially preferable.

A의 알킬옥시카르보닐기에 포함되는 알킬기 부분으로서는, 예를 들면 먼저 A의 알킬기로서 열거한 구성을 채용할 수 있다.As the alkyl group moiety included in the alkyloxycarbonyl group of A, for example, a structure enumerated as an alkyl group of A can be adopted.

일반식(A2')으로 표시되는 반복단위의 구체예를 이하에 나타내지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the specific example of the repeating unit represented by general formula (A2 ') is shown below, it is not limited to these.

Figure 112010056796558-pat00025
Figure 112010056796558-pat00025

Figure 112010056796558-pat00026
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Figure 112010056796558-pat00027
Figure 112010056796558-pat00027

상기 수지는 반복단위(A) 및 (B) 이외에, 하기 일반식(A4)으로 표시되는 반복단위를 더 포함하고 있는 것이 바람직하다. 이러한 구성을 채용하면, 예를 들면, 막질을 더욱 향상시키는 것 및 미노광부의 막감소를 더욱 억제하는 것이 가능해진다.It is preferable that the said resin further contains the repeating unit represented by following General formula (A4) other than a repeating unit (A) and (B). By adopting such a configuration, for example, it becomes possible to further improve the film quality and further suppress the film reduction of the unexposed part.

Figure 112010056796558-pat00028
Figure 112010056796558-pat00028

일반식(A4) 중, R2는 수소원자, 메틸기, 시아노기, 할로겐원자 또는 탄소수 1~4개의 퍼플루오로기를 나타낸다. R3은 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐원자, 아릴기, 알콕시기 또는 아실기를 나타낸다. q는 0~4의 정수를 나타낸다. W는 산의 작용에 의해 분해되지 않는 기(이하, 산안정기라고도 함)를 나타낸다.In general formula (A4), R <2> represents a hydrogen atom, a methyl group, a cyano group, a halogen atom, or a C1-C4 perfluoro group. R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, an aryl group, an alkoxy group or an acyl group. q represents the integer of 0-4. W represents a group which will not be decomposed by the action of an acid (hereinafter also referred to as an acid stabilizer).

W의 산안정기로서는, 예를 들면 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아실기, 알킬아미드기, 알킬카르보닐옥시기, 알킬옥시기, 시클로알킬옥시기, 아릴옥시기, 아릴아미드메틸기 및 아릴아미드기를 들 수 있다. W는 바람직하게는 아실기, 알킬아미드기, 알킬카르보닐옥시기, 알킬옥시기, 시클로알킬옥시기 또는 아릴옥시기이며, 보다 바람직하게는 아실기, 알킬카르보닐옥시기, 알킬옥시기, 시클로알킬옥시기 또는 아릴옥시기이다.As the acid stabilizer of W, for example, a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an acyl group, an alkylamide group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxy group, a cycloalkyloxy group, an aryl jade A time period, an arylamide methyl group, and an arylamide group are mentioned. W is preferably an acyl group, an alkylamide group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxy group, a cycloalkyloxy group or an aryloxy group, and more preferably an acyl group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxy group or a cyclo Alkyloxy group or aryloxy group.

W의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, sec-부틸기 및 t-부틸기 등의 탄소수가 1~4개인 것이 바람직하다.The alkyl group of W is preferably one having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group and t-butyl group.

W의 시클로알킬기로서는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로헥실기 및 아다만틸기 등의 탄소수가 3~10개인 것이 바람직하다.As a cycloalkyl group of W, a C3-C10 thing, such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclohexyl group, and an adamantyl group, is preferable.

W의 알케닐기로서는 비닐기, 프로페닐기, 알릴기 및 부테닐기 등의 탄소수가 2~4개인 것이 바람직하다.As the alkenyl group of W, one having 2 to 4 carbon atoms such as a vinyl group, a propenyl group, an allyl group, and a butenyl group is preferable.

W의 아릴기로서는 페닐기, 크실릴기, 톨루일기, 쿠메닐기, 나프틸기 및 안트릴기 등의 탄소수가 6~14개인 것이 바람직하다.As the aryl group of W, those having 6 to 14 carbon atoms, such as a phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group and anthryl group, are preferable.

W는 일반식(A4)에 나타낸 바와 같이 스티렌 골격 중의 벤젠환에 포함되는 임의의 수소원자를 치환할 수 있다. W의 치환 위치는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 메타 위치 또는 파라 위치이며, 특히 바람직하게는 파라 위치이다.W can substitute arbitrary hydrogen atoms contained in the benzene ring in a styrene skeleton as shown to general formula (A4). The substitution position of W is not particularly limited, but is preferably a meta position or a para position, particularly preferably a para position.

이하에, 일반식(A4)으로 표시되는 반복단위의 구체예를 들지만, 이들에 한정하는 것이 아니다.Although the specific example of the repeating unit represented by general formula (A4) is given below, it is not limited to these.

Figure 112010056796558-pat00029
Figure 112010056796558-pat00029

상기 수지는 반복단위(A) 및 (B) 이외에, 산의 작용에 의해 분해되지 않는 (메타)아크릴산 유도체로 이루어진 반복단위를 더 포함하고 있어도 좋다. 이하에 그 구체예를 들지만, 이들에 한정하는 것이 아니다.In addition to the repeating units (A) and (B), the resin may further include a repeating unit made of a (meth) acrylic acid derivative that is not decomposed by the action of an acid. Although the specific example is given to the following, it is not limited to these.

Figure 112010056796558-pat00030
Figure 112010056796558-pat00030

상기 수지는 반복단위(A) 및 (B) 이외에, 식-C(=O)-X1-R0으로 표시되는 산분해성 기를 구비한 반복단위를 더 포함하고 있어도 좋다. 여기에서, X1은 산소원자, 황원자, -NH-, -NHSO2- 또는 -NHSO2NH-를 나타낸다. R0은 산의 작용에 의해 이탈하는 기이며, 예를 들면, t-부틸기 및 t-아밀기 등의 3급 알킬기, 이소보르닐기, 1-에톡시에틸기, 1-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기 및 1-시클로헥실옥시에틸기 등의 1-알콕시에틸기, 1-메톡시메틸기 및 1-에톡시메틸기 등의 알콕시메틸기, 3-옥소알킬기, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로푸라닐기, 트리알킬실릴에스테르기, 3-옥소시클로헥실에스테르기, 2-메틸-2-아다만틸기, 및 메발로닉 락톤 잔기를 들 수 있다.The resin may further include a repeating unit having an acid-decomposable group represented by the formula -C (= 0) -X 1 -R 0 in addition to the repeating units (A) and (B). Here, X 1 represents an oxygen atom, a sulfur atom, -NH-, -NHSO 2 -or -NHSO 2 NH-. R 0 is a group leaving by the action of an acid, for example, tertiary alkyl groups such as t-butyl group and t-amyl group, isobornyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-butoxyethyl group, 1- Alkoxymethyl groups, such as 1-alkoxyethyl groups, 1-methoxymethyl group, and 1-ethoxymethyl group, 3-oxoalkyl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group, trialkyl, such as isobutoxyethyl group and 1-cyclohexyloxyethyl group And silyl ester groups, 3-oxocyclohexyl ester groups, 2-methyl-2-adamantyl groups, and mevalonic lactone residues.

또한, 상기 수지는 알칼리 현상액에 대한 양호한 현상성을 유지하기 위해서, 페놀성 히드록실기 및 카르복실기 등의 알칼리 가용성기를 구비한 다른 반복단위를 더 포함하고 있어도 좋다. 또한, 막질을 더욱 향상시키기 위해서, 알킬아크릴레이트 및 알킬메타크릴레이트 등의 모노머로부터 얻어지는 소수성 반복단위를 더 포함하고 있어도 좋다.Moreover, in order to maintain favorable developability with respect to alkaline developing solution, the said resin may further contain the other repeating unit provided with alkali-soluble groups, such as a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group. Moreover, in order to further improve film quality, you may further include the hydrophobic repeating unit obtained from monomers, such as an alkyl acrylate and an alkyl methacrylate.

상기 수지에 차지하는 산분해성 기를 포함하는 반복단위의 함유율은 전 반복단위를 기준으로 하여 5~95몰%로 하는 것이 바람직하고, 10~60몰%로 하는 것이 보다 바람직하고, 15~50몰%로 하는 것이 특히 바람직하다.The content of the repeating unit containing an acid-decomposable group in the resin is preferably 5 to 95 mol%, more preferably 10 to 60 mol%, more preferably 15 to 50 mol% based on all repeating units. It is particularly preferable to.

상기 수지에 차지하는 반복단위(A)의 함유율은 전 반복단위를 기준으로 하여 1~70몰%로 하는 것이 바람직하고, 1~50몰%로 하는 것이 보다 바람직하고, 1~30몰%로 하는 것이 특히 바람직하다.The content of the repeating unit (A) in the resin is preferably 1 to 70 mol%, more preferably 1 to 50 mol%, more preferably 1 to 30 mol%, based on all repeating units. Particularly preferred.

상기 수지에 차지하는 반복단위(B)의 함유율은 전 반복단위를 기준으로 하여 0.1~80몰%로 하는 것이 바람직하고, 0.5~60몰%로 하는 것이 보다 바람직하고, 1~40몰%로 하는 것이 특히 바람직하다.The content of the repeating unit (B) in the resin is preferably 0.1 to 80 mol%, more preferably 0.5 to 60 mol%, more preferably 1 to 40 mol%, based on all repeating units. Particularly preferred.

상기 수지가 일반식(A1)으로 표시되는 반복단위를 포함하고 있을 경우, 그 함유율은 전 반복단위를 기준으로 하여 20~90몰%로 하는 것이 바람직하고, 30~80몰%로 하는 것이 보다 바람직하고, 40~70몰%로 하는 것이 특히 바람직하다.When the said resin contains the repeating unit represented by general formula (A1), it is preferable to set it as 20-90 mol%, and, as for the content rate, based on all repeating units, it is more preferable to set it as 30-80 mol%. And it is especially preferable to set it as 40-70 mol%.

상기 수지가 일반식(A2)으로 표시되는 반복단위를 포함하고 있을 경우, 그 함유율은 전 반복단위를 기준으로 하여 1~90몰%로 하는 것이 바람직하고, 5~75몰%로 하는 것이 보다 바람직하고, 10~60몰%로 하는 것이 특히 바람직하다.When the said resin contains the repeating unit represented by general formula (A2), it is preferable to make the content rate into 1-90 mol% based on all the repeating units, and it is more preferable to set it as 5-75 mol%. And it is especially preferable to set it as 10-60 mol%.

상기 수지가 일반식(A4)으로 표시되는 반복단위를 포함하고 있을 경우, 그 함유율은 전 반복단위를 기준으로 하여 1~50몰%로 하는 것이 바람직하고, 1~40몰%로 하는 것이 보다 바람직하고, 1~30몰%로 하는 것이 특히 바람직하다.When the said resin contains the repeating unit represented by general formula (A4), it is preferable to set it as 1-50 mol% with respect to all the repeating units, and it is more preferable to set it as 1-40 mol%. It is especially preferable to set it as 1-30 mol%.

상기 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 1000~200000의 범위 내에 있는 것이 바람직하고, 1000~100000의 범위 내에 있는 것이 보다 바람직하고, 1000~50000의 범위내에 있는 것이 더욱 바람직하고, 1000~25000의 범위 내에 있는 것이 특히 바람직하다. 이 중량 평균 분자량을 과도하게 크게 하면, 수지의 알칼리에 대한 용해 속도 및 조성물의 감도가 저하되는 경우가 있다.It is preferable that the weight average molecular weight (Mw) of the said resin exists in the range of 1000-200000, It is more preferable to exist in the range of 1000-100000, It is still more preferable to exist in the range of 1000-50000, The range of 1000-25000 It is particularly preferable to be in. When this weight average molecular weight is enlarged excessively, the dissolution rate with respect to alkali of resin and the sensitivity of a composition may fall.

상기 수지의 분산도(Mw/Mn)는 1.0~3.0인 것이 바람직하고, 1.0~2.5인 것이 보다 바람직하고, 1.0~2.0인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that the dispersion degree (Mw / Mn) of the said resin is 1.0-3.0, It is more preferable that it is 1.0-2.5, It is still more preferable that it is 1.0-2.0.

분산도가 높은 수지는, 예를 들면 이하와 같이 해서 합성할 수 있다. 즉, 아조계 중합 개시제를 사용해서 라디칼 중합을 행함으로써, 예를 들면 분산도 1.2~2.0의 수지를 합성할 수 있다. 또한, 리빙라디칼 중합법을 사용함으로써, 예를 들면 분산도 1.0~1.5의 수지를 합성할 수 있다.Resin with high dispersibility can be synthesized as follows, for example. That is, by radical polymerization using an azo polymerization initiator, resin of dispersion degree 1.2-2.0 can be synthesized, for example. Moreover, resin of dispersion degree 1.0-1.5 can be synthesize | combined by using a living radical polymerization method, for example.

상기 수지는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 이들 수지의 합계량은 조성물의 전 고형분을 기준으로 하여 통상 10~99질량%이며, 바람직하게는 20~99질량%이며, 특히 바람직하게는 30~99질량%이다.The said resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. The total amount of these resins is 10-99 mass% normally on the basis of the total solid of a composition, Preferably it is 20-99 mass%, Especially preferably, it is 30-99 mass%.

이하에, 제 1 실시형태에 의한 수지의 구체예를 나타내지만, 이들에 한정하는 것이 아니다.Although the specific example of resin which concerns on 1st Embodiment is shown below, it is not limited to these.

Figure 112010056796558-pat00031
Figure 112010056796558-pat00031

Figure 112010056796558-pat00032
Figure 112010056796558-pat00032

이하에, 제 1 또는 제 2 실시형태에 의한 수지의 구체예를 나타내지만, 이들에 한정하는 것이 아니다.Although the specific example of resin which concerns on 1st or 2nd embodiment is shown below, it is not limited to these.

Figure 112010056796558-pat00033
Figure 112010056796558-pat00033

Figure 112010056796558-pat00034
Figure 112010056796558-pat00034

Figure 112010056796558-pat00035
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Figure 112010056796558-pat00036
Figure 112010056796558-pat00036

[2] 광산발생제[2] photoacid generators

본 발명에 의한 조성물은 상술한 바와 같이 광산발생제를 포함하고 있어도 좋다.The composition according to the present invention may contain a photoacid generator as described above.

광산발생제로서는, 예를 들면 광 양이온 중합의 광개시제, 광라디칼 중합의 광개시제, 광소색제, 광변색제, 마이크로레지스트 등에 사용되고 있는 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 공지의 화합물, 및 그들의 혼합물을 적당하게 선택해서 사용할 수 있다. 이들의 예로서는 술포늄염 및 요오드늄염 등의 오늄염, 및 비스(알킬술포닐디아조메탄) 등의 디아조디술폰 화합물을 들 수 있다.As the photoacid generator, for example, a known compound which generates an acid by irradiation with actinic rays or radiation used in a photoinitiator of photocationic polymerization, a photoinitiator of photoradical polymerization, a photochromic agent, a photochromic agent, a microresist, and the like, and those Mixtures may be selected as appropriate. Examples thereof include an onium salt such as a sulfonium salt and an iodonium salt, and a diazodisulfone compound such as bis (alkylsulfonyldiazomethane).

광산발생제의 바람직한 예로서는 하기 일반식(ZI), (ZII) 및 (ZIII)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.As a preferable example of a photoacid generator, the compound represented by the following general formula (ZI), (ZII), and (ZIII) is mentioned.

Figure 112010056796558-pat00037
Figure 112010056796558-pat00037

상기 일반식(ZI)에 있어서, R201, R202 및 R203은 각각 독립적으로 유기기를 나타낸다. R201, R202 및 R203으로서의 유기기의 탄소수는, 예를 들면 1~30개이며, 바람직하게는 1~20개이다.In the general formula (ZI), R 201 , R 202 and R 203 each independently represent an organic group. Carbon number of the organic group as R <201> , R <202> and R <203> is 1-30 pieces, for example, Preferably it is 1-20 pieces.

R201~R203 중 2개는 단일결합 또는 연결기를 통해서 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 좋다. 이 경우의 연결기로서는, 예를 들면 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 카르보닐기, 메틸렌기 및 에틸렌기를 들 수 있다. R201~R203 중 2개가 결합해서 형성하는 기로서는, 예를 들면 부틸렌기 및 펜틸렌기 등의 알킬렌기를 들 수 있다.Two of R 201 to R 203 may be bonded to each other through a single bond or a linking group to form a ring structure. As a coupling group in this case, an ether bond, a thioether bond, an ester bond, an amide bond, a carbonyl group, a methylene group, and an ethylene group are mentioned, for example. Examples of the group formed by bonding of two of R 201 to R 203 include alkylene groups such as a butylene group and a pentylene group.

R201, R202 및 R203의 구체예로서는 후술하는 화합물(ZI-1), (ZI-2) 또는 (ZI-3)에 있어서의 대응하는 기를 들 수 있다.As a specific example of R <201> , R <202> and R <203> , the corresponding group in compound (ZI-1), (ZI-2), or (ZI-3) mentioned later is mentioned.

X-은 비구핵성 음이온을 나타낸다. X-로서는, 예를 들면 술폰산 음이온, 비스(알킬술포닐)아미드 음이온, 트리스(알킬술포닐)메티드 음이온, BF4 -, PF6 - 및 SbF6 -을 들 수 있다. X-은 바람직하게는 탄소원자를 포함하는 유기 음이온이다. 바람직한 유기 음이온으로서는, 예를 들면 하기 AN1~AN3으로 표시되는 유기 음이온을 들 수 있다.X - represents an acetylenic anion. Examples of X include sulfonic acid anions, bis (alkylsulfonyl) amide anions, tris (alkylsulfonyl) methed anions, BF 4 , PF 6 −, and SbF 6 . X is preferably an organic anion containing a carbon atom. As a preferable organic anion, the organic anion represented by following AN1-AN3 is mentioned, for example.

Figure 112010056796558-pat00038
Figure 112010056796558-pat00038

식 AN1~AN3 중, Rc1~Rc3은 각각 독립적으로 유기기를 나타낸다. 이 유기기로서는, 예를 들면 탄소수 1~30개의 것을 들 수 있고, 바람직하게는 알킬기, 아릴기, 또는 이들 중 복수가 연결기를 통해서 연결된 기이다. 또한, 이 연결기로서는, 예를 들면 단일결합, -O-, -CO2-, -S-, -SO3- 및 -SO2N(Rd1)-을 들 수 있다. 여기에서, Rd1은 수소원자 또는 알킬기를 나타내고, 결합하고 있는 알킬기 또는 아릴기와 환 구조를 형성해도 좋다.Expression of the AN3 AN1 ~, 1 ~ Rc Rc 3 represents an organic group independently. As this organic group, a C1-C30 thing is mentioned, for example, Preferably it is an alkyl group, an aryl group, or group in which several of these were connected via the coupling group. Furthermore, the linking group as, for example, a single bond, -O-, -CO 2 - there may be mentioned -, -S-, -SO 3 - and -SO 2 N (Rd 1). Here, Rd 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, an alkyl group or an aryl group and may form a ring structure bonded.

Rc1~Rc3의 유기기는 1위치가 불소원자 또는 플루오로알킬기로 치환된 알킬기, 또는 불소원자 또는 플루오로알킬기로 치환된 페닐기이어도 좋다. 불소원자 또는 플루오로알킬기를 함유시킴으로써 광조사에 의해 발생하는 산의 산성도를 상승시키는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 감도를 향상시킬 수 있다. 또한, Rc1~Rc3은 다른 알킬기 및 아릴기 등과 결합하여 환을 형성하고 있어도 좋다.The organic group of Rc 1 to Rc 3 may be an alkyl group substituted in one position with a fluorine atom or a fluoroalkyl group, or a phenyl group substituted with a fluorine atom or a fluoroalkyl group. By containing a fluorine atom or a fluoroalkyl group, it becomes possible to raise the acidity of the acid generated by light irradiation. Thus, the sensitivity of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition can be improved. Rc 1 to Rc 3 may be bonded to another alkyl group, aryl group, or the like to form a ring.

또한, 바람직한 X-로서 하기 일반식(SA1) 또는 (SA2)으로 표시되는 술폰산 음이온을 들 수 있다.Moreover, the sulfonic acid anion represented by following General formula (SA1) or (SA2) is mentioned as preferable X <-> .

Figure 112010056796558-pat00039
Figure 112010056796558-pat00039

식(SA1) 중,In the formula (SA1)

Ar1은 아릴기를 나타내고, -(D-B)기 이외의 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.Ar 1 represents an aryl group and may further have a substituent other than the-(DB) group.

n은 1 이상의 정수를 나타낸다. n은 바람직하게는 1~4이며, 보다 바람직하게는 2~3개이며, 가장 바람직하게는 3이다. n represents an integer of 1 or more. n becomes like this. Preferably it is 1-4, More preferably, it is 2-3, Most preferably, it is 3.

D는 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 이 2가의 연결기는 에테르기, 티오에테르기, 카르보닐기, 술폭시드기, 술폰기, 술폰산 에스테르기 또는 에스테르기이다.D represents a single bond or a divalent linking group. The divalent linking group is an ether group, a thioether group, a carbonyl group, a sulfoxide group, a sulfone group, a sulfonate ester group or an ester group.

B는 탄화수소기를 나타낸다.B represents a hydrocarbon group.

Figure 112010056796558-pat00040
Figure 112010056796558-pat00040

식(SA2) 중,In the formula (SA2)

Xf는 각각 독립적으로 불소원자, 또는 적어도 1개의 수소원자가 불소원자로 치환된 알킬기를 나타낸다.Xf each independently represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.

R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 불소원자, 알킬기, 및 적어도 1개의 수소원자가 불소원자로 치환된 알킬기에서 선택되는 기를 나타내고, 복수 존재할 경우의 R1 및 R2의 각각은 서로 같아도 좋고, 서로 달라도 좋다.R 1 and R 2 each independently represent a group selected from a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, and an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and in the case where a plurality of R 1 and R 2 are present, each of R 1 and R 2 may be the same as each other, May be different.

L은 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, 복수 존재할 경우의 L은 서로 같아도 좋고, 서로 달라도 좋다.L represents a single bond or a divalent linking group, and when there are a plurality of L's, they may be the same as or different from each other.

E는 환상 구조를 갖는 기를 나타낸다.E represents a group having a cyclic structure.

x는 1~20의 정수를 나타내고, y는 0~10의 정수를 나타내고, z는 0~10의 정수를 나타낸다.x represents the integer of 1-20, y represents the integer of 0-10, z represents the integer of 0-10.

우선, 식(SA1)으로 표시되는 술폰산 음이온에 대해서 상세하게 설명한다.First, the sulfonic acid anion represented by formula (SA1) will be described in detail.

식(SA1) 중, Ar1은 바람직하게는 탄소수 6~30개의 방향족환이다. 구체적으로는 Ar1은, 예를 들면 벤젠환, 나프탈렌환, 펜탈렌환, 인덴환, 아줄렌환, 헵탈렌환, 인데센환, 페릴렌환, 펜타센환, 아세나프탈렌환, 페난트렌환, 안트라센환, 나프타센환, 크리센환, 트리페닐렌환, 플루오렌환, 비페닐환, 피롤환, 푸란환, 티오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 티아졸환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 인돌리딘환, 인돌환, 벤조푸란환, 벤조티오펜환, 이소벤조푸란환, 퀴놀리딘환, 퀴놀린환, 프탈라진환, 나프틸리딘환, 퀴녹살린환, 퀴녹사졸린환, 이소퀴놀린환, 카르바졸환, 페난트리딘환, 아크리딘환, 페난트롤린환, 티안트렌환, 크로멘환, 크산텐환, 페녹사티인환, 페노티아진환 또는 페나진환이다. 그 중에서도, 러프니스 개량과 고감도화의 양립의 관점에서 벤젠환, 나프탈렌환 또는 안트라센환이 바람직하고, 벤젠환이 보다 바람직하다. In formula (SA1), Ar 1 is preferably an aromatic ring having 6 to 30 carbon atoms. Specifically, Ar 1 is, for example, a benzene ring, a naphthalene ring, a pentalene ring, an indene ring, an azulene ring, a heptylene ring, an indencene ring, a perylene ring, a pentacene ring, an acenaphthalene ring, a phenanthrene ring, an anthracene ring, a naphthacene ring , Chrysene ring, triphenylene ring, fluorene ring, biphenyl ring, pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, Indolidine ring, indole ring, benzofuran ring, benzothiophene ring, isobenzofuran ring, quinolidine ring, quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring, quinoxazoline ring, isoquinoline ring It is a basel ring, a phenanthridine ring, an acridine ring, a phenanthroline ring, a thianthrene ring, a chromen ring, a xanthene ring, a phenoxatiin ring, a phenothiazine ring, or a phenazine ring. Especially, a benzene ring, a naphthalene ring, or an anthracene ring is preferable from a viewpoint of both roughness improvement and high sensitivity, and a benzene ring is more preferable.

Ar1이 -(D-B)기 이외의 치환기를 더 갖고 있을 경우, 이 치환기로서는, 예를 들면 이하의 것을 들 수 있다. 즉, 이 치환기로서 불소원자, 염소원자, 브롬원자 및 요오드원자 등의 할로겐원자; 메톡시기, 에톡시기 및 tert-부톡시기 등의 알콕시기; 페녹시기 및 p-톨릴옥시기 등의 아릴옥시기; 메틸티옥시기, 에틸티옥시기 및 tert-부틸티옥시기 등의 알킬티옥시기; 페닐티옥시기 및 p-톨릴티옥시기 등의 아릴티옥시기; 메톡시카르보닐기, 부톡시카르보닐기 및 페녹시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기; 아세톡시기; 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 헵틸기, 헥실기, 도데실기 및 2-에틸헥실기 등의 직쇄 알킬기; 분기 알킬기; 비닐기, 프로페닐기 및 헥세닐기 등의 알케닐기; 아세틸렌기; 프로피닐기 및 헥시닐기 등의 알키닐기; 페닐기 및 톨릴기 등의 아릴기; 히드록실기; 카르복실기; 및 술폰산기를 들 수 있다. 그 중에서도, 러프니스 개량의 관점에서, 직쇄 알킬기 및 분기 알킬기가 바람직하다.Ar 1 is - if they have further a substituent other than (DB) group, as a substituent, for example, include the following. That is, as this substituent, Halogen atoms, such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom; Alkoxy groups such as methoxy, ethoxy and tert-butoxy groups; An aryloxy group such as a phenoxy group and a p-tolyloxy group; An alkyloxy group such as a methylthio group, an ethylthio group and a tert-butylthio group; Arylthioxy groups such as phenylthio group and p-tolylthioxy group; Alkoxycarbonyl groups such as a methoxycarbonyl group, a butoxycarbonyl group and a phenoxycarbonyl group; An acetoxy group; Straight chain alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, heptyl group, hexyl group, dodecyl group and 2-ethylhexyl group; Branched alkyl groups; Alkenyl groups such as a vinyl group, a propenyl group and a hexenyl group; An acetylene group; Alkynyl groups such as propynyl and hexynyl; An aryl group such as a phenyl group and a tolyl group; A hydroxyl group; A carboxyl group; And sulfonic acid groups. Especially, a linear alkyl group and a branched alkyl group are preferable from a viewpoint of roughness improvement.

식(SA1) 중, D는 바람직하게는 단일결합이거나 또는 에테르기 또는 에스테르기이다. 보다 바람직하게는 D는 단일결합이다.In formula (SA1), D is preferably a single bond or an ether group or an ester group. More preferably, D is a single bond.

식(SA1) 중, B는, 예를 들면 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기 또는 시클로알킬기이다. B는 바람직하게는 알킬기 또는 시클로알킬기이다. B로서의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기 또는 시클로알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. In formula (SA1), B is an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a cycloalkyl group, for example. B is preferably an alkyl group or a cycloalkyl group. The alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group or cycloalkyl group as B may have a substituent.

B로서의 알킬기는 바람직하게는 분기 알킬기이다. 이 분기 알킬기로서는, 예를 들면 이소프로필기, tert-부틸기, tert-펜틸기, 네오펜틸기, sec-부틸기, 이소부틸기, 이소헥실기, 3,3-디메틸펜틸기 및 2-에틸헥실기를 들 수 있다.The alkyl group as B is preferably a branched alkyl group. As this branched alkyl group, for example, isopropyl group, tert-butyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, sec-butyl group, isobutyl group, isohexyl group, 3,3-dimethylpentyl group and 2-ethyl Hexyl group is mentioned.

B로서의 시클로알킬기는 단환의 시클로알킬기이어도 좋고, 다환의 시클로알킬기이어도 좋다. 단환의 시클로알킬기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 및 시클로옥틸기를 들 수 있다. 다환의 시클로알킬기로서는, 예를 들면 아다만틸기, 노르보르닐기, 보르닐기, 캄페닐기, 데카히드로나프틸기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로데카닐기, 캄포로일기, 디시클로헥실기 및 피네닐기를 들 수 있다.The cycloalkyl group as B may be a monocyclic cycloalkyl group or a polycyclic cycloalkyl group. As a monocyclic cycloalkyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group is mentioned, for example. Examples of the polycyclic cycloalkyl group include, for example, adamantyl, norbornyl, boryl, camphor, decahydronaphthyl, tricyclodecanyl, tetracyclodecanyl, camphoroyl, dicyclohexyl, and pineneyl groups. Can be mentioned.

B로서의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기 또는 시클로알킬기가 치환기를 갖고 있을 경우, 이 치환기로서는, 예를 들면 이하의 것을 들 수 있다. 즉, 이 치환기로서 불소원자, 염소원자, 브롬원자 및 요오드원자 등의 할로겐원자; 메톡시기, 에톡시기 및 tert-부톡시기 등의 알콕시기; 페녹시기 및 p-톨릴옥시기 등의 아릴옥시기; 메틸티옥시기, 에틸티옥시기 및 tert-부틸티옥시기 등의 알킬티옥시기; 페닐티옥시기 및 p-톨릴티옥시기 등의 아릴티옥시기; 메톡시카르보닐기, 부톡시카르보닐기 및 페녹시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기; 아세톡시기; 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 헵틸기, 헥실기, 도데실기 및 2-에틸헥실기 등의 직쇄 알킬기; 분기 알킬기; 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 비닐기, 프로페닐기 및 헥세닐기 등의 알케닐기; 아세틸렌기; 프로피닐기 및 헥시닐기 등의 알키닐기; 페닐기 및 톨릴기 등의 아릴기; 히드록실기; 카르복실기; 술폰산기; 및 카르보닐기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 러프니스 개량과 고감도화의 양립의 관점에서 직쇄 알킬기 및 분기 알킬기가 바람직하다.When the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group or cycloalkyl group as B has a substituent, the following are mentioned as this substituent, for example. That is, examples of the substituent include a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom; Alkoxy groups such as methoxy, ethoxy and tert-butoxy groups; Aryloxy groups such as phenoxy group and p-tolyloxy group; Alkyl thioxy groups such as methyl thioxy group, ethyl thioxy group and tert-butyl thioxy group; Aryl thioxy groups, such as a phenyl thioxy group and p-tolyl thioxy group; Alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group and phenoxycarbonyl group; Acetoxy group; Straight chain alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, heptyl group, hexyl group, dodecyl group and 2-ethylhexyl group; Branched alkyl groups; Cycloalkyl groups such as cyclohexyl group; Alkenyl groups such as vinyl group, propenyl group and hexenyl group; An acetylene group; Alkynyl groups such as propynyl and hexynyl; Aryl groups such as phenyl group and tolyl group; A hydroxyl group; A carboxyl group; Sulfonic acid groups; And a carbonyl group. Especially, a linear alkyl group and a branched alkyl group are preferable from a viewpoint of coexistence of roughness improvement and high sensitivity.

다음에, 식(SA2)으로 표시되는 술폰산 음이온에 대해서 상세하게 설명한다.Next, the sulfonic acid anion represented by formula (SA2) will be described in detail.

식(SA2) 중, Xf는 불소원자이거나 또는 적어도 1개의 수소원자가 불소원자로 치환된 알킬기이다. 이 알킬기로서는 탄소수가 1~10개인 것이 바람직하고, 탄소수가 1~4개인 것이 보다 바람직하다. 또한, 불소원자로 치환된 알킬기는 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하다.In formula (SA2), Xf is a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. The alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group substituted with a fluorine atom is preferably a perfluoroalkyl group.

Xf는 바람직하게는 불소원자 또는 탄소수 1~4개의 퍼플루오로알킬기이다. 구체적으로는 Xf는 바람직하게는 불소원자, CF3, C2F5, C3F7, C4F9, C5F11, C6F13, C7F15, C8F17, CH2CF3, CH2CH2CF3, CH2C2F5, CH2CH2C2F5, CH2C3F7, CH2CH2C3F7, CH2C4F9 또는 CH2CH2C4F9이다. 그 중에서도, 불소원자 또는 CF3이 바람직하고, 불소원자가 가장 바람직하다.Xf is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Specifically, Xf is preferably a fluorine atom, CF 3 , C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , C 5 F 11 , C 6 F 13 , C 7 F 15 , C 8 F 17 , CH 2 CF 3, CH 2 CH 2 CF 3, CH 2 C 2 F 5, CH 2 CH 2 C 2 F 5, CH 2 C 3 F 7, CH 2 CH 2 C 3 F 7, CH 2 C 4 F 9 , or CH 2 CH 2 C 4 F 9 . Among them, a fluorine atom or CF 3 is preferable, and a fluorine atom is most preferable.

식(SA2) 중, R1 및 R2의 각각은 수소원자, 불소원자, 알킬기, 및 적어도 1개의 수소원자가 불소원자로 치환된 알킬기에서 선택되는 기이다. 이 불소원자로 치환되어 있어도 좋은 알킬기로서는 탄소수 1~4개의 것이 바람직하다. 또한, 불소원자로 치환된 알킬기로서는 탄소수 1~4개의 퍼플루오로알킬기가 특히 바람직하다. 구체적으로는 CF3, C2F5, C3F7, C4F9, C5F11, C6F13, C7F15, C8F17, CH2CF3, CH2CH2CF3, CH2C2F5, CH2CH2C2F5, CH2C3F7, CH2CH2C3F7, CH2C4F9 또는 CH2CH2C4F9를 들 수 있고, 그 중에서도 CF3이 바람직하다.In formula (SA2), each of R 1 and R 2 is a group selected from a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, and an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. As an alkyl group which may be substituted by this fluorine atom, a C1-C4 thing is preferable. Moreover, as an alkyl group substituted by the fluorine atom, a C1-C4 perfluoroalkyl group is especially preferable. Specifically, CF 3 , C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , C 5 F 11 , C 6 F 13 , C 7 F 15 , C 8 F 17 , CH 2 CF 3 , CH 2 CH 2 CF 3 , CH 2 C 2 F 5 , CH 2 CH 2 C 2 F 5 , CH 2 C 3 F 7 , CH 2 CH 2 C 3 F 7 , CH 2 C 4 F 9 or CH 2 CH 2 C 4 F 9 And CF 3 is particularly preferable.

식(SA2) 중, x는 1~8이 바람직하고, 1~4가 보다 바람직하다. y는 0~4가 바람직하고, 0이 보다 바람직하다. z는 0~8이 바람직하고, 0~4가 보다 바람직하다.In formula (SA2), 1-8 are preferable and, as for x, 1-4 are more preferable. 0-4 are preferable and, as for y, 0 is more preferable. 0-8 are preferable and, as for z, 0-4 are more preferable.

식(SA2) 중, L은 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, 예를 들면 -COO-, -OCO-, -CO-, -O-, -S-, -SO-, -SO2-, 알킬렌기, 시클로알킬렌기 및 알케닐렌기를 들 수 있다. 그 중에서도, -COO-, -OCO-, -CO-, -O-, -S-, -SO- 또는 -SO2-가 바람직하고, -COO-, -OCO- 또는 -SO2-가 보다 바람직하다.In formula (SA2), L represents a single bond or a divalent linking group. As the divalent linking group, e.g., -COO-, -OCO-, -CO-, -O-, -S-, -SO-, -SO 2 - may be mentioned, an alkylene group, a cycloalkylene group and the alkenylene group . Among them, -COO-, -OCO-, -CO-, -O-, -S-, -SO- or -SO 2 - is preferable, -COO-, -OCO- or -SO 2 - is more preferable Do.

식(SA2) 중, E는 환 구조를 갖는 기를 나타낸다. E로서는, 예를 들면 환상 지방족기, 아릴기 및 복소환 구조를 갖는 기를 들 수 있다.In formula (SA2), E represents a group having a ring structure. As E, group which has a cyclic aliphatic group, an aryl group, and a heterocyclic structure is mentioned, for example.

E로서의 환상 지방족기는 단환 구조를 갖고 있어도 좋고, 다환 구조를 갖고 있어도 좋다. 단환 구조를 갖는 환상 지방족기로서는 시클로펜틸기, 시클로헥실기 및 시클로옥틸기 등의 단환의 시클로알킬기가 바람직하다. 다환 구조를 갖는 환상 지방족기로서는 노르보르닐기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기 및 아다만틸기 등의 다환의 시클로알킬기가 바람직하다. 특히는 E로서 6원환 이상의 벌키한 구조를 갖는 환상 지방족기를 채용했을 경우, PEB(노광후 가열) 공정에서의 막중 확산성이 억제되어 해상력 및 EL(노광 래티튜드)을 더욱 향상시키는 것이 가능해진다.The cyclic aliphatic group as E may have a monocyclic structure or may have a polycyclic structure. As a cyclic aliphatic group which has a monocyclic structure, monocyclic cycloalkyl groups, such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group, are preferable. As a cyclic aliphatic group which has a polycyclic structure, polycyclic cycloalkyl groups, such as a norbornyl group, a tricyclo decanyl group, a tetracyclo decanyl group, a tetracyclo dodecanyl group, and an adamantyl group, are preferable. In particular, when E is used as a cyclic aliphatic group having a bulky structure of 6 or more rings, the diffusibility in the film in the PEB (post-exposure heating) step is suppressed, and the resolution and EL (exposure latitude) can be further improved.

E로서의 아릴기는, 예를 들면 벤젠환, 나프탈렌환, 페난트렌환 또는 안트라센환이다. The aryl group as E is a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, or an anthracene ring, for example.

E로서의 복소환 구조를 갖는 기는 방향족성을 갖고 있어도 좋고, 방향족성을 갖고 있지 않아도 좋다. 이 기에 포함되어 있는 헤테로원자로서는 질소원자 또는 산소원자가 바람직하다. 복소환 구조의 구체예로서는 푸란환, 티오펜환, 벤조푸란환, 벤조티오펜환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 피리딘환, 피페리딘환 및 모르폴린환 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 푸란환, 티오펜환, 피리딘환, 피페리딘환 및 모르폴린환이 바람직하다.The group which has a heterocyclic structure as E may have aromaticity, and does not need to have aromaticity. The hetero atom contained in this group is preferably a nitrogen atom or an oxygen atom. Specific examples of the heterocyclic structure include furan ring, thiophene ring, benzofuran ring, benzothiophene ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, pyridine ring, piperidine ring and morpholine ring. Among them, furan ring, thiophen ring, pyridine ring, piperidine ring and morpholine ring are preferable.

E는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 알킬기(직쇄, 분기, 환상 중 어느 것이어도 좋고, 탄소수 1~12개가 바람직함), 아릴기(탄소수 6~14개가 바람직함), 히드록실기, 알콕시기, 에스테르기, 아미드기, 우레탄기, 우레이도기, 티오에테르기, 술폰아미드기 및 술폰산 에스테르기를 들 수 있다.E may have a substituent. As this substituent, an alkyl group (any of linear, branched, or cyclic may be sufficient, for example, C1-C12 is preferable), an aryl group (preferably C6-C14), a hydroxyl group, an alkoxy group, ester group , Amide group, urethane group, ureido group, thioether group, sulfonamide group and sulfonic acid ester group.

일반식(SA1) 또는 (SA2)으로 표시되는 술폰산 음이온으로서는, 예를 들면 이하의 것을 들 수 있다.As a sulfonic acid anion represented by general formula (SA1) or (SA2), the following are mentioned, for example.

Figure 112010056796558-pat00041
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광산발생제로서는 일반식(ZI)으로 표시되는 구조를 복수 갖는 화합물을 사용해도 좋다. 예를 들면, 일반식(ZI)으로 표시되는 화합물의 R201~R203 중 적어도 1개가 일반식(ZI)으로 표시되는 다른 하나의 화합물의 R201~R203 중 적어도 1개와 결합한 구조를 갖는 화합물이어도 좋다.As a photo-acid generator, you may use the compound which has two or more structures represented by general formula (ZI). For example, the compound represented by formula (ZI) R 201 ~ R 203 of at least one is the general formula (ZI) a compound having a structure that combines and one at least one of R 201 ~ R 203 of another compound represented by the It may be.

더욱 바람직한 (ZI)성분으로서, 이하에 설명하는 화합물(ZI-1)~(ZI-4)을 들 수 있다.As a more preferable (ZI) component, the compound (ZI-1)-(ZI-4) demonstrated below is mentioned.

화합물(ZI-1)은 상기 일반식(ZI)의 R201~R203 중 적어도 1개가 아릴기이다. 즉, 화합물(ZI-1)은 아릴술포늄 화합물, 즉 아릴술포늄을 양이온으로 하는 화합물이다.In the compound (ZI-1), at least one of R 201 to R 203 of General Formula (ZI) is an aryl group. That is, compound (ZI-1) is an arylsulfonium compound, ie, a compound having arylsulfonium as a cation.

화합물(ZI-1)은 R201~R203의 모두가 아릴기이어도 좋고, R201~R203의 일부가 아릴기이고 이들 이외는 알킬기이어도 좋다. 또한, 화합물(ZI-1)이 복수의 아릴기를 가질 경우, 이들 아릴기는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.All of R 201 to R 203 may be an aryl group, or a part of R 201 to R 203 may be an aryl group, and the compound (ZI-1) may be an alkyl group other than these. When the compound (ZI-1) has a plurality of aryl groups, these aryl groups may be the same or different.

화합물(ZI-1)로서는, 예를 들면 트리아릴술포늄 화합물, 디아릴알킬술포늄 화합물 및 아릴디알킬술포늄 화합물을 들 수 있다. As a compound (ZI-1), a triarylsulfonium compound, a diarylalkylsulfonium compound, and an aryldialkylsulfonium compound are mentioned, for example.

화합물(ZI-1)에 있어서의 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기 또는 인돌 잔기 및 피롤 잔기 등의 헤테로아릴기가 바람직하고, 페닐기, 나프틸기 또는 인돌 잔기가 특히 바람직하다.As an aryl group in a compound (ZI-1), heteroaryl groups, such as a phenyl group, a naphthyl group, or an indole residue, and a pyrrole residue, are preferable, and a phenyl group, a naphthyl group, or an indole residue is especially preferable.

화합물(ZI-1)이 필요에 따라서 갖고 있는 알킬기로서는 탄소수 1~15개의 직쇄, 분기 또는 시클로알킬기가 바람직하고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, 시클로프로필기, 시클로부틸기 및 시클로헥실기를 들 수 있다.As an alkyl group which compound (ZI-1) has as needed, a C1-C15 linear, branched or cycloalkyl group is preferable, For example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t -Butyl group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, and cyclohexyl group are mentioned.

이들 아릴기 및 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~15개), 아릴기(바람직하게는 탄소수 6~14개), 알콕시기(바람직하게는 탄소수 1~15개), 할로겐원자, 히드록실기 및 페닐티오기를 들 수 있다.These aryl groups and alkyl groups may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (preferably 1 to 15 carbon atoms), an aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxy group (preferably 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, and a hydroxyl group. And a phenylthio group.

바람직한 치환기로서는 탄소수 1~12개의 직쇄, 분기쇄 또는 환상의 알킬기, 및 탄소수 1~12개의 직쇄, 분기쇄 또는 환상의 알콕시기를 들 수 있다. 특히 바람직한 치환기로서는 탄소수 1~6개의 알킬기 및 탄소수 1~6개의 알콕시기를 들 수 있다. 치환기는 3개의 R201~R203 중 어느 1개에 치환되어 있어도 좋고, 3개 모두에 치환되어 있어도 좋다. 또한, R201~R203이 페닐기일 경우에는 치환기는 아릴기의 p-위치에 치환되어 있는 것이 바람직하다. As a preferable substituent, a C1-C12 linear, branched or cyclic alkyl group, and a C1-C12 linear, branched or cyclic alkoxy group are mentioned. Especially preferable substituents are a C1-C6 alkyl group and a C1-C6 alkoxy group. The substituent may be substituted on any one of three R 201 to R 203 , or may be substituted on all three. In the case where R 201 to R 203 are phenyl groups, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

또한, R201, R202 및 R203 중 1개 또는 2개가 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기이고 나머지 기가 직쇄, 분기쇄 또는 환상의 알킬기인 형태도 바람직하다. 이 구조의 구체예로서는 일본 특허공개 2004-210670호 공보의 단락 0141~0153에 기재된 구조를 들 수 있다.Moreover, the form whose one or two of R <201> , R <202> and R <203> may have a substituent and the remaining group is a linear, branched or cyclic alkyl group is also preferable. As a specific example of this structure, Paragraph 0141 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-210670-the structure of 0153 can be mentioned.

이 때, 상기 아릴기로서는 구체적으로는 R201, R202 및 R203으로서의 아릴기와 같고, 페닐기 또는 나프틸기가 바람직하다. 또한, 아릴기는 히드록실기, 알콕시기 또는 알킬기 중 어느 하나를 치환기로서 갖는 것이 바람직하다. 치환기로서 보다 바람직하게는 탄소수 1~12개의 알콕시기이며, 더욱 바람직하게는 탄소수 1~6개의 알콕시기이다.At this time, specifically as said aryl group, it is the same as the aryl group as R <201> , R <202> and R <203> , and a phenyl group or a naphthyl group is preferable. Moreover, it is preferable that an aryl group has either a hydroxyl group, an alkoxy group, or an alkyl group as a substituent. As a substituent, More preferably, it is a C1-C12 alkoxy group, More preferably, it is a C1-C6 alkoxy group.

상기 나머지 기로서의 직쇄, 분기쇄 또는 환상의 알킬기는 바람직하게는 탄소수 1~6개의 알킬기이다. 이들 기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 또한, 상기 나머지 기가 2개 존재할 경우, 이들 2개가 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 좋다.The linear, branched or cyclic alkyl group as the remaining group is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. These groups may further have a substituent. In addition, when two said remaining groups exist, these two may combine with each other and may form the ring structure.

화합물(ZI-1)은, 예를 들면 이하의 일반식(ZI-1A)으로 표시되는 화합물이다.Compound (ZI-1) is a compound represented by the following general formula (ZI-1A), for example.

Figure 112010056796558-pat00042
Figure 112010056796558-pat00042

일반식(ZI-1A) 중,Of the general formula (ZI-1A)

R13은 수소원자, 불소원자, 히드록실기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알킬옥시기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다.R 13 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a cycloalkyloxy group or an alkoxycarbonyl group.

R14는 복수 존재할 경우에는 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 알킬술포닐기 또는 시클로알킬술포닐기를 나타낸다.R 14, when present in plural, independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkylsulfonyl group or a cycloalkylsulfonyl group.

R15는 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. 2개의 R15는 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 좋다.And each R 15 independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group. Two R 15 's may be bonded to each other to form a ring structure.

l은 0~2의 정수를 나타낸다.and l represents an integer of 0 to 2.

r은 0~8의 정수를 나타낸다.r represents the integer of 0-8.

X-은 비구핵성 음이온을 나타내고, 예를 들면 일반식(ZI)에 있어서의 X-와 같은 것을 들 수 있다.X <-> represents a non-nucleophilic anion, For example, the same thing as X <-> in general formula (ZI) is mentioned.

R13, R14 또는 R15의 알킬기는 직쇄 알킬기이어도 좋고, 분기쇄 알킬기이어도 좋다. 이 알킬기로서는 탄소수 1~10개의 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, 2-메틸프로필기, 1-메틸프로필기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기 및 n-데실기를 들 수 있다. 이들 중, 메틸기, 에틸기, n-부틸기 및 t-부틸기가 특히 바람직하다.The alkyl group of R 13 , R 14 or R 15 may be a straight chain alkyl group or a branched chain alkyl group. As this alkyl group, a C1-C10 thing is preferable, For example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl The group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group, and n-decyl group are mentioned. Among these, a methyl group, an ethyl group, n-butyl group, and t-butyl group are especially preferable.

R13, R14 또는 R15의 시클로알킬기로서는, 예를 들면 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로도데카닐, 시클로펜테닐, 시클로헥세닐 및 시클로옥타디에닐기를 들 수 있다. 이들 중, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실 및 시클로옥틸기가 특히 바람직하다.Examples of the cycloalkyl group of R 13 , R 14 or R 15 include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclododecanyl, cyclopentenyl, cyclohexenyl and cyclooctadiete. And a silyl group. Among these, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl and cyclooctyl groups are particularly preferred.

R13 또는 R14의 알콕시기의 알킬기 부분으로서는, 예를 들면 먼저 R13, R14 또는 R15의 알킬기로서 열거한 것을 들 수 있다. 이 알콕시기로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기 및 n-부톡시기가 특히 바람직하다.As an alkyl group part of the alkoxy group of R <13> or R <14> , what was listed as an alkyl group of R <13> , R <14> or R <15> is mentioned, for example first. As this alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, and n-butoxy group are especially preferable.

R13의 시클로알킬옥시기의 시클로알킬기 부분으로서는, 예를 들면 먼저 R13, R14 또는 R15의 시클로알킬기로서 설명한 것을 들 수 있다. 이 시클로알킬옥시기로서는 시클로펜틸옥시기 및 시클로헥실옥시기가 특히 바람직하다.As the cycloalkyl group of R 13 portion of the cycloalkyloxy groups may be, for example, that described previously as the cycloalkyl group of R 13, R 14 or R 15. As the cycloalkyloxy group, a cyclopentyloxy group and a cyclohexyloxy group are particularly preferable.

R13의 알콕시카르보닐기의 알콕시기 부분으로서는, 예를 들면 먼저 R13 또는 R14의 알콕시기로서 설명한 것을 들 수 있다. 이 알콕시카르보닐기로서는 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기 및 n-부톡시카르보닐기가 특히 바람직하다.As an alkoxy group part of the alkoxycarbonyl group of R <13> , what was demonstrated previously as an alkoxy group of R <13> or R <14> is mentioned, for example. The alkoxycarbonyl group is particularly preferably a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group or an n-butoxycarbonyl group.

R14의 알킬술포닐기의 알킬기 부분으로서는, 예를 들면 먼저 R13, R14 또는 R15의 알킬기로서 설명한 것을 들 수 있다. 또한, R14의 시클로알킬술포닐기의 시클로알킬기 부분으로서는, 예를 들면 먼저 R13, R14 또는 R15의 시클로알킬기로서 설명한 것을 들 수 있다. 이들 알킬술포닐기 또는 시클로알킬술포닐기로서는 메탄술포닐기, 에탄술포닐기, n-프로판술포닐기, n-부탄술포닐기, 시클로펜탄술포닐기 및 시클로헥산술포닐기가 특히 바람직하다.As the alkyl group of R 14 portion of the alkylsulfonyl group includes, for example, that described previously as the alkyl group of R 13, R 14 or R 15. In addition, as part of a cycloalkyl cycloalkyl group alkylsulfonyl group of R 14, may be selected from among that described previously as the cycloalkyl group of R 13, R 14 or R 15. As the alkylsulfonyl or cycloalkylsulfonyl group, a methanesulfonyl group, an ethanesulfonyl group, an n-propanesulfonyl group, an n-butanesulfonyl group, a cyclopentanesulfonyl group and a cyclohexanesulfonyl group are particularly preferable.

l은 바람직하게는 0 또는 1이며, 보다 바람직하게는 1이다. r은 바람직하게는 0~2이다.1 is preferably 0 or 1, and more preferably 1. r is preferably 0 to 2.

R13, R14 및 R15의 각 기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 불소원자 등의 할로겐원자, 히드록실기, 카르복실기, 시아노기, 니트로기, 알콕시기, 시클로알킬옥시기, 알콕시알킬기, 시클로알킬옥시알킬기, 알콕시카르보닐기, 시클로알킬옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐옥시기 및 시클로알킬옥시카르보닐옥시기를 들 수 있다.Each group of R 13 , R 14 and R 15 may further have a substituent. Examples of the substituent include halogen atoms such as fluorine atoms, hydroxyl groups, carboxyl groups, cyano groups, nitro groups, alkoxy groups, cycloalkyloxy groups, alkoxyalkyl groups, cycloalkyloxyalkyl groups, alkoxycarbonyl groups, cycloalkyloxycarbonyl groups, Alkoxycarbonyloxy group and a cycloalkyloxycarbonyloxy group are mentioned.

알콕시기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 이 알콕시기로서는, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, 2-메틸프로폭시기, 1-메틸프로폭시기 및 t-부톡시기 등의 탄소수 1~20개의 것을 들 수 있다. The alkoxy group may be straight-chain or branched. As this alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, etc. are mentioned, for example. C1-C20 thing is mentioned.

시클로알킬옥시기로서는, 예를 들면 시클로펜틸옥시기 및 시클로헥실옥시기 등의 탄소수 3~20개의 것을 들 수 있다.As a cycloalkyloxy group, C3-C20 things, such as a cyclopentyloxy group and a cyclohexyloxy group, are mentioned, for example.

알콕시알킬기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 이 알콕시알킬기로서는, 예를 들면 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 1-메톡시에틸기, 2-메톡시에틸기, 1-에톡시에틸기 및 2-에톡시에틸기 등의 탄소수 2~21개의 것을 들 수 있다.The alkoxyalkyl group may be straight-chain or branched. As this alkoxyalkyl group, C2-C21 things, such as a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, 1-methoxyethyl group, 2-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, and 2-ethoxyethyl group, are mentioned, for example. .

시클로알킬옥시알킬기로서는, 예를 들면 시클로헥실옥시메틸기, 시클로펜틸옥시메틸기 및 시클로헥실옥시에틸기 등의 탄소수 4~21개의 것을 들 수 있다.As a cycloalkyloxyalkyl group, C4-C21 things, such as a cyclohexyloxymethyl group, a cyclopentyloxymethyl group, and a cyclohexyloxyethyl group, are mentioned, for example.

알콕시카르보닐기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 이 알콕시카르보닐기로서는, 예를 들면 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, n-프로폭시카르보닐기, i-프로폭시카르보닐기, n-부톡시카르보닐기, 2-메틸프로폭시카르보닐기, 1-메틸프로폭시카르보닐기 및 t-부톡시카르보닐기 등의 탄소수 2~21개의 것을 들 수 있다.The alkoxycarbonyl group may be straight chain or branched chain. As this alkoxycarbonyl group, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, and t- C2-C21 things, such as a butoxycarbonyl group, are mentioned.

시클로알킬옥시카르보닐기로서는, 예를 들면 시클로펜틸옥시카르보닐기 및 시클로헥실옥시카르보닐 등의 탄소수 4~21개의 것을 들 수 있다.As a cycloalkyloxycarbonyl group, C4-C21 things, such as a cyclopentyloxycarbonyl group and cyclohexyloxycarbonyl, are mentioned, for example.

알콕시카르보닐옥시기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 이 알콕시카르보닐옥시기로서는, 예를 들면 메톡시카르보닐옥시기, 에톡시카르보닐옥시기, n-프로폭시카르보닐옥시기, i-프로폭시카르보닐옥시기, n-부톡시카르보닐옥시기 및 t-부톡시카르보닐옥시기 등의 탄소수 2~21개의 것을 들 수 있다.The alkoxycarbonyloxy group may be straight-chain or branched. As this alkoxycarbonyloxy group, a methoxycarbonyloxy group, an ethoxycarbonyloxy group, n-propoxycarbonyloxy group, i-propoxycarbonyloxy group, n-butoxycarbonyl octa, for example C2-C21 thing, such as a timing and a t-butoxycarbonyloxy group, is mentioned.

시클로알킬옥시카르보닐옥시기로서는, 예를 들면 시클로펜틸옥시카르보닐옥시기 및 시클로헥실옥시카르보닐옥시기 등의 탄소수 4~21개의 것을 들 수 있다.As a cycloalkyloxycarbonyloxy group, C4-C21 things, such as a cyclopentyloxycarbonyloxy group and a cyclohexyloxycarbonyloxy group, are mentioned, for example.

2개의 R15가 서로 결합해서 형성할 수 있는 환 구조로서는 일반식(ZI-1A) 중의 S원자와 함께 5원환 또는 6원환, 특히 바람직하게는 5원환(즉, 테트라히드로티오펜환)을 형성하는 구조가 바람직하다. As a ring structure which two R <15> can combine with each other, and form the 5-membered ring or 6-membered ring, especially preferably 5-membered ring (that is, tetrahydrothiophene ring) with S atom in general formula (ZI-1A), The structure to make is preferable.

이 환 구조는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 히드록실기, 카르복실기, 시아노기, 니트로기, 알콕시기, 알콕시알킬기, 알콕시카르보닐기, 및 알콕시카르보닐옥시기를 들 수 있다.This ring structure may further have a substituent. As this substituent, a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbonyl group, and an alkoxycarbonyloxy group are mentioned, for example.

R15로서는 메틸기, 에틸기, 및 2개의 R15가 서로 결합해서 황원자와 함께 테트라히드로티오펜환 구조를 형성하는 2가의 기가 특히 바람직하다.As R 15 , a methyl group, an ethyl group, and a divalent group which forms a tetrahydrothiophene ring structure together with two R 15 s are combined together with a sulfur atom are particularly preferable.

R13의 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기 및 알콕시카르보닐기, R14의 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 알킬술포닐기 및 시클로알킬술포닐기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는 히드록실기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 및 할로겐원자(특히 불소원자)가 바람직하다.Alkyl group of R 13, cycloalkyl group, alkoxy group and alkoxycarbonyl group, alkyl group of R 14, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkylsulfonyl group and cycloalkyl sulfonyl group may further have a substituent. As this substituent, a hydroxyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, and a halogen atom (especially a fluorine atom) are preferable.

이하에, 일반식(ZI-1A)으로 표시되는 화합물에 있어서의 양이온의 바람직한 구체예를 나타낸다.Hereinafter, preferred specific examples of the cation in the compound represented by the general formula (ZI-1A) are shown.

Figure 112010056796558-pat00043
Figure 112010056796558-pat00043

다음에, 화합물(ZI-2)에 대해서 설명한다.Next, the compound (ZI-2) is described.

화합물(ZI-2)은 식(ZI)에 있어서의 R201~R203이 각각 독립적으로 방향환을 함유하지 않는 유기기를 나타낼 경우의 화합물이다. 여기서 방향환이란 헤테로원자를 함유하는 방향족환도 포함하는 것이다.Compound (ZI-2) is a compound in case R 201 to R 203 in Formula (ZI) each independently represent an organic group containing no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.

R201~R203으로서의 방향환을 함유하지 않는 유기기는 탄소수가 예를 들면 1~30개이며, 바람직하게는 1~20개이다.The organic group containing no aromatic ring as R 201 to R 203 is, for example, 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.

R201~R203은 각각 독립적으로 알킬기, 2-옥소알킬기, 알콕시카르보닐메틸기, 알릴기, 비닐기인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 직쇄, 분기 또는 환상의 2-옥소알킬기 또는 알콕시카르보닐메틸기이며, 특히 바람직하게는 직쇄 또는 분기쇄의 2-옥소알킬기이다.R 201 to R 203 are each independently an alkyl group, a 2-oxoalkyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, an allyl group, or a vinyl group. More preferably, they are a linear, branched or cyclic 2-oxoalkyl group or an alkoxycarbonylmethyl group, Especially preferably, they are a linear or branched 2-oxoalkyl group.

R201~R203으로서의 알킬기는 직쇄, 분기쇄 및 환상 중 어느 것이어도 좋고, 바람직한 예로서는 탄소수 1~10개의 직쇄 또는 분기쇄 알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 또는 펜틸기) 및 탄소수 3~10개의 시클로알킬기(시클로펜틸기, 시클로헥실기 또는 노르보르닐기)를 들 수 있다.The alkyl group as R 201 to R 203 may be any of straight chain, branched chain and cyclic, and is preferably a straight or branched chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group or pentyl group). And a C3-C10 cycloalkyl group (cyclopentyl group, cyclohexyl group, or norbornyl group).

R201~R203으로서의 2-옥소알킬기는 직쇄, 분기쇄 및 환상 중 어느 것이어도 좋고, 바람직하게는 상기 알킬기의 2위치에 >C=O를 갖는 기를 들 수 있다.The 2-oxoalkyl group as R 201 to R 203 may be any of straight chain, branched chain and cyclic, and preferably groups having> C═O at the 2-position of the alkyl group.

R201~R203으로서의 알콕시카르보닐메틸기에 있어서의 알콕시기의 바람직한 예로서는 탄소수 1~5개의 알콕시기(메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기)를 들 수 있다.As a preferable example of the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group as R <201> -R <203>, a C1-C5 alkoxy group (methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, butoxy group, a pentoxy group) is mentioned.

R201~R203은, 예를 들면 할로겐원자, 알콕시기(예를 들면 탄소수 1~5개), 히드록실기, 시아노기 및/또는 니트로기에 의해 더 치환되어 있어도 좋다.R 201 to R 203 may be further substituted with, for example, a halogen atom, an alkoxy group (for example, 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group and / or a nitro group.

R201~R203 중 2개가 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 좋다. 이 환 구조는 환내에 산소원자, 황원자, 에스테르 결합, 아미드 결합 및/또는 카르보닐기를 포함하고 있어도 좋다. R201~R203 중의 2개가 결합해서 형성하는 기로서는, 예를 들면 알킬렌기(예를 들면, 부틸렌기 또는 펜틸렌기)를 들 수 있다.Two of R 201 to R 203 may be bonded to each other to form a ring structure. This ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond and / or a carbonyl group in the ring. As a group which two of R <201> -R <203> combine and form, an alkylene group (for example, butylene group or a pentylene group) is mentioned, for example.

다음에, 화합물(ZI-3)에 대해서 설명한다.Next, the compound (ZI-3) is described.

화합물(ZI-3)이란 이하의 일반식(ZI-3)으로 표시되는 화합물이며, 페나실술포늄염 구조를 갖는 화합물이다.The compound (ZI-3) is a compound represented by the following general formula (ZI-3) and has a phenacylsulfonium salt structure.

Figure 112010056796558-pat00044
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식 중, R1c~R5c는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐원자를 나타낸다. 알킬기 및 알콕시기의 탄소수는 1~6개가 바람직하다.In the formula, each of R 1c to R 5c independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom. As for carbon number of an alkyl group and an alkoxy group, 1-6 are preferable.

R6c 및 R7c는 수소원자 또는 알킬기를 나타낸다. 알킬기의 탄소수는 1~6개가 바람직하다.R 6c and R 7c represent a hydrogen atom or an alkyl group. As for carbon number of an alkyl group, 1-6 are preferable.

Rx 및 Ry는 각각 독립적으로 알킬기, 2-옥소알킬기, 알콕시카르보닐메틸기, 알릴기 또는 비닐기를 나타낸다. 이들 원자단의 탄소수는 1~6개가 바람직하다.R x and R y each independently represent an alkyl group, a 2-oxoalkyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, an allyl group or a vinyl group. As for carbon number of these atomic groups, 1-6 are preferable.

R1c~R7c 중 어느 2개 이상이 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 좋다. 또한, Rx와 Ry가 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 좋다. 이들 환 구조는 산소원자, 황원자, 에스테르 결합 및/또는 아미드 결합을 포함하고 있어도 좋다.Any two or more of R 1c to R 7c may be bonded to each other to form a ring structure. In addition, R x and R y may be bonded to each other to form a ring structure. These ring structures may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond and / or an amide bond.

일반식(ZI-3)에 있어서의 X-은 일반식(ZI)에 있어서의 X-와 동일한 의미이다.In the formula (ZI-3) X - X is in formula (ZI) - are as defined.

화합물(ZI-3)의 구체예로서는 일본 특허공개 2004-233661호 공보의 단락 0047 및 0048 또는 일본 특허공개 2003-35948호 공보의 단락 0040~0046에 예시되어 있는 화합물에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있다.As a specific example of a compound (ZI-3), the compound described in the compound illustrated by stage 0047 and 0048 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-233661, or paragraph 0040-0046 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-35948 is mentioned. .

이어서, 화합물(ZI-4)에 대해서 설명한다.Next, a compound (ZI-4) is demonstrated.

화합물(ZI-4)은 이하의 일반식(ZI-4)으로 표시되는 양이온을 갖는 화합물이다. 이 화합물(ZI-4)은 아웃 가스의 억제에 유효하다.Compound (ZI-4) is a compound having a cation represented by the following General Formula (ZI-4). This compound (ZI-4) is effective for inhibiting outgas.

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Figure 112010056796558-pat00045

일반식(ZI-4) 중,Among the general formula (ZI-4)

R1~R13은 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환기를 나타낸다. R1~R13 중 적어도 1개는 알콜성 히드록실기를 포함하는 치환기인 것이 바람직하다. 또한, 여기에서 「알콜성 히드록실기」란 알킬기의 탄소원자에 결합한 히드록실기를 의미하고 있다.R 1 to R 13 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. At least one of R 1 to R 13 is preferably a substituent containing an alcoholic hydroxyl group. In addition, an "alcoholic hydroxyl group" means the hydroxyl group couple | bonded with the carbon atom of an alkyl group here.

Z는 단일결합 또는 2가의 연결기이다.Z is a single bond or a divalent linking group.

R1~R13이 알콜성 히드록실기를 포함하는 치환기일 경우, R1~R13은 -(W-Y)으로 표시되는 기인 것이 바람직하다. 여기에서, Y는 히드록실기로 치환된 알킬기이며, W는 단일결합 또는 2가의 연결기이다.When R <1> -R <13> is a substituent containing an alcoholic hydroxyl group, it is preferable that R <1> -R <13> is group represented by-(WY). Wherein Y is an alkyl group substituted with a hydroxyl group and W is a single bond or a divalent linking group.

Y으로 표시되는 알킬기의 바람직한 예로서는 에틸기, 프로필기 및 이소프로필기를 들 수 있다. Y는 특히 바람직하게는 -CH2CH2OH으로 표시되는 구조를 포함하고 있다.Preferred examples of the alkyl group represented by Y include ethyl group, propyl group and isopropyl group. Y particularly preferably includes a structure represented by -CH 2 CH 2 OH.

W로 표시되는 2가의 연결기로서는 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 단일결합, 알콕시기, 아실옥시기, 아실아미노기, 알킬 및 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 알킬술포닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기 또는 카르바모일기에 있어서의 임의의 수소원자를 단일결합으로 치환한 2가의 기이며, 더욱 바람직하게는 단일결합, 아실옥시기, 알킬술포닐기, 아실기 또는 알콕시카르보닐기에 있어서의 임의의 수소원자를 단일결합으로 치환한 2가의 기이다.The divalent linking group represented by W is not particularly limited, but is preferably a single bond, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group, an alkyl and an arylsulfonylamino group, an alkylthio group, an alkylsulfonyl group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group or It is a divalent group which substituted arbitrary hydrogen atoms in a carbamoyl group by a single bond, More preferably, any hydrogen atom in a single bond, an acyloxy group, an alkylsulfonyl group, an acyl group, or an alkoxycarbonyl group is single. It is a bivalent group substituted by the bond.

R1~R13이 알콜성 히드록실기를 포함하는 치환기일 경우, 포함되는 탄소수는 바람직하게는 2~10개이며, 더욱 바람직하게는 2~6개이며, 특히 바람직하게는 2~4개이다.R 1 - R 13 is an alcoholic when the substituent containing a hydroxyl group, the number of carbon atoms contained is preferably from 2 to 10, more preferably 2 to a 6, particularly preferably from two to four.

R1~R13으로서의 알콜성 히드록실기를 포함하는 치환기는 알콜성 히드록실기를 2개 이상 갖고 있어도 좋다. R1~R13으로서의 알콜성 히드록실기를 포함하는 치환기가 갖는 알콜성 히드록실기의 수는 1~6개이며, 바람직하게는 1~3개이며, 더욱 바람직하게는 1개이다.The substituent containing an alcoholic hydroxyl group as R 1 to R 13 may have two or more alcoholic hydroxyl groups. The number of alcoholic hydroxyl groups which the substituent containing alcoholic hydroxyl groups as R <1> -R <13> has is 1-6, Preferably it is 1-3, More preferably, it is one.

일반식(ZI-4)으로 표시되는 화합물이 갖는 알콜성 히드록실기의 수는 R1~R13 모두 합해서 1~10개이며, 바람직하게는 1~6개이며, 더욱 바람직하게는 1~3개이다.The number of alcoholic hydroxyl group with a compound represented by formula (ZI-4) is R 1 to R 13 rolled into a 1 to 10 all, preferably from 1 to and 6, more preferably 1 to 3 Dog.

R1~R13이 알콜성 히드록실기를 함유하지 않을 경우, R1~R13으로서의 치환기로서는, 예를 들면 할로겐원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 복소환기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 복소환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기(아닐리노기를 포함함), 암모니오기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬 및 아릴술포닐아미노기, 메르캅토기, 알킬티오기, 아릴티오기, 복소환 티오기, 술파모일기, 술포기, 알킬 및 아릴술피닐기, 알킬 및 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 아릴 및 복소환 아조기, 이미드기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 포스포노기, 실릴기, 히드라지노기, 우레이도기, 붕소산기[-B(OH)2], 포스페이트기[-OPO(OH)2], 술페이트기(-OSO3H), 및 다른 공지의 치환기를 들 수 있다.When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, examples of the substituent for R 1 to R 13 include a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, Heterocyclic group, cyano group, nitro group, carboxyl group, alkoxy group, aryloxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group (Including an anilino group), ammonia group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, mercapto group, alkylthio group, aryl Thio group, heterocyclic thio group, sulfamoyl group, sulfo group, alkyl and arylsulfinyl group, alkyl and arylsulfonyl group, acyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, aryl and heterocycle Azo group, imide group, phosphino group, phosphinyl group, phosphinyloxy group, phosphinylamino group, phosphono group, silyl group, hydrazino group, ureido group, boronic acid group [-B (OH) 2 ], phosphate group [ -OPO (OH) 2 ], a sulfate group (-OSO 3 H), and other well-known substituents are mentioned.

R1~R13이 알콜성 히드록실기를 함유하지 않을 경우, R1~R13은 바람직하게는 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 시아노기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬 및 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 술파모일기, 알킬 및 아릴술포닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 이미드기, 실릴기 또는 우레이도기이다.When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 preferably represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, Cyano group, carboxyl group, alkoxy group, aryloxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group , Alkylthio group, arylthio group, sulfamoyl group, alkyl and arylsulfonyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, imide group, silyl group or ureido group.

R1~R13이 알콜성 히드록실기를 함유하지 않을 경우, R1~R13은 더욱 바람직하게는 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 시클로알킬기, 시아노기, 알콕시기, 아실옥시기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 알킬 및 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 술파모일기, 알킬 및 아릴술포닐기, 알콕시카르보닐기 또는 카르바모일기이다.When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are more preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group , Aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, alkylthio group, sulfamoyl group, alkyl and arylsulfonyl group, alkoxycarbonyl group or carbamoyl group.

R1~R13이 알콜성 히드록실기를 함유하지 않을 경우, R1~R13은 특히 바람직하게는 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐원자 또는 알콕시기이다.When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are particularly preferably a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom or an alkoxy group.

R1~R13 중 인접하는 2개가 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 좋다. 이 환 구조에는 방향족 및 비방향족의 탄화수소환 및 복소환이 포함된다. 이들 환 구조는 더 조합되어 축합환을 형성하고 있어도 좋다.Two adjacent ones of R 1 to R 13 may be bonded to each other to form a ring structure. This ring structure includes aromatic and nonaromatic hydrocarbon rings and heterocycles. These ring structures may further be combined to form a condensed ring.

화합물(ZI-4)은 바람직하게는 R1~R13 중 적어도 1개가 알콜성 히드록실기를 포함하는 구조를 갖고 있고, 더욱 바람직하게는 R9~R13 중 적어도 1개가 알콜성 히드록실기를 포함하는 구조를 갖고 있다.Compound (ZI-4) preferably has a structure in which at least one of R 1 to R 13 includes an alcoholic hydroxyl group, and more preferably at least one of R 9 to R 13 is an alcoholic hydroxyl group. Has a structure comprising a.

Z는 상술한 바와 같이, 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타내고 있다. 이 2가의 연결기로서는, 예를 들면 알킬렌기, 아릴렌기, 카르보닐기, 술포닐기, 카르보닐옥시기, 카르보닐아미노기, 술포닐아미드기, 에테르기, 티오에테르기, 아미노기, 디술피드기, 아실기, 알킬술포닐기, -CH=CH-, 아미노카르보닐아미노기 및 아미노술포닐아미노기를 들 수 있다.Z represents a single bond or a divalent linking group as described above. As this bivalent coupling group, an alkylene group, arylene group, carbonyl group, sulfonyl group, carbonyloxy group, carbonylamino group, sulfonylamide group, ether group, thioether group, amino group, disulfide group, acyl group, Alkylsulfonyl group, -CH = CH-, an aminocarbonylamino group, and an aminosulfonylamino group are mentioned.

이 2가의 연결기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 이들 치환기로서는, 예를 들면 먼저 R1~R13에 대해서 열거한 것과 같은 것을 들 수 있다.This divalent linking group may have a substituent. As these substituents, the thing similar to what was enumerated about R <1> -R <13> first is mentioned, for example.

Z는 바람직하게는 단일결합, 알킬렌기, 아릴렌기, 에테르기, 티오에테르기, 아미노기, -CH=CH-, 아미노카르보닐아미노기 및 아미노술포닐아미노기 등의 전자 구인성을 가지지 않는 결합 또는 기이며, 더욱 바람직하게는 단일결합, 에테르기 또는 티오에테르기이며, 특히 바람직하게는 단일결합이다.Z is preferably a bond or group having no electron withdrawing properties such as a single bond, an alkylene group, an arylene group, an ether group, a thioether group, an amino group, -CH = CH-, an aminocarbonylamino group and an aminosulfonylamino group More preferably, they are a single bond, an ether group, or a thioether group, Especially preferably, they are a single bond.

이하, 일반식(ZII) 및 (ZIII)에 대해서 설명한다.Hereinafter, general formulas (ZII) and (ZIII) will be described.

일반식(ZII) 및 (ZIII) 중, R204~R207은 각각 독립적으로 아릴기, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. 이들 아릴기, 알킬기 및 시클로알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.In formulas (ZII) and (ZIII), each of R 204 to R 207 independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group. These aryl groups, alkyl groups and cycloalkyl groups may have a substituent.

R204~R207로서의 아릴기의 바람직한 예로서는 먼저 화합물(ZI-1)에 있어서의 R201~R203에 대해서 열거한 것과 같은 기를 들 수 있다.Preferred examples of the aryl group as R 204 to R 207 include the same groups as listed above for R 201 to R 203 in the compound (ZI-1).

R204~R207로서의 알킬기 및 시클로알킬기의 바람직한 예로서는 먼저 화합물(ZI-2)에 있어서의 R201~R203에 대해서 열거한 직쇄, 분기 또는 시클로알킬기를 들 수 있다.As a preferable example of the alkyl group and cycloalkyl group as R <204> -R <207> , the linear, branched or cycloalkyl group listed about R <201> -R <203> in the compound (ZI-2) is mentioned first.

또한, 일반식(ZII) 및 (ZIII)에 있어서의 X-은 일반식(ZI)에 있어서의 X-와 동일한 의미이다.Further, in the general formula (ZII) and (ZIII) X - X is in formula (ZI) - are as defined.

광산발생제의 다른 바람직한 예로서, 하기 일반식(ZIV), (ZV) 또는 (ZVI)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.As another preferable example of a photo-acid generator, the compound represented by the following general formula (ZIV), (ZV) or (ZVI) is mentioned.

Figure 112010056796558-pat00046
Figure 112010056796558-pat00046

일반식(ZIV)~(ZVI) 중,Among the general formulas (ZIV) to (ZVI)

Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 무치환의 아릴기를 나타낸다.Ar 3 and Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group.

R208은 일반식(ZV)과 (ZVI)에서 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타내고 있다. 이들 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기는 치환되어 있어도 좋고, 치환되어 있지 않아도 좋다.R 208 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group in formulas (ZV) and (ZVI). These alkyl groups, cycloalkyl groups, and aryl groups may be substituted or may not be substituted.

이들 기는 불소원자에 의해 치환되어 있는 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 광산발생제가 발생하는 산의 강도를 높이는 것이 가능해 진다.These groups are preferably substituted by fluorine atoms. This makes it possible to increase the strength of the acid generated by the photoacid generator.

R209 및 R210은 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 전자구인성 기를 나타낸다. 이들 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 및 전자구인성 기는 치환되어 있어도 좋고, 치환되어 있지 않아도 좋다.R 209 and R 210 each independently represent an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an electron withdrawing group. These alkyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups and electron withdrawing groups may or may not be substituted.

바람직한 R209로서는 치환 또는 무치환의 아릴기를 들 수 있다. Preferred R 209 includes a substituted or unsubstituted aryl group.

바람직한 R210으로서는 전자구인성 기를 들 수 있다. 이 전자구인성 기로서는 바람직하게는 시아노기 및 플루오로알킬기를 들 수 있다.Preferred R 210 includes an electron withdrawing group. As this electron withdrawing group, Preferably, a cyano group and a fluoroalkyl group are mentioned.

A는 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 아릴렌기를 나타낸다. 이들 알킬렌기, 알케닐렌기 및 아릴렌기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group. These alkylene groups, alkenylene groups, and arylene groups may have a substituent.

또한, 광산발생제로서 일반식(ZVI)으로 표시되는 구조를 복수 갖는 화합물도 바람직하다. 이러한 화합물로서는, 예를 들면 일반식(ZVI)으로 표시되는 화합물의 R209 또는 R210과, 일반식(ZVI)으로 표시되는 다른 하나의 화합물의 R209 또는 R210이 서로 결합한 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다.Moreover, the compound which has two or more structures represented by general formula (ZVI) as a photo-acid generator is also preferable. As such a compound, for example, a compound having an R 209 or structure R 210 are bonded to each other in the other one of the compound represented by R 209 or R 210 and the general formula (ZVI) of the compound represented by the general formula (ZVI) Can be mentioned.

광산발생제로서는 일반식(ZI)~(ZIII)으로 표시되는 화합물이 보다 바람직하고, 일반식(ZI)으로 표시되는 화합물이 더욱 바람직하고, 화합물(ZI-1)~(ZI-3)이 특히 바람직하다.As a photo-acid generator, the compound represented by general formula (ZI)-(ZIII) is more preferable, The compound represented by general formula (ZI) is still more preferable, A compound (ZI-1)-(ZI-3) is especially desirable.

광산발생제의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명의 범위는 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the specific example of a photo-acid generator is shown below, the scope of the present invention is not limited to these.

Figure 112010056796558-pat00047
Figure 112010056796558-pat00047

Figure 112010056796558-pat00048
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Figure 112010056796558-pat00049
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또한, 본 발명에 의한 조성물은 광산발생제로서, 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 카르복실산을 발생하는 화합물을 더 포함하고 있어도 좋다. 이러한 화합물로서는, 예를 들면 이하의 것을 들 수 있다.Moreover, the composition by this invention may further contain the compound which generate | occur | produces a carboxylic acid by irradiation of actinic light or a radiation as a photo-acid generator. As such a compound, the following are mentioned, for example.

Figure 112010056796558-pat00058
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Figure 112010056796558-pat00059
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Figure 112010056796558-pat00060
Figure 112010056796558-pat00060

또한, 광산발생제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 후자의 경우, 수소원자를 제외한 전체 원자수가 2개 이상 다른 2종의 유기산을 발생하는 화합물을 조합시키는 것이 바람직하다.In addition, a photo-acid generator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. In the latter case, it is preferable to combine the compounds which generate | occur | produce two types of organic acids in which 2 or more whole atomic numbers except hydrogen atoms are combined.

본 발명에 의한 조성물이 광산발생제를 더 포함하고 있을 경우, 그 함량은 조성물의 전 고형분을 기준으로 하여 바람직하게는 0.1~40질량%이며, 보다 바람직하게는 0.5~30질량%이며, 더욱 바람직하게는 1~20질량%이다.When the composition according to the present invention further contains a photoacid generator, the content thereof is preferably 0.1 to 40% by mass, more preferably 0.5 to 30% by mass, more preferably based on the total solids of the composition. Preferably it is 1-20 mass%.

<기타 성분><Other ingredients>

본 발명에 의한 조성물은 염기성 화합물, 계면활성제, 용제, 염료, 광염기 발생제, 산화 방지제 및 용제 등을 더 포함하고 있어도 좋다. 이하, 이들 성분에 대해서 설명한다.The composition according to the present invention may further contain a basic compound, a surfactant, a solvent, a dye, a photobase generator, an antioxidant, a solvent, and the like. Hereinafter, these components are demonstrated.

(염기성 화합물)(Basic compound)

본 발명에 의한 조성물은 염기성 화합물을 더 포함하고 있어도 좋다. 염기성 화합물은 바람직하게는 페놀과 비교해서 염기성이 보다 강한 화합물이다. 또한, 이 염기성 화합물은 유기 염기성 화합물인 것이 바람직하고, 질소 함유 염기성 화합물인 것이 더욱 바람직하다.The composition according to the present invention may further contain a basic compound. The basic compound is preferably a compound which is more basic than phenol. Moreover, it is preferable that this basic compound is an organic basic compound, and it is more preferable that it is a nitrogen containing basic compound.

사용가능한 질소 함유 염기성 화합물은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 이하의 (1)~(4)로 분류되는 화합물을 사용할 수 있다.Although the nitrogen-containing basic compound which can be used is not specifically limited, For example, the compound classified into the following (1)-(4) can be used.

(1) 하기 일반식(BS-1)으로 표시되는 화합물(1) a compound represented by the following General Formula (BS-1)

Figure 112010056796558-pat00061
Figure 112010056796558-pat00061

일반식(BS-1) 중,In the general formula (BS-1)

R은 각각 독립적으로 수소원자 또는 유기기를 나타낸다. 단, 3개의 R 중 적어도 1개는 유기기이다. 이 유기기는 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기, 단환 또는 다환의 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이다.Each R independently represents a hydrogen atom or an organic group. Provided that at least one of the three Rs is an organic group. The organic group is a linear or branched alkyl group, a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group, an aryl group, or an aralkyl group.

R로서의 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 통상 1~20개이며, 바람직하게는 1~12개이다.Although carbon number of the alkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 1-20 pieces, Preferably it is 1-12 pieces.

R로서의 시클로알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 통상 3~20개이며, 바람직하게는 5~15개이다.Although carbon number of the cycloalkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 3-20 pieces, Preferably it is 5-15 pieces.

R로서의 아릴기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 통상 6~20개이며, 바람직하게는 6~10개이다. 구체적으로는 페닐기 및 나프틸기 등을 들 수 있다.Although carbon number of the aryl group as R is not specifically limited, Usually, it is 6-20 pieces, Preferably it is 6-10 pieces. Specific examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.

R로서의 아랄킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 통상 7~20개이며, 바람직하게는 7~11개이다. 구체적으로는 벤질기 등을 들 수 있다.Although carbon number of the aralkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 7-20 pieces, Preferably it is 7-11 pieces. Specific examples thereof include a benzyl group and the like.

R로서의 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 및 아랄킬기는 수소원자가 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 히드록실기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬카르보닐옥시기 및 알킬옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group as R may be a hydrogen atom substituted by a substituent. As this substituent, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxycarbonyl group, etc. are mentioned, for example.

또한, 일반식(BS-1)으로 표시되는 화합물에서는 R 중 적어도 2개가 유기기인 것이 바람직하다.In the compound represented by the general formula (BS-1), at least two of R are preferably organic groups.

일반식(BS-1)으로 표시되는 화합물의 구체예로서는 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-데실아민, 트리이소데실아민, 디시클로헥실메틸아민, 테트라데실아민, 펜타데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민, 디데실아민, 메틸옥타데실아민, 디메틸운데실아민, N,N-디메틸도데실아민, 메틸디옥타데실아민, N,N-디부틸아닐린, N,N-디헥실아닐린, 2,6-디이소프로필아닐린, 및 2,4,6-트리(t-부틸)아닐린을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by formula (BS-1) include tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-octylamine, tri-n-decylamine, triisodecylamine, dicyclohexyl Methylamine, tetradecylamine, pentadecylamine, hexadecylamine, octadecylamine, didecylamine, methyloctadecylamine, dimethylundecylamine, N, N-dimethyldodecylamine, methyldioctadecylamine, N, N-dibutyl aniline, N, N- dihexyl aniline, 2,6- diisopropyl aniline, and 2,4,6- tri (t-butyl) aniline are mentioned.

또한, 일반식(BS-1)으로 표시되는 바람직한 염기성 화합물로서, 적어도 1개의 R이 히드록실기로 치환된 알킬기인 것을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 트리에탄올아민 및 N,N-디히드록시에틸아닐린을 들 수 있다. Moreover, as a preferable basic compound represented by general formula (BS-1), what is at least 1 R is an alkyl group substituted by the hydroxyl group. Specific examples thereof include triethanolamine and N, N-dihydroxyethylaniline.

또한, R로서의 알킬기는 알킬쇄 중에 산소원자를 갖고 있어도 좋다. 즉, 옥시알킬렌쇄가 형성되어 있어도 좋다. 옥시알킬렌쇄로서는 -CH2CH2O-가 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면 트리스(메톡시에톡시에틸)아민 및 US6040112호 명세서의 컬럼 3의 60째줄 이후에 예시되어 있는 화합물을 들 수 있다.The alkyl group as R may have an oxygen atom in the alkyl chain. That is, an oxyalkylene chain may be formed. As the oxyalkylene chain, -CH 2 CH 2 O- is preferable. Specifically, for example, tris (methoxyethoxyethyl) amine and the compounds exemplified after line 60 of column 3 of the US6040112 specification can be given.

(2) 질소 함유 복소환 구조를 갖는 화합물(2) a compound having a nitrogen-containing heterocyclic structure

이 질소 함유 복소환은 방향족성을 갖고 있어도 좋고, 방향족성을 갖고 있지 않아도 좋다. 또한, 질소원자를 복수 갖고 있어도 좋다. 또한, 질소이외의 헤테로원자를 함유하고 있어도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면 이미다졸 구조를 갖는 화합물(2-페닐벤조이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸 등), 피페리딘 구조를 갖는 화합물[N-히드록시에틸피페리딘 및 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)세바케이트 등], 피리딘 구조를 갖는 화합물(4-디메틸아미노피리딘 등), 및 안티피린 구조를 갖는 화합물(안티피린 및 히드록시안티피린 등)을 들 수 있다.The nitrogen-containing heterocycle may or may not have aromatics. In addition, a plurality of nitrogen atoms may be contained. It may also contain heteroatoms other than nitrogen. Specifically, for example, a compound having an imidazole structure (2-phenylbenzoimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, etc.), a compound having a piperidine structure [N-hydroxyethylpiperi Dine and bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate and the like], compounds having a pyridine structure (such as 4-dimethylaminopyridine), and compounds having an antipyrine structure (antipyrine And hydroxyantipyrine and the like).

또한, 환 구조를 2개 이상 갖는 화합물도 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 1,5-디아자비시클로[4.3.0]노나-5-엔 및 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-운데카-7-엔을 들 수 있다.Also, compounds having two or more ring structures can be suitably used. Specifically, 1, 5- diazabicyclo [4.3.0] nona-5-ene and 1,8- diazabicyclo [5.4.0]-undeca-7-ene are mentioned, for example.

(3) 페녹시기를 갖는 아민 화합물(3) An amine compound having a phenoxy group

페녹시기를 갖는 아민 화합물이란 아민 화합물이 포함하고 있는 알킬기의 N원자와 반대측 말단에 페녹시기를 구비한 화합물이다. 페녹시기는, 예를 들면 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 카르복실산 에스테르기, 술폰산 에스테르기, 아릴기, 아랄킬기, 아실옥시기 및 아릴옥시기 등의 치환기를 갖고 있어도 좋다. The amine compound which has a phenoxy group is a compound which has a phenoxy group in the terminal opposite to the N atom of the alkyl group which an amine compound contains. The phenoxy group may have a substituent such as an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, a sulfonate ester group, an aryl group, an aralkyl group, an acyloxy group and an aryloxy group You can have it.

이 화합물은 보다 바람직하게는 페녹시기와 질소원자 사이에 적어도 1개의 옥시알킬렌쇄를 갖고 있다. 1분자 중의 옥시알킬렌쇄의 수는 바람직하게는 3~9개, 또한 바람직하게는 4~6개이다. 옥시알킬렌쇄 중에서도 -CH2CH2O-가 특히 바람직하다.This compound more preferably has at least one oxyalkylene chain between the phenoxy group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene chains in one molecule is preferably 3 to 9, and more preferably 4 to 6. Of the oxyalkylene chains, -CH 2 CH 2 O- is particularly preferred.

구체예로서는 2-[2-{2-(2,2-디메톡시-페녹시에톡시)에틸}-비스-(2-메톡시에틸)]-아민, 및, US2007/0224539 A1호 명세서의 단락 [0066]에 예시되어 있는 화합물(C1-1)~(C3-3)을 들 수 있다.As a specific example, 2- [2- {2- (2,2-dimethoxy-phenoxyethoxy) ethyl} -bis- (2-methoxyethyl)]-amine, and paragraph [of US2007 / 0224539 A1 specification] The compound (C1-1)-(C3-3) illustrated by [0066] can be mentioned.

페녹시기를 갖는 아민 화합물은, 예를 들면 페녹시기를 갖는 1급 또는 2급 아민과 할로알킬에테르를 가열해서 반응시키고, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨 및 테트라알킬암모늄 등의 강염기의 수용액을 첨가한 후, 아세트산 에틸 및 클로로포름 등의 유기용제로 추출함으로써 얻어진다. 또한, 페녹시기를 갖는 아민 화합물은 1급 또는 2급 아민과 말단에 페녹시기를 갖는 할로알킬에테르를 가열해서 반응시키고, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨 및 테트라알킬암모늄 등의 강염기의 수용액을 첨가한 후, 아세트산 에틸 및 클로로포름 등의 유기용제로 추출함으로써 얻을 수도 있다.The amine compound having a phenoxy group is reacted by heating a primary or secondary amine having a phenoxy group with a haloalkyl ether, and after addition of an aqueous solution of a strong base such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and tetraalkylammonium, It is obtained by extraction with organic solvents, such as ethyl acetate and chloroform. In addition, the amine compound having a phenoxy group is reacted by heating a primary or secondary amine with a haloalkyl ether having a phenoxy group at the terminal, and after adding an aqueous solution of a strong base such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and tetraalkylammonium, It can also be obtained by extracting with organic solvents such as ethyl acetate and chloroform.

(4) 암모늄염(4) Ammonium salt

암모늄염도 적당히 사용할 수 있다.Ammonium salts may also be suitably used.

암모늄염의 음이온으로서는, 예를 들면 할라이드, 술포네이트, 보레이트 및 포스페이트를 들 수 있다. 이들 중, 할라이드 및 술포네이트가 특히 바람직하다.As an anion of an ammonium salt, halide, sulfonate, borate, and phosphate are mentioned, for example. Of these, halides and sulfonates are particularly preferred.

할라이드로서는 클로라이드, 브로마이드 및 요오다이드가 특히 바람직하다.As the halide, chloride, bromide and iodide are particularly preferred.

술포네이트로서는 탄소수 1~20개의 유기 술포네이트가 특히 바람직하다. 유기 술포네이트로서는, 예를 들면 탄소수 1~20개의 알킬술포네이트 및 아릴술포네이트를 들 수 있다.As the sulfonate, an organic sulfonate having 1 to 20 carbon atoms is particularly preferable. As an organic sulfonate, a C1-C20 alkylsulfonate and an arylsulfonate are mentioned, for example.

알킬술포네이트에 포함되는 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 알콕시기, 아실기 및 아릴기를 들 수 있다. 알킬술포네이트로서, 구체적으로는 메탄술포네이트, 에탄술포네이트, 부탄술포네이트, 헥산술포네이트, 옥탄술포네이트, 벤질술포네이트, 트리플루오로메탄술포네이트, 펜타플루오로에탄술포네이트 및 노나플루오로부탄술포네이트를 들 수 있다.The alkyl group contained in the alkylsulfonate may have a substituent. As this substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an alkoxy group, an acyl group, and an aryl group are mentioned, for example. As the alkylsulfonate, specifically methanesulfonate, ethanesulfonate, butanesulfonate, hexanesulfonate, octanesulfonate, benzylsulfonate, trifluoromethanesulfonate, pentafluoroethanesulfonate and nonafluorobutane Sulfonate.

아릴술포네이트에 포함되는 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기를 들 수 있다. 이들 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 이 치환기로서는, 예를 들면 탄소수 1~6개의 직쇄 또는 분기쇄 알킬기, 및 탄소수 3~6개의 시클로알킬기가 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, i-부틸, t-부틸, n-헥실 및 시클로헥실기가 바람직하다. 다른 치환기로서는 탄소수 1~6개의 알콕시기, 할로겐원자, 시아노, 니트로, 아실기 및 아실옥시기를 들 수 있다.As an aryl group contained in an aryl sulfonate, a phenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group are mentioned, for example. These aryl groups may have a substituent. As this substituent, a C1-C6 linear or branched alkyl group and a C3-C6 cycloalkyl group are preferable, for example. Specifically, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, n-hexyl and cyclohexyl groups are preferable, for example. As another substituent, a C1-C6 alkoxy group, a halogen atom, cyano, nitro, an acyl group, and an acyloxy group is mentioned.

이 암모늄염은 히드록시드 또는 카르복실레이트이어도 좋다. 이 경우, 이 암모늄염은 탄소수 1~8개의 테트라알킬암모늄히드록시드(테트라메틸암모늄히드록시드 및 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-(n-부틸)암모늄히드록시드 등의 테트라알킬암모늄히드록시드인 것이 특히 바람직하다.This ammonium salt may be hydroxide or carboxylate. In this case, this ammonium salt is tetraalkylammonium hydroxide, such as tetraalkylammonium hydroxide (tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, tetra- (n-butyl) ammonium hydroxide of 1-8 carbons). Particularly preferred is a seed.

바람직한 염기성 화합물로서는, 예를 들면 구아니딘, 아미노피리딘, 아미노알킬피리딘, 아미노피롤리딘, 인다졸, 이미다졸, 피라졸, 피라진, 피리미딘, 푸린, 이미다졸린, 피라졸린, 피페라진, 아미노모르폴린 및 아미노알킬모르폴린을 들 수 있다. 이들은 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 바람직한 치환기로서는, 예를 들면 아미노기, 아미노알킬기, 알킬아미노기, 아미노아릴기, 아릴아미노기, 알킬기, 알콕시기, 아실기, 아실옥시기, 아릴기, 아릴옥시기, 니트로기, 히드록실기 및 시아노기를 들 수 있다.Preferable basic compounds include, for example, guanidine, aminopyridine, aminoalkylpyridine, aminopyrrolidine, indazole, imidazole, pyrazole, pyrazine, pyrimidine, purine, imidazoline, pyrazoline, Furane and aminoalkyl morpholine. These may further have a substituent. Preferred examples of the substituent include amino, aminoalkyl, alkylamino, aminoaryl, arylamino, alkyl, alkoxy, acyl, acyloxy, aryl, aryloxy, nitro, hydroxyl, and cyano .

특히 바람직한 염기성 화합물로서는, 예를 들면 구아니딘, 1,1-디메틸구아니딘, 1,1,3,3,-테트라메틸구아니딘, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 4-메틸이미다졸, N-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 4,5-디페닐이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 2-아미노피리딘, 3-아미노피리딘, 4-아미노피리딘, 2-디메틸아미노피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 2-디에틸아미노피리딘, 2-(아미노메틸)피리딘, 2-아미노-3-메틸피리딘, 2-아미노-4-메틸피리딘, 2-아미노-5-메틸피리딘, 2-아미노-6-메틸피리딘, 3-아미노에틸피리딘, 4-아미노에틸피리딘, 3-아미노피롤리딘, 피페라진, N-(2-아미노에틸)피페라진, N-(2-아미노에틸)피페리딘, 4-아미노-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 4-피페리디노피페리딘, 2-이미노피페리딘, 1-(2-아미노에틸)피롤리딘, 피라졸, 3-아미노-5-메틸피라졸, 5-아미노-3-메틸-1-p-톨릴피라졸, 피라진, 2-(아미노메틸)-5-메틸피라진, 피리미딘, 2,4-디아미노피리미딘, 4,6-디히드록시피리미딘, 2-피라졸린, 3-피라졸린, N-아미노모르폴린 및 N-(2-아미노에틸)모르폴린을 들 수 있다.Particularly preferred basic compounds are, for example, guanidine, 1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, imidazole, 2-methylimidazole, 4- Aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-aminopyridine, 2-aminopyridine, 2-phenylimidazole, Amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2- Aminopyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethylpiperidine, Aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1- Amino-3-methyl-1-p-tolylpyrazole, 3-amino- Sol, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5-methylpyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N- Aminomorpholine and N- (2-aminoethyl) morpholine.

(5) 프로톤 억셉터성 관능기를 갖고, 또한 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 프로톤 억셉터성이 저하, 소실 또는 프로톤 억셉터성으로부터 산성으로 변화된 화합물을 발생하는 화합물(PA)(5) Compounds having a proton acceptor functional group and decomposed by irradiation with actinic radiation or radiation to produce a compound whose proton acceptor deteriorates, disappears or changes from proton acceptor to acidic.

본 발명에 의한 조성물은 염기성 화합물로서 프로톤 억셉터성 관능기를 갖고, 또한 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 프로톤 억셉터성이 저하, 소실 또는 프로톤 억셉터성으로부터 산성으로 변화된 화합물을 발생하는 화합물 [이하, 화합물(PA)이라고도 함]을 더 포함하고 있어도 좋다.The composition according to the present invention is a compound having a proton acceptor functional group as a basic compound and decomposed by irradiation with actinic light or radiation to generate a compound whose degradation of proton acceptor is reduced, lost or changed from proton acceptor to acidic. It may further contain [hereinafter also called a compound (PA)].

프로톤 억셉터성 관능기란 프로톤과 정전적으로 상호작용할 수 있는 기 또는 전자를 갖는 관능기로서, 예를 들면 환상 폴리에테르 등의 마크로사이클릭 구조를 갖는 관능기나, π공역에 기여하지 않는 비공유 전자쌍을 가진 질소원자를 갖는 관능기를 의미한다. π공역에 기여하지 않는 비공유 전자쌍을 갖는 질소원자란, 예를 들면 하기 일반식으로 표시되는 부분 구조를 갖는 질소원자이다.A proton acceptor functional group is a functional group having an electron or a group capable of electrostatically interacting with a proton, for example, a functional group having a macrocyclic structure such as a cyclic polyether, or a nitrogen having a non-covalent electron pair not contributing to the? It means the functional group which has an atom. The nitrogen atom which has a lone pair which does not contribute to (pi) conjugation is a nitrogen atom which has a partial structure represented by the following general formula, for example.

Figure 112010056796558-pat00062
Figure 112010056796558-pat00062

프로톤 억셉터성 관능기의 바람직한 부분 구조로서, 예를 들면 크라운에테르, 아자크라운에테르, 1~3급 아민, 피리딘, 이미다졸, 피라진 구조 등을 들 수 있다.As a preferable partial structure of a proton acceptor functional group, a crown ether, an aza crown ether, 1-3 tertiary amine, a pyridine, imidazole, a pyrazine structure, etc. are mentioned, for example.

화합물(PA)은 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 프로톤 억셉터성이 저하, 소실 또는 프로톤 억셉터성으로부터 산성으로 변화된 화합물을 발생한다. 여기에서, 프로톤 억셉터성의 저하, 소실 또는 프로톤 억셉터성으로부터 산성으로의 변화란 프로톤 억셉터성 관능기에 프로톤이 부가되는 것에 기인하는 프로톤 억셉터성의 변화이며, 구체적으로는 프로톤 억셉터성 관능기를 갖는 화합물(PA)과 프로톤으로부터 프로톤 부가체가 생성될 때, 그 화학평형에 있어서의 평형정수가 감소하는 것을 의미한다.Compound (PA) is decomposed by irradiation of actinic light or radiation to generate a compound whose degradation of proton acceptor property is reduced, lost or changed from proton acceptor property to acidity. Here, the decrease, loss, or change of proton acceptor properties from acid to proton acceptor is a change in proton acceptor due to the addition of protons to the proton acceptor functional group, specifically, a proton acceptor functional group. When a proton adduct is produced | generated from the compound (PA) and proton which it has, it means that the equilibrium constant in the chemical equilibrium is reduced.

프로톤 억셉터성은 pH 측정을 행함으로써 확인할 수 있다. The proton acceptor property can be confirmed by performing pH measurement.

본 발명에 있어서는 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 화합물(PA)이 분해되어 발생하는 화합물의 산해리 정수 pKa가 pKa<-1을 만족시키는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 -13<pKa<-1이며, 더욱 바람직하게는 -13<pKa<-3이다.In the present invention, it is preferable that the acid dissociation constant pKa of the compound generated by decomposition of compound (PA) by irradiation of actinic rays or radiation satisfies pKa <-1, more preferably -13 <pKa <-1. More preferably, it is -13 <pKa <-3.

본 발명에 있어서, 산해리 정수 pKa란 수용액 중에서의 산해리 정수 pKa를 나타내고, 예를 들면, 화학편람(II)(개정 4판, 1993년, 일본화 학회편, 마루젠 주식회사)에 기재된 것이고, 이 값이 낮을수록 산 강도가 큰 것을 나타내고 있다. 수용액 중에서의 산해리 정수 pKa는 구체적으로는 무한 희석 수용액을 사용하고, 25℃에서의 산해리 정수를 측정함으로써 실측할 수 있고, 또한 하기 소프트웨어 패키지 1을 사용해서 하멧의 치환기 정수 및 공지 문헌값의 데이타베이스에 근거한 값을 계산에 의해 구할 수도 있다. 본 명세서 중에 기재된 pKa값은 모두 이 소프트웨어 패키지를 사용하여 계산에 의해 구한 값을 나타내고 있다.In the present invention, the acid dissociation constant pKa represents an acid dissociation constant pKa in an aqueous solution, and is described in, for example, the Chemical Handbook (II) (Rev. 4, 1993, Japanese Society for Japanese Studies, Maruzen Corporation). The lower the value, the larger the acid strength. The acid dissociation constant pKa in aqueous solution can be actually measured by measuring the acid dissociation constant at 25 degreeC using an infinite dilution aqueous solution, and also the database of the substituent constant of Hammet and the well-known document value using the following software package 1 The value based on can also be obtained by calculation. All pKa values described in this specification represent values calculated by calculation using this software package.

소프트웨어 패키지 1: Advanced Chemistry Development(ACD/Labs) Software V8. 14 for Solaris(1994-2007 ACD/Labs)Software Package 1: Advanced Chemistry Development (ACD / Labs) Software V8. 14 for Solaris (1994-2007 ACD / Labs)

화합물(PA)은 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 발생하는 상기 프로톤 부가체로서, 예를 들면 하기 일반식(PA-1)으로 표시되는 화합물을 발생한다. 일반식(PA-1)으로 표시되는 화합물은 프로톤 억셉터성 관능기와 함께 산성기를 함유함으로써, 화합물(PA)과 비교해서 프로톤 억셉터성이 저하, 소실 또는 프로톤 억셉터성으로부터 산성으로 변화된 화합물이다.Compound (PA) is the proton adduct that is decomposed and generated by irradiation with actinic light or radiation, and generates a compound represented by the following general formula (PA-1), for example. The compound represented by the general formula (PA-1) is a compound which has an acidic group together with a proton acceptor functional group, thereby reducing the proton acceptor property, losing or changing from proton acceptor property to acidic acid, as compared with the compound (PA). .

Figure 112010056796558-pat00063
Figure 112010056796558-pat00063

일반식(PA-1) 중,In the general formula (PA-1)

Q는 -SO3H, -CO2H 또는 -X1NHX2Rf를 나타낸다. 여기에서, Rf는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X1 및 X2는 각각 독립적으로 -SO2- 또는 -CO-를 나타낸다.Q represents -SO 3 H, -CO 2 H or -X 1 NHX 2 R f . Here, R f represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and X 1 and X 2 each independently represent —SO 2 — or —CO—.

A는 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.A represents a single bond or a divalent linking group.

X는 -SO2- 또는 -CO-를 나타낸다.X represents -SO 2 -or -CO-.

n은 0 또는 1을 의미한다.n means 0 or 1;

B는 단일결합, 산소원자 또는 -N(Rx)Ry-를 나타낸다. Rx는 수소원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, Ry는 단일결합 또는 2가의 유기기를 나타낸다. Ry와 결합해서 환을 형성해도 좋고 또는 R과 결합해서 환을 형성해도 좋다.B represents a single bond, an oxygen atom, or -N (Rx) Ry-. Rx represents a hydrogen atom or monovalent organic group, and Ry represents a single bond or a divalent organic group. You may combine with Ry and form a ring, or you may combine with R and form a ring.

R은 프로톤 억셉터성 관능기를 갖는 1가의 유기기를 나타낸다.R represents a monovalent organic group having a proton accepting functional group.

일반식(PA-1)에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.General formula (PA-1) is demonstrated in more detail.

A에 있어서의 2가의 연결기로서는 바람직하게는 탄소수 2~12개의 2가의 연결기이며, 예를 들면 알킬렌기, 페닐렌기 등을 들 수 있다. 보다 바람직하게는 적어도 1개의 불소원자를 갖는 알킬렌기이며, 바람직한 탄소수는 2~6개, 보다 바람직하게는 탄소수 2~4개이다. 알킬렌쇄 중에 산소원자, 황원자 등의 연결기를 갖고 있어도 좋다. 알킬렌기는 특히 수소원자수의 30~100%가 불소원자로 치환된 알킬렌기가 바람직하고, Q 부위와 결합한 탄소원자가 불소원자를 갖는 것이 보다 바람직하다. 또한, 퍼플루오로알킬렌기가 바람직하고, 퍼플루오로에틸렌기, 퍼플루오로프로필렌기, 퍼플루오로부틸렌기가 보다 바람직하다.As a bivalent coupling group in A, Preferably it is a C2-C12 bivalent coupling group, For example, an alkylene group, a phenylene group, etc. are mentioned. More preferably, it is an alkylene group which has at least 1 fluorine atom, Preferable carbon number is 2-6, More preferably, it is C2-C4. You may have coupling groups, such as an oxygen atom and a sulfur atom, in an alkylene chain. The alkylene group is particularly preferably an alkylene group in which 30 to 100% of the number of hydrogen atoms is substituted with a fluorine atom, and more preferably a carbon atom bonded to a Q moiety has a fluorine atom. Further, a perfluoroalkylene group is preferable, and a perfluoroethylene group, a perfluoropropylene group, and a perfluorobutylene group are more preferable.

Rx에 있어서의 1가의 유기기로서는 바람직하게는 탄소수 1~30개이며, 예를 들면, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 알케닐기 등을 들 수 있다. 이들 기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.As monovalent organic group in Rx, Preferably it is C1-C30, For example, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkenyl group, etc. are mentioned. These groups may further have a substituent.

Rx에 있어서의 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 바람직하게는 탄소수 1~20개의 직쇄 및 분기 알킬기이며, 알킬쇄 중에 산소원자, 황원자, 질소원자를 갖고 있어도 좋다.As an alkyl group in Rx, it may have a substituent, Preferably it is a C1-C20 linear and branched alkyl group, and may have an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom in an alkyl chain.

Ry에 있어서의 2가의 유기기로서는 바람직하게는 알킬렌기를 들 수 있다. Rx와 Ry가 서로 결합해서 형성해도 좋은 환 구조로서는 질소원자를 포함하는 5~10원환, 특히 바람직하게는 6원환을 들 수 있다.As a bivalent organic group in Ry, Preferably, an alkylene group is mentioned. As a ring structure which Rx and Ry may combine with each other, the 5-10 membered ring containing a nitrogen atom, Especially preferably, a 6 membered ring is mentioned.

또한, 치환기를 갖는 알킬기로서, 특히 직쇄 또는 분기 알킬기에 시클로알킬기가 치환된 기(예를 들면, 아다만틸메틸기, 아다만틸에틸기, 시클로헥실에틸기, 캠포 잔기 등)을 들 수 있다.In addition, examples of the alkyl group having a substituent include groups in which a cycloalkyl group is substituted (for example, adamantylmethyl group, adamantylethyl group, cyclohexylethyl group, camphor residues, etc.).

Rx에 있어서의 시클로알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 바람직하게는 탄소수 3~20개의 시클로알킬기이며, 환내에 산소원자를 갖고 있어도 좋다.As a cycloalkyl group in Rx, you may have a substituent, Preferably it is a C3-C20 cycloalkyl group, and may have an oxygen atom in a ring.

Rx에 있어서의 아릴기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 바람직하게는 탄소수 6~14개의 아릴기이다.As an aryl group in Rx, you may have a substituent, Preferably it is a C6-C14 aryl group.

Rx에 있어서의 아랄킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 바람직하게는 탄소수 7~20개의 아랄킬기를 들 수 있다.As an aralkyl group in Rx, you may have a substituent, Preferably, a C7-20 aralkyl group is mentioned.

Rx에 있어서의 알케닐기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 예를 들면, Rx로서 열거한 알킬기의 임의의 위치에 2중 결합을 갖는 기를 들 수 있다.As an alkenyl group in Rx, you may have a substituent, For example, group which has a double bond in the arbitrary position of the alkyl group enumerated as Rx is mentioned.

R에 있어서의 프로톤 억셉터성 관능기란 상기한 바와 같고, 아자크라운에테르, 1~3급 아민, 피리딘이나 이미다졸이라고 하는 질소를 포함하는 복소환식 방향족 구조 등을 갖는 기를 들 수 있다.The proton acceptor functional group in R is as above-mentioned, The group which has a heterocyclic aromatic structure containing nitrogen such as aza crown ether, primary-tertiary amine, pyridine, and imidazole, etc. are mentioned.

이러한 구조를 갖는 유기기로서 바람직한 탄소수는 4~30개이며, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 알케닐기 등을 들 수 있다.As an organic group which has such a structure, preferable carbon number is 4-30, An alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkenyl group, etc. are mentioned.

R에 있어서의 프로톤 억셉터성 관능기 또는 암모늄기를 포함하는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 알케닐기에 있어서의 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 알케닐기는 상기 Rx로서 열거한 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 알케닐기와 같은 것이다.Alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, aralkyl group, alkenyl group, alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, aralkyl group, alkenyl group containing a proton accepting functional group or an ammonium group in R are alkyl groups listed as Rx. And a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group and an alkenyl group.

상기 각 기가 가져도 좋은 치환기로서는, 예를 들면 할로겐원자, 히드록실기, 니트로기, 시아노기, 카르복실기, 카르보닐기, 시클로알킬기(바람직하게는 탄소수 3~10개), 아릴기(바람직하게는 탄소수 6~14개), 알콕시기(바람직하게는 탄소수 1~10개), 아실기(바람직하게는 탄소수 2~20개), 아실옥시기(바람직하게는 탄소수 2~10개), 알콕시카르보닐기(바람직하게는 탄소수 2~20개), 아미노아실기(바람직하게는 탄소수 2~20개) 등을 들 수 있다. 아릴기, 시클로알킬기 등에 있어서의 환상 구조 및 아미노아실기에 대해서는 치환기로서는 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~20개)를 더 들 수 있다.As a substituent which each said group may have, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (preferably C3-C10), an aryl group (preferably C6-C6) ~ 14), alkoxy group (preferably 1 to 10 carbon atoms), acyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms), acyloxy group (preferably 2 to 10 carbon atoms), alkoxycarbonyl group (preferably And C2-C20), an amino acyl group (preferably C2-C20), etc. are mentioned. About a cyclic structure and an aminoacyl group in an aryl group, a cycloalkyl group, an alkyl group (preferably C1-C20) is mentioned as a substituent.

B가 -N(Rx)Ry-일 때, R과 Rx가 서로 결합해서 환을 형성하고 있는 것이 바람직하다. 환 구조를 형성함으로써 안정성이 향상되고, 이것을 사용한 조성물의 보존 안정성이 향상된다. 환을 형성하는 탄소수는 4~20개가 바람직하고, 단환식이어도 다환식이어도 좋고, 환내에 산소원자, 황원자, 질소원자를 포함하고 있어도 좋다.When B is -N (Rx) Ry-, it is preferable that R and Rx combine with each other and form the ring. Stability improves by forming ring structure, and storage stability of the composition using this improves. 4-20 carbon atoms are preferable, monocyclic or polycyclic may be sufficient as a ring, and the ring may contain the oxygen atom, the sulfur atom, and the nitrogen atom.

단환식 구조로서는 질소원자를 포함하는 4원환, 5원환, 6원환, 7원환, 8원환 등을 들 수 있다. 다환식 구조로서는 2개 또는 3개 이상의 단환식 구조의 조합으로 이루어진 구조를 들 수 있다. 단환식 구조, 다환식 구조는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 예를 들면, 할로겐원자, 히드록실기, 시아노기, 카르복실기, 카르보닐기, 시클로알킬기(바람직하게는 탄소수 3~10개), 아릴기(바람직하게는 탄소수 6~14개), 알콕시기(바람직하게는 탄소수 1~10개), 아실기(바람직하게는 탄소수 2~15개), 아실옥시기(바람직하게는 탄소수 2~15개), 알콕시카르보닐기(바람직하게는 탄소수 2~15개), 아미노아실기(바람직하게는 탄소수 2~20개) 등이 바람직하다. 아릴기, 시클로알킬기 등에 있어서의 환상 구조에 대해서는 치환기로서는 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~15개)를 더 들 수 있다. 아미노아실기에 대해서는 치환기로서 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~15개)를 더 들 수 있다.Examples of the monocyclic structure include a 4-membered ring, a 5-membered ring, a 6-membered ring, a 7-membered ring and an 8-membered ring including a nitrogen atom. As a polycyclic structure, the structure which consists of a combination of 2 or 3 or more monocyclic structures is mentioned. The monocyclic structure and the polycyclic structure may have a substituent, for example, a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (preferably 3 to 10 carbon atoms), an aryl group (preferably Is 6 to 14 carbon atoms, alkoxy group (preferably 1 to 10 carbon atoms), acyl group (preferably 2 to 15 carbon atoms), acyloxy group (preferably 2 to 15 carbon atoms), alkoxycarbonyl group (Preferably 2 to 15 carbon atoms), aminoacyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms) and the like are preferable. About the cyclic structure in an aryl group, a cycloalkyl group, an alkyl group (preferably C1-C15) is mentioned further as a substituent. About an aminoacyl group, an alkyl group (preferably C1-C15) is mentioned further as a substituent.

Q로 표시되는 -X1NHX2Rf에 있어서의 Rf로서 바람직하게는 탄소수 1~6개의 불소원자를 가져도 좋은 알킬기이며, 더욱 바람직하게는 탄소수 1~6개의 퍼플루오로알킬기이다. 또한, X1 및 X2로서는 적어도 하나가 -SO2-인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 X1 및 X2의 양쪽이 -SO2-인 경우이다.Preferably used as the R f of the NHX 1 -X 2 R f represented by Q is an alkyl group which also take the number of carbon atoms 1 to 6 fluorine atoms, more preferably alkyl groups having 1 to 6 perfluoroalkyl. Moreover, as X <1> and X <2> , it is preferable that at least one is -SO <2> -, More preferably, it is a case where both of X <1> and X <2> are -SO <2> -.

일반식(PA-1)으로 표시되는 화합물 중, Q 부위가 술폰산인 화합물은 일반적인 술폰아미드화 반응을 사용함으로써 합성될 수 있다. 예를 들면, 비스술포닐할라이드 화합물의 한쪽인 술포닐할라이드부를 선택적으로 아민 화합물과 반응시켜서 술폰아미드 결합을 형성한 후 다른 한쪽의 술포닐할라이드 부분을 가수분해하는 방법, 또는 환상 술폰산 무수물을 아민 화합물과 반응시켜 개환시키는 방법에 의해 얻을 수 있을 수 있다. Among the compounds represented by the general formula (PA-1), compounds in which the Q moiety is sulfonic acid can be synthesized by using a general sulfonamide reaction. For example, a method of selectively reacting a sulfonyl halide portion, which is one side of a bissulfonyl halide compound, with a amine compound to form a sulfonamide bond and then hydrolyzing the other sulfonyl halide moiety, or a cyclic sulfonic acid anhydride in an amine compound It can be obtained by a method of ring-opening by reacting with.

화합물(PA)은 이온성 화합물인 것이 바람직하다. 프로톤 억셉터성 관능기는 음이온부, 양이온부 중 어느 것에 포함되어 있어도 좋지만, 음이온 부위에 포함되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that compound (PA) is an ionic compound. Although a proton acceptor functional group may be contained in either an anion part or a cation part, it is preferable that it is contained in an anion part.

화합물(PA)로서 바람직하게는 하기 일반식(4)~(6)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.As a compound (PA), The compound preferably represented by following General formula (4)-(6) is mentioned.

Figure 112010056796558-pat00064
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일반식(4)~(6)에 있어서, A, X, n, B, R, Rf, X1 및 X2는 일반식(PA-1)에 있어서의 각각과 동일한 의미이다.In General Formulas (4) to (6), A, X, n, B, R, R f , X 1 and X 2 have the same meanings as those in General Formula (PA-1).

C+은 카운터 양이온을 나타낸다.C + represents a counter cation.

카운터 양이온으로서는 오늄 양이온이 바람직하다. 보다 상세하게는, 먼저 일반식(ZI)에 있어서의 S+(R201)(R202)(R203)로서 설명한 술포늄 양이온, 일반식(ZII)에 있어서의 I+(R204)(R205)로서 설명한 요오드늄 양이온을 바람직한 예로서 들 수 있다.As a counter cation, an onium cation is preferable. More specifically, the sulfonium cation first described as S + (R 201 ) (R 202 ) (R 203 ) in general formula (ZI), I + (R 204 ) (R in general formula (ZII) Iodine cation described as 205 ) is preferable.

이하, 화합물(PA)의 구체예를 나타내지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the compound (PA) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 112010056796558-pat00065
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Figure 112010056796558-pat00066
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또한, 본 발명에 있어서는 일반식(PA-1)으로 표시되는 화합물을 발생하는 화합물 이외의 화합물(PA)도 적당히 선택가능하다. 예를 들면, 이온성 화합물로서 양이온부에 프로톤 억셉터 부위를 갖는 화합물을 사용해도 좋다. 보다 구체적으로는 하기 일반식(7)으로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다.In addition, in this invention, compound (PA) other than the compound which produces the compound represented by general formula (PA-1) can also be selected suitably. For example, you may use the compound which has a proton acceptor site | part as a ionic compound. More specifically, the compound etc. which are represented by following General formula (7) are mentioned.

Figure 112010056796558-pat00073
Figure 112010056796558-pat00073

식 중, A는 황원자 또는 요오드원자를 나타낸다.In the formula, A represents a sulfur atom or an iodine atom.

m은 1 또는 2를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타낸다. 단, A가 황원자일 때 m+n=3, A가 요오드원자일 때 m+n=2이다.m represents 1 or 2, and n represents 1 or 2. However, when A is a sulfur atom, m + n = 3, and when A is an iodine atom, m + n = 2.

R은 아릴기를 나타낸다.R represents an aryl group.

RN은 프로톤 억셉터성 관능기로 치환된 아릴기를 나타낸다.R N represents an aryl group substituted by a proton acceptor functional group.

X-은 카운터 음이온을 나타낸다.X represents a counter anion.

X-의 구체예로서는 상술한 일반식(ZI)에 있어서의 X-와 같은 것을 들 수 있다. X - Specific examples of X in the above-mentioned general formula (ZI) - may be mentioned, such as.

R 및 RN의 아릴기의 구체예로서는 페닐기를 바람직하게 들 수 있다. Specific examples of the aryl group of R and R N examples include preferably a phenyl group.

RN이 갖는 프로톤 억셉터성 관능기의 구체예로서는 상술한 식(PA-1)에서 설명한 프로톤 억셉터성 관능기와 같다.As a specific example of the proton accepting functional group which R N has, it is the same as the proton accepting functional group demonstrated by Formula (PA-1) mentioned above.

본 발명의 조성물에 있어서, 화합물(PA)의 조성물 전체 중의 배합률은 전 고형분 중 0.1~10질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1~8질량%이다.In the composition of this invention, 0.1-10 mass% is preferable in all solid content, and, as for the compounding ratio in the whole composition of compound (PA), More preferably, it is 1-8 mass%.

기타, 본 발명에 의한 조성물에 사용가능한 것으로서 일본 특허공개 2002-363146호 공보의 실시예에서 합성되어 있는 화합물, 및 일본 특허공개 2007-298569호 공보의 단락 0108에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.In addition, the compound synthesize | combined by the Example of Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-363146, the compound of Paragraph 0108 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-298569, etc. are mentioned as usable for the composition by this invention.

또한, 염기성 화합물로서 감광성의 염기성 화합물을 사용해도 좋다. 감광성의 염기성 화합물로서는, 예를 들면 일본 특허공표 2003-524799호 공보, 및 J.Photopolym.Sci & Tech.Vol.8, p.543-553(1995) 등에 기재된 화합물을 사용할 수 있다.Further, as the basic compound, a photosensitive basic compound may be used. As a photosensitive basic compound, the compound as described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-524799, VIII. Photopolym. Sci & Tech. Vol. 8, p.543-553 (1995) etc. can be used, for example.

염기성 화합물의 분자량은 통상은 100~1500이며, 바람직하게는 150~1300이며, 보다 바람직하게는 200~1000이다.The molecular weight of a basic compound is 100-1500 normally, Preferably it is 150-1300, More preferably, it is 200-1000.

이들 염기성 화합물은 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.These basic compounds may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

본 발명에 의한 조성물이 염기성 화합물을 포함하고 있을 경우, 그 함유량은 조성물의 전 고형분을 기준으로 하여 0.01~8.0질량%인 것이 바람직하고, 0.1~5.0질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.2~4.0질량%인 것이 특히 바람직하다.When the composition by this invention contains a basic compound, it is preferable that it is 0.01-8.0 mass% on the basis of the total solid of a composition, It is more preferable that it is 0.1-5.0 mass%, It is 0.2-4.0 mass Particularly preferred is%.

염기성 화합물의 광산발생제에 대한 몰비는 바람직하게는 0.01~10으로 하고, 보다 바람직하게는 0.05~5로 하고, 더욱 바람직하게는 0.1~3으로 한다. 이 몰비를 과도하게 크게 하면, 감도 및/또는 해상도가 저하하는 경우가 있다. 이 몰비를 과도하게 작게 하면, 노광과 가열(포스트베이킹) 사이에 있어서, 패턴의 두꺼워짐이 발생할 가능성이 있다. 보다 바람직하게는 0.05~5, 더욱 바람직하게는 0.1~3이다.The molar ratio of the basic compound to the photoacid generator is preferably 0.01 to 10, more preferably 0.05 to 5, still more preferably 0.1 to 3. If the molar ratio is excessively large, sensitivity and / or resolution may decrease. If the molar ratio is made excessively small, there is a possibility that a thickening of the pattern may occur between exposure and heating (post baking). More preferably, it is 0.05-5, More preferably, it is 0.1-3.

(계면활성제)(Surfactants)

본 발명에 의한 조성물은 계면활성제를 더 포함하고 있어도 좋다. 이 계면활성제로서는 불소계 및/또는 규소계 계면활성제가 특히 바람직하다. The composition according to the present invention may further contain a surfactant. As the surfactant, fluorine-based and / or silicon-based surfactants are particularly preferable.

불소계 및/또는 규소계 계면활성제로서는, 예를 들면 Dainippon Ink & Chemicals, Inc. 제품의 Megaface F176 및 Megaface R08, OMNOVA 제품의 PF656 및 PF6320, Troy Chemical 제품의 Troysol S-366, Sumitomo 3M Inc. 제품의 Florad FC430, 및 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제품의 폴리실록산 폴리머 KP-341을 들 수 있다.As the fluorine-based and / or silicon-based surfactant, for example, Dainippon Ink & Chemicals, Inc. Megaface F176 and Megaface R08 from OMNOVA, PF656 and PF6320 from OMNOVA, Troysol S-366 from Troy Chemical, Sumitomo 3M Inc. Products of Florad FC430, and Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. The polysiloxane polymer KP-341 of a product is mentioned.

불소계 및/또는 규소계 이외의 계면활성제를 사용해도 좋다. 이 계면활성제로서는, 예를 들면 폴리옥시에틸렌알킬에테르류 및 폴리옥시에틸렌알킬아릴에테르류 등의 비이온계 계면활성제를 들 수 있다.You may use surfactant other than a fluorine type and / or a silicon type. As this surfactant, nonionic surfactant, such as polyoxyethylene alkyl ethers and polyoxyethylene alkylaryl ethers, is mentioned, for example.

기타, 공지의 계면활성제를 적당히 사용할 수 있다. 사용가능한 계면활성제로서는, 예를 들면 미국 특허 2008/0248425A 1호 명세서의 [0273] 이후에 기재된 계면활성제를 들 수 있다.In addition, well-known surfactant can be used suitably. As the surfactant that can be used, for example, the surfactants described after the specification of US Patent 2008 / 0248425A No. 1 may be mentioned.

계면활성제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Surfactant may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

본 발명에 의한 조성물이 계면활성제를 더 포함하고 있을 경우, 그 사용량은 조성물의 전 고형분을 기준으로 하여 바람직하게는 0.0001~2질량%로 하고, 보다 바람직하게는 0.001~1질량%로 한다.When the composition according to the present invention further contains a surfactant, the amount thereof is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 1% by mass, based on the total solids of the composition.

(염료)(dyes)

본 발명에 의한 조성물은 염료를 더 포함하고 있어도 좋다.The composition according to the present invention may further contain a dye.

적합한 염료로서는, 예를 들면 유성 염료 및 염기성 염료를 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 오일 옐로우 #101, 오일 옐로우 #103, 오일 핑크 #312, 오일 그린 BG, 오일 블루 BOS, 오일 블루 #603, 오일 블랙 BY, 오일 블랙 BS 및 오일 블랙 T-505(이상, Orient Chemical Industries Co., Ltd. 제품) 및 크리스탈 바이올렛(CI42555), 메틸 바이올렛(CI42535), 로다민 B(CI45170B), 말라카이트 그린(CI42000) 및 메틸렌 블루(CI52015)를 들 수 있다.Suitable dyes include, for example, oily dyes and basic dyes. Specifically, for example, oil yellow # 101, oil yellow # 103, oil pink # 312, oil green BG, oil blue BOS, oil blue # 603, oil black BY, oil black BS and oil black T-505 (more And Orient Chemical Industries Co., Ltd.) and crystal violet (CI42555), methyl violet (CI42535), rhodamine B (CI45170B), malachite green (CI42000) and methylene blue (CI52015).

(광염기 발생제)(Photobase generator)

본 발명에 의한 조성물은 광염기 발생제를 더 포함하고 있어도 좋다. 광염기 발생제를 함유시키면, 더욱 양호한 패턴을 형성하는 것이 가능해진다.The composition according to the present invention may further contain a photobase generator. By containing a photobase generator, it becomes possible to form a more favorable pattern.

광염기 발생제로서는, 예를 들면 일본 특허공개 평 4-151156호, 동 4-162040호, 동 5-197148호, 동 5-5995호, 동 6-194834호, 동 8-146608호, 동 10-83079호, 및 유럽 특허 622682호에 기재된 화합물을 들 수 있다. 바람직한 광염기 발생제로서는 구체적으로는 2-니트로벤질카르바메이트, 2,5-디니트로벤질시클로헥실카르바메이트, N-시클로헥실-4-메틸페닐슬폰아미드 및 1,1-디메틸-2-페닐에틸-N-이소프로필카르바메이트를 들 수 있다.As a photobase generator, For example, Unexamined-Japanese-Patent No. 4-151156, 4-162040, 5-197148, 5-5995, 6-194834, 8-146608, 10 -83079 and the compounds described in European Patent 622682. Preferred photobase generators are specifically 2-nitrobenzylcarbamate, 2,5-dinitrobenzylcyclohexylcarbamate, N-cyclohexyl-4-methylphenylsulfamide and 1,1-dimethyl-2-phenyl Ethyl-N-isopropylcarbamate.

(산화 방지제)(Antioxidant)

본 발명에 의한 조성물은 산화 방지제를 더 포함하고 있어도 좋다. 산화 방지제를 함유시키면, 산소의 존재 하에 있어서의 유기재료의 산화를 억제하는 것이 가능해진다.The composition according to the present invention may further contain an antioxidant. When antioxidant is contained, it becomes possible to suppress oxidation of the organic material in presence of oxygen.

산화 방지제로서는, 예를 들면 페놀계 산화 방지제, 유기산 유도체로 이루어진 산화 방지제, 황함유 산화 방지제, 인계 산화 방지제, 아민계 산화 방지제, 아민-알데히드 축합물로 이루어진 산화 방지제, 및 아민-케톤 축합물로 이루어진 산화 방지제를 들 수 있다. 이들 산화 방지제 중, 페놀계 산화 방지제 및 유기산 유도체로 이루어진 산화 방지제를 사용하는 것이 특히 바람직하다. 이렇게 하면, 조성물의 성능을 저하시키는 일 없이 산화 방지제로서의 기능을 발현시킬 수 있다.Examples of the antioxidant include phenolic antioxidants, antioxidants composed of organic acid derivatives, sulfur-containing antioxidants, phosphorus antioxidants, amine antioxidants, antioxidants consisting of amine-aldehyde condensates, and amine-ketone condensates. The antioxidant which consisted of these is mentioned. It is especially preferable to use the antioxidant which consists of a phenolic antioxidant and organic acid derivative among these antioxidants. In this way, the function as an antioxidant can be expressed, without reducing the performance of a composition.

페놀계 산화 방지제로서는, 예를 들면 치환 페놀류, 또는 비스, 트리스 또는 폴리페놀류를 사용할 수 있다.As the phenolic antioxidant, for example, substituted phenols or bis, tris or polyphenols can be used.

치환 페놀류로서는, 예를 들면 1-옥시-3-메틸-4-이소프로필벤젠, 2,6-디-tert-부틸페놀, 2,6-디-tert-부틸-4-에틸페놀, 2,6-디-tert-부틸-4-메틸페놀, 4-히드록시메틸-2,6-디-tert-부틸페놀, 부틸히드록시아니솔, 2-(1-메틸시클로헥실)-4,6-디메틸페놀, 2,4-디메틸-6-tert-부틸페놀, 2-메틸-4,6-디노닐페놀, 2,6-디-tert-부틸-α-디메틸아미노-p-크레졸, 6-(4-히드록시-3,5-디-tert-부틸아닐리노) 2,4-비스·옥틸-티오-1,3,5-트리아진, n-옥타데실-3-(4'-히드록시-3',5'-디-tert-부틸·페닐)프로피오네이트, 옥틸화 페놀, 아랄킬 치환 페놀류, 알킬화-p-크레졸, 및 힌더드 페놀을 들 수 있다.Examples of the substituted phenols include 1-oxy-3-methyl-4-isopropylbenzene, 2,6-di-tert-butylphenol, 2,6-di-tert-butyl-4-ethylphenol and 2,6 -Di-tert-butyl-4-methylphenol, 4-hydroxymethyl-2,6-di-tert-butylphenol, butylhydroxyanisole, 2- (1-methylcyclohexyl) -4,6-dimethyl Phenol, 2,4-dimethyl-6-tert-butylphenol, 2-methyl-4,6-dinonylphenol, 2,6-di-tert-butyl-α-dimethylamino-p-cresol, 6- (4 -Hydroxy-3,5-di-tert-butylanilino) 2,4-bisoctyl-thio-1,3,5-triazine, n-octadecyl-3- (4'-hydroxy-3 ', 5'-di-tert-butylphenyl) propionate, octylated phenol, aralkyl substituted phenols, alkylated p-cresols, and hindered phenols.

비스, 트리스 또는 폴리페놀류로서는, 예를 들면 4,4'-디히드록시디페닐, 메틸렌비스(디메틸-4,6-페놀), 2,2'-메틸렌-비스-(4-메틸-6-tert-부틸페놀), 2,2'-메틸렌-비스-(4-메틸-6-시클로헥실·페놀), 2,2'-메틸렌-비스-(4-에틸-6-tert-부틸페놀), 4,4'-메틸렌-비스-(2,6-디-tert-부틸페놀), 2,2'-메틸렌-비스-(6-알파메틸-벤질-p-크레졸), 메틸렌 가교한 다가 알킬페놀, 4,4'-부틸리덴비스-(3-메틸-6-tert-부틸페놀), 1,1-비스-(4-히드록시페닐)-시클로헥산, 2,2'-디히드록시-3,3'-디-(α-메틸시클로헥실)-5,5'-디메틸디페닐메탄, 알킬화 비스페놀, 힌더드 비스페놀, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 트리스-(2-메틸-4-히드록시-5-tert-부틸페닐)부탄, 및 테트라키스-[메틸렌-3-(3',5'-디-tert-부틸-4'-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄을 들 수 있다.Examples of the bis, tris or polyphenols include 4,4'-dihydroxydiphenyl, methylenebis (dimethyl-4,6-phenol), 2,2'-methylene-bis- (4-methyl-6- tert-butylphenol), 2,2'-methylene-bis- (4-methyl-6-cyclohexyl phenol), 2,2'-methylene-bis- (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 4,4'-methylene-bis- (2,6-di-tert-butylphenol), 2,2'-methylene-bis- (6-alphamethyl-benzyl-p-cresol), methylene crosslinked polyvalent alkylphenol , 4,4'-butylidenebis- (3-methyl-6-tert-butylphenol), 1,1-bis- (4-hydroxyphenyl) -cyclohexane, 2,2'-dihydroxy- 3,3'-di- (α-methylcyclohexyl) -5,5'-dimethyldiphenylmethane, alkylated bisphenol, hindered bisphenol, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3, 5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, tris- (2-methyl-4-hydroxy-5-tert-butylphenyl) butane, and tetrakis- [methylene-3- (3 ', 5'-di-tert-butyl-4'-hydroxyphenyl) propionate] methane.

산화 방지제로서는 바람직하게는 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀, 4-히드록시메틸-2,6-디-t-부틸페놀, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 부틸히드록시아니솔, t-부틸히드로퀴논, 2,4,5-트리히드록시부티로페논, 노르디히드로구아이아레트산, 갈산 프로필, 갈산 옥틸, 갈산 라우릴, 및 시트르산 이소프로필을 들 수 있다. 이들 중, 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀, 4-히드록시메틸-2,6-디-t-부틸페놀, 부틸히드록시아니솔, t-부틸히드로퀴논이 보다 바람직하고, 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀 또는 4-히드록시메틸-2,6-디-t-부틸페놀이 더욱 바람직하다.As antioxidant, Preferably, 2, 6- di-t- butyl- 4-methyl phenol, 4-hydroxymethyl- 2, 6- di-t- butyl phenol, 2, 2'- methylenebis (4-methyl- 6-t-butylphenol), butylhydroxyanisole, t-butylhydroquinone, 2,4,5-trihydroxybutyrophenone, nordihydroguaiaretic acid, propyl gallate, octyl gallate, lauryl gallate And isopropyl citrate. Among these, 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 4-hydroxymethyl-2,6-di-t-butylphenol, butylhydroxyanisole and t-butylhydroquinone are more preferable, More preferred are 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol or 4-hydroxymethyl-2,6-di-t-butylphenol.

산화 방지제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Antioxidant may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

본 발명에 의한 조성물에 산화 방지제를 함유시킬 경우, 그 첨가량은 바람직하게는 1ppm 이상으로 하고, 보다 바람직하게는 5ppm 이상으로 하고, 더욱 바람직하게는 10ppm 이상으로 하고, 더욱 더 바람직하게는 50ppm 이상으로 하고, 특히 바람직하게는 100ppm 이상으로 하고, 가장 바람직하게는 100~1000ppm으로 한다.In the case of containing the antioxidant in the composition according to the present invention, the amount of addition is preferably 1 ppm or more, more preferably 5 ppm or more, still more preferably 10 ppm or more, even more preferably 50 ppm or more. Especially preferably, it is 100 ppm or more, Most preferably, it is 100-1000 ppm.

(용제)(solvent)

본 발명에 의한 조성물은 용제를 더 포함하고 있어도 좋다.The composition by this invention may contain the solvent further.

이 용제로서는 전형적으로는 유기용제를 사용한다. 이 유기용제로서는, 예를 들면 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 카르복실레이트, 알킬렌글리콜 모노알킬에테르, 락트산 알킬에스테르, 알콕시프로피온산 알킬, 환상 락톤(바람직하게는 탄소수 4~10개), 환을 함유하고 있어도 좋은 모노케톤 화합물(바람직하게는 탄소수 4~10개), 알킬렌카보네이트, 알콕시아세트산 알킬 및 피루브산 알킬을 들 수 있다.As this solvent, the organic solvent is used typically. Examples of the organic solvent include alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates, alkylene glycol monoalkyl ethers, lactic acid alkyl esters, alkyl alkoxypropionates, cyclic lactones (preferably having 4 to 10 carbon atoms) and rings. Monoketone compounds (preferably having 4 to 10 carbon atoms), alkylene carbonates, alkyl alkoxyacetic acid and alkyl pyruvate.

알킬렌글리콜 모노알킬에테르 카르복실레이트로서는, 예를 들면 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA; 별명 1-메톡시-2-아세톡시프로판), 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 프로피오네이트, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 프로피오네이트, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트를 바람직하게 들 수 있다.Examples of the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates include propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA; alias 1-methoxy-2-acetoxy propane), propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, Propylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, ethylene glycol monomethyl ether acetate and ethylene glycol monoethyl ether acetate are preferable.

알킬렌글리콜 모노알킬에테르로서는, 예를 들면 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME; 별명 1-메톡시-2-프로판올), 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 및 에틸렌글리콜 모노에틸에테르를 들 수 있다.As alkylene glycol monoalkyl ether, for example, propylene glycol monomethyl ether (PGME; alias 1-methoxy-2-propanol), propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol Monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether.

락트산 알킬에스테르로서는, 예를 들면 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필 및 락트산 부틸을 들 수 있다.As lactic acid alkyl ester, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactic acid, and butyl lactate are mentioned, for example.

알콕시프로피온산 알킬로서는, 예를 들면 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 메틸 및 3-메톡시프로피온산 에틸을 들 수 있다.Examples of the alkyl alkoxypropionate include ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-methoxypropionate.

환상 락톤으로서는, 예를 들면 β-프로피오락톤, β-부티로락톤, γ-부티로락톤, α-메틸-γ-부티로락톤, β-메틸-γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, γ-카프로락톤, γ-옥타노익 락톤 및 α-히드록시-γ-부티로락톤을 들 수 있다.As the cyclic lactone, there may be mentioned, for example,? -Propiolactone,? -Butyrolactone,? -Butyrolactone,? -Methyl-? -Butyrolactone,? -Methyl-? -Butyrolactone,? -Valerolactone ,? -caprolactone,? -octanoic lactone and? -hydroxy-? -butyrolactone.

환을 함유하고 있어도 좋은 모노케톤 화합물로서는, 예를 들면 2-부타논, 3-메틸부타논, 피나콜론, 2-펜타논, 3-펜타논, 3-메틸-2-펜타논, 4-메틸-2-펜타논, 2-메틸-3-펜타논, 4,4-디메틸-2-펜타논, 2,4-디메틸-3-펜타논, 2,2,4,4-테트라메틸-3-펜타논, 2-헥사논, 3-헥사논, 5-메틸-3-헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 2-메틸-3-헵타논, 5-메틸-3-헵타논, 2,6-디메틸-4-헵타논, 2-옥타논, 3-옥타논, 2-노나논, 3-노나논, 5-노나논, 2-데카논, 3-데카논, 4-데카논, 5-헥세-2-논, 3-펜테-2-논, 시클로펜타논, 2-메틸시클로펜타논, 3-메틸시클로펜타논, 2,2-디메틸시클로펜타논, 2,4,4-트리메틸시클로펜타논, 시클로헥사논, 3-메틸시클로헥사논, 4-메틸시클로헥사논, 4-에틸시클로헥사논, 2,2-디메틸시클로헥사논, 2,6-디메틸시클로헥사논, 2,2,6-트리메틸시클로헥사논, 시클로헵타논, 2-메틸시클로헵타논 및 3-메틸시클로헵타논을 들 수 있다.As a monoketone compound which may contain the ring, for example, 2-butanone, 3-methylbutanone, pinacolone, 2-pentanone, 3-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 4-methyl 2-pentanone, 2-methyl-3-pentanone, 4,4-dimethyl-2-pentanone, 2,4-dimethyl-3-pentanone, 2,2,4,4-tetramethyl-3- Pentanone, 2-hexanone, 3-hexanone, 5-methyl-3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 2-methyl-3-heptanone, 5-methyl- 3-heptanone, 2,6-dimethyl-4-heptanone, 2-octanone, 3-octanone, 2-nonanone, 3-nonanone, 5-nonanone, 2-decanone, 3-decanone , 4-decanone, 5-hexe-2-one, 3-penten-2-one, cyclopentanone, 2-methylcyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, 2,2-dimethylcyclopentanone, 2 , 4,4-trimethylcyclopentanone, cyclohexanone, 3-methylcyclohexanone, 4-methylcyclohexanone, 4-ethylcyclohexanone, 2,2-dimethylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclo Hexanon, 2,2,6-trimethylcyclohexanone, cycloheptanone, 2-methylcyclo There may be mentioned heptanone and 3-methyl-bicyclo-heptanone.

알킬렌카보네이트로서는, 예를 들면 프로필렌카보네이트, 비닐렌카보네이트, 에틸렌카보네이트 및 부틸렌카보네이트를 들 수 있다.Examples of the alkylene carbonate include propylene carbonate, vinylene carbonate, ethylene carbonate, and butylene carbonate.

알콕시아세트산 알킬로서는, 예를 들면 아세트산-2-메톡시에틸, 아세트산-2-에톡시에틸, 아세트산-2-(2-에톡시에톡시)에틸, 아세트산-3-메톡시-3-메틸부틸, 및 아세트산-1-메톡시-2-프로필을 들 수 있다.Examples of the alkyl alkoxyacetate include 2-methoxyethyl acetate, 2-ethoxyethyl acetate, 2- (2-ethoxyethoxy) ethyl acetate, 3-methoxy- And acetic acid-1-methoxy-2-propyl.

피루브산 알킬로서는, 예를 들면 피루브산 메틸, 피루브산 에틸 및 피루브산 프로필을 들 수 있다.The alkyl pyruvate includes, for example, methyl pyruvate, ethyl pyruvate and pyruvic acid.

용제로서는 상온상압하에 있어서의 비점이 130℃ 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면 시클로펜타논, γ-부티로락톤, 시클로헥사논, 락트산 에틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 아세테이트, PGMEA, 3-에톡시프로피온산 에틸, 피루브산 에틸, 아세트산-2-에톡시에틸, 아세트산-2-(2-에톡시에톡시)에틸 및 프로필렌카보네이트를 들 수 있다.As a solvent, it is preferable to use what has a boiling point of 130 degreeC or more under normal temperature and normal pressure. Specifically, for example, cyclopentanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, ethyl lactate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, PGMEA, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl pyruvate, 2-ethoxyethyl acetate And acetic acid-2- (2-ethoxyethoxy) ethyl and propylene carbonate.

이들 용제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 혼합해서 사용해도 좋다. 후자의 경우, 히드록실기를 포함하는 용제와 히드록실기를 포함하고 있지 않은 용제의 혼합 용제를 사용하는 것이 바람직하다.These solvents may be used individually by 1 type, and may mix and use two or more types. In the latter case, it is preferable to use a mixed solvent of a solvent containing a hydroxyl group and a solvent not containing a hydroxyl group.

히드록실기를 포함하는 용제로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜, PGME, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 및 락트산 에틸 등을 들 수 있다. 이들 중, PGME 및 락트산 에틸이 특히 바람직하다.As a solvent containing a hydroxyl group, ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, PGME, propylene glycol monoethyl ether, ethyl lactate, etc. are mentioned, for example. Of these, PGME and ethyl lactate are particularly preferred.

히드록실기를 포함하고 있지 않은 용제로서는, 예를 들면 PGMEA, 에틸에톡시프로피오네이트, 2-헵타논, γ-부티로락톤, 시클로헥사논, 아세트산 부틸, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드 등을 들 수 있고, 이들 중에서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 에틸에톡시프로피오네이트, 2-헵타논, γ-부티로락톤, 시클로헥사논 및 아세트산 부틸을 들 수 있다. 이들 중, PGMEA, 에틸에톡시프로피오네이트 및 2-헵타논이 특히 바람직하다.Examples of the solvent not containing a hydroxyl group include PGMEA, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, etc. are mentioned, Among them, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxy propionate, 2-heptanone, (gamma) -butyrolactone, cyclohexanone, and butyl acetate are mentioned. Can be. Among these, PGMEA, ethyl ethoxy propionate and 2-heptanone are particularly preferable.

히드록실기를 포함하는 용제와 히드록실기를 포함하고 있지 않은 용제의 혼합 용제를 사용할 경우, 이들의 질량비는 바람직하게는 1/99~99/1로 하고, 보다 바람직하게는 10/90~90/10으로 하고, 더욱 바람직하게는 20/80~60/40으로 한다.When using the mixed solvent of the solvent containing a hydroxyl group and the solvent not containing a hydroxyl group, these mass ratio becomes like this. Preferably it is 1 / 99-99 / 1, More preferably, it is 10 / 90-90 It is / 10, More preferably, it is 20/80-60/40.

또한, 히드록실기를 포함하고 있지 않은 용제를 50질량% 이상 포함하는 혼합 용제를 사용하면, 특히 우수한 도포 균일성을 달성할 수 있다. 또한, 용제는 PGMEA와 다른 1종 이상의 용제의 혼합 용제인 것이 특히 바람직하다.Moreover, especially the outstanding coating uniformity can be achieved when using the mixed solvent which contains 50 mass% or more of solvents which do not contain a hydroxyl group. In addition, the solvent is particularly preferably a mixed solvent of PGMEA and at least one other solvent.

<패턴형성방법>&Lt; Pattern formation method >

본 발명에 의한 조성물은 전형적으로는 이하와 같이 해서 사용된다. 즉, 본 발명에 의한 조성물은 전형적으로는 기판 등의 지지체 상에 도포되어서 막을 형성한다.The composition according to the present invention is typically used as follows. That is, the composition according to the present invention is typically applied onto a support such as a substrate to form a film.

이 막의 두께는 0.02~0.1㎛가 바람직하다. 기판 상에 도포하는 방법으로서는 스핀 도포가 바람직하고, 그 회전수는 1000~3000rpm이 바람직하다. As for the thickness of this film | membrane, 0.02-0.1 micrometer is preferable. As a method of apply | coating on a board | substrate, spin coating is preferable and the rotation speed of 1000-3000 rpm is preferable.

이 조성물은, 예를 들면 정밀 집적회로 소자의 제조 등에 사용되는 기판(예:규소/이산화규소 피복, 질화규소 및 크롬 증착된 석영기판 등) 상에 스피너 및 코터 등을 사용해서 도포된다. 그 후, 이것을 건조시키고, 감활성광선성 또는 감방사선성 막(이하, 감광성 막이라고도 함)을 형성한다. 또한, 공지의 반사 방지막을 미리 도포할 수도 있다.This composition is applied, for example, using a spinner, a coater, or the like on a substrate (for example, silicon / silicon dioxide coating, silicon nitride, chromium-deposited quartz substrate, etc.) used in the manufacture of precision integrated circuit devices. Thereafter, this is dried to form an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film (hereinafter also referred to as photosensitive film). In addition, a known antireflection film may be applied in advance.

다음에, 상기 감광성 막에 활성광선 또는 방사선을 조사하고, 바람직하게는 베이킹(통상 80~150℃, 보다 바람직하게는 90~130℃)을 행한 후, 현상한다. 베이킹을 행함으로써 더욱 양호한 패턴을 얻는 것이 가능해진다.Next, actinic light or a radiation is irradiated to the said photosensitive film, Preferably it bakes (80-150 degreeC normally, More preferably, it is 90-130 degreeC), and develops. By baking, a better pattern can be obtained.

활성광선 또는 방사선으로서는, 예를 들면 적외광, 가시광, 자외광, 원자외광, X선, 및 전자선을 들 수 있다. 이들 활성광선 또는 방사선으로서는, 예를 들면 250nm 이하, 특히는 220nm 이하의 파장을 갖는 것이 보다 바람직하다. 이러한 활성광선 또는 방사선으로서는, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm), F2 엑시머 레이저(157nm), X선, 및 전자선을 들 수 있다. 바람직한 활성광선 또는 방사선으로서는, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저, 전자선, X선 및 EUV광을 들 수 있다.Examples of the active light or radiation include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-rays, and electron beams. As these actinic rays or radiation, it is more preferable to have a wavelength of 250 nm or less, especially 220 nm or less. Examples of such active light or radiation include KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157 nm), X-rays, and electron beams. Preferable examples of the active ray or radiation include KrF excimer laser, electron beam, X-ray and EUV light.

현상 공정에서는 통상 알칼리 현상액을 사용한다.In the developing step, an alkaline developer is usually used.

알칼리 현상액으로서는, 예를 들면 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨 및 암모니아수 등의 무기 알칼리류, 에틸아민 및 n-프로필아민 등의 제 1 아민류, 디에틸아민 및 디-n-부틸아민 등의 제 2 아민류, 트리에틸아민 및 메틸디에틸아민 등의 제 3 아민류, 디메틸에탄올아민 및 트리에탄올아민 등의 알콜 아민류, 테트라메틸암모늄히드록시드 및 테트라에틸암모늄히드록시드 등의 제 4 급 암모늄염, 또는 피롤 및 피페리딘 등의 환상 아민류를 포함하는 알칼리성 수용액을 들 수 있다.Examples of the alkaline developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and aqueous ammonia, first amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine and di-n. 2nd amines, such as butylamine, 3rd amines, such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines, such as dimethylethanolamine and triethanolamine, agent, such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide And alkaline aqueous solutions containing cyclic amines such as quaternary ammonium salts or pyrrole and piperidine.

알칼리 현상액에는 적당량의 알콜류 및/또는 계면활성제를 첨가해도 좋다.An appropriate amount of alcohols and / or surfactants may be added to the alkaline developer.

알칼리 현상액의 농도는 통상은 0.1~20질량%이다. 알칼리 현상액의 pH는 통상은 10.0~15.0이다.The density | concentration of alkaline developing solution is 0.1-20 mass% normally. PH of alkaline developing solution is 10.0-15.0 normally.

또한, 본 발명에 의한 조성물을 사용해서 임프린트용 몰드를 작성할 경우의 프로세스의 상세에 대해서는, 예를 들면 일본 특허 제 4109085호 공보, 일본 특허공개 2008-162101호 공보, 및 「나노임프린트의 기와 기술개발·응용 전개-나노임프린트의 기판기술과 최신의 기술전개-편집: 히라이 요시히코(Frontier 출판)」을 참조할 수 있다.In addition, about the detail of the process at the time of making the mold for imprinting using the composition by this invention, For example, Unexamined-Japanese-Patent No. 4109085, Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-162101, and "Tiling technology development of nanoimprint, for example. Application Development-Nanoimprint Substrate Technology and Latest Technology Development-Hirai Yoshihiko (Frontier Publishing).

<<실시예>><< Example >>

이하, 본 발명의 형태를 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명의 내용이 이것에 의해 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although the form of this invention is demonstrated in more detail by an Example, the content of this invention is not limited by this.

(제 1 실시형태)(First Embodiment)

<수지><Resin>

[합성예 1-1: 수지 A-14]Synthesis Example 1-1 Resin A-14

수지 A-14를 하기의 스킴에 따라서 합성했다.Resin A-14 was synthesized according to the following scheme.

Figure 112010056796558-pat00074
Figure 112010056796558-pat00074

25.00g의 화합물(1)에 225g의 무수 아세트산과 105.09g의 피리딘을 가하고, 실온에서 12시간 교반했다. 이것을 0℃까지 냉각하고, 증류수를 가하여 고체를 석출시켰다. 여과해서 고체를 인출하고, 1000mL의 1 규정 염산을 가하고, 실온에서 30분 교반했다. 그 후, 얻어진 고체를 여과에 의해 인출했다. 이 고체에 증류수 1000mL을 가하고, 실온에서 30분 교반한 후, 여과하여 고체를 인출했다. 얻어진 고체를 아세트산 에틸에 용해시키고, 무수 황산 마그네슘을 사용해서 건조시킨 후 용매를 증류제거하여 25.00g의 화합물(2)을 얻었다. 225 g of acetic anhydride and 105.09 g of pyridine were added to 25.00 g of Compound (1), followed by stirring at room temperature for 12 hours. This was cooled to 0 ° C, distilled water was added to precipitate a solid. Filtration took out the solid, 1000 mL of 1 N hydrochloric acid was added, and it stirred at room temperature for 30 minutes. Then, the obtained solid was taken out by filtration. 1000 mL of distilled water was added to this solid, and after stirring at room temperature for 30 minutes, it filtered and extracted the solid. The obtained solid was dissolved in ethyl acetate, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain 25.00 g of Compound (2).

25.00g의 화합물(2)을 288g의 톨루엔에 용해시켰다. 얻어진 용액에 22.08g의 N,N-디메틸포름아미드디-tert-부틸아세탈을 실온에서 15분에 걸쳐서 적하했다. 가열 환류 하에서 9시간 교반한 후 여과를 행했다. 얻어진 여액에 1 규정 수산화 나트륨 수용액을 가했다. 아세트산 에틸을 사용한 추출을 3회 행하고, 얻어진 유기층에 증류수를 첨가해서 세정하고, 무수 황산 마그네슘으로 건조시킨 후, 용매를 증류제거하여 9.5g의 화합물(3)을 얻었다.25.00 g of compound (2) was dissolved in 288 g of toluene. 22.08 g of N, N-dimethylformamide di-tert-butylacetal was added dropwise to the obtained solution at room temperature over 15 minutes. After stirring for 9 hours under reflux, the mixture was filtered. 1 N sodium hydroxide aqueous solution was added to the obtained filtrate. Extraction using ethyl acetate was performed three times. Distilled water was added to the obtained organic layer, the mixture was washed, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain 9.5 g of Compound (3).

9.5g의 화합물(3)을 85g의 메탄올에 용해시켰다. 얻어진 용액에 6.88g의 탄산 칼륨을 첨가하고, 실온에서 3시간 교반했다. 용매를 증류제거해서 얻어진 고체를 85g의 아세톤에 용해시켰다. 얻어진 용액에 6.88g의 탄산 칼륨과 6.08g의 클로로메틸스티렌을 가하고, 가열 환류하에서 4시간 교반했다. 반응액을 여과하고, 얻어진 여액에 포함된 용매를 증류제거시켰다. 이것에 아세트산 에틸을 첨가하고, 유기층을 증류수로 3회 세정하고, 무수 황산 마그네슘으로 건조시키고, 용매를 증류제거시켰다. 얻어진 고체를 헥산을 사용해서 3회 세정한 후 여과를 행했다. 얻어진 고체를 건조시켜서 5.82g의 화합물(4)을 얻었다.9.5 g of compound (3) was dissolved in 85 g of methanol. 6.88 g of potassium carbonate was added to the obtained solution, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. The solid obtained by distilling off the solvent was dissolved in 85 g of acetone. 6.88 g of potassium carbonate and 6.08 g of chloromethyl styrene were added to the obtained solution, and the mixture was stirred for 4 hours under reflux. The reaction solution was filtered, and the solvent contained in the obtained filtrate was distilled off. Ethyl acetate was added thereto, the organic layer was washed three times with distilled water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off. The obtained solid was washed three times with hexane and then filtered. The obtained solid was dried to obtain 5.82 g of compound (4).

13.79g의 p-아세톡시스티렌과 5.41g의 화합물(4)과 1.38g의 중합 개시제 V-601(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제품)을 61.40g의 PGMEA에 용해시켰다. 반응 용기 중에 15.4g의 PGMEA를 넣고, 질소 가스 분위기하에서 85℃의 계 중에 4시간에 걸쳐서 적하했다. 적하 후, 2시간 가열 교반한 후 반응 용액을 실온까지 방냉했다. 상기 반응액에 31.98g의 메탄올 및 1.54g의 나트륨메톡시드(28% 메탄올 용액)를 첨가하고, 실온에서 3시간 교반했다. 1 규정 염산을 가하여 산성으로 하고, 아세트산 에틸을 가하고, 유기층을 증류수로 3회 세정하고, 용매를 증류제거시켰다. 70g의 아세톤을 가하여 용해시키고, 800g의 헥산/아세트산 에틸=8/2 중에 적하하여 폴리머를 침전시켰다. 이것을 여과하고, 200g의 헥산/아세트산 에틸=8/2를 사용해서 세정하고, 감압 건조하여 11.38g의 수지 A-14를 얻었다.13.79 g of p-acetoxystyrene, 5.41 g of compound (4) and 1.38 g of polymerization initiator V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were dissolved in 61.40 g of PGMEA. 15.4 g of PGMEA was put in a reaction vessel, and it was dripped over 4 hours in 85 degreeC system in nitrogen gas atmosphere. After dripping and stirring for 2 hours, the reaction solution was cooled to room temperature. 31.98 g of methanol and 1.54 g of sodium methoxide (28% methanol solution) were added to the reaction solution, followed by stirring at room temperature for 3 hours. 1 N hydrochloric acid was added to make acid, ethyl acetate was added, the organic layer was washed three times with distilled water, and the solvent was distilled off. 70 g of acetone was added to dissolve and the mixture was dropped in 800 g of hexane / ethyl acetate = 8/2 to precipitate a polymer. This was filtered, washed with 200 g of hexane / ethyl acetate = 8/2, and dried under reduced pressure to obtain 11.38 g of Resin A-14.

이 수지 A-14에 대해서 GPC(TOSHO CO., INC. 제품; HLC-8120; Tsk gel Multipore HXL-M)를 사용해서 중량 평균 분자량(Mw) 및 분산도(Mw/Mn)를 측정했다. 그 결과를 하기 표 1에 나타낸다. 또한, 이 GPC 측정에서는 용매로서 THF를 사용했다. About this resin A-14, the weight average molecular weight (Mw) and dispersion degree (Mw / Mn) were measured using GPC (made by TOSHO CO., INC .; HLC-8120; Tsk gel Multipore HXL-M). The results are shown in Table 1 below. In this GPC measurement, THF was used as the solvent.

[합성예 1-2: 수지 A-11]Synthesis Example 1-2: Resin A-11

수지 A-11을 하기의 스킴에 따라서 합성했다.Resin A-11 was synthesized according to the following scheme.

Figure 112010056796558-pat00075
Figure 112010056796558-pat00075

50.00g의 화합물(6)에 280.00g의 N-메틸피롤리돈, 47.64g의 p-클로로메틸스티렌과 51.77g의 탄산 칼륨을 가하고, 80℃에서 5시간에 걸쳐서 가열 교반했다. 실온까지 방냉한 후, 이것을 3L의 증류수에 쏟고, 생성된 고체를 여과에 의해 인출했다. 이것에 아세톤을 첨가하고, 여과에 의해 고체를 제거하고, 여액의 용매를 증류제거했다. 디이소프로필에테르를 가하고, 여과에 의해 고체를 제거하고, 여액의 용매를 증류제거했다. 재차 디이소프로필에테르를 가하고, 여과에 의해 고체를 제거하고, 여액의 용매를 증류제거했다. 이것에 아세톤을 첨가하고, 증류수에 적하하고, 여과하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 감압 건조하여 33.78g의 화합물(7)을 얻었다.280.00 g of N-methylpyrrolidone, 47.64 g of p-chloromethylstyrene, and 51.77 g of potassium carbonate were added to 50.00 g of Compound (6), and the mixture was heated and stirred at 80 ° C for 5 hours. After cooling to room temperature, this was poured into 3 L of distilled water, and the resulting solid was taken out by filtration. Acetone was added to this, the solid was removed by filtration, and the solvent of the filtrate was distilled off. Diisopropyl ether was added, the solid was removed by filtration, and the solvent of the filtrate was distilled off. Diisopropyl ether was added again, the solid was removed by filtration, and the solvent of the filtrate was distilled off. Acetone was added to this, it was dripped at distilled water, and it filtered and obtained solid. The resulting solid was dried under reduced pressure to obtain 33.78 g of compound (7).

10.00g의 화합물(7)에 57.00g의 N-메틸피롤리돈과, 10.21g의 화합물(8)과, 7.50g의 탄산 칼륨을 가하고, 80℃에서 4시간에 걸쳐서 가열 교반했다. 이것을 실온까지 방냉하고, 아세트산 에틸을 가하고, 유기층을 증류수로 3회 세정하고, 무수 황산 마그네슘으로 건조시키고, 용매를 증류제거시켰다. 컬럼 크로마토그래피(헥산/아세트산 에틸)로 정제를 행하여 13.08g의 화합물(9)을 얻었다.57.00 g of N-methylpyrrolidone, 10.21 g of Compound (8), and 7.50 g of potassium carbonate were added to 10.00 g of Compound (7), followed by heating and stirring at 80 ° C over 4 hours. The mixture was allowed to cool to room temperature, ethyl acetate was added, the organic layer was washed three times with distilled water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off. Purification by column chromatography (hexane / ethyl acetate) gave 13.08 g of Compound (9).

이하, 화합물(4) 대신에 화합물(9)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일하게 하여 화합물(10) 및 수지 A-11을 얻었다. Hereinafter, the compound (10) and the resin A-11 were obtained like Example 1-1 except having used the compound (9) instead of the compound (4).

이 수지 A-11에 대해서, 먼저 합성예 1-1에 있어서 설명한 것과 같은 평가를 행했다. 그 결과를 하기 표 1에 나타낸다.About this resin A-11, the same evaluation as previously demonstrated in the synthesis example 1-1 was performed. The results are shown in Table 1 below.

[합성예 1-3: 기타 수지]Synthesis Example 1-3: Other Resin

수지 A-1~A-10, A-12, A-13, 및 A-15~A-33의 각각을 합성예 1-1 및 1-2에서 설명한 것과 동일하게 해서 합성했다. 또한, 이들 수지를 합성예 1-1 및 1-2에서 설명한 것과 동일하게 해서 평가했다. Each of resins A-1 to A-10, A-12, A-13, and A-15 to A-33 was synthesized in the same manner as described in Synthesis Examples 1-1 and 1-2. In addition, these resins were evaluated in the same manner as those described in Synthesis Examples 1-1 and 1-2.

하기 표 1에 수지 A-1~A-33의 중량 평균 분자량, 조성비 및 분산도를 정리한다.The weight average molecular weight, composition ratio, and dispersion degree of resin A-1-A-33 are put together in following Table 1.

Figure 112010056796558-pat00076
Figure 112010056796558-pat00076

대조를 위해서, 이하의 비교 화합물 C-1~C-3을 준비했다.For comparison, the following comparative compounds C-1 to C-3 were prepared.

Figure 112010056796558-pat00077
Figure 112010056796558-pat00077

몰 조성비 65/35, 중량 평균 분자량 15000, 분산도 1.55Molar composition ratio 65/35, weight average molecular weight 15000, dispersion degree 1.55

Figure 112010056796558-pat00078
Figure 112010056796558-pat00078

몰 조성비 60/40, 중량 평균 분자량 10000, 분산도 1.40Molar composition ratio 60/40, weight average molecular weight 10000, dispersion degree 1.40

Figure 112010056796558-pat00079
Figure 112010056796558-pat00079

몰 조성비 42/45/13, 중량 평균 분자량 6000, 분산도 1.50Molar composition ratio 42/45/13, weight average molecular weight 6000, dispersion degree 1.50

<광산발생제>&Lt;

광산발생제로서는 먼저 열거한 B-1~B-120 중 어느 하나를 사용했다.As the photo-acid generator, any of B-1 to B-120 listed above was used.

<염기성 화합물>&Lt; Basic compound >

염기성 화합물로서는 하기 N-1~N-7 중 어느 하나를 사용했다. 또한, N-7은 상술한 화합물(PA)에 해당한다.As the basic compound, any one of the following N-1 to N-7 was used. In addition, N-7 corresponds to the compound (PA) mentioned above.

Figure 112010056796558-pat00080
Figure 112010056796558-pat00080

[합성예 1-4: 화합물 N-7]Synthesis Example 1-4 Compound N-7

일본 특허 공개 2006-330098호 공보의 [0354]에 근거하여 화합물 N-7을 합성했다.Compound N-7 was synthesized based on Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-330098.

<계면활성제><Surfactant>

계면활성제로서는 하기 W-1~W-4 중 어느 하나를 사용했다.As the surfactant, any one of the following W-1 to W-4 was used.

W-1: Megaface R08(Dainippon Ink & Chemicals, Inc. 제품; 불소 및 규소계)W-1: Megaface R08 (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc .; fluorine and silicon based)

W-2: 폴리실록산 폴리머 KP-341(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제품; 규소계)W-2: Polysiloxane polymer KP-341 (product of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., silicon system)

W-3: Troysol S-366(Troy Chemical 제품; 불소계)W-3: Troysol S-366 from Troy Chemical; Fluorine

W-4: PF6320(OMNOVA 제품; 불소계)W-4: PF6320 (product of OMNOVA; fluorine-based)

<용제><Solvent>

용제로서는 하기 S-1~S-4 중 어느 하나를 적당히 혼합해서 사용했다.As a solvent, any one of following S-1-S-4 was mixed and used suitably.

S-1: PGMEA(b.p.=146℃)S-1: PGMEA (b.p. = 146 DEG C)

S-2: PGME(b.p.=120℃)S-2: PGME (b.p. = 120 ° C)

S-3: 락트산 메틸(b.p.=145℃)S-3: Methyl lactate (b.p. = 145 ° C)

S-4: 시클로헥사논(b.p.=157℃)S-4: cyclohexanone (b.p. = 157 degreeC)

<레지스트 평가(EB)>Resist Evaluation (EB)

하기 표 2에 나타내는 각 성분을 동 표에 나타내는 용제에 용해시켜서 고형분 농도가 3.0질량%인 용액을 조제했다. 이 용액을 포어 사이즈 0.1㎛의 폴리테트라플루오로에틸렌 필터를 사용해서 여과하여 포지티브형 레지스트 용액을 얻었다.Each component shown in following Table 2 was melt | dissolved in the solvent shown in the same table, and the solution whose solid content concentration is 3.0 mass% was prepared. This solution was filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.1 mu m to obtain a positive resist solution.

표 2 중에 나타낸 「질량%」의 수치는 조성물의 전 고형분을 기준으로 하는 값이다. 또한, 계면활성제의 사용량은 전 고형분 농도에 대하여 0.01질량%이다.The numerical value of the "mass%" shown in Table 2 is a value based on the total solid of a composition. In addition, the usage-amount of surfactant is 0.01 mass% with respect to total solid concentration.

헥사메틸디실라잔 처리를 실시한 규소 기판 상에 스핀 코터를 사용하여 상기 포지티브형 레지스트 용액을 도포했다. 이것을 110℃에서 90초간에 걸쳐서 핫플레이트 상에서 가열 건조시켜 평균 막두께가 100nm인 레지스트막을 얻었다.The positive resist solution was applied onto a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater. This was heated to dry on a hot plate at 110 ° C. for 90 seconds to obtain a resist film having an average film thickness of 100 nm.

[감도, 패턴 형상, 러프니스 특성 및 고립 패턴 해상성][Sensitivity, Pattern Shape, Roughness Characteristics, and Isolation Pattern Resolution]

이 레지스트막에 대하여 전자선 조사 장치(Hitachi, Ltd. 제품의 HL750; 가속 전압 50keV)를 사용해서 전자선 조사를 행했다. 조사 후 즉시, 130℃에서 90초간에 걸쳐서 핫플레이트 상에서 가열했다. 그 후, 농도 2.38질량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 사용하여 23℃에서 60초간 현상하고, 30초간 순수를 사용해서 린스한 후 건조시켰다. 이것에 의해, 라인 앤드 스페이스 패턴(라인:스페이스=1:1) 또는 고립 라인 패턴(라인:스페이스=1:>100)을 형성했다.This resist film was irradiated with an electron beam using an electron beam irradiation apparatus (HL750 manufactured by Hitachi, Ltd .; an acceleration voltage of 50 keV). Immediately after irradiation, it was heated on a hotplate at 130 ° C. for 90 seconds. Then, it developed for 60 second at 23 degreeC using the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of 2.38 mass% of concentration, and rinsed with pure water for 30 second, and dried. As a result, a line-and-space pattern (line: space = 1: 1) or an isolated line pattern (line: space = 1:> 100) was formed.

(감도)(Sensitivity)

우선, 얻어진 라인 앤드 스페이스 패턴의 단면 형상을 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품의 S-4800)을 사용해서 관찰했다. 그리고, 100nm의 선폭의 라인을 해상할 때의 최소 조사 에너지를 구하고, 이 값을 「감도(μC/㎠)」라고 했다.First, the cross-sectional shape of the obtained line and space pattern was observed using the scanning electron microscope (S-4800 by Hitachi, Ltd.). And the minimum irradiation energy at the time of resolving a line of 100 nm line width was calculated | required, and this value was called "sensitivity (microC / cm <2>)".

(패턴 형상)(Pattern shape)

상기 감도를 나타내는 조사량에 있어서의 100nm 라인 패턴(라인:스페이스=1:1)의 단면 형상을 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품의 S-4800)을 사용해서 관찰했다. 그리고, 그 형상을 「직사각형」또는 「테이퍼」의 2단계로 평가했다.The cross-sectional shape of the 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) in the irradiation amount which shows the said sensitivity was observed using the scanning electron microscope (S-4800 by Hitachi, Ltd.). Then, the shape was evaluated in two stages of "rectangle" or "taper".

(러프니스 특성: 라인 엣지 러프니스(LER))(Roughness characteristic: line edge roughness (LER))

상기 100nm 라인 패턴(라인:스페이스=1:1)을 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품의 S-9260)을 사용해서 관찰했다. 그리고, 그 길이방향 50㎛에 포함되는 등간격의 30점에 대해서 엣지가 있어야 할 기준선과 실제의 엣지 사이의 거리를 측정했다. 그리고, 이 거리의 표준편차를 구하고, 3σ을 산출했다. 그리고, 이 3σ을 「LER(nm)」이라고 했다.The above 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) was observed using a scanning electron microscope (S-9260, Hitachi, Ltd.). And the distance between the reference line which should have an edge and an actual edge was measured about 30 points of equal intervals contained in the 50 micrometers of longitudinal directions. Then, the standard deviation of this distance was calculated, and 3σ was calculated. And this 3σ was called "LER (nm)."

(고립 패턴의 해상성; 해상력)(Resolution of isolation pattern; resolution)

상기 감도를 나타내는 조사량에 있어서의 고립 패턴(라인:스페이스=1:>100)의 한계 해상력(라인과 스페이스가 분리 해상되는 최소 선폭)을 구했다. 그리고, 이 값을 「해상력(nm)」이라고 했다.The limit resolution (the minimum line width at which the line and the space are resolved separately) of the isolation pattern (line: space = 1:> 100) in the irradiation dose indicating the sensitivity was obtained. And this value was called "resolution (nm)."

<에칭 내성><Etching Resistance>

웨이퍼 상에 막두께 200nm의 포지티브형 레지스트막을 형성한 후, C4F6(20mL/min)과 O2(40mL/min)의 혼합 가스를 사용하고, 온도 23℃의 조건에서 30초간에 걸쳐서 플라즈마 에칭을 행했다. 그 후, 잔막량을 구하고, 에칭 속도를 산출했다. 그리고, 이하의 판정 기준에 근거하여 에칭 내성을 평가했다.After forming a positive resist film with a film thickness of 200 nm on the wafer, plasma was mixed for 30 seconds under a temperature of 23 ° C. using a mixed gas of C 4 F 6 (20 mL / min) and O 2 (40 mL / min). Etching was performed. Thereafter, the amount of the remaining film was determined, and the etching rate was calculated. And etching resistance was evaluated based on the following criteria.

(판정 기준)(Criteria)

○(양호): 에칭 속도가 15Å/초 미만인 경우○ (good): when the etching rate is less than 15 s / sec

×(불충분): 에칭 속도가 15Å/초 이상인 경우× (insufficient): when the etching rate is 15 kV / sec or more

이들의 평가 결과를 하기 표 2에 나타낸다.These evaluation results are shown in Table 2 below.

Figure 112010056796558-pat00081
Figure 112010056796558-pat00081

표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예의 조성물은 비교예의 조성물과 비교하여 감도, 패턴 형상, LER, 고립 패턴의 해상성 및 에칭 내성의 모두에 있어서 우수하였다.As shown in Table 2, the composition of the Example was excellent in all of the sensitivity, pattern shape, LER, resolution of the isolated pattern, and etching resistance compared with the composition of the comparative example.

<레지스트 평가(EUV)>&Lt; Resist evaluation (EUV) >

하기 표 3에 나타내는 각 성분을 동 표에 나타내는 용제에 용해시켜서 고형분 농도가 3.0질량%인 용액을 조제했다. 이 용액을 포어 사이즈 0.1㎛의 폴리테트라플루오로에틸렌 필터를 사용해서 여과하여 포지티브형 레지스트 용액을 얻었다.Each component shown in following Table 3 was melt | dissolved in the solvent shown in the same table, and the solution whose solid content concentration is 3.0 mass% was prepared. This solution was filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.1 mu m to obtain a positive resist solution.

표 3 중에 나타낸 「질량%」의 수치는 조성물의 전 고형분을 기준으로 하는 값이다. 또한, 계면활성제의 사용량은 전 고형분 농도에 대하여 0.01질량%이다.The numerical value of "mass%" shown in Table 3 is a value based on the total solid of a composition. In addition, the usage-amount of surfactant is 0.01 mass% with respect to total solid concentration.

헥사메틸디실라잔 처리를 실시한 규소 기판 상에 스핀 코터를 사용하여 상기 포지티브형 레지스트 용액을 도포했다. 이것을 120℃에서 90초간에 걸쳐서 핫플레이트 상에서 가열 건조시켜 평균 막두께가 100nm인 레지스트막을 얻었다.The positive resist solution was applied onto a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater. This was heat-dried on a hotplate at 120 degreeC for 90 second, and the resist film which has an average film thickness of 100 nm was obtained.

[감도, 패턴 형상 및 러프니스 특성][Sensitivity, pattern shape, and roughness characteristics]

이 레지스트막에 대하여 EUV노광 장치를 사용해서 EUV광을 조사했다. 조사 후 즉시, 130℃에서 90초간에 걸쳐서 핫플레이트 상에서 가열했다. 그 후, 농도 2.38질량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 사용하여 23℃에서 60초간 현상하고, 30초간 순수를 사용해서 린스한 후 건조시켰다. 이것에 의해, 라인 앤드 스페이스 패턴(라인:스페이스=1:1)을 형성했다.This resist film was irradiated with EUV light using an EUV exposure apparatus. Immediately after irradiation, it was heated on a hotplate at 130 ° C. for 90 seconds. Then, it developed for 60 second at 23 degreeC using the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of 2.38 mass% of concentration, and rinsed with pure water for 30 second, and dried. As a result, a line and space pattern (line: space = 1: 1) was formed.

(감도)(Sensitivity)

우선, 얻어진 라인 앤드 스페이스 패턴의 단면 형상을 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품의 S-4800)을 사용해서 관찰했다. 그리고, 100nm의 선폭의 라인을 해상할 때의 최소조사 에너지를 구하고, 이 값을 「감도(mJ/㎠)」라고 했다.First, the cross-sectional shape of the obtained line and space pattern was observed using the scanning electron microscope (S-4800 by Hitachi, Ltd.). And the minimum irradiation energy at the time of resolving the line of 100 nm line width was calculated | required, and this value was called "sensitivity (mJ / cm <2>)".

(패턴 형상)(Pattern shape)

상기 감도를 나타내는 조사량에 있어서의 100nm 라인 패턴(라인:스페이스=1:1)의 단면 형상을 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품의 S-4800)을 사용해서 관찰했다. 그리고, 그 형상을 「직사각형」또는 「테이퍼」의 2단계로 평가했다.The cross-sectional shape of the 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) in the irradiation amount which shows the said sensitivity was observed using the scanning electron microscope (S-4800 by Hitachi, Ltd.). Then, the shape was evaluated in two stages of "rectangle" or "taper".

(러프니스 특성: LER)(Roughness characteristic: LER)

상기 100nm 라인 패턴(라인:스페이스=1:1)을 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품의 S-9260)을 사용해서 관찰했다. 그리고, 그 길이방향 50㎛에 포함되는 등간격의 30점에 대해서 엣지가 있어야 할 기준선과 실제의 엣지 사이의 거리를 측정했다. 그리고, 이 거리의 표준편차를 구하고, 3σ을 산출했다. 그리고, 이 3σ을 「LER(nm)」이라고 했다.The above 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) was observed using a scanning electron microscope (S-9260, Hitachi, Ltd.). And the distance between the reference line which should have an edge and an actual edge was measured about 30 points of equal intervals contained in the 50 micrometers of longitudinal directions. Then, the standard deviation of this distance was calculated, and 3σ was calculated. And this 3σ was called "LER (nm)."

이들의 평가 결과를 하기 표 3에 나타낸다.These evaluation results are shown in Table 3 below.

Figure 112010056796558-pat00082
Figure 112010056796558-pat00082

표 3에 나타낸 바와 같이, 실시예의 조성물은 비교예의 조성물과 비교하여 감도, 패턴 형상 및 LER의 모두에 있어서 우수하였다.As shown in Table 3, the composition of the Example was excellent in all of a sensitivity, a pattern shape, and LER compared with the composition of a comparative example.

(제 2 실시형태)(Second Embodiment)

<수지><Resin>

이하와 같이 하여 먼저 열거한 수지 P-1~P-41을 합성했다.Resin P-1-P-41 enumerated first was synthesize | combined as follows.

[합성예 2-1: 수지 P-14]Synthesis Example 2-1 Resin P-14

수지 P-14를 하기의 스킴에 따라서 합성했다.Resin P-14 was synthesized according to the following scheme.

Figure 112010056796558-pat00083
Figure 112010056796558-pat00083

<화합물(4)의 합성><Synthesis of Compound (4)>

25.00g의 화합물(1)에 225g의 무수 아세트산과 105.09g의 피리딘을 가하고, 실온에서 12시간 교반했다. 이것을 0℃까지 냉각하고, 증류수를 가하여 고체를 석출시켰다. 여과해서 고체를 인출하고, 1000mL의 1 규정 염산을 가하고, 실온에서 30분 교반했다. 그 후, 얻어진 고체를 여과에 의해 인출했다. 이 고체에 증류수 1000mL를 가하고, 실온에서 30분 교반한 후 여과하여 고체를 인출했다. 얻어진 고체를 아세트산 에틸에 용해시키고, 무수 황산 마그네슘을 사용해서 건조시킨 후, 용매를 증류제거하여 25.00g의 화합물(2)을 얻었다. 225 g of acetic anhydride and 105.09 g of pyridine were added to 25.00 g of Compound (1), followed by stirring at room temperature for 12 hours. This was cooled to 0 ° C, distilled water was added to precipitate a solid. Filtration took out the solid, 1000 mL of 1 N hydrochloric acid was added, and it stirred at room temperature for 30 minutes. Then, the obtained solid was taken out by filtration. 1000 mL of distilled water was added to this solid, and after stirring at room temperature for 30 minutes, it filtered and extracted the solid. The obtained solid was dissolved in ethyl acetate and dried using anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain 25.00 g of Compound (2).

25.00g의 화합물(2)을 288g의 톨루엔에 용해시켰다. 얻어진 용액에 22.08g의 N,N-디메틸포름아미드디-tert-부틸아세탈을 실온에서 15분에 걸쳐서 적하했다. 가열 환류하에서 9시간 교반한 후 여과를 행했다. 얻어진 여액에 1 규정 수산화 나트륨 수용액을 가했다. 아세트산 에틸을 사용한 추출을 3회 행하고, 얻어진 유기층에 증류수를 첨가해서 세정하고, 무수 황산 마그네슘으로 건조시킨 후, 용매를 증류제거하여 9.5g의 화합물(3)을 얻었다. 25.00 g of compound (2) was dissolved in 288 g of toluene. 22.08 g of N, N-dimethylformamide di-tert-butylacetal was added dropwise to the obtained solution at room temperature over 15 minutes. After heating for 9 hours under reflux, the mixture was filtered. 1 N sodium hydroxide aqueous solution was added to the obtained filtrate. Extraction using ethyl acetate was performed three times. Distilled water was added to the obtained organic layer, the mixture was washed, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain 9.5 g of Compound (3).

9.5g의 화합물(3)을 85g의 메탄올에 용해시켰다. 얻어진 용액에 6.88g의 탄산 칼륨을 첨가하고, 실온에서 3시간 교반했다. 용매를 증류제거해서 얻어진 고체를 85g의 아세톤에 용해시켰다. 얻어진 용액에 6.88g의 탄산 칼륨과 6.08g의 클로로메틸스티렌을 가하고, 가열 환류하에서 4시간 교반했다. 반응액을 여과하고, 얻어진 여액에 포함되는 용매를 증류제거시켰다. 이것에 아세트산 에틸을 첨가하고, 유기층을 증류수로 3회 세정하고, 무수 황산 마그네슘으로 건조시키고, 용매를 증류제거시켰다. 얻어진 고체를 헥산을 사용해서 3회 세정한 후 여과를 행했다. 얻어진 고체를 건조시켜서 5.82g의 화합물(4)을 얻었다.9.5 g of compound (3) was dissolved in 85 g of methanol. 6.88 g of potassium carbonate was added to the obtained solution, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. The solid obtained by distilling off the solvent was dissolved in 85 g of acetone. 6.88 g of potassium carbonate and 6.08 g of chloromethyl styrene were added to the obtained solution, and the mixture was stirred for 4 hours under reflux. The reaction solution was filtered, and the solvent contained in the obtained filtrate was distilled off. Ethyl acetate was added thereto, the organic layer was washed three times with distilled water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off. The obtained solid was washed three times with hexane and then filtered. The obtained solid was dried to obtain 5.82 g of compound (4).

<화합물(9)의 합성><Synthesis of Compound (9)>

100.00g의 화합물(5)을 400g의 아세트산 에틸에 용해시켰다. 얻어진 용액을 0℃로 냉각하고, 47.60g의 나트륨메톡시드(28% 메탄올 용액)를 30분에 걸쳐서 적하했다. 그 후, 이것을 실온에서 5시간에 걸쳐서 교반했다. 반응 용액에 아세트산 에틸을 첨가하고, 유기층을 증류수로 3회 세정한 후, 무수 황산 나트륨으로 건조하고, 용매를 증류제거했다. 이렇게 하여, 화합물(6)(54% 아세트산 에틸 용액) 131.70g을 얻었다.100.00 g of compound (5) was dissolved in 400 g of ethyl acetate. The obtained solution was cooled to 0 degreeC, and 47.60g sodium methoxide (28% methanol solution) was dripped over 30 minutes. Then, this was stirred at room temperature over 5 hours. Ethyl acetate was added to the reaction solution, the organic layer was washed three times with distilled water, dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was distilled off. Thus, 131.70 g of compound (6) (54% ethyl acetate solution) was obtained.

18.52g의 화합물(6)(54% 아세트산 에틸 용액)에 56.00g의 아세트산 에틸을 첨가했다. 이것에 31.58g의 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로프로판-1,3-디술포닐디플루오라이드를 가하고, 0℃로 냉각했다. 12.63g의 트리에틸아민을 25.00g의 아세트산 에틸에 용해시킨 용액을 30분에 걸쳐서 적하하고, 액체 온도를 0℃로 유지한 채 4시간에 걸쳐서 교반했다. 아세트산 에틸을 가하고, 유기층을 포화 식염수로 3회 세정한 후, 무수 황산 나트륨으로 건조하고, 용매를 증류제거했다. 이렇게 하여, 32.90g의 화합물(7)을 얻었다.To 18.52 g of compound 6 (54% ethyl acetate solution), 56.00 g of ethyl acetate was added. 31.58 g of 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropane-1,3-disulfonyldifluoride was added thereto and cooled to 0 ° C. The solution which melt | dissolved 12.63 g of triethylamine in 25.00 g of ethyl acetate was dripped over 30 minutes, and it stirred over 4 hours, maintaining liquid temperature at 0 degreeC. Ethyl acetate was added, the organic layer was washed three times with saturated brine, dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was distilled off. Thus, 32.90 g of compound (7) was obtained.

35.00g의 화합물(7)을 315g의 메탄올에 용해시키고, 0℃로 냉각하고, 245g의 1 규정 수산화 나트륨 수용액을 가하고, 실온에서 2시간 교반했다. 용매를 증류제거한 후, 아세트산 에틸을 가하고, 유기층을 포화 식염수로 3회 세정한 후, 무수 황산 나트륨으로 건조하고, 용매를 증류제거했다. 이렇게 하여, 34.46g의 화합물(8)을 얻었다.35.00 g of compound (7) was dissolved in 315 g of methanol, cooled to 0 ° C, 245 g of 1 N sodium hydroxide aqueous solution was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. After the solvent was distilled off, ethyl acetate was added, the organic layer was washed three times with saturated brine, dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was distilled off. Thus, 34.46 g of Compound (8) was obtained.

28.25g의 화합물(8)을 254.25g의 메탄올에 용해시키고, 23.34g의 트리페닐술포늄브로마이드를 가하고, 실온에서 3시간 교반했다. 용매를 증류제거하여 증류수를 가하고, 클로로포름으로 3회 추출했다. 얻어진 유기층을 증류수로 3회 세정한 후 용매를 증류제거했다. 이렇게 하여, 42.07g의 화합물(9)을 얻었다.28.25 g of compound (8) was dissolved in 254.25 g of methanol, 23.34 g of triphenylsulfonium bromide was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. The solvent was distilled off, distilled water was added, and the mixture was extracted three times with chloroform. The solvent was distilled off after wash | cleaning the obtained organic layer three times with distilled water. Thus, 42.07 g of compound (9) was obtained.

<수지(P-14)의 합성><Synthesis of Resin (P-14)>

54.36g의 p-히드록시스티렌(53.1% 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 용액)과, 16.22g의 화합물(4)과, 10.15g의 화합물(9)과, 4.84g의 중합 개시제 V-601(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제품)을 77.53g의 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME)에 용해시켰다. 반응 용기 중에 25.76g의 PGME를 넣고, 질소 가스 분위기하에서 85℃의 계 중에 4시간에 걸쳐서 적하했다. 반응 용액을 2시간에 걸쳐서 가열 교반한 후, 이것을 실온까지 방냉했다. 54.36 g of p-hydroxystyrene (53.1% propylene glycol monomethyl ether solution), 16.22 g of compound (4), 10.15 g of compound (9), and 4.84 g of polymerization initiator V-601 (Wako Pure Chemical) Industries, Ltd.) was dissolved in 77.53 g of propylene glycol monomethyl ether (PGME). 25.76 g of PGME was added to the reaction vessel, and it was dripped over 4 hours in 85 degreeC system in nitrogen gas atmosphere. After stirring and heating the reaction solution over 2 hours, this was cooled to room temperature.

상기 반응 용액을 92g의 아세톤을 첨가함으로써 희석했다. 희석한 용액을 2800g의 헥산/아세트산 에틸=8/2 중에 적하하여 폴리머를 침전시키고 여과했다. 700g의 헥산/아세트산 에틸=8/2을 사용하여 여과된 고체에 뿌리면서 세정을 행했다. 얻어진 고체를 100g의 아세톤에 용해시키고, 1000g의 메탄올/증류수=1/9 중에 적하하여 폴리머를 침전시키고 여과했다. 250g의 메탄올/증류수=1/9를 사용하여 여과한 고체에 뿌리면서 세정을 행했다. 그 후, 세정후의 고체를 감압 건조에 제공하여 16.56g의 수지 P-14를 얻었다.The reaction solution was diluted by adding 92 g of acetone. The diluted solution was added dropwise into 2800 g of hexane / ethyl acetate = 8/2 to precipitate the polymer and to filter. The washing was carried out while spraying the filtered solid with 700 g of hexane / ethyl acetate = 8/2. The obtained solid was dissolved in 100 g of acetone, and added dropwise into 1000 g of methanol / distilled water = 1/9 to precipitate the polymer and filter. The washing was performed while sprinkling on a solid filtered using 250 g of methanol / distilled water = 1/9. Thereafter, the washed solid was subjected to drying under a reduced pressure to obtain 16.56 g of Resin P-14.

이 수지 P-14에 대해서, GPC(TOSHO CO.,INC. 제품; HLC-8120; Tsk gel Multipore HXL-M)를 사용해서 중량 평균 분자량(Mw) 및 분산도(Mw/Mn)를 측정했다. 그 결과를 하기 표 4에 나타낸다. 또한, 이 GPC 측정에서는 용매로서 THF를 사용했다.About this resin P-14, the weight average molecular weight (Mw) and dispersion degree (Mw / Mn) were measured using GPC (made by TOSHO CO., INC .; HLC-8120; Tsk gel Multipore HXL-M). The results are shown in Table 4 below. In this GPC measurement, THF was used as the solvent.

[합성예 2-2: 기타 수지]Synthesis Example 2-2: Other Resin

수지 P-1~P-13 및 P-15~P-41의 각각을 합성예 2-1에서 설명한 것과 동일하게 해서 합성했다. 또한, 이들 수지를 합성예 2-1에서 설명한 것과 동일하게 해서 평가했다. 하기 표 4에 수지 P-1~P-41의 중량 평균 분자량, 조성비 및 분산도를 정리한다.Each of resins P-1 to P-13 and P-15 to P-41 was synthesized in the same manner as described in Synthesis Example 2-1. In addition, these resins were evaluated in the same manner as described in Synthesis Example 2-1. The weight average molecular weight, composition ratio, and dispersion degree of resin P-1-P-41 are put together in following Table 4.

Figure 112010056796558-pat00084
Figure 112010056796558-pat00084

대조를 위해서, 제 1 실시형태에 의한 실시예에 있어서 사용한 것과 같은 비교 화합물 C-1~C-3을 준비했다. 또한, 제 1 실시형태에 의한 실시예에 있어서 사용한 것과 같은 광산발생제, 염기성 화합물, 계면활성제 및 용제를 준비했다.For comparison, comparative compounds C-1 to C-3 as used in the examples according to the first embodiment were prepared. Moreover, the photoacid generator, basic compound, surfactant, and solvent which were used in the Example by 1st Embodiment were prepared.

<레지스트 평가(EB)>Resist Evaluation (EB)

하기 표 5에 나타내는 각 성분을 동 표에 나타내는 용제에 용해시켜서 고형분 농도가 3.0질량%인 용액을 조제했다. 이 용액을 포어 사이즈 0.1㎛의 폴리테트라플루오로에틸렌 필터를 사용해서 여과하여 포지티브형 레지스트 용액을 얻었다.Each component shown in following Table 5 was melt | dissolved in the solvent shown in the same table, and the solution whose solid content concentration is 3.0 mass% was prepared. This solution was filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.1 mu m to obtain a positive resist solution.

표 5중에 나타낸 「질량%」의 수치는 조성물의 전 고형분을 기준으로 하는 값이다. 또한, 계면활성제의 사용량은 전 고형분 농도에 대하여 0.01질량%이다.The numerical value of "mass%" shown in Table 5 is a value based on the total solid of a composition. In addition, the usage-amount of surfactant is 0.01 mass% with respect to total solid concentration.

헥사메틸디실라잔 처리를 실시한 규소 기판 상에 스핀 코터를 사용하여 상기 포지티브형 레지스트 용액을 도포했다. 이것을 110℃에서 90초간에 걸쳐서 핫플레이트 상에서 가열 건조시켜 평균 막두께가 100nm인 레지스트막을 얻었다. The positive resist solution was applied onto a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater. This was heated to dry on a hot plate at 110 ° C. for 90 seconds to obtain a resist film having an average film thickness of 100 nm.

[감도, 패턴 형상, 러프니스 특성 및 고립 패턴 해상성][Sensitivity, Pattern Shape, Roughness Characteristics, and Isolation Pattern Resolution]

이 레지스트막에 대하여 전자선 조사 장치(Hitachi, Ltd. 제품의 HL750; 가속 전압 50keV)를 사용해서 전자선 조사를 행했다. 조사 후 즉시, 130℃에서 90초간에 걸쳐서 핫플레이트 상에서 가열했다. 그 후, 농도 2.38질량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 사용하여 23℃에서 60초간 현상하고, 30초간 순수를 사용해서 린스한 후 건조시켰다. 이것에 의해, 라인 앤드 스페이스 패턴(라인:스페이스=1:1) 또는 고립 라인 패턴(라인:스페이스=1:>100)을 형성했다.This resist film was irradiated with an electron beam using an electron beam irradiation apparatus (HL750 manufactured by Hitachi, Ltd .; an acceleration voltage of 50 keV). Immediately after irradiation, it was heated on a hotplate at 130 ° C. for 90 seconds. Then, it developed for 60 second at 23 degreeC using the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of 2.38 mass% of concentration, and rinsed with pure water for 30 second, and dried. As a result, a line-and-space pattern (line: space = 1: 1) or an isolated line pattern (line: space = 1:> 100) was formed.

(감도)(Sensitivity)

우선, 얻어진 라인 앤드 스페이스 패턴의 단면 형상을 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품의 S-4800)을 사용해서 관찰했다. 그리고, 100nm의 선폭의 라인을 해상할 때의 최소 조사 에너지를 구하고, 이 값을 「감도(μC/㎠)」라고 했다.First, the cross-sectional shape of the obtained line and space pattern was observed using the scanning electron microscope (S-4800 by Hitachi, Ltd.). And the minimum irradiation energy at the time of resolving a line of 100 nm line width was calculated | required, and this value was called "sensitivity (microC / cm <2>)".

(패턴 형상)(Pattern shape)

상기 감도를 나타내는 조사량에 있어서의 100nm 라인 패턴(라인:스페이스=1:1)의 단면 형상을 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품의 S-4800)을 사용해서 관찰했다. 그리고, 그 형상을 「직사각형」또는 「테이퍼」의 2단계로 평가했다.The cross-sectional shape of the 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) in the irradiation amount which shows the said sensitivity was observed using the scanning electron microscope (S-4800 by Hitachi, Ltd.). Then, the shape was evaluated in two stages of "rectangle" or "taper".

(러프니스 특성: 라인 엣지 러프니스(LER))(Roughness characteristic: line edge roughness (LER))

상기 100nm 라인 패턴(라인:스페이스=1:1)을 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품의 S-9260)을 사용해서 관찰했다. 그리고, 그 길이방향 50㎛에 포함되는 등간격의 30점에 대해서 엣지가 있어야 할 기준선과 실제의 엣지 사이의 거리를 측정했다. 그리고, 이 거리의 표준편차를 구하고, 3σ을 산출했다. 그리고, 이 3σ을 「LER(nm)」이라고 했다.The above 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) was observed using a scanning electron microscope (S-9260, Hitachi, Ltd.). And the distance between the reference line which should have an edge and an actual edge was measured about 30 points of equal intervals contained in the 50 micrometers of longitudinal directions. Then, the standard deviation of this distance was calculated, and 3σ was calculated. And this 3σ was called "LER (nm)."

(고립 패턴의 해상성; 해상력)(Resolution of isolation pattern; resolution)

상기 감도를 나타내는 조사량에 있어서의 고립 패턴(라인:스페이스=1:>100)의 한계 해상력(라인과 스페이스가 분리 해상되는 최소 선폭)을 구했다. 그리고, 이 값을 「해상력(nm)」이라고 했다.The limit resolution (the minimum line width at which the line and the space are resolved separately) of the isolation pattern (line: space = 1:> 100) in the irradiation dose indicating the sensitivity was obtained. And this value was called "resolution (nm)."

[에칭 내성][Etching Resistance]

웨이퍼 상에 막두께 200nm의 포지티브형 레지스트막을 형성한 후, C4F6(20mL/min)과 O2(40mL/min)의 혼합 가스를 사용하여 온도 23℃의 조건에서 30초간에 걸쳐서 플라즈마 에칭을 행했다. 그 후, 잔막량을 구하고, 에칭 속도를 산출했다. 그리고, 이하의 판정 기준에 근거하여 에칭 내성을 평가했다.After forming a positive resist film with a film thickness of 200 nm on the wafer, plasma etching was performed for 30 seconds at a temperature of 23 ° C. using a mixed gas of C 4 F 6 (20 mL / min) and O 2 (40 mL / min). Done. Thereafter, the amount of the remaining film was determined, and the etching rate was calculated. And etching resistance was evaluated based on the following criteria.

(판정 기준)(Criteria)

○(양호): 에칭 속도가 15Å/초 미만인 경우○ (good): when the etching rate is less than 15 s / sec

×(불충분): 에칭 속도가 15Å/초 이상인 경우× (insufficient): when the etching rate is 15 kV / sec or more

이들의 평가 결과를 하기 표 5에 나타낸다.The evaluation results are shown in Table 5 below.

Figure 112010056796558-pat00085
Figure 112010056796558-pat00085

Figure 112010056796558-pat00086
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표 5에 나타낸 바와 같이, 실시예의 조성물은 비교예의 조성물과 비교하여 감도, 패턴 형상, LER, 고립 패턴의 해상성 및 에칭 내성의 모두에 있어서 우수하였다.As shown in Table 5, the composition of the Example was excellent in all of the sensitivity, pattern shape, LER, resolution of the isolated pattern, and etching resistance compared with the composition of the comparative example.

<레지스트 평가(EUV)>&Lt; Resist evaluation (EUV) >

하기 표 6에 나타내는 각 성분을 동 표에 나타내는 용제에 용해시켜서 고형분 농도가 3.0질량%인 용액을 조제했다. 이 용액을 포어 사이즈 0.1㎛의 폴리테트라플루오로에틸렌 필터를 사용해서 여과하여 포지티브형 레지스트 용액을 얻었다.Each component shown in following Table 6 was melt | dissolved in the solvent shown in the same table, and the solution whose solid content concentration is 3.0 mass% was prepared. This solution was filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.1 mu m to obtain a positive resist solution.

표 6 중에 나타낸 「질량%」의 수치는 조성물의 전 고형분을 기준으로 한 값이다. 또한, 계면활성제의 사용량은 전 고형분 농도에 대하여 0.01질량%이다. The numerical value of the "mass%" shown in Table 6 is a value based on the total solid of a composition. In addition, the usage-amount of surfactant is 0.01 mass% with respect to total solid concentration.

헥사메틸디실라잔 처리를 실시한 규소 기판 상에 스핀 코터를 사용하여 상기 포지티브형 레지스트 용액을 도포했다. 이것을 120℃에서 90초간에 걸쳐서 핫플레이트 상에서 가열 건조시켜 평균 막두께가 100nm인 레지스트막을 얻었다.The positive resist solution was applied onto a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater. This was heat-dried on a hotplate at 120 degreeC for 90 second, and the resist film which has an average film thickness of 100 nm was obtained.

[감도, 패턴 형상 및 러프니스 특성][Sensitivity, pattern shape, and roughness characteristics]

이 레지스트막에 대하여 EUV 노광장치를 사용해서 EUV광을 조사했다. 조사 후 즉시, 130℃에서 90초간에 걸쳐서 핫플레이트 상에서 가열했다. 그 후, 농도 2.38질량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 사용하여 23℃에서 60초간 현상하고, 30초간 순수를 사용해서 린스한 후 건조시켰다. 이것에 의해, 라인 앤드 스페이스 패턴(라인:스페이스=1:1)을 형성했다.EUV light was irradiated to this resist film using the EUV exposure apparatus. Immediately after irradiation, it was heated on a hotplate at 130 ° C. for 90 seconds. Then, it developed for 60 second at 23 degreeC using the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of 2.38 mass% of concentration, and rinsed with pure water for 30 second, and dried. As a result, a line and space pattern (line: space = 1: 1) was formed.

(감도)(Sensitivity)

우선, 얻어진 라인 앤드 스페이스 패턴의 단면 형상을 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품의 S-4800)을 사용해서 관찰했다. 그리고, 100nm의 선폭의 라인을 해상할 때의 최소 조사 에너지를 구하고, 이 값을 「감도(mJ/㎠)」라고 했다.First, the cross-sectional shape of the obtained line and space pattern was observed using the scanning electron microscope (S-4800 by Hitachi, Ltd.). And the minimum irradiation energy at the time of resolving the line | wire of 100 nm line width was calculated | required, and this value was called "sensitivity (mJ / cm <2>)".

(패턴 형상)(Pattern shape)

상기 감도를 나타내는 조사량에 있어서의 100nm 라인 패턴(라인:스페이스=1:1)의 단면 형상을 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품의 S-4800)을 사용해서 관찰했다. 그리고, 그 형상을 「직사각형」또는 「테이퍼」의 2단계로 평가했다.The cross-sectional shape of the 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) in the irradiation amount which shows the said sensitivity was observed using the scanning electron microscope (S-4800 by Hitachi, Ltd.). Then, the shape was evaluated in two stages of "rectangle" or "taper".

(러프니스 특성: LER)(Roughness characteristic: LER)

상기 100nm 라인 패턴(라인:스페이스=1:1)을 주사형 전자현미경(Hitachi, Ltd. 제품의 S-9260)을 사용해서 관찰했다. 그리고, 그 길이방향 50㎛에 포함되는 등간격의 30점에 대해서 엣지가 있어야 할 기준선과 실제의 엣지 사이의 거리를 측정했다. 그리고, 이 거리의 표준편차를 구하고, 3σ을 산출했다. 그리고, 이 3σ을 「LER(nm)」이라고 했다.The above 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) was observed using a scanning electron microscope (S-9260, Hitachi, Ltd.). And the distance between the reference line which should have an edge and an actual edge was measured about 30 points of equal intervals contained in the 50 micrometers of longitudinal directions. Then, the standard deviation of this distance was calculated, and 3σ was calculated. And this 3σ was called "LER (nm)."

이들의 평가 결과를 하기 표 6에 나타낸다.These evaluation results are shown in Table 6 below.

Figure 112010056796558-pat00087
Figure 112010056796558-pat00087

표 6에 나타낸 바와 같이, 실시예의 조성물은 비교예의 조성물과 비교하여 감도, 패턴 형상 및 LER의 모두에 있어서 우수하였다.As shown in Table 6, the composition of the Example was excellent in all of a sensitivity, a pattern shape, and LER compared with the composition of a comparative example.

Claims (22)

하기 일반식(I)으로 표시되는 반복단위를 포함하는 수지와;
활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 구비한 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
Figure 112010056796558-pat00088

[식(I) 중,
Ra는 수소원자, 알킬기, 히드록실기, 알콕시기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 시클로알킬기, 시클로알킬옥시기, 아릴기, 카르복실기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기 또는 아랄킬기를 나타낸다.
Ya는 2가의 연결기를 나타낸다.
Ar은 복수의 방향환을 포함하는 구조단위를 나타내고, 상기 복수의 방향환은 축환하여 다환식 구조를 형성하고 있거나 또는 단일결합을 통해서 서로 연결되어 있다.
Yb는 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.
A3은 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타낸다.
S2는 치환기(수소원자는 제외함)를 나타내고, r≥2일 경우에는 복수의 상기 S2는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.
p는 1~5의 정수를 나타낸다.
q는 1~5의 정수를 나타낸다.
r은 p+r≤5가 되는 관계를 만족하는 0~4의 정수를 나타낸다.]
Resin containing the repeating unit represented by following General formula (I);
An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising a compound that generates an acid by irradiation with actinic rays or radiation.
Figure 112010056796558-pat00088

In formula (I),
R a is a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkyloxy group, an aryl group, a carboxyl group, an alkyloxycarbonyl group, an alkylcarbon A carbonyloxy group or an aralkyl group is represented.
Y a represents a divalent linking group.
Ar represents a structural unit including a plurality of aromatic rings, and the plurality of aromatic rings are condensed to form a polycyclic structure or are connected to each other through a single bond.
Y b represents a single bond or a divalent linking group.
A 3 represents a group leaving by the action of an acid.
S 2 represents a substituent (excluding hydrogen atoms), and in the case of r ≧ 2, the plurality of S 2 may be the same as or different from each other.
p represents the integer of 1-5.
q represents the integer of 1-5.
r represents the integer of 0-4 which satisfy | fills the relationship which becomes p + r <= 5.]
제 1 항에 있어서,
상기 Ra는 수소원자 또는 메틸기이며, 상기 p=1이고 또한 상기 q=1인 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method of claim 1,
R <a> is a hydrogen atom or a methyl group, said p = 1 and said q = 1, The actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 2 항에 있어서,
상기 반복단위는 하기 일반식(III)으로 표시되는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
Figure 112010056796558-pat00089

[식(III) 중,
Ra는 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다.
Ya는 2가의 연결기를 나타낸다.
Ar은 복수의 방향환을 포함하는 구조단위를 나타내고, 상기 복수의 방향환은 축환하여 다환식 구조를 형성하고 있거나 또는 단일결합을 통해서 서로 연결되어 있다.
Yb는 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.
A3은 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타낸다.
S2는 치환기(수소원자는 제외함)를 나타내고, r≥2일 경우에는 복수의 상기 S2는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.
r은 0~4의 정수를 나타낸다.]
3. The method of claim 2,
The repeating unit is an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, characterized in that represented by the general formula (III).
Figure 112010056796558-pat00089

In formula (III),
R a represents a hydrogen atom or a methyl group.
Y a represents a divalent linking group.
Ar represents a structural unit including a plurality of aromatic rings, and the plurality of aromatic rings are condensed to form a polycyclic structure or are connected to each other through a single bond.
Y b represents a single bond or a divalent linking group.
A 3 represents a group leaving by the action of an acid.
S 2 represents a substituent (excluding hydrogen atoms), and in the case of r ≧ 2, the plurality of S 2 may be the same as or different from each other.
r represents the integer of 0-4.]
제 3 항에 있어서,
상기 r=0인 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method of claim 3, wherein
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, wherein r = 0.
제 1 항에 있어서,
상기 Ya는 -O-, -CH2O-, -COO- 또는 -COOCH2-를 나타내는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Y a represents -O-, -CH 2 O-, -COO- or -COOCH 2 -actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, characterized in that.
제 5 항에 있어서,
상기 Yb는 단일결합, -CH2O- 또는 -COOCH2-를 나타내는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method of claim 5, wherein
Y b represents a single bond, -CH 2 O- or -COOCH 2 -actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, characterized in that.
제 1 항에 있어서,
상기 Ar은 나프탈렌 또는 안트라센환, 또는 비페닐 또는 터페닐 구조를 포함하는 구조단위를 나타내는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Ar is an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, characterized in that a structural unit containing a naphthalene or anthracene ring, or a biphenyl or terphenyl structure.
제 1 항에 있어서,
상기 수지는 하기 일반식(A1)으로 표시되는 반복단위 및 일반식(A2)으로 표시되는 반복단위 중 하나 이상을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
Figure 112010056796558-pat00090

[일반식(A1) 중,
m은 0~4의 정수를 나타낸다.
n은 m+n≤5가 되는 관계를 만족하는 1~5의 정수를 나타낸다.
S1은 치환기(수소원자는 제외함)를 나타내고, m≥2일 경우에는 복수의 상기 S1은 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.
A1은 수소원자 또는 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타내고, n≥2일 경우에는 복수의 상기 A1은 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.
일반식(A2) 중,
X는 수소원자, 알킬기, 히드록실기, 알콕시기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 시클로알킬기, 시클로알킬옥시기, 아릴기, 카르복실기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기 또는 아랄킬기를 나타낸다.
A2는 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타낸다.]
The method of claim 1,
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, wherein the resin further comprises at least one of a repeating unit represented by the following general formula (A1) and a repeating unit represented by the general formula (A2).
Figure 112010056796558-pat00090

[In the general formula (A1)
m represents the integer of 0-4.
n represents the integer of 1-5 which satisfy | fills the relationship which becomes m + n <= 5.
S 1 represents a substituent (excluding hydrogen atoms), and in the case of m ≧ 2, a plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
A 1 represents a group which is released by the action of a hydrogen atom or an acid, and when n ≧ 2, a plurality of the A 1 's may be the same as or different from each other.
In the general formula (A2)
X is a hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxyl group, alkyloxycarbonyl group, alkylcarbon A siloxy group or an aralkyl group is shown.
A 2 represents a group leaving by the action of an acid.]
제 1 항에 있어서,
상기 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물은 하기 일반식(SA1) 또는 일반식(SA2)으로 표시되는 음이온을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
Figure 112010056796558-pat00091

[식(SA1) 중,
Ar1은 아릴기를 나타낸다.
n은 1 이상의 정수를 나타낸다.
D는 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.
B는 탄화수소기를 나타낸다.
식(SA2) 중,
Xf는 각각 독립적으로 불소원자 또는 1개 이상의 수소원자가 불소원자로 치환된 알킬기를 나타낸다.
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 불소원자, 알킬기 또는 1개 이상의 수소원자가 불소원자로 치환된 알킬기를 나타내고, y≥2일 경우에는 복수의 상기 R1 및 R2의 각각은 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.
L은 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, z≥2일 경우에는 복수의 상기 L은 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.
E는 환상구조를 갖는 기를 나타낸다.
x는 1~20의 정수를 나타내고, y는 0~10의 정수를 나타내고, z는 0~10의 정수를 나타낸다.]
The method of claim 1,
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, wherein the compound which generates an acid by irradiation with actinic light or radiation contains an anion represented by the following general formula (SA1) or general formula (SA2).
Figure 112010056796558-pat00091

[In formula (SA1),
Ar 1 represents an aryl group.
n represents an integer of 1 or more.
D represents a single bond or a divalent linking group.
B represents a hydrocarbon group.
In formula (SA2),
Each Xf independently represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.
R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group or an alkyl group in which one or more hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms, and when y ≧ 2 , each of the plurality of R 1 and R 2 may be the same as each other; Good or different.
L represents a single bond or a divalent linking group, and in the case of z ≧ 2, a plurality of the L's may be the same as or different from each other.
E represents a group having a cyclic structure.
x represents an integer of 1 to 20, y represents an integer of 0 to 10, and z represents an integer of 0 to 10.]
하기 일반식(I)으로 표시되는 반복단위(A)와;
활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 반복단위(B)를 구비한 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
Figure 112010056796558-pat00092

[식(I) 중,
Ra는 수소원자, 알킬기, 히드록실기, 알콕시기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 시클로알킬기, 시클로알킬옥시기, 아릴기, 카르복실기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기 또는 아랄킬기를 나타낸다.
Ya는 2가의 연결기를 나타낸다.
Ar은 복수의 방향환을 포함하는 구조단위를 나타내고, 상기 복수의 방향환은 축환하여 다환식 구조를 형성하고 있거나 또는 단일결합을 통해서 서로 연결되어 있다.
Yb는 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.
A3은 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타낸다.
S2는 치환기(수소원자는 제외함)를 나타내고, r≥2일 경우에는 복수의 상기 S2는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.
p는 1~5의 정수를 나타낸다.
q는 1~5의 정수를 나타낸다.
r은 p+r≤5가 되는 관계를 만족하는 0~4의 정수를 나타낸다.]
A repeating unit (A) represented by the following general formula (I);
An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising a resin having a repeating unit (B) which generates an acid by irradiation with actinic light or radiation.
Figure 112010056796558-pat00092

In formula (I),
R a is a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkyloxy group, an aryl group, a carboxyl group, an alkyloxycarbonyl group, an alkylcarbon A carbonyloxy group or an aralkyl group is represented.
Y a represents a divalent linking group.
Ar represents a structural unit including a plurality of aromatic rings, and the plurality of aromatic rings are condensed to form a polycyclic structure or are connected to each other through a single bond.
Y b represents a single bond or a divalent linking group.
A 3 represents a group leaving by the action of an acid.
S 2 represents a substituent (excluding hydrogen atoms), and in the case of r ≧ 2, the plurality of S 2 may be the same as or different from each other.
p represents the integer of 1-5.
q represents the integer of 1-5.
r represents the integer of 0-4 which satisfy | fills the relationship which becomes p + r <= 5.]
제 10 항에 있어서,
상기 Ra는 수소원자 또는 메틸기이며, 상기 p=1이고 또한 상기 q=1인 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
11. The method of claim 10,
R a is a hydrogen atom or a methyl group, p = 1 and q = 1, the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
제 11 항에 있어서,
상기 반복단위(A)는 하기 일반식(III)으로 표시되는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
Figure 112010056796558-pat00093

[식(III) 중,
Ra는 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다.
Ya는 2가의 연결기를 나타낸다.
Ar은 복수의 방향환을 포함하는 구조단위를 나타내고, 상기 복수의 방향환은 축환하여 다환식 구조를 형성하고 있거나 또는 단일결합을 통해서 서로 연결되어 있다.
Yb는 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.
A3은 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타낸다.
S2는 치환기(수소원자는 제외함)를 나타내고, r≥2일 경우에는 복수의 상기 S2는 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.
r은 0~4의 정수를 나타낸다.]
The method of claim 11,
The repeating unit (A) is an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, characterized by the following general formula (III).
Figure 112010056796558-pat00093

In formula (III),
R a represents a hydrogen atom or a methyl group.
Y a represents a divalent linking group.
Ar represents a structural unit including a plurality of aromatic rings, and the plurality of aromatic rings are condensed to form a polycyclic structure or are connected to each other through a single bond.
Y b represents a single bond or a divalent linking group.
A 3 represents a group leaving by the action of an acid.
S 2 represents a substituent (excluding hydrogen atoms), and in the case of r ≧ 2, the plurality of S 2 may be the same as or different from each other.
r represents the integer of 0-4.]
제 12 항에 있어서,
상기 r=0인 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
13. The method of claim 12,
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, wherein r = 0.
제 10 항에 있어서,
상기 Ya는 -O-, -CH2O-, -COO- 또는 -COOCH2-를 나타내는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
11. The method of claim 10,
Y a represents -O-, -CH 2 O-, -COO- or -COOCH 2 -actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, characterized in that.
제 14 항에 있어서,
상기 Yb는 단일결합, -CH2O- 또는 -COOCH2-를 나타내는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
15. The method of claim 14,
Y b represents a single bond, -CH 2 O- or -COOCH 2 -actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, characterized in that.
제 10 항에 있어서,
상기 Ar은 나프탈렌 또는 안트라센환, 또는 비페닐 또는 터페닐 구조를 포함하는 구조단위를 나타내는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
11. The method of claim 10,
Ar is an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, characterized in that a structural unit containing a naphthalene or anthracene ring, or a biphenyl or terphenyl structure.
제 10 항에 있어서,
상기 반복단위(B) 중 적어도 일부는 하기 일반식(B1), (B2) 및 (B3)으로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상으로 표시되는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
Figure 112010056796558-pat00094

[식 중,
A는 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 산 음이온을 발생하는 구조 부위를 나타낸다.
R04, R05 및 R07~R09는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다.
R06은 시아노기, 카르복실기, -CO-OR25 또는 -CO-N(R26)(R27)을 나타낸다. R25는 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다. R26과 R27은 서로 결합하여 질소원자와 함께 환을 형성하고 있어도 좋다. R26 및 R27은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다.
X1~X3은 각각 독립적으로 단일결합, 아릴렌기, 알킬렌기, 시클로알킬렌기, -O-, -SO2-, -CO-, -N(R33)- 또는 이들의 복수를 조합한 2가의 연결기를 나타낸다. R33은 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다.]
11. The method of claim 10,
At least part of the repeating unit (B) is an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, characterized in that represented by one or more selected from the group consisting of the following general formula (B1), (B2) and (B3) .
Figure 112010056796558-pat00094

[Wherein,
A represents a structural site that is decomposed by actinic radiation or radiation to generate an acid anion.
R 04 , R 05 and R 07 to R 09 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.
R 06 represents a cyano group, a carboxyl group, -CO-OR 25, or -CO-N (R 26 ) (R 27 ). R 25 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 26 and R 27 may be bonded to each other to form a ring together with a nitrogen atom. R 26 and R 27 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.
X 1 to X 3 are each independently a single bond, an arylene group, an alkylene group, a cycloalkylene group, -O-, -SO 2- , -CO-, -N (R 33 )-or a combination of a plurality thereof; Shows a coupling group. R 33 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.]
제 17 항에 있어서,
상기 A는 술포늄염 구조 또는 요오드늄염 구조를 구비한 구조 부위인 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method of claim 17,
A is an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, characterized in that the structural portion having a sulfonium salt structure or an iodonium salt structure.
제 17 항에 있어서,
상기 A는 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산 음이온으로 변환되는 구조 부위인 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method of claim 17,
A is an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, characterized in that the structural site is converted into an acid anion by irradiation of actinic light or radiation.
제 10 항에 있어서,
상기 수지는 하기 일반식(A1)으로 표시되는 반복단위 및 일반식(A2)으로 표시되는 반복단위 중 하나 이상을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
Figure 112010056796558-pat00095

[일반식(A1) 중,
m은 0~4의 정수를 나타낸다.
n은 m+n≤5가 되는 관계를 만족하는 1~5의 정수를 나타낸다.
S1은 치환기(수소원자는 제외함)를 나타내고, m≥2일 경우에는 복수의 상기 S1은 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.
A1은 수소원자 또는 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타내고, n≥2일 경우에는 복수의 상기 A1은 서로 동일해도 좋고, 서로 달라도 좋다.
일반식(A2) 중,
X는 수소원자, 알킬기, 히드록실기, 알콕시기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 아실기, 아실옥시기, 시클로알킬기, 시클로알킬옥시기, 아릴기, 카르복실기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기 또는 아랄킬기를 나타낸다.
A2는 산의 작용에 의해 이탈하는 기를 나타낸다.]
11. The method of claim 10,
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, wherein the resin further comprises at least one of a repeating unit represented by the following general formula (A1) and a repeating unit represented by the general formula (A2).
Figure 112010056796558-pat00095

[In the general formula (A1)
m represents the integer of 0-4.
n represents the integer of 1-5 which satisfy | fills the relationship which becomes m + n <= 5.
S 1 represents a substituent (excluding hydrogen atoms), and in the case of m ≧ 2, a plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
A 1 represents a group which is released by the action of a hydrogen atom or an acid, and when n ≧ 2, a plurality of the A 1 's may be the same as or different from each other.
In the general formula (A2)
X is a hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxyl group, alkyloxycarbonyl group, alkylcarbon A siloxy group or an aralkyl group is shown.
A 2 represents a group leaving by the action of an acid.]
제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 기재된 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 사용해서 형성된 것을 특징으로 하는 레지스트막.The resist film formed using the actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition in any one of Claims 1-20. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 기재된 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 사용해서 막을 형성하는 것과;
상기 막을 노광하는 것과;
상기 노광된 막을 현상하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
Forming a film | membrane using the actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition in any one of Claims 1-20;
Exposing the film;
And developing the exposed film.
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