KR101286952B1 - 피디엠에스칩 인라인 제조장치 - Google Patents

피디엠에스칩 인라인 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101286952B1
KR101286952B1 KR1020110116027A KR20110116027A KR101286952B1 KR 101286952 B1 KR101286952 B1 KR 101286952B1 KR 1020110116027 A KR1020110116027 A KR 1020110116027A KR 20110116027 A KR20110116027 A KR 20110116027A KR 101286952 B1 KR101286952 B1 KR 101286952B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
substrate
unit
pdms
film
Prior art date
Application number
KR1020110116027A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130050784A (ko
Inventor
강정구
김정훈
강산웅
윤청효
Original Assignee
(주)에스피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)에스피에스 filed Critical (주)에스피에스
Priority to KR1020110116027A priority Critical patent/KR101286952B1/ko
Publication of KR20130050784A publication Critical patent/KR20130050784A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101286952B1 publication Critical patent/KR101286952B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B13/00—Conditioning or physical treatment of the material to be shaped
    • B29B13/08—Conditioning or physical treatment of the material to be shaped by using wave energy or particle radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B11/00—Making preforms
    • B29B11/06—Making preforms by moulding the material
    • B29B11/12—Compression moulding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D7/00—Producing flat articles, e.g. films or sheets
    • B29D7/01—Films or sheets

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

본 발명은 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 관한 것으로서, 필름 공급부와, 기판 반송부와, 제1플라즈마 발생부와, 제2플라즈마 발생부와, 압착부를 포함한다. 필름 공급부는 피디엠에스(PDMS) 필름을 공급한다. 기판 반송부는 피디엠에스 필름이 부착되는 기판을 반송한다. 제1플라즈마 발생부는 필름 공급부로부터 공급되는 피디엠에스 필름을 표면처리하는 플라즈마를 발생시킨다. 제2플라즈마 발생부는 기판 반송부에 의해 반송되는 기판을 표면처리하는 플라즈마를 발생시킨다. 압착부는 피디엠에스 필름이 진행하는 진행 방향을 따라 제1플라즈마 발생부 및 제2플라즈마 발생부의 하류에 배치되고, 플라즈마 처리된 피디엠에스 필름을 플라즈마 처리된 기판에 압착한다.

Description

피디엠에스칩 인라인 제조장치{APPARATUS FOR INLINE MANUFACTURING PDMS CHIP}
본 발명은 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대기압 플라즈마를 이용하여 피디엠에스 필름과 기판을 결합하여 피디엠에스칩을 제조하는 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 관한 것이다.
미세유체공학을 이용하여 제조한 미세유체칩(microfluidics chip)은 미세한 크기의 채널을 포함하고 있는 칩이다. 이러한 유체칩은 미세 채널을 통해 소량의 유체가 흘러가도록 하여 각종 반응과 작용이 일어나도록 함으로써, 기존의 실험실에서 여러 복잡한 과정을 거쳐야 했던 일들이 칩 상에서 이루어지도록 한다. 손톱만한 크기의 칩에서 실험실에서 할 수 있는 연구를 가능하게 만들기 때문에, 이러한 유체칩을 랩온어칩(lab-on-a-chip)이라고도 부른다.
이러한 미세유체칩을 제조하는 공정을 살펴보면, 우선 기판의 상면에 임프린팅 기술 등을 이용하여 미세 채널을 형성한 후, 커버층으로 미세 채널을 덮어 외부와의 접촉을 차단한다. 이때, 기판을 덮는 커버층을 형성하는 방법은 비균일 증착 기술(non-uniform deposition)과 커버층에 접착층을 스핀코팅(spin coating)하여 이용하는 기술 등이 있다.
그러나, 비균일 증착 기술은 미세 채널에 코팅물질을 증착시켜 커버층을 형성하므로, 미세 채널 사이즈가 줄어들 뿐만 아니라, 줄어든 미세 채널 사이즈도 불균일하여 유체 흐름에 방해가 되는 문제점이 있다. 또한, 커버층에 접착층을 스핀코팅하는 방법은 커버층의 접착층이 미세 채널에 흘러들어가 미세 채널의 일부를 막음으로써, 유체가 흐르지 못하게 되는 문제점이 있다.
최근에는 기판을 덮는 커버층으로 피디엠에스(PDMS, polydimethysiloxane) 재질의 필름을 이용하는 방법이 제안되었다. 피디엠에스 필름을 기판에 접착하기 위해서는 접착부재를 이용하는 방법, 자외선 광을 이용하는 방법, 코로나방전을 이용하는 방법 등이 있다.
그러나, 접착부재를 이용하는 방법은 접착부재로 인해 미세 채널 내의 유체 유동이 방해되는 문제점이 있고, 자외선 광을 이용하는 방법은 처리 시간이 상당이 소요되어 생산성이 저하되는 문제점이 있고, 코로나방전을 이용하는 방법은 기판 전체면에 걸쳐 균일도가 저하되고, 미세유체칩 자체가 손상될 염려가 있으며, 오존이 다량 발생하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 미세 채널이 형성된 기판과 이에 부착되는 피디엠에스 필름을 결합하는 과정에서 플라즈마를 이용하여 기판과 피디엠에스 필름을 표면처리 후 바로 접착함으로써, 별도의 접착부재를 사용하지 않아 피디엠에스칩의 제조공정을 단순화시킬 수 있고, 피디엠에스칩의 제조공정을 인라인 공정 라인으로 구현하여 피디엠에스칩의 생산성을 향상시킬 수 있는 피디엠에스칩 인라인 제조장치를 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 피디엠에스칩 인라인 제조장치는, 피디엠에스(PDMS) 필름을 공급하는 필름 공급부; 상기 피디엠에스 필름이 부착되는 기판을 반송하는 기판 반송부; 상기 필름 공급부로부터 공급되는 피디엠에스 필름을 표면처리하는 플라즈마를 발생시키는 제1플라즈마 발생부; 상기 기판 반송부에 의해 반송되는 기판을 표면처리하는 플라즈마를 발생시키는 제2플라즈마 발생부; 상기 피디엠에스 필름이 진행하는 진행 방향을 따라 상기 제1플라즈마 발생부 및 상기 제2플라즈마 발생부의 하류에 배치되고, 플라즈마 처리된 피디엠에스 필름을 플라즈마 처리된 기판에 압착하는 압착부; 및 상기 진행 방향을 따라 상기 압착부의 하류에 배치되고, 상기 기판에 압착된 피디엠에스 필름을 절단하는 절단부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
삭제
본 발명에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 제1플라즈마 발생부 및 상기 제2플라즈마 발생부는 대기압 플라즈마를 발생시킨다.
본 발명에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 기판 반송부는 수평으로 설치되어 상기 기판은 상기 압착부까지 수평으로 반송되고, 상기 필름 공급부는 상기 기판 반송부의 상측에 설치되어 상기 피디엠에스 필름은 상기 압착부까지 상기 기판 반송부에 대하여 경사지게 공급된다.
본 발명에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 압착부는, 상기 피디엠에스 필름에 압력과 열을 동시에 가하면서 플라즈마 처리된 피디엠에스 필름을 플라즈마 처리된 기판에 압착한다.
본 발명에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 피디엠에스 필름 또는 상기 기판에 조사되는 플라즈마 광을 입력받아, 파장대별로 상기 플라즈마 광의 강도를 산출하는 분광유닛;을 더 포함한다.
본 발명에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 분광유닛은, 상기 제1플라즈마 발생부와 상기 피디엠에스 필름 사이 또는 상기 제2플라즈마 발생부와 상기 기판 사이에 설치되며, 입력된 플라즈마 광을 전송하는 광파이버; 및 상기 광파이버를 통해 전송된 플라즈마 광의 강도를 산출하는 분광기;를 포함한다.
본 발명에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 제1플라즈마 발생부와 상기 제2플라즈마 발생부는 복수 개 마련되고, 복수의 제1플라즈마 발생부는 상기 피디엠에스 필름이 진행하는 방향을 따라 일렬로 배치되고, 복수의 제2플라즈마 발생부는 상기 기판이 진행하는 방향을 따라 일렬로 배치된다.
본 발명의 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 따르면, 별도의 접착부재를 사용하지 않아 피디엠에스칩의 제조공정을 단순화시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 따르면, 피디엠에스칩의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 따르면, 최적의 표면처리 효율을 구현할 수 있는 표면처리 공정 조건을 용이하게 찾아낼 수 있다.
또한, 본 발명의 피디엠에스칩 인라인 제조장치에 따르면, 복수의 제1플라즈마 발생부와 복수의 제2플라즈마 발생부를 포함함으로써, 피디엠에스칩의 생산성을 향상시키면서 동시에 피디엠에스 필름과 기판의 접착력을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치의 개략적인 구성도이고,
도 2는 도 1의 피디엠에스칩 인라인 제조장치의 분광유닛에 의해 산출된 플라즈마 광의 강도를 나타내는 그래프이고,
도 3은 도 1의 피디엠에스칩 인라인 제조장치의 변형례이고,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치의 개략적인 구성도이다.
이하, 본 발명에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1의 피디엠에스칩 인라인 제조장치의 분광유닛에 의해 산출된 플라즈마 광의 강도를 나타내는 그래프이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예의 피디엠에스칩 인라인 제조장치(100)는, 대기압 플라즈마를 이용하여 피디엠에스 필름과 기판을 결합하여 피디엠에스칩을 제조하는 것으로서, 필름 공급부(110)와, 기판 반송부(120)와, 제1플라즈마 발생부(130)와, 제2플라즈마 발생부(140)와, 압착부(150)와, 절단부(160)와, 분광유닛(170)을 포함한다.
본 발명의 피디엠에스칩은, 상면에 유체가 유동하는 미세 채널이 형성된 기판(20)과, 그 기판(20)의 상면에 부착되는 피디엠에스 재질의 필름(10)으로 구성된 미세유체칩인 경우를 예로 들어 설명한다.
상기 필름 공급부(110)는, 피디엠에스 필름(10)을 공급한다. 필름 공급부(110)는 피디엠에스 필름(10)을 연속적으로 공급하기 위하여 피디엠에스 필름(10)이 감겨 있는 권출 롤러 타입으로 마련된다.
기판(20)의 덮개층 역할을 하는 피디엠에스(PDMS, Polydimethylsiloxane) 필름(10)은 절연성과 유연성이 뛰어난 물질이고, 몰드를 통해 원하는 모양을 쉽게 제작할 수 있으며, 특히 낮은 온도에서 공정할 수 있는 장점이 있다. 피디엠에스 필름(10)은 저온 접합 MEMS 소자 패키징에 흔히 이용된다.
상기 기판 반송부(120)는, 피디엠에스 필름(10)이 부착되는 기판(20)을 반송한다. 기판 반송부(120)는 기판(20)을 수평으로 반송하기 위하여 롤러 컨베이어 타입으로 마련된다.
본 실시예의 기판(20)은 미세유체칩 등에 사용되는 유리 기판, 합성수지 기판(예를 들어, PMMA 재질, PC 재질) 등의 평판형상 부재이며, 미리 유체가 유동될 수 있는 미세 채널이 형성된 기판이어도 된다. 기판(20)의 형상은 정사각형, 직사각형 등의 대체로 사각 형상이 바람직하다.
기판 반송부(120)는 수평으로 설치되어 피디엠에스칩 인라인 제조장치(100) 내로 공급되는 기판(20)은 후술할 압착부(150)까지 수평으로 반송된다. 반면에, 필름 공급부(110)는 기판 반송부(120)의 상측에 설치되는데, 필름 공급부(110)에 감겨 있는 피디엠에스 필름(10)은 압착부(150)까지 기판 반송부(120)에 대하여 경사지게 공급된다.
상기 제1플라즈마 발생부(130)는, 필름 공급부(110)로부터 공급되는 피디엠에스 필름(10)을 표면처리하는 플라즈마(1)를 발생시킨다. 제1플라즈마 발생부(130)는 대기압 플라즈마를 발생시키는데, 내부에 아르곤 가스와 산소 가스를 주입하여 이를 이온화시켜 플라즈마(1)를 발생시킨다.
상기 제2플라즈마 발생부(140)는, 기판 반송부(120)에 의해 반송되는 기판(20)을 표면처리하는 플라즈마(1)를 발생시킨다. 제2플라즈마 발생부(140) 또한 대기압 플라즈마를 발생시키는데, 내부에 아르곤 가스와 산소 가스를 주입하여 이를 이온화시켜 플라즈마(1)를 발생시킨다.
본 발명에서 제1플라즈마 발생부(130)와 제2플라즈마 발생부(140) 내부에 주입되는 가스는 아르곤 가스와 산소 가스로 한정되지 않는다. 피디엠에스 필름(10)이 부착되는 기판(20)의 재질에 따라 아르곤 가스와 질소 가스의 조합, 아르곤 가스와 질소 가스와 산소 가스의 조합 등이 선택되어 이용될 수도 있다.
상기 압착부(150)는, 플라즈마 처리된 피디엠에스 필름(10)을 플라즈마 처리된 기판(20)에 압착하는 것으로서, 피디엠에스 필름(10)이 진행하는 진행 방향을 따라 제1플라즈마 발생부(130) 및 제2플라즈마 발생부(140)의 하류에 배치된다. 본 실시예의 압착부(150)는 피디엠에스 필름(10)을 상측으로부터 가압하는 압착롤러(151)와, 반송되어 온 기판(20)을 반송함과 동시에 압착롤러(151)로부터의 압력을 하측에서 받는 받침롤러(152)로 구성된다.
압착부(150)는 피디엠에스 필름(10)에 상측에서 기판(20)을 향해 압력을 가하면서, 피디엠에스 필름(10)과 기판(20)의 접착력을 향상시키기 위하여 열도 함께 가하는 것이 바람직하다.
상기 절단부(160)는, 기판(20)에 압착된 피디엠에스 필름(10)을 절단하는 것으로서, 피디엠에스 필름(10)의 진행 방향을 따라 압착부(150)의 하류에 배치된다.
절단부(160)는 광학 필름 등을 통상적으로 절단하는데 사용되는 작두형 커터, 다이싱형 커터 등으로서, 예를 들면, 커터 날, 커터 날을 구동하는 실린더, 커터날의 하사점 위치를 조정하는 하사점 위치 조정부재를 구비한 것을 들 수 있다. 커터날의 하사점 위치를 조정함으로써, 피디엠에스 필름(10)의 길이방향에 대하여 직교하는 방향으로 피디엠에스 필름(10)을 하프 커팅 또는 완전 커팅할 수 있다.
상기 분광유닛(170)은, 피디엠에스 필름(10) 또는 기판(20)에 조사되는 플라즈마 광을 입력받아, 파장대별로 플라즈마 광의 강도를 산출한다.
도 2를 참조하면, 특정 파장대(WL, 도 2에서는 약 777nm 정도)에서 최대 크기의 광강도 피크값(PV)이 보이고, 광강도 피크값(PV)의 크기는 피디엠에스 필름(10) 및 기판(20)의 표면처리 효율과 연결된다. 즉, 해당 파장대(WL)의 광강도 피크값(PV)이 크면 플라즈마 생성량이 충분하다는 것을 의미하므로 피디엠에스 필름(10) 및 기판(20)의 표면처리 효율이 높아지고, 해당 파장대(WL)의 광강도 피크값(PV)이 작으면 플라즈마 생성량이 충분치 않다는 것을 의미하므로 피디엠에스 필름(10) 및 기판(20)의 표면처리 효율이 낮아진다. 피디엠에스 필름(10) 및 기판(20)의 표면처리 효율이 높아진다는 것은 피디엠에스 필름(10) 및 기판(20)의 접착 효율이 높아지는 것을 의미한다.
이와 같이, 해당 파장대(WL)의 광강도 피크값(PV)의 크기는 제1플라즈마 발생부(130) 또는 제2플라즈마 발생부(140)에 주입되는 반응가스의 양, 피디엠에스 필름(10) 또는 기판(20)의 이송속도 등에 의해 좌우되는데, 분석을 해보면 광강도 피크값(PV)의 크기는 반응가스의 양 또는 이송속도 등에 정비례하지도 반비례하지도 않고 최대의 크기를 갖는 최적의 구간이 존재하게 된다.
따라서, 분광유닛(170)을 이용하여 반응가스의 양 또는 이송속도 등을 변경하면서 해당 파장대(WL)의 광강도 피크값(PV)의 크기 데이터를 확보할 수 있다. 최대 크기의 광강도 피크값(PV)을 보이는 공정 조건을 찾아내 실제 작업시 해당 공정 조건으로 작업을 수행함으로써, 표면처리 효율을 향상시킬 수 있다.
분광유닛(170)은, 제1플라즈마 발생부(130)와 피디엠에스 필름(10) 사이 또는 제2플라즈마 발생부(140)와 기판(20) 사이에 설치되며, 입력된 플라즈마 광을 전송하는 광파이버(171)와, 광파이버(171)를 통해 전송된 플라즈마 광의 강도를 산출하는 분광기(172)를 포함하여 구성된다. 광파이버(171)로 입력되는 플라즈마 광의 입력 효율을 높이기 위하여 광파이버(171) 전방에 집광렌즈(미도시)가 추가로 설치될 수도 있다.
상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치는, 미세 채널이 형성된 기판과 이에 부착되는 피디엠에스 필름을 결합하는 과정에서 플라즈마를 이용하여 기판과 피디엠에스 필름을 표면처리 후 바로 접착함으로써, 별도의 접착부재를 사용하지 않아 피디엠에스칩의 제조공정을 단순화시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치는, 피디엠에스칩의 제조공정을 인라인 공정 라인으로 구현함으로써, 피디엠에스칩의 생산성을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 미세입자 표면처리 장치는, 피디엠에스 필름 또는 기판에 조사되는 플라즈마 광을 파장대별로 분광할 수 있는 분광유닛을 구비함으로써, 최적의 표면처리 효율을 구현할 수 있는 표면처리 공정 조건을 용이하게 찾아낼 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
한편, 도 3은 도 1의 피디엠에스칩 인라인 제조장치의 변형례를 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 실시예에서는 피디엠에스칩 인라인 제조장치(100)의 필름 공급부(110)가 기판 반송부(120)의 상측에 설치되었으나, 도 3에 도시된 바와 같이, 변형례에서는 피디엠에스칩 인라인 제조장치(100')의 필름 공급부(110)가 기판 반송부(120)의 하측에 설치될 수도 있다.
피디엠에스 필름(10)이 기판(20)의 하면에 부착됨에 따라 피디엠에스 필름(10)을 절단하는 절단부(160) 또한 기판 반송부(120)의 하측에 설치되어 피디엠에스 필름(10)의 길이방향에 대하여 직교하는 방향으로 피디엠에스 필름(10)을 하프 커팅 또는 완전 커팅할 수 있다.
한편, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 피디엠에스칩 인라인 제조장치의 개략적인 구성도이다. 도 4에 있어서, 도 1 내지 도 3에 도시된 부재들과 동일한 부재번호에 의해 지칭되는 부재들은 동일한 구성 및 기능을 가지는 것으로서, 그들 각각에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 실시예의 피디엠에스칩 인라인 제조장치(200)는, 복수의 제1플라즈마 발생부와, 복수의 제2플라즈마 발생부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1플라즈마 발생부(230)와 상기 제2플라즈마 발생부(240)는 복수 개 마련되고, 복수의 제1플라즈마 발생부(230)는 피디엠에스 필름(10)이 진행하는 방향을 따라 일렬로 배치되고, 복수의 제2플라즈마 발생부(240)는 기판(20)이 진행하는 방향을 따라 일렬로 배치된다.
일반적으로 물질 간의 접합은 물질의 표면에너지와 관계가 있다. 접합된 두 물질을 분리하기 위해 필요한 일은 표면에너지와 비례하게 되는데, 즉, 물질의 표면에너지가 높으면 접착력이 증가함을 의미한다.
따라서, 피디엠에스 필름(10) 또는 기판(20)의 표면에너지를 높이기 위해서는 일정 시간 이상 동안 피디엠에스 필름(10) 또는 기판(20)에 플라즈마를 조사하여야 하는데, 인라인 공정에서는 피디엠에스 필름(10) 또는 기판(20)의 이송 속도로 인해 플라즈마를 조사하는 시간이 제한될 수밖에 없다.
본 실시예의 피디엠에스칩 인라인 제조장치(200)에서는 제1플라즈마 발생부(230)와 제2플라즈마 발생부(240)를 복수 개 마련하여 이를 일렬로 배치하고, 피디엠에스 필름(10)과 기판(20)에 연속적으로 플라즈마를 조사함으로써, 피디엠에스 필름(10)과 기판(20)의 이송 속도를 높이면서도 피디엠에스 필름(10)과 기판(20)에 플라즈마를 조사할 수 있는 충분한 시간을 확보할 수 있다. 따라서, 피디엠에스칩의 생산성을 향상시키면서 피디엠에스 필름(10)과 기판(20)의 접착력을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예 및 변형례에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
100 : 피디엠에스칩 인라인 제조장치
110 : 필름 공급부
120 : 기판 반송부
130 : 제1플라즈마 발생부
140 : 제2플라즈마 발생부
150 : 압착부
160 : 절단부
170 : 분광유닛

Claims (8)

  1. 피디엠에스(PDMS) 필름을 공급하는 필름 공급부;
    상기 피디엠에스 필름이 부착되는 기판을 반송하는 기판 반송부;
    상기 필름 공급부로부터 공급되는 피디엠에스 필름을 표면처리하는 플라즈마를 발생시키는 제1플라즈마 발생부;
    상기 기판 반송부에 의해 반송되는 기판을 표면처리하는 플라즈마를 발생시키는 제2플라즈마 발생부;
    상기 피디엠에스 필름이 진행하는 진행 방향을 따라 상기 제1플라즈마 발생부 및 상기 제2플라즈마 발생부의 하류에 배치되고, 플라즈마 처리된 피디엠에스 필름을 플라즈마 처리된 기판에 압착하는 압착부; 및
    상기 진행 방향을 따라 상기 압착부의 하류에 배치되고, 상기 기판에 압착된 피디엠에스 필름을 절단하는 절단부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 피디엠에스칩 인라인 제조장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1플라즈마 발생부 및 상기 제2플라즈마 발생부는 대기압 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 피디엠에스칩 인라인 제조장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판 반송부는 수평으로 설치되어 상기 기판은 상기 압착부까지 수평으로 반송되고,
    상기 필름 공급부는 상기 기판 반송부의 상측에 설치되어 상기 피디엠에스 필름은 상기 압착부까지 상기 기판 반송부에 대하여 경사지게 공급되는 것을 특징으로 하는 피디엠에스칩 인라인 제조장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 압착부는, 상기 피디엠에스 필름에 압력과 열을 동시에 가하면서 플라즈마 처리된 피디엠에스 필름을 플라즈마 처리된 기판에 압착하는 것을 특징으로 하는 피디엠에스칩 인라인 제조장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 피디엠에스 필름 또는 상기 기판에 조사되는 플라즈마 광을 입력받아, 파장대별로 상기 플라즈마 광의 강도를 산출하는 분광유닛;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 피디엠에스칩 인라인 제조장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 분광유닛은,
    상기 제1플라즈마 발생부와 상기 피디엠에스 필름 사이 또는 상기 제2플라즈마 발생부와 상기 기판 사이에 설치되며, 입력된 플라즈마 광을 전송하는 광파이버; 및
    상기 광파이버를 통해 전송된 플라즈마 광의 강도를 산출하는 분광기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 피디엠에스칩 인라인 제조장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1플라즈마 발생부와 상기 제2플라즈마 발생부는 복수 개 마련되고,
    복수의 제1플라즈마 발생부는 상기 피디엠에스 필름이 진행하는 방향을 따라 일렬로 배치되고, 복수의 제2플라즈마 발생부는 상기 기판이 진행하는 방향을 따라 일렬로 배치되는 것을 특징으로 하는 피디엠에스칩 인라인 제조장치.
KR1020110116027A 2011-11-08 2011-11-08 피디엠에스칩 인라인 제조장치 KR101286952B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110116027A KR101286952B1 (ko) 2011-11-08 2011-11-08 피디엠에스칩 인라인 제조장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110116027A KR101286952B1 (ko) 2011-11-08 2011-11-08 피디엠에스칩 인라인 제조장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130050784A KR20130050784A (ko) 2013-05-16
KR101286952B1 true KR101286952B1 (ko) 2013-07-23

Family

ID=48661055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110116027A KR101286952B1 (ko) 2011-11-08 2011-11-08 피디엠에스칩 인라인 제조장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101286952B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115709582B (zh) * 2022-11-16 2024-05-28 中南大学 一种微流控芯片的卷对卷一体化高效集成制造系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260297A (ja) * 1993-03-03 1994-09-16 Shibaura Eng Works Co Ltd プラズマモニター装置及びプラズマ処理装置
KR20090093429A (ko) * 2008-02-29 2009-09-02 이화여자대학교 산학협력단 박막 ｐｄｍｓ층을 포함하는 ｎｏａ채널로 이루어진마이크로 또는 나노 유체칩 및 그의 제조방법
KR20100013448A (ko) * 2008-07-31 2010-02-10 주식회사 도일인텍 플라즈마 표면개질처리를 이용한 내외장재 표면 장식방법
JP2011083906A (ja) * 2009-10-13 2011-04-28 Fujimori Kogyo Co Ltd 積層体の製造方法及び積層体、それを用いた包装容器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260297A (ja) * 1993-03-03 1994-09-16 Shibaura Eng Works Co Ltd プラズマモニター装置及びプラズマ処理装置
KR20090093429A (ko) * 2008-02-29 2009-09-02 이화여자대학교 산학협력단 박막 ｐｄｍｓ층을 포함하는 ｎｏａ채널로 이루어진마이크로 또는 나노 유체칩 및 그의 제조방법
KR20100013448A (ko) * 2008-07-31 2010-02-10 주식회사 도일인텍 플라즈마 표면개질처리를 이용한 내외장재 표면 장식방법
JP2011083906A (ja) * 2009-10-13 2011-04-28 Fujimori Kogyo Co Ltd 積層体の製造方法及び積層体、それを用いた包装容器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130050784A (ko) 2013-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8795817B2 (en) Phosphor film, method of manufacturing the same, coating method of phosphor layer, method of manufacturing LED package, and LED package manufactured thereby
JP4687747B2 (ja) 接合方法
WO2008085474A3 (en) Delivery device for thin film deposition
WO2008027158A3 (en) Source material collection unit for a laser produced plasma euv light source
TW200730330A (en) Extrusion/dispensing systems and methods
JP2010541241A5 (ko)
DE60043602D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Verbundglasscheiben
US20170212371A1 (en) Device and Method for Stripping Flexible Substrate
TW201129518A (en) Method for manufacturing a display device
JP2018523923A (ja) 放射線硬化のための紫外線照射アッセンブリ
KR101286952B1 (ko) 피디엠에스칩 인라인 제조장치
BRPI0516066A (pt) dispositivo e método para embalar em forma de bloco um produto adesivo termoplástico revestido
CN101533786A (zh) 半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法
CN107921700B (zh) 层叠薄膜的制造方法及层叠薄膜的制造装置
GB0803027D0 (en) Bonding apparatus
CN102470337B (zh) 能量供给装置及能量供给方法
US20130248102A1 (en) Method of manufacturing microchip
KR20170071539A (ko) 워크의 붙임 방법
WO2009034132A3 (en) Method and apparatus for making food chips
WO2011064670A4 (en) Nip roller with an energy source
WO2008114363A1 (ja) 半導体装置の製造装置、および半導体装置の製造方法
CN103547905B (zh) 基板片的制造方法
EP3747654B1 (en) Light-irradiating device and printing device
WO2016147828A1 (ja) ワークの貼り合わせ方法
KR102144137B1 (ko) 판형물의 접착 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee