JP5264665B2 - Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same - Google Patents

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same Download PDF

Info

Publication number
JP5264665B2
JP5264665B2 JP2009221478A JP2009221478A JP5264665B2 JP 5264665 B2 JP5264665 B2 JP 5264665B2 JP 2009221478 A JP2009221478 A JP 2009221478A JP 2009221478 A JP2009221478 A JP 2009221478A JP 5264665 B2 JP5264665 B2 JP 5264665B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
alkyl
examples
hydrogen atom
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009221478A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011070029A (en
Inventor
修史 平野
孝之 伊藤
秀知 高橋
英明 椿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2009221478A priority Critical patent/JP5264665B2/en
Priority to KR1020100085431A priority patent/KR101299020B1/en
Publication of JP2011070029A publication Critical patent/JP2011070029A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5264665B2 publication Critical patent/JP5264665B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which is excellent in sensitivity, roughness characteristics, the resolution and dry etching resistance of an isolated pattern and enables a pattern of good configuration to be formed, and to provide a pattern forming method using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. <P>SOLUTION: The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes a resin having a repeating unit (A) represented by general formula (I) and a repeating unit (B) which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法に関する。より詳細には、本発明は、超LSI及び高容量マイクロチップの製造プロセス、ナノインプリント用モールド作成プロセス並びに高密度情報記録媒体の製造プロセス等に適用可能な超マイクロリソグラフィプロセス、並びにその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられる組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法に関する。   The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a pattern forming method using the same. More specifically, the present invention relates to an ultra-microlithographic process applicable to a manufacturing process of a VLSI and a high-capacity microchip, a process for producing a mold for nanoimprinting, a manufacturing process of a high-density information recording medium, and other photofabrication. The present invention relates to a composition suitably used in a process, and a pattern forming method using the composition.

なお、ここで「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外(EUV)線、X線又は電子線(EB)を意味している。また、本発明において「光」とは、活性光線又は放射線を意味している。   Here, “active light” or “radiation” means, for example, an emission line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays represented by an excimer laser, extreme ultraviolet rays (EUV) rays, X rays or electron rays (EB). Yes. In the present invention, “light” means actinic rays or radiation.

また、ここで「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、遠紫外線、X線及びEUV光等による光照射のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。   In addition, “exposure” means not only light irradiation with a mercury lamp, far ultraviolet rays, X-rays, EUV light, etc., but also drawing with particle beams such as electron beams and ion beams, unless otherwise specified. .

従来、ICやLSIなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロン領域やクオーターミクロン領域の超微細パターン形成が要求されるようになってきている。それに伴い、露光波長もg線からi線に、さらにKrFエキシマレーザー光に、というように短波長化の傾向が見られる。さらには、現在では、エキシマレーザー光以外にも、電子線、X線及びEUV光等を用いたリソグラフィーも開発が進んでいる。   Conventionally, in the manufacturing process of semiconductor devices such as IC and LSI, fine processing by lithography using a photoresist composition has been performed. In recent years, with the high integration of integrated circuits, the formation of ultrafine patterns in the submicron region and the quarter micron region has been required. Along with this, there is a tendency to shorten the exposure wavelength from g-line to i-line and further to KrF excimer laser light. Furthermore, at present, in addition to excimer laser light, lithography using electron beams, X-rays, EUV light, and the like is also being developed.

近年の集積回路の高集積化に伴うサブミクロン領域やクオーターミクロン領域の超微細パターン形成の要求により、薄膜化が必要となっている。しかし、薄膜化によって、ドライエッチング耐性低下が問題となってきており、十分に満足できていないのが現状である。   Due to the recent demand for the formation of ultrafine patterns in the submicron region and the quarter micron region accompanying the high integration of integrated circuits, it is necessary to reduce the thickness. However, a decrease in dry etching resistance has become a problem due to the thinning of the film, and the current situation is that it is not fully satisfactory.

また、超微細パターン形成に伴い、基板との密着性が低下し、孤立パターンの解像性低下が問題となってきており、孤立パターンの解像性向上が望まれているが、十分に満足できていない。   In addition, due to the formation of ultra-fine patterns, the adhesion to the substrate has decreased, and the resolution of isolated patterns has become a problem. Improvement of the resolution of isolated patterns is desired, but it is fully satisfactory. Not done.

さらには、特に電子線リソグラフィーは、次世代もしくは次々世代のパターン形成技術として位置付けられ、高感度、高解像性のポジ型レジストが望まれている。特にウェハー処理時間の短縮化のために高感度化は非常に重要な課題であるが、電子線用ポジ型レジストにおいては、高感度化を追求しようとすると、解像力の低下のみならず、ラインエッジラフネスの悪化が起こり、これらの特性を同時に満足するレジストの開発が強く望まれている。ここで、ラインエッジラフネスとは、レジストのパターンと基板界面のエッジがレジストの特性に起因して、ライン方向と垂直な方向に不規則に変動するために、パターンを真上から見たときにエッジが凹凸に見えることを言う。この凹凸がレジストをマスクとするエッチング工程により転写され、電気特性を劣化させるため、歩留りを低下させる。特に0.25μm以下の超微細領域ではラインエッジラフネスは極めて重要な改良課題となっている。高感度と良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスはトレードオフの関係にあり、これを如何にして同時に満足させるかが非常に重要である。   Furthermore, in particular, electron beam lithography is positioned as a next-generation or next-generation pattern formation technique, and a positive resist with high sensitivity and high resolution is desired. In particular, high sensitivity is an extremely important issue for shortening the wafer processing time. However, in positive resists for electron beams, when trying to increase sensitivity, not only the resolution is lowered, but also the line edge. Roughness deteriorates, and development of a resist that satisfies these characteristics at the same time is strongly desired. Here, the line edge roughness means that when the pattern is viewed from directly above because the resist pattern and the edge of the substrate interface vary irregularly in the direction perpendicular to the line direction due to the characteristics of the resist. Say that the edge looks uneven. The unevenness is transferred by an etching process using a resist as a mask, and the electrical characteristics are deteriorated, so that the yield is lowered. Particularly in the ultrafine region of 0.25 μm or less, the line edge roughness is an extremely important improvement issue. High sensitivity, good pattern shape, and good line edge roughness are in a trade-off relationship, and it is very important how to satisfy them simultaneously.

また、X線及びEUV光等を用いるリソグラフィーにおいても同様に、高感度、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、孤立パターンの解像性およびドライエッチング耐性を同時に満足させることが重要な課題となっており、これらの解決が必要である。   Similarly, in lithography using X-rays and EUV light, it is also important to satisfy simultaneously high sensitivity, good pattern shape, good line edge roughness, isolated pattern resolution and dry etching resistance. These solutions are necessary.

これらの問題を解決する一つの方法として、ナフタレン骨格を有する樹脂の使用が検討されている。(例えば、特許文献1〜3参照)。しかし、現在知られている公知技術の組み合わせでは、電子線、X線またはEUV光リソグラフィーにおいて、高感度、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスおよびドライエッチング耐性を同時に十分に満足できないのが現状である。   As one method for solving these problems, use of a resin having a naphthalene skeleton has been studied. (For example, see Patent Documents 1 to 3). However, the combination of currently known techniques cannot sufficiently satisfy high sensitivity, good pattern shape, good line edge roughness and dry etching resistance at the same time in electron beam, X-ray or EUV light lithography. It is.

また、ポリマー主鎖又は側鎖に光酸発生剤を有する樹脂の使用が検討されている(例えば、特許文献4〜10及び非特許文献1参照)。しかし、特許文献4における検討では、光酸発生剤を有する樹脂と酸分解によりアルカリ現像液への溶解性が増大する溶解阻止化合物との混合系であるため、これらの素材の不均一混合性に起因して良好なパターン形状やラインエッジラフネスを得るのが困難であった。   Moreover, use of the resin which has a photo-acid generator in a polymer principal chain or a side chain is examined (for example, refer patent documents 4-10 and nonpatent literature 1). However, in the study in Patent Document 4, since it is a mixed system of a resin having a photoacid generator and a dissolution inhibiting compound whose solubility in an alkaline developer is increased by acid decomposition, the non-uniform mixing of these materials is reduced. As a result, it is difficult to obtain a good pattern shape and line edge roughness.

一方、特許文献5〜9では、光酸発生基及び酸分解によりアルカリ現像液への溶解性が増大する基を同一分子内に有する樹脂が開示されているが、電子線、X線またはEUV光に対する感度について十分とはいい難かった。   On the other hand, Patent Documents 5 to 9 disclose resins having a photoacid-generating group and a group whose solubility in an alkaline developer is increased by acid decomposition in the same molecule, but electron beam, X-ray or EUV light is disclosed. It was difficult to say that the sensitivity to was sufficient.

また、特許文献10や非特許文献1にはヒドロキシスチレン、アダマンチル基含有アクリレート及び光酸発生剤含有アクリレートの3元共重合体が記載されている。特許文献11は、高解像性、疎密依存性、露光マージンを向上させるべく、高エネルギー線又は熱に感応し、側鎖のフッ素含有末端にスルホン酸を生じる繰り返し単位を含有する樹脂を含有するレジストを開示している。   Patent Document 10 and Non-Patent Document 1 describe ternary copolymers of hydroxystyrene, an adamantyl group-containing acrylate, and a photoacid generator-containing acrylate. Patent Document 11 contains a resin containing a repeating unit that is sensitive to high energy rays or heat and generates sulfonic acid at a fluorine-containing terminal of a side chain in order to improve high resolution, density dependency, and exposure margin. A resist is disclosed.

しかしながら、現在知られている公知技術の組み合わせでは、電子線、X線またはEUV光リソグラフィーにおいて、高感度、高解像性、良好なパターン形状および良好なラインエッジラフネス等を同時に十分に満足できないのが現状である。   However, the combination of currently known techniques cannot sufficiently satisfy high sensitivity, high resolution, good pattern shape, good line edge roughness, etc. at the same time in electron beam, X-ray or EUV light lithography. Is the current situation.

特開2008−169346号公報JP 2008-169346 A 国際公開第2007−046453号公報International Publication No. 2007-064553 特開2008−50568号公報JP 2008-50568 A 特開平9−325497号公報JP-A-9-325497 特開平10−221852号公報JP-A-10-221852 特開2006−178317号公報JP 2006-178317 A 特開2007−197718号公報JP 2007-197718 A 国際公開第06/121096号パンフレットInternational Publication No. 06/121096 Pamphlet 米国特許出願公開第2006/121390号明細書US Patent Application Publication No. 2006/121390 米国特許出願公開第2007/117043号明細書US Patent Application Publication No. 2007/117043 特開2008−133448号公報JP 2008-133448 A

Proc. of SPIE Vol.6923, 692312, 2008Proc. Of SPIE Vol.6923, 692312, 2008

本発明の目的は、感度、ラフネス特性、孤立パターンの解像性及びドライエッチング耐性に優れ、且つ良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in sensitivity, roughness characteristics, resolution of isolated patterns and dry etching resistance, and capable of forming a pattern having a good shape, and It is to provide a pattern forming method used.

本発明は、例えば、以下の通りである。なお、ここで「重量平均分子量」とは、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)により測定されたポリスチレン換算値を意味している。   For example, the present invention is as follows. Here, the “weight average molecular weight” means a polystyrene equivalent value measured by gel permeation chromatography (GPC).

〔1〕下記一般式(I)により表される繰り返し単位(A)と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位(B)とを備えた樹脂を含んだ感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 0005264665
[1] Actinic ray sensitivity or sensitivity comprising a resin comprising a repeating unit (A) represented by the following general formula (I) and a repeating unit (B) that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation. Radiation resin composition.
Figure 0005264665

式(I)中、
は、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、2価の連結基を表す。
Arは、複数の芳香環を含んだ構造単位を表し、前記複数の芳香環は、縮環して多環式構造を形成しているか又は単結合を介して互いに連結されている。
は、単結合又は2価の連結基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
は、置換基(水素原子を除く)を表し、r≧2の場合には、複数の前記Sは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
pは、1〜5の整数を表す。
qは、1〜5の整数を表す。
rは、p+r≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
In formula (I),
R a is a hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyloxycarbonyl group, An alkylcarbonyloxy group or an aralkyl group is represented.
Y a represents a divalent linking group.
Ar represents a structural unit including a plurality of aromatic rings, and the plurality of aromatic rings are condensed to form a polycyclic structure or are connected to each other through a single bond.
Y b represents a single bond or a divalent linking group.
A 3 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
S 2 represents a substituent (excluding a hydrogen atom), and when r ≧ 2, the plurality of S 2 may be the same as or different from each other.
p represents an integer of 1 to 5.
q represents the integer of 1-5.
r represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship of p + r ≦ 5.

〔2〕前記Rは水素原子又はメチル基であり、前記p=1であり且つ前記q=1である〔1〕に記載の組成物。 [2] The composition according to [1], wherein R a is a hydrogen atom or a methyl group, p = 1, and q = 1.

〔3〕前記繰り返し単位(A)が下記一般式(III)により表される〔2〕に記載の組成物。

Figure 0005264665
[3] The composition according to [2], wherein the repeating unit (A) is represented by the following general formula (III).
Figure 0005264665

式(III)中、
は、水素原子又はメチル基を表す。
は、2価の連結基を表す。
Arは、複数の芳香環を含んだ構造単位を表し、前記複数の芳香環は、縮環して多環式構造を形成しているか又は単結合を介して互いに連結されている。
は、単結合又は2価の連結基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
は、置換基(水素原子を除く)を表し、r≧2の場合には、複数の前記Sは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
rは、0〜4の整数を表す。
In formula (III),
R a represents a hydrogen atom or a methyl group.
Y a represents a divalent linking group.
Ar represents a structural unit including a plurality of aromatic rings, and the plurality of aromatic rings are condensed to form a polycyclic structure or are connected to each other through a single bond.
Y b represents a single bond or a divalent linking group.
A 3 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
S 2 represents a substituent (excluding a hydrogen atom), and when r ≧ 2, the plurality of S 2 may be the same as or different from each other.
r represents an integer of 0 to 4.

〔4〕前記r=0である〔3〕に記載の組成物。   [4] The composition according to [3], wherein r = 0.

〔5〕前記Yは、−O−、−CHO−、−COO−又は−COOCH−を表す〔1〕〜〔4〕の何れかに記載の組成物。 [5] The composition according to any one of [1] to [4], wherein Y a represents —O—, —CH 2 O—, —COO—, or —COOCH 2 —.

〔6〕前記Yは、単結合、−CHO−又は−COOCH−を表す〔5〕に記載の組成物。 [6] The composition according to [5], wherein Y b represents a single bond, —CH 2 O— or —COOCH 2 —.

〔7〕前記Arは、ナフタレン若しくはアントラセン環、又は、ビフェニル若しくはターフェニル構造を含んだ構造単位を表す〔1〕〜〔6〕の何れかに記載の組成物。   [7] The composition according to any one of [1] to [6], wherein Ar represents a structural unit including a naphthalene or anthracene ring, or a biphenyl or terphenyl structure.

〔8〕前記繰り返し単位(B)の少なくとも一部が下記一般式(B1)、(B2)及び(B3)からなる群より選択される少なくとも1つにより表される〔1〕〜〔7〕の何れかに記載の組成物。

Figure 0005264665
[8] At least a part of the repeating unit (B) is represented by at least one selected from the group consisting of the following general formulas (B1), (B2) and (B3): [1] to [7] The composition in any one.
Figure 0005264665

式中、
Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表す。
04、R05及びR07〜R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。
06は、シアノ基、カルボキシ基、−CO−OR25又は−CO−N(R26)(R27)を表す。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。R26及びR27は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
1 〜X3 は、各々独立に、単結合、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、−O−、−SO2 −、−CO−、−N(R33)−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。R33は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
Where
A represents a structural site that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid anion.
R 04 , R 05 and R 07 to R 09 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.
R 06 represents a cyano group, a carboxy group, —CO—OR 25 or —CO—N (R 26 ) (R 27 ). R 25 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 26 and R 27 may be bonded to each other to form a ring together with the nitrogen atom. R 26 and R 27 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.
X 1 to X 3 are each independently a single bond, an arylene group, an alkylene group, a cycloalkylene group, —O—, —SO 2 —, —CO—, —N (R 33 ) —, or a combination thereof. Represents a divalent linking group. R 33 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.

〔9〕前記Aは、スルホニウム塩構造又はヨードニウム塩構造を備えた構造部位である〔8〕に記載の組成物。   [9] The composition according to [8], wherein A is a structural moiety having a sulfonium salt structure or an iodonium salt structure.

〔10〕前記Aは、活性光線又は放射線の照射により酸アニオンへと変換される構造部位である〔8〕又は〔9〕に記載の組成物。   [10] The composition according to [8] or [9], wherein A is a structural moiety that is converted to an acid anion by irradiation with actinic rays or radiation.

〔11〕前記樹脂は、下記一般式(A1)により表される繰り返し単位及び一般式(A2)により表される繰り返し単位の少なくとも一方を更に含んでいる〔1〕〜〔10〕の何れかに記載の組成物。

Figure 0005264665
[11] The resin further includes at least one of a repeating unit represented by the following general formula (A1) and a repeating unit represented by the general formula (A2). The composition as described.
Figure 0005264665

一般式(A1)中、
mは、0〜4の整数を表す。
nは、m+n≦5なる関係を満足する1〜5の整数を表す。
は、置換基(水素原子を除く)を表し、m≧2の場合には、複数の前記Sは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
1は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表し、n≧2の場合には、複数の前記Aは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
一般式(A2)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
In general formula (A1),
m represents an integer of 0 to 4.
n represents an integer of 1 to 5 that satisfies the relationship m + n ≦ 5.
S 1 represents a substituent (excluding a hydrogen atom), and when m ≧ 2, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
A 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. When n ≧ 2, the plurality of A 1 may be the same as or different from each other.
In general formula (A2),
X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyloxycarbonyl group, alkyl Represents a carbonyloxy group or an aralkyl group.
A 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid.

〔12〕前記樹脂の重量平均分子量は1000〜200000の範囲内にある〔1〕〜〔11〕の何れかに記載の組成物。   [12] The composition according to any one of [1] to [11], wherein the resin has a weight average molecular weight in the range of 1,000 to 200,000.

〔13〕前記樹脂の重量平均分子量は1000〜100000の範囲内にある〔1〕〜〔12〕の何れかに記載の組成物。   [13] The composition according to any one of [1] to [12], wherein the resin has a weight average molecular weight in the range of 1000 to 100,000.

〔14〕前記樹脂の重量平均分子量は1000〜50000の範囲内にある〔1〕〜〔13〕の何れかに記載の組成物。   [14] The composition according to any one of [1] to [13], wherein the resin has a weight average molecular weight in the range of 1000 to 50000.

〔15〕前記樹脂の重量平均分子量は1000〜25000の範囲内にある〔1〕〜〔14〕の何れかに記載の組成物。   [15] The composition according to any one of [1] to [14], wherein the resin has a weight average molecular weight in the range of 1000 to 25000.

〔16〕塩基性化合物を更に含んだ〔1〕〜〔15〕の何れかに記載の組成物。   [16] The composition according to any one of [1] to [15], further comprising a basic compound.

〔17〕前記塩基性化合物は、プロトンアクセプター性官能基を有し、且つ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物である〔16〕に記載の組成物。   [17] The basic compound has a proton acceptor functional group and is decomposed by irradiation with actinic rays or radiation to decrease or disappear the proton acceptor, or change from proton acceptor to acidic. The composition according to [16], which is a compound that generates a compound.

〔18〕界面活性剤を更に含んだ〔1〕〜〔17〕の何れかに記載の組成物。   [18] The composition according to any one of [1] to [17], further comprising a surfactant.

〔19〕溶剤を更に含んだ〔1〕〜〔18〕の何れかに記載の組成物。   [19] The composition according to any one of [1] to [18], further comprising a solvent.

〔20〕前記溶剤はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含んでいる〔19〕に記載の組成物。   [20] The composition according to [19], wherein the solvent contains propylene glycol monomethyl ether acetate.

〔21〕前記溶剤はプロピレングリコールモノメチルエーテルを更に含んでいる〔20〕に記載の組成物。   [21] The composition according to [20], wherein the solvent further contains propylene glycol monomethyl ether.

〔22〕KrFエキシマーレーザー、電子線、X線又はEUV光により露光される〔1〕〜〔21〕に記載の組成物。   [22] The composition according to [1] to [21], which is exposed to KrF excimer laser, electron beam, X-ray or EUV light.

〔23〕〔1〕〜〔22〕の何れかに記載の組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を現像することとを含んだパターン形成方法。   [23] A pattern including forming a film using the composition according to any one of [1] to [22], exposing the film, and developing the exposed film Forming method.

本発明によると、感度、ラフネス特性、孤立パターンの解像性及びドライエッチング耐性に優れ、且つ良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供することが可能となる。   According to the present invention, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in sensitivity, roughness characteristics, resolution of isolated patterns and dry etching resistance, and capable of forming a pattern having a good shape, and the use thereof It is possible to provide a conventional pattern forming method.

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
なお、ここでは、置換又は無置換を明示していない基及び原子団には、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していない「アルキル基」は、置換基を有していないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有しているアルキル基(置換アルキル基)をも包含することとする。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
Here, the groups and atomic groups that do not explicitly indicate substitution or non-substitution include both those that do not have a substituent and those that have a substituent. For example, an “alkyl group” that does not clearly indicate substitution or unsubstituted is not only an alkyl group that does not have a substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group that has a substituent (substituted alkyl group) Is also included.

(樹脂)
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、下記一般式(I)により表される繰り返し単位(A)と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位(B)とを備えた樹脂を含んでいる。繰り返し単位(A)は、後述するように、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する基(以下、酸分解性基ともいう)を備えている。
(resin)
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to the present invention includes a repeating unit (A) represented by the following general formula (I) and a repeating unit (B) that generates an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation. And a resin with As will be described later, the repeating unit (A) includes a group capable of decomposing by the action of an acid to generate an alkali-soluble group (hereinafter also referred to as an acid-decomposable group).

繰り返し単位(A)は、下記一般式(I)により表される。

Figure 0005264665
The repeating unit (A) is represented by the following general formula (I).
Figure 0005264665

式(I)中、Rは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、2価の連結基を表す。
Arは、複数の芳香環を含んだ構造単位を表し、前記複数の芳香環は、縮環して多環式構造を形成しているか又は単結合を介して互いに連結されている。
は、単結合又は2価の連結基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
は、置換基(水素原子を除く)を表し、r≧2の場合には、複数の前記Sは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
pは、1〜5の整数を表す。
qは、1〜5の整数を表す。
rは、p+r≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
In formula (I), R a is a hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group Represents an alkyloxycarbonyl group, an alkylcarbonyloxy group or an aralkyl group.
Y a represents a divalent linking group.
Ar represents a structural unit including a plurality of aromatic rings, and the plurality of aromatic rings are condensed to form a polycyclic structure or are connected to each other through a single bond.
Y b represents a single bond or a divalent linking group.
A 3 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
S 2 represents a substituent (excluding a hydrogen atom), and when r ≧ 2, the plurality of S 2 may be the same as or different from each other.
p represents an integer of 1 to 5.
q represents the integer of 1-5.
r represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship of p + r ≦ 5.

は、上述したように、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。 R a is a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkyloxy group, an aryl group, a carboxy group, as described above. Represents an alkyloxycarbonyl group, an alkylcarbonyloxy group or an aralkyl group;

アルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。
直鎖アルキル基としては、炭素数が1〜30のものが好ましく、炭素数が1〜20のものがより好ましい。このような直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基及びn−デカニル基が挙げられる。
The alkyl group may be a linear alkyl group or a branched alkyl group.
As a linear alkyl group, a C1-C30 thing is preferable and a C1-C20 thing is more preferable. Examples of such linear alkyl groups include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, sec-butyl, t-butyl, n-pentyl, n-hexyl, and n- A heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, and n-decanyl group are mentioned.

分岐鎖アルキル基としては、炭素数が3〜30のものが好ましく、炭素数が3〜20のものがより好ましい。このような分岐鎖アルキル基としては、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、i−ノニル基及びt−デカノイル基が挙げられる。   As a branched alkyl group, a C3-C30 thing is preferable and a C3-C20 thing is more preferable. Examples of such branched alkyl groups include i-propyl, i-butyl, t-butyl, i-pentyl, t-pentyl, i-hexyl, t-hexyl, and i-heptyl. Group, t-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group and t-decanoyl group.

アルコキシ基としては、炭素数が1〜8のものが好ましい。このようなアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基及びヘキシルオキシ基が挙げられる。   As an alkoxy group, a C1-C8 thing is preferable. Examples of such an alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group, and a hexyloxy group.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。中でも、フッ素原子が特に好ましい。   Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Among these, a fluorine atom is particularly preferable.

アシル基としては、炭素数が2〜8のものが好ましい。このようなアシル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基及びベンゾイル基が挙げられる。   As an acyl group, a C2-C8 thing is preferable. Examples of such an acyl group include a formyl group, an acetyl group, a propanoyl group, a butanoyl group, a pivaloyl group, and a benzoyl group.

アシロキシ基としては、炭素数が2〜8のものが好ましい。このようなアシロキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルリオキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基及びベンゾイルオキシ基が挙げられる。   As the acyloxy group, those having 2 to 8 carbon atoms are preferable. Examples of such an acyloxy group include an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, a valeryloxy group, a pivaloyloxy group, a hexanoyloxy group, an octanoyloxy group, and a benzoyloxy group.

シクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。後者の場合、シクロアルキル基は、有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は、橋かけ構造を有していてもよい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。   The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. In the latter case, the cycloalkyl group may be bridged. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a bridged structure. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.

単環型のシクロアルキル基としては、炭素数3〜8のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基及びシクロオクチル基が挙げられる。   As the monocyclic cycloalkyl group, those having 3 to 8 carbon atoms are preferable. Examples of such a cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group.

多環型のシクロアルキル基としては、例えば、ビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を有する基が挙げられる。多環型のシクロアルキル基としては、炭素数が6〜20のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。   Examples of the polycyclic cycloalkyl group include groups having a bicyclo, tricyclo or tetracyclo structure. The polycyclic cycloalkyl group preferably has 6 to 20 carbon atoms. Examples of such a cycloalkyl group include an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, camphanyl group, dicyclopentyl group, α-pinel group, tricyclodecanyl group, tetocyclododecyl group, and androstanyl group.

これらシクロアルキル基としては、例えば、下式により表されるものが挙げられる。

Figure 0005264665
Examples of these cycloalkyl groups include those represented by the following formula.
Figure 0005264665

アリール基としては、炭素数が6〜14のものが好ましい。このようなアリール基としては、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基が挙げられる。   As an aryl group, a C6-C14 thing is preferable. Examples of such an aryl group include a phenyl group, a xylyl group, a toluyl group, a cumenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group.

アルキルオキシカルボニル基としては、炭素数が2〜8のものが好ましい。このようなアルキルオキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基及びプロポキシカルボニル基が挙げられる。   As the alkyloxycarbonyl group, those having 2 to 8 carbon atoms are preferable. Examples of such an alkyloxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and a propoxycarbonyl group.

アルキルカルボニルオキシ基としては、炭素数が2〜8のものが好ましい。このようなアルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、メチルカルボニルオキシ基及びエチルカルボニルオキシ基が挙げられる。   As the alkylcarbonyloxy group, those having 2 to 8 carbon atoms are preferable. Examples of such an alkylcarbonyloxy group include a methylcarbonyloxy group and an ethylcarbonyloxy group.

アラルキル基としては、炭素数が7〜16のものが好ましい。このようなアラルキル基としては、例えば、ベンジル基が挙げられる。   As the aralkyl group, those having 7 to 16 carbon atoms are preferable. Examples of such an aralkyl group include a benzyl group.

これらアルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基及びアラルキル基の各々は、置換基を更に有していてもよい。   Each of these alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, alkyloxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group and aralkyl group may further have a substituent. Good.

この置換基としては、例えば、水酸基;フッ素、塩素、臭素及びヨウ素原子等のハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;アミド基;スルホンアミド基;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基及びブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基;アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。   Examples of the substituent include a hydroxyl group; a halogen atom such as fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms; a nitro group; a cyano group; an amide group; a sulfonamide group; a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n- Alkyl groups such as butyl, sec-butyl, hexyl, 2-ethylhexyl, octyl and dodecyl; alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, hydroxyethoxy, propoxy, hydroxypropoxy and butoxy; Examples include alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group; acyloxy groups such as acetoxy group and butyryloxy group, and carboxy group.

は、上述したように、2価の連結基を表す。
ポリスチレン骨格を構成しているベンゼン環と上記Arとの間にYを介在させることにより、例えば、主鎖付近でのπ−π相互作用の強度を弱めて、樹脂の疎水性を低下させ、組成物の現像性を向上させることが可能となる。
Y a represents a divalent linking group as described above.
By interposing the Y a between the benzene ring and the Ar constituting the polystyrene backbone, for example, by weakening the strength of the [pi-[pi interaction in the vicinity of the main chain, to reduce the hydrophobicity of the resin, It becomes possible to improve the developability of the composition.

この連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルフィド基、スルホン基、−COO−、−CHO−、−COOCH−、−CONH−、−SO2NH−、−CF2−、−CF2CF2−、−OCF2O−、−CF2OCF2−、−SS−、−CH2SO2CH2−、−CH2COCH2−、−COCF2CO−、−COCO−、−OCOO−、−OSO2O−、−O−、−S−、−NH−、−N(R)−、アシル基、アルキルスルホニル基、−CH=CH−、−C≡C−、アミノカルボニルアミノ基、アミノスルホニルアミノ基及びこれらの2以上の組合せが挙げられる。ここで、Rは、1価の置換基を表す。これら連結基は、置換基を更に有していてもよい。 Examples of the linking group include an alkylene group, a cycloalkylene group, an arylene group, a carbonyl group, a sulfide group, a sulfone group, —COO—, —CH 2 O—, —COOCH 2 —, —CONH—, and —SO 2 NH. -, - CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - OCF 2 O -, - CF 2 OCF 2 -, - SS -, - CH 2 SO 2 CH 2 -, - CH 2 COCH 2 -, - COCF 2 CO -, - COCO -, - OCOO -, - OSO 2 O -, - O -, - S -, - NH -, - N (R) -, acyl group, an alkylsulfonyl group, -CH = CH -, - C≡C—, aminocarbonylamino group, aminosulfonylamino group, and combinations of two or more thereof may be mentioned. Here, R represents a monovalent substituent. These linking groups may further have a substituent.

なお、Yが非対称な構造を有している場合、Arは、先に例示した連結基の何れの側に結合していてもよい。例えば、Yが−COO−である場合、「Y−Ar」により表される構造は、「−COO−Ar」であってもよく、「Ar−COO−」であってもよい。 When Y a has an asymmetric structure, Ar may be bonded to any side of the linking group exemplified above. For example, when Y a is —COO—, the structure represented by “Y a —Ar” may be “—COO—Ar” or “Ar—COO—”.

は、好ましくは、−O−、−CHO−、−COO−又は−COOCH−であり、特に好ましくは、−CHO−、−COO−又は−COOCH−である。このような構成を採用すると、感度を更に向上させることが可能となる。 Y a is preferably —O—, —CH 2 O—, —COO— or —COOCH 2 —, and particularly preferably —CH 2 O—, —COO— or —COOCH 2 —. If such a configuration is adopted, the sensitivity can be further improved.

に含まれる原子数(水素原子を除く)は、1〜15であることが好ましく、1〜10であることがより好ましく、1〜8であることが更に好ましく、2〜8であることが特に好ましい。この原子数を過度に大きくすると、樹脂の主鎖と後述する酸分解性基との間の距離が過度に大きくなり、組成物のラフネス特性が低下する場合がある。この原子数を過度に小さくすると、側鎖のフレキシビリティー(柔軟性)が減少し、組成物の感度等が低下する可能性がある。 Number of atoms contained in Y a (excluding hydrogen atoms) is preferably 1 to 15, more preferably 1 to 10, more preferably 1 to 8, 2 to 8 Is particularly preferred. If this number of atoms is excessively increased, the distance between the main chain of the resin and the acid-decomposable group described later may be excessively increased, and the roughness characteristics of the composition may be deteriorated. If the number of atoms is excessively small, the flexibility (flexibility) of the side chain is decreased, and the sensitivity of the composition may be decreased.

の「最小連結原子数」は、1〜10であることが好ましく、1〜5であることがより好ましく、2〜4であることが更に好ましく、2又は3であることが特に好ましい。この「最小連結原子数」を過度に大きくすると、樹脂の主鎖と後述する酸分解性基との間の距離が過度に大きくなり、組成物のラフネス特性が低下する場合がある。この「最小連結原子数」を過度に小さくすると、側鎖のフレキシビリティー(柔軟性)が減少し、組成物の感度等が低下する可能性がある。 The “minimum linking atom number” of Y a is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5, still more preferably 2 to 4, and particularly preferably 2 or 3. When this “minimum number of linked atoms” is excessively increased, the distance between the resin main chain and an acid-decomposable group described later may be excessively increased, and the roughness characteristics of the composition may be deteriorated. If this “minimum number of linking atoms” is too small, the flexibility of the side chain may be reduced, and the sensitivity of the composition may be lowered.

なお、Yの「最小連結原子数」は、以下のようにして定められる数である。即ち、まず、Yを構成している原子のうち、樹脂の主鎖に直接結合しているベンゼン環と結合している原子と、Arと結合している原子とを結ぶ原子の列を考える。次に、これら列の各々に含まれる原子数を求める。そして、これら原子数のうち最小のものを、Yの「最小連結原子数」とする。 The “minimum number of connected atoms” of Y a is a number determined as follows. That is, first, among the atoms constituting Y a , consider a sequence of atoms connecting atoms bonded to a benzene ring directly bonded to the main chain of the resin and atoms bonded to Ar. . Next, the number of atoms contained in each of these columns is obtained. The minimum number of these atoms is defined as “the minimum number of connected atoms” of Ya.

例えば、Yが−O−である場合、その最小連結原子数は1である。Yが−CHO−である場合、その最小連結原子数は2である。Yが−COO−である場合、その最小連結原子数は2である。Yが−COOCH−である場合、その最小連結原子数は3である。Yが2−メチル−ブチレン基である場合、その最小連結原子数は4である。Yがシクロへキシレン基である場合、その最小連結原子数は4である。なお、Yが直鎖状のアルキレン基の場合、Yの最小連結原子数は、その炭素数に等しい。 For example, when Y a is —O—, the minimum number of linked atoms is 1. When Y a is —CH 2 O—, the minimum number of linked atoms is 2. When Y a is —COO—, the minimum number of linked atoms is 2. When Y a is —COOCH 2 —, the minimum number of linked atoms is 3. When Y a is a 2-methyl-butylene group, the minimum number of linking atoms is 4. When Y a is a cyclohexylene group, the minimum number of linking atoms is 4. Note that when Y a is a linear alkylene group, the minimum linking atom number of Y a is equal to the number of carbon atoms.

Arは、上述したように、複数の芳香環を含んだ構造単位を表している。これら複数の芳香環は、縮環して多環式構造を形成していてもよく、単結合を介して互いに連結されていてもよい。なお、これら芳香環の各々は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。
Arとして複数の芳香環を含んだ構造単位を用いることにより、例えば、ドライエッチング耐性の向上及び二次電子発生量の増大に起因した感度の向上を達成し得る。
As described above, Ar represents a structural unit including a plurality of aromatic rings. The plurality of aromatic rings may be condensed to form a polycyclic structure, or may be connected to each other through a single bond. Each of these aromatic rings may contain a hetero atom.
By using a structural unit containing a plurality of aromatic rings as Ar, for example, improvement in dry etching resistance and improvement in sensitivity due to an increase in the amount of secondary electrons generated can be achieved.

Arが含み得る芳香環としては、例えば、ベンゼン環、チオフェン環、ピロール環、フラン環、イミダゾール環、ピリジン環及びピラゾール環が挙げられる。なお、ここで「ベンゼン環」とは、6個の炭素原子からなる環であって、環の中に最多数の非集積二重結合(最多数共役二重結合)を含んでいるものをいう。   Examples of the aromatic ring that Ar may include include a benzene ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a furan ring, an imidazole ring, a pyridine ring, and a pyrazole ring. Here, the “benzene ring” refers to a ring composed of 6 carbon atoms, which contains the largest number of non-integrated double bonds (most numerous conjugated double bonds) in the ring. .

複数の芳香環が縮環して形成し得る多環式構造としては、例えば、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、トリフェニレン環、テトラセン環、ペンタセン環、クリセン環、テトラフェン環、ピセン環、ペンタフェン環、ペリレン環、ヘリセン環、コロネン環、インドール環、ベンズイミダゾール環、カルバゾール環及びフェノチアジン環が挙げられる。この中でも、インドール環、ピレン環、フェナントレン環、アントラセン環及びナフタレン環が更に好ましく、アントラセン環及びナフタレン環が特に好ましい。   Examples of the polycyclic structure that can be formed by condensing a plurality of aromatic rings include naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, triphenylene ring, tetracene ring, pentacene ring, chrysene ring, tetraphen ring, and picene. And a ring, pentaphen ring, perylene ring, helicene ring, coronene ring, indole ring, benzimidazole ring, carbazole ring and phenothiazine ring. Among these, an indole ring, a pyrene ring, a phenanthrene ring, an anthracene ring and a naphthalene ring are more preferable, and an anthracene ring and a naphthalene ring are particularly preferable.

複数の芳香環が単結合を介して互いに連結された構造としては、例えば、ビフェニル構造、ターフェニル構造及びビオローゲン構造が挙げられる。中でも、ビフェニル構造及びターフェニル構造が特に好ましい。   Examples of the structure in which a plurality of aromatic rings are connected to each other through a single bond include a biphenyl structure, a terphenyl structure, and a viologen structure. Among these, a biphenyl structure and a terphenyl structure are particularly preferable.

Arに含まれる芳香環の数は、好ましくは2〜5であり、より好ましくは2〜4であり、最も好ましくは2又は3である。芳香環の数を過度に多くすると、樹脂の疎水性が過度に高くなり、パターンの抜け性が低下し、パターン形状の劣化等の影響を与える場合がある。なお、ここで「芳香環の数」とは、ベンゼン環又はそれに対応する単環ヘテロアリール環の数である。例えば、ナフタレン残基、ビフェニル残基及びビピリジン残基のそれは2であり、アントラセン残基、カルバゾール残基及びフェノチアジン残基のそれは3である。   The number of aromatic rings contained in Ar is preferably 2 to 5, more preferably 2 to 4, and most preferably 2 or 3. When the number of aromatic rings is excessively large, the hydrophobicity of the resin becomes excessively high, the pattern releasability is lowered, and the pattern shape may be deteriorated. Here, the “number of aromatic rings” is the number of benzene rings or the corresponding monocyclic heteroaryl rings. For example, it is 2 for naphthalene, biphenyl and bipyridine residues and 3 for anthracene, carbazole and phenothiazine residues.

なお、Arに含まれる芳香環は、−(YCOOA以外の置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、水酸基;フッ素、塩素、臭素及びヨウ素原子等のハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;アミド基;スルホンアミド基;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基及びブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基;アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。 In addition, the aromatic ring contained in Ar may further have a substituent other than — (Y b COOA 3 ) q . Examples of the substituent include a hydroxyl group; a halogen atom such as fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms; a nitro group; a cyano group; an amide group; a sulfonamide group; a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n- Alkyl groups such as butyl, sec-butyl, hexyl, 2-ethylhexyl, octyl and dodecyl; alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, hydroxyethoxy, propoxy, hydroxypropoxy and butoxy; Examples include alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group; acyloxy groups such as acetoxy group and butyryloxy group, and carboxy group.

は、上述したように、単結合又は2価の連結基を表す。この2価の連結基としては、例えば、先にYについて説明したのと同様の連結基が挙げられる。
は、好ましくは、単結合、−CHO−又は−COOCH−である。
Y b represents a single bond or a divalent linking group as described above. Examples of the divalent linking group, for example, linking groups as described for the earlier Y a.
Y b is preferably a single bond, —CH 2 O— or —COOCH 2 —.

に含まれる原子数(水素原子を除く)は、0〜15であることが好ましく、0〜10であることがより好ましく、0〜8であることが更に好ましい。この原子数を過度に大きくすると、樹脂の主鎖と後述する酸分解性基との間の距離が過度に大きくなり、組成物のラフネス特性が低下する場合がある。 Number of atoms contained in Y b (excluding hydrogen atom) is preferably 0 to 15, more preferably 0-10, more preferably 0-8. If this number of atoms is excessively increased, the distance between the main chain of the resin and the acid-decomposable group described later may be excessively increased, and the roughness characteristics of the composition may be deteriorated.

の「最小連結原子数」は、0〜10であることが好ましく、0〜5であることがより好ましく、0〜3であることが更に好ましい。この「最小連結原子数」を過度に大きくすると、樹脂の主鎖と後述する酸分解性基との間の距離が過度に大きくなり、組成物のラフネス特性が低下する場合がある。なお、Yの「最小連結原子数」は、Yについて説明したのと同様にして定められる数である。 The “minimum linking atom number” of Y b is preferably 0 to 10, more preferably 0 to 5, and still more preferably 0 to 3. When this “minimum number of linked atoms” is excessively increased, the distance between the resin main chain and an acid-decomposable group described later may be excessively increased, and the roughness characteristics of the composition may be deteriorated. Incidentally, "minimum number of connecting atoms" of Y b is a number determined in the same manner as described for Y a.

は、上述したように、酸の作用により脱離する基である。
一般式(I)により表される繰り返し単位を含んだ樹脂に酸を作用させると、Aの少なくとも一部が脱離し、アルカリ可溶性基であるカルボキシ基を生じる。即ち、この繰り返し単位は、酸分解性基として、「−COOA」により表される基を備えている。
As described above, A 3 is a group capable of leaving by the action of an acid.
When an acid is allowed to act on the resin containing the repeating unit represented by the general formula (I), at least a part of A 3 is eliminated to generate a carboxy group which is an alkali-soluble group. That is, this repeating unit has a group represented by “—COOA 3 ” as an acid-decomposable group.

は、炭化水素基であることが好ましい。この炭化水素基としては、炭素数が1〜30のものが好ましく、炭素数が4〜25のものであることがより好ましい。特には、Aは、t−ブチル基、t−アミル基、又は脂環構造を含んだ炭化水素基(例えば、脂環基若しくは脂環基によって置換されたアルキル基)であることが好ましい。 A 3 is preferably a hydrocarbon group. As the hydrocarbon group is preferably those having 1 to 30 carbon atoms, more preferably carbon atoms is of 4 to 25. In particular, A 3 is preferably a t-butyl group, a t-amyl group, or a hydrocarbon group containing an alicyclic structure (for example, an alicyclic group or an alkyl group substituted by an alicyclic group).

上記の脂環構造は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。具体的には、この脂環構造として、モノシクロ、ビシクロ、トリシクロ及びテトラシクロ構造等が挙げられる。この脂環構造の炭素数は、典型的には5以上であり、好ましくは6〜30であり、特に好ましくは7〜25である。なお、脂環構造を含んだ炭化水素基は、置換基を更に有していてもよい。   The alicyclic structure may be monocyclic or polycyclic. Specifically, examples of the alicyclic structure include monocyclo, bicyclo, tricyclo, and tetracyclo structures. The carbon number of the alicyclic structure is typically 5 or more, preferably 6 to 30, and particularly preferably 7 to 25. In addition, the hydrocarbon group containing an alicyclic structure may further have a substituent.

この脂環構造の具体例としては、先にRaのシクロアルキル基について説明したのと同様のものが挙げられる。   Specific examples of this alicyclic structure include the same as those described above for the cycloalkyl group of Ra.

好ましい脂環構造としては、例えば、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基及びシクロドデカニル基が挙げられる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基及びシクロドデカニル基が挙げられる。なお、ここでは、脂環構造を1価の脂環基として表記している。   Preferred alicyclic structures include, for example, adamantyl group, noradamantyl group, decalin residue, tricyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, norbornyl group, cedrol group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecanyl group Group and cyclododecanyl group. More preferably, an adamantyl group, a decalin residue, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, and a cyclododecanyl group are exemplified. Here, the alicyclic structure is represented as a monovalent alicyclic group.

これら脂環構造が有し得る置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基及びアルコキシカルボニル基が挙げられる。   Examples of the substituent that these alicyclic structures may have include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxy group, and an alkoxycarbonyl group.

アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基及びブチル基等の低級アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基が更に好ましい。
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基及びブトキシ基等の炭素数が1〜4のアルキル基が挙げられる。
The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and a butyl group, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group and an isopropyl group.
As an alkoxy group, C1-C4 alkyl groups, such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group, are mentioned, for example.

これらアルキル基及びアルコキシ基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子及びアルコキシ基が挙げられる。   These alkyl groups and alkoxy groups may further have a substituent. As this substituent, a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group are mentioned, for example.

は、下記一般式(pI)〜一般式(pV)の何れかにより表される基であることが特に好ましい。

Figure 0005264665
A 3 is particularly preferably a group represented by any one of the following formulas (pI) ~ formula (pV).
Figure 0005264665

一般式(pI)〜(pV)中、
11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子と共にシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。
12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、R12〜R14のうちの少なくとも1つは、シクロアルキル基を表す。また、R15及びR16の何れかは、シクロアルキル基を表す。
17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、R17〜R21のうちの少なくとも1つは、シクロアルキル基を表す。また、R19及びR21の何れかは、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。
22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、R22〜R25のうちの少なくとも1つは、シクロアルキル基を表す。なお、R23とR24とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。
In general formulas (pI) to (pV),
R 11 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group, and Z is an atom necessary for forming a cycloalkyl group together with a carbon atom. Represents a group.
R 12 to R 16 each independently represents a linear or branched alkyl group, or a cycloalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. However, at least one of R 12 to R 14 represents a cycloalkyl group. Moreover, any of R 15 and R 16 represents a cycloalkyl group.
R 17 to R 21 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a cycloalkyl group. However, at least one of R 17 to R 21 represents a cycloalkyl group. Also, one of R 19 and R 21 represents a linear or branched alkyl or cycloalkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
R 22 to R 25 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a cycloalkyl group. However, at least one of R 22 to R 25 represents a cycloalkyl group. R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring.

12〜R25のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基及びt−ブチル基が挙げられる。
これらアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基及びニトロ基が挙げられる。
Examples of the alkyl group of R 12 to R 25 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group.
These alkyl groups may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom), an acyl group, an acyloxy group, a cyano group, a hydroxyl group, a carboxy group, and an alkoxycarbonyl group. And a nitro group.

Zと炭素原子とが形成するシクロアルキル基及びR12〜R25のシクロアルキル基としては、例えば、先にRaのシクロアルキル基について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the cycloalkyl group formed by Z and a carbon atom and the cycloalkyl groups of R 12 to R 25 include the same groups as those described above for the cycloalkyl group of Ra.

の具体例としては、以下の基が挙げられる。

Figure 0005264665
Specific examples of A 3 include the following groups.
Figure 0005264665

は、r≧2の場合には各々独立して、置換基(水素原子を除く)を表す。Sにより表される置換基の種類は、特に限定されない。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基及びアラルキルチオ基が挙げられる。 S 2 independently represents a substituent (excluding a hydrogen atom) when r ≧ 2. Kind of substituent represented by S 2 is not particularly limited. Examples of the substituent include an alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, aralkyl group, aralkyloxy group, hydroxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, Examples include a sulfonylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, and an aralkylthio group.

アルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。上記アルキル基及びシクロアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数1〜20のものが好ましい。   The alkyl group may be linear or branched. Examples of the alkyl group and cycloalkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, cyclopentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, octyl group and C1-C20 things, such as a dodecyl group, are preferable.

アリール基としては、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基等の炭素数が6〜14のものが挙げられる。   Examples of the aryl group include those having 6 to 14 carbon atoms such as phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, and anthryl group.

アラルキル基としては、例えば、ベンジル基が挙げられる。   Examples of the aralkyl group include a benzyl group.

これら基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。この置換基の炭素数は、好ましくは12以下である。   These groups may further have a substituent. Examples of the substituent include alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, hydroxyl group, halogen atom, nitro group, acyl group, acyloxy group, acylamino group, sulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group, thiophenecarbonyloxy Groups, thiophenemethylcarbonyloxy groups, and heterocyclic residues such as pyrrolidone residues. The number of carbon atoms of this substituent is preferably 12 or less.

置換基を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基としては、例えば、シクロヘキシルエチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、アルキルカルボニルオキシエチル基、シクロアルキルカルボニルオキシメチル基、シクロアルキルカルボニルオキシエチル基、アリールカルボニルオキシエチル基、アラルキルカルボニルオキシエチル基、アルキルオキシメチル基、シクロアルキルオキシメチル基、アリールオキシメチル基、アラルキルオキシメチル基、アルキルオキシエチル基、シクロアルキルオキシエチル基、アリールオキシエチル基、アラルキルオキシエチル基、アルキルチオメチル基、シクロアルキルチオメチル基、アリールチオメチル基、アラルキルチオメチル基、アルキルチオエチル基、シクロアルキルチオエチル基、アリールチオエチル基及びアラルキルチオエチル基が挙げられる。   Examples of the substituted alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group include a cyclohexylethyl group, an alkylcarbonyloxymethyl group, an alkylcarbonyloxyethyl group, a cycloalkylcarbonyloxymethyl group, and a cycloalkylcarbonyloxyethyl group. Arylcarbonyloxyethyl group, aralkylcarbonyloxyethyl group, alkyloxymethyl group, cycloalkyloxymethyl group, aryloxymethyl group, aralkyloxymethyl group, alkyloxyethyl group, cycloalkyloxyethyl group, aryloxyethyl group, Aralkyloxyethyl group, alkylthiomethyl group, cycloalkylthiomethyl group, arylthiomethyl group, aralkylthiomethyl group, alkylthioethyl group, cycloal Ruchioechiru group, and arylthio ethyl and aralkylthio ethyl.

アルキルカルボニルオキシエチル基及びシクロアルキルカルボニルオキシエチル基の例としては、シクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、t−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基及びn−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基が挙げられる。アリールオキシエチル基の例としては、フェニルオキシエチル基及びシクロヘキシルフェニルオキシエチル基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。
アラルキルカルボニルオキシエチル基の例としては、ベンジルカルボニルオキシエチル基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。
Examples of the alkylcarbonyloxyethyl group and the cycloalkylcarbonyloxyethyl group include a cyclohexylcarbonyloxyethyl group, a t-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group, and an n-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group. Examples of the aryloxyethyl group include a phenyloxyethyl group and a cyclohexylphenyloxyethyl group. These groups may further have a substituent.
Examples of the aralkylcarbonyloxyethyl group include a benzylcarbonyloxyethyl group. These groups may further have a substituent.

pは、上述したように、1〜5の整数である。pは、好ましくは1又は2であり、特に好ましくは1である。   p is an integer of 1 to 5 as described above. p is preferably 1 or 2, particularly preferably 1.

qは、上述したように、1〜5の整数である。qは、好ましくは1又は2であり、特に好ましくは1である。   q is an integer of 1 to 5 as described above. q is preferably 1 or 2, particularly preferably 1.

rは、上述したように、p+r≦5なる関係を満足する1〜4の整数である。rは、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1であり、特に好ましくは0である。   As described above, r is an integer of 1 to 4 that satisfies the relationship of p + r ≦ 5. r is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.

繰り返し単位(A)では、Rが水素原子又はメチル基であり、p=1であり且つq=1であることが好ましい。即ち、繰り返し単位(A)は、下記一般式(II)により表される構造を有していることが好ましい。

Figure 0005264665
In the repeating unit (A), R a is preferably a hydrogen atom or a methyl group, p = 1, and q = 1. That is, the repeating unit (A) preferably has a structure represented by the following general formula (II).
Figure 0005264665

式(II)中、Rは水素原子又はメチル基を表す。Y、Ar、Y、A及びSは、先に一般式(I)について説明したのと同義である。rは、0〜4の整数を表す。 In formula (II), R a represents a hydrogen atom or a methyl group. Y a , Ar, Y b , A 3, and S 2 have the same meaning as described above for the general formula (I). r represents an integer of 0 to 4.

繰り返し単位(A)では、「−Y−Ar−Y−COOA」により表される基が、樹脂の主鎖に直接結合しているベンゼン環のパラ位に置換していることが好ましい。特には、Rが水素原子又はメチル基であり、p=1であり、q=1であり、且つ「−Y−Ar−Y−COOA」により表される基が、主鎖に直接結合しているベンゼン環のパラ位に置換していることが好ましい。即ち、繰り返し単位(A)は、下記一般式(III)により表される構造を有していることが好ましい。

Figure 0005264665
In the repeating unit (A), the group represented by “—Y a —Ar—Y b —COOA 3 ” is preferably substituted at the para-position of the benzene ring directly bonded to the main chain of the resin. . In particular, R a is a hydrogen atom or a methyl group, p = 1, q = 1, and a group represented by “—Y a —Ar—Y b —COOA 3 ” is present in the main chain. Substitution at the para-position of the directly bonded benzene ring is preferred. That is, the repeating unit (A) preferably has a structure represented by the following general formula (III).
Figure 0005264665

式(III)中、Rは水素原子又はメチル基を表す。Y、Ar、Y、A及びSは、先に一般式(I)について説明したのと同義である。rは、0〜4の整数を表す。 In formula (III), R a represents a hydrogen atom or a methyl group. Y a , Ar, Y b , A 3, and S 2 have the same meaning as described above for the general formula (I). r represents an integer of 0 to 4.

繰り返し単位(A)では、上述したように、r=0であることが好ましい。特には、Rが水素原子又はメチル基であり、p=1であり、q=1であり、「−Y−Ar−Y−COOA」により表される基が、主鎖に直接結合しているベンゼン環のパラ位に置換しており、且つr=0であることが好ましい。即ち、繰り返し単位(A)は、下記一般式(IV)により表される構造を有していることが好ましい。

Figure 0005264665
In the repeating unit (A), it is preferable that r = 0 as described above. In particular, R a is a hydrogen atom or a methyl group, p = 1, q = 1, and a group represented by “—Y a —Ar—Y b —COOA 3 ” is directly bonded to the main chain. It is preferably substituted at the para position of the bonded benzene ring and r = 0. That is, the repeating unit (A) preferably has a structure represented by the following general formula (IV).
Figure 0005264665

式(IV)中、Rは水素原子又はメチル基を表す。Y、Ar、Y及びAは、先に一般式(I)について説明したのと同義である。 In formula (IV), R a represents a hydrogen atom or a methyl group. Y a , Ar, Y b and A 3 have the same meanings as described above for the general formula (I).

繰り返し単位(A)の具体例を以下に示すが、本発明の範囲は、これらに限定されるものではない。

Figure 0005264665
Specific examples of the repeating unit (A) are shown below, but the scope of the present invention is not limited thereto.
Figure 0005264665

本発明に係る組成物は、上述したように、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位(B)を備えている。   As described above, the composition according to the present invention includes a repeating unit (B) that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation.

繰り返し単位(B)の少なくとも一部は、下記一般式(B1)、(B2)及び(B3)の何れかにより表される繰り返し単位であることが好ましい。これらのうち、下記一般式(B1)又は(B3)により表される繰り返し単位がより好ましく、下記一般式(B1)により表される繰り返し単位が特に好ましい。

Figure 0005264665
At least a part of the repeating unit (B) is preferably a repeating unit represented by any one of the following general formulas (B1), (B2) and (B3). Among these, the repeating unit represented by the following general formula (B1) or (B3) is more preferable, and the repeating unit represented by the following general formula (B1) is particularly preferable.
Figure 0005264665

式中、Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表す。
04、R05及びR07〜R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。
06は、シアノ基、カルボキシ基、−CO−OR25又は−CO−N(R26)(R27)を表す。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。R26及びR27は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
1 〜X3 は、各々独立に、単結合、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、−O−、−SO2 −、−CO−、−N(R33)−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。R33は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
In the formula, A represents a structural site that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid anion.
R 04 , R 05 and R 07 to R 09 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.
R 06 represents a cyano group, a carboxy group, —CO—OR 25 or —CO—N (R 26 ) (R 27 ). R 25 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 26 and R 27 may be bonded to each other to form a ring together with the nitrogen atom. R 26 and R 27 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.
X 1 to X 3 are each independently a single bond, an arylene group, an alkylene group, a cycloalkylene group, —O—, —SO 2 —, —CO—, —N (R 33 ) —, or a combination thereof. Represents a divalent linking group. R 33 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.

04、R05及びR07 〜R09のアルキル基としては、炭素数が20以下のものが好ましく、炭素数が8以下のものがより好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、及びドデシル基が挙げられる。なお、これらアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。 As the alkyl group for R 04 , R 05 and R 07 to R 09 , those having 20 or less carbon atoms are preferable, and those having 8 or less carbon atoms are more preferable. Examples of such an alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a hexyl group, a 2-ethylhexyl group, an octyl group, and a dodecyl group. These alkyl groups may further have a substituent.

04、R05及びR07 〜R09のシクロアルキル基は、単環型であっても、多環型であってもよい。このシクロアルキル基としては、炭素数が3〜8のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。 The cycloalkyl groups of R 04 , R 05 and R 07 to R 09 may be monocyclic or polycyclic. As this cycloalkyl group, a C3-C8 thing is preferable. Examples of such a cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.

04、R05及びR07〜R09のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。これらのうち、フッ素原子が特に好ましい。 Examples of the halogen atom for R 04 , R 05 and R 07 to R 09 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Of these, a fluorine atom is particularly preferable.

