KR101283174B1 - Solar cell apparatus and method of fabricating the same - Google Patents
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Abstract
발명의 실시예에 따른 태양전지는 지지기판; 상기 지지기판 상에 형성된 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 형성된 전도성 박막층; 및, 상기 전도성 박막층 상에 형성된 광 흡수층;을 포함하고, 상기 이면전극층은 불소를 포함한다.Solar cell according to an embodiment of the present invention; A back electrode layer formed on the support substrate; A conductive thin film layer formed on the back electrode layer; And a light absorbing layer formed on the conductive thin film layer, wherein the back electrode layer includes fluorine.
Description
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.An embodiment relates to a solar cell and a manufacturing method thereof.
태양전지(Solar Cell 또는 Photovoltaic Cell)는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광발전의 핵심소자이다.Solar cells (Solar Cells or Photovoltaic Cells) are the key elements of photovoltaic power generation that convert sunlight directly into electricity.
예로서 반도체의 pn접합으로 만든 태양전지에 반도체의 금지대폭(Eg : Band-gap Energy)보다 큰 에너지를 가진 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되는데, 이들 전자-정공이 pn 접합부에 형성된 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 모이게 됨에 따라 pn간에 기전력(광기전력 : Photovoltage)이 발생하게 된다. 이때 양단의 전극에 부하를 연결하면 전류가 흐르게 되는 것이 동작원리이다.For example, when solar light having energy greater than the band-gap energy (Eg) is incident on a solar cell made of a pn junction of a semiconductor, electron-hole pairs are generated, and these electron-holes form an electric field formed at a pn junction. As a result, electrons are gathered into the n-layer and holes are gathered into the p-layer, whereby electromotive force (photovoltage) is generated between pn. At this time, when the load is connected to the electrodes at both ends, current flows.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.Recently, as the demand for energy increases, development of solar cells for converting solar energy into electrical energy is in progress.
특히, 유리기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고 저항 버퍼층, n형 윈도우층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.Particularly, a CIGS-based solar cell which is a pn heterojunction device of a substrate structure including a glass substrate, a metal back electrode layer, a p-type CIGS light absorbing layer, a high resistance buffer layer, an n-type window layer and the like is widely used.
이와 같은 태양전지의 투과율 및 반사율에 따라 태양전지 모듈의 발전 효율에 영향을 미친다. 예를 들어, 각 층의 조성비를 통하여 광 흡수층의 내부 흡수율을 최대화하고자 하는 노력이 계속되고 있으며, 이를 위해 광흡수층 하면의 후면전극층의 반사율을 향상시키기 위해 패터닝하는 방법이 사용되고 있다.The transmittance and reflectance of the solar cell affect the power generation efficiency of the solar cell module. For example, efforts have been made to maximize the internal absorption rate of the light absorption layer through the composition ratio of each layer. For this purpose, a method of patterning to improve the reflectance of the rear electrode layer under the light absorption layer is used.
발명의 실시예에 따른 태양전지는 SnO2:F(Fluorine doped Tin Oxide)를 이용하여 이면전극층을 형성함으로써 생산성을 향상시키고, 이면전극층의 표면에 형성된 러프니스(Roughness)로 인해 이면전극층의 반사율을 감소시킬 수 있다.The solar cell according to the embodiment of the present invention improves productivity by forming a back electrode layer using SnO 2 : F (Fluorine doped Tin Oxide) and improves the reflectance of the back electrode layer due to roughness formed on the surface of the back electrode layer. Can be reduced.
발명의 실시예에 따른 태양전지는 지지기판; 상기 지지기판 상에 형성된 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 형성된 전도성 박막층; 및, 상기 전도성 박막층 상에 형성된 광 흡수층;을 포함하고, 상기 이면전극층은 불소를 포함한다.Solar cell according to an embodiment of the present invention; A back electrode layer formed on the support substrate; A conductive thin film layer formed on the back electrode layer; And a light absorbing layer formed on the conductive thin film layer, wherein the back electrode layer includes fluorine.
발명의 실시예에 따른 태양전지는 종래 고가의 몰리브덴으로 형성된 이면전극층을 대체함으로써 비용을 절감하여 생산성을 향상시킬 수 있다.The solar cell according to the embodiment of the present invention can improve productivity by reducing costs by replacing the back electrode layer formed of conventionally expensive molybdenum.
또한 이면전극층의 표면에 형성된 러프니스를 통해 반사율을 감소시킬 수 있다. 이에 따라 광-전 변환효율이 향상될 수 있다.In addition, the reflectance may be reduced through the roughness formed on the surface of the back electrode layer. Accordingly, the photoelectric conversion efficiency can be improved.
