KR101272032B1 - Process for preparing photo curable inkjet ink for electric-electron semi-conduct part of ultra-high density and ultra-fine integrated circuit patterning formation - Google Patents

Process for preparing photo curable inkjet ink for electric-electron semi-conduct part of ultra-high density and ultra-fine integrated circuit patterning formation Download PDF

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Abstract

본 발명은 직접 회로의 미세회로 패턴 형성이 가능한 반도체용 잉크젯 잉크의 제조방법에 있어서, 광 경화 반도체 화학물의 선택 단계; 자외선(광), 열, 방사선등의 경화 모노머를 이용 전도성 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자와 고저 유전체 분자 입자, 광열화학전기적 능동 발광 액정 폴리머 입자, 기저 프리올리머 제조 하는 단계; 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자 및 고저 유전체 분자 입자 분산 마스터 용액의 제조 단계; 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자들의 분산 마스터 원액 제조 공정 단계; 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자들의 포뮬레이터 공정 단계; 및 정밀 여과 단계; 등을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 경화 반도체용 잉크젯 잉크의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 반도체의 고유 특성인 전자 모빌리티 및 밴드 갭 등의 변화율이 적으며 물리화학적 안전성과 구동되는 비교적 상온에서의 초전도, 압전성 가지며 보다 저 전력에서 장기간 구동이 가능한 반도체용 잉크젯 잉크 및 그 잉크의 응용 방법을 제공한다.
According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an inkjet ink for a semiconductor capable of forming a microcircuit pattern of an integrated circuit, the method comprising: selecting a photocured semiconductor chemical; Preparing conductive organic-inorganic hybrid semiconductor molecular particles, high and low dielectric molecular particles, photothermal electrochemically active light emitting liquid crystal polymer particles, and a base prepolymer by using a curing monomer such as ultraviolet light, heat, or radiation; Preparing an organic-inorganic hybrid semiconductor molecular particle and a high and low dielectric molecular particle dispersion master solution; A process for preparing a dispersion master stock solution of organic inorganic hybrid semiconductor molecule particles; Formulating process of organic inorganic hybrid semiconductor molecular particles; And microfiltration step; The manufacturing method of the inkjet ink for photocuring semiconductors containing these etc. is provided.
In the present invention, the semiconductor inkjet ink and the application of the ink having a low change rate such as electron mobility, band gap, etc., which are inherent characteristics of semiconductors, have high physicochemical stability and relatively high conductivity, piezoelectricity, and long-term operation at low power. Provide a method.

Description

초고밀도 미세회로 패턴 형성이 가능한 반도체용 광 경화 잉크젯 잉크의 제조 방법{Process for preparing photo curable inkjet ink for electric-electron semi-conduct part of ultra-high density and ultra-fine integrated circuit patterning formation}Process for preparing photo curable inkjet ink for electric-electron semi-conduct part of ultra-high density and ultra-fine integrated circuit patterning formation}

본 발명은 광 경화 잉크젯 프린트 시스템을 이용한 다차원 형상의 잉크젯 프린트가 가능한 유기무기 복합화한 초전도 반도체 분자를 사용한 유기무기 복합화 초 전도 반도체 잉크젯 잉크에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic-inorganic complexed superconducting semiconductor inkjet ink using organic-inorganic complexed superconducting semiconductor molecules capable of multi-dimensional inkjet printing using a photocurable inkjet printing system.

모든 전기 전자 제품은 기존의 전이 금속류 또는 희소성을 가지는 금속으로 구성 되어 왔다. 특히나 Integrated Circuit로 구성 되며 디스플레이 소재의 경우 같은 류의 투명성을 가지는 모든 전이 금속류나 희토류로 분류되는 희소 금속 성분을 대부분 포함하는 형태의 염류(Salts)로 주로 용매(Sulfonic, Choloride, Nitrate Acid)에 의한 Doping과정을 통해 화학적 기상 증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition)또는 감압 진공 상태 하의 플라즈마 증강 화학적 기상 증착법(PECVD: Plasma Enhancement Chemical Vapor Deposition)로 진행 하였으나 유연한 소재의 적용이 대두된 현재는 기존의 실리콘 서브스트레이트 방식(Substrate of Silicone Wafer(Single, Multiple Crystalline), Amorphous Silicon Wafer)을 탈피하여 광학적 투명성과 기계적 물성이 확보된 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(PET: PolyethyleneTerephthalate), 폴리 프로필렌(PP: Polypropylene)등의 유기 고분자 물질로 구성된 서브스트레이트 등에 이용 하기 위하여 메탈옥사이드화학적기상증착법(MOCVD: Metal Oxide Chemical Vapor Deposition)에 의한 원래 투명하거나 나노 입자화 되면 투명성을 갖는 전이 금속류(Titanium, Zinc, Indium, Tin, Antimony, Silver, Gold, Iron etc.)등의 물질을 알칼리 토금속(Lithium, Sodium, Potassium, Calcium etc.) 등과 염류화(Salts) 하여 화학적기상증착법으로 유기 고분자 필름 상에 ThinFilm화 것을 주로 사용 하거나 전도성을 가지는 CNT(Carbon Nano Tube, SWCNT, DWCNT, MWCNT), Nanowire, Dendrimer, Graphene, FullereneC60, 61, 70, 90, PEDOTPOSS/PSS(Poly Thiopene Group), Poly Acetylene, Poly Pyrrole, Poly Phenylene Vinylene, Poly Phenyl Sulfide, Poly Vinylene Carbazole, Poly Sprazole, Poly acene, Poly aniline, Poly Lglutamate, Phtalocyanin, Qinacridone, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane), TCNQTTF(Tetrathiafulvalene), Transfer Metal Group, Alkali Metallic Salt, NonLinear Polymer, Photo Chromic, Electro Chromic, Chemical Chromic 등의 전기전도성을 가지며 광 또는 열 전도도 포함하는 SP2또는 SP3의 Molecular Orbital을 가지며 가전자 대역에서 페르미 준위가 1.6eV 이상의 전자 모빌리티를 물질로 구성되는 형태로 기존의 서브스트레이트 또는 유기 고분자 필름 서브스트레이트에서 증착되는 공정을 행하고 있다. 그러나 상기의 공정 방식으로는 기존의 서브스트레이트를 사용하며 전이 금속류와 알칼리 토금속류를 사용 공정보다 공정 작업의 량과 공정온도가 낮으나 유연한 전기전자 소자를 얻을 수 있으나 전자 모빌리티나 부가적인 물리화학적인 요소에서는 부정적인 결과로 인하여 오히려 부가 성능을 얻기 위하여 유해하거나 치명적인 요소를 더 가지며 전도성 유기 물질의 고유의 반도체적인 특성으로 전자 모빌리티가 급격하게 줄어드는 특성을 가지고 있다. 전자의 모빌리티 가속화하기 위하여 초전도체를 사용하며 압전의 특성을 가지면 전기 역학적인 모델에서 반도체의 전류-전압의 cut-off특성을 더 효율적으로 가진다. 본 발명에서는 전류-전압의 cut-off특성을 더 효율적 사용 할 수 있는 방법을 제시한다.All electrical and electronic products have been composed of conventional transition metals or rare metals. Particularly, it is composed of integrated circuits, and in the case of display materials, salts containing all transition metals having the same transparency and most rare metals classified as rare earths are mainly formed by solvents (Sulfonic, Choloride, Nitrate Acid). Chemical doping process (CVD) or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) under reduced pressure was carried out through the doping process. Organic polymer materials, such as polyethylene terephthalate (PET) and polypropylene (PP), which are optically transparent and mechanically secured by breaking away from the substrate (Substrate of Silicone Wafer (Single, Multiple Crystalline), Amorphous Silicon Wafer) For use in substrates Substances such as transition metals (Titanium, Zinc, Indium, Tin, Antimony, Silver, Gold, Iron etc.) that are transparent when they are originally transparent or nano-particles by Metal Oxide Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Is salted with alkaline earth metals (Lithium, Sodium, Potassium, Calcium etc.) and thin filmed on organic polymer film by chemical vapor deposition, or CNT (Carbon Nano Tube, SWCNT, DWCNT, MWCNT) ), Nanowire, Dendrimer, Graphene, Fullerene C60, 61, 70, 90, PEDOTPOSS / PSS (Poly Thiopene Group), Poly Acetylene, Poly Pyrrole, Poly Phenylene Vinylene, Poly Phenyl Sulfide, Poly Vinylene Carbazole, Poly Sprazole, Poly acene, Poly Electrical conductivity of aniline, Poly Lglutamate, Phtalocyanin, Qinacridone, Tetracyanoquinodimethane (TCNQ), Tetrathiafulvalene (TCNQTTF), Transfer Metal Group, Alkali Metallic Salt, NonLinear Polymer, Photo Chromic, Electro Chromic, Chemical Chromic And a Molecular Orbital of SP2 or SP3 containing light or thermal conductivity and having a Fermi level of electron mobility in the valence band consisting of a material of electron mobility of 1.6 eV or higher, deposited from an existing substrate or organic polymer film substrate Is doing. However, the above process method uses the existing substrates and uses transition metals and alkaline earth metals, but the amount of process work and process temperature are lower than those of the process, but flexible electric and electronic devices can be obtained. However, electron mobility or additional physical and chemical factors In addition, due to the negative result, in order to obtain additional performance, there are more harmful or fatal factors and the intrinsic semiconducting properties of the conductive organic material have the characteristic of rapidly decreasing the electron mobility. Superconductors are used to accelerate the mobility of electrons. Piezoelectric properties have more efficient current-voltage cut-off characteristics of semiconductors in electrodynamic models. The present invention proposes a method that can more efficiently use the cut-off characteristics of the current-voltage.

공정 측면에서 상기에 서술된 기존 방식의 공정은 주로 MEMS(Micro Electro Mechanical System)방법의 내용을 극복하기 위하여 NIL(Nano Imprinting Lithography)와 SAMs(Self Assembly Monolayer System), ALD(Atomic Layard Deposition)등의 방법이 있으나 근본적으로 미세 회로 선폭 이나 대면적에 따른 부가적인 성능 하락의 요인을 제거하기 위하여 희소 금속류(Silver, Gold 등)나 Carbon 유도체(Graphene, FullereneC60, 61, 70, 90, CNT(Carbon Nano Tube, SWCNT, DWCNT, MWCNT 등)의 덴드리머나 나노와이어로 수직하거나 직교 하는 구조(부릴루앙 이나 사파이어 구조)로 전환 사용 하여야 하는 공정 작업에 있어서 가장 어려우며 전환율도 많이 떨어지는 결과를 관련된 기술 특허(US 2011117329, JP2009286032, GB2463670, KR20100078779, KR20100075100, US2007262710, JP2007273990, CN101331625, US2004085014, JP2005081585, JP2005023099, JP2004074469, JP200326669)및 학술 논문이나 각국의 정부 용역 연구 보고서에서도 나타나고 있다.In the process aspect, the conventional method described above is mainly used to overcome the contents of the MEMS (Micro Electro Mechanical System) method such as Nano Imprinting Lithography (NIL), Self Assembly Monolayer System (SAMs), Atomic Layard Deposition (ALD), etc. There is a method, but in order to eliminate the factors of additional performance degradation due to the fine circuit line width or large area, rare metals (Silver, Gold, etc.) or carbon derivatives (Graphene, Fullerene C60, 61, 70, 90, CNT (Carbon Nano Tube) , SWCNT, DWCNT, MWCNT, etc.) to the dendrimers or nanowires (vertical or orthogonal structure (buriliruan or sapphire structure) to convert to the most difficult and low conversion rate results in the most difficult process operation related technical patents (US 2011117329, JP2009286032, GB2463670, KR20100078779, KR20100075100, US2007262710, JP2007273990, CN101331625, US2004085014, JP2005081585, JP2005023099, JP2004074469, JP200326669) It appears in government services research papers or reports of each country.

본 발명은 유기 분자 구조에 무기 성분인 전이 금속류나 유기 전도성 고분자를 이용하여 친핵성 반응을 유도하여 투명 디스플레이나 투명 전극을 형성 하거나 초 전도성을 가지며 부분적인 투명성을 확보하며 열이나 광에 의해 초 압전성을 띄는 복합적인 투명하거나 반투명이 가능한 디스플레이-필름형 태양전지용 반도체 잉크와 프린트가 가능한 다양한 소재에 집적회로 및 기억 형상이 가능한 생체 근육 조직에 이용 가능한 자가 치유 지능형 반도체 전극을 제조 하는 방법을 제시한다. 또한 전자 모빌리티 향상을 위하여 유기무기 하이브리드한 고 유전체를 사용함으로써 높은 전자 갭과 높은 모빌리티 갖는 방법도 같이 제시한다. 본 발명에 있어서 세계 각국의 환경 관련 기관 및 및 세계 보건 안전 기구, 국제 환경 기준이 정한 유해 화학물(대기, 수질, 인체, 동물에 대한: REACHver2006, 2008, 2010, RoHS, LoHAS, HAPs etc.) 에서 정한 규정에 의한 유해 화학물의 생성, 배출을 없애며 더 나아가 전자전기 관련 제품의 제조, 생산, 테스트, 소비자의 운용 구동에서 생성되는 전자파를 차폐 및 생성을 원천적으로 봉쇄 하여 보다 안전한 사용을 하기 위해 본 발명 기술을 제공 한다.The present invention induces a nucleophilic reaction by using transition metals or organic conductive polymers, which are inorganic components, in an organic molecular structure to form a transparent display or a transparent electrode or have superconductivity, secure partial transparency, and super piezoelectricity by heat or light. The present invention provides a method for fabricating a self-healing intelligent semiconductor electrode that can be used for a complex transparent or translucent display-film type solar cell semiconductor ink and a printable material that can be used for living body tissue with integrated circuits and memory shapes. In addition, a method of having high electron gap and high mobility by using an organic-inorganic hybrid high dielectric to improve electron mobility is also presented. In accordance with the present invention, environmental agencies and countries around the world and the World Health and Safety Organization, and hazardous chemicals defined by international environmental standards (for air, water, human body and animals: REACHver2006, 2008, 2010, RoHS, LoHAS, HAPs etc.) In order to ensure safer use by eliminating the generation and emission of hazardous chemicals in accordance with the provisions of this regulation, further blocking the generation and shielding of electromagnetic waves generated in the manufacturing, production, testing and operation of consumer electronics-related products. Provide invention technology.

본 발명의 핵심적인 특징으로서, 기본적으로 유기 분자들의 전도 및 압전 능력을 부여하기 위해서는 오비탈이 SP2 또는 SP3 구조의 분자 궤도를 가지며 되도록이면 선형 구조 이여야만 한다. 또한 우수한 반도체 성늘을 가지기 위해서는 유전율이 높고 광 및 전기역학적으로 전자의 이송이 잘 되는 구조를 가지기 위해서 전도성을 가지는 유기 전도 분자와 압전성을 가지는 유기 압전 고분자를 SAM(Self Assembly Monolayer), SOM(Self Organization Monolayer), SSM(Self Supermacromolecular Monolayer)방법 등을 이용한 ATRP(Atomic Transfer Polymerization)방법의 RAFT(Receive Addition Fragmentation Polymerization)방법을 사용하며 수계 및 식물성 유지에 잉크화하기 위하여 Suspension Polymerization 방법인 Cation, Anion 방법을 사용 하여 Syndiotatic 또는 Sectioning atatic 방법으로 입체 규칙성(HeadTail, HeadHead, HeadHeadTail, HeadTailHead)을 보완 하며 전이 금속이나 알칼리 토금속을 사용 하기 위하여 Ionic Polymerization방법의 하나인 정밀 중합 방법인 리빙 이온 중합법 중 메탈로센 치환 중합 방법을 사용 하고 SuspensionEmulsion Heterogeneous Synchronized Polymerization 방법을 사용 하여 외부의 물리화학적 변화에 안정적인 입체 규칙성을 가지며 유기무기 성분의 간의 표면 장력에 의한 전도 및 압전성의 변화율을 되도록 억제를 하는 구조를 가진다. 또한 서브스트레이트와 전극 잉크 간의 표면의 거칠음 및 표면 부착 및 표면의 물리화학적 안정성을 위하여 고 투명 경화 수지 및 인슐레이트 등의 부가적인 기능을 지글러 나타 반응 및 링 오프닝 개환 반응, 다니엘엘더 촉매 반응으로 설계한다. 또한 물질간 계면, 잉크 입자간 계면, 입자와 용매간 계면, 잉크와 공기와의 계면, 잉크 입자와 용매 잔존 산소와 계면, 잉크와 잉크 카트리지간 계면, 잉크 공급 튜브와 계면, 잉크 댐핑잉크젯 헤드간 계면, 잉크와 서브스트레이간의 계면 등에서 생성되는 길거나 짧은 시간 내에서 생기는 양자 우물 현상을 최소화 하였다. 전자 모빌리티 및 밴드 갭의 향상을 위하여 양자적 컴퓨터 시뮬레이션을 통한 최적의 잉크젯 잉크를 구성 제시 한다. 또한 그 현상을 이용하여 보다 나은 잉크 시스템을 제공하기 위하여 양자 전기 역학:QED(Quantum Electron Dynamics)기반의 원리와 반도체의 특성을 살리거나 자기 조립-구조화를 통한 미세한 결점을 치유 또는 회복 하거나 성능을 부분적으로 감소 또는 증가시킬 수 있는 지능형 반도체로 결점을 보완 하는 원리를 적용 하였다.
As a key feature of the present invention, in order to impart the conduction and piezoelectric ability of organic molecules, the orbital should have a molecular orbital of SP2 or SP3 structure and should be as linear as possible. In addition, in order to have an excellent semiconductor structure, organic conductive molecules having piezoelectricity and organic piezoelectric polymers having piezoelectric properties include SAM (Self Assembly Monolayer) and SOM (Self Organization) in order to have a structure having high dielectric constant and optically and electrodynamically transporting electrons. It uses RAFT (Receive Addition Fragmentation Polymerization) method of ATRP (Atomic Transfer Polymerization) method using Monolayer), SSM (Self Supermacromolecular Monolayer) method, and uses Suspension Polymerization method, Cation, Anion method, to ink into aqueous and vegetable oils. To complement stereoregularity (HeadTail, HeadHead, HeadHeadTail, HeadTailHead) by Syndiotatic or Sectioning atatic method, metallocene in the living ion polymerization method, a precise polymerization method that is one of the Ionic Polymerization methods to use transition metal or alkaline earth metal SuspensionEm Using Substitution Polymerization Method By using ulsion Heterogeneous Synchronized Polymerization method, it has stable stereoregularity to external physicochemical changes and has structure that suppresses change rate of conduction and piezoelectricity by surface tension of organic inorganic components. In addition, additional functions such as highly transparent cured resins and insulats are designed by Ziegler-Natta reaction, ring opening ring reaction, and Danielelder catalysis for surface roughness and surface adhesion between substrate and electrode ink. . Also, the interface between materials, the interface between particles of ink, the interface between particles and solvent, the interface between ink and air, the interface between ink particles and solvent remaining oxygen, the interface between ink and ink cartridge, the interface between ink supply tube and interface, and ink damping inkjet head. Quantum well phenomena occurring in the long or short time generated at the interface, the interface between the ink and the substray are minimized. To improve the electronic mobility and band gap, we propose the optimal inkjet ink through quantum computer simulation. In order to provide a better ink system, the phenomena based on the quantum electrodynamics: QED (Quantum Electron Dynamics) -based principle and semiconductor characteristics, or self-assembly-repairing of fine defects or partial performance improvement The principle of compensating for the shortcomings is applied as an intelligent semiconductor that can be reduced or increased.

