KR101296639B1 - A device of measuring thickness of organic thin film - Google Patents

A device of measuring thickness of organic thin film

Info

Publication number
KR101296639B1
KR101296639B1 KR1020060125699A KR20060125699A KR101296639B1 KR 101296639 B1 KR101296639 B1 KR 101296639B1 KR 1020060125699 A KR1020060125699 A KR 1020060125699A KR 20060125699 A KR20060125699 A KR 20060125699A KR 101296639 B1 KR101296639 B1 KR 101296639B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
thin film
organic thin
thickness
intensity
Prior art date
Application number
KR1020060125699A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20080053760A (en
Inventor
배성일
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020060125699A priority Critical patent/KR101296639B1/en
Publication of KR20080053760A publication Critical patent/KR20080053760A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101296639B1 publication Critical patent/KR101296639B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
    • C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판에 증착되는 유기물의 두께를 직접적으로 측정할 수 있는 유기박막 두께 측정 장치에 관한 것으로 광을 방출하는 광원과 상기 광원에서 방출된 광을 분리하는 광 분배기와 상기 광 분배기로부터 분리된 광을 분산시키는 렌즈와 상기 렌즈를 통하여 분산된 광의 세기를 검출하는 광 검출기와 상기 광 검출기에서 검출된 광의 세기를 나타내기 위한 신호 처리기로 구성되는 것을 그 특징으로 한다.The present invention relates to an organic thin film thickness measuring apparatus capable of directly measuring the thickness of an organic material deposited on a substrate, and a light splitter for separating light emitted from the light source and a light splitter for separating the light emitted from the light source. And a light detector for detecting the intensity of light dispersed through the lens, and a signal processor for indicating the intensity of the light detected by the light detector.

유기발광표시장치, 유기박막, 간섭 현상 OLED display, organic thin film, interference phenomenon

Description

유기 박막 두께 측정 장치{A device of measuring thickness of organic thin film }A device of measuring thickness of organic thin film}

도 1 은 유기발광소자의 구조를 나타낸 도면1 is a view showing the structure of an organic light emitting device

도 2 는 종래의 유기박막 증착 장치의 개략적인 단면도.2 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic thin film deposition apparatus.

도 3 은 본 발명에 따른 유기 박막 두께 측정 장치의 구성도.3 is a block diagram of an organic thin film thickness measuring apparatus according to the present invention.

도 4 는 임의의 간섭 무늬를 가지는 광의 위치에 따른 광의 세기를 나타내는 도면4 is a diagram showing the intensity of light according to the position of light having an arbitrary fringe;

＊도면의 주요부에 대한 설명＊ Description of main parts of drawing

31 : 기판 32 : 광원31 substrate 32 light source

33 : 기판을 향하는 광 34 : 광 검출기를 향하는 광33 light directed toward the substrate 34 light directed toward the photodetector

35 : 광 분배기 36 : 렌즈35 light splitter 36 lens

37 : 광 검출기 38 : 기판에서 반사된 광37: light detector 38: light reflected from the substrate

39 : 신호 처리기 40 : 증착 조절 장치39: signal processor 40: deposition control device

본 발명은 유기발광소자(OLED)를 제조하기 위한 유기박막 증착장치에 관한 것으로 특히, 기판에 증착되는 유기박막의 두께를 직접적으로 측정할 수 있는 유기박막 두께 측정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic thin film deposition apparatus for manufacturing an organic light emitting device (OLED), and more particularly, to an organic thin film thickness measuring apparatus capable of directly measuring the thickness of the organic thin film deposited on the substrate.

유기발광표시장치(Organic Light Emitting display : 이하, OLED)은 디지털 멀티미디어 시대에 가장 유망한 차세대 표시장치로서 각광 받고 있다.Organic Light Emitting Display (OLED) is spotlighted as the most promising next generation display device in the age of digital multimedia.

이러한 유기발광소자(OLED)는 색 순도의 우수성과 빠른 응답속도, 넓은 시야각의 특성을 가지고 있으며, 자발광 소자이므로 액정표시장치(Liquid Crystl Display)와는 달리 백라이트가 필요치 않아 경량화가 가능한 표시장치이다.Such an organic light emitting diode (OLED) has excellent color purity, fast response speed, and wide viewing angle, and, unlike a liquid crystal display, is a display device that can be lightweight because it does not require a backlight.

이와 같은 유기발광소자(OLED)는 통상 양극용 투명전극 및 음극 분리용 격벽이 형성된 유리기판 상에 유기발광층을 증착한 후 상기 유기발광층 상에 음극용 금속전극을 형성하고 이후 상기 유리기판의 후면 일부분을 밀폐하여 제조한다.Such an organic light emitting diode (OLED) is usually deposited on the glass substrate on which the transparent electrode for the anode and the cathode separation partition is formed, and then forming a metal electrode for the cathode on the organic light emitting layer and then a part of the rear surface of the glass substrate. It is manufactured by sealing.

이러한 유기발광소자는 기판 위에 양극 막, 유기 박막, 음극 막을 순서대로 입히고, 양극과 음극사이에 전압을 걸어줌으로서 적당한 에너지의 차이가 유기 박막에 형성되어 스스로 발광하는 원리이다. 즉, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며 남는 여기 에너지가 빛으로 발생되는 것이다. 이때 유기 물질의 도판트의 양에 따라 발생하는 빛의 파장을 조절할 수 있으므로 풀 칼라(full color)의 구현이 가능하다.In the organic light emitting device, an anode film, an organic thin film, and a cathode film are sequentially coated on a substrate, and a suitable energy difference is formed in the organic film by emitting a voltage between the anode and the cathode. That is, the excitation energy left by recombination of injected electrons and holes is generated as light. In this case, since the wavelength of light generated according to the amount of the dopant of the organic material may be adjusted, full color may be realized.

도 1 은 유기발광소자의 구조를 나타낸 도면이다.1 is a view showing the structure of an organic light emitting device.

도 1 에 도시된 바와 같이, 유기발광소자는 기판 상에 양극(anode), 정공 주입층(hole injection layer), 정공 운송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 전자 운송층(eletron transfer layer), 전자 주입층(electron injection layer), 음극(cathode)이 순서대로 적층되어 형성된다.As shown in FIG. 1, an organic light emitting diode has an anode, a hole injection layer, a hole transfer layer, an emitting layer, and an electron transfer layer on a substrate. A layer, an electron injection layer, and a cathode are stacked in this order.

한편, OLED를 제조하는 경우 기판에 유기물을 형성할 때 통상 진공 증착법이 이용 된다. 상기 진공 증착법은 유기 박막 증착 장치에서 상기 유기물에 열을 가하여 증발(evaporation)되도록 하여 유기 박막을 기판에 형성하는 방법이다. On the other hand, in the case of manufacturing the OLED, when forming an organic material on the substrate, vacuum deposition is usually used. The vacuum deposition method is a method of forming an organic thin film on a substrate by applying heat to the organic material in the organic thin film deposition apparatus to be evaporated.

도 2 는 종래의 유기박막 증착 장치의 개략적인 단면도 이다.2 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic thin film deposition apparatus.

도 2 에 도시된 바와같이, 종래의 유기박막 증착 장치는 진공 챔버(23), 상기 진공 챔버(23) 내부의 하측에 장착되는 도가니(24)와, 상기 진공챔버(23) 내부의 상측에 설치되어 기판(20)을 고정시키는 기판 홀더(21)와, 상기 진공 챔버(23) 내부 측면에 설치되어 상기 도가니(24)에서 증발되는 증기의 양을 모니터링하기 위한 센서(22)를 구비하여 구성된다.As shown in FIG. 2, a conventional organic thin film deposition apparatus is installed in a vacuum chamber 23, a crucible 24 mounted below the vacuum chamber 23, and an upper side of the vacuum chamber 23. And a substrate holder 21 for fixing the substrate 20 and a sensor 22 installed at an inner side surface of the vacuum chamber 23 to monitor an amount of vapor evaporated from the crucible 24. .

이와 같이 구성된 종래의 유기 박막 증착 장치의 유기 박막 증착 방법을 설명하면 다음과 같다.The organic thin film deposition method of the conventional organic thin film deposition apparatus configured as described above is as follows.

상기 기판 홀더(21)에 기판(20)을 고정시키고, 상기 도가니(24)에 증착하고자 하는 유기물을 탑재하고 상기 진공 챔버(23)를 진공 상태로 유지한 채 상기 도가니(24)를 가열하여 상기 유기물을 증발 시킨다. 이와 같이 유기물을 증발시키면 상기 유기물 증기가 확산되어 상기 기판홀더(21)에 고정된 기판(20) 증착된다. The substrate 20 is fixed to the substrate holder 21, the organic material to be deposited is mounted on the crucible 24, and the crucible 24 is heated by maintaining the vacuum chamber 23 in a vacuum state. Evaporate the organics. As such, when the organic material is evaporated, the organic vapor is diffused and the substrate 20 fixed to the substrate holder 21 is deposited.

상기 기판(20)에 유기물을 증착하는 동안에 상기 센서(22)를 이용하여 상기 도가니(24)에서 증발되어 확산되는 유기물 증기의 양을 측정한다. 이와 같이 상기 센서(22)에 의해 측정된 유기물 증기의 양을 이용하여 증착 시간에 따라 상기 기 판(20)에 증착되는 유기물의 두께를 간접적으로 측정한다.While depositing an organic material on the substrate 20, the amount of organic vapor that is evaporated and diffused in the crucible 24 is measured using the sensor 22. As such, the thickness of the organic material deposited on the substrate 20 is indirectly measured according to the deposition time using the amount of the organic vapor measured by the sensor 22.

따라서, 종래의 유기박막 증착 장치에서는 유기물 증착 두께를 직접 측정하지 못하고 확산되는 유기물의 증기량과 시간으로 측정하고, 유기물 증착 두께 역시 증착공정 시간을 이용하여 조절하게 된다. 그러므로 상기와 같은 종래의 유기박막 증착 장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.Therefore, in the conventional organic thin film deposition apparatus, the organic material deposition thickness is not directly measured, but is measured by the amount and time of vapor diffusion of the organic material, and the organic material deposition thickness is also controlled by using the deposition process time. Therefore, the above-described conventional organic thin film deposition apparatus has the following problems.

즉, 를 시간 및 유기물의 증기량에 의해 간접적으로 측정하므로, 유기 박막 증착 장치의 가열온도에 따라 유기물 증기량이 변하게 되고 장비의 노쇠화 등으로 인하여 유기박막 증착 두께를 정확하게 측정할 수 없었다. 또한, 이와 같이 유기물의 증착 두께를 정확하게 측정할 수 없으므로 유기물 증착 두께를 조절하는데 한계가 있어 정밀한 OLED 제조에 어려움이 있었다.That is, since is indirectly measured by the time and the amount of vapor of the organic matter, the amount of organic vapor changes according to the heating temperature of the organic thin film deposition apparatus and due to deterioration of the equipment it was not possible to accurately measure the thickness of the organic thin film deposition. In addition, since the deposition thickness of the organic material cannot be accurately measured as described above, there is a limit in controlling the deposition thickness of the organic material, which makes it difficult to manufacture the precise OLED.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 기판에 증착되는 유기물의 두께를 직접적으로 측정할 수 있는 유기박막 증착두께 측정장치를 제공함에 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide an organic thin film deposition thickness measuring apparatus that can directly measure the thickness of the organic material deposited on the substrate to solve the above problems.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기박막 증착두께 측정장치는 광을 발광하여 일방향으로 방출하는 광원과 상기 광원으로부터 방출된 광을 2개의 패스로 분리하여 제 1 광을 유기물이 증착되는 기판에 투사하여 상기 기판에 의해 반사 되도록 하고, 제 2 광은 상기 기판에 투사되지 않도록 분배하는 광 분배기와 상기 기판에 의해 반사된 제 1 광과 상기 제 2 광을 각각 분산시키는 제 1 및 제 2 분산 렌즈와 상기 제 1 및 제 2 분산 렌즈에 의해 분산된 광의 세기를 검출하는 광 검출기와 그리고 상기 광 검출기에서 검출된 광의 세기를 모니터링하기 위해 신호처리하는 신호처리부를 포함하여 구성되는 것을 그 특징으로 한다.The organic thin film deposition thickness measuring apparatus according to the present invention for achieving the above object is to separate the light emitted from the light source and the light emitted from the light source in two directions by emitting light in two passes to the organic light is deposited A light splitter for projecting onto a substrate to be reflected by the substrate and distributing second light so as not to be projected onto the substrate, and first and second splitting the first and second light reflected by the substrate, respectively And a light detector for detecting the intensity of light dispersed by the first and second dispersion lenses, and a signal processor for signal processing to monitor the intensity of the light detected by the light detector. do.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기박막 두께 측정장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an organic thin film thickness measuring apparatus according to an embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings in detail as follows.

도 3 은 본 발명에 따른 유기박막 두께 측정장치의 구성도 이다.3 is a block diagram of an organic thin film thickness measuring apparatus according to the present invention.

먼저, 유기박막 증착장치의 구성은 도 2 에서 설명한 종래의 유기박막 증착 장치의 구성과 동일하고, 종래의 센서(22) 대신에 도 3 에서 도시한 유기박막 증착 두께 측정장치를 설치한 것이다. 따라서 유기박막 증착 장치의 설명은 생략한다.First, the structure of the organic thin film deposition apparatus is the same as that of the conventional organic thin film deposition apparatus described with reference to FIG. 2, and the organic thin film deposition thickness measuring apparatus shown in FIG. 3 is provided in place of the conventional sensor 22. Therefore, description of the organic thin film deposition apparatus is omitted.

도 3 에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기박막 증착두께 측정장치는 광원(32), 광 분배기(35), 렌즈(36), 광검출기(37), 신호처리기(39)로 구성되며, 광학적인 빛의 간섭현상을 이용한다. 광원(32)으로는 laser 및 단색광 또는 혼합된 색의 빛을 사용할 수 있다. 다만, 빛의 간섭 현상이 확연히 관측되는 장파장의 laser를 사용하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 3, the organic thin film deposition thickness measuring apparatus according to the present invention includes a light source 32, a light splitter 35, a lens 36, a photo detector 37, and a signal processor 39. Use optical light interference. As the light source 32, laser and monochromatic light or mixed color light may be used. However, it is desirable to use a long-wavelength laser that clearly observes the interference of light.

광 분배기(35)는 상기 광원(32)으로부터 발생된 광을 두개로 분리한다. 상기 분리된 광 중 하나의 광(33)은 기판(31)에 임의의 각도를 가지도록 투사되며 상기 기판(31)에서 반사된 광(38)은 광 검출기(37)로 향하도록 구성된다.The light splitter 35 splits the light generated from the light source 32 into two. One of the separated lights 33 is projected to have an angle at the substrate 31 and the light 38 reflected from the substrate 31 is configured to direct to the photo detector 37.

한편, 상기 분리된 광 중 다른 하나의 광(34)은 바로 광 검출기(37)를 향하도록 한다. 상기 기판(31)에서 반사된 광과 상기 바로 광 검출기(37)를 향하도록 한 광은 광 검출기(37)에 닿기 전에 중간에 렌즈(36)를 통과하게 된다. On the other hand, the other light 34 of the separated light is directly directed to the photo detector 37. The light reflected from the substrate 31 and the light directed toward the photodetector 37 pass through the lens 36 in the middle before reaching the photodetector 37.

이때, 상기 렌즈를 통과한 광은 분산되며, 상기 분산된 광은 광 검출기(37)에서 간섭 현상을 일으키므로 상기 광 검출기(37) 부위에는 광 간섭 무늬가 발생한다. 상기 간섭 무늬는 광원은 동일하지만, 광의 경로가 다른 광 사이에서 발생하는 것으로서, 광의 파동적인 고유의 성질이다. At this time, the light passing through the lens is dispersed, and the scattered light causes an interference phenomenon in the photo detector 37, so that an optical interference fringe is generated in the photo detector 37. The interference fringe is the same as the light source, but the light path is generated between different light, which is a wave inherent property of the light.

한편, 상기 광 검출기(37)에는 광 검출 센서가 선형적으로 배열되어 있는데 각 센서는 고유의 위치에서 광의 세기를 측정할 수 있다. 따라서, 상기 광 검출기(37)를 이용하면 상기 광 간섭 무늬의 각 위치에서의 광의 세기를 검출할 수 있고,이와 같이 검출된 광의 세기는 상기 신호처리기(39)를 이용하여 위치에 따른 광의 세기 값을 얻을 수 있게 된다. On the other hand, the photo detector 37 is arranged linearly with a light detection sensor, each sensor can measure the intensity of light at its own location. Therefore, when the light detector 37 is used, the intensity of light at each position of the optical interference fringe may be detected, and the intensity of the light detected as described above may be measured using the signal processor 39. You will get

한편, 상기 기판(31)에 유기물이 증착되어 두께가 달라지게 되면 광경로(33, 38)가 달라지게 되는데, 이로 인하여 위치에 따른 광의 세기 분포가 좌(Left) 또는 우(Right)로 움직이게 된다. 즉, 임의의 두께에서 유기물이 증착되어 상기 두께가 달라지는 경우 변화된 광의 세기 값을 얻을 수 있다.On the other hand, when the organic material is deposited on the substrate 31 and the thickness thereof is changed, the optical paths 33 and 38 are changed, which causes the light intensity distribution according to the position to move to the left or the right. . That is, when the organic material is deposited at an arbitrary thickness and the thickness is changed, the changed light intensity value may be obtained.

도 4 는 임의의 간섭 무늬를 가지는 광의 위치에 따른 광의 세기를 나타내는 도면이다.4 is a diagram showing the intensity of light according to the position of light having an arbitrary interference fringe.

도 4 에 도시된 바와 같이, 증착되는 유기물의 임의의 두께에서 위치에 따른 광의 세기 값(45)은, 유기물이 계속해서 증착되는 경우 변화된 두께에서의 위치에 따른 광의 세기 값(46)으로 변하게 된다.As shown in FIG. 4, the light intensity value 45 according to the position at any thickness of the deposited organic matter is changed to the light intensity value 46 according to the position at the changed thickness when the organics are subsequently deposited. .

이때, 광 세기 분포 중 가장 센 광의 위치(a, b)가 움직이는 거리는 증착 두께에 비례하는 정보가 된다. 즉, 위치 a 와 위치 b 의 차이를 통하여 증착되는 유 기물의 두께를 측정할 수 있다.At this time, the distance that the position (a, b) of the lightest of the light intensity distribution moves is information proportional to the deposition thickness. That is, the thickness of the deposited organic matter can be measured through the difference between the position a and the position b.

이와 같이 가장 센 광의 위치의 변화에 대한 정보를 이용하면 실시간으로 증착되고 있는 유기물의 두께를 직접적으로 측정 할 수 있다.Using the information on the change in the position of the strongest light, it is possible to directly measure the thickness of the organic material being deposited in real time.

한편, 증착 조절 장치(40)를 이용하면 상기 측정된 두께 정보를 이용하여 원하는 증착 두께를 조절 할 수 있다. 즉, 원하는 증착 두께에 도달하면 증착을 멈추고 최적의 두께를 최소의 텍타임으로 재현할 수 있다.Meanwhile, when the deposition control apparatus 40 is used, the desired deposition thickness may be adjusted using the measured thickness information. In other words, once the desired deposition thickness is reached, deposition can be stopped and the optimum thickness can be reproduced with minimal latency.

또한, 이런 광학계를 복수로 사용하게 되면 기판 전면의 증착 박막 두께의 균일성을 확인 할 수 있다.In addition, when a plurality of such optical systems are used, the uniformity of the thickness of the deposited thin film on the front surface of the substrate can be confirmed.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents. Will be clear to those who have knowledge of.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 유기박막 두께 측정장치에는 다음과 같은 효과가 있다.The organic thin film thickness measuring apparatus according to the present invention as described above has the following effects.

유기발광소자의 특성은 유기물의 두께에 아주 큰 영향을 받는다. 따라서 본 발명은 기판에 증착되는 유기물의 두께를 직접적으로 측정하여 유기발광소자의 품질을 높이는데 기여할 수 있으며, 생산력의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 기판 전면에 증착된 박막 두께의 균일성을 확인할 수 있다.The characteristics of the organic light emitting device are greatly affected by the thickness of the organic material. Therefore, the present invention can contribute to increase the quality of the organic light emitting device by directly measuring the thickness of the organic material deposited on the substrate, it is possible to improve the productivity. In addition, the uniformity of the thin film thickness deposited on the entire surface of the substrate can be confirmed.

Claims (5)

광을 출사하는 광원과;A light source for emitting light; 상기 광원으로부터 출사된 광을 제 1 및 제 2 광으로 분리하고, 상기 제 1 광을 유기물이 증착되는 기판에 투사하는 광 분배기와;A light splitter that separates the light emitted from the light source into first and second light and projects the first light onto a substrate on which an organic material is deposited; 상기 기판에 의해 반사된 제 1 광을 분산시키는 제 1 분산렌즈와;A first dispersion lens for dispersing the first light reflected by the substrate; 상기 광분배기로부터 공급받은 제 2 광을 분산시키는 제 2 분산 렌즈와;A second dispersion lens to disperse the second light supplied from the optical splitter; 상기 제 1 및 제 2 분산 렌즈에 의해 분산된 광의 세기를 검출하는 광 검출기와;A photo detector for detecting the intensity of light scattered by the first and second dispersion lenses; 상기 광 검출기에서 검출된 광의 세기를 모니터링하기 위해 신호처리하는 신호처리부를 구비하고,A signal processor configured to process a signal to monitor the intensity of light detected by the photo detector, 상기 광 검출기는 상기 제 1 분산 렌즈를 통해 분산된 제 1 광과 상기 제 2 분산렌즈를 통해 분산된 제 2 광의 간섭현상을 이용하여 광의 세기를 검출함을 특징으로 하는 유기 박막 증착 두께 측정장치.And the photo detector detects the intensity of light by using an interference phenomenon between the first light dispersed through the first scattering lens and the second light scattered through the second scattering lens. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광 검출기에서 검출된 광의 세기 분포는 증착되는 유기박막의 두께에 따라 변하게 되며, 상기 변화를 이용하여 증착되는 유기박막의 두께를 직접적으로 측정하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 증착 두께 측정장치The intensity distribution of the light detected by the photo detector is changed according to the thickness of the organic thin film to be deposited, and the organic thin film deposition thickness measuring apparatus is characterized by directly measuring the thickness of the organic thin film deposited using the change. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 광 검출기에서 검출된 광의 세기 분포 중 광의 세기가 가장 높은 광의 변화를 이용하여 증착되는 유기박막의 두께를 직접적으로 측정하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 증착 두께 측정장치.Organic thin film deposition thickness measuring apparatus, characterized in that for directly measuring the thickness of the organic thin film deposited using the change in the light intensity of the highest intensity among the light intensity distribution detected by the photo detector. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 상기 광의 세기 분포 변화를 이용하여 유기박막의 두께를 조절할 수 있는 증착 조절 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 증착 두께 측정장치.And a deposition control apparatus capable of adjusting the thickness of the organic thin film by using the change in intensity distribution of the light.
KR1020060125699A 2006-12-11 2006-12-11 A device of measuring thickness of organic thin film KR101296639B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060125699A KR101296639B1 (en) 2006-12-11 2006-12-11 A device of measuring thickness of organic thin film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060125699A KR101296639B1 (en) 2006-12-11 2006-12-11 A device of measuring thickness of organic thin film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080053760A KR20080053760A (en) 2008-06-16
KR101296639B1 true KR101296639B1 (en) 2013-08-14

Family

ID=39800951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060125699A KR101296639B1 (en) 2006-12-11 2006-12-11 A device of measuring thickness of organic thin film

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101296639B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240073701A (en) 2022-11-18 2024-05-27 한국생산기술연구원 Organic thin film thickness measuring device, method thereof

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102108361B1 (en) * 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for monitoring deposition rate, apparatus for organic layer deposition using the same, method for monitoring deposition rate, and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
CN107843200B (en) * 2017-10-31 2020-05-22 西安理工大学 Transparent film thickness measuring method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020005314A (en) * 2000-07-10 2002-01-17 김영동 Revised method for surface photoabsorption measurement

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020005314A (en) * 2000-07-10 2002-01-17 김영동 Revised method for surface photoabsorption measurement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240073701A (en) 2022-11-18 2024-05-27 한국생산기술연구원 Organic thin film thickness measuring device, method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080053760A (en) 2008-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100716704B1 (en) Measurement method of deposition thickness, formation method of material layer, deposition thickness measurement device and material layer formation device
EP1916726A2 (en) Mask and deposition apparatus using the same
KR101296639B1 (en) A device of measuring thickness of organic thin film
KR20070078713A (en) Vapor deposition system and vapor deposition method for an organic compound
KR20120065789A (en) Apparatus for organic layer deposition
KR20140027213A (en) Evaporation system with measurement unit
CN106502455B (en) A kind of display panel and display device
WO2019148570A1 (en) Vacuum deposition device and vacuum deposition method
US8557046B2 (en) Deposition source
US20190044090A1 (en) Light-emitting substrate and method for manufacturing the same
US20060147613A1 (en) Deposition system and method for measuring deposition thickness in the deposition system
Oliver et al. Electron-beam–deposited distributed polarization rotator for high-power laser applications
JP2005281859A (en) Deposition thickness measurement method, material layer deposition method, deposition thickness measurement device, and material layer deposition apparatus
CN108873519A (en) COA type array substrate and preparation method thereof
TWI690077B (en) Display apparatus and apparatus and method of manufacturing the display apparatus
US10541386B2 (en) Evaporation deposition equipment and evaporation deposition method
KR20160090987A (en) Deposition rate measuring apparatus
CN110055498B (en) Surface evaporation source, manufacturing method thereof, evaporation method and evaporation device
KR20160104190A (en) Apparatus and mehtod for measuring a deposition rate
JP2016222974A (en) Vacuum deposition apparatus
CN114530481A (en) Display panel, manufacturing method thereof, brightness compensation method and display device
TWI817021B (en) Coating systems and methods using optical monitoring
JPH07109569A (en) Formation of thin film
KR101200641B1 (en) Array Method of linear type crucible with multi nozzles for large-size OLED deposition
JP2011195871A (en) Mixture film forming device with device for measuring film thickness and composition

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160712

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190723

Year of fee payment: 7