04、R05及びR07〜R09のアルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、例えば、先にR04、R05及びR07 〜R09のアルキル基として挙げたものが好ましい。 As the alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group of R 04, R 05 and R 07 to R 09, for example, those previously mentioned as the alkyl group of R 04, R 05 and R 07 to R 09 are preferred.

25〜R27及びR33のアルキル基としては、例えば、先にR04、R05及びR07 〜R09のアルキル基として挙げたものが好ましい。
25〜R27及びR33のシクロアルキル基としては、例えば、先にR04、R05及びR07 〜R09のシクロアルキル基として挙げたものが好ましい。
As the alkyl group for R 25 to R 27 and R 33 , for example, those previously mentioned as the alkyl groups for R 04 , R 05 and R 07 to R 09 are preferable.
As the cycloalkyl group for R 25 to R 27 and R 33 , for example, those listed above as the cycloalkyl groups for R 04 , R 05 and R 07 to R 09 are preferable.

25〜R27及びR33のアルケニル基としては、炭素数が2〜6のものが好ましい。このようなアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基が挙げられる。 The alkenyl group of R 25 to R 27 and R 33, preferably having a carbon number of 2-6. Examples of such an alkenyl group include a vinyl group, a propenyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, and a hexenyl group.

25〜R27及びR33のシクロアルケニル基としては、炭素数が3〜6のものが好ましい。このようなシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基が挙げられる。 The cycloalkenyl group for R 25 to R 27 and R 33 is preferably one having 3 to 6 carbon atoms. Examples of such a cycloalkenyl group include a cyclohexenyl group.

25〜R27及びR33のアリール基は、単環の芳香族基であってもよく、多環の芳香族基であってもよい。このアリール基としては、炭素数が6〜14のものが好ましい。このアリール基は、置換基を更に有していてもよい。また、アリール基同士が互いに結合して、複環を形成していてもよい。R25〜R27及びR33のアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基及びナフチル基が挙げられる。 The aryl group of R 25 to R 27 and R 33 may be a monocyclic aromatic group or a polycyclic aromatic group. As this aryl group, a C6-C14 thing is preferable. This aryl group may further have a substituent. In addition, aryl groups may be bonded to each other to form a multicycle. Examples of the aryl group of R 25 to R 27 and R 33 include a phenyl group, a tolyl group, a chlorophenyl group, a methoxyphenyl group, and a naphthyl group.

25〜R27及びR33のアラルキル基としては、炭素数が7〜15のものが好ましい。この
アラルキル基は、置換基を更に有していてもよい。R25〜R27及びR33のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基及びクミル基が挙げられる。
R 25 to R 27 and R 33 are preferably aralkyl groups having 7 to 15 carbon atoms. This aralkyl group may further have a substituent. Examples of the aralkyl group of R 25 to R 27 and R 33 include a benzyl group, a phenethyl group, and a cumyl group.

26とR27とが互いに結合して窒素原子と共に形成する環としては、5〜8員環が好ましく、具体的には、例えば、ピロリジン、ピペリジン及びピペラジンが挙げられる。 The ring formed by combining R 26 and R 27 together with the nitrogen atom is preferably a 5- to 8-membered ring, and specific examples include pyrrolidine, piperidine, and piperazine.

1 〜X3 のアリーレン基としては、炭素数が6〜14のものが好ましい。このようなアリーレン基としては、例えば、フェニレン基、トリレン基及びナフチレン基が挙げられる。これらアリーレン基は、置換基を更に有していてもよい。 The arylene group X 1 to X 3, preferably having a carbon number of 6-14. Examples of such an arylene group include a phenylene group, a tolylene group, and a naphthylene group. These arylene groups may further have a substituent.

1 〜X3 のアルキレン基としては、炭素数が1〜8のものが好ましい。このようなアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基及びオクチレン基が挙げられる。これらアルキレン基は、置換基を更に有していてもよい。 The alkylene group for X 1 to X 3 is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms. Examples of such an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group. These alkylene groups may further have a substituent.

シクロアルキレン基としては、炭素数が5〜8のものが好ましい。このようなシクロアルキレン基としては、例えば、シクロペンチレン基及びシクロヘキシレン基が挙げられる。これらシクロアルキレン基は、置換基を更に有していてもよい。   As the cycloalkylene group, those having 5 to 8 carbon atoms are preferable. Examples of such a cycloalkylene group include a cyclopentylene group and a cyclohexylene group. These cycloalkylene groups may further have a substituent.

上記一般式(B1)〜(B3)における各基が有し得る好ましい置換基としては、例えば、水酸基;ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素);ニトロ基;シアノ基;アミド基;スルホンアミド基;先にR04、R05及びR07 〜R09として挙げたアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、及びブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基;アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。これら置換基は、炭素数が8以下であることが好ましい。 Preferred substituents that each group in the general formulas (B1) to (B3) may have include, for example, a hydroxyl group; a halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine); a nitro group; a cyano group; an amide group; Groups; alkyl groups previously mentioned as R 04 , R 05 and R 07 to R 09 ; alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, hydroxyethoxy, propoxy, hydroxypropoxy, and butoxy; methoxycarbonyl and Examples thereof include alkoxycarbonyl groups such as ethoxycarbonyl group; acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group; acyloxy groups such as acetoxy group and butyryloxy group, and carboxy group. These substituents preferably have 8 or less carbon atoms.

Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を生じる構造部位を表し、具体的には、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、及びマイクロレジスト等に使用されている公知の光により酸を発生する化合物が有する構造部位が挙げられる。   A represents a structural site that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid. Specifically, photoinitiator for photocationic polymerization, photoinitiator for photoradical polymerization, photodecolorant for dyes, Examples thereof include a structural portion possessed by a compound that generates an acid by known light used in a photochromic agent and a microresist.

Aとしては、スルホニウム塩あるいはヨードニウム塩を含むイオン性構造部位がより好ましい。より具体的には、Aとして、下記一般式(ZI)又は(ZII)で表される基が好ましい。

Figure 0005264665
A is more preferably an ionic structural site containing a sulfonium salt or an iodonium salt. More specifically, A is preferably a group represented by the following general formula (ZI) or (ZII).
Figure 0005264665

一般式(ZI)中、
201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的には1〜30であり、好ましくは1〜20である。また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、例えば、ブチレン基及びペンチレン基等のアルキレン基が挙げられる。
In general formula (ZI),
R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
The carbon number of the organic group as R 201, R 202 and R 203 is generally from 1 to 30, preferably 1 to 20. Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. Examples of the group formed by combining two of R 201 to R 203 include alkylene groups such as a butylene group and a pentylene group.

-は、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する酸アニオンを表す。Z-は、非求核性アニオンであることが好ましい。非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、及びトリス(アルキルスルホニル)メチルアニオンが挙げられる。 Z represents an acid anion generated by decomposition upon irradiation with actinic rays or radiation. Z is preferably a non-nucleophilic anion. Examples of the non-nucleophilic anion include a sulfonate anion, a carboxylate anion, a sulfonylimide anion, a bis (alkylsulfonyl) imide anion, and a tris (alkylsulfonyl) methyl anion.

なお、非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンを意味している。非求核性アニオンを用いると、分子内求核反応による経時分解を抑制することができる。これにより樹脂及び組成物の経時安定性を向上させることが可能となる。   The non-nucleophilic anion means an anion having an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction. When a non-nucleophilic anion is used, degradation with time due to intramolecular nucleophilic reaction can be suppressed. This makes it possible to improve the temporal stability of the resin and the composition.

201、R202及びR203の有機基としては、例えば、後述する(ZI−1)、(ZI−2)、(ZI−3)で表される基における対応する基が挙げられる。 Examples of the organic group for R 201 , R 202 and R 203 include the corresponding groups in the groups represented by (ZI-1), (ZI-2) and (ZI-3) described later.

更に好ましい(ZI)で表される基として、以下に説明する(ZI−1)基、(ZI−2)基、(ZI−3)基及び(ZI−4)基を挙げることができる。   More preferable examples of the group represented by (ZI) include the (ZI-1) group, (ZI-2) group, (ZI-3) group and (ZI-4) group described below.

(ZI−1)基は、上記一般式(ZI)におけるR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウムをカチオンとする基である。 The (ZI-1) group is a group having arylsulfonium as a cation, in which at least one of R 201 to R 203 in the general formula (ZI) is an aryl group.

201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。 All of R 201 to R 203 may be an aryl group or a part of R 201 to R 203 is an aryl group and the remainder may be an alkyl group or a cycloalkyl group.

(ZI−1)基としては、例えば、トリアリールスルホニウム、ジアリールアルキルスルホニウム、アリールジアルキルスルホニウム、ジアリールシクロアルキルスルホニウム、及びアリールジシクロアルキルスルホニウムのそれぞれに相当する基が挙げられる。   Examples of the (ZI-1) group include groups corresponding to triarylsulfonium, diarylalkylsulfonium, aryldialkylsulfonium, diarylcycloalkylsulfonium, and aryldicycloalkylsulfonium.

アリールスルホニウムにおけるアリール基としては、フェニル基又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子等のヘテロ原子を含んだ複素環構造を有していてもよい。この複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン及びベンゾチオフェンが挙げられる。アリールスルホニウムが2つ以上のアリール基を有する場合、これらアリール基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。   The aryl group in the arylsulfonium is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group. The aryl group may have a heterocyclic structure containing a hetero atom such as an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom. Examples of this heterocyclic structure include pyrrole, furan, thiophene, indole, benzofuran and benzothiophene. When arylsulfonium has two or more aryl groups, these aryl groups may be the same as or different from each other.

アリールスルホニウムが必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖若しくは分岐アルキル基、又は、炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましい。このようなアルキル基又はシクロアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。   The alkyl group or cycloalkyl group which arylsulfonium has as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms. Examples of such an alkyl group or cycloalkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group. .

201〜R203のアリール基、アルキル基又はシクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基又はフェニルチオ基を置換基として有してもよい。 Aryl group R 201 to R 203, an alkyl group or a cycloalkyl group, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 14 carbon atoms) , An alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group or a phenylthio group may be substituted.

好ましい置換基としては、例えば、炭素数1〜12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、及び、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基が挙げられる。より好ましい置換基としては、例えば、炭素数1〜4のアルキル基、及び、炭素数1〜4のアルコキシ基が挙げられる。置換基は、3つのR201〜R203のうちの何れか1つに置換していてもよいし、これらの2つ以上に置換していてもよい。また、R201〜R203がフェニル基の場合、これら置換基は、フェニル基のp−位に置換していることが好ましい。 Preferred examples of the substituent include a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, and a linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. It is done. More preferable substituents include, for example, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The substituent may be substituted with any one of the three R 201 to R 203 , or may be substituted with two or more of these. Further, when R 201 to R 203 are a phenyl group, these substituents are preferably substituted at the p-position of the phenyl group.

次に、(ZI−2)基について説明する。
(ZI−2)基は、一般式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す基である。ここで、芳香環には、ヘテロ原子を含んだ複素環も含まれる。
Next, the (ZI-2) group will be described.
The (ZI-2) group is a group in which R 201 to R 203 in the general formula (ZI) each independently represents an organic group having no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes a heterocycle containing a hetero atom.

201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、炭素数が一般的には1〜30であり、好ましくは1〜20である。 The organic group having no aromatic ring as R 201 to R 203 is generally a carbon number of 1 to 30, preferably 1 to 20.

201〜R203は、各々独立に、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基であり、より好ましくは、直鎖若しくは分岐鎖の2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基又はアルコキシカルボニルメチル基であり、更に好ましくは、直鎖又は分岐鎖の2−オキソアルキル基である。 R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group, or a vinyl group, more preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group, 2-oxocyclo An alkyl group or an alkoxycarbonylmethyl group, more preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group.

201〜R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基若しくはペンチル基)、及び、炭素数3〜10のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基若しくはノルボニル基)が挙げられる。このアルキル基としては、より好ましくは、2−オキソアルキル基及びアルコキシカルボニルメチル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、より好ましくは、2−オキソシクロアルキル基が挙げられる。 The alkyl group and cycloalkyl group of R 201 to R 203, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group or a pentyl group), and And a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms (for example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, or a norbornyl group). More preferred examples of the alkyl group include a 2-oxoalkyl group and an alkoxycarbonylmethyl group. As the cycloalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group is more preferable.

2−オキソアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。2−オキソアルキル基としては、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基が挙げられる。2−オキソシクロアルキル基としては、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基が挙げられる。   The 2-oxoalkyl group may be linear or branched. As the 2-oxoalkyl group, a group having> C═O at the 2-position of the above alkyl group is preferable. As the 2-oxocycloalkyl group, a group having> C═O at the 2-position of the cycloalkyl group is preferably exemplified.

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは、炭素数1〜5のアルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基又はペントキシ基)が挙げられる。   The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, or a pentoxy group).

201〜R203は、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。 R 201 to R 203 may be further substituted with, for example, a halogen atom, an alkoxy group (eg, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group.

次いで、(ZI−3)基について説明する。
(ZI−3)基とは、以下の一般式(ZI−3)で表される基であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する基である。

Figure 0005264665
Next, the (ZI-3) group will be described.
The (ZI-3) group is a group represented by the following general formula (ZI-3), which is a group having a phenacylsulfonium salt structure.
Figure 0005264665

一般式(ZI−3)中、R1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
x及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
1c〜R5cのうちの2以上、R6c及びR7c、並びに、Rx及びRyは、それぞれ、互いに結合して、環構造を形成していてもよい。この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合及び/又はアミド結合を含んでいてもよい。これらが互いに結合して形成する基としては、例えば、ブチレン基及びペンチレン基が挙げられる。
Zc-は、非求核性アニオンを表し、例えば、一般式(ZI)におけるZ-と同様のものが挙げられる。
In General Formula (ZI-3), R 1c to R 5c each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom.
R 6c and R 7c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group.
R x and R y each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group or a vinyl group.
Two or more of R 1c to R 5c , R 6c and R 7c , and R x and R y may be bonded to each other to form a ring structure. This ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond and / or an amide bond. Examples of the group formed by bonding these to each other include a butylene group and a pentylene group.
Zc represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as Z in the general formula (ZI).

一般式(ZI−3)のカチオン部の具体的構造としては、特開2004−233661号公報の段落0047及び0048、並びに、特開2003−35948号公報の段落0040〜0046に例示されている酸発生剤のカチオン部の構造を参照されたい。   Specific examples of the structure of the cation moiety of the general formula (ZI-3) include acids exemplified in paragraphs 0047 and 0048 of JP-A No. 2004-233661 and paragraphs 0040 to 0046 of JP-A No. 2003-35948. See the structure of the cation moiety of the generator.

続いて、(ZI−4)基について説明する。
(ZI−4)基とは、以下の一般式(ZI−4)により表される基である。この基は、アウトガスの抑制に有効である。

Figure 0005264665
Subsequently, the (ZI-4) group will be described.
The (ZI-4) group is a group represented by the following general formula (ZI-4). This group is effective for suppressing outgas.
Figure 0005264665

一般式(ZI−4)中、R1〜R13は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。R1〜R13のうち少なくとも1つは、アルコール性水酸基を含む置換基であることが好ましい。なお、ここで「アルコール性水酸基」とは、アルキル基の炭素原子に結合した水酸基を意味している。
Zは、単結合又は2価の連結基である。
Zc-は、非求核性アニオンを表し、例えば、一般式(ZI)におけるZ-と同様のものが挙げられる。
In General Formula (ZI-4), R 1 to R 13 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. At least one of R 1 to R 13 is preferably a substituent containing an alcoholic hydroxyl group. Here, “alcoholic hydroxyl group” means a hydroxyl group bonded to a carbon atom of an alkyl group.
Z is a single bond or a divalent linking group.
Zc represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as Z in the general formula (ZI).

1〜R13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、R1〜R13は−(W−Y)により表される基であることが好ましい。ここで、Yは水酸基で置換されたアルキル基であり、Wは単結合又は2価の連結基である。 When R 1 to R 13 are substituents containing an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are preferably groups represented by — (W—Y). Here, Y is an alkyl group substituted with a hydroxyl group, and W is a single bond or a divalent linking group.

Yにより表されるアルキル基の好ましい例としては、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基が挙げられる。Yは、特に好ましくは、−CH2CH2OHにより表される構造を含んでいる。 Preferable examples of the alkyl group represented by Y include an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Y particularly preferably includes a structure represented by —CH 2 CH 2 OH.

Wにより表される2価の連結基としては、特に制限は無いが、好ましくは単結合、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた2価の基であり、更に好ましくは、単結合、アシルオキシ基、アルキルスルホニル基、アシル基又はアルコキシカルボニル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた2価の基である。   The divalent linking group represented by W is not particularly limited, but preferably a single bond, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group, an alkyl and arylsulfonylamino group, an alkylthio group, an alkylsulfonyl group, an acyl group, A divalent group in which an arbitrary hydrogen atom in an alkoxycarbonyl group or a carbamoyl group is replaced by a single bond, and more preferably an arbitrary hydrogen atom in a single bond, an acyloxy group, an alkylsulfonyl group, an acyl group or an alkoxycarbonyl group. It is a divalent group replaced by a single bond.

1〜R13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、含まれる炭素数は、好ましくは2〜10であり、更に好ましくは2〜6であり、特に好ましくは2〜4である。 When R 1 to R 13 are substituents containing an alcoholic hydroxyl group, the number of carbon atoms contained is preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6, and particularly preferably 2 to 4.

1〜R13としてのアルコール性水酸基を含む置換基は、アルコール性水酸基を2つ以上有していてもよい。R1〜R13としてのアルコール性水酸基を含む置換基の有するアルコール性水酸基の数は、1〜6であり、好ましくは1〜3であり、更に好ましくは1である。 The substituent containing an alcoholic hydroxyl group as R 1 to R 13 may have two or more alcoholic hydroxyl groups. The number of the alcoholic hydroxyl group which the substituent containing the alcoholic hydroxyl group as R < 1 > -R < 13 > has is 1-6, Preferably it is 1-3, More preferably, it is 1.

(ZI−4)基が含んでいるアルコール性水酸基の数は、R1〜R13すべて合わせて1〜10であり、好ましくは1〜6であり、更に好ましくは1〜3である。 The number of alcoholic hydroxyl groups contained in the (ZI-4) group is 1 to 10 in total for R 1 to R 13 , preferably 1 to 6, and more preferably 1 to 3.

1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13としての置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基(アニリノ基を含む)、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及び複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基〔−B(OH)2〕、ホスファト基〔−OPO(OH)2〕、スルファト基(−OSO3H)、並びに、他の公知の置換基が挙げられる。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, examples of the substituent as R 1 to R 13 include a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, and an aryl group. , Heterocyclic group, cyano group, nitro group, carboxy group, alkoxy group, aryloxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group ( Anilino group), ammonio group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, Duplicate Ring thio group, sulfamoyl group, sulfo group, alkyl and arylsulfinyl group, alkyl and arylsulfonyl group, acyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, aryl and heterocyclic azo group, imide group, phosphino group, Phosphinyl group, phosphinyloxy group, phosphinylamino group, phosphono group, silyl group, hydrazino group, ureido group, boronic acid group [—B (OH) 2 ], phosphato group [—OPO (OH) 2 ], Examples thereof include a sulfato group (—OSO 3 H) and other known substituents.

1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13は、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、シアノ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、シリル基又はウレイド基である。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, Cyano group, carboxy group, alkoxy group, aryloxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino Group, alkylthio group, arylthio group, sulfamoyl group, alkyl and arylsulfonyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, imide group, silyl group or ureido group.

1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13は、更に好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基である。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are more preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group, An aminocarbonylamino group, an alkoxycarbonylamino group, an alkyl and arylsulfonylamino group, an alkylthio group, a sulfamoyl group, an alkyl and arylsulfonyl group, an alkoxycarbonyl group or a carbamoyl group.

1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13は、特に好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はアルコキシ基である。 When R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group, R 1 to R 13 are particularly preferably a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, or an alkoxy group.

1〜R13のうちの隣接する2つが互いに結合して、環構造を形成してもよい。この環構造には、芳香族及び非芳香族の炭化水素環並びに複素環が含まれる。これら環構造は、更に組み合わされて、縮合環を形成していてもよい。 Two adjacent ones of R 1 to R 13 may be bonded to each other to form a ring structure. This ring structure includes aromatic and non-aromatic hydrocarbon rings and heterocycles. These ring structures may be further combined to form a condensed ring.

(ZI−4)基は、好ましくは、R1〜R13のうち少なくとも1つがアルコール性水酸基を含んだ構造を有しており、更に好ましくは、R9〜R13のうち少なくとも1つがアルコール性水酸基を含んだ構造を有している。 The (ZI-4) group preferably has a structure in which at least one of R 1 to R 13 contains an alcoholic hydroxyl group, and more preferably at least one of R 9 to R 13 is alcoholic. It has a structure containing a hydroxyl group.

Zは、上述したように、単結合又は2価の連結基を表している。この2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボニルオキシ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミド基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、ジスルフィド基、アシル基、アルキルスルホニル基、−CH=CH−、アミノカルボニルアミノ基及びアミノスルホニルアミノ基が挙げられる。   Z represents a single bond or a divalent linking group as described above. Examples of the divalent linking group include an alkylene group, an arylene group, a carbonyl group, a sulfonyl group, a carbonyloxy group, a carbonylamino group, a sulfonylamide group, an ether group, a thioether group, an amino group, a disulfide group, an acyl group, Examples thereof include an alkylsulfonyl group, -CH = CH-, an aminocarbonylamino group, and an aminosulfonylamino group.

この2価の連結基は、置換基を有していてもよい。これらの置換基としては、例えば、先にR1〜R13について列挙したのと同様のものが挙げられる。 This divalent linking group may have a substituent. As these substituents, for example, those similar to those listed above for R 1 to R 13 can be mentioned.

Zは、好ましくは、単結合、アルキレン基、アリーレン基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、−CH=CH−、アミノカルボニルアミノ基及びアミノスルホニルアミノ基等の電子求引性を持たない結合又は基であり、更に好ましくは、単結合、エーテル基又はチオエーテル基であり、特に好ましくは、単結合である。   Z is preferably a single bond, an alkylene group, an arylene group, an ether group, a thioether group, an amino group, a bond having no electron withdrawing property such as —CH═CH—, an aminocarbonylamino group, and an aminosulfonylamino group, or A group, more preferably a single bond, an ether group or a thioether group, and particularly preferably a single bond.

次に、一般式(ZII)について説明する。
一般式(ZII)中、R204〜R205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基の具体例及び好ましい態様等は、前述の化合物(ZI−1)におけるR201〜R203について説明したものと同様である。
Next, general formula (ZII) will be described.
In formula (ZII), R 204 ~R 205 each independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group.
Aryl group R 204 to R 207, an alkyl group, specific examples and preferred embodiments, such as cycloalkyl group are the same as those described for R 201 to R 203 in the compound of the aforementioned (ZI-1).

204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物(ZI−1)におけるR201〜R203について説明したものと同様のものが挙げられる。 Aryl group, alkyl group of R 204 to R 207, cycloalkyl groups may have a substituent. Examples of this substituent include the same as those described for R 201 to R 203 in the aforementioned compound (ZI-1).

-は、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する酸アニオンを示し、非求核性アニオンが好ましく、例えば、一般式(ZI)におけるZ-と同様のものが挙げられる。 Z represents an acid anion generated by decomposition upon irradiation with actinic rays or radiation, and is preferably a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as Z in the general formula (ZI).

Aの好ましい例としては、下記一般式(ZCI)又は(ZCII)で表される基も挙げられる。

Figure 0005264665
Preferred examples of A also include groups represented by the following general formula (ZCI) or (ZCII).
Figure 0005264665

上記一般式(ZCI)中、
301及びR302は、各々独立に、有機基を表す。この有機基の炭素数は、一般的には1〜30であり、好ましくは1〜20である。R301及びR302は、互いに結合して、環構造を形成していてもよい。この環構造は、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合及び/又はカルボニル基を含んでいてもよい。R301とR302とが互いに結合して形成し得る基としては、ブチレン基及びペンチレン基等のアルキレン基が挙げられる。
301及びR302の有機基としては、例えば、一般式(ZI)におけるR201〜R203の例として挙げたアリール基、アルキル基及びシクロアルキル基が挙げられる。
In the above general formula (ZCI),
R 301 and R 302 each independently represents an organic group. The organic group generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms. R 301 and R 302 may be bonded to each other to form a ring structure. This ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond and / or a carbonyl group in the ring. Examples of the group that R 301 and R 302 can be bonded to each other include alkylene groups such as a butylene group and a pentylene group.
The organic group of R 301 and R 302, for example, aryl groups mentioned as examples of R 201 to R 203 in formula (ZI), include alkyl groups and cycloalkyl groups.

Mは、プロトンが付加されることにより酸を形成する原子団を表す。より具体的には、後述する一般式AN1〜AN3の何れかにより表される構造が挙げられる。これらのうち、一般式AN1により表される構造が特に好ましい。   M represents an atomic group that forms an acid when a proton is added thereto. More specifically, a structure represented by any one of the general formulas AN1 to AN3 described later can be given. Of these, the structure represented by the general formula AN1 is particularly preferable.

303は有機基を表す。R303としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。R303の有機基として具体的には、例えば前記一般式(ZII)におけるR204、R205の具体例として挙げたアリール基、アルキル基、シクロアルキル基等を挙げることができる。 R 303 represents an organic group. The organic group as R 303 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms. Specific examples of the organic group for R 303 include an aryl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, and the like given as specific examples of R 204 and R 205 in the general formula (ZII).

また、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する構造部位としては、例えば、下記光酸発生剤が有しているスルホン酸前駆体となる構造部位を挙げることができる。この光酸発生剤としては、例えば、以下の(1)〜(3)の化合物が挙げられる。   Moreover, as a structural site | part which generate | occur | produces an acid by irradiation of actinic light or a radiation, the structural site | part used as the sulfonic acid precursor which the following photoacid generator has can be mentioned, for example. Examples of the photoacid generator include the following compounds (1) to (3).

(1)M.TUNOOKA et al., Polymer Preprints Japan,35(8); G.Berner et al., J. Rad. Curing, 13(4);W.J.Mijs et al., Coating Technol., 55(697), 45(1983);H.Adachi et al., Polymer Preprints, Japan, 37(3);欧州特許第0199,672号、同84515号、同199,672号、同044,115号、同0101,122号、米国特許第618,564号、同4,371,605号、同4,431,774号の各明細書、特開昭64-18143 号、特開平2-245756号、及び特開平4-365048号等の各公報に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物。
(2)特開昭61−166544号公報等に記載のジスルホン化合物。
(3)V.N.R. Pillai, Synthesis,(1), 1(1980);A. Abad et al, Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971);D.H.R.Barton et al., J. Chem. Soc.,(C),329(1970);米国特許第3,779,778号;及び欧州特許第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物。
(1) M.TUNOOKA et al., Polymer Preprints Japan, 35 (8); G. Berner et al., J. Rad. Curing, 13 (4); WJMijs et al., Coating Technol., 55 (697) H. Adachi et al., Polymer Preprints, Japan, 37 (3); European Patent Nos. 0199,672, 84515, 199,672, 044,115, 0101,122, USA Patent Documents Nos. 618,564, 4,371,605, 4,431,774, JP-A-64-18143, JP-A-2-245756, JP-A-4-365048, etc. A compound that generates sulfonic acid by photolysis represented by
(2) Disulfone compounds described in JP-A No. 61-166544.
(3) VNR Pillai, Synthesis, (1), 1 (1980); A. Abad et al, Tetrahedron Lett., (47) 4555 (1971); DHRBarton et al., J. Chem. Soc., (C) 329 (1970); U.S. Pat. No. 3,779,778; and European Patent No. 126,712.

繰り返し単位(B)は、活性光線又は放射線の照射により酸アニオンへと変換される構造部位を備えていることが好ましい。例えば、上記一般式(B1)〜(B3)におけるAは、活性光線又は放射線の照射により酸アニオンへと変換される構造部位であることが好ましい。   The repeating unit (B) preferably has a structural site that is converted to an acid anion by irradiation with actinic rays or radiation. For example, A in the general formulas (B1) to (B3) is preferably a structural site that is converted into an acid anion by irradiation with actinic rays or radiation.

即ち、繰り返し単位(B)は、活性光線又は放射線の照射により樹脂の側鎖に酸アニオンを生じる構造であることがより好ましい。このような構造を採用すると、発生した酸アニオンの拡散が抑制され、解像度及びラフネス特性等を更に向上させることが可能となる。   That is, it is more preferable that the repeating unit (B) has a structure in which an acid anion is generated in the side chain of the resin by irradiation with actinic rays or radiation. By adopting such a structure, the diffusion of the generated acid anions is suppressed, and the resolution and roughness characteristics can be further improved.

一般式(B1)における部位−X−A、一般式(B2)における部位−X−A、及び一般式(B3)における部位−X−Aの各々は、下記一般式(L1)、(L2)及び(L3)の何れかにより表されることが好ましい。 Formula sites -X 1 -A in (B1), the general formula (B2) site -X 2 -A in, and each of the sites -X 3 -A in formula (B3), the following formula (L1), It is preferably represented by either (L2) or (L3).

−X11−L11−X12−Ar−X13−L12−Z (L1)
−Ar−X21−L21−X22−L22−Z (L2)
−X31−L31−X32−L32−Z (L3)
まず、一般式(L1)により表される部位について説明する。
-X 11 -L 11 -X 12 -Ar 1 -X 13 -L 12 -Z 1 (L1)
-Ar 2 -X 21 -L 21 -X 22 -L 22 -Z 2 (L2)
-X 31 -L 31 -X 32 -L 32 -Z 3 (L3)
First, the site | part represented by general formula (L1) is demonstrated.

11は、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。 X 11 represents —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R represents a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or these Represents a combined group.

Rのアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。また、Rのアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。このアルキル基は、炭素数が20以下であることが好ましく、炭素数が8以下であることがより好ましく、炭素数が3以下であることが更に好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基が挙げられる。Rとしては、水素原子、メチル基又はエチル基が特に好ましい。   The alkyl group of R may be linear or branched. Moreover, the alkyl group of R may further have a substituent. The alkyl group preferably has 20 or less carbon atoms, more preferably 8 or less carbon atoms, and still more preferably 3 or less carbon atoms. Examples of such an alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a hexyl group, a 2-ethylhexyl group, an octyl group, and a dodecyl group. R is particularly preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.

なお、2価の窒素含有非芳香族複素環基とは、少なくとも1個の窒素原子を有する、好ましくは3〜8員の非芳香族複素環基を意味する。   The divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group means a 3- to 8-membered non-aromatic heterocyclic group having at least one nitrogen atom.

11は、−O−、−CO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、又は、これらを組み合わせた基であることがより好ましく、−COO−又は−CONR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)であることが特に好ましい。 X 11 is more preferably —O—, —CO—, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), or a combination thereof, and —COO— or —CONR— (R is hydrogen). Particularly preferred is an atom or an alkyl group.

11は、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 11 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same as each other or different from each other. These groups, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent May be connected via a group of aromatic rings or a combination thereof.

11のアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキレン基としては、炭素数が1〜8のものが好ましく、炭素数1〜6のものがより好ましく、炭素数が1〜4のものが更に好ましい。 The alkylene group for L 11 may be linear or branched. As this alkylene group, a C1-C8 thing is preferable, a C1-C6 thing is more preferable, and a C1-C4 thing is still more preferable.

11のアルケニレン基としては、例えば、上記のアルキレン基の任意の位置に二重結合を備えた基が挙げられる。 As the alkenylene group for L 11 , for example, a group having a double bond at any position of the above alkylene group can be mentioned.

11としての2価の脂肪族炭化水素環基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。この2価の脂肪族炭化水素環基としては、炭素数が5〜12のものが好ましく、炭素数が6〜10のものがより好ましい。 The divalent aliphatic hydrocarbon ring group as L 11 may be monocyclic or polycyclic. The divalent aliphatic hydrocarbon ring group preferably has 5 to 12 carbon atoms, and more preferably 6 to 10 carbon atoms.

連結基としての2価の芳香環基は、アリーレン基であってもよく、ヘテロアリーレン基であってもよい。この芳香環基は、炭素数が6〜14であることが好ましい。この芳香環基は、置換基を更に有していてもよい。   The divalent aromatic ring group as the linking group may be an arylene group or a heteroarylene group. The aromatic ring group preferably has 6 to 14 carbon atoms. This aromatic ring group may further have a substituent.

また、連結基としての−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基は、例えば、上述したX11における各々と同様である。 In addition, —NR— as a linking group and a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group are the same as, for example, each of X 11 described above.

11としては、アルキレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、又は、−OCO−、−O−若しくは−CONH−を介してアルキレン基と2価の脂肪族炭化水素環基とを組み合わせた基(例えば、−アルキレン基−O−アルキレン基−、−アルキレン基−OCO−アルキレン基−若しくは−2価の脂肪族炭化水素環基−O−アルキレン基−、−アルキレン基−CONH−アルキレン基−)が特に好ましい。 L 11 is an alkylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, or a combination of an alkylene group and a divalent aliphatic hydrocarbon ring group via —OCO—, —O— or —CONH—. Group (for example, -alkylene group-O-alkylene group-, -alkylene group-OCO-alkylene group- or -valent aliphatic hydrocarbon ring group-O-alkylene group-, -alkylene group-CONH-alkylene group- Is particularly preferred.

12及びX13における−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。 Specific examples of —NR— and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in X 12 and X 13 are the same as those in X 11 described above, and preferred examples are also the same.

12としては、単結合、−S−、−O−、−CO−、−SO2−、又はこれらを組み合わせた基がより好ましく、単結合、−S−、−OCO−又は−OSO2−が特に好ましい。 X 12 is more preferably a single bond, —S—, —O—, —CO—, —SO 2 —, or a combination thereof, and is a single bond, —S—, —OCO—, or —OSO 2 —. Is particularly preferred.

13としては、−O−、−CO−、−SO2−、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、−OSO2−が特に好ましい。 X 13 is more preferably —O—, —CO—, —SO 2 —, or a combination thereof, and particularly preferably —OSO 2 —.

Ar1は、2価の芳香環基を表す。2価の芳香環基は、アリーレン基であってもよく、ヘテロアリーレン基であってもよい。この2価の芳香環基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基及びアリール基が挙げられる。 Ar 1 represents a divalent aromatic ring group. The divalent aromatic ring group may be an arylene group or a heteroarylene group. This divalent aromatic ring group may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, and an aryl group.

Ar1としては、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリーレン基、又は、炭素数6〜18のアリーレン基と炭素数1〜4のアルキレンよを組み合わせたアラルキレン基がより好ましく、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、又は、フェニル基で置換されたフェニレン基が特に好ましい。 Ar 1 is more preferably an arylene group having 6 to 18 carbon atoms which may have a substituent, or an aralkylene group in which an arylene group having 6 to 18 carbon atoms and an alkylene having 1 to 4 carbon atoms are combined. A phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, or a phenylene group substituted with a phenyl group is particularly preferable.

12は、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表し、これらの基は、水素原子の一部または全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、及びシアノ基から選択される置換基で置換されている。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 12 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more of these, and these groups are a part of a hydrogen atom or All are substituted with a substituent selected from a fluorine atom, a fluorinated alkyl group, a nitro group, and a cyano group. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same as each other or different from each other. These groups, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent May be connected via a group of aromatic rings or a combination thereof.

12としては、水素原子の一部または全部が、フッ素原子若しくはフッ化アルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換された、アルキレン基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された、アルキレン基又は2価の芳香環基が特に好ましい。L12としては、水素原子数の30〜100%がフッ素原子で置換されたアルキレン基又は2価の芳香環基が特に好ましい。 As L 12 , an alkylene group, a divalent aromatic ring group, or a combination thereof, in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group) A group is more preferable, and an alkylene group or a divalent aromatic ring group in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms is particularly preferable. L 12 is particularly preferably an alkylene group or a divalent aromatic ring group in which 30 to 100% of the number of hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.

12のアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキレン基は、炭素数が1〜6であることが好ましく、炭素数が1〜4であることがより好ましい。 The alkylene group for L 12 may be linear or branched. The alkylene group preferably has 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms.

12のアルケニレン基としては、例えば、上記アルキレン基の任意の位置に二重結合を備えた基が挙げられる。 Examples of the alkenylene group for L 12 include a group having a double bond at an arbitrary position of the alkylene group.

12の2価の脂肪族炭化水素環基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。この2価の脂肪族炭化水素環基としては、炭素数が3〜17のものが好ましい。 The divalent aliphatic hydrocarbon ring group represented by L 12 may be monocyclic or polycyclic. The divalent aliphatic hydrocarbon ring group is preferably one having 3 to 17 carbon atoms.

12の2価の芳香環基としては、例えば、先にL11における連結基として説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the divalent aromatic ring group for L 12 include the same groups as those described above as the linking group for L 11 .

また、L12における連結基の−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。 Specific examples of the linking group —NR— and the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 12 include the same specific examples as in X 11 described above, and preferred examples are also the same.

1は、活性光線または放射線の照射によりスルホン酸基となる部位を表し、具体的には、例えば、上記式(ZI)により表される構造が挙げられる。 Z 1 represents a site that becomes a sulfonic acid group upon irradiation with actinic rays or radiation, and specifically includes, for example, a structure represented by the above formula (ZI).

次に、一般式(L2)により表される部位について説明する。
Arは、2価の芳香環基を表す。2価の芳香環基は、アリーレン基であってもよく、ヘテロアリーレン基であってもよい。これら2価の芳香環基は、炭素数が6〜18であることが好ましい。これら2価の芳香環基は、置換基を更に有していてもよい。
Next, the site | part represented by general formula (L2) is demonstrated.
Ar 2 represents a divalent aromatic ring group. The divalent aromatic ring group may be an arylene group or a heteroarylene group. These divalent aromatic ring groups preferably have 6 to 18 carbon atoms. These divalent aromatic ring groups may further have a substituent.

21は、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。 X 21 represents —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R represents a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or these Represents a combined group.

21における−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、例えば、先にX11について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of —NR— and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in X 21 include the same as those described above for X 11 .

21としては、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、−O−、−OCO−又は−OSO2−が特に好ましい。 X 21 is more preferably —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, or a combination thereof, and particularly preferably —O—, —OCO—, or —OSO 2 —.

22は、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。X22における−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、例えば、先にX11について説明したのと同様のものが挙げられる。
22としては、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、−O−、−OCO−又は−OSO2−が特に好ましい。
X 22 represents a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R represents a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or And represents a combination of these. Examples of —NR— and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in X 22 include the same as those described above for X 11 .
X 22 is more preferably —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, or a combination thereof, and particularly preferably —O—, —OCO—, or —OSO 2 —.

21は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 21 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same as each other or different from each other. These groups, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent May be connected via a group of aromatic rings or a combination thereof.

21のアルキレン基、アルケニレン基、及び2価の脂肪族炭化水素環基としては、例えば、先にL11における各々について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the alkylene group, alkenylene group, and divalent aliphatic hydrocarbon ring group for L 21 include the same groups as those described above for L 11 .

21の2価の芳香環基は、アリーレン基であってもよく、ヘテロアリーレン基であってもよい。この2価の芳香環基は、炭素数が6〜14であることが好ましい。 The divalent aromatic ring group of L 21 may be an arylene group or a heteroarylene group. The divalent aromatic ring group preferably has 6 to 14 carbon atoms.

21における−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、例えば、先にX11について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of —NR— and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 21 include the same as those described above for X 11 .

21としては、単結合、アルキレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、これらの2以上を組み合わせた基(例えば、−アルキレン基−2価の芳香環基−若しくは−2価の脂肪族炭化水素環基−アルキレン基−)、又は、−OCO−、−COO−、−O−及び−S−等の連結基を介してこれらの2以上を組み合わせた基(例えば、−アルキレン基−OCO−2価の芳香環基−、−アルキレン基−S−2価の芳香環基−、若しくは、−アルキレン基−O−アルキレン基−2価の芳香環基−)が特に好ましい。 L 21 includes, for example, a single bond, an alkylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more of these (for example, -alkylene group-2 divalent aromatic ring group- Or a group in which two or more of these are combined through a linking group such as -OCO-, -COO-, -O-, and -S- For example, -alkylene group-OCO-2 valent aromatic ring group-, -alkylene group-S-2 valent aromatic ring group-, or -alkylene group-O-alkylene group-2 valent aromatic ring group-). Particularly preferred.

22は、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表し、これらの基は、水素原子の一部または全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、及びシアノ基から選択される置換基で置換されていてもよい。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 22 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more of these, and these groups are a part of hydrogen atoms or All may be substituted with a substituent selected from a fluorine atom, a fluorinated alkyl group, a nitro group, and a cyano group. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same as each other or different from each other. These groups, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent May be connected via a group of aromatic rings or a combination thereof.

22としては、水素原子の一部または全部が、フッ素原子又はフッ化アルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換された、アルキレン基、2価の芳香環基、又はこれらを組み合わせた基がより好ましく、水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された、アルキレン基又は2価の芳香環基が特に好ましい。 L 22 is an alkylene group, a divalent aromatic ring group, or a combination thereof, in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group). Are more preferable, and an alkylene group or a divalent aromatic ring group in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms is particularly preferable.

22により表わされるアルキレン基、アルケニレン基、基脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、及び、これらの2以上を組み合わせた基の具体例としては、一般式(VI)においてL12として先に例示した具体例と同様の基が挙げられる。 Specific examples of the alkylene group, the alkenylene group, the group aliphatic hydrocarbon ring group, the divalent aromatic ring group, and a combination of two or more of these represented by L 22 include L 12 in the general formula (VI). The same group as the specific example illustrated previously is mentioned.

また、L22における連結基の−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。 Specific examples of the linking group —NR— and the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 22 include the same specific examples as in X 11 described above, and preferred examples are also the same.

2は、活性光線または放射線の照射によりスルホン酸基となる部位を表す。Z2の具体例としては、先にZについて説明したのと同様のものが挙げられる。 Z 2 represents a site that becomes a sulfonic acid group when irradiated with actinic rays or radiation. Specific examples of Z 2 are the same as those described above for Z 1 .

続いて、一般式(L3)により表される部位について説明する。
31及びX32は、各々独立に、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。
31及びX32の各々における−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、例えば、先にX11について説明したのと同様のものが挙げられる。
Then, the site | part represented by general formula (L3) is demonstrated.
X 31 and X 32 each independently represent a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), divalent nitrogen-containing non- An aromatic heterocyclic group or a group obtained by combining them is represented.
Examples of —NR— and a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in each of X 31 and X 32 include the same as those described above for X 11 .

31としては、単結合、−O−、−CO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、単結合、−COO−又は−CONR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)が特に好ましい。 X 31 is preferably a single bond, —O—, —CO—, —NR— (wherein R is a hydrogen atom or an alkyl group), or a combination thereof, and more preferably a single bond, —COO— or —CONR—. (R is a hydrogen atom or an alkyl group) is particularly preferred.

32としては、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、−O−、−OCO−又は−OSO2−が特に好ましい。 X 32 is more preferably —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or a combination thereof, —O—, — OCO- or -OSO 2 - is particularly preferred.

31は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 31 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same as each other or different from each other. These groups, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent May be connected via a group of aromatic rings or a combination thereof.

31のアルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、及び2価の芳香環基としては、例えば、先にL21について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the alkylene group, alkenylene group, divalent aliphatic hydrocarbon ring group, and divalent aromatic ring group of L 31 include the same as those described above for L 21 .

また、L31における連結基の−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。 Specific examples of -NR- and a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 31 include the same specific examples as those in X 11 described above, and preferred examples are also the same.

32は、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又は、これらの2以上を組み合わせた基を表す。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 32 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more of these. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same as each other or different from each other. These groups, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent May be connected via a group of aromatic rings or a combination thereof.

32のアルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又は、これらの2以上を組み合わせた基は、水素原子の一部または全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、及びシアノ基から選択される置換基で置換されていることが好ましい。 L 32 is an alkylene group, alkenylene group, divalent aliphatic hydrocarbon ring group, divalent aromatic ring group, or a combination of two or more thereof, wherein a part or all of the hydrogen atoms are fluorine atoms, It is preferably substituted with a substituent selected from a fluorinated alkyl group, a nitro group, and a cyano group.

32としては、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子若しくはフッ化アルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換された、アルキレン基、2価の芳香環基、又はこれらを組み合わせた基がより好ましく、水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された、アルキレン基又は2価の芳香環基が特に好ましい。 L 32 is an alkylene group, a divalent aromatic ring group, or a combination of these, in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group). Are more preferable, and an alkylene group or a divalent aromatic ring group in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms is particularly preferable.

32のアルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、及び、これらの2以上を組み合わせた基としては、例えば、先にL12について説明したのと同様のものが挙げられる。L32における連結基の−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。 Examples of the L 32 alkylene group, alkenylene group, divalent aliphatic hydrocarbon ring group, divalent aromatic ring group, and a group obtained by combining two or more of these include L 12 described above. The same thing is mentioned. Specific examples of the —NR— of the linking group and the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 32 include the same specific examples as in X 11 described above, and preferred examples are also the same.

また、Xが単結合であり且つL31が芳香環基である場合において、R32がL31の芳香環基と環を形成する場合、R32により表わされるアルキレン基は、炭素数が1〜8であることが好ましく、炭素数が1〜4のものがより好ましく、炭素数が1〜2のものが更に好ましい。 In addition, when X 3 is a single bond and L 31 is an aromatic ring group, when R 32 forms a ring with the aromatic ring group of L 31 , the alkylene group represented by R 32 has 1 carbon atom -8 are preferable, those having 1 to 4 carbon atoms are more preferable, and those having 1 to 2 carbon atoms are still more preferable.

は、活性光線または放射線の照射により、イミド酸基又はメチド酸基となるオニウム塩を表す。Z3により表わされるオニウム塩としては、スルホニウム塩あるいはヨードニウム塩が好ましく、下記一般式(ZIII)又は(ZIV)により表される構造が好ましい。

Figure 0005264665
Z 3 represents an onium salt that becomes an imido acid group or a methide acid group upon irradiation with actinic rays or radiation. The onium salt represented by Z 3 is preferably a sulfonium salt or an iodonium salt, and a structure represented by the following general formula (ZIII) or (ZIV) is preferred.
Figure 0005264665

一般式(ZIII)及び(ZIV)中、Z1、Z2、Z3、Z4、Z5は、各々独立に、−
CO−又は−SO2−を表し、より好ましくは、−SO2−である。
In general formulas (ZIII) and (ZIV), Z 1 , Z 2 , Z 3 , Z 4 , and Z 5 are each independently-
CO— or —SO 2 — is represented, and more preferably —SO 2 —.

Rz1、Rz2及びRz3は、各々独立に、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アリール基、又はアラルキル基を表す。水素原子の一部又は全部がフッ素原子又はフルオロアルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換された態様がより好ましい。 Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 each independently represents an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group or an aralkyl group. An embodiment in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluoroalkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group) is more preferable.

Rz1、Rz2及びRz3のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基は、炭素数が1〜8であることが好ましく、炭素数が1〜6であることがより好ましく、炭素数が1〜4であることが更に好ましい。 The alkyl groups of Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 may be linear or branched. The alkyl group preferably has 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably 1 to 4 carbon atoms.

Rz1、Rz2及びRz3の1価の脂肪族炭化水素環基は、炭素数が3〜10であることが好ましく、炭素数が3〜6であることがより好ましい。 The monovalent aliphatic hydrocarbon ring group represented by Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 6 carbon atoms.

Rz1、Rz2及びRz3のアリール基は、炭素数が6〜18であることが好ましく、炭素数が6〜10のアリール基であることがより好ましい。このアリール基としては、フェニル基が特に好ましい。 Aryl groups Rz 1, Rz 2 and Rz 3 preferably has a carbon number of 6 to 18, more preferably a carbon number of an aryl group having from 6 to 10. As this aryl group, a phenyl group is particularly preferable.

Rz1、Rz2及びRz3のアラルキル基の好ましい例としては、炭素数1〜8のアルキレン基と上記アリール基とが結合したものが挙げられる。炭素数1〜6のアルキレン基と上記アリール基とが結合してなるアラルキル基がより好ましく、炭素数1〜4のアルキレン基と上記アリール基とが結合してなるアラルキル基が特に好ましい。 Preferable examples of the aralkyl group represented by Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 include those in which an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms and the aryl group are bonded. An aralkyl group formed by bonding an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms and the aryl group is more preferable, and an aralkyl group formed by bonding an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and the aryl group is particularly preferable.

は、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。Aの好ましい例としては、一般式(ZI)におけるスルホニウムカチオン又は一般式(ZII)におけるヨードニウムカチオン構造が挙げられる。 A + represents a sulfonium cation or an iodonium cation. Preferable examples of A + include a sulfonium cation in the general formula (ZI) or an iodonium cation structure in the general formula (ZII).

以下に繰り返し単位(B)の具体例を挙げるが、本発明の範囲は、これらに限定されるものではない。

Figure 0005264665
Specific examples of the repeating unit (B) are shown below, but the scope of the present invention is not limited thereto.
Figure 0005264665

上記樹脂は、下記一般式(A1)により表される繰り返し単位及び下記一般式(A2)により表される繰り返し単位の少なくとも一方を更に含んでいることが好ましい。

Figure 0005264665
It is preferable that the resin further includes at least one of a repeating unit represented by the following general formula (A1) and a repeating unit represented by the following general formula (A2).
Figure 0005264665

一般式(A1)中、mは、0〜4の整数を表す。nは、m+n≦5なる関係を満足する1〜5の整数を表す。Sは、置換基(水素原子を除く)を表し、m≧2の場合には、複数の前記Sは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。A1は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表し、n≧2の場合には、複数の前記Aは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。 In general formula (A1), m represents an integer of 0 to 4. n represents an integer of 1 to 5 that satisfies the relationship m + n ≦ 5. S 1 represents a substituent (excluding a hydrogen atom), and when m ≧ 2, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other. A 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. When n ≧ 2, the plurality of A 1 may be the same as or different from each other.

一般式(A2)中、Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。Aは、酸の作用により脱離する基を表す。 In general formula (A2), X represents a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkyloxy group, an aryl group, or a carboxy group. Represents an alkyloxycarbonyl group, an alkylcarbonyloxy group or an aralkyl group. A 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid.

まず、一般式(A1)により表される繰り返し単位について説明する。
mは、上述したように、0〜4の整数である。mは、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1であり、特に好ましくは0である。
nは、上述したように、m+n≦5なる関係を満足する1〜5の整数である。nは、好ましくは1又は2であり、特に好ましくは1である。
First, the repeating unit represented by formula (A1) will be described.
As described above, m is an integer from 0 to 4. m is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.
As described above, n is an integer of 1 to 5 that satisfies the relationship m + n ≦ 5. n is preferably 1 or 2, particularly preferably 1.

は、上述したように、置換基(水素原子を除く)を表す。この置換基としては、例えば、先に一般式(I)におけるSについて説明したのと同様のものが挙げられる。 S 1 represents a substituent (excluding a hydrogen atom) as described above. As the substituent, for example, those previously in the general formula (I) has been described S 2 similar to the.

1は、上述したように、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。Aが酸の作用により脱離する基である場合、一般式(A1)により表される繰り返し単位は、酸分解性基を含んだ繰り返し単位である。Aが水素原子である場合、この繰り返し単位は、酸分解性基を含まない繰り返し単位である。 As described above, A 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. When A 1 is a group capable of leaving by the action of an acid, the repeating unit represented by the general formula (A1) is a repeating unit containing an acid-decomposable group. When A 1 is a hydrogen atom, this repeating unit is a repeating unit not containing an acid-decomposable group.

酸の作用により脱離する基としては、例えば、t−ブチル基及びt−アミル基等の3級アルキル基、t−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニルメチル基、並びに、式−C(L)(L)−O−Zにより表されるアセタール基が挙げられる。 Examples of the group capable of leaving by the action of an acid include tertiary alkyl groups such as t-butyl group and t-amyl group, t-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonylmethyl group, and formula -C (L 1 ) (L 2 ) —O—Z 2 represents an acetal group.

以下、式−C(L)(L)−O−Zにより表されるアセタール基について説明する。式中、L及びLは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。Zは、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。なお、ZとLとは、互いに結合して、5員又は6員環を形成していてもよい。 Hereinafter, the acetal group represented by the formula —C (L 1 ) (L 2 ) —O—Z 2 will be described. In the formula, L 1 and L 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aralkyl group. Z 2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aralkyl group. Z 2 and L 1 may be bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring.

アルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。
直鎖アルキル基としては、炭素数が1〜30のものが好ましく、炭素数が1〜20のものがより好ましい。このような直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基及びn−デカニル基が挙げられる。
The alkyl group may be a linear alkyl group or a branched alkyl group.
As a linear alkyl group, a C1-C30 thing is preferable and a C1-C20 thing is more preferable. Examples of such linear alkyl groups include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, sec-butyl, t-butyl, n-pentyl, n-hexyl, and n- A heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, and n-decanyl group are mentioned.

分岐鎖アルキル基としては、炭素数が3〜30のものが好ましく、炭素数が3〜20のものがより好ましい。このような分岐鎖アルキル基としては、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、i−ノニル基及びt−デカノイル基が挙げられる。   As a branched alkyl group, a C3-C30 thing is preferable and a C3-C20 thing is more preferable. Examples of such branched alkyl groups include i-propyl, i-butyl, t-butyl, i-pentyl, t-pentyl, i-hexyl, t-hexyl, and i-heptyl. Group, t-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group and t-decanoyl group.

これらアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、水酸基;フッ素、塩素、臭素及びヨウ素原子等のハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;アミド基;スルホンアミド基;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基及びブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基;アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。   These alkyl groups may further have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxyl group; a halogen atom such as fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms; a nitro group; a cyano group; an amide group; a sulfonamide group; a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n- Alkyl groups such as butyl, sec-butyl, hexyl, 2-ethylhexyl, octyl and dodecyl; alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, hydroxyethoxy, propoxy, hydroxypropoxy and butoxy; Examples include alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group; acyloxy groups such as acetoxy group and butyryloxy group, and carboxy group.

アルキル基としては、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、シクロヘキシルエチル基、フェニルメチル基又はフェニルエチル基が特に好ましい。   As the alkyl group, an ethyl group, an isopropyl group, an isobutyl group, a cyclohexylethyl group, a phenylmethyl group, or a phenylethyl group is particularly preferable.

シクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。後者の場合、シクロアルキル基は、有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は、橋かけ構造を有していてもよい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。   The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. In the latter case, the cycloalkyl group may be bridged. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a bridged structure. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.

単環型のシクロアルキル基としては、炭素数3〜8のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基及びシクロオクチル基が挙げられる。   As the monocyclic cycloalkyl group, those having 3 to 8 carbon atoms are preferable. Examples of such a cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group.

多環型のシクロアルキル基としては、例えば、ビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を有する基が挙げられる。多環型のシクロアルキル基としては、炭素数が6〜20のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。   Examples of the polycyclic cycloalkyl group include groups having a bicyclo, tricyclo or tetracyclo structure. The polycyclic cycloalkyl group preferably has 6 to 20 carbon atoms. Examples of such a cycloalkyl group include an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, camphanyl group, dicyclopentyl group, α-pinel group, tricyclodecanyl group, tetocyclododecyl group, and androstanyl group.

シクロアルキル基の具体例としては、例えば、先に一般式(I)におけるRaについて列挙したのと同様のものが挙げられる。これらシクロアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、先にアルキル基が有し得る置換基として説明したのと同様のものが挙げられる。シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が特に好ましい。   Specific examples of the cycloalkyl group include those listed above for Ra in the general formula (I). These cycloalkyl groups may further have a substituent. Examples of the substituent include those described above as the substituent that the alkyl group may have. As the cycloalkyl group, a cyclohexyl group is particularly preferable.

、L及びZにおけるアラルキル基としては、例えば、ベンジル基及びフェネチル基等の炭素数が7〜15のものが挙げられる。 Examples of the aralkyl group in L 1 , L 2 and Z 2 include those having 7 to 15 carbon atoms such as a benzyl group and a phenethyl group.

これらアラルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、好ましくは、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基及びアラルキルチオ基が挙げられる。置換基を有するアラルキル基としては、例えば、アルコキシベンジル基、ヒドロキシベンジル基及びフェニルチオフェネチル基が挙げられる。なお、これらアラルキル基が有し得る置換基の炭素数は、好ましくは12以下である。   These aralkyl groups may further have a substituent. Preferred examples of the substituent include an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, and an aralkylthio group. Examples of the aralkyl group having a substituent include an alkoxybenzyl group, a hydroxybenzyl group, and a phenylthiophenethyl group. In addition, carbon number of the substituent which these aralkyl groups may have is preferably 12 or less.

とLとが互いに結合して形成し得る5員又は6員環としては、例えば、テトラヒドロピラン環及びテトラヒドロフラン環が挙げられる。これらのうち、テトラヒドロピラン環が特に好ましい。 Examples of the 5-membered or 6-membered ring that can be formed by bonding Z 2 and L 1 to each other include a tetrahydropyran ring and a tetrahydrofuran ring. Of these, a tetrahydropyran ring is particularly preferred.

は、直鎖又は分岐鎖状のアルキル基であることが好ましい。これにより、本発明の効果が一層顕著になる。 Z 2 is preferably a linear or branched alkyl group. Thereby, the effect of the present invention becomes more remarkable.

以下に、一般式(A1)により表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

Figure 0005264665
Although the specific example of the repeating unit represented by general formula (A1) below is given, it is not limited to these.
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

次に、一般式(A2)により表される繰り返し単位について説明する。この繰り返し単位は、後述するように、酸分解性基を備えている。   Next, the repeating unit represented by general formula (A2) is demonstrated. As will be described later, this repeating unit has an acid-decomposable group.