본 발명에서는 투명성이 요구 되는 유연하거나 강직한 디스플레이나 그 디스플레이에 활용되는 전극은 고 투명성을 가지며 반도체의 고유 특성인 전자 모빌리티 및 밴드 갭 등의 변화율이 적으며 물리화학적 안전성과 구동되는 상온에서의 초 전도, 압전성 가지며 보다 저 전력에서 장기간 구동이 가능한 유기무기 하이브리드한 분자 반도체 잉크젯 잉크를 제조 하는 기술 및 그 잉크의 응용 방법을 제공한다.
In the present invention, a flexible or rigid display that requires transparency, or an electrode used for the display, has high transparency, a small change rate such as electron mobility and band gap, which are inherent characteristics of semiconductors, and physical and chemical safety and ultra-high temperature at room temperature. The present invention provides a technique for producing an organic-inorganic hybrid molecular semiconductor inkjet ink capable of conducting, piezoelectric and long-term operation at lower power, and an application method of the ink.

상기한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 직접 회로의 미세회로 패턴 형성이 가능한 반도체용 잉크젯 잉크의 제조방법에 있어서, 광 경화 반도체 화학물의 선택 단계; 자외선(광), 열, 방사선등의 경화 모노머를 이용 전도성 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자와 고저 유전체 분자 입자, 광열화학전기적 능동 발광 액정 폴리머 입자, 기저 프리올리머 제조 하는 단계; 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자 및 고저 유전체 분자 입자 분산 마스터 용액의 제조 단계; 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자들의 분산 마스터 원액 제조 공정 단계; 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자들의 포뮬레이터 공정 단계; 및 정밀 여과 단계; 등을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 경화 반도체용 잉크젯 잉크의 제조방법을 제공한다.In order to solve the above problems, according to a preferred embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing an inkjet ink for a semiconductor capable of forming a microcircuit pattern of an integrated circuit, comprising: selecting a photocured semiconductor chemical; Preparing conductive organic-inorganic hybrid semiconductor molecular particles, high and low dielectric molecular particles, photothermal electrochemically active light emitting liquid crystal polymer particles, and a base prepolymer by using a curing monomer such as ultraviolet light, heat, or radiation; Preparing an organic-inorganic hybrid semiconductor molecular particle and a high and low dielectric molecular particle dispersion master solution; A process for preparing a dispersion master stock solution of organic inorganic hybrid semiconductor molecule particles; Formulating process of organic inorganic hybrid semiconductor molecular particles; And microfiltration step; It provides the manufacturing method of the inkjet ink for photocuring semiconductors containing these, etc.

본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 전도성 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자(활성 백탄)인 주 재료에 폴리티오펜, 폴리아닐닌, 폴리피롤, 폴리아세틸렌, 폴리비닐카바졸, 폴리 L-글루타메이트, 폴리플루오르테트라시아노퀴노디메탄 유도체, 또는 반도체성 무기물 중에서 선택된 1종 또는 2종이상의 부가재료를 그라프팅하는 것을 특징이다.According to another suitable embodiment of the present invention, polythiophene, polyaniline, polypyrrole, polyacetylene, polyvinylcarbazole, poly L-glutamate, polyfluorine in the main material which is a conductive organic inorganic hybrid semiconductor molecular particle (active white charcoal) It is characterized by grafting one or two or more additive materials selected from tetracyanoquinomimethane derivatives or semiconducting inorganic substances.

본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 상기 분산용액은 초 순수 물- 식물성 오일의 혼합 용매를 포함하는 것이 바람직하다.According to another suitable embodiment of the present invention, the dispersion solution preferably comprises a mixed solvent of ultra pure water-vegetable oil.

본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 상기 방법에 의해 제조된 잉크젯 잉크를 사용한 액정, 발광, 플라즈마, 전기변색, 전계발광의 투과형 또는 반사형 디스플레이, 태양전지, 2차 전지, 연료전지 또는 바이오센서 중 선택된 하나의 전자부품을 제공한다.
According to another suitable embodiment of the present invention, a liquid crystal, light emitting, plasma, electrochromic, electroluminescent transmissive or reflective display, solar cell, secondary cell, fuel cell or bio using the inkjet ink prepared by the above method Provided is an electronic component selected from the sensor.

본 발명에 따른 제조 방법은 유해한 화학 물질을 사용하지 않으며 물질 경화 과정 및 상품 제조 시에도 유해 화학 물이 배출이 되지 않는 다양한 방식의 헤드에 사용할 수 있는 잉크 구성물을 제조할 수 있도록 한다. 제조된 잉크 구성물은 경화 공정 과정에서 유해한 화학물질을 배출하지 않으므로 작업자 및 환경에 유해한 영향을 미치지 않으며 한정된 헤드의 종류가 아닌 다양한 방식의 헤드에 사용할 수 있다는 이점과 잉크젯 프린터 사용하여 기존의 초 정밀 나노 전자 소자 및 재료를 광범위 하게 사용하며 초 경량화, 초 박막화, 초 미세화를 가짐으로써 전력 소비나 생산의 효율을 극대화하며 어떠한 종류의 서브스트레이트를 사용 하여도 기존의 실리콘 계열의 서브스트레이트와 비교해 동일한 성능과 효율을 보장 할 수 있는 장점을 가진다.
The manufacturing method according to the present invention makes it possible to produce an ink composition that can be used for various types of heads that do not use harmful chemicals and do not emit harmful chemicals during material curing and product manufacture. The manufactured ink composition does not emit harmful chemicals during the curing process, so it does not have a harmful effect on workers and the environment, and can be used for various types of heads instead of limited head types. Wide use of electronic devices and materials, ultra-light weight, ultra-thin, and ultra-miniaturized, maximizes power consumption and production efficiency, and provides the same performance and performance as conventional silicon-based substrates, regardless of the substrate type. It has the advantage of ensuring efficiency.

도 1은 본 발명의 반도체용 잉크젯 잉크의 전체 제조 공정도이다. 구체적으로는, 광 경화 반도체 화학물의 선택 단계 (ES11); 자외선(광), 열, 방사선등의 경화 모노머를 이용 전도성 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자와 고저 유전체 분자 입자, 광열화학전기적 능동 발광 액정 폴리머 입자, 기저 프리올리머 제조 하는 단계(ES12); 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자 및 고저 유전체 분자 입자 분산 마스터 용액의 제조 단계(ES13); 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자들의 분산 마스터 원액 제조 공정 단계(ES14); 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자들의 포뮬레이터 공정 단계(ES15); 정밀 여과 단계(ES16); 및 프린팅 단계(ES17); 등을 포함할 수 있다.
도 2은 Base Electric-Electron Piezoelectric-Conduct Transporting Matrix의 컴퓨터 3D 시뮬레이션, 모델링한 결과이다.
도 3는 Base Electric-Electron Piezoelectric-Conduct Transporting Matrix의 세부 구조도 이다.
도 4는 Base Electric-Electron Piezoelectric-Conduct Transporting Matrix의 다층 레이어 구조도 이다.
도 5은 본 발명 잉크의 플렉시블 유기 발광 디스플레이에 응용의 예이다.
도 6은 본 발명 잉크의 플렉시블 필름형 태양 전지에 응용의 예이다.
도 7는 본 발명 잉크의 플렉시블 전계효과트랜지스터에 응용의 예이다.
도 8은 본 발명 잉크의 플랙시블 액정디스플레이에 응용의 예이다.
도 9은 기존 유기발광디스플레이와 본 발명 잉크에 의한 디스플레이 비교의 예이다.
도 10은 기존 유기 전계효과트랜지스터, 유기태양전지와 본 발명 잉크를 사용한 전계효과트랜지스터와 유기 태양전지를 비교하여 나타낸 것이다.
도 11.은 다차원 광 경화 프린트 시스템의 전체적인 하드웨어 구성을 도시한 블록도이다. 도 11를 참조하면, 차원 프린팅 시스템(100)은 시스템의 제1, 제2, 제3 메인보드 (100, 100a, 100b)을 구비하는 메인보드 시스템과, 컬러 프로파일러(103)와, 광경화 장치(103)와, 저장장치(102)와, 상용의 잉크젯 프린터(102)와, 디스플레이 장치(102)을 구비한다. 각 구성은 상호 연결되어 데이터 통신이 가능하다. 제1 번 메인보드 (100)은 시스템의 주 연산 시스템으로서, 도 에는 제1 메인보드 모듈의 블록도가 도시되어 있다. 제1번 메인보드 (100)은 RISC 기반 64비트 멀티코어-멀티스레드의 프로세서로 독립 운영체제를 구동한다. 제1 번 메인보드 (100)은 병렬처리가 가능하며 디스플레이, 프린트, 입력, 출력, 저장을 한다. 제2, 제3 번메인보드 (100a, 110b)은 시스템의 보조 연산 시스템으로서, 도 3에는 제2, 제3 메인보드 모듈의 블록도가 도시되어 있다. 제2, 제3 번 메인보드(100a, 100b)은 RISC기반의 멀티코어-멀티스레드의 프로세서로 독립 운영체제를 구동할 수도 있다. 제2, 제3번 메인보드는 병렬처리가 가능하며 디스플레이, 입력, 출력과 고속의 정수연산을 담당한다. 2번 메인보드 (100a)은 주 프로세싱 시스템으로서, RISC 기반 ARM 프로세서로 병렬처리가 가능하며 입력, 출력과 고속의 부동소수점 연산 처리를 담당한다. 제3 메인보드 (100b)는 보조 프로세싱 시스템으로서, 제3번 메인보드 (100b)은 RISC 기반 ARM SOC 프로세서로 고속의 디지털 연산 제어가 가능하며 커널(kernel)이나 쉘(shell)로 구동이 가능하다. 또한 광 경화 제어 및 컬러 매니지먼트(프로파일링) 제어 시스템의 입력, 출력과 고속의 이미지 및 정수, 부동소수점 연산을 처리한다.
도 12는 도 11에 도시된 다차원 광경화 프린팅 시스템에 의한 소프트웨어의 병렬처리연산흐름을 도시한 것이다. 도 12에 도시된 바와 같이, S001 단계에서 제3 번 메인보드를 통해 각종 컬러매칭 프로파일 정보 및 광경화 제어 데이터를 S002 단계로 전송하여 컴퓨터 병렬분산 처리 연산 프로그램을 실행하는 S003 단계에서 각 메인보드 모듈에 분배되어 연산 처리한다. S004 단계에서 처리된 연산과 연산의 목적치가 일치하면 제1 번 메인보드 모듈의 멀티 코어에 의해 멀티 코어를 이용한 병렬 연산이 처리되며 목적치가 일치하지 않으면 S010 단계를 거쳐 제2번 메인보드의 멀티 프로세서, 멀티 코어에 의해 병렬화되어 처리하여 S013 단계에서 목적치 값보다 크면 피드백하여 S004 단계로 이동 확인하여 S005 단계와 S006 단계의 컴퓨터 클러스터 언어에 의해 데이터 저장(S008)과 디스플레이(S007)하며 S013 단계에서 목적치보다 낮으면 제4 메인보드 모듈로 이동하여 연산을 기다리며(S018) S013 단계에서 목적치와 동일하면 S015 단계와 S016 단계를 차례로 수행하고 S017 단계에서 S003 단계로 피드백 전송되어 연산한다. S013 단계에서 목적치가 낮으면 S018, S019, S020, S021, S022 단계로 차례로 이동 처리하며 S010 단계로 이동 연산된다. 이러한 구조를 재귀적 피드백 구조의 링 카운트 방식을 취하여 고속처리에 의한 연산을 보정할 수 있는 소프트웨어를 형성한다.
도 13.는 광 경화 제어시스템, 프린터, 각종 센서의 입력-출력 흐름도이다.
1 is an overall manufacturing process chart of an inkjet ink for semiconductors of the present invention. Specifically, the step of selecting the photocured semiconductor chemical (ES11); Preparing conductive organic-inorganic hybrid semiconductor molecular particles, high and low dielectric molecular particles, photothermal electrochemically active luminescent liquid crystal polymer particles, and base prepolymers using curing monomers such as ultraviolet light, heat, and radiation (ES12); Preparing an organic-inorganic hybrid semiconductor molecular particle and a high and low dielectric molecular particle dispersion master solution (ES13); A dispersion master stock preparation process of the organic-inorganic hybrid semiconductor molecule particles (ES14); Formulation process step (ES15) of organic inorganic hybrid semiconductor molecular particles; Microfiltration step (ES16); And printing step ES17; And the like.
Figure 2 is a computer 3D simulation, modeling results of the Base Electric-Electron Piezoelectric-Conduct Transporting Matrix.
3 is a detailed structural diagram of the Base Electric-Electron Piezoelectric-Conduct Transporting Matrix.
4 is a multi-layered structure diagram of the Base Electric-Electron Piezoelectric-Conduct Transporting Matrix.
5 is an example of application in a flexible organic light emitting display of the ink of the present invention.
6 is an example of application to a flexible film type solar cell of the ink of the present invention.
7 is an example of application to a flexible field effect transistor of the ink of the present invention.
8 is an example of application in a flexible liquid crystal display of the ink of the present invention.
9 is an example of a display comparison with the conventional organic light emitting display and the ink of the present invention.
10 shows a comparison between an existing organic field effect transistor, an organic solar cell, and a field effect transistor using an ink of the present invention and an organic solar cell.
11 is a block diagram showing the overall hardware configuration of a multidimensional photocurable print system. Referring to FIG. 11, the dimensional printing system 100 includes a main board system including the first, second, and third mainboards 100, 100a, and 100b of the system, a color profiler 103, and photocuring. A device 103, a storage device 102, a commercial inkjet printer 102, and a display device 102 are provided. Each configuration is interconnected to allow data communication. The first motherboard 100 is a main operation system of the system, and a block diagram of the first motherboard module is shown in FIG. The first motherboard 100 is a RISC-based 64-bit multicore-multithreaded processor to run an independent operating system. The first motherboard 100 is capable of parallel processing and displays, prints, inputs, outputs, and stores. The second and third burnt main boards 100a and 110b are auxiliary computing systems of the system, and a block diagram of the second and third mainboard modules is shown in FIG. 3. The second and third motherboards 100a and 100b may run an independent operating system as a RISC-based multicore-multithreaded processor. The 2nd and 3rd motherboards are capable of parallel processing and are responsible for display, input, output and high speed integer operation. Mainboard No. 2 (100a) is a main processing system that can be processed in parallel with RISC-based ARM processors and handles input, output and high-speed floating-point operations. The third main board 100b is an auxiliary processing system, and the third main board 100b is a RISC-based ARM SOC processor capable of high-speed digital operation control and can be driven by a kernel or a shell. . It also handles the input and output of photo-curing control and color management (profiling) control systems, as well as high-speed image and integer and floating point operations.
FIG. 12 shows a parallel processing flow of software by the multi-dimensional photocuring printing system shown in FIG. As shown in FIG. 12, each motherboard module in step S003 executes a computer parallel distributed processing operation program by transmitting various color matching profile information and photocuring control data to step S002 through a third motherboard in step S001. It is distributed to and processes. When the operation processed in step S004 and the target value of the operation coincide, the parallel operation using the multi-core is processed by the multi-core of the first motherboard module. In step S013, the data is parallelized and processed by the multi-core, and if it is larger than the target value in step S013, the feedback is moved to step S004, and the data is stored (S008) and displayed (S007) by the computer cluster language of steps S005 and S006, and in step S013. If it is lower than the target value, the controller moves to the fourth motherboard module (S018). If the target value is the same as the target value in step S013, steps S015 and S016 are performed in turn, and feedback is sent from step S017 to step S003 to calculate. If the target value is low in step S013, the process moves to steps S018, S019, S020, S021, and S022, and then moves to step S010. This structure is taken as a ring count method of a recursive feedback structure to form software capable of correcting the calculation by the high speed processing.
13 is an input-output flow chart of a light curing control system, printer, and various sensors.

본 발명은 하기 1 내지 12단계 등의 세분화된 제조 공정 방법을 포함하는 것을 특징으로 한다The present invention is characterized in that it comprises a granular manufacturing process method such as the following steps 1 to 12

1. 광 경화 유기무기 하이브리드화한 초 전도 분자 잉크젯 잉크의 분산 마스터 원액의 제조 방법은 블랜드가 된 초 순수 물과 식물성 오일 기반의 용매에 적어도 하나 이상의 전도성 물질과 압전 물질을 선택하는 단계; 1. A method of preparing a dispersion master stock solution of a photocurable organic-inorganic hybridized superconducting molecular inkjet ink, comprising: selecting at least one conductive material and piezoelectric material in a blended ultra pure water and vegetable oil based solvent;

2. SigmaAldrich사의 광 경화 형 양쪽성을 가진 (수용성과 지용성)모노머 스티렌, 아크릴레이트, 메타아크릴레이트, 이미다졸 그룹의 모노머를 이용 할로겐화된 희소 금속 촉매(Ag, Au, Pd, Pt)를 사용하여 분자량(Mn: 1,000 ~ 10,000) 올리고머를 제조하고 ATRP및 부분적 RAFT 방법을 이용 중합 전자 촉매제인 질산은(0.05N)과 질산에 용해된 비스무스옥사이드(0.01N)용액을 사용 분자량 (Mn: 20,000 ~80,000) 폴리머를 제조 하는 단계; 2. Halogenated rare metal catalysts (Ag, Au, Pd, Pt) using SigmaAldrich's photocurable amphoteric (water soluble and fat soluble) monomers of styrene, acrylate, methacrylate and imidazole groups Molecular weight (Mn: 1,000 ~ 10,000) oligomer was prepared, and the solution of silver nitrate (0.05N) and bismuth oxide (0.01N) dissolved in nitric acid were used by ATRP and partial RAFT method. Molecular weight (Mn: 20,000 ~ 80,000) Preparing a polymer;

3. 하기 전도성 화합물을 제조 단계;3. preparing the following conductive compound;

1) 1.6eV 이상의 페르미 밴드를 갖는 전도성 물질을 제조 단계( PA(E)DOT(Polyalkyl(ethylene) dioxy(dioctyl) thiophene) 전도성 폴리머 입자를 제조하기 위하여 dioctyl thiophen 모노머에 질산은(1.5N)과 염화금(1N) 촉매를 사용하여 블랜드가 된 초 순수 물-식물성 오일 기반의 용매에 분산된 평균 입자크기 (80nm)크기의 분산 입자를 고 투명한 입자를 제조한다. 또한 묽은 황산, 염산, 질산 등의 무기산을 적어도 1나 이상의 혼합 또는 비율 조절로 P형 반도체나 N형 반도체를 형성 한다. 1) Preparation of a conductive material having a Fermi band of 1.6 eV or more (PA (E) DOT (Polyalkyl (ethylene) dioxy (dioctyl) thiophene) To prepare conductive polymer particles, silver nitrate (1.5 N) and gold chloride ( 1N) catalyst is used to prepare highly transparent particles of average particle size (80 nm) dispersed particles dispersed in blended ultra pure water-vegetable oil-based solvent, and inorganic acids such as dilute sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, etc. The P-type semiconductor or the N-type semiconductor is formed by mixing or proportioning at least one or more.

2) 3.2eV 이상의 페르미 밴드를 갖는 PANi(Polyaniline) 입자를 제조하기 위하여 락톤을 사용하여 완전 용해 한 후 PA(E)DOT와 동일한 희소 금속 촉매를 사용 하여 (100nm) 크기의 블랜드가 된 초 순수 물-식물성 오일 기반의 용매에 입자를 형성 한다. 또한 묽은 황산, 염산, 질산 등의 무기산을 적어도 하나 이상의 혼합 또는 비율 조절로 P형 반도체나 N형 반도체를 형성 한다. 2) Ultrapure water that has been completely dissolved using lactone to produce PANi (Polyaniline) particles with Fermi bands of 3.2 eV or more and then blended (100 nm) in the same rare metal catalyst as PA (E) DOT. -Form particles in vegetable oil based solvents. In addition, an inorganic acid such as dilute sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid or the like is formed by mixing or proportioning at least one or more to form a P-type semiconductor or an N-type semiconductor.

3) PPy(Polypyrrole)은(60nm) 평균 입자 크기를 가지며 제조 방법은 PANi 입자 제조와 동일 하다. 또한 묽은 황산, 염산, 질산등과 카본블랙이나 이산화티탄의 무기물을 적어도 1나 이상의 혼합 또는 비율 조절로 P형 반도체나 N형 반도체를 형성 한다. 3) Polypyrrole (PPy) (60 nm) has an average particle size and the production method is the same as that of PANi particles. In addition, a P-type semiconductor or an N-type semiconductor is formed by mixing or proportioning at least one or more of sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid and the like with inorganic substances of carbon black or titanium dioxide.

4) 3.6eV 이상의 페르미 밴드를 갖는 PA(Polyacethylene)은 알데히드 케톤 용매를 사용하여 평균 입자(200nm)크기를 가지는 입자를 제조 한다. 4) PA (Polyacethylene) having a Fermi band of 3.6 eV or more is used to prepare particles having an average particle size (200 nm) using an aldehyde ketone solvent.

5) 본 발명에 있어서 가장 중요한 기저 매트릭스로 사용하는 그라핀을 추출 하기 위하여 우리나라에서 강원도에 자생하는 참나무 숯을 1100 ~ 1200℃의 가마에서 구운 활성 백탄을 건식 분쇄기로 10~20 mm수준의 미립자로 만든 후 건식 조 분쇄기를 이용하여 지르코니아실리카카바이드 비드 지름 2mm를 사용하여 300 ~ 500㎛ 수준으로 파운더리 한 후 건식 미분쇄기 지르코니아실리카카바이드 비드 지름 0.5mm로 10 ~ 20㎛로 미세 파운더리 한다. 건식 분쇄 과정에서의 냉각은 액체 질소를 이용 하여 분쇄기를 냉각 하며 분쇄 챔버 내에는 액체 헬륨을 주입하여 산소 과포화 및 초전도를 유지 한다. 건식 분쇄의 과정 중 분쇄 챔버의 속도는 1000RPM 이하로 유지 되어야 한다. 분쇄 시간은 각 분쇄기의 챔버의 용량에 따라 5~8시간을 유지 한다.); 미세 파운더리된 활성 백탄의 입자에 전도성 고분자를 브랜드 하거나 그라프팅 공정을 하기 위하여 반응기를 이용하여 불활성 질소와 헬륨이 주입되며 고속 교반 장치가 부착된 반응기를 사용 한다. 5) In order to extract the graphene used as the most important base matrix in the present invention, activated charcoal baked in a kiln of 1100 ~ 1200 ° C in oak charcoal native to Gangwon-do in Korea as a fine particle of 10-20 mm level with a dry mill. After making, using a dry mill, zirconia silica carbide bead diameter 2mm using 2mm zirconia silicate bead and then found fine powder to 10 ~ 20㎛ with 0.5mm diameter of pulverized zirconia silica carbide. Cooling in the dry grinding process uses liquid nitrogen to cool the grinder and injects liquid helium into the grinding chamber to maintain oxygen supersaturation and superconductivity. The speed of the grinding chamber should be kept below 1000 RPM during the dry grinding process. The grinding time is maintained for 5 to 8 hours depending on the capacity of the chamber of each grinder.); In order to brand or graf the conductive polymer particles to fine-found activated charcoal particles, inert nitrogen and helium are injected using a reactor, and a reactor equipped with a high speed stirring device is used.

4. 반응의 촉매를 사용 하기 위하여 초 순수 물과 식물성 오일 기반의 용매에 30wt%로 수화된 폴리설포닉산, 40wt%로 수화된 폴리설포닉리튬산, 폴리아미노설포닉산, 폴리리그노설포닉산소디움염 중 하나의 유기 산을 반응 분산- 전하 도핑제로 선택 하는 단계; 4. Polysulfonic acid hydrated at 30wt%, polysulphonic lithium acid, polyaminosulphonic acid, polylignosulphonic acid sodium hydrated at 30wt% in ultra pure water and vegetable oil based solvents to use the reaction catalyst Selecting an organic acid of one of the salts as the reaction dispersion-charge dopant;

5. 희소 금속의 나노 막대화를 위하여 은, 금, 백금, 팔라디늄등 전도 물질과 게르마늄, 갈륨, 알루미늄 등의 반도체 물질중 적어도 두 가지를 선택 하는 단계; 5. selecting at least two of conductive materials such as silver, gold, platinum, palladium, and semiconductor materials such as germanium, gallium and aluminum for nanorodization of the rare metal;

6. 반응기를 통하여 제조된 그라프팅된 유기무기 하이브리드 전도물질을 습식 미 분쇄하는 단계; 6. Wet milling of the grafted organic-inorganic hybrid conductive material produced through the reactor;

7. 미 분쇄된 그라프팅된 유기무기 하이브리드 전도물질을 초미세 분쇄 하는 단계; 8. 그라프팅된 유기무기 하이브리드 전도물질을 10 내지 40 wt% 위하여 초 순수 물과 식물성 오일 기반의 용매 (식물성 오일: 콩기름 20~60wt%, 유채기름 20~40wt%, 락탐 10~20wt%, 락톤 20~40wt%) 50 내지 70 wt%인 그라프팅된 유기무기 하이브리드 전도물질 분산 용액을 제조하는 단계; 7. ultra fine grinding of the unground grafted organic inorganic hybrid conducting material; 8. Ultrapure water and vegetable oil-based solvent (vegetable oil: 20 ~ 60wt% of soybean oil, 20 ~ 40wt% of rapeseed oil, lactam 10 ~ 20wt%, lactone) for 10-40 wt% of grafted organic inorganic hybrid conductive material 20 to 40 wt%) preparing a grafted organic inorganic hybrid conducting material dispersion solution of 50 to 70 wt%;

9. 원심 분리기가 장착된 초 미쇄기 내에 0.02 내지 5 mm의 지르코늄실리카바이드하프니움 비드(bead)를 넣어 희소 금속 전도 및 압전 고분자 및 고-저 유전체로 반도체물질의 밴드갭의 효율을 증대시키며 그라프팅된 유기무기 하이브리드 전도 물질의 평균 입도가 0.1 내지 20nm가 되는 잉크 조성물 원액을 제조하는 단계; 9. Zirconium silica carbide hafnium beads of 0.02 to 5 mm in ultra-fine mills equipped with centrifuges improve the bandgap efficiency of semiconductor materials with rare metal conduction and piezoelectric polymers and high-low dielectrics. Preparing an ink composition stock solution having an average particle size of the loaded organic-inorganic hybrid conductive material being 0.1-20 nm;

10. 제조된 광경화 프리폴리머를 사용 0.8 내지 30nm크기의 압전전도 반도체 유기- 무기 하이브리드 고분자 입자 원액을 제조하는 단계; 10. preparing a stock solution of piezoelectric semiconductor organic-inorganic hybrid polymer particles having a size of 0.8 to 30 nm using the prepared photocured prepolymer;

11. 잉크 반응 화학물질을 첨가하여 점도, 표면 장력 및 점도 등을 조절하여 잉크 구성물을 제조하는 단계; 및 11. Adding ink reaction chemicals to adjust the viscosity, surface tension, viscosity and the like to produce ink compositions; And

12. 제조된 잉크 구성물을 여과를 하는 단계 등12. Filtration of the manufactured ink composition, etc.

또한, 본 발명 방법에 의해 제조된 희소 금속 전도 및 압전 고분자로 그라프팅된 유기무기 하이브리드 반도체 잉크는 경화 공정 과정에서 휘발성 유기 화합물을 배출하지 않는다. In addition, the organic-inorganic hybrid semiconductor ink grafted with the rare metal conductive and piezoelectric polymer prepared by the method of the present invention does not emit volatile organic compounds during the curing process.

또한, 본 발명은 잉크젯 전자 프린트 위한 블랜드된 초 순수 물 식물성 오일 용매 기반의 광 경화 잉크젯 잉크는 중 적어도 하나의 이상의 전도 또는 압전 고분자를 사용 하며 및 기저 고분자로서 폴리스티렌, 아크릴레이트, 메틸메타아크릴레이트, 불포화에스터, 실리콘, 플루오르 중 적어도 하나 이상의 광 경화 폴리머 포함하는 분산 원액; 초 순수 물 식물성 오일 혼합 용매 ; 수산화칼륨 pH 버퍼 용액; 에틸렌글리콜 그룹, 프로필렌글리콜 그룹으로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 5 ~ 500개의 초 순수 물 식물성 오일 용매 기반으로 제조된 점증제; 글리세린, 부탄디올, 펜탄디올, 헥사디올로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 블랜드된 초 순수 물 식물성 오일 용매로 노멀메틸피리리돈, 2피롤리돈, 폴리비닐피리리돈과 혼합한 혼합 디올 용액으로 제조된 보습제를 포함한다.In addition, the present invention is a blended ultra-pure water vegetable oil solvent based photocurable inkjet ink for inkjet electronic printing using at least one or more of conductive or piezoelectric polymers and as the base polymer polystyrene, acrylate, methyl methacrylate, Dispersion stock solution containing at least one or more of the unsaturated ester, silicone, fluorine photocurable polymer; Ultra pure water vegetable oil mixed solvent; Potassium hydroxide pH buffer solution; Thickeners prepared on the basis of any one selected from the group consisting of an ethylene glycol group, a propylene glycol group, or 5 to 500 ultra pure water vegetable oil solvents thereof; Mixed diol solution in which any one or a mixture thereof selected from the group consisting of glycerin, butanediol, pentanediol, and hexadiol is mixed with normal methylpyrilidone, 2pyrrolidone, and polyvinylpyriridone in a blended ultra pure water vegetable oil solvent It includes a moisturizer prepared by.

또한 본 발명은 경화 공정 과정에서 설포닉 리그닌과 같은 리그닌계 분산제, 아세토니트릴, 디메틸 설페이트, 디메탄올아민, N,N디메틸포름 아미드, 포름 알데히드, 히드라진, 메틸 에틸 케톤, 트리에틸아민, 디메틸 설폭사이드, 모르폴린, 소디움 하이드록사이드, 테트라하이드로푸란 또는 우레아를 배출하지 않는다. 또한, 본 발명에서 제조된 상기의 희소 금속 전도 및 압전 고분자로 입자 외곽에 그라프팅된 유기무기 하이브리드 전도 잉크는 포함한 잉크 조성은 양쪽성(수용성, 지용성) 폴리아크릴레이트/폴리메틸메타아크릴레이트 광 중합 올리고머; 폴리 에틸프로필 옥사이드; 변성 폴리 실록산 / 플로오르 유/무기 혼성 라디칼 중합 올리고머; 에틸디아크릴레이트, 프로필디아크릴레이트, 부틸디아크릴레이트, 에틸메타아크릴레이트,프로필메틸메타크릴레이트, 부틸메틸메타아크릴레이트, 이소프로필아크릴아마이드 모노머;폴리에틸메타아크릴레이트, 폴리에틸아크릴레이트, 불포화 폴리에스터 프리폴리머, 폴리에틸유레아 프리폴리머, 폴리우레탄 프리폴리머, 폴리우레탄아크릴레이트 프리폴리머; 및 광 개시제로서 벤조아세트페논; 열 라디칼 개시제로 아조비스메틸프로피아미딘디하이드로클로라이드(아조비스메틸니트릴); 자유 라디칼 개시제인 벤조퍼옥사이드; 안정제인 BASF(Ciba specialty.)사의 TINUV 5060, 5061; 포집제로 SigmaAldrich사의 하이드로퍼옥사이드; 증감제로는 폴리신나네메이트 등을 포함하는 분산 마스터 원액; 초 순수 물 또는 희석 혼합 식물성 오일(식물성 오일, 에테르, 락탐, 락톤); 수산화 칼륨 pH 버퍼 용액; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜; 등으로 구성된 변성 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 5 ~ 6,000개의 혼합물을 초 순수 물 희석 혼합 식물성 오일(식물성 오일, 에테르, 락탐, 락톤)과 혼합한 혼합폴리에틸렌글리콜(MW 400 ~ 12,000), 폴리프로필렌글리콜(MW 425 ~ 8,000), 에틸프로필 셀룰로오즈(MW 800 ~ 1,600,000), 젤라틴, 팩틴등의 용액으로 제조되는 점증제;를 사용한다.The present invention also provides a lignin dispersant such as sulfonic lignin, acetonitrile, dimethyl sulfate, dimethanolamine, N, Ndimethylformamide, formaldehyde, hydrazine, methyl ethyl ketone, triethylamine, dimethyl sulfoxide in the curing process. Does not release morpholine, sodium hydroxide, tetrahydrofuran or urea. In addition, the ink composition including the organic-inorganic hybrid conductive ink grafted on the outside of the particles with the rare metal conductive and piezoelectric polymer prepared in the present invention is amphoteric (water-soluble, fat-soluble) polyacrylate / polymethyl methacrylate photopolymerization Oligomers; Poly ethylpropyl oxide; Modified polysiloxane / floor organic / inorganic hybrid radical polymerization oligomers; Ethyl diacrylate, propyl diacrylate, butyl diacrylate, ethyl methacrylate, propyl methyl methacrylate, butyl methyl methacrylate, isopropyl acrylamide monomer; polyethyl methacrylate, polyethyl acrylate, unsaturated Polyester prepolymers, polyethylurea prepolymers, polyurethane prepolymers, polyurethane acrylate prepolymers; And benzoacephenone as photoinitiator; Azobismethylpropiamidinedihydrochloride (azobismethylnitrile) as a thermal radical initiator; Benzoperoxides, which are free radical initiators; TINUV 5060, 5061 from BASF (Ciba specialty.) As a stabilizer; Hydroperoxide from SigmaAldrich as a collecting agent; As a sensitizer, dispersion master stock solution containing polycinnamate etc .; Ultra pure water or diluted mixed vegetable oils (vegetable oils, ethers, lactams, lactones); Potassium hydroxide pH buffer solution; Polyethylene glycol, polypropylene glycol; Mixed polyethylene glycol (M W 400-12,000), poly, mixed with ultra pure water dilution mixed vegetable oils (vegetable oils, ethers, lactams, lactones) with any one or a mixture of 5 to 6,000 selected from the modified group consisting of Propylene glycol (M W 425 ~ 8,000), ethylpropyl cellulose (M W 800 ~ 1,600,000), gelatin, pectin and the like is made of a thickener;

또한 본 발명에서 수성 또는 혼합 식물성 오일 기반 분산 마스터 원액은 글리세린, 부탄디올, 펜탄디올, 헥실디올로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물, 희석제로 초순수 물 - 혼합 식물성 오일 등으로 이루어진다.Also in the present invention, the aqueous or mixed vegetable oil-based dispersion master stock solution is composed of any one or a mixture thereof selected from the group consisting of glycerin, butanediol, pentanediol, hexyldiol, ultrapure water-mixed vegetable oil, etc. as a diluent.

또한 본 발명은 상기 분산 마스터 원액들은 제조 공정 및 사용 과정에서 휘발성 유기 화합물 배출하지 않는 것이 특징이다.In addition, the present invention is characterized in that the dispersion master stock solution does not discharge volatile organic compounds in the manufacturing process and use process.

또한, 본 발명은 전자기적 전도성 유변 고분자인 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아센, 폴리아날린, 폴리아세티렌, 풀러렌, 탄소나노튜브, 그라핀, 희소 금속 나노 와이어, 덴드리머, 실리퀴녹산을 첨가 할 수 있는 잉크젯 잉크 및 DNA칩 등에 사용될 화학 센서에 생체 적합성 고분자인 젤러틴, 키토산 등의 생체 고분자를 첨가 하여 잉크화 할 수 있는 특징이 있다.In addition, the present invention can be added to the electroconductive rheology polymer polythiophene, polypyrrole, polyacene, polyanaline, polyacetyrene, fullerene, carbon nanotubes, graphene, rare metal nanowires, dendrimer, silicinoxane Biochemical polymers such as gelatin and chitosan, which are biocompatible polymers, are added to chemical sensors used in inkjet inks and DNA chips.

또한, 본 발명은 희소 금속 전도 및 압전 고분자 잉크, 고저 유전체 분자 입자 잉크는 입자 외곽에 그라프팅된 유기무기 하이브리드 반도체 분산 마스터 원액은 10 내지 30 wt%; 블랜드된 초 순수 물식물성 유지는 40 내지 70 wt%; pH 버퍼 용액은 0.1 내지 0.5 wt%; 점도조절제는 20 내지 40 wt%; 계면 활성제는 0.1 내지 1 wt%; 소포제는 0.1 내지 1 wt%; 보습제는 1 내지 15 wt%; 광 개시제, 열 개시제, 자유 라디칼 개시제 및 포착제, 안정제는 0.1 내지 1wt%; 증감제 0.1~5wt% 첨가된다. In addition, the present invention is a rare metal conductive and piezoelectric polymer ink, high-low dielectric molecular particle ink is 10 to 30 wt% of the organic-inorganic hybrid semiconductor dispersion master stock solution grafted to the outside of the particle; The blended ultra pure vegetal fat is 40 to 70 wt%; pH buffer solution is 0.1 to 0.5 wt%; Viscosity modifiers from 20 to 40 wt%; The surfactant is 0.1 to 1 wt%; Antifoaming agents from 0.1 to 1 wt%; Humectants 1-15 wt%; Photo-initiators, thermal initiators, free radical initiators and trapping agents, stabilizers from 0.1 to 1 wt%; 0.1-5 wt% of a sensitizer is added.

또한, 본 발명의 잉크 조성물은 표면 장력이 20 내지 60dyne/cm; 점도가 5.0 내지 100 cPs; 그리고 pH 2 내지 12이 된다. 최적 조건은 표면 장력이 30 내지 50 dyne/cm; 점도가 10.0 내지 40.0 cPs; 그리고 pH 4 내지 10이다.In addition, the ink composition of the present invention has a surface tension of 20 to 60 dyne / cm; Viscosity is 5.0 to 100 cPs; And pH 2 to 12. Optimum conditions include a surface tension of 30 to 50 dyne / cm; Viscosity is 10.0-40.0 cPs; And pH 4-10.

본 발명에서 기재된 프리올리머란 중량 평균 분자랑이 1000 이상이고 100,000이하인 화합물 이다.The pre-oliomer described in the present invention is a compound having a weight average molecular weight of 1000 or more and 100,000 or less.

본 발명에 따른 잉크 조성물은 인체에 유해하지 않은 화학 물질을 사용하고 그리고 원료의 순도를 높여 제조된다. 또한 세계 각국의 환경 관련 기관 및 및 세계 보건 안전 기구, 국제 환경 기준이 정한 유해 화학물(대기, 수질, 인체, 동물에 대한: REACHver2006, 2008, 2010, RoHS, LoHAS, HAPs etc.) 에서 정한 규정에 의한 유해 화학물의 생성, 배출을 없애며 더 나아가 전자전기 관련 제품의 제조, 생산, 테스트, 소비자의 운용 구동에서 생성되는 전자선 및 전자파의 차폐 및 생성(EMI, ESD)을 원천적으로 봉쇄 하여 보다 안전한 사용을 하기 위해 상기 기술한 화학물질을 사용하여 제조된 본 발명에 따른 잉크 조성물은 경화 공정 과정에서 인체 및 환경에 유해한 물질이 없으며 작업자를 보호하고 아울러 환경을 보호할 있도록 한다. The ink composition according to the present invention uses a chemical that is not harmful to the human body and is produced by increasing the purity of the raw material. In addition, regulations set forth by environmental agencies around the world, and by the World Health and Safety Organization, and hazardous chemicals (for air, water, human and animals: REACHver2006, 2008, 2010, RoHS, LoHAS, HAPs etc.) as set by international environmental standards. Eliminates the generation and emission of harmful chemicals and further safeguards the shielding and generation of electromagnetic beams and electromagnetic waves (EMI, ESD) generated in the manufacture, production, testing and operation of consumer electronics-related products. The ink composition according to the present invention prepared using the above-described chemicals to ensure that there is no harmful substances to the human body and the environment during the curing process, and to protect the operator and also the environment.

1. 광 경화 압전전도 반도체 화학물의 선택 단계 1. Selection Step of Photocuring Piezoelectric Semiconductor Chemicals

Fe, Cu, Ag, Au, ZnPhtalocyanine, Luminol, Carmine A, Carmine B, Luciferin, Polyazo Poly Phenol, Titanium dioxide(Rutile, Anatage), Zinc Oxide, Indium Tin Oxide, Tin Oxide, Antimony, Germanium, Carbon, Lithopone, Aluminum Oxide, Gold, Silver, Chopper, Fe2O3, Lithium, Magnesium, Barium sulfide, CNT(Carbon Nano Tube, DWCNT, SWCNT, MWCNT), Nanowire, Dendrimer, Graphene, FullereneC60, 61, 70, 74, 84, 90, Poly Thiphene Group(PEDOT, PEDOTPOSS/PSS, PADOT,PT, P3HT, F8T2), Poly Acetylene, Poly Pyrrole, Poly Phenylene Vinylene Group, Poly Vinylene Carbazole, Poly Sprazole, Poly acene, Poly aniline, Poly Lglutamate, Iridium, Hafnium, Poly imide, Poly Phenyl Sulfide, Fluorescein, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane), TCNQTTF(Tetrathiafulvalene), Transfer Metal Group, Alkali Metallic Salt, Cumarin, Cinnamate, NonLinear Polymer, Photo Chromic, Electro Chromic, Chemical Chromic, Poly Imine, Poly N-iso amide(Nylon), Poly Sulfone, Poly Sulfide, Pentacene, Germanium, Gallium 등 위와 같은 압전전도 화학물 중 바람직하게는 알레르기의 발생이 없고 그리고 발암성이 없는 물질이 선택될 수 있다. Fe, Cu, Ag, Au, ZnPhtalocyanine, Luminol, Carmine A, Carmine B, Luciferin, Polyazo Poly Phenol, Titanium dioxide (Rutile, Anatage), Zinc Oxide, Indium Tin Oxide, Tin Oxide, Antimony, Germanium, Carbon, Lithopone, Aluminum Oxide, Gold, Silver, Chopper, Fe 2 O 3 , Lithium, Magnesium, Barium sulfide, CNT (Carbon Nano Tube, DWCNT, SWCNT, MWCNT), Nanowire, Dendrimer, Graphene, Fullerene C60, 61, 70, 74, 84, 90, Poly Thiphene Group (PEDOT, PEDOTPOSS / PSS, PADOT, PT, P3HT, F8T2), Poly Acetylene, Poly Pyrrole, Poly Phenylene Vinylene Group, Poly Vinylene Carbazole, Poly Sprazole, Poly acene, Poly aniline, Poly Lglutamate, Iridium, Hafnium, Poly imide, Poly Phenyl Sulfide, Fluorescein, Tetracyanoquinodimethane (TCNQ), Tetrathiafulvalene (TCNQTTF), Transfer Metal Group, Alkali Metallic Salt, Cumarin, Cinnamate, NonLinear Polymer, Photo Chromic, Electro Chromic, Chemical Chromic, Poly Imine, Poly N N -Piezoelectric conductivity such as iso amide (Nylon), Poly Sulfone, Poly Sulfide, Pentacene, Germanium, Gallium Among the chemicals, preferably allergenic and noncarcinogenic substances can be selected.

22 . . 자외선(광), 열, 방사선등의 경화 모노머를 이용 전도성 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자와 고저 유전체 분자 입자, 광열화학전기적 능동 발광 액정 폴리머 입자, 기저 프리올리머 제조 하는 단계Preparation of conductive organic inorganic hybrid semiconductor molecular particles, high and low dielectric molecular particles, photothermochemically electroluminescent liquid crystal polymer particles, and base prepolymers using curing monomers such as ultraviolet light, heat, and radiation

본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 블랜드된 초 순수 물 식물성 오일 용매 기반 광 경화 잉크젯 잉크를 위한 모노머를 이용한 광 경화 폴리머 제조 방법은 전기 전도성 단량체의 용액 상태 하 일정 기공을 갖는 구형의 폴리머 잉크 입자를 형성한다. 제조는 표준 상태 하(기압 1ATM, 온도 298.16K) ) SigmaAldrich사의 양쪽성(수용성, 지용성) 스티렌, 아크릴레이트, 메틸메타아크릴레이트, 불포화폴리에스터 모노머; DowCorning사 변성 플르오르화 실리콘, 불포화 폴리에스터 구성된 모노머; Alfa-Aeasar의 헥사메틸디아디파미드, 에틸이미드, 비닐페닐페놀 모노머를 20 ~ 40wt%와 블랜드된 초 순수 물 식물성 오일 용매 (콩기름 20~60wt%, 유채기름 20~40wt%, 락탐 10~20wt%, 락톤 20~40wt%)의 질소 분위기하 양쪽성(수용성, 지용성) 용매 2피롤리돈, N메틸피리리돈 블랜드 액(1Kg 기준, 혼합비 50:50) 20 ~ 40 wt% 과 공용매로는 디메틸설폭사이드, 디메틸아세테이트 블랜드 액(1Kg 기준 혼합비 50:50) 20 ~ 40 wt%, 비 공용매로는 테트라부틸알코올 5 ~ 15 wt%로 SigmaAldrich사의 희소 금속(Ag, Au, Pt, Pd) 중 적어도 하나의 촉매 1~2wt%를 사용 정밀 합성 반응인 Wurtz FittingUlmann Reaction과 2~3 wt%의 Merck사의 Aluminum trioxide dicholoride, doping Gemanium Nitrate와 SigmaAldrich사의 Calcium hydrate, Hafnium hydrate, Iridium hydrate, Lithium hydrate, Potassiumchloride, Bromide, Iodine 의 Ligand Reaction을 이용 ZieglerNatta Reaction을 동시에 작용 유도하여 ATRP에 의한 합성을 시키며 합성된 입자 부분적인 폴리머의 RAFT를 개시하여 중합 전자 촉매제인 질산은(0.05N)과 질산에 용해된 비스무스옥사이드(0.01N)용액을 사용 상기에 기술된 모노머를 분자량 (Mn: 20,000 ~80,000) 폴리머로 제조 한다. 전도성 분자 입자 결정화를 유도 하기 위하여 공비(이소프로필알콜/에틸알콜 또는 프레탄올 부피 혼합비 20:80)혼합물 1000ml에 적하 하고 0.01N HClH2SO4 또는 HNO3H2PO3 1000ml와 이를 중화하는 0.01N NaOHNH3OH 또는 KOHLiOH 를 1000ml를 적하하며 산화환원제인 1N 비스포스포카보네이트 또는 디소디움설포네이트 1000ml를 적하 결정질(crystal)을 만들며 헬륨 분위기하에서 열과 광에 의한 Sigmaaldrich사의 Remind Water 75wt% in BPO(Benzoic peroxide) 0.1 ~ 1wt% 개시제에 의한 열, 광, 방사선, 마이크로웨이브에 의한 중합 반응을 이용 Merck사의 폴리에틸옥사이드 또는 프로필옥사이드, 부틸옥사이드, 펜탄옥사이드, 헥실옥사이드, 헵탄옥사이드, 옥틸옥사이드, 플루오르옥사이드 등의 가지가 선형이면서 분자 오비탈이 SP2또는SP3의 분자 오비탈을 가지는 3.75wt% in D. I. Water Solution에 Thiopene 계열의 전도성 물질을 제조 하기 위하여 전자 주입 반도체 분자 입자를 제조는 Thiophene(Ethylenediocxyl thiphene, Hexylmethyl thiophene) monomer(2.86wt%)에 질산은(0.5 ~ 1.5N)과 염화은 또는 금(0.1 ~1N) 촉매를 사용하여 블랜드가 된 초 순수 물과 식물성 오일 기반의 용매에 미셀화 분산된 평균 입자크기 (80nm)크기의 분산 입자를 12 ~ 24시간 Ultra Violet C(193nm: 37.5mW) 가하여 진 푸른색을 가지는( PA(E)DOT(Polyalkyl(ethylene) dioxy(dioctyl) thiophene)계열의 기본 10가지의 종류(P3HT:Poly(3hexythiophene2,5diyl), P3OT:(Poly(3octylthiophene2,5diyl), P3DDT:Poly(3dodeecylthiophene2,5diyl), F8T2:Poly(9,9dioctylfluorenealtbithiophene), Poly(thiophene3(2ethoxy)ethoxy)2,5diyl,sulfonate, PE(P)DOTblockPEG(PPG): Poly(3,4ethyl(propyl)enedioxythiophene)blockPoly(ethylpropylene)glycol), PE(P)DOTPSS: Poly(3,4ethyl(propyl)enedioxythiophene)Poly(styrenesulfonate), PE(P)DOTPOSS: Poly(3,4ethyl(propyl)enedioxythiophene)Poly(octylstyrenesulfonate), PT:Poly(thipene2,5diyl) PDT:Poly(3decylthiophene2,5diyl), P3BT: Poly(3butylthiophene2,5diyl)의 Ptype의 유기 전도 반도체 분자 입자를 제조한다. 또 다른 유기 전자 주입 반도체 분자인 PANi(Polyaniline) 입자를 제조하기 위하여 락톤을 사용하여 (ANi 5 ~ 10 wt% in Lactone: SigmaAldrich) 완전 용해 한 후 PA(E)DOT와 동일한 희소 금속 촉매를 사용 하여 (100nm) 크기의 블랜드가 된 초 순수 물과 식물성 오일 기반의 용매에 입자를 형성 한다. 이 때에 PANi의 doping agent는 0.01N의 HCl, H2SO4, HNO3, H2PO3에 의해 4가지의 다른 종류의 PANi가 되며 doping time에 의해 Ntype의(Polyaniline(emelradine salt), Polyaniline (leucoemelradine)) 과 Ptype의(Polyaniline(emelradine salt)Long(short) chain, graft lignin, Polyaniline(emelradine salt)Long(short) chain, graft lignosulfonate (lithium, potassium, sodium) salt) 유기 금속형 반도체를 제조 할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, a method for preparing a photocurable polymer using monomers for blended ultra pure water vegetable oil solvent based photocurable inkjet inks is characterized by the use of spherical polymer ink particles having constant pores under solution of an electrically conductive monomer. Form. The preparation was carried out under standard conditions (atmospheric pressure 1 ATM, temperature 298.16 K) of amphoteric (water soluble, fat soluble) styrene, acrylate, methyl methacrylate, unsaturated polyester monomers of SigmaAldrich; DowCorning's modified fluorinated silicone, monomers composed of unsaturated polyester; 20 to 40 wt% of Alfa-Aeasar's hexamethyldiadipamide, ethylimide and vinylphenylphenol monomers are mixed with ultra pure water vegetable oil solvent (20 to 60 wt% of soybean oil, 20 to 40 wt% of rapeseed oil, 10 to 20 wt of lactam) %, Lactone 20-40 wt%) Amphoteric (water-soluble, fat-soluble) solvent 2 pyrrolidone, N methylpyrilidone blend solution (1 Kg basis, mixing ratio 50:50) 20 to 40 wt% and cosolvent Dimethyl sulfoxide, dimethyl acetate blend solution (mixing ratio 50:50 based on 1Kg) 20 to 40 wt%, 5 to 15 wt% of tetrabutyl alcohol as a non-cosolvent in rare metals (Ag, Au, Pt, Pd) of SigmaAldrich Precision synthesis reaction using Wurtz FittingUlmann Reaction with at least 1 ~ 2 wt% of catalyst and 2 ~ 3 wt% of Merck's Aluminum trioxide dicholoride, doping Gemanium Nitrate and SigmaAldrich's Calcium hydrate, Hafnium hydrate, Iridium hydrate, Lithium hydrate, Potassium chloride, Simultaneous Ziegler Natta Reaction using Ligand Reaction of Bromide and Iodine Induces the action of ATRP by inducing action and initiates RAFT of the synthesized particle partial polymer, using silver nitrate (0.05N) as a polymerization electron catalyst and bismuth oxide (0.01N) solution dissolved in nitric acid. (Mn: 20,000 ~ 80,000) It is made of polymer. To induce the crystallization of conductive molecular particles, 1000 ml of 0.01 N HClH2SO4 or HNO3H2PO3 and neutralizing 0.01 N NaOHNH3OH or KOHLiOH were added dropwise to 1000 ml of azeotrope (isopropyl alcohol / ethyl alcohol or pretanol volume mixing ratio 20:80). 1000 ml of redox 1N bisphosphocarbonate or disodium sulfonate was added dropwise to form a crystal, and heat was obtained by initiator of Sigmaaldrich's Remind Water 75wt% in Benzoic peroxide (BPO) 0.1 to 1wt% by heat and light under helium atmosphere. Merck polyethyl oxide or propyl oxide, butyl oxide, pentane oxide, hexyl oxide, heptane oxide, octyl oxide, fluoride oxide, etc. are linear and the molecular orbital is SP2 or SP3 Thiopene in 3.75wt% in DI Water Solution with Molecular Orbital In order to prepare the conductive material, electron injection semiconductor molecular particles were prepared by blending silver nitrate (0.5 to 1.5N) and silver chloride or gold (0.1 to 1N) catalyst on Thiophene (Ethylenediocxyl thiphene, Hexylmethyl thiophene) monomer (2.86wt%). Ultraviolet C (193nm: 37.5mW) was added to the ultrafine water and vegetable oil-based solvents with the average particle size (80nm) dispersed in micelles. 10 kinds of basic DOT (Polyalkyl (ethylene) dioxy (dioctyl) thiophene) series (P3HT: Poly (3hexythiophene2,5diyl), P3OT: (Poly (3octylthiophene2,5diyl), P3DDT: Poly (3dodeecylthiophene2,5diyl), F8) Poly (9,9dioctylfluorenealtbithiophene), Poly (thiophene3 (2ethoxy) ethoxy) 2,5diyl, sulfonate, PE (P) DOTblockPEG (PPG): Poly (3,4ethyl (propyl) enedioxythiophene) blockPoly (ethylpropylene) glycol), PE ( P) DOTPSS: Poly (3,4ethyl (propyl) enedioxythiophene) Poly (styrenesulfonate), PE (P) DOTPOSS: Poly (3,4ethyl (propyl) enedioxythiophene Poly (octylstyrenesulfonate), PT: Poly (thipene2,5diyl) PDT: Poly (3decylthiophene2,5diyl), P3BT: Ptype organic conductive semiconductor molecule particles of poly (3butylthiophene2,5diyl) are prepared. To prepare PANi (Polyaniline) particles, another organic electron injection semiconductor molecule, completely dissolved by using lactone (ANi 5 ~ 10 wt% in Lactone: SigmaAldrich) and then using the same rare metal catalyst as PA (E) DOT. Form particles in ultra pure water and vegetable oil based solvents (100 nm) size blends. At this time, the doping agent of PANi becomes four different kinds of PANi by 0.01N HCl, H2SO4, HNO3, H2PO3, and by doping time of Ntype (Polyaniline (emelradine salt), Polyaniline (leucoemelradine)) and Ptype ( Polyaniline (emelradine salt) Long (short) chain, graft lignin, Polyaniline (emelradine salt) Long (short) chain, graft lignosulfonate (lithium, potassium, sodium) salt) Organometallic semiconductors can be prepared.

전자(전기) 이동체 PPy(Polypyrrole)은(60nm) 평균 입자 크기를 가지며 제조 방법은 PANi 입자 제조와 동일 하다. 그러나 PPy 의 경우 물 및 일반적인 유기 용매에 분산 되지 않기 때문에 가마에서 연소된 White Charcoal과 Carbon Black에 (1:1, 1:2, 2:1, 1:3, 3:1, 1:4, 4:1)비율로 각기 그라프팅 하였다. 또한 폴리에틸옥사이드 또는 프로필옥사이드, 부틸옥사이드 각기 2 mole의 지글러 나타 부가 반응을 하면 다음의 3가지 형태의 유기 금속 반도체를 제조 할 수 있다. 3,4ethylenepyrrole, 1,2propylenepyrrole, 4,3butylenepyrrole 유기 금속 반도체에 희소 금속을 양 기능기의 끝단에 희소 금속(Ag, Au, Pt, Pd)을 0.01mol로 그라프팅 하면 투명한 유기 금속 초전도체를 가진 하이퍼큐브 그라핀을 제조 한다. 또한 제조된 하이퍼 큐브 그라핀을 응집제로 DMSO, DMF을 각기 1 mole의 용액에 분산 시키면 FullereneC60, 61, 70, 74, 84, 90, CNT(Carbon Nano Tube, DWCNT, SWCNT, MWCNT), Nanowire, Dendrimer, Graphene을 가지는 다차원 구조까지 제조 제어가 가능하다.The electron (electro) moving body PPy (Polypyrrole) (60 nm) has an average particle size and the manufacturing method is the same as that of PANi particles. However, PPy does not disperse in water and common organic solvents, so it can be used in white charcoal and carbon black (1: 1, 1: 2, 2: 1, 1: 3, 3: 1, 1: 4, 4). The grafting was performed at a ratio of 1). In addition, when the Ziegler-Natta addition reaction of polyethyl oxide, propyl oxide, and butyl oxide, respectively, 2 moles, the following three types of organometallic semiconductors can be prepared. 3,4ethylenepyrrole, 1,2propylenepyrrole, 4,3butylenepyrrole When grafting a rare metal to an organic metal semiconductor to 0.01 mol of rare metals (Ag, Au, Pt, Pd) at the ends of both functional groups, a hypercube with a transparent organic metal superconductor Prepare graphene. In addition, when the prepared hypercube graphene is dispersed in 1 mole of DMSO and DMF as a coagulant, FullereneC60, 61, 70, 74, 84, 90, CNT (Carbon Nano Tube, DWCNT, SWCNT, MWCNT), Nanowire, Dendrimer In addition, it is possible to control manufacturing up to a multi-dimensional structure with graphene.

압전 분자인 PVK(Poly Vinyl Carbazole)과 PLG(PolyLGlutamate)는 각 0.2 mol의 2Vinyl Carbazole과 9Vinyl Carbazole과 0.1mol의 1Vinylnaphtalene과 2Vinylnaphtalene을 프레탄올에 20wt% 팽윤하여 이소프로필알코올에 10wt% 용해된 LGlutamate와 혼합하여 Ultra Violet C(253nm: 50.5mW)로 8시간을 가하여 입자화 시켰다.Piezoelectric molecules, PVK (Poly Vinyl Carbazole) and PLG (PolyLGlutamate), were mixed with 0.2% 2Vinyl Carbazole, 9Vinyl Carbazole, 0.1mol 1Vinylnaphtalene and 2Vinylnaphtalene in 20% by weight of pretanol and 10 wt% dissolved in isopropyl alcohol. After 8 hours with Ultra Violet C (253nm: 50.5mW) was granulated.

기저 매트릭스인 PA(Polyacethylene)은 알데히드 케톤 용매를 사용하여 평균 입자(200nm)크기를 가지는 입자를 제조 한다. 본 발명에 있어서 가장 중요한 기저 매트릭스로 사용하는 다량의 그라핀을 추출 하기 위하여 우리나라에서 강원도에 자생하는 참나무 숯을 1100 ~ 1200℃의 가마에서 구운 활성 백탄 1Kg과 Sigmaaldrich사의 흑연 100mesh 크기의 0.5Kg을 건식 분쇄기로 10~20 mm수준의 미립자로 만든 후 건식 조 분쇄기를 이용하여 지르코니아실리카카바이드 비드 지름 2mm를 사용하여 300 ~ 500㎛ 수준으로 파운더리 한 후 건식 미분쇄기 지르코니아실리카카바이드 비드 지름 0.5mm로 10 ~ 20㎛로 미세 파운더리 한다. 건식 분쇄 과정에서의 냉각은 액체 질소를 이용 하여 분쇄기를 냉각 하며 분쇄 챔버 내에는 액체 헬륨을 주입하여 산소 과포화 및 초전도를 유지 한다. 건식 분쇄의 과정 중 분쇄 챔버의 속도는 1000RPM 이하로 유지 되어야 한다. 분쇄 시간은 각 분쇄기의 챔버의 용량에 따라 5~8시간을 유지 한다.); 미세 파운더리된 활성 백탄의 입자에 전도성 고분자를 블랜드 하거나 그라프팅 공정을 하기 위하여 반응기를 이용하여 불활성 질소와 헬륨이 주입되며 고속 교반 장치가 부착된 반응기를 사용 한다. 반응의 촉매를 사용 하기 위하여 초 순수 물과 식물성 오일 기반의 용매에 30wt%로 수화된 폴리설포닉산, 40wt%로 수화된 폴리설포닉리튬산, 폴리아미노설포닉산, 폴리리그노설포닉산소디움염 중 하나의 유기 산을 반응 분산- 전하 도핑제로 선택 하며 Tokyo Chemical Industry사의 5wt% 수용액의 스피라졸, 에오신A, 에오신B, 티오인디고와 Dowcorning사의 변성실리콘co아크릴레이트 공중합 폴리머와 광 증감제인 SigmaAldrich사의 Syndiotatic:25wt%, Ataic:5wt의 수용액(25wt% in D. I. Water) 상태의 cinnemate 20g과 (이산화티타늄(Titanium dioxide Rutile type: 90wt%, Anatage type: 10wt%) 25g, 이산화실리콘(Silicone dioxide), 산화알루미늄(Aluminum oxide), 산화아연(Zinc oxide), 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 안티몬옥사이드(Antimony Oxide), 게르마늄옥사이드(Germanium Oxide), 갈륨옥사이드(Gallium Oxide) 각 15g을 사용하며 희소 금속인 Silver, Gold은 각 10g씩 Platinum, Palladium은 각 5g을 사용 1Kg 기준 72hr와 촉매 및 개시제의 비율에 따라 다양한 하이퍼큐브 유기 무기 그라프팅된 다차원 그라핀 입자를 합성하며 최종으로 그룹 말단의 활성단이 하이드록시 그룹의 유무에 따라서 수용성을 갖거나 지용성을 갖는 기능기를 형성한다. The base matrix PA (Polyacethylene) is used to prepare particles having an average particle size (200 nm) using an aldehyde ketone solvent. In order to extract a large amount of graphene that is used as the most important base matrix in the present invention, dry activated white charcoal 1Kg and 0.5Kg of Sigmaaldrich's graphite 100mesh of oak charcoal grown in Gangwon-do in Korea in a kiln of 1100 ~ 1200 ℃ After pulverizing 10 ~ 20mm fine particles into powder and using a dry coarse crusher to find the diameter of 300 ~ 500㎛ using 2mm zirconia silica carbide beads, dry fine crusher zirconia silica carbide beads 10 ~ It is finely found to 20 micrometers. Cooling in the dry grinding process uses liquid nitrogen to cool the grinder and injects liquid helium into the grinding chamber to maintain oxygen supersaturation and superconductivity. The speed of the grinding chamber should be kept below 1000 RPM during the dry grinding process. The grinding time is maintained for 5 to 8 hours depending on the capacity of the chamber of each grinder.); In order to blend or graf the conductive polymer to the particles of fine-found activated charcoal, inert nitrogen and helium are injected using a reactor, and a reactor equipped with a high speed stirring device is used. In order to use the reaction catalyst, polysulfonic acid hydrated at 30 wt% in ultra pure water and vegetable oil-based solvent, polysulfonic lithium acid hydrated at 40 wt%, polyaminosulphonic acid, polylignosulphonic acid sodium salt One organic acid is selected as the reaction dispersion-charge dopant, and the synthetic silicone coacrylate copolymer polymer of 5 wt% aqueous solution of Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., Sioma Did Co., Ltd. 20 g of cinnemate in 25wt%, Ataic: 5wt aqueous solution (25wt% in DI Water) and 25g, Titanium dioxide Rutile type: 90wt%, Anatage type: 10wt%, Silicon dioxide, Aluminum oxide ( 15g of aluminum oxide, zinc oxide, indium tin oxide (ITO), antimony oxide, germanium oxide, and gallium oxide The rare metals Silver and Gold are 10g each, Platinum and Palladium each 5g using 72g at 1Kg, and various hypercube organic inorganic grafted multidimensional graphene particles are synthesized according to the ratio of catalyst and initiator. The active group forms a functional group that is water-soluble or fat-soluble depending on the presence or absence of a hydroxy group.

초전도를 위하여 TCNQ(Tetracyanoquinodimethane), TCNQTTF(Tetrathiafulvalene)를 각 1 mole씩, Nitromethane: isopropyl alcohol: 2butanol = 4: 4: 2또는 3:4:3 비율로 혼합된 1Kg 용액에 분산 팽윤하여 각기 반투명한 용액을 제조 한다.For superconductivity, TCNQ (Tetracyanoquinodimethane) and TCNQTTF (Tetrathiafulvalene) were dispersed in a 1Kg solution of Nitromethane: isopropyl alcohol: 2butanol = 4: 4: 2 or 3: 4: 3 at 1 mole each, each translucent solution To prepare.

Light Emission(Emitting) Polymer는 2,5bis(2(N,N(di)ethylamino)ethoxy)1,4phenylene)alt1,4phenylene와 Poly floure2,5Octyl(ocxyl)oxidine을 각 1mole를 하이드록시테트라하이드로퓨란: DMSO: DMF = 4: 4: 2 혼합 용액 1Kg에 Alkalisulfonic salt(K+, Na+, Li+)에 각 0.1 mole을 첨가 하여 블랜딩 의해 각기 발광 위치가 다른 물질로 제조 한다. 또 다른 LEP인 Cyanopolyphenylenevinylene group, fluorenylene ethylene group, flourene vinylene group은 상기와 동일한 용매에 의해 제조 한다. Light Emission (Emitting) Polymer contains 2,5bis (2 (N, N (di) ethylamino) ethoxy) 1,4phenylene) alt1,4phenylene and Poly floure2,5Octyl (ocxyl) oxidine for each mole of hydroxytetrahydrofuran: DMSO : DMF = 4: 4: 2 To 1Kg of the mixed solution, 0.1 mole of Alkalisulfonic salt (K +, Na +, Li +) is added to each other to prepare a material having different emission locations by blending. Another LEP, Cyanopolyphenylenevinylene group, fluorenylene ethylene group, flourene vinylene group is prepared by the same solvent.

Electron Transporting(Hole Transporting) Layer 은 주로 LEP나 전자(하) 이동체의 효율을 극대화 하기 위하여 사용 되었다. 본 발명에 있어서는 주로 Phtalocyanine(희소 금속 이나 알칼리 토금속, 전이 금속으로 치환된)이나 Quinacrydione, Cumarine 유도체를 사용 LEP에 사용된 혼합 용액에 동일한 방식으로 20 mole/Kg 사용 하여 제조 하였다.Electron transporting (Hole Transporting) layer is mainly used to maximize the efficiency of LEP or electron (bottom) carrier. In the present invention, Phtalocyanine (substituted with rare metals, alkaline earth metals and transition metals), Quinacrydione, and Cumarine derivatives were mainly prepared using 20 mole / Kg in the same manner as the mixed solution used for LEP.

Active Emission(Emitting) Liquid Cyrystal Polymer의 제조는 질소 분위기, 표준 상태 하(기압 1ATM, 온도 298.16K)하에서 SigmaAldrich사의 양쪽성(수용성, 지용성) 폴리스티렌co 아크릴레이트alt 메틸메타아크릴레이트cis or trans 불포화폴리에스터250g; DowCorning사 I2700의 변성 플루오르화 실리콘불포화 폴리에스터의 불용성 수지로 구성된 모노머를 250g을 초 순수혼합 식물성 용매 400g에 넣은 후, 양쪽성(수용성, 지용성) 용매인 2피롤리돈과 N메틸피롤리돈 블랜드 액(1Kg 기준, 혼합비 50:50) 250g, 공용매인 디메틸설폭사이드과 디메틸아세테이트 블랜드 액(1Kg 기준 혼합비 50:50) 200g, 비 공용매인 테트라부틸알코올 50g 및 SigmaAldrich사의 AgAuPt 연속 촉매 20g를 첨가하여 Wurtz Fitting Ulmann Reaction이 이루어지게 한다. 다음으로 Merck사의 Aluminum trioxide dichloride 10g, SigmaAldrich사의 Calcium hydrate 20g을 첨가한 후 Ligand Reaction 및 ZieglerNatta Reaction이 동시에 이루어지도록 하여 전도성 유변 고분자를 합성하였다. 합성된 고분자의 결정화를 유도하기 위하여 상기 혼합물을 공비(이소프로필알콜/에틸알콜 부피 혼합비 20:80)혼합물 1000ml에 적하하고, 0.01N HCl 1000ml와 이를 중화하는 0.01N NaOH를 1000ml를 적하하고, 산화환원제인 1N 비스포스포카보네이트 또는 디소디움설포네이트 1000ml를 적하하여 결정질(crystal)을 형성한다. 다음으로 헬륨 분위기하에서 열과 광에 의한 개시제인 BPO(Benzoic peroxide) 1g을 첨가하고, Sigma Aldrich사의 Sublimation Dye & Pigment((Phtalocyanine or Qinacrydione) trans아크릴레이트co메틸메타아크릴레이트alt(Cinnamate or Benzoic Group(Benzoate, Benzonic Acid) 250g, Dowcorning사의 변성실리콘co플루오르 공중합폴리머 또는 Sigmaaldrich사의 티오펜co플루오르비닐렌alt파라설피드 250g, Tokyo Chemical Industry사의 스피라졸co에오신 또는 디오인디고 50g 및Active Emission (Emitting) Liquid Cyrystal Polymer is manufactured from SigmaAldrich's amphoteric (water soluble and fat soluble) polystyrene co acrylatealt methyl methacrylate cis or trans unsaturated polyester under nitrogen atmosphere and standard conditions (atmospheric pressure 1ATM, temperature 298.16K). 250 g; 250 g of a monomer composed of an insoluble resin of a modified fluorinated silicone unsaturated polyester of DowCorning I2700 was added to 400 g of an ultra pure mixed vegetable solvent, and then a blend of two-pyrrolidone and Nmethylpyrrolidone, which are amphoteric (water-soluble and fat-soluble) solvents. Wurtz Fitting was added by adding 250 g of liquid (based on 1 Kg, mixing ratio 50:50), 200 g of co-solvent dimethyl sulfoxide and dimethyl acetate blend liquid (50:50 mixing ratio based on 1 Kg), 50 g of tetrabutyl alcohol as non-cosolvent, and 20 g of AgAuPt continuous catalyst from SigmaAldrich. Allow Ulmann Reaction to occur. Next, after adding 10 g of Merck's Aluminum trioxide dichloride and 20 g of SigmaAldrich's Calcium hydrate, the Ligand Reaction and the Ziegler Natta Reaction were simultaneously performed to synthesize a conductive rheology polymer. In order to induce crystallization of the synthesized polymer, the mixture was added dropwise to 1000 ml of azeotrope (isopropyl alcohol / ethyl alcohol volume mixing ratio 20:80), 1000 ml of 0.01 N HCl and 0.01 N NaOH neutralizing it were added dropwise and oxidized. 1000 ml of 1N bisphosphocarbonate or disodium sulfonate as a reducing agent is added dropwise to form a crystal. Next, 1 g of BPO (Benzoic peroxide), an initiator of heat and light, was added in a helium atmosphere, and Sublimation Dye & Pigment ((Phtalocyanine or Qinacrydione) transacrylate comethyl methacrylatealt (Cinnamate or Benzoic Group (Benzoate) of Sigma Aldrich was added. , Benzonic Acid) 250g, modified silicone cofluoro copolymer of Dowcorning or thiophenecofluorovinylenealt parasulfide 250g of Sigmaaldrich, 50g of spirazolecoeosin or dioindigo from Tokyo Chemical Industry, and

액정 폴리머로는 기반 모노머로서 SigmaAldrich사의 Cholestryl group(acetate, bezoate, carbonate, choloride, succinate, pergolarnate) 또는 Nematic group(bisphenylcarbonitrile, butylnitrile, benzinitrile), Smetic group(bezoic acid, phenylbenzoate)을 각기 10g, 화학적 발광제인 Alfa Aesaer사의 Luciferin, Luminol salt, sigmaaldrich사의 Uradine, Reboflavin을 각기 1g, 광증감제인 SigmaAldrich사의 Polycinnemate(Mw 200,000) 2g, 10g의 무기물(이산화티타늄(Titanium dioxide), 이산화실리콘(Silicone dioxide), 산화알루미늄(Aluminum oxide), 산화아연(Zinc oxide) 또는 인듐주석산화물(Indium Tin oxide, ITO)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상)을 첨가한다. 상기에서 Tokyo Chemical Industry사의 스피라졸에오신 대신에 폴리티오펜, 아센, 아날린, 비닐카바졸, 스피라졸, 또는 L글루타메이트로 이루어진 군에서 선택된 2종 이상을 사용할 수도 있다. 최종으로 합성된 전도성 유변 고분자는 그룹 말단의 활성단이 하이드록시 그룹의 유무에 따라서 수용성을 갖거나 지용성을 갖는다. 전도성 유변 고분자 입자 제조 공정 동안에서 Airproducts사의 99.999999999%의 질소 가스를 사용하여 Degassing과 함께 제조 된다.The liquid crystal polymer is based on SigmaAldrich's Cholestryl group (acetate, bezoate, carbonate, choloride, succinate, pergolarnate) or Nematic group (bisphenylcarbonitrile, butylnitrile, benzinitrile), and Smetic group (bezoic acid, phenylbenzoate). 1g each of Alfa Aesaer's Luciferin, Luminol salt, sigmaaldrich's Uradine and Reboflavin, and 2g of SigmaAldrich's polycinnemate (Mw 200,000) and 10g of minerals (titanium dioxide, silicon dioxide, and aluminum oxide) Aluminum oxide), zinc oxide or at least one member selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO). Instead of the spirazole eosin from Tokyo Chemical Industry, two or more selected from the group consisting of polythiophene, acene, an alin, vinyl carbazole, spirazole, or L glutamate may be used. Finally, the conductive rheological polymer synthesized has water solubility or fat soluble according to the presence or absence of a hydroxyl group at the active end of the group. It is manufactured with Degassing using 99.999999999% nitrogen gas from Airproducts during the manufacturing of conductive rheological polymer particles.

고 유전체로는 플루오르 아크릴레이트, 하프니움 아크릴레이트, 이리듐 아크레이트 와 저 유전체로 산화 지르코늄 아크릴레이트를 실리퀴옥산에 희소 금속 이온 부가 중축합을 유도 하여 졸겔 공정법을 사용 입자 화된 고, 저 유전체를 합성 한다. High dielectrics include fluor acrylate, hafnium acrylate, iridium acrylate, and zirconium oxide acrylate as low dielectrics. Synthesize.

구체적인 합성 방법은 DMSO: DMF=혼합비(80:20)의 5Kg에 상기 기술된 실리퀴녹산 1Kg을 분산 시킨 후 500g의 아믹형의 덴드리머를 추가하여 분산 시킨다. 상압질소 기류 하 촉매제인 질산은을 0.02mole(3.38g)을 첨가하고 60min간 초음파 처리를 한다. 초음파 처리된 분산 입자에 벤조퍼옥사이드 2g을 첨가하고 반응기 외부에서 영하 5℃에서 UVC 253nm, 37.5mW를 12hr동안 자외선 중합을 행하여 아믹형 덴드리머 외측에 캡슐화된 실리퀴녹산 유기무기 하이브리드 나노포러스 구조체를 만든다. 만들어진 구조체를 분산 입자화 하기 위하여 공용매인 프레탄올을 2Kg 첨가하여 2hr 동안 1000rpm 속도로 교반 크기가 30nm인 미세 기공을 가진 입자체로 굴절율 1.42를 가지는 투명의 나노 포러스 구조체를 제조 한다.A specific synthesis method is to disperse 1Kg of the above-described silicinoxane in 5Kg of DMSO: DMF = mixing ratio (80:20), and then disperse by adding 500g of amic dendrimer. Silver nitrate, a catalyst under atmospheric nitrogen flow, is added with 0.02 mole (3.38 g) and sonicated for 60 min. 2 g of benzoperoxide was added to the sonicated dispersion particles, and UV polymerization was performed at 3 ° C for 3 hrs under UVC 253 nm and 37.5 mW at minus 5 ° C outside the reactor to form a sillyquinoxane organic-inorganic hybrid nanoporous structure encapsulated outside the amic dendrimer. . In order to disperse and granulate the prepared structure, 2Kg of co-solvent pretanol was added to prepare a transparent nanoporous structure having a refractive index of 1.42 as a particle body having fine pores having a stirring size of 30 nm at 1000 rpm for 2hr.

상기에서 제조된 나노 포러스 구조체 1Kg에 2피롤리돈: N메틸2피롤리돈: 감마부틸락톤, 감마발레로락톤 = 40:40:20의 혼합 용액을 나노 포러스 구조체와 1:1 비율로 혼합하고 상기에 언급된 고, 저 유전체 물질을 각 100g을 투입하여 감압(1ATM) 상온 상태에 질소 분위기 하 주 촉매제인 AgNO3 3.38g과 조 촉매인 HAuCl4를 첨가하고 다니엘앨더 치환 반응을 하기 위하여 열광자유라디칼 개시제인 SigmaAldrich사의 벤조익벤조퍼옥사이드 1g을 첨가 하여 600rpm 속도로 8hr을 교반 하여 나노포러스 구조체의 끝단에(하프니움, 이리듐 또는 지르코니움을 갖는 폴리머를) 그라프팅하여 제조한다. To 1 Kg of the nanoporous structure prepared above, a mixed solution of 2 pyrrolidone: N methyl 2 pyrrolidone: gamma butyl lactone and gamma valerolactone = 40:40:20 was mixed with the nanoporous structure in a 1: 1 ratio. 100 g of each of the high and low dielectric materials mentioned above was added to 3.38 g of AgNO3 as a main catalyst and HAuCl4 as a cocatalyst under a nitrogen atmosphere at room temperature under reduced pressure (1ATM), and a thermal free radical initiator for the Daniel Alder substitution reaction. It is prepared by adding 1 g of benzoic benzoperoxide of SigmaAldrich, which is stirred at 600 rpm for 8 hr, and grafting the end of the nanoporous structure (polymer having hafnium, iridium or zirconium).

각 전도 분자 반도체 입자 및 고, 저 유전체 분자 입자 잉크는 제조 공정 시간 동안에서 Airproducts사의 99.999999999%의 질소 가스를 사용하여 Degassing과 함께 제조 된다.Each conductive molecular semiconductor particle and high and low dielectric molecular particle inks are prepared with Degassing using 99.999999999% nitrogen gas from Airproducts during the manufacturing process time.

3. 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자 및 고저 유전체 분자 입자 분산 마스터 용액의 제조3. Preparation of Organic Inorganic Hybrid Semiconductor Molecular Particles and Dispersion Master Solution of High and Low Dielectric Molecular Particles

선행 단계에서 제조된 기저 프리올리머, 전도 분자 입자를 그라프트와 분산을 하기 위하여 분산 장비를 사용하기 전에 유화된 마스터 용액 제조하기 위하여 다음과 같은 다양한 비율로 각 기능성을 가지는 지능형 반도체 분산 마스터 용액을 제조 한다. Base Electric-Electron Piezo-Conduct Transporting Matrix는 P-type과 N-type의 BJT(Bipolar Juction Transistor)를 Thiophene group, PANi group, Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene의 각 성분의 상태와 성분량의 조절로 제조 할 수 있으며 FET(Field Emitting Transistor)로 구현하기 위해서 PPy group, PA group의 각 성분의 상태와 함량을 조절 하여 구동이 가능한 F/F( Flip-Flop) IC(Integrate Circuit)를 구성된다. PVK group, TCNQ group의 성분은 VLSI, ULSI(Very-Ultra Large Scale Integration)의 능동적인 전압 및 전류 제어 특성(Cut-off)을 향상을 위해 추가된다.In order to prepare the emulsified master solution before using the dispersing equipment for grafting and dispersing the base prepolymer and conductive molecule particles prepared in the preceding step, an intelligent semiconductor dispersion master solution having various functionalities is Manufacture. Base Electric-Electron Piezo-Conduct Transporting Matrix can manufacture P-type and N-type Bipolar Juction Transistors (BJT) by controlling the state and amount of each component of Thiophene group, PANi group, and Hypercube Organic Organic hybrid graphene. In order to implement (Field Emitting Transistor), F / F (Flip-Flop) IC (Integrate Circuit) that can be driven by controlling the state and content of each component of PPy group and PA group is composed. Components of the PVK group and TCNQ group are added to improve active voltage and current control characteristics (Cut-off) of VLSI and Very-Ultra Large Scale Integration (ULSI).

Base Electric-Electron Piezo-Conduct Transporting MatrixBase Electric-Electron Piezo-Conduct Transporting Matrix

기저 프리올리머: 10~15wt%Basis Pre-Olimer: 10-15 wt%

Thiophene group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 8~20wt%Thiophene group (at least one of the pre-made molecular particles): 8-20 wt%

PANi group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 6~18wt%PANi group (at least one of the pre-made molecular particles): 6-18 wt%

PPy group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 2~10wt%PPy group (at least one of the pre-made molecular particles): 2-10 wt%

PA group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%PA group (at least one of the previous prepared molecular particles): 1-10 wt%

PVK group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%PVK group (at least one of the pre-made molecular particles): 1-10 wt%

TCNQ group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%TCNQ group (at least one of the previous prepared molecular particles): 1-10 wt%

Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 30~40wt% Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 30-40 wt%

Chage Control Agent(Clariant GmBH NP-101): 0.5~1wt%Chage Control Agent (Clariant GmBH NP-101): 0.5 ~ 1wt%

Dynol604(Airproducts CO.): 0.1 ~0.5wt%Dynol604 (Airproducts CO.): 0.1-0.5wt%

RetinolA(SigmaAldrich CO.): 0.01 ~ 2wt%Retinol A (SigmaAldrich CO.): 0.01 ~ 2wt%

Solvent(초순수 물 40wt%과 혼합 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%): balanced.Solvent (40 wt% ultrapure water, 10 wt% mixed vegetable oil solution, 50 wt% pretanol): balanced.

Hole Injetction LayerHole Injetction Layer

기저 프리올리머: 10 ~15wt%Basis prepolymer: 10 to 15 wt%

Thiophene group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 4~10wt%Thiophene group (at least one of the pre-made molecular particles): 4-10 wt%

PANi group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 3~10wt%PANi group (at least one of the previous prepared molecular particles): 3-10 wt%

PPy group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~5wt%PPy group (at least one of the pre-made molecular particles): 1-5 wt%

PA group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 0.5~5wt%PA group (at least one or more of the previously produced molecular particles): 0.5-5 wt%

PVK group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 0.5~5wt%PVK group (at least one of the pre-made molecular particles): 0.5-5 wt%

Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 1~5wt% Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 1-5 wt%

Chage Control Agent(Clariant GmBH NP-101): 0.5~1wt%Chage Control Agent (Clariant GmBH NP-101): 0.5 ~ 1wt%

Dynol604(Airproducts CO.): 0.1 ~0.5wt%Dynol604 (Airproducts CO.): 0.1-0.5wt%

RetinolA(SigmaAldrich CO.): 0.01 ~ 2wt%Retinol A (SigmaAldrich CO.): 0.01 ~ 2wt%

AliphaticAromatic Alcohol: 0.1 ~ 20wt%Aliphatic Aromatic Alcohol: 0.1 ~ 20wt%

Solvent(초순수 물 40wt%와 혼합 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%): balanced.Solvent (40 wt% ultrapure water, 10 wt% mixed vegetable oil solution, 50 wt% pretanol): balanced.

Hole Transfer LayerHole Transfer Layer

기저 프리올리머: 10 ~15wt%Basis prepolymer: 10 to 15 wt%

Thiophene group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 2~10wt%Thiophene group (at least one of the pre-made molecular particles): 2-10 wt%

PANi group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%PANi group (at least one of the pre-made molecular particles): 1-10 wt%

PPy group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~5wt%PPy group (at least one of the pre-made molecular particles): 1-5 wt%

PA group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%PA group (at least one of the previous prepared molecular particles): 1-10 wt%

PVK group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%PVK group (at least one of the pre-made molecular particles): 1-10 wt%

Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 1~5wt% Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 1-5 wt%

Chage Control Agent(Clariant GmBH NP-101): 0.5~1wt%Chage Control Agent (Clariant GmBH NP-101): 0.5 ~ 1wt%

Dynol604(Airproducts CO.): 0.1 ~0.5wt%Dynol604 (Airproducts CO.): 0.1-0.5wt%

RetinolA(SigmaAldrich CO.): 0.01 ~ 2wt%Retinol A (SigmaAldrich CO.): 0.01 ~ 2wt%

Solvent(초순수 물 40wt%과 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%): balanced.Solvent (40 wt% ultrapure water, 10 wt% vegetable oil solution, 50 wt% pretanol): balanced.

Light Emitting(Emission) PolymerLight Emitting (Emission) Polymer

기저 프리올리머: 10 ~15wt%Basis prepolymer: 10 to 15 wt%

Thiophene group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 2~10wt%Thiophene group (at least one of the pre-made molecular particles): 2-10 wt%

PANi group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%PANi group (at least one of the pre-made molecular particles): 1-10 wt%

PPy group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%PPy group (at least one of the pre-made molecular particles): 1-10 wt%

PA group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%PA group (at least one of the previous prepared molecular particles): 1-10 wt%

PVK group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%PVK group (at least one of the pre-made molecular particles): 1-10 wt%

MEHPPVcoPFO(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%MEHPPVcoPFO (at least one of the previously prepared molecular particles): 1-10 wt%

Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 0.5~5wt% Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 0.5 ~ 5wt%

Chage Control Agent(Clariant GmBH NP-101): 0.5~1wt%Chage Control Agent (Clariant GmBH NP-101): 0.5 ~ 1wt%

Dynol604(Airproducts CO.): 0.1 ~0.5wt%Dynol604 (Airproducts CO.): 0.1-0.5wt%

RetinolA(SigmaAldrich CO.): 0.01 ~ 2wt%Retinol A (SigmaAldrich CO.): 0.01 ~ 2wt%

Solvent(초순수 물 40wt%과 혼합 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%): balanced.Solvent (40 wt% ultrapure water, 10 wt% mixed vegetable oil solution, 50 wt% pretanol): balanced.

Electron Transporting(Hole Transporting) LayerElectron Transporting (Hole Transporting) Layer

기저 프리올리머: 10 ~15wt%Basis prepolymer: 10 to 15 wt%

Thiophene group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 4~10wt%Thiophene group (at least one of the pre-made molecular particles): 4-10 wt%

PANi group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 2~10wt%PANi group (at least one of the previous manufactured molecular particles): 2-10 wt%

PPy group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%PPy group (at least one of the pre-made molecular particles): 1-10 wt%

PA group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%PA group (at least one of the previous prepared molecular particles): 1-10 wt%

PVK group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 1~10wt%PVK group (at least one of the pre-made molecular particles): 1-10 wt%

Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 0.5~20wt% Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 0.5 ~ 20wt%

Chage Control Agent(Clariant GmBH NP-101): 0.5~1wt%Chage Control Agent (Clariant GmBH NP-101): 0.5 ~ 1wt%

Dynol604(Airproducts CO.): 0.1 ~0.5wt%Dynol604 (Airproducts CO.): 0.1-0.5wt%

RetinolA(SigmaAldrich CO.): 0.01 ~ 2wt%Retinol A (SigmaAldrich CO.): 0.01 ~ 2wt%

Solvent(초순수 물 40wt%과 혼합 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%): balanced.Solvent (40 wt% ultrapure water, 10 wt% mixed vegetable oil solution, 50 wt% pretanol): balanced.

Active Emission(Emitting) Liquid Cyrystal PolymerActive Emission (Emitting) Liquid Cyrystal Polymer

기저 프리올리머: 10 ~15wt%Basis prepolymer: 10 to 15 wt%

Active Liquid Cyrystal Polymer(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 8~20wt%Active Liquid Cyrystal Polymer (at least one of the pre-made molecular particles): 8-20 wt%

Chage Control Agent(Clariant GmBH NP-101): 0.5~1wt%Chage Control Agent (Clariant GmBH NP-101): 0.5 ~ 1wt%

Dynol604(Airproducts CO.): 0.1 ~0.5wt%Dynol604 (Airproducts CO.): 0.1-0.5wt%

RetinolA(SigmaAldrich CO.): 0.01 ~ 2wt%Retinol A (SigmaAldrich CO.): 0.01 ~ 2wt%

Solvent(초순수 물 40wt%과 혼합 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%): balanced.Solvent (40 wt% ultrapure water, 10 wt% mixed vegetable oil solution, 50 wt% pretanol): balanced.

점성탄성을 가진 뉴턴니안 유화 용액을 제조 공정 시간 12 ~ 36hr 동안에서 Airproducts사의 99.999999999%의 질소 가스를 사용하여 Degassing과 함께 제조 된다.Newtonian emulsified solutions with viscoelasticity are prepared with Degassing using 99.999999999% nitrogen gas from Airproducts for a manufacturing process time of 12 to 36hr.

4. 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자들의 분산 마스터 원액 제조 공정4. Dispersion Master Stock Preparation Process of Organic Inorganic Hybrid Semiconductor Molecular Particles

유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자들은 광 경화 분산 마스터 용액에 분산된 압전전도 반도체 분자 입자의 입자 크기는 핵 자기 성장하여 최대 크기가 서브 나노 에뮬전 크기(10㎛)가 이상적으로 큰 상태가 되어 잉크젯 노즐을 통하여 분사 되기에 적합하지 않다. 초 미세 밀 공정으로 가기 전에 프리 밀링(500 내지 3000RPM의 회전 속도) 및 미세 밀(2000 내지 10000RPM의 회전 속도) 공정으로 밀링 되어 입자간의 미셀화 응집을 통해 좁은 의미의 나노 또는 서브 나노 크기의 분산액을 제조 하며 초 미세 밀링 공정을 통하여 잉크젯 노즐을 통하여 분사 되기에 적합한 크기가 되도록 분산이 되어야 한다. 분산을 위하여 밀링 기계 내에 0.1 내지 5 mm의 지르코늄실리카바이드하프니움 비드(bead)를 넣어 분자의 평균 입도가 1Kg 기준 90분의 공정 시간 동안 1 내지 10 nm가 되도록 분산을 한다. 이와 같은 분산 공정을 통하여 분산이 뛰어난 분산 마스터 원액이 제조된다. 분산을 위한 비드가 기계 챔버 전체 부피에 대하여 이상적인 양은 60 내지 90% 정도로 투입되며 투입된 지르코늄실리카바이드하프니움 비드는 12,000 내지 24,000RPM의 속도로 초고속 회전이 된다. 이와 같은 초미세 분산 작업을 위하여 상업적으로 구입 가능한 IKA사의 T200등과 같은 파일롯 초 고속 분쇄분산 장비에 지르코늄실리카바이드하프니움 비드(Bead)를 이용해서 초고속 정밀 분쇄분산 하는 구조를 가진 기계를 사용한다. The organic-inorganic hybrid semiconductor molecular particles are nuclear self-grown in the particle size of the piezoelectric semiconductor molecular particles dispersed in the photocuring dispersion master solution, so that the maximum size of the sub-nanoemulsion (10 μm) is ideally large. Not suitable for spraying through Before going to the ultra-fine mill process, milling is carried out with pre-milling (rotational speeds of 500 to 3000 RPM) and fine milling (rotational speeds of 2000 to 10000 RPM) to form micronized or sub-nano sized dispersions through micelle aggregation of the particles. It must be manufactured and dispersed to a size suitable for spraying through an inkjet nozzle through an ultra-fine milling process. For dispersion, zirconium silica carbide hafnium beads of 0.1 to 5 mm are placed in a milling machine to disperse so that the average particle size of the molecules is 1 to 10 nm for a processing time of 90 minutes at 1 kg. Through this dispersion process, a dispersion master stock solution excellent in dispersion is produced. The ideal amount of the beads for dispersing is added in the range of 60 to 90% with respect to the total volume of the machine chamber, and the injected zirconium silica carbide hafnium beads are rotated at a high speed of 12,000 to 24,000 RPM. For this ultra-fine dispersion operation, a ultra-high precision grinding and dispersing system using a zirconium silica carbide hafnium bead is used in a pilot ultra-fast grinding and dispersing equipment such as a commercially available IKA T200.

5. 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자들의 포뮬레이터 공정5. Formulation process of organic inorganic hybrid semiconductor molecular particles

잉크젯 잉크를 제조 하기 위하여 분쇄 분산 제조된 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자들의 광 경화 분산 마스터 원액에 광 경화 반응 화학 물질이 첨가된다. 일반적으로 광 반응 화학 물질은 잉크 조성물의 안정, 분산 또는 잉크 입자간의 결착 능력을 향상시키기 위하여 첨가된다. 첨가되는 광 반응 화학 물질은 표면 장력, 점도, pH 및 저장 안정성과 같은 잉크 물성의 향상을 고려하고 동시에 인체 및 환경에 무해한 물질이 되어야 한다. 광 반응 화학 물질은 예를 들어 수산화 칼륨(potassium hydroxide) pH 버퍼 용액; 및 계면활성제인 Surface agent를 포함할 수 있다. 또한 Airproducts사의 양쪽성 계면 활성제인 Surfynol CT211, 221, 231, Dynol 604, 607 Zetasperse 1200, 1400, 1600, 2100, 2300, 2500, 3100, 3400, 3700, Envirogem AD01, AE01, 02, 03, 360와 같은 계면활성제; Degussa사의 양쪽성 계면 활성제인 Tego 270, 280, 500, 505, Disperse 750, 760와 같은 계면활성제; BYK사의 양쪽성 계면 활성제인 BYK 023, 024, 027, 028, Disper , Disper 180, 184, 190, 192, 191, 193 같은 계면활성제; Lubirazol사의 양쪽성 계면 활성제인 Solsperse 27000, 40000, 41000, 41090, 42000, 44000, 46000, 47000 같은 계면활성제; 3M사의 양쪽성 계면 활성제인 FC4430, 4432;및 폴리 디(메틸,에칠)실리콘co아크릴레이트alt(에틸,메틸,프로필)셀룰로즈bis젤러틴 같은 상온 습기 경화형 보습제를 포함할 수 있다. The photocuring reaction chemical is added to the photocuring dispersion master stock solution of the organic-inorganic hybrid semiconductor molecular particles prepared by grinding and dispersing to prepare an inkjet ink. Generally, photoreactive chemicals are added to improve the stability, dispersion, or binding ability between ink particles of the ink composition. The photoreactive chemicals to be added should take into account the improvement of ink properties such as surface tension, viscosity, pH and storage stability and at the same time be harmless to humans and the environment. Photoreaction chemicals include, for example, potassium hydroxide pH buffer solutions; And a surface agent that is a surfactant. In addition, Airproducts' amphoteric surfactants such as Surfynol CT211, 221, 231, Dynol 604, 607 Zetasperse 1200, 1400, 1600, 2100, 2300, 2500, 3100, 3400, 3700, Envirogem AD01, AE01, 02, 03, 360 Surfactants; Surfactants such as Tego 270, 280, 500, 505, Disperse 750, 760, which are amphoteric surfactants from Degussa; Surfactants such as BYK 023, 024, 027, 028, Disper, Disper 180, 184, 190, 192, 191, 193, which are amphoteric surfactants of BYK; Surfactants such as Solsperse 27000, 40000, 41000, 41090, 42000, 44000, 46000, 47000, which are amphoteric surfactants from Lubirazol; Room temperature moisture curable moisturizers such as 3M's amphoteric surfactant, FC4430, 4432; and polydi (methyl, ethyl) siliconecoacrylatealt (ethyl, methyl, propyl) cellulose bis gelatin.

0.1 내지 1 wt%의 pH 버퍼 용액0.1 to 1 wt% pH buffer solution

10 내지 20 wt%의 광 경화 폴리머, 폴리머, 올리고머10 to 20 wt% photocured polymer, polymer, oligomer

20 내지 40 wt%의 광 경화 모노머20 to 40 wt% photocurable monomer

1.1내지 1 wt%의 표면 장력 조절제 1.1 to 1 wt% surface tension modifier

1.1내지 1 wt%의 광 개시제1.1 to 1 wt% photoinitiator

0.1 내지 1 wt%의 열 개시제0.1 to 1 wt% thermal initiator

1.1내지 1 wt%의 자유 라디칼 개시제1.1 to 1 wt% free radical initiator

0.1 내지 5 wt%의 증감제0.1 to 5 wt% sensitizer

1.1내지 1 wt%의 포집제1.1 to 1 wt% scavenger

0.1 내지 1 wt%의 안정제0.1 to 1 wt% stabilizer

0.1 내지 1 wt%의 소포제; 및 0.1 to 1 wt% antifoam; And

0.5 내지 10 wt%의 보습제0.5 to 10 wt% moisturizer

잉크 구성물 마스터 원액 및 광 반응 화학 물질은 메카닉 스티러에서 블랜드가 되고 블랜드 상황에서 공정 시간 동안에서 Airproducts사의 99.999999999%의 질소 및 헬륨 가스를 사용하여 Degassing과 함께 제조 된다. 예를 들어 상업적으로 이용 가능한 IKA사의 컴퓨터에 의해 제어가 가능한 가변 조건형 Reaction & Storage Vessel이 사용될 수 있다. Ink formulation master stocks and photoreaction chemicals are blended in a mechanical stirrer and made with Degassing using 99.999999999% of nitrogen and helium gas from Airproducts during the processing time in the blend situation. For example, a variable conditional Reaction & Storage Vessel, which can be controlled by a commercially available IKA computer, can be used.

7. 정밀 여과 7. Microfiltration

제조된 잉크 구성물은 제조 공정 과정에서 발생되거나 또는 혼합된 불순물을 제거하고 그리고 일정 수준 이상의 크기를 가지는 입자를 걸러내기 위한 공정이다. 여과 공정은 Millpore사 또는 General Electric사의 제품을 이용 한외여과(3㎛이하), 정밀여과(500㎚이하), 선택적 초 정밀 여과(100㎚이하)에 의하여 행하여지며 감압(1 ATM) 진공 펌프에 의해 여과 된다. 그리고 여과 공정을 통하여 잉크 구성물은 전체적으로 균일 하며 안정된 입자 크기를 가지게 된다. The manufactured ink composition is a process for removing impurities generated or mixed in the manufacturing process and filtering out particles having a predetermined size or more. The filtration process is performed by ultrafiltration (less than 3㎛), microfiltration (less than 500nm), selective ultra-precision filtration (less than 100nm) using Millpore or General Electric's products, and reduced pressure (1 ATM) vacuum pump. It is filtered. Through the filtration process, the ink composition has an overall uniform and stable particle size.

8. 프린팅8. Printing

앞서 제조된 잉크의 프린트 시 광 경화 장치를 구성하여 광 경화하는 잉크의 경화 속도를 가속화 할 수 있다. RISC기반인 프로세서(ARM, Intel, AMD, VIA, IBM, Nvidia, Xillinx, Altera사 등 32/64/128/256/384/512bit microprocessor)의 (SMP 또는 MPP)병렬 처리 연산으로 자동화되어 보다 빠르며 사용자의 구성에 따라 시뮬레이션과 에뮬레이션을 제공 하며 선예도가 뛰어난 출력이 가능한 시스템이 되도록 한다. In the printing of the ink prepared previously, a photocuring device may be configured to accelerate the curing speed of the photocuring ink. Automated (SMP or MPP) parallel processing of RISC-based processors (32/64/128/256/384 / 512bit microprocessors including ARM, Intel, AMD, VIA, IBM, Nvidia, Xillinx, Altera, etc.) It provides simulation and emulation according to the configuration of the system, and enables a system with excellent sharpness output.

하기 제조예 및 실시 예는 예시적인 것으로 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 제시된 실시 예에 대한 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. The following Preparations and Examples are illustrative and can be made by those skilled in the art to various modifications and modifications to the examples presented.

제조예 1. 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자 및 고저 유전체 분자 입자 분산 마스터 용액의 제조Preparation Example 1 Preparation of Organic Inorganic Hybrid Semiconductor Molecular Particles and Dispersion Master Solution of High and Low Dielectric Molecular Particles

다음과 같은 반도체용 분산 마스터 용액을 제조 한다.The following dispersion master solution for semiconductors is prepared.

Base Electric-Electron Piezo-Conduct Transporting MatrixBase Electric-Electron Piezo-Conduct Transporting Matrix

기저 프리올리머: 100gBasis Pre-Olimer: 100g

Thiophene group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 140gThiophene group (at least one of the pre-made molecular particles): 140 g

PANi group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 100gPANi group (at least one of the pre-made molecular particles): 100 g

PPy group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 30gPPy group (at least one of the pre-made molecular particles): 30 g

PA group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 20gPA group (at least one or more of the prepared molecular particles): 20 g

PVK group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 10gPVK group (at least one of the pre-made molecular particles): 10 g

TCNQ group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 10gTCNQ group (at least one of the preceding manufactured molecular particles): 10 g

Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 300g Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 300 g

Chage Control Agent(Clariant GmBH NP-101): 5gChage Control Agent (Clariant GmBH NP-101): 5g

Dynol604(Airproducts CO.): 1gDynol604 (Airproducts CO.): 1 g

RetinolA(SigmaAldrich CO.): 0.1gRetinol A (SigmaAldrich CO.): 0.1 g

Solvent(초순수 물 40wt%과 혼합 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%): balanced.Solvent (40 wt% ultrapure water, 10 wt% mixed vegetable oil solution, 50 wt% pretanol): balanced.

Hole Injection LayerHole Injection Layer

기저 프리올리머: 100gBasis Pre-Olimer: 100g

Thiophene group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 60gThiophene group (at least one of the pre-made molecular particles): 60 g

PANi group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 80gPANi group (at least one of the pre-made molecular particles): 80 g

PPy group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 50gPPy group (at least one of the pre-made molecular particles): 50 g

PA group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 10gPA group (at least one of the preceding prepared molecular particles): 10 g

PVK group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 10gPVK group (at least one of the pre-made molecular particles): 10 g

Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 10gHypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 10 g

Chage Control Agent(Clariant GmBH NP-101): 5gChage Control Agent (Clariant GmBH NP-101): 5g

Dynol604(Airproducts CO.): 1gDynol604 (Airproducts CO.): 1 g

RetinolA(SigmaAldrich CO.): 0.1gRetinol A (SigmaAldrich CO.): 0.1 g

AliphaticAromatic Alcohol: 1gAliphaticAromatic Alcohol: 1g

Solvent(초순수 물 40wt%와 혼합 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%): balanced.Solvent (40 wt% ultrapure water, 10 wt% mixed vegetable oil solution, 50 wt% pretanol): balanced.

Hole Transfer LayerHole Transfer Layer

기저 프리올리머: 100gBasis Pre-Olimer: 100g

Thiophene group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 80gThiophene group (at least one of the pre-made molecular particles): 80 g

PANi group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 30gPANi group (at least one of the pre-made molecular particles): 30 g

PPy group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 10gPPy group (at least one of the preceding manufactured molecular particles): 10 g

PA group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 20gPA group (at least one or more of the prepared molecular particles): 20 g

PVK group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 10gPVK group (at least one of the pre-made molecular particles): 10 g

Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 10g Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 10 g

Chage Control Agent(Clariant GmBH NP-101): 5gChage Control Agent (Clariant GmBH NP-101): 5g

Dynol604(Airproducts CO.): 1gDynol604 (Airproducts CO.): 1 g

RetinolA(SigmaAldrich CO.): 0.1gRetinol A (SigmaAldrich CO.): 0.1 g

Solvent(초순수 물 40wt%과 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%): balanced.Solvent (40 wt% ultrapure water, 10 wt% vegetable oil solution, 50 wt% pretanol): balanced.

Light Emitting(Emission) PolymerLight Emitting (Emission) Polymer

기저 프리올리머: 120gBasis Pre-Olimer: 120 g

Thiophene group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 100gThiophene group (at least one of the pre-made molecular particles): 100 g

PANi group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 20gPANi group (at least one of the preceding molecular particles produced): 20 g

PPy group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 20gPPy group (at least one of the pre-made molecular particles): 20 g

PA group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 10gPA group (at least one of the preceding prepared molecular particles): 10 g

PVK group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 10gPVK group (at least one of the pre-made molecular particles): 10 g

MEHPPVcoPFO(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 100gMEHPPVcoPFO (at least one of the pre-made molecular particles): 100 g

Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 10g Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 10 g

Chage Control Agent(Clariant GmBH NP-101): 5gChage Control Agent (Clariant GmBH NP-101): 5g

Dynol604(Airproducts CO.): 1gDynol604 (Airproducts CO.): 1 g

RetinolA(SigmaAldrich CO.): 0.1gRetinol A (SigmaAldrich CO.): 0.1 g

Solvent(초순수 물 40wt%과 혼합 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%): balanced.Solvent (40 wt% ultrapure water, 10 wt% mixed vegetable oil solution, 50 wt% pretanol): balanced.

Electron Transporting(Hole Transporting) LayerElectron Transporting (Hole Transporting) Layer

기저 프리올리머: 100gBasis Pre-Olimer: 100g

Thiophene group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 50gThiophene group (at least one of the preceding molecular particles): 50 g

PANi group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 20gPANi group (at least one of the preceding molecular particles produced): 20 g

PPy group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 10gPPy group (at least one of the preceding manufactured molecular particles): 10 g

PA group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 10gPA group (at least one of the preceding prepared molecular particles): 10 g

PVK group(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 10gPVK group (at least one of the pre-made molecular particles): 10 g

Hypercube OrganicInorganic hybrid graphene: 5g Hypercube Organic Inorganic Hybrid Graphene: 5 g

Chage Control Agent(Clariant GmBH NP-101): 5gChage Control Agent (Clariant GmBH NP-101): 5g

Dynol604(Airproducts CO.): 1gDynol604 (Airproducts CO.): 1 g

RetinolA(SigmaAldrich CO.): 0.1gRetinol A (SigmaAldrich CO.): 0.1 g

Solvent(초순수 물 40wt%과 혼합 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%): balanced.Solvent (40 wt% ultrapure water, 10 wt% mixed vegetable oil solution, 50 wt% pretanol): balanced.

Active Emitting(Emission) Liquid Cyrystal PolymerActive Emitting (Emission) Liquid Cyrystal Polymer

기저 프리올리머: 150gBasis Pre-Olimer: 150g

Active Liquid Cyrystal Polymer(선행 제조된 분자 입자 중 적어도 하나 이상): 200gActive Liquid Cyrystal Polymer (at least one of the pre-made molecular particles): 200 g

Chage Control Agent(Clariant GmBH NP-101): 5gChage Control Agent (Clariant GmBH NP-101): 5g

Dynol604(Airproducts CO.): 1gDynol604 (Airproducts CO.): 1 g

RetinolA(SigmaAldrich CO.): 0.1gRetinol A (SigmaAldrich CO.): 0.1 g

Solvent(초순수 물 40wt%과 혼합 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%): balanced.Solvent (40 wt% ultrapure water, 10 wt% mixed vegetable oil solution, 50 wt% pretanol): balanced.

점성탄성을 가진 뉴턴니안 유화 용액을 제조 공정 시간 12 ~ 36hr 동안에서 Airproducts사의 99.999999999%의 질소 가스를 사용하여 Degassing과 함께 제조 된다.Newtonian emulsified solutions with viscoelasticity are prepared with Degassing using 99.999999999% nitrogen gas from Airproducts for a manufacturing process time of 12 to 36hr.

실시 예 1Example 1

제조예1. 에 의해 제조된 분산 원액을 다음과 같은 비율들로 화학 물질을 첨가하여 본 발명에 따른 각 잉크들의 구성물을 블랜드 상황에서 공정 시간 동안에서 Airproducts사의 99.999999999%의 질소 및 헬륨 가스를 사용하여 Degassing과 함께 제조하였다. Preparation Example 1. The dispersion stock solution prepared by the above was added with chemicals in the following proportions to prepare the composition of each of the inks according to the present invention with Degassing using 99.999999999% nitrogen and helium gas from Airproducts during the process time under blend conditions. It was.

Solvent(초순수 물 40wt%과 혼합 식물성 오일 용액 10wt%, 프레탄올 50wt%) 57 중량부; 57 parts by weight of Solvent (40 wt% of ultrapure water, 10 wt% of mixed vegetable oil solution, 50 wt% of pretanol);

폴리프로필메틸메타아크릴레이트 15 중량부;15 parts by weight of polypropylmethylmethacrylate;

에틸프로필메타아크릴레이트 30 중량부;30 parts by weight of ethylpropyl methacrylate;

1,6헥실렌디아크릴레이트 13중량부; 13 parts by weight of 1,6 hexylene diacrylate;

Potassium hydroixe 0.5 중량부Potassium hydroixe 0.5 parts by weight

Dioctyl sulfosucinate, disodium salt 0.5 중량부Dioctyl sulfosucinate, disodium salt 0.5 parts by weight

Dynol 604 0.5 중량부Dynol 604 0.5 parts by weight

Benzoacetophenone 0.5 중량부Benzoacetophenone 0.5 part by weight

Benzo peroxide 0.5 중량부Benzo peroxide 0.5 part by weight

2,2 Azobis(2methylpropion)dihydrodicholoride 0.5 중량부2,2 Azobis (2methylpropion) dihydrodicholoride 0.5 parts by weight

Poly cinnamate 0.7 중량부Poly cinnamate 0.7 parts by weight

Hydro peroxide 0.6 중량부0.6 parts by weight of hydro peroxide

TINUVIN 5060 0.6 중량부TINUVIN 5060 0.6 parts by weight

제조된 각 기능의 잉크 조성물은 멤버레인 필터를 사용하여 필터링이 되었다. 결과로서 얻어진 잉크는 표면장력 25 ~ 27 dyne/cm; 점도 5.2~ 5.9 cPs; 및 pH 9.3 이 되었다. 제조된 잉크가 카트리지에 주입되어 자외선(광) 경화 장치가 부착된 Epson 사의 Stylus Pro GS6000, Hewlett Packard Designer jet L25500, Canon사의 Canon IPF 9000 등의 출력 장비에서 100m 출력 시험이 되었다. 시험 과정에서 일반적인 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌 필름을 사용 프린트를 하였다. 비교 분석을 위하여 Sigmaaldrich사의 ITO 코팅된 PET필름(제품번호 639303, 639281)번의 2축, 4축-면 저항 100, 60, 45Ω)필름을 사용 하였다. 노즐의 빠짐이 발생하지 않았고 그리고 출력된 반도체 잉크의 내구성, 선예도, 투과도, 광학전기적인 특성이 테스트 결과에서 상대적으로 우수하다. 측정 결과를 표 1 내지 4에 나타내었다.The ink compositions of each function produced were filtered using a member rain filter. The resulting ink has a surface tension of 25 to 27 dyne / cm; Viscosity 5.2-5.9 cPs; And pH 9.3. The prepared ink was injected into the cartridge and subjected to 100m output test on output equipment such as Stylus Pro GS6000, Hewlett Packard Designer jet L25500 from Epson, and Canon IPF 9000 from Canon, with an ultraviolet (light) curing device attached. In the test process, general polyethylene terephthalate and polypropylene film were used for printing. For comparative analysis, Sigmaaldrich's ITO coated PET film (No. 639303, 639281) biaxial, 4-axis-side resistive 100, 60, 45 Hz films were used. No ejection of the nozzle occurred and the durability, sharpness, transmittance, and optical and electrical properties of the printed semiconductor ink were relatively excellent in the test results. The measurement results are shown in Tables 1-4.

비교 예 1Comparative Example 1

Clevios GmBH의 석유계 희석 전자 잉크젯 프린트용 반도체 잉크 구성물을 비교하였다. Clevios GmBH's semiconductor ink compositions for petroleum dilution electronic inkjet printing were compared.

PEDOTpss 40wt%;PEDOTpss 40 wt%;

Ethyl Alcohol 12wt%;Ethyl Alcohol 12wt%;

Ethyl Cellosolve 3wt%;Ethyl Cellosolve 3 wt%;

DMSO 5wt%;DMSO 5 wt%;

DMF: 2wt%;DMF: 2 wt%;

Dynol604 2wt%;Dynol604 2 wt%;

D. I. Water Balanced.D. I. Water Balanced.

제조된 석유계 희석 전자 잉크젯 프린트용 반도체 잉크에 대하여 부착된 Epson 사의 Stylus Pro GS6000, Hewlett Packard Designer jet L25500, Canon사의 Canon IPF 9000 등의 출력 장비에서 100m 출력 시험이 되었다. 비교 분석을 위하여 Sigmaaldrich사의 ITO 코팅된 PET필름(제품번호 639303, 639281)번의 2축, 4축-면 저항 100, 60, 45Ω)필름을 사용 하였다. 시험 과정에서 일반 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌 필름 위에 출력하여 약간의 노즐이 빠짐은 있었고, 잉크의 번짐 현상도 일어났으며, 잉크 헤드의 잉크 서포트 부분의 EVA 부직포를 분해하였다. 유해 물질은 에틸셀로솔브, 디메틸포름아마이드에 의해 잉크 내부의 산 발생으로 인한 심각한 수준의 잉크젯 헤드 손상을 증가 시켰다. 후에 또한 습기에 대한 저항 변화율 또한 심각한 수준 이였다.100 m output tests were performed on output equipment such as Stylus Pro GS6000 manufactured by Epson, Hewlett Packard Designer jet L25500, and Canon IPF 9000 manufactured by Canon. For comparative analysis, Sigmaaldrich's ITO coated PET film (No. 639303, 639281) biaxial, 4-axis-side resistive 100, 60, 45 Hz films were used. In the course of the test, printing was performed on a general polyethylene terephthalate and polypropylene film, and there was a slight nozzle drop, and ink bleeding occurred, and the EVA nonwoven fabric of the ink support portion of the ink head was decomposed. Hazardous substances increased the serious damage of inkjet heads due to acid generation inside the ink by ethyl cellosolve and dimethylformamide. Later also, the rate of change of resistance to moisture was also severe.

비교 예 2Comparative Example 2

Alfa Aesaer의 석유계 희석 전자 잉크젯 프린트용 전자 잉크 구성물을 비교하였다. Alfa Aesaer's electronic ink compositions for petroleum dilution electronic inkjet printing were compared.

Silver solution 40 wt%;Silver solution 40 wt%;

Methyl Methacrylate 10wt%;Methyl Methacrylate 10 wt%;

DMF: 5wt%DMF: 5 wt%

Dynol604 2wt%Dynol604 2wt%

Xylene Balanced.Xylene Balanced.

제조된 석유계 희석 전자 잉크젯 프린트용 전자 잉크에 대하여 Epson 사의 Stylus Pro 7900, Hewlett Packard Designer jet z3200, Canon사의 Canon IPF 8000 등의 출력장비에서 출력시험을 하였다. 비교 분석을 위하여 Sigmaaldrich사의 ITO 코팅된 PET필름(제품번호 639303, 639281)번의 2축, 4축-면 저항 100, 60, 45Ω)필름을 사용 하였다. 시험 과정에서 일반 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌 필름 위에 출력하여 약간의 노즐이 빠짐은 있었고, 잉크의 번짐 현상도 일어 났으며, 잉크 헤드의 잉크 서포트 부분의 EVA 부직포를 Xylene에 의해 용해 하였으며 유해물질은 배출은 아니나 실시예1. 과 동일한 경화과정을 거친 후에 품질 테스트 과정에서 은의 산화에 대한 면 저항 변화율이 많았다.
The prepared petroleum dilution electronic inkjet printing electronic inks were tested on output devices such as Stylus Pro 7900 from Epson, Hewlett Packard Designer jet z3200, and Canon IPF 8000 from Canon. For comparative analysis, Sigmaaldrich's ITO coated PET film (No. 639303, 639281) biaxial, 4-axis-side resistive 100, 60, 45 Hz films were used. During the test process, some nozzles were missing by printing on general polyethylene terephthalate and polypropylene film, ink bleeding occurred, and EVA non-woven fabric of ink support part of ink head was dissolved by Xylene and harmful substances were discharged. Example 1 but not. After the same curing process, the rate of change of surface resistance to oxidation of silver was high during the quality test.

비교 예 3Comparative Example 3

Tokyo chemical Industry의 석유계 희석 전자 잉크젯 프린트용 전자 잉크 구성물을 비교하였다. Electronic ink compositions for petroleum dilution electronic inkjet printing from Tokyo Chemical Industry were compared.

Gold-Graphene(석유에서 분리) solution 40 wt%;Gold-Graphene (separated from oil) solution 40 wt%;

Methyl Methacrylate 10wt%;Methyl Methacrylate 10 wt%;

DMF: 5wt%DMF: 5 wt%

Dynol604 2wt%Dynol604 2wt%

DMSO Balanced.DMSO Balanced.

제조된 석유계 희석 전자 잉크젯 프린트용 전자 잉크에 대하여 Epson 사의 Stylus Pro 7900, Hewlett Packard Designer jet z3200, Canon사의 Canon IPF 8000 등의 출력장비에서 출력시험을 하였다. 시험 과정에서 일반 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌 필름 위에 출력하여 약간의 노즐이 빠짐은 없었고, 잉크의 번짐 현상이 일어났으며, 잉크 헤드의 잉크 유해물질은 배출은 아니나 실시예1. 과 동일한 경화과정을 거친 후에 품질 테스트 과정에서 굴곡이나 비틀림에 대한 3D 저항 변화율이 많았다.
The prepared petroleum dilution electronic inkjet printing electronic inks were tested on output devices such as Stylus Pro 7900 from Epson, Hewlett Packard Designer jet z3200, and Canon IPF 8000 from Canon. In the course of the test, it was printed on the general polyethylene terephthalate and polypropylene film, and there was no leaking of the nozzle, the ink bleeding occurred, and the ink hazardous substance of the ink head was not discharged. After the same curing process, the rate of change of 3D resistance to bending and torsion was high during the quality test.

Temperature(℃)Temperature (° C) 비교예1(Ω/㎤)Comparative Example 1 (Ω / cm 3) 비교예2(Ω/㎤)Comparative Example 2 (Ω / cm 3) 비교예3(Ω/㎤)Comparative Example 3 (Ω / cm 3) 실시예1(Ω/㎤)Example 1 (Ω / cm 3) -80-80 501501 476476 602602 287287 -60-60 472472 438438 503503 344344 -40-40 452452 418418 464464 402402 -20-20 431431 410410 427427 428428 00 450450 422422 432432 431431 2020 463463 433433 427427 449449 4040 484484 450450 420420 459459 6060 491491 460460 410410 467467 8080 500500 485485 399399 475475

온도변화에 따른 전극 잉크의 2-4축 입체 저항 측정 표이다.This is a table for measuring 2-axis axial resistance of electrode inks with temperature changes.

(습도 65%, 전압: 1.5V, 전류: 100mA,프린팅 두께: 10㎛)
(65% humidity, voltage: 1.5V, current: 100mA, printing thickness: 10㎛)

Bending and distorsion(Angle)Bending and distorsion (Angle) 비교예1(Ω/㎤)Comparative Example 1 (Ω / cm 3) 비교예2(Ω/㎤)Comparative Example 2 (Ω / cm 3) 비교예3(Ω/㎤)Comparative Example 3 (Ω / cm 3) 실시예1(Ω/㎤)Example 1 (Ω / cm 3) 6060 430430 422422 420420 428428 7070 452452 445445 458458 436436 8080 467467 461461 498498 442442 9090 483483 471471 532532 453453

굴곡이나 비틀림의 변화에 따른 전극 잉크의 2-4축 입체 저항 측정표이다.It is a measurement table of the 2-4 axis three-dimensional resistance of the electrode ink according to the change of bending and torsion.

(습도 65%, 전압: 1.5V, 전류: 100mA, 프린팅 두께: 10㎛)
(Humidity 65%, Voltage: 1.5V, Current: 100mA, Printing Thickness: 10㎛)

Tickness(㎚)Tickness (nm) 비교예1(Ω/㎤)Comparative Example 1 (Ω / cm 3) 비교예2(Ω/㎤)Comparative Example 2 (Ω / cm 3) 비교예3(Ω/㎤)Comparative Example 3 (Ω / cm 3) 실시예1(Ω/㎤)Example 1 (Ω / cm 3) 1010 456456 438438 410410 442442 2020 443443 427427 409409 436436 4040 437437 420420 411411 429429 8080 420420 418418 407407 413413

두께 변화에 따른 전극 잉크의 2-4축 입체 저항 측정표이다. It is a measurement table of the 2-4 axis three-dimensional resistance of the electrode ink according to the thickness change.

(습도 65%, 전압: 1.5V, 전류: 100mA )
(65% humidity, voltage: 1.5V, current: 100mA)

Temperature
(℃)
Temperature
(℃)
Moisture(%)Moisture (%) 비교예1
(Ω/㎤)
Comparative Example 1
(Ω / cm 3)
비교예2
(Ω/㎤)
Comparative Example 2
(Ω / cm 3)
비교예3
(Ω/㎤)
Comparative Example 3
(Ω / cm 3)
실시예1
(Ω/㎤)
Example 1
(Ω / cm 3)
-100-100 0.000001<0.000001 < -- -(Break)-(Break) -- 291291 -90-90 0.00001<0.00001 < -(Break)-(Break) 506506 -(Break)-(Break) 300300 -80-80 0.0001<0.0001 < 532532 499499 602602 305305 -70-70 0.001<0.001 < 512512 487487 589589 310310 -60-60 0.1<0.1 < 502502 475475 562562 319319 -50-50 1<1 < 492492 462462 544544 327327 -40-40 1One 478478 452452 528528 335335 -30-30 5050 461461 448448 505505 344344 -20-20 1010 450450 441441 495495 352352 -10-10 2020 446446 435435 474474 364364 00 3030 433433 427427 452452 375375 1010 4040 429429 422422 442442 382382 2020 5050 437437 418418 432432 392392 3030 6060 429429 412412 429429 408408 4040 7070 430430 417417 430430 411411 5050 8080 432432 421421 427427 425425 6060 9090 436436 430430 432432 432432 7070 100100 442442 433433 427427 439439 8080 110110 459459 448448 420420 452452 9090 120120 467467 459459 410410 460460 100100 130130 483483 474474 399399 479479

온도-습도 변화에 따른 전극 잉크의 2-4축 입체 저항 측정표이다. 2-4 axis resistance measurement table of electrode ink according to temperature-humidity change.

(습도 65%, 전압: 1.5V, 전류: 100mA, 프린팅 두께: 10㎛)
(Humidity 65%, Voltage: 1.5V, Current: 100mA, Printing Thickness: 10㎛)

본 발명은 실시 예를 제시하여 상세하게 설명이 되었다. 제시된 실시 예는 예시적인 것으로 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하고 제시된 실시 예에 대한 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이러한 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 아니하며 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의하여 제한이 된다.
The invention has been described in detail by presenting examples. The presented embodiments are illustrative and can be made by those skilled in the art to various modifications and modifications to the disclosed embodiments without departing from the spirit of the invention. The invention is not limited by the invention as such variations and modifications are limited only by the claims appended hereto.

Claims (4)

직접 회로의 미세회로 패턴 형성이 가능한 반도체용 잉크젯 잉크의 제조방법에 있어서,
광 경화 반도체 분자 입자 화합물을 선택하는 단계;
자외선(광), 열 또는 방사선 중 적어도 어느 하나의 에너지에 반응하는 경화 모노머를 이용한 전도성 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자와 고저 유전체 분자 입자, 광열화학전기적 능동 발광 액정 폴리머 입자, 및 기저 프리올리머 제조 하는 단계;
유기산-무기산에 의해 반도체화한 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자 및 고저 유전체 분자 입자 분산 마스터 용액의 제조 단계;
유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자들의 분산 마스터 원액 제조 공정 단계;
유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자들의 포뮬레이터 공정 단계; 및
정밀 여과 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 하는 광 경화 반도체용 잉크젯 잉크의 제조방법.
In the method of manufacturing an inkjet ink for a semiconductor capable of forming a fine circuit pattern of an integrated circuit,
Selecting a photocured semiconductor molecular particle compound;
To prepare conductive organic-inorganic hybrid semiconductor molecular particles, high and low dielectric molecular particles, photo-thermochemically electroluminescent liquid crystal polymer particles using a curing monomer reacting with energy of at least one of ultraviolet (light), heat or radiation, and a base prepolymer step;
Preparing an organic-inorganic hybrid semiconductor molecular particle and a high and low dielectric molecular particle dispersed master solution semiconducted with an organic acid-inorganic acid;
A process for preparing a dispersion master stock solution of organic inorganic hybrid semiconductor molecule particles;
Formulating process of organic inorganic hybrid semiconductor molecular particles; And
Microfiltration step;
Method for producing an inkjet ink for a photo-curing semiconductor comprising a.
청구항 1에 있어서,
상기 유기산-무기산에 의해 반도체화한 유기무기 하이브리드 반도체 분자 입자에 폴리티오펜, 폴리아닐닌, 폴리피롤, 폴리아세틸렌, 폴리비닐카바졸, 폴리 L-글루타메이트, 폴리플루오르테트라시아노퀴노디메탄 유도체, 또는 전도체-반도체 무기물 및 무기- 유기산을 사용하여 반도체화 고분자들 중에서 선택된 1종 또는 적어도 2종 이상을 그라프팅하는 것을 특징으로 하는 반도체용 잉크젯 잉크의 제조방법.
The method according to claim 1,
Polythiophene, polyaniline, polypyrrole, polyacetylene, polyvinylcarbazole, poly L-glutamate, polyfluorotetracyanoquinomimethane derivative, or the like to the organic-inorganic hybrid semiconductor molecule particles semiconducted by the organic acid-inorganic acid, or A method for manufacturing an inkjet ink for a semiconductor, comprising grafting at least one selected from semiconductor polymers using a conductor-semiconductor inorganic material and an inorganic-organic acid.
청구항 1에 있어서,
상기 마스터 원액은 초 순수 물-식물성 오일의 혼합 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 잉크젯 잉크의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein said master stock solution contains a mixed solvent of ultra-pure water-vegetable oil.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 반도체용 잉크젯 잉크를 사용한 투과형 또는 반사형 플렉시블 디스플레이, 홀로그램, 전지, 센서, 나노 기계-전자 소자, 분자 기계-전자 또는 직접 회로 중에서 선택된 하나의 전자부품.
Claims 1 to 3 selected from a transmissive or reflective flexible display, hologram, battery, sensor, nanomechanical-electronic device, molecular machine-electronic or integrated circuit using the inkjet ink for semiconductor manufactured by the method of any one of claims 1 to 3. Electronic parts.
KR1020110078420A 2011-08-08 2011-08-08 Process for preparing photo curable inkjet ink for electric-electron semi-conduct part of ultra-high density and ultra-fine integrated circuit patterning formation KR101272032B1 (en)

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