도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 5는 실시예에 따른 태양전지 패널을 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.1 is a cross-sectional view showing a solar cell according to an embodiment.
2 to 5 are views illustrating a process of manufacturing the solar cell panel according to the embodiment.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, where each substrate, layer, film, or electrode is described as being formed "on" or "under" of each substrate, layer, film, or electrode, etc. , “On” and “under” include both “directly” or “indirectly” other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.
도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하면, 태양전지 패널은 지지기판(100), 이면전극층(200), 전도성 박막층(250), 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 윈도우층(500)을 포함한다.1 is a cross-sectional view showing a solar cell according to an embodiment. Referring to FIG. 1, the solar cell panel includes a
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 이면전극층(200), 전도성 박막층(250), 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 윈도우층(500)을 지지한다.The
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 폴리머와 같은 플라스틱기판, 또는 금속기판일 수 있다. 이외에, 지지기판(100)의 재질로 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자 등이 사용될 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있고 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.The
상기 지지기판(100)으로 소다 라임 글래스가 사용되는 경우, 소다 라임 글래스에 함유된 나트륨(Na)이 태양전지의 제조공정 중에 CIGS로 형성된 광 흡수층(300)으로 확산될 수 있는데, 이에 의해 광 흡수층(300)의 전하 농도가 증가하게 될 수 있다. 이는 태양전지의 광전 변환 효율을 증가시킬 수 있는 요인이 될 수 있다.When soda lime glass is used as the
상기 지지기판(100) 상에는 이면전극층(200)이 배치된다. 상기 이면전극층(200)은 도전층이다. 상기 이면전극층(200)은 태양전지 중 상기 광 흡수층(300)에서 생성된 전하가 이동하도록 하여 태양전지의 외부로 전류를 흐르게 할 수 있다. 상기 이면전극층(200)은 이러한 기능을 수행하기 위하여 전기 전도도가 높고 비저항이 작아야 한다.The
또한, 상기 이면전극층(200)은 CIGS 화합물 형성시 수반되는 황(S) 또는 셀레늄(Se) 분위기 하에서의 열처리 시 고온 안정성이 유지되어야 한다. 또한, 상기 이면전극층(200)은 열팽창 계수의 차이로 인하여 상기 지지기판(100)과 박리현상이 발생되지 않도록 상기 지지기판(100)과 접착성이 우수하여야 한다.In addition, the
이러한 이면전극층(200)을 형성하는 물질로는 상기 지지기판(100)과 열팽창 계수의 차이가 적기 때문에 접착성이 우수하여 박리현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 물질이 고려되어야 한다. 이러한 물질로는 몰리브덴(Mo)이 사용될 수 있으나, 몰리브덴을 이용한 이면전극층(200)은 생산비용이 고가이고, 광 흡수층(300)의 두께가 태양전지 모듈의 소형화를 위해 감소되는 경우, 상기 광 흡수층(300)을 통과하는 빛이 이면전극층(200)에서 반사하여 광-전 변환 효율이 감소할 수 있는데 이를 방지하기 위해 몰리브덴으로 형성된 이면전극층에 별도의 표면 에칭 공정을 추가하여야 하므로 공정이 증가하고, 이에 따라 생산성이 감소할 수 있다.As the material for forming the
본 발명의 실시예에서는 상기의 문제점을 고려하여 불소 함유 산화주석(FTO)을 포함하는 이면전극층을 형성한다. 상기 FTO는 예를 들어, SnO2:F(Fluorine doped Tin Oxide)를 포함하여 형성될 수 있고, 이는 몰리브덴에 비해 비용이 저렴하여 생산성이 향상될 수 있다. In the embodiment of the present invention, in consideration of the above problems, a back electrode layer including fluorine-containing tin oxide (FTO) is formed. The FTO may be formed, for example, by including SnO 2 : F (Fluorine doped Tin Oxide), which may be less expensive than molybdenum and may improve productivity.
상기 이면전극층(200) 상에는 전도성 박막층(250)이 형성될 수 있다. 상기 전도성 박막층(250)은 몰리브덴을 포함하여 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 이면전극층(200)의 표면에 몰리브덴을 10~30nm의 두께로 증착한 후, 산소(O2)와 반응시키면 산화몰리브덴(MoO2)이 형성될 수 있다. 상기 산화몰리브덴(MoO2)은 10~50nm의 두께로 형성될 수 있다.The conductive
상기 산화몰리브덴은 전도성이 우수하고 하면에 형성된 이면전극층(200)이 상기 광 흡수층(300)에 포함되는 Se과 반응하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 태양전지의 신뢰성이 향상될 수 있다.The molybdenum oxide has excellent conductivity and may prevent the
상기 이면전극층(200) 및 전도성 박막층(250)의 상면과 측면에 요철이 형성될 수 있고, 이에 의해 반사율이 감소한다. 즉, 상기 광 흡수층(300)을 통과하여 상기 이면전극층(200)으로 입사한 빛이 상기 요철에 의해 반사되어 상기 광 흡수층(300)에서 흡수되는 빛의 양이 증가할 수 있다. 이에 따라 태양전지의 광-전 변환효율이 증가한다. Unevenness may be formed on the top and side surfaces of the
즉, 상기 SnO2:F 자체의 러프니스 값이 몰리브덴을 이용하여 형성된 이면전극층에 비해 뛰어나므로 이면전극층의 반사율을 감소시키기 위한 별도의 에칭공정이 필요없다는 장점이 있다.That is, since the roughness value of SnO 2 : F itself is superior to that of the back electrode layer formed using molybdenum, there is an advantage that a separate etching process for reducing the reflectance of the back electrode layer is unnecessary.
상기 전도성 박막층(250) 상에는 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다. 상기 광 흡수층(300)은 p형 반도체 화합물을 포함한다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다. 상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1.1eV 내지 1.2eV일 수 있다.The light absorbing
상기 광 흡수층(300)이 CIGS인 경우, 격자상수는 약 0.575nm의 값을 가질 수 있다.When the
상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400)이 배치된다. CIGS 화합물을 광 흡수층(300)으로 갖는 태양전지는 p형 반도체인 CIGS 화합물 박막과 n형 반도체인 윈도우층(500) 간에 pn 접합을 형성한다. 하지만 두 물질은 격자상수와 밴드갭 에너지의 차이가 크기 때문에 양호한 접합을 형성하기 위해서는 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 버퍼층이 필요하다.The
상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 2.2eV 내지 2.5eV일 수 있다. 상기 버퍼층(400)을 형성하는 물질로는 CdS, ZnS등이 있고 태양전지의 발전 효율 측면에서 CdS가 상대적으로 우수하다.The energy bandgap of the
상기 버퍼층(400)은 10nm 내지 100nm의 두께로, 바람직하게는 50nm 내지 80nm의 두께로 형성될 수 있다. The
상기 버퍼층(400) 상에 고저항 버퍼층(미도시)이 배치될 수 있다. 상기 고저항 버퍼층은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV이다.A high resistance buffer layer (not shown) may be disposed on the
상기 버퍼층(400) 상에 윈도우층(500)이 배치된다. 상기 윈도우층(500)은 투명하며, 도전층이다. 또한, 상기 윈도우층(500)의 저항은 상기 이면전극층(200)의 저항보다 높다.The
상기 윈도우층(500)은 산화물을 포함한다. 예를 들어, 상기 윈도우층(500)은 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(induim tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(induim zinc oxide;IZO) 등을 포함할 수 있다.The
또한, 상기 윈도우층(500)은 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide;AZO) 또는 갈륨 도핑된 징크 옥사이드(Ga doped zinc oxide;GZO) 등을 포함할 수 있다.In addition, the
본 발명의 실시예에 따른 태양전지에 따르면, 종래 고가의 몰리브덴으로 형성된 이면전극층을 대체함으로써 비용을 절감하여 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the solar cell according to the embodiment of the present invention, it is possible to improve productivity by reducing costs by replacing the back electrode layer formed of conventionally expensive molybdenum.
또한 이면전극층의 표면에 형성된 러프니스를 통해 반사율을 감소시킬 수 있다. 이에 따라 광-전 변환효율이 향상될 수 있다.
In addition, the reflectance may be reduced through the roughness formed on the surface of the back electrode layer. Accordingly, the photoelectric conversion efficiency can be improved.
도 2 내지 도 5는 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 본 제조방법에 관한 설명은 앞서 설명한 태양전지에 대한 설명을 참고한다. 앞서 설명한 태양전지에 대한 설명은 본 제조방법에 관한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.2 to 5 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment. For a description of the present manufacturing method, refer to the description of the solar cell described above. The description of the solar cell described above may be essentially combined with the description of the present manufacturing method.
도 2를 참조하면, 지지기판(100) 상에 이면전극층(200)이 형성된다. 상기 이면전극층(200)은 몰리브덴을 사용하여 증착될 수 있다. 상기 이면전극층(200)은 SnO2:F를 포함하여 형성될 수 있다. 구체적으로 상기 지지기판(100)의 상면에 SnO2를 증착하고, 상기 SnO2의 표면에 F를 도핑하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, the
상기 이면전극층(200)에 포함되는 Sno2:F는 표면의 거칠기 값이 몰리브덴을 이용하여 형성된 이면전극층에 비해 크기 때문에 표면에 요철이 형성될 수 있다. Sno2: F included in the
다음으로 상기 이면전극층(200) 상에 전도성 박막층(250)이 형성될 수 있다. 상기 전도성 박막층(250)은 산화 몰리브덴(MoO2)을 증착하여 형성될 수 있다. 구체적으로 상기 이면전극층(200) 상에 몰리브덴을 10~30nm의 두께로 증착하여 산소와 반응시키면 산화 몰리브덴이 형성된다. 상기 이면전극층(200)의 표면에 형성된 요철의 형상에 대응하도록, 상기 전도성 박막층(250)도 요철이 형성될 수 있다. 상기 요철은 상기 이면전극층(200) 및 전도성 박막층(250)의 상면과 측면에 형성될 수 있다.Next, a conductive
도 3을 참조하면, 상기 전도성 박막층(250) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다. 상기 광 흡수층(300)은 예를 들어, 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.Referring to FIG. 3, the
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.After the metal precursor film is formed and then subjected to selenization, a metal precursor film is formed on the
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.Thereafter, the metal precursor film is formed of a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) light absorbing
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.Alternatively, the copper target, the indium target, the sputtering process using the gallium target, and the selenization process may be performed simultaneously.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.Alternatively, the CIS-based or CIG-based
상기 광 흡수층(300)은 1.5μm 내지 2.5μm의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light
도 4를 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400)이 형성된다. 상기 버퍼층(400)은 CdS를 포함하여 형성될 수 있으며, PVD 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, a
도 5를 참조하면, 상기 버퍼층(400) 상에 윈도우층(500)이 형성된다. 상기 윈도우층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 투명한 도전물질이 증착되어 형성된다.Referring to FIG. 5, a
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
Claims (9)
상기 지지기판 상에 형성되고, 표면에 요철이 형성되며, SnO2:F를 포함하는 이면전극층;
상기 이면전극층 상에 형성되며, 산화몰리브덴(MoO2)을 포함하는 전도성 박막층; 및
상기 전도성 박막층 상에 형성된 광 흡수층;을 포함하는 태양전지.Support substrate;
A back electrode layer formed on the support substrate and having irregularities formed on a surface thereof and including SnO 2 : F;
A conductive thin film layer formed on the back electrode layer and including molybdenum oxide (MoO 2 ); And
And a light absorbing layer formed on the conductive thin film layer.
상기 이면전극층에 형성된 요철에 대응하도록 상기 전도성 박막층의 표면에 요철이 형성되는 태양전지.The method of claim 1,
The solar cell is formed with irregularities on the surface of the conductive thin film layer to correspond to the irregularities formed on the back electrode layer.
상기 산화 몰리브덴은 10~50nm의 두께로 형성되는 태양전지.The method of claim 1,
The molybdenum oxide is a solar cell formed to a thickness of 10 ~ 50nm.
상기 이면전극층 상에 산화몰리브덴(MoO2)을 포함하는 전도성 박막층을 형성하는 단계;
상기 전도성 박막층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법.Forming unevenness on the surface of the support substrate and forming a back electrode layer including SnO 2 : F;
Forming a conductive thin film layer including molybdenum oxide (MoO 2 ) on the back electrode layer;
Forming a light absorbing layer on the conductive thin film layer solar cell manufacturing method.
상기 이면전극층은 상기 지지기판의 상면에 SnO2를 증착하고, 상기 SnO2의 표면에 F를 도핑하여 형성되는 태양전지 제조방법.The method of claim 7, wherein
The back electrode layer is a solar cell manufacturing method is formed by depositing SnO 2 on the upper surface of the support substrate, doping the surface of the SnO 2 F.
상기 전도성 박막층은, 상기 이면전극층의 표면에 Mo을 10nm 내지 30nm의 두께로 증착한 후, 산소를 주입하여 형성되는 태양전지 제조방법.The method of claim 7, wherein
The conductive thin film layer is formed by depositing Mo on the surface of the back electrode layer to a thickness of 10nm to 30nm, injecting oxygen.
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