KR101289660B1 - Jig for processing sapphire ingot - Google Patents

Jig for processing sapphire ingot Download PDF

Info

Publication number
KR101289660B1
KR101289660B1 KR1020110077593A KR20110077593A KR101289660B1 KR 101289660 B1 KR101289660 B1 KR 101289660B1 KR 1020110077593 A KR1020110077593 A KR 1020110077593A KR 20110077593 A KR20110077593 A KR 20110077593A KR 101289660 B1 KR101289660 B1 KR 101289660B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tilting
sapphire ingot
base portion
mounting part
mounting
Prior art date
Application number
KR1020110077593A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130015549A (en
Inventor
박종인
오응세
이종찬
Original Assignee
비아이신소재 주식회사
비아이 이엠티 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비아이신소재 주식회사, 비아이 이엠티 주식회사 filed Critical 비아이신소재 주식회사
Priority to KR1020110077593A priority Critical patent/KR101289660B1/en
Publication of KR20130015549A publication Critical patent/KR20130015549A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101289660B1 publication Critical patent/KR101289660B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B28D5/0088—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being angularly adjustable

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은 사파이어 잉곳 가공용 지그에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 사파이어 잉곳 가공용 지그는 사파이어 잉곳이 안착되는 안착부재가 마련된 마운팅부; 상기 마운팅부의 하부에 배치되어 상기 마운팅부를 지지하는 베이스부; 상기 마운팅부의 하면에 결합되고 이웃하는 두 개의 변의 측부에 관통공이 각각 형성된 틸팅플레이트, 상기 관통공에 삽입되어 상기 베이스부의 상기 관통공과 대응되는 위치에 체결되며 상기 틸팅플레이트가 기울어지도록 상기 틸팅플레이트를 상기 베이스부로부터 멀어지는 방향 또는 가까워지는 방향측으로 이동시키는 틸팅축, 상기 틸팅축의 외주면에 결합되어 상기 베이스부의 기울어진 상태가 유지되도록 상기 틸팅축을 고정하는 틸팅고정부재를 구비하는 틸팅부; 상기 베이스부와 상기 마운팅부 사이에 개재되며 단면이 원형인 고리형상으로 마련되어 기울어지는 마운팅부에 접하는 이격부재, 상기 틸팅플레이트에 상기 베이스부에 가까워지는 방향으로의 탄성력을 인가하는 탄성부재를 구비하는 이격부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여 사파이어 잉곳의 c축이 기울어진 정도를 보정하여 가공할 수 있는 사파이어 잉곳 가공용 지그가 제공된다.The present invention relates to a sapphire ingot processing jig, and a sapphire ingot processing jig according to the present invention includes: a mounting part provided with a seating member on which a sapphire ingot is mounted; A base part disposed below the mounting part to support the mounting part; A tilting plate which is coupled to a lower surface of the mounting part and has through holes respectively formed at two adjacent sides of the mounting part, and is inserted into the through hole and fastened to a position corresponding to the through hole of the base part, and tilts the tilting plate so that the tilting plate is inclined. A tilting unit having a tilting shaft for moving in a direction away from or near to a base portion, and a tilting fixing member coupled to an outer circumferential surface of the tilting shaft to fix the tilting shaft to maintain an inclined state of the base portion; A spaced member disposed between the base portion and the mounting portion, the spacer having a circular cross section and contacting the inclined mounting portion, and an elastic member configured to apply an elastic force in a direction closer to the base portion to the tilting plate. Spacer; characterized in that it comprises a.
Thereby, the sapphire ingot processing jig which can process by correcting the inclination degree of the c-axis of a sapphire ingot is provided.

Description

사파이어 잉곳 가공용 지그{Jig for processing sapphire ingot}Jig for processing sapphire ingot}

본 발명은 사파이어 잉곳 가공용 지그에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 사파이어 잉곳이 안착되는 안착부재가 마련된 마운팅부와, 상기 마운팅부의 하부에 배치되어 상기 마운팅부를 지지하는 베이스부와, 상기 베이스부와 상기 마운팅부 사이에 개재되어 상기 마운팅부와 상기 베이스부를 이격시키는 이격부와, 상기 마운팅부와 상기 베이스부에 결합되어 상기 마운팅부를 기울이는 틸팅부를 포함하여 사파이어 잉곳의 c축이 기울어진 정도를 보정하여 가공할 수 있는 사파이어 잉곳 가공용 지그에 관한 것이다.The present invention relates to a sapphire ingot processing jig, and more particularly, a mounting part provided with a seating member on which the sapphire ingot is seated, a base part disposed under the mounting part to support the mounting part, and the base part and the mounting part. Interposed between the parts spaced apart from the mounting portion and the base portion, and a tilting portion coupled to the mounting portion and the base portion to tilt the mounting portion to correct the degree of inclination of the c-axis of the sapphire ingot It relates to a sapphire ingot processing jig.

최근에 발명된, 청색 또는 백색 LED를 제조하기 위해서는 GaN 반도체가 이용되고 있는데, 화학 기상 증착법(Chemical vapor deposition, CVD)에 의하여 GaN 반도체를 성장시키기 위한 기판으로는 원칙적으로 GaN 단결정 웨이퍼가 있어야 하나 이를 성장시키기가 어렵기 때문에 실용화할만한 GaN 단결정 성장법이 개발되지 못하고 있는 실정이다.Recently, GaN semiconductors are used to manufacture blue or white LEDs. As a substrate for growing GaN semiconductors by chemical vapor deposition (CVD), a GaN single crystal wafer should be used in principle. Since it is difficult to grow, a practical GaN single crystal growth method has not been developed.

최근 20년간 많은 결정성장 학자들이 GaN 단결정을 성장시키려는 노력을 해왔으나 경제성 있는 성장법은 개발되지 못하였다. 청색 또는 백색 LED를 제조하기 위해서는 사파이어 단결정 웨이퍼를 사용해야 한다는 것이 당연시되고 있으며, 그 수요가 급증하는 실정이다.In recent 20 years, many crystal growth scholars have tried to grow GaN single crystals, but economic growth methods have not been developed. It is natural that sapphire single crystal wafers should be used to manufacture blue or white LEDs, and the demand is rapidly increasing.

사파이어 단결정을 만들기 위해 주로 사용하는 방법은 쵸크랄스키(Czochralski)법, 키로풀로스(Kyropoulos)법, 열교환법 등 많은 성장법으로 성장이 가능하다.The main method used to make sapphire single crystal can be grown by many growth methods such as Czochralski method, Kyropoulos method, and heat exchange method.

그 중, 키로풀로스법은 원기둥 형태의 단결정을 성장시키기 좋은 방법이다. 키로풀로스법을 이용하여 잉곳을 a축으로 성장하고, 이것을 축에 대하여 수직 방향으로 코어 드릴링하여 c축으로의 원기둥 형태를 만들고 이것을 슬라이싱하여 웨이퍼를 만든다.Among them, the chiropulose method is a good method for growing cylindrical single crystals. The ingot is grown on the a-axis using the Kiropoulos method and core-drilled in the direction perpendicular to the axis to form a cylindrical shape on the c-axis, which is then sliced to form a wafer.

도 1(a)에 도시된 바와 같이, a축으로 성장된 원통형상의 사파이어 잉곳의 길이방향에 수직인 c축 방향으로 가공하여 잉곳을 만들게 되므로 최대 30%정도로 수율이 매우 낮다.As shown in Figure 1 (a), the ingot is made by processing in the c-axis direction perpendicular to the longitudinal direction of the cylindrical sapphire ingot grown in the a-axis, so the yield is very low at a maximum of about 30%.

한편, 수율 향상을 위하여 가늘고 긴 원기둥보다는 굵고 짧은 원기둥의 형태가 얻어질 수 있는 키로풀로스(Kyropoulos)법이 적용되고 있으며, 이 방법으로 성장된 결정은 품질은 쵸크랄스키법으로 성장시킨 품질보다 우수하다고 여겨진다.On the other hand, the Kyropoulos method, in which the shape of a thicker and shorter cylinder can be obtained than the elongated cylinder for improving the yield, the crystals grown by this method are of higher quality than that of Czochralski. It is considered excellent.

그러나, 도 2에 도시된 바와 같이, 이 방법 역시 최근 웨이퍼의 크기가 2인치에서 4인치, 6인치로 대형화되면서 수율은 32% 정도 밖에 되지 못하고, 더욱 대형화되면 키로풀로스법을 적용하기 곤란한 문제점이 있다.However, as shown in FIG. 2, this method also has a yield of only 32% as the wafer size is increased from 2 inches to 4 inches and 6 inches. There is this.

따라서, c축의 사파이어 웨이퍼를 제조하려면 c축으로 긴 원기둥 형태의 사파이어 잉곳을 제조하는 것이 수율면에서 바람직하며, 70% 정도의 수율을 나타내는 것으로 알려져 있다.Therefore, in order to manufacture a c-axis sapphire wafer, it is preferable to manufacture a long cylindrical sapphire ingot on the c-axis in terms of yield, and it is known to exhibit a yield of about 70%.

도 2(a)를 참조하면, c축으로 성장된 사파이어 잉곳을 웨이퍼로 만들기 위하여 도 2(a)의 수평 점선을 따라 사용 가능한 부분을 원통 형상으로 가공한다. Referring to FIG. 2 (a), in order to make a sapphire ingot grown on the c-axis into a wafer, a portion usable along the horizontal dotted line of FIG. 2 (a) is processed into a cylindrical shape.

하지만, c축 성장을 이용하여 사파이어 잉곳을 제조하면 도 2(b)에 나타난 상하 방향의 점선과 같이 c축이 기울어져 성장이 되는 경우가 발생하여 가공하기 위한 어려움이 따른다.However, when the sapphire ingot is manufactured using the c-axis growth, the c-axis is inclined to grow as shown by the dotted line in the vertical direction shown in FIG.

따라서, 기울어진 c축을 보정하여 가공하기 위한 장치가 필요하나, 현재 사파이어 잉곳을 보정하여 가공하기 위한 장치는 개발되지 않은 실정이다.
Therefore, there is a need for a device for correcting and processing a tilted c-axis, but at present, a device for correcting and processing a sapphire ingot has not been developed.

따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 사파이어 잉곳의 c축이 기울어진 정도를 보정하여 가공할 수 있는 사파이어 잉곳 가공용 지그를 제공함에 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to solve such a conventional problem, and to provide a sapphire ingot processing jig that can be processed by correcting the degree of inclination of the c-axis of the sapphire ingot.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 사파이어 잉곳이 안착되는 안착부재가 마련된 마운팅부; 상기 마운팅부의 하부에 배치되어 상기 마운팅부를 지지하는 베이스부; 상기 마운팅부의 하면에 결합되고 이웃하는 두 개의 변의 측부에 관통공이 각각 형성된 틸팅플레이트, 상기 관통공에 삽입되어 상기 베이스부의 상기 관통공과 대응되는 위치에 체결되며 상기 틸팅플레이트가 기울어지도록 상기 틸팅플레이트를 상기 베이스부로부터 멀어지는 방향 또는 가까워지는 방향측으로 이동시키는 틸팅축, 상기 틸팅축의 외주면에 결합되어 상기 베이스부의 기울어진 상태가 유지되도록 상기 틸팅축을 고정하는 틸팅고정부재를 구비하는 틸팅부; 상기 베이스부와 상기 마운팅부 사이에 개재되며 단면이 원형인 고리형상으로 마련되어 기울어지는 마운팅부에 접하는 이격부재, 상기 틸팅플레이트에 상기 베이스부에 가까워지는 방향으로의 탄성력을 인가하는 탄성부재를 구비하는 이격부;를 포함하는 사파이어 잉곳 가공용 지그에 의해 달성된다.The above object, in accordance with the present invention, the mounting portion is provided with a seating member is mounted sapphire ingot; A base part disposed below the mounting part to support the mounting part; A tilting plate which is coupled to a lower surface of the mounting part and has through holes respectively formed at two adjacent sides of the mounting part, and is inserted into the through hole and fastened to a position corresponding to the through hole of the base part, and tilts the tilting plate so that the tilting plate is inclined. A tilting unit having a tilting shaft for moving in a direction away from or near to a base portion, and a tilting fixing member coupled to an outer circumferential surface of the tilting shaft to fix the tilting shaft to maintain an inclined state of the base portion; A spaced member disposed between the base portion and the mounting portion, the spacer having a circular cross section and contacting the inclined mounting portion, and an elastic member configured to apply an elastic force in a direction closer to the base portion to the tilting plate. It is achieved by a sapphire ingot processing jig including a spacer;

삭제delete

삭제delete

또한, 상기 베이스부의 측부에는 길이방향으로 연장 가능한 지지부재가 설치되어 상기 마운팅부를 하부에서 지지하는 것이 바람직하다.In addition, the side of the base portion is preferably provided with a support member extendable in the longitudinal direction to support the mounting portion from the bottom.

또한, 상기 베이스부 하부와 지면 사이에 개재되어 상기 베이스부를 회전시키는 회전부재를 포함하는 것이 바람직하다.
In addition, it is preferable to include a rotating member interposed between the base portion lower portion and the ground to rotate the base portion.

본 발명에 따르면, 사파이어 잉곳의 c축이 기울어진 정도를 보정하여 가공할 수 있는 사파이어 잉곳 가공용 지그가 제공된다.According to the present invention, there is provided a sapphire ingot processing jig which can be processed by correcting the degree of inclination of the c-axis of the sapphire ingot.

도 1은 종래의 c축 사파이어 잉곳 생산 방법을 나타낸 사시도이고,
도 2는 c축으로 성장된 사파이어 잉곳과 기울어진 c축을 나타낸 단면도이고,
도 3은 본 발명 사파이어 잉곳 가공용 지그를 나타낸 사시도이고,
도 4는 본 발명 사파이어 잉곳 가공용 지그의 분해사시도이고,
도 5는 본 발명 사파이어 잉곳 가공용 지그의 틸팅부의 분해사시도이고,
도 6은 본 발명 사파이어 잉곳 가공용 지그의 일실시예를 나타낸 정면도이다.1 is a perspective view showing a conventional c-axis sapphire ingot production method,
2 is a cross-sectional view showing a c-axis grown sapphire ingot and a tilted c-axis,
Figure 3 is a perspective view showing a jig for sapphire ingot processing of the present invention,
Figure 4 is an exploded perspective view of the jig for sapphire ingot processing of the present invention,
Figure 5 is an exploded perspective view of the tilting portion of the jig for sapphire ingot processing of the present invention,
Figure 6 is a front view showing an embodiment of the jig for sapphire ingot processing of the present invention.

설명에 앞서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 일실시예에서 설명하기로 한다.Prior to the description, components having the same configuration will be described in a representative embodiment using the same reference numerals.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 사파이어 잉곳 가공용 지그에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a sapphire ingot processing jig according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명 사파이어 잉곳 가공용 지그를 나타낸 사시도이고, 도 4는 본 발명 사파이어 잉곳 가공용 지그의 분해사시도이고, 도 5는 본 발명 사파이어 잉곳 가공용 지그의 틸팅부의 분해사시도이다.Figure 3 is a perspective view showing the jig for sapphire ingot processing of the present invention, Figure 4 is an exploded perspective view of the jig for sapphire ingot processing of the present invention, Figure 5 is an exploded perspective view of the tilting portion of the jig for sapphire ingot processing of the present invention.

본 발명에 따른 사파이어 잉곳 가공용 지그는 사파이어 잉곳이 안착되는 마운팅부(10)와, 마운팅부(10)를 지지하는 베이스부(20)와, 마운팅부(10)와 베이스부(20)에 결합되어 마운팅부(10)를 기울이는 틸팅부(30)와, 마운팅부(10)와 베이스부(20)를 이격시키는 이격부(40)와, 베이스부(20)를 회전시키는 회전부재(50)와, 사파이어 잉곳의 c축을 검사하기 위한 검사부(60)를 포함한다.The sapphire ingot processing jig according to the present invention is coupled to the mounting portion 10, the base portion 20 for supporting the mounting portion 10, the mounting portion 10 and the base portion 20 on which the sapphire ingot is seated A tilting unit 30 for tilting the mounting unit 10, a separation unit 40 spaced apart from the mounting unit 10 and the base unit 20, a rotating member 50 for rotating the base unit 20, And an inspection unit 60 for inspecting the c-axis of the sapphire ingot.

도 3 및 도 4를 참조하면, 마운팅부(10)는 판 형상의 부재에 상면 중앙에 사파이어 잉곳이 안착되는 안착부재(11)가 설치되며, 접하는 두 변의 일부가 각각 절개되어 후술하는 틸팅축(33)이 상면으로 돌출된다.Referring to FIGS. 3 and 4, the mounting part 10 is provided with a seating member 11 on which a sapphire ingot is seated at the center of the upper surface of the plate-shaped member, and a part of the two sides that are in contact with each other is incised to be described later. 33) protrudes to the upper surface.

안착부재(11)는 링 형상의 부재로써 내부에 사파이어 잉곳이 안착되고, 외주면에 볼트가 삽입되는 체결공이 돌출 형성되어 마운팅부(10)에 이격되어 체결됨으로써 고정된다. The seating member 11 is a ring-shaped member, and the sapphire ingot is seated therein, and a fastening hole into which a bolt is inserted is formed on the outer circumferential surface to be fixed by being spaced apart and fastened to the mounting portion 10.

한편, 안착부재(11)와 사파이어 잉곳 사이에 형성된 이격공간은 별도로 구비된 고정부재(미도시)를 이격공간에 개재하여 고정이 가능하며 또는 안착부재(11)의 외주면을 볼트로 관통하여 볼트를 조임으로써 고정할 수 있고, 이에 제한되는 것은 아니고 다양한 형태로 고정될 수 있다.On the other hand, the separation space formed between the seating member 11 and the sapphire ingot can be fixed through the fixing member (not shown) provided in the separation space provided separately or penetrates the outer peripheral surface of the seating member 11 with a bolt It can be fixed by tightening, but is not limited thereto and can be fixed in various forms.

베이스부(20)는 사파이어 잉곳이 안착되는 마운팅부(10)를 지지하는 부재로써, 판 형상으로 형성되어 상판(21)과 하판(22)으로 구성되며, 상판의 네 변의 각각의 일부가 절개되어 하판(22)에 설치된 후술하는 지지부재(23)가 상판(21)의 상면으로 돌출된다.The base portion 20 is a member supporting the mounting portion 10 on which the sapphire ingot is seated. The base portion 20 is formed in a plate shape and consists of an upper plate 21 and a lower plate 22, and a portion of each of the four sides of the upper plate is incised. The supporting member 23 described later installed on the lower plate 22 protrudes to the upper surface of the upper plate 21.

지지부재(23)는 하판(22)의 네 변에 각각 설치되어 후술하는 틸팅부(30)에 의하여 기울어진 상태의 마운팅부(10)를 하방에서 지지하여, 사파이어 잉곳의 c축을 검사한 후 사파이어 잉곳을 가공하면서 가해지는 하중을 지지하기 위한 부재이다. 상하 방향으로 길이조정이 가능하여 틸팅플레이트(31)을 기울임으로써 높낮이의 변화에 따라 길이를 조절하여 틸팅플레이트(31)의 하면에 접촉되어 지지한다.The support member 23 is installed on each of the four sides of the lower plate 22 to support the mounting portion 10 in a tilted state by the tilting portion 30 to be described later, the sapphire after inspecting the c-axis of the sapphire ingot It is a member for supporting a load applied while processing an ingot. The length can be adjusted in the up and down direction, thereby tilting the tilting plate 31 to adjust the length in accordance with the change in height, and to contact and support the lower surface of the tilting plate 31.

도 5를 참조하면, 틸팅부(30)는 마운팅부(10)의 하면에 결합되는 틸팅플레이트(31)와, 기울어진 상태를 고정하는 틸팅축(32)과 틸팅고정부재(33)로 구성된다.Referring to FIG. 5, the tilting unit 30 includes a tilting plate 31 coupled to the lower surface of the mounting unit 10, a tilting shaft 32 and a tilting fixing member 33 for fixing an inclined state. .

틸팅플레이트(31)는 판 형상으로 형성되어 마운팅부(10)의 하면에 나비볼트가 마운팅부(10)의 상면을 관통하여 틸팅플레이트(31)에 체결됨으로써 결합 된다.The tilting plate 31 is formed in a plate shape and is coupled to the lower surface of the mounting portion 10 by being fastened to the tilting plate 31 by penetrating the upper surface of the mounting portion 10.

틸팅축(32)은 마운팅부(10)의 접하는 두 변의 절개된 부분과 대응하는 위치의 틸팅플레이트(31)를 관통하여 베이스부(20)에 체결되어 고정되는 볼트 형상의 축이다.The tilting shaft 32 is a bolt-shaped shaft which is fastened and fixed to the base 20 by penetrating the tilting plate 31 at a position corresponding to the cut portions of two sides in contact with the mounting portion 10.

틸팅고정부재(33)는 틸팅축(32)의 외주면에 결합되는 원통형상의 부재로써 직경의 크기가 다른 두 개의 원통이 적층된 형상이며, 외주면에 볼트가 각각 관통하여 스크류 체결되어 틸팅축(32)에 고정된다.The tilting fixing member 33 is a cylindrical member coupled to the outer circumferential surface of the tilting shaft 32 and has a shape in which two cylinders of different diameters are stacked, and bolts penetrate through the outer circumferential surface of the tilting shaft 32, respectively. Is fixed to.

또한, 외주면에 길이방향으로 소정 부분에 홈이 형성되고, 홈에 결합되도록 일단이 돌출되고 하면이 틸팅플레이트(31)에 볼트 체결되어 고정되는 고정편(34)이 결합되어 틸팅고정부재(33)의 횡방향 및 종방향 움직임을 고정한다. In addition, a groove is formed in a predetermined portion in the longitudinal direction on the outer circumferential surface, and one end thereof protrudes to be coupled to the groove, and a fixing piece 34 which is bolted and fixed to the tilting plate 31 is coupled to the tilting fixing member 33. Fix lateral and longitudinal movements of the.

이격부(40)는 베이스부(20)와 틸팅플레이트(31)를 이격시키는 이격부재(41)와, 베이스부(20)과 틸팅플레이트(31)에 서로 잡아당기는 힘을 인가하는 탄성부재(42)로 구성된다.The spacer 40 is a spacer 41 for separating the base 20 and the tilting plate 31, and an elastic member 42 for applying a pulling force to the base 20 and the tilting plate 31. It consists of

이격부재(41)는 원형의 고리 형상으로 형성되어 베이스부(20)와 틸팅플레이트(31)의 중심부에 배치되어 마운팅부(10)를 포함하여 틸팅플레이트(31)가 기울어질 수 있는 공간을 마련하며, 기울임시에 틸팅플레이트(31)와 접하는 부분이 곡면이므로 원활한 기울임이 가능하다.Spacer 41 is formed in a circular ring shape is disposed in the center of the base portion 20 and the tilting plate 31 to provide a space for tilting the tilting plate 31 including the mounting portion 10 And, since the part in contact with the tilting plate 31 during the tilting is a curved surface, smooth tilting is possible.

탄성부재(42)는 베이스부(20) 상면의 각각의 모서리와 틸팅플레이트(31) 하면의 각각의 모서리와 중심부 사이의 위치에 개재되어 베이스부(20)와 틸팅플레이트(31)에 서로 잡아당기는 힘을 인가함으로써 이탈을 방지하고, 틸팅부재(30)를 기울일시에 기울이는 반대방향으로 탄성력을 인가함으로써 고정하여 유동을 방지한다. The elastic member 42 is interposed at a position between each corner of the upper surface of the base portion 20 and each corner and center of the lower surface of the tilting plate 31 to pull each other on the base portion 20 and the tilting plate 31. The separation is prevented by applying a force, and the elastic member is fixed by applying an elastic force in the opposite direction of tilting the tilting member 30 to prevent the flow.

탄성부재(42)의 결합 위치는 상술한 내용에 의하여, 제한되는 것은 아니며 십자 형태로 엇갈려 반대편 모서리 사이에 개재될 수도 있으며 다양한 결합 형태로 가능하다.Coupling position of the elastic member 42 is not limited by the above, it may be interposed between the opposite corners in the cross shape and may be in various coupling forms.

회전부재(50)는 회전 수단이 마련되어 회전 가능하도록 설치되는 부재로써, 상면에 베이스부(20)의 하면이 안착되어 사파이어 잉곳의 c축 검사시에 회전하여 사파이어 잉곳을 회전시킨다.Rotating member 50 is a member provided with a rotating means to be rotatable, the lower surface of the base portion 20 is seated on the upper surface is rotated during the c-axis inspection of the sapphire ingot to rotate the sapphire ingot.

검사부(60)는 X선을 조사하는 X선 발생장치(61)와 사파이어 잉곳으로부터 들어오는 X선을 검출하는 검출장치(62)로 구성되어 X선의 회절 현상을 이용하여 사파이어 잉곳의 c축 방향을 검사하며, 본 발명에서는 일반적인 X선 발생장치와 검출장치를 사용한다.
The inspection unit 60 is composed of an X-ray generator 61 for irradiating X-rays and a detector 62 for detecting X-rays coming from the sapphire ingot to inspect the c-axis direction of the sapphire ingot using the diffraction phenomenon of the X-rays. In the present invention, a general X-ray generator and detection apparatus are used.

지금부터는 상술한 사파이어 잉곳 가공용 지그의 일실시예의 작동에 대하여 설명한다.The operation of one embodiment of the jig for sapphire ingot processing described above will now be described.

도 6은 본 발명 사파이어 잉곳 가공용 지그의 일실시예를 나타낸 정면도이다.Figure 6 is a front view showing an embodiment of the jig for sapphire ingot processing of the present invention.

도 2(a)에 도시된 바와 같이, 사파이어 잉곳의 원형에서 수평 점선을 따라 원통형상의 사파이어 잉곳을 가공한다.As shown in Fig. 2 (a), the cylindrical sapphire ingot is processed along the horizontal dotted line in the circle of the sapphire ingot.

도 6을 참조하여, 그 후에 사파이어 잉곳을 안착부재(11)에 안착시키고 고정부재(미도시)로 고정하여 움직임을 방지한다.Referring to Figure 6, after that the sapphire ingot is seated on the seating member 11 and fixed with a fixing member (not shown) to prevent movement.

검사부(60)를 작동하면 X선 발생장치(61)에서 X선을 사파이어 잉곳에 조사하고, 사파이어 잉곳로부터 방출되는 X선을 검출장치(62)가 검출하여 검사함으로써 c축의 기울어진 정도를 검사할 수 있다.When the inspection unit 60 is operated, the X-ray generator 61 irradiates X-rays to the sapphire ingot, and the detector 62 detects and inspects the X-rays emitted from the sapphire ingot to check the inclination of the c-axis. Can be.

본 실시예에서는 0°에서 한번 검사한 후에 90°만큼 회전시키고 다시 한번 검사를 실시한다.In this embodiment, the test is made once at 0 °, rotated by 90 °, and checked again.

검사된 c축의 기울어진 정도를 이용하여 사파이어 잉곳 가공용 지그를 기울여 기울어진 c축을 보정하기 위해서 먼저 마운팅부(10)의 상면을 하방으로 압박하여 c축이 기울어진 각도만큼 틸팅플레이트(31)를 기울이고 틸팅고정부재(33)의 외주면에 형성된 볼트를 조여 틸팅축(32)에 체결하여 틸팅플레이트(31) 및 마운팅부(10)를 고정할 수 있다.In order to correct the tilted c-axis by tilting the sapphire ingot machining jig using the tilted c-axis inclined, the tilting plate 31 is tilted by the angle of the c-axis tilted by pressing the upper surface of the mounting portion 10 downward. Tightening bolt 31 formed on the outer circumferential surface of the tilting fixing member 33 may be fastened to the tilting shaft 32 to fix the tilting plate 31 and the mounting part 10.

한편, 베이스부(20)와 틸팅플레이트(31) 사이에 개재된 탄성부재(42)에 의하여 기울이는 방향의 반대 방향으로 탄성력이 인가되어 마운팅부(10)을 유동을 방지한다.On the other hand, the elastic force is applied in the direction opposite to the tilting direction by the elastic member 42 interposed between the base portion 20 and the tilting plate 31 to prevent the mounting portion 10 from flowing.

한편, 기울임으로써 보정된 사파이어 잉곳의 c축을 가공하면서 발생되는 하중으로 인한 유동을 방지하기 위하여, 베이스부(20)의 하판(22)에 마련된 지지부재(23)를 상방향으로 인장하여 틸팅플레이트(31)의 하면에 접촉함으로써 사파이어 잉곳의 가공중 발생하는 하중을 지지할 수 있다. On the other hand, in order to prevent the flow due to the load generated while machining the c-axis of the sapphire ingot corrected by tilting, the support member 23 provided on the lower plate 22 of the base portion 20 is tensioned upwards and tilted plate ( By contacting the lower surface of 31), the load generated during the processing of the sapphire ingot can be supported.

상술한 방법에 의하여 기울어진 c축이 보정된 사파이어 잉곳이 안착되어 있는 사파이어 잉곳 가공용 지그를 절단 장치에 수평으로 고정하고, 기울어져 보정된 사파이어 잉곳을 수평으로 절단한다. The sapphire ingot processing jig in which the sapphire ingot corrected by the c-axis tilted by the above-described method is mounted is fixed horizontally to the cutting device, and the tilted and corrected sapphire ingot is horizontally cut.

그 후, 기울어진 틸팅고정부재(33)의 고정된 볼트를 풀어 틸팅플레이트(31)를 원래의 수평상태로 만들고, 절단된 면이 하면이 되도록 뒤집은 후 사파이어 잉곳의 상면을 수평으로 절단함으로써 보정된 c축 사파이어 잉곳을 생산할 수 있다. Thereafter, by unscrewing the fixed bolt of the tilted tilting fixing member 33 to make the tilting plate 31 in the original horizontal state, the cutting surface is inverted to the lower surface and then corrected by horizontally cutting the upper surface of the sapphire ingot. Produce c-axis sapphire ingots.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as claimed in the appended claims.

10: 마운팅부 11: 안착부재
20: 베이스부 21: 상판 22: 하판 23: 지지부재
30: 틸팅부 31: 틸팅플레이트 32: 틸팅축 33: 틸팅고정부재
40: 이격부 41: 이격부재 42: 탄성부재
50: 회전부재 60: 검사부 61: X선 발생장치 62: 검출장치10: mounting portion 11: mounting member
20: base portion 21: upper plate 22: lower plate 23: support member
30: tilting part 31: tilting plate 32: tilting shaft 33: tilting fixing member
40: spacer 41: spacer 42: elastic member
50: rotation member 60: inspection unit 61: X-ray generator 62: detection device

Claims (5)

사파이어 잉곳이 안착되는 안착부재가 마련된 마운팅부;
상기 마운팅부의 하부에 배치되어 상기 마운팅부를 지지하는 베이스부;
상기 마운팅부의 하면에 결합되고 이웃하는 두 개의 변의 측부에 관통공이 각각 형성된 틸팅플레이트, 상기 관통공에 삽입되어 상기 베이스부의 상기 관통공과 대응되는 위치에 체결되며 상기 틸팅플레이트가 기울어지도록 상기 틸팅플레이트를 상기 베이스부로부터 멀어지는 방향 또는 가까워지는 방향측으로 이동시키는 틸팅축, 상기 틸팅축의 외주면에 결합되어 상기 베이스부의 기울어진 상태가 유지되도록 상기 틸팅축을 고정하는 틸팅고정부재를 구비하는 틸팅부;
상기 베이스부와 상기 마운팅부 사이에 개재되며 단면이 원형인 고리형상으로 마련되어 기울어지는 마운팅부에 접하는 이격부재, 상기 틸팅플레이트에 상기 베이스부에 가까워지는 방향으로의 탄성력을 인가하는 탄성부재를 구비하는 이격부;를 포함하는 사파이어 잉곳 가공용 지그.A mounting part provided with a seating member on which the sapphire ingot is mounted;
A base part disposed below the mounting part to support the mounting part;
A tilting plate coupled to a lower surface of the mounting part and having a through hole formed at two adjacent sides of the mounting part, respectively, inserted into the through hole and fastened to a position corresponding to the through hole of the base part, and tilting the tilting plate such that the tilting plate is inclined; A tilting unit having a tilting shaft for moving in a direction away from or near to a base portion, and a tilting fixing member coupled to an outer circumferential surface of the tilting shaft to fix the tilting shaft to maintain an inclined state of the base portion;
A spaced member disposed between the base portion and the mounting portion, the spacer having a circular cross section and contacting the inclined mounting portion, and an elastic member configured to apply an elastic force in a direction closer to the base portion to the tilting plate. Sapphire ingot processing jig comprising a spacer; 제1항에 있어서,
상기 베이스부의 측부에는 길이방향으로 연장 가능한 지지부재가 설치되어 상기 마운팅부를 하부에서 지지하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 가공용 지그.The method of claim 1,
The side of the base portion is provided with a support member extendable in the longitudinal direction jig for sapphire ingot processing, characterized in that for supporting the mounting portion from the bottom. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 베이스부 하부와 지면 사이에 개재되어 상기 베이스부를 회전시키는 회전부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 가공용 지그.
The method according to claim 1 or 2,
Sapphire ingot processing jig characterized in that it comprises a rotating member which is interposed between the base portion lower portion and the ground to rotate the base portion.
삭제delete 삭제delete
KR1020110077593A 2011-08-04 2011-08-04 Jig for processing sapphire ingot KR101289660B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110077593A KR101289660B1 (en) 2011-08-04 2011-08-04 Jig for processing sapphire ingot

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110077593A KR101289660B1 (en) 2011-08-04 2011-08-04 Jig for processing sapphire ingot

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130015549A KR20130015549A (en) 2013-02-14
KR101289660B1 true KR101289660B1 (en) 2013-07-25

Family

ID=47895338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110077593A KR101289660B1 (en) 2011-08-04 2011-08-04 Jig for processing sapphire ingot

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101289660B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114311350B (en) * 2022-03-15 2022-06-28 天通控股股份有限公司 Head and tail cutting method for lithium tantalate crystal

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06122119A (en) * 1992-10-09 1994-05-06 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Seed rod cutting method
JPH08309737A (en) * 1995-05-17 1996-11-26 Sumitomo Electric Ind Ltd Method for working single-crystal ingot
JPH10128649A (en) * 1996-10-30 1998-05-19 Fujikoshi Mach Corp Workpiece fixing method for wire saw and fixing jig therefor
KR20100104080A (en) * 2009-03-16 2010-09-29 이익규 Moving table device for stone cutting

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06122119A (en) * 1992-10-09 1994-05-06 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Seed rod cutting method
JPH08309737A (en) * 1995-05-17 1996-11-26 Sumitomo Electric Ind Ltd Method for working single-crystal ingot
JPH10128649A (en) * 1996-10-30 1998-05-19 Fujikoshi Mach Corp Workpiece fixing method for wire saw and fixing jig therefor
KR20100104080A (en) * 2009-03-16 2010-09-29 이익규 Moving table device for stone cutting

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130015549A (en) 2013-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Powell et al. Bulk growth of large area SiC crystals
CN106553276B (en) A kind of orientation fixture of carborundum crystals inclination angle processing
KR101812736B1 (en) Group iii nitride wafers and fabrication method and testing method
EP2900851B1 (en) Method of growing group iii nitride crystals
TWI788466B (en) Forming method of SiC ingot
JP2023508691A (en) Large silicon carbide wafer
KR101289660B1 (en) Jig for processing sapphire ingot
Richter et al. Hydride vapor phase epitaxy of GaN boules using high growth rates
TWM549782U (en) Ingot slicing apparatus and adjusting device thereof
Sintonen et al. Incorporation and effects of impurities in different growth zones within basic ammonothermal GaN
JP2013258243A (en) Manufacturing method and manufacturing device of compound semiconductor substrate
KR101651879B1 (en) Apparatus for leveling a heater
JP5898555B2 (en) Group III nitride semiconductor substrate and group III nitride semiconductor substrate manufacturing method
CN110509133A (en) Sapphire Substrate cutting sheet process for regenerating
KR101595885B1 (en) Wafer Support Apparatus for Wafer Inspection Machine
WO2021002349A1 (en) Bulk gan crystal, c-plane gan wafer, and method for manufacturing bulk gan crystal
CN220409258U (en) Crystal hanging mechanism and slicing machine
Figge et al. A structural investigation of highly ordered catalyst-and mask-free GaN nanorods
JP2012028702A (en) Semiconductor crystal fixing jig
CN205452245U (en) Semiconductor film forming equipment, substrate automatic positioning clamping structure
JP6448155B2 (en) Seed selection and growth method for reduced crack III-nitride bulk crystals
Zhao et al. Strain distributions in non-polar a-plane InxGa1− xN epitaxial layers on r-plane sapphire extracted from X-Ray diffraction
EP4177382A1 (en) Silicon carbide wafer and method of manufacturing same
JP2004250248A (en) Method for manufacturing group iii-v compound semiconductor wafer
JP5922530B2 (en) Orientation flat position determination method and orientation flat position determination apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee