KR101292153B1

KR101292153B1 - 신관용 전원저장장치 및 기폭장치 회로

Info

Publication number: KR101292153B1
Application number: KR1020110124474A
Authority: KR
Inventors: 김기륙; 엄원영; 이장우
Original assignee: 국방과학연구소
Priority date: 2011-11-25
Filing date: 2011-11-25
Publication date: 2013-08-09
Also published as: KR20130058460A

Abstract

본 발명은 울트라 커패시터를 이용한 간단한 신관전원저장장치 회로를 제공함으로써, 침투탄이 표적 관통과정에서 필요로 하는 전원을 자체적으로 공급하기 위해 열전지뿐만 아니라 열전지를 활성화하기 위한 부수적 회로가 필요하게 되는 제약을 극복하기 위한 것이다. 이를 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기폭장치는 표적 충돌 및 표적을 감지하여 표적 탐지 신호를 발생하는 신호처리회로부; 신관 전원을 저장하고, 상기 저장된 신관 전원을 상기 표적 탐지 신호에 따라 기폭관에 인가하여 상기 기폭관을 점화시키는 기폭장치회로부; 및 상기 표적 충돌 시까지 상기 신관전원을 이용하여 충전하고, 상기 표적 충돌 이후에 충전 전압이 임계 값에 도달할 때까지 일정한 전원을 상기 신호처리회로부에 공급하는 전원저장장치회로부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

신관용 전원저장장치 및 기폭장치 회로{POWER STORAGE CIRCUIT AND FIRING CIRCUIT OF FUZE}

본 발명은 유도탄용 침투신관에 적용하기 위해 고안된 신관 전원저장장치 및 기폭장치 회로설계에 관한 것이다.

선진국에서 적용하고 있는 침투신관용 전원장치 및 기폭장치에 대한 세부 내용은 알려져 있지 않으며, 일부 선진국용 침투신관에는 견고 표적 충돌 이후에 사용하기 위한 신관전원으로 열전지가 적용되는 것으로 알려져 있다.

한편, 기폭장치는 신관 전원으로부터 기폭에너지 충전회로를 통해 에너지를 기폭 커패시터에 저장하였다가 탄 폭발시점에 신관에서 출력되는 파이어(Fire) 신호를 인가 받아서 기폭장치의 SCR(Silicon-Controlled Rectifier)소자를 턴 온(turn on)하여 기폭 커패시터에서 저장된 에너지를 기폭관에 인가하여 기폭관을 점화시키는 장치이다.

도 1은 종래의 시한신관 기폭장치(100)의 블록도(미국 등록 특허, US 7,478,595)를 나타낸 것이다. 기폭 커패시터(110)에 에너지가 충전된 상태에서 SCR(120)의 게이트(Gate) 단자(122)에 파이어(Fire) 신호가 입력될 경우 SCR(120)이 턴 온 되고, 기폭 커패시터(110)에 저장된 에너지가 SCR(120)을 통해 기폭관에 전달되어 기폭관이 점화된다. 도 1의 기폭장치(100)는 SCR(120)을 사용하여 기폭관을 점화시키는데, 이 방법은 SCR(120)의 게이트 단자(122)에 펄스 폭 수 마이크로 초(μsec) 이하의 잡음이 유입될 경우 신관 오작동이 발생한다는 단점이 있다.

도 2의 (a) 내지 (c)는 종래의 신관 기폭장치의 작동 개념을 설명하기 위한 파형도를 나타내고, 도 2의 (d)는 본 발명에 따른 신관 기폭장치의 작동 개념을 설명하기 위한 파형도를 나타낸 것이다.

도시된 바와 같이, 도 2의 (a)에서 신관전원과 도 2의 (c)에서 기폭 커패시터(110)의 C1에 기폭전압이 충전된 상태에서, 도 2의 (b)에서 파이어(Fire) 신호 단에 폭 수 마이크로 초(μsec) 이하의 잡음이 유입될 경우 기폭장치(100)의 SCR(120)이 작동하여 기폭 커패시터(110)의 C1에 충전된 에너지가 도 2의 (c)에서 기폭 커패시터 전압 파형과 같이 SCR(120)을 통해 방전되어 기폭관이 잘못 점화되는 단점이 있다.

이와 같은 현상은 SCR(120) 소자의 특성 때문에 발생한다. 즉, SCR(120)은 게이트 단자(122)에 펄스 폭 수 십 나노 초(nsec) 정도의 잡음 등의 펄스가 인가되면 SCR(120)이 턴 온(turn on) 되어 기폭 커패시터(110)에 충전된 에너지가 모두 방전될 때까지 SCR(120)을 턴 오프(turn off) 시킬 수 없다. 이로 인해 SCR(120)을 적용한 기폭장치(100)는 잡음에 취약하다는 단점을 가지고 있다.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 울트라 커패시터를 이용한 간단한 신관전원저장장치 회로를 제공함으로써, 침투탄이 표적 관통과정에서 필요로 하는 전원을 자체적으로 공급하기 위해 열전지뿐만 아니라 열전지를 활성화하기 위한 부수적 회로가 필요하게 되는 제약을 극복하기 위한 것이다.

또한, 본 발명은 전원 차단 시에도 안전하게 작동하고 잡음에도 강한 기폭장치회로를 제공함으로써, 침투신관이 표적충돌과 표적 관통과정에서 전원 차단 등으로 인한 잡음이 신관 내부로 유입될 가능성과 이로 인한 신관오작동의 가능성을 줄이기 위한 것이다.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기폭장치는, 표적 충돌 및 표적을 감지하여 표적 탐지 신호를 발생하는 신호처리회로부; 신관 전원을 저장하고, 상기 저장된 신관 전원을 상기 표적 탐지 신호에 따라 기폭관에 인가하여 상기 기폭관을 점화시키는 기폭장치회로부; 및 상기 표적 충돌 시까지 상기 신관전원을 이용하여 충전하고, 상기 표적 충돌 이후에 충전 전압이 임계 값에 도달할 때까지 일정한 전원을 상기 신호처리회로부에 공급하는 전원저장장치회로부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

한편, 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 기폭장치는, 표적 충돌 및 표적을 감지하여 표적 탐지 신호를 발생하는 신호처리회로부; 신관 전원을 저장하고, 상기 저장된 신관 전원을 상기 표적 탐지 신호에 따라 기폭관에 인가하여 상기 기폭관을 점화시키는 기폭장치회로부; 전원이 인가된 상태에서, 상기 신호처리회로부에서 발생한 상기 표적 탐지 신호를 상기 기폭장치회로부에 전송하는 커플러회로부; 및 상기 신호처리회로부에 인가되는 전원의 크기가 임계 값보다 낮을 때 상기 커플러회로부에 공급되는 상기 전원을 차단하는 잡음차단회로부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

다른 한편, 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 기폭장치는, 표적 충돌 및 표적을 감지하여 표적 탐지 신호를 발생하는 신호처리회로부; 및 신관 전원을 저장하고, 상기 저장된 신관 전원을 상기 표적 탐지 신호에 따라 기폭관에 인가하여 상기 기폭관을 점화시키는 기폭장치회로부를 포함하고, 상기 기폭장치회로부는 상기 기폭장치회로부의 입력단에 인가되는 펄스 폭 동안만 턴 온 상태를 유지하는 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 기존 신관회로에 추가적으로 2종의 전원저장장치회로, 전원ON/OFF 잡음 차단회로, 그리고 MOSFET로 구성된 기폭장치 회로를 고안하여 적용함으로써, 표적충돌 순간부터 신관에 외부전원이 차단되더라도 표적관통 과정에서 신관이 필요로 하는 전원을 자체적으로 공급하여 신관의 표적탐지 기능이 정상적으로 작동하도록 하였으며, 또한 전원 ON/OFF에 의한 신관오작동과 잡음 유입에 의한 신관 오작동을 방지하도록 하여 침투신관의 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다.

도 1은 종래의 신관(시한신관) 기폭장치의 블록도이다.
도 2는 종래 및 본 발명에 따른 기폭장치의 작동 개념도이다.
도 3은 본 발명에 따른 신관 전원저장장치 및 기폭장치의 블록도이다.
도 4는 본 발명에 따른 신관 전원저장장치 및 기폭장치의 상세 블록도이다.
도 5는 본 발명에 따른 신관 전원저장장치의 작동 개념도이다.
도 6은 본 발명에 따른 전원 ON/OFF잡음 차단회로 및 기폭장치의 작동 개념도이다.

본 발명은 종래의 신관전원장치 및 기폭장치의 단점을 해결하기 위해서 창안되었다. 종래의 신관전원장치 및 기폭장치는, 첫째, 신관의 전원이 차단되면 신관이 작동하지 않고, 둘째, 기폭장치의 기폭커패시터에 에너지가 저장된 상태에서 신관 전원이 OFF/ON 되거나 신관전원에 잡음 등의 원인으로 떨림 현상(chattering)이 발생할 경우 기폭장치가 작동하여 신관오작동을 유발시킨다. 또한 셋째, 기폭장치의 기폭 커패시터에 에너지가 저장된 상태에서 SCR의 게이트 단자에 펄스 폭 수 마이크로 초(μsec) 이하의 잡음이 유입될 경우 신관 오작동이 발생할 수 있다.

이에, 본 발명에서는 상기의 문제점을 해결하기 위해서 2종의 전원저장장치회로, 전원 ON/OFF잡음 차단회로, 그리고 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET; MOS field-effect transistor) 소자로 구성된 기폭장치 회로를 고안하였다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 특징과 바람직한 실시 예를 구체적으로 설명한다.

도 3은 본 발명에 따른 신관 전원저장장치 및 기폭장치의 블록도이고, 도 4는 본 발명에 따른 신관 전원저장장치 및 기폭장치의 상세 블록도이다.

본 발명에 따른 신관 전원저장장치 및 기폭장치(200)는 두 개의 DC/DC 변환기(211 및 212), 신호처리회로부(220), 옵토 커플러 회로(230), 기폭장치회로부(240), 전원저장장치회로(신호처리회로부용)(250), 전원 ON/OFF 잡음차단회로(260) 및 전원저장장치회로(기폭장치회로부용)(270)를 포함한다.

DC/DC 변환기(211)는 신관 외부로부터 신관에 유입되는 각종 잡음을 차단하기 위해 신관전원을 유도탄전원과 분리한다. 또한, DC/DC변환기(212)는 신호처리회로부에서 필요로 하는 각종 전원을 발생시킨다.

신호처리회로부(220)는 원칩 컨트롤러(221), 초기화 회로(222) 및 버퍼 회로(223)를 포함한다. 원칩 컨트롤러(221)는 표적충돌과 표적을 감지한다. 초기화 회로(222)는 원칩 컨트롤러(221)를 초기화하며, 원칩 컨트롤러(221)에 인가되는 전원이 미리 설정된 전압보다 낮을 경우 발생할 수 있는 원칩 컨트롤러(221)의 오작동을 방지하기 위해서 원칩 컨트롤러(221)를 초기화하는 역할을 수행한다. 버퍼회로(223)는 원칩 컨트롤러(221)를 보호하고 옵토 커플러 회로(230)를 구동한다.

옵토커플러 회로(230)는 신호처리회로부(220)와 기폭장치회로부(240) 간의 잡음유입 방지를 위한 전원분리를 수행한다.

기폭장치회로부(240)는 기폭에너지 충전회로(241), 기폭에너지 저장회로(242) 및 방전회로(243)를 포함한다. 기폭에너지 충전회로(241)는 유도탄이 표적에 근접할 경우에 작동하며 기폭관의 기폭에 필요한 에너지를 기폭커패시터에 충전시켜 주는 역할을 한다.

한편, 침투탄이 표적에 충돌 할 때, 유도탄에서 신관에 공급되는 전원이 차단되는데, 도 3과 도 4의 전원저장장치(신호처리부용)(250)는 이때부터 신관에서 필요로 하는 전원을 공급한다. 전원저장장치(신호처리부용)(250)는 예를 들어, 2F의 대용량 울트라 커패시터(Ultra Capacitor)를 사용하여 신관에서 필요로 하는 전원을 저장하는데, 유도탄 비행 중에는 유도탄 전원을 울트라 커패시터에 저장하였다가 유도탄이 표적에 충돌 시부터는 울트라 커패시터에 저장된 에너지를 사용하여 신관이 작동하도록 한다.

도 5는 본 발명에 따른 신관 전원저장장치의 작동 개념을 설명하기 위한 파형도이다. 도 5의 (d)에서 신관전원은 유도탄에서 신관에 공급하는 전원으로, 이 전원은 표적 충돌 시에 차단된다. 도 5의 (e)에서 충전 전압은 울트라 커패시터에 충전되는 전압으로, 유도탄 비행 중에는 신관전원을 저장하고, 표적 충돌 이후부터는 신관이 충전된 에너지를 사용함으로 인해 방전되는 것을 볼 수 있다. 도 5의 (e)에서 충전전압은 유도탄 전원이 인가된 후부터 일정크기의 전압까지 충전하는데 수분 이상의 시간이 소요되는데, 이로 인해 울트라 커패시터 출력을 직접 신호처리부(220)의 전원으로 사용할 수가 없다.

신호처리부(220)의 전원은 유도탄 전원이 신관에 인가되는 순간부터 표적에 충돌하여 표적감지를 수행하는 동안까지 계속 안정적으로 공급되어야 하기 때문에, 전원저장장치회로(250)는 도 4와 같이 2개의 다이오드, 저항, 울트라 커패시터, DC/DC 변환기(MAX710) 등으로 구성된다.

도 5의 (f)에서 입력전원(MAX710)은 신관전원 인가 시는 신관전원과 동일하지만 표적충돌 이후부터는 울트라 커패시터 출력전압과 동일하게 출력됨을 볼 수 있다. 도 4의 전원저장장치회로(250)에서 적용된 MAX 710은 DC/DC 변환기로서, 입력전압이 2V ∼ 11V 범위로 입력될 경우 항상 5V로 출력시켜 주는 특성을 지나고 있다. 그러므로 도 5의 (g)에서 출력전원(MAX710)은 신관전원 인가 직후부터 표적 충돌 후 울트라 커패시터의 충전전압이 약 2V까지 방전되는 시간 동안 항상 일정한 전원을 출력하기 때문에, 표적 충돌 이후에도 신호처리부(220)는 안정적으로 표적을 탐지할 수 있게 된다.

다시, 도 3 및 도 4를 참조하면, 전원 ON/OFF잡음 차단회로(260)는 기폭커패시터에 기폭 에너지가 충전된 상태에서 신관전원이 OFF/ON 되거나 신관전원에 잡음 등의 원인으로 떨림 현상이 발생할 경우 기폭장치가 작동하여 신관오작동이 발생하는데, 이를 해결하기 위해 고안된 회로이다. 전원 ON/OFF잡음 차단회로(260)는 초기화 회로(222)의 출력신호를 이용하여 옵토 커플러 회로(230)에 인가되는 전원을 제어한다. 초기화 회로(222)는 전술한 바와 같이 원칩 컨트롤러(221)에 인가되는 전원의 전압 크기를 감시하는 회로로서, 전원전압이 미리 설정된 일정 크기의 전압보다 낮으면 원칩 콘트롤러(221)를 초기화시키는 역할을 한다.

도 6은 본 발명에 따른 전원 ON/OFF 잡음 차단회로 및 기폭장치의 작동 개념도를 나타낸 것이다. 도 6에 도시된 바와 같이 도 6의 (h)에서 신관전원이 ON/OFF 할 경우 도 6의 (i)에서 파이어(Fire) 신호단에 전원 ON/OFF잡음이 발생한다. 이 잡음은 초기화 회로(222)에서 전원전압이 일정 크기 이하로 떨어질 때 발생한다.

도 6의 (j)에서 리셋(Reset) 신호는 원칩 컨트롤러(221)에 인가되는 전원이 미리 설정된 전압보다 낮을 경우 원칩 컨트롤러(221)의 오작동을 방지하기 위해서 원칩 컨트롤러(221)를 초기화하는데 사용된다. 따라서, 리셋(Reset) 신호가 하이(HIGH) 상태일 때는 원칩 컨트롤러(221)가 안정되게 작동하는 시간이고, 로우(LOW) 상태일 때는 원칩 컨트롤러(221)가 불안정하게 작동하는 시간이기 때문에 이 신호를 이용하여 옵토 커플러 회로(230)에 인가되는 신호를 제어할 경우 신관 ON/OFF잡음에 의한 신관오작동을 방지할 수 있다.

이에, 도 4의 트랜지스터(Q1, Q2)는 도 6의 (j)에서 리셋(Reset) 신호를 이용하여 옵토 커플러(230)에 인가되는 전원을 제어한다. 원칩 컨트롤러(221)의 전원이 일정 크기 이하로 떨어지면, 초기화 회로(222)에서 도 6의 (j)에서 리셋(Reset) 신호와 같이 로우(LOW) 상태 신호가 발생하고, 이로 인해 트랜지스터(Q1)가 오프(OFF)되어 도 6의 (k)에서 옵토 커플러 회로(230)의 전원이 차단된다. 옵토 커플러 회로(230)의 전원이 차단된 상태에서 도 6의 (i)에서 파이어(Fire)신호에 전원ON/OFF잡음이 발생하여 트랜지스터(Q2)에 인가되더라도 트랜지스터(Q1)가 차단되어 도 6의 (k)에서 옵토 커플러 회로(230)의 전원이 인가되지 않는다.

이로 인해 도 6의 (i)에서 파이어(Fire) 신호가 도 6의 (l)에서 파이어(Fire) 신호(옵토커플러 입력)에 인가되지 않게 되고 따라서 기폭장치가 작동하지 않게 되어 신관 오작동을 방지하게 된다. 만약 신관전원이 안정된 상태에서 도 6의 (i)에서 표적탐지신호(Fire 신호)가 출력되면, 도 6의 (l)에서 파이어(Fire) 신호와 도 6의 (m)에서 기폭 커패시터 전압 파형과 같이 출력되어 기폭관이 점화되어 신관이 정상적으로 작동하게 된다.

한편, 기폭커패시터에 기폭 에너지가 충전된 상태에서 기폭장치에 인가되는 신관전원이 OFF/ON될 경우 옵토 커플러 회로(230)의 오작동으로 인해 잡음펄스가 발생하며 이 잡음이 방전회로(243)의 MOSFET 입력단에 인가되어 신관 오작동을 유발시킨다. 이를 방지하기 위해 전원저장장치 및 기폭장치(200)는 도 3과 도 4의 전원저장장치회로(기폭회로용)(270)를 더 포함한다. 전원저장장치회로(기폭회로용)(270)를 설계할 때 커패시터의 값 C4의 선정이 중요한데, 도 4에서 기폭 커패시터의 값 C5의 충전에너지가 자연 방전하는 시간 보다 C4의 충전에너지가 자연 방전하는 시간이 더 길도록 C4의 값을 선정하는 것이 바람직하다.

한편, 도 1의 종래의 신관 기폭장치(100)에서는 SCR(120)을 사용하여 기폭장치회로를 설계하였는데, 본 발명에서는 도 3과 도 4에 도시된 바와 같이 기폭장치회로부(240)의 스위칭 소자로 MOSFET를 사용하여 기폭장치회로를 고안하였다. SCR(120)은 입력단에 폭 수십 나노 초(nsec)의 매우 짧은 펄스가 인가되어도 턴 온 되어서 계속 유지(SCR(120)에 유지 전류(holding current)이하의 전류 인가 시에만 턴 오프 됨)되는 특성이 있기 때문에 매우 짧은 폭의 잡음 유입에 의해서도 신관 오작동이 유발된다는 단점이 있다.

이에 반해, 본 발명에서 적용된 MOSFET를 스위칭소자로 사용한 기폭장치회로(240)는 펄스 폭 수 마이크로 초(μsec)의 펄스가 인가되어도 신관오작동이 발생하지 않는 장점을 가지고 있다. 이는 MOSFET가 입력단에 인가되는 펄스폭 동안만 턴 온 상태를 유지하는 특성을 가지고 있기 때문이다. 즉 짧은 폭의 펄스가 MOSFET가 입력단에 인가되면 인가되는 펄스 폭만큼 MOSFET가 턴 온 되고, 기폭커패시터에 저장된 에너지가 방전되어 기폭관에 인가되지만 그 에너지 크기가 너무 작아서 기폭관을 점화할 수 없기 때문에 신관오작동이 발생되지 않는다. 기폭관 점화를 위해서는 폭 수십 마이크로 초(μsec) 이상의 파이어(Fire) 신호가 MOSFET 입력단에 인가되어야만 한다.

도 2의 (c)에 도시된 바와 같이 SCR(120)을 사용한 기폭장치(100)는 펄스폭 수 마이크로 초(μsec)의 잡음에 의해 신관 오작동이 발생하지만, 도 2의 (m)에서 MOSFET을 사용한 기폭장치(200)는 펄스 폭 수 마이크로 초(μsec)의 잡음에 의해 신관오작동이 발생하지 않게 된다.

본 발명은 침투신관 적용을 위해 상기의 문제점을 해결하도록 고안하였으며, 신호처리회로부(220), DC/DC변환기(211 및 212), 기폭장치회로부(240) 등으로 구성된 기존 신관회로에 전원저장장치회로(신호처리부용)(250), 전원저장장치회로(기폭회로용)(270), 전원 ON/OFF잡음 차단회로(260), 옵토 커플러 회로(230), 그리고 스위칭 소자로서 SCR 대신에 MOSFET로 구성된 기폭장치회로를 추가하는 방법을 제안하였다.

본 발명은 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다양한 방식으로 변형될 수 있고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

211, 212: DC/DC 변환기 221: 원칩 컨트롤러
222: 초기화 회로 223: 버퍼회로
230: 옵토커플러회로 241: 기폭에너지 충전회로
242: 기폭에너지 저장회로 243: 방전회로
250: 전원저장장치회로(신호처리부용) 260: 전원ON/OFF잡음 차단회로
270: 전원저장장치회로(기폭회로용)

Claims

표적 충돌 및 표적을 감지하여 표적 탐지 신호를 발생하는 신호처리회로부;
신관 전원을 저장하고, 상기 저장된 신관 전원을 상기 표적 탐지 신호에 따라 기폭관에 인가하여 상기 기폭관을 점화시키는 기폭장치회로부; 및
상기 표적 충돌 시까지 상기 신관전원을 이용하여 충전하고, 상기 표적 충돌 이후에 충전 전압이 임계 값에 도달할 때까지 일정한 전원을 상기 신호처리회로부에 공급하는 전원저장장치회로부를 포함하는 기폭장치.
제1 항에 있어서, 상기 전원저장장치회로부는,
상기 표적 충돌 시까지 상기 신관전원을 이용하여 충전하는 울트라 커패시터;
상기 표적 충돌 이후에 충전 전압이 임계 값에 도달할 때까지 일정한 전원을 상기 신호처리회로부에 공급하는 DC/DC 변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치.
제2 항에 있어서, 상기 전원저장장치회로부는,
상기 신관 전원을 상기 DC/DC 변환기의 입력단에 인가하는 제1 다이오드; 및
상기 울트라 커패시터의 전원을 상기 DC/DC 변환기의 입력단에 인가하는 제2 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치.
표적 충돌 및 표적을 감지하여 표적 탐지 신호를 발생하는 신호처리회로부;
신관 전원을 저장하고, 상기 저장된 신관 전원을 상기 표적 탐지 신호에 따라 기폭관에 인가하여 상기 기폭관을 점화시키는 기폭장치회로부;
전원이 인가된 상태에서, 상기 신호처리회로부에서 발생한 상기 표적 탐지 신호를 상기 기폭장치회로부에 전송하는 커플러회로부; 및
상기 신호처리회로부에 인가되는 전원의 크기가 임계 값보다 낮을 때 상기 커플러회로부에 공급되는 상기 전원을 차단하는 잡음차단회로부를 포함하는 기폭장치.
제4 항에 있어서, 상기 신호처리회로부는,
상기 표적 충돌 및 표적을 감지하는 원칩 컨트롤러;
상기 원칩 컨트롤러에 인가되는 전원의 크기가 임계 값 보다 낮을 때 상기 원칩 컨트롤러를 초기화하는 초기화회로; 및
상기 원칩 컨트롤러를 보호하고, 상기 커플러회로부를 구동하는 버퍼회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치.
제5 항에 있어서, 상기 잡음차단회로부는,
상기 원칩 컨트롤러에 인가되는 전원의 크기가 임계 값 보다 낮을 때 상기 초기화회로부의 출력 신호를 이용하여 상기 커플러 회로에 인가되는 전원을 차단하는 것을 특징으로 하는 기폭장치.
제6 항에 있어서, 상기 잡음차단회로부는,
상기 버퍼회로로부터 수신한 상기 표적 탐지 신호를 상기 커플러회로부에 전송하는 제1 트랜지스터; 및
상기 원칩 컨트롤러에 인가되는 전원의 크기가 임계 값 보다 낮을 때 상기 초기화회로부의 출력 신호에 반응하여 상기 커플러회로에 인가되는 전원을 차단하는 제2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치.
제4 항에 있어서, 상기 신관 전원의 크기가 임계 값 보다 낮을 때 상기 커플러회로부에 의해 잡음 펄스가 발생하지 않도록 상기 신관 전원을 저장하였다가 상기 기폭장치회로부에 공급하는 전원저장장치회로부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치.
제8 항에 있어서, 상기 전원저장장치회로부는,
상기 기폭장치회로부의 커패시터보다 자연 방전 시간이 긴 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치.
표적 충돌 및 표적을 감지하여 표적 탐지 신호를 발생하는 신호처리회로부; 및
신관 전원을 저장하고, 상기 저장된 신관 전원을 상기 표적 탐지 신호에 따라 기폭관에 인가하여 상기 기폭관을 점화시키는 기폭장치회로부를 포함하고,
상기 기폭장치회로부는,
상기 기폭장치회로부의 입력단에 인가되는 펄스 폭 동안만 턴 온 상태를 유지하는 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치.
제10 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는,
금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET; MOS field-effect transistor)인 것을 특징으로 하는 기폭장치.