KR101274043B1 - 발광 다이오드 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 방열 효과 및 습기 침투 차단 효과가 개선된 리드 프레임 구조를 구비한 발광 다이오드에 관한 것으로, 몸체와, 몸체 상에 배치되며, 제1 리드 단자와 제1 리드 단자와 극성이 반대인 제2 리드 단자로 구성된 리드 프레임; 적어도 하나 이상의 발광칩 및 몸체의 일부 영역을 노출시키며, 발광칩을 둘러싸도록 몸체 상에 형성된 반사기를 포함하며, 제1 리드 단자는 몸체의 제1 측면을 둘러싸며, 상호 이격되어 배치된 적어도 2개 이상의 제1 단자부와, 제1 단자부를 상호 연결하는 제1 연결부와, 발광칩이 실장되는 발광칩 실장부 및 발광칩 실장부를 제1 단자부 또는 제1 연결부에 연결시키는 단일의 제2 연결부를 포함하며, 제2 리드 단자는 몸체의 제1 측면에 대향되는 제2 측면을 둘러싸며, 제1 리드 단자와 이격되어 배치되는 발광 다이오드가 제공된다.
발광 다이오드, 리드 프레임, 제1 리드 단자, 제2 리드 단자, 연결부, 반사기
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드의 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 발광 다이오드를 Ⅰ-Ⅰ선에 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 변형예이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 발광 다이오드를 Ⅱ-Ⅱ선에 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 몸체 200 : 리드 프레임
210 : 제1 리드 단자 220 : 제1 단자부
230 : 제2 단자부 240 : 발광칩 실장부
250 : 제1 연결부 260 : 제2 연결부
270 : 제2 리드 단자 280 : 제3 연결부
290 : 절개부 300 : 발광칩
400 : 와이어 500 : 반사기
600 : 몰딩부
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 방열 효과 및 습기 침투 차단 효과가 개선된 리드 프레임 구조를 구비한 발광 다이오드에 관한 것이다.
종래 기술에 따른 발광 다이오드는 몸체, 몸체 상에 상호 이격되어 배치된 제1 리드 단자와 제2 리드 단자로 구성된 리드 프레임, 발광칩, 발광칩을 둘러싸도록 배치된 반사기 및 발광칩을 봉지하는 몰딩부로 구성된다. 이때, 리드 프레임은 상호 이격되어 배치되어 있기 때문에, 발광칩으로부터 발생되는 열이 고르게 전달되지 않아, 방열 효율이 낮아지는 문제점이 있었다.
이를 개선하기 위하여, 동일 극성의 리드 단자를 연결하여 열 전달 경로를 다변화한 발광 다이오드가 개발되었으나, 이와 같은 발광 다이오드는 리드 프레임의 표면적은 증대되고, 상대적으로 몸체와 몰딩부 간의 접촉 면적은 작아지게 되어 몸체와 몰딩부 간의 결합력이 약화되는 문제점과 리드 프레임을 통한 습기 침투 경로가 증대되는 문제점이 발생하였다.
따라서, 몸체와 몰딩부 간의 결합력은 유지한 채, 발광칩으로부터 발생되는 열의 전달 경로를 다변화하고, 리드 프레임을 통한 습기 침투 경로는 줄일 수 있는 구조의 발광 다이오드의 필요성이 증대되었다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 발광칩에서 방출되는 열의 전달 경로를 다변화하는 동시에, 습기 침투 경로는 최소화하고, 몸체와 몰딩부 간의 결합력은 극대화할 수 있는 발광 다이오드를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 몸체; 상기 몸체 상에 배치되며, 제1 리드 단자와 상기 제1 리드 단자와 극성이 반대인 제2 리드 단자로 구성된 리드 프레임; 적어도 하나 이상의 발광칩; 및 상기 몸체의 일부 영역을 노출시키며, 상기 발광칩을 둘러싸도록 상기 몸체 상에 형성된 반사기를 포함하며, 상기 제1 리드 단자는 상기 몸체의 제1 측면을 둘러싸며, 상호 이격되어 배치된 적어도 2개 이상의 제1 단자부; 상기 제1 단자부를 상호 연결하는 제1 연결부; 상기 발광칩이 실장되는 발광칩 실장부; 및 상기 발광칩 실장부를 상기 제1 단자부 또는 상기 제1 연결부에 연결시키는 단일의 제2 연결부를 포함하며, 상기 제2 리드 단자는 상기 몸체의 제1 측면에 대향되는 제2 측면을 둘러싸며, 상기 제1 리드 단자와 이격되어 배치되는 발광 다이오드가 제공된다.
상기 몸체의 노출된 영역에는 상기 제1 리드 단자의 발광칩 실장부와, 제2 연결부 및 상기 제2 리드 단자의 일부가 배치된다.
상기 제1 리드 단자는 상기 몸체의 제2 측면을 둘러싸며, 상기 제2 리드 단 자와 이격되어 배치된 적어도 1개 이상의 제2 단자부를 더 포함하며, 상기 제1 연결부는 상기 제1 단자부 및 상기 제2 단자부를 상호 연결하며, 상기 단일의 제2 연결부는 상기 발광칩 실장부를 상기 제1 단자부, 상기 제2 단자부 및 상기 제1 연결부 중 어느 하나와 연결시키는 것을 특징으로 한다.
상기 제2 리드 단자는 상호 이격되어 배치된 적어도 2개 이상의 제2 리드 단자를 포함하며, 상기 제2 리드 단자를 상호 연결하는 제3 연결부를 더 포함한다.
상기 제1 리드 단자의 제1 단자부와 제2 단자부 및 상기 제2 리드 단자 중 적어도 어느 하나에는 절개부가 형성된다.
상기 제1 리드 단자는 일체로 형성된다.
상기 제1 연결부 및 상기 제2 연결부는 상기 몸체의 상부면에 배치된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 개략 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드의 평면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 발광 다이오드를 Ⅰ-Ⅰ선에 따라 절단한 단면도이고, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 변형예이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 다이오드는 몸체(100), 제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(270)로 구성된 리드 프레임(200), 발광칩(300), 와이어(400), 반사기(500) 및 몰딩부(600)를 포함한다.
몸체(100) 상에는 제1 리드 단자(210) 및 제2 리드 단자(270)가 배치되며, 제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(270)는 극성이 서로 다른 단자로서, 상호 이격되게 배치된다.
제1 리드 단자(210)는 제1 단자부(220), 제2 단자부(230), 발광칩 실장부(240), 제1 연결부(250) 및 제2 연결부(260)를 포함한다.
제1 리드 단자(210)의 제1 단자부(220: 221, 222)는 몸체(100)의 제1 측면을 둘러싸도록 몸체의 일 측에 배치되며, 각 제1 단자부(221, 222)는 상호 이격되어 배치된다. 제1 단자부(221)는 몸체(100)의 상부면, 제1 측면 및 하부면 상에 절곡된 형태로 배치되며, 제1 단자부(222)는 제1 단자부(221)와 이격되어, 몸체(100)의 상부면, 제1 측면 및 하부면 상에 절곡된 형태로 배치된다. 본 실시예에서 제1 단자부의 개수는 2개이나, 제1 단자부의 개수가 이에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 가변될 수 있다.
제1 리드 단자(210)의 제2 단자부(230)와 제2 리드 단자(270)는 제1 단자부(220)가 배치된 몸체의 반대측면에 배치된다. 즉, 제1 리드 단자(210)의 제2 단자부(230)와 제2 리드 단자(270)는 몸체(100)의 제1 측면과 대향되는 제2 측면을 둘러싸도록 몸체의 타 측에 배치되고, 제2 단자부(230)와 제2 리드 단자(270)는 상호 이격되어 배치된다. 제2 단자부(230)와 제2 리드 단자(270)는 몸체(100)의 상부면, 제2 측면 및 하부면 상에 절곡된 형태로 배치된다.
제1 연결부(250)는 제1 단자부(221)와 제1 단자부(222)를 상호 연결시키도록 몸체(100)의 상부면 둘레 영역 상에 배치되며, 제1 단자부(222)와 이에 대향되게 배치된 제2 단자부(230)를 상호 연결시키도록 몸체(100)의 상부면 둘레 영역 상에 배치된다. 그 결과, 제1 리드 단자(210)의 제1 단자부(221, 222) 및 제2 단자부(230)는 상호 연결되어, 전체적으로 L자 형태로 배치된다.
발광칩 실장부(240)는 발광칩(300)이 실장되는 영역으로서, 몸체(100)의 중앙 영역에 배치되며, 제2 연결부(260)는 발광칩 실장부(240)와 제1 단자부(222)를 상호 연결시키도록 배치된다. 본 실시예의 경우, 제2 연결부(260)는 발광칩 실장부(240)와 제1 단자부(222)를 연결하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 연결부(260)는 발광칩 실장부(240)와 제1 단자부(221)를 연결하거나, 또는 발광칩 실장부(240)와 제2 단자부(230)를 연결할 수도 있다. 또한, 도 4에 도시된 제1 실시예의 변형예와 같이 제2 연결부(260)는 발광칩 실장부(240)와 제1 연결부(250)를 상호 연결시키도록 배치될 수도 있다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 제1 리드 단자(210)는 각 구성요소 즉, 제1 단자부(221, 222), 제2 단자부(230), 발광칩 실장부(240), 제1 연결부(250) 및 제2 연결부(260)는 상호 연결되며, 제1 리드 단자(210)는 일체로 형성될 수 있다.
발광칩(300)은 제1 리드 단자(210)의 발광칩 실장부(240) 상에 실장되며, 와이어(400)를 통하여 제2 리드 단자(270)와 전기적으로 연결된다.
발광칩(300)은 반도체 PN 접합 다이오드로서, P, N 반도체를 접합한 뒤, 전압을 가해주면, P형 반도체의 정공은 N형 반도체 쪽으로 가서 가운데층으로 모이며, 이와는 반대로 N형 반도체의 전자는 P형 반도체 쪽으로 가서 전도대(conduction band)의 가장 낮은 곳인 가운데층으로 모인다. 이 전자들은 가전 대(valence band)의 정공으로 자연스럽게 떨어지며, 이 때 전도대와 가전대의 높이 차이 즉, 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지가 빛의 형태로 방출된다. 이외에도 여러 가지 발광 방식의 발광칩을 사용할 수 있다. 또한, 발광칩(300)은 다양한 파장을 갖는 광을 방출시킬 수 있으며, 이를 위하여, 예를 들면 질화물계 발광 다이오드에서 활성층으로 사용되는 인듐(In) 함유량을 조절하거나, 서로 다른 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드를 조합하거나, 또는 자외선 등과 같은 소정 파장대의 광을 방출하는 발광칩과 형광체를 결합하여 사용할 수도 있다.
반사기(500)는 발광칩(300)을 둘러싸도록 몸체(100) 상에 형성되어, 몸체(100)의 중심 영역 즉, 발광칩(300) 실장 영역 부근(도 2의 'A', 이하에서는 노출 영역이라 함)은 노출되고, 몸체(100)의 나머지 영역은 반사기(500)에 의해서 가려진다.
몸체(100)의 노출 영역(A)에는 제1 리드 단자(210)의 발광칩 실장부(240)와, 제2 연결부(260) 및 제2 리드 단자(270)의 일부만을 배치하고, 제1 단자부(221, 222)와, 제2 단자부(230), 제1 연결부(250) 및 제2 리드 단자(270)의 나머지 부분은 노출 영역 이외의 영역에 배치함으로써, 몸체(100)의 노출 영역이 리드 프레임의 구성 요소에 의해서 가려지는 것을 최소화한다. 그 이유는, 이하의 몰딩부(600)가 몸체(100)와 접촉되는 면적을 최대화하여 결합력을 극대화시키기 위함이다.
몰딩부(600)는 반사기(500) 내에 형성되어, 발광칩(300)을 봉지한다. 이러한 몰딩부(600)로는 투명 수지 예를 들면, 액상 에폭시 수지나 실리콘 수지등과 같은 재료를 이용할 수 있다. 한편, 몰딩부(600) 내에는 발광칩(300)으로부터 방출된 광을 흡수하여 각각의 파장으로 광을 파장 전환시키는 형광체(미도시) 또는 광을 골고루 확산시키는 확산제(미도시)가 발광칩(300) 상부에 위치하도록 혼합될 수도 있다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 제1 단자부(221, 222)와 제2 단자부(230) 및 이들을 상호 연결시키는 제1 연결부(250)는 몸체(100) 상부면의 둘레 영역 상에 배치하고, 노출 영역 상에는 발광칩 실장부(240), 제2 연결부(260) 및 제2 리드 단자(270)의 일부만을 배치시키면, 몰딩부(600)와 몸체(100)의 접촉 면적이 넓어져서, 몰딩부(600)와 몸체(100) 간의 결합력이 극대화된다.
그리고, 발광칩(300)에서 발생된 열은 발광칩 실장부(240) 및 제2 연결부(260)를 거쳐서, 제1 연결부(250)에 의해 상호 연결된 제1 단자부(221, 222) 및 제2 단자부(230)로 전달되므로, 열 전달 경로가 다변화되어 방열 효과가 개선된다.
또한, 일반적으로 외부의 습기는 리드 프레임을 통하여 발광칩에 전달되는데, 발광칩에 전달될 수 있는 습기 침투 경로를 제2 연결부(260) 하나로 줄임으로써, 외부로부터의 습기가 발광칩에 침투되는 것을 최소화할 수 있게 된다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 발광 다이오드를 Ⅱ-Ⅱ선에 따라 절단한 단면도이다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드는 리드 프레임에 절개부가 형성된다는 점이 본 발명의 제1 실시예와 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바 이하에서는 상이한 구성 을 위주로 설명한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 발광 다이오드는 몸체(100), 제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(270)로 구성된 리드 프레임(200), 발광칩(300), 와이어(400), 반사기(500) 및 몰딩부(600)를 포함한다.
제1 리드 단자(210)는 제1 단자부(220), 제2 단자부(230), 발광칩 실장부(240), 제1 연결부(250) 및 제2 연결부(260)를 포함한다.
제1 리드 단자(210)의 제1 단자부(220: 221, 222)는 몸체(100)의 제1 측면을 둘러싸도록 몸체의 일 측에 배치되며, 각 제1 단자부(221, 222)는 상호 이격되어 배치된다. 제1 리드 단자(210)의 제2 단자부(230)와 제2 리드 단자(270)는 제1 단자부(220)가 배치된 몸체의 제1 측면의 반대측면인 제2 측면에 배치된다. 제1 연결부(250)는 제1 단자부(221)와 제1 단자부(222)를 상호 연결시키도록 몸체(100)의 상부면 둘레 영역 상에 배치되며, 제1 단자부(222)와 이에 대향되게 배치된 제2 단자부(230)를 상호 연결시키도록 몸체(100)의 상부면 둘레 영역 상에 배치된다.
제1 리드 단자(210)의 제1 단자부(221, 222)와 제2 단자부(230) 및 제2 리드 단자(270)의 소정 영역에는 각각 절개부(290)가 형성된다. 절개부(290)를 통하여 몸체(100)의 일부 영역이 노출되고, 몸체(100) 상부면에 반사기(500)가 배치된다. 그 결과, 반사기(500)와 몸체(100)의 접촉 면적은 절개부(290) 영역만큼 증가하기 때문에, 반사기(500)와 몸체(100) 간의 결합력은 더욱 증대되어 반사기(500)가 몸체(100) 상에 더욱 견고히 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도이다. 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드는 발광칩을 복수개 포함한다는 점이 상기 제1 실시예와 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바 이하에서는 상이한 구성을 위주로 설명한다.
도 7을 참조하면, 발광 다이오드는 몸체(100), 제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(270)로 구성된 리드 프레임(200), 복수의 발광칩(300), 복수의 와이어(400), 반사기(500) 및 몰딩부(600)를 포함한다.
복수의 발광칩(300)(본 실시예의 경우 3개)은 제1 리드 단자(210)의 발광칩 실장부(240) 상에 실장되며, 복수의 와이어(400)(본 실시예의 경우 3개)를 통하여 각각 제2 리드 단자(270)와 전기적으로 연결된다. 이때, 복수의 발광칩은 동일한 색의 광을 발광하는 발광칩일 수도 있으며, 이와는 달리 각기 다른 색의 광을 발광하는(예를 들면, 적색, 녹색 및 청색)하는 발광칩일 수도 있다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도이다. 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드는 제1 리드 단자의 제1 및 제2 단자부의 개수가 상기 실시예들과 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바 이하에서는 상이한 구성을 위주로 설명한다.
도 8을 참조하면, 제1 리드 단자(210)는 제1 단자부(220), 제2 단자부(230), 발광칩 실장부(240), 제1 연결부(250) 및 제2 연결부(260)를 포함한다.
제1 리드 단자(210)의 제1 단자부(220: 221, 222, 223)는 몸체(100)의 제1 측면을 둘러싸도록 몸체의 일 측에 배치되며, 각 제1 단자부(221, 222, 223)는 상호 이격되어 배치된다. 제1 리드 단자(210)의 제2 단자부(230: 231, 232)와 제2 리드 단자(270)는 제1 단자부(220)가 배치된 몸체의 제1 측면의 반대측면인 제2 측면에 배치된다. 즉, 제2 단자부(231)는 제1 단자부(221)와 대향되게 배치되고, 제2 리드 단자(270)는 제1 단자부(222)와 대향되게 배치되고, 제2 단자부(232)는 제1 단자부(223)와 대향되게 배치된다. 그러나, 몸체의 제2 측면에 배치된 제2 단자부와 제2 리드 단자의 순서는 이에 한정되는 것은 아니고, 변화될 수 있다.
제1 연결부(250)는 제1 단자부(221, 222, 223)를 상호 연결시키도록 몸체(100)의 상부면 둘레 영역 상에 배치되며, 또한 제1 단자부(221)와 이에 대향되게 배치된 제2 단자부(231)를 상호 연결시키고, 제1 단자부(223)와 이에 대향되게 배치된 제2 단자부(232)를 상호 연결시키도록 몸체(100)의 상부면 둘레 영역 상에 배치된다. 발광칩 실장부(240)는 제2 연결부(260)에 의해서 제1 단자부(222)와 연결된다.
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도이다. 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드는 제1 및 제2 리드 단자의 개수가 상기 실시예들과 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바 이하에서는 상이한 구성을 위주로 설명한다
도 9를 참조하면, 제1 리드 단자(210)는 제1 단자부(220), 제2 단자부(230), 발광칩 실장부(240), 제1 연결부(250) 및 제2 연결부(260)를 포함한다.
제1 리드 단자(210)의 제1 단자부(220: 221, 222, 223)는 몸체(100)의 제1 측면을 둘러싸도록 몸체의 일 측에 배치되며, 각 제1 단자부(221, 222, 223)는 상호 이격되어 배치된다. 제2 리드 단자(270: 271, 272, 273)는 제1 단자부(220)가 배치된 몸체의 제1 측면의 반대 측면인 제2 측면에 배치된다.
제1 연결부(250)는 제1 단자부(221, 222, 223)를 상호 연결시키도록 몸체(100)의 상부면 둘레 영역 상에 배치되며, 제3 연결부(280)는 제2 리드 단자(271, 272, 273)를 상호 연결시키도록 상부면 둘레 영역 상에 배치된다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 예시적인 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
전술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 발광칩에서 방출되는 열의 전달 경로를 다변화하여 방열 효율을 증대시킬 수 있게 된다.
또한, 발광칩이 실장되는 발광칩 실장부와 리드 단자를 연결하는 연결부의 구조를 단순화함으로써, 발광칩에 습기가 침투되는 경로를 최소화하여 발광칩이 습기에 노출되는 것을 방지할 수 있게 된다.
반사기를 통하여 노출되는 몸체의 영역 상에 배치되는 리드 프레임의 면적을 최소화함으로써, 몸체와 몰딩부 간의 결합력은 극대화할 수 있게 된다.
Claims (9)
- 몸체;상기 몸체에 상호 이격되어 배치되는 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자를 포함하는 리드 프레임; 및적어도 하나 이상의 발광칩을 포함하며,상기 제1 리드 단자는,상기 몸체의 제1 측면 방향으로 연장 형성되며, 상호 이격되어 배치된 적어도 2개 이상의 제1 단자부;상기 몸체의 제2 측면 방향으로 연장 형성되는 적어도 1개 이상의 제2 단자부;상기 제1 단자부 및 상기 제2 단자부를 상호 연결하는 제1 연결부;상기 발광칩이 실장되는 발광칩 실장부; 및상기 발광칩 실장부를 상기 제1 단자부, 제2 단자부 및 상기 제1 연결부 중 어느 하나와 연결시키는 제2 연결부를 포함하며,상기 제2 리드 단자는 상기 몸체의 제1 측면에 대향되는 제2 측면 방향으로 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 제2 리드 단자는 상호 이격되어 배치된 적어도 2개 이상의 제2 리드 단자를 포함하며,상기 제2 리드 단자를 상호 연결하는 제3 연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자 중 적어도 어느 하나에는 절개부가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제4항에 있어서,상기 제1 리드 단자의 제1 단자부와 제2 단자부 중 적어도 어느 하나에는 절개부가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제1항, 및 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 리드 단자는 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제1항, 및 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 연결부 및 상기 제2 연결부는 상기 몸체의 상부면에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 몸체의 일부 영역을 노출시키며, 상기 발광칩을 둘러싸도록 상기 몸체 상에 형성된 반사기를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
- 제8항에 있어서,상기 몸체의 노출된 영역에는 상기 발광칩 실장부와, 제2 연결부 및 상기 제2 리드 단자의 일부가 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070030816A KR101274043B1 (ko) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 발광 다이오드 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070030816A KR101274043B1 (ko) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 발광 다이오드 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080088203A KR20080088203A (ko) | 2008-10-02 |
KR101274043B1 true KR101274043B1 (ko) | 2013-06-12 |
Family
ID=40150519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070030816A KR101274043B1 (ko) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 발광 다이오드 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101274043B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8610156B2 (en) | 2009-03-10 | 2013-12-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
KR20150144145A (ko) * | 2014-06-16 | 2015-12-24 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223082A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードチップ |
KR20060046473A (ko) * | 2004-06-21 | 2006-05-17 | 시티즌 덴시 가부시키가이샤 | 발광 다이오드 |
-
2007
- 2007-03-29 KR KR1020070030816A patent/KR101274043B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223082A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードチップ |
KR20060046473A (ko) * | 2004-06-21 | 2006-05-17 | 시티즌 덴시 가부시키가이샤 | 발광 다이오드 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080088203A (ko) | 2008-10-02 |
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