Xは、上述したように、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。これら基又は原子としては、例えば、先に一般式(I)におけるRについて説明したのと同様のものが挙げられる。 X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyl as described above. An oxycarbonyl group, an alkylcarbonyloxy group or an aralkyl group is represented. These groups or atoms, for example, those previously in formula (I) in the same as described for R a.

は、上述したように、酸の作用により脱離する基を表す。即ち、(A2)により表される繰り返し単位は、酸分解性基として、「−COOA」により表される基を備えている。Aとしては、例えば、先に一般式(I)におけるAについて説明したのと同様のものが挙げられる。 A 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid as described above. That is, the repeating unit represented by (A2) has a group represented by “—COOA 2 ” as an acid-decomposable group. The A 2, for example, those previously in the general formula (I) has been described A 3 similar to the.

以下に、一般式(A2)により表される繰り返し単位に対応したモノマーの具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

Figure 0005264665
Specific examples of the monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (A2) are shown below, but are not limited thereto.
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

以下に、一般式(A2)により表される繰り返し単位の構造の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

Figure 0005264665
Although the specific example of the structure of the repeating unit represented by general formula (A2) below is given, it is not limited to these.
Figure 0005264665

一般式(A2)により表される繰り返し単位は、t−ブチルメタクリレート又はエチルシクロペンチルメタクリレートの繰り返し単位であることが好ましい。また、一般式(A2)により表される繰り返し単位は、下記一般式(A2’)により表される繰り返し単位であることも好ましい。

Figure 0005264665
The repeating unit represented by the general formula (A2) is preferably a repeating unit of t-butyl methacrylate or ethylcyclopentyl methacrylate. The repeating unit represented by the general formula (A2) is also preferably a repeating unit represented by the following general formula (A2 ′).
Figure 0005264665

一般式(A2’)中、ARは、フェニル基、ナフチル基又はアントリル基を表す。Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。なお、ARとRnとは、互いに結合して、環を形成していてもよい。   In General Formula (A2 ′), AR represents a phenyl group, a naphthyl group, or an anthryl group. Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. A represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group, or an alkyloxycarbonyl group. AR and Rn may be bonded to each other to form a ring.

ARは、上述したように、フェニル基、ナフチル基又はアントリル基である。ARがナフチル基又はアントリル基である場合、Rnが結合している炭素原子とARとの結合位置には、特に制限はない。例えば、ARがナフチル基である場合、この炭素原子は、ナフチル基のα位に結合していてもよく、β位に結合していてもよい。或いは、ARがアントリル基である場合、この炭素原子は、アントリル基の1位に結合していてもよく、2位に結合していてもよく、9位に結合していてもよい。   As described above, AR is a phenyl group, a naphthyl group, or an anthryl group. When AR is a naphthyl group or an anthryl group, the bonding position between the carbon atom to which Rn is bonded and AR is not particularly limited. For example, when AR is a naphthyl group, this carbon atom may be bonded to the α-position of the naphthyl group or may be bonded to the β-position. Alternatively, when AR is an anthryl group, this carbon atom may be bonded to the 1-position, the 2-position, or the 9-position of the anthryl group.

ARとしてのフェニル基、ナフチル基及びアントリル基は、それぞれ、1以上の置換基を有していてもよい。
この置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1〜20の直鎖又は分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等のシクロアルキル基、これらシクロアルキル基部分を含んだシクロアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。この置換基としては、組成物の解像力の観点から、炭素数1〜5の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基又はこれらアルキル基部分を含んだアルコキシ基が好ましい。
Phenyl group, naphthyl group and anthryl group as AR, respectively, may have one or more substituents.
Examples of the substituent include 1 methyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and dodecyl group. -20 linear or branched alkyl groups, alkoxy groups containing these alkyl groups, cycloalkyl groups such as cyclopentyl and cyclohexyl groups, cycloalkoxy groups containing these cycloalkyl groups, hydroxyl groups, halogen atoms, aryls Heterocycles such as groups, cyano groups, nitro groups, acyl groups, acyloxy groups, acylamino groups, sulfonylamino groups, alkylthio groups, arylthio groups, aralkylthio groups, thiophenecarbonyloxy groups, thiophenemethylcarbonyloxy groups, and pyrrolidone residues Residue. As this substituent, from the viewpoint of the resolving power of the composition, a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or an alkoxy group containing these alkyl group moieties is preferable.

ARは、好ましくは、フェニル基、パラメチルフェニル基、又はパラメトキシフェニル基である。   AR is preferably a phenyl group, a paramethylphenyl group, or a paramethoxyphenyl group.

Rnは、上述したように、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Rnのアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。このアルキル基としては、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1〜20のものが挙げられる。
As described above, Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
The alkyl group of Rn may be a straight chain alkyl group or a branched chain alkyl group. The alkyl group is preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, an octyl group or a dodecyl group. A thing with 1-20 carbon atoms is mentioned.

Rnのシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数が3〜15のものが挙げられる。   Examples of the cycloalkyl group represented by Rn include those having 3 to 15 carbon atoms such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

Rnのアリール基としては、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基等の炭素数が6〜14のものが好ましい。   As the aryl group of Rn, for example, those having 6 to 14 carbon atoms such as phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group and anthryl group are preferable.

これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の各々は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。中でも、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基及びスルホニルアミノ基が特に好ましい。   Each of these alkyl group, cycloalkyl group and aryl group may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, an aralkylthio group, a thiophenecarbonyloxy group, and a thiophenemethylcarbonyl group. Examples include oxy groups and heterocyclic residues such as pyrrolidone residues. Among these, an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, and a sulfonylamino group are particularly preferable.

Aは、上述したように、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。   As described above, A represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group, or an alkyloxycarbonyl group.

Aのアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。これらアルキル基及びシクロアルキル基の各々は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。   Examples of the alkyl group and cycloalkyl group of A include the same as those described above for Rn. Each of these alkyl groups and cycloalkyl groups may have a substituent. Examples of this substituent include the same as those described above for Rn.

Aが置換基を有するアルキル基又はシクロアルキル基である場合、特に好ましいAとして、例えば、CF基、アルキルオキシカルボニルメチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基が挙げられる。 When A is an alkyl group or a cycloalkyl group having a substituent, particularly preferable A includes, for example, a CF 3 group, an alkyloxycarbonylmethyl group, an alkylcarbonyloxymethyl group, a hydroxymethyl group, and an alkoxymethyl group. .

Aのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。中でも、フッ素原子が特に好ましい。   Examples of the halogen atom for A include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Among these, a fluorine atom is particularly preferable.

Aのアルキルオキシカルボニル基に含まれるアルキル基部分としては、例えば、先にAのアルキル基として挙げた構成を採用することができる。   As the alkyl group moiety contained in the alkyloxycarbonyl group of A, for example, the configuration described above as the alkyl group of A can be employed.

一般式(A2’)により表される繰り返し単位の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

Figure 0005264665
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (A2 ') below, but is not limited thereto.
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

上記樹脂は、繰り返し単位(A)及び(B)の他に、下記一般式(A4)により表される繰り返し単位を更に含んでいることが好ましい。このような構成を採用すると、例えば、膜質を更に向上させること及び未露光部の膜減りを更に抑制することが可能となる。

Figure 0005264665
The resin preferably further contains a repeating unit represented by the following general formula (A4) in addition to the repeating units (A) and (B). By adopting such a configuration, for example, it is possible to further improve the film quality and further suppress the film loss of the unexposed portion.
Figure 0005264665

一般式(A4)中、R2は、水素原子、メチル基、シアノ基、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のペルフルオロ基を表す。R3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基又はアシル基を表す。qは、0〜4の整数を表す。Wは、酸の作用により分解しない基(以下、酸安定基ともいう)を表す。 In General Formula (A4), R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group, a cyano group, a halogen atom, or a perfluoro group having 1 to 4 carbon atoms. R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, an aryl group, an alkoxy group or an acyl group. q represents an integer of 0 to 4. W represents a group that is not decomposed by the action of an acid (hereinafter also referred to as an acid stabilizing group).

Wの酸安定基としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アルキルアミド基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アリールアミドメチル基及びアリールアミド基が挙げられる。Wは、好ましくはアシル基、アルキルアミド基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基又はアリールオキシ基であり、より好ましくはアシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基又はアリールオキシ基である。   Examples of the acid stabilizing group for W include a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an acyl group, an alkylamide group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxy group, a cycloalkyloxy group, An aryloxy group, an arylamidomethyl group, and an arylamido group are mentioned. W is preferably an acyl group, an alkylamide group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxy group, a cycloalkyloxy group or an aryloxy group, more preferably an acyl group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxy group, a cycloalkyloxy group. Group or an aryloxy group.

Wのアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基及びt−ブチル基等の炭素数が1〜4のものが好ましい。   As the alkyl group for W, those having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group and t-butyl group are preferable.

Wのシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基及びアダマンチル基等の炭素数が3〜10のものが好ましい。   As the cycloalkyl group of W, those having 3 to 10 carbon atoms such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group and adamantyl group are preferable.

Wのアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、アリル基及びブテニル基等の炭素数が2〜4のものが好ましい。   As the alkenyl group for W, those having 2 to 4 carbon atoms such as vinyl group, propenyl group, allyl group and butenyl group are preferable.

Wのアリール基としては、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基等の炭素数が6〜14のものが好ましい。   As the aryl group for W, those having 6 to 14 carbon atoms such as a phenyl group, a xylyl group, a toluyl group, a cumenyl group, a naphthyl group and an anthryl group are preferable.

Wは、一般式(A4)に示したように、スチレン骨格中のベンゼン環に含まれる任意の水素原子を置換し得る。Wの置換位置は特に制限されないが、好ましくはメタ位又はパラ位であり、特に好ましくはパラ位である。   W can substitute any hydrogen atom contained in the benzene ring in the styrene skeleton as shown in the general formula (A4). The substitution position of W is not particularly limited, but is preferably a meta position or a para position, and particularly preferably a para position.

以下に、一般式(A4)により表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定するものではない。

Figure 0005264665
Hereinafter, specific examples of the repeating unit represented by the general formula (A4) is not limited thereto.
Figure 0005264665

上記樹脂は、繰り返し単位(A)及び(B)の他に、酸の作用により分解しない(メタ)アクリル酸誘導体からなる繰り返し単位を更に含んでいてもよい。以下にその具体例を挙げるが、これらに限定するものではない。

Figure 0005264665
In addition to the repeating units (A) and (B), the resin may further include a repeating unit composed of a (meth) acrylic acid derivative that is not decomposed by the action of an acid. Although the specific example is given to the following, it is not limited to these.
Figure 0005264665

上記樹脂は、繰り返し単位(A)及び(B)の他に、式−C(=O)−X1−R0により表される酸分解性基を備えた繰り返し単位を更に含んでいてもよい。ここで、Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又は−NHSO2NH−を表す。R0は、酸の作用により脱離する基であり、例えば、t−ブチル基及びt−アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基及び1−シクロヘキシロキシエチル基等の1−アルコキシエチル基、1−メトキシメチル基及び1−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、3−オキソアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリルエステル基、3−オキソシクロヘキシルエステル基、2−メチル−2−アダマンチル基、並びにメバロニックラクトン残基が挙げられる。 In addition to the repeating units (A) and (B), the resin may further include a repeating unit having an acid-decomposable group represented by the formula —C (═O) —X 1 —R 0. . Wherein, X 1 is an oxygen atom, a sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - or an -NHSO 2 NH-. R 0 is a group capable of leaving by the action of an acid, such as a tertiary alkyl group such as a t-butyl group and a t-amyl group, an isoboronyl group, a 1-ethoxyethyl group, a 1-butoxyethyl group, 1- 1-alkoxyethyl groups such as isobutoxyethyl group and 1-cyclohexyloxyethyl group, alkoxymethyl groups such as 1-methoxymethyl group and 1-ethoxymethyl group, 3-oxoalkyl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group , Trialkylsilyl ester groups, 3-oxocyclohexyl ester groups, 2-methyl-2-adamantyl groups, and mevalonic lactone residues.

なお、上記樹脂は、アルカリ現像液に対する良好な現像性を維持すべく、フェノール性水酸基及びカルボキシ基等のアルカリ可溶性基を備えた他の繰り返し単位を更に含んでいてもよい。また、膜質を更に向上させるべく、アルキルアクリレート及びアルキルメタクリレート等のモノマーから得られる疎水性の繰り返し単位を更に含んでいてもよい。   In addition, the said resin may further contain the other repeating unit provided with alkali-soluble groups, such as a phenolic hydroxyl group and a carboxy group, in order to maintain the favorable developability with respect to an alkaline developing solution. Moreover, in order to further improve the film quality, a hydrophobic repeating unit obtained from a monomer such as alkyl acrylate and alkyl methacrylate may be further included.

上記樹脂に占める酸分解性基を含んだ繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位を基準として、5〜95モル%とすることが好ましく、10〜60モル%とすることがより好ましく、15〜50モル%とすることが特に好ましい。   The content of the repeating unit containing an acid-decomposable group in the resin is preferably 5 to 95 mol%, more preferably 10 to 60 mol%, based on all repeating units. It is especially preferable to set it as 50 mol%.

上記樹脂に占める繰り返し単位(A)の含有率は、全繰り返し単位を基準として、1〜70モル%とすることが好ましく、1〜50モル%とすることがより好ましく、1〜30モル%とすることが特に好ましい。   The content of the repeating unit (A) in the resin is preferably 1 to 70 mol%, more preferably 1 to 50 mol%, based on all repeating units, and 1 to 30 mol%. It is particularly preferable to do this.

上記樹脂に占める繰り返し単位(B)の含有率は、全繰り返し単位を基準として、0.1〜80モル%とすることが好ましく、0.5〜60モル%とすることがより好ましく、1〜40モル%とすることが特に好ましい。   The content of the repeating unit (B) in the resin is preferably 0.1 to 80 mol%, more preferably 0.5 to 60 mol%, based on all repeating units. It is especially preferable to set it as 40 mol%.

上記樹脂が一般式(A1)により表される繰り返し単位を含んでいる場合、その含有率は、全繰り返し単位を基準として、20〜90モル%とすることが好ましく、30〜80モル%とすることがより好ましく、40〜70モル%とすることが特に好ましい。   When the said resin contains the repeating unit represented by general formula (A1), it is preferable that the content rate shall be 20-90 mol% on the basis of all the repeating units, and shall be 30-80 mol%. It is more preferable that the content be 40 to 70 mol%.

上記樹脂が一般式(A2)により表される繰り返し単位を含んでいる場合、その含有率は、全繰り返し単位を基準として、1〜90モル%とすることが好ましく、5〜75モル%とすることがより好ましく、10〜60モル%とすることが特に好ましい。   When the said resin contains the repeating unit represented by general formula (A2), it is preferable that the content rate shall be 1-90 mol% on the basis of all the repeating units, and shall be 5-75 mol%. More preferably, it is particularly preferably 10 to 60 mol%.

上記樹脂が一般式(A4)により表される繰り返し単位を含んでいる場合、その含有率は、全繰り返し単位を基準として、1〜50モル%とすることが好ましく、1〜40とすることがより好ましく、1〜30モル%とすることが特に好ましい。   When the said resin contains the repeating unit represented by general formula (A4), it is preferable that the content rate shall be 1-50 mol% on the basis of all the repeating units, and shall be 1-40. More preferably, it is especially preferable to set it as 1-30 mol%.

上記樹脂の重量平均分子量(Mw)は、1000〜200000の範囲内にあることが好ましく、1000〜100000の範囲内にあることがより好ましく、1000〜50000の範囲内にあることが更に好ましく、1000〜25000の範囲内にあることが特に好ましい。この重量平均分子量を過度に大きくすると、樹脂のアルカリに対する溶解速度及び組成物の感度が低下する場合がある。   The weight average molecular weight (Mw) of the resin is preferably in the range of 1000 to 200000, more preferably in the range of 1000 to 100,000, still more preferably in the range of 1000 to 50000, 1000 It is particularly preferred that it is in the range of ˜25000. If this weight average molecular weight is excessively increased, the dissolution rate of the resin in the alkali and the sensitivity of the composition may decrease.

上記樹脂の分散度(Mw/Mn)は、1.0〜3.0であることが好ましく、1.0〜2.5であることがより好ましく、1.0〜2.0であることが更に好ましい。
分散度の高い樹脂は、例えば、以下のようにして合成することができる。即ち、アゾ系重合開始剤を用いてラジカル重合を行うことにより、例えば、分散度1.2〜2.0の樹脂を合成することができる。また、リビングラジカル重合法を用いることにより、例えば、分散度1.0〜1.5の樹脂を合成することができる。
The degree of dispersion (Mw / Mn) of the resin is preferably 1.0 to 3.0, more preferably 1.0 to 2.5, and 1.0 to 2.0. Further preferred.
A resin having a high degree of dispersion can be synthesized, for example, as follows. That is, by performing radical polymerization using an azo polymerization initiator, for example, a resin having a dispersity of 1.2 to 2.0 can be synthesized. Further, by using the living radical polymerization method, for example, it can be synthesized resin dispersity 1.0 to 1.5.

上記樹脂は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。これら樹脂の合計量は、組成物の全固形分を基準として、通常10〜99質量%であり、好ましくは20〜99質量%であり、特に好ましくは30〜99質量%である。   The above resins may be used alone or in combination of two or more. The total amount of these resins is usually 10 to 99% by mass, preferably 20 to 99% by mass, and particularly preferably 30 to 99% by mass, based on the total solid content of the composition.

以下に、繰り返し単位(A)及び(B)を備えた樹脂の具体例を示すが、これらに限定するものではない。

Figure 0005264665
Although the specific example of resin provided with repeating unit (A) and (B) below is shown, it is not limited to these.
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

<その他の成分>
本発明に係る組成物は、光酸発生剤、塩基性化合物、界面活性剤、溶剤、染料、光塩基発生剤、酸化防止剤及び溶剤等を更に含んでいてもよい。以下、これら成分について説明する。
<Other ingredients>
The composition according to the present invention may further contain a photoacid generator, a basic compound, a surfactant, a solvent, a dye, a photobase generator, an antioxidant, a solvent, and the like. Hereinafter, these components will be described.

(光酸発生剤)
本発明に係る組成物は、繰り返し単位(A)及び(B)を備えた樹脂の他に、光酸発生剤を更に含んでいてもよい。
(Photoacid generator)
The composition according to the present invention may further contain a photoacid generator in addition to the resin having the repeating units (A) and (B).

光酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。光酸発生剤としては、例えば、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、光消色剤、光変色剤、マイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物、及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。これらの例としては、スルホニウム塩及びヨードニウム塩等のオニウム塩、並びに、ビス(アルキルスルホニルジアゾメタン)等のジアゾジスルホン化合物が挙げられる。   The photoacid generator is a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation. Examples of the photoacid generator include photo-initiators of photo-cationic polymerization, photo-initiators of photo-radical polymerization, photo-decoloring agents, photo-discoloring agents, and acid by irradiation with actinic rays or radiation used in micro-resist. A known compound that generates a salt, and a mixture thereof can be appropriately selected and used. Examples of these include onium salts such as sulfonium salts and iodonium salts, and diazodisulfone compounds such as bis (alkylsulfonyldiazomethane).

光酸発生剤の好ましい例としては、下記一般式(ZI)、(ZII)及び(ZIII)により表される化合物が挙げられる。

Figure 0005264665
Preferable examples of the photoacid generator include compounds represented by the following general formulas (ZI), (ZII) and (ZIII).
Figure 0005264665

上記一般式(ZI)及び(ZII)中、R201、R202、R203、R204及びR205は、各々独立に、有機基を表す。これら有機基は、具体的には、先に活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位の説明において挙げたものと同様である。 In the general formulas (ZI) and (ZII), R 201 , R 202 , R 203 , R 204 and R 205 each independently represents an organic group. Specifically, these organic groups are the same as those mentioned in the description of the structural site that is decomposed by irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid anion.

は、非求核性アニオンを表す。Xとしては、例えば、スルホン酸アニオン、ビス(アルキルスルホニル)アミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン、BF 、PF 及びSbF が挙げられる。Xは、好ましくは、炭素原子を含んだ有機アニオンである。好ましい有機アニオンとしては、例えば、下記AN1〜AN3に示す有機アニオンが挙げられる。

Figure 0005264665
X represents a non-nucleophilic anion. Examples of X include a sulfonate anion, a bis (alkylsulfonyl) amide anion, a tris (alkylsulfonyl) methide anion, BF 4 , PF 6 —, and SbF 6 . X is preferably an organic anion containing a carbon atom. As a preferable organic anion, the organic anion shown to following AN1-AN3 is mentioned, for example.
Figure 0005264665

式AN1〜AN3中、Rc〜Rcは、各々独立に、有機基を表す。この有機基としては、例えば、炭素数1〜30のものが挙げられ、好ましくは、アルキル基、アリール基、又はこれらの複数が連結基を介して連結された基である。なお、この連結基としては、例えば、単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO3−及び−SO2N(Rd1)−が挙げられる。ここで、Rd1は水素原子又はアルキル基を表し、結合しているアルキル基又はアリール基と環構造を形成してもよい。 In the formula AN1~AN3, Rc 1 ~Rc 3 independently represents an organic group. Examples of the organic group include those having 1 to 30 carbon atoms, preferably an alkyl group, an aryl group, or a group in which a plurality of these groups are linked through a linking group. Examples of this linking group include a single bond, —O—, —CO 2 —, —S—, —SO 3 —, and —SO 2 N (Rd 1 ) —. Here, Rd 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and may form a ring structure with a bonded alkyl group or aryl group.

Rc〜Rcの有機基は、1位がフッ素原子又はフロロアルキル基で置換されたアルキル基、又は、フッ素原子若しくはフロロアルキル基で置換されたフェニル基であってもよい。フッ素原子又はフロロアルキル基を含有させることにより、光照射によって発生する酸の酸性度を上昇させることが可能となる。これにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の感度を向上させることができる。なお、Rc〜Rcは、他のアルキル基及びアリール基等と結合して、環構造を形成していてもよい。 The organic group of Rc 1 to Rc 3 may be an alkyl group substituted at the 1-position with a fluorine atom or a fluoroalkyl group, or a phenyl group substituted with a fluorine atom or a fluoroalkyl group. By containing a fluorine atom or a fluoroalkyl group, it becomes possible to increase the acidity of the acid generated by light irradiation. Thereby, the sensitivity of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition can be improved. Rc 1 to Rc 3 may be bonded to other alkyl groups and aryl groups to form a ring structure.

光酸発生剤としては、一般式(ZI)により表される構造を複数有する化合物を使用してもよい。例えば、一般式(ZI)により表される化合物のR201〜R203の少なくとも1つが、一般式(ZI)により表されるもう1つの化合物のR201〜R203の少なくとも1つと結合した構造を有する化合物であってもよい。 As the photoacid generator, a compound having a plurality of structures represented by the general formula (ZI) may be used. For example, the general formula at least one of R 201 to R 203 of a compound represented by (ZI), at least one coupling structure of R 201 to R 203 of another compound represented by formula (ZI) It may be a compound.

以下、一般式(ZIII)について説明する。
一般式(ZII)及び(ZIII)中、R206〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。これらアリール基、アルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。
Hereinafter, Formula (ZIII) will be described.
In general formulas (ZII) and (ZIII), R 206 to R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group, or a cycloalkyl group. These aryl group, alkyl group and cycloalkyl group may have a substituent.

なお、一般式(ZIII)におけるXは、一般式(ZI)におけるXと同義である。 In addition, X < - > in general formula (ZIII) is synonymous with X < - > in general formula (ZI).

光酸発生剤の他の好ましい例として、下記一般式(ZIV)、(ZV)又は(ZVI)により表される化合物が挙げられる。

Figure 0005264665
Other preferred examples of the photoacid generator include compounds represented by the following general formula (ZIV), (ZV) or (ZVI).
Figure 0005264665

一般式(ZIV)〜(ZVI)中、
Ar3及びAr4は、各々独立に、置換又は無置換のアリール基を表す。
208は、一般式(ZV)と(ZVI)とで各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表している。これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。
これら基は、フッ素原子により置換されていることが好ましい。こうすると、光酸発生剤が発生する酸の強度を高めることが可能となる。
In general formulas (ZIV) to (ZVI),
Ar 3 and Ar 4 each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group.
R 208 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group independently in the general formulas (ZV) and (ZVI). These alkyl group, cycloalkyl group and aryl group may be substituted or unsubstituted.
These groups are preferably substituted with a fluorine atom. In this way, it is possible to increase the strength of the acid generated by the photoacid generator.

209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は電子求引性基を表す。これらアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及び電子求引性基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。
好ましいR209としては、置換又は無置換のアリール基が挙げられる。
好ましいR210としては、電子求引性基が挙げられる。この電子求引性基としては、好ましくは、シアノ基及びフロロアルキル基が挙げられる。
R 209 and R 210 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an electron withdrawing group. These alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and electron withdrawing group may be substituted or unsubstituted.
Preferable R 209 includes a substituted or unsubstituted aryl group.
Preferable R 210 includes an electron withdrawing group. As this electron withdrawing group, Preferably, a cyano group and a fluoroalkyl group are mentioned.

Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。これらアルキレン基、アルケニレン基及びアリーレン基は、置換基を有していてもよい。   A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group. These alkylene group, alkenylene group and arylene group may have a substituent.

なお、光酸発生剤として、一般式(ZVI)により表される構造を複数有する化合物も好ましい。このような化合物としては、例えば、一般式(ZVI)により表される化合物のR209又はR210と、一般式(ZVI)により表されるもう一つの化合物のR209又はR210とが互いに結合した構造を有する化合物が挙げられる。 A compound having a plurality of structures represented by the general formula (ZVI) is also preferable as the photoacid generator. Such compounds, for example, binding to R 209 or R 210 of the compound represented by the general formula (ZVI), and the R 209 or R 210 of another compound represented by the general formula (ZVI) together And a compound having the above structure.

光酸発生剤としては、一般式(ZI)〜(ZIII)により表される化合物がより好ましく、一般式(ZI)により表される化合物が更に好ましい。   As the photoacid generator, compounds represented by the general formulas (ZI) to (ZIII) are more preferable, and a compound represented by the general formula (ZI) is more preferable.

光酸発生剤の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

Figure 0005264665
Specific examples of the photoacid generator are shown below, but are not limited thereto.
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

また、本発明に係る組成物は、光酸発生剤として、活性光線又は放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物を更に含んでいてもよい。このような化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 0005264665
The composition according to the present invention may further contain a compound that generates a carboxylic acid upon irradiation with actinic rays or radiation as a photoacid generator. Examples of such compounds include the following.
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

これら光酸発生剤の分子量は、例えば100〜1500の範囲内にあり、典型的には200〜1000の範囲内にある。   The molecular weight of these photoacid generators is, for example, in the range of 100-1500, and typically in the range of 200-1000.

なお、光酸発生剤は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。後者の場合、水素原子を除く全原子数が2以上異なる2種の有機酸を発生する化合物を組み合わせることが好ましい。   In addition, a photo-acid generator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. In the latter case, it is preferable to combine two types of compounds that generate two kinds of organic acids whose total number of atoms excluding hydrogen atoms is 2 or more.

本発明に係る組成物が光酸発生剤を更に含んでいる場合、その含量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.1〜40質量%であり、より好ましくは0.5〜30質量%であり、更に好ましくは1〜20質量%である。   When the composition according to the present invention further contains a photoacid generator, the content thereof is preferably 0.1 to 40% by mass, more preferably 0.5, based on the total solid content of the composition. It is -30 mass%, More preferably, it is 1-20 mass%.

(塩基性化合物)
本発明に係る組成物は、塩基性化合物を更に含んでいてもよい。塩基性化合物は、好ましくは、フェノールと比較して塩基性がより強い化合物である。また、この塩基性化合物は、有機塩基性化合物であることが好ましく、含窒素塩基性化合物であることが更に好ましい。
(Basic compound)
The composition according to the present invention may further contain a basic compound. The basic compound is preferably a compound having a stronger basicity than phenol. Moreover, this basic compound is preferably an organic basic compound, and more preferably a nitrogen-containing basic compound.

使用可能な含窒素塩基性化合物は特に限定されないが、例えば、以下の(1)〜(5)に分類される化合物を用いることができる。   Although the nitrogen-containing basic compound which can be used is not specifically limited, For example, the compound classified into the following (1)-(5) can be used.

(1)下記一般式(BS−1)により表される化合物

Figure 0005264665
(1) Compound represented by the following general formula (BS-1)
Figure 0005264665

一般式(BS−1)中、
Rは、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。但し、3つのRのうち少なくとも1つは有機基である。この有機基は、直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、単環若しくは多環のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。
In general formula (BS-1),
Each R independently represents a hydrogen atom or an organic group. However, at least one of the three Rs is an organic group. This organic group is a linear or branched alkyl group, a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group, an aryl group, or an aralkyl group.

Rとしてのアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常1〜20であり、好ましくは1〜12である。
Rとしてのシクロアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常3〜20であり、好ましくは5〜15である。
Although carbon number of the alkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 1-20, Preferably it is 1-12.
Although carbon number of the cycloalkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 3-20, Preferably it is 5-15.

Rとしてのアリール基の炭素数は、特に限定されないが、通常6〜20であり、好ましくは6〜10である。具体的には、フェニル基及びナフチル基等が挙げられる。
Rとしてのアラルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常7〜20であり、好ましくは7〜11である。具体的には、ベンジル基等が挙げられる。
Although carbon number of the aryl group as R is not specifically limited, Usually, it is 6-20, Preferably it is 6-10. Specific examples include a phenyl group and a naphthyl group.
Although carbon number of the aralkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 7-20, Preferably it is 7-11. Specific examples include a benzyl group.

Rとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基及びアルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。   In the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group as R, a hydrogen atom may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a hydroxy group, a carboxy group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylcarbonyloxy group, and an alkyloxycarbonyl group.

なお、一般式(BS−1)により表される化合物では、Rのうち少なくとも2つが有機基であることが好ましい。   In the compound represented by the general formula (BS-1), it is preferable that at least two of R are organic groups.

一般式(BS−1)により表される化合物の具体例としては、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N−ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N−ジブチルアニリン、N,N−ジヘキシルアニリン、2,6−ジイソプロピルアニリン、及び2,4,6−トリ(t−ブチル)アニリンが挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (BS-1) include tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-octylamine, tri-n-decylamine, triisodecylamine, dicyclohexyl. Methylamine, tetradecylamine, pentadecylamine, hexadecylamine, octadecylamine, didecylamine, methyloctadecylamine, dimethylundecylamine, N, N-dimethyldodecylamine, methyldioctadecylamine, N, N-dibutylaniline, N , N-dihexylaniline, 2,6-diisopropylaniline, and 2,4,6-tri (t-butyl) aniline.

また、一般式(BS−1)により表される好ましい塩基性化合物として、少なくとも1つのRがヒドロキシ基で置換されたアルキル基であるものが挙げられる。具体的には、例えば、トリエタノールアミン及びN,N−ジヒドロキシエチルアニリンが挙げられる。   Moreover, as a preferable basic compound represented by the general formula (BS-1), a compound in which at least one R is an alkyl group substituted with a hydroxy group can be given. Specific examples include triethanolamine and N, N-dihydroxyethylaniline.

なお、Rとしてのアルキル基は、アルキル鎖中に酸素原子を有していてもよい。即ち、オキシアルキレン鎖が形成されていてもよい。オキシアルキレン鎖としては、−CH2CH2O−が好ましい。具体的には、例えば、トリス(メトキシエトキシエチル)アミン、及び、US6040112号明細書のカラム3の60行目以降に例示されている化合物が挙げられる。 In addition, the alkyl group as R may have an oxygen atom in the alkyl chain. That is, an oxyalkylene chain may be formed. As the oxyalkylene chain, —CH 2 CH 2 O— is preferable. Specifically, for example, tris (methoxyethoxyethyl) amine and compounds exemplified in the 60th and subsequent lines of column 3 of US6040112 can be mentioned.

(2)含窒素複素環構造を有する化合物
この含窒素複素環は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよい。さらに、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、例えば、イミダゾール構造を有する化合物(2−フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾールなど)、ピペリジン構造を有する化合物〔N−ヒドロキシエチルピペリジン及びビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケートなど〕、ピリジン構造を有する化合物(4−ジメチルアミノピリジンなど)、並びにアンチピリン構造を有する化合物(アンチピリン及びヒドロキシアンチピリンなど)が挙げられる。
(2) Compound having nitrogen-containing heterocyclic structure This nitrogen-containing heterocyclic ring may have aromaticity or may not have aromaticity. Moreover, you may have two or more nitrogen atoms. Furthermore, you may contain hetero atoms other than nitrogen. Specifically, for example, compounds having an imidazole structure (2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, etc.), compounds having a piperidine structure [N-hydroxyethylpiperidine and bis (1,2,2) , 6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate], compounds having a pyridine structure (such as 4-dimethylaminopyridine), and compounds having an antipyrine structure (such as antipyrine and hydroxyantipyrine).

また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には、例えば、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン及び1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−ウンデカ−7−エンが挙げられる。   A compound having two or more ring structures is also preferably used. Specific examples include 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -undec-7-ene.

(3)フェノキシ基を有するアミン化合物
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物が含んでいるアルキル基のN原子と反対側の末端にフェノキシ基を備えた化合物である。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基及びアリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。
(3) Amine compound having a phenoxy group An amine compound having a phenoxy group is a compound having a phenoxy group at the terminal opposite to the N atom of the alkyl group contained in the amine compound. The phenoxy group is, for example, a substituent such as an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxy group, a carboxylic acid ester group, a sulfonic acid ester group, an aryl group, an aralkyl group, an acyloxy group, and an aryloxy group. You may have.

この化合物は、より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン鎖を有している。1分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは3〜9個、さらに好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン鎖の中でも−CH2CH2O−が特に好ましい。 This compound more preferably has at least one oxyalkylene chain between the phenoxy group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene chains in one molecule is preferably 3-9, more preferably 4-6. Among the oxyalkylene chains, —CH 2 CH 2 O— is particularly preferable.

具体例としては、2−[2−{2―(2,2―ジメトキシ−フェノキシエトキシ)エチル}−ビス−(2−メトキシエチル)]−アミン、及び、US2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物(C1-1)〜(C3-3)が挙げられる。   Specific examples include 2- [2- {2- (2,2-dimethoxy-phenoxyethoxy) ethyl} -bis- (2-methoxyethyl)]-amine and paragraph [0066] of US2007 / 0224539A1. ] (C1-1) to (C3-3) exemplified in the above.

フェノキシ基を有するアミン化合物は、例えば、フェノキシ基を有する1級又は2級アミンとハロアルキルエーテルとを加熱して反応させ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びテトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル及びクロロホルム等の有機溶剤で抽出することにより得られる。また、フェノキシ基を有するアミン化合物は、1級または2級アミンと、末端にフェノキシ基を有するハロアルキルエーテルとを加熱して反応させ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びテトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル及びクロロホルム等の有機溶剤で抽出することによって得ることもできる。   The amine compound having a phenoxy group is prepared by reacting, for example, a primary or secondary amine having a phenoxy group with a haloalkyl ether, and adding an aqueous solution of a strong base such as sodium hydroxide, potassium hydroxide or tetraalkylammonium. And then extracted with an organic solvent such as ethyl acetate and chloroform. In addition, the amine compound having a phenoxy group reacts by heating a primary or secondary amine and a haloalkyl ether having a phenoxy group at the terminal, to form a strong base such as sodium hydroxide, potassium hydroxide or tetraalkylammonium. It can also be obtained by adding an aqueous solution and then extracting with an organic solvent such as ethyl acetate and chloroform.

(4)アンモニウム塩
塩基性化合物として、アンモニウム塩も適宜用いることができる。
アンモニウム塩のアニオンとしては、例えば、ハライド、スルホネート、ボレート及びフォスフェートが挙げられる。これらのうち、ハライド及びスルホネートが特に好ましい。
(4) Ammonium salt As the basic compound, an ammonium salt can also be used as appropriate.
Examples of the anion of the ammonium salt include halides, sulfonates, borates, and phosphates. Of these, halides and sulfonates are particularly preferred.

ハライドとしては、クロライド、ブロマイド及びアイオダイドが特に好ましい。
スルホネートとしては、炭素数1〜20の有機スルホネートが特に好ましい。有機スルホネートとしては、例えば、炭素数1〜20のアルキルスルホネート及びアリールスルホネートが挙げられる。
As the halide, chloride, bromide and iodide are particularly preferable.
As the sulfonate, an organic sulfonate having 1 to 20 carbon atoms is particularly preferable. Examples of the organic sulfonate include alkyl sulfonates having 1 to 20 carbon atoms and aryl sulfonates.

アルキルスルホネートに含まれるアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アルコキシ基、アシル基及びアリール基が挙げられる。アルキルスルホネートとして、具体的には、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート及びノナフルオロブタンスルホネートが挙げられる。   The alkyl group contained in the alkyl sulfonate may have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an alkoxy group, an acyl group, and an aryl group. Specific examples of the alkyl sulfonate include methane sulfonate, ethane sulfonate, butane sulfonate, hexane sulfonate, octane sulfonate, benzyl sulfonate, trifluoromethane sulfonate, pentafluoroethane sulfonate, and nonafluorobutane sulfonate.

アリールスルホネートに含まれるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基及びアントリル基が挙げられる。これらアリール基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基及び炭素数3〜6のシクロアルキル基が好ましい。具体的には、例えば、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n−ヘキシル及びシクロヘキシル基が好ましい。他の置換基としては、炭素数1〜6のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、アシル基及びアシロキシ基が挙げられる。   Examples of the aryl group contained in the aryl sulfonate include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group. These aryl groups may have a substituent. As this substituent, a C1-C6 linear or branched alkyl group and a C3-C6 cycloalkyl group are preferable, for example. Specifically, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, n-hexyl and cyclohexyl groups are preferable. Examples of the other substituent include an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, cyano, nitro, an acyl group, and an acyloxy group.

このアンモニウム塩は、ヒドロキシド又はカルボキシレートであってもよい。この場合、このアンモニウム塩は、炭素数1〜8のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−(n−ブチル)アンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドであることが特に好ましい。   The ammonium salt may be hydroxide or carboxylate. In this case, the ammonium salt is a tetraalkylammonium hydroxide having 1 to 8 carbon atoms (tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra- (n-butyl) ammonium hydroxide, etc.). It is particularly preferred.

好ましい塩基性化合物としては、例えば、グアニジン、アミノピリジン、アミノアルキルピリジン、アミノピロリジン、インダゾール、イミダゾール、ピラゾール、ピラジン、ピリミジン、プリン、イミダゾリン、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルフォリン及びアミノアルキルモルフォリンが挙げられる。これらは、置換基を更に有していてもよい。好ましい置換基としては、例えば、アミノ基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基及びシアノ基が挙げられる。   Preferred basic compounds include, for example, guanidine, aminopyridine, aminoalkylpyridine, aminopyrrolidine, indazole, imidazole, pyrazole, pyrazine, pyrimidine, purine, imidazoline, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine and aminoalkylmorpholine. . These may further have a substituent. Preferred substituents include, for example, amino group, aminoalkyl group, alkylamino group, aminoaryl group, arylamino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, nitro group, hydroxyl group And a cyano group.

特に好ましい塩基性化合物としては、例えば、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−テトラメチルグアニジン、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、4−メチルイミダゾール、N−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、4,5−ジフェニルイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジン、3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジン、2−(アミノメチル)−5−メチルピラジン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、N−アミノモルフォリン及びN−(2−アミノエチル)モルフォリンが挙げられる。   Particularly preferable basic compounds include, for example, guanidine, 1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, imidazole, 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, N-methylimidazole, 2 -Phenylimidazole, 4,5-diphenylimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2- Diethylaminopyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-amino Ethylpyridine, 4-aminoethylpyridine, 3-a Nopyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-imino Piperidine, 1- (2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl-1-p-tolylpyrazole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5-methyl Pyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-aminomorpholine and N- (2-aminoethyl) morpholine.

(5)プロトンアクセプター性官能基を有し、且つ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物(PA)
本発明に係る組成物は、塩基性化合物として、プロトンアクセプター性官能基を有し、且つ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物〔以下、化合物(PA)ともいう〕を更に含んでいてもよい。
(5) A compound having a proton acceptor functional group and generating a compound which is decomposed by irradiation with actinic rays or radiation to decrease or disappear the proton acceptor, or change from proton acceptor to acidic ( PA)
The composition according to the present invention has a proton acceptor functional group as a basic compound and is decomposed by irradiation with actinic rays or radiation, resulting in a decrease, disappearance, or proton acceptor property. It may further contain a compound that generates a compound that has been changed to acidity (hereinafter also referred to as compound (PA)).

プロトンアクセプター性官能基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基或いは電子を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基や、π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を意味する。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記一般式に示す部分構造を有する窒素原子である。

Figure 0005264665
The proton acceptor functional group is a group that can interact electrostatically with a proton or a functional group having an electron. For example, a functional group having a macrocyclic structure such as a cyclic polyether or a π-conjugated group. It means a functional group having a nitrogen atom with an unshared electron pair that does not contribute. The nitrogen atom having an unshared electron pair that does not contribute to π conjugation is, for example, a nitrogen atom having a partial structure represented by the following general formula.
Figure 0005264665

プロトンアクセプター性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、アザクラウンエーテル、1〜3級アミン、ピリジン、イミダゾール、ピラジン構造などを挙げることができる。   Examples of a preferable partial structure of the proton acceptor functional group include a crown ether, an azacrown ether, a primary to tertiary amine, a pyridine, an imidazole, and a pyrazine structure.

化合物(PA)は、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する。ここで、プロトンアクセプター性の低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性への変化とは、プロトンアクセプター性官能基にプロトンが付加することに起因するプロトンアクセプター性の変化であり、具体的には、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物(PA)とプロトンからプロトン付加体が生成する時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。   The compound (PA) is decomposed by irradiation with an actinic ray or radiation to generate a compound in which the proton acceptor property is lowered, disappeared, or changed from proton acceptor property to acidity. Here, the decrease or disappearance of the proton acceptor property or the change from the proton acceptor property to the acid is a change in the proton acceptor property caused by the addition of a proton to the proton acceptor functional group. Specifically, when a proton adduct is formed from a compound having a proton acceptor functional group (PA) and a proton, the equilibrium constant in the chemical equilibrium is reduced.

プロトンアクセプター性は、pH測定を行うことによって確認することができる。
本発明においては、活性光線又は放射線の照射により化合物(PA)が分解して発生する化合物の酸解離定数pKaが、pKa<−1を満たすことが好ましく、より好ましくは−13<pKa<−1であり、更に好ましくは−13<pKa<−3である。
Proton acceptor property can be confirmed by measuring pH.
In the present invention, the acid dissociation constant pKa of the compound generated by decomposition of the compound (PA) upon irradiation with actinic rays or radiation preferably satisfies pKa <−1, more preferably −13 <pKa <−1. And more preferably −13 <pKa <−3.

本発明に於いて、酸解離定数pKaとは、水溶液中での酸解離定数pKaのことを表し、例えば、化学便覧(II)(改訂4版、1993年、日本化学会編、丸善株式会社)に記載のものであり、この値が低いほど酸強度が大きいことを示している。水溶液中での酸解離定数pKaは、具体的には、無限希釈水溶液を用い、25℃での酸解離定数を測定することにより実測することができ、また、下記ソフトウェアパッケージ1を用いて、ハメットの置換基定数および公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求めることもできる。本明細書中に記載したpKaの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示している。   In the present invention, the acid dissociation constant pKa represents the acid dissociation constant pKa in an aqueous solution. For example, Chemical Handbook (II) (4th revised edition, 1993, edited by the Chemical Society of Japan, Maruzen Co., Ltd.) It shows that acid strength is so large that this value is low. Specifically, the acid dissociation constant pKa in an aqueous solution can be measured by measuring an acid dissociation constant at 25 ° C. using an infinitely diluted aqueous solution, and using the following software package 1, Hammett The values based on the substituent constants and the database of known literature values can also be obtained by calculation. The values of pKa described in this specification all indicate values obtained by calculation using this software package.

ソフトウェアパッケージ1: Advanced Chemistry Development (ACD/Labs) Software V8.14 for Solaris (1994-2007 ACD/Labs)
化合物(PA)は、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する上記プロトン付加体として、例えば、下記一般式(PA−1)で表される化合物を発生する。一般式(PA−1)で表される化合物は、プロトンアクセプター性官能基とともに酸性基を有することにより、化合物(PA)に比べてプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物である。

Figure 0005264665
Software package 1: Advanced Chemistry Development (ACD / Labs) Software V8.14 for Solaris (1994-2007 ACD / Labs)
The compound (PA) generates, for example, a compound represented by the following general formula (PA-1) as the proton adduct generated by decomposition upon irradiation with actinic rays or radiation. The compound represented by the general formula (PA-1) has an acidic group as well as a proton acceptor functional group, so that the proton acceptor property is reduced or disappeared compared to the compound (PA), or from the proton acceptor property. It is a compound that has changed to acidic.
Figure 0005264665

一般式(PA−1)中、
Qは、−SO3H、−CO2H、または−XNHX2を表す。ここで、Rは、アルキル基、シクロアルキル基もしくはアリール基を表し、X及びXは各々独立に、−SO−又は−CO−を表わす。
Aは、単結合又は2価の連結基を表す。
Xは、−SO2−又は−CO−を表す。
nは、0又は1を表す。
Bは、単結合、酸素原子又は−N(Rx)Ry−を表す。Rxは、水素原子又は1価の有機基を表し、Ryは単結合又は2価の有機基を表す。Ryと結合して環を形成してもよく、又はRと結合して環を形成してもよい。
Rは、プロトンアクセプター性官能基を有する1価の有機基を表す。
In general formula (PA-1),
Q represents -SO 3 H, -CO 2 H or -X 1 NHX 2 R f,. Here, R f represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and X 1 and X 2 each independently represent —SO 2 — or —CO—.
A represents a single bond or a divalent linking group.
X represents —SO 2 — or —CO—.
n represents 0 or 1.
B represents a single bond, an oxygen atom, or -N (Rx) Ry-. Rx represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and Ry represents a single bond or a divalent organic group. It may combine with Ry to form a ring, or may combine with R to form a ring.
R represents a monovalent organic group having a proton acceptor functional group.

一般式(PA−1)について更に詳細に説明する。
Aにおける2価の連結基としては、好ましくは炭素数2〜12の2価の連結基であり、例えば、アルキレン基、フェニレン基等が挙げられる。より好ましくは少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2〜6、より好ましくは炭素数2〜4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、特に水素原子数の30〜100%がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、Q部位と結合した炭素原子がフッ素原子を有することがより好ましい。更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、パーフロロエチレン基、パーフロロプロピレン基、パーフロロブチレン基がより好ましい。
General formula (PA-1) is demonstrated still in detail.
The divalent linking group in A is preferably a divalent linking group having 2 to 12 carbon atoms, and examples thereof include an alkylene group and a phenylene group. More preferably, it is an alkylene group having at least one fluorine atom, and a preferable carbon number is 2 to 6, more preferably 2 to 4. The alkylene chain may have a linking group such as an oxygen atom or a sulfur atom. The alkylene group is particularly preferably an alkylene group in which 30 to 100% of the number of hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms, and more preferably, the carbon atom bonded to the Q site has a fluorine atom. Further, a perfluoroalkylene group is preferable, and a perfluoroethylene group, a perfluoropropylene group, and a perfluorobutylene group are more preferable.

Rxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数1〜30であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。これら基は更に置換基を有していてもよい。   The monovalent organic group in Rx preferably has 1 to 30 carbon atoms, and examples thereof include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and an alkenyl group. These groups may further have a substituent.

Rxにおけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1〜20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。   The alkyl group in Rx may have a substituent, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and has an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the alkyl chain. May be.

Ryにおける2価の有機基としては、好ましくはアルキレン基を挙げることができる。 RxとRyとが互いに結合して形成してもよい環構造としては、窒素原子を含む5〜10員の環、特に好ましくは6員の環が挙げられる。   Preferred examples of the divalent organic group for Ry include an alkylene group. Examples of the ring structure which Rx and Ry may be bonded to each other include a 5- to 10-membered ring containing a nitrogen atom, particularly preferably a 6-membered ring.

なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基(例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基など)を挙げることができる。   Examples of the alkyl group having a substituent include groups in which a linear or branched alkyl group is substituted with a cycloalkyl group (for example, an adamantylmethyl group, an adamantylethyl group, a cyclohexylethyl group, a camphor residue, etc.). .

Rxにおけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。   The cycloalkyl group in Rx may have a substituent, preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and may have an oxygen atom in the ring.

Rxにおけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6〜14のアリール基である。   The aryl group in Rx may have a substituent, and is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms.

Rxにおけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7〜20のアラルキル基が挙げられる。   The aralkyl group in Rx may have a substituent, and preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms.

Rxにおけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、例えば、Rxとして挙げたアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。   The alkenyl group in Rx may have a substituent, and examples thereof include a group having a double bond at an arbitrary position of the alkyl group mentioned as Rx.

Rにおけるプロトンアクセプター性官能基とは、上記の通りであり、アザクラウンエーテル、1〜3級アミン、ピリジンやイミダゾールといった窒素を含む複素環式芳香族構造などを有する基が挙げられる。   The proton acceptor functional group in R is as described above, and examples thereof include azacrown ether, primary to tertiary amines, groups having a heterocyclic aromatic structure containing nitrogen such as pyridine and imidazole.

このような構造を有する有機基として、好ましい炭素数は4〜30であり、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。   As the organic group having such a structure, a preferable carbon number is 4 to 30, and examples thereof include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and an alkenyl group.

Rにおけるプロトンアクセプター性官能基又はアンモニウム基を含むアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基に於けるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は、前記Rxとして挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基と同様のものである。   The alkyl group, the cycloalkyl group, the aryl group, the aralkyl group, the alkyl group in the alkenyl group, the cycloalkyl group, the aryl group, the aralkyl group, and the alkenyl group in R include a proton acceptor functional group or an ammonium group. Are the same as the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, aralkyl group and alkenyl group mentioned above.

上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜10)、アシル基(好ましくは炭素数2〜20)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜10)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20)、アミノアシル基(好ましくは炭素数2〜20)などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造、及びアミノアシル基については、置換基としては更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜20)を挙げることができる。   Examples of the substituent that each group may have include, for example, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxy group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (preferably having 3 to 10 carbon atoms), and an aryl group (preferably Has 6 to 14 carbon atoms, an alkoxy group (preferably 1 to 10 carbon atoms), an acyl group (preferably 2 to 20 carbon atoms), an acyloxy group (preferably 2 to 10 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably And C2-C20) and aminoacyl groups (preferably C2-C20). As for the cyclic structure in the aryl group, cycloalkyl group and the like, and the aminoacyl group, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms).

Bが−N(Rx)Ry−の時、RとRxが互いに結合して環を形成していることが好ましい。環構造を形成することによって、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。環を形成する炭素数は4〜20が好ましく、単環式でも多環式でもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでいてもよい。   When B is -N (Rx) Ry-, R and Rx are preferably bonded to each other to form a ring. By forming the ring structure, the stability is improved, and the storage stability of the composition using the ring structure is improved. The number of carbon atoms forming the ring is preferably 4 to 20, and may be monocyclic or polycyclic, and may contain an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom in the ring.

単環式構造としては、窒素原子を含む4員環、5員環、6員環、7員環、8員環等を挙げることができる。多環式構造としては、2又は3以上の単環式構造の組み合わせから成る構造を挙げることができる。単環式構造、多環式構造は、置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜10)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜10)、アシル基(好ましくは炭素数2〜15)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜15)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜15)、アミノアシル基(好ましくは炭素数2〜20)などが好ましい。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。   Examples of the monocyclic structure include a 4-membered ring, a 5-membered ring, a 6-membered ring, a 7-membered ring, and an 8-membered ring containing a nitrogen atom. Examples of the polycyclic structure include a structure composed of a combination of two or three or more monocyclic structures. The monocyclic structure and polycyclic structure may have a substituent, for example, a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (preferably having 3 to 10 carbon atoms), Aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms), alkoxy group (preferably having 1 to 10 carbon atoms), acyl group (preferably having 2 to 15 carbon atoms), acyloxy group (preferably having 2 to 15 carbon atoms), alkoxycarbonyl A group (preferably having 2 to 15 carbon atoms), an aminoacyl group (preferably having 2 to 20 carbon atoms) and the like are preferable. As for the cyclic structure in the aryl group, cycloalkyl group and the like, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having a carbon number of 1 to 15). As for the aminoacyl group, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having a carbon number of 1 to 15).

Qにより表される−XNHX2におけるRとして、好ましくは炭素数1〜6のフッ素原子を有してもよいアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基である。また、X及びX2としては、少なくとも一方が−SO−であることが好ましく、より好ましくはX及びX2の両方が−SO−である場合である。 As R f in -X 1 NHX 2 R f represented by Q, preferred is an alkyl group which may have a fluorine atom having 1 to 6 carbon atoms, more preferably perfluoroalkyl of 1 to 6 carbon atoms It is a group. Further, as X 1 and X 2 , at least one is preferably —SO 2 —, and more preferably, both X 1 and X 2 are —SO 2 —.

一般式(PA−1)で表される化合物のうち、Q部位がスルホン酸である化合物は、一般的なスルホンアミド化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン化合物と反応させて、スルホンアミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン化合物と反応させ開環させる方法により得ることができる。   Among the compounds represented by the general formula (PA-1), a compound in which the Q site is a sulfonic acid can be synthesized by using a general sulfonamidation reaction. For example, a method in which one sulfonyl halide part of a bissulfonyl halide compound is selectively reacted with an amine compound to form a sulfonamide bond, and then the other sulfonyl halide part is hydrolyzed, or a cyclic sulfonic acid anhydride is used. It can be obtained by a method of ring-opening by reacting with an amine compound.

化合物(PA)は、イオン性化合物であることが好ましい。プロトンアクセプター性官能基はアニオン部、カチオン部のいずれに含まれていてもよいが、アニオン部位に含まれていることが好ましい。
化合物(PA)として、好ましくは下記一般式(4)〜(6)で表される化合物が挙げられる。

Figure 0005264665
The compound (PA) is preferably an ionic compound. The proton acceptor functional group may be contained in either the anion portion or the cation portion, but is preferably contained in the anion portion.
Preferred examples of the compound (PA) include compounds represented by the following general formulas (4) to (6).
Figure 0005264665

一般式(4)〜(6)において、A、X、n、B、R、Rf、X及びXは、一般式(PA−1)における各々と同義である。
はカウンターカチオンを示す。
In the general formulas (4) to (6), A, X, n, B, R, Rf, X 1 and X 2 have the same meanings as those in the general formula (PA-1).
C + represents a counter cation.

カウンターカチオンとしては、オニウムカチオンが好ましい。より詳しくは、先に一般式(ZI)におけるS(R201)(R202)(R203)として説明したスルホニウムカチオン、一般式(ZII)におけるI(R204)(R205)として説明したヨードニウムカチオンが好ましい例として挙げられる。 The counter cation is preferably an onium cation. More specifically, the sulfonium cation previously described as S + (R 201 ) (R 202 ) (R 203 ) in the general formula (ZI), and I + (R 204 ) (R 205 ) in the general formula (ZII). Preferred examples include iodonium cations.

以下、化合物(PA)の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。

Figure 0005264665
Hereinafter, although the specific example of a compound (PA) is shown, it is not limited to these.
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

また、本発明においては、一般式(PA−1)で表される化合物を発生する化合物以外の化合物(PA)も適宜選択可能である。例えば、イオン性化合物であって、カチオン部にプロトンアクセプター部位を有する化合物を用いてもよい。より具体的には、下記一般式(7)で表される化合物などが挙げられる。

Figure 0005264665
Moreover, in this invention, compounds (PA) other than the compound which generate | occur | produces the compound represented by general formula (PA-1) can also be selected suitably. For example, an ionic compound that has a proton acceptor moiety in the cation moiety may be used. More specifically, a compound represented by the following general formula (7) is exemplified.
Figure 0005264665

式中、Aは硫黄原子又はヨウ素原子を表す。
mは1又は2を表し、nは1又は2を表す。但し、Aが硫黄原子の時、m+n=3、Aがヨウ素原子の時、m+n=2である。
Rは、アリール基を表す。
は、プロトンアクセプター性官能基で置換されたアリール基を表す。
は、対アニオンを表す。
In the formula, A represents a sulfur atom or an iodine atom.
m represents 1 or 2, and n represents 1 or 2. However, when A is a sulfur atom, m + n = 3, and when A is an iodine atom, m + n = 2.
R represents an aryl group.
R N represents an aryl group substituted with a proton acceptor functional group.
X represents a counter anion.

の具体例としては、上述した一般式(ZI)におけるX-と同様のものが挙げられる。
RおよびRのアリール基の具体例としては、フェニル基が好ましく挙げられる。
X - include specific examples of, X in formula (ZI) - it includes the same as.
Specific examples of the aryl group of R and R N is a phenyl group are preferably exemplified.

が有するプロトンアクセプター性官能基の具体例としては、前述の式(PA−1)で説明したプロトンアクセプター性官能基と同様である。 Specific examples of the proton acceptor functional group R N are the same as those of the proton acceptor functional group described in the foregoing formula (PA-1).

本発明の組成物において、化合物(PA)の組成物全体中の配合率は、全固形分中0.1〜10質量%が好ましく、より好ましくは1〜8質量%である。   In the composition of the present invention, the compounding ratio of the compound (PA) in the whole composition is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 1 to 8% by mass in the total solid content.

その他、本発明に係る組成物に使用可能なものとして、特開2002−363146号公報の実施例で合成されている化合物、及び特開2007−298569号公報の段落0108に記載の化合物等が挙げられる。   Other examples that can be used in the composition according to the present invention include compounds synthesized in Examples of JP-A No. 2002-363146, and compounds described in paragraph 0108 of JP-A No. 2007-298869. It is done.

塩基性化合物として、感光性の塩基性化合物を用いてもよい。感光性の塩基性化合物としては、例えば、特表2003−524799号公報、及び、J.Photopolym.Sci&Tech. Vol.8,P.543−553(1995)等に記載の化合物を用いることができる。   A photosensitive basic compound may be used as the basic compound. As the photosensitive basic compound, for example, JP-T-2003-524799 and J. Org. Photopolym. Sci & Tech. Vol. 8, P.I. 543-553 (1995) etc. can be used.

塩基性化合物の分子量は、通常は100〜1500であり、好ましくは150〜1300であり、より好ましくは200〜1000である。   The molecular weight of the basic compound is usually 100-1500, preferably 150-1300, and more preferably 200-1000.

これらの塩基性化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明に係る組成物が塩基性化合物を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.01〜8.0質量%であることが好ましく、0.1〜5.0質量%であることがより好ましく、0.2〜4.0質量%であることが特に好ましい。
These basic compounds may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.
When the composition according to the present invention contains a basic compound, the content is preferably 0.01 to 8.0% by mass based on the total solid content of the composition, The content is more preferably 5.0% by mass, and particularly preferably 0.2 to 4.0% by mass.

塩基性化合物の光酸発生剤に対するモル比は、好ましくは0.01〜10とし、より好ましくは0.05〜5とし、更に好ましくは0.1〜3とする。このモル比を過度に大きくすると、感度及び/又は解像度が低下する場合がある。このモル比を過度に小さくすると、露光と加熱(ポストベーク)との間において、パターンの細りを生ずる可能性がある。より好ましくは0.05〜5、更に好ましくは0.1〜3である。   The molar ratio of the basic compound to the photoacid generator is preferably 0.01 to 10, more preferably 0.05 to 5, and still more preferably 0.1 to 3. If this molar ratio is excessively increased, sensitivity and / or resolution may be reduced. If this molar ratio is excessively small, there is a possibility that pattern thinning occurs between exposure and heating (post-bake). More preferably, it is 0.05-5, More preferably, it is 0.1-3.

(界面活性剤)
本発明に係る組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。この界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が特に好ましい。
(Surfactant)
The composition according to the present invention may further contain a surfactant. As this surfactant, fluorine-based and / or silicon-based surfactants are particularly preferable.

フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、大日本インキ化学工業(株)製のメガファックF176及びメガファックR08、OMNOVA社製のPF656及びPF6320、トロイケミカル(株)製のトロイゾルS−366、住友スリーエム(株)製のフロラードFC430、並びに、信越化学工業(株)製のポリシロキサンポリマーKP−341が挙げられる。   Examples of the fluorine-based and / or silicon-based surfactant include Megafac F176 and Megafac R08 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, PF656 and PF6320 manufactured by OMNOVA, and Troisol S manufactured by Troy Chemical Co., Ltd. -366, FLORARD FC430 manufactured by Sumitomo 3M Limited, and polysiloxane polymer KP-341 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

フッ素系及び/又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。この界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類及びポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類等のノニオン系界面活性剤が挙げられる。   Surfactants other than fluorine and / or silicon may be used. Examples of the surfactant include nonionic surfactants such as polyoxyethylene alkyl ethers and polyoxyethylene alkyl aryl ethers.

その他、公知の界面活性剤を適宜使用することができる。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。   In addition, known surfactants can be used as appropriate. Examples of the surfactant that can be used include surfactants described in [0273] and after in US 2008 / 0248425A1.

界面活性剤は、1種類を単独で使用してもよいし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明に係る組成物が界面活性剤を更に含んでいる場合、その使用量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.0001〜2質量%とし、より好ましくは0.001〜1質量%とする。
One type of surfactant may be used alone, or two or more types may be used in combination.
When the composition according to the present invention further contains a surfactant, the amount used is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 2, based on the total solid content of the composition. 1% by mass.

(染料)
本発明に係る組成物は、染料を更に含んでいてもよい。
好適な染料としては、例えば、油性染料及び塩基性染料が挙げられる。具体的には、例えば、オイルイエロー#101、オイルイエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オイルブルーBOS、オイルブルー#603、オイルブラックBY、オイルブラックBS及びオイルブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社製)、並びに、クリスタルバイオレット(CI42555)、メチルバイオレット(CI42535)、ローダミンB(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42000)及びメチレンブルー(CI52015)が挙げられる。
(dye)
The composition according to the present invention may further contain a dye.
Suitable dyes include, for example, oily dyes and basic dyes. Specifically, for example, oil yellow # 101, oil yellow # 103, oil pink # 312, oil green BG, oil blue BOS, oil blue # 603, oil black BY, oil black BS, and oil black T-505 (or above) Orient Chemical Industry Co., Ltd.), crystal violet (CI42555), methyl violet (CI42535), rhodamine B (CI45170B), malachite green (CI42000), and methylene blue (CI522015).

(光塩基発生剤)
本発明に係る組成物は、光塩基発生剤を更に含んでいてもよい。光塩基発生剤を含有させると、更に良好なパターンを形成することが可能となる。
(Photobase generator)
The composition according to the present invention may further contain a photobase generator. When a photobase generator is contained, a more favorable pattern can be formed.

光塩基発生剤としては、例えば、特開平4−151156号、同4−162040号、同5−197148号、同5−5995号、同6−194834号、同8−146608号、同10−83079号、及び欧州特許622682号に記載の化合物が挙げられる。好ましい光塩基発生剤としては、具体的には、2−ニトロベンジルカルバメート、2,5−ジニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、N−シクロヘキシル−4−メチルフェニルスルホンアミド及び1,1−ジメチル−2−フェニルエチル−N−イソプロピルカーバメートが挙げられる。   Examples of the photobase generator include JP-A-4-151156, JP-A-4-162040, JP-A-5-197148, JP-A-5-5995, JP-A-6-194634, JP-A-8-146608, and JP-A-10-83079. And compounds described in European Patent No. 622682. Preferred photobase generators include 2-nitrobenzyl carbamate, 2,5-dinitrobenzyl cyclohexyl carbamate, N-cyclohexyl-4-methylphenylsulfonamide and 1,1-dimethyl-2-phenylethyl- N-isopropyl carbamate may be mentioned.

(酸化防止剤)
本発明に係る組成物は、酸化防止剤を更に含んでいてもよい。酸化防止剤を含有させると、酸素の存在下における有機材料の酸化を抑制することが可能となる。
(Antioxidant)
The composition according to the present invention may further contain an antioxidant. When the antioxidant is contained, it is possible to suppress the oxidation of the organic material in the presence of oxygen.

酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、有機酸誘導体からなる酸化防止剤、硫黄含有酸化防止剤、リン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、アミン−アルデヒド縮合物からなる酸化防止剤、及びアミン−ケトン縮合物からなる酸化防止剤が挙げられる。これら酸化防止剤のうち、フェノール系酸化防止剤及び有機酸誘導体からなる酸化防止剤を使用することが特に好ましい。こうすると、組成物の性能を低下させることなしに、酸化防止剤としての機能を発現させることができる。   Examples of antioxidants include phenolic antioxidants, antioxidants composed of organic acid derivatives, sulfur-containing antioxidants, phosphorus antioxidants, amine antioxidants, and antioxidants composed of amine-aldehyde condensates. And an antioxidant comprising an amine-ketone condensate. Of these antioxidants, it is particularly preferable to use an antioxidant comprising a phenolic antioxidant and an organic acid derivative. If it carries out like this, the function as antioxidant can be expressed, without reducing the performance of a composition.

フェノール系酸化防止剤としては、例えば、置換フェノール類、又は、ビス、トリス若しくはポリフェノール類を使用することができる。   As the phenolic antioxidant, for example, substituted phenols, bis, tris, or polyphenols can be used.

置換フェノール類としては、例えば、1−オキシ−3−メチル−4−イソプロピルベンゼン、2,6−ジ−tert−ブチルフェノール、2,6−ジ−tert−ブチル−4−エチルフェノール、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール、4−ヒドロキシメチル−2,6−ジ−tert−ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、2−(1−メチルシクロヘキシル)−4,6−ジメチルフェノール、2,4−ジメチル−6−tert−ブチルフェノール、2−メチル−4,6−ジノニルフェノール、2,6−ジ−tert−ブチル−α−ジメチルアミノ−p−クレゾール、6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−ブチルアニリノ)2,4−ビス・オクチル−チオ−1,3,5−トリアジン、n−オクタデシル−3−(4’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−tert−ブチル・フェニル)プロピオネート、オクチル化フェノール、アラルキル置換フェノール類、アルキル化−p−クレゾール、及びヒンダードフェノールが挙げられる。   Examples of substituted phenols include 1-oxy-3-methyl-4-isopropylbenzene, 2,6-di-tert-butylphenol, 2,6-di-tert-butyl-4-ethylphenol, 2,6- Di-tert-butyl-4-methylphenol, 4-hydroxymethyl-2,6-di-tert-butylphenol, butylhydroxyanisole, 2- (1-methylcyclohexyl) -4,6-dimethylphenol, 2,4- Dimethyl-6-tert-butylphenol, 2-methyl-4,6-dinonylphenol, 2,6-di-tert-butyl-α-dimethylamino-p-cresol, 6- (4-hydroxy-3,5-di -Tert-butylanilino) 2,4-bisoctyl-thio-1,3,5-triazine, n-octadecyl 3- (4'-hydroxy-3 ', 5'-di -tert- butyl-phenyl) propionate, octyl phenol, aralkyl-substituted phenols, alkylated -p- cresol, and hindered phenols and the like.

ビス、トリス若しくはポリフェノール類としては、例えば、4,4’−ジヒドロキシジフェニル、メチレンビス(ジメチル−4,6−フェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−シクロヘキシル・フェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−エチル−6−tert−ブチルフェノール)、4,4’−メチレン−ビス−(2,6−ジ−tert−ブチルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(6−アルファメチル−ベンジル−p−クレゾール)、メチレン架橋した多価アルキルフェノール、4,4’−ブチリデンビス−(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、1,1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサン、2,2’−ジヒドロキシ−3,3’−ジ−(α−メチルシクロヘキシル)−5,5’−ジメチルジフェニルメタン、アルキル化ビスフェノール、ヒンダードビスフェノール、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert−ブチルフェニル)ブタン、及びテトラキス−[メチレン−3−(3’,5’−ジ−tert−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メタンが挙げられる。   Examples of bis, tris, or polyphenols include 4,4′-dihydroxydiphenyl, methylene bis (dimethyl-4,6-phenol), and 2,2′-methylene-bis- (4-methyl-6-tert-butylphenol). 2,2′-methylene-bis- (4-methyl-6-cyclohexyl phenol), 2,2′-methylene-bis- (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 4,4′-methylene- Bis- (2,6-di-tert-butylphenol), 2,2′-methylene-bis- (6-alphamethyl-benzyl-p-cresol), methylene-bridged polyhydric alkylphenol, 4,4′-butylidenebis- (3-methyl-6-tert-butylphenol), 1,1-bis- (4-hydroxyphenyl) -cyclohexane Sun, 2,2′-dihydroxy-3,3′-di- (α-methylcyclohexyl) -5,5′-dimethyldiphenylmethane, alkylated bisphenol, hindered bisphenol, 1,3,5-trimethyl-2,4 , 6-Tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, tris- (2-methyl-4-hydroxy-5-tert-butylphenyl) butane, and tetrakis- [methylene-3- (3 ′, 5′-di-tert-butyl-4′-hydroxyphenyl) propionate] methane.

酸化防止剤としては、好ましくは、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、4−ヒドロキシメチル−2,6−ジ−t−ブチルフェノール、2、2'−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、ブチルヒドロキシアニソール、t−ブチルヒドロキノン、2,4,5−トリヒドロキシブチロフェノン、ノルジヒドログアヤレチック酸、没食子酸プロピル、没食子酸オクチル、没食子酸ラウリル、及びクエン酸イソプロピルが挙げられる。これらのうち、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、4−ヒドロキシメチル−2,6−ジ−t−ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、t−ブチルヒドロキノンがより好ましく、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール又は4−ヒドロキシメチル−2,6−ジ−t−ブチルフェノールが更に好ましい。   The antioxidant is preferably 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 4-hydroxymethyl-2,6-di-t-butylphenol, 2,2′-methylenebis (4-methyl- 6-t-butylphenol), butylhydroxyanisole, t-butylhydroquinone, 2,4,5-trihydroxybutyrophenone, nordihydroguaiaretic acid, propyl gallate, octyl gallate, lauryl gallate, and isopropyl citrate. Can be mentioned. Of these, 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 4-hydroxymethyl-2,6-di-t-butylphenol, butylhydroxyanisole, and t-butylhydroquinone are more preferable. Di-t-butyl-4-methylphenol or 4-hydroxymethyl-2,6-di-t-butylphenol is more preferred.

酸化防止剤は、1種類を単独で使用してもよく、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明に係る組成物に酸化防止剤を含有させる場合、その添加量は、好ましくは1ppm以上とし、より好ましくは5ppm以上とし、さらに好ましくは10ppm以上とし、、さらにより好ましくは50ppm以上とし、特に好ましくは100ppm以上とし、最も好ましくは100〜1000ppmとする。
One type of antioxidant may be used alone, or two or more types may be used in combination.
When the composition according to the present invention contains an antioxidant, the amount added is preferably 1 ppm or more, more preferably 5 ppm or more, still more preferably 10 ppm or more, and even more preferably 50 ppm or more, particularly Preferably it is 100 ppm or more, Most preferably, it is 100-1000 ppm.

(溶剤)
本発明に係る組成物は、溶剤を更に含んでいてもよい。
この溶剤としては、典型的には、有機溶剤を使用する。この有機溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン(好ましくは炭素数4〜10)、環を含有していてもよいモノケトン化合物(好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキルが挙げられる。
(solvent)
The composition according to the present invention may further contain a solvent.
Typically, an organic solvent is used as this solvent. Examples of the organic solvent include alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate, alkylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate ester, alkyl alkoxypropionate, cyclic lactone (preferably having 4 to 10 carbon atoms), and a ring. Good monoketone compounds (preferably having 4 to 10 carbon atoms), alkylene carbonate, alkyl alkoxyacetate, and alkyl pyruvate are mentioned.

アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA;別名1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。   Examples of the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate include propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA; also known as 1-methoxy-2-acetoxypropane), propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate And propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate.

アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME;別名1−メトキシ−2−プロパノール)、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、及びエチレングリコールモノエチルエーテルが挙げられる。   Examples of the alkylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether (PGME; also known as 1-methoxy-2-propanol), propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, and And ethylene glycol monoethyl ether.

乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル及び乳酸ブチルが挙げられる。
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル及び3−メトキシプロピオン酸エチルが挙げられる。
Examples of the lactate alkyl ester include methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate and butyl lactate.
Examples of the alkyl alkoxypropionate include ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-methoxypropionate.

環状ラクトンとしては、例えば、β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−メチル−γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−オクタノイックラクトン及びα−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンが挙げられる。   Examples of the cyclic lactone include β-propiolactone, β-butyrolactone, γ-butyrolactone, α-methyl-γ-butyrolactone, β-methyl-γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-caprolactone, and γ-octano. And iclactone and α-hydroxy-γ-butyrolactone.

環を含有していてもよいモノケトン化合物としては、例えば、2−ブタノン、3−メチルブタノン、ピナコロン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、3−メチル−2−ペンタノン、4−メチル−2−ペンタノン、2−メチル−3−ペンタノン、4,4−ジメチル−2−ペンタノン、2,4−ジメチル−3−ペンタノン、2,2,4,4−テトラメチル−3−ペンタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、5−メチル−3−ヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−メチル−3−ヘプタノン、5−メチル−3−ヘプタノン、2,6−ジメチル−4−ヘプタノン、2−オクタノン、3−オクタノン、2−ノナノン、3−ノナノン、5−ノナノン、2−デカノン、3−デカノン、4−デカノン、5−ヘキセン−2−オン、3−ペンテン−2−オン、シクロペンタノン、2−メチルシクロペンタノン、3−メチルシクロペンタノン、2,2−ジメチルシクロペンタノン、2,4,4−トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3−メチルシクロヘキサノン、4−メチルシクロヘキサノン、4−エチルシクロヘキサノン、2,2−ジメチルシクロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6−トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2−メチルシクロヘプタノン及び3−メチルシクロヘプタノンが挙げられる。   Examples of the monoketone compound which may contain a ring include 2-butanone, 3-methylbutanone, pinacolone, 2-pentanone, 3-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 4-methyl-2-pentanone, 2-methyl-3-pentanone, 4,4-dimethyl-2-pentanone, 2,4-dimethyl-3-pentanone, 2,2,4,4-tetramethyl-3-pentanone, 2-hexanone, 3-hexanone 5-methyl-3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 2-methyl-3-heptanone, 5-methyl-3-heptanone, 2,6-dimethyl-4-heptanone, 2-octanone , 3-octanone, 2-nonanone, 3-nonanone, 5-nonanone, 2-decanone, 3-decanone, 4-decanone, 5-hexen-2-one 3-penten-2-one, cyclopentanone, 2-methylcyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, 2,2-dimethylcyclopentanone, 2,4,4-trimethylcyclopentanone, cyclohexanone, 3 -Methylcyclohexanone, 4-methylcyclohexanone, 4-ethylcyclohexanone, 2,2-dimethylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone, 2,2,6-trimethylcyclohexanone, cycloheptanone, 2-methylcycloheptanone and 3- And methylcycloheptanone.

アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート及びブチレンカーボネートが挙げられる。
アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸−2−メトキシエチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、酢酸−3−メトキシ−3−メチルブチル、及び酢酸−1−メトキシ−2−プロピルが挙げられる。
ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル及びピルビン酸プロピルが挙げられる。
Examples of the alkylene carbonate include propylene carbonate, vinylene carbonate, ethylene carbonate, and butylene carbonate.
Examples of the alkyl alkoxyacetate include 2-methoxyethyl acetate, 2-ethoxyethyl acetate, 2- (2-ethoxyethoxy) ethyl acetate, 3-methoxy-3-methylbutyl acetate, and 1-methoxy acetate. -2-propyl.
Examples of the alkyl pyruvate include methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and propyl pyruvate.

溶剤としては、常温常圧下における沸点が130℃以上であるものを用いることが好ましい。具体的には、例えば、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、PGMEA、3−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル及びプロピレンカーボネートが挙げられる。   As the solvent, it is preferable to use a solvent having a boiling point of 130 ° C. or higher under normal temperature and pressure. Specifically, for example, cyclopentanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, ethyl lactate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, PGMEA, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl pyruvate, 2-ethoxyethyl acetate, acetic acid-2 -(2-Ethoxyethoxy) ethyl and propylene carbonate are mentioned.

これら溶剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を混合して用いてもよい。後者の場合、水酸基を含んだ溶剤と水酸基を含んでいない溶剤との混合溶剤を使用することが好ましい。   These solvents may be used alone or in combination of two or more. In the latter case, it is preferable to use a mixed solvent of a solvent containing a hydroxyl group and a solvent not containing a hydroxyl group.

水酸基を含んだ溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、PGME、プロピレングリコールモノエチルエーテル及び乳酸エチル等が挙げられる。これらのうち、PGME及び乳酸エチルが特に好ましい。   Examples of the solvent containing a hydroxyl group include ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, PGME, propylene glycol monoethyl ether, and ethyl lactate. Of these, PGME and ethyl lactate are particularly preferred.

水酸基を含んでいない溶剤としては、例えば、PGMEA、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン及び酢酸ブチルが挙げられる。これらのうち、PGMEA、エチルエトキシプロピオネート及び2−ヘプタノンが特に好ましい。   Examples of the solvent not containing a hydroxyl group include PGMEA, ethylethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide and the like. Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone and butyl acetate can be mentioned. Of these, PGMEA, ethyl ethoxypropionate and 2-heptanone are particularly preferred.

水酸基を含んだ溶剤と水酸基を含んでいない溶剤との混合溶剤を使用する場合、これらの質量比は、好ましくは1/99〜99/1とし、より好ましくは10/90〜90/10とし、更に好ましくは20/80〜60/40とする。   When using a mixed solvent of a solvent containing a hydroxyl group and a solvent not containing a hydroxyl group, these mass ratios are preferably 1/99 to 99/1, more preferably 10/90 to 90/10, More preferably, it is set to 20/80 to 60/40.

なお、水酸基を含んでいない溶剤を50質量%以上含んだ混合溶剤を用いると、特に優れた塗布均一性を達成し得る。また、溶剤は、PGMEAと他の1種以上の溶剤との混合溶剤であることが特に好ましい。   When a mixed solvent containing 50% by mass or more of a solvent not containing a hydroxyl group is used, particularly excellent coating uniformity can be achieved. The solvent is particularly preferably a mixed solvent of PGMEA and one or more other solvents.

<パターン形成方法>
本発明に係る組成物は、典型的には、以下のようにして用いられる。即ち、本発明に係る組成物は、典型的には、基板等の支持体上に塗布されて、膜を形成する。
この膜の厚みは、0.02〜0.1μmが好ましい。基板上に塗布する方法としては、スピン塗布が好ましく、その回転数は1000〜3000rpmが好ましい。
<Pattern formation method>
The composition according to the present invention is typically used as follows. That is, the composition according to the present invention is typically applied on a support such as a substrate to form a film.
The thickness of this film is preferably 0.02 to 0.1 μm. As a method of coating on the substrate, spin coating is preferable, and the rotation speed is preferably 1000 to 3000 rpm.

この組成物は、例えば、精密集積回路素子の製造等に使用される基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆、窒化シリコン及びクロム蒸着された石英基板など)上に、スピナー及びコーター等を用いて塗布される。その後、これを乾燥させて、感活性光線性又は感放射線性の膜(以下、感光性膜ともいう)を形成する。なお、公知の反射防止膜を予め塗設することもできる。   This composition is applied onto a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating, silicon nitride and chromium-deposited quartz substrate, etc.) used in the manufacture of precision integrated circuit elements using a spinner and a coater. Is done. Thereafter, this is dried to form an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film (hereinafter also referred to as a photosensitive film). In addition, a known antireflection film can be applied in advance.

次いで、上記の感光性膜に活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(通常80〜150℃、より好ましくは90〜130℃)を行った後、現像する。ベークを行うことにより、更に良好なパターンを得ることが可能となる。   Next, the photosensitive film is irradiated with actinic rays or radiation, and preferably baked (usually 80 to 150 ° C., more preferably 90 to 130 ° C.), followed by development. By performing baking, a more favorable pattern can be obtained.

活性光線又は放射線としては、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、X線、及び電子線が挙げられる。これら活性光線又は放射線としては、例えば250nm以下、特には220nm以下の波長を有したものがより好ましい。このような活性光線又は放射線としては、例えば、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157nm)、X線、及び電子線が挙げられる。好ましい活性光線又は放射線としては、例えば、KrFエキシマーレーザー、電子線、X線及びEUV光が挙げられる。 Examples of actinic rays or radiation include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-rays, and electron beams. As these actinic rays or radiation, for example, those having a wavelength of 250 nm or less, particularly 220 nm or less are more preferable. Examples of such actinic rays or radiation include KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157 nm), X-rays, and electron beams. Preferable actinic rays or radiations include, for example, KrF excimer laser, electron beam, X-ray and EUV light.

現像工程では、通常アルカリ現像液を用いる。
アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム及びアンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン及びn−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン及びジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン及びメチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン及びトリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、又は、ピロール及びピヘリジン等の環状アミン類を含んだアルカリ性水溶液が挙げられる。
In the development process, an alkaline developer is usually used.
Examples of the alkaline developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine and Secondary amines such as di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, and fourth amines such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. Examples include alkaline aqueous solutions containing a quaternary ammonium salt or cyclic amines such as pyrrole and pihelidine.

アルカリ現像液には、適当量のアルコール類及び/又は界面活性剤を添加してもよい。   An appropriate amount of alcohols and / or surfactant may be added to the alkaline developer.

アルカリ現像液の濃度は、通常は0.1〜20質量%である。アルカリ現像液のpHは、通常は10.0〜15.0である。   The concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass. The pH of the alkali developer is usually from 10.0 to 15.0.

なお、本発明に係る組成物を用いてインプリント用モールドを作成する場合のプロセスの詳細については、例えば、特許第4109085号公報、特開2008−162101号公報、及び「ナノインプリントの基礎と技術開発・応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開―編集:平井義彦(フロンティア出版)」を参照されたい。   For details of the process for producing an imprint mold using the composition according to the present invention, see, for example, Japanese Patent No. 4109085, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-162101, and “Nanoimprint Basics and Technology Development”・ Application development-Nanoimprint substrate technology and latest technological development-Editing: Yoshihiko Hirai (Frontier Publishing)

以下、本発明の態様を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。   Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described in more detail by way of examples, but the contents of the present invention are not limited thereto.

<樹脂>
以下のようにして、先に挙げた樹脂P−1〜P−41を合成した。
<Resin>
Resins P-1 to P-41 listed above were synthesized as follows.

〔合成例1:樹脂P−14〕
樹脂P−14を、下記のスキームに従って合成した。

Figure 0005264665
[Synthesis Example 1: Resin P-14]
Resin P-14 was synthesized according to the following scheme.
Figure 0005264665

<化合物(4)の合成>
25.00gの化合物(1)に、225gの無水酢酸と105.09gのピリジンとを加え、室温で12時間撹拌した。これを0℃まで冷却し、蒸留水を加えて、固体を析出させた。ろ過して固体を取り出し、1000mLの1規定塩酸を加え、室温で30分撹拌した。その後、得られた固体をろ過により取り出した。この固体に蒸留水1000mLを加え、室温で30分撹拌した後、ろ過して、固体を取り出した。得られた固体を酢酸エチルに溶解させ、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた後、溶媒を留去して、25.00gの化合物(2)を得た。
<Synthesis of Compound (4)>
To 25.00 g of compound (1), 225 g of acetic anhydride and 105.09 g of pyridine were added and stirred at room temperature for 12 hours. This was cooled to 0 ° C. and distilled water was added to precipitate a solid. The solid was removed by filtration, 1000 mL of 1N hydrochloric acid was added, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. Thereafter, the obtained solid was removed by filtration. Distilled water (1000 mL) was added to the solid, stirred at room temperature for 30 minutes, and then filtered to take out the solid. The obtained solid was dissolved in ethyl acetate and dried using anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain 25.00 g of compound (2).

25.00gの化合物(2)を、288gのトルエンに溶解させた。得られた溶液に、22.08gのN,N−ジメチルホルムアミドジ−tert−ブチルアセタールを、室温で15分かけて滴下した。加熱還流下で9時間撹拌した後、ろ過を行った。得られたろ液に1規定水酸化ナトリウム水溶液を加えた。酢酸エチルを用いた抽出を3回行ない、得られた有機層に蒸留水を加えて洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去して、9.5gの化合物(3)を得た。   25.00 g of compound (2) was dissolved in 288 g of toluene. To the obtained solution, 22.08 g of N, N-dimethylformamide di-tert-butyl acetal was added dropwise at room temperature over 15 minutes. After stirring for 9 hours under heating and refluxing, filtration was performed. A 1N aqueous sodium hydroxide solution was added to the obtained filtrate. Extraction with ethyl acetate was carried out three times, and distilled water was added to the obtained organic layer for washing, followed by drying over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain 9.5 g of compound (3). Obtained.

9.5gの化合物(3)を85gのメタノールに溶解させた。得られた溶液に、6.88gの炭酸カリウムを加えて、室温で3時間撹拌した。溶媒を留去して得られた固体を、85gのアセトンに溶解させた。得られた溶液に、6.88gの炭酸カリウムと6.08gのクロロメチルスチレンとを加え、加熱還流下で4時間撹拌した。反応液をろ過し、得られたろ液に含まれる溶媒を留去させた。これに酢酸エチルを加えて、有機層を蒸留水で3回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を留去させた。得られた固体をヘキサンを用いて3回洗浄した後、ろ過を行った。得られた固体を乾燥させて、5.82gの化合物(4)を得た。   9.5 g of compound (3) was dissolved in 85 g of methanol. To the obtained solution, 6.88 g of potassium carbonate was added and stirred at room temperature for 3 hours. The solid obtained by distilling off the solvent was dissolved in 85 g of acetone. To the obtained solution, 6.88 g of potassium carbonate and 6.08 g of chloromethylstyrene were added, and the mixture was stirred for 4 hours with heating under reflux. The reaction solution was filtered, and the solvent contained in the obtained filtrate was distilled off. Ethyl acetate was added thereto, and the organic layer was washed 3 times with distilled water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off. The obtained solid was washed with hexane three times and then filtered. The obtained solid was dried to obtain 5.82 g of compound (4).

