KR101278972B1 - Capacitively Coupled Plasma Generation Apparatus and Substrate Processing Apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 발생 장치 및 기판 처리 장치를 제공한다. 이 플라즈마 발생 장치는 일면의 중심에 제1 주파수의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극, 일면의 복수의 위치에서 제2 주파수의 제2 RF 전력을 공급받고 제1 전극의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서, 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전원, 제2 전극에 전력을 공급하는 제2 RF 전원, 및 제1 RF 전원의 전력 및 제2 RF 전원의 전력을 조절하는 제어부를 포함한다.The present invention provides a plasma generating apparatus and a substrate processing apparatus. The plasma generating apparatus is provided with a disk-shaped first electrode supplied with a first RF power of a first frequency at a center of one surface thereof, and receiving a second RF power of a second frequency at a plurality of positions on one surface thereof, around the first electrode. A disposed washer-shaped second electrode, a washer-shaped insulating spacer disposed between the first electrode and the second electrode, a first RF power supply for supplying power to the first electrode, and a second RF for supplying power to the second electrode A power supply, and a control unit for adjusting the power of the first RF power and the power of the second RF power.

Description

축전 결합 플라즈마 발생 장치 및 기판 처리 장치{Capacitively Coupled Plasma Generation Apparatus and Substrate Processing Apparatus}Capacitively Coupled Plasma Generation Apparatus and Substrate Processing Apparatus

본 발명은 축전 결합 플라즈마 발생 장치에 관한 것으로, 더 구체적으로 두 개의 전극을 가지고, 각 전극은 서로 다른 주파수로 구동되는 축전 결합 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a capacitively coupled plasma generating apparatus, and more particularly, to a capacitively coupled plasma generating apparatus having two electrodes, each electrode being driven at a different frequency.

반도체용 대면적 플라즈마를 형성하기 위하여, 상부 전극과 하부 전극이 서로 이격되어 배치된다. 하부 전극 상에는 기판이 배치된다. 상부 전극에 인가되는 RF 전력은 주로 높은 플라즈마 밀도를 형성하고, 하부 전극에 인가되는 RF 전력은 이온의 에너지 분포를 조절한다. 기판의 크기가 증가함에 따라 정상파 효과 등에 의하여 통상 요구되는 5 퍼센트의 플라즈마 균일도 달성이 어렵다.In order to form a large-area plasma for a semiconductor, the upper electrode and the lower electrode are disposed apart from each other. A substrate is disposed on the lower electrode. The RF power applied to the upper electrode mainly forms a high plasma density, and the RF power applied to the lower electrode controls the energy distribution of the ions. As the size of the substrate increases, it is difficult to achieve a plasma uniformity of 5%, which is usually required by the standing wave effect and the like.

본 발명의 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 서로 분리된 두 개의 원형 전극에 각각 RF 전원을 연결하여, 균일한 반도체 기판 처리용 플라즈마 발생 장치를 제공하는 것이다.One technical problem to be solved of the present invention is to provide a plasma generating apparatus for treating a semiconductor substrate uniformly by connecting the RF power to each of the two circular electrodes separated from each other.

봅 발명의 일 실시예에 따른 축전 결합 플라즈마 발생 장치는 일면의 중심에 제1 주파수의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극; 일면의 복수의 위치에서 제2 주파수의 제2 RF 전력을 공급받고 상기 제1 전극의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서; 상기 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전원; 상기 제2 전극에 전력을 공급하는 제2 RF 전원; 및 상기 제1 RF 전원의 전력 및 상기 제2 RF 전원의 전력을 조절하는 제어부를 포함한다.Bob A capacitively coupled plasma generating device according to an embodiment of the present invention includes a disk-shaped first electrode supplied with a first RF power of a first frequency in the center of one surface; A washer-shaped second electrode supplied with second RF power at a second frequency at a plurality of positions on one surface and disposed around the first electrode; A washer-shaped insulating spacer disposed between the first electrode and the second electrode; A first RF power supply for supplying power to the first electrode; A second RF power supply for supplying power to the second electrode; And a controller configured to adjust power of the first RF power and power of the second RF power.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전력 공급부; 및 상기 제2 전극의 복수의 위치에 상기 제2 RF 전력을 분배하는 제2 RF 전력 분배부를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 RF 전력 분배부는 상기 제1 RF 전력 공급부를 감싸는 전력 입력부; 상기 전력 입력부에서 대칭성을 가지고 방사형으로 분기하는 제2 전력 분배 라인; 및 상기 전력 분배 라인을 감싸는 접지 부재를 포함할 수 있다. 상기 전력 분배 라인의 일단은 상기 전력 입력부에 대칭적으로 연결되고, 상기 전력 분배 라인의 타단은 상기 제2 전극에 대칭적으로 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, a first RF power supply unit supplies power to the first electrode; And a second RF power distribution unit configured to distribute the second RF power to a plurality of positions of the second electrode. The second RF power distribution unit includes a power input unit surrounding the first RF power supply unit; A second power distribution line branching radially with symmetry in the power input; And a ground member surrounding the power distribution line. One end of the power distribution line may be symmetrically connected to the power input unit, and the other end of the power distribution line may be symmetrically connected to the second electrode.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 RF 전력 공급부는 상기 제1 전극에 접촉하는 제1 RF 전력 공급 라인; 상기 제1 전력 공급라인 감싸는 제1 RF 전력 내부 절연 자켓; 상기 제1 RF 전력 절연 자켓을 감싸는 제1 RF 접지 외피; 및 상기 제1 RF 접지 외피를 감싸는 제1 RF전력 외부 절연 자켓 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first RF power supply includes a first RF power supply line contacting the first electrode; A first RF power internal insulation jacket surrounding the first power supply line; A first RF ground enclosure surrounding the first RF power insulation jacket; And a first RF power outer insulation jacket surrounding the first RF ground jacket.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극의 면적과 상기 제2 전극의 면적은 동일할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the area of the first electrode and the area of the second electrode may be the same.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 주파수는 제1 주파수와 다를 수 있다.In one embodiment of the present invention, the second frequency may be different from the first frequency.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 전극의 두께는 상기 제2 전극의 두께보다 작고, 상기 절연 스페이서는 외곽으로 갈수록 두께가 증가하고, 상기 제1 전극의 일면, 상기 제2 전극의 일면, 및 상기 절연 스페이서의 일면은 동일한 평면일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the thickness of the first electrode is smaller than the thickness of the second electrode, the insulating spacer increases in thickness toward the outside, one surface of the first electrode, one surface of the second electrode, And one surface of the insulating spacer may be the same plane.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 전극의 두께는 상기 절연 스페이서의 두께와 동일하고, 상기 제2 전극의 두께는 외곽으로 갈수록 두께가 증가하고, 상기 제1 전극의 일면, 상기 제2 전극의 일면, 및 상기 절연 스페이서의 일면은 동일한 평면일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the thickness of the first electrode is the same as the thickness of the insulating spacer, the thickness of the second electrode increases in thickness toward the outside, one surface of the first electrode, the second electrode One surface of and one surface of the insulating spacer may be the same plane.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 제3 주파수를 가지고 상기 제1 전극에 전력을 공급하는 제3 RF 전원;및 제4 주파수를 가지고 상기 제2 전극에 전력을 공급하는 제4 RF 전원 중에서 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 상기 제3 RF 전원의 전력은 상기 제1 RF 전력 공급부를 통하여 상기 제1 전극에 공급되고, 상기 제4 RF 전원의 전력은 상기 제2 RF 전력 분배부를 통하여 상기 제2 전극에 공급될 수 ㅇl있다. 상기 제어부는 상기 제1 및 제3 RF 전원의 전력 및 상기 제2 및 제4 RF 전원의 전력을 조절하여 플라즈마 균일도를 제어할 수 있다.In one embodiment of the present invention, at least one of a third RF power source supplying a power to the first electrode with a third frequency and a fourth RF power source supplying a power to the second electrode with a fourth frequency, As shown in FIG. Power of the third RF power may be supplied to the first electrode through the first RF power supply, and power of the fourth RF power may be supplied to the second electrode through the second RF power distribution. have. The controller may control the plasma uniformity by adjusting the power of the first and third RF power and the power of the second and fourth RF power.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 진공 용기의 내부에 축전 결합 플라즈마를 형성하는 플라즈마 발생부; 및 상기 플라즈마 발생부에 대향하여 배치되고 기판을 장착하는 기판 홀더를 포함한다. 상기 플라즈마 발생부는 일면의 중심에 제1 주파수의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극; 일면의 복수의 위치에서 제2 주파수의 제2 RF 전력을 공급받고 상기 제1 전극의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서; 상기 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전원; 상기 제2 전극에 전력을 공급하는 제2 RF 전원; 및 상기 제1 RF 전원의 전력 및 상기 제2 RF 전원의 전력을 조절하는 제어부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a plasma generator configured to generate a capacitive coupling plasma in a vacuum container; And a substrate holder disposed opposite to the plasma generating portion and mounting the substrate. The plasma generating unit has a disk-shaped first electrode supplied with a first RF power of a first frequency in the center of one surface; A washer-shaped second electrode supplied with second RF power at a second frequency at a plurality of positions on one surface and disposed around the first electrode; A washer-shaped insulating spacer disposed between the first electrode and the second electrode; A first RF power supply for supplying power to the first electrode; A second RF power supply for supplying power to the second electrode; And a controller configured to adjust power of the first RF power and power of the second RF power.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전력 공급부; 및 상기 제2 전극의 복수의 위치에 상기 제2 RF 전력을 분배하는 제2 RF 전력 분배부를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 RF 전력 분배부는 상기 제1 RF 전력 공급부를 감싸는 원통 형상의 전력 입력부; 상기 전력 입력부에서 대칭성을 가지고 방사형으로 분기하는 제2 전력 분배 라인; 및 상기 전력 분배 라인을 감싸는 접지 부재를 포함할 수 있다. 상기 전력 분배 라인의 일단은 상기 전력 입력부에 대칭적으로 연결되고, 상기 전력 분배 라인의 타단은 상기 제2 전극에 대칭적으로 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, a first RF power supply unit supplies power to the first electrode; And a second RF power distribution unit configured to distribute the second RF power to a plurality of positions of the second electrode. The second RF power distribution unit may include a cylindrical power input unit surrounding the first RF power supply unit; A second power distribution line branching radially with symmetry in the power input; And a ground member surrounding the power distribution line. One end of the power distribution line may be symmetrically connected to the power input unit, and the other end of the power distribution line may be symmetrically connected to the second electrode.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 발생부는 상기 진공 용기의 내부 또는 외부에 장착될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the plasma generating unit may be mounted inside or outside the vacuum vessel.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 플라즈마를 이용하여 대면적 반도체 기판을 균일하게 처리할 수 있다.The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention can uniformly process a large-area semiconductor substrate by using plasma.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면들이다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하는 부분 사시도이다.
도 4b는 도 4a의 I-I' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 밀도 분포를 나타내는 도면들이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 설명하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하는 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하는 서로 다른 방향에서의 단면도들이다.1 to 3 are diagrams illustrating a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
4A is a partial perspective view illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
4B is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 4A.
5A to 5C are diagrams illustrating a plasma density distribution according to an embodiment of the present invention.
6 is a diagram illustrating a substrate processing according to another embodiment of the present invention.
7 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
8A and 8B are cross-sectional views in different directions illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

반도체 기판의 지름은 300 mm이고, 조만간 반도체 기판의 지름은 450 mm로 증가할 예정이다. 현재, 300 mm 기판용 축전 결합 플라즈마 장치는 개발되어 있다. 종래의 300 mm 기판용 축전 결합 플라즈마 발생 장치의 기본적인 특성을 유지하면서, 450 mm 기판용 축전 결합 플라즈마 발생 장치의 개발이 요구된다.The diameter of the semiconductor substrate is 300 mm, and the diameter of the semiconductor substrate is expected to increase to 450 mm in the near future. Currently, capacitively coupled plasma devices for 300 mm substrates have been developed. It is required to develop a capacitively coupled plasma generator for a 450 mm substrate while maintaining the basic characteristics of a conventional 300 MHz substrate capacitive coupling plasma generating apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 대면적 플라즈마의 균일성 확보를 위하여 서로 절연된 내측 전극 및 외측 전극을 사용한다. 두 전극의 넓이가 실질적으로 동일하게 설정된다. 따라서, 내측 전극과 외측 전극은 실질적으로 동일한 임피던스를 가질 수 있다. 내측 전극에는 저주파의 RF 전력이 인가되고, 외측 전극에는 고주파의 RF 전력이 인가될 수 있다. 고주파의 RF 전력은 플라즈마 발생 효율이 높다. 따라서, 외측 전극에 형성된 플라즈마는 확산에 의한 손실됨에도 불구하고, 내측 전극 및 외측 전극에서 소모되는 전력 수준은 거의 동일할 수 있다.The plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention uses an inner electrode and an outer electrode insulated from each other to ensure uniformity of a large-area plasma. The widths of the two electrodes are set substantially the same. Thus, the inner electrode and the outer electrode can have substantially the same impedance. Low frequency RF power may be applied to the inner electrode, and high frequency RF power may be applied to the outer electrode. RF power of high frequency has high plasma generation efficiency. Thus, although the plasma formed on the outer electrode is lost by diffusion, the power level consumed at the inner electrode and the outer electrode may be about the same.

외측 전극은 복수의 지점에서 RF 전력을 공급받을 수 있다. 이를 위하여, 외측 전극용 RF 전력 분배부는 한점으로 전력을 입력받아 복수의 지점으로 출력할 수 있다. 상기 RF 전력 분배부는 각 지점에서 동일한 임피던스를 제공하기 위하여 동일한 전력선 길이를 가질 수 있다. 또한, RF 전력 분배부는 외부의 영향을 차단하기 위하여 동축 케이블 구조를 가질 수 있다.The outer electrode can be supplied with RF power at a plurality of points. To this end, the RF power distribution unit for the outer electrode may receive power at one point and output it to a plurality of points. The RF power distributor may have the same power line length to provide the same impedance at each point. In addition, the RF power distribution section may have a coaxial cable structure to block external influences.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 구성요소는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are being provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the components have been exaggerated for clarity. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면들이다.1 to 3 are diagrams illustrating a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 축전 결합 플라즈마 발생 장치(100)는 일면의 중심에 제1 주파수(f1)의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극(112), 일면의 복수의 위치에서 상기 제1 주파수(f1)와 다른 제2 주파수(f2)의 제2 RF 전력을 공급받고 상기 제1 전극(112)의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극(114), 및 상기 제1 전극(112)과 상기 제2 전극(114) 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서(116), 상기 제1 전극(112)에 전력을 공급하는 제1 RF 전원(122), 상기 제2 전극(114)에 전력을 공급하는 제2 RF 전원(132), 및 상기 제1 RF 전원(122)의 전력 및 상기 제2 RF 전원(132)의 전력을 조절하는 제어부(142)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the capacitively coupled plasma generating apparatus 100 includes a disk-shaped first electrode 112 that receives a first RF power of a first frequency f1 at a center of one surface thereof, and at a plurality of positions on one surface thereof. A second washer-shaped second electrode 114 which is supplied with second RF power at a second frequency f2 different from the first frequency f1 and is disposed around the first electrode 112, and the first electrode ( A washer-shaped insulating spacer 116 disposed between the second electrode 114 and the second electrode 114, a first RF power source 122 that supplies power to the first electrode 112, and the second electrode 114. And a control unit 142 for adjusting the power of the second RF power source 132 and the power of the first RF power source 122 and the power of the second RF power source 132.

상기 제1 전극(112)의 일면, 상기 제2 전극(114)의 일면, 및 상기 절연 스페이서(116)의 일면은 동일한 평면일 수 있다. 상기 제2 전극(112)의 타면, 상기 제2 전극의 타면(114), 및 상기 절연 스페이서(116)의 타면은 동일한 평면일 수 있다. 제1 전극의 두께(t1)는 상기 제2 전극의 두께()와 같을 수 있다.One surface of the first electrode 112, one surface of the second electrode 114, and one surface of the insulating spacer 116 may be coplanar. The other surface of the second electrode 112, the other surface 114 of the second electrode, and the other surface of the insulating spacer 116 may be coplanar. The thickness t1 of the first electrode may be equal to the thickness t of the second electrode.

상기 제1 전극의 지름(d1)은 160 mm 일 수 있다. 상기 절연 스페이서의 폭(g)는 수 mm 내지 수십 mm일 수 있다. 상기 제2 전극의 폭(d2)은 65 mm 일 수 있다. 상기 제2 전극의 외경(d)는 450 mm 일 수 있다.The diameter d1 of the first electrode may be 160 mm. The width g of the insulating spacer may be several mm to several tens of mm. The width d2 of the second electrode may be 65 mm. The outer diameter d of the second electrode may be 450 mm.

상기 제1 전극(112)과 상기 제2 전극(114)은 서로 전기적으로 분리된다. 이에 따라, 제1 전극(112)과 제2 RF 전극(114)의 상호 간섭은 최소화될 수 있다. 상기 제1 전극(112)의 면적과 상기 제2 전극(114)의 면적은 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 제2 주파수(f2)는 상기 제1 주파수(f1)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 주파수(f1)는 13.56 Mhz이고, 상기 제2 주파수(f2)는 60 Mhz일 수 있다.The first electrode 112 and the second electrode 114 are electrically separated from each other. Accordingly, mutual interference between the first electrode 112 and the second RF electrode 114 may be minimized. An area of the first electrode 112 and an area of the second electrode 114 may be substantially the same. The second frequency f2 may be greater than the first frequency f1. For example, the first frequency f1 may be 13.56 Mhz, and the second frequency f2 may be 60 Mhz.

상기 제1 전극(112) 및 상기 제2 전극(114)은 표면이 절연체로 코팅된 알루미늄 같은 도전성 물질로 형성될 수 있다. 상기 절연 스페이서(116)는 유전체로 형성될 수 있다. 상기 절연 스페이서(116)는 알루미나, 세라믹, 또는 사파이어일 수 있다. The first electrode 112 and the second electrode 114 may be formed of a conductive material such as aluminum whose surface is coated with an insulator. The insulating spacer 116 may be formed of a dielectric. The insulating spacers 116 may be alumina, ceramic, or sapphire.

상기 제1 RF 전원(122)의 전력은 제1 임피던스 매칭 네트워크(124)를 통하여 상기 제1 전극(112)에 공급될 수 있다. 상기 제1 임피던스 매칭 네트워크(124)의 출력은 동축 케이블 형상의 제1 RF 전력 공급부(미도시)를 통하여 상기 제1 전극(112)에 전력을 공급할 수 있다.The power of the first RF power source 122 may be supplied to the first electrode 112 through the first impedance matching network 124. The output of the first impedance matching network 124 may supply power to the first electrode 112 through a coaxial cable-shaped first RF power supply (not shown).

상기 제2 RF 전원(132)의 전력은 제2 임피던스 매칭 네트워크(134)를 통하여 상기 제2 전극(114)의 복수의 위치에 공급될 수 있다. 상기 제2 임피던스 매칭 네트워크(134)의 출력은 제2 RF 전력을 분배하는 제2 RF 전력 분배부(미도시)를 통하여 상기 제2 전극(114)의 복수의 위치에 제공될 수 있다. The power of the second RF power source 132 may be supplied to a plurality of locations of the second electrode 114 through the second impedance matching network 134. The output of the second impedance matching network 134 may be provided at a plurality of locations of the second electrode 114 through a second RF power distribution unit (not shown) that distributes second RF power.

상기 제어부(142)는 상기 제1 RF 전원(122)의 전력과 상기 제2 RF 전원(132)의 전력의 비를 제어한다. 이에 따라, 상기 플라즈마의 균일도가 제어된다.The controller 142 controls the ratio of the power of the first RF power source 122 and the power of the second RF power source 132. Thus, the uniformity of the plasma is controlled.

도 2를 참조하면, 제1 전극(112)의 두께(t1)는 제2 전극(114)의 두께(t2)보다 작고, 상기 절연 스페이서(116)는 외곽으로 갈수록 두께가 증가할 수 있다. 상기 제1 전극(112)의 일면, 상기 제2 전극(114)의 일면, 및 상기 절연 스페이서(116)의 일면은 동일한 평면일 수 있다.Referring to FIG. 2, the thickness t1 of the first electrode 112 may be smaller than the thickness t2 of the second electrode 114, and the insulating spacer 116 may increase in thickness toward the outside. One surface of the first electrode 112, one surface of the second electrode 114, and one surface of the insulating spacer 116 may be coplanar.

도 3을 참조하면, 제1 전극(112)의 두께(t1)는 상기 절연 스페이서(116)의 두께와 동일할 수 있다. 제2 전극(114)의 두께(t2)는 외곽으로 갈수록 두께가 증가할 수 있다. 상기 제1 전극(112)의 일면, 상기 제2 전극(114)의 일면, 및 상기 절연 스페이서(116)의 일면은 동일한 평면일 수 있다.Referring to FIG. 3, the thickness t1 of the first electrode 112 may be the same as the thickness of the insulating spacer 116. The thickness t2 of the second electrode 114 may increase in thickness toward the outer periphery. One surface of the first electrode 112, one surface of the second electrode 114, and one surface of the insulating spacer 116 may be coplanar.

도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하는 부분 사시도이다.4A is a partial perspective view illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 4b는 도 4a의 I-I' 선을 따라 자른 단면도이다.4B is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 4A.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 진공 용기(182)의 내부에 삽입되어 축전 결합 플라즈마를 형성하는 플라즈마 발생부(100), 및 상기 플라즈마 발생부(100)에 대향하여 배치되고 기판(184)을 장착하는 기판 홀더(186)를 포함한다. 상기 기판 처리 장치(10)는 식각 또는 증착 장치일 수 있다.4A and 4B, the substrate processing apparatus 10 is inserted into the vacuum container 182 to face the plasma generator 100, which forms a capacitively coupled plasma, and the plasma generator 100. And a substrate holder 186 that is disposed and mounts the substrate 184. The substrate processing apparatus 10 may be an etching or deposition apparatus.

상기 플라즈마 발생부(100)는 일면의 중심에 제1 주파수(f1)의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극(112), 일면의 복수의 위치에서 상기 제1 주파수(f1)와 다른 제2 주파수(f2)의 제2 RF 전력을 공급받고 상기 제1 전극(112)의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극(114), 상기 제1 전극(112)과 상기 제2 전극(114) 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서(116), 상기 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전원(122), 상기 제2 전극(114)에 전력을 공급하는 제2 RF 전원(132), 및 상기 제1 RF 전원(122)의 전력 및 상기 제2 RF 전원(132)의 전력을 조절하는 제어부(142)를 포함한다.The plasma generator 100 is a disk-shaped first electrode 112 that receives the first RF power of the first frequency f1 at the center of one surface, and the first frequency f1 at a plurality of positions on one surface. A second washer-shaped washer-shaped second electrode 114, the first electrode 112 and the second electrode, which are supplied with second RF power at a second second frequency f2 and are disposed around the first electrode 112. A washer-shaped insulating spacer 116 disposed between the 114, a first RF power source 122 that supplies power to the first electrode, and a second RF power source 132 that supplies power to the second electrode 114. And a controller 142 for adjusting the power of the first RF power source 122 and the power of the second RF power source 132.

상기 진공 용기(182)는 가스 공급부(미도시) 및 배기부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 진공 용기(182)는 원통 형상일 수 있다. 상기 진공 용기(182)는 원통 형상의 몸체부와 상기 몸체부의 개방된 상부를 덮고 있는 상판(182a)을 포함할 수 있다. The vacuum container 182 may include a gas supply unit (not shown) and an exhaust unit (not shown). The vacuum container 182 may have a cylindrical shape. The vacuum container 182 may include a cylindrical body portion and an upper plate 182a covering the opened upper portion of the body portion.

상기 기판 홀더(186)는 원판형일 수 있다. 상기 기판 홀더(186)는 기판을 장착할 수 있도록 정전척(electrostatic chuck) 또는 기계척(mechanical chuck)을 포함할 수 있다. 상기 기판은 450 mm 반도체 기판일 수 있다. 상기 기판 홀더(186)는 상기 진공 용기(182)의 내부에 상기 플라즈마 발생부(100)의 상기 제1 전극(112) 및 상기 제2 전극(114)을 바라보도록 배치될 수 있다.The substrate holder 186 may have a disc shape. The substrate holder 186 may include an electrostatic chuck or a mechanical chuck to mount the substrate. The substrate may be a 450 mm semiconductor substrate. The substrate holder 186 may be disposed inside the vacuum chamber 182 so as to face the first electrode 112 and the second electrode 114 of the plasma generating unit 100.

상기 기판 홀더(186)에는 저주파 RF 전원(192)과 고주파 RF 전원(194)이 연결될 수 있다. 상기 저주파 RF 전원(192)의 전력은 저주파 임피던스 매칭 네트워크(193)를 통하여 상기 기판 홀더(186)에 제공될 수 있다. 상기 고주파 RF 전원(194)의 전력은 고주파 임피던스 매칭 네트워크(195)를 통하여 상기 기판 홀더(186)에 제공될 수 있다. 상기 저주파 임피던스 매칭 네트워크(193)의 출력 및 상기 고주파 임피던스 매칭 네트워크의 출력(195)은 결합되어 상기 기판 홀더(186)의 한 지점 또는 복수의 지점에 제공될 수 있다.A low frequency RF power source 192 and a high frequency RF power source 194 may be connected to the substrate holder 186. The power of the low frequency RF power supply 192 may be provided to the substrate holder 186 through a low frequency impedance matching network 193. The power of the high frequency RF power supply 194 may be provided to the substrate holder 186 via a high frequency impedance matching network 195. The output of the low frequency impedance matching network 193 and the output 195 of the high frequency impedance matching network may be combined and provided at one or more points in the substrate holder 186.

상기 플라즈마 발생부(100)는 상기 제1 전극(112), 상기 제2 전극(114), 및 상기 절연 스페이서(116)를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극, 제2 전극, 및 절연 스페이서는 도 1 내지 도 3에서 설명한 것과 같이 변형될 수 있다.The plasma generator 100 may include the first electrode 112, the second electrode 114, and the insulating spacer 116. The first electrode, the second electrode, and the insulating spacer may be modified as described with reference to FIGS. 1 to 3.

상기 제1 전극(112)의 일면, 상기 제2 전극(114)의 일면, 및 상기 절연 스페이서(116)의 일면은 동일한 평면일 수 있다. 상기 제2 전극(112)의 타면, 상기 제2 전극(114)의 타면, 및 상기 절연 스페이서(116)의 타면은 동일한 평면일 수 있다.One surface of the first electrode 112, one surface of the second electrode 114, and one surface of the insulating spacer 116 may be coplanar. The other surface of the second electrode 112, the other surface of the second electrode 114, and the other surface of the insulating spacer 116 may be coplanar.

상기 제1 전극(112)의 지름(d1)은 160 mm 정도일 수 있다. 상기 절연 스페이서(116)의 폭(g)는 수 mm 내지 수십 mm일 수 있다. 상기 제2 전극(114)의 폭(d2)은 65 mm 정도일 수 있다. 상기 제2 전극(114)의 외경(d)는 450 mm 정도일 수 있다.The diameter d1 of the first electrode 112 may be about 160 mm. The width g of the insulating spacer 116 may be from several millimeters to several tens of millimeters. The width d2 of the second electrode 114 may be about 65 mm. The outer diameter d of the second electrode 114 may be about 450 mm.

상기 제1 전극(112)과 상기 제2 전극(114)은 서로 전기적으로 분리된다. 이에 따라, 상기 제1 전극(112)과 상기 제2 RF 전극(114)의 상호 간섭은 최소화될 수 있다. 상기 제1 전극(112)의 면적과 상기 제2 전극(114)의 면적은 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 제2 주파수(f2)는 제1 주파수(f1)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 주파수(f1)는 13.56 Mhz이고, 상기 제2 주파수(f2)는 60 Mhz일 수 있다.The first electrode 112 and the second electrode 114 are electrically separated from each other. Accordingly, mutual interference between the first electrode 112 and the second RF electrode 114 can be minimized. An area of the first electrode 112 and an area of the second electrode 114 may be substantially the same. The second frequency f2 may be greater than the first frequency f1. For example, the first frequency f1 may be 13.56 Mhz, and the second frequency f2 may be 60 Mhz.

상기 제1 전극(112) 및 상기 제2 전극(114)은 표면이 절연체로 코팅된 알루미늄 같은 도전성 물질로 형성될 수 있다. 상기 절연 스페이서(116)는 유전체로 형성될 수 있다. 상기 절연 스페이서(116)는 알루미나, 세라믹, 또는 사파이어일 수 있다.The first electrode 112 and the second electrode 114 may be formed of a conductive material such as aluminum whose surface is coated with an insulator. The insulating spacer 116 may be formed of a dielectric. The insulating spacers 116 may be alumina, ceramic, or sapphire.

외측 절연부(118)는 상기 제2 전극(114)의 외측 주위에 상기 제1 전극(112)과 동일한 평면에 배치될 수 있다. 상기 외측 절연부(118)는 와셔 형상으로 유전체로 형성될 수 있다. The outer insulating portion 118 may be disposed on the same plane as the first electrode 112 around the outer periphery of the second electrode 114. The outer insulating portion 118 may be formed in a washer-like dielectric.

상기 외측 절연부(118), 상기 제2 전극(114), 상기 절연 스페이서(116), 및 상기 제1 전극(112) 상에 절연 지지부(151)가 배치될 수 있다. 상기 절연 지지부(151)는 고정 수단(119)을 통하여 상기 외측 절연부(118)와 결합할 수 있다. 상기 절연 지지부(151)는 유전체일 수 있다. An insulating support 151 may be disposed on the outer insulating part 118, the second electrode 114, the insulating spacer 116, and the first electrode 112. The insulator 151 may be coupled to the outer insulator 118 via the securing means 119. The insulator 151 may be a dielectric.

상기 절연 지지부(151)의 일면은 상기 제1 전극(112)의 일면과 접촉할 수 있다. 상기 절연 지지부(151)의 타면에는 함몰부(154)가 형성될 수 있다. 상기 함몰부(154)의 직경은 상기 제1 전극(112)의 지름보다 클 수 있다. 제2 RF 전력 분배부(160)는 상기 함몰부(154)에 삽입될 수 있다.One surface of the insulating support 151 may contact one surface of the first electrode 112. A depression 154 may be formed on the other surface of the insulating support 151. The diameter of the depression 154 may be greater than the diameter of the first electrode 112. And the second RF power distributor 160 may be inserted into the depression 154.

덮개부(152)는 상기 절연 지지부(151)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 상기 덮개부(152)는 상기 절연 지지부(151)의 타면과 접촉하고 상기 절연 지지부(151)와 결합 수단(156)에 의하여 결합할 수 있다. 상기 덮개부(152)는 원판 형상으로 도전성 물질로 형성될 수 있다. 상기 덮개부(152)는 원통 형상의 연장부(153)에 연결될 수 있다. 상기 연장부(153)는 상기 덮개부(152)의 중심에 배치될 수 있다. 상기 연장부(153)는 상기 진공 용기(182)의 상판(182a)에 형성된 관통홀을 통하여 외부로 도출될 수 있다. 상기 연장부(153)의 내부는 대기압일 수 있다.The lid portion 152 may have the same diameter as the insulative support portion 151. The cover 152 may be in contact with the other surface of the insulating support 151 and may be coupled to the insulation support 151 by the coupling means 156. The cover 152 may be formed of a conductive material in a disc shape. The lid 152 may be connected to a cylindrical extension 153. The extension portion 153 may be disposed at the center of the cover portion 152. The extension part 153 may be led to the outside through a through hole formed in the upper plate 182a of the vacuum container 182. The interior of the extension 153 may be atmospheric pressure.

상기 제1 RF 전원(122)의 전력은 제1 임피던스 매칭 네트워크(124)를 통하여 상기 제1 전극(112)에 공급될 수 있다. 상기 제1 임피던스 매칭 네트워크(124)의 출력은 동축 케이블 형상의 제1 RF 전력 공급부(170)를 통하여 상기 제1 전극(112)에 전력을 공급할 수 있다.The power of the first RF power source 122 may be supplied to the first electrode 112 through the first impedance matching network 124. The output of the first impedance matching network 124 may supply power to the first electrode 112 through the first RF power supply unit 170 having a coaxial cable shape.

상기 제2 RF 전원(132)의 전력은 제2 임피던스 매칭 네트워크(134)를 통하여 상기 제2 전극(114)의 복수의 위치에 공급될 수 있다. 상기 제2 임피던스 매칭 네트워크(134)의 출력은 제2 RF 전력을 분배하는 제2 RF 전력 분배부(160)를 통하여 상기 제2 전극(114)의 복수의 위치에 제공될 수 있다.The power of the second RF power source 132 may be supplied to a plurality of locations of the second electrode 114 through the second impedance matching network 134. The output of the second impedance matching network 134 may be provided at a plurality of locations of the second electrode 114 via a second RF power distribution unit 160 that distributes a second RF power.

상기 제어부(142)는 상기 제1 RF 전원(122)의 전력과 상기 제2 RF 전원(132)의 전력의 비를 제어한다. 이에 따라, 상기 플라즈마의 균일도가 제어된다.The controller 142 controls the ratio of the power of the first RF power source 122 and the power of the second RF power source 132. Thus, the uniformity of the plasma is controlled.

상기 제2 RF 전력 분배부(160)는 상기 제2 전극(114)의 복수의 위치에 동일한 임피던스를 가지도록 상기 제2 RF 전력을 분배할 수 있다. 상기 제2 RF 전력 분배부(160)는 상기 제1 RF 전력 공급부(170)를 감싸는 원통 형상의 전력 입력부(162), 상기 전력 입력부(162)에서 대칭성을 가지고 방사형으로 분기하는 제2 전력 분배 라인(163), 및 상기 전력 분배 라인(163)을 감싸는 접지 부재(164)를 포함할 수 있다. 상기 전력 분배 라인(163)의 일단은 상기 전력 입력부(162)에 대칭적으로 연결되고, 상기 전력 분배 라인(163)의 타단은 연결기둥(165)을 통하여 상기 제2 전극(114)에 대칭적으로 연결될 수 있다. 상기 전력 입력부(162)는 제2 RF 전력 공급라인(161)을 통하여 전력을 공급받을 수 있다.The second RF power distribution unit 160 may distribute the second RF power to have the same impedance at a plurality of positions of the second electrode 114. The second RF power distribution unit 160 has a cylindrical power input unit 162 surrounding the first RF power supply unit 170, and a second power distribution line radially diverging from the power input unit 162 with symmetry. 163, and a ground member 164 surrounding the power distribution line 163. One end of the power distribution line 163 is symmetrically connected to the power input unit 162, and the other end of the power distribution line 163 is symmetrical to the second electrode 114 through the connecting column 165. Can be connected. The power input unit 162 may receive power through the second RF power supply line 161.

상기 제2 RF 전력 분배부(160)는 복수의 위치에 상기 제2 전극(114)에 전력을 공급한다. 4개의 브랜치 각각의 상기 제2 전극(114)을 바라본 방향의 임피던스가 서로 다르면, 상기 제2 RF 전원(132)의 전력은 일부의 브렌치에 집중된다. 따라서, 상기 제2 RF 전력 분배부(160)의 각 브랜치는 동일한 임피던스를 가지도록 동축 케이블 구조를 가지고 동일한 길이를 가진다.The second RF power distribution unit 160 supplies power to the second electrode 114 at a plurality of positions. If the impedances of the four branches facing the second electrode 114 are different from each other, the power of the second RF power source 132 is concentrated in some branches. Therefore, each branch of the second RF power divider 160 has a coaxial cable structure and has the same length so as to have the same impedance.

상기 접지 부재(164)는 상부 접지 부재(164a)와 하부 접지 부재(164b)로 구성될 수 있다. 상기 상부 접지 부재(164a)와 하부 접지 부재(164b)는 결합할 수 있다. 상기 접지 부재(164)는 내부에 트렌치가 형성되고, 상기 제2 전력 분배 라인(163)은 상기 트렌치에 배치된다. 절연 부재(미도시)는 상기 접지 부재(164)와 상기 제2 전력 분배 라인(163)의 전기적 접촉을 방지하기 위하여 상기 접지 부재(164)와 상기 제2 전력 분배 라인(163) 사이에 개재될 수 있다. The grounding member 164 may be composed of an upper grounding member 164a and a lower grounding member 164b. The upper ground member 164a and the lower ground member 164b can be engaged with each other. The ground member 164 has a trench formed therein, and the second power distribution line 163 is disposed in the trench. An insulating member (not shown) may be interposed between the ground member 164 and the second power distribution line 163 to prevent electrical contact between the ground member 164 and the second power distribution line 163 .

상기 전력 분배라인(163)는 4개의 브랜치를 가질 수 있다. 상기 전력 분배라인은 방위각 대칭성을 가질 수 있다. 상기 전력 분배라인(163)의 일단은 상기 전력 입력부(162)의 둘레에 연결된다. 상기 전력 분배 라인(163)의 타단은 연결 기둥(165)을 통하여 상기 제2 전극(114)에 연결된다. 상기 연결기둥(165)의 주위에는 실링 부재가 배치되어 진공이 유지된다. 상기 연결 기둥(165)은 상기 전력 분배 라인(163)과 상기 제2 전극(114)을 결합시켜 고정시킨다. The power distribution line 163 may have four branches. The power distribution line may have azimuth symmetry. One end of the power distribution line 163 is connected to the circumference of the power input unit 162. The other end of the power distribution line 163 is connected to the second electrode 114 through a connection pillar 165. A sealing member is disposed around the connecting column 165 to maintain a vacuum. The connection column 165 couples and fixes the power distribution line 163 and the second electrode 114.

상기 제1 RF 전력 공급부(170)는 동축 케이블 형상을 가지고 상기 제1 전극(112)의 중심에 전력을 공급할 수 있다. 상기 제1 RF 전력 공급부(170)는 상기 제1 전극(112)에 접촉하는 제1 RF 전력 공급 라인(171), 상기 제1 전력 공급라인(171)을 감싸는 제1 RF 전력 내부 절연 자켓(172), 상기 제1 RF 전력 절연 자켓(172)을 감싸는 제1 RF 접지 외피(173), 및 상기 제1 RF 접지 외피(173)를 감싸는 제1 RF 전력 외부 절연 자켓(174)을 포함할 수 있다. The first RF power supply unit 170 may have a coaxial cable shape and supply power to the center of the first electrode 112. The first RF power supply unit 170 may include a first RF power supply line 171 contacting the first electrode 112 and a first RF power internal insulation jacket 172 surrounding the first power supply line 171. ), A first RF ground jacket 173 surrounding the first RF power insulation jacket 172, and a first RF power outer insulation jacket 174 surrounding the first RF ground jacket 173. .

상기 제1 전력 공급부(171)의 일단은 상기 접지 부재(164)의 중심을 관통하도록 배치된다. 상기 제1 RF 전력 공급 라인(171)은 상기 절연 지지부(151)의 중심을 관통하여 상기 제1 전극(112)의 중심에 고정된다. 상기 제1 RF 전력 공급 라인(171)의 일단의 주위에는 진공을 유지하기 위하여 실링 부재가 배치된다. 상기 제1 RF 전력 공급 라인(171)의 일단은 상기 제1 전극에 결합한다.One end of the first power supply unit 171 is disposed to pass through the center of the ground member 164. The first RF power supply line 171 is fixed to the center of the first electrode 112 through the center of the insulator support 151. A sealing member is disposed around one end of the first RF power supply line 171 to maintain a vacuum. One end of the first RF power supply line 171 is coupled to the first electrode.

상기 제1 RF 전력 공급부(170)의 타단은 전기 커넥터(104)에 연결된다. 상기 전기 커넥터(104)는 지지판(102)에 고정된다. 상기 지지판(102)은 상기 진공 용기(182)의 상판(182a)에 지지 기둥(103)을 통하여 고정될 수 있다.The other end of the first RF power supply 170 is connected to the electrical connector 104. The electrical connector (104) is fixed to the support plate (102). The support plate 102 may be fixed to the upper plate 182a of the vacuum container 182 through support pillars 103.

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 가스를 상기 진공 용기 내부에 공급하기 위한 제1 노즐들을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극은 가스를 상기 진공 용기 내부에 공급하기 위한 제2 노즐들을 포함할 수 있다. 상기 제1 노즐들은 상기 제1 전극의 일면 또는 상기 절연 지지판의 일면에 형성된 트렌치를 통하여 서로 연결될 수 있다. 상기 제2 노즐들은 상기 제2 전극의 일면 또는 상기 절연 지지판의 일면에 형성된 트렌치를 통하여 서로 연결될 수 있다.According to a modified embodiment of the present invention, the first electrode may include first nozzles for supplying gas into the vacuum vessel. The second electrode may include second nozzles for supplying gas into the vacuum container. The first nozzles may be connected to each other through one surface of the first electrode or a trench formed on one surface of the insulating support plate. The second nozzles may be connected to each other through one surface of the second electrode or a trench formed on one surface of the insulating support plate.

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 제1 주파수와 상기 제2 주파수는 동일할 수 있다.According to a modified embodiment of the present invention, the first frequency and the second frequency may be the same.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 밀도 분포를 나타내는 도면들이다.5A to 5C are diagrams illustrating a plasma density distribution according to an embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 도 4b의 플라즈마 발생 장치가 사용되었다. 상기 기판 홀더는 제거되고 상기 기판 홀더의 위치에 전기 탐침 어레이가 배치되었다. 상기 전기 탐침 어레이로 측정된 플라즈마 밀도는 피팅하여 2차원적으로 표시되었다. 측정된 데이터는 방위각 대칭성을 가진다. 상기 방위각 대칭성은 제2 RF 전력 분배부의 구조에 기인하다. 플라즈마 밀도의 단위는 10^10/cm3이다.5A to 5C, the plasma generator of FIG. 4B was used. The substrate holder was removed and an electrical probe array was placed at the location of the substrate holder. The plasma density measured with the electrical probe array was displayed two-dimensionally by fitting. The measured data has azimuth symmetry. The azimuth symmetry is due to the structure of the second RF power divider. The unit of plasma density is 10 10 / cm 3 .

제1 전극의 직경은 160 mm이고, 제2 전극의 폭은 65 mm이다. 또한, 제1 전극에 인가된 제1 RF 전원의 제1 주파수는 8 Mhz이고, 제2 RF 전원의 제2 주파수는 13.56 Mhz이다. 플라즈마 발생 장치는 450 mm 용으로 제작되었으나, 상기 전기 탐침 어레이는 300 mm 기판용으로 제작되었다. 상기 전기 탐침 어레이는 매트릭스 형태로 전기 탐침이 배치된다. 상기 전기 탐침 어레이는 상기 제1 전극으로부터 수직으로 12 센치미터(cm) 이격되었다.The diameter of the first electrode is 160 mm and the width of the second electrode is 65 mm. Also, the first frequency of the first RF power applied to the first electrode is 8 Mhz and the second frequency of the second RF power is 13.56 Mhz. The plasma generator was fabricated for 450 mm, but the electrical probe array was fabricated for a 300 mm substrate. The electrical probe array is arranged with an electrical probe in a matrix form. The array of electrical probes was spaced 12 centimeters (cm) vertically from the first electrode.

도 5a를 참조하면, 제1 RF 전원의 전력이 50 와트이고, 제2 RF 전력이 125 와트인 경우, 측정된 300 mm 범위에서 플라즈마 밀도의 균일도는 9.4 퍼센트이었다.Referring to FIG. 5A, when the power of the first RF power source is 50 watts and the second RF power is 125 watts, the uniformity of the plasma density in the measured 300 mm range was 9.4 percent.

도 5b를 참조하면, 제1 RF 전원의 전력이 200 와트이고, 제2 RF 전력이 125 와트인 경우, 측정된 300 mm 범위에서 플라즈마 밀도의 균일도는 8.3 퍼센트이었다.Referring to FIG. 5B, when the power of the first RF power source is 200 watts and the second RF power is 125 watts, the uniformity of the plasma density in the measured 300 mm range was 8.3 percent.

도 5c를 참조하면, 제1 RF 전원의 전력이 125 와트이고, 제2 RF 전력이 125 와트인 경우, 측정된 300 mm 범위에서 플라즈마 밀도의 균일도는 4.7 퍼센트이었다. 따라서, 제1 RF 전원의 전력과 제2 RF 전원의 전력의 비를 변경하면, 플라즈마 밀도 균일도가 향상될 수 있다.Referring to FIG. 5C, when the power of the first RF power source is 125 watts and the second RF power is 125 watts, the uniformity of the plasma density in the measured 300 mm range was 4.7 percent. Therefore, by changing the ratio of the power of the first RF power supply and the power of the second RF power supply, the plasma density uniformity may be improved.

다시 도 4b를 참조하면, 도 5c의 경우, 제1 임피던스 매칭 네트워크는 별도의 제2 주파수를 제거하기 위한 필터 성분을 포함하지 않을 수 있다. 또한, 제2 임피던스 매칭 네트워크는 제1 주파수를 제거하기 위한 필터 성분을 포함하지 않을 수 있다. 따라서, 임피던스 매칭의 안정성과 공정 재현성이 증가될 수 있다. 또한, 제1 RF 전원의 전력과 제2 RF 전원의 전력의 비를 변경하여도, 제1 RF 전원 및 제2 RF 전원의 임피던스 매칭은 용이하게 수행될 수 있다.Referring again to FIG. 4B, in the case of FIG. 5C, the first impedance matching network may not include a filter component for removing a separate second frequency. In addition, the second impedance matching network may not include a filter component for removing the first frequency. Thus, stability of impedance matching and process reproducibility can be increased. In addition, even if the ratio of the power of the first RF power supply and the power of the second RF power supply is changed, impedance matching between the first RF power supply and the second RF power supply can be easily performed.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 설명하는 도면이다.6 is a diagram illustrating a substrate processing according to another embodiment of the present invention.

도 4a 및 도 4b에서 설명한 것과 중복되는 설명은 생략한다.Descriptions overlapping with those described in FIGS. 4A and 4B will be omitted.

도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 진공 용기(182)에 장착되어 상기 진공용기(182) 내부에 축전 결합 플라즈마를 형성하는 플라즈마 발생부(100), 및 상기 플라즈마 발생부(100)에 대향하여 배치되고 기판을 장착하는 기판 홀더(186)를 포함한다. 상기 플라즈마 발생부(100)는 일면의 중심에 제1 주파수의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극(112), 일면의 복수의 위치에서 상기 제1 주파수와 다른 제2 주파수의 제2 RF 전력을 공급받고 상기 제1 전극(112)의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극(114), 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서(116), 상기 제1 전극(112)에 전력을 공급하는 제1 RF 전원(122), 상기 제2 전극(114)에 전력을 공급하는 제2 RF 전원(132), 및 상기 제1 RF 전원(122)의 전력 및 상기 제2 RF 전원(132)의 전력을 조절하는 제어부(142)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the substrate processing apparatus 10 is mounted on a vacuum vessel 182 to form a capacitively coupled plasma inside the vacuum vessel 182, and the plasma generator 100. And a substrate holder 186 disposed opposite to and mounting the substrate. The plasma generating unit 100 is a disk-shaped first electrode 112 that receives a first RF power of a first frequency at a center of one surface, and a second frequency different from the first frequency at a plurality of positions on one surface. 2 washer-shaped second electrode 114 which is supplied with 2 RF power and is disposed around the first electrode 112, washer-shaped insulating spacer 116 disposed between the first electrode and the second electrode, The first RF power supply 122 supplies power to the first electrode 112, the second RF power supply 132 supplies power to the second electrode 114, and the first RF power supply 122. And a control unit 142 for adjusting power and power of the second RF power source 132.

상기 플라즈마 발생부(100)는 일면의 중심에 제1 주파수(f1)의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극(112), 일면에서 복수의 위치에서 상기 제1 주파수(f1)와 다른 제2 주파수(f2)의 제2 RF 전력을 공급받고 상기 제1 전극(112)의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극(114), 상기 제1 전극(112)과 상기 제2 전극(114) 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서(116), 상기 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전원(122), 상기 제2 전극(114)에 전력을 공급하는 제2 RF 전원(132), 및 상기 제1 RF 전원(122)의 전력 및 상기 제2 RF 전원(132)의 전력을 조절하는 제어부(142)를 포함한다.The plasma generator 100 is a disk-shaped first electrode 112 that receives the first RF power of the first frequency f1 at the center of one surface, and the first frequency f1 at a plurality of positions on one surface. A second washer-shaped washer-shaped second electrode 114, the first electrode 112 and the second electrode, which are supplied with second RF power at a second second frequency f2 and are disposed around the first electrode 112. A washer-shaped insulating spacer 116 disposed between the 114, a first RF power source 122 that supplies power to the first electrode, and a second RF power source 132 that supplies power to the second electrode 114. And a controller 142 for adjusting the power of the first RF power source 122 and the power of the second RF power source 132.

상기 진공 용기(182)는 가스 공급부(미도시) 및 배기부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 진공 용기(182)는 원통 형상일 수 있다. 상기 진공 용기(182)는 원통 형상의 몸체부와 상기 몸체부의 개방된 상부를 덮고 있는 상판(119)을 포함할 수 있다.The vacuum container 182 may include a gas supply unit (not shown) and an exhaust unit (not shown). The vacuum container 182 may have a cylindrical shape. The vacuum container 182 may include a cylindrical body portion and an upper plate 119 covering the open upper portion of the body portion.

상기 기판 홀더(186)는 원판형일 수 있다. 상기 기판 홀더(186)는 기판을 장착할 수 있도록 정전척(electrostatic chuck) 또는 기계척(mechanical chuck)을 포함할 수 있다. 상기 기판은 450 mm 반도체 기판일 수 있다. 상기 기판 홀더(186)는 상기 진공 용기(182)의 내부에 상기 플라즈마 발생부(100)의 상기 제1 전극(112) 및 상기 제2 전극(114)을 바라보도록 배치될 수 있다.The substrate holder 186 may have a disc shape. The substrate holder 186 may include an electrostatic chuck or a mechanical chuck to mount the substrate. The substrate may be a 450 mm semiconductor substrate. The substrate holder 186 may be disposed inside the vacuum chamber 182 so as to face the first electrode 112 and the second electrode 114 of the plasma generating unit 100.

상기 제1 전극(112)의 일면, 상기 제2 전극(114)의 일면, 및 상기 절연 스페이서(116)의 일면은 동일한 평면일 수 있다. 상기 제2 전극(112)의 타면, 상기 제2 전극(114)의 타면, 및 상기 절연 스페이서(116)의 타면은 동일한 평면일 수 있다.One surface of the first electrode 112, one surface of the second electrode 114, and one surface of the insulating spacer 116 may be coplanar. The other surface of the second electrode 112, the other surface of the second electrode 114, and the other surface of the insulating spacer 116 may be coplanar.

제1 전극의 외측 둘레는 턱을 가질 수 있다. 또한, 상기 절연 스페이서의 내측 및 외측에는 턱을 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 전극의 내측 및 외측에는 턱을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 절연 스페이서와 상기 제2 전극에 끼움 결합하고, 제1 전극과 상기 절연 스페이서는 끼움결합할 수 있다.The outer circumference of the first electrode may have a jaw. In addition, the inner and outer sides of the insulating spacer may have a jaw. In addition, the inner and outer sides of the second electrode may have a jaw. Accordingly, the insulating spacer may be fitted to the second electrode, and the first electrode and the insulating spacer may be fitted to each other.

외측 절연부(118)는 상기 제2 전극(114)의 외측 주위에 상기 제1 전극(112)과 동일한 평면에 배치될 수 있다. 상기 외측 절연부(118)는 와셔 형상으로 유전체로 형성될 수 있다. 상기 외측 절연부(118)의 외측 둘레 및 내측 둘레는 턱을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 외측 절연부(118)는 상기 제2 전극(114)는 끼움 결합할 수 있다. The outer insulating portion 118 may be disposed on the same plane as the first electrode 112 around the outer periphery of the second electrode 114. The outer insulating portion 118 may be formed in a washer-like dielectric. The outer and inner peripheries of the outer insulating portion 118 may have a jaw. Accordingly, the second insulation 114 may be fitted to the outer insulation portion 118.

상기 외측 절연부(118)의 둘레에는 상판이 배치될 수 있다. 상기 상판(119)은 와셔 형상을 가지고, 상기 상판(119)의 내측 둘레는 턱을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 상판(119)과 상기 외측 절연부(118)는 끼움 결합할 수 있다.An upper plate may be disposed around the outer insulation portion 118. The upper plate 119 has a washer shape, and the inner circumference of the upper plate 119 may have a jaw. Accordingly, the upper plate 119 and the outer insulating part 118 can be fitted to each other.

상기 제1 RF 전원(122)의 전력은 제1 임피던스 매칭 네트워크(124)를 통하여 상기 제1 전극(112)에 공급될 수 있다. 상기 제1 임피던스 매칭 네트워크(124)의 출력은 동축 케이블 형상의 제1 RF 전력 공급부(170)를 통하여 상기 제1 전극(112)에 전력을 공급할 수 있다.The power of the first RF power source 122 may be supplied to the first electrode 112 through the first impedance matching network 124. The output of the first impedance matching network 124 may supply power to the first electrode 112 through the first RF power supply unit 170 having a coaxial cable shape.

상기 제2 RF 전원(132)의 전력은 제2 임피던스 매칭 네트워크(134)를 통하여 상기 제2 전극(114)의 복수의 위치에 공급될 수 있다. 상기 제2 임피던스 매칭 네트워크(134)의 출력은 제2 RF 전력을 분배하는 제2 RF 전력 분배부(160)를 통하여 상기 제2 전극(114)의 복수의 위치에 제공될 수 있다.The power of the second RF power source 132 may be supplied to a plurality of locations of the second electrode 114 through the second impedance matching network 134. The output of the second impedance matching network 134 may be provided at a plurality of locations of the second electrode 114 via a second RF power distribution unit 160 that distributes a second RF power.

상기 제어부(142)는 상기 제1 RF 전원(122)의 전력과 상기 제2 RF 전원(132)의 전력의 비를 제어한다. 이에 따라, 상기 플라즈마의 균일도가 제어된다.The controller 142 controls the ratio of the power of the first RF power source 122 and the power of the second RF power source 132. Thus, the uniformity of the plasma is controlled.

상기 제2 RF 전력 분배부(160)는 상기 제2 전극(114)의 복수의 위치에 동일한 임피던스를 가지도록 상기 제2 RF 전력을 분배할 수 있다. 상기 제2 RF 전력 분배부(160)는 상기 제1 RF 전력 공급부(170)를 감싸는 원통 형상의 전력 입력부(162), 상기 전력 입력부(162)에서 대칭성을 가지고 방사형으로 분기하는 제2 전력 분배 라인(163), 및 상기 전력 분배 라인(163)을 감싸는 접지 부재(164)를 포함할 수 있다. 상 기 전력 분배 라인(163)의 일단은 상기 전력 입력부(162)에 대칭적으로 연결되고, 상기 전력 분배 라인(163)의 타단은 연결기둥(165)을 통하여 상기 제2 전극(114)에 대칭적으로 연결될 수 있다.The second RF power distribution unit 160 may distribute the second RF power to have the same impedance at a plurality of positions of the second electrode 114. The second RF power distribution unit 160 has a cylindrical power input unit 162 surrounding the first RF power supply unit 170, and a second power distribution line radially diverging from the power input unit 162 with symmetry. 163, and a ground member 164 surrounding the power distribution line 163. One end of the power distribution line 163 is symmetrically connected to the power input unit 162, and the other end of the power distribution line 163 is symmetrical to the second electrode 114 through a connection column 165. Can be connected as

상기 제2 RF 전력 분배부(160)는 복수의 위치에 상기 제2 전극(114)에 전력을 공급한다. 4개의 브랜치 각각의 상기 제2 전극(114)을 바라본 방향의 임피던스가 서로 다르면, 상기 제2 RF 전원(132)의 전력은 일부의 브렌치에 집중된다. 따라서, 상기 제2 RF 전력 분배부(160)의 각 브랜치는 동일한 임피던스를 가지도록 동축 케이블 구조를 가지고 동일한 길이를 가진다.The second RF power distribution unit 160 supplies power to the second electrode 114 at a plurality of positions. If the impedances of the four branches facing the second electrode 114 are different from each other, the power of the second RF power source 132 is concentrated in some branches. Therefore, each branch of the second RF power divider 160 has a coaxial cable structure and has the same length so as to have the same impedance.

상기 접지 부재(164)는 상부 접지 부재(164a)와 하부 접지 부재(164b)로 구성될 수 있다. 상기 상부 접지 부재(164a)와 하부 접지 부재(164b)는 결합할 수 있다. 상기 접지 부재(164)는 내부에 트렌치가 형성되고, 상기 제2 전력 분배 라인(163)은 상기 트렌치에 배치된다. 절연 부재(미도시)는 상기 접지 부재(164)와 상기 제2 전력 분배 라인(163)의 전기적 접촉을 방지하기 위하여 상기 접지 부재(164)와 상기 제2 전력 분배 라인(163) 사이에 개재될 수 있다.The grounding member 164 may be composed of an upper grounding member 164a and a lower grounding member 164b. The upper ground member 164a and the lower ground member 164b can be engaged with each other. The ground member 164 has a trench formed therein, and the second power distribution line 163 is disposed in the trench. An insulating member (not shown) may be interposed between the ground member 164 and the second power distribution line 163 to prevent electrical contact between the ground member 164 and the second power distribution line 163 .

상기 전력 분배라인(163)는 4개의 브랜치를 가질 수 있다. 상기 전력 분배라인은 방위각 대칭성을 가질 수 있다. 상기 전력 분배라인(163)의 일단은 상기 전력 입력부(162)의 둘레에 연결된다. 상기 전력 분배 라인(163)의 타단은 연결 기둥(165)을 통하여 상기 제2 전극(114)에 연결된다. 상기 연결기둥(165)의 주위에는 실링 부재가 배치되어 진공이 유지된다. 상기 연결 기둥(165)은 상기 전력 분배 라인(163)과 상기 제2 전극(114)을 결합시켜 고정시킨다. The power distribution line 163 may have four branches. The power distribution line may have azimuth symmetry. One end of the power distribution line 163 is connected to the circumference of the power input unit 162. The other end of the power distribution line 163 is connected to the second electrode 114 through a connection pillar 165. A sealing member is disposed around the connecting column 165 to maintain a vacuum. The connection column 165 couples and fixes the power distribution line 163 and the second electrode 114.

상기 제1 RF 전력 공급부(170)는 동축 케이블 형상을 가지고 상기 제1 전극(112)의 중심에 전력을 공급할 수 있다. 상기 제1 RF 전력 공급부(170)는 상기 제1 전극(112)에 접촉하는 제1 RF 전력 공급 라인(171), 상기 제1 전력 공급라인(171)을 감싸는 제1 RF 전력 내부 절연 자켓(172), 상기 제1 RF 전력 절연 자켓(172)을 감싸는 제1 RF 접지 외피(173), 및 상기 제1 RF 접지 외피(173)를 감싸는 제1 RF 전력 외부 절연 자켓(174)을 포함할 수 있다.The first RF power supply unit 170 may have a coaxial cable shape and supply power to the center of the first electrode 112. The first RF power supply unit 170 may include a first RF power supply line 171 contacting the first electrode 112 and a first RF power internal insulation jacket 172 surrounding the first power supply line 171. ), A first RF ground jacket 173 surrounding the first RF power insulation jacket 172, and a first RF power outer insulation jacket 174 surrounding the first RF ground jacket 173. .

상기 제1 전력 공급부(171)의 일단은 상기 접지 부재(164)의 중심을 관통하도록 배치된다. 상기 제1 RF 전력 공급 라인(171)은 상기 절연 지지부(151)의 중심을 관통하여 상기 제1 전극(112)의 중심에 고정된다. 상기 제1 RF 전력 공급 라인(171)의 일단의 주위에는 진공을 유지하기 위하여 실링 부재가 배치된다. 상기 제1 RF 전력 공급 라인(171)의 일단은 상기 제1 전극에 결합한다.One end of the first power supply unit 171 is disposed to pass through the center of the ground member 164. The first RF power supply line 171 is fixed to the center of the first electrode 112 through the center of the insulator support 151. A sealing member is disposed around one end of the first RF power supply line 171 to maintain a vacuum. One end of the first RF power supply line 171 is coupled to the first electrode.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하는 도면이다.7 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6, 도 4a ,및 도 4b에서 설명한 것과 중복되는 설명은 생략한다.Descriptions overlapping with those described in FIGS. 6, 4A, and 4B will be omitted.

도 7을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 진공 용기(182)에 장착되어 상기 진공용기(182) 내부에 축전 결합 플라즈마를 형성하는 플라즈마 발생부(100) 및 상기 플라즈마 발생부(100)에 대향하여 배치되고 기판(184)을 장착하는 기판 홀더(186)를 포함한다. 상기 플라즈마 발생부(100)는 일면의 중심에 제1 주파수의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극(112), 일면의 복수의 위치에서 상기 제1 주파수와 다른 제2 주파수의 제2 RF 전력을 공급받고 상기 제1 전극(112)의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극(114), 상기 제1 전극(112)과 상기 제2 전극(114) 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서(116), 상기 제1 전극(112)에 전력을 공급하는 제1 RF 전원(122), 상기 제2 전극(114)에 전력을 공급하는 제2 RF 전원(132), 및 상기 제1 RF 전원의 전력 및 상기 제2 RF 전원의 전력을 조절하는 제어부(142)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the substrate processing apparatus 10 may be mounted on a vacuum vessel 182 to a plasma generator 100 and a plasma generator 100 for forming a capacitively coupled plasma inside the vacuum vessel 182. A substrate holder 186 disposed opposite and mounting the substrate 184. The plasma generating unit 100 is a disk-shaped first electrode 112 that receives a first RF power of a first frequency at a center of one surface, and a second frequency different from the first frequency at a plurality of positions on one surface. 2 washer-shaped second electrode 114 which is supplied with RF power and is disposed around the first electrode 112, and isher-shaped washer disposed between the first electrode 112 and the second electrode 114. An insulating spacer 116, a first RF power source 122 that supplies power to the first electrode 112, a second RF power source 132 that supplies power to the second electrode 114, and the first electrode And a controller 142 for adjusting the power of the RF power and the power of the second RF power.

플라즈마 발생부(100)는 제3 주파수를 가지고 상기 제1 전극(112)에 전력을 공급하는 제3 RF 전원(123), 및 제4 주파수를 가지고 상기 제2 전극(114)에 전력을 공급하는 제4 RF 전원(133)을 포함할 수 있다. 상기 제3 RF 전원(123)의 전력은 상기 제1 RF 전력 공급부(170)를 통하여 상기 제1 전극(112)에 공급되고, 상기 제4 RF 전원(133)의 전력은 상기 제2 RF 전력 분배부(160)를 통하여 상기 제2 전극(114)에 공급될 수 있다. 상기 제어부(142)는 상기 제1 및 제3 RF 전원의 전력 및 상기 제2 및 제4 RF 전원의 전력을 조절하여 플라즈마 균일도를 제어할 수 있다. 상기 제3 RF 전원(123)의 출력은 제3 임피던스 매칭 네트워크(125)를 통하여 상기 제1 임피던스 매칭 네트워크(124)의 출력과 결합한다. 상기 제4 RF 전원(133)의 출력은 제4 임피던스 매칭 네트워크(135)를 통하여 상기 제2 임피던스 매칭 네트워크(134)의 출력과 결합한다.The plasma generator 100 supplies a third RF power source 123 that supplies power to the first electrode 112 at a third frequency, and supplies power to the second electrode 114 at a fourth frequency. The fourth RF power source 133 may be included. The power of the third RF power supply 123 is supplied to the first electrode 112 through the first RF power supply unit 170, and the power of the fourth RF power supply 133 is divided into the second RF power supply. It may be supplied to the second electrode 114 through the distribution 160. The controller 142 may control the power of the first and third RF power sources and the power of the second and fourth RF power sources to control the plasma uniformity. The output of the third RF power source 123 is coupled to the output of the first impedance matching network 124 through a third impedance matching network 125. The output of the fourth RF power supply 133 is coupled to the output of the second impedance matching network 134 through a fourth impedance matching network 135.

도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하는 서로 다른 방향에서의 단면도들이다.8A and 8B are cross-sectional views in different directions illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4a ,및 도 4b에서 설명한 것과 중복되는 설명은 생략한다.Descriptions overlapping with those described in FIGS. 4A and 4B will be omitted.

도 8a 및 도 8b를 참조하면, 기판 처리 장치(20)는 진공 용기(182)의 내부에 삽입되어 축전 결합 플라즈마를 형성하는 플라즈마 발생부(200), 및 상기 플라즈마 발생부(100)에 대향하여 배치되고 기판(184)을 장착하는 기판 홀더(186)를 포함한다. 상기 기판 처리 장치(10)는 식각 또는 증착 장치일 수 있다.8A and 8B, the substrate processing apparatus 20 is inserted into the vacuum container 182 to face the plasma generator 200 and the plasma generator 100, which form a capacitively coupled plasma. And a substrate holder 186 that is disposed and mounts the substrate 184. The substrate processing apparatus 10 may be an etching or deposition apparatus.

상기 플라즈마 발생부(200)는 일면의 중심에 제1 주파수(f1)의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극(212), 일면의 복수의 위치에서 상기 제1 주파수(f1)와 다른 제2 주파수(f2)의 제2 RF 전력을 공급받고 상기 제1 전극(212)의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극(214), 상기 제1 전극(212)과 상기 제2 전극(214) 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서(216), 상기 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전원(222), 상기 제2 전극(214)에 전력을 공급하는 제2 RF 전원(232), 및 상기 제1 RF 전원(222)의 전력 및 상기 제2 RF 전원(232)의 전력을 조절하는 제어부(242)를 포함한다.The plasma generating unit 200 is a disk-shaped first electrode 212 which receives the first RF power of the first frequency f1 at the center of one surface, and the first frequency f1 at a plurality of positions on one surface thereof. A second washer-shaped second electrode 214, the first electrode 212 and the second electrode, which are supplied with second RF power at a second second frequency f2 and disposed around the first electrode 212; Washer-shaped insulating spacers 216 disposed between the 214, a first RF power supply 222 supplying power to the first electrode, and a second RF power supply 232 supplying power to the second electrode 214. And a controller 242 for adjusting the power of the first RF power source 222 and the power of the second RF power source 232.

상기 진공 용기(182)는 가스 공급부(미도시) 및 배기부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 진공 용기(182)는 원통 형상일 수 있다. 상기 진공 용기(182)는 원통 형상의 몸체부와 상기 몸체부의 개방된 상부를 덮고 있는 상판(182a)을 포함할 수 있다.The vacuum container 182 may include a gas supply unit (not shown) and an exhaust unit (not shown). The vacuum container 182 may have a cylindrical shape. The vacuum container 182 may include a cylindrical body portion and an upper plate 182a covering the opened upper portion of the body portion.

상기 기판 홀더(186)는 원판형일 수 있다. 상기 기판 홀더(186)는 기판을 장착할 수 있도록 정전척(electrostatic chuck) 또는 기계척(mechanical chuck)을 포함할 수 있다. 상기 기판은 450 mm 반도체 기판일 수 있다. 상기 기판 홀더(186)는 상기 진공 용기(182)의 내부에 상기 플라즈마 발생부(200)의 상기 제1 전극(212) 및 상기 제2 전극(214)을 바라보도록 배치될 수 있다.The substrate holder 186 may have a disc shape. The substrate holder 186 may include an electrostatic chuck or a mechanical chuck to mount the substrate. The substrate may be a 450 mm semiconductor substrate. The substrate holder 186 may be disposed inside the vacuum chamber 182 to face the first electrode 212 and the second electrode 214 of the plasma generating unit 200.

상기 기판 홀더(186)에는 저주파 RF 전원(192)과 고주파 RF 전원(194)이 연결될 수 있다. 상기 저주파 RF 전원(192)의 전력은 저주파 임피던스 매칭 네트워크(193)를 통하여 상기 기판 홀더(186)에 제공될 수 있다. 상기 고주파 RF 전원(194)의 전력은 고주파 임피던스 매칭 네트워크(195)를 통하여 상기 기판 홀더(186)에 제공될 수 있다. 상기 저주파 임피던스 매칭 네트워크(193)의 출력 및 상기 고주파 임피던스 매칭 네트워크의 출력(195)은 결합되어 상기 기판 홀더(186)의 한 지점 또는 복수의 지점에 제공될 수 있다.A low frequency RF power source 192 and a high frequency RF power source 194 may be connected to the substrate holder 186. The power of the low frequency RF power supply 192 may be provided to the substrate holder 186 through a low frequency impedance matching network 193. The power of the high frequency RF power supply 194 may be provided to the substrate holder 186 via a high frequency impedance matching network 195. The output of the low frequency impedance matching network 193 and the output 195 of the high frequency impedance matching network may be combined and provided at one or more points in the substrate holder 186.

상기 플라즈마 발생부(200)는 상기 제1 전극(212), 상기 제2 전극(214), 및 상기 절연 스페이서(216)를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극, 제2 전극, 및 절연 스페이서는 도 1 내지 도 3에서 설명한 것과 같이 변형될 수 있다.The plasma generator 200 may include the first electrode 212, the second electrode 214, and the insulating spacer 216. The first electrode, the second electrode, and the insulating spacer may be modified as described with reference to FIGS. 1 to 3.

상기 제1 전극(212)의 일면, 상기 제2 전극(214)의 일면, 및 상기 절연 스페이서(216)의 일면은 동일한 평면일 수 있다. 상기 제2 전극(212)의 타면, 상기 제2 전극(214)의 타면, 및 상기 절연 스페이서(216)의 타면은 동일한 평면일 수 있다.One surface of the first electrode 212, one surface of the second electrode 214, and one surface of the insulating spacer 216 may be coplanar. The other surface of the second electrode 212, the other surface of the second electrode 214, and the other surface of the insulating spacer 216 may be coplanar.

외측 절연부(218)는 상기 제2 전극(214)의 외측 주위에 상기 제1 전극(212)과 동일한 평면에 배치될 수 있다. 상기 외측 절연부(218)는 와셔 형상으로 유전체로 형성될 수 있다. The outer insulating portion 218 may be disposed on the same plane as the first electrode 212 around the outer periphery of the second electrode 214. The outer insulating portion 218 may be formed in a washer-like dielectric.

상기 외측 절연부(218), 상기 제2 전극(214), 상기 절연 스페이서(216), 및 상기 제1 전극(212) 상에 절연 지지부(251)가 배치될 수 있다. 상기 절연 지지부(251)는 고정 수단(219)을 통하여 상기 외측 절연부(218)와 결합할 수 있다. 상기 절연 지지부(251)는 유전체일 수 있다.An insulation support 251 may be disposed on the outer insulation 218, the second electrode 214, the insulation spacer 216, and the first electrode 212. The insulator support part 251 can be coupled to the outer insulator part 218 through the fixing part 219. The insulating support 251 may be a dielectric.

상기 절연 지지부(251)의 일면은 상기 제1 전극(212)의 일면과 접촉할 수 있다. 상기 절연 지지부(251)의 타면에는 함몰부(254)가 형성될 수 있다. 상기 함몰부(254)의 직경은 상기 제1 전극(212)의 지름보다 클 수 있다. One surface of the insulating support portion 251 may contact one surface of the first electrode 212. A depressed portion 254 may be formed on the other surface of the insulating support portion 251. The diameter of the depression 254 may be greater than the diameter of the first electrode 212.

덮개부(152)는 원판 형상으로 상기 절연 지지부(151) 상에 배치될 수 있다.상기 덮개부(152)는 원판 형상으로 도전성 물질로 형성될 수 있다. 상기 덮개부(252)는 원통 형상의 연장부(253)에 연결될 수 있다. 상기 연장부(253)는 상기 덮개부(252)의 중심에 배치될 수 있다. 상기 연장부(253)는 상기 진공 용기(182)의 상판(182a)에 형성된 관통홀을 통하여 외부로 도출될 수 있다. 상기 연장부(253)의 내부는 대기압일 수 있다.The cover part 152 may be disposed on the insulating support part 151 in a disk shape. The cover part 152 may be formed of a conductive material in a disk shape. The lid 252 may be connected to a cylindrical extension 253. The extension 253 may be disposed at the center of the lid 252. The extended portion 253 may be led out to the outside through a through hole formed in the upper plate 182a of the vacuum container 182. [ The interior of the extension 253 may be atmospheric pressure.

상기 제1 RF 전원(222)의 전력은 제1 임피던스 매칭 네트워크(224)를 통하여 상기 제1 전극(212)에 공급될 수 있다. 상기 제1 임피던스 매칭 네트워크(224)의 출력은 동축 케이블 형상의 제1 RF 전력 공급부(270)를 통하여 상기 제1 전극(212)에 전력을 공급할 수 있다.The power of the first RF power source 222 may be supplied to the first electrode 212 through the first impedance matching network 224. The output of the first impedance matching network 224 may provide power to the first electrode 212 via a first RF power supply 270 in the form of a coaxial cable.

상기 제2 RF 전원(232)의 전력은 제2 임피던스 매칭 네트워크(234)를 통하여 상기 제2 전극(214)의 복수의 위치에 공급될 수 있다. 상기 제2 임피던스 매칭 네트워크(234)의 출력은 제2 RF 전력을 분배하는 제2 RF 전력 분배부(260)를 통하여 상기 제2 전극(214)의 복수의 위치에 제공될 수 있다.The power of the second RF power supply 232 may be supplied to a plurality of locations of the second electrode 214 through the second impedance matching network 234. The output of the second impedance matching network 234 may be provided at a plurality of positions of the second electrode 214 through a second RF power distributor 260 that distributes second RF power.

상기 제어부(242)는 상기 제1 RF 전원(222)의 전력과 상기 제2 RF 전원(232)의 전력의 비를 제어한다. 이에 따라, 상기 플라즈마의 균일도가 제어된다.The controller 242 controls the ratio between the power of the first RF power source 222 and the power of the second RF power source 232. Thus, the uniformity of the plasma is controlled.

상기 제2 RF 전력 분배부(260)는 상기 제2 전극(114)의 복수의 위치에 동일한 임피던스를 가지도록 상기 제2 RF 전력을 분배할 수 있다. 상기 제2 RF 전력 분배부(260)는 원판 형상의 전력 입력부(262), 상기 전력 입력부(262)에서 대칭성을 가지고 방사형으로 분기하는 제2 전력 분배 라인(263), 및 상기 전력 분배 라인(263)을 감싸는 접지 부재(264)를 포함할 수 있다. 상기 전력 분배 라인(263)의 일단은 상기 전력 입력부(262)에 대칭적으로 연결되고, 상기 전력 분배 라인(263)의 타단은 연결기둥(265)을 통하여 상기 제2 전극(214)에 대칭적으로 연결될 수 있다. 상기 전력 입력부(262)는 제2 RF 전력 공급라인(261)을 통하여 전력을 공급받을 수 있다.The second RF power distribution unit 260 may distribute the second RF power to have the same impedance at a plurality of positions of the second electrode 114. The second RF power distribution unit 260 includes a power input unit 262 having a disk shape, a second power distribution line 263 that symmetrically and radially branches off from the power input unit 262, and the power distribution line 263 And a grounding member 264 surrounding the grounding member 264. One end of the power distribution line 263 is symmetrically connected to the power input unit 262 and the other end of the power distribution line 263 is connected to the second electrode 214 symmetrically . The power input unit 262 may receive power through the second RF power supply line 261.

상기 제2 RF 전력 분배부(260)는 복수의 위치에 상기 제2 전극(214)에 전력을 공급한다. 4개의 브랜치 각각의 상기 제2 전극(214)을 바라본 방향의 임피던스가 서로 다르면, 상기 제2 RF 전원(232)의 전력은 일부의 브렌치에 집중된다. 따라서, 상기 제2 RF 전력 분배부(260)의 각 브랜치는 동일한 임피던스를 가지도록 동축 케이블 구조를 가지고 동일한 길이를 가진다.The second RF power distribution unit 260 supplies power to the second electrode 214 at a plurality of positions. If the impedance of each of the four branches in the direction of the second electrode 214 is different from each other, the power of the second RF power supply 232 is concentrated on some of the branches. Therefore, each branch of the second RF power divider 260 has a coaxial cable structure and the same length so as to have the same impedance.

상기 접지 부재(264)는 상부 접지 부재(264a)와 하부 접지 부재(264b)로 구성될 수 있다. 상기 상부 접지 부재(264a)와 하부 접지 부재(264b)는 결합할 수 있다. 상기 상부 접지 부재(264a)는 상기 덮개부(252)와 상기 절연 지지부(251) 사이에 배치될 수 있다. 상기 하부 접지 부재(264b)는 원판 형상이고, 내부에 트렌치가 형성될 수 있다. 상기 제2 전력 분배 라인(163)은 상기 트렌치에 배치된다. 절연 부재(267)는 상기 접지 부재(264)와 상기 제2 전력 분배 라인(263)의 전기적 접촉을 방지하기 위하여 상기 접지 부재(264)와 상기 제2 전력 분배 라인(263) 사이에 개재될 수 있다. 고정 수단(269)은 상기 상부 접지 부재(264a), 상기 하부 접지 부재(264b), 및 절연 지지부(251)를 관통하여 상기 제2 전극에 결합할 수 있다.The grounding member 264 may be composed of an upper grounding member 264a and a lower grounding member 264b. The upper ground member 264a and the lower ground member 264b can be engaged. The upper grounding member 264a may be disposed between the lid 252 and the insulating support 251. [ The lower grounding member 264b is in the form of a disk, and a trench may be formed therein. The second power distribution line 163 is disposed in the trench. An insulating member 267 may be interposed between the ground member 264 and the second power distribution line 263 to prevent electrical contact between the ground member 264 and the second power distribution line 263. [ have. The fixing means 269 may be coupled to the second electrode through the upper ground member 264a, the lower ground member 264b, and the insulation support 251. [

상기 전력 분배라인(263)는 4개의 브랜치를 가질 수 있다. 상기 전력 분배라인은 방위각 대칭성을 가질 수 있다. 상기 전력 분배라인(263)의 일단은 상기 전력 입력부(262)의 둘레에 연결된다. 상기 전력 분배 라인(263)의 타단은 연결 기둥(265)을 통하여 상기 제2 전극(214)에 연결된다. 상기 연결 기둥(265)은 상기 전력 분배 라인(263)과 상기 제2 전극(214)을 결합시켜 고정시킨다. The power distribution line 263 may have four branches. The power distribution line may have azimuth symmetry. One end of the power distribution line 263 is connected to the power input part 262. The other end of the power distribution line 263 is connected to the second electrode 214 via a connection pillar 265. The connection pillar 265 couples and secures the power distribution line 263 and the second electrode 214 together.

상기 제1 RF 전력 공급부(270)는 동축 케이블 형상을 가지고 상기 제1 전극(212)의 중심에 전력을 공급할 수 있다. 상기 제1 RF 전력 공급부(270)는 상기 제1 전극(212)에 접촉하는 제1 RF 전력 공급 라인(271), 상기 제1 RF 전력 공급라인(271)을 감싸는 제1 RF 접지 외피(273)를 포함할 수 있다. 제1 RF 전력 공급 라인(271)은 연결부재(271a)를 통하여 상기 제1 전극(212)에 고정 결합할 수 있다. 상기 연결부재(271a) 주위에는 원통 형상의 절연 고정 부재(268)가 배치될 수 있다.The first RF power supply unit 270 may have a coaxial cable shape and supply power to the center of the first electrode 212. The first RF power supply 270 may include a first RF power supply line 271 that contacts the first electrode 212, and a first RF ground envelope 273 surrounding the first RF power supply line 271. It may include. The first RF power supply line 271 may be fixedly coupled to the first electrode 212 through a connection member 271a. A cylindrical insulating fixing member 268 may be disposed around the connecting member 271a.

상기 제1 전력 공급부(271)의 일단은 상기 접지 부재(264)의 중심을 관통하도록 배치된다. 상기 제1 RF 전력 공급 라인(271)은 상기 절연 지지부(251)의 중심을 관통하여 상기 제1 전극(212)의 중심에 고정된다. 상기 제1 RF 전력 공급 라인(271)의 일단은 상기 제1 전극에 결합한다.One end of the first power supply 271 is disposed to pass through the center of the ground member 264. The first RF power supply line 271 is fixed to the center of the first electrode 212 through the center of the insulation support portion 251. One end of the first RF power supply line 271 is coupled to the first electrode.

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되지 않으며, 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 실시할 수 있는 다양한 형태의 실시예들을 모두 포함한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, And all of the various forms of embodiments that can be practiced without departing from the technical spirit.

100: 축전 결합 플라즈마 발생 장치
112: 제1 전극
114: 제2 전극
116: 절연 스페이서
122: 제1 RF 전원
132: 제2 RF 전원
142: 제어부100: Capacitor coupled plasma generator
112: first electrode
114: second electrode
116: Insulation Spacer
122: first RF power source
132: Second RF power source
142: control unit

Claims (11)

일면의 중심에 제1 주파수의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극;
일면의 중심에서 일정한 반경을 가진 원주의 복수의 위치에서 제2 주파수의 제2 RF 전력을 공급받고 상기 제1 전극의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극;
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서;
상기 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전원;
상기 제2 전극에 전력을 공급하는 제2 RF 전원;
상기 제1 전극에 전력을 공급하는 동축 케이블 구조의 제1 RF 전력 공급부;
상기 제2 전극의 복수의 위치에 상기 제2 RF 전력을 분배하는 제2 RF 전력 분배부;및
상기 제1 RF 전원의 전력 및 상기 제2 RF 전원의 전력을 조절하는 제어부를 포함하고,
상기 제2 RF 전력 분배부는:
상기 제1 RF 전력 공급부를 감싸는 전력 입력부;
상기 전력 입력부에서 대칭성을 가지고 방사형으로 분기하는 제2 전력 분배 라인; 및
상기 전력 분배 라인을 감싸는 접지 부재를 포함하고,
상기 전력 분배 라인의 일단은 상기 전력 입력부에 대칭적으로 연결되고, 상기 전력 분배 라인의 타단은 상기 제2 전극에 대칭적으로 연결되고,
제1 전극의 두께는 상기 제2 전극의 두께보다 작고, 상기 절연 스페이서는 외곽으로 갈수록 두께가 증가하고,
상기 제1 전극의 일면, 상기 제2 전극의 일면, 및 상기 절연 스페이서의 일면은 동일한 평면인 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 장치.A disk-shaped first electrode supplied with a first RF power of a first frequency in the center of one surface;
A washer-shaped second electrode supplied with second RF power at a second frequency at a plurality of positions of a circumference having a constant radius at the center of one surface and disposed around the first electrode;
A washer-shaped insulating spacer disposed between the first electrode and the second electrode;
A first RF power supply for supplying power to the first electrode;
A second RF power supply for supplying power to the second electrode;
A first RF power supply unit having a coaxial cable structure supplying power to the first electrode;
A second RF power distribution unit for distributing the second RF power to a plurality of positions of the second electrode; and
And a controller configured to adjust power of the first RF power and power of the second RF power.
Wherein the second RF power distributor comprises:
A power input surrounding the first RF power supply;
A second power distribution line branching radially with symmetry in the power input; And
A grounding member surrounding the power distribution line,
One end of the power distribution line is symmetrically connected to the power input, the other end of the power distribution line is symmetrically connected to the second electrode,
The thickness of the first electrode is smaller than the thickness of the second electrode, the insulating spacer increases in thickness toward the outside,
One surface of the first electrode, one surface of the second electrode, and one surface of the insulating spacer are the same plane, characterized in that the capacitively coupled plasma generating device. 삭제delete 일면의 중심에 제1 주파수의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극;
일면의 중심에서 일정한 반경을 가진 원주의 복수의 위치에서 제2 주파수의 제2 RF 전력을 공급받고 상기 제1 전극의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극;
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서;
상기 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전원;
상기 제2 전극에 전력을 공급하는 제2 RF 전원;
상기 제1 전극에 전력을 공급하는 동축 케이블 구조의 제1 RF 전력 공급부;
상기 제2 전극의 복수의 위치에 상기 제2 RF 전력을 분배하는 제2 RF 전력 분배부;및
상기 제1 RF 전원의 전력 및 상기 제2 RF 전원의 전력을 조절하는 제어부를 포함하고,
상기 제2 RF 전력 분배부는:
상기 제1 RF 전력 공급부를 감싸는 전력 입력부;
상기 전력 입력부에서 대칭성을 가지고 방사형으로 분기하는 제2 전력 분배 라인; 및
상기 전력 분배 라인을 감싸는 접지 부재를 포함하고,
상기 전력 분배 라인의 일단은 상기 전력 입력부에 대칭적으로 연결되고, 상기 전력 분배 라인의 타단은 상기 제2 전극에 대칭적으로 연결되고,
제1 전극의 두께는 상기 절연 스페이서의 두께와 동일하고,
상기 제2 전극의 두께는 외곽으로 갈수록 두께가 증가하고,
상기 제1 전극의 일면, 상기 제2 전극의 일면, 및 상기 절연 스페이서의 일면은 동일한 평면인 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 장치.A disk-shaped first electrode supplied with a first RF power of a first frequency in the center of one surface;
A washer-shaped second electrode supplied with second RF power at a second frequency at a plurality of positions of a circumference having a constant radius at the center of one surface and disposed around the first electrode;
A washer-shaped insulating spacer disposed between the first electrode and the second electrode;
A first RF power supply for supplying power to the first electrode;
A second RF power supply for supplying power to the second electrode;
A first RF power supply unit having a coaxial cable structure supplying power to the first electrode;
A second RF power distribution unit for distributing the second RF power to a plurality of positions of the second electrode; and
And a controller configured to adjust power of the first RF power and power of the second RF power.
Wherein the second RF power distributor comprises:
A power input surrounding the first RF power supply;
A second power distribution line branching radially with symmetry in the power input; And
A grounding member surrounding the power distribution line,
One end of the power distribution line is symmetrically connected to the power input, the other end of the power distribution line is symmetrically connected to the second electrode,
The thickness of the first electrode is the same as the thickness of the insulating spacer,
The thickness of the second electrode increases in thickness toward the outside,
One surface of the first electrode, one surface of the second electrode, and one surface of the insulating spacer are the same plane, characterized in that the capacitively coupled plasma generating device. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200195115Y1 (en) * 1998-02-28 2000-10-02 김영환 Apparatus for distributing rf power of semiconductor etching system
KR20110032374A (en) * 2009-09-22 2011-03-30 주식회사 뉴파워 프라즈마 Plasma reactor having multi-plasma area
KR20110046253A (en) * 2009-10-26 2011-05-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Rf supply structure for plasma treatment
KR20110118206A (en) * 2010-04-23 2011-10-31 한국과학기술원 Capactively coupled plasma generation apparatus and capactively coupled plasma generation method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200195115Y1 (en) * 1998-02-28 2000-10-02 김영환 Apparatus for distributing rf power of semiconductor etching system
KR20110032374A (en) * 2009-09-22 2011-03-30 주식회사 뉴파워 프라즈마 Plasma reactor having multi-plasma area
KR20110046253A (en) * 2009-10-26 2011-05-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Rf supply structure for plasma treatment
KR20110118206A (en) * 2010-04-23 2011-10-31 한국과학기술원 Capactively coupled plasma generation apparatus and capactively coupled plasma generation method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10139240B2 (en) 2015-11-12 2018-11-27 Hyundai Motor Company Navigation device providing path information and method of navigation

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