KR101273635B1 - Chuck Structure Assembly and Device for Processing Semiconductor Substrate Using the Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 종래의 리프트 핀 대신 개선된 가이드 링을 이용하여 반도체 기판을 척에 로딩하도록 하는 척 구조체 및 이를 이용한 반도체 기판 처리 장치에 대한 것이다.
본 발명은, 척과 상기 척을 지지하는 메인 바디를 포함하는 척 구조체에 있어서, 상기 척의 외주연에 장착되며 이동 가이드부 장착부가 형성된 고정 가이드 링; 상기 이동 가이드부 장착부에 위치하며 상하 구동되는 이동 가이드부; 및 상기 이동 가이드부를 상하 구동시키는 구동 핀을 포함하는 척 구조체를 제공한다. 또한 본 발명은 상기 척 구조체를 이용한 반도체 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention relates to a chuck structure for loading a semiconductor substrate onto a chuck using an improved guide ring instead of a conventional lift pin, and a semiconductor substrate processing apparatus using the chuck structure.
The present invention provides a chuck structure including a chuck and a main body for supporting the chuck, the chuck structure comprising: a stationary guide ring mounted on an outer periphery of the chuck and having a movement guide attachment portion; A movement guide unit positioned in the movement guide unit mounting part and driven up and down; And a drive pin for vertically driving the movement guide unit. The present invention also provides a semiconductor substrate processing apparatus using the chuck structure.

Description

척 구조체 및 이를 이용한 반도체 기판 처리 장치 {Chuck Structure Assembly and Device for Processing Semiconductor Substrate Using the Same}[0001] The present invention relates to a chuck structure and a semiconductor substrate processing apparatus using the chuck structure.

본 발명은 척 구조체 및 이를 이용한 반도체 기판 처리 장치에 대한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 종래의 리프트 핀 대신 개선된 가이드 링을 이용하여 반도체 기판을 척에 로딩하도록 하는 척 구조체 및 이를 이용한 반도체 기판 처리 장치에 대한 것이다. The present invention relates to a chuck structure and a semiconductor substrate processing apparatus using the chuck structure. More particularly, the present invention relates to a chuck structure for loading a semiconductor substrate onto a chuck using an improved guide ring instead of a conventional lift pin, and a semiconductor substrate processing apparatus using the chuck structure.

반도체 제조 공정에 있어서는 반도체 기판에 대한 증착이나 식각 공정 등을 통해 원하는 적층 구조 또는 패턴이 반도체 기판 상에 형성된다. 기판 상에 박막을 형성하거나 원하는 패턴으로 가공하기 위한 방법의 일례로서 플라즈마(Plasma)가 이용된다. 플라즈마를 이용한 기판 처리의 대표적인 예로서, 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition : PECVD) 공정과 플라즈마 식각(Plasma Etching) 공정을 들 수 있다. In a semiconductor manufacturing process, a desired lamination structure or pattern is formed on a semiconductor substrate through deposition, etching, or the like on a semiconductor substrate. Plasma is used as an example of a method for forming a thin film on a substrate or for processing into a desired pattern. Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) and Plasma Etching processes are typical examples of the substrate processing using plasma.

플라즈마 처리 장치는 플라즈마를 발생시키는 방법에 따라 용량결합형 플라즈마(Capacitive Coupled Plasma : CCP) 타입과 유도결합형 플라즈마(Inductive Coupled Plasma : ICP) 타입으로 구분할 수 있다. CCP 타입 플라즈마 처리 장치의 경우에는 플라즈마를 형성하기 위하여 반응 챔버의 상부에 상부 전극이 구비되고, 기판 또는 기판 트레이가 올려지는 척(chuck)의 하부에 하부 전극이 구비된다. 반면, ICP 타입 플라즈마 처리 장치의 경우에는 반응 챔버의 상부 또는 상부 둘레에 유도 코일이 구비되고, 척의 하부에 하부 전극이 구비된다. CCP 타입 및 ICP 타입 플라즈마 처리 장치는 상기 상부 전극과 하부 전극 또는 상기 유도 코일과 하부 전극에 RF 또는 DC 전원을 공급하여 반응 챔버 내에 플라즈마를 생성시킨다.The plasma processing apparatus can be divided into a capacitive coupled plasma (CCP) type and an inductively coupled plasma (ICP) type according to a method of generating a plasma. In the case of the CCP type plasma processing apparatus, the upper electrode is provided on the upper part of the reaction chamber to form the plasma, and the lower electrode is provided on the lower part of the chuck where the substrate or the substrate tray is lifted. On the other hand, in the case of an ICP type plasma processing apparatus, an induction coil is provided on the upper or upper part of the reaction chamber, and a lower electrode is provided on the lower part of the chuck. The CCP type and ICP type plasma processing apparatus supply RF or DC power to the upper electrode and the lower electrode or the induction coil and the lower electrode to generate a plasma in the reaction chamber.

플라즈마 처리 장치는 상기한 바와 같은 반응 챔버와, 반응 챔버로 단일 기판 또는 다수의 기판을 적재한 기판 트레이를 전달하는 트랜스퍼 챔버(transfer chamber) 또는 로드락 챔버(loadlock chamber)를 추가로 구비한다. 다수의 반응 챔버를 포함하는 클러스터 타입의 플라즈마 처리 장치의 경우에는 로드락 챔버와 트랜스퍼 챔버를 구비하여 로드락 챔버에서 진공 처리된 기판 또는 기판 트레이가 트랜스퍼 챔버를 거쳐 반응 챔버로 전달된다. 반면 단일의 반응 챔버를 구비하는 경우에는 트랜스퍼 챔버를 구비하지 않고 로드락 챔버에서 반응 챔버로 기판 또는 기판 트레이가 바로 전달된다. The plasma processing apparatus further includes a transfer chamber or a load lock chamber for transferring a substrate tray loaded with a single substrate or a plurality of substrates into the reaction chamber and the reaction chamber as described above. In the case of a cluster type plasma processing apparatus including a plurality of reaction chambers, a substrate or a substrate tray that has been vacuum-processed in the load lock chamber is transferred to the reaction chamber through the transfer chamber with a load lock chamber and a transfer chamber. On the other hand, when a single reaction chamber is provided, the substrate or the substrate tray is directly transferred from the load lock chamber to the reaction chamber without the transfer chamber.

트랜스퍼 챔버 또는 로드락 챔버와 반응 챔버간에 기판 또는 기판 트레이의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading) 과정에 있어서, 이송 암이 반응 챔버의 내부로 진입한다. 이때 척을 관통하여 상하 구동되는 복수의 리프트 핀(lift pin)이 상승하여 기판 또는 기판 트레이를 지지한 후 리프트 핀이 하강함으로써 기판 또는 기판 트레이가 척의 상부에 로딩된다. During the loading and unloading of the substrate or substrate tray between the transfer chamber or the load lock chamber and the reaction chamber, the transfer arm enters the interior of the reaction chamber. At this time, a plurality of lift pins driven up and down through the chuck are lifted to support the substrate or the substrate tray, and then the lift pins are lowered so that the substrate or the substrate tray is loaded on the chuck.

한편, 화학기상증착 장치의 경우 기판에 증착되는 막질을 향상시키기 위해 척 하부에는 척을 가열하기 위한 가열 부재가 구비된다. 통상적으로 낮은 압력 분위기에서 진행되는 공정 특성상 척과 가열 부재간의 열전달은 대부분은 전도에 의해 이루어진다. 특히 LED 칩 공정에서 사용되는 사파이어 기판과 같이 열 전달에 취약한 재질의 기판에서는 척 표면의 온도 분포가 기판의 온도 분포에 직접적인 영향을 미친다. On the other hand, in the case of the chemical vapor deposition apparatus, a heating member for heating the chuck is provided under the chuck in order to improve the film quality deposited on the substrate. Typically, the heat transfer between the chuck and the heating element is carried out by conduction in the low pressure atmosphere. In particular, the temperature distribution on the chuck surface has a direct influence on the temperature distribution of the substrate in a substrate which is poor in heat transfer, such as a sapphire substrate used in an LED chip process.

리프트 핀을 이용한 로딩 방식에 있어서는 척에 리프트 핀을 위한 관통공이 구비되어야 하고 그에 따라 가열 부재 내의 열선과 같은 가열 소자는 관통공을 피하여 구비된다. 이에 따라 척에 형성된 관통공 주변에서는 열전달이 원활하지 않아 기판의 고른 온도 분포 형성을 저해하는 문제점이 존재한다. 더욱이, 기판 또는 기판 트레이를 척에 안착시킨 후 리프트 핀은 척의 상부 표면 하부로 하강하게 되는데 세라믹과 같은 재질로 이루어진 리프트 핀은 그 재질 특성상 열전달 효율이 낮아 리프트 핀 주위에서의 온도 차이를 더 심화시킨다. In the loading method using a lift pin, a through hole for a lift pin must be provided on the chuck, and a heating element such as a heating wire in the heating member is provided to avoid the through hole. Accordingly, there is a problem that the heat transfer is not smooth around the through hole formed in the chuck, thereby hindering uniform temperature distribution of the substrate. Further, after the substrate or the substrate tray is placed on the chuck, the lift pins are lowered to the lower surface of the chuck. The lift pins made of a material such as ceramics have lower heat transfer efficiency due to their material properties, .

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 척의 온도 분포를 개선하는 것이 가능한 척 구조체 및 이를 이용한 반도체 기판 처리 장치를 제공함을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a chuck structure capable of improving the temperature distribution of a chuck and a semiconductor substrate processing apparatus using the chuck structure.

본 발명은, 척과 상기 척을 지지하는 메인 바디를 포함하는 척 구조체에 있어서, 상기 척의 외주연에 장착되며 이동 가이드부 장착부가 형성된 고정 가이드 링; 상기 이동 가이드부 장착부에 위치하며 상하 구동되는 이동 가이드부; 및 상기 이동 가이드부을 상하 구동시키는 구동 핀을 포함하는 척 구조체를 제공한다. The present invention provides a chuck structure including a chuck and a main body for supporting the chuck, the chuck structure comprising: a stationary guide ring mounted on an outer periphery of the chuck and having a movement guide attachment portion; A movement guide unit positioned in the movement guide unit mounting part and driven up and down; And a drive pin for vertically driving the movement guide unit.

상기 고정 가이드 링의 상기 이동 가이드부 장착부는 상부 일단을 커팅한 형태로 대향하는 한 쌍으로 구비될 수 있다. 그러나, 상기 이동 가이드부 장착부는 고정 포거스 링의 상부에서 하부로 연장되어 구비되어 상기 고정 가이드 링을 두 부분으로 분할하도록 형성되는 것도 가능하다. The movement guide portion attachment portion of the fixed guide ring may be provided as a pair of opposite upper and lower ends. However, the movement guide portion attachment portion may be formed to extend downward from the upper portion of the fixed foamer ring to divide the fixed guide ring into two portions.

한편, 상기 이동 가이드부는 적어도 두 개가 구비되며, 이동 가이드부 연결링에 의해 상호 연결됨으로써 구동 핀에 의해 이동 가이드부가 상하 구동될 때 이동 가이드부들의 작동이 일치되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 이동 가이드부 연결링은 그 내측으로 상기 고정 가이드 링이 통과가능하도록 형성됨으로써 이동 가이드부 연결링이 하강될 때 고정 가이드 링에 의한 방해를 배제하는 것이 바람직하다. At least two movement guide portions are provided, and when the movement guide portion is driven up and down by the drive pin, the operation of the movement guide portions is matched by being mutually connected by the movement guide portion connection ring. In addition, it is preferable that the movement guide portion connecting ring is formed so that the fixed guide ring can pass through the inside of the movement guide portion connecting ring, thereby preventing disturbance by the fixed guide ring when the moving guide portion connecting ring is lowered.

바람직하게는, 상기 이동 가이드부에는 기판을 안착시키는 정렬 홈이 구비된다. 정렬 홈은 기판 또는 기판 조립체의 외경 곡률에 대응하여 형성됨이 바람직하다. 또한, 정렬 홈은 상기 정렬 홈은 기판이 안착되는 위치로 외측에서 내측으로 경사지도록 형성됨으로써 기판이 이동 가이드부의 상부에 올려질 때 정렬 홈의 경사에 의해 자동적으로 정렬되도록 함이 바람직하다. Preferably, the movement guide portion is provided with an alignment groove for seating the substrate. It is preferable that the alignment grooves are formed corresponding to the outer diameter curvature of the substrate or the substrate assembly. In addition, the alignment grooves are preferably formed such that the alignment grooves are sloped from the outside to the inside where the substrates are seated, so that the substrates are automatically aligned by the inclination of the alignment grooves when the substrates are raised on the movement guide portion.

일 실시예에 있어서, 상기 척 구조체는 상기 메인 바디의 내측에 구비되며 상기 구동 핀을 상하 구동시키는 공압 구동부를 추가로 포함한다. 공압 구동부는 공압에 의해 구동핀 연결바를 구동함으로써, 구동핀 연결부에 의해 지지되는 구동 핀을 상하 구동시킨다. In one embodiment, the chuck structure further includes a pneumatic driving part provided inside the main body and driving the driving pin up and down. The pneumatic drive unit drives the drive pin connection bar by pneumatic pressure to drive the drive pin supported by the drive pin connection unit up and down.

상기 이동 가이드부의 상부에는 클램프 링이 구비될 수 있으며, 이 경우 상기 클램프 링은 스페이서를 구비하고 상기 스페이서가 상기 이동 가이드부의 상부에 결합한다. A clamp ring may be provided on the upper portion of the movement guide portion. In this case, the clamp ring has a spacer, and the spacer engages with the upper portion of the movement guide portion.

또한, 상기 이동 가이드부 연결링의 외측에 가압 링이 결합됨으로써 클램프 링이 기판을 확실히 가압하도록 할 수 있다. 이 경우, 상기 이동 가이드부 연결링에는 가압링 장착홈이 구비되고, 상기 가압 링에는 상기 가압링 장착홈에 대응하는 장착 돌기가 구비되어 가압 링이 상기 이동 가이드부 연결링에 결합될 수 있다. Further, the pressing ring is coupled to the outside of the moving guide portion connecting ring, so that the clamp ring can reliably press the substrate. In this case, the movement guide portion connecting ring is provided with a presser ring mounting groove, and the presser ring is provided with a mounting protrusion corresponding to the presser ring mounting groove, so that the presser ring can be coupled to the movement guide portion connecting ring.

본 발명은 또한, 반응 챔버; 및 이상에서 설명된 척 구조체를 포함하는 반도체 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention also relates to a method of manufacturing a semiconductor device, And a chuck structure as described above.

일 실시예에 있어서, 상기 척 구조체는 캔틸레버 척 방식으로 상기 반응 챔버 내에서 지지될 수 있다.In one embodiment, the chuck structure may be supported in the reaction chamber in a cantilever chuck manner.

본 발명에 따르면, 종래 척에 구비되어 기판의 로딩 및 언로딩을 수행하는 리프트 핀을 구비하지 않아도 됨에 따라 척에서의 불균일한 온도 구배 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, there is no need to provide a lift pin that is provided in a conventional chuck and performs loading and unloading of a substrate, thereby preventing an uneven temperature gradient in the chuck.

또한 한 쌍의 이동 가이드부가 기판을 지지하게 되어 기판을 보다 안정적으로 지지할 수 있다. 더불어 이동 가이드부에 구비된 정렬 홈은 기판의 위치를 자동 정렬한 후 척에 안착될 수 있도록 하는 효과가 있다. Further, since the pair of movement guide parts support the substrate, the substrate can be more stably supported. In addition, the alignment grooves provided in the movement guide unit have an effect that the position of the substrate can be automatically aligned and can be seated on the chuck.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 구성도,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치에 있어서 척 구조체의 분해 사시도,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치에 있어서 척 구조체의 결합 사시도,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치에 있어서 척 구조체의 단면도,
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 척 구조체를 이용하여 기판을 로딩하는 방식을 도시한 도면,
도 6은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 척 구조체의 분해 사시도,
도 7은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 척 구조체의 결합 사시도,
도 8은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 척 구조체의 단면도,
도 9는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 척 구조체를 이용하여 기판을 로딩하는 방식을 도시한 도면이다. 1 is a configuration diagram of a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention,
2 is an exploded perspective view of a chuck structure in a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention,
3 is a perspective view of a chuck structure in a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention,
4 is a cross-sectional view of a chuck structure in a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention,
5 is a view illustrating a method of loading a substrate using a chuck structure of a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention,
6 is an exploded perspective view of a chuck structure of a semiconductor substrate processing apparatus according to another preferred embodiment of the present invention,
7 is a perspective view of a chuck structure of a semiconductor substrate processing apparatus according to another preferred embodiment of the present invention,
8 is a sectional view of a chuck structure of a semiconductor substrate processing apparatus according to another preferred embodiment of the present invention,
9 is a view illustrating a method of loading a substrate using a chuck structure of a semiconductor substrate processing apparatus according to another preferred embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 구성도이다. 1 is a configuration diagram of a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치(1)는, 반응 챔버(3)와, 상기 반응 챔버(3) 내에 구비되는 척 구조체(10)를 포함한다. 도 1에 도시된 반도체 기판 처리 장치(1)의 경우 ICP 방식으로 플라즈마를 발생시키기 위하여 유도 코일(5)이 반응 챔버(3)의 상부에 구비되는 것으로 도시하였다. 그러나 본 발명에 있어서 반도체 기판 처리 장치(1)는 ICP 방식의 플라즈마 처리 장치에 한정되는 것은 아니며 CCP 방식의 플라즈마 처리 장치일 수도 있다. CCP 방식의 반도체 기판 처리 장치의 경우 반응 챔버(1)에 유도 코일(5)이 구비되지 않고 CCP 방식으로 플라즈마를 발생시키기 위한 상부 전극이 반응 챔버(3)의 상부에 구비된다. 또한, 플라즈마를 사용하지 않는 다른 형태의 반도체 기판 처리 장치의 경우에도 본 발명의 기술 사상을 벗어나지 않는 한 본 발명의 보호범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다. A semiconductor substrate processing apparatus 1 according to a preferred embodiment of the present invention includes a reaction chamber 3 and a chuck structure 10 provided in the reaction chamber 3. In the case of the semiconductor substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 1, an induction coil 5 is shown on the upper part of the reaction chamber 3 for generating plasma by the ICP method. However, the semiconductor substrate processing apparatus 1 in the present invention is not limited to the ICP-type plasma processing apparatus, and may be a CCP-type plasma processing apparatus. In the case of the CCP type semiconductor substrate processing apparatus, an upper electrode for generating plasma by the CCP method is provided in the upper part of the reaction chamber 3 without the induction coil 5 in the reaction chamber 1. [ It should be understood that other types of semiconductor substrate processing apparatuses that do not use plasma are also within the scope of the present invention unless they depart from the technical spirit of the present invention.

도 1에 도시된 반도체 기판 처리 장치(1)의 경우 척 구조체(10)는 반응 챔버(3)의 측벽에 형성된 개구부를 통해 모듈러 마운팅 배열(7)에 의해 이동가능하도록 캔틸레버 척(cantilever chuck) 방식으로 지지될 수 있다. 캔틸레버 척 방식의 경우 반응 챔버(3) 내에서 공정 가스의 흐름이 전체적으로 대칭으로 유지될 수 있는 장점이 있다. 그러나, 본 발명의 실시에 있어서 척 구조체(10)는 캔틸레버 척 방식으로 지지되는 것 이외에도 반응 챔버(3)의 하부로부터 스템(stem) 방식으로 지지되는 것도 가능함은 물론이다. In the case of the semiconductor substrate processing apparatus 1 shown in Fig. 1, the chuck structure 10 is arranged in a cantilever chuck manner so as to be movable by a modular mounting arrangement 7 through an opening formed in the side wall of the reaction chamber 3. [ Lt; / RTI > In the case of the cantilever chuck system, the flow of the process gas in the reaction chamber 3 can be maintained symmetrically as a whole. However, in the practice of the present invention, the chuck structure 10 may be supported from the bottom of the reaction chamber 3 in a stem manner in addition to being supported in the cantilever chuck manner.

척 구조체(10)의 상부에는 기판 또는 기판 조립체(W, 이하 '기판'으로 칭함)가 로딩된다. 본 발명에 있어서 척 구조체(10)는 리프트 핀을 구비하지 않고 기판(W)이 척 구조체(10)의 척에 안착되도록 한다. A substrate or a substrate assembly (W) is loaded on top of the chuck structure 10. In the present invention, the chuck structure 10 allows the substrate W to be seated on the chuck of the chuck structure 10 without a lift pin.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치에 있어서 척 구조체의 분해 사시도이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치에 있어서 척 구조체의 결합 사시도이며, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치에 있어서 척 구조체의 단면도이다.FIG. 2 is an exploded perspective view of a chuck structure in a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 3 is an assembled perspective view of a chuck structure in a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, Sectional view of a chuck structure in a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 척 구조체(10)는, 메인 바디(12)와, 메인 바디의 상부에 구비되는 척(14)과, 척의 외측에 고정되는 고정 가이드 링(20), 및 고정 가이드 링(20)의 이동 가이드부 장착부(22a, 22b)에서 상하로 구동되는 이동 가이드부(32a, 32b)를 포함한다. The chuck structure 10 of the semiconductor substrate processing apparatus according to the preferred embodiment of the present invention includes a main body 12, a chuck 14 provided on the main body, a fixed guide ring 20 And movement guide portions 32a and 32b which are vertically driven by the movement guide portion mounting portions 22a and 22b of the fixed guide ring 20. [

메인 바디(12)는 척(14)을 지지하는 기능을 수행한다. 메인 바디(12)는 캔틸레버 척 방식의 경우 도 1에 도시된 바와 같이 모듈러 마운팅 배열(7)에 결합된다. 스템 방식으로 척(14)이 지지되는 경우 메인 바디(12)는 척(14)의 하부면을 지지하는 벨로우즈(bellows) 형태의 지지 부재일 수 있다. The main body 12 functions to support the chuck 14. The main body 12 is coupled to the modular mounting arrangement 7 as shown in FIG. 1 for the cantilever chuck system. The main body 12 may be a bellows type supporting member for supporting the lower surface of the chuck 14 when the chuck 14 is supported in a stem manner.

도 4를 참조하면, 척(14)은 메인 바디(12)에 의해 지지되며, 척(14)의 내부에는 가열 소자(46)가 구비된다. 한편, 도시되지 않았으나 척(14)의 하부에 가열 소자(46)와 더불어 척(14)의 온도 조절을 위한 냉각 소자가 구비될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 냉각 소자는 냉각수가 내부를 순환하는 디스크 형태로 이루어질 수 있다. 메인 바디(12)에 척(14)을 결합시킴에 있어서 메인 바디(12)와 척(14) 간의 전기적 절연을 위하여 분리 링(isolation ring, 48)이 메인 바디(12)와 척(14) 사이에 구비된다. Referring to FIG. 4, the chuck 14 is supported by the main body 12, and a heating element 46 is provided inside the chuck 14. As shown in FIG. On the other hand, although not shown, a cooling element for controlling the temperature of the chuck 14, in addition to the heating element 46, may be provided at the lower portion of the chuck 14. [ In one embodiment, the cooling element may be in the form of a disk in which cooling water circulates internally. An isolation ring 48 is provided between the main body 12 and the chuck 14 for electrical insulation between the main body 12 and the chuck 14 in coupling the chuck 14 to the main body 12. [ Respectively.

고정 가이드 링(20)은 척(14)의 외주연에 장착된다. 고정 가이드 링(20) 및 이후에서 상세히 설명하는 이동 가이드부(32a, 32b)는 세라믹 재질로 구성될 수 있다. 또한, 고정 가이드 링(20)은 일종의 포커스 링(focus ring)으로 기능하도록 설계될 수 있다. 일반적으로 포커스 링은 플라즈마 방식의 반도체 기판 처리 장치에 있어서 플라즈마로 인한 척(14)의 손상을 방지하고 플라즈마가 웨이퍼(W)에 집중되도록 한다. The stationary guide ring (20) is mounted on the outer periphery of the chuck (14). The fixed guide ring 20 and the movement guide portions 32a and 32b, which will be described later in detail, may be made of a ceramic material. Further, the fixed guide ring 20 can be designed to function as a kind of focus ring. Generally, the focus ring prevents damage to the chuck 14 due to plasma in a plasma-enhanced semiconductor substrate processing apparatus and allows the plasma to be concentrated on the wafer W.

고정 가이드 링(20)에는 상부 일단을 수직으로 절단한 이동 가이드부 장착부(22a, 22b)가 구비된다. 이동 가이드부 장착부(22a, 22b)는 고정 가이드 링(20)에서 마주보는 대향부에 형성되는 것이 바람직하다. 한편, 도 2에 도시된 바에 따르면, 고정 가이드 링(20)의 이동 가이드부 장착부(22a, 22b)는 고정 가이드 링(20)의 상부 일단을 커팅한 형태로 구성되었다. 그러나, 본 발명의 실시에 있어서 상기 이동 가이드부 장착부(22a, 22b)는 고정 가이드 링(20)의 일단을 상하로 완전히 커팅한 상태로 구비되는 것도 가능하다. 이러한 경우에는 고정 가이드 링(20)은 연결된 링 형태가 아니라 이동 가이드부(32a, 32b)의 설치 위치에서 분단된 형태로 구성된다. The fixed guide ring 20 is provided with movement guide portion mounting portions 22a and 22b vertically cutting the upper end thereof. It is preferable that the movement guide portion mounting portions 22a and 22b are formed in opposing portions facing each other in the fixed guide ring 20. [ 2, the moving guide mounting portions 22a and 22b of the fixed guide ring 20 are formed by cutting the upper end of the fixed guide ring 20 at one end. However, in the practice of the present invention, the movement guide portion mounting portions 22a and 22b may be provided with one end of the fixed guide ring 20 completely cut vertically. In this case, the fixed guide ring 20 is not in the form of a connected ring, but is formed in a state of being divided at the installation position of the movement guide portions 32a and 32b.

이동 가이드부(32a, 32b)는 고정 가이드 링(20)에 형성된 이동 가이드부 장착부(22a, 22b)에서 상하 구동된다. 이동 가이드부(32a, 32b)는 기판(W)이 척 구조체(10)의 상부로 이송 암에 의해 이송되는 경우 기판(W)을 이송 암으로부터 넘겨 받아 척(14)에 로딩시킨다. 또한 이동 가이드부(32a, 32b)는 기판(W)을 척(14)으로부터 언로딩시키는 경우, 기판(W)을 척(14)의 상부로 상승시켜 이송 암에 건네 주는 기능을 수행한다.The movement guide portions 32a and 32b are vertically driven by the movement guide portion mounting portions 22a and 22b formed on the fixed guide ring 20. [ When the substrate W is transferred to the upper portion of the chuck structure 10 by the transfer arm, the movement guide portions 32a and 32b take the substrate W from the transfer arm and load it onto the chuck 14. [ When the substrate W is unloaded from the chuck 14, the movement guide portions 32a and 32b perform a function of raising the substrate W to the upper portion of the chuck 14 and transferring the substrate W to the transfer arm.

이동 가이드부(32a, 32b)를 복수 개 구비하는 경우, 각각의 이동 가이드부(32a, 32b)의 작동을 일치시키기 이동 가이드부 연결링(30)이 구비되는 것이 바람직하다. 각각의 이동 가이드부(32a, 32b)는 대응되는 구동 핀(16a, 16b)에 의해 구동된다. 구동 핀(16a, 16b)의 말단이 이동 가이드부(32a, 32b)에 용접 등의 방법으로 고정된다면, 이동 가이드부(32a, 32b)는 구동 핀(16a, 16b)에 의해 지지될 수 있다. 그러나, 복수의 이동 가이드부(32a, 32b)를 보다 확실히 지지하면서 이동 가이드부(32a, 32b)의 작동을 일치시키기 위하여 이동 가이드부(32a, 32b)는 이동 가이드부 연결링(30)에 고정되는 것이 바람직할 수 있다. 일 실시예에 있어서 이동 가이드부 연결링(30)에는 이동 가이드부 고정홀(36)이 구비되고 이동 가이드부(32a, 32b)에는 관통홀(38)을 구비하여 볼트나 나사 등을 이용하여 이동 가이드부(32a, 32b)를 이동 가이드부 연결링(30)에 고정한다. 이동 가이드부 연결링(30)은 그 내측으로 고정 가이드 링(20)이 통과될 수 있도록 형성된다. When a plurality of the movement guide portions 32a and 32b are provided, it is preferable that the movement guide portion connecting ring 30 is provided to coincide the operation of the movement guide portions 32a and 32b. Each of the movement guide portions 32a and 32b is driven by corresponding drive pins 16a and 16b. The movement guide portions 32a and 32b can be supported by the drive pins 16a and 16b if the ends of the drive pins 16a and 16b are fixed to the movement guide portions 32a and 32b by welding or the like. However, the movement guide portions 32a and 32b are fixed to the movement guide portion connecting ring 30 in order to more reliably support the plurality of movement guide portions 32a and 32b while matching the operation of the movement guide portions 32a and 32b May be desirable. In one embodiment, the movement guide portion connecting ring 30 is provided with a movement guide portion fixing hole 36 and the movement guide portions 32a and 32b are provided with a through hole 38 and are moved And the guide portions 32a and 32b are fixed to the movement guide portion connecting ring 30. The moving guide portion connecting ring 30 is formed so that the fixed guide ring 20 can pass through the inside thereof.

한편, 기판(W)이 이동 가이드부(32a, 32b)에 올려질 때 기판(W)의 위치가 이동 가이드부(32a, 32b)의 상부에서 용이하게 정렬될 수 있도록 하기 위하여, 이동 가이드부(32a, 32b)에는 정렬 홈(34)이 형성된다. 정렬 홈(34)은 기판(W)의 외측 곡률과 일치되는 것이 바람직하며, 정렬 홈(34)은 기판(W)이 안착되는 위치로 외측에서 내측으로 경사지도록 형성되는 것이 바람직하다. On the other hand, in order that the position of the substrate W can be easily aligned on the upper portions of the movement guide portions 32a and 32b when the substrate W is placed on the movement guide portions 32a and 32b, 32a, 32b are formed with alignment grooves. The alignment grooves 34 are preferably aligned with the outer curvature of the substrate W and the alignment grooves 34 are preferably formed so as to be inclined from the outside to the inside to the position where the substrate W is seated.

다음으로 이동 가이드부(32a, 32b)의 구동을 위한 구성을 설명한다. Next, a configuration for driving the movement guide sections 32a and 32b will be described.

이동 가이드부(32a, 32b)의 상하 구동을 위하여, 구동 핀(16a, 16b)이 메인 바디(12)의 상부로 노출되도록 구비된다. 고정 가이드 링(20)의 이동 가이드부 장착부(22a, 22b)에는 구동 핀(16a, 16b)의 구동을 위한 구동핀 관통공(24a, 24b)이 구비된다. 구동 핀(16a, 16b)은 이동 가이드부(32a, 32b)의 저면을 지지한다. 구동 핀(16a, 16b)에 의해 지지된 이동 가이드부(32a, 32b)는 구동 핀(16a, 16b)의 상하 작동에 의해 상하로 구동된다. The drive pins 16a and 16b are exposed to the upper portion of the main body 12 in order to drive up and down the movement guide portions 32a and 32b. The moving guide mounting portions 22a and 22b of the fixed guide ring 20 are provided with driving pin through holes 24a and 24b for driving the driving pins 16a and 16b. The driving pins 16a and 16b support the bottom surfaces of the movement guide portions 32a and 32b. The movement guide portions 32a and 32b supported by the drive pins 16a and 16b are driven up and down by the up and down operation of the drive pins 16a and 16b.

구동 핀(16a, 16b)의 상하 작동을 위한 구성으로서 회전 모터와 피니언-랙 기어 조립체, 리니어 모터, 또는 솔레노이드 등을 사용할 수 있다. 또한, 일반적으로 반응 챔버(3) 내는 고온 환경임을 고려할 때 구동 핀(16a, 16b)의 상하 작동을 위하여 공압 구동 장치를 사용하는 것도 바람직하다. 도 4에 있어서는 구동 핀(16a, 16b)의 구동을 위하여 공압 구동부(40) 및 공압 구동부(40)에 의해 상하 구동되며 그 단부가 구동 핀(16a, 16b)과 연결되는 구동핀 연결바(42)를 포함하는 공압 구동 장치를 예시하였다. 공압 구동부(40)는 공압에 의해 구동핀 연결바(42)를 상하 구동하며, 구동핀 연결바(42)에 의해 지지되는 구동 핀(16a, 16b)은 구동핀 연결바(42)의 상하 구동에 의해 상하 작동한다. 한편, 구동 핀(16a, 16b)은 외측에 보호 벨로우즈(44a, 44b)에 의해 보호되는 것이 바람직하다. A rotary motor, a pinion-rack gear assembly, a linear motor, a solenoid, or the like can be used as a structure for vertically operating the drive pins 16a and 16b. Also, in consideration of the high temperature environment in the reaction chamber 3, it is preferable to use a pneumatic driving device for the up-down operation of the driving pins 16a and 16b. 4, a drive pin connecting bar 42 (see FIG. 4) is vertically driven by the pneumatic driving part 40 and the pneumatic driving part 40 and has its end connected to the driving pins 16a and 16b for driving the driving pins 16a and 16b. ) Are illustrated. The pneumatic driving part 40 drives the driving pin connecting bar 42 up and down by pneumatic pressure and the driving pins 16a and 16b supported by the driving pin connecting bar 42 are driven up and down by the driving pin connecting bar 42 As shown in Fig. On the other hand, it is preferable that the driving pins 16a and 16b are protected by the protective bellows 44a and 44b on the outside.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 척 구조체를 이용하여 기판을 로딩하는 방식을 도시한 도면이다. 5 is a view illustrating a method of loading a substrate using a chuck structure of a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 5의 (a)를 참조하면, 구동 핀(16a, 16b)을 작동시켜 이동 가이드부(32a, 32b)를 상승시킨 상태에서 이송 암(50)에 탑재된 기판(W)이 이송된다. 이송 암(50)의 폭은 두 개의 이동 가이드부(32a, 32b)의 간격보다 작게 형성되며, 기판(W)의 폭은 두 개의 이동 가이드부(32a, 32b)의 간격보다 크다. 5A, the substrate W mounted on the transfer arm 50 is transferred while the drive pins 16a and 16b are operated to raise the movement guide portions 32a and 32b. The width of the transfer arm 50 is smaller than the interval between the two movement guide portions 32a and 32b and the width of the substrate W is larger than the interval between the two movement guide portions 32a and 32b.

도 5의 (b)를 참조하면, 이송 암(50)이 이동 가이드부(32a, 32b)의 상부에 위치한 상태에서 이송 암(50)은 하강한다. 이송 암(50)의 폭은 두 개의 이동 가이드부(32a, 32b)의 간격보다 작고, 기판(W)의 폭은 두 개의 이동 가이드부(32a, 32b)의 간격보다 큰 상태이므로, 이송 암(50)의 하강시 이송 암(50)은 이동 가이드부(32a, 32b)의 사이를 통과하나 기판(W)은 이동 가이드부(32a, 32b)의 상부에 안착된다. 한편, 이동 가이드부(32a, 32b)에 형성된 정렬 홈(34)은 기판(W)이 이동 가이드부(32a, 32b)에 자동적으로 정렬되어 안착되도록 도와 준다.Referring to FIG. 5 (b), the transfer arm 50 is lowered when the transfer arm 50 is positioned above the movement guide portions 32a and 32b. Since the width of the transfer arm 50 is smaller than the interval between the two movement guide portions 32a and 32b and the width of the substrate W is larger than the interval between the two movement guide portions 32a and 32b, The transfer arm 50 passes between the movement guide portions 32a and 32b while the substrate W is seated on the movement guide portions 32a and 32b. The alignment grooves 34 formed in the movement guide portions 32a and 32b help the substrate W to be automatically aligned and seated on the movement guide portions 32a and 32b.

도 5의 (c)를 참조하면, 기판(W)이 이동 가이드부(32a, 32b)에 안착된 후 이송 암(50)은 후퇴한다. Referring to FIG. 5C, after the substrate W is mounted on the movement guide portions 32a and 32b, the transfer arm 50 is retracted.

도 5의 (d)를 참조하면, 구동 핀(16a, 16b)이 하강함으로써 이동 가이드부(32a, 32b)도 함께 하강하며, 기판(W)은 척(14)의 상부에 로딩된다. 5D, when the drive pins 16a and 16b descend, the movement guide portions 32a and 32b also descend, and the substrate W is loaded on the chuck 14.

이상은 기판(W)을 척(14)에 로딩하는 과정을 설명한 것으로서, 기판(W)을 척(14)으로부터 언로딩하는 경우에는 기판(W)을 로딩하는 과정을 역순으로 수행하면 된다.
The process of loading the substrate W onto the chuck 14 is described above. In the case of unloading the substrate W from the chuck 14, the process of loading the substrate W may be performed in the reverse order.

다음으로 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 척 구조체를 설명한다. Next, a chuck structure of a semiconductor substrate processing apparatus according to another preferred embodiment of the present invention will be described.

도 6은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 척 구조체의 분해 사시도이고, 도 7은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 척 구조체의 결합 사시도이며, 도 8은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 척 구조체의 단면도이다. FIG. 6 is an exploded perspective view of a chuck structure of a semiconductor substrate processing apparatus according to another preferred embodiment of the present invention, FIG. 7 is an assembled perspective view of a chuck structure of a semiconductor substrate processing apparatus according to another preferred embodiment of the present invention, Sectional view of a chuck structure of a semiconductor substrate processing apparatus according to another preferred embodiment of the present invention.

도 6 내지 8에 도시된 척 구조체(10)의 기본적인 구성은 도 2 내지 4에 도시된 척 구조체(10)와 동일하므로, 상이한 구성을 중심으로 설명한다.  The basic structure of the chuck structure 10 shown in Figs. 6 to 8 is the same as that of the chuck structure 10 shown in Figs. 2 to 4, and therefore, different structures will be mainly described.

본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 척 구조체(10)는 클램프 링(60)을 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다. 클램프 링(60)은 기판(W)이 척(14)에 로딩된 상태에서 기판(W)의 상부 외측을 가압하여 기판(W)과 척(14) 사이의 밀착을 도와준다. The chuck structure (10) according to another preferred embodiment of the present invention is further characterized by having a clamp ring (60). The clamp ring 60 urges the upper outer side of the substrate W in a state where the substrate W is loaded on the chuck 14 to help close adhesion between the substrate W and the chuck 14. [

클램프 링(60)은 스페이서(62a, 62b)에 의해 이동 가이드부(32a, 32b)와 소정 간격을 둔 상태에서 이동 가이드부(32a, 32b)의 상부에 결합된다. 스페이서(62a, 62b)를 구비하는 이유는 이송 암(50)에 의해 기판(W)이 이동 가이드부(32a, 32b)의 상부로 이송될 수 있는 공간을 확보하기 위함이다. The clamp ring 60 is engaged with the upper portions of the movement guide portions 32a and 32b while spaced apart from the movement guide portions 32a and 32b by the spacers 62a and 62b. The reason for providing the spacers 62a and 62b is to secure a space in which the transfer arm 50 can transfer the substrate W to the upper portions of the movement guide portions 32a and 32b.

클램프 링(60)의 고정을 위한 일 실시예에 있어서, 이동 가이드부(32a, 32b)에는 클램프 링 고정공(64a, 64b)이 구비되고 클램프 링(60)에는 관통공(66a, 66b)이 형성되어 볼트 또는 나사 등에 의해 클램프 링(60)을 이동 가이드부(32a, 32b)에 결합시킨다. Clamp ring fixing holes 64a and 64b are provided in the movement guide portions 32a and 32b and through holes 66a and 66b are formed in the clamp ring 60 in one embodiment for fixing the clamp ring 60 And the clamp ring 60 is engaged with the movement guide portions 32a and 32b by bolts, screws or the like.

또한, 척 구조체(10)는 클램프 링(60)의 가압을 보조하기 위하여 가압 링(70)을 추가로 구비할 수 있다. 가압 링(70)은 바람직하게는, 이동 가이드부 연결링(30)에 장착되어 클램프 링(60)과 이동 가이드부(32a, 32b) 및 이동 가이드부 연결링(30) 결합체를 하방으로 가압한다. In addition, the chuck structure 10 may further include a pressure ring 70 to assist in pressing the clamp ring 60. The pressing ring 70 is preferably mounted on the moving guide portion connecting ring 30 to press the clamp ring 60 and the moving guide portions 32a and 32b and the moving guide portion connecting ring 30 combination downward .

일 실시예에 있어서, 도 6 및 도 8을 참조하면, 이동 가이드부 연결링(30)에는 가압링 장착홈(31a, 31b)이 형성되고, 가압 링(70)에는 장착 돌기(72a, 72b)가 형성된다. 가압 링(70)의 내주면의 크기는 이동 가이드부 연결링(30)의 외주면의 크기와 같거나 약간 크게 형성된다. 가압 링(70)을 이동 가이드부 연결링(30)의 외측에 장착하면, 장착 돌기(72a, 72b)가 가압링 장착홈(31a, 31b)에 걸리게 됨에 따라 가압 링(70)이 이동 가이드부 연결링(30)의 외측에 결합된다. 한편, 이동 가이드부(32a, 32b)에는 가압링 장착홈(31a, 31b)의 측면 형상에 대응한 제 1 절삭면(33a, 33b)이 형성되고, 가압 링(70)의 장착 돌기(72a, 72b) 내측에는 제 2 절삭면(74a, 74b)이 형성된다. 6 and 8, the movement guide portion connecting ring 30 is formed with presser ring mounting grooves 31a and 31b and the presser ring 70 is provided with mounting protrusions 72a and 72b, . The size of the inner circumferential surface of the pressing ring 70 is formed to be equal to or slightly larger than the outer circumferential surface of the moving guide portion connecting ring 30. When the presser ring 70 is mounted on the outer side of the movement guide portion connecting ring 30, the mounting projections 72a and 72b are caught by the presser ring mounting grooves 31a and 31b, Is coupled to the outside of the connecting ring (30). On the other hand, first cutting surfaces 33a and 33b corresponding to the side shapes of the presser ring mounting grooves 31a and 31b are formed in the movement guide portions 32a and 32b, and the mounting protrusions 72a, 72b, second cutting surfaces 74a, 74b are formed.

도 9는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 척 구조체를 이용하여 기판을 로딩하는 방식을 도시한 도면이다. 9 is a view illustrating a method of loading a substrate using a chuck structure of a semiconductor substrate processing apparatus according to another preferred embodiment of the present invention.

도 9의 (a)를 참조하면, 구동 핀(16a, 16b)을 작동시켜 이동 가이드부(32a, 32b)를 상승시킨 상태에서 이송 암(50)에 탑재된 기판(W)이 이송된다. 이송 암(50)의 폭은 두 개의 이동 가이드부(32a, 32b)의 간격보다 작게 형성되며, 기판(W)의 폭은 두 개의 이동 가이드부(32a, 32b)의 간격보다 크다. 한편, 클램프 링(60)의 스페이서(62a, 62b) 간의 간격은 기판(W)의 폭보다 크다.9A, the substrate W loaded on the transfer arm 50 is transferred while the drive pins 16a and 16b are operated to raise the movement guide portions 32a and 32b. The width of the transfer arm 50 is smaller than the interval between the two movement guide portions 32a and 32b and the width of the substrate W is larger than the interval between the two movement guide portions 32a and 32b. On the other hand, the spacing between the spacers 62a and 62b of the clamp ring 60 is larger than the width of the substrate W.

도 9의 (b)를 참조하면, 이송 암(50)은 스페이서(62a, 62b)에 의해 상하 간격이 형성된 클램프 링(60)과 이동 가이드부(32a, 32b)의 사이로 이동하고, 이송 암(50)이 이동 가이드부(32a, 32b)의 상부에 위치한 상태에서 이송 암(50)은 하강한다. 이송 암(50)의 하강시 이송 암(50)은 이동 가이드부(32a, 32b)의 사이를 통과하고 기판(W)은 이동 가이드부(32a, 32b)의 상부에 안착된다. 9 (b), the transfer arm 50 moves between the clamp ring 60 and the movement guide sections 32a, 32b, which are spaced apart by the spacers 62a, 62b, 50 are positioned above the movement guide portions 32a, 32b, the transfer arm 50 is lowered. When the transfer arm 50 is lowered, the transfer arm 50 passes between the movement guide portions 32a and 32b and the substrate W is seated on the movement guide portions 32a and 32b.

도 9의 (c)를 참조하면, 기판(W)이 이동 가이드부(32a, 32b)에 안착된 후 이송 암(50)은 후퇴한다. 9 (c), after the substrate W is mounted on the movement guide portions 32a and 32b, the transfer arm 50 is retracted.

도 9의 (d)를 참조하면, 구동 핀(16a, 16b)이 하강함으로써 이동 가이드부(32a, 32b)도 함께 하강하며, 기판(W)은 척(14)의 상부에 로딩된다. 9D, when the drive pins 16a and 16b descend, the movement guide portions 32a and 32b also descend, and the substrate W is loaded on the chuck 14.

이상은 기판(W)을 척(14)에 로딩하는 과정을 설명한 것으로서, 기판(W)을 척(14)으로부터 언로딩하는 경우에는 기판(W)을 로딩하는 과정을 역순으로 수행하면 된다.
The process of loading the substrate W onto the chuck 14 is described above. In the case of unloading the substrate W from the chuck 14, the process of loading the substrate W may be performed in the reverse order.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, substitutions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. will be. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are intended to illustrate and not to limit the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings . The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

1 : 반도체 기판 처리 장치 10 : 척 구조체
12 : 메인 바디 14 : 척
16a, 16b : 구동 핀 20 : 고정 가이드 링
22a, 22b : 이동 가이드부 장착부
30 : 이동 가이드부 연결링
32a, 32b : 이동 가이드부 40 : 공압 구동부
42 : 구동핀 연결바 50 : 이송 암
60 : 클램프 링 70 : 가압 링1: semiconductor substrate processing apparatus 10: chuck structure
12: main body 14: chuck
16a, 16b: drive pin 20: fixed guide ring
22a and 22b:
30: moving guide part connecting ring
32a, 32b: movement guide section 40: pneumatic drive section
42: driving pin connecting bar 50:
60: clamp ring 70: pressure ring

Claims (14)

기판이 로딩되는 척과 상기 척을 지지하는 메인 바디를 포함하는 척 구조체에 있어서,
상기 척의 외주연에 장착되며 이동 가이드부 장착부가 형성된 고정 가이드 링;
상기 이동 가이드부 장착부에 위치하며 상하 구동되는 이동 가이드부; 및
상기 이동 가이드부를 상하 구동시키는 구동 핀
을 포함하는 척 구조체.A chuck structure comprising a chuck on which a substrate is loaded and a main body for supporting the chuck,
A fixed guide ring mounted on an outer periphery of the chuck and having a movement guide mounting portion;
A movement guide unit positioned in the movement guide unit mounting part and driven up and down; And
And a drive pin
≪ / RTI > 제 1 항에 있어서,
상기 고정 가이드 링의 상기 이동 가이드부 장착부는 상부 일단을 커팅한 형태로 대향하는 한 쌍으로 구비되는 것을 특징으로 하는 척 구조체.The method according to claim 1,
Wherein the movement guide portion attachment portion of the fixed guide ring is provided as a pair of opposite upper and lower ends. 제 1 항에 있어서,
상기 이동 가이드부는 적어도 두 개가 구비되는 것을 특징으로 하는 척 구조체.The method according to claim 1,
Wherein at least two movement guide portions are provided. 제 3 항에 있어서,
복수의 상기 이동 가이드부는, 내주면의 반경이 상기 고정 가이드 링의 외주면 반경보다 크고 상기 고정 가이드 링을 내측에 삽입하는 형태로 구비되는 이동 가이드부 연결링에 의해 상호 연결된 것을 특징으로 하는 척 구조체. The method of claim 3,
Wherein the plurality of movement guide portions are interconnected by a movement guide portion connecting ring having a radius of an inner peripheral surface larger than a radius of an outer peripheral surface of the fixed guide ring and inserted in the inner side of the fixed guide ring. 제 1 항에 있어서,
상기 이동 가이드부에는 상기 기판을 안착시키는 정렬 홈이 구비되는 것을 특징으로 하는 척 구조체.The method according to claim 1,
Wherein the movement guide portion is provided with an alignment groove for seating the substrate. 제 5 항에 있어서,
상기 정렬 홈은 상기 기판이 안착되는 위치로 외측에서 내측으로 경사지도록 형성된 부분을 구비하는 것을 특징으로 하는 척 구조체.6. The method of claim 5,
Wherein the alignment groove has a portion formed to be inclined from the outside to the inside to the position where the substrate is seated. 제 1 항에 있어서,
상기 메인 바디의 내측에 구비되며 상기 구동 핀을 상하 구동시키는 공압 구동부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 척 구조체.The method according to claim 1,
Further comprising a pneumatic driving unit provided inside the main body for driving the driving pin up and down. 제 4 항에 있어서,
상기 이동 가이드부 연결링의 외측에는 상기 이동 가이드부 연결링의 외주면의 적어도 일부를 감싸도록 결합되며, 상기 이동 가이드부 연결링을 하방으로 가압하는 가압 링이 결합되는 것을 특징으로 하는 척 구조체.5. The method of claim 4,
And a pressure ring coupled to an outer side of the movement guide part connection ring so as to surround at least a part of an outer circumferential surface of the movement guide part connection ring and to press the movement guide part connection ring downward. 제 8 항에 있어서,
상기 이동 가이드부 연결링에는 가압링 장착홈이 구비되고, 상기 가압 링에는 상기 가압링 장착홈에 대응하는 장착 돌기가 구비되는 것을 특징으로 하는 척 구조체.9. The method of claim 8,
Wherein the movement guide portion connecting ring is provided with a presser ring mounting groove, and the presser ring is provided with a mounting protrusion corresponding to the presser ring mounting groove. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 척의 상부에 구비되어 상기 척의 상부에 상기 기판이 로딩된 후 상기 기판의 외측을 가압하여 상기 기판과 상기 척이 밀착하도록 하는 클램프 링이 추가로 구비되되, 상기 클램프 링은 상기 이동 가이드부와 이격한 상태로 상기 이동 가이드부의 상부에 결합되어 상기 이동 가이드부와 함께 상하 구동되는 것을 특징으로 하는 척 구조체.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
And a clamp ring provided at an upper portion of the chuck to press the outer side of the substrate after the substrate is loaded on the chuck to closely contact the substrate and the chuck, wherein the clamp ring is spaced apart from the movement guide portion Is coupled to an upper portion of the movement guide portion and is vertically driven together with the movement guide portion. 제 10 항에 있어서,
상기 클램프 링은 하부면에 스페이서를 구비하고 상기 스페이서가 상기 이동 가이드부의 상부에 결합함으로써 상기 클램프 링과 상기 이동 가이드부가 상호 이격된 것을 특징으로 하는 척 구조체.11. The method of claim 10,
Wherein the clamp ring has a spacer on a lower surface thereof and the spacer is coupled to an upper portion of the movement guide portion so that the clamp ring and the movement guide portion are spaced apart from each other. 반응 챔버; 및
상기 반응 챔버 내에 구비되는 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 척 구조체
를 포함하는 반도체 기판 처리 장치.A reaction chamber; And
The chuck structure according to any one of claims 1 to 9, which is provided in the reaction chamber
And a semiconductor substrate. 제 12 항에 있어서,
상기 척의 상부에 구비되어 상기 척의 상부에 상기 기판이 로딩된 후 상기 기판의 외측을 가압하여 상기 기판과 상기 척이 밀착하도록 하는 클램프 링이 추가로 구비되되, 상기 클램프 링은 상기 이동 가이드부와 이격한 상태로 상기 이동 가이드부에 결합되어 상기 이동 가이드부와 함께 상하 구동되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
And a clamp ring provided at an upper portion of the chuck to press the outer side of the substrate after the substrate is loaded on the chuck to closely contact the substrate and the chuck, wherein the clamp ring is spaced apart from the movement guide portion And is moved up and down together with the movement guide unit by being coupled to the movement guide unit. 제 12 항에 있어서,
상기 척 구조체는 캔틸레버 척 방식으로 상기 반응 챔버 내에서 지지되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the chuck structure is supported in the reaction chamber in a cantilever chuck manner.
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