<化合物(9)の合成>
100.00gの化合物(5)を、400gの酢酸エチルに溶解させた。得られた溶液を0℃に冷却し、47.60gのナトリウムメトキシド(28%メタノール溶液)を30分かけて滴下した。その後、これを室温で5時間に亘って撹拌した。反応溶液に酢酸エチルを加えて、有機層を蒸留水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、化合物(6)(54%酢酸エチル溶液)131.70gを得た。
<Synthesis of Compound (9)>
100.00 g of compound (5) was dissolved in 400 g of ethyl acetate. The resulting solution was cooled to 0 ° C., and 47.60 g of sodium methoxide (28% methanol solution) was added dropwise over 30 minutes. This was then stirred at room temperature for 5 hours. Ethyl acetate was added to the reaction solution, and the organic layer was washed 3 times with distilled water and then dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was distilled off. In this way, 131.70 g of compound (6) (54% ethyl acetate solution) was obtained.

18.52gの化合物(6)(54%酢酸エチル溶液)に、56.00gの酢酸エチルを加えた。これに、31.58gの1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロパン−1,3−ジスルホニルジフルオリドを加え、0℃に冷却した。12.63gのトリエチルアミンを25.00gの酢酸エチルに溶解させた溶液を30分かけて滴下し、液温を0℃に維持したまま4時間に亘って撹拌した。酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、32.90gの化合物(7)を得た。   56.00 g of ethyl acetate was added to 18.52 g of compound (6) (54% ethyl acetate solution). To this, 31.58 g of 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropane-1,3-disulfonyldifluoride was added and cooled to 0 ° C. A solution prepared by dissolving 12.63 g of triethylamine in 25.00 g of ethyl acetate was added dropwise over 30 minutes, and the mixture was stirred for 4 hours while maintaining the liquid temperature at 0 ° C. Ethyl acetate was added, and the organic layer was washed 3 times with saturated brine, dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was evaporated. In this way, 32.90 g of Compound (7) was obtained.

35.00gの化合物(7)を315gのメタノールに溶解させ、0℃に冷却し、245gの1規定水酸化ナトリウム水溶液を加えて、室温で2時間撹拌した。溶媒を留去した後、酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、34.46gの化合物(8)を得た。   35.00 g of compound (7) was dissolved in 315 g of methanol, cooled to 0 ° C., 245 g of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. After the solvent was distilled off, ethyl acetate was added, and the organic layer was washed 3 times with saturated brine and then dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was distilled off. In this way, 34.46 g of Compound (8) was obtained.

28.25gの化合物(8)を254.25gのメタノールに溶解させ、23.34gのトリフェニルスルホニウムブロミドを加え、室温で3時間撹拌した。溶媒を留去して、蒸留水を加えて、クロロホルムで3回抽出した。得られた有機層を蒸留水で3回洗浄した後、溶媒を留去した。このようにして、42.07gの化合物(9)を得た。   28.25 g of compound (8) was dissolved in 254.25 g of methanol, 23.34 g of triphenylsulfonium bromide was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. The solvent was distilled off, distilled water was added, and the mixture was extracted 3 times with chloroform. The obtained organic layer was washed 3 times with distilled water, and then the solvent was distilled off. In this way, 42.07 g of Compound (9) was obtained.

<樹脂(P−14)の合成>
54.36gのp−ヒドロキシスチレン(53.1%プロピレングリコールモノメチルエーテル溶液)と、16.22gの化合物(4)と、10.15gの化合物(9)と、4.84gの重合開始剤V−601(和光純薬工業(株)製)とを、77.53gのプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)に溶解させた。反応容器中に25.76gのPGMEを入れ、窒素ガス雰囲気下、85℃の系中に4時間かけて滴下した。反応溶液を2時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。
<Synthesis of Resin (P-14)>
54.36 g of p-hydroxystyrene (53.1% propylene glycol monomethyl ether solution), 16.22 g of compound (4), 10.15 g of compound (9), 4.84 g of polymerization initiator V- 601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was dissolved in 77.53 g of propylene glycol monomethyl ether (PGME). 25.76 g of PGME was placed in the reaction vessel and dropped into the system at 85 ° C. over 4 hours under a nitrogen gas atmosphere. The reaction solution was heated and stirred for 2 hours, and then allowed to cool to room temperature.

上記反応溶液を、92gのアセトンを加えることにより希釈した。希釈した溶液を2800gのヘキサン/酢酸エチル=8/2中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。700gのヘキサン/酢酸エチル=8/2を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。得られた固体を100gのアセトンに溶解させ、1000gのメタノール/蒸留水=1/9中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。250gのメタノール/蒸留水=1/9を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。その後、洗浄後の固体を減圧乾燥に供して、16.56gの樹脂P−14を得た。   The reaction solution was diluted by adding 92 g of acetone. The diluted solution was dropped into 2800 g of hexane / ethyl acetate = 8/2 to precipitate the polymer and filtered. The filtered solid was washed with 700 g of hexane / ethyl acetate = 8/2. The obtained solid was dissolved in 100 g of acetone and dropped into 1000 g of methanol / distilled water = 1/9 to precipitate the polymer, followed by filtration. The filtered solid was washed with 250 g of methanol / distilled water = 1/9. Thereafter, the washed solid was subjected to vacuum drying to obtain 16.56 g of Resin P-14.

この樹脂P−14について、GPC(東ソー株式会社製;HLC−8120;Tsk gel Multipore HXL−M)を用いて重量平均分子量(Mw)及び分散度(Mw/Mn)を測定した。その結果を、下記表1に示す。なお、このGPC測定では、溶媒としてTHFを用いた。   About this resin P-14, the weight average molecular weight (Mw) and dispersion degree (Mw / Mn) were measured using GPC (The Tosoh Corporation make; HLC-8120; Tsk gel Multipore HXL-M). The results are shown in Table 1 below. In this GPC measurement, THF was used as a solvent.

〔合成例2:その他の樹脂〕
樹脂P−1〜P−13及びP−15〜P−41の各々を、合成例1で述べたのと同様にして合成した。また、これら樹脂を、合成例1で述べたのと同様にして評価した。その結果を、下記表1に示す。
[Synthesis Example 2: Other resins]
Each of Resins P-1 to P-13 and P-15 to P-41 was synthesized in the same manner as described in Synthesis Example 1. These resins were evaluated in the same manner as described in Synthesis Example 1. The results are shown in Table 1 below.

下記表1に、樹脂P−1〜P−41の重量平均分子量、組成比及び分散度を纏める。

Figure 0005264665
Table 1 below summarizes the weight average molecular weight, composition ratio, and degree of dispersion of the resins P-1 to P-41.
Figure 0005264665

対照のため、以下の比較化合物C−1〜C−3を準備した。

Figure 0005264665
For comparison, the following comparative compounds C-1 to C-3 were prepared.
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

<光酸発生剤>
光酸発生剤としては、先に挙げたB−1〜B−120の何れかを用いた。
<Photo acid generator>
As the photoacid generator, any of B-1 to B-120 mentioned above was used.

<塩基性化合物>
塩基性化合物としては、下記N−1〜N−7の何れかを用いた。なお、N−7は、上述した化合物(PA)に該当する。

Figure 0005264665
<Basic compound>
Any of the following N-1 to N-7 was used as the basic compound. N-7 corresponds to the compound (PA) described above.
Figure 0005264665

〔合成例3:化合物N−7〕
特開2006-330098号公報の[0354]に基づいて、化合物N−7を合成した。
[Synthesis Example 3: Compound N-7]
Compound N-7 was synthesized based on [0354] of JP-A-2006-330098.

<界面活性剤>
界面活性剤としては、下記W−1〜W−4の何れかを用いた。
W−1:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製;フッ素及びシリコン系)
W−2:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製;シリコン系)
W−3:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製;フッ素系)
W−4:PF6320(OMNOVA社製;フッ素系)
<溶剤>
溶剤としては、下記S−1〜S−4の何れかを適宜混合して用いた。
<Surfactant>
Any of the following W-1 to W-4 was used as the surfactant.
W-1: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd .; fluorine and silicon)
W-2: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .; silicon-based)
W-3: Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co .; fluorine type)
W-4: PF6320 (manufactured by OMNOVA; fluorine-based)
<Solvent>
As the solvent, any one of the following S-1 to S-4 was appropriately mixed and used.

S−1:PGMEA(b.p.=146℃)
S−2:PGME(b.p.=120℃)
S−3:乳酸メチル(b.p.=145℃)
S−4:シクロヘキサノン(b.p.=157℃)
<レジスト評価(EB)>
下記表2に示す各成分を、同表に示す溶剤に溶解させて、固形分濃度が3.0質量%の溶液を調製した。この溶液をポアサイズ0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルタを用いてろ過して、ポジ型レジスト溶液を得た。
S-1: PGMEA (bp = 146 ° C.)
S-2: PGME (bp = 120 ° C.)
S-3: Methyl lactate (bp = 145 ° C.)
S-4: Cyclohexanone (bp = 157 ° C.)
<Resist evaluation (EB)>
Each component shown in the following Table 2 was dissolved in the solvent shown in the same table to prepare a solution having a solid content concentration of 3.0% by mass. This solution was filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.1 μm to obtain a positive resist solution.

表2中に示した「質量%」の数値は、組成物の全固形分を基準とした値である。なお、界面活性剤の使用量は、全固形分濃度に対して0.01質量%である。   The numerical value of “mass%” shown in Table 2 is a value based on the total solid content of the composition. In addition, the usage-amount of surfactant is 0.01 mass% with respect to the total solid content density | concentration.

ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に、スピンコータを用いて、上記のポジ型レジスト溶液を塗布した。これを、110℃で90秒間に亘ってホットプレート上で加熱乾燥させ、平均膜厚が100nmのレジスト膜を得た。   The positive resist solution was applied onto a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater. This was heated and dried on a hot plate at 110 ° C. for 90 seconds to obtain a resist film having an average film thickness of 100 nm.

〔感度、パターン形状、ラフネス特性及び孤立パターン解像性〕
このレジスト膜に対し、電子線照射装置((株)日立製作所製HL750;加速電圧50keV)を用いて電子線照射を行った。照射後直ぐに、130℃で90秒間に亘ってホットプレート上にて加熱した。その後、濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて、23℃で60秒間現像し、30秒間純水を用いてリンスした後、乾燥させた。これにより、ラインアンドスペースパターン(ライン:スペース=1:1)又は孤立ラインパターン(ライン:スペース=1:>100)を形成した。
[Sensitivity, pattern shape, roughness characteristics, and isolated pattern resolution]
The resist film was irradiated with an electron beam using an electron beam irradiation apparatus (HL750 manufactured by Hitachi, Ltd .; acceleration voltage 50 keV). Immediately after irradiation, it was heated on a hot plate at 130 ° C. for 90 seconds. Thereafter, development was performed at 23 ° C. for 60 seconds using an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution having a concentration of 2.38% by mass, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried. Thereby, a line and space pattern (line: space = 1: 1) or an isolated line pattern (line: space = 1:> 100) was formed.

(感度)
まず、得られたラインアンドスペースパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4800)を用いて観察した。そして、100nmの線幅のラインを解像する際の最小照射エネルギーを求め、この値を「感度(μC/cm)」とした。
(sensitivity)
First, the cross-sectional shape of the obtained line and space pattern was observed using a scanning electron microscope (S-4800, manufactured by Hitachi, Ltd.). And the minimum irradiation energy at the time of resolving a line with a line width of 100 nm was calculated | required, and this value was made into "sensitivity ((micro | micron | mu) C / cm < 2 >)."

(パターン形状)
上記の感度を示す照射量における100nmラインパターン(ライン:スペース=1:1)の断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4800)を用いて観察した。そして、その形状を、「矩形」又は「テーパー」の2段階で評価した。
(Pattern shape)
The cross-sectional shape of a 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) at the irradiation dose showing the above sensitivity was observed using a scanning electron microscope (S-4800, manufactured by Hitachi, Ltd.). Then, the shape was evaluated in two stages of “rectangle” or “taper”.

(ラフネス特性:ラインエッジラフネス(LER))
上記の100nmラインパターン(ライン:スペース=1:1)を、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9260)を用いて観察した。そして、その長さ方向50μmに含まれる等間隔の30点について、エッジがあるべき基準線と実際のエッジとの間の距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3σを算出した。そして、この3σを「LER(nm)」とした。
(Roughness characteristics: Line edge roughness (LER))
The 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) was observed using a scanning electron microscope (S-9260, manufactured by Hitachi, Ltd.). And the distance between the reference line which should have an edge and the actual edge was measured about 30 points | pieces equally spaced in the length direction 50 micrometers. And the standard deviation of this distance was calculated | required and 3 (sigma) was computed. This 3σ was defined as “LER (nm)”.

(孤立パターンの解像性;解像力)
上記の感度を示す照射量における孤立パターン(ライン:スペース=1:>100)の限界解像力(ラインとスペースが分離解像する最小の線幅)を求めた。そして、この値を「解像力(nm)」とした。
(Resolution of isolated pattern; resolution)
The critical resolving power (minimum line width at which the line and space were separated and resolved) of the isolated pattern (line: space = 1:> 100) at the irradiation dose showing the above sensitivity was obtained. This value was defined as “resolution (nm)”.

〔エッチング耐性〕
ウエハー上に膜厚200nmのポジ型レジスト膜を形成した後、C(20mL/min)とO(40mL/min)との混合ガスを用いて、温度23℃の条件で30秒間に亘ってプラズマエッチングを行った。その後、残膜量を求め、エッチング速度を算出した。そして、以下の判定基準に基づいて、エッチング耐性を評価した。
[Etching resistance]
After a positive resist film having a thickness of 200 nm is formed on the wafer, a mixed gas of C 4 F 6 (20 mL / min) and O 2 (40 mL / min) is used for 30 seconds at a temperature of 23 ° C. Plasma etching was performed throughout. Thereafter, the remaining film amount was determined, and the etching rate was calculated. And etching resistance was evaluated based on the following criteria.

(判定基準)
○(Good):エッチング速度が15Å/秒未満の場合
×(Insufficient):エッチング速度が15Å/秒以上の場合
これらの評価結果を、下記表2に示す。

Figure 0005264665
(Criteria)
○ (Good): When the etching rate is less than 15 Å / sec. X (Insufficient): When the etching rate is 15 Å / sec or more These evaluation results are shown in Table 2 below.
Figure 0005264665

Figure 0005264665
Figure 0005264665

表2に示すように、実施例の組成物は、比較例の組成物と比較して、感度、パターン形状、LER、孤立パターンの解像性及びエッチング耐性の全てにおいて優れていた。   As shown in Table 2, the compositions of the examples were superior in all of sensitivity, pattern shape, LER, resolution of isolated patterns, and etching resistance as compared with the compositions of the comparative examples.

<レジスト評価(EUV)>
下記表3に示す各成分を、同表に示す溶剤に溶解させて、固形分濃度が3.0質量%の溶液を調製した。この溶液をポアサイズ0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルタを用いてろ過して、ポジ型レジスト溶液を得た。
<Resist evaluation (EUV)>
Each component shown in the following Table 3 was dissolved in the solvent shown in the same table to prepare a solution having a solid content concentration of 3.0% by mass. This solution was filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.1 μm to obtain a positive resist solution.

表3中に示した「質量%」の数値は、組成物の全固形分を基準とした値である。なお、界面活性剤の使用量は、全固形分濃度に対して0.01質量%である。   The numerical value of “mass%” shown in Table 3 is a value based on the total solid content of the composition. In addition, the usage-amount of surfactant is 0.01 mass% with respect to the total solid content density | concentration.

ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に、スピンコータを用いて、上記のポジ型レジスト溶液を塗布した。これを、120℃で90秒間に亘ってホットプレート上で加熱乾燥させ、平均膜厚が100nmのレジスト膜を得た。   The positive resist solution was applied onto a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater. This was heated and dried on a hot plate at 120 ° C. for 90 seconds to obtain a resist film having an average film thickness of 100 nm.

〔感度、パターン形状及びラフネス特性〕
このレジスト膜に対し、EUV露光装置を用いてEUV光を照射した。照射後直ぐに、130℃で90秒間に亘ってホットプレート上にて加熱した。その後、濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて、23℃で60秒間現像し、30秒間純水を用いてリンスした後、乾燥させた。これにより、ラインアンドスペースパターン(ライン:スペース=1:1)を形成した。
[Sensitivity, pattern shape and roughness characteristics]
The resist film was irradiated with EUV light using an EUV exposure apparatus. Immediately after irradiation, it was heated on a hot plate at 130 ° C. for 90 seconds. Thereafter, development was performed at 23 ° C. for 60 seconds using an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution having a concentration of 2.38% by mass, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried. Thereby, a line and space pattern (line: space = 1: 1) was formed.

(感度)
まず、得られたラインアンドスペースパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4800)を用いて観察した。そして、100nmの線幅のラインを解像する際の最小照射エネルギーを求め、この値を「感度(mJ/cm)」とした。
(sensitivity)
First, the cross-sectional shape of the obtained line and space pattern was observed using a scanning electron microscope (S-4800, manufactured by Hitachi, Ltd.). And the minimum irradiation energy at the time of resolving a line with a line width of 100 nm was calculated | required, and this value was made into "sensitivity (mJ / cm < 2 >)."

(パターン形状)
上記の感度を示す照射量における100nmラインパターン(ライン:スペース=1:1)の断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4800)を用いて観察した。そして、その形状を、「矩形」又は「テーパー」の2段階で評価した。
(Pattern shape)
The cross-sectional shape of a 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) at the irradiation dose showing the above sensitivity was observed using a scanning electron microscope (S-4800, manufactured by Hitachi, Ltd.). Then, the shape was evaluated in two stages of “rectangle” or “taper”.

(ラフネス特性:LER)
上記の100nmラインパターン(ライン:スペース=1:1)を、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9260)を用いて観察した。そして、その長さ方向50μmに含まれる等間隔の30点について、エッジがあるべき基準線と実際のエッジとの間の距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3σを算出した。そして、この3σを「LER(nm)」とした。
(Roughness characteristics: LER)
The 100 nm line pattern (line: space = 1: 1) was observed using a scanning electron microscope (S-9260, manufactured by Hitachi, Ltd.). And the distance between the reference line which should have an edge and the actual edge was measured about 30 points | pieces equally spaced in the length direction 50 micrometers. And the standard deviation of this distance was calculated | required and 3 (sigma) was computed. This 3σ was defined as “LER (nm)”.

これらの評価結果を、下記表3に示す。

Figure 0005264665
These evaluation results are shown in Table 3 below.
Figure 0005264665

表3に示すように、実施例の組成物は、比較例の組成物と比較して、感度、パターン形状及びLERの全てにおいて優れていた。   As shown in Table 3, the compositions of the examples were superior in all of sensitivity, pattern shape, and LER as compared with the compositions of the comparative examples.

Claims (12)

下記一般式(I)により表される繰り返し単位(A)と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位(B)とを備えた樹脂を含んだ感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 0005264665
式(I)中、
は、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、2価の連結基を表す。
Arは、複数の芳香環を含んだ構造単位を表し、前記複数の芳香環は、縮環して多環式構造を形成しているか又は単結合を介して互いに連結されている。
は、単結合又は2価の連結基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
は、置換基(水素原子を除く)を表し、r≧2の場合には、複数の前記Sは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
pは、1〜5の整数を表す。
qは、1〜5の整数を表す。
rは、p+r≦5なる関係を満足する0〜4の整数を表す。
Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin comprising a resin comprising a repeating unit (A) represented by the following general formula (I) and a repeating unit (B) that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation Composition.
Figure 0005264665
In formula (I),
R a is a hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyloxycarbonyl group, An alkylcarbonyloxy group or an aralkyl group is represented.
Y a represents a divalent linking group.
Ar represents a structural unit including a plurality of aromatic rings, and the plurality of aromatic rings are condensed to form a polycyclic structure or are connected to each other through a single bond.
Y b represents a single bond or a divalent linking group.
A 3 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
S 2 represents a substituent (excluding a hydrogen atom), and when r ≧ 2, the plurality of S 2 may be the same as or different from each other.
p represents an integer of 1 to 5.
q represents the integer of 1-5.
r represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship of p + r ≦ 5.
前記Rは水素原子又はメチル基であり、前記p=1であり且つ前記q=1である請求項1に記載の組成物。 The composition according to claim 1, wherein R a is a hydrogen atom or a methyl group, p = 1, and q = 1. 前記繰り返し単位(A)が下記一般式(III)により表される請求項2に記載の組成物。
Figure 0005264665
式(III)中、
は、水素原子又はメチル基を表す。
は、2価の連結基を表す。
Arは、複数の芳香環を含んだ構造単位を表し、前記複数の芳香環は、縮環して多環式構造を形成しているか又は単結合を介して互いに連結されている。
は、単結合又は2価の連結基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
は、置換基(水素原子を除く)を表し、r≧2の場合には、複数の前記Sは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
rは、0〜4の整数を表す。
The composition according to claim 2, wherein the repeating unit (A) is represented by the following general formula (III).
Figure 0005264665
In formula (III),
R a represents a hydrogen atom or a methyl group.
Y a represents a divalent linking group.
Ar represents a structural unit including a plurality of aromatic rings, and the plurality of aromatic rings are condensed to form a polycyclic structure or are connected to each other through a single bond.
Y b represents a single bond or a divalent linking group.
A 3 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
S 2 represents a substituent (excluding a hydrogen atom), and when r ≧ 2, the plurality of S 2 may be the same as or different from each other.
r represents an integer of 0 to 4.
前記r=0である請求項3に記載の組成物。   4. The composition of claim 3, wherein r = 0. 前記Yは、−O−、−CHO−、−COO−又は−COOCH−を表す請求項1乃至4の何れか1項に記載の組成物。 The composition according to any one of claims 1 to 4, wherein Y a represents -O-, -CH 2 O-, -COO-, or -COOCH 2- . 前記Yは、単結合、−CHO−又は−COOCH−を表す請求項5に記載の組成物。 The composition according to claim 5, wherein Y b represents a single bond, —CH 2 O— or —COOCH 2 —. 前記Arは、ナフタレン若しくはアントラセン環、又は、ビフェニル若しくはターフェニル構造を含んだ構造単位を表す請求項1乃至6の何れか1項に記載の組成物。   The composition according to any one of claims 1 to 6, wherein Ar represents a structural unit containing a naphthalene or anthracene ring, or a biphenyl or terphenyl structure. 前記繰り返し単位(B)の少なくとも一部が下記一般式(B1)、(B2)及び(B3)からなる群より選択される少なくとも1つにより表される請求項1乃至7の何れか1項に記載の組成物。
Figure 0005264665
式中、
Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表す。
04、R05及びR07〜R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。
06は、シアノ基、カルボキシ基、−CO−OR25又は−CO−N(R26)(R27)を表す。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。R26及びR27は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
1 〜X3 は、各々独立に、単結合、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、−O−、−SO2 −、−CO−、−N(R33)−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。R33は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
8. The method according to claim 1, wherein at least a part of the repeating unit (B) is represented by at least one selected from the group consisting of the following general formulas (B1), (B2), and (B3). The composition as described.
Figure 0005264665
Where
A represents a structural site that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid anion.
R 04 , R 05 and R 07 to R 09 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.
R 06 represents a cyano group, a carboxy group, —CO—OR 25 or —CO—N (R 26 ) (R 27 ). R 25 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 26 and R 27 may be bonded to each other to form a ring together with the nitrogen atom. R 26 and R 27 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.
X 1 to X 3 are each independently a single bond, an arylene group, an alkylene group, a cycloalkylene group, —O—, —SO 2 —, —CO—, —N (R 33 ) —, or a combination thereof. Represents a divalent linking group. R 33 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.
前記Aは、スルホニウム塩構造又はヨードニウム塩構造を備えた構造部位である請求項8に記載の組成物。   The composition according to claim 8, wherein A is a structural moiety having a sulfonium salt structure or an iodonium salt structure. 前記Aは、活性光線又は放射線の照射により酸アニオンへと変換される構造部位である請求項8又は9に記載の組成物。   The composition according to claim 8 or 9, wherein A is a structural site that is converted to an acid anion by irradiation with actinic rays or radiation. 前記樹脂は、下記一般式(A1)により表される繰り返し単位及び一般式(A2)により表される繰り返し単位の少なくとも一方を更に含んでいる請求項1乃至10の何れか1項に記載の組成物。
Figure 0005264665
一般式(A1)中、
mは、0〜4の整数を表す。
nは、m+n≦5なる関係を満足する1〜5の整数を表す。
は、置換基(水素原子を除く)を表し、m≧2の場合には、複数の前記Sは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
1は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表し、n≧2の場合には、複数の前記Aは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
一般式(A2)中、
Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
は、酸の作用により脱離する基を表す。
The composition according to any one of claims 1 to 10, wherein the resin further includes at least one of a repeating unit represented by the following general formula (A1) and a repeating unit represented by the general formula (A2). object.
Figure 0005264665
In general formula (A1),
m represents an integer of 0 to 4.
n represents an integer of 1 to 5 that satisfies the relationship m + n ≦ 5.
S 1 represents a substituent (excluding a hydrogen atom), and when m ≧ 2, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
A 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. When n ≧ 2, the plurality of A 1 may be the same as or different from each other.
In general formula (A2),
X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyloxycarbonyl group, alkyl Represents a carbonyloxy group or an aralkyl group.
A 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
請求項1乃至11の何れか1項に記載の組成物を用いて膜を形成することと、
前記膜を露光することと、
前記露光された膜を現像することと
を含んだパターン形成方法。
Forming a film using the composition according to any one of claims 1 to 11,
Exposing the film;
Developing a pattern of the exposed film.
JP2009221478A 2009-09-09 2009-09-25 Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same Expired - Fee Related JP5264665B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009221478A JP5264665B2 (en) 2009-09-25 2009-09-25 Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
KR1020100085431A KR101299020B1 (en) 2009-09-09 2010-09-01 Active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009221478A JP5264665B2 (en) 2009-09-25 2009-09-25 Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011070029A JP2011070029A (en) 2011-04-07
JP5264665B2 true JP5264665B2 (en) 2013-08-14

Family

ID=44015376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009221478A Expired - Fee Related JP5264665B2 (en) 2009-09-09 2009-09-25 Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5264665B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011175230A (en) * 2010-01-29 2011-09-08 Fujifilm Corp Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same, and pattern forming method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5802700B2 (en) * 2012-05-31 2015-10-28 富士フイルム株式会社 Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same, pattern formation method, and semiconductor device manufacturing method
JP6476276B2 (en) * 2015-02-27 2019-02-27 富士フイルム株式会社 Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, and method for producing electronic device
JP2021130807A (en) * 2019-12-18 2021-09-09 住友化学株式会社 Resin, resist composition, method for producing resist pattern, and compound

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007256639A (en) * 2006-03-23 2007-10-04 Fujifilm Corp Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP5054041B2 (en) * 2008-02-08 2012-10-24 信越化学工業株式会社 Positive resist material and pattern forming method using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011175230A (en) * 2010-01-29 2011-09-08 Fujifilm Corp Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same, and pattern forming method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011070029A (en) 2011-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5740168B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same, and pattern forming method
JP5740375B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method using the same
JP5789623B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method using the same
JP5841707B2 (en) Positive resist composition, pattern forming method using the composition, and resin used in the composition
US7858289B2 (en) Positive resist composition for electron beam, X-ray or EUV and pattern forming method using the same
JP5707356B2 (en) PATTERN FORMATION METHOD, HEATING TEMPERATURE SELECTION METHOD IN PATTERN FORMATION METHOD, EXTREME ULTRAVISIONIC RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE SAME
JP5723815B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, and resist film, pattern forming method, electronic device manufacturing method, and electronic device using the same
JP5793489B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, resist film using the same, pattern formation method, and electronic device manufacturing method
US8110333B2 (en) Resist composition containing novel sulfonium compound, pattern-forming method using the resist composition, and novel sulfonium compound
JP2013015572A (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method using the composition
JP2012093737A (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, as well as actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method using the same
JP5292127B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
WO2014132934A1 (en) Active-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, active-ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern formation method, electronic device, and method for manufacturing electronic device
JP2013015590A (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method using the composition
JP5264665B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
JP5264660B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
JP5723854B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method using the same
JP2013007892A (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin film using the same and pattern forming method
JP5325515B2 (en) Positive resist composition for electron beam, X-ray or EUV light, and pattern forming method using the same
KR101299020B1 (en) Active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
JP2010160355A (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130325

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130430

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees