KR101284555B1

KR101284555B1 - 서셉터 양극산화처리 전해조

Info

Publication number: KR101284555B1
Application number: KR1020110069197A
Authority: KR
Inventors: 강성훈; 김영옥
Original assignee: 와이엠씨 주식회사
Priority date: 2011-07-13
Filing date: 2011-07-13
Publication date: 2013-07-11
Also published as: KR20130008695A

Abstract

본 발명은 대면적의 플레이트(2)와 그 배면 중앙에 배치되는 중공축(3)으로 구성되는 서셉터(1)의 표면을 양극산화처리하기 위한 전해조(10)에 관한 것이다. 본 발명의 전해조(10)는 수직의 전면벽(12), 상기 전면벽(12)에 대응하는 수직의 배면벽(14), 상기 전면벽(12)과 상기 배면벽(14)의 측부를 연결하는 측벽(16)(18), 하측의 저면벽(20), 상기 측벽(16)(18)의 상부에 배치되어 상기 서셉터(1)가 현가될 수 있도록 하는 행거(26)와, 상기 서셉터(1)의 상기 중공축(3)이 배치될 수 있도록 상기 배면벽(14)의 중앙에 돌출 연장되어 내부 연통된 포켓 챔버(22)를 포함한다.

Description

서셉터 양극산화처리 전해조 {ANODIZING BATH OF SUSCETPTOR}

본 발명은 서셉터(susceptor) 양극산화처리 전해조에 관한 것으로, 특히 대면적의 알루미늄 플레이트와 이러한 플레이트의 일측면 중앙에 배치되는 중공축으로 구성되는 서셉터의 표면을 양극산화처리하기 위한 전해조에 관한 것이다.

일반적으로 전처리나 본처리 또는 후처리를 포함하는 양극산화처리를 위한 전해조는 이러한 전해조에 의하여 처리되는 피처리제품의 형상에 상관없이 일률적으로 육면체의 형상을 갖는다.

예를 들어, 이러한 육면체 형상의 양극산화처리 전해조(anodizing bath)는 공개특허공보 제10-2003-0038971호(2003. 5. 17 공개)에 개시되어 있다. 그러나, 이와 같이 일률적인 육면체 형상의 양극산화처리 전해조를 이용하는 경우 피처리제품의 형상에 따라서는 전해조에 사용되는 전해액의 사용량이 불필요하게 증가하거나 그 폐수비용이 증가함에 따라서 제품의 생산경제력을 높이는데 저해요인으로 작용한다.

특히, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, TFT-LCD(Thin film transistor-liquid crystal display) 제조를 위한 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 등의 증착장비에 사용되는 부품인 서셉터(susceptor: 1)는 일반적으로 대면적의 알루미늄 플레이트(2)와, 이러한 플레이트(2)의 배면 중앙에 배치되는 중공축(3)으로 구성되며, 이러한 서셉터(1)의 TFT-LCD용 글래스가 장착되는 표면은 양극산화처리(anodizing) 된다.

서셉터(1)의 양극산화처리는 일반적으로 도 3에서 보인 바와 같은 통상적인 육면체 형상의 전해조(4) 내에서 행해진다. 이와 같은 전해조(4)에서 처리될 경우, 피처리제품인 서셉터(1)는 전해조(4)의 상부에 배치된 행거에 현가되어 전해액 내에 잠기고 양극(판)에 연결되며, 서셉터(1)의 플레이트(2)의 전면 및 배면에 대향된 전해조(4)의 내벽면측에는 음극판(5)이 배치된다.

그러나, 이와 같이 대면적 플레이트(2)와 그 배면의 중앙에 배치되는 중공축(3)을 갖는 피처리제품인 서셉터(1)를 양극산화처리하는 전해조(4)의 경우에는 플레이트(2)의 전면과 배면이 각각의 음극판(5)으로부터의 거리가 달라 플레이트(2)의 전면과 배면에 형성되는 양극산화막의 두께에 차이가 발생한다. 또한, 도 1~2와 같이 특수한 형상의 서셉터(1)를 처리하는 전해조(4)에 사용되는 전해액은 당연히 그 사용량이 크게 증가할 수밖에 없으며 또한 그 폐기비용도 증가한다.

이러한 문제를 개선하기 위한 방안으로서, 서셉터(1)의 중공축(3) 일부를 절단하여 서셉터(1)의 플레이트(2)를 양극산화처리한 후, 상기 절단된 중공축(3) 일부를 다시 용접하여 사용하는 기술이 제안되었다. 이에 따라, 도 4에 보인 바와 같이 보다 용량이 적은 전해조(4')를 사용할 수 있고, 이러한 전해조(4')는 도 3에서 보인 전해조(4)에 비하여 그 폭이 감소되고 플레이트(2)의 전면과 배면이 각각 전해조(4')의 대응하는 내측면에 배치된 음극판(5)과의 거리가 동일하게 되므로, 플레이트(2)의 전면과 배면에 형성되는 양극산화막의 두께가 대략 동일해지면서도 전해액의 사용을 줄일 수 있는 이점이 있다. 그러나, 이러한 기술은 서셉터의 양극산화처리를 위하여 중공축을 절단하였다가 다시 용접하여 연결하는 작업을 수행하여야 하므로 제조공정이 복잡해지고 제조경비가 상승한다.

본 발명에 있어서는 종래의 이와 같은 점을 감안하여 창안한 것으로, TFT-LCD 제조를 위한 LPCVD 등의 증착장비에 사용되는 부품으로서 대면적의 플레이트와 그 배면의 중앙에 배치되는 중공축으로 구성되는 서셉터의 플레이트 표면을 균일하게 양극산화처리할 수 있으면서도 전해액 사용량을 획기적으로 절감하는 서셉터 양극산화처리 전해조를 제공한다.

이를 위하여, 본 발명에 의한 서셉터 양극산화처리 전해조는 플레이트 및 그 배면에 수직 연결되어 소정 길이로 연장된 중공축을 포함하는 서셉터의 표면을 양극산화처리하기 위한 전해조로서, 수직의 전면벽과, 이 전면벽에 대향하는 수직의 배면벽과, 상기 전면벽 및 배면벽의 측부를 각각 연결하는 측벽과, 하측의 저면벽과, 상기 측벽의 상부에 배치되어 상기 서셉터를 현가하도록 된 행거와, 상기 서셉터의 중공축을 수납하도록 상기 배면벽에 돌출 연장되어 내부 연통된 포켓 챔버와, 상기 서셉터가 전기적 연결되는 양극과, 상기의 전면벽의 내측면과, 상기 배면벽에서 상기 포켓 챔버의 부분을 제외한 영역의 내측면에 각각 배치된 복수의 음극판을 포함할 수 있다.

이때, 상기의 전면벽의 내측면에 배치된 음극판과 상기 배면벽의 내측면에 배치된 상기 음극판 간의 거리는 상기의 전면벽의 내측면에 배치된 음극판과 상기 포켓 챔버의 상기 음극판에 대향하는 내면 간의 거리보다 더 짧을 수 있다.

또한, 상기의 전면벽의 내측면에 배치된 음극판과 상기 전해조 내에 배치되는 상기 서셉터의 플레이트의 전면 간의 거리와, 상기 배면벽의 내측면에 배치된 상기 음극판과 상기 전해조 내에 배치되는 상기 서셉터의 플레이트의 배면 사이의 거리가 동일할 수 있다.

또한, 상기 포켓 챔버는 그 저면이 상기 배면벽의 중앙 높이에 위치하도록 배치되거나, 그 저면이 상기 저면벽에 이르도록 배치될 수도 있다.

또한, 상기 전해조는 직육면체의 형상으로 될 수 있다.

본 발명에 의하면, 전해조에서 전면벽의 내측면에 배치된 음극판과 이에 대응하는 서셉터 플레이트의 전면 사이의 거리와 배면벽의 내측면에 배치된 음극판과 이에 대응하는 서셉터 플레이트의 배면 사이의 거리가 동일하므로, 본 발명의 전해조에서 양극산화처리되는 서셉터 플레이트의 전면 및 배면에 형성되는 양극산화막의 두께가 동일하게 된다. 또한, 본 발명의 이러한 전해조는 전면벽과 배면벽 간의 폭을 좁히고 배면벽에 서셉터의 플레이트로부터 연장된 중공축을 위한 소규모 용량의 포켓 챔버만을 형성하는 간단한 구조로서, 서셉터 플레이트의 전면 및 배면의 양극산화처리가 균일하게 이루어지고 사용되는 전해액의 사용량이 크게 절감되어 제조비용 및 폐수처리비용을 크게 절감된다.

도 1은 TFT-LCD 제조를 위한 증착장비에 사용되는 일반적인 서셉터의 사시도.
도 2는 도 1에서 보인 서셉터의 측면도.
도 3 및 도 4는 도 1~2의 서셉터에 대한 일반적인 서셉터 양극산화처리 전해조의 평면도.
도 5는 도 1~2의 서셉터에 대한 본 발명에 의한 서셉터 양극산화처리 전해조의 사시도.
도 6은 동 평면도.
도 7은 도 6의 A-A 선 단면도.

본 발명은 TFT-LCD 제조를 위한 LPCVD 등의 증착장비에 사용되는 부품인 서셉터(susceptor: 1)를 양극산화처리하기 위한 전해조(10)를 제공하며, 이러한 서셉터(1)는 도 1 및 도 2에 보인 바와 같이 대면적의 알루미늄 플레이트(2)와 이러한 플레이트(2)의 배면 중앙에 수직연결되어 소정 길이로 연장된 중공축(3)으로 구성된다.

이와 같은 특수형상의 피처리제품인 서셉터(1)는 종래기술의 설명에서 언급된 바와 같이 대면적의 플레이트(2)의 배면의 중앙에 배치되는 중공축(3) 때문에 단순히 육면체 형상의 전해조를 사용하여 처리하기에는 불리한 구조를 갖는다.

본 발명에 따른 전해조(10)는 이러한 중공축(3)의 구조를 감안하여 서셉터(1)가 전해조(10) 내에서 플레이트(2)가 수직으로 배치되고 중공축(3)은 전해조(10) 내에서 수평으로 배치되도록 하면서, 플레이트(2)의 전면 및 배면에 형성되는 양극산화막의 두께가 동일해지고 사용되는 전해액의 사용량을 절감하도록 형성된다.

이를 위하여, 본 발명의 전해조(10)는 상부개방형의 직육면체 형상인 수직의 전면벽(12)과 배면벽(14), 양 측벽(16)(18) 및 저면벽(20)을 포함하여 구성된다.

또한, 상기 전면벽(12) 및 배면벽(14) 간의 거리는 축소되고, 서셉터(1)의 중공축(3)이 배치될 수 있도록 배면벽(14)의 중앙상부에는 전해조(10)의 내부에 연통하는 포켓 챔버(22)가 형성된다. 이러한 포켓 챔버(22)는 그 저면(24)이 배면벽(14)의 중앙상부에 배치된다. 그러나, 일 변형예로서 상기 저면(24)은 전해조(10)의 저면벽(20)의 위치에 놓일 수도 있다.

전해조(10)의 상부에는 측벽(16)(18)의 상부에 행거(26)가 배치되어 이를 통해 서셉터(1)가 현가되어 전해조(10)의 전해액(28) 내에 잠기고 이에 양극(판)이 전기적 연결되며, 이로써 서셉터 플레이트(2)는 그 전면과 배면이 각각 전면벽(12)과 배면벽(14)에 대하여 동일한 거리에 놓이게 된다.

한편, 상기 전면벽(12)의 내측면과, 포켓 챔버(22)의 부분을 제외한 배면벽(14)의 내측면에는 각각 복수의 음극판(30)(32)이 배치된다.

이러한 본 발명의 전해조(10)에 의하면, 전면벽(12)의 내측면에 배치된 음극판(30)과 이에 대응하는 서셉터 플레이트(2)의 전면 간의 거리와, 배면벽(14)의 내측면에 배치된 음극판(32)과 이에 대응하는 서셉터 플레이트(2)의 배면 간의 거리는 동일하므로, 이로써 본 발명의 전해조(10)에서 양극산화처리되는 서셉터 플레이트(2)의 전면 및 배면에 형성되는 양극산화막의 두께는 동일해진다.

아울러, 이러한 전해조(10)의 전면벽(12)과 배면벽(14) 사이의 폭을 좁히고 배면벽(14)에 서셉터 플레이트(2)로부터 연장된 중공축(3)을 위한 소규모 용량의 포켓 챔버(22)만을 형성하는 간단한 구조로서, 서셉터 플레이트(2)의 전면과 배면의 양극산화처리가 균일하게 되고, 또한 사용되는 전해액의 사용량이 크게 절감되어 전해액 비용과 폐수처리비용이 크게 절감된다.

전술한 본 발명의 예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이고, 이러한 수정, 변경, 부가 등은 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.

1: 서셉터, 2: 플레이트, 3: 중공축, 10: 전해조, 12: 전면벽, 14: 배면벽, 16, 18: 측벽, 20: 저면벽, 22: 포켓 챔버, 24: 저면, 26: 행거, 28: 전해액, 30, 32; 음극판.

Claims

플레이트(2) 및 그 배면에 수직 연결되고 하방 연장된 중공축(3)을 포함하는 서셉터(1)의 표면을 양극산화처리하기 위한 전해조(10)에 있어서,
수직의 전면벽(12)과, 이 전면벽(12)에 대향하는 수직의 배면벽(14)과;
상기 전면벽(12) 및 배면벽(14)의 측부를 각각 연결하는 측벽(16)(18)과;
하측의 저면벽(20)과;
상기 측벽(16)(18)의 상부에 배치되어 상기 서셉터(1)를 현가하도록 된 행거(26)와;
상기 서셉터(1)의 중공축(3)을 수납하도록 상기 배면벽(14)에 돌출 연장되어 내부 연통된 포켓 챔버(22)와;
상기 서셉터(1)가 전기적 연결되는 양극과;
상기의 전면벽(12)의 내측면과, 상기 배면벽(14)에서 상기 포켓 챔버(22)의 부분을 제외한 영역의 내측면에 각각 배치된 복수의 음극판(30)(32)을 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터 양극산화처리 전해조.
제1항에 있어서,
상기의 전면벽(12)의 내측면에 배치된 음극판(30)과 상기 배면벽(14)의 내측면에 배치된 상기 음극판(32) 간의 거리는 상기의 전면벽(12)의 내측면에 배치된 음극판(30)과 상기 포켓 챔버(22)의 상기 음극판(30)에 대향하는 내면 간의 거리보다 더 짧은 것을 특징으로 하는 서셉터 양극산화처리 전해조.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기의 전면벽(12)의 내측면에 배치된 음극판(30)과 상기 전해조(10) 내에 배치되는 상기 서셉터(1)의 플레이트(2)의 전면 간의 거리와, 상기 배면벽(14)의 내측면에 배치된 상기 음극판(32)과 상기 전해조(10) 내에 배치되는 상기 서셉터(1)의 플레이트(2)의 배면 사이의 거리가 동일한 것을 특징으로 하는 서셉터 양극산화처리 전해조.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 포켓 챔버(22)는 그 저면이 상기 배면벽(14)의 중앙 높이에 위치하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 서셉터 양극산화처리 전해조.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 포켓 챔버(22)는 그 저면이 상기 저면벽(20)에 이르도록 배치되는 것을 특징으로 하는 서셉터 양극산화처리 전해조.
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