JP2013015590A - Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method using the composition - Google Patents

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method using the composition Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that satisfies demands for high sensitivity, good roughness characteristics, a good pattern profile and reduction in development defects all together, and to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and a pattern forming method using the composition.SOLUTION: The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises: a resin (Aa) including a repeating unit containing a fluorine atom; and a resin (Ab) that shows changes in alkali solubility by an action of an acid and includes a repeating unit (B) having a structural moiety that is decomposed by irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid.

Description

本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法に関する。より詳細には、本発明は、超LSI及び高容量マイクロチップの製造プロセス、ナノインプリント用モールド作成プロセス並びに高密度情報記録媒体の製造プロセス等に適用可能な超マイクロリソグラフィプロセス、並びにその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法に関する。   The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the same, and a pattern forming method. More specifically, the present invention relates to an ultra-microlithographic process applicable to a manufacturing process of a VLSI and a high-capacity microchip, a process for producing a mold for nanoimprinting, a manufacturing process of a high-density information recording medium, and other photofabrication. The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition suitably used in a process, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the same, and a pattern forming method.

従来、ICやLSIなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロン領域やクオーターミクロン領域の超微細パターン形成が要求されるようになってきている。それに伴い、露光波長もg線からi線に、更にKrFエキシマレーザー光に、というように短波長化の傾向が見られ、現在では193nm波長を有するArFエキシマレーザーを光源とする露光機が開発されている。また、更に解像力を高める技術として、従来から投影レンズと試料の間に高屈折率の液体(以下、「液浸液」ともいう)で満たす、所謂、液浸法、また、更には、現在では、エキシマレーザー光以外にも、電子線、X線及びEUV光等を用いたリソグラフィーも開発が進んでいる。   Conventionally, in the manufacturing process of semiconductor devices such as IC and LSI, fine processing by lithography using a photoresist composition has been performed. In recent years, with the high integration of integrated circuits, the formation of ultrafine patterns in the submicron region and the quarter micron region has been required. Along with this trend, the trend of shortening the exposure wavelength from g-line to i-line and further to KrF excimer laser light has been observed. Currently, an exposure machine using an ArF excimer laser having a 193 nm wavelength as a light source has been developed. ing. In addition, as a technique for further increasing the resolution, a so-called immersion method, in which a projection lens and a sample are filled with a liquid having a high refractive index (hereinafter also referred to as an “immersion liquid”), or more recently, In addition to excimer laser light, lithography using electron beams, X-rays, EUV light, etc. is also being developed.

特に電子線リソグラフィーは、次世代若しくは次々世代のパターン形成技術として位置付けられ、高感度且つ高解像性のレジストが望まれている。特にウェハー処理時間の短縮化のために高感度化は非常に重要な課題であるが、電子線用レジストにおいては、高感度化を追求しようとすると、解像力の低下のみならず、ラインエッジラフネスの悪化が起こり、これらの特性を同時に満足するレジストの開発が強く望まれている。ここで、ラインエッジラフネスとは、レジストのパターンと基板界面のエッジがレジストの特性に起因して、ライン方向と垂直な方向に不規則に変動するために、パターンを真上から見たときにエッジが凹凸に見えることを言う。この凹凸がレジストをマスクとするエッチング工程により転写され、電気特性を劣化させるため、歩留りを低下させる。特に0.25μm以下の超微細領域ではラインエッジラフネスは極めて重要な改良課題となっている。高感度と、良好なラインエッジラフネスとはトレードオフの関係にあり、これを如何にして同時に満足させるかが非常に重要である。   In particular, electron beam lithography is positioned as a next-generation or next-generation pattern formation technique, and a resist with high sensitivity and high resolution is desired. In particular, high sensitivity is a very important issue for shortening the wafer processing time, but in electron beam resists, when trying to increase the sensitivity, not only the resolution is lowered but also the line edge roughness is reduced. Deterioration occurs, and development of a resist that satisfies these characteristics at the same time is strongly desired. Here, the line edge roughness means that when the pattern is viewed from directly above because the resist pattern and the edge of the substrate interface vary irregularly in the direction perpendicular to the line direction due to the characteristics of the resist. Say that the edge looks uneven. The unevenness is transferred by an etching process using a resist as a mask, and the electrical characteristics are deteriorated, so that the yield is lowered. Particularly in the ultrafine region of 0.25 μm or less, the line edge roughness is an extremely important improvement issue. High sensitivity and good line edge roughness are in a trade-off relationship, and it is very important how to satisfy them simultaneously.

現像欠陥についても、抑制することが望まれており、高感度、高解像性、及び良好なラインエッジラフネスと、現像欠陥抑制とを如何にして同時に満足させるかが非常に重要である。   Development defects are also desired to be suppressed, and it is very important how to simultaneously satisfy high sensitivity, high resolution, good line edge roughness, and development defect suppression.

また、超微細加工技術として利用されている電子線リソグラフィーは、半導体製造用のフォトマスクを作製する際のフォトマスクブランクの加工方法としても不可欠な技術となっている。   Electron beam lithography, which is used as an ultrafine processing technique, has become an indispensable technique as a method for processing a photomask blank when manufacturing a photomask for semiconductor manufacturing.

上述したArFエキシマレーザーリソグラフィーは、現在主流になりつつあるが、化学増幅レジストを液浸露光に適用すると、露光時にレジスト層が液浸液と接触することになるため、レジスト層が変質することや、レジスト層から液浸液に悪影響を及ぼす成分が滲出することが指摘されている。これに対し、例えば、特許文献1及び2では、酸分解性基を含有し、且つ、メインポリマーに対し非混和性の化合物を添加する技術が開示されているが、高感度、良好なラフネス特性、及び現像欠陥の低減を十分満たしているとは言えないのが実情である。   The ArF excimer laser lithography described above is becoming mainstream at present, but when a chemically amplified resist is applied to immersion exposure, the resist layer comes into contact with the immersion liquid at the time of exposure. It has been pointed out that components that adversely affect the immersion liquid are leached from the resist layer. On the other hand, for example, Patent Documents 1 and 2 disclose a technique of adding an acid-decomposable group and a compound that is immiscible with the main polymer, but has high sensitivity and good roughness characteristics. In fact, it cannot be said that the development defects are sufficiently reduced.

特開2006−309245号公報JP 2006-309245 A 特開2007−187887号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2007-187887

本発明の目的は、高感度、良好なラフネス特性、良好なパターン形状、及び現像欠陥の低減を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies high sensitivity, good roughness characteristics, good pattern shape, and reduction in development defects, and actinic ray sensitivity using the same Alternatively, a radiation-sensitive film and a pattern forming method are provided.

本発明は、一態様において、下記の通りである。
〔1〕 フッ素原子を含有する繰り返し単位を含む樹脂(Aa)と、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂であって、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位(B)を含む樹脂(Ab)を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
In one aspect, the present invention is as follows.
[1] Resin (Aa) containing a repeating unit containing a fluorine atom, and a resin whose alkali solubility is changed by the action of an acid, and having a structural site that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising a resin (Ab) comprising the repeating unit (B) provided.

〔2〕 樹脂(Aa)及び樹脂(Ab)の少なくとも一方が、下記一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含むことを特徴とする〔1〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 2013015590
[2] At least one of the resin (Aa) and the resin (Ab) includes at least one repeating unit represented by the following general formula (A3), wherein the actinic ray-sensitive property according to [1] Or a radiation sensitive resin composition.
Figure 2013015590

一般式(A3)中、
ARは、アリール基を表す。
Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。RnとARとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。
Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。
In general formula (A3),
AR represents an aryl group.
Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. Rn and AR may be bonded to each other to form a non-aromatic ring.
R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group.

〔3〕 樹脂(Ab)が一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することを特徴とする〔2〕に記載の組成物。
〔4〕 樹脂(Aa)が一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することを特徴とする〔2〕又は〔3〕に記載の組成物。
〔5〕 樹脂(Aa)及び樹脂(Ab)の双方が、一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含むことを特徴とする〔2〕〜〔4〕のいずれか1項に記載の組成物。
[3] The composition according to [2], wherein the resin (Ab) contains at least one repeating unit represented by the general formula (A3).
[4] The composition according to [2] or [3], wherein the resin (Aa) contains at least one repeating unit represented by the general formula (A3).
[5] Any one of [2] to [4], wherein both the resin (Aa) and the resin (Ab) contain at least one repeating unit represented by the general formula (A3) A composition according to 1.

〔6〕 樹脂(Ab)が一般式(A)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載の組成物。

Figure 2013015590
[6] The composition according to any one of [1] to [5], wherein the resin (Ab) contains at least one repeating unit represented by the general formula (A).
Figure 2013015590

式中、nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は置換基を表す。mが2以上の場合、複数のSは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
In the formula, n represents an integer of 1 to 5, and m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ≦ m + n ≦ 5.
S 1 represents a substituent. When m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.

〔7〕 一般式(A)により表される繰り返し単位として少なくとも下式で表される繰り返し単位を含有する〔6〕に記載の組成物。

Figure 2013015590
[7] The composition according to [6], which contains at least a repeating unit represented by the following formula as the repeating unit represented by the general formula (A).
Figure 2013015590

〔8〕 樹脂(Aa)が一般式(A)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することを特徴とする〔1〕〜〔7〕のいずれか1項に記載の組成物。

Figure 2013015590
[8] The composition according to any one of [1] to [7], wherein the resin (Aa) contains at least one repeating unit represented by the general formula (A).
Figure 2013015590

式中、nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は置換基を表す。mが2以上の場合には、複数のSは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
In the formula, n represents an integer of 1 to 5, and m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ≦ m + n ≦ 5.
S 1 represents a substituent. When m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.

〔9〕 一般式(A)により表される繰り返し単位として少なくとも下式で表される繰り返し単位を含有する〔8〕に記載の組成物。

Figure 2013015590
[9] The composition according to [8], which contains at least a repeating unit represented by the following formula as the repeating unit represented by the general formula (A).
Figure 2013015590

〔10〕 樹脂(Aa)が、フッ素原子を含有する繰り返し単位として、一般式(F2)、一般式(F3)又は一般式(F4)で表される基を含む繰り返し単位を少なくとも1種含有する〔1〕〜〔9〕のいずれか1項に記載の組成物。

Figure 2013015590
[10] The resin (Aa) contains at least one repeating unit containing a group represented by the general formula (F2), the general formula (F3), or the general formula (F4) as the repeating unit containing a fluorine atom. [1] The composition according to any one of [9].
Figure 2013015590

一般式(F2)〜(F4)中、R57〜R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R57〜R61、R62〜R64およびR65〜R68のそれぞれにおいて、少なくとも1つは、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。 In general formulas (F2) to (F4), R 57 to R 68 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group. However, in each of R 57 ~R 61, R 62 ~R 64 and R 65 to R 68, at least one represents a fluorine atom or a fluoroalkyl group. R 62 and R 63 may be connected to each other to form a ring.

〔11〕 樹脂(Ab)が、繰り返し単位(B)として、下記一般式(B1)、(B2)及び(B3)で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1種を含有する〔1〕〜〔10〕のいずれか1項に記載の組成物。

Figure 2013015590
[11] The resin (Ab) contains, as the repeating unit (B), at least one selected from the group consisting of repeating units represented by the following general formulas (B1), (B2) and (B3) [ The composition according to any one of [1] to [10].
Figure 2013015590

一般式(B1)、(B2)及び(B3)中、
Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表す。
04、R05及びR07〜R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。
06は、シアノ基、カルボキシ基、−CO−OR25又は−CO−N(R26)(R27)を表す。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26及びR27は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。
、X及びXは、各々独立に、単結合、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、−O−、−SO−、−CO−、−N(R33)−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。R33は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
In general formulas (B1), (B2) and (B3),
A represents a structural site that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid anion.
R 04 , R 05 and R 07 to R 09 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.
R 06 represents a cyano group, a carboxy group, —CO—OR 25 or —CO—N (R 26 ) (R 27 ). R 25 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 26 and R 27 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 26 and R 27 may be bonded to each other to form a ring together with the nitrogen atom.
X 1 , X 2 and X 3 are each independently a single bond, an arylene group, an alkylene group, a cycloalkylene group, —O—, —SO 2 —, —CO—, —N (R 33 ) —, or these Represents a divalent linking group in combination of a plurality. R 33 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.

〔12〕 繰り返し単位(B)中の前記構造部位が活性光線又は放射線の照射により分解することにより、該繰り返し単位中に酸アニオンを生ずることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の組成物。   [12] The structure according to any one of claims 1 to 11, wherein the structural site in the repeating unit (B) is decomposed by irradiation with an actinic ray or radiation to generate an acid anion in the repeating unit. A composition according to 1.

〔13〕 繰り返し単位(B)中の前記構造部位は、スルホニウム塩構造又はヨードニウム塩構造を備えたイオン性構造部位である〔1〕〜〔12〕のいずれか1項に記載の組成物。   [13] The composition according to any one of [1] to [12], wherein the structural moiety in the repeating unit (B) is an ionic structural moiety having a sulfonium salt structure or an iodonium salt structure.

〔14〕 樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜20質量%の範囲である〔1〕〜〔13〕のいずれか1項に記載の組成物。
〔15〕 樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜10質量%の範囲である〔1〕〜〔14〕のいずれか1項に記載の組成物。
〔16〕 樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜5質量%の範囲である〔1〕〜〔15〕のいずれか1項に記載の組成物。
[14] The composition according to any one of [1] to [13], wherein the content of the resin (Aa) is in the range of 0.01 to 20% by mass based on the total solid content in the composition. object.
[15] The composition according to any one of [1] to [14], wherein the content of the resin (Aa) is in the range of 0.01 to 10% by mass based on the total solid content in the composition. object.
[16] The composition according to any one of [1] to [15], wherein the content of the resin (Aa) is in the range of 0.01 to 5% by mass based on the total solid content in the composition. object.

〔17〕 樹脂(Aa)が更に一般式(A1)及び一般式(A2)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含有する〔1〕〜〔16〕のいずれか1項に記載の組成物。

Figure 2013015590
[17] The composition according to any one of [1] to [16], wherein the resin (Aa) further contains at least one repeating unit represented by the general formula (A1) and the general formula (A2). .
Figure 2013015590

一般式(A1)中、
nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は、置換基を表し、mが2以上の場合には、複数のSは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、少なくとも1つのAは酸の作用により脱離する基を表す。n≧2の場合には、複数のAは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
In general formula (A1),
n represents an integer of 1 to 5, and m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ≦ m + n ≦ 5.
S 1 represents a substituent, and when m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
A 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. However, at least one A 1 represents a group capable of leaving by the action of an acid. When n ≧ 2, the plurality of A 1 may be the same as or different from each other.

一般式(A2)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
In general formula (A2),
X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyloxycarbonyl group, alkyl Represents a carbonyloxy group or an aralkyl group.
A 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid.

〔18〕 樹脂(Ab)が一般式(A1)及び一般式(A2)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含有する〔1〕〜〔17〕のいずれか1項に記載の組成物。

Figure 2013015590
[18] The composition according to any one of [1] to [17], wherein the resin (Ab) contains at least one repeating unit represented by the general formula (A1) and the general formula (A2).
Figure 2013015590

一般式(A1)中、
nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は、置換基を表し、mが2以上の場合には、複数のSは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、少なくとも1つのAは酸の作用により脱離する基を表す。n≧2の場合には、複数のAは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
In general formula (A1),
n represents an integer of 1 to 5, and m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ≦ m + n ≦ 5.
S 1 represents a substituent, and when m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
A 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. However, at least one A 1 represents a group capable of leaving by the action of an acid. When n ≧ 2, the plurality of A 1 may be the same as or different from each other.

一般式(A2)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
In general formula (A2),
X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyloxycarbonyl group, alkyl Represents a carbonyloxy group or an aralkyl group.
A 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid.

〔19〕 樹脂(Ab)の重量平均分子量が1000〜200000の範囲内である〔1〕〜〔18〕のいずれかに記載の組成物。   [19] The composition according to any one of [1] to [18], wherein the resin (Ab) has a weight average molecular weight in the range of 1,000 to 200,000.

〔20〕 樹脂(Ab)の重量平均分子量が1000〜100000の範囲内である〔19〕に記載の組成物。   [20] The composition according to [19], wherein the resin (Ab) has a weight average molecular weight in the range of 1000 to 100,000.

〔21〕 樹脂(Ab)の重量平均分子量は1000〜50000の範囲内である〔20〕に記載の組成物。   [21] The composition according to [20], wherein the resin (Ab) has a weight average molecular weight in the range of 1000 to 50000.

〔22〕 樹脂(Ab)の重量平均分子量は1000〜25000の範囲内である〔21〕に記載の組成物。   [22] The composition according to [21], wherein the resin (Ab) has a weight average molecular weight in the range of 1000 to 25000.

〔23〕 塩基性化合物を更に含む〔1〕〜〔22〕のいずれかに記載の組成物。   [23] The composition according to any one of [1] to [22], further comprising a basic compound.

〔24〕 前記前記塩基性化合物は、プロトンアクセプター性官能基を有し、且つ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物である〔23〕に記載の組成物。   [24] The basic compound has a proton acceptor functional group and is decomposed by irradiation with actinic rays or radiation, whereby the proton acceptor property is reduced, disappeared, or changed from proton acceptor property to acidity. The composition according to [23], which is a compound that generates the compound obtained.

〔25〕 界面活性剤を更に含む〔1〕〜〔24〕のいずれかに記載の組成物。   [25] The composition according to any one of [1] to [24], further comprising a surfactant.

〔26〕 溶剤を更に含む〔1〕〜〔27〕のいずれかに記載の組成物。   [26] The composition according to any one of [1] to [27], further comprising a solvent.

〔27〕 前記溶剤はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む〔26〕に記載の組成物。   [27] The composition according to [26], wherein the solvent contains propylene glycol monomethyl ether acetate.

〔28〕 前記溶剤はプロピレングリコールモノメチルエーテルを更に含む〔27〕に記載の組成物。   [28] The composition according to [27], wherein the solvent further comprises propylene glycol monomethyl ether.

〔29〕 EUV露光用である〔1〕〜〔28〕のいずれか1項に記載の組成物。   [29] The composition according to any one of [1] to [28], which is for EUV exposure.

〔30〕 KrFエキシマーレーザー、電子線又はX線露光用である〔1〕〜〔28〕のいずれか1項に記載の組成物。   [30] The composition according to any one of [1] to [28], which is for KrF excimer laser, electron beam or X-ray exposure.

〔31〕 〔1〕〜〔30〕のいずれか1項に記載の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。   [31] An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film formed using the composition according to any one of [1] to [30].

〔31〕 〔1〕〜〔30〕のいずれか1項に記載の組成物を用いて膜を形成すること、該膜を露光すること、露光した膜を現像することを含むパターン形成方法。   [31] A pattern forming method comprising forming a film using the composition according to any one of [1] to [30], exposing the film, and developing the exposed film.

〔32〕 露光をEUVを用いて行う〔31〕に記載のパターン形成方法。   [32] The pattern forming method according to [31], wherein the exposure is performed using EUV.

〔33〕 〔31〕または〔32〕に記載のパターン形成方法を含む工程を経て製造される半導体デバイス。   [33] A semiconductor device manufactured through a process including the pattern forming method according to [31] or [32].

本発明によると、高感度、良好なラフネス特性、良好なパターン形状、及び現像欠陥の低減を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法を提供することが可能となる。   According to the present invention, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies high sensitivity, good roughness characteristics, good pattern shape, and reduction in development defects, and actinic ray sensitivity or A radiation-sensitive film and a pattern forming method can be provided.

以下、本発明を詳細に説明する。
なお、ここでは、置換又は無置換を明示していない基及び原子団には、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していない「アルキル基」は、置換基を有していないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有しているアルキル基(置換アルキル基)をも包含することとする。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
Here, the groups and atomic groups that do not explicitly indicate substitution or non-substitution include both those that do not have a substituent and those that have a substituent. For example, an “alkyl group” that does not clearly indicate substitution or unsubstituted is not only an alkyl group that does not have a substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group that has a substituent (substituted alkyl group) Is also included.

また、ここで「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外(EUV)線、X線又は電子線(EB)を意味している。また、本発明において「光」とは、活性光線又は放射線を意味している。   In addition, here, “active light” or “radiation” means, for example, an emission line spectrum of a mercury lamp, a far ultraviolet ray represented by an excimer laser, an extreme ultraviolet (EUV) ray, an X-ray or an electron beam (EB). Yes. In the present invention, “light” means actinic rays or radiation.

また、ここで「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、遠紫外線、X線及びEUV光等による光照射のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。   In addition, “exposure” means not only light irradiation with a mercury lamp, far ultraviolet rays, X-rays, EUV light, etc., but also drawing with particle beams such as electron beams and ion beams, unless otherwise specified. .

本発明の組成物は、フッ素原子を含有する繰り返し単位を含む樹脂(Aa)と、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂であって、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位(B)を含む樹脂(Ab)を含有する。   The composition of the present invention is a resin (Aa) containing a repeating unit containing a fluorine atom and a resin whose alkali solubility is changed by the action of an acid, and decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid. The resin (Ab) containing the repeating unit (B) provided with the structural site to be contained is contained.

本発明の組成物は、一態様において、樹脂(Aa)及び樹脂(Ab)の少なくとも一方が、後述する一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有する。
本発明の組成物は、他の態様において、樹脂(Aa)及び樹脂(Ab)の双方が一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することが好ましい。
In one embodiment of the composition of the present invention, at least one of the resin (Aa) and the resin (Ab) contains at least one repeating unit represented by the general formula (A3) described later.
In another aspect, the composition of the present invention preferably contains at least one repeating unit in which both the resin (Aa) and the resin (Ab) are represented by the general formula (A3).

〔樹脂(Aa)〕
樹脂(Aa)は、フッ素原子を含有する繰り返し単位を含む樹脂である。後掲で詳述するように、樹脂(Aa)に対し、樹脂(Ab)はフッ素原子を含有しないか、フッ素原子を含有する場合には、フッ素原子を含有する繰り返し単位が樹脂(Aa)に対して相対的に少ない樹脂であり、これにより、本発明の組成物から形成された膜の表層に樹脂(Aa)が偏在化する。
上述したように、樹脂(Aa)は、一態様において下記一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有する。

Figure 2013015590
[Resin (Aa)]
The resin (Aa) is a resin including a repeating unit containing a fluorine atom. As will be described in detail later, the resin (Ab) does not contain a fluorine atom or the resin (Aa) contains a repeating unit containing a fluorine atom when the resin (Ab) contains a fluorine atom. The resin (Aa) is unevenly distributed in the surface layer of the film formed from the composition of the present invention.
As described above, the resin (Aa) contains at least one repeating unit represented by the following general formula (A3) in one embodiment.
Figure 2013015590

一般式(A3)中、
ARは、アリール基を表す。
In general formula (A3),
AR represents an aryl group.

Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。RnとARとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。
Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。
一般式(A3)により表される繰り返し単位について詳細に説明する。
ARは、上述したようにアリール基を表す。ARのアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、又は、フルオレン基等の炭素数6〜20のものが好ましく、炭素数6〜15のものがより好ましい。
Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. Rn and AR may be bonded to each other to form a non-aromatic ring.
R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group.
The repeating unit represented by formula (A3) will be described in detail.
AR represents an aryl group as described above. The aryl group for AR is preferably a group having 6 to 20 carbon atoms such as a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, or a fluorene group, and more preferably a group having 6 to 15 carbon atoms.

ARがナフチル基、アントリル基又はフルオレン基である場合、Rnが結合している炭素原子とARとの結合位置には、特に制限はない。例えば、ARがナフチル基である場合、この炭素原子は、ナフチル基のα位に結合していてもよく、β位に結合していてもよい。或いは、ARがアントリル基である場合、この炭素原子は、アントリル基の1位に結合していてもよく、2位に結合していてもよく、9位に結合していてもよい。   When AR is a naphthyl group, anthryl group, or fluorene group, the bonding position between the carbon atom to which Rn is bonded and AR is not particularly limited. For example, when AR is a naphthyl group, this carbon atom may be bonded to the α-position of the naphthyl group or may be bonded to the β-position. Alternatively, when AR is an anthryl group, this carbon atom may be bonded to the 1-position, the 2-position, or the 9-position of the anthryl group.

ARとしてのアリール基は、1以上の置換基を有していてもよい。このような置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1〜20の直鎖又は分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等のシクロアルキル基、これらシクロアルキル基部分を含んだシクロアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。この置換基としては、炭素数1〜5の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基が好ましく、パラメチル基又はパラメトキシ基がより好ましい。   The aryl group as AR may have one or more substituents. Specific examples of such substituents include, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and dodecyl group. A linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group containing these alkyl group parts, a cycloalkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, a cycloalkoxy group containing these cycloalkyl group parts, a hydroxyl group , Halogen atom, aryl group, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, acylamino group, sulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group, thiophenecarbonyloxy group, thiophenemethylcarbonyloxy group, and pyrrolidone residue And heterocyclic residues such as groups. As this substituent, a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and an alkoxy group containing the alkyl group portion are preferable, and a paramethyl group or a paramethoxy group is more preferable.

ARとしてのアリール基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基のうちの少なくとも2つが互いに結合して環を形成しても良い。環は、5〜8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。また、この環は、環員に酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。   When the aryl group as AR has a plurality of substituents, at least two of the plurality of substituents may be bonded to each other to form a ring. The ring is preferably a 5- to 8-membered ring, and more preferably a 5- or 6-membered ring. Moreover, this ring may be a heterocycle containing a heteroatom such as an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom as a ring member.

更に、この環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、Rnが有していてもよい更なる置換基について後述するものと同様のものが挙げられる。   Furthermore, this ring may have a substituent. As this substituent, the thing similar to what is mentioned later about the further substituent which Rn may have is mentioned.

また、一般式(A3)により表される繰り返し単位は、ラフネス性能の観点から、2個以上の芳香環を含有ことが好ましい。この繰り返し単位が有する芳香環の個数は、通常、5個以下であることが好ましく、3個以下であることがより好ましい。   Moreover, it is preferable that the repeating unit represented by general formula (A3) contains two or more aromatic rings from a viewpoint of roughness performance. The number of aromatic rings contained in this repeating unit is usually preferably 5 or less, and more preferably 3 or less.

また、一般式(A3)により表される繰り返し単位において、ラフネス性能の観点から、ARは2個以上の芳香環を含有することがより好ましく、ARがナフチル基又はビフェニル基であることが更に好ましい。ARが有する芳香環の個数は、通常、5個以下であることが好ましく、3個以下であることがより好ましい。   In the repeating unit represented by formula (A3), from the viewpoint of roughness performance, AR preferably contains two or more aromatic rings, and AR is more preferably a naphthyl group or a biphenyl group. . The number of aromatic rings possessed by AR is usually preferably 5 or less, and more preferably 3 or less.

Rnは、上述したように、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Rnのアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。このアルキル基としては、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1〜20のものが挙げられる。Rnのアルキル基は、炭素数1〜5のものが好ましく、炭素数1〜3のものがより好ましい。
As described above, Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
The alkyl group of Rn may be a straight chain alkyl group or a branched chain alkyl group. The alkyl group is preferably a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, octyl group, dodecyl group, etc. A thing with 1-20 carbon atoms is mentioned. The alkyl group of Rn preferably has 1 to 5 carbon atoms, and more preferably has 1 to 3 carbon atoms.

Rnのシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数が3〜15のものが挙げられる。   Examples of the cycloalkyl group represented by Rn include those having 3 to 15 carbon atoms such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

Rnのアリール基としては、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基等の炭素数が6〜14のものが好ましい。   As the aryl group of Rn, for example, those having 6 to 14 carbon atoms such as phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group and anthryl group are preferable.

Rnとしてのアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の各々は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。中でも、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基及びスルホニルアミノ基が特に好ましい。   Each of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group as Rn may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, a sulfonylamino group, a dialkylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, an aralkylthio group, and a thiophenecarbonyloxy group. , Thiophenemethylcarbonyloxy group, and heterocyclic residues such as pyrrolidone residues. Among these, an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, and a sulfonylamino group are particularly preferable.

Rは、上述したように、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。   As described above, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group.

Rのアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。これらアルキル基及びシクロアルキル基の各々は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。   Examples of the alkyl group and cycloalkyl group of R include the same as those described above for Rn. Each of these alkyl groups and cycloalkyl groups may have a substituent. Examples of this substituent include the same as those described above for Rn.

Rが置換基を有するアルキル基又はシクロアルキル基である場合、特に好ましいRとしては、例えば、トリフルオロメチル基、アルキルオキシカルボニルメチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基が挙げられる。   When R is an alkyl group or a cycloalkyl group having a substituent, particularly preferable R is, for example, a trifluoromethyl group, an alkyloxycarbonylmethyl group, an alkylcarbonyloxymethyl group, a hydroxymethyl group, or an alkoxymethyl group. Can be mentioned.

Rのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。中でも、フッ素原子が特に好ましい。   Examples of the halogen atom for R include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Among these, a fluorine atom is particularly preferable.

Rのアルキルオキシカルボニル基に含まれるアルキル基部分としては、例えば、先にRのアルキル基として挙げた構成を採用することができる。   As the alkyl group moiety contained in the alkyloxycarbonyl group of R, for example, the configuration described above as the alkyl group of R can be employed.

RnとARとが互いに結合して非芳香族環を形成することが好ましく、これにより、特に、ラフネス性能をより向上させることができる。
RnとARとは互いに結合して形成しても良い非芳香族環としては、5〜8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。
Rn and AR are preferably bonded to each other to form a non-aromatic ring, and in particular, roughness performance can be further improved.
The non-aromatic ring that may be formed by bonding Rn and AR to each other is preferably a 5- to 8-membered ring, more preferably a 5- or 6-membered ring.

非芳香族環は、脂肪族環であっても、環員として酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。
非芳香族環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、Rnが有していてもよい更なる置換基について先に説明したのと同様のものが挙げられる。
以下に、一般式(A3)により表される繰り返し単位の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

Figure 2013015590
The non-aromatic ring may be an aliphatic ring or a heterocycle containing a hetero atom such as an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom as a ring member.
The non-aromatic ring may have a substituent. As this substituent, the thing similar to having demonstrated previously about the further substituent which Rn may have is mentioned, for example.
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (A3) are shown below, but are not limited thereto.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

中でも、下記に示す繰り返し単位がより好ましい。

Figure 2013015590
Especially, the repeating unit shown below is more preferable.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

樹脂(Aa)は、一態様において、下記一般式(A)で表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することが好ましい。

Figure 2013015590
In one embodiment, the resin (Aa) preferably contains at least one repeating unit represented by the following general formula (A).
Figure 2013015590

式中、nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。nは、好ましくは1又は2であり、より好ましくは1である。mは、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1であり、特に好ましくは0である。   In the formula, n represents an integer of 1 to 5, and m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ≦ m + n ≦ 5. n is preferably 1 or 2, more preferably 1. m is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.

は置換基を表す。mが2以上の場合、複数のSは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
により表される置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙げられる。
S 1 represents a substituent. When m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
Examples of the substituent represented by S 1 include an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, an aralkyl group, an aralkyloxy group, a hydroxy group, a halogen atom, a cyano group, and a nitro group. , A sulfonylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, and an aralkylthio group.

たとえばアルキル基、シクロアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数1〜20個の直鎖若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基が好ましい。これらの基は更に置換基を有していても良い。   For example, as an alkyl group and a cycloalkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a cyclopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, an octyl group, A linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a dodecyl group or a cycloalkyl group is preferable. These groups may further have a substituent.

更に有し得る好ましい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、ピロリドン残基等のヘテロ環残基などが挙げられ、好ましくは、炭素数12以下の置換基である。   Further preferred substituents that may be included are alkyl group, alkoxy group, hydroxyl group, halogen atom, nitro group, acyl group, acyloxy group, acylamino group, sulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group, thiophenecarbonyloxy Group, a thiophenemethylcarbonyloxy group, a heterocyclic residue such as a pyrrolidone residue, and the like, and a substituent having 12 or less carbon atoms is preferable.

置換基を有するアルキル基として、例えばシクロヘキシルエチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、アルキルカルボニルオキシエチル基、シクロアルキルカルボニルオキシメチル基、シクロアルキルカルボニルオキシエチル基、アリールカルボニルオキシエチル基、アラルキルカルボニルオキシエチル基、アルキルオキシメチル基、シクロアルキルオキシメチル基、アリールオキシメチル基、アラルキルオキシメチル基、アルキルオキシエチル基、シクロアルキルオキシエチル基、アリールオキシエチル基、アラルキルオキシエチル基、アルキルチオメチル基、シクロアルキルチオメチル基、アリールチオメチル基、アラルキルチオメチル基、アルキルチオエチル基、シクロアルキルチオエチル基、アリールチオエチル基、アラルキルチオエチル基等が挙げられる。   Examples of the alkyl group having a substituent include a cyclohexylethyl group, an alkylcarbonyloxymethyl group, an alkylcarbonyloxyethyl group, a cycloalkylcarbonyloxymethyl group, a cycloalkylcarbonyloxyethyl group, an arylcarbonyloxyethyl group, and an aralkylcarbonyloxyethyl group. , Alkyloxymethyl group, cycloalkyloxymethyl group, aryloxymethyl group, aralkyloxymethyl group, alkyloxyethyl group, cycloalkyloxyethyl group, aryloxyethyl group, aralkyloxyethyl group, alkylthiomethyl group, cycloalkylthiomethyl Group, arylthiomethyl group, aralkylthiomethyl group, alkylthioethyl group, cycloalkylthioethyl group, arylthioethyl group, aralkyl Oechiru group, and the like.

これらの基におけるアルキル基、シクロアルキル基は特に限定されず、更に前述のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有してもよい。   The alkyl group and cycloalkyl group in these groups are not particularly limited, and may further have a substituent such as the aforementioned alkyl group, cycloalkyl group, or alkoxy group.

上記アルキルカルボニルオキシエチル基、シクロアルキルカルボニルオキシエチル基の例としては、シクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、t−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、n−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基等を挙げることができる。   Examples of the alkylcarbonyloxyethyl group and cycloalkylcarbonyloxyethyl group include cyclohexylcarbonyloxyethyl group, t-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group, n-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group, and the like.

アリール基も特に限定されないが、一般的にフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の炭素数6〜14のものが挙げられ、更に前述のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有してもよい。
上記アリールオキシエチル基の例としては、フェニルオキシエチル基、シクロヘキシルフェニルオキシエチル基等を挙げることができる。これらの基はさらに置換基を有していても良い。
The aryl group is not particularly limited, but generally includes those having 6 to 14 carbon atoms such as a phenyl group, a xylyl group, a toluyl group, a cumenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, and the above-mentioned alkyl groups and cycloalkyl groups. And may have a substituent such as an alkoxy group.
Examples of the aryloxyethyl group include a phenyloxyethyl group, a cyclohexylphenyloxyethyl group, and the like. These groups may further have a substituent.

アラルキルも特に限定されないが、ベンジル基などを挙げることができる。
上記アラルキルカルボニルオキシエチル基の例としては、ベンジルカルボニルオキシエチル基等を挙げることができる。これらの基はさらに置換基を有していても良い。
Aralkyl is not particularly limited, and examples thereof include a benzyl group.
Examples of the aralkylcarbonyloxyethyl group include a benzylcarbonyloxyethyl group. These groups may further have a substituent.

一般式(Aa1)により表される繰り返し単位としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2013015590
Examples of the repeating unit represented by the general formula (Aa1) include the following.
Figure 2013015590

樹脂(Aa)は、一形態において、一般式(A)で表される繰り返し単位として、少なくとも下式で表される繰り返し単位を含有する。

Figure 2013015590
In one embodiment, the resin (Aa) contains at least a repeating unit represented by the following formula as the repeating unit represented by the general formula (A).
Figure 2013015590

樹脂(Aa)における、一般式(A)で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対し、0〜90mol%が好ましく、より好ましくは5〜80mol%であり、更に好ましくは10〜70mol%であり、特に好ましくは20〜60mol%である。   The content of the repeating unit represented by the general formula (A) in the resin (Aa) is preferably 0 to 90 mol%, more preferably 5 to 80 mol% with respect to all the repeating units in the resin (Aa). More preferably, it is 10-70 mol%, Most preferably, it is 20-60 mol%.

樹脂(Aa)は、更に、フッ素原子を含有する繰り返し単位を含む。一方、上述したように、樹脂(Ab)はフッ素原子を有さないか、フッ素原子を含有する繰返し単位が樹脂(Aa)に対して相対的に少ない樹脂である。これにより、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜の表層に樹脂(Aa)が偏在化する。なお、樹脂(Aa)は、このように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。樹脂(Aa)がフッ素原子を含有することで、膜表面の疎水性が向上し、現像欠陥(Blob)の低減に寄与する。   The resin (Aa) further includes a repeating unit containing a fluorine atom. On the other hand, as described above, the resin (Ab) does not have a fluorine atom or has a relatively small number of repeating units containing a fluorine atom relative to the resin (Aa). Thereby, resin (Aa) is unevenly distributed in the surface layer of the film | membrane formed from the actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of this invention. The resin (Aa) is unevenly distributed at the interface as described above. However, unlike the surfactant, the resin (Aa) does not necessarily have a hydrophilic group in the molecule, and the polar / nonpolar substance is mixed uniformly. It does not have to contribute to When the resin (Aa) contains a fluorine atom, the hydrophobicity of the film surface is improved and the development defect (Blob) is reduced.

更に、膜の表面にフッ素原子を含有する樹脂(Aa)が偏在することは、特にEUVを用いた露光における高感度化に有効である。すなわち、高感度化には感活性光線性又は感放射線性膜におけるEUVのエネルギー吸収量を増やすこと、即ち組成物のEUVに対する吸収係数の向上が必要と考えられる。その際に、EUVの吸収係数が高いフッ素原子を膜中に均一に分布させるよりも、EUV光が最も強く照射される膜表面に、フッ素原子を偏在化させ、効率的にエネルギー吸収量を増加させることにより、更なる高感度化の実現が可能となる。   Furthermore, the uneven distribution of the resin (Aa) containing fluorine atoms on the surface of the film is effective in increasing the sensitivity particularly in exposure using EUV. That is, to increase the sensitivity, it is considered necessary to increase the amount of EUV energy absorbed in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, that is, to improve the absorption coefficient of the composition with respect to EUV. At that time, rather than uniformly distributing fluorine atoms with a high EUV absorption coefficient in the film, the fluorine atoms are unevenly distributed on the film surface to which the EUV light is irradiated most strongly, thereby efficiently increasing the amount of energy absorption. By doing so, it is possible to realize further higher sensitivity.

フッ素原子は、樹脂(Aa)中の主鎖に含まれていてもよく、側鎖に置換していてもよい。フッ素原子を有する繰り返し単位は、例えば、(メタ)アクリレート系繰り返し単位又はスチリル系繰り返し単位であることが好ましい。   The fluorine atom may be contained in the main chain in the resin (Aa) or may be substituted on the side chain. The repeating unit having a fluorine atom is preferably, for example, a (meth) acrylate repeating unit or a styryl repeating unit.

フッ素原子を含有する繰り返し単位は、一態様において、部分構造としてフッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を有する繰り返し単位であることが好ましい。   In one embodiment, the repeating unit containing a fluorine atom is preferably a repeating unit having an alkyl group having a fluorine atom as a partial structure, a cycloalkyl group having a fluorine atom, or an aryl group having a fluorine atom.

フッ素原子を有するアルキル基(好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜4)は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよい。   The alkyl group having a fluorine atom (preferably having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms) is a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, It may have a substituent.

フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環または多環のシクロアルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよ
い。
The cycloalkyl group having a fluorine atom is a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and may further have another substituent.

フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、さらに他の置換基を有していてもよい。   Examples of the aryl group having a fluorine atom include those in which at least one hydrogen atom of an aryl group such as a phenyl group or a naphthyl group is substituted with a fluorine atom, and may further have another substituent.

フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式(F2)〜(F4)のいずれかで表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。

Figure 2013015590
As the alkyl group having a fluorine atom, the cycloalkyl group having a fluorine atom, or the aryl group having a fluorine atom, a group represented by any one of the following general formulas (F2) to (F4) is preferable. However, the present invention is not limited to this.
Figure 2013015590

一般式(F2)〜(F4)中、R57〜R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基(鎖状)を表す。但し、R57〜R61の少なくとも1つ、R62〜R64の少なくとも1つ、R65〜R68の少なくとも1つは、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。 In general formulas (F2) to (F4), R 57 to R 68 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group (chain-like). However, at least one of R 57 to R 61 , at least one of R 62 to R 64 , and at least one of R 65 to R 68 represent a fluorine atom or a fluoroalkyl group. R 62 and R 63 may be connected to each other to form a ring.

一般式(F2)で表される基の具体例としては、例えば、p−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5−ジ(トリフルオロメチル)フェニル基等が挙げられる。   Specific examples of the group represented by the general formula (F2) include a p-fluorophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a 3,5-di (trifluoromethyl) phenyl group.

一般式(F3)で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロ(トリメチル)ヘキシル基、2,2,3,3−テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロヘキシル基などが挙げられる。中でも、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。   Specific examples of the group represented by the general formula (F3) include trifluoromethyl group, pentafluoropropyl group, pentafluoroethyl group, heptafluorobutyl group, hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2 -Methyl) isopropyl group, nonafluorobutyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluorohexyl group, nonafluoro-t-butyl group, perfluoroisopentyl group, perfluorooctyl group, perfluoro (trimethyl) hexyl group, 2,2 , 3,3-tetrafluorocyclobutyl group, perfluorohexyl group and the like. Among them, hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2-methyl) isopropyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluoro-t-butyl group and perfluoroisopentyl group are preferable, hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group Groups are more preferred.

一般式(F4)で表される基の具体例としては、例えば、−C(CFOH、−C(COH、−C(CF)(CH)OH、−CH(CF)OH等が挙げられ、C(CFOHが好ましい。 Specific examples of the group represented by the general formula (F4) include, for example, —C (CF 3 ) 2 OH, —C (C 2 F 5 ) 2 OH, —C (CF 3 ) (CH 3 ) OH, -CH (CF 3) OH and the like, C (CF 3) 2 OH is preferred.

フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合してもよく、さらに、アルキレン基、フェニレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、またはウレイレン基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを介して主鎖に結合してもよい。
フッ素原子を有する繰り返し単位としては、以下に示すものが好適に挙げられる。

Figure 2013015590
The partial structure containing a fluorine atom may be directly bonded to the main chain, and further comprises a group consisting of an alkylene group, a phenylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a urethane group, or a ureylene group. You may couple | bond with a principal chain through the combination of single or 2 or more groups selected from.
Preferred examples of the repeating unit having a fluorine atom include those shown below.
Figure 2013015590

式中、R10、R11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜4の直鎖または分岐のアルキル基であり、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる)を表す。 In the formula, R 10 and R 11 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group (preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and particularly as an alkyl group having a substituent, Fluorinated alkyl group can be mentioned).

〜Wは、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には上述した一般式(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。
また、樹脂(Aa)は、他の態様において、一般式(C−II)又は(C−III)で表される単位を含んでいてもよい。

Figure 2013015590
W 3 to W 6 each independently represents an organic group containing at least one fluorine atom. Specific examples include the atomic groups represented by the general formulas (F2) to (F4) described above.
Moreover, resin (Aa) may contain the unit represented by general formula (C-II) or (C-III) in another aspect.
Figure 2013015590

一般式(C−II)中、R〜Rは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、またはアルキル基(好ましくは炭素数1〜4の直鎖または分岐のアルキル基であり、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる)を表す。ただし、R〜Rの少なくとも1つはフッ素原子を表す。RとRもしくはRとRは環を形成していてもよい。 In general formula (C-II), R 4 to R 7 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group (preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms). As the alkyl group having a fluorinated alkyl group, a fluorinated alkyl group can be mentioned in particular. However, at least one of R 4 to R 7 represents a fluorine atom. R 4 and R 5 or R 6 and R 7 may form a ring.

一般式(C−III)中、Qは脂環構造を表す。
は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記一般式(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。
は、単結合、あるいは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、−O−、−SO−、−CO−、−N(R)−(式中、Rは水素原子またはアルキル基を表す)、−NHSO−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基が挙げられる。
In general formula (C-III), Q represents an alicyclic structure.
W 2 represents an organic group containing at least one fluorine atom. Specific examples include the atomic groups represented by the general formulas (F2) to (F4).
L 2 represents a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include a substituted or unsubstituted arylene group, a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted cycloalkylene group, —O—, —SO 2 —, —CO—, —N (R )-(Wherein R represents a hydrogen atom or an alkyl group), —NHSO 2 —, or a divalent linking group obtained by combining a plurality of these.

以下、フッ素を含有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、Xは、水素原子、−CH、−F又は−CFを表し、Xは、−F又は−CFを表す。

Figure 2013015590
Hereinafter, although the specific example of the repeating unit containing a fluorine is given, this invention is not limited to this. In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 , and X 2 represents —F or —CF 3 .
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

樹脂(Aa)におけるフッ素原子を含む繰り返し単位の含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、好ましくは1〜90モル%であり、より好ましくは5〜85モル%であり、更に好ましくは10〜80モル%であり、特に好ましくは15〜75モル%である。   The content of the repeating unit containing a fluorine atom in the resin (Aa) is preferably 1 to 90 mol%, more preferably 5 to 85 mol%, still more preferably 10 with respect to all repeating units in the resin. It is -80 mol%, Most preferably, it is 15-75 mol%.

先に説明したように、後述する樹脂(Ab)はフッ素原子を含有しないことが好ましく、樹脂(Aa)中のフッ素原子を含む繰り返し単位の含有率は、樹脂(Ab)中に含有され得るフッ素原子を含む繰り返し単位の含有率よりも大きい。樹脂(Aa)の膜表面における偏在化の観点から、樹脂(Aa)におけるフッ素原子を含む繰り返し単位の含有率は、樹脂(Ab)がフッ素原子を含む場合はその含有率よりも5モル%以上大きいことが好ましく、10モル%以上大きいことがより好ましく、15モル%以上大きいことが特に好ましい。   As described above, the resin (Ab) to be described later preferably does not contain a fluorine atom, and the content of the repeating unit containing a fluorine atom in the resin (Aa) is the fluorine that can be contained in the resin (Ab). It is larger than the content of the repeating unit containing an atom. From the viewpoint of uneven distribution of the resin (Aa) on the film surface, the content of the repeating unit containing a fluorine atom in the resin (Aa) is 5 mol% or more than the content when the resin (Ab) contains a fluorine atom. It is preferably large, more preferably 10 mol% or more, particularly preferably 15 mol% or more.

樹脂(Aa)は、下記(x)及び(z)の群から選ばれる基を少なくとも1つを有していてもよい。   The resin (Aa) may have at least one group selected from the following groups (x) and (z).

(x)アルカリ可溶性基、
(z)酸の作用により分解する基。
(X) an alkali-soluble group,
(Z) A group that decomposes by the action of an acid.

(x)アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。   (X) Alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxylic acid groups, fluorinated alcohol groups, sulfonic acid groups, sulfonamido groups, sulfonylimide groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene groups, (alkylsulfonyl) ( Alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) ) And a methylene group.

好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール)、スルホンイミド基、ビス(カルボニル)メチレン基が挙げられる。   Preferred alkali-soluble groups include fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol), sulfonimide groups, and bis (carbonyl) methylene groups.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。   Examples of the repeating unit having an alkali-soluble group (x) include a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or a main group of the resin via a linking group. Examples include repeating units in which an alkali-soluble group is bonded to the chain. Furthermore, a polymerization initiator or a chain transfer agent having an alkali-soluble group can be used at the time of polymerization to be introduced at the end of the polymer chain. Is also preferable.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(C)中の全繰り返し単位に対し、1〜50mol%が好ましく、より好ましくは3〜35mol%、更に好ましくは5〜30mol%である。   The content of the repeating unit having an alkali-soluble group (x) is preferably from 1 to 50 mol%, more preferably from 3 to 35 mol%, still more preferably from 5 to 30 mol%, based on all repeating units in the resin (C). is there.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH,CH、CHOH,またはCFを表す。

Figure 2013015590
Specific examples of the repeating unit having an alkali-soluble group (x) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In specific examples, Rx represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .
Figure 2013015590

樹脂(Aa)に於ける、酸の作用により分解する基(z)(以下、「酸分解性基」ともいう。)を有する繰り返し単位としては、例えば、以下に説明する一般式(CAI)、一般式(A1)、及び一般式(A2)で表される繰り返し単位が挙げられ、更には後述する樹脂(Ab)で挙げる酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。ここで「酸分解性基」とは、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基を生じる基をいい、詳細は後掲の樹脂(Ab)において述べる。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。   Examples of the repeating unit having a group (z) (hereinafter also referred to as “acid-decomposable group”) that decomposes under the action of an acid in the resin (Aa) include a general formula (CAI) described below, The repeating unit represented by general formula (A1) and general formula (A2) is mentioned, Furthermore, the thing similar to the repeating unit which has an acid-decomposable group mentioned by resin (Ab) mentioned later is mentioned. Here, the “acid-decomposable group” refers to a group that generates a group that is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer, and will be described in detail in the resin (Ab) described later. The acid-decomposable group is preferably a cumyl ester group, an enol ester group, an acetal ester group, a tertiary alkyl ester group or the like. More preferably, it is a tertiary alkyl ester group.

酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(CAI)で表される繰り返し単位が好ましい。

Figure 2013015590
The repeating unit having an acid-decomposable group is preferably a repeating unit represented by the following general formula (CAI).
Figure 2013015590

一般式(CAI)に於いて、
Xaは、水素原子、メチル基又は−CH−Rで表される基を表す。Rは、水酸基または1価の有機基を表し、例えば、炭素数5以下のアルキル基、アシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Xaは好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx〜Rxは、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。
Rx〜Rxの少なくとも2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を
形成してもよい。
In the general formula (CAI),
Xa 1 represents a hydrogen atom, a methyl group or a group represented by —CH 2 —R 9 . R 9 represents a hydroxyl group or a monovalent organic group, and examples thereof include an alkyl group having 5 or less carbon atoms and an acyl group, preferably an alkyl group having 3 or less carbon atoms, and more preferably a methyl group. Xa 1 preferably represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.
T represents a single bond or a divalent linking group.
Rx 1 to Rx 3 each independently represents an alkyl group (straight or branched) or a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic).
At least two of Rx 1 to Rx 3 may combine to form a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic).

Tの2価の連結基としては、アルキレン基、−COO−Rt−基、−O−Rt−基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH−基、−(CH−基がより好ましい。
Examples of the divalent linking group for T include an alkylene group, —COO—Rt— group, —O—Rt— group, and the like. In the formula, Rt represents an alkylene group or a cycloalkylene group.
T is preferably a single bond or a —COO—Rt— group. Rt is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a —CH 2 — group or a — (CH 2 ) 3 — group.

Rx〜Rxのアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。 Examples of the alkyl group rx 1 to Rx 3, methyl, ethyl, n- propyl group, an isopropyl group, n- butyl group, an isobutyl group, those having 1 to 4 carbon atoms such as t- butyl group.

Rx〜Rxのシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx〜Rxの少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Examples of the cycloalkyl group represented by Rx 1 to Rx 3 include monocyclic cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group, polycyclic cycloalkyl groups such as norbornyl group, tetracyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, and adamantyl group. Groups are preferred.
Examples of the cycloalkyl group formed by combining at least two of Rx 1 to Rx 3 include a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, A polycyclic cycloalkyl group such as an adamantyl group is preferred.

Rxがメチル基またはエチル基であり、RxとRxとが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。 An embodiment in which Rx 1 is a methyl group or an ethyl group and Rx 2 and Rx 3 are bonded to form the above-described cycloalkyl group is preferable.

上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基(炭素数1〜4)、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基(炭素数1〜4)、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基(炭素数2〜6)などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。   Each of the above groups may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (1 to 4 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group (1 to 4 carbon atoms), a carboxyl group, An alkoxycarbonyl group (C2-C6) etc. are mentioned, C8 or less is preferable.

樹脂(Aa)は、他の態様において、下記一般式(A1)及び(A2)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含有することが好ましい。ここで、上述した一般式(A3)は一般式(A2)の一形態である。

Figure 2013015590
In another embodiment, the resin (Aa) preferably contains at least one repeating unit represented by the following general formulas (A1) and (A2). Here, the general formula (A3) described above is one form of the general formula (A2).
Figure 2013015590

一般式(A1)中、
nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は、置換基(水素原子を除く)を表し、mが2以上の場合には、複数のSは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、少なくとも1つのAは酸の作用により脱離する基を表す。n≧2の場合には、複数のAは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
In general formula (A1),
n represents an integer of 1 to 5, and m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ≦ m + n ≦ 5.
S 1 represents a substituent (excluding a hydrogen atom), and when m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
A 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. However, at least one A 1 represents a group capable of leaving by the action of an acid. When n ≧ 2, the plurality of A 1 may be the same as or different from each other.

一般式(A2)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
In general formula (A2),
X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyloxycarbonyl group, alkyl Represents a carbonyloxy group or an aralkyl group.
A 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid.

まず、一般式(A1)により表される繰り返し単位について説明する。
nは、上述したように、1〜5の整数を表し、好ましくは1又は2であり、特に好ましくは1である。
mは、上述したように、1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表し、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1であり、特に好ましくは0である。
は、上述したように、置換基(水素原子を除く)を表す。この置換基としては、例えば、先に一般式(A)におけるSについて説明したのと同様のものが挙げられる。
First, the repeating unit represented by formula (A1) will be described.
As described above, n represents an integer of 1 to 5, preferably 1 or 2, and particularly preferably 1.
As described above, m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship of 1 ≦ m + n ≦ 5, preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.
S 1 represents a substituent (excluding a hydrogen atom) as described above. Examples of this substituent include the same as those described above for S 1 in the general formula (A).

は、上述したように、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表し、少なくとも1つのAは酸の作用により脱離する基である。 As described above, A 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid, and at least one A 1 is a group capable of leaving by the action of an acid.

酸の作用により脱離する基としては、例えば、t−ブチル基及びt−アミル基等の3級アルキル基、t−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニルメチル基、並びに、式−C(L)(L)−O−Zにより表されるアセタール基が挙げられる。 Examples of the group capable of leaving by the action of an acid include tertiary alkyl groups such as t-butyl group and t-amyl group, t-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonylmethyl group, and formula -C (L 1 ) (L 2 ) —O—Z 2 represents an acetal group.

以下、式−C(L)(L)−O−Zにより表されるアセタール基について説明する。式中、L及びLは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。Zは、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。なお、ZとLとは、互いに結合して、5員又は6員環を形成していてもよい。 Hereinafter, the acetal group represented by the formula —C (L 1 ) (L 2 ) —O—Z 2 will be described. In the formula, L 1 and L 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aralkyl group. Z 2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aralkyl group. Z 2 and L 1 may be bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring.

アルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。
直鎖アルキル基としては、炭素数が1〜30のものが好ましく、炭素数が1〜20のものがより好ましい。このような直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基及びn−デカニル基が挙げられる。
The alkyl group may be a linear alkyl group or a branched alkyl group.
As a linear alkyl group, a C1-C30 thing is preferable and a C1-C20 thing is more preferable. Examples of such linear alkyl groups include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, sec-butyl, t-butyl, n-pentyl, n-hexyl, and n- A heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, and n-decanyl group are mentioned.

分岐鎖アルキル基としては、炭素数が3〜30のものが好ましく、炭素数が3〜20のものがより好ましい。このような分岐鎖アルキル基としては、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、tヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、iノニル基及びt−デカノイル基が挙げられる。   As a branched alkyl group, a C3-C30 thing is preferable and a C3-C20 thing is more preferable. Examples of such branched alkyl groups include i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, i-hexyl group, thexyl group, i-heptyl group. , T-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, inonyl group and t-decanoyl group.

これらアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、水酸基;フッ素、塩素、臭素及びヨウ素原子等のハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;アミド基;スルホンアミド基;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基及びブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基;アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。   These alkyl groups may further have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxyl group; a halogen atom such as fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms; a nitro group; a cyano group; an amide group; a sulfonamide group; a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n- Alkyl groups such as butyl, sec-butyl, hexyl, 2-ethylhexyl, octyl and dodecyl; alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, hydroxyethoxy, propoxy, hydroxypropoxy and butoxy; Examples include alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group; acyloxy groups such as acetoxy group and butyryloxy group, and carboxy group.

アルキル基としては、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、シクロヘキシルエチル基、フェニルメチル基又はフェニルエチル基が特に好ましい。   As the alkyl group, an ethyl group, an isopropyl group, an isobutyl group, a cyclohexylethyl group, a phenylmethyl group, or a phenylethyl group is particularly preferable.

シクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。後者の場合、シクロアルキル基は、有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は、橋かけ構造を有していてもよい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。   The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. In the latter case, the cycloalkyl group may be bridged. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a bridged structure. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.

単環型のシクロアルキル基としては、炭素数3〜8のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基及びシクロオクチル基が挙げられる。   As the monocyclic cycloalkyl group, those having 3 to 8 carbon atoms are preferable. Examples of such a cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group.

多環型のシクロアルキル基としては、例えば、ビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を有する基が挙げられる。多環型のシクロアルキル基としては、炭素数が6〜20のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、 α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。   Examples of the polycyclic cycloalkyl group include groups having a bicyclo, tricyclo or tetracyclo structure. The polycyclic cycloalkyl group preferably has 6 to 20 carbon atoms. Examples of such cycloalkyl groups include an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, camphanyl group, dicyclopentyl group, α-pinel group, tricyclodecanyl group, tetocyclododecyl group, and androstanyl group.

、L及びZにおけるアラルキル基としては、例えば、ベンジル基及びフェネチル基等の炭素数が7〜15のものが挙げられる。 Examples of the aralkyl group in L 1 , L 2 and Z 2 include those having 7 to 15 carbon atoms such as a benzyl group and a phenethyl group.

これらアラルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、好ましくは、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基及びアラルキルチオ基が挙げられる。置換基を有するアラルキル基としては、例えば、アルコキシベンジル基、ヒドロキシベンジル基及びフェニルチオフェネチル基が挙げられる。なお、これらアラルキル基が有し得る置換基の炭素数は、好ましくは12以下である。   These aralkyl groups may further have a substituent. Preferred examples of the substituent include an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, and an aralkylthio group. Examples of the aralkyl group having a substituent include an alkoxybenzyl group, a hydroxybenzyl group, and a phenylthiophenethyl group. In addition, carbon number of the substituent which these aralkyl groups may have is preferably 12 or less.

とLとが互いに結合して形成し得る5員又は6員環としては、例えば、テトラヒドロピラン環及びテトラヒドロフラン環が挙げられる。これらのうち、テトラヒドロピラン環が特に好ましい。 Examples of the 5-membered or 6-membered ring that can be formed by bonding Z 2 and L 1 to each other include a tetrahydropyran ring and a tetrahydrofuran ring. Of these, a tetrahydropyran ring is particularly preferred.

は、直鎖又は分岐鎖状のアルキル基であることが好ましい。これにより、本発明の効果が一層顕著になる。
以下に、一般式(A1)により表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

Figure 2013015590
Z 2 is preferably a linear or branched alkyl group. Thereby, the effect of the present invention becomes more remarkable.
Although the specific example of the repeating unit represented by general formula (A1) below is given, it is not limited to these.
Figure 2013015590

次に、一般式(A2)により表される繰り返し単位について説明する。
Xは、上述したように、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
Next, the repeating unit represented by general formula (A2) is demonstrated.
X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyl as described above. An oxycarbonyl group, an alkylcarbonyloxy group or an aralkyl group is represented.

Xとしてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30、さらに好ましくは1〜20であり、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3〜30、さらに好ましくは3〜20であり、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、i−ノニル基、t−デカノイル基等が挙げられる。   The alkyl group as X may have a substituent, and may be linear or branched. As a linear alkyl group, Preferably it is C1-C30, More preferably, it is 1-20, For example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl Group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decanyl group and the like. As a branched alkyl group, Preferably it is C3-C30, More preferably, it is 3-20, for example, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, Examples include i-hexyl group, t-hexyl group, i-heptyl group, t-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group, t-decanoyl group and the like.

Xとしてのアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば炭素数1〜8の上記アルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。   The alkoxy group as X may have a substituent, for example, the above alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group. And a cyclohexyloxy group.

Xとしてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。   Examples of the halogen atom as X include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferred.

Xとしてのアシル基は、置換基を有していてもよく、例えば炭素数2〜8個のアシル基であって、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等を好ましく挙げることができる。   The acyl group as X may have a substituent, for example, an acyl group having 2 to 8 carbon atoms, specifically, a formyl group, an acetyl group, a propanoyl group, a butanoyl group, a pivaloyl group. Preferred examples include benzoyl group.

Xとしてのアシロキシ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数2〜8のアシロキシ基であり、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルリオキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等を挙げることができる。   The acyloxy group as X may have a substituent, and is preferably an acyloxy group having 2 to 8 carbon atoms. For example, an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyllioxy group, a valeryloxy group, a pivaloyloxy group, hexanoyl An oxy group, an octanoyloxy group, a benzoyloxy group, etc. can be mentioned.

Xとしてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、有橋式であってもよい。例えば、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。尚、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。   The cycloalkyl group as X may have a substituent, may be monocyclic, polycyclic, or bridged. For example, the cycloalkyl group may have a bridged structure. The monocyclic type is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic type include groups having a bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable. For example, an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, Examples thereof include a camphanyl group, a dicyclopentyl group, an α-pinel group, a tricyclodecanyl group, a tetocyclododecyl group, and an androstanyl group. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.

Xとしてのアリール基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6〜14であり、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。   The aryl group as X may have a substituent, and preferably has 6 to 14 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a xylyl group, a toluyl group, a cumenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group. .

Xとしてのアルキルオキシカルボニル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数2〜8であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基を挙げることができる。   The alkyloxycarbonyl group as X may have a substituent, and preferably has 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and a propoxycarbonyl group.

Xとしてのアルキルカルボニルオキシ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数2〜8であり、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基を挙げることができる。   The alkylcarbonyloxy group as X may have a substituent, and preferably has 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methylcarbonyloxy group and an ethylcarbonyloxy group.

Xとしてのアラルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7〜16のアラルキル基である、例えば、ベンジル基を挙げることができる。   The aralkyl group as X may have a substituent and is preferably an aralkyl group having 7 to 16 carbon atoms, for example, a benzyl group.

Xとしてのアルキル基、アルコキシ基、アシル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アラルキル基が更に有していてもよい置換基としては、水酸基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、アリール基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基などが挙げられる。   Substituents that the alkyl group, alkoxy group, acyl group, cycloalkyl group, aryl group, alkyloxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, aralkyl group as X may further have include a hydroxyl group, a fluorine atom, chlorine Atom, bromine atom, iodine atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, aryl group, carboxyl group, alkyloxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group Or an aralkyl group etc. are mentioned.

は、上述したように、酸の作用により脱離する基を表す。即ち、一般式(A2)により表される繰り返し単位は、酸分解性基として、「−COOA」により表される基を備えている。Aとしては、例えば、先に一般式(A1)におけるAについて説明したのと同様のものが挙げられる。 A 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid as described above. That is, the repeating unit represented by the general formula (A2) includes a group represented by “—COOA 2 ” as an acid-decomposable group. The A 2, for example, those previously described for A 1 in the general formula (A1) similar to the.

2は炭化水素基(好ましくは炭素数20以下、より好ましくは4〜12)であることが好ましく、t−ブチル基、t−アミル基、脂環構造を有する炭化水素基(例えば、脂環基自体、及び、アルキル基に脂環基が置換した基)がより好ましい。
2は、3級のアルキル基又は3級のシクロアルキル基であることが好ましい。
A 2 is preferably a hydrocarbon group (preferably having a carbon number of 20 or less, more preferably 4 to 12), and a t-butyl group, a t-amyl group, or a hydrocarbon group having an alicyclic structure (for example, an alicyclic ring). The group itself and a group in which an alicyclic group is substituted on the alkyl group) are more preferable.
A 2 is preferably a tertiary alkyl group or a tertiary cycloalkyl group.

脂環構造は、単環でも、多環でもよい。具体的には、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を挙げることができる。その炭素数は6〜30個が好ましく、特に炭素数7〜25個が好ましい。これらの脂環構造を有する炭化水素基は置換基を有していてもよい。
以下に脂環構造の例を示す。

Figure 2013015590
The alicyclic structure may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include monocyclo, bicyclo, tricyclo, and tetracyclo structures having 5 or more carbon atoms. The carbon number is preferably 6-30, and particularly preferably 7-25. These hydrocarbon groups having an alicyclic structure may have a substituent.
Examples of alicyclic structures are shown below.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

本発明においては、上記脂環構造の好ましいものとしては、一価の脂環基の表記として、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基である。   In the present invention, the alicyclic structure is preferably a monovalent alicyclic group as an adamantyl group, a noradamantyl group, a decalin residue, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, or a norbornyl group. And cedrol group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecanyl group, and cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin residue, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, and a cyclododecanyl group.

これらにおける脂環が有してもよい置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基である。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。アルキル基、アルコキシ基は、更なる置換基を有していてもよい。アルキル基、アルコキシ基の更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。   Examples of the substituent that the alicyclic ring may have include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group or a butyl group, more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group or an isopropyl group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. The alkyl group and the alkoxy group may have a further substituent. Examples of further substituents on the alkyl group and alkoxy group include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group.

脂環構造を有する酸分解性基としては、下記一般式(pI)〜一般式(pV)で示される基が好ましい。

Figure 2013015590
As the acid-decomposable group having an alicyclic structure, groups represented by the following general formula (pI) to general formula (pV) are preferable.
Figure 2013015590

上記一般式(pI)〜(pV)中、
11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
In the general formulas (pI) to (pV),
R 11 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group, and Z forms an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom. Represents the necessary atomic group.

12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。 R 12 to R 16 each independently represents a linear or branched alkyl group or alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 12 to R 14 , or Either R 15 or R 16 represents an alicyclic hydrocarbon group.

17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。 R 17 to R 21 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 17 to R 21 Represents an alicyclic hydrocarbon group. Further, either R 19 or R 21 represents a linear or branched alkyl group or alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.

22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。 R 22 to R 25 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 22 to R 25 Represents an alicyclic hydrocarbon group. R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring.

一般式(pI)〜(pV)において、R12〜R25におけるアルキル基としては、置換もしくは非置換のいずれであってもよい、1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。そのアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。 In the general formulas (pI) to (pV), the alkyl group in R 12 to R 25 may be either substituted or unsubstituted, and a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms Represents. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group.

また、上記アルキル基の更なる置換基としては、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。   Further, the further substituent of the alkyl group includes an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom), an acyl group, an acyloxy group, a cyano group, a hydroxyl group, A carboxy group, an alkoxycarbonyl group, a nitro group, etc. can be mentioned.

11〜R25における脂環式炭化水素基或いはZと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基としては、先に脂環構造として述べたものが挙げられる。 Examples of the alicyclic hydrocarbon group in R 11 to R 25 or the alicyclic hydrocarbon group formed by Z and a carbon atom include those described above as the alicyclic structure.

一般式(A2)で表される繰り返し単位は、一形態において、下式で表される繰り返し単位である場合が好ましい。

Figure 2013015590
In one embodiment, the repeating unit represented by the general formula (A2) is preferably a repeating unit represented by the following formula.
Figure 2013015590

また、一般式(A2)で表される繰り返し単位は、他の形態において、上述した一般式(A3)で表される繰り返し単位である場合も好ましい。   Moreover, the repeating unit represented by the general formula (A2) is also preferably a repeating unit represented by the general formula (A3) described above in another embodiment.

以下に、一般式(A2)により表される繰り返し単位に対応したモノマーの具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

Figure 2013015590
Specific examples of the monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (A2) are shown below, but are not limited thereto.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

以下に、一般式(A2)により表される繰り返し単位の構造の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

Figure 2013015590
Although the specific example of the structure of the repeating unit represented by general formula (A2) below is given, it is not limited to these.
Figure 2013015590

一般式(A2)により表される繰り返し単位は、一形態において、t−ブチルメタクリレート又はエチルシクロペンチルメタクリレートの繰り返し単位であることが好ましい。   In one embodiment, the repeating unit represented by formula (A2) is preferably a repeating unit of t-butyl methacrylate or ethylcyclopentyl methacrylate.

一般式(A2)で表される繰り返し単位に対応するモノマーは、THF、アセトン、塩化メチレン等の溶媒中、(メタ)アクリル酸クロリドとアルコール化合物を、トリエチルアミン、ピリジン、DBU等の塩基性触媒存在下でエステル化させることにより合成することができる。なお、市販のものを用いてもよい。   The monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (A2) includes (meth) acrylic acid chloride and an alcohol compound in a solvent such as THF, acetone and methylene chloride, and a basic catalyst such as triethylamine, pyridine and DBU. It can be synthesized by esterification below. A commercially available product may be used.

樹脂(Aa)は、下記一般式(A4)により表される繰り返し単位を更に含んでいることが好ましい。このような構成を採用すると、例えば、膜質を更に向上させること及び未露光部の膜減りを更に抑制することが可能となる。

Figure 2013015590
The resin (Aa) preferably further contains a repeating unit represented by the following general formula (A4). By adopting such a configuration, for example, it is possible to further improve the film quality and further suppress the film loss of the unexposed portion.
Figure 2013015590

一般式(A4)中、
は、水素原子、メチル基、シアノ基、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のペルフルオロ基を表す。
は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基又はアシル基を表す。
qは、0〜4の整数を表す。
Wは、酸の作用により分解しない基又は水素原子(以下、酸安定基ともいう)を表す。
In general formula (A4),
R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group, a cyano group, a halogen atom, or a C 1-4 perfluoro group.
R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, an aryl group, an alkoxy group or an acyl group.
q represents an integer of 0 to 4.
W represents a group or a hydrogen atom that is not decomposed by the action of an acid (hereinafter also referred to as an acid stabilizing group).

Wの酸安定基としては、好ましくはアシル基、アルキルアミド基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基又はアリールオキシ基であり、より好ましくはアシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基又はアリールオキシ基である。   The acid stabilizing group for W is preferably an acyl group, an alkylamide group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxy group, a cycloalkyloxy group or an aryloxy group, and more preferably an acyl group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxy group. A group, a cycloalkyloxy group or an aryloxy group.

Wのアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基及びt−ブチル基等の炭素数が1〜4のものが好ましい。   As the alkyl group for W, those having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group and t-butyl group are preferable.

Wのシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基及びアダマンチル基等の炭素数が3〜10のものが好ましい。   As the cycloalkyl group of W, those having 3 to 10 carbon atoms such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group and adamantyl group are preferable.

Wのアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、アリル基及びブテニル基等の炭素数が2〜4のものが好ましい。   As the alkenyl group for W, those having 2 to 4 carbon atoms such as vinyl group, propenyl group, allyl group and butenyl group are preferable.

Wのアリール基としては、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基等の炭素数が6〜14のものが好ましい。   As the aryl group for W, those having 6 to 14 carbon atoms such as a phenyl group, a xylyl group, a toluyl group, a cumenyl group, a naphthyl group and an anthryl group are preferable.

Wのアシル基、アルキルアミド基、アルキルカルボニルオキシ基及びアルキルオキシ基におけるアルキル基としては、上記Wのアルキル基で挙げたものと同様のものを挙げることができる。   Examples of the alkyl group in the acyl group, alkylamide group, alkylcarbonyloxy group, and alkyloxy group of W include the same groups as those described above for the alkyl group of W.

Wのシクロアルキルオキシ基におけるシクロアルキル基としては、上記Wのシクロアルキル基で挙げたものと同様のものを挙げることができる。
Wのアリールオキシ基、アリールアミドメチル基及びアリールアミド基としては、上記Wのアリール基で挙げたものと同様のものを挙げることができる。
Examples of the cycloalkyl group in the cycloalkyloxy group of W include the same groups as those described above for the cycloalkyl group of W.
Examples of the aryloxy group, arylamidomethyl group, and arylamide group of W include the same groups as those described above for the aryl group of W.

Wは、一般式(A4)に示したように、スチレン骨格中のベンゼン環に含まれる任意の水素原子を置換し得る。Wの置換位置は特に制限されないが、好ましくはメタ位又はパラ位であり、特に好ましくはパラ位である。   W can substitute any hydrogen atom contained in the benzene ring in the styrene skeleton as shown in the general formula (A4). The substitution position of W is not particularly limited, but is preferably a meta position or a para position, and particularly preferably a para position.

以下に、一般式(A4)により表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定するものではない。

Figure 2013015590
Although the specific example of the repeating unit represented by general formula (A4) below is given, it is not limited to these.
Figure 2013015590

樹脂(Aa)は、酸の作用により分解しない(メタ)アクリル酸誘導体からなる繰り返し単位を更に含んでいてもよい。以下にその具体例を挙げるが、これらに限定するものではない。

Figure 2013015590
The resin (Aa) may further contain a repeating unit composed of a (meth) acrylic acid derivative that is not decomposed by the action of an acid. Although the specific example is given to the following, it is not limited to these.
Figure 2013015590

樹脂(Aa)は、式−C(=O)−X−Rにより表される酸分解性基を備えた繰り返し単位を更に含んでいてもよい。ここで、Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO−又は−NHSONH−を表す。Rは、酸の作用により脱離する基であり、例えば、t−ブチル基及びt−アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基及び1−シクロヘキシロキシエチル基等の1−アルコキシエチル基、1−メトキシメチル基及び1−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、3−オキソアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリルエステル基、3−オキソシクロヘキシルエステル基、2−メチル−2−アダマンチル基、並びにメバロニックラクトン残基が挙げられる。 The resin (Aa) may further include a repeating unit having an acid-decomposable group represented by the formula —C (═O) —X 1 —R 0 . Wherein, X 1 is an oxygen atom, a sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - or an -NHSO 2 NH-. R 0 is a group capable of leaving by the action of an acid, such as a tertiary alkyl group such as a t-butyl group and a t-amyl group, an isobornyl group, a 1-ethoxyethyl group, a 1-butoxyethyl group, 1- 1-alkoxyethyl groups such as isobutoxyethyl group and 1-cyclohexyloxyethyl group, alkoxymethyl groups such as 1-methoxymethyl group and 1-ethoxymethyl group, 3-oxoalkyl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group , Trialkylsilyl ester groups, 3-oxocyclohexyl ester groups, 2-methyl-2-adamantyl groups, and mevalonic lactone residues.

また、樹脂(Aa)は、更に、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基としては、ラクトン構造、フェニルエステル構造などが挙げられる。
繰り返し単位としては、下記一般式(AII)で表される繰り返し単位がより好ましい。

Figure 2013015590
Further, the resin (Aa) may further have a repeating unit having a group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the dissolution rate in the alkali developer.
Examples of the group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the dissolution rate in the alkali developer include a lactone structure and a phenyl ester structure.
As the repeating unit, a repeating unit represented by the following general formula (AII) is more preferable.
Figure 2013015590

一般式(AII)中、
Rbは、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよいアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。
Rbのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rbのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rbとして、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (AII),
Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an optionally substituted alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms).
Preferable substituents that the alkyl group of Rb 0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom. Examples of the halogen atom for Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Rb 0 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

Abは、単結合、アルキレン基、単環又は多環の脂肪族炭化水素環構造を有する2価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。好ましくは、単結合、−Ab−CO−で表される2価の連結基である。 Ab represents a single bond, an alkylene group, a divalent linking group having a monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring structure, an ether group, an ester group, a carbonyl group, or a divalent linking group obtained by combining these. . Preferably a single bond, -Ab 1 -CO 2 - is a divalent linking group represented by.

Abは、直鎖又は分岐アルキレン基、単環又は多環の脂肪族炭化水素環基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。 Ab 1 is a linear or branched alkylene group, a monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring group, preferably a methylene group, an ethylene group, a cyclohexylene group, an adamantylene group, or a norbornylene group.

Vは、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を表す。好ましくはエステル結合を有する基であり、中でもラクトン構造を有する基がより好ましい。   V represents a group that decomposes under the action of an alkali developer and increases the dissolution rate in the alkali developer. A group having an ester bond is preferable, and a group having a lactone structure is more preferable.

ラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5〜7員環ラクトン構造であり、5〜7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。Vとしては下記一般式(LC1−1)〜(LC1−17)のいずれかで表されるラクトン構造を有する基がより好ましい。また、樹脂は、ラクトン構造が主鎖に直接結合した繰り返し単位を含有していてもよい。好ましいラクトン構造としては(LC1−1)、(LC14)、(LC1−5)、(LC1−6)、(LC1−13)、(LC1−14)である。

Figure 2013015590
As the group having a lactone structure, any group having a lactone structure can be used, but a 5- to 7-membered ring lactone structure is preferable, and a bicyclo structure or a spiro structure is added to the 5- to 7-membered ring lactone structure. Those in which other ring structures are condensed in the form to be formed are preferred. V is more preferably a group having a lactone structure represented by any of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-17). The resin may contain a repeating unit in which a lactone structure is directly bonded to the main chain. Preferred lactone structures are (LC1-1), (LC14), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13) and (LC1-14).
Figure 2013015590

ラクトン構造部分は、置換基(Rb)を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基(Rb)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜7の1価の脂肪族炭化水素環基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。nは、0〜4の整数を表す。nが2以上の時、複数存在する置換基(Rb)は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基(Rb)同士が結合して環を形成してもよい。 The lactone structure portion may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, and an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Examples include an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, and an acid-decomposable group. More preferably, they are a C1-C4 alkyl group, a cyano group, and an acid-decomposable group. n 2 represents an integer of 0-4. When n 2 is 2 or more, a plurality of substituents (Rb 2 ) may be the same or different, and a plurality of substituents (Rb 2 ) may be bonded to form a ring. .

ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90%以上のものが好ましく、より好ましくは95%以上である。
以下に、樹脂中の繰り返し単位(D)の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、Rxは、H,CH,CHOH,又はCFを表す。

Figure 2013015590
The repeating unit having a lactone group usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity (ee) thereof is preferably 90% or more, more preferably 95% or more.
Although the specific example of the repeating unit (D) in resin is shown below, this invention is not limited to this. In the formula, Rx represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

なお、樹脂(Aa)は、アルカリ現像液に対する良好な現像性を維持すべく、フェノール性水酸基及びカルボキシ基等のアルカリ可溶性基を備えた他の繰り返し単位を更に含んでいてもよい。また、膜質を更に向上させるべく、アルキルアクリレート及びアルキルメタクリレート等のモノマーから得られる疎水性の繰り返し単位を更に含んでいてもよい。   The resin (Aa) may further contain other repeating units having an alkali-soluble group such as a phenolic hydroxyl group and a carboxy group in order to maintain good developability for an alkali developer. Moreover, in order to further improve the film quality, a hydrophobic repeating unit obtained from a monomer such as alkyl acrylate and alkyl methacrylate may be further included.

〔その他の繰り返し単位〕
樹脂(Aa)は、上述した繰り返し単位以外の繰り返し単位であって、極性基を有する繰り返し単位を更に有していてもよい。極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシル基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、 α位が電子求引性基で置換されたアルコール性水酸基(例えば、ヘキサフルオロイソプロパノール基:−C(CFOH)などを挙げることができる。樹脂(Aa)がこのような繰り返し単位を有することにより、これにより基板密着性、現像液親和性を向上させることができる。上述した繰り返し単位以外の極性基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位であることが好ましく、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることがより好ましく、酸分解性基を有さないことが更に好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造が好ましい。

Figure 2013015590
[Other repeat units]
The resin (Aa) is a repeating unit other than the repeating units described above, and may further have a repeating unit having a polar group. Examples of the polar group include a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, a sulfonylimide group, a bissulfonylimide group, and an alcoholic hydroxyl group in which the α-position is substituted with an electron withdrawing group (for example, hexafluoroisopropanol group: —C (CF 3 ) 2 OH). Since the resin (Aa) has such a repeating unit, it is possible to improve substrate adhesion and developer compatibility. The repeating unit having a polar group other than the repeating unit described above is preferably a repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group, more preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, it has no acid-decomposable group. The alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group. As the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group, partial structures represented by the following general formulas (VIIa) to (VIId) are preferable.
Figure 2013015590

一般式(VIIa)〜(VIIc)に於いて、Rc〜Rcは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、Rc〜Rcの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、Rc〜Rcの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、Rc〜Rcの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。 In the general formulas (VIIa) to (VIIc), R 2 c to R 4 c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a cyano group. However, at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms. In general formula (VIIa), more preferably, two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms.

一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。

Figure 2013015590
Examples of the repeating unit having a partial structure represented by the general formulas (VIIa) to (VIId) include the repeating units represented by the following general formulas (AIIa) to (AIId).
Figure 2013015590

一般式(AIIa)〜(AIId)に於いて、Rcは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
c〜Rcは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、Rc〜Rcと同義である。樹脂(Aa)は、極性基を有する繰り返し単位を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、その含有率は、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対し、1〜60モル%が好ましく、より好ましくは5〜50モル%である。
極性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Figure 2013015590
In the general formulas (AIIa) to (AIId), R 1 c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.
R 2 c to R 4 c are in the general formula (VIIa) ~ (VIIc), same meanings as R 2 c~R 4 c. The resin (Aa) may or may not contain a repeating unit having a polar group. However, when it is contained, the content is 1 to 60 mol% with respect to all repeating units in the resin (Aa). Preferably, it is 5 to 50 mol%.
Specific examples of the repeating unit having a polar group are listed below, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2013015590

本発明の樹脂(Aa)は、更に極性基を持たない環状炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式(VII)で表される繰り返し単位が挙げられる。

Figure 2013015590
The resin (Aa) of the present invention can further have a repeating unit having a cyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability. An example of such a repeating unit is a repeating unit represented by the general formula (VII).
Figure 2013015590

一般式(VII)中、Rは少なくとも一つの環状炭化水素構造を有し、極性基(水酸基やシアノ基など)を有さない炭化水素基を表す。
Raは水素原子、アルキル基又は−CH2−O−Ra基を表す。式中、Raは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (VII), R 5 represents a hydrocarbon group having at least one cyclic hydrocarbon structure and having no polar group (such as a hydroxyl group or a cyano group).
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a —CH 2 —O—Ra 2 group. In the formula, Ra 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an acyl group. Ra is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

が有する環状炭化水素構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。 The cyclic hydrocarbon structure possessed by R 5 includes a monocyclic hydrocarbon group and a polycyclic hydrocarbon group. Preferable monocyclic hydrocarbon groups are monocyclic hydrocarbon groups having 3 to 7 carbon atoms, and more preferable examples include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。   The polycyclic hydrocarbon group includes a ring assembly hydrocarbon group and a bridged cyclic hydrocarbon group. Preferred examples of the bridged cyclic hydrocarbon group include a norbornyl group, an adamantyl group, a bicyclooctanyl group, and tricyclo [5.2. 1.02, 6] decanyl group, and the like. More preferable examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group and an adamantyl group.

これらの環状炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子(臭素、塩素、フッ素原子)、アルキル基(メチル、エチル、ブチル、t−ブチル基)が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換された水酸基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。   These cyclic hydrocarbon groups may have a substituent, and preferred substituents include a halogen atom (bromine, chlorine, fluorine atom) and an alkyl group (methyl, ethyl, butyl, t-butyl group). . The above alkyl group may further have a substituent, and examples of the substituent that may further have a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group substituted with a hydrogen atom, and an amino group substituted with a hydrogen atom Can be mentioned.

上記水素原子を置換する置換基としては、たとえばアルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1−エトキシエチル、1−メチル−1−メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1〜6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。樹脂(Aa)は、極性基を持たない環状炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、その含有率は、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対し、1〜40モル%が好ましく、より好ましくは5〜20モル%である。   Examples of the substituent that replaces the hydrogen atom include an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aralkyl group, a substituted methyl group, a substituted ethyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aralkyloxycarbonyl group. Preferred alkyl groups include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, preferred substituted methyl groups include methoxymethyl, methoxythiomethyl, benzyloxymethyl, t-butoxymethyl, 2-methoxyethoxymethyl groups, and preferred substituted ethyl groups. 1-ethoxyethyl, 1-methyl-1-methoxyethyl, preferred acyl groups include formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, pivaloyl groups, etc., aliphatic acyl groups having 1 to 6 carbon atoms, alkoxycarbonyl Examples of the group include an alkoxycarbonyl group having 1 to 4 carbon atoms. The resin (Aa) has a cyclic hydrocarbon structure having no polar group, and may or may not contain a repeating unit that does not exhibit acid decomposability. 1) to 40 mol% is preferable, and more preferably 5 to 20 mol%, based on all repeating units in ().

極性基を持たない環状炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、又はCFを表す。

Figure 2013015590
Specific examples of the repeating unit having a cyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CHOH, or CF 3 .
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

本発明の樹脂(Aa)は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。   The resin (Aa) of the present invention has, in addition to the above repeating structural units, dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general required properties of resist, resolving power, heat resistance, sensitivity. Various repeating structural units can be included for the purpose of adjusting the etc.

このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Examples of such repeating structural units include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers.

これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、
(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、
(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、
(5)未露光部の基板への密着性、
(6)ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
Thereby, performance required for the resin used in the composition of the present invention, in particular,
(1) Solubility in coating solvent,
(2) Film formability (glass transition point),
(3) Alkali developability,
(4) Membrane slip (hydrophobic, alkali-soluble group selection),
(5) Adhesion of unexposed part to substrate,
(6) Dry etching resistance,
Etc. can be finely adjusted.

このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びマレイロニトリルも挙げられる。   As such monomers, for example, addition polymerization selected from acrylic esters, methacrylic esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrenes, crotonic esters, and the like. Examples include compounds having one unsaturated bond. Other examples include maleic anhydride, maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile, and maleilonitrile.

その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。
以下に、そのような他の重合性モノマー由来の繰り返し単位の好ましい具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

Figure 2013015590
In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized with monomers corresponding to the above various repeating structural units may be copolymerized.
Although the preferable specific example of the repeating unit derived from such another polymerizable monomer is given to the following, it is not limited to these.
Figure 2013015590

本発明の組成物に用いられる樹脂(Aa)において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。   In the resin (Aa) used in the composition of the present invention, the molar ratio of each repeating structural unit is the resist dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general required performance of the resist. It is appropriately set to adjust the resolving power, heat resistance, sensitivity and the like.

樹脂(Aa)における酸分解性基を有する繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位を基準として、0〜95モル%とすることが好ましく、10〜60モル%とすることがより好ましく、15〜50モル%とすることが特に好ましい。   The content of the repeating unit having an acid-decomposable group in the resin (Aa) is preferably 0 to 95 mol%, more preferably 10 to 60 mol%, more preferably 15 to 15 mol% based on all repeating units. It is especially preferable to set it as 50 mol%.

樹脂(Aa)における一般式(A1)により表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位を基準として、0〜90モル%とすることが好ましく、0〜85モル%とすることがより好ましく、0〜80モル%とすることが特に好ましい。   The content of the repeating unit represented by the general formula (A1) in the resin (Aa) is preferably 0 to 90 mol%, more preferably 0 to 85 mol%, based on all repeating units. 0 to 80 mol% is particularly preferable.

樹脂(Aa)における一般式(A2)により表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位を基準として、0〜90モル%とすることが好ましく、0〜75モル%とすることがより好ましく、0〜60モル%とすることが特に好ましい。   The content of the repeating unit represented by the general formula (A2) in the resin (Aa) is preferably 0 to 90 mol%, more preferably 0 to 75 mol%, based on all repeating units. 0 to 60 mol% is particularly preferable.

樹脂(Aa)における一般式(A3)により表される繰り返し単位の含有率は、樹脂中の全繰り返し単位を基準として、0〜70モル%であることが好ましく、1〜50モル%であることがより好ましく、5〜40モル%であることが特に好ましい。   The content of the repeating unit represented by the general formula (A3) in the resin (Aa) is preferably 0 to 70 mol%, and preferably 1 to 50 mol% based on all repeating units in the resin. Is more preferable, and it is especially preferable that it is 5-40 mol%.

樹脂(Aa)における一般式(A4)により表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位を基準として、0〜50モル%とすることが好ましく、0〜40とすることがより好ましく、0〜30モル%とすることが特に好ましい。   The content of the repeating unit represented by the general formula (A4) in the resin (Aa) is preferably 0 to 50 mol%, more preferably 0 to 40, based on all repeating units. It is especially preferable to set it as -30 mol%.

樹脂(Aa)が、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を有する繰り返し単位を含んでいる場合、その含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、0.5〜80モル%が好ましく、より好ましくは1〜60モル%、更に好ましくは2〜40モル%である。   When the resin (Aa) contains a repeating unit having a group that decomposes under the action of an alkali developer and increases the dissolution rate in the alkali developer, the content is based on the total repeating units in the resin. 0.5-80 mol% is preferable, More preferably, it is 1-60 mol%, More preferably, it is 2-40 mol%.

樹脂(Aa)は、更に、その他の繰り返し単位を有していてもよい。その他の繰り返し単位の好ましい態様としては以下が挙げられる。
(cy1)フッ素原子及び/又は珪素原子を有し、且つ酸に対して安定であり、且つアルカリ現像液に対して難溶もしくは不溶である繰り返し単位。
The resin (Aa) may further have other repeating units. Preferred examples of other repeating units include the following.
(Cy1) A repeating unit having a fluorine atom and / or a silicon atom, stable to an acid, and hardly soluble or insoluble in an alkali developer.

(cy2)フッ素原子、珪素原子を有さず、且つ酸に対して安定であり、且つアルカリ現像液に対して難溶もしくは不溶である繰り返し単位。 (Cy2) A repeating unit which does not have a fluorine atom or a silicon atom, is stable to an acid, and hardly soluble or insoluble in an alkali developer.

(cy3)フッ素原子及び/又は珪素原子を有し、且つ、前掲の(x)、(z)以外の極性基を有する繰り返し単位。 (Cy3) A repeating unit having a fluorine atom and / or a silicon atom and having a polar group other than the above (x) and (z).

(cy4)フッ素原子、珪素原子を有さず、且つ、前掲の(x)、(z)以外の極性基を有する繰り返し単位。 (Cy4) A repeating unit having no fluorine atom or silicon atom and having a polar group other than the above (x) and (z).

(cy1)、(cy2)の繰り返し単位における、アルカリ現像液に難溶もしくは不溶とは、(cy1)、(cy2)がアルカリ可溶性基や、酸やアルカリ現像液の作用によりアルカリ可溶性基を生じる基(例えば酸分解性基や極性変換基)を含まないことを示す。繰り返し単位(cy1)、(cy2)は極性基を持たない脂環炭化水素構造を有することが好ましい。   In the repeating unit of (cy1) and (cy2), insoluble or insoluble in an alkali developer is a group in which (cy1) and (cy2) generate an alkali-soluble group by the action of an acid or an alkali developer. (For example, an acid-decomposable group or a polar converting group) is not contained. The repeating units (cy1) and (cy2) preferably have an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group.

以下に繰り返し単位(cy1)〜(cy4)の好ましい態様を示す。
繰り返し単位(cy1)、(cy2)としては、下記一般式(CIII)で表される繰り返し単位であることが好ましい。

Figure 2013015590
The preferred embodiments of the repeating units (cy1) to (cy4) are shown below.
The repeating units (cy1) and (cy2) are preferably repeating units represented by the following general formula (CIII).
Figure 2013015590

一般式(CIII)に於いて、
c31は、水素原子、フッ素で置換されていても良いアルキル基、シアノ基又は−CH−O−Rac基を表す。式中、Racは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
c32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子で置換されていてもよい。
c3は、単結合又は2価の連結基を表す。
一般式(CIII)に於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3〜20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
シクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
アルケニル基は、炭素数3〜20のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数3〜20のシクロアルケニル基が好ましい。
c32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
Lc3の2価の連結基は、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜5)、オキシ基、フェニレン基、エステル結合(−COO−で表される基)が好ましい。
繰り返し単位(cy1)、(cy2)としては、下記一般式(C4)又は(C5)で表される繰り返し単位であることが好ましい。
In general formula (CIII):
R c31 represents a hydrogen atom, an alkyl group optionally substituted with fluorine, a cyano group, or a —CH 2 —O—Rac 2 group. In the formula, Rac 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an acyl group. R c31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.
R c32 represents a group having an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, or a cycloalkenyl group. These groups may be substituted with a fluorine atom or a silicon atom.
L c3 represents a single bond or a divalent linking group.
In general formula (CIII), the alkyl group represented by R c32 is preferably a linear or branched alkyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group is preferably an alkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The cycloalkenyl group is preferably a cycloalkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.
R c32 is preferably an unsubstituted alkyl group or an alkyl group substituted with a fluorine atom.
The divalent linking group of Lc3 is preferably an alkylene group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), an oxy group, a phenylene group, or an ester bond (a group represented by —COO—).
The repeating units (cy1) and (cy2) are preferably repeating units represented by the following general formula (C4) or (C5).

繰り返し単位(CIII)は、下記一般式(C4)又は(C5)で表される繰り返し単位であることが好ましい。

Figure 2013015590
The repeating unit (CIII) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (C4) or (C5).
Figure 2013015590

一般式(C4)中、Rc5は少なくとも一つの環状構造を有し、水酸基及びシアノ基いずれも有さない炭化水素基を表す。
Racは水素原子、フッ素で置換されていても良いアルキル基、シアノ基又は−CHO−Rac基を表す。式中、Racは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Racは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (C4), Rc5 represents a hydrocarbon group having at least one cyclic structure and having neither a hydroxyl group nor a cyano group.
Rac represents a hydrogen atom, an alkyl group optionally substituted with fluorine, a cyano group, or a —CH 2 O—Rac 2 group. In the formula, Rac 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an acyl group. Rac is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

c5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数3〜12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基である。 The cyclic structure possessed by R c5 includes a monocyclic hydrocarbon group and a polycyclic hydrocarbon group. Examples of the monocyclic hydrocarbon group include a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms and a cycloalkenyl group having 3 to 12 carbon atoms. A preferable monocyclic hydrocarbon group is a monocyclic hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms.

多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれる。架橋環式炭化水素環として、2環式炭化水素環、3環式炭化水素環、4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環(例えば、5〜8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環)も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。   The polycyclic hydrocarbon group includes a ring assembly hydrocarbon group and a bridged cyclic hydrocarbon group. Examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a bicyclic hydrocarbon ring, a tricyclic hydrocarbon ring, and a tetracyclic hydrocarbon ring. The bridged cyclic hydrocarbon ring also includes a condensed cyclic hydrocarbon ring (for example, a condensed ring in which a plurality of 5- to 8-membered cycloalkane rings are condensed). Preferred examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group and an adamantyl group.

これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t−ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基はさらに置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。   These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent, and preferred substituents include a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group protected with a protecting group, an amino group protected with a protecting group, and the like. It is done. Preferred halogen atoms include bromine, chlorine and fluorine atoms, and preferred alkyl groups include methyl, ethyl, butyl and t-butyl groups. The above alkyl group may further have a substituent, and the substituent that may further have a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group protected with a protecting group, an amino protected with a protecting group The group can be mentioned.

保護基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1−エトキシエチル、1−メチル−1−メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1〜6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。   Examples of the protecting group include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, a substituted methyl group, a substituted ethyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aralkyloxycarbonyl group. Preferred alkyl groups include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, preferred substituted methyl groups include methoxymethyl, methoxythiomethyl, benzyloxymethyl, t-butoxymethyl, 2-methoxyethoxymethyl groups, and preferred substituted ethyl groups. 1-ethoxyethyl, 1-methyl-1-methoxyethyl, preferred acyl groups include formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, pivaloyl groups, etc., aliphatic acyl groups having 1 to 6 carbon atoms, alkoxycarbonyl Examples of the group include an alkoxycarbonyl group having 1 to 4 carbon atoms.

一般式(C5)中、Rc6はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子で置換されていてもよい。
c6のアルキル基は、炭素数1〜20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
シクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
アルケニル基は、炭素数3〜20のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数3〜20のシクロアルケニル基が好ましい。
アルコキシカルボニル基は、炭素数2〜20のアルコキシカルボニル基が好ましい。
アルキルカルボニルオキシ基は、炭素数2〜20のアルキルカルボニルオキシ基が好ましい。
nは0〜5の整数を表す。nが2以上の場合、複数のRc6は同一でも異なっていてもよい。
c6は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましく、トリフルオロメチル基、t−ブチル基が特に好ましい。
In General Formula (C5), R c6 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkoxycarbonyl group, or an alkylcarbonyloxy group. These groups may be substituted with a fluorine atom or a silicon atom.
The alkyl group for R c6 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
The cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group is preferably an alkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The cycloalkenyl group is preferably a cycloalkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.
The alkoxycarbonyl group is preferably an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms.
The alkylcarbonyloxy group is preferably an alkylcarbonyloxy group having 2 to 20 carbon atoms.
n represents an integer of 0 to 5. When n is 2 or more, the plurality of R c6 may be the same or different.
R c6 is preferably an unsubstituted alkyl group or an alkyl group substituted with a fluorine atom, particularly preferably a trifluoromethyl group or a t-butyl group.

(cy1)、(cy2)としては、下記一般式(CII−AB)で表される繰り返し単
位であることも好ましい。

Figure 2013015590
(Cy1) and (cy2) are preferably repeating units represented by the following general formula (CII-AB).
Figure 2013015590

式(CII-AB)中、
c11'及びRc12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Zc'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。
In the formula (CII-AB),
R c11 ′ and R c12 ′ each independently represent a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom or an alkyl group.
Zc ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure containing two bonded carbon atoms (C—C).

また、上記一般式(CII−AB)は、下記一般式(CII−AB1)又は一般式(CIIAB2)であることが更に好ましい。

Figure 2013015590
The general formula (CII-AB) is more preferably the following general formula (CII-AB1) or general formula (CIIAB2).
Figure 2013015590

式(CII−AB1)及び(CII−AB2)中、
c13'〜Rc16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基あるいはシクロアルキル基を表す。
また、Rcl3'〜Rc16'のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。
nは0又は1を表す。
In the formulas (CII-AB1) and (CII-AB2),
R c13 ′ to R c16 ′ each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
Further, the ring may be formed by combining at least two of Rc l3 '~R c16'.
n represents 0 or 1.

以下に(cy1)、(cy2)の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、CF又はCNを表す。

Figure 2013015590
Specific examples of (cy1) and (cy2) are listed below, but the present invention is not limited to these. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, CF 3 or CN.
Figure 2013015590

(cy3)、(cy4)としては、極性基として水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位であることが好ましい。これにより現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、モノヒドロキシアダマンチル基、ジヒドロキシアダマンチル基、モノヒドロキシジアマンチル基、ジヒドロキシアダマンチル基、シアノ基で置換されたノルボルニル基等が挙げられる。   (Cy3) and (cy4) are preferably repeating units having a hydroxyl group or a cyano group as a polar group. This improves developer affinity. The repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group. The alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornyl group. Preferred examples of the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group include a monohydroxyadamantyl group, a dihydroxyadamantyl group, a monohydroxydiamantyl group, a dihydroxyadamantyl group, and a norbornyl group substituted with a cyano group.

上記原子団を有する繰り返し単位としては、下記一般式(CAIIa)〜(CAIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。

Figure 2013015590
Examples of the repeating unit having the atomic group include repeating units represented by the following general formulas (CAIIa) to (CAIId).
Figure 2013015590

一般式(CAIIa)〜(CAIId)に於いて、
1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
2c〜R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c〜R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(CAIIa)に於いて、更に好ましくは、R2c〜R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。
In the general formulas (CAIIa) to (CAIId),
R 1c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.
R 2c to R 4c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or a cyano group. However, at least one of R 2c to R 4c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2c to R 4c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms. In the general formula (CAIIa), more preferably, two of R 2c to R 4c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms.

(cy3)、(cy4)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Figure 2013015590
Specific examples of the repeating unit represented by (cy3) and (cy4) are given below, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2013015590

(cy1)〜(cy4)で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂(Aa)中の全繰り返し単位に対し、5〜40mol%が好ましく、より好ましくは5〜30mol%、更に好ましくは10〜25mol%である。
樹脂(Aa)は(cy1)〜(cy4)で表される繰り返し単位を複数有していてもよい。
The content of the repeating units represented by (cy1) to (cy4) is preferably 5 to 40 mol%, more preferably 5 to 30 mol%, still more preferably 10 to 10%, based on all repeating units in the resin (Aa). 25 mol%.
The resin (Aa) may have a plurality of repeating units represented by (cy1) to (cy4).

樹脂(Aa)が珪素原子を有する場合、珪素原子の含有率は、樹脂(Aa)の分子量に対し、2〜50質量%であることが好ましく、2〜30質量%であることがより好ましい。   When resin (Aa) has a silicon atom, it is preferable that the content rate of a silicon atom is 2-50 mass% with respect to the molecular weight of resin (Aa), and it is more preferable that it is 2-30 mass%.

また、珪素原子を含む繰り返し単位は、樹脂(Aa)の全繰り返し単位に対し、10〜90質量%であることが好ましく、20〜80質量%であることがより好ましい。   Moreover, it is preferable that it is 10-90 mass%, and, as for the repeating unit containing a silicon atom with respect to all the repeating units of resin (Aa), it is more preferable that it is 20-80 mass%.

樹脂(Aa)の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは1,000〜100,000で、より好ましくは1,000〜50,000、更により好ましくは2,000〜15,000である。   The weight average molecular weight in terms of standard polystyrene of the resin (Aa) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 1,000 to 50,000, and still more preferably 2,000 to 15,000.

樹脂(Aa)は、後述する樹脂(Ab)と同様に合成、精製することができ、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0〜10質量%であることが好ましく、より好ましくは0〜5質量%、0〜1質量%が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジストが得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布(Mw/Mn、分散度ともいう)は、1〜3の範囲が好ましく、より好ましくは1〜2、さらに好ましくは1〜1.8、最も好ましくは1〜1.5の範囲である。   The resin (Aa) can be synthesized and purified in the same manner as the resin (Ab) described later, and it is natural that there are few impurities such as metals, and the residual monomer and oligomer components are 0 to 10% by mass. It is preferable that there is, more preferably 0 to 5% by mass, and still more preferably 0 to 1% by mass. Thereby, a resist having no change over time such as foreign matter in liquid or sensitivity can be obtained. The molecular weight distribution (Mw / Mn, also referred to as dispersity) is preferably in the range of 1 to 3, more preferably 1 to 2, and still more preferably from the viewpoints of resolution, resist shape, resist pattern sidewall, roughness, and the like. It is in the range of 1 to 1.8, most preferably 1 to 1.5.

樹脂(Aa)は、各種市販品を利用することもできるし、後述する樹脂(Ab)と同様に、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。
樹脂(Aa)の具体例を以下に示す。

Figure 2013015590
Various commercially available products can be used as the resin (Aa), and the resin (Aa) can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization) in the same manner as the resin (Ab) described later.
Specific examples of the resin (Aa) are shown below.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

樹脂(Aa)の組成物中の含有率は、感活性光線又は感放射線樹脂組成物の全固形分を基準として、0.01〜20質量%であることが好ましく、より好ましくは0.01〜10質量%であり、更に好ましくは0.01〜5質量%である。   The content of the resin (Aa) in the composition is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.01 to 20% by mass based on the total solid content of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. It is 10 mass%, More preferably, it is 0.01-5 mass%.

〔樹脂(Ab)〕
樹脂(Ab)は、上述したように、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂であって、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位(B)を含む。
[Resin (Ab)]
As described above, the resin (Ab) is a resin whose alkali solubility is changed by the action of an acid, and is a repeating unit (B) having a structural part that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid. including.

まず、繰り返し単位(B)について説明する。
繰り返し単位(B)は、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備える。
この構造部位は、例えば、活性光線又は放射線の照射により分解することにより、繰り返し単位(B)中に酸アニオンを生じさせる構造部位であってもよいし、酸アニオンを放出して繰り返し単位(B)中にカチオン構造を生じさせる構造部位であってもよい。
First, the repeating unit (B) will be described.
The repeating unit (B) includes a structural portion that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid.
This structural site may be, for example, a structural site that generates an acid anion in the repeating unit (B) by being decomposed by irradiation with an actinic ray or radiation, or the repeating unit (B ) May be a structural site that generates a cation structure.

また、この構造部位は、例えば、スルホニウム塩構造又はヨードニウム塩構造を備えたイオン性構造部位であることが好ましい。   Moreover, it is preferable that this structure site | part is an ionic structure site | part provided with the sulfonium salt structure or the iodonium salt structure, for example.

この構造部位は、例えば、以下に説明する一般式(B1)、(B2)及び(B3)中のAにより表される構造部位と同様の構造部位であってもよい。   This structural site may be, for example, a structural site similar to the structural site represented by A in the general formulas (B1), (B2), and (B3) described below.

繰り返し単位(B)は、一態様において、下記一般式(B1)、(B2)及び(B3)で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1つであることが好ましい。これらのうち、下記一般式(B1)又は(B3)により表される繰り返し単位がより好ましく、下記一般式(B1)により表される繰り返し単位が特に好ましい。

Figure 2013015590
In one aspect, the repeating unit (B) is preferably at least one selected from the group consisting of repeating units represented by the following general formulas (B1), (B2), and (B3). Among these, the repeating unit represented by the following general formula (B1) or (B3) is more preferable, and the repeating unit represented by the following general formula (B1) is particularly preferable.
Figure 2013015590

一般式(B1)、(B2)及び(B3)中、
Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表す。
04、R05及びR07〜R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。
06は、シアノ基、カルボキシ基、−CO−OR25又は−CO−N(R26)(R27)を表す。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26及びR27は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。
In general formulas (B1), (B2) and (B3),
A represents a structural site that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid anion.
R 04 , R 05 and R 07 to R 09 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.
R 06 represents a cyano group, a carboxy group, —CO—OR 25 or —CO—N (R 26 ) (R 27 ). R 25 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 26 and R 27 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 26 and R 27 may be bonded to each other to form a ring together with the nitrogen atom.

、X及びXは、各々独立に、単結合、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、−O−、−SO−、−CO−、−N(R33)−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。R33は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。 X 1 , X 2 and X 3 are each independently a single bond, an arylene group, an alkylene group, a cycloalkylene group, —O—, —SO 2 —, —CO—, —N (R 33 ) —, or these Represents a divalent linking group in combination of a plurality. R 33 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.

04、R05及びR07〜R09のアルキル基としては、炭素数が20以下のものが好ましく、炭素数が8以下のものがより好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、及びドデシル基が挙げられる。なお、これらアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。 The alkyl group of R 04, R 05 and R 07 to R 09, preferably one having 20 or less carbon atoms, more preferably those having a carbon number of 8 or less. Examples of such an alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a hexyl group, a 2-ethylhexyl group, an octyl group, and a dodecyl group. These alkyl groups may further have a substituent.

04、R05及びR07〜R09のシクロアルキル基は、単環型であっても、多環型であってもよい。このシクロアルキル基としては、炭素数が3〜8のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。 The cycloalkyl group of R 04 , R 05 and R 07 to R 09 may be monocyclic or polycyclic. As this cycloalkyl group, a C3-C8 thing is preferable. Examples of such a cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.

04、R05及びR07〜R09のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。これらのうち、フッ素原子が特に好ましい。 Examples of the halogen atom for R 04 , R 05 and R 07 to R 09 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Of these, a fluorine atom is particularly preferable.

04、R05及びR07〜R09のアルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、例えば、先にR04、R05及びR07〜R09のアルキル基として挙げたものが好ましい。 As the alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group of R 04 , R 05 and R 07 to R 09 , for example, those exemplified above as the alkyl group of R 04 , R 05 and R 07 to R 09 are preferable.

25〜R27及びR33のアルキル基としては、例えば、先にR04、R05及びR07〜R09のアルキル基として挙げたものが好ましい。
25〜R27及びR33のシクロアルキル基としては、例えば、先にR04、R05及びR07〜R09のシクロアルキル基として挙げたものが好ましい。
As the alkyl group for R 25 to R 27 and R 33 , for example, those exemplified above as the alkyl groups for R 04 , R 05 and R 07 to R 09 are preferable.
As the cycloalkyl group represented by R 25 to R 27 and R 33 , for example, those exemplified above as the cycloalkyl groups represented by R 04 , R 05 and R 07 to R 09 are preferable.

25〜R27及びR33のアルケニル基としては、炭素数が2〜6のものが好ましい。このようなアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基が挙げられる。 The alkenyl group of R 25 to R 27 and R 33, preferably having a carbon number of 2-6. Examples of such an alkenyl group include a vinyl group, a propenyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, and a hexenyl group.

25〜R27及びR33のシクロアルケニル基としては、炭素数が3〜6のものが好ましい。このようなシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基が挙げられる。 The cycloalkenyl group R 25 to R 27 and R 33, preferably having a carbon number of 3-6. Examples of such a cycloalkenyl group include a cyclohexenyl group.

25〜R27及びR33のアリール基は、単環の芳香族基であってもよく、多環の芳香族基であってもよい。このアリール基としては、炭素数が6〜14のものが好ましい。このアリール基は、置換基を更に有していてもよい。また、アリール基同士が互いに結合して、複環を形成していてもよい。R25〜R27及びR33のアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基及びナフチル基が挙げられる。 The aryl group represented by R 25 to R 27 and R 33 may be a monocyclic aromatic group or a polycyclic aromatic group. As this aryl group, a C6-C14 thing is preferable. This aryl group may further have a substituent. In addition, aryl groups may be bonded to each other to form a multicycle. Examples of the aryl group of R 25 to R 27 and R 33 include a phenyl group, a tolyl group, a chlorophenyl group, a methoxyphenyl group, and a naphthyl group.

25〜R27及びR33のアラルキル基としては、炭素数が7〜15のものが好ましい。このアラルキル基は、置換基を更に有していてもよい。R25〜R27及びR33のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基及びクミル基が挙げられる。 As the aralkyl group of R 25 to R 27 and R 33 , those having 7 to 15 carbon atoms are preferable. This aralkyl group may further have a substituent. Examples of the aralkyl group of R 25 to R 27 and R 33 include a benzyl group, a phenethyl group, and a cumyl group.

26とR27とが互いに結合して窒素原子と共に形成する環としては、5〜8員環が好ましく、具体的には、例えば、ピロリジン、ピペリジン及びピペラジンが挙げられる。 The ring formed by combining R 26 and R 27 together with the nitrogen atom is preferably a 5- to 8-membered ring, and specific examples include pyrrolidine, piperidine, and piperazine.

〜Xのアリーレン基としては、炭素数が6〜14のものが好ましい。このようなアリーレン基としては、例えば、フェニレン基、トリレン基及びナフチレン基が挙げられる。これらアリーレン基は、置換基を更に有していてもよい。 The arylene group X 1 to X 3, preferably having a carbon number of 6-14. Examples of such an arylene group include a phenylene group, a tolylene group, and a naphthylene group. These arylene groups may further have a substituent.

〜Xのアルキレン基としては、炭素数が1〜8のものが好ましい。このようなアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基及びオクチレン基が挙げられる。これらアルキレン基は、置換基を更に有していてもよい。 Examples of the alkylene group of X 1 to X 3, preferably having a carbon number of 1-8. Examples of such an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group. These alkylene groups may further have a substituent.

〜Xのシクロアルキレン基としては、炭素数が5〜8のものが好ましい。このようなシクロアルキレン基としては、例えば、シクロペンチレン基及びシクロヘキシレン基が挙げられる。これらシクロアルキレン基は、置換基を更に有していてもよい。 The cycloalkylene group X 1 to X 3, is preferably from 5 to 8 carbon atoms. Examples of such a cycloalkylene group include a cyclopentylene group and a cyclohexylene group. These cycloalkylene groups may further have a substituent.

上記一般式(B1)〜(B3)における各基が有し得る好ましい置換基としては、例えば、水酸基;ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素);ニトロ基;シアノ基;アミド基;スルホンアミド基;先にR04、R05及びR07〜R09として挙げたアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、及びブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基;アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。これら置換基は、炭素数が8以下であることが好ましい。   Preferred substituents that each group in the general formulas (B1) to (B3) may have include, for example, a hydroxyl group; a halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine); a nitro group; a cyano group; an amide group; Groups; alkyl groups as R04, R05 and R07 to R09; alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, hydroxyethoxy, propoxy, hydroxypropoxy and butoxy; methoxycarbonyl and ethoxycarbonyl An alkoxy group such as a formyl group, an acetyl group and a benzoyl group; an acyloxy group such as an acetoxy group and a butyryloxy group; and a carboxy group. These substituents preferably have 8 or less carbon atoms.

Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表し、具体的には、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、及びマイクロレジスト等に使用されている公知の光により酸を発生する化合物が有する構造部位が挙げられる。   A represents a structural site that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid anion. Specifically, photoinitiator of photocationic polymerization, photoinitiator of photoradical polymerization, photodecoloration of pigments Examples thereof include structural sites possessed by compounds that generate acid by known light used in agents, photochromic agents, and microresists.

また、Aとしては、スルホニウム塩構造又はヨードニウム塩構造を備えたイオン性構造部位がより好ましい。より具体的には、Aとして、下記一般式(ZI)又は(ZII)で表される基が好ましい。

Figure 2013015590
Moreover, as A, the ionic structure site | part provided with the sulfonium salt structure or the iodonium salt structure is more preferable. More specifically, A is preferably a group represented by the following general formula (ZI) or (ZII).
Figure 2013015590

一般式(ZI)中、
201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的には1〜30であり、好ましくは1〜20である。また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、例えば、ブチレン基及びペンチレン基等のアルキレン基が挙げられる。
In general formula (ZI),
R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1-30, preferably 1-20. Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. Examples of the group formed by combining two of R 201 to R 203 include alkylene groups such as a butylene group and a pentylene group.

は、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する酸アニオンを表す。Zは、非求核性アニオンであることが好ましい。非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、及びトリス(アルキルスルホニル)メチルアニオンが挙げられる。 Z represents an acid anion generated by decomposition upon irradiation with actinic rays or radiation. Z is preferably a non-nucleophilic anion. Examples of the non-nucleophilic anion include a sulfonate anion, a carboxylate anion, a sulfonylimide anion, a bis (alkylsulfonyl) imide anion, and a tris (alkylsulfonyl) methyl anion.

なお、非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンを意味している。非求核性アニオンを用いると、分子内求核反応による経時分解を抑制することができる。これにより樹脂及び組成物の経時安定性を向上させることが可能となる。   The non-nucleophilic anion means an anion having an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction. When a non-nucleophilic anion is used, degradation with time due to intramolecular nucleophilic reaction can be suppressed. This makes it possible to improve the temporal stability of the resin and the composition.

201、R202及びR203の有機基としては、例えば、後述する(ZI−1)、(ZI−2)、(ZI−3)で表される基における対応する基が挙げられる。 Examples of the organic group for R 201 , R 202 and R 203 include corresponding groups in the groups represented by (ZI-1), (ZI-2) and (ZI-3) described later.

更に好ましい(ZI)で表される基として、以下に説明する(ZI−1)基、(ZI−2)基、(ZI−3)基及び(ZI−4)基を挙げることができる。   More preferable examples of the group represented by (ZI) include the (ZI-1) group, (ZI-2) group, (ZI-3) group and (ZI-4) group described below.

(ZI−1)基は、上記一般式(ZI)におけるR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウムをカチオンとする基である。 The (ZI-1) group is a group having an arylsulfonium as a cation, wherein at least one of R 201 to R 203 in the general formula (ZI) is an aryl group.

201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。 All of R 201 to R 203 may be an aryl group, or a part of R 201 to R 203 may be an aryl group, and the rest may be an alkyl group or a cycloalkyl group.

(ZI−1)基としては、例えば、トリアリールスルホニウム、ジアリールアルキルスルホニウム、アリールジアルキルスルホニウム、ジアリールシクロアルキルスルホニウム、及びアリールジシクロアルキルスルホニウムのそれぞれに相当する基が挙げられる。   Examples of the (ZI-1) group include groups corresponding to triarylsulfonium, diarylalkylsulfonium, aryldialkylsulfonium, diarylcycloalkylsulfonium, and aryldicycloalkylsulfonium.

アリールスルホニウムにおけるアリール基としては、フェニル基又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子等のヘテロ原子を含んだ複素環構造を有していてもよい。この複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン及びベンゾチオフェンが挙げられる。アリールスルホニウムが2つ以上のアリール基を有する場合、これらアリール基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。   The aryl group in the arylsulfonium is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group. The aryl group may have a heterocyclic structure containing a hetero atom such as an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom. Examples of this heterocyclic structure include pyrrole, furan, thiophene, indole, benzofuran and benzothiophene. When arylsulfonium has two or more aryl groups, these aryl groups may be the same as or different from each other.

アリールスルホニウムが必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖若しくは分岐アルキル基、又は、炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましい。このようなアルキル基又はシクロアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。   The alkyl group or cycloalkyl group which arylsulfonium has as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms. Examples of such an alkyl group or cycloalkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group. .

201〜R203のアリール基、アルキル基又はシクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基又はフェニルチオ基を置換基として有してもよい。 The aryl group, alkyl group or cycloalkyl group of R 201 to R 203 is an alkyl group (eg, having 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (eg, having 3 to 15 carbon atoms), or an aryl group (eg, having 6 to 14 carbon atoms). An alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group or a phenylthio group may be substituted.

好ましい置換基としては、例えば、炭素数1〜12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、及び、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基が挙げられる。より好ましい置換基としては、例えば、炭素数1〜4のアルキル基、及び、炭素数1〜4のアルコキシ基が挙げられる。置換基は、3つのR201〜R203のうちの何れか1つに置換していてもよいし、これらの2つ以上に置換していてもよい。また、R201〜R203がフェニル基の場合、これら置換基は、フェニル基のp−位に置換していることが好ましい。 Preferred examples of the substituent include a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, and a linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. It is done. More preferable substituents include, for example, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The substituent may be substituted with any one of the three R 201 to R 203 , or may be substituted with two or more of these. Also, when R 201 to R 203 is a phenyl group, these substituents are preferably substituted at the p- position of the phenyl group.

次に、(ZI−2)基について説明する。
(ZI−2)基は、一般式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す基である。ここで、芳香環には、ヘテロ原子を含んだ複素環も含まれる。
Next, the (ZI-2) group will be described.
The (ZI-2) group is a group in which R 201 to R 203 in the general formula (ZI) each independently represents an organic group having no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes a heterocycle containing a hetero atom.

201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、炭素数が一般的には1〜30であり、好ましくは1〜20である。 The organic group not containing an aromatic ring as R 201 to R 203 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.

201〜R203は、各々独立に、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基であり、より好ましくは、直鎖若しくは分岐鎖の2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基又はアルコキシカルボニルメチル基であり、更に好ましくは、直鎖又は分岐鎖の2−オキソアルキル基である。 R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group, or a vinyl group, and more preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group, 2-oxocyclo group. An alkyl group or an alkoxycarbonylmethyl group, more preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group.

201〜R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基若しくはペンチル基)、及び、炭素数3〜10のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基若しくはノルボニル基)が挙げられる。このアルキル基としては、より好ましくは、2−オキソアルキル基及びアルコキシカルボニルメチル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、より好ましくは、2−オキソシクロアルキル基が挙げられる。 The alkyl group and cycloalkyl group represented by R 201 to R 203 are preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, or a pentyl group), and And a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms (for example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, or a norbornyl group). More preferred examples of the alkyl group include a 2-oxoalkyl group and an alkoxycarbonylmethyl group. As the cycloalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group is more preferable.

2−オキソアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。2−オキソアルキル基としては、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基が挙げられる。2−オキソシクロアルキル基としては、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基が挙げられる。   The 2-oxoalkyl group may be linear or branched. As the 2-oxoalkyl group, a group having> C═O at the 2-position of the above alkyl group is preferable. As the 2-oxocycloalkyl group, a group having> C═O at the 2-position of the cycloalkyl group is preferably exemplified.

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは、炭素数1〜5のアルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基又はペントキシ基)が挙げられる。   The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, or a pentoxy group).

201〜R203は、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。 R 201 to R 203 may be further substituted with, for example, a halogen atom, an alkoxy group (eg, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group.

次いで、(ZI−3)基について説明する。
(ZI−3)基とは、以下の一般式(ZI−3)で表される基であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する基である。

Figure 2013015590
Next, the (ZI-3) group will be described.
The (ZI-3) group is a group represented by the following general formula (ZI-3), which is a group having a phenacylsulfonium salt structure.
Figure 2013015590

一般式(ZI−3)中、R1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
及びRは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
In General Formula (ZI-3), R 1c to R 5c each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom.
R 6c and R 7c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
R x and R y each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group, or a vinyl group.

1c〜R5cのうちの2以上、R6c及びR7c、並びに、R及びRは、それぞれ、互いに結合して、環構造を形成していてもよい。この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合及び/又はアミド結合を含んでいてもよい。これらが互いに結合して形成する基としては、例えば、ブチレン基及びペンチレン基が挙げられる。 Two or more of R 1c to R 5c , R 6c and R 7c , and R x and R y may be bonded to each other to form a ring structure. This ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond and / or an amide bond. Examples of the group formed by bonding these to each other include a butylene group and a pentylene group.

Zcは、非求核性アニオンを表し、例えば、一般式(ZI)におけるZと同様のものが挙げられる。 Zc - represents a non-nucleophilic anion, for example, Z in formula (ZI) - the same as the like.

一般式(ZI−3)のカチオン部の具体的構造としては、特開2004−233661号公報の段落0047及び0048、並びに、特開2003−35948号公報の段落0040〜0046に例示されている酸発生剤のカチオン部の構造を参照されたい。   Specific examples of the structure of the cation moiety of the general formula (ZI-3) include acids exemplified in paragraphs 0047 and 0048 of JP-A No. 2004-233661 and paragraphs 0040 to 0046 of JP-A No. 2003-35948. See the structure of the cation moiety of the generator.

続いて、(ZI−4)基について説明する。
(ZI−4)基とは、以下の一般式(ZI−4)により表される基である。この基は、アウトガスの抑制に有効である。

Figure 2013015590
Subsequently, the (ZI-4) group will be described.
The (ZI-4) group is a group represented by the following general formula (ZI-4). This group is effective for suppressing outgas.
Figure 2013015590

一般式(ZI−4)中、R〜R13は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
〜R13のうち少なくとも1つは、アルコール性水酸基を含む置換基であることが好ましい。なお、ここで「アルコール性水酸基」とは、アルキル基の炭素原子に結合した水酸基を意味している。
Zは、単結合又は2価の連結基である。
は、非求核性アニオンを表し、例えば、一般式(ZI)におけるZと同様のものが挙げられる。
In General Formula (ZI-4), R 1 to R 13 each independently represents a hydrogen atom or a substituent.
At least one of R 1 to R 13 is preferably a substituent containing an alcoholic hydroxyl group. Here, “alcoholic hydroxyl group” means a hydroxyl group bonded to a carbon atom of an alkyl group.
Z is a single bond or a divalent linking group.
Z c represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as Z in the general formula (ZI).

〜R13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、R〜R13は−(WY)により表される基であることが好ましい。ここで、Yは水酸基で置換されたアルキル基であり、Wは単結合又は2価の連結基である。 When R 1 to R 13 are substituents containing an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are preferably groups represented by — (WY). Here, Y is an alkyl group substituted with a hydroxyl group, and W is a single bond or a divalent linking group.

Yにより表されるアルキル基の好ましい例としては、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基が挙げられる。Yは、特に好ましくは、−CH2CH2OHにより表される構造を含んでいる。   Preferable examples of the alkyl group represented by Y include an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Y particularly preferably includes a structure represented by -CH2CH2OH.

Wにより表される2価の連結基としては、特に制限は無いが、好ましくは単結合、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた2価の基であり、更に好ましくは、単結合、アシルオキシ基、アルキルスルホニル基、アシル基又はアルコキシカルボニル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた2価の基である。   The divalent linking group represented by W is not particularly limited, but preferably a single bond, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group, an alkyl and arylsulfonylamino group, an alkylthio group, an alkylsulfonyl group, an acyl group, A divalent group in which an arbitrary hydrogen atom in an alkoxycarbonyl group or a carbamoyl group is replaced by a single bond, and more preferably an arbitrary hydrogen atom in a single bond, an acyloxy group, an alkylsulfonyl group, an acyl group or an alkoxycarbonyl group. It is a divalent group replaced by a single bond.

〜R13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、含まれる炭素数は、好ましくは2〜10であり、更に好ましくは2〜6であり、特に好ましくは2〜4である。 When R 1 to R 13 are substituents containing an alcoholic hydroxyl group, the number of carbons contained is preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6, and particularly preferably 2 to 4.

〜R13としてのアルコール性水酸基を含む置換基は、アルコール性水酸基を2つ以上有していてもよい。R〜R13としてのアルコール性水酸基を含む置換基の有するアルコール性水酸基の数は、1〜6であり、好ましくは1〜3であり、更に好ましくは1である。 The substituent containing an alcoholic hydroxyl group as R 1 to R 13 may have two or more alcoholic hydroxyl groups. R The number of alcoholic hydroxyl groups in substituent containing an alcoholic hydroxyl group as 1 to R 13 is a 1-6, preferably 1-3, more preferably 1.

(ZI−4)基が含んでいるアルコール性水酸基の数は、R〜R13すべて合わせて好ましくは1〜10であり、より好ましくは1〜6であり、更に好ましくは1〜3である。 The number of alcoholic hydroxyl groups contained in the (ZI-4) group is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3 in total for all of R 1 to R 13. .

〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R〜R13は、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基(アニリノ基を含む)、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及び複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基〔−B(OH)〕、ホスファト基〔−OPO(OH)〕、スルファト基(−OSOH)、並びに、他の公知の置換基が挙げられる。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are, for example, a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a complex Ring group, cyano group, nitro group, carboxy group, alkoxy group, aryloxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group (anilino group) ), Ammonio group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, complex Thio group, sulfamoyl group, sulfo group, alkyl and arylsulfinyl group, alkyl and arylsulfonyl group, acyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, aryl and heterocyclic azo group, imide group, phosphino group, phosphinyl Group, phosphinyloxy group, phosphinylamino group, phosphono group, silyl group, hydrazino group, ureido group, boronic acid group [—B (OH) 2 ], phosphato group [—OPO (OH) 2 ], sulfato Examples include the group (—OSO 3 H), as well as other known substituents.

〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R〜R13は、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基である。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group, an amino group. A carbonylamino group, an alkoxycarbonylamino group, an alkyl and arylsulfonylamino group, an alkylthio group, a sulfamoyl group, an alkyl and arylsulfonyl group, an alkoxycarbonyl group or a carbamoyl group.

〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R〜R13は、特に好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はアルコキシ基である。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are particularly preferably a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, or an alkoxy group.

〜R13のうちの隣接する2つが互いに結合して、環構造を形成してもよい。この環構造には、芳香族及び非芳香族の炭化水素環並びに複素環が含まれる。これら環構造は、更に組み合わされて、縮合環を形成していてもよい。 Two adjacent ones of R 1 to R 13 may be bonded to each other to form a ring structure. This ring structure includes aromatic and non-aromatic hydrocarbon rings and heterocycles. These ring structures may be further combined to form a condensed ring.

(ZI−4)基は、好ましくは、R〜R13のうち少なくとも1つがアルコール性水酸基を含んだ構造を有しており、更に好ましくは、R〜R13のうち少なくとも1つがアルコール性水酸基を含んだ構造を有している。 The (ZI-4) group preferably has a structure in which at least one of R 1 to R 13 contains an alcoholic hydroxyl group, and more preferably at least one of R 9 to R 13 is alcoholic. It has a structure containing a hydroxyl group.

Zは、上述したように、単結合又は2価の連結基を表している。この2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボニルオキシ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミド基、エーテル結合、チオエーテル結合、アミノ基、ジスルフィド基、アシル基、アルキルスルホニル基、−CH=CH−、アミノカルボニルアミノ基及びアミノスルホニルアミノ基が挙げられる。   Z represents a single bond or a divalent linking group as described above. Examples of the divalent linking group include an alkylene group, an arylene group, a carbonyl group, a sulfonyl group, a carbonyloxy group, a carbonylamino group, a sulfonylamide group, an ether bond, a thioether bond, an amino group, a disulfide group, an acyl group, Examples thereof include an alkylsulfonyl group, -CH = CH-, an aminocarbonylamino group, and an aminosulfonylamino group.

この2価の連結基は、置換基を有していてもよい。これらの置換基としては、例えば、先にR〜R13について列挙したのと同様のものが挙げられる。 This divalent linking group may have a substituent. Examples of these substituents include those similar to those listed above for R 1 to R 13 .

Zは、好ましくは、単結合、エーテル結合又はチオエーテル結合であり、特に好ましくは、単結合である。   Z is preferably a single bond, an ether bond or a thioether bond, and particularly preferably a single bond.

次に、一般式(ZII)について説明する。
一般式(ZII)中、R204及びR205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
204及びR205のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基の具体例及び好ましい態様等は、前述の化合物(ZI−1)におけるR201〜R203について説明したものと同様である。
Next, general formula (ZII) will be described.
In General Formula (ZII), R 204 and R 205 each independently represents an aryl group, an alkyl group, or a cycloalkyl group.
Specific examples and preferred embodiments of the aryl group, alkyl group and cycloalkyl group of R 204 and R 205 are the same as those described for R 201 to R 203 in the aforementioned compound (ZI-1).

204及びR205のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物(ZI−1)におけるR201〜R203について説明したものと同様のものが挙げられる。 The aryl group, alkyl group, and cycloalkyl group of R 204 and R 205 may have a substituent. Even the substituent include the same as those described for R 201 to R 203 in the compound of the aforementioned (ZI-1).

は、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する酸アニオンを示し、非求核性アニオンが好ましく、例えば、一般式(ZI)におけるZと同様のものが挙げられ
る。
Z represents an acid anion generated by decomposition upon irradiation with actinic rays or radiation, and is preferably a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as Z in formula (ZI).

Aの好ましい例としては、下記一般式(ZCI)又は(ZCII)で表される基も挙げられる。

Figure 2013015590
Preferred examples of A also include groups represented by the following general formula (ZCI) or (ZCII).
Figure 2013015590

上記一般式(ZCI)及び(ZCII)中、
301及びR302は、各々独立に、有機基を表す。この有機基の炭素数は、一般的には1〜30であり、好ましくは1〜20である。R301及びR302は、互いに結合して、環構造を形成していてもよい。この環構造は、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合及びカルボニル基の少なくとも1つを含んでいてもよい。R301及びR302とが互いに結合して形成し得る基としては、ブチレン基及びペンチレン基等のアルキレン基が挙げられる。
In the above general formulas (ZCI) and (ZCII),
R 301 and R 302 each independently represents an organic group. The organic group generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms. R 301 and R 302 may be bonded to each other to form a ring structure. This ring structure may contain at least one of an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond and a carbonyl group in the ring. Examples of the group that can be formed by bonding R 301 and R 302 to each other include alkylene groups such as a butylene group and a pentylene group.

301及びR302の有機基としては、例えば、一般式(ZI)におけるR201〜R203の例として挙げたアリール基、アルキル基及びシクロアルキル基が挙げられる。 The organic group of R 301 and R 302, for example, aryl groups mentioned as examples of R 201 to R 203 in formula (ZI), include alkyl groups and cycloalkyl groups.

Mは、プロトンが付加されることにより酸を形成する原子団を表す。より具体的には、後述する一般式AN1〜AN3の何れかにより表される構造が挙げられる。これらのうち、一般式AN1により表される構造が特に好ましい。   M represents an atomic group that forms an acid when a proton is added thereto. More specifically, a structure represented by any one of the general formulas AN1 to AN3 described later can be given. Of these, the structure represented by the general formula AN1 is particularly preferable.

303は有機基を表す。R303としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。R303の有機基として具体的には、例えば前記一般式(ZII)におけるR204、R205の具体例として挙げたアリール基、アルキル基、シクロアルキル基等を挙げることができる。 R 303 represents an organic group. The carbon number of the organic group as R 303 is generally from 1 to 30, preferably 1 to 20. Specific examples of the organic group for R 303 include an aryl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, and the like given as specific examples of R 204 and R 205 in the general formula (ZII).

また、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する構造部位としては、例えば、下記光酸発生剤が有しているスルホン酸前駆体となる構造部位を挙げることができる。この光酸発生剤としては、例えば、以下の(1)〜(3)の化合物が挙げられる。   Moreover, as a structural site | part which generate | occur | produces an acid by irradiation of actinic light or a radiation, the structural site | part used as the sulfonic acid precursor which the following photoacid generator has can be mentioned, for example. Examples of the photoacid generator include the following compounds (1) to (3).

(1)M.TUNOOKAetal.,PolymerPreprintsJapan,35(8);G.Berneretal.,J.Rad.Curing,13(4);W.J.Mijsetal.,CoatingTechnol.,55
(697),45(1983);H.Adachietal.,PolymerPreprints,Japan,37(3);欧州特許第0199,672号、同84515号、同199,672号、同044,115号、同0101,122号、米国特許第618,564号、同4,371,605号、同4,431,774号の各明細書、特開昭64−18143号、特開平2−245756号、及び特開平4−365048号等の各公報に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物。
(1) M.M. TUNOOKA et al. , PolymerPreprints Japan, 35 (8); Berneteral. , J .; Rad. Curing, 13 (4); J. et al. Mijsetal. , CoatingTechnol. 55
(697), 45 (1983); Adachietal. , Polymer Preprints, Japan, 37 (3); European Patent Nos. 0199,672, 84515, 199,672, 044,115, 0101,122, US Pat. Nos. 618,564, 4 , 371, 605, 4,431, 774, JP-A 64-18143, JP-A-2-245756, and JP-A-4-365048. A compound that generates sulfonic acid by photolysis, such as

(2)特開昭61−166544号公報等に記載のジスルホン化合物。
(3)V.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(1980);A.Abadetal,TetrahedronLett.,(47)4555(1971);D.H.R.Bartonetal.,J.Chem.Soc.,(C),329(1970);米国特許第3,779,778号;及び欧州特許第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物。
(2) Disulfone compounds described in JP-A No. 61-166544.
(3) V. N. R. Pilla, Synthesis, (1), 1 (1980); Abadetal, Tetrahedron Lett. (47) 4555 (1971); H. R. Bartonetal. , J .; Chem. Soc. , (C), 329 (1970); U.S. Pat. No. 3,779,778; and European Patent No. 126,712 and the like.

繰り返し単位(B)は、活性光線又は放射線の照射により酸アニオンへと変換される構造部位を備えていることが好ましい。例えば、上記一般式(B1)〜(B3)におけるAは、活性光線又は放射線の照射により酸アニオンへと変換される構造部位であることが好ましい。   The repeating unit (B) preferably has a structural site that is converted to an acid anion by irradiation with actinic rays or radiation. For example, A in the general formulas (B1) to (B3) is preferably a structural site that is converted into an acid anion by irradiation with actinic rays or radiation.

即ち、繰り返し単位(B)は、活性光線又は放射線の照射により樹脂の側鎖に酸アニオンを生じる構造であることがより好ましい。このような構造を採用すると、発生した酸アニオンの拡散が抑制され、解像度及びラフネス特性等を更に向上させることが可能となる。   That is, it is more preferable that the repeating unit (B) has a structure in which an acid anion is generated in the side chain of the resin by irradiation with actinic rays or radiation. By adopting such a structure, the diffusion of the generated acid anions is suppressed, and the resolution and roughness characteristics can be further improved.

一般式(B1)における部位−X−A、一般式(B2)における部位−X−A、及び一般式(B3)における部位−X−Aの各々は、下記一般式(L1)、(L2)及び(L3)の何れかにより表されることが好ましい。 Formula sites -X 1 -A in (B1), the general formula (B2) site -X 2 -A in, and each of the sites -X 3 -A in formula (B3), the following formula (L1), It is preferably represented by either (L2) or (L3).

−X11−L11−X12−Ar−X13−L12−Z(L1)
−Ar−X21−L21−X22−L22−Z(L2)
−X31−L31−X32−L32−Z(L3)
まず、一般式(L1)により表される部位について説明する。
11は、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。
12及びX13は、各々独立に、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。
-X 11 -L 11 -X 12 -Ar 1 -X 13 -L 12 -Z 1 (L1)
-Ar 2 -X 21 -L 21 -X 22 -L 22 -Z 2 (L2)
-X 31 -L 31 -X 32 -L 32 -Z 3 (L3)
First, the site | part represented by general formula (L1) is demonstrated.
X 11 is —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or these Represents a combined group.
X 12 and X 13 each independently represent a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), divalent nitrogen-containing non- An aromatic heterocyclic group or a group obtained by combining them is represented.

Rのアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。また、Rのアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。このアルキル基は、炭素数が20以下であることが好ましく、炭素数が8以下であることがより好ましく、炭素数が3以下であることが更に好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基が挙げられる。Rとしては、水素原子、メチル基又はエチル基が特に好ましい。   The alkyl group of R may be linear or branched. Moreover, the alkyl group of R may further have a substituent. The alkyl group preferably has 20 or less carbon atoms, more preferably 8 or less carbon atoms, and still more preferably 3 or less carbon atoms. Examples of such an alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. R is particularly preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.

なお、2価の窒素含有非芳香族複素環基とは、少なくとも1個の窒素原子を有する、好ましくは3〜8員の非芳香族複素環基を意味する。   The divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group means a 3- to 8-membered non-aromatic heterocyclic group having at least one nitrogen atom.

11は、−O−、−CO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、又は、これらを組み合わせた基であることがより好ましく、−COO−又は−CONR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)であることが特に好ましい。 X 11 is more preferably —O—, —CO—, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), or a combination thereof, and —COO— or —CONR— (R is hydrogen). Particularly preferred is an atom or an alkyl group.

11は、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 11 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same as each other or different from each other. These groups, O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent They may be linked via an aromatic ring group or a group obtained by combining these.

11のアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキレン基としては、炭素数が1〜8のものが好ましく、炭素数1〜6のものがより好ましく、炭素数が1〜4のものが更に好ましい。 The alkylene group for L 11 may be linear or branched. As this alkylene group, a C1-C8 thing is preferable, a C1-C6 thing is more preferable, and a C1-C4 thing is still more preferable.

11のアルケニレン基としては、例えば、上記のアルキレン基の任意の位置に二重結合を備えた基が挙げられる。 As the alkenylene group for L 11 , for example, a group having a double bond at any position of the above alkylene group can be mentioned.

11としての2価の脂肪族炭化水素環基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。この2価の脂肪族炭化水素環基としては、炭素数が5〜12のものが好ましく、炭素数が6〜10のものがより好ましい。 The divalent aliphatic hydrocarbon ring group as L 11 may be monocyclic or polycyclic. The divalent aliphatic hydrocarbon ring group preferably has 5 to 12 carbon atoms, and more preferably 6 to 10 carbon atoms.

連結基としての2価の芳香環基は、アリーレン基であってもよく、ヘテロアリーレン基であってもよい。この芳香環基は、炭素数が6〜14であることが好ましい。この芳香環基は、置換基を更に有していてもよい。   The divalent aromatic ring group as the linking group may be an arylene group or a heteroarylene group. The aromatic ring group preferably has 6 to 14 carbon atoms. This aromatic ring group may further have a substituent.

また、連結基としての−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基は、例えば、上述したX11における各々と同様である。 In addition, —NR— as a linking group and a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group are the same as, for example, each of X 11 described above.

11としては、アルキレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、又は、−OCO−、−O−若しくは−CONH−を介してアルキレン基と2価の脂肪族炭化水素環基とを組み合わせた基(例えば、−アルキレン基−O−アルキレン基−、−アルキレン基−OCO−アルキレン基−若しくは−2価の脂肪族炭化水素環基−O−アルキレン基−、−アルキレン基−CONH−アルキレン基−)が特に好ましい。 L 11 is an alkylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, or a combination of an alkylene group and a divalent aliphatic hydrocarbon ring group via —OCO—, —O— or —CONH—. Group (for example, -alkylene group-O-alkylene group-, -alkylene group-OCO-alkylene group- or -valent aliphatic hydrocarbon ring group-O-alkylene group-, -alkylene group-CONH-alkylene group- Is particularly preferred.

12及びX13における−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。 Specific examples of —NR— and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in X 12 and X 13 are the same as those in X 11 described above, and preferred examples are also the same.

12としては、単結合、−S−、−O−、−CO−、−SO−、又はこれらを組み合わせた基がより好ましく、単結合、−S−、−OCO−又は−OSO−が特に好ましい。 X 12 is more preferably a single bond, —S—, —O—, —CO—, —SO 2 — or a combination thereof, and a single bond, —S—, —OCO— or —OSO 2 —. Is particularly preferred.

13としては、−O−、−CO−、−SO−、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、−OSO−が特に好ましい。 X 13 is more preferably —O—, —CO—, —SO 2 —, or a combination thereof, and particularly preferably —OSO 2 —.

Arは、2価の芳香環基を表す。2価の芳香環基は、アリーレン基であってもよく、ヘテロアリーレン基であってもよい。この2価の芳香環基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基及びアリール基が挙げられる。 Ar 1 represents a divalent aromatic ring group. The divalent aromatic ring group may be an arylene group or a heteroarylene group. This divalent aromatic ring group may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, and an aryl group.

Arとしては、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリーレン基、又は、炭素数6〜18のアリーレン基と炭素数1〜4のアルキレンよを組み合わせたアラルキレン基がより好ましく、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、又は、フェニル基で置換されたフェニレン基が特に好ましい。 Ar 1 is more preferably an arylene group having 6 to 18 carbon atoms which may have a substituent, or an aralkylene group in which an arylene group having 6 to 18 carbon atoms and an alkylene having 1 to 4 carbon atoms are combined. A phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, or a phenylene group substituted with a phenyl group is particularly preferable.

12は、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表し、これらの基は、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、及びシアノ基から選択される置換基で置換されている。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 12 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more of these, and these groups are a part of hydrogen atoms or All are substituted with a substituent selected from a fluorine atom, a fluorinated alkyl group, a nitro group, and a cyano group. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same as each other or different from each other. These groups, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent May be connected via a group of aromatic rings or a combination thereof.

12としては、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子若しくはフッ化アルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換された、アルキレン基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された、アルキレン基又は2価の芳香環基が特に好ましい。L12としては、水素原子数の30〜100%がフッ素原子で置換されたアルキレン基又は2価の芳香環基が特に好ましい。 As L 12 , an alkylene group, a divalent aromatic ring group, or a combination thereof, in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group) A group is more preferable, and an alkylene group or a divalent aromatic ring group in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms is particularly preferable. L 12 is particularly preferably an alkylene group or a divalent aromatic ring group in which 30 to 100% of the number of hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.

12のアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキレン基は、炭素数が1〜6であることが好ましく、炭素数が1〜4であることがより好ましい。 The alkylene group for L 12 may be linear or branched. The alkylene group preferably has 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms.

12のアルケニレン基としては、例えば、上記アルキレン基の任意の位置に二重結合を備えた基が挙げられる。 Examples of the alkenylene group for L 12 include a group having a double bond at an arbitrary position of the alkylene group.

12の2価の脂肪族炭化水素環基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。この2価の脂肪族炭化水素環基としては、炭素数が3〜17のものが好ましい。 The divalent aliphatic hydrocarbon ring group represented by L 12 may be monocyclic or polycyclic. The divalent aliphatic hydrocarbon ring group is preferably one having 3 to 17 carbon atoms.

12の2価の芳香環基としては、例えば、先にL11における連結基として説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the divalent aromatic ring group for L 12 include the same groups as those described above as the linking group for L 11 .

また、L12における連結基の−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。 Specific examples of the linking group —NR— and the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 12 include the same specific examples as in X 11 described above, and preferred examples are also the same.

は、活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸基となる部位を表し、具体的には、例えば、上記式(ZI)により表される構造が挙げられる。 Z 1 represents a site that becomes a sulfonic acid group upon irradiation with actinic rays or radiation, and specifically includes, for example, a structure represented by the above formula (ZI).

次に、一般式(L2)により表される部位について説明する。
Arは、2価の芳香環基を表す。2価の芳香環基は、アリーレン基であってもよく、ヘテロアリーレン基であってもよい。これら2価の芳香環基は、炭素数が6〜18であることが好ましい。これら2価の芳香環基は、置換基を更に有していてもよい。
Next, the site | part represented by general formula (L2) is demonstrated.
Ar 2 represents a divalent aromatic ring group. The divalent aromatic ring group may be an arylene group or a heteroarylene group. These divalent aromatic ring groups preferably have 6 to 18 carbon atoms. These divalent aromatic ring groups may further have a substituent.

21は、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。
21における−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、例えば、先にX11について説明したのと同様のものが挙げられる。
X 21 represents —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R represents a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or these Represents a combined group.
Examples of —NR— and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in X 21 include the same as those described above for X 11 .

21としては、−O−、−S−、−CO−、−SO−、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、−O−、−OCO−又は−OSO−が特に好ましい。 The X 21, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, or, more preferably a group composed of a combination of these, -O -, - OCO- or -OSO 2 - is particularly preferred.

22は、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。X22における−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、例えば、先にX11について説明したのと同様のものが挙げられる。 X 22 represents a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R represents a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or And represents a combination of these. Examples of —NR— and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in X 22 include the same as those described above for X 11 .

22としては、−O−、−S−、−CO−、−SO−、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、−O−、−OCO−又は−OSO−が特に好ましい。 The X 22, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, or, more preferably a group composed of a combination of these, -O -, - OCO- or -OSO 2 - is particularly preferred.

21は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 21 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same as each other or different from each other. These groups, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent May be connected via a group of aromatic rings or a combination thereof.

21のアルキレン基、アルケニレン基、及び2価の脂肪族炭化水素環基としては、例えば、先にL11における各々について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the alkylene group, alkenylene group, and divalent aliphatic hydrocarbon ring group for L 21 include the same groups as those described above for L 11 .

21の2価の芳香環基は、アリーレン基であってもよく、ヘテロアリーレン基であってもよい。この2価の芳香環基は、炭素数が6〜14であることが好ましい。 The divalent aromatic ring group of L 21 may be an arylene group or a heteroarylene group. The divalent aromatic ring group preferably has 6 to 14 carbon atoms.

21における−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、例えば、先にX11について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of —NR— and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 21 include the same as those described above for X 11 .

21としては、単結合、アルキレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、これらの2以上を組み合わせた基(例えば、−アルキレン基−2価の芳香環基−若しくは−2価の脂肪族炭化水素環基−アルキレン基−)、又は、−OCO−、−COO−、−O−及び−S−等の連結基を介してこれらの2以上を組み合わせた基(例えば、−アルキレン基−OCO−2価の芳香環基−、−アルキレン基−S−2価の芳香環基−、若しくは、−アルキレン基−O−アルキレン基−2価の芳香環基−)が特に好ましい。 L 21 includes, for example, a single bond, an alkylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more of these (for example, -alkylene group-2 divalent aromatic ring group- Or a group in which two or more of these are combined through a linking group such as -OCO-, -COO-, -O-, and -S- For example, -alkylene group-OCO-2 valent aromatic ring group-, -alkylene group-S-2 valent aromatic ring group-, or -alkylene group-O-alkylene group-2 valent aromatic ring group-). Particularly preferred.

22は、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表し、これらの基は、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、及びシアノ基から選択される置換基で置換されていてもよい。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、−O−、S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 22 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more of these, and these groups are a part of hydrogen atoms or All may be substituted with a substituent selected from a fluorine atom, a fluorinated alkyl group, a nitro group, and a cyano group. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same as each other or different from each other. These groups, -O-, S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent They may be linked via an aromatic ring group or a group obtained by combining these.

22としては、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子又はフッ化アルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換された、アルキレン基、2価の芳香環基、又はこれらを組み合わせた基がより好ましく、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された、アルキレン基又は2価の芳香環基が特に好ましい。 L 22 is an alkylene group, a divalent aromatic ring group, or a combination of these, in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group). Are more preferable, and an alkylene group or a divalent aromatic ring group in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms is particularly preferable.

22により表わされるアルキレン基、アルケニレン基、基脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、及び、これらの2以上を組み合わせた基の具体例としては、一般式(L1)においてL12として先に例示した具体例と同様の基が挙げられる。 Specific examples of the alkylene group, the alkenylene group, the group aliphatic hydrocarbon ring group, the divalent aromatic ring group, and a combination of two or more of these represented by L 22 include L 12 in the general formula (L1). The same group as the specific example illustrated previously is mentioned.

また、L22における連結基の−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。 Specific examples of the linking group —NR— and the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 22 include the same specific examples as in X 11 described above, and preferred examples are also the same.

は、活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸基となる部位を表す。Zの具体例としては、先にZ1について説明したのと同様のものが挙げられる。 Z 2 represents a site that becomes a sulfonic acid group upon irradiation with actinic rays or radiation. Specific examples of Z 2 are the same as those described above for Z 1.

続いて、一般式(L3)により表される部位について説明する。
31及びX32は、各々独立に、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。
Then, the site | part represented by general formula (L3) is demonstrated.
X 31 and X 32 are each independently a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), divalent nitrogen-containing non- An aromatic heterocyclic group or a group obtained by combining them is represented.

31及びX32の各々における−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、例えば、先にX11について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of —NR— and a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in each of X 31 and X 32 include the same as those described above for X 11 .

31としては、単結合、−O−、−CO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、単結合、−COO−又は−CONR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)が特に好ましい。 X 31 is preferably a single bond, —O—, —CO—, —NR— (wherein R is a hydrogen atom or an alkyl group), or a combination thereof, and more preferably a single bond, —COO— or —CONR—. (R is a hydrogen atom or an alkyl group) is particularly preferred.

32としては、−O−、−S−、−CO−、−SO−、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、−O−、−OCO−又は−OSO−が特に好ましい。 X 32 is more preferably —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or a combination thereof, —O—, — OCO- or -OSO 2 - is particularly preferred.

31は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 31 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same as each other or different from each other. These groups, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent May be connected via a group of aromatic rings or a combination thereof.

31のアルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、及び2価の芳香環基としては、例えば、先にL21について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the alkylene group, alkenylene group, divalent aliphatic hydrocarbon ring group, and divalent aromatic ring group of L 31 include the same as those described above for L 21 .

また、L31における連結基の−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。 Specific examples of -NR- and a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 31 include the same specific examples as those in X 11 described above, and preferred examples are also the same.

32は、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又は、これらの2以上を組み合わせた基を表す。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 32 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more of these. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same as each other or different from each other. These groups, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent May be connected via a group of aromatic rings or a combination thereof.

32のアルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又は、これらの2以上を組み合わせた基は、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、及びシアノ基から選択される置換基で置換されていることが好ましい。 L 32 is an alkylene group, alkenylene group, divalent aliphatic hydrocarbon ring group, divalent aromatic ring group, or a combination of two or more thereof, wherein a part or all of the hydrogen atoms are fluorine atoms, It is preferably substituted with a substituent selected from a fluorinated alkyl group, a nitro group, and a cyano group.

32としては、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子若しくはフッ化アルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換された、アルキレン基、2価の芳香環基、又はこれらを組み合わせた基がより好ましく、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された、アルキレン基又は2価の芳香環基が特に好ましい。 L 32 is an alkylene group, a divalent aromatic ring group, or a combination of these, in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group). Are more preferable, and an alkylene group or a divalent aromatic ring group in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms is particularly preferable.

32のアルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、及び、これらの2以上を組み合わせた基としては、例えば、先にL12について説明したのと同様のものが挙げられる。L32における連結基の−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。 Examples of the L 32 alkylene group, alkenylene group, divalent aliphatic hydrocarbon ring group, divalent aromatic ring group, and a group obtained by combining two or more of these include L 12 described above. The same thing is mentioned. Specific examples of the —NR— of the linking group and the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 32 include the same specific examples as in X 11 described above, and preferred examples are also the same.

また、Xが単結合でありかつL31が芳香環基である場合において、R32がL31の芳香環基と環を形成する場合、R32により表わされるアルキレン基は、炭素数が1〜8であることが好ましく、炭素数が1〜4のものがより好ましく、炭素数が1〜2のものが更に好ましい。 In the case where X 3 is a single bond and L 31 is an aromatic ring group, when R 32 forms a ring with the aromatic ring group of L 31 , the alkylene group represented by R 32 has 1 carbon atom -8 are preferable, those having 1 to 4 carbon atoms are more preferable, and those having 1 to 2 carbon atoms are still more preferable.

は、活性光線又は放射線の照射により、イミド酸基又はメチド酸基となるオニウム塩を表す。Zにより表わされるオニウム塩としては、スルホニウム塩あるいはヨードニウム塩が好ましく、下記一般式(ZIII)又は(ZIV)により表される構造が好ましい。

Figure 2013015590
Z 3 represents an onium salt that becomes an imido acid group or a methide acid group by irradiation with actinic rays or radiation. The onium salt represented by Z 3 is preferably a sulfonium salt or an iodonium salt, and a structure represented by the following general formula (ZIII) or (ZIV) is preferred.
Figure 2013015590

一般式(ZIII)及び(ZIV)中、Z、Z、Z、Z、Zは、各々独立に、−CO−又は−SO−を表し、より好ましくは、−SO−である。 In general formulas (ZIII) and (ZIV), Z 1 , Z 2 , Z 3 , Z 4 , and Z 5 each independently represent —CO— or —SO 2 —, and more preferably —SO 2 —. It is.

Rz、Rz及びRzは、各々独立に、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アリール基、又はアラルキル基を表す。水素原子の一部又は全部がフッ素原子又はフルオロアルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換された態様がより好ましい。 Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 each independently represents an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group or an aralkyl group. An embodiment in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluoroalkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group) is more preferable.

Rz、Rz及びRzのアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基は、炭素数が1〜8であることが好ましく、炭素数が1〜6であることがより好ましく、炭素数が1〜4であることが更に好ましい。 The alkyl groups of Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 may be linear or branched. The alkyl group preferably has 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably 1 to 4 carbon atoms.

Rz、Rz及びRzの1価の脂肪族炭化水素環基は、炭素数が3〜10であることが好ましく、炭素数が3〜6であることがより好ましい。 The monovalent aliphatic hydrocarbon ring group represented by Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 6 carbon atoms.

Rz、Rz及びRzのアリール基は、炭素数が6〜18であることが好ましく、炭素数が6〜10のアリール基であることがより好ましい。このアリール基としては、フェニル基が特に好ましい。 The aryl group of Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 preferably has 6 to 18 carbon atoms, and more preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms. As this aryl group, a phenyl group is particularly preferable.

Rz、Rz及びRzのアラルキル基の好ましい例としては、炭素数1〜8のアルキレン基と上記アリール基とが結合したものが挙げられる。炭素数1〜6のアルキレン基と上記アリール基とが結合してなるアラルキル基がより好ましく、炭素数1〜4のアルキレン基と上記アリール基とが結合してなるアラルキル基が特に好ましい。 Preferable examples of the aralkyl group of Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 include those in which an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms and the aryl group are bonded. An aralkyl group formed by bonding an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms and the aryl group is more preferable, and an aralkyl group formed by bonding an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and the aryl group is particularly preferable.

は、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。Aの好ましい例としては、一般式(ZI)におけるスルホニウムカチオン又は一般式(ZII)におけるヨードニウムカチオン構造が挙げられる。 A + represents a sulfonium cation or an iodonium cation. Preferable examples of A + include a sulfonium cation in the general formula (ZI) or an iodonium cation structure in the general formula (ZII).

以下に繰り返し単位(B)の具体例を挙げるが、本発明の範囲は、これらに限定されるものではない。

Figure 2013015590
Specific examples of the repeating unit (B) are shown below, but the scope of the present invention is not limited thereto.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

樹脂(Ab)における、繰り返し単位(B)の含有率は、樹脂(Ab)中の全繰り返し単位に対し、0.1〜80mol%が好ましく、より好ましくは0.5〜60mol%であり、更に好ましくは1〜40mol%である。   The content of the repeating unit (B) in the resin (Ab) is preferably from 0.1 to 80 mol%, more preferably from 0.5 to 60 mol%, based on all repeating units in the resin (Ab). Preferably it is 1-40 mol%.

樹脂(Ab)は好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。
樹脂(Ab)は、酸分解性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
The resin (Ab) is preferably insoluble or hardly soluble in an alkaline developer.
The resin (Ab) preferably has a repeating unit having an acid-decomposable group.

酸分解性基としては、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基等のアルカリ可溶性基の水素原子が、酸の作用により脱離する基で保護された基を挙げることができる。   Examples of the acid-decomposable group include a group in which a hydrogen atom of an alkali-soluble group such as a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, or a thiol group is protected with a group capable of leaving by the action of an acid. .

酸の作用により脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(=O)−O−C(R36)(R37)(R38)、−C(R01)(R02)(OR39)、−C(R01)(R02)−C(=O)−O−C(R36)(R37)(R38)等を挙げることができる。 Examples of the group capable of leaving by the action of an acid include —C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), —C (R 36 ) (R 37 ) (OR 39 ), —C (═O) — O-C (R 36) ( R 37) (R 38), - C (R 01) (R 02) (OR 39), - C (R 01) (R 02) -C (= O) -O- C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ) and the like can be mentioned.

式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01〜R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。 In the formula, R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring. R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.

樹脂(Ab)は、酸分解性基を有する繰り返し単位として、好ましくは一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有する。ここで、一般式(A3)は、先に説明した樹脂(Aa)が含有し得る一般式(A3)と同じである。上述したように、樹脂(Aa)と樹脂(Ab)の少なくとも一方は、一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有する。

Figure 2013015590
The resin (Ab) preferably contains at least one repeating unit represented by the general formula (A3) as a repeating unit having an acid-decomposable group. Here, general formula (A3) is the same as general formula (A3) which resin (Aa) demonstrated previously may contain. As described above, at least one of the resin (Aa) and the resin (Ab) contains at least one repeating unit represented by the general formula (A3).
Figure 2013015590

樹脂(Ab)が含有し得る、一般式(A3)により表される繰り返し単位の具体例としても、樹脂(Aa)に関し上記に挙げたものと同じ具体例が挙げられる。   Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (A3) that can be contained in the resin (Ab) include the same specific examples as described above with respect to the resin (Aa).

樹脂(Ab)が含有し得る酸分解性基を有する繰り返し単位としては、上述した一般式(A3)で表される繰り返し単位以外に、例えば、先に説明した樹脂(Aa)が含有し得る一般式(A1)及び一般式(A2)で表される繰り返し単位を挙げることができる。また、酸分解性基を有する繰り返し単位を有さない樹脂にビニルエーテル化合物を反応させて酸分解性基を導入してもよい。   As the repeating unit having an acid-decomposable group that can be contained in the resin (Ab), in addition to the repeating unit represented by the general formula (A3) described above, for example, the resin (Aa) described above can contain in general The repeating unit represented by Formula (A1) and General Formula (A2) can be given. Further, an acid-decomposable group may be introduced by reacting a vinyl ether compound with a resin having no repeating unit having an acid-decomposable group.

樹脂(Ab)は、一態様において、一般式(A1b)及び一般式(A2b)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含有することが好ましい。ここで、先に説明した一般式(A3b)は一般式(A2b)の一形態である。

Figure 2013015590
In one embodiment, the resin (Ab) preferably contains at least one repeating unit represented by the general formula (A1b) and the general formula (A2b). Here, the general formula (A3b) described above is one form of the general formula (A2b).
Figure 2013015590

樹脂(Ab)は、更に、下記一般式(A5)で表される繰り返し単位を含有していてもよい。

Figure 2013015590
The resin (Ab) may further contain a repeating unit represented by the following general formula (A5).
Figure 2013015590

式(A5)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、アリール基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、又はアラルキル基を表し、一般式(A2b)に於けるXと同様のものである。
は、酸の作用により脱離しない炭化水素基を表す。
In formula (A5),
X is a hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, aryl group, carboxyl group, alkyloxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, or Represents an aralkyl group and is the same as X in formula (A2b).
A 4 represents a hydrocarbon group that is not eliminated by the action of an acid.

一般式(A5)に於ける、Aの酸の作用により脱離しない炭化水素基としては、上記の酸分解性基以外の炭化水素基が挙げられ、例えば、酸の作用により脱離しないアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)、酸の作用により脱離しないシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、酸の作用により脱離しないアリール基(好ましくは炭素数6〜15)等を挙げることができる。 In the general formula (A5), examples of the hydrocarbon group that is not eliminated by the action of the acid A 4 include hydrocarbon groups other than the acid-decomposable groups, such as an alkyl that is not eliminated by the action of the acid. A group (preferably having 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (preferably having 3 to 15 carbon atoms) which is not eliminated by the action of an acid, an aryl group (preferably having 6 to 15 carbon atoms) which is not eliminated by the action of an acid, etc. Can be mentioned.

の酸の作用により脱離しない炭化水素基は、更に、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等で置換されていてもよい。 The hydrocarbon group that is not eliminated by the action of the acid of A 4 may be further substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or the like.

樹脂(Ab)は、更に一般式(A6)で表される繰り返し単位を有することも好ましい。

Figure 2013015590
It is also preferred that the resin (Ab) further has a repeating unit represented by the general formula (A6).
Figure 2013015590

一般式(A6)中、
2は、水素原子、メチル基、シアノ基、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のペルフルオロ基を表す。
3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基又はアシル基を表す。
qは、0〜4の整数を表す。
Arは、q+2価の芳香環を表す。
Wは、酸の作用により分解しない基又は水素原子を表す。
In general formula (A6),
R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group, a cyano group, a halogen atom, or a perfluoro group having 1 to 4 carbon atoms.
R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, an aryl group, an alkoxy group or an acyl group.
q represents an integer of 0 to 4.
Ar represents a q + 2 valent aromatic ring.
W represents a group or a hydrogen atom that is not decomposed by the action of an acid.

Arにより表される芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環であることがより好ましい。   As the aromatic ring represented by Ar, a benzene ring, a naphthalene ring and an anthracene ring are preferable, and a benzene ring is more preferable.

Wは酸の作用により分解しない基(酸安定基ともいう)を表すが、上記の酸分解性基以外の基が挙げられ、具体的にはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アルキルアミド基、アリールアミドメチル基、アリールアミド基等が挙げられる。酸安定基としては、好ましくはアシル基、アルキルアミド基であり、より好ましくはアシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基である。   W represents a group that is not decomposed by the action of an acid (also referred to as an acid-stable group), and examples include groups other than the above-mentioned acid-decomposable groups. Specifically, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, An aryl group, an acyl group, an alkylamide group, an arylamidomethyl group, an arylamide group, etc. are mentioned. The acid stabilizing group is preferably an acyl group or an alkylamide group, more preferably an acyl group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxy group, a cycloalkyloxy group, or an aryloxy group.

Wの酸安定基において、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基の様な炭素数1〜4個のものが好ましく、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な炭素数3〜10個のものが好ましく、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アリール基としてはフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数6〜14個のものが好ましい。Wはベンゼン環上のどの位置にあってもよいが、好ましくはスチレン骨格のメタ位かパラ位であり、特に好ましくはパラ位である。
以下に、一般式(A6)で表される繰り返し単位の具体例を挙げるがこれらに限定するものではない。

Figure 2013015590
In the acid stable group of W, the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group and t-butyl group. As the alkyl group, those having 3 to 10 carbon atoms such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group and adamantyl group are preferable, and as the alkenyl group, carbon number such as vinyl group, propenyl group, allyl group and butenyl group. Those having 2 to 4 carbon atoms are preferable, those having 2 to 4 carbon atoms such as vinyl group, propenyl group, allyl group and butenyl group are preferable as alkenyl groups, and phenyl group, xylyl group and toluyl group are preferable as aryl groups. And those having 6 to 14 carbon atoms such as cumenyl group, naphthyl group and anthracenyl group are preferable. W may be at any position on the benzene ring, but is preferably a meta position or a para position of the styrene skeleton, particularly preferably a para position.
Specific examples of the repeating unit represented by formula (A6) are shown below, but are not limited thereto.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

樹脂(Ab)は、更に酸の作用により分解しない(メタ)アクリル酸誘導体からなる繰り返し単位を有することも好ましい。以下に具体例を挙げるがこれに限定するものではない。

Figure 2013015590
The resin (Ab) preferably further has a repeating unit composed of a (meth) acrylic acid derivative that is not decomposed by the action of acid. Although a specific example is given below, it is not limited to this.
Figure 2013015590

樹脂(Ab)における酸分解性基を有する繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、5〜95モル%が好ましく、より好ましくは10〜60モル%であり、特に好ましくは15〜50モル%である。   The content of the repeating unit having an acid-decomposable group in the resin (Ab) is preferably 5 to 95 mol%, more preferably 10 to 60 mol%, and particularly preferably 15 to 50 mol% in all repeating units. It is.

樹脂(Ab)における一般式(A1)で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、0〜70モル%が好ましく、より好ましくは0〜50モル%であり、特に好ましくは0〜40モル%である。
樹脂(Ab)における一般式(A2)で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、0〜90モル%が好ましく、より好ましくは5〜75モル%であり、特に好ましくは10〜60モル%である。
The content of the repeating unit represented by the general formula (A1) in the resin (Ab) is preferably from 0 to 70 mol%, more preferably from 0 to 50 mol%, particularly preferably from 0 to 0 in all repeating units. 40 mol%.
The content of the repeating unit represented by the general formula (A2) in the resin (Ab) is preferably 0 to 90 mol%, more preferably 5 to 75 mol%, and particularly preferably 10 to 10 mol% in all repeating units. 60 mol%.

樹脂(Ab)における一般式(A3)で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、0〜50モル%が好ましく、より好ましくは1〜40モル%であり、特に好ましくは5〜30モル%である。   As for the content rate of the repeating unit represented by general formula (A3) in resin (Ab), 0-50 mol% is preferable in all the repeating units, More preferably, it is 1-40 mol%, Most preferably, it is 5-5. 30 mol%.

樹脂(Ab)における一般式(A4)で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、0〜50モル%が好ましく、より好ましくは0〜40モル%であり、特に好ましくは0〜30モル%である。   The content of the repeating unit represented by the general formula (A4) in the resin (Ab) is preferably 0 to 50 mol%, more preferably 0 to 40 mol%, and particularly preferably 0 to 40 mol% in all repeating units. 30 mol%.

樹脂(Ab)は、更に一般式(A5)で表される繰返し単位を有していてもよく、膜質向上、未露光部の膜減り抑制等の観点から好ましい。一般式(A5)で表される繰り返し単位の含有率は、それぞれの全繰り返し単位中、0〜50モル%であることが好ましく、より好ましくは0〜40モル%であり、特に好ましくは0〜30モル%である。   The resin (Ab) may further have a repeating unit represented by the general formula (A5), which is preferable from the viewpoints of improving the film quality and suppressing the decrease in the film thickness of the unexposed area. The content of the repeating unit represented by the general formula (A5) is preferably 0 to 50 mol%, more preferably 0 to 40 mol%, and particularly preferably 0 to 40 mol% in each of all the repeating units. 30 mol%.

また、樹脂(Ab)は、アルカリ現像液に対する良好な現像性を維持するために、アルカリ可溶性基、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基が導入され得るように適切な他の重合性モノマーが共重合されていてもよいし、膜質向上のためにアルキルアクリレートやアルキルメタクリレートのような疎水性の他の重合性モノマーが共重合されてもよい。   In addition, the resin (Ab) is copolymerized with other polymerizable monomers suitable so that an alkali-soluble group such as a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group can be introduced in order to maintain good developability for an alkali developer. In order to improve the film quality, other hydrophobic polymerizable monomers such as alkyl acrylate and alkyl methacrylate may be copolymerized.

一般式(A2)で表される繰り返し単位に対応するモノマーは、THF、アセトン、塩化メチレン等の溶媒中、(メタ)アクリル酸クロリドとアルコール化合物を、トリエチルアミン、ピリジン、DBU等の塩基性触媒存在下でエステル化させることにより合成することができる。なお、市販のものを用いてもよい。   The monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (A2) includes (meth) acrylic acid chloride and an alcohol compound in a solvent such as THF, acetone and methylene chloride, and a basic catalyst such as triethylamine, pyridine and DBU. It can be synthesized by esterification below. A commercially available product may be used.

一般式(A1)で表される繰り返し単位に対応するモノマーは、THF、塩化メチレン等の溶媒中、ヒドロキシ置換スチレンモノマーとビニルエーテル化合物を、p−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸ピリジン塩等の酸性触媒存在下でアセタール化させること、または、二炭酸t−ブチルを用いてトリエチルアミン、ピリジン、DBU等の塩基性触媒存在下でt−Boc保護化する事により合成することができる。なお、市販のものを用いてもよい。   The monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (A1) is a hydroxy-substituted styrene monomer and a vinyl ether compound in a solvent such as THF and methylene chloride, such as p-toluenesulfonic acid and p-toluenesulfonic acid pyridine salt. It can be synthesized by acetalization in the presence of an acidic catalyst or by t-Boc protection using t-butyl dicarbonate in the presence of a basic catalyst such as triethylamine, pyridine, DBU or the like. A commercially available product may be used.

樹脂(Ab)は、先に説明した樹脂(Aa)が含有し得る一般式(A)で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。

Figure 2013015590
It is preferable that resin (Ab) contains the repeating unit represented by general formula (A) which resin (Aa) demonstrated previously can contain.
Figure 2013015590

樹脂(Ab)においては、下記一般式で表される繰り返し単位を有することも好ましい。下記一般式中、jは0〜3の整数を表し、好ましくは0〜2の整数であり、より好ましくは0又は1である。

Figure 2013015590
The resin (Ab) preferably has a repeating unit represented by the following general formula. In the following general formula, j represents an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, and more preferably 0 or 1.
Figure 2013015590

これら一般式により表される繰り返し単位として、以下の具体例が挙げられる。

Figure 2013015590
Specific examples of the repeating unit represented by these general formulas include the following.
Figure 2013015590

樹脂(Ab)の重量平均分子量(Mw)は、それぞれ1000〜200,000の範囲であることが好ましい。樹脂自体のアルカリに対する溶解速度、感度の点から200,000以下が好ましい。分散度(Mw/Mn)は、1.0〜3.0であることが好ましく、より好ましくは1.0〜2.5、特に好ましくは、1.0〜2.0である。   The weight average molecular weight (Mw) of the resin (Ab) is preferably in the range of 1000 to 200,000, respectively. 200,000 or less is preferable from the viewpoint of the dissolution rate and sensitivity of the resin itself with respect to alkali. The dispersity (Mw / Mn) is preferably 1.0 to 3.0, more preferably 1.0 to 2.5, and particularly preferably 1.0 to 2.0.

その中で、樹脂の重量平均分子量(Mw)は、1,000〜200,000の範囲であることが好ましく、さらに好ましくは1,000〜100,000の範囲であり、特に好ましくは1,000〜50,000の範囲であり、最も好ましくは1,000〜25,000の範囲である。
ここで、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される。
Among them, the weight average molecular weight (Mw) of the resin is preferably in the range of 1,000 to 200,000, more preferably in the range of 1,000 to 100,000, and particularly preferably 1,000. Is in the range of ~ 50,000, most preferably in the range of 1,000-25,000.
Here, the weight average molecular weight is defined by a polystyrene conversion value of gel permeation chromatography.

アゾ系重合開始剤を用いてラジカル重合を行うことで分散度2.0以下の樹脂(Ab)を合成することができる。さらに好ましい分散度1.0〜1.5の樹脂(Ab)は例えばリビングラジカル重合によって合成可能である。   Resin (Ab) having a dispersity of 2.0 or less can be synthesized by performing radical polymerization using an azo polymerization initiator. A resin (Ab) having a more preferable dispersity of 1.0 to 1.5 can be synthesized by living radical polymerization, for example.

樹脂(Ab)は、公知のアニオン重合法またはラジカル重合法などで重合することが好ましい。
アニオン重合法は、アルカリ金属又は有機アルカリ金属を重合開始剤として、通常、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中において、−100〜90℃の温度で行なわれる。そして、共重合においては、モノマー類を反応系に逐次添加して重合することによりブロック共重合体が、また、各モノマー類の混合物を反応系に添加して重合することによりランダム共重合体が得られる。
The resin (Ab) is preferably polymerized by a known anionic polymerization method or radical polymerization method.
The anionic polymerization method is usually performed at a temperature of −100 to 90 ° C. in an organic solvent in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon using an alkali metal or an organic alkali metal as a polymerization initiator. In the copolymerization, a block copolymer is obtained by sequentially adding monomers to the reaction system for polymerization, and a random copolymer is obtained by adding a mixture of monomers to the reaction system for polymerization. can get.

上記重合開始剤のアルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられ、有機アルカリ金属としては、上記アルカリ金属のアルキル化物、アリル化物およびアリール化物が使用することができ、具体的には、エチルリチウム、n−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、エチルナトリウム、リチウムビフェニル、リチウムナフタレン、リチウムトリフェニル、ナトリウムナフタレン、α−メチルスチレンナトリウムジアニオン、1、1−ジフェニルヘキシルリチウム、1、1−ジフェニル−3−メチルペンチルリチウム等を挙げることができる。   Examples of the alkali metal of the polymerization initiator include lithium, sodium, potassium, cesium and the like, and examples of the organic alkali metal include alkylated products, allylated products and arylated products of the alkali metals, specifically Is ethyl lithium, n-butyl lithium, sec-butyl lithium, tert-butyl lithium, ethyl sodium, lithium biphenyl, lithium naphthalene, lithium triphenyl, sodium naphthalene, α-methylstyrene sodium dianion, 1,1-diphenylhexyl lithium 1,1-diphenyl-3-methylpentyl lithium and the like can be mentioned.

ラジカル重合法は、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスイソバレロニトリル等のアゾ化合物や、過酸化ベンゾイル、メチルエチルケトンパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、等の有機化酸化物のような公知のラジカル重合開始剤を用い、必要に応じて、1−ドデカンチオール等の公知の連鎖移動剤を併用して、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中において、50〜200℃の温度で行なわれる。   The radical polymerization method is a known radical polymerization start such as azo compounds such as azobisisobutyronitrile and azobisisovaleronitrile, and organic oxides such as benzoyl peroxide, methyl ethyl ketone peroxide and cumene hydroperoxide. If necessary, a known chain transfer agent such as 1-dodecanethiol is used in combination with an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon in an organic solvent at a temperature of 50 to 200 ° C. .

有機溶媒としては、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の脂肪族炭化水素類、シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂環族炭化水素類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル等の多価アルコール誘導体類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、アニソール、ヘキサメチルホスホルアミド等の通常アニオン重合において使用される有機溶媒を挙げることができ、これらは単独溶媒又は二種以上の混合溶媒として使用される。より好ましい溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンが挙げられる。 Examples of organic solvents include aliphatic hydrocarbons such as n-hexane and n-heptane, alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane and cyclopentane, aromatic hydrocarbons such as benzene and toluene, and ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone. Propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether, etc. Polyhydric alcohol derivatives, ethers such as diethyl ether, tetrahydrofuran and dioxane, anisole, hex It can be mentioned organic solvents which are usually used in anionic polymerization such as methyl phosphoramide, which are used as a single solvent or two or more kinds of mixed solvents. More preferable solvents include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, and cyclohexanone.

また、本発明のポジ型レジストをArFエキシマレーザーで露光する際には、ArFエキシマレーザーに対する透明性の観点から、樹脂が繰返し単位(B)以外の部位には芳香環を有さないことが好ましい。   In addition, when exposing the positive resist of the present invention with an ArF excimer laser, it is preferable that the resin does not have an aromatic ring at a site other than the repeating unit (B) from the viewpoint of transparency to the ArF excimer laser. .

以下、ArFエキシマレーザー露光に好適な樹脂(以下、樹脂(A’)ともいう)について説明する。   Hereinafter, a resin suitable for ArF excimer laser exposure (hereinafter, also referred to as resin (A ′)) will be described.

樹脂(A’)の有する酸分解性基としては、前記樹脂(A)におけるものと同様のものが挙げられ、酸分解性基を含む繰り返し単位としては、好ましくは前記一般式(A2)で表される繰り返し単位が挙げられる。   Examples of the acid-decomposable group possessed by the resin (A ′) include those similar to those in the resin (A). The repeating unit containing an acid-decomposable group is preferably represented by the general formula (A2). Repeating units.

酸分解性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(A’)中の全繰り返し単位に対し、20〜50mol%が好ましく、より好ましくは25〜45mol%である。   The content of the repeating unit having an acid-decomposable group is preferably from 20 to 50 mol%, more preferably from 25 to 45 mol%, based on all repeating units in the resin (A ′).

樹脂(A’)は、更に、ラクトン基、水酸基、シアノ基及びアルカリ可溶性基から選ばれる少なくとも1種類の基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。 The resin (A ′) preferably further has a repeating unit having at least one group selected from a lactone group, a hydroxyl group, a cyano group, and an alkali-soluble group.

樹脂(A’)が含有し得るラクトン基を有する繰り返し単位について説明する。
ラクトン基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5〜7員環ラクトン構造であり、5〜7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。
The repeating unit having a lactone group that can be contained in the resin (A ′) will be described.
Any lactone group can be used as long as it has a lactone structure, but it is preferably a 5- to 7-membered ring lactone structure, and forms a bicyclo structure or a spiro structure in the 5- to 7-membered ring lactone structure. The other ring structure is preferably condensed. It is more preferable to have a repeating unit having a lactone structure represented by any of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-16). The lactone structure may be directly bonded to the main chain.

好ましいラクトン構造としては(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−6)、(LC1−13)、(LC1−14)であり、特定のラクトン構造を用いることでラインエッジラフネス、現像欠陥が良好になる。

Figure 2013015590
Preferred lactone structures are (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14), and a specific lactone structure is used. This improves line edge roughness and development defects.
Figure 2013015590

ラクトン構造部分は、置換基(Rb2)を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基(Rb2)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜7のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0〜4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基(Rb2)は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基(Rb2)同士が結合して環を形成してもよい。 The lactone structure moiety may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a carboxyl group. , Halogen atom, hydroxyl group, cyano group, acid-decomposable group and the like. More preferably, they are a C1-C4 alkyl group, a cyano group, and an acid-decomposable group. n2 represents an integer of 0 to 4. When n2 is 2 or more, a plurality of substituents (Rb 2 ) may be the same or different, and a plurality of substituents (Rb 2 ) may be bonded to form a ring.

一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AII)で表される繰り返し単位を挙げることができる。

Figure 2013015590
Examples of the repeating unit having a lactone structure represented by any one of the general formulas (LC1-1) to (LC1-16) include a repeating unit represented by the following general formula (AII).
Figure 2013015590

一般式(AII)中、
Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (AII),
Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Preferred substituents that the alkyl group represented by Rb 0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom. Examples of the halogen atom for Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Preferred are a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, and a trifluoromethyl group, and a hydrogen atom and a methyl group are particularly preferred.

Abは、単結合、アルキレン基、単環または多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。好ましくは、単結合、−Ab1−CO2−で表される2価の連結基である。 Ab represents a single bond, an alkylene group, a divalent linking group having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, an ether group, an ester group, a carbonyl group, or a divalent linking group obtained by combining these. Preferably a single bond, -Ab 1 -CO 2 - is a divalent linking group represented by.

Ab1は、直鎖、分岐アルキレン基、単環または多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。 Ab 1 is a linear, branched alkylene group, monocyclic or polycyclic cycloalkylene group, preferably a methylene group, an ethylene group, a cyclohexylene group, an adamantylene group or a norbornylene group.

Vは、一般式(LC1−1)〜(LC1−16)の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。 V represents a group having a structure represented by any one of the general formulas (LC1-1) to (LC1-16).

ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。   The repeating unit having a lactone group usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity (ee) thereof is preferably 90 or more, more preferably 95 or more.

ラクトン基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(A’)中の全繰り返し単位に対し、 15〜60mol%が好ましく、より好ましくは20〜50mol%、更に好ましくは30〜50mol%である。
ラクトン基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Figure 2013015590
The content of the repeating unit having a lactone group is preferably from 15 to 60 mol%, more preferably from 20 to 50 mol%, still more preferably from 30 to 50 mol%, based on all repeating units in the resin (A ′).
Specific examples of the repeating unit having a lactone group are listed below, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

樹脂(A’)は、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造が好ましい。

Figure 2013015590
The resin (A ′) preferably has a repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group. This improves the substrate adhesion and developer compatibility. The repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group. The alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group. As the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a preferred hydroxyl group or cyano group, partial structures represented by the following general formulas (VIIa) to (VIId) are preferred.
Figure 2013015590

一般式(VIIa)〜(VIIc)に於いて、
2c〜R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c〜R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、R2c〜R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。
In general formulas (VIIa) to (VIIc),
R 2 c to R 4 c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or a cyano group. However, at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the remaining is a hydrogen atom. In general formula (VIIa), more preferably, two of R 2 c to R 4 c are hydroxyl groups and the remaining are hydrogen atoms.

一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。

Figure 2013015590
Examples of the repeating unit having a partial structure represented by the general formulas (VIIa) to (VIId) include the repeating units represented by the following general formulas (AIIa) to (AIId).
Figure 2013015590

一般式(AIIa)〜(AIId)に於いて、
1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキメチル基を表す。
2c〜R4cは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、R2c〜R4cと同義である。
In the general formulas (AIIa) to (AIId),
R 1 c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.
R 2 c to R 4 c are in the general formula (VIIa) ~ (VIIc), same meanings as R 2 c~R 4 c.

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(A’)中の全繰り返し単位に対し、5〜40mol%が好ましく、より好ましくは5〜30mol%、更に好ましくは10〜25mol%である。   The content of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably from 5 to 40 mol%, more preferably from 5 to 30 mol%, still more preferably from 10 to 25 mol%, based on all repeating units in the resin (A ′). .

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Figure 2013015590
Specific examples of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group are given below, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2013015590

樹脂(A’)は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビスルスルホニルイミド基、α位が電子吸引性基で置換された脂肪族アルコール(例えばヘキサフロロイソプロパノール基)が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環または多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。   The resin (A ′) preferably has a repeating unit having an alkali-soluble group. Examples of the alkali-soluble group include a carboxyl group, a sulfonamide group, a sulfonylimide group, a bisulsulfonylimide group, and an aliphatic alcohol (for example, hexafluoroisopropanol group) substituted with an electron-attracting group at the α-position. It is more preferable to have a repeating unit. By containing the repeating unit having an alkali-soluble group, the resolution in contact hole applications is increased. The repeating unit having an alkali-soluble group includes a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or an alkali in the main chain of the resin through a linking group. Either a repeating unit to which a soluble group is bonded, or a polymerization initiator or chain transfer agent having an alkali-soluble group is used at the time of polymerization and introduced at the end of the polymer chain, and the linking group is monocyclic or polycyclic. It may have a cyclic hydrocarbon structure. Particularly preferred are repeating units of acrylic acid or methacrylic acid.

アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(A’)中の全繰り返し単位に対し、 0〜20mol%が好ましく、より好ましくは3〜15mol%、更に好ましくは5〜10mol%である。
アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。

Figure 2013015590
As for the content rate of the repeating unit which has an alkali-soluble group, 0-20 mol% is preferable with respect to all the repeating units in resin (A '), More preferably, it is 3-15 mol%, More preferably, it is 5-10 mol%.
Specific examples of the repeating unit having an alkali-soluble group are shown below, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2013015590

樹脂(A’)は、更に、脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有してもよい。これにより液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できる。このような繰り返し単位として、例えば1−アダマンチル(メタ)アクリレート、ジアマンチル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレートによる繰り返し単位などが挙げられる。   The resin (A ′) may further have a repeating unit that has an alicyclic hydrocarbon structure and does not exhibit acid decomposability. This can reduce the elution of low molecular components from the resist film to the immersion liquid during immersion exposure. Examples of such a repeating unit include 1-adamantyl (meth) acrylate, diamantyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, and cyclohexyl (meth) acrylate repeating units.

樹脂(A’)は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。   In addition to the above repeating structural unit, the resin (A ′) has dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general necessary characteristics of resist, such as resolution, heat resistance, and sensitivity. It can have various repeating structural units for adjusting purposes.

このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Examples of such repeating structural units include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers.

これにより、樹脂(A’)に要求される性能、特に、
(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、
(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、
(5)未露光部の基板への密着性、
(6)ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
Thereby, the performance required for the resin (A ′), in particular,
(1) Solubility in coating solvent,
(2) Film formability (glass transition point),
(3) Alkali developability,
(4) Membrane slip (hydrophobic, alkali-soluble group selection),
(5) Adhesion of unexposed part to substrate,
(6) Dry etching resistance,
Etc. can be finely adjusted.

樹脂(A’)は、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種および開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明のポジ型レジスト組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。   The resin (A ′) can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and the polymerization is performed by heating, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours. The dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable. Examples of the reaction solvent include ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diisopropyl ether, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, amide solvents such as dimethylformamide and dimethylacetamide, Furthermore, the solvent which melt | dissolves the composition of this invention like the below-mentioned propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, and cyclohexanone is mentioned. More preferably, the polymerization is performed using the same solvent as the solvent used in the positive resist composition of the present invention. Thereby, generation | occurrence | production of the particle at the time of a preservation | save can be suppressed.

重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5〜50質量%であり、好ましくは10〜30質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好ましくは60〜100℃である。   The polymerization reaction is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon. As a polymerization initiator, a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) is used to initiate the polymerization. As the radical initiator, an azo initiator is preferable, and an azo initiator having an ester group, a cyano group, or a carboxyl group is preferable. Preferred initiators include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) and the like. If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, it is put into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. The concentration of the reaction is 5 to 50% by mass, preferably 10 to 30% by mass. The reaction temperature is usually 10 ° C to 150 ° C, preferably 30 ° C to 120 ° C, more preferably 60-100 ° C.

樹脂(A’)の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000〜200,000であり、より好ましくは2,000〜20,000、更により好ましくは3,000〜15,000、特に好ましくは3,000〜10,000である。重量平均分子量を、1,000〜200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。   The weight average molecular weight of the resin (A ′) is preferably from 1,000 to 200,000, more preferably from 2,000 to 20,000, and even more preferably from 3,000 to 200 in terms of polystyrene by GPC method. 15,000, particularly preferably 3,000 to 10,000. By setting the weight average molecular weight to 1,000 to 200,000, deterioration of heat resistance and dry etching resistance can be prevented, developability is deteriorated, and viscosity is increased, resulting in deterioration of film forming property. Can be prevented.

分散度(分子量分布)は、通常1〜3であり、好ましくは1〜2.6、更に好ましくは1〜2、特に好ましくは1.4〜1.7の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。 The degree of dispersion (molecular weight distribution) is usually 1 to 3, preferably 1 to 2.6, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.4 to 1.7. The smaller the molecular weight distribution, the better the resolution and the resist shape, and the smoother the side wall of the resist pattern, the better the roughness.

樹脂(Ab)は、2種類以上組み合わせて使用してもよい。
樹脂(Ab)の添加量は、総量として、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対し、通常10〜99質量%であり、好ましくは20〜99質量%であり、特に好ましくは30〜99質量%である。
以下に樹脂(Ab)の具体例を以下に示すがこれらに限定するものではない。

Figure 2013015590
Two or more types of resins (Ab) may be used in combination.
The total amount of the resin (Ab) added is generally 10 to 99% by mass, preferably 20 to 99% by mass, based on the total solid content of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. Preferably it is 30-99 mass%.
Although the specific example of resin (Ab) is shown below, it is not limited to these.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

樹脂(Ab)において、フッ素原子を含む繰り返し単位の含有率は1モル%以下であることが好ましく、フッ素原子は含有しないことがより好ましい。   In the resin (Ab), the content of the repeating unit containing a fluorine atom is preferably 1 mol% or less, and more preferably no fluorine atom is contained.

〔活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物〕
本発明の組成物は、更に、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、「光酸発生剤」ともいう。)を含有してもよい。
[Compound that generates acid upon irradiation with actinic ray or radiation]
The composition of the present invention may further contain a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation (hereinafter also referred to as “photoacid generator”).

光酸発生剤としては、例えば、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、光消色剤、光変色剤、マイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物、及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。これらの例としては、スルホニウム塩及びヨードニウム塩等のオニウム塩、並びに、ビス(アルキルスルホニルジアゾメタン)等のジアゾジスルホン化合物が挙げられる。   Examples of the photoacid generator include photo-initiators of photo-cationic polymerization, photo-initiators of photo-radical polymerization, photo-decoloring agents, photo-discoloring agents, and acid by irradiation with actinic rays or radiation used in micro-resist. A known compound that generates a salt, and a mixture thereof can be appropriately selected and used. Examples of these include onium salts such as sulfonium salts and iodonium salts, and diazodisulfone compounds such as bis (alkylsulfonyldiazomethane).

光酸発生剤の好ましい例としては、下記一般式(ZI)、(ZII)及び(ZIII)により表される化合物が挙げられる。

Figure 2013015590
Preferable examples of the photoacid generator include compounds represented by the following general formulas (ZI), (ZII) and (ZIII).
Figure 2013015590

上記一般式(ZI)において、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、例えば1〜30であり、好ましくは1〜20である。 In the general formula (ZI), R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group. The carbon number of the organic group as R 201, R 202 and R 203 is, for example, 1 to 30, preferably 1 to 20.

201〜R203のうち2つは、単結合又は連結基を介して互いに結合して、環構造を形成してもよい。この場合の連結基としては、例えば、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、アミド結合、カルボニル基、メチレン基及びエチレン基が挙げられる。R201〜R203のうちの2つが結合して形成する基としては、例えば、ブチレン基及びペンチレン基等のアルキレン基が挙げられる。 Two of R 201 to R 203 may be bonded to each other via a single bond or a linking group to form a ring structure. Examples of the linking group in this case include an ether bond, a thioether bond, an ester bond, an amide bond, a carbonyl group, a methylene group, and an ethylene group. Examples of the group formed by combining two of R 201 to R 203 include alkylene groups such as a butylene group and a pentylene group.

201、R202及びR203の具体例としては、後述する化合物(ZI−1)、(ZI−2)又は(ZI−3)における対応する基が挙げられる。 Specific examples of R 201 , R 202 and R 203 include corresponding groups in the compound (ZI-1), (ZI-2) or (ZI-3) described later.

は、非求核性アニオンを表す。Xとしては、例えば、スルホン酸アニオン、ビス(アルキルスルホニル)アミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン、BF 、PF 及びSbF が挙げられる。Xは、好ましくは、炭素原子を含んだ有機アニオンである。好ましい有機アニオンとしては、例えば、下記AN1〜AN3に示す有機アニオンが挙げられる。

Figure 2013015590
X represents a non-nucleophilic anion. Examples of X include a sulfonate anion, a bis (alkylsulfonyl) amide anion, a tris (alkylsulfonyl) methide anion, BF 4 , PF 6 —, and SbF 6 . X is preferably an organic anion containing a carbon atom. As a preferable organic anion, the organic anion shown to following AN1-AN3 is mentioned, for example.
Figure 2013015590

式AN1〜AN3中、Rc〜Rcは、各々独立に、有機基を表す。この有機基としては、例えば、炭素数1〜30のものが挙げられ、好ましくは、アルキル基、アリール基、又はこれらの複数が連結基を介して連結された基である。なお、この連結基としては、例えば、単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO3−及び−SO2N(Rd1)−が挙げられる。ここで、Rd1は水素原子又はアルキル基を表し、結合しているアルキル基又はアリール基と環構造を形成してもよい。 In the formula AN1~AN3, Rc 1 ~Rc 3 independently represents an organic group. Examples of the organic group include those having 1 to 30 carbon atoms, preferably an alkyl group, an aryl group, or a group in which a plurality of these groups are linked through a linking group. Examples of this linking group include a single bond, —O—, —CO 2 —, —S—, —SO 3 —, and —SO 2 N (Rd 1 ) —. Here, Rd 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and may form a ring structure with a bonded alkyl group or aryl group.

Rc〜Rcの有機基は、1位がフッ素原子又はフロロアルキル基で置換されたアルキル基、又は、フッ素原子若しくはフロロアルキル基で置換されたフェニル基であってもよい。フッ素原子又はフロロアルキル基を含有させることにより、光照射によって発生する酸の酸性度を上昇させることが可能となる。これにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の感度を向上させることができる。なお、Rc〜Rcは、他のアルキル基及びアリール基等と結合して、環構造を形成していてもよい。 The organic group of Rc 1 to Rc 3 may be an alkyl group substituted at the 1-position with a fluorine atom or a fluoroalkyl group, or a phenyl group substituted with a fluorine atom or a fluoroalkyl group. By containing a fluorine atom or a fluoroalkyl group, it becomes possible to increase the acidity of the acid generated by light irradiation. Thereby, the sensitivity of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition can be improved. Rc 1 to Rc 3 may be bonded to other alkyl groups and aryl groups to form a ring structure.

また、好ましいX-として、下記一般式(SA1)又は(SA2)により表されるスルホン酸アニオンが挙げられる。

Figure 2013015590
Further, as preferred X , a sulfonate anion represented by the following general formula (SA1) or (SA2) can be mentioned.
Figure 2013015590

式(SA1)中、
Arは、アリール基を表し、−(D−B)基以外の置換基を更に有していてもよい。
nは、1以上の整数を表す。nは、好ましくは1〜4であり、より好ましくは2〜3であり、最も好ましくは3である。
Dは、単結合又は2価の連結基を表す。この2価の連結基は、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、スルホキシド基、スルホン基、スルホン酸エステル基又はエステル基である。
Bは、炭化水素基を表す。

Figure 2013015590
In formula (SA1),
Ar 1 represents an aryl group and may further have a substituent other than the — (D—B) group.
n represents an integer of 1 or more. n is preferably 1 to 4, more preferably 2 to 3, and most preferably 3.
D represents a single bond or a divalent linking group. The divalent linking group is an ether group, a thioether group, a carbonyl group, a sulfoxide group, a sulfone group, a sulfonic acid ester group, or an ester group.
B represents a hydrocarbon group.
Figure 2013015590

式(SA2)中、
Xfは、各々独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
In formula (SA2),
Xf each independently represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.

、Rは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、複数存在する場合のR及びRの各々は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
Lは、単結合又は2価の連結基を表し、複数存在する場合のLは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
Eは、環状構造を有する基を表す。
xは1〜20の整数を表し、yは0〜10の整数を表し、zは0〜10の整数を表す。
R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and each of R 1 and R 2 when there are a plurality of R 1 and R 2 May be the same as or different from each other.
L represents a single bond or a divalent linking group, and when there are a plurality of L, they may be the same as or different from each other.
E represents a group having a cyclic structure.
x represents an integer of 1 to 20, y represents an integer of 0 to 10, and z represents an integer of 0 to 10.

まず、式(SA1)により表されるスルホン酸アニオンについて、詳しく説明する。
式(SA1)中、Arは、好ましくは、炭素数6〜30の芳香族環である。具体的には、Arは、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環又はフェナジン環である。中でも、ラフネス改良と高感度化との両立の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
First, the sulfonate anion represented by the formula (SA1) will be described in detail.
In formula (SA1), Ar 1 is preferably an aromatic ring having 6 to 30 carbon atoms. Specifically, Ar 1 is, for example, a benzene ring, a naphthalene ring, a pentalene ring, an indene ring, an azulene ring, a heptalene ring, an indecene ring, a perylene ring, a pentacene ring, an acetaphthalene ring, a phenanthrene ring, an anthracene ring, a naphthacene ring, Chrysene ring, triphenylene ring, fluorene ring, biphenyl ring, pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, indolizine ring, indole ring, benzofuran Ring, benzothiophene ring, isobenzofuran ring, quinolidine ring, quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring, quinoxazoline ring, isoquinoline ring, carbazole ring, phenanthridine ring, acridine ring, phenanthroline ring , Thianthrene ring, chromene ring, xanthene ring, phenoxathiin ring, phenothiazine ring or phenazine ring. Of these, a benzene ring, a naphthalene ring or an anthracene ring is preferable, and a benzene ring is more preferable, from the viewpoint of achieving both roughness improvement and high sensitivity.

Arが−(D−B)基以外の置換基を更に有している場合、この置換基としては、例えば、以下のものが挙げられる。即ち、この置換基として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基及びtert−ブトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基及びp−トリルオキシ基等のアリールオキシ基;メチルチオキシ基、エチルチオキシ基及びtert−ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基;フェニルチオキシ基及びp−トリルチオキシ基等のアリールチオキシ基;メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;アセトキシ基;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基及び2―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基;分岐アルキル基;ビニル基、プロペニル基及びヘキセニル基等のアルケニル基;アセチレン基;プロピニル基及びヘキシニル基等のアルキニル基;フェニル基及びトリル基等のアリール基;ヒドロキシ基;カルボキシ基;並びにスルホン酸基が挙げられる。中でも、ラフネス改良の観点から、直鎖アルキル基及び分岐アルキル基が好ましい。 When Ar 1 further has a substituent other than the — (D—B) group, examples of this substituent include the following. That is, as this substituent, halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom; alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group and tert-butoxy group; aryloxy groups such as phenoxy group and p-tolyloxy group Alkylthioxy groups such as methylthioxy, ethylthioxy and tert-butylthioxy groups; arylthioxy groups such as phenylthioxy and p-tolylthioxy groups; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl, butoxycarbonyl and phenoxycarbonyl Acetoxy group; straight chain alkyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, heptyl group, hexyl group, dodecyl group and 2-ethylhexyl group; branched alkyl group; vinyl group, propenyl group and hexenyl group, etc. Alkenyl group; ace Hydroxy group; a carboxy group; an aryl group such as a phenyl group and tolyl group; an alkynyl group such as propynyl group and hexynyl group; alkylene group and sulfonic acid group. Of these, straight chain alkyl groups and branched alkyl groups are preferred from the viewpoint of improving roughness.

式(SA1)中、Dは、好ましくは、単結合であるか、又は、エーテル基若しくはエステル基である。より好ましくは、Dは、単結合である。   In formula (SA1), D is preferably a single bond, or an ether group or an ester group. More preferably, D is a single bond.

式(SA1)中、Bは、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はシクロアルキル基である。Bは、好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基である。Bとしてのアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。   In formula (SA1), B is, for example, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a cycloalkyl group. B is preferably an alkyl group or a cycloalkyl group. The alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group or cycloalkyl group as B may have a substituent.

Bとしてのアルキル基は、好ましくは、分岐アルキル基である。この分岐アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、tert−ブチル基、tert−ペンチル基、ネオペンチル基、sec−ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、3,3−ジメチルペンチル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。   The alkyl group as B is preferably a branched alkyl group. Examples of this branched alkyl group include isopropyl group, tert-butyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, sec-butyl group, isobutyl group, isohexyl group, 3,3-dimethylpentyl group and 2-ethylhexyl group. It is done.

Bとしてのシクロアルキル基は、単環のシクロアルキル基であってもよく、多環のシクロアルキル基であってもよい。単環のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基が挙げられる。多環のシクロアルキル基としては、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基及びピネニル基が挙げられる。   The cycloalkyl group as B may be a monocyclic cycloalkyl group or a polycyclic cycloalkyl group. Examples of the monocyclic cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic cycloalkyl group include adamantyl group, norbornyl group, bornyl group, camphenyl group, decahydronaphthyl group, tricyclodecanyl group, tetracyclodecanyl group, camphoroyl group, dicyclohexyl group and pinenyl group. Can be mentioned.

Bとしてのアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はシクロアルキル基が置換基を有している場合、この置換基としては、例えば、以下のものが挙げられる。即ち、この置換基として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基及びtert−ブトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基及びp−トリルオキシ基等のアリールオキシ基;メチルチオキシ基、エチルチオキシ基及びtert−ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基;フェニルチオキシ基及びp−トリルチオキシ基等のアリールチオキシ基;メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;アセトキシ基;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基及び2―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基;分岐アルキル基;シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;ビニル基、プロペニル基及びヘキセニル基等のアルケニル基;アセチレン基;プロピニル基及びヘキシニル基等のアルキニル基;フェニル基及びトリル基等のアリール基;ヒドロキシ基;カルボキシ基;スルホン酸基;並びにカルボニル基等が挙げられる。中でも、ラフネス改良と高感度化との両立の観点から、直鎖アルキル基及び分岐アルキル基が好ましい。   When the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group or cycloalkyl group as B has a substituent, examples of the substituent include the following. That is, as this substituent, halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom; alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group and tert-butoxy group; aryloxy groups such as phenoxy group and p-tolyloxy group Alkylthioxy groups such as methylthioxy, ethylthioxy and tert-butylthioxy groups; arylthioxy groups such as phenylthioxy and p-tolylthioxy groups; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl, butoxycarbonyl and phenoxycarbonyl Acetoxy group; straight chain alkyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, heptyl group, hexyl group, dodecyl group and 2-ethylhexyl group; branched alkyl group; cycloalkyl group such as cyclohexyl group; vinyl group , Propenyl group Alkenyl groups such as fine hexenyl group; acetylene group; hydroxy group; a carboxy group; a sulfonic group; an aryl group such as a phenyl group and tolyl group; an alkynyl group such as propynyl group and hexynyl group and a carbonyl group, and the like. Among these, a straight chain alkyl group and a branched alkyl group are preferable from the viewpoint of achieving both improvement in roughness and high sensitivity.

次に、式(SA2)により表されるスルホン酸アニオンについて、詳しく説明する。   Next, the sulfonate anion represented by the formula (SA2) will be described in detail.

式(SA2)中、Xfは、フッ素原子であるか、又は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基である。このアルキル基としては、炭素数が1〜10のものが好ましく、炭素数が1〜4のものがより好ましい。また、フッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。   In formula (SA2), Xf represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom has been substituted with a fluorine atom. As this alkyl group, a C1-C10 thing is preferable and a C1-C4 thing is more preferable. The alkyl group substituted with a fluorine atom is preferably a perfluoroalkyl group.

Xfは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。具体的には、Xfは、好ましくは、フッ素原子、CF、C、C、C、C11、C13、C15、C17、CHCF、CHCHCF、CH、CHCH、CH、CHCH、CH又はCHCHである。中でも、フッ素原子又はCFが好ましく、フッ素原子が最も好ましい。 Xf is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Specifically, Xf is preferably a fluorine atom, CF 3 , C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , C 5 F 11 , C 6 F 13 , C 7 F 15 , C 8 F 17, CH 2 CF 3, CH 2 CH 2 CF 3, CH 2 C 2 F 5, CH 2 CH 2 C 2 F 5, CH 2 C 3 F 7, CH 2 CH 2 C 3 F 7, CH 2 C 4 F 9 or CH 2 CH 2 C 4 F 9 . Among these, a fluorine atom or CF 3 is preferable, and a fluorine atom is most preferable.

式(SA2)中、R及びRの各々は、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基である。このフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1〜4のものが好ましい。また、フッ素原子で置換されたアルキル基としては、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基が特に好ましい。具体的には、CF、C、C、C、C11、C13、C15、C17、CHCF、CHCHCF、CH、CHCH、CH、CHCH、CH又はCHCHが挙げられ、中でもCFが好ましい。 In formula (SA2), each of R 1 and R 2 is a group selected from a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, and an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. The alkyl group which may be substituted with a fluorine atom is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Moreover, as an alkyl group substituted by the fluorine atom, a C1-C4 perfluoroalkyl group is especially preferable. Specifically, CF 3 , C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , C 5 F 11 , C 6 F 13 , C 7 F 15 , C 8 F 17 , CH 2 CF 3 , CH 2 CH 2 CF 3, CH 2 C 2 F 5, CH 2 CH 2 C 2 F 5, CH 2 C 3 F 7, CH 2 CH 2 C 3 F 7, CH 2 C 4 F 9 or CH 2 CH 2 C 4 F 9 is mentioned, and among them, CF 3 is preferable.

式(SA2)中、xは1〜8が好ましく、1〜4がより好ましい。yは0〜4が好ましく、0がより好ましい。zは0〜8が好ましく、0〜4がより好ましい。   In the formula (SA2), x is preferably 1 to 8, and more preferably 1 to 4. y is preferably 0 to 4, and more preferably 0. z is preferably from 0 to 8, and more preferably from 0 to 4.

式(SA2)中、Lは、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、例えば、−COO−、−OCO−、−CO−、−O−、−S−、−SO−、−SO−、アルキレン基、シクロアルキレン基及びアルケニレン基が挙げられる。中でも、−COO−、−OCO−、−CO−、−O−、−S−、−SO−又は−SO−が好ましく、−COO−、−OCO−又は−SO−がより好ましい。 In formula (SA2), L represents a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include —COO—, —OCO—, —CO—, —O—, —S—, —SO—, —SO 2 —, an alkylene group, a cycloalkylene group, and an alkenylene group. It is done. Among these, —COO—, —OCO—, —CO—, —O—, —S—, —SO— or —SO 2 — is preferable, and —COO—, —OCO— or —SO 2 — is more preferable.

式(SA2)中、Eは、環構造を有する基を表す。Eとしては、例えば、環状脂肪族基、アリール基及び複素環構造を有する基が挙げられる。   In formula (SA2), E represents a group having a ring structure. Examples of E include a cyclic aliphatic group, an aryl group, and a group having a heterocyclic structure.

Eとしての環状脂肪族基は、単環構造を有していてもよく、多環構造を有していてもよい。単環構造を有した環状脂肪族基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が好ましい。多環構造を有した環状脂肪族基としては、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。特には、Eとして6員環以上のかさ高い構造を有する環状脂肪族基を採用した場合、PEB(露光後加熱)工程での膜中拡散性が抑制され、解像力及びEL(露光ラチチュード)を更に向上させることが可能となる。   The cycloaliphatic group as E may have a monocyclic structure or a polycyclic structure. As the cyclic aliphatic group having a monocyclic structure, monocyclic cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group are preferable. The cycloaliphatic group having a polycyclic structure is preferably a polycyclic cycloalkyl group such as a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group or an adamantyl group. In particular, when a cycloaliphatic group having a bulky structure of 6-membered ring or more is adopted as E, diffusibility in the film in the PEB (post-exposure heating) step is suppressed, and the resolution and EL (exposure latitude) are further improved. It becomes possible to improve.

Eとしてのアリール基は、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環又はアントラセン環である。   The aryl group as E is, for example, a benzene ring, naphthalene ring, phenanthrene ring or anthracene ring.

Eとしての複素環構造を有する基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。この基に含まれているヘテロ原子としては、窒素原子又は酸素原子が好ましい。複素環構造の具体例としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環等が挙げられる。中でも、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環が好ましい。   The group having a heterocyclic structure as E may have aromaticity or may not have aromaticity. The heteroatom contained in this group is preferably a nitrogen atom or an oxygen atom. Specific examples of the heterocyclic structure include a furan ring, a thiophene ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, a pyridine ring, a piperidine ring, and a morpholine ring. Among these, a furan ring, a thiophene ring, a pyridine ring, a piperidine ring, and a morpholine ring are preferable.

Eは、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基(直鎖、分岐、環状の何れであってもよく、炭素数1〜12が好ましい)、アリール基(炭素数6〜14が好ましい)、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基及びスルホン酸エステル基が挙げられる。   E may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (which may be linear, branched or cyclic, preferably 1 to 12 carbon atoms), an aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), a hydroxy group, an alkoxy group. Groups, ester groups, amide groups, urethane groups, ureido groups, thioether groups, sulfonamide groups and sulfonic acid ester groups.

一般式(SA1)又は(SA2)により表されるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2013015590
Examples of the sulfonate anion represented by the general formula (SA1) or (SA2) include the following.
Figure 2013015590

光酸発生剤としては、一般式(ZI)により表される構造を複数有する化合物を使用してもよい。例えば、一般式(ZI)により表される化合物のR201〜R203の少なくとも1つが、一般式(ZI)により表されるもう1つの化合物のR201〜R203の少なくとも1つと結合した構造を有する化合物であってもよい。 As the photoacid generator, a compound having a plurality of structures represented by the general formula (ZI) may be used. For example, the general formula at least one of R 201 to R 203 of a compound represented by (ZI), at least one coupling structure of R 201 to R 203 of another compound represented by formula (ZI) It may be a compound.

更に好ましい(ZI)成分として、以下に説明する化合物(ZI−1)〜(ZI−4)を挙げることができる。   More preferred (ZI) components include compounds (ZI-1) to (ZI-4) described below.

化合物(ZI−1)は、上記一般式(ZI)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である。即ち、化合物(ZI−1)は、アリールスルホニム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。 In the compound (ZI-1), at least one of R 201 to R 203 in the general formula (ZI) is an aryl group. That is, the compound (ZI-1) is an arylsulfonium compound, that is, a compound having arylsulfonium as a cation.

化合物(ZI−1)は、R201〜R203の全てがアリール基であってもよく、R201〜R203の一部がアリール基であり、それら以外がアルキル基であってもよい。なお、化合物(ZI−1)が複数のアリール基を有する場合、これらアリール基は互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。 The compound (ZI-1), all of R 201 to R 203 is may be an aryl group or a part of R 201 to R 203 is an aryl group, except they may be an alkyl group. In addition, when compound (ZI-1) has a plurality of aryl groups, these aryl groups may be the same as or different from each other.

化合物(ZI−1)としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物及びアリールジアルキルスルホニウム化合物が挙げられる。   Examples of the compound (ZI-1) include triarylsulfonium compounds, diarylalkylsulfonium compounds, and aryldialkylsulfonium compounds.

化合物(ZI−1)におけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、又は、インドール残基及びピロール残基等のヘテロアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基又はインドール残基が特に好ましい。   As the aryl group in the compound (ZI-1), a phenyl group, a naphthyl group, or a heteroaryl group such as an indole residue and a pyrrole residue is preferable, and a phenyl group, a naphthyl group, or an indole residue is particularly preferable.

化合物(ZI−1)が必要に応じて有しているアルキル基としては、炭素数1〜15の直鎖、分岐又はシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。   The alkyl group which the compound (ZI-1) has as necessary is preferably a linear, branched or cycloalkyl group having 1 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n- Examples include a butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group.

これらアリール基及びアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基及びフェニルチオ基が挙げられる。   These aryl groups and alkyl groups may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (preferably 1 to 15 carbon atoms), an aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxy group (preferably 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, and phenylthio. Groups.

好ましい置換基としては、炭素数1〜12の直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基、及び、炭素数1〜12の直鎖、分岐鎖又は環状のアルコキシ基が挙げられる。特に好ましい置換基としては、炭素数1〜6のアルキル基及び炭素数1〜6のアルコキシ基が挙げられる。置換基は、3つのR201〜R203のうちの何れか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がフェニル基の場合には、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。 Preferable substituents include linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, and linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms. Particularly preferred substituents include alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms and alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms. The substituent may be substituted to any one of the three R 201 to R 203, or may be substituted on all three. When R 201 to R 203 are a phenyl group, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

また、R201、R202及びR203のうち1つ又は2つが、置換基を有していてもよいアリール基であり、残りの基が直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基である態様も好ましい。この構造の具体例としては、特開2004−210670号公報の段落0141〜0153に記載の構造が挙げられる。 In another embodiment, one or two of R 201 , R 202 and R 203 is an aryl group which may have a substituent, and the remaining group is a linear, branched or cyclic alkyl group. preferable. Specific examples of this structure include the structures described in paragraphs 0141 to 0153 of JP-A-2004-210670.

このとき、上記アリール基としては、具体的には、R201、R202及びR203としてのアリール基と同様であり、フェニル基又はナフチル基が好ましい。また、アリール基は、水酸基、アルコキシ基又はアルキル基の何れかを置換基として有することが好ましい。置換基としより好ましくは、炭素数1〜12のアルコキシ基であり、更に好ましくは、炭素数1〜6のアルコキシ基である。 At this time, as the aryl group include, the same as the aryl group of R 201, R 202 and R 203, a phenyl group or a naphthyl group is preferable. The aryl group preferably has any one of a hydroxyl group, an alkoxy group, and an alkyl group as a substituent. More preferably, it is a C1-C12 alkoxy group as a substituent, More preferably, it is a C1-C6 alkoxy group.

上記の残りの基としての直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基は、好ましくは炭素数1〜6のアルキル基である。これら基は、更に置換基を有していてもよい。また、上記の残りの基が2つ存在する場合、これら2つが互いに結合して、環構造を形成していてもよい。   The linear, branched or cyclic alkyl group as the remaining group is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. These groups may further have a substituent. In addition, when two of the remaining groups are present, these two may be bonded to each other to form a ring structure.

化合物(ZI−1)は、例えば、以下の一般式(ZI−1A)により表される化合物である。

Figure 2013015590
Compound (ZI-1) is, for example, a compound represented by the following general formula (ZI-1A).
Figure 2013015590

一般式(ZI−1A)中、
13は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基又はアルコキシカルボニル基を表す。
14は、複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基又はシクロアルキルスルホニル基を表す。
In general formula (ZI-1A),
R 13 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a cycloalkyloxy group or an alkoxycarbonyl group.
When a plurality of R 14 are present, each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkylsulfonyl group or a cycloalkylsulfonyl group.

15は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。2つのR15は、互いに結合して、環構造を形成していてもよい。
lは0〜2の整数を表す。
rは0〜8の整数を表す。
は、非求核性アニオンを表し、例えば、一般式(ZI)におけるXと同様のものが挙げられる。
R 15 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group. Two R 15 may be bonded to each other to form a ring structure.
l represents an integer of 0-2.
r represents an integer of 0 to 8.
X represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as X in the general formula (ZI).

13、R14又はR15のアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。このアルキル基としては、炭素数1〜10のものが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基及びn−デシル基が挙げられる。これらのうち、メチル基、エチル基、n−ブチル基及びt−ブチル基が特に好ましい。 The alkyl group for R 13 , R 14 or R 15 may be a linear alkyl group or a branched alkyl group. The alkyl group is preferably one having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group. , T-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group. Of these, a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, and a t-butyl group are particularly preferable.

13、R14又はR15のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロベンテニル、シクロヘキセニル及びシクロオクタジエニル基が挙げられる。これらのうち、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロオクチル基が特に好ましい。 Examples of the cycloalkyl group represented by R 13 , R 14 or R 15 include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclododecanyl, cyclobenenyl, cyclohexenyl and cyclooctadienyl groups. Can be mentioned. Of these, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl and cyclooctyl groups are particularly preferred.

13又はR14のアルコキシ基のアルキル基部分としては、例えば、先にR13、R14又はR15のアルキル基として列挙したものが挙げられる。このアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基及びn−ブトキシ基が特に好ましい。 Examples of the alkyl group moiety of the alkoxy group of R 13 or R 14 include those enumerated above as the alkyl group of R 13 , R 14 or R 15 . As the alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, and an n-butoxy group are particularly preferable.

13のシクロアルキルオキシ基のシクロアルキル基部分としては、例えば、先にR13、R14又はR15のシクロアルキル基として説明したものが挙げられる。このシクロアルキルオキシ基としては、シクロペンチルオキシ基及びシクロヘキシルオキシ基が特に好ましい。 The cycloalkyl moiety of the cycloalkyl group of R 13, for example, those previously described cycloalkyl group of R 13, R 14 or R 15. As this cycloalkyloxy group, a cyclopentyloxy group and a cyclohexyloxy group are particularly preferable.

13のアルコキシカルボニル基のアルコキシ基部分としては、例えば、先にR13又はR14のアルコキシ基として説明したものが挙げられる。このアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基及びn−ブトキシカルボニル基が特に好ましい。 The alkoxy group moiety of the alkoxycarbonyl group R 13, for example, those previously described as alkoxy groups R 13 or R 14. As the alkoxycarbonyl group, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and an n-butoxycarbonyl group are particularly preferable.

14のアルキルスルホニル基のアルキル基部分としては、例えば、先にR13、R14又はR15のアルキル基として説明したものが挙げられる。また、R14のシクロアルキルスルホニル基のシクロアルキル基部分としては、例えば、先にR13、R14又はR15のシクロアルキル基として説明したものが挙げられる。これらアルキルスルホニル基又はシクロアルキルスルホニル基としては、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n−プロパンスルホニル基、n−ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基及びシクロヘキサンスルホニル基が特に好ましい。 The alkyl group moiety of the alkylsulfonyl group R 14, for example, those previously described as the alkyl group of R 13, R 14 or R 15. Further, the cycloalkyl group moiety cycloalkylsulfonyl group R 14, for example, those previously described cycloalkyl group of R 13, R 14 or R 15. As these alkylsulfonyl groups or cycloalkylsulfonyl groups, a methanesulfonyl group, an ethanesulfonyl group, an n-propanesulfonyl group, an n-butanesulfonyl group, a cyclopentanesulfonyl group, and a cyclohexanesulfonyl group are particularly preferable.

lは、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。rは、好ましくは0〜2である。   l is preferably 0 or 1, more preferably 1. r is preferably 0-2.

13、R14及びR15の各基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子等のハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アルコキシアルキル基、シクロアルキルオキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、及びシクロアルキルオキシカルボニルオキシ基が挙げられる。 Each group of R 13 , R 14 and R 15 may further have a substituent. Examples of this substituent include halogen atoms such as fluorine atoms, hydroxy groups, carboxy groups, cyano groups, nitro groups, alkoxy groups, cycloalkyloxy groups, alkoxyalkyl groups, cycloalkyloxyalkyl groups, alkoxycarbonyl groups, cyclocarbonyls, Examples include an alkyloxycarbonyl group, an alkoxycarbonyloxy group, and a cycloalkyloxycarbonyloxy group.

アルコキシ基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基及びt−ブトキシ基等の炭素数1〜20のものが挙げられる。
シクロアルキルオキシ基としては、例えば、シクロペンチルオキシ基及びシクロヘキシルオキシ基等の炭素数3〜20のものが挙げられる。
The alkoxy group may be linear or branched. Examples of the alkoxy group include carbon number 1 such as methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, and t-butoxy group. -20.
Examples of the cycloalkyloxy group include those having 3 to 20 carbon atoms such as a cyclopentyloxy group and a cyclohexyloxy group.

アルコキシアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1−メトキシエチル基、2−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基及び2−エトキシエチル基等の炭素数2〜21のものが挙げられる。
シクロアルキルオキシアルキル基としては、例えば、シクロヘキシルオキシメチル基、シクロペンチルオキシメチル基及びシクロヘキシルオキシエチル基等の炭素数4〜21のものが挙げられる。
The alkoxyalkyl group may be linear or branched. Examples of the alkoxyalkyl group include those having 2 to 21 carbon atoms such as methoxymethyl group, ethoxymethyl group, 1-methoxyethyl group, 2-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group and 2-ethoxyethyl group. Can be mentioned.
Examples of the cycloalkyloxyalkyl group include those having 4 to 21 carbon atoms such as a cyclohexyloxymethyl group, a cyclopentyloxymethyl group, and a cyclohexyloxyethyl group.

アルコキシカルボニル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基及びt−ブトキシカルボニル基等の炭素数2〜21のものが挙げられる。
シクロアルキルオキシカルボニル基としては、例えば、シクロペンチルオキシカルボニル基及びシクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素数4〜21のものが挙げられる。
The alkoxycarbonyl group may be linear or branched. Examples of the alkoxycarbonyl group include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group and t. -A C2-C21 thing, such as a butoxycarbonyl group, is mentioned.
Examples of the cycloalkyloxycarbonyl group include those having 4 to 21 carbon atoms such as a cyclopentyloxycarbonyl group and cyclohexyloxycarbonyl.

アルコキシカルボニルオキシ基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、i−プロポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカルボニルオキシ基及びt−ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数2〜21のものが挙げられる。
シクロアルキルオキシカルボニルオキシ基としては、例えば、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基及びシクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数4〜21のものが挙げられる。
The alkoxycarbonyloxy group may be linear or branched. Examples of the alkoxycarbonyloxy group include carbon such as methoxycarbonyloxy group, ethoxycarbonyloxy group, n-propoxycarbonyloxy group, i-propoxycarbonyloxy group, n-butoxycarbonyloxy group and t-butoxycarbonyloxy group. The thing of number 2-21 is mentioned.
Examples of the cycloalkyloxycarbonyloxy group include those having 4 to 21 carbon atoms such as a cyclopentyloxycarbonyloxy group and a cyclohexyloxycarbonyloxy group.

2つのR15が互いに結合して形成し得る環構造としては、一般式(ZI−1A)中のS原子と共に、5員環又は6員環、特に好ましくは5員環(即ち、テトラヒドロチオフェン環)を形成する構造が好ましい。
この環構造は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、及びアルコキシカルボニルオキシ基が挙げられる。
The ring structure that can be formed by bonding two R 15 to each other includes a 5-membered ring or a 6-membered ring, particularly preferably a 5-membered ring (that is, a tetrahydrothiophene ring) together with the S atom in the general formula (ZI-1A). ) Is preferred.
This ring structure may further have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxy group, a carboxy group, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbonyl group, and an alkoxycarbonyloxy group.

15としては、メチル基、エチル基、及び2つのR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基が特に好ましい。 As R 15 , a methyl group, an ethyl group, and a divalent group in which two R 15 are bonded to each other to form a tetrahydrothiophene ring structure with a sulfur atom are particularly preferable.

13のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基、R14のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、及びハロゲン原子(特にフッ素原子)が好ましい。 Alkyl groups R 13, cycloalkyl group, alkoxy group and alkoxycarbonyl group, alkyl group of R 14, cycloalkyl group, alkoxy group, alkylsulfonyl group and cycloalkylsulfonyl group may further have a substituent . As this substituent, a hydroxy group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, and a halogen atom (particularly a fluorine atom) are preferable.

以下に、一般式(ZI−1A)により表される化合物におけるカチオンの好ましい具体例を示す。

Figure 2013015590
Below, the preferable specific example of the cation in the compound represented by general formula (ZI-1A) is shown.
Figure 2013015590

次に、化合物(ZI−2)について説明する。   Next, the compound (ZI-2) will be described.

化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。 Compound (ZI-2) is a compound in the case where R 201 to R 203 in formula (ZI) each independently represents an organic group not containing an aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.

201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、炭素数が例えば1〜30であり、好ましくは1〜20である。 The organic group having no aromatic ring as R 201 to R 203 is a 1 to 30 carbon atoms for example, preferably 1 to 20.

201〜R203は、各々独立に、アルキル基、2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、ビニル基であることが好ましい。更に好ましくは、直鎖、分岐若しくは環状の2−オキソアルキル基又はアルコキシカルボニルメチル基であり、特に好ましくは、直鎖又は分岐鎖の2−オキソアルキル基である。 R 201 to R 203 are preferably each independently an alkyl group, a 2-oxoalkyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, an allyl group, or a vinyl group. A linear, branched or cyclic 2-oxoalkyl group or an alkoxycarbonylmethyl group is more preferable, and a linear or branched 2-oxoalkyl group is particularly preferable.

201〜R203としてのアルキル基は、直鎖、分岐鎖及び環状の何れであってもよく、好ましい例としては、炭素数1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基)及び炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基又はノルボニル基)が挙げられる。 The alkyl group as R 201 to R 203 may be linear, branched chain and may be any of circular, preferred examples are straight chain or branched chain alkyl group (e.g., methyl group having 1 to 10 carbon atoms, An ethyl group, a propyl group, a butyl group or a pentyl group) and a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms (a cyclopentyl group, a cyclohexyl group or a norbornyl group).

201〜R203としての2−オキソアルキル基は、直鎖、分岐鎖及び環状の何れであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基が挙げられる。 The 2-oxoalkyl group as R 201 to R 203 may be linear, branched or cyclic, and preferably includes a group having> C═O at the 2-position of the above alkyl group. .

201〜R203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基の好ましい例としては、炭素数1〜5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)が挙げられる。 Preferred examples of the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group as R 201 to R 203 is an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, pentoxy group).

201〜R203は、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基及び/又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。 R 201 to R 203 may be further substituted with, for example, a halogen atom, an alkoxy group (eg, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, and / or a nitro group.

201〜R203のうちの2つが互いに結合して、環構造を形成していてもよい。この環構造は、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合及び/又はカルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、例えば、アルキレン基(例えば、ブチレン基又はペンチレン基)が挙げられる。 Two of R 201 to R 203 is bonded to each other, they may form a ring structure. This ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond and / or a carbonyl group in the ring. The two of the group formed by bonding of the R 201 to R 203, for example, an alkylene group (e.g., butylene or pentylene group).

次いで、化合物(ZI−3)について説明する。
化合物(ZI−3)とは、以下の一般式(ZI−3)により表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。

Figure 2013015590
Next, the compound (ZI-3) will be described.
The compound (ZI-3) is a compound represented by the following general formula (ZI-3), and is a compound having a phenacylsulfonium salt structure.
Figure 2013015590

式中、R1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。アルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、1〜6が好ましい。
6c及びR7cは、水素原子又はアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、1〜6が好ましい。
及びRは、各々独立に、アルキル基、2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基又はビニル基を表す。これら原子団の炭素数は、1〜6が好ましい。
In the formula, R 1c to R 5c each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. As for carbon number of an alkyl group and an alkoxy group, 1-6 are preferable.
R 6c and R 7c represent a hydrogen atom or an alkyl group. As for carbon number of an alkyl group, 1-6 are preferable.
R x and R y each independently represents an alkyl group, a 2-oxoalkyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, an allyl group, or a vinyl group. As for carbon number of these atomic groups, 1-6 are preferable.

1c〜R7cの何れか2つ以上が互いに結合して、環構造を形成していてもよい。また、RxとRyとが結合して、環構造を形成していてもよい。これらの環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合及び/又はアミド結合を含んでいてもよい。 Any two or more of R 1c to R 7c may be bonded to each other to form a ring structure. Further, R x and R y may be bonded to form a ring structure. These ring structures may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond and / or an amide bond.

一般式(ZI−3)におけるXは、一般式(ZI)におけるXと同義である。 X in the general formula (ZI-3) - is, X in formula (ZI) - is synonymous.

化合物(ZI−3)の具体例としては、特開2004−233661号公報の段落0047及び0048、又は、特開2003−35948号公報の段落0040〜0046に例示されている化合物に記載されている化合物が挙げられる。   Specific examples of the compound (ZI-3) are described in the compounds exemplified in paragraphs 0047 and 0048 of JP-A No. 2004-233661 or paragraphs 0040 to 0046 of JP-A No. 2003-35948. Compounds.

続いて、化合物(ZI−4)について説明する。
化合物(ZI−4)は、以下の一般式(ZI−4)により表されるカチオンを有した化合物である。この化合物(ZI−4)は、アウトガスの抑制に有効である。

Figure 2013015590
Subsequently, the compound (ZI-4) will be described.
The compound (ZI-4) is a compound having a cation represented by the following general formula (ZI-4). This compound (ZI-4) is effective in suppressing outgassing.
Figure 2013015590

一般式(ZI−4)中、
1〜R13は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。R1〜R13のうち少なくとも1つは、アルコール性水酸基を含む置換基であることが好ましい。なお、ここで「アルコール性水酸基」とは、アルキル基の炭素原子に結合した水酸基を意味している。
Zは、単結合又は2価の連結基である。
In general formula (ZI-4),
R 1 to R 13 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. At least one of R 1 to R 13 is preferably a substituent containing an alcoholic hydroxyl group. Here, “alcoholic hydroxyl group” means a hydroxyl group bonded to a carbon atom of an alkyl group.
Z is a single bond or a divalent linking group.

1〜R13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、R1〜R13は−(W−Y)により表される基であることが好ましい。ここで、Yは水酸基で置換されたアルキル基であり、Wは単結合又は2価の連結基である。 When R 1 to R 13 are substituents containing an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are preferably groups represented by — (W—Y). Here, Y is an alkyl group substituted with a hydroxyl group, and W is a single bond or a divalent linking group.

Yにより表されるアルキル基の好ましい例としては、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基が挙げられる。Yは、特に好ましくは、−CH2CH2OHにより表される構造を含んでいる。 Preferable examples of the alkyl group represented by Y include an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Y particularly preferably includes a structure represented by —CH 2 CH 2 OH.

Wにより表される2価の連結基としては、特に制限は無いが、好ましくは単結合、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた2価の基であり、更に好ましくは、単結合、アシルオキシ基、アルキルスルホニル基、アシル基又はアルコキシカルボニル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた2価の基である。   The divalent linking group represented by W is not particularly limited, but preferably a single bond, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group, an alkyl and arylsulfonylamino group, an alkylthio group, an alkylsulfonyl group, an acyl group, A divalent group in which an arbitrary hydrogen atom in an alkoxycarbonyl group or a carbamoyl group is replaced by a single bond, and more preferably an arbitrary hydrogen atom in a single bond, an acyloxy group, an alkylsulfonyl group, an acyl group or an alkoxycarbonyl group. It is a divalent group replaced by a single bond.

1〜R13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、含まれる炭素数は、好ましくは2〜10であり、更に好ましくは2〜6であり、特に好ましくは2〜4である。 When R 1 to R 13 are substituents containing an alcoholic hydroxyl group, the number of carbon atoms contained is preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6, and particularly preferably 2 to 4.

1〜R13としてのアルコール性水酸基を含む置換基は、アルコール性水酸基を2つ以上有していてもよい。R1〜R13としてのアルコール性水酸基を含む置換基の有するアルコール性水酸基の数は、1〜6であり、好ましくは1〜3であり、更に好ましくは1である。 The substituent containing an alcoholic hydroxyl group as R 1 to R 13 may have two or more alcoholic hydroxyl groups. The number of the alcoholic hydroxyl group which the substituent containing the alcoholic hydroxyl group as R < 1 > -R < 13 > has is 1-6, Preferably it is 1-3, More preferably, it is 1.

一般式(ZI−4)により表される化合物の有するアルコール性水酸基の数は、R1〜R13すべて合わせて1〜10であり、好ましくは1〜6であり、更に好ましくは1〜3である。 The number of alcoholic hydroxyl groups possessed by the compound represented by the general formula (ZI-4) is 1 to 10, preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3 in total for R 1 to R 13. is there.

1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13としての置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基(アニリノ基を含む)、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及び複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基〔−B(OH)2〕、ホスファト基〔−OPO(OH)2〕、スルファト基(−OSO3H)、並びに、他の公知の置換基が挙げられる。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, examples of the substituent as R 1 to R 13 include a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, and an aryl group. , Heterocyclic group, cyano group, nitro group, carboxy group, alkoxy group, aryloxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group ( Anilino group), ammonio group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, Duplicate Ring thio group, sulfamoyl group, sulfo group, alkyl and arylsulfinyl group, alkyl and arylsulfonyl group, acyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, aryl and heterocyclic azo group, imide group, phosphino group, Phosphinyl group, phosphinyloxy group, phosphinylamino group, phosphono group, silyl group, hydrazino group, ureido group, boronic acid group [—B (OH) 2 ], phosphato group [—OPO (OH) 2 ], Examples thereof include a sulfato group (—OSO 3 H) and other known substituents.

1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13は、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、シアノ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、シリル基又はウレイド基である。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, Cyano group, carboxy group, alkoxy group, aryloxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino Group, alkylthio group, arylthio group, sulfamoyl group, alkyl and arylsulfonyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, imide group, silyl group or ureido group.

1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13は、更に好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基である。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are more preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group, An aminocarbonylamino group, an alkoxycarbonylamino group, an alkyl and arylsulfonylamino group, an alkylthio group, a sulfamoyl group, an alkyl and arylsulfonyl group, an alkoxycarbonyl group or a carbamoyl group.

1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13は、特に好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はアルコキシ基である。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are particularly preferably a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, or an alkoxy group.

1〜R13のうちの隣接する2つが互いに結合して、環構造を形成してもよい。この環構造には、芳香族及び非芳香族の炭化水素環並びに複素環が含まれる。これら環構造は、更に組み合わされて、縮合環を形成していてもよい。 Two adjacent ones of R 1 to R 13 may be bonded to each other to form a ring structure. This ring structure includes aromatic and non-aromatic hydrocarbon rings and heterocycles. These ring structures may be further combined to form a condensed ring.

化合物(ZI−4)は、好ましくは、R1〜R13のうち少なくとも1つがアルコール性水酸基を含んだ構造を有しており、更に好ましくは、R9〜R13のうち少なくとも1つがアルコール性水酸基を含んだ構造を有している。 The compound (ZI-4) preferably has a structure in which at least one of R 1 to R 13 contains an alcoholic hydroxyl group, and more preferably at least one of R 9 to R 13 is alcoholic. It has a structure containing a hydroxyl group.

Zは、上述したように、単結合又は2価の連結基を表している。この2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボニルオキシ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミド基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、ジスルフィド基、アシル基、アルキルスルホニル基、−CH=CH−、アミノカルボニルアミノ基及びアミノスルホニルアミノ基が挙げられる。   Z represents a single bond or a divalent linking group as described above. Examples of the divalent linking group include an alkylene group, an arylene group, a carbonyl group, a sulfonyl group, a carbonyloxy group, a carbonylamino group, a sulfonylamide group, an ether group, a thioether group, an amino group, a disulfide group, an acyl group, Examples thereof include an alkylsulfonyl group, -CH = CH-, an aminocarbonylamino group, and an aminosulfonylamino group.

この2価の連結基は、置換基を有していてもよい。これらの置換基としては、例えば、先にR1〜R13について列挙したのと同様のものが挙げられる。 This divalent linking group may have a substituent. As these substituents, for example, those similar to those listed above for R 1 to R 13 can be mentioned.

Zは、好ましくは、単結合、アルキレン基、アリーレン基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、−CH=CH−、アミノカルボニルアミノ基及びアミノスルホニルアミノ基等の電子求引性を持たない結合又は基であり、更に好ましくは、単結合、エーテル基又はチオエーテル基であり、特に好ましくは、単結合である。   Z is preferably a single bond, an alkylene group, an arylene group, an ether group, a thioether group, an amino group, a bond having no electron withdrawing property such as —CH═CH—, an aminocarbonylamino group, and an aminosulfonylamino group, or A group, more preferably a single bond, an ether group or a thioether group, and particularly preferably a single bond.

以下、一般式(ZII)及び(ZIII)について説明する。   Hereinafter, general formulas (ZII) and (ZIII) will be described.

一般式(ZII)及び(ZIII)中、R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。これらアリール基、アルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。 In formula (ZII) and (ZIII), R 204 ~R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group. These aryl group, alkyl group and cycloalkyl group may have a substituent.

204〜R207としてのアリール基の好ましい例としては、先に化合物(ZI−1)におけるR201〜R203について列挙したのと同様の基が挙げられる。
204〜R207としてのアルキル基及びシクロアルキル基の好ましい例としては、先に化合物(ZI−2)におけるR201〜R203について列挙した直鎖、分岐又はシクロアルキル基が挙げられる。
Preferable examples of the aryl group as R 204 to R 207 include the same groups as those enumerated above for R 201 to R 203 in the compound (ZI-1).
Preferable examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R 204 to R 207 include the linear, branched or cycloalkyl groups listed above for R 201 to R 203 in compound (ZI-2).

なお、一般式(ZII)及び(ZIII)におけるXは、一般式(ZI)におけるXと同義である。 In addition, X < - > in general formula (ZII) and (ZIII) is synonymous with X < - > in general formula (ZI).

光酸発生剤の他の好ましい例として、下記一般式(ZIV)、(ZV)又は(ZVI)により表される化合物が挙げられる。

Figure 2013015590
Other preferred examples of the photoacid generator include compounds represented by the following general formula (ZIV), (ZV) or (ZVI).
Figure 2013015590

一般式(ZIV)〜(ZVI)中、
Ar3及びAr4は、各々独立に、置換又は無置換のアリール基を表す。
208は、一般式(ZV)と(ZVI)とで各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表している。これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。
これら基は、フッ素原子により置換されていることが好ましい。こうすると、光酸発生剤が発生する酸の強度を高めることが可能となる。
In general formulas (ZIV) to (ZVI),
Ar 3 and Ar 4 each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group.
R 208 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group independently in the general formulas (ZV) and (ZVI). These alkyl group, cycloalkyl group and aryl group may be substituted or unsubstituted.
These groups are preferably substituted with a fluorine atom. If it carries out like this, it will become possible to raise the intensity | strength of the acid which a photo-acid generator generate | occur | produces.

209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は電子求引性基を表す。これらアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及び電子求引性基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。
好ましいR209としては、置換又は無置換のアリール基が挙げられる。
好ましいR210としては、電子求引性基が挙げられる。この電子求引性基としては、好ましくは、シアノ基及びフロロアルキル基が挙げられる。
R 209 and R 210 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an electron withdrawing group. These alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and electron withdrawing group may be substituted or unsubstituted.
Preferable R 209 includes a substituted or unsubstituted aryl group.
Preferable R 210 includes an electron withdrawing group. As this electron withdrawing group, Preferably, a cyano group and a fluoroalkyl group are mentioned.

Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。これらアルキレン基、アルケニレン基及びアリーレン基は、置換基を有していてもよい。   A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group. These alkylene group, alkenylene group and arylene group may have a substituent.

なお、光酸発生剤として、一般式(ZVI)により表される構造を複数有する化合物も好ましい。このような化合物としては、例えば、一般式(ZVI)により表される化合物のR209又はR210と、一般式(ZVI)により表されるもう一つの化合物のR209又はR210とが互いに結合した構造を有する化合物が挙げられる。 A compound having a plurality of structures represented by the general formula (ZVI) is also preferable as the photoacid generator. Such compounds, for example, binding to R 209 or R 210 of the compound represented by the general formula (ZVI), and the R 209 or R 210 of another compound represented by the general formula (ZVI) together And a compound having the above structure.

光酸発生剤としては、一般式(ZI)〜(ZIII)により表される化合物がより好ましく、一般式(ZI)により表される化合物が更に好ましく、化合物(ZI−1)〜(ZI−3)が特に好ましい。   As the photoacid generator, compounds represented by general formulas (ZI) to (ZIII) are more preferable, compounds represented by general formula (ZI) are more preferable, and compounds (ZI-1) to (ZI-3) are more preferable. Is particularly preferred.

光酸発生剤の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

Figure 2013015590
Specific examples of the photoacid generator are shown below, but are not limited thereto.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
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なお、光酸発生剤は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。後者の場合、水素原子を除く全原子数が2以上異なる2種の有機酸を発生する化合物を組み合わせることが好ましい。
また、光酸発生剤の含量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.1〜50質量%であり、より好ましくは0.5〜40質量%であり、更に好ましくは1〜30質量%である。
In addition, a photo-acid generator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. In the latter case, it is preferable to combine two types of compounds that generate two kinds of organic acids whose total number of atoms excluding hydrogen atoms is 2 or more.
The content of the photoacid generator is preferably 0.1 to 50% by mass, more preferably 0.5 to 40% by mass, and still more preferably 1 to 50% by mass, based on the total solid content of the composition. 30% by mass.

(塩基性化合物)
本発明に係る組成物は、塩基性化合物を更に含んでいてもよい。塩基性化合物は、好ましくは、フェノールと比較して塩基性がより強い化合物である。また、この塩基性化合物は、有機塩基性化合物であることが好ましく、含窒素塩基性化合物であることが更に好ましい。
(Basic compound)
The composition according to the present invention may further contain a basic compound. The basic compound is preferably a compound having a stronger basicity than phenol. Moreover, this basic compound is preferably an organic basic compound, and more preferably a nitrogen-containing basic compound.

使用可能な含窒素塩基性化合物は特に限定されないが、例えば、以下の(1)〜(5)
に分類される化合物を用いることができる。
Although the nitrogen-containing basic compound which can be used is not specifically limited, For example, the following (1)-(5)
A compound classified as follows can be used.

(1)一般式(BS−1)により表される化合物

Figure 2013015590
(1) Compound represented by general formula (BS-1)
Figure 2013015590

一般式(BS−1)中、
Rは、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。但し、3つのRのうち少なくとも1つは有機基である。この有機基は、直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、単環若しくは多環のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。
In general formula (BS-1),
Each R independently represents a hydrogen atom or an organic group. However, at least one of the three Rs is an organic group. This organic group is a linear or branched alkyl group, a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group, an aryl group, or an aralkyl group.

Rとしてのアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常1〜20であり、好ましくは1〜12である。
Rとしてのシクロアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常3〜20であり、好ましくは5〜15である。
Although carbon number of the alkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 1-20, Preferably it is 1-12.
Although carbon number of the cycloalkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 3-20, Preferably it is 5-15.

Rとしてのアリール基の炭素数は、特に限定されないが、通常6〜20であり、好ましくは6〜10である。具体的には、フェニル基及びナフチル基等が挙げられる。
Rとしてのアラルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常7〜20であり、好ましくは7〜11である。具体的には、ベンジル基等が挙げられる。
Although carbon number of the aryl group as R is not specifically limited, Usually, it is 6-20, Preferably it is 6-10. Specific examples include a phenyl group and a naphthyl group.
Although carbon number of the aralkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 7-20, Preferably it is 7-11. Specific examples include a benzyl group.

Rとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基及びアルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。   In the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group as R, a hydrogen atom may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a hydroxy group, a carboxy group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylcarbonyloxy group, and an alkyloxycarbonyl group.

なお、一般式(BS−1)により表される化合物では、Rのうち少なくとも2つが有機基であることが好ましい。   In the compound represented by the general formula (BS-1), it is preferable that at least two of R are organic groups.

一般式(BS−1)により表される化合物の具体例としては、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N−ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N−ジブチルアニリン、N,N−ジヘキシルアニリン、2,6−ジイソプロピルアニリン、及び2,4,6−トリ(t−ブチル)アニリンが挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (BS-1) include tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-octylamine, tri-n-decylamine, triisodecylamine, dicyclohexyl. Methylamine, tetradecylamine, pentadecylamine, hexadecylamine, octadecylamine, didecylamine, methyloctadecylamine, dimethylundecylamine, N, N-dimethyldodecylamine, methyldioctadecylamine, N, N-dibutylaniline, N , N-dihexylaniline, 2,6-diisopropylaniline, and 2,4,6-tri (t-butyl) aniline.

また、一般式(BS−1)により表される好ましい塩基性化合物として、少なくとも1つのRがヒドロキシ基で置換されたアルキル基であるものが挙げられる。具体的には、例えば、トリエタノールアミン及びN,N−ジヒドロキシエチルアニリンが挙げられる。   Moreover, as a preferable basic compound represented by the general formula (BS-1), a compound in which at least one R is an alkyl group substituted with a hydroxy group can be given. Specific examples include triethanolamine and N, N-dihydroxyethylaniline.

なお、Rとしてのアルキル基は、アルキル鎖中に酸素原子を有していてもよい。即ち、オキシアルキレン鎖が形成されていてもよい。オキシアルキレン鎖としては、−CH2CH2O−が好ましい。具体的には、例えば、トリス(メトキシエトキシエチル)アミン、及び、US6040112号明細書のカラム3の60行目以降に例示されている化合物が挙げられる。   In addition, the alkyl group as R may have an oxygen atom in the alkyl chain. That is, an oxyalkylene chain may be formed. As the oxyalkylene chain, —CH 2 CH 2 O— is preferable. Specifically, for example, tris (methoxyethoxyethyl) amine and compounds exemplified in the 60th and subsequent lines of column 3 of US6040112 can be mentioned.

一般式(BS−1)で表される塩基性化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2013015590
As a basic compound represented by general formula (BS-1), the following are mentioned, for example.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

(2)含窒素複素環構造を有する化合物
この含窒素複素環は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよい。更に、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、例えば、イミダゾール構造を有する化合物(2−フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾールなど)、ピペリジン構造を有する化合物〔N−ヒドロキシエチルピペリジン及びビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケートなど〕、ピリジン構造を有する化合物(4−ジメチルアミノピリジンなど)、並びにアンチピリン構造を有する化合物(アンチピリン及びヒドロキシアンチピリンなど)が挙げられる。
(2) Compound having nitrogen-containing heterocyclic structure This nitrogen-containing heterocyclic ring may have aromaticity or may not have aromaticity. Moreover, you may have two or more nitrogen atoms. Furthermore, you may contain hetero atoms other than nitrogen. Specifically, for example, compounds having an imidazole structure (2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, etc.), compounds having a piperidine structure [N-hydroxyethylpiperidine and bis (1,2,2) , 6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate], compounds having a pyridine structure (such as 4-dimethylaminopyridine), and compounds having an antipyrine structure (such as antipyrine and hydroxyantipyrine).

また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には、例えば、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン及び1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕−ウンデカ−7−エンが挙げられる。   A compound having two or more ring structures is also preferably used. Specific examples include 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -undec-7-ene.

(3)フェノキシ基を有するアミン化合物
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物が含んでいるアルキル基のN原子と反対側の末端にフェノキシ基を備えた化合物である。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基及びアリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。
(3) Amine compound having a phenoxy group An amine compound having a phenoxy group is a compound having a phenoxy group at the terminal opposite to the N atom of the alkyl group contained in the amine compound. The phenoxy group is, for example, a substituent such as an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxy group, a carboxylic acid ester group, a sulfonic acid ester group, an aryl group, an aralkyl group, an acyloxy group, and an aryloxy group. You may have.

この化合物は、より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン鎖を有している。1分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン鎖の中でも−CHCHO−が特に好ましい。 This compound more preferably has at least one oxyalkylene chain between the phenoxy group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene chains in one molecule is preferably 3-9, more preferably 4-6. Among the oxyalkylene chains, —CH 2 CH 2 O— is particularly preferable.

具体例としては、2−[2−{2―(2,2―ジメトキシ−フェノキシエトキシ)エチル}−ビス−(2−メトキシエチル)]−アミン、及び、US2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物(C1−1)〜(C3−3)が挙げられる。   Specific examples include 2- [2- {2- (2,2-dimethoxy-phenoxyethoxy) ethyl} -bis- (2-methoxyethyl)]-amine, and paragraph [0066] of US2007 / 0224539A1. ] Compounds (C1-1) to (C3-3) exemplified in the above.

フェノキシ基を有するアミン化合物は、例えば、フェノキシ基を有する1級又は2級アミンとハロアルキルエーテルとを加熱して反応させ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びテトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル及びクロロホルム等の有機溶剤で抽出することにより得られる。また、フェノキシ基を有するアミン化合物は、1級又は2級アミンと、末端にフェノキシ基を有するハロアルキルエーテルとを加熱して反応させ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びテトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル及びクロロホルム等の有機溶剤で抽出することによって得ることもできる。   The amine compound having a phenoxy group is prepared by reacting, for example, a primary or secondary amine having a phenoxy group with a haloalkyl ether, and adding an aqueous solution of a strong base such as sodium hydroxide, potassium hydroxide or tetraalkylammonium. And then extracted with an organic solvent such as ethyl acetate and chloroform. In addition, the amine compound having a phenoxy group reacts by heating a primary or secondary amine and a haloalkyl ether having a phenoxy group at the terminal, and a strong base such as sodium hydroxide, potassium hydroxide or tetraalkylammonium. It can also be obtained by adding an aqueous solution and then extracting with an organic solvent such as ethyl acetate and chloroform.

(4)アンモニウム塩
塩基性化合物として、アンモニウム塩も適宜用いることができる。アンモニウム塩のアニオンとしては、例えば、ハライド、スルホネート、ボレート及びフォスフェートが挙げられる。これらのうち、ハライド及びスルホネートが特に好ましい。
(4) Ammonium salt As the basic compound, an ammonium salt can also be used as appropriate. Examples of the anion of the ammonium salt include halides, sulfonates, borates, and phosphates. Of these, halides and sulfonates are particularly preferred.

ハライドとしては、クロライド、ブロマイド及びアイオダイドが特に好ましい。
スルホネートとしては、炭素数1〜20の有機スルホネートが特に好ましい。有機スルホネートとしては、例えば、炭素数1〜20のアルキルスルホネート及びアリールスルホネートが挙げられる。
As the halide, chloride, bromide and iodide are particularly preferable.
As the sulfonate, an organic sulfonate having 1 to 20 carbon atoms is particularly preferable. Examples of the organic sulfonate include alkyl sulfonates having 1 to 20 carbon atoms and aryl sulfonates.

アルキルスルホネートに含まれるアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アルコキシ基、アシル基及びアリール基が挙げられる。アルキルスルホネートとして、具体的には、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート及びノナフルオロブタンスルホネートが挙げられる。   The alkyl group contained in the alkyl sulfonate may have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an alkoxy group, an acyl group, and an aryl group. Specific examples of the alkyl sulfonate include methane sulfonate, ethane sulfonate, butane sulfonate, hexane sulfonate, octane sulfonate, benzyl sulfonate, trifluoromethane sulfonate, pentafluoroethane sulfonate, and nonafluorobutane sulfonate.

アリールスルホネートに含まれるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基及びアントリル基が挙げられる。これらアリール基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基及び炭素数3〜6のシクロアルキル基が好ましい。具体的には、例えば、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n−ヘキシル及びシクロヘキシル基が好ましい。他の置換基としては、炭素数1〜6のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、アシル基及びアシロキシ基が挙げられる。   Examples of the aryl group contained in the aryl sulfonate include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group. These aryl groups may have a substituent. As this substituent, a C1-C6 linear or branched alkyl group and a C3-C6 cycloalkyl group are preferable, for example. Specifically, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, n-hexyl and cyclohexyl groups are preferable. Examples of the other substituent include an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, cyano, nitro, an acyl group, and an acyloxy group.

このアンモニウム塩は、ヒドロキシド又はカルボキシレートであってもよい。この場合、このアンモニウム塩は、炭素数1〜8のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−(n−ブチル)アンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドであることが特に好ましい。   The ammonium salt may be hydroxide or carboxylate. In this case, the ammonium salt is a tetraalkylammonium hydroxide having 1 to 8 carbon atoms (tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra- (n-butyl) ammonium hydroxide, etc.). It is particularly preferred.

好ましい塩基性化合物としては、例えば、グアニジン、アミノピリジン、アミノアルキルピリジン、アミノピロリジン、インダゾール、イミダゾール、ピラゾール、ピラジン、ピリミジン、プリン、イミダゾリン、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルフォリン及びアミノアルキルモルフォリンが挙げられる。これらは、置換基を更に有していてもよい。   Preferred basic compounds include, for example, guanidine, aminopyridine, aminoalkylpyridine, aminopyrrolidine, indazole, imidazole, pyrazole, pyrazine, pyrimidine, purine, imidazoline, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine and aminoalkylmorpholine. . These may further have a substituent.

好ましい置換基としては、例えば、アミノ基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基及びシアノ基が挙げられる。   Preferred substituents include, for example, amino group, aminoalkyl group, alkylamino group, aminoaryl group, arylamino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, nitro group, hydroxyl group And a cyano group.

特に好ましい塩基性化合物としては、例えば、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−テトラメチルグアニジン、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、4−メチルイミダゾール、N−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、4,5−ジフェニルイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ5−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジン、3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ−2,2,6,6テトラメチルピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジン、2−(アミノメチル)−5メチルピラジン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、N−アミノモルフォリン及びN−(2−アミノエチル)モルフォリンが挙げられる。   Particularly preferable basic compounds include, for example, guanidine, 1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, imidazole, 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, N-methylimidazole, 2 -Phenylimidazole, 4,5-diphenylimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2- Diethylaminopyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethyl Pyridine, 4-aminoethylpyridine, 3-amino Pyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6 tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine 1- (2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl-1-p-tolylpyrazole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5 methylpyrazine, Examples include pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-aminomorpholine and N- (2-aminoethyl) morpholine.

(5)プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物(PA)
本発明に係る組成物は、塩基性化合物として、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物〔以下、化合物(PA)ともいう〕を更に含んでいてもよい。
(5) A compound having a proton acceptor functional group and generating a compound which is decomposed by irradiation with actinic rays or radiation to decrease or disappear the proton acceptor property or change from proton acceptor property to acidity ( PA)
The composition according to the present invention has a proton acceptor functional group as a basic compound, and is decomposed by irradiation with actinic rays or radiation, resulting in a decrease, disappearance, or a proton acceptor property. It may further contain a compound that generates a compound that has been changed to acidity (hereinafter also referred to as compound (PA)).

プロトンアクセプター性官能基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基或いは電子を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基や、 π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を意味する。 π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記一般式に示す部分構造を有する窒素原子である。

Figure 2013015590
The proton acceptor functional group is a functional group having electrons or a group capable of electrostatically interacting with protons. For example, a functional group having a macrocyclic structure such as a cyclic polyether or a π-conjugated group. It means a functional group having a nitrogen atom with an unshared electron pair that does not contribute. The nitrogen atom having an unshared electron pair that does not contribute to π conjugation is, for example, a nitrogen atom having a partial structure represented by the following general formula.
Figure 2013015590

プロトンアクセプター性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、アザクラウンエーテル、1〜3級アミン、ピリジン、イミダゾール、ピラジン構造などを挙げることができる。   Examples of a preferable partial structure of the proton acceptor functional group include a crown ether, an azacrown ether, a primary to tertiary amine, a pyridine, an imidazole, and a pyrazine structure.

化合物(PA)は、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する。ここで、プロトンアクセプター性の低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性への変化とは、プロトンアクセプター性官能基にプロトンが付加することに起因するプロトンアクセプター性の変化であり、具体的には、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物(PA)とプロトンからプロトン付加体が生成する時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。   The compound (PA) is decomposed by irradiation with an actinic ray or radiation to generate a compound in which the proton acceptor property is lowered, disappeared, or changed from proton acceptor property to acidity. Here, the decrease or disappearance of the proton acceptor property or the change from the proton acceptor property to the acid is a change in the proton acceptor property caused by the addition of a proton to the proton acceptor functional group. Specifically, when a proton adduct is formed from a compound having a proton acceptor functional group (PA) and a proton, the equilibrium constant in the chemical equilibrium is reduced.

プロトンアクセプター性は、pH測定を行うことによって確認することができる。本発明においては、活性光線又は放射線の照射により化合物(PA)が分解して発生する化合物の酸解離定数pKaが、pKa<−1を満たすことが好ましく、より好ましくは−13<pKa<−1であり、更に好ましくは−13<pKa<−3である。   Proton acceptor property can be confirmed by measuring pH. In the present invention, the acid dissociation constant pKa of the compound generated by decomposition of the compound (PA) upon irradiation with actinic rays or radiation preferably satisfies pKa <−1, more preferably −13 <pKa <−1. And more preferably −13 <pKa <−3.

本発明に於いて、酸解離定数pKaとは、水溶液中での酸解離定数pKaのことを表し、例えば、化学便覧(II)(改訂4版、1993年、日本化学会編、丸善株式会社)に記載のものであり、この値が低いほど酸強度が大きいことを示している。水溶液中での酸解離定数pKaは、具体的には、無限希釈水溶液を用い、25℃での酸解離定数を測定することにより実測することができ、また、下記ソフトウェアパッケージ1を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求めることもできる。本明細書中に記載したpKaの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示している。   In the present invention, the acid dissociation constant pKa represents the acid dissociation constant pKa in an aqueous solution. For example, Chemical Handbook (II) (4th revised edition, 1993, edited by the Chemical Society of Japan, Maruzen Co., Ltd.) It shows that acid strength is so large that this value is low. Specifically, the acid dissociation constant pKa in an aqueous solution can be measured by measuring an acid dissociation constant at 25 ° C. using an infinitely diluted aqueous solution, and using the following software package 1, Hammett The values based on the substituent constants and the database of known literature values can also be obtained by calculation. The values of pKa described in this specification all indicate values obtained by calculation using this software package.

ソフトウェアパッケージ1:AdvancedChemistryDevelopment(ACD/Labs)SoftwareV8.14forSolaris(1994−2007ACD/Labs)
化合物(PA)は、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する上記プロトン付加体として、例えば、下記一般式(PA−1)で表される化合物を発生する。一般式(PA−1)で表される化合物は、プロトンアクセプター性官能基とともに酸性基を有することにより、化合物(PA)に比べてプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物である。

Figure 2013015590
Software package 1: Advanced Chemistry Development (ACD / Labs) Software V8.14 for Solaris (1994-2007 ACD / Labs)
The compound (PA) generates, for example, a compound represented by the following general formula (PA-1) as the proton adduct generated by decomposition upon irradiation with actinic rays or radiation. The compound represented by the general formula (PA-1) has an acidic group as well as a proton acceptor functional group, so that the proton acceptor property is reduced or disappeared compared to the compound (PA), or from the proton acceptor property. It is a compound that has changed to acidic.
Figure 2013015590

一般式(PA−1)中、
Qは、−SOH、−COH、又は−XNHXRfを表す。ここで、Rfは、アルキル基、シクロアルキル基若しくはアリール基を表し、X及びXは各々独立に、−SO−又は−CO−を表わす。
Aは、単結合又は2価の連結基を表す。
Xは、−SO−又は−CO−を表す。
nは、0又は1を表す。
Bは、単結合、酸素原子又は−N(Rx)Ry−を表す。Rxは、水素原子又は1価の有機基を表し、Ryは単結合又は2価の有機基を表す。Ryと結合して環を形成してもよく、又はRと結合して環を形成してもよい。
Rは、プロトンアクセプター性官能基を有する1価の有機基を表す。
In general formula (PA-1),
Q represents -SO 3 H, -CO 2 H, or -X 1 NHX 2 Rf. Here, Rf represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and X 1 and X 2 each independently represent —SO 2 — or —CO—.
A represents a single bond or a divalent linking group.
X represents —SO 2 — or —CO—.
n represents 0 or 1.
B represents a single bond, an oxygen atom, or -N (Rx) Ry-. Rx represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and Ry represents a single bond or a divalent organic group. It may combine with Ry to form a ring, or may combine with R to form a ring.
R represents a monovalent organic group having a proton acceptor functional group.

一般式(PA−1)について更に詳細に説明する。
Aにおける2価の連結基としては、好ましくは炭素数2〜12の2価の連結基であり、例えば、アルキレン基、フェニレン基等が挙げられる。より好ましくは少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2〜6、より好ましくは炭素数2〜4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、特に水素原子数の30〜100%がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、Q部位と結合した炭素原子がフッ素原子を有することがより好ましい。更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、パーフロロエチレン基、パーフロロプロピレン基、パーフロロブチレン基がより好ましい。
General formula (PA-1) is demonstrated still in detail.
The divalent linking group in A is preferably a divalent linking group having 2 to 12 carbon atoms, and examples thereof include an alkylene group and a phenylene group. More preferably, it is an alkylene group having at least one fluorine atom, and a preferable carbon number is 2 to 6, more preferably 2 to 4. The alkylene chain may have a linking group such as an oxygen atom or a sulfur atom. The alkylene group is particularly preferably an alkylene group in which 30 to 100% of the number of hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms, and more preferably, the carbon atom bonded to the Q site has a fluorine atom. Further, a perfluoroalkylene group is preferable, and a perfluoroethylene group, a perfluoropropylene group, and a perfluorobutylene group are more preferable.

Rxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数1〜30であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。これら基は更に置換基を有していてもよい。   The monovalent organic group in Rx preferably has 1 to 30 carbon atoms, and examples thereof include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and an alkenyl group. These groups may further have a substituent.

Rxにおけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1〜20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。   The alkyl group in Rx may have a substituent, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and has an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain. May be.

Ryにおける2価の有機基としては、好ましくはアルキレン基を挙げることができる。
RxとRyとが互いに結合して形成してもよい環構造としては、窒素原子を含む5〜10員の環、特に好ましくは6員の環が挙げられる。
Preferred examples of the divalent organic group for Ry include an alkylene group.
Examples of the ring structure which Rx and Ry may be bonded to each other include a 5- to 10-membered ring containing a nitrogen atom, particularly preferably a 6-membered ring.

なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基(例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基など)を挙げることができる。   Examples of the alkyl group having a substituent include groups in which a linear or branched alkyl group is substituted with a cycloalkyl group (for example, an adamantylmethyl group, an adamantylethyl group, a cyclohexylethyl group, a camphor residue, etc.). .

Rxにおけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。
Rxにおけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6〜14のアリール基である。
The cycloalkyl group in Rx may have a substituent, preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and may have an oxygen atom in the ring.
The aryl group in Rx may have a substituent, and is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms.

Rxにおけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7〜20のアラルキル基が挙げられる。
Rxにおけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、例えば、Rxとして挙げたアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。
The aralkyl group in Rx may have a substituent, and preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group in Rx may have a substituent, and examples thereof include a group having a double bond at an arbitrary position of the alkyl group mentioned as Rx.

Rにおけるプロトンアクセプター性官能基とは、上記の通りであり、アザクラウンエーテル、1〜3級アミン、ピリジンやイミダゾールといった窒素を含む複素環式芳香族構造などを有する基が挙げられる。
このような構造を有する有機基として、好ましい炭素数は4〜30であり、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。
The proton acceptor functional group in R is as described above, and examples thereof include azacrown ether, primary to tertiary amines, groups having a heterocyclic aromatic structure containing nitrogen such as pyridine and imidazole.
As the organic group having such a structure, a preferable carbon number is 4 to 30, and examples thereof include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and an alkenyl group.

Rにおけるプロトンアクセプター性官能基又はアンモニウム基を含むアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基に於けるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は、前記Rxとして挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基と同様のものである。   The alkyl group, the cycloalkyl group, the aryl group, the aralkyl group, the alkyl group in the alkenyl group, the cycloalkyl group, the aryl group, the aralkyl group, and the alkenyl group in R include a proton acceptor functional group or an ammonium group. Are the same as the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, aralkyl group and alkenyl group mentioned above.

上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、
シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜10)、アシル基(好ましくは炭素数2〜20)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜10)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20)、アミノアシル基(好ましくは炭素数2〜20)などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造、及びアミノアシル基については、置換基としては更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)を挙げることができる。
Examples of the substituent that each of the above groups may have include, for example, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group,
A cyano group, a carboxy group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (preferably 3 to 10 carbon atoms), an aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), an alkoxy group (preferably 1 to 10 carbon atoms), an acyl group (preferably Include an acyloxy group (preferably 2 to 10 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms), an aminoacyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms), and the like. As for the cyclic structure in the aryl group, cycloalkyl group and the like, and the aminoacyl group, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms).

Bが−N(Rx)Ry−の時、RとRxが互いに結合して環を形成していることが好ましい。環構造を形成することによって、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。環を形成する炭素数は4〜20が好ましく、単環式でも多環式でもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでいてもよい。   When B is -N (Rx) Ry-, R and Rx are preferably bonded to each other to form a ring. By forming the ring structure, the stability is improved, and the storage stability of the composition using the ring structure is improved. The number of carbon atoms forming the ring is preferably 4 to 20, and may be monocyclic or polycyclic, and may contain an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the ring.

単環式構造としては、窒素原子を含む4員環、5員環、6員環、7員環、8員環等を挙げることができる。多環式構造としては、2又は3以上の単環式構造の組み合わせから成る構造を挙げることができる。単環式構造、多環式構造は、置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜10)、アシル基(好ましくは炭素数2〜15)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜15)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜15)、アミノアシル基(好ましくは炭素数2〜20)などが好ましい。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。   Examples of the monocyclic structure include a 4-membered ring, a 5-membered ring, a 6-membered ring, a 7-membered ring, and an 8-membered ring containing a nitrogen atom. Examples of the polycyclic structure include a structure composed of a combination of two or three or more monocyclic structures. The monocyclic structure and polycyclic structure may have a substituent, for example, a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (preferably having 3 to 10 carbon atoms), Aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms), alkoxy group (preferably having 1 to 10 carbon atoms), acyl group (preferably having 2 to 15 carbon atoms), acyloxy group (preferably having 2 to 15 carbon atoms), alkoxycarbonyl A group (preferably having 2 to 15 carbon atoms), an aminoacyl group (preferably having 2 to 20 carbon atoms) and the like are preferable. As for the cyclic structure in the aryl group, cycloalkyl group and the like, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having a carbon number of 1 to 15). As for the aminoacyl group, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having a carbon number of 1 to 15).

Qにより表される−XNHXRfにおけるRfとして、好ましくは炭素数1〜6のフッ素原子を有してもよいアルキル基であり、更に好ましくは炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基である。また、X及びXとしては、少なくとも一方が−SO−であることが好ましく、より好ましくはX及びXの両方が−SO2−である場合である。 As Rf in -X 1 NHX 2 Rf represented by Q, preferably an alkyl group which may have a fluorine atom having 1 to 6 carbon atoms, more preferably a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms is there. Further, as X 1 and X 2 , at least one is preferably —SO 2 —, and more preferably, both X 1 and X 2 are —SO 2 —.

一般式(PA−1)で表される化合物のうち、Q部位がスルホン酸である化合物は、一般的なスルホンアミド化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン化合物と反応させて、スルホンアミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン化合物と反応させ開環させる方法により得ることができる。   Among the compounds represented by the general formula (PA-1), a compound in which the Q site is a sulfonic acid can be synthesized by using a general sulfonamidation reaction. For example, a method in which one sulfonyl halide part of a bissulfonyl halide compound is selectively reacted with an amine compound to form a sulfonamide bond, and then the other sulfonyl halide part is hydrolyzed, or a cyclic sulfonic acid anhydride is used. It can be obtained by a method of ring-opening by reacting with an amine compound.

化合物(PA)は、イオン性化合物であることが好ましい。プロトンアクセプター性官能基はアニオン部、カチオン部のいずれに含まれていてもよいが、アニオン部位に含まれていることが好ましい。
化合物(PA)として、好ましくは下記一般式(4)〜(6)で表される化合物が挙げられる。

Figure 2013015590
The compound (PA) is preferably an ionic compound. The proton acceptor functional group may be contained in either the anion portion or the cation portion, but is preferably contained in the anion portion.
Preferred examples of the compound (PA) include compounds represented by the following general formulas (4) to (6).
Figure 2013015590

一般式(4)〜(6)において、A、X、n、B、R、Rf、X及びXは、一般式(PA−1)における各々と同義である。
はカウンターカチオンを示す。
In the general formulas (4) to (6), A, X, n, B, R, Rf, X 1 and X 2 have the same meanings as those in the general formula (PA-1).
C + represents a counter cation.

カウンターカチオンとしては、オニウムカチオンが好ましい。より詳しくは、光酸発生剤において、先に一般式(ZI)におけるS(R201’)(R202’)(R203’)として説明したスルホニウムカチオン、一般式(ZII)におけるI(R204’)(R205’)として説明したヨードニウムカチオンが好ましい例として挙げられる。 The counter cation is preferably an onium cation. More specifically, in the photoacid generator, the sulfonium cation described above as S + (R 201 ′ ) (R 202 ′ ) (R 203 ′ ) in general formula (ZI), I + (in general formula (ZII) A preferred example is the iodonium cation described as R204 ) ( R205 ′ ).

以下、化合物(PA)の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。

Figure 2013015590
Hereinafter, although the specific example of a compound (PA) is shown, it is not limited to these.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
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Figure 2013015590
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また、本発明においては、一般式(PA−1)で表される化合物を発生する化合物以外の化合物(PA)も適宜選択可能である。例えば、イオン性化合物であって、カチオン部にプロトンアクセプター部位を有する化合物を用いてもよい。より具体的には、下記一般式(7)で表される化合物などが挙げられる。

Figure 2013015590
Moreover, in this invention, compounds (PA) other than the compound which generate | occur | produces the compound represented by general formula (PA-1) can also be selected suitably. For example, an ionic compound that has a proton acceptor moiety in the cation moiety may be used. More specifically, a compound represented by the following general formula (7) is exemplified.
Figure 2013015590

式中、Aは硫黄原子又はヨウ素原子を表す。
mは1又は2を表し、nは1又は2を表す。但し、Aが硫黄原子の時、m+n=3、Aがヨウ素原子の時、m+n=2である。
Rは、アリール基を表す。
は、プロトンアクセプター性官能基で置換されたアリール基を表す。
は、対アニオンを表す。
In the formula, A represents a sulfur atom or an iodine atom.
m represents 1 or 2, and n represents 1 or 2. However, when A is a sulfur atom, m + n = 3, and when A is an iodine atom, m + n = 2.
R represents an aryl group.
R N represents an aryl group substituted with a proton acceptor functional group.
X represents a counter anion.

の具体例としては、上述した一般式(ZI)におけるX−と同様のものが挙げられる。
R及びRのアリール基の具体例としては、フェニル基が好ましく挙げられる。
Specific examples of X include the same as X− in the general formula (ZI) described above.
Specific examples of the aryl group of R and R N is a phenyl group are preferably exemplified.

RNが有するプロトンアクセプター性官能基の具体例としては、前述の式(PA−1)で説明したプロトンアクセプター性官能基と同様である。   Specific examples of the proton acceptor functional group possessed by RN are the same as the proton acceptor functional group described in the above formula (PA-1).

本発明の組成物において、化合物(PA)の組成物全体中の配合率は、全固形分中0.1〜10質量%が好ましく、より好ましくは1〜8質量%である。   In the composition of the present invention, the compounding ratio of the compound (PA) in the whole composition is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 1 to 8% by mass in the total solid content.

(6)グアニジン化合物
本発明の組成物は、下式で表される構造を有するグアニジン化合物を更に含有していてもよい。

Figure 2013015590
(6) Guanidine Compound The composition of the present invention may further contain a guanidine compound having a structure represented by the following formula.
Figure 2013015590

グアニジン化合物は3つの窒素によって共役酸のプラスの電荷が分散安定化されるた
め、強い塩基性を示す。
本発明のグアニジン化合物(A)の塩基性としては、共役酸のpKaが6.0以上であることが好ましく、7.0〜20.0であることが酸との中和反応性が高く、ラフネス特性に優れるため好ましく、8.0〜16.0であることがより好ましい。
The guanidine compound exhibits strong basicity because the positive charge of the conjugate acid is dispersed and stabilized by three nitrogens.
The basicity of the guanidine compound (A) of the present invention is preferably such that the pKa of the conjugate acid is 6.0 or more, and 7.0 to 20.0 is highly neutralizing reactivity with the acid, Since it is excellent in a roughness characteristic, it is preferable and it is more preferable that it is 8.0-16.0.

このような強い塩基性のため、酸の拡散性を抑制し、優れたパターン形状の形成に寄与することができる。   Due to such strong basicity, it is possible to suppress acid diffusibility and contribute to the formation of an excellent pattern shape.

なお、ここで「pKa」とは、水溶液中でのpKaのことを表し、例えば、化学便覧(II)(改訂4版、1993年、日本化学会編、丸善株式会社)に記載のものであり、この値が低いほど酸強度が大きいことを示している。水溶液中でのpKaは、具体的には、無限希釈水溶液を用い、25℃での酸解離定数を測定することにより実測することができ、また、下記ソフトウェアパッケージ1を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求めることもできる。本明細書中に記載したpKaの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示している。   Here, “pKa” means pKa in an aqueous solution, and is described in, for example, Chemical Handbook (II) (4th revised edition, 1993, edited by The Chemical Society of Japan, Maruzen Co., Ltd.). The lower the value, the higher the acid strength. Specifically, pKa in an aqueous solution can be actually measured by measuring an acid dissociation constant at 25 ° C. using an infinitely diluted aqueous solution, and using the software package 1 below, A value based on a database of constants and known literature values can also be obtained by calculation. The values of pKa described in this specification all indicate values obtained by calculation using this software package.

ソフトウェアパッケージ1:AdvancedChemistryDevelopment(ACD/Labs)SoftwareV8.14forSolaris(1994−2007ACD/Labs)。   Software package 1: Advanced Chemistry Development (ACD / Labs) Software V8.14 for Solaris (1994-2007 ACD / Labs).

本発明において、logPとは、n−オクタノール/水分配係数(P)の対数値であり、広範囲の化合物に対し、その親水性/疎水性を特徴づけることのできる有効なパラメータである。一般的には実験によらず計算によって分配係数は求められ、本発明においては、CSChemDrawUltraVer.8.0softwarepackage(Crippen’sfragmentationmethod)により計算された値を示す。   In the present invention, log P is a logarithmic value of n-octanol / water partition coefficient (P), and is an effective parameter that can characterize the hydrophilicity / hydrophobicity of a wide range of compounds. In general, the distribution coefficient is obtained by calculation without experimentation. In the present invention, CSChemDrawUltraVer. The value calculated by 8.0 software package (Crippen's fragmentation method) is shown.

また、グアニジン化合物(A)のlogPが10以下であることが好ましい。上記値以下であることによりレジスト膜中に均一に含有させることができる。   Moreover, it is preferable that logP of a guanidine compound (A) is 10 or less. By being below the above value, it can be contained uniformly in the resist film.

本発明におけるグアニジン化合物(A)のlogPは2〜10の範囲であることが好ましく、3〜8の範囲であることがより好ましく、4〜8の範囲であることが更に好ましい。   The log P of the guanidine compound (A) in the present invention is preferably in the range of 2 to 10, more preferably in the range of 3 to 8, still more preferably in the range of 4 to 8.

また、本発明におけるグアニジン化合物(A)はグアニジン構造以外に窒素原子を有さないことが好ましい。   Moreover, it is preferable that the guanidine compound (A) in this invention does not have a nitrogen atom other than a guanidine structure.

以下、グアニジン化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。

Figure 2013015590
Hereinafter, although the specific example of a guanidine compound is shown, it is not limited to these.
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

Figure 2013015590
Figure 2013015590

その他、本発明に係る組成物に使用可能なものとして、特開2002−363146号公報の実施例で合成されている化合物、及び特開2007−298569号公報の段落0108に記載の化合物等が挙げられる。   Other examples that can be used in the composition according to the present invention include compounds synthesized in Examples of JP-A No. 2002-363146, and compounds described in paragraph 0108 of JP-A No. 2007-298869. It is done.

塩基性化合物として、感光性の塩基性化合物を用いてもよい。感光性の塩基性化合物としては、例えば、特表2003−524799号公報、及び、J.Photopolym.Sci&Tech.Vol.8,P.543−553(1995)等に記載の化合物を用いることができる。   A photosensitive basic compound may be used as the basic compound. As the photosensitive basic compound, for example, JP-T-2003-524799 and J. Org. Photopolym. Sci & Tech. Vol. 8, P.I. 543-553 (1995) etc. can be used.

塩基性化合物の分子量は、通常は100〜1500であり、好ましくは150〜1300であり、より好ましくは200〜1000である。   The molecular weight of the basic compound is usually 100-1500, preferably 150-1300, and more preferably 200-1000.

これらの塩基性化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   These basic compounds may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

本発明に係る組成物が塩基性化合物を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.01〜8.0質量%であることが好ましく、0.1〜5.0質量%であることがより好ましく、0.2〜4.0質量%であることが特に好ましい。   When the composition according to the present invention contains a basic compound, the content is preferably 0.01 to 8.0% by mass based on the total solid content of the composition, More preferably, it is 5.0 mass%, and it is especially preferable that it is 0.2-4.0 mass%.

塩基性化合物の光酸発生剤に対するモル比は、好ましくは0.01〜10とし、より好ましくは0.05〜5とし、更に好ましくは0.1〜3とする。このモル比を過度に大きくすると、感度及び/又は解像度が低下する場合がある。このモル比を過度に小さくすると、露光と加熱(ポストベーク)との間において、パターンの細りを生ずる可能性がある。より好ましくは0.05〜5、更に好ましくは0.1〜3である。なお、上記モル比における光酸発生剤とは、上記樹脂の繰り返し単位(B)と上記樹脂が更に含んでいてもよい光酸発生剤との合計の量を基準とするものである。   The molar ratio of the basic compound to the photoacid generator is preferably 0.01 to 10, more preferably 0.05 to 5, and still more preferably 0.1 to 3. If this molar ratio is excessively increased, sensitivity and / or resolution may be reduced. If this molar ratio is excessively small, there is a possibility that pattern thinning occurs between exposure and heating (post-bake). More preferably, it is 0.05-5, More preferably, it is 0.1-3. The photoacid generator at the molar ratio is based on the total amount of the repeating unit (B) of the resin and the photoacid generator that the resin may further contain.

(界面活性剤)
本発明に係る組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。この界面活性剤として
は、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が特に好ましい。
(Surfactant)
The composition according to the present invention may further contain a surfactant. As this surfactant, fluorine-based and / or silicon-based surfactants are particularly preferable.

フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、大日本インキ化学工業(株)製のメガファックF176及びメガファックR08、OMNOVA社製のPF656及びPF6320、トロイケミカル(株)製のトロイゾルS−366、住友スリーエム(株)製のフロラードFC430、並びに、信越化学工業(株)製のポリシロキサンポリマーKP−341が挙げられる。   Examples of the fluorine-based and / or silicon-based surfactant include Megafac F176 and Megafac R08 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, PF656 and PF6320 manufactured by OMNOVA, and Troisol S manufactured by Troy Chemical Co., Ltd. -366, Fluorard FC430 manufactured by Sumitomo 3M Limited, and polysiloxane polymer KP-341 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

フッ素系及び/又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。この界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類及びポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類等のノニオン系界面活性剤が挙げられる。   Surfactants other than fluorine and / or silicon may be used. Examples of the surfactant include nonionic surfactants such as polyoxyethylene alkyl ethers and polyoxyethylene alkyl aryl ethers.

その他、公知の界面活性剤を適宜使用することができる。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。   In addition, known surfactants can be used as appropriate. Examples of the surfactant that can be used include surfactants described in [0273] and after in US 2008 / 0248425A1.

界面活性剤は、1種類を単独で使用してもよいし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明に係る組成物が界面活性剤を更に含んでいる場合、その使用量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.0001〜2質量%とし、より好ましくは0.001〜1質量%とする。
One type of surfactant may be used alone, or two or more types may be used in combination.
When the composition according to the present invention further contains a surfactant, the amount used is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 2, based on the total solid content of the composition. 1% by mass.

(染料)
本発明に係る組成物は、染料を更に含んでいてもよい。好適な染料としては、例えば、油性染料及び塩基性染料が挙げられる。具体的には、例えば、オイルイエロー#101、オイルイエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オイルブルーBOS、オイルブルー#603、オイルブラックBY、オイルブラックBS及びオイルブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社製)、並びに、クリスタルバイオレット(CI42555)、メチルバイオレット(CI42535)、ローダミンB(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42000)及びメチレンブルー(CI52015)が挙げられる。
(dye)
The composition according to the present invention may further contain a dye. Suitable dyes include, for example, oily dyes and basic dyes. Specifically, for example, oil yellow # 101, oil yellow # 103, oil pink # 312, oil green BG, oil blue BOS, oil blue # 603, oil black BY, oil black BS, and oil black T-505 (or above) Orient Chemical Industry Co., Ltd.), crystal violet (CI42555), methyl violet (CI42535), rhodamine B (CI45170B), malachite green (CI42000), and methylene blue (CI522015).

(光塩基発生剤)
本発明に係る組成物は、光塩基発生剤を更に含んでいてもよい。光塩基発生剤を含有させると、更に良好なパターンを形成することが可能となる。
(Photobase generator)
The composition according to the present invention may further contain a photobase generator. When a photobase generator is contained, a more favorable pattern can be formed.

光塩基発生剤としては、例えば、特開平4−151156号、同4−162040号、同5−197148号、同5−5995号、同6−194834号、同8−146608号、同10−83079号、及び欧州特許622682号に記載の化合物が挙げられる。   Examples of the photobase generator include JP-A-4-151156, JP-A-4-162040, JP-A-5-197148, JP-A-5-5995, JP-A-6-194634, JP-A-8-146608, and JP-A-10-83079. And compounds described in European Patent No. 622682.

好ましい光塩基発生剤としては、具体的には、2−ニトロベンジルカルバメート、2,5−ジニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、N−シクロヘキシル−4−メチルフェニルスルホンアミド及び1,1−ジメチル−2−フェニルエチル−N−イソプロピルカーバメートが挙げられる。   Preferred photobase generators include 2-nitrobenzyl carbamate, 2,5-dinitrobenzyl cyclohexyl carbamate, N-cyclohexyl-4-methylphenylsulfonamide and 1,1-dimethyl-2-phenylethyl- N-isopropyl carbamate may be mentioned.

(酸化防止剤)
本発明に係る組成物は、酸化防止剤を更に含んでいてもよい。酸化防止剤を含有させると、酸素の存在下における有機材料の酸化を抑制することが可能となる。
(Antioxidant)
The composition according to the present invention may further contain an antioxidant. When the antioxidant is contained, it is possible to suppress the oxidation of the organic material in the presence of oxygen.

酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、有機酸誘導体からなる酸化防止剤、硫黄含有酸化防止剤、リン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、アミン−アルデヒド縮合物からなる酸化防止剤、及びアミン−ケトン縮合物からなる酸化防止剤が挙げられる。これら酸化防止剤のうち、フェノール系酸化防止剤及び有機酸誘導体からなる酸化防止剤を使用することが特に好ましい。こうすると、組成物の性能を低下させることなしに、酸化防止剤としての機能を発現させることができる。   Examples of antioxidants include phenolic antioxidants, antioxidants composed of organic acid derivatives, sulfur-containing antioxidants, phosphorus antioxidants, amine antioxidants, and antioxidants composed of amine-aldehyde condensates. And an antioxidant comprising an amine-ketone condensate. Of these antioxidants, it is particularly preferable to use an antioxidant comprising a phenolic antioxidant and an organic acid derivative. If it carries out like this, the function as antioxidant can be expressed, without reducing the performance of a composition.

フェノール系酸化防止剤としては、例えば、置換フェノール類、又は、ビス、トリス若しくはポリフェノール類を使用することができる。   As the phenolic antioxidant, for example, substituted phenols, bis, tris, or polyphenols can be used.

置換フェノール類としては、例えば、1−オキシ−3−メチル−4−イソプロピルベンゼン、2,6−ジ−tert−ブチルフェノール、2,6−ジ−tert−ブチル−4エチルフェノール、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール、4−ヒドロキシメチル−2,6−ジ−tert−ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、2−(1−メチルシクロヘキシル)−4,6−ジメチルフェノール、2,4−ジメチル6−tert−ブチルフェノール、2−メチル−4,6−ジノニルフェノール、2,6ジ−tert−ブチル−α−ジメチルアミノ−p−クレゾール、6−(4−ヒドロキシ3,5−ジ−tert−ブチルアニリノ)2,4−ビス・オクチル−チオ−1,3,5トリアジン、n−オクタデシル−3−(4’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−tertブチル・フェニル)プロピオネート、オクチル化フェノール、アラルキル置換フェノール類、アルキル化−p−クレゾール、及びヒンダードフェノールが挙げられる。   Examples of substituted phenols include 1-oxy-3-methyl-4-isopropylbenzene, 2,6-di-tert-butylphenol, 2,6-di-tert-butyl-4ethylphenol, and 2,6-diphenyl. -Tert-butyl-4-methylphenol, 4-hydroxymethyl-2,6-di-tert-butylphenol, butylhydroxyanisole, 2- (1-methylcyclohexyl) -4,6-dimethylphenol, 2,4-dimethyl 6-tert-butylphenol, 2-methyl-4,6-dinonylphenol, 2,6 di-tert-butyl-α-dimethylamino-p-cresol, 6- (4-hydroxy-3,5-di-tert-butylanilino ) 2,4-Bis-octyl-thio-1,3,5 triazine, n-octadecyl-3- (4 - hydroxy -3 ', 5'-di -tert-butyl-phenyl) propionate, octyl phenol, aralkyl-substituted phenols, alkylated -p- cresol, and include hindered phenols.

ビス、トリス若しくはポリフェノール類としては、例えば、4,4’−ジヒドロキシジフェニル、メチレンビス(ジメチル−4,6−フェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−シクロヘキシル・フェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−エチル−6−tert−ブチルフェノール)、4,4’−メチレン−ビス−(2,6−ジ−tert−ブチルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(6−アルファメチル−ベンジル−p−クレゾール)、メチレン架橋した多価アルキルフェノール、4,4’−ブチリデンビス−(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、1,1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサン、2,2’−ジヒドロキシ−3,3’−ジ−( αメチルシクロヘキシル)−5,5’−ジメチルジフェニルメタン、アルキル化ビスフェノール、ヒンダードビスフェノール、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert−ブチルフェニル)ブタン、及びテトラキス−[メチレン−3−(3’,5’−ジ−tert−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メタンが挙げられる。   Examples of bis, tris, or polyphenols include 4,4′-dihydroxydiphenyl, methylene bis (dimethyl-4,6-phenol), and 2,2′-methylene-bis- (4-methyl-6-tert-butylphenol). 2,2′-methylene-bis- (4-methyl-6-cyclohexyl phenol), 2,2′-methylene-bis- (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 4,4′-methylene- Bis- (2,6-di-tert-butylphenol), 2,2′-methylene-bis- (6-alphamethyl-benzyl-p-cresol), methylene-bridged polyhydric alkylphenol, 4,4′-butylidenebis- (3-methyl-6-tert-butylphenol), 1,1-bis- (4-hydroxyphenyl) -cyclohexane Sun, 2,2′-dihydroxy-3,3′-di- (α-methylcyclohexyl) -5,5′-dimethyldiphenylmethane, alkylated bisphenol, hindered bisphenol, 1,3,5-trimethyl-2,4 6-tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, tris- (2-methyl-4-hydroxy-5-tert-butylphenyl) butane, and tetrakis- [methylene-3- ( 3 ', 5'-di-tert-butyl-4'-hydroxyphenyl) propionate] methane.

酸化防止剤としては、好ましくは、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、4−ヒドロキシメチル−2,6−ジ−t−ブチルフェノール、2、2’−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、ブチルヒドロキシアニソール、t−ブチルヒドロキノン、2,4,5−トリヒドロキシブチロフェノン、ノルジヒドログアヤレチック酸、没食子酸プロピル、没食子酸オクチル、没食子酸ラウリル、及びクエン酸イソプロピルが挙げられる。これらのうち、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、4−ヒドロキシメチル−2,6−ジ−t−ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、t−ブチルヒドロキノンがより好ましく、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール又は4−ヒドロキシメチル−2,6−ジ−t−ブチルフェノールが更に好ましい。   The antioxidant is preferably 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 4-hydroxymethyl-2,6-di-t-butylphenol, 2,2′-methylenebis (4-methyl- 6-t-butylphenol), butylhydroxyanisole, t-butylhydroquinone, 2,4,5-trihydroxybutyrophenone, nordihydroguaiaretic acid, propyl gallate, octyl gallate, lauryl gallate, and isopropyl citrate. Can be mentioned. Of these, 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 4-hydroxymethyl-2,6-di-t-butylphenol, butylhydroxyanisole, and t-butylhydroquinone are more preferable. Di-t-butyl-4-methylphenol or 4-hydroxymethyl-2,6-di-t-butylphenol is more preferred.

酸化防止剤は、1種類を単独で使用してもよく、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明に係る組成物に酸化防止剤を含有させる場合、その添加量は、好ましくは1ppm以上とし、より好ましくは5ppm以上とし、更に好ましくは10ppm以上とし、更により好ましくは50ppm以上とし、特に好ましくは100ppm以上とし、最も好ましくは100〜1000ppmとする。
One type of antioxidant may be used alone, or two or more types may be used in combination.
When the composition according to the present invention contains an antioxidant, the amount added is preferably 1 ppm or more, more preferably 5 ppm or more, still more preferably 10 ppm or more, still more preferably 50 ppm or more, particularly preferably. Is 100 ppm or more, and most preferably 100 to 1000 ppm.

(溶剤)
本発明に係る組成物は、溶剤を更に含んでいてもよい。この溶剤としては、典型的には、有機溶剤を使用する。この有機溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン(好ましくは炭素数4〜10)、環を含有していてもよいモノケトン化合物(好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキルが挙げられる。
(solvent)
The composition according to the present invention may further contain a solvent. Typically, an organic solvent is used as this solvent. Examples of the organic solvent include alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate, alkylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate ester, alkyl alkoxypropionate, cyclic lactone (preferably having 4 to 10 carbon atoms), and a ring. Good monoketone compounds (preferably having 4 to 10 carbon atoms), alkylene carbonate, alkyl alkoxyacetate, and alkyl pyruvate are mentioned.

アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA;別名1−メトキシ−2アセトキシプロパン)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。   Examples of the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate include propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA; also known as 1-methoxy-2-acetoxypropane), propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, Preferred are propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate.

アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME;別名1−メトキシ−2−プロパノール)、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、及びエチレングリコールモノエチルエーテルが挙げられる。   Examples of the alkylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether (PGME; also known as 1-methoxy-2-propanol), propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, and And ethylene glycol monoethyl ether.

乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル及び乳酸ブチルが挙げられる。
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル及び3−メトキシプロピオン酸エチルが挙げられる。
Examples of the lactate alkyl ester include methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate and butyl lactate.
Examples of the alkyl alkoxypropionate include ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-methoxypropionate.

環状ラクトンとしては、例えば、β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−メチル−γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−オクタノイックラクトン及び α−ヒドロキシ−γブチロラクトンが挙げられる。   Examples of the cyclic lactone include β-propiolactone, β-butyrolactone, γ-butyrolactone, α-methyl-γ-butyrolactone, β-methyl-γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-caprolactone, and γ-octano. And iclactone and α-hydroxy-γ butyrolactone.

環を含有していてもよいモノケトン化合物としては、例えば、2−ブタノン、3−メチルブタノン、ピナコロン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、3−メチル−2−ペンタノン、4−メチル−2−ペンタノン、2−メチル−3−ペンタノン、4,4−ジメチル−2−ペンタノン、2,4−ジメチル−3−ペンタノン、2,2,4,4−テトラメチル−3−ペンタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、5−メチル−3−ヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−メチル−3−ヘプタノン、5−メチル−3−ヘプタノン、2,6−ジメチル−4−ヘプタノン、2−オクタノン、3−オクタノン、2−ノナノン、3−ノナノン、5−ノナノン、2−デカノン、3−デカノン、4−デカノン、5−ヘキセン−2−オン、3−ペンテン−2−オン、シクロペンタノン、2−メチルシクロペンタノン、3−メチルシクロペンタノン、2,2−ジメチルシクロペンタノン、2,4,4−トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3−メチルシクロヘキサノン、4−メチルシクロヘキサノン、4−エチルシクロヘキサノン、2,2−ジメチルシクロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6−トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2−メチルシクロヘプタノン及び3−メチルシクロヘプタノンが挙げられる。   Examples of the monoketone compound which may contain a ring include 2-butanone, 3-methylbutanone, pinacolone, 2-pentanone, 3-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 4-methyl-2-pentanone, 2-methyl-3-pentanone, 4,4-dimethyl-2-pentanone, 2,4-dimethyl-3-pentanone, 2,2,4,4-tetramethyl-3-pentanone, 2-hexanone, 3-hexanone 5-methyl-3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 2-methyl-3-heptanone, 5-methyl-3-heptanone, 2,6-dimethyl-4-heptanone, 2-octanone , 3-octanone, 2-nonanone, 3-nonanone, 5-nonanone, 2-decanone, 3-decanone, 4-decanone, 5-hexen-2-one 3-penten-2-one, cyclopentanone, 2-methylcyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, 2,2-dimethylcyclopentanone, 2,4,4-trimethylcyclopentanone, cyclohexanone, 3 -Methylcyclohexanone, 4-methylcyclohexanone, 4-ethylcyclohexanone, 2,2-dimethylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone, 2,2,6-trimethylcyclohexanone, cycloheptanone, 2-methylcycloheptanone and 3- And methylcycloheptanone.

アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート及びブチレンカーボネートが挙げられる。
アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸−2−メトキシエチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、酢酸−3−メトキシ−3メチルブチル、及び酢酸−1−メトキシ−2−プロピルが挙げられる。
ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル及びピルビン酸プロピルが挙げられる。
Examples of the alkylene carbonate include propylene carbonate, vinylene carbonate, ethylene carbonate, and butylene carbonate.
Examples of the alkyl alkoxyacetate include, for example, 2-methoxyethyl acetate, 2-ethoxyethyl acetate, 2- (2-ethoxyethoxy) ethyl acetate, 3-methoxy-3-methylbutyl acetate, and 1-methoxy-acetate 2-propyl is mentioned.
Examples of the alkyl pyruvate include methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and propyl pyruvate.

溶剤としては、常温常圧下における沸点が130℃以上であるものを用いることが好ましい。具体的には、例えば、シクロペンタノン、 γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、PGMEA、3エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル及びプロピレンカーボネートが挙げられる。   As the solvent, it is preferable to use a solvent having a boiling point of 130 ° C. or higher under normal temperature and pressure. Specifically, for example, cyclopentanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, ethyl lactate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, PGMEA, ethyl ethoxypropionate, ethyl pyruvate, 2-ethoxyethyl acetate, acetic acid-2- (2-Ethoxyethoxy) ethyl and propylene carbonate are mentioned.

これら溶剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を混合して用いてもよい。後者の場合、水酸基を含んだ溶剤と水酸基を含んでいない溶剤との混合溶剤を使用することが好ましい。   These solvents may be used alone or in combination of two or more. In the latter case, it is preferable to use a mixed solvent of a solvent containing a hydroxyl group and a solvent not containing a hydroxyl group.

水酸基を含んだ溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、PGME、プロピレングリコールモノエチルエーテル及び乳酸エチル等が挙げられる。これらのうち、PGME及び乳酸エチルが特に好ましい。   Examples of the solvent containing a hydroxyl group include ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, PGME, propylene glycol monoethyl ether, and ethyl lactate. Of these, PGME and ethyl lactate are particularly preferred.

水酸基を含んでいない溶剤としては、例えば、PGMEA、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、 γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、 γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン及び酢酸ブチルが挙げられる。これらのうち、PGMEA、エチルエトキシプロピオネート及び2−ヘプタノンが特に好ましい。   Examples of the solvent not containing a hydroxyl group include PGMEA, ethylethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide and the like. Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone and butyl acetate can be mentioned. Of these, PGMEA, ethyl ethoxypropionate and 2-heptanone are particularly preferred.

水酸基を含んだ溶剤と水酸基を含んでいない溶剤との混合溶剤を使用する場合、これらの質量比は、好ましくは1/99〜99/1とし、より好ましくは10/90〜90/10とし、更に好ましくは20/80〜60/40とする。   When using a mixed solvent of a solvent containing a hydroxyl group and a solvent not containing a hydroxyl group, these mass ratios are preferably 1/99 to 99/1, more preferably 10/90 to 90/10, More preferably, it is set to 20/80 to 60/40.

なお、水酸基を含んでいない溶剤を50質量%以上含んだ混合溶剤を用いると、特に優れた塗布均一性を達成し得る。また、溶剤は、PGMEAと他の1種以上の溶剤との混合溶剤であることが特に好ましい。   When a mixed solvent containing 50% by mass or more of a solvent not containing a hydroxyl group is used, particularly excellent coating uniformity can be achieved. The solvent is particularly preferably a mixed solvent of PGMEA and one or more other solvents.

本発明の組成物中における溶剤の含有率は、所望の膜厚等に応じて適宜調整可能であるが、一般的には組成物の全固形分濃度が0.5〜30質量%、好ましくは1.0〜20質量%、より好ましくは1.5〜10質量%となるように調製される。   The content of the solvent in the composition of the present invention can be appropriately adjusted according to the desired film thickness and the like, but generally the total solid content concentration of the composition is 0.5 to 30% by mass, preferably It is prepared so that it may become 1.0-20 mass%, More preferably, it is 1.5-10 mass%.

<パターン形成方法>
本発明は、上記した本発明の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜に関する。また、本発明のパターン形成方法は、上記感活性光線性又は感放射線性膜を、露光、現像する工程を有している。
<Pattern formation method>
The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film formed using the above-described composition of the present invention. Moreover, the pattern formation method of this invention has the process of exposing and developing the said actinic-light sensitive or radiation sensitive film | membrane.

本発明に係る組成物は、典型的には、以下のようにして用いられる。即ち、本発明に係る組成物は、典型的には、基板等の支持体上に塗布されて、膜を形成する。この膜の厚みは、0.02〜0.1μmが好ましい。基板上に塗布する方法としては、スピン塗布が好ましく、その回転数は1000〜3000rpmが好ましい。   The composition according to the present invention is typically used as follows. That is, the composition according to the present invention is typically applied on a support such as a substrate to form a film. The thickness of this film is preferably 0.02 to 0.1 μm. As a method of coating on the substrate, spin coating is preferable, and the rotation speed is preferably 1000 to 3000 rpm.

この組成物は、例えば、精密集積回路素子やインプリント用モールドなどの製造等に使用される基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆、窒化シリコン及びクロム蒸着された石英基板など)上に、スピナー及びコーター等を用いて塗布される。その後、これを乾燥させて、感活性光線性又は感放射線性の膜(以下、レジスト膜ともいう)を形成する。なお、公知の反射防止膜を予め塗設することもできる。   This composition can be applied to, for example, a spinner and a substrate on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating, silicon nitride and chromium-deposited quartz substrate) used for manufacturing precision integrated circuit elements and imprint molds. It is applied using a coater or the like. Thereafter, this is dried to form an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film (hereinafter also referred to as a resist film). In addition, a known antireflection film can be applied in advance.

次いで、上記の感活性光線性又は感放射線性膜に活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(通常80〜150℃、より好ましくは90〜130℃)を行った後、現像する。ベークを行うことにより、更に良好なパターンを得ることが可能となる。   Next, the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film is irradiated with actinic rays or radiation, and preferably baked (usually 80 to 150 ° C., more preferably 90 to 130 ° C.), followed by development. By performing baking, a more favorable pattern can be obtained.

活性光線又は放射線としては、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、X線、及び電子線が挙げられる。これら活性光線又は放射線としては、例えば250nm以下、特には220nm以下の波長を有したものがより好ましい。このような活性光線又は放射線としては、例えば、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、Fエキシマレーザー(157nm)、X線、及び電子線が挙げられる。好ましい活性光線又は放射線としては、例えば、KrFエキシマーレーザー、電子線、X線及びEUV光が挙げられる。より好ましくは、電子線、X線及びEUV光である。 Examples of actinic rays or radiation include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-rays, and electron beams. As these actinic rays or radiation, for example, those having a wavelength of 250 nm or less, particularly 220 nm or less are more preferable. Examples of such actinic rays or radiation include KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157 nm), X-rays, and electron beams. Preferable actinic rays or radiations include, for example, KrF excimer laser, electron beam, X-ray and EUV light. More preferred are electron beam, X-ray and EUV light.

すなわち、本発明は、KrFエキシマーレーザー、電子線、X線又はEUV光用(より好ましくは電子線、X線又はEUV光用)感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物にも関する。   That is, the present invention also relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition for KrF excimer laser, electron beam, X-ray or EUV light (more preferably for electron beam, X-ray or EUV light).

現像工程では、通常、アルカリ現像液を用いる。
アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム及びアンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン及びn−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン及びジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン及びメチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン及びトリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、又は、ピロール及びピヘリジン等の環状アミン類を含んだアルカリ性水溶液が挙げられる。
In the development step, an alkali developer is usually used.
Examples of the alkaline developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine and Secondary amines such as di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, and fourth amines such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. Examples include alkaline aqueous solutions containing a quaternary ammonium salt or cyclic amines such as pyrrole and pihelidine.

アルカリ現像液には、適当量のアルコール類及び/又は界面活性剤を添加してもよい。
アルカリ現像液の濃度は、通常は0.1〜20質量%である。アルカリ現像液のpH
は、通常は10.0〜15.0である。
An appropriate amount of alcohols and / or surfactant may be added to the alkaline developer.
The concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass. PH of alkaline developer
Is usually 10.0 to 15.0.

なお、本発明に係る組成物を用いてインプリント用モールドを作製してもよく、その詳細については、例えば、特許第4109085号公報、特開2008−162101号公報、及び「ナノインプリントの基礎と技術開発・応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開―編集:平井義彦(フロンティア出版)」を参照されたい。   In addition, you may produce the mold for imprint using the composition which concerns on this invention, For the details, for example, the patent 4109085 gazette, Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-162101, and "the foundation and technique of nanoimprint" See “Development and Application Development-Nanoimprint Substrate Technology and Latest Technology Development-Editing: Yoshihiko Hirai (Frontier Publishing)”.

以下、本発明の態様を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。
〔合成例1:樹脂(Aa−6)〕
先に挙げた樹脂(Aa−6)を、下記のスキームに従って合成した。
14.42gのp−ヒドロキシスチレン(50.00質量%プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液)と、9.44gのメタクリル酸1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピルと、1.15gの重合開始剤V−601(和光純薬工業(株)製)とを、6.11gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解させた。反応容器中に3.33gのPGMEAを入れ、窒素ガス雰囲気下、85℃の系中に2時間かけて滴下した。反応溶液を4時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。
Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described in more detail by way of examples, but the contents of the present invention are not limited thereto.
[Synthesis Example 1: Resin (Aa-6)]
The resin (Aa-6) listed above was synthesized according to the following scheme.
14.42 g of p-hydroxystyrene (50.00 wt% propylene glycol monomethyl ether acetate solution), 9.44 g of 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl methacrylate and 1.15 g Polymerization initiator V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was dissolved in 6.11 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA). 3.33 g of PGMEA was put in the reaction vessel, and dropped into the system at 85 ° C. in a nitrogen gas atmosphere over 2 hours. The reaction solution was heated and stirred for 4 hours, and then allowed to cool to room temperature.

上記反応溶液を、50gのアセトンを加えることにより希釈した。希釈した溶液を850gのヘキサン/酢酸エチル=8/2中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。250gのヘキサンを用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。その後、洗浄後の固体を減圧乾燥に供して、9.99gの樹脂(Aa−6)を得た。   The reaction solution was diluted by adding 50 g of acetone. The diluted solution was dropped into 850 g of hexane / ethyl acetate = 8/2 to precipitate the polymer and filtered. The filtered solid was washed with 250 g of hexane. Thereafter, the washed solid was subjected to vacuum drying to obtain 9.99 g of resin (Aa-6).

この樹脂(Aa−6)について、GPC(東ソー株式会社製;HLC−8120;Tsk gel Multipore HXL−M)を用いて重量平均分子量(Mw)及び分散度(Mw/Mn)を測定した。その結果を、組成比と共に下記表に示す。なお、このGPC測定では、溶媒としてTHFを用いた。   About this resin (Aa-6), the weight average molecular weight (Mw) and dispersion degree (Mw / Mn) were measured using GPC (the Tosoh Corporation make; HLC-8120; Tsk gel Multipore HXL-M). The results are shown in the following table together with the composition ratio. In this GPC measurement, THF was used as a solvent.

〔その他の樹脂(Aa)〕
先に挙げた樹脂(Aa−1)〜(Aa−46)の中から、下表に示す樹脂の各々を、合成例1で述べたのと同様にして合成した。また、これら樹脂について、合成例1で述べたのと同様にして重量平均分子量(Mw)及び分散度(Mw/Mn)を測定した。その結果を組成比と共に下記表1に示す。

Figure 2013015590
[Other resins (Aa)]
Each of the resins shown in the following table was synthesized in the same manner as described in Synthesis Example 1 from the resins (Aa-1) to (Aa-46) listed above. For these resins, the weight average molecular weight (Mw) and dispersity (Mw / Mn) were measured in the same manner as described in Synthesis Example 1. The results are shown in Table 1 below together with the composition ratio.
Figure 2013015590

〔合成例2:樹脂(Ab−42)〕
樹脂Ab−42を、下記のスキームに従って合成した。

Figure 2013015590
[Synthesis Example 2: Resin (Ab-42)]
Resin Ab-42 was synthesized according to the following scheme.
Figure 2013015590

<化合物(5)の合成>
100.00gの化合物(1)を、400gの酢酸エチルに溶解させた。得られた溶液を0℃に冷却し、47.60gのナトリウムメトキシド(28質量%メタノール溶液)を30分かけて滴下した。その後、これを室温で5時間に亘って撹拌した。反応溶液に酢酸エチルを加えて、有機層を蒸留水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、化合物(2)(54質量%酢酸エチル溶液)131.70gを得た。
<Synthesis of Compound (5)>
100.00 g of compound (1) was dissolved in 400 g of ethyl acetate. The obtained solution was cooled to 0 ° C., and 47.60 g of sodium methoxide (28 mass% methanol solution) was added dropwise over 30 minutes. This was then stirred at room temperature for 5 hours. Ethyl acetate was added to the reaction solution, and the organic layer was washed 3 times with distilled water and then dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was distilled off. In this way, 131.70 g of Compound (2) (54% by mass ethyl acetate solution) was obtained.

18.52gの化合物(2)(54質量%酢酸エチル溶液)に、56.00gの酢酸エチルを加えた。これに、31.58gの1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロパン−1,3−ジスルホニルジフルオリドを加え、0℃に冷却した。12.63gのトリエチルアミンを25.00gの酢酸エチルに溶解させた溶液を30分かけて滴下し、液温を0℃に維持したまま4時間に亘って撹拌した。酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、32.90gの化合物(3)を得た。   56.00 g of ethyl acetate was added to 18.52 g of compound (2) (54 mass% ethyl acetate solution). To this, 31.58 g of 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropane-1,3-disulfonyldifluoride was added and cooled to 0 ° C. A solution prepared by dissolving 12.63 g of triethylamine in 25.00 g of ethyl acetate was added dropwise over 30 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while maintaining the liquid temperature at 0 ° C. Ethyl acetate was added, and the organic layer was washed 3 times with saturated brine, dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was evaporated. In this way, 32.90 g of compound (3) was obtained.

35.00gの化合物(3)を315gのメタノールに溶解させ、0℃に冷却し、245gの1規定水酸化ナトリウム水溶液を加えて、室温で2時間撹拌した。溶媒を留去した後、酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、34.46gの化合物(4)を得た。   35.00 g of compound (3) was dissolved in 315 g of methanol, cooled to 0 ° C., 245 g of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. After the solvent was distilled off, ethyl acetate was added, and the organic layer was washed 3 times with saturated brine and then dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was distilled off. In this way, 34.46 g of compound (4) was obtained.

28.25gの化合物(4)を254.25gのメタノールに溶解させ、23.34gのトリフェニルスルホニウムブロミドを加え、室温で3時間撹拌した。溶媒を留去して、蒸留水を加えて、クロロホルムで3回抽出した。得られた有機層を蒸留水で3回洗浄した後、溶媒を留去した。このようにして、42.07gの化合物(5)を得た。   28.25 g of compound (4) was dissolved in 254.25 g of methanol, 23.34 g of triphenylsulfonium bromide was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. The solvent was distilled off, distilled water was added, and the mixture was extracted 3 times with chloroform. The obtained organic layer was washed 3 times with distilled water, and then the solvent was distilled off. In this way, 42.07 g of compound (5) was obtained.

<樹脂(Ab−42)の合成>
8.15gのp−ヒドロキシスチレン(6)(53.1質量%プロピレングリコールモノメチルエーテル溶液)と、8.22gの化合物(7)と、7.31gの化合物(5)と、2.07gの重合開始剤V−601(和光純薬工業(株)製)とを、34.00gのプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)に溶解させた。反応容器中に8.50gのPGMEを入れ、窒素ガス雰囲気下、85℃の系中に2時間かけて滴下した。反応溶液を4時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。
<Synthesis of Resin (Ab-42)>
8.15 g of p-hydroxystyrene (6) (53.1 wt% propylene glycol monomethyl ether solution), 8.22 g of compound (7), 7.31 g of compound (5), and 2.07 g of polymerization Initiator V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was dissolved in 34.00 g of propylene glycol monomethyl ether (PGME). 8.50 g of PGME was put in the reaction vessel, and dropped into the system at 85 ° C. over 2 hours under a nitrogen gas atmosphere. The reaction solution was heated and stirred for 4 hours, and then allowed to cool to room temperature.

上記反応溶液を、33gのアセトンを加えることにより希釈した。希釈した溶液を1000gのヘキサン/酢酸エチル=8/2中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。250gのヘキサン/酢酸エチル=8/2を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。得られた固体を80gのアセトンに溶解させ、600gのメタノール/蒸留水=1/9中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。150gのメタノール/蒸留水=1/9を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。その後、洗浄後の固体を減圧乾燥に供して、12.90gの樹脂Ab−42を得た。   The reaction solution was diluted by adding 33 g of acetone. The diluted solution was dropped into 1000 g of hexane / ethyl acetate = 8/2 to precipitate the polymer and filtered. The filtered solid was washed with 250 g of hexane / ethyl acetate = 8/2. The obtained solid was dissolved in 80 g of acetone and dropped into 600 g of methanol / distilled water = 1/9 to precipitate the polymer, followed by filtration. The filtered solid was washed with 150 g of methanol / distilled water = 1/9. Thereafter, the washed solid was dried under reduced pressure to obtain 12.90 g of Resin Ab-42.

〔その他の樹脂(Ab)〕
先に挙げた樹脂(Ab−1)〜(Ab−91)の中から、下表に示す樹脂の各々を、合成例2で述べたのと同様にして合成した。また、これら樹脂について、合成例2で述べたのと同様にして重量平均分子量(Mw)及び分散度(Mw/Mn)を測定した。その結果を組成比と共に下記表2に示す。

Figure 2013015590
[Other resins (Ab)]
Each of the resins shown in the table below was synthesized in the same manner as described in Synthesis Example 2 from the resins (Ab-1) to (Ab-91) listed above. For these resins, the weight average molecular weight (Mw) and dispersity (Mw / Mn) were measured in the same manner as described in Synthesis Example 2. The results are shown in Table 2 below together with the composition ratio.
Figure 2013015590

<塩基性化合物>
塩基性化合物としては、下記N−1〜N−7の何れかを用いた。なお、N−7は、上述した化合物(PA)に該当する。

Figure 2013015590
<Basic compound>
Any of the following N-1 to N-7 was used as the basic compound. N-7 corresponds to the compound (PA) described above.
Figure 2013015590

〔合成例3:化合物N−7〕
特開2006−330098号公報の[0354]の記載に基づいて、化合物N−7を合成した。
[Synthesis Example 3: Compound N-7]
Compound N-7 was synthesized based on the description in [0354] of JP-A-2006-330098.

<界面活性剤>
界面活性剤としては、下記W−1〜W−4の何れかを用いた。
W−1:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製;フッ素及びシリコン系)
W−2:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製;シリコン系)
W−3:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製;フッ素系)
W−4:PF6320(OMNOVA社製;フッ素系)
<溶剤>
溶剤としては、下記S−1〜S−4の何れかを適宜混合して用いた。
S−1:PGMEA(b.p.=146℃)
S−2:PGME(b.p.=120℃)
S−3:乳酸メチル(b.p.=145℃)
S−4:シクロヘキサノン(b.p.=157℃)
<レジスト評価(EB)>
下記表3に示す各成分を、同表に示す溶剤に溶解させて、固形分濃度が3.0質量%の溶液を調製した。この溶液をポアサイズ0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルタを用いてろ過して、ポジ型レジスト溶液を得た。
<Surfactant>
Any of the following W-1 to W-4 was used as the surfactant.
W-1: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd .; fluorine and silicon)
W-2: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .; silicon-based)
W-3: Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co .; fluorine type)
W-4: PF6320 (manufactured by OMNOVA; fluorine-based)
<Solvent>
As the solvent, any one of the following S-1 to S-4 was appropriately mixed and used.
S-1: PGMEA (bp = 146 ° C.)
S-2: PGME (bp = 120 ° C.)
S-3: Methyl lactate (bp = 145 ° C.)
S-4: Cyclohexanone (bp = 157 ° C.)
<Resist evaluation (EB)>
Each component shown in the following Table 3 was dissolved in the solvent shown in the same table to prepare a solution having a solid content concentration of 3.0% by mass. This solution was filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.1 μm to obtain a positive resist solution.

表3中に示した「質量%」の数値は、組成物の界面活性剤を除く全固形分を基準とした値である。なお、界面活性剤の含有率は、組成物の界面活性剤を除く全固形分に対して0.01質量%である。   The numerical value of “mass%” shown in Table 3 is a value based on the total solid content excluding the surfactant in the composition. In addition, the content rate of surfactant is 0.01 mass% with respect to the total solid content except surfactant of a composition.

ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に、スピンコータを用いて、上記のポジ型レジスト溶液を塗布した。これを、110℃で90秒間に亘ってホットプレート上で加熱乾燥させ、平均膜厚が100nmのレジスト膜を得た。   The positive resist solution was applied onto a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater. This was heated and dried on a hot plate at 110 ° C. for 90 seconds to obtain a resist film having an average film thickness of 100 nm.

〔感度、パターン形状、ラフネス特性及び現像欠陥〕
このレジスト膜に対し、電子線照射装置((株)日立製作所製HL750;加速電圧50keV)を用いて電子線照射を行った。照射後直ぐに、130℃で90秒間に亘ってホットプレート上にて加熱した。その後、濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて、23℃で60秒間現像し、30秒間純水を用いてリンスした後、乾燥させた。これにより、ラインアンドスペースパターン(ライン:スペース=1:1)を形成した。
[Sensitivity, pattern shape, roughness characteristics and development defects]
The resist film was irradiated with an electron beam using an electron beam irradiation apparatus (HL750 manufactured by Hitachi, Ltd .; acceleration voltage 50 keV). Immediately after irradiation, it was heated on a hot plate at 130 ° C. for 90 seconds. Thereafter, development was performed at 23 ° C. for 60 seconds using an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution having a concentration of 2.38% by mass, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried. Thereby, a line and space pattern (line: space = 1: 1) was formed.

(感度)
まず、得られたラインアンドスペースパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4800)を用いて観察した。そして、100nmの線幅のラインを解像する際の最小照射エネルギーを求め、この値を「感度(μC/cm)」とした。
(sensitivity)
First, the cross-sectional shape of the obtained line and space pattern was observed using a scanning electron microscope (S-4800, manufactured by Hitachi, Ltd.). And the minimum irradiation energy at the time of resolving a line with a line width of 100 nm was calculated | required, and this value was made into "sensitivity ((micro | micron | mu) C / cm < 2 >)."

(パターン形状)
上記の感度を示す照射量における100nmラインパターン(ライン:スペース=1:1)の断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4800)を用いて観察した。そして、その形状を、「矩形」又は「テーパー」の2段階で評価した。
(Pattern shape)
The cross-sectional shape of a 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) at the irradiation dose showing the above sensitivity was observed using a scanning electron microscope (S-4800, manufactured by Hitachi, Ltd.). Then, the shape was evaluated in two stages of “rectangle” or “taper”.

(ラフネス特性:ラインエッジラフネス(LER))
上記の100nmラインパターン(ライン:スペース=1:1)を、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9260)を用いて観察した。そして、その長さ方向50μmに含まれる等間隔の30点について、エッジがあるべき基準線と実際のエッジとの間の距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3σを算出した。そして、この3σを「LER(nm)」とした。
(Roughness characteristics: Line edge roughness (LER))
The 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) was observed using a scanning electron microscope (S-9260, manufactured by Hitachi, Ltd.). And the distance between the reference line which should have an edge and the actual edge was measured about 30 points | pieces equally spaced in the length direction 50 micrometers. And the standard deviation of this distance was calculated | required and 3 (sigma) was computed. This 3σ was defined as “LER (nm)”.

〔現像欠陥評価〕
シリコンウエハ上に、上記のようにして形成したパターンについて、ケー・エル・エー・テンコール社製の欠陥検査装置KLA2360(商品名)を用い、欠陥検査装置のピクセルサイズを0.16μmに、また閾値を20に設定して、ランダムモードで測定し、比較イメージとピクセル単位の重ね合わせによって生じる差異から抽出される現像欠陥を検出して、単位面積あたりの現像欠陥数を算出した。値が1.0未満のものを二重丸、1.0以上5.0未満のものを○、5.0以上10.0未満のものを△、10.0以上のものを×とした。値が小さいほど良好な性能であることを示す。

Figure 2013015590
[Development defect evaluation]
For the pattern formed on the silicon wafer as described above, the defect inspection apparatus KLA2360 (trade name) manufactured by KLA-Tencor Corporation is used, the pixel size of the defect inspection apparatus is set to 0.16 μm, and the threshold value is set. Was set to 20 and measured in a random mode. Development defects extracted from a difference caused by superimposition of a comparison image and a pixel unit were detected, and the number of development defects per unit area was calculated. A value of less than 1.0 was indicated as a double circle, a value of 1.0 or more and less than 5.0 was evaluated as ◯, a value of 5.0 or more and less than 10.0 was evaluated as Δ, and a value of 10.0 or more was evaluated as ×. A smaller value indicates better performance.
Figure 2013015590

表3に示すように、実施例の組成物は、比較例の組成物と比較して、感度、パターン形状、LER及び現像欠陥の全てにおいて優れていた。   As shown in Table 3, the compositions of the examples were superior in sensitivity, pattern shape, LER, and development defects compared to the compositions of the comparative examples.

<レジスト評価(EUV)>
下記表4に示す各成分を、同表に示す溶剤に溶解させて、固形分濃度が1.5質量%の溶液を調製した。この溶液をポアサイズ0.1 μmのポリテトラフルオロエチレンフィルタを用いてろ過して、ポジ型レジスト溶液を得た。
<Resist evaluation (EUV)>
Each component shown in the following Table 4 was dissolved in the solvent shown in the same table to prepare a solution having a solid content concentration of 1.5% by mass. This solution was filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.1 μm to obtain a positive resist solution.

表4中に示した「質量%」の数値は、組成物の界面活性剤を除く全固形分を基準とした値である。なお、界面活性剤の含有量は、組成物の界面活性剤を除く全固形分に対して0.01質量%である。   The numerical value of “mass%” shown in Table 4 is a value based on the total solid content excluding the surfactant in the composition. In addition, content of surfactant is 0.01 mass% with respect to the total solid content except surfactant of a composition.

ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に、スピンコータを用いて、上記のポジ型レジスト溶液を塗布した。これを、120℃で90秒間に亘ってホットプレート上で加熱乾燥させ、平均膜厚が50nmのレジスト膜を得た。   The positive resist solution was applied onto a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater. This was heated and dried on a hot plate at 120 ° C. for 90 seconds to obtain a resist film having an average film thickness of 50 nm.

〔感度、パターン形状及びラフネス特性〕
このレジスト膜に対し、EUV露光装置を用いてEUV光を照射した。照射後直ぐに、130℃で90秒間に亘ってホットプレート上にて加熱した。その後、濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて、23℃で60秒間現像し、30秒間純水を用いてリンスした後、乾燥させた。これにより、ラインアンドスペースパターン(ライン:スペース=1:1)を形成した。
[Sensitivity, pattern shape and roughness characteristics]
The resist film was irradiated with EUV light using an EUV exposure apparatus. Immediately after irradiation, it was heated on a hot plate at 130 ° C. for 90 seconds. Thereafter, development was performed at 23 ° C. for 60 seconds using an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution having a concentration of 2.38% by mass, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried. Thereby, a line and space pattern (line: space = 1: 1) was formed.

(感度)
まず、得られたラインアンドスペースパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4800)を用いて観察した。そして、50nmの線幅のラインを解像する際の最小照射エネルギーを求め、この値を「感度(mJ/cm)」とした。
(sensitivity)
First, the cross-sectional shape of the obtained line and space pattern was observed using a scanning electron microscope (S-4800, manufactured by Hitachi, Ltd.). And the minimum irradiation energy at the time of resolving a line with a line width of 50 nm was calculated | required, and this value was made into "sensitivity (mJ / cm < 2 >)".

(パターン形状)
上記の感度を示す照射量における100nmラインパターン(ライン:スペース=1:1)の断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4800)を用いて観察した。そして、その形状を、「矩形」又は「テーパー」の2段階で評価した。
(Pattern shape)
The cross-sectional shape of a 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) at the irradiation dose showing the above sensitivity was observed using a scanning electron microscope (S-4800, manufactured by Hitachi, Ltd.). Then, the shape was evaluated in two stages of “rectangle” or “taper”.

(ラフネス特性:LER)
上記の100nmラインパターン(ライン:スペース=1:1)を、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9260)を用いて観察した。そして、その長さ方向50 μmに含まれる等間隔の30点について、エッジがあるべき基準線と実際のエッジとの間の距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3 σを算出した。そして、この3σを「LER(nm)」とした。
これらの評価結果を、下記表4に示す。

Figure 2013015590
(Roughness characteristics: LER)
The 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) was observed using a scanning electron microscope (S-9260, manufactured by Hitachi, Ltd.). And the distance between the reference line which should have an edge, and the actual edge was measured about 30 equally spaced points included in the length direction of 50 μm. And the standard deviation of this distance was calculated | required and 3 (sigma) was computed. This 3σ was defined as “LER (nm)”.
These evaluation results are shown in Table 4 below.
Figure 2013015590

表4に示すように、実施例の組成物は、比較例の組成物と比較して、感度、パターン形状及びLERの全てにおいて優れていた。   As shown in Table 4, the compositions of the examples were superior in all of sensitivity, pattern shape, and LER as compared with the compositions of the comparative examples.

Claims (23)

フッ素原子を含有する繰り返し単位を含む樹脂(Aa)と、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂であって、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位(B)を含む樹脂(Ab)を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   A resin (Aa) containing a repeating unit containing a fluorine atom, and a resin whose alkali solubility is changed by the action of an acid, and having a structural part that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising a resin (Ab) containing a unit (B). 樹脂(Aa)及び樹脂(Ab)の少なくとも一方が、下記一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2013015590
一般式(A3)中、
ARは、アリール基を表す。
Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。RnとARとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。
Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。
At least one of resin (Aa) and resin (Ab) contains the at least 1 sort (s) of repeating unit represented by the following general formula (A3), The actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive of Claim 1 characterized by the above-mentioned. Resin composition.
Figure 2013015590
In general formula (A3),
AR represents an aryl group.
Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. Rn and AR may be bonded to each other to form a non-aromatic ring.
R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group.
樹脂(Ab)が一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項2に記載の組成物。   Resin (Ab) contains the at least 1 sort (s) of repeating unit represented by general formula (A3), The composition of Claim 2 characterized by the above-mentioned. 樹脂(Aa)が一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項2又は3に記載の組成物。   The composition according to claim 2 or 3, wherein the resin (Aa) contains at least one repeating unit represented by the general formula (A3). 樹脂(Aa)及び樹脂(Ab)の双方が、一般式(A3)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の組成物。   Both resin (Aa) and resin (Ab) contain the at least 1 sort (s) of repeating unit represented by general formula (A3), The composition of any one of Claims 2-4 characterized by the above-mentioned. . 樹脂(Ab)が一般式(A)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の組成物。
Figure 2013015590
式中、nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は置換基を表す。mが2以上の場合、複数のSは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
Resin (Ab) contains the at least 1 sort (s) of repeating unit represented by general formula (A), The composition of any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned.
Figure 2013015590
In the formula, n represents an integer of 1 to 5, and m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ≦ m + n ≦ 5.
S 1 represents a substituent. When m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
一般式(A)により表される繰り返し単位として少なくとも下式で表される繰り返し単位を含有する請求項6に記載の組成物。
Figure 2013015590
The composition according to claim 6, comprising at least a repeating unit represented by the following formula as the repeating unit represented by the general formula (A).
Figure 2013015590
樹脂(Aa)が一般式(A)により表される少なくとも1種の繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の組成物。
Figure 2013015590
式中、nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は置換基を表す。mが2以上の場合には、複数のSは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
The composition according to any one of claims 1 to 7, wherein the resin (Aa) contains at least one repeating unit represented by the general formula (A).
Figure 2013015590
In the formula, n represents an integer of 1 to 5, and m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ≦ m + n ≦ 5.
S 1 represents a substituent. When m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
一般式(A)により表される繰り返し単位として少なくとも下式で表される繰り返し単位を含有する請求項8に記載の組成物。
Figure 2013015590
The composition according to claim 8, comprising at least a repeating unit represented by the following formula as the repeating unit represented by the general formula (A).
Figure 2013015590
樹脂(Aa)が、フッ素原子を含有する繰り返し単位として、一般式(F2)、一般式(F3)又は一般式(F4)で表される基を含む繰り返し単位を少なくとも1種含有する請求項1〜9のいずれか1項に記載の組成物。
Figure 2013015590
一般式(F2)〜(F4)中、R57〜R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R57〜R61、R62〜R64およびR65〜R68のそれぞれにおいて、少なくとも1つは、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。
The resin (Aa) contains at least one repeating unit containing a group represented by the general formula (F2), the general formula (F3) or the general formula (F4) as a repeating unit containing a fluorine atom. The composition of any one of -9.
Figure 2013015590
In general formulas (F2) to (F4), R 57 to R 68 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group. However, in each of R 57 ~R 61, R 62 ~R 64 and R 65 to R 68, at least one represents a fluorine atom or a fluoroalkyl group. R 62 and R 63 may be connected to each other to form a ring.
樹脂(Ab)が、繰り返し単位(B)として、下記一般式(B1)、(B2)及び(B3)で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1種を含有する請求項1〜10のいずれか1項に記載の組成物。
Figure 2013015590
一般式(B1)、(B2)及び(B3)中、
Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表す。
04、R05及びR07〜R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。
06は、シアノ基、カルボキシ基、−CO−OR25又は−CO−N(R26)(R27)を表す。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26及びR27は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。
、X及びXは、各々独立に、単結合、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、−O−、−SO−、−CO−、−N(R33)−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。R33は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
The resin (Ab) contains at least one selected from the group consisting of repeating units represented by the following general formulas (B1), (B2) and (B3) as the repeating unit (B). 11. The composition according to any one of 10 above.
Figure 2013015590
In general formulas (B1), (B2) and (B3),
A represents a structural site that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid anion.
R 04 , R 05 and R 07 to R 09 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.
R 06 represents a cyano group, a carboxy group, —CO—OR 25 or —CO—N (R 26 ) (R 27 ). R 25 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 26 and R 27 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 26 and R 27 may be bonded to each other to form a ring together with the nitrogen atom.
X 1 , X 2 and X 3 are each independently a single bond, an arylene group, an alkylene group, a cycloalkylene group, —O—, —SO 2 —, —CO—, —N (R 33 ) —, or these Represents a divalent linking group in combination of a plurality. R 33 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.
繰り返し単位(B)中の前記構造部位が活性光線又は放射線の照射により分解することにより、該繰り返し単位中に酸アニオンを生ずることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の組成物。   12. The acid anion is produced in the repeating unit by decomposing the structural site in the repeating unit (B) by irradiation with actinic rays or radiation. Composition. 繰り返し単位(B)中の前記構造部位は、スルホニウム塩構造又はヨードニウム塩構造を備えたイオン性構造部位である請求項1〜12のいずれか1項に記載の組成物。   The composition according to any one of claims 1 to 12, wherein the structural moiety in the repeating unit (B) is an ionic structural moiety having a sulfonium salt structure or an iodonium salt structure. 樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜20質量%の範囲である請求項1〜13のいずれか1項に記載の組成物。   The composition according to any one of claims 1 to 13, wherein the content of the resin (Aa) is in the range of 0.01 to 20% by mass based on the total solid content in the composition. 樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜10質量%の範囲である請求項1〜14のいずれか1項に記載の組成物。   The composition according to any one of claims 1 to 14, wherein the content of the resin (Aa) is in the range of 0.01 to 10% by mass based on the total solid content in the composition. 樹脂(Aa)の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として0.01〜5質量%の範囲である請求項1〜15のいずれか1項に記載の組成物。   The composition according to any one of claims 1 to 15, wherein the content of the resin (Aa) is in the range of 0.01 to 5 mass% based on the total solid content in the composition. 樹脂(Aa)が更に一般式(A1)及び一般式(A2)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含有する請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物。
Figure 2013015590
一般式(A1)中、
nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は、置換基を表し、mが2以上の場合には、複数のSは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、少なくとも1つのAは酸の作用により脱離する基を表す。n≧2の場合には、複数のAは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
一般式(A2)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
The composition according to any one of claims 1 to 16, wherein the resin (Aa) further contains at least one repeating unit represented by the general formula (A1) and the general formula (A2).
Figure 2013015590
In general formula (A1),
n represents an integer of 1 to 5, and m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ≦ m + n ≦ 5.
S 1 represents a substituent, and when m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
A 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. However, at least one A 1 represents a group capable of leaving by the action of an acid. When n ≧ 2, the plurality of A 1 may be the same as or different from each other.
In general formula (A2),
X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyloxycarbonyl group, alkyl Represents a carbonyloxy group or an aralkyl group.
A 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
樹脂(Ab)が一般式(A1)及び一般式(A2)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含有する請求項1〜17のいずれか1項に記載の組成物。
Figure 2013015590
一般式(A1)中、
nは1〜5の整数を表し、mは1≦m+n≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
は、置換基を表し、mが2以上の場合には、複数のSは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、少なくとも1つのAは酸の作用により脱離する基を表す。
n≧2の場合には、複数のAは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。 一般式(A2)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
The composition of any one of Claims 1-17 in which resin (Ab) contains at least 1 sort (s) of the repeating unit represented by general formula (A1) and general formula (A2).
Figure 2013015590
In general formula (A1),
n represents an integer of 1 to 5, and m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ≦ m + n ≦ 5.
S 1 represents a substituent, and when m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
A 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. However, at least one A 1 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
When n ≧ 2, the plurality of A 1 may be the same as or different from each other. In general formula (A2),
X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyloxycarbonyl group, alkyl Represents a carbonyloxy group or an aralkyl group.
A 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
EUV露光用である請求項1〜18のいずれか1項に記載の組成物。   The composition according to claim 1, which is for EUV exposure. 請求項1〜19のいずれか1項に記載の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。   The actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive film formed using the composition of any one of Claims 1-19. 請求項1〜19のいずれか1項に記載の組成物を用いて膜を形成すること、該膜を露光すること、露光した膜を現像することを含むパターン形成方法。   A pattern forming method comprising forming a film using the composition according to claim 1, exposing the film, and developing the exposed film. 露光をEUVを用いて行う請求項21に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 21, wherein the exposure is performed using EUV. 請求項21または22に記載のパターン形成方法を含む工程を経て製造される半導体デバイス。   The semiconductor device manufactured through the process including the pattern formation method of Claim 21 or 22.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013088572A (en) * 2011-10-17 2013-05-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Resist composition for euv or eb, and method for forming resist pattern
JP2014067014A (en) * 2012-09-05 2014-04-17 Shin Etsu Chem Co Ltd Resist material and pattern forming method using the same
WO2014132934A1 (en) * 2013-02-28 2014-09-04 富士フイルム株式会社 Active-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, active-ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern formation method, electronic device, and method for manufacturing electronic device
US9133102B2 (en) 2011-11-09 2015-09-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern and polymeric compound
JP2019214554A (en) * 2018-06-08 2019-12-19 住友化学株式会社 Compound, resin, resist composition and method for producing resist pattern
US20220154021A1 (en) * 2020-11-19 2022-05-19 Seiko Epson Corporation Dispersion liquid, ink composition for ink jet recording, and dispersing resin

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013088572A (en) * 2011-10-17 2013-05-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Resist composition for euv or eb, and method for forming resist pattern
US9133102B2 (en) 2011-11-09 2015-09-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern and polymeric compound
JP2014067014A (en) * 2012-09-05 2014-04-17 Shin Etsu Chem Co Ltd Resist material and pattern forming method using the same
WO2014132934A1 (en) * 2013-02-28 2014-09-04 富士フイルム株式会社 Active-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, active-ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern formation method, electronic device, and method for manufacturing electronic device
JP2014167579A (en) * 2013-02-28 2014-09-11 Fujifilm Corp Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, electronic device and method for manufacturing electronic device
JP2019214554A (en) * 2018-06-08 2019-12-19 住友化学株式会社 Compound, resin, resist composition and method for producing resist pattern
JP7190968B2 (en) 2018-06-08 2022-12-16 住友化学株式会社 Compound, resin, resist composition, and method for producing resist pattern
US20220154021A1 (en) * 2020-11-19 2022-05-19 Seiko Epson Corporation Dispersion liquid, ink composition for ink jet recording, and dispersing resin

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