KR101264463B1 - Etching solution control system and etching apparatus and etching solution control method thereof - Google Patents
Etching solution control system and etching apparatus and etching solution control method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR101264463B1 KR101264463B1 KR1020060083165A KR20060083165A KR101264463B1 KR 101264463 B1 KR101264463 B1 KR 101264463B1 KR 1020060083165 A KR1020060083165 A KR 1020060083165A KR 20060083165 A KR20060083165 A KR 20060083165A KR 101264463 B1 KR101264463 B1 KR 101264463B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etchant
- storage tank
- absorbance
- flow cell
- etching
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
Abstract
본 발명은, 식각액을 보관하는 제1식각액보관탱크; 상기 제1식각액보관탱크에 연결된 식각액폐기라인; 상기 제1식각액보관탱크에 보관된 식각액의 흡광도를 측정하여, 상기 제1식각액보관탱크에 보관된 식각액의 상태를 분석하는 식각액분석장치; 상기 제1식각액보관탱크와 연결된 제2식각액보관탱크; 상기 제2식각액보관탱크와 연결된 식각기; 및 상기 식각액분석장치의 분석결과에 따라 상기 제1식각액보관탱크의 식각액을 상기 식각액폐기라인과 상기 제2식각액보관탱크 중 어느 하나로 이송하도록 제어하는 제어부를 포함하는 식각액 관리 시스템, 식각 장치 및 이에 의한 식각액 관리 방법을 제공한다.The present invention relates to a first etching liquid storage tank for storing an etching liquid; An etchant waste line connected to the first etchant storage tank; An etchant analyzer for measuring the absorbance of the etchant stored in the first etchant storage tank and analyzing the state of the etchant stored in the first etchant storage tank; A second etchant storage tank connected to the first etchant storage tank; An extractor connected to the second etchant storage tank; And a control unit for controlling to transfer the etching liquid of the first etching liquid storage tank to any one of the etching liquid waste line and the second etching liquid storage tank according to the analysis result of the etching liquid analyzing apparatus. Provide an etchant management method.
식각액, 흡광도, 관리 시스템 Etchant, absorbance, management system
Description
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 식각액 관리 시스템 및 식각 장치의 개략도,1 is a schematic diagram of an etchant management system and an etching apparatus according to a first embodiment of the present invention,
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 식각액 관리 시스템 및 식각 장치의 개략도, 2 is a schematic diagram of an etchant management system and an etching apparatus according to a second embodiment of the present invention;
도 3은 시간변화에 대한 온도별 흡광도 환산값과의 관계를 나타낸 그래프, Figure 3 is a graph showing the relationship between the absorbance conversion value for each temperature change over time,
도 4는 시간에 따라 색상변화된 식각액으로 에칭한 후의 전자주사현미경 사진이다. 4 is an electron scanning microscope photograph after etching with an etchant changed color with time.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*Description of the Related Art [0002]
10 : 제1식각액보관탱크10: first etchant storage tank
11 : 제1식각액폐기라인11: first etching liquid waste line
12 : 제1플로우셀공급라인12: 1st flow cell supply line
13 : 제1식각액보관탱크공급라인13: 1st etchant storage tank supply line
14 : 제1연결라인14: first connection line
20 : 제2식각액보관탱크20: second etching liquid storage tank
21 : 제2식각액폐기라인21: second etching liquid waste line
22 : 제2플로우셀공급라인22: second flow cell supply line
23 : 제2식각액보관탱크공급라인23: second etching liquid storage tank supply line
24 : 제2연결라인24: second connection line
30 : 식각기30: etching machine
40 : 제어부40: control unit
100, 200 : 제1 및 제2 식각액분석장치100, 200: first and second etching liquid analysis apparatus
101, 201 : 제1 및 제2플로우셀101, 201: first and second flow cells
102, 202 : 광원부(light source)102, 202: light source
103, 203 : 제1 및 제2분광기103 and 203: first and second spectrometers
104, 204 : 제1 및 제2식각액분석제어부104, 204: first and second etchant analysis control unit
본 발명은, 식각액의 농도변화에 따른 색변화도를 실시간으로 자동분석하여 식각액의 보관 및 교환 시점을 포함한 사용기준을 설정하여 식각액을 관리할 수 있는 식각액 관리 시스템, 식각 장치 및 이에 의한 식각액 관리 방법에 관한 것이다.The present invention provides an etching solution management system, an etching apparatus and an etching solution management method, which can manage the etching solution by automatically analyzing the color gradient according to the concentration change of the etching solution in real time and setting the usage criteria including the storage and exchange time of the etching solution. It is about.
반도체 소자, 액정표시장치 등의 제조공정 중 식각공정에는 다양한 종류의 식각액이 사용되는데, 이러한 식각액은 식각주성분인 산과, 각종 첨가제로 구성된다. A variety of etching solutions are used in the etching process during the manufacturing process of semiconductor devices, liquid crystal display devices, etc. The etching solution is composed of acid, which is an etching main component, and various additives.
그러나, 이러한 식각액의 성능변화를 관리하여 안정적인 에칭액을 공급하는 시스템이 존재하지 않으므로, 잘못 관리할 경우 시간 및 온도에 따라서 상기 조성이 변하여 초기 상태의 식각액에 비해 색상 변화가 나타날 수 있다. 만약 이러한 식각액으로 액정표시장치의 어레이 기판을 식각하게 되면 식각불량이 발생하게 되고, 이러한 불량은 식각공정을 마친 후에야 검출되어 불량 처리될 수 밖에 없거나 액정표시장치의 어레이 기판을 재생(Rework)하여 사용할 수 밖에 없었다.However, since there is no system for supplying a stable etching solution by managing the performance change of the etching solution, if the wrong management, the composition may change depending on the time and temperature, the color change may appear compared to the etching solution in the initial state. If the array substrate of the liquid crystal display device is etched with such an etchant, an etching failure occurs. Such defects may be detected only after the etching process is completed, and the defective process may be ineffective, or the array substrate of the liquid crystal display device may be reworked I could not help it.
따라서, 본 발명의 목적은, 식각액의 농도변화에 따른 색변화도를 실시간으로 자동분석하여 식각액의 보관 및 교환 시점을 포함한 사용기준을 설정하여 식각액을 관리할 수 있는 식각액 관리 시스템, 식각 장치 및 이에 의한 식각액 관리 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an etchant management system, an etching apparatus, and a manufacturing method thereof capable of managing an etchant by setting a use standard including automatic storage and replacement of an etchant by automatically analyzing color change degree according to concentration change of the etchant in real time The present invention also provides a method for managing an etchant.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 실시 상태는 식각액을 보관하는 제1식각액보관탱크; 상기 제1식각액보관탱크에 연결된 식각액폐기라인; 상기 제1식각액보관탱크에 보관된 식각액의 흡광도를 측정하여, 상기 제1식각액보관탱크에 보관된 식각액의 상태를 분석하는 식각액분석장치; 상기 제1식각액보관탱크와 연결된 제2식각액보관탱크; 상기 제2식각액보관탱크와 연결된 식각기; 및 상기 식각액분석장치의 분석결과에 따라 상기 제1식각액보관탱크의 식각액을 상기 식각액폐기라인과 상기 제2식각액보관탱크 중 어느 하나로 이송하도록 제어하는 제어부를 포함하는 식각액 관리 시스템을 제공한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an etching apparatus comprising: a first etchant storage tank for storing an etchant; An etchant waste line connected to the first etchant storage tank; An etchant analyzer for measuring the absorbance of the etchant stored in the first etchant storage tank and analyzing the state of the etchant stored in the first etchant storage tank; A second etchant storage tank connected to the first etchant storage tank; An extractor connected to the second etchant storage tank; And a controller for controlling the transfer of the etchant in the first etchant storage tank to one of the etchant retention line and the second etchant storage tank according to an analysis result of the etchant analyzer.
여기서, 상기 식각액분석장치는 상기 제1식각액보관탱크의 식각액이 유입되는 플로우셀; 상기 플로우셀의 식각액에 측정광을 조사하는 광원부; 상기 플로우셀의 식각액의 흡광도를 측정하는 분광기; 및 상기 분광기에서 측정된 흡광도 측정값을 기초로 하여 흡광도환산값을 계산하여 출력하는 식각액분석제어부를 포함할 수 있다.Here, the etching liquid analyzer may include a flow cell into which the etchant of the first etchant storage tank flows; A light source for irradiating measurement light onto the etchant of the flow cell; A spectroscope for measuring the absorbance of the etchant of the flow cell; And an etchant analysis controller for calculating and outputting an absorbance conversion value based on the absorbance measurement value measured by the spectroscope.
그리고, 본 발명에 따른 식각액 관리 시스템은 상기 제1식각액보관탱크의 식각액을 상기 플로우셀로 공급하는 플로우셀공급라인; 및 상기 플로우셀의 식각액을 상기 제1식각액보관탱크로 공급하는 제1식각액보관탱크공급라인을 더 포함할 수 있다. The etchant management system according to the present invention further comprises: a flow cell supply line for supplying the etchant of the first etchant storage tank to the flow cell; And a first etchant storage tank supply line for supplying the etchant of the flow cell to the first etchant storage tank.
여기서, 상기 제어부는, 상기 식각액분석제어부에서 출력된 데이터에 기초하여 상기 흡광도환산값이 10 이상인 경우 상기 제1식각액보관탱크의 식각액을 상기 제2식각액보관탱크로 이송시키고, 상기 흡광도환산값이 10미만인 경우 상기 제1식각액보관탱크의 식각액을 상기 식각액폐기라인으로 방출하도록 제어한다. 여기서, 초기 상기 제1식각액보관탱크에 보관되는 식각액의 흡광도환산값을 초기 흡광도환산값이라고 하였을 때, 상기 플로우셀로 공급된 식각액의 흡광도환산값은 초기 흡광도환산값을 초과하지 않는다. 상기 초기 흡광도환산값은 상기 제1식각액보관탱크에 보관되는 식각액의 종류에 따라 그 값이 다 다르다.The control unit may transfer the etchant of the first etchant storage tank to the second etchant storage tank when the absorbance conversion value is 10 or more based on the data output from the etchant analysis control unit, The etching liquid in the first etching liquid storage tank is controlled to be discharged to the etching liquid disposal line. Here, when the initial absorbance conversion value of the etchant stored in the first etchant storage tank is taken as an initial absorbance conversion value, the absorbance conversion value of the etchant supplied to the flow cell does not exceed the initial absorbance conversion value. The initial absorbance conversion value is different depending on the kind of etchant stored in the first etchant storage tank.
본 발명에 따른 식각액 관리 시스템은 상기 제2식각액보관탱크에 보관된 식각액의 흡광도를 측정하여 상기 제2식각액보관탱크에 보관된 식각액의 상태를 분석하는 추가의 식각액분석장치; 및 상기 제2식각액보관탱크에 연결된 추가의 식각액 폐기라인을 더 포함할 수 있다. The etchant management system according to the present invention further comprises an etchant analyzer for measuring the absorbance of the etchant stored in the second etchant storage tank and analyzing the state of the etchant stored in the second etchant storage tank; And an additional etchant waste line connected to the second etchant storage tank.
이때, 상기 제어부는 상기 추가의 식각액분석장치의 분석결과에 따라 상기 제2식각액보관탱크의 식각액을 상기 추가의 식각액폐기라인과 상기 식각기 중 어느 하나로 이송하도록 제어할 수 있다.At this time, the controller may control the transfer of the etching liquid in the second etching liquid storage tank to one of the additional etching liquid disposal line and the etching unit, according to the analysis result of the additional etching liquid analysis apparatus.
여기서, 상기 추가의 식각액분석장치는 상기 제2식각액보관탱크의 식각액이 유입되는 추가의 플로우셀; 상기 추가의 플로우셀의 식각액에 측정광을 조사하는 추가의 광원부; 상기 추가의 플로우셀의 식각액의 흡광도를 측정하는 추가의 분광기; 및 상기 추가의 분광기에서 측정된 흡광도 측정값을 기초로 하여 흡광도환산값을 계산하여 출력하는 추가의 식각액분석제어부를 포함한다.The additional etchant analyzer may further include a flow cell into which the etchant of the second etchant storage tank flows; An additional light source for irradiating the etchant of the additional flow cell with measurement light; An additional spectrometer to measure the absorbance of the etchant of the further flow cell; And an additional etchant analysis controller for calculating and outputting the absorbance conversion value based on the absorbance measurement value measured in the additional spectroscope.
그리고 본 발명에 따른 식각액 관리 시스템은 상기 제2식각액보관탱크의 식각액을 상기 추가의 플로우셀로 공급하는 추가의 플로우셀공급라인; 및 상기 추가의 플로우셀의 식각액을 상기 제2식각액보관탱크로 공급하는 추가의 제2식각액보관탱크공급라인을 더 포함할 수 있다.The etchant management system according to the present invention further comprises a flow cell supply line for supplying etchant of the second etchant storage tank to the additional flow cell; And an additional second etchant storage tank supply line for supplying the etchant of the additional flow cell to the second etchant storage tank.
이때, 상기 제어부는, 상기 추가의 식각액분석제어부에서 출력된 데이터에 기초하여 상기 흡광도환산값이 10이상인 경우 상기 제2식각액보관탱크의 식각액을 상기 식각기로 이송시키고, 상기 흡광도환산값이 10미만인 경우 상기 제2식각액보관탱크의 식각액을 상기 추가의 식각액폐기라인으로 방출하도록 제어한다.At this time, if the absorbance conversion value is 10 or more, the etchant of the second etchant storage tank is transferred to the etcher, based on the data output from the further etchant analysis control unit, and if the absorbance conversion value is less than 10 So as to discharge the etchant of the second etchant storage tank to the additional etchant waste line.
한편, 상기 식각액은 과산화수소를 식각주성분으로 하는 식각액일 수 있으며,한 예로, 상기 식각액은 조성물의 총 중량에 대해 5 내지 15 중량%의 과산화수소, 1 내지 5 중량%의 유기산, 0.5 내지 5 중량% 의 황산염, 0.2 내지 5 중량%의 고리형 아민 화합물, 및 70 내지 93.3 중량%의 물을 포함할 수 있다.Meanwhile, the etchant may be an etchant including hydrogen peroxide as an etching main component. For example, the etchant may include 5 to 15 wt% of hydrogen peroxide, 1 to 5 wt% of organic acid, and 0.5 to 5 wt% of the total weight of the composition. Sulfate, 0.2 to 5% by weight of the cyclic amine compound, and 70 to 93.3% by weight of water.
전술한 본 발명에 따른 식각액 관리 시스템은 구리합금과 몰리브덴합금층의 이중금속막 배선형성 제조공정에 사용되는 식각액을 분석하여 관리할 수 있다.The etchant management system according to the present invention can be managed by analyzing an etchant used in a process of forming a wiring of a double metal film of a copper alloy and a molybdenum alloy layer.
본 발명의 다른 하나의 실시 상태는 (a) 제1식각액보관탱크에 보관된 식각액의 흡광도를 측정하여, 상기 제1식각액보관탱크에 보관된 식각액의 상태를 분석하는 단계; (b) 분석결과에 따라 상기 제1식각액보관탱크의 식각액을 상기 제1식각액보관탱크에 연결된 식각폐기라인과 상기 제1식각액보관탱크에 연결된 제2식각액보관탱크 중 어느 하나로 이송하는 단계; 및 (c) 상기 제2식각액보관탱크로 이송된 식각액을 상기 제2식각액보관탱크에 연결된 식각기로 공급하는 단계를 포함하는 식각액의 관리 방법을 제공한다.In another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: (a) measuring an absorbance of an etchant stored in a first etchant storage tank and analyzing a state of an etchant stored in the first etchant storage tank; (b) transferring the etchant of the first etchant storage tank to any one of an etch waste line connected to the first etchant storage tank and a second etchant storage tank connected to the first etchant storage tank according to the analysis result; And (c) supplying the etchant transferred to the second etchant storage tank to an etcher connected to the second etchant storage tank.
여기서, 상기 (a) 단계는 (a1) 상기 제1식각액보관탱크의 식각액을 플로우셀로 유입시키는 단계; (a2) 상기 플로우셀의 식각액에 측정광을 조사하는 단계; (a3) 상기 플로우셀의 식각액의 흡광도를 측정하는 단계; 및 (a4) 상기 측정된 식각액의 흡광도 측정값을 기초로 하여 흡광도환산값을 계산하여 출력하는 단계를 포함할 수 있다.The step (a) includes the steps of: (a1) introducing the etchant of the first etchant storage tank into the flow cell; (a2) irradiating the etchant of the flow cell with measurement light; (a3) measuring the absorbance of the etchant of the flow cell; And (a4) calculating and outputting the absorbance conversion value based on the measured absorbance of the etchant.
그리고 본 발명에 따른 식각액 관리 방법은 상기 플로우셀을 통과한 식각액을 상기 제1식각액탱크로 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다. And the etching solution management method according to the invention may further comprise the step of supplying the etching solution passed through the flow cell to the first etching solution tank.
상기 (b) 단계에서는 상기 흡광도환산값이 10이상인 경우 상기 제1식각액보관탱크의 식각액을 상기 제2식각액보관탱크로 이송시키고, 상기 흡광도환산값이 10미만인 경우 상기 제1식각액보관탱크의 식각액을 상기 식각액폐기라인으로 이송할 수 있다.In the step (b), when the absorbance conversion value is 10 or more, the etchant of the first etchant storage tank is transferred to the second etchant storage tank, and when the absorbance conversion value is less than 10, the etchant of the first etchant storage tank is transferred. It can be transferred to the etching liquid waste line.
본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태는 (a) 제1식각액보관탱크에 보관된 식각액의 흡광도를 측정하여, 상기 제1식각액보관탱크에 보관된 식각액의 상태를 분석하는 단계; (b) 분석결과에 따라 상기 제1식각액보관탱크의 식각액을 상기 제1식각액보관탱크에 연결된 식각폐기라인과 상기 제1식각액보관탱크에 연결된 제2식각액보관탱크 중 어느 하나로 이송하는 단계; (c) 상기 제2식각액보관탱크로 이송된 식각액의 흡광도를 측정하여, 상기 제2식각액보관탱크에 보관된 식각액의 상태를 분석하는 단계; 및 (d) 분석결과에 따라 상기 제2식각액보관탱크의 식각액을 상기 제2식각액보관탱크에 연결된 추가의 식각폐기라인과 상기 제2식각액보관탱크에 연결된 식각기 중 어느 하나로 이송하는 단계를 포함하는 식각액의 관리 방법을 제공한다. 여기서, 상기 (a) 단계와 상기 (b)단계는 전술한 내용과 동일하므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.In another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: (a) analyzing the state of an etchant stored in the first etchant storage tank by measuring an absorbance of the etchant stored in the first etchant storage tank; (b) transferring the etchant of the first etchant storage tank to any one of an etch waste line connected to the first etchant storage tank and a second etchant storage tank connected to the first etchant storage tank according to the analysis result; (c) analyzing the state of the etchant stored in the second etchant storage tank by measuring the absorbance of the etchant transferred to the second etchant storage tank; And (d) transferring the etching liquid of the second etching liquid storage tank to an additional etching waste line connected to the second etching liquid storage tank and an etching apparatus connected to the second etching liquid storage tank according to the analysis result. Provide a method for managing the etchant. Here, since the steps (a) and (b) are the same as those described above, a detailed description thereof will be omitted.
상기 (c) 단계는 (c1) 상기 제2식각액보관탱크의 식각액을 플로우셀로 유입시키는 단계; (c2) 상기 플로우셀의 식각액에 측정광을 조사하는 단계; (c3) 상기 플로우셀의 식각액의 흡광도를 측정하는 단계; 및 (c4) 상기 측정된 식각액의 흡광도 측정값을 기초로 하여 흡광도환산값을 계산하여 출력하는 단계를 포함할 수 있다.(C) introducing the etchant of the second etchant storage tank into the flow cell; (c2) irradiating the etchant of the flow cell with measurement light; (c3) measuring the absorbance of the etchant of the flow cell; And (c4) calculating and outputting the absorbance conversion value based on the measured absorbance of the etchant.
그리고, 상기 본 발명에 따른 식각액 관리 방법은 상기 플로우셀을 통과한 식각액을 상기 제2식각액탱크로 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.The etching liquid management method according to the present invention may further include supplying the etching liquid that has passed through the flow cell to the second etching liquid tank.
상기 (d) 단계에서는 상기 흡광도환산값이 10이상인 경우 상기 제2식각액보 관탱크의 식각액을 상기 식각기로 이송시키고, 상기 흡광도환산값이 10미만인 경우 상기 제2식각액보관탱크의 식각액을 상기 추가의 식각액폐기라인으로 이송할 수 있다.In the step (d), if the absorbance conversion value is 10 or more, the etchant of the second etchant storage tank is transferred to the etchant, and if the absorbance conversion value is less than 10, the etching solution of the second etchant storage tank is further added. Can be transferred to an etchant waste line.
본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태는 식각액을 보관하는 제1식각액보관탱크; 상기 제1식각액보관탱크에 연결된 식각액폐기라인; 상기 제1식각액보관탱크에 보관된 식각액의 흡광도를 측정하여, 상기 제1식각액보관탱크에 보관된 식각액의 상태를 분석하는 식각액분석장치; 상기 제1식각액보관탱크와 연결된 제2식각액보관탱크; 상기 제2식각액보관탱크와 연결된 식각기; 및 상기 식각액분석장치의 분석결과에 따라 상기 제1식각액보관탱크의 식각액을 상기 식각액폐기라인과 상기 제2식각액보관탱크 중 어느 하나로 이송하도록 제어하는 제어부를 포함하는 식각 장치를 제공한다. Another embodiment of the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a first etchant storage tank for storing an etchant; An etchant waste line connected to the first etchant storage tank; An etchant analyzer for measuring the absorbance of the etchant stored in the first etchant storage tank and analyzing the state of the etchant stored in the first etchant storage tank; A second etchant storage tank connected to the first etchant storage tank; An extractor connected to the second etchant storage tank; And a controller for controlling the transfer of the etchant of the first etchant storage tank to one of the etchant retention line and the second etchant storage tank according to an analysis result of the etchant analysis apparatus.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명을 구리합금과 몰리브덴합금층의 이중금속막의 배선형성제조공정(한국공개특허 10-2004-0011041)중 사용되는 식각액을 관리하는 식각액 관리 시스템, 식각 장치 및 이에 의한 식각액 관리 방법에 적용하여 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the present embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like elements throughout. The present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited thereto.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 식각액 관리 시스템 및 식각 장치는 식각액을 보관하는 제1식각액보관탱크(10); 제1식각액보관탱크(10)에 연결된 제1식각액폐기라인(11); 제1식각액보관탱크(10)에 보관된 식각액의 흡광도를 측정하여, 제1식각액보관탱크(10)에 보관된 식각액의 상태를 분석하는 제1식각액분석장치(100); 제1식각액보관탱크(10)와 연결된 제2식각액보관탱크(20); 제2 식각액보관탱크(20)와 연결된 식각기(30); 및 제1식각액분석장치(100)의 분석결과에 따라 제1식각액보관탱크(10)의 식각액을 제1식각액폐기라인(11)과 제2식각액보관탱크(20) 중 어느 하나로 이송하도록 제어하는 제어부(40)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the etchant management system and the etching apparatus according to the first embodiment of the present invention include a first
제1식각액보관탱크(10)로는 식각공정에서 사용되는 식각액을 초기 보관하게 되는 탱크로서, CCSS(CENTRAL CHEMICAL SUPPLY SYSTEM)탱크를 사용한다.As the first etching
식각액은 한 예로 조성물의 총 중량에 대해 5 내지 15 중량%의 과산화수소, 1 내지 5 중량%의 유기산, 0.5 내지 5 중량% 의 황산염, 0.2 내지 5 중량%의 고리형 아민 화합물, 및 70 내지 93.3 중량%의 물을 포함하는 식각액으로서 액정표시장치용 어레이 기판의 금속배선막 중에서 구리합금층과 몰리브덴합금층의 이중 금속막을 식각하는 식각액일 수 있다.The etchant may, for example, comprise from 5 to 15 wt% of hydrogen peroxide, from 1 to 5 wt% of organic acid, from 0.5 to 5 wt% of sulfate, from 0.2 to 5 wt% of cyclic amine compound, and from 70 to 93.3 wt% % Of water as an etchant for etching the double metal film of the copper alloy layer and the molybdenum alloy layer in the metal wiring film of the array substrate for a liquid crystal display device.
이러한 식각액의 제1식각액보관탱크(10)에서 온도 및 시간의 변화에 따라 과산화수소 함량 변화 없이 과산화수소와 첨가제의 상호작용에 의해 초기 수용된 식각액에 비해 식각액의 색상변화가 나타날 수 있다. 이 색상변화에 따른 흡광도 변화를 분광기를 이용하여 측정함으로써 식각액의 경시변화를 감시할 수 있다.The change in temperature of the etchant in the first
즉, 제1식각액분석장치(100)를 포함하는 본 발명에 따른 식각액 관리 시스템 및 식각 장치는 온도 및 시간에 따라 식각액의 성능이 변화하여 액정표시장치용 어레이 기판의 금속배선막 중에서 구리합금층과 몰리브덴합금층의 이중 금속막의 식각 특성이 불량을 야기시키고 생산 공정 상 수율 및 제품의 불량을 초래하는 것을 방지할 수 있게 된다. 한편, 상기 분광기는 UV-VIS 분광기일 수 있으며, 조사되는 광의 파장은 바람직하게 340nm 내지 360nm이며, 더욱 바람직하게는 350nm이다. 그 러나 이에 한정되는 것은 아니다.In other words, the etchant management system and the etching apparatus according to the present invention including the first
제1식각액폐기라인(11)은 제1식각액분석장치(100)의 분석결과에 따라 제어부(40)가 제1식각액보관탱크(10)의 식각액이 사용될 수 없는 것이라고 판단하는 경우, 제1식각액보관탱크(10)의 식각액을 제1식각액보관탱크(10) 외부로 배출시키는 역할을 한다.If the
제1식각액분석장치(100)는 제1식각액보관탱크(10)의 식각액이 유입되는 제1플로우셀(101); 제1플로우셀(101)의 식각액에 측정광을 조사하는 제1광원부(102); 제1플로우셀(101)의 식각액의 흡광도를 측정하는 제1분광기(103); 및 제1분광기(103)에서 측정된 흡광도 측정값을 기초로 하여 흡광도환산값을 계산하여 출력하는 제1식각액분석제어부(104)를 포함한다. 여기서, 분광기를 통해 측정되는 흡광도 값은 전류 값으로 나타내어지는데, 상기 흡광도 환산값이란 분광기로 측정한 표준액(물)의 흡광도 값을 전류 값으로 나타낸 표준액 전류 값, 분광기로 측정한 제1플로우셀로 공급된 식각액의 흡광도 값을 전류값으로 나타낸 식각액 전류 값, 및 초기 제1식각액보관탱크에 보관되는 식각액의 흡광도 값을 전류값으로 나타낸 초기 식각액 전류값을 가지고 환산한 값이다.The first
제1식각액보관탱크(10)의 식각액이 제1플로우셀(101)로 공급될 수 있도록 제1식각액보관탱크(10)와 제1플로우셀(101) 사이에는 제1플로우셀공급라인(12)이 마련되어 있고, 제1플로우셀(101)의 식각액을 제1식각액보관탱크(10)로 공급할 수 있도록 제1플로우셀(101)과 제1식각액보관탱크(10) 사이에는 제1식각액보관탱크공급라인(13)이 마련되어 있다.A first flow
제2식각액보관탱크(20)로는 식각공정에서 식각기(30)로 공급되는 식각액을 보관하게되는 탱크로서, ACQC(AUTOMATIC CLEAN QUICK COUPLER)탱크를 사용할 수 있다.As the second
제2식각액보관탱크(20)의 일측은 제1연결라인(14)에 의해 제1식각액보관탱크(10)와 연결되어 있어, 제1식각액보관탱크(10)로부터 식각액을 공급받게 되고, 타측은 제2연결라인(24)에 의해 식각기(30)와 연결되어 있어 제2식각액보관탱크(10) 내의 식각액을 식각기(30)로 공급할 수 있게 된다.One side of the second
제어부(40)는, 제1식각액분석제어부(104)에서 출력된 데이터에 기초하여 흡광도환산값이 10이상인 경우 제1식각액보관탱크(10)의 식각액을 제2식각액보관탱크(20)로 이송시키고, 흡광도환산값이 10미만인 경우 제1식각액보관탱크(10)의 식각액을 제1식각액폐기라인(11)으로 방출하도록 제어한다.Based on the data output from the first etchant
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 식각액 관리 시스템 및 식각 장치에 있어서, 제1식각액관리장치(100)와 동일한 원리와 구성을 갖는 제2식각액관리장치(200)를 제2식각액보관탱크(20)에 연결할 수도 있다.On the other hand, as shown in Figure 2, in the etching liquid management system and etching apparatus according to a second embodiment of the present invention, the second etching
제2식각액분석장치(200)는 제2식각액보관탱크(20)의 식각액이 유입되는 제2플로우셀(201); 제2플로우셀(201)의 식각액에 측정광을 조사하는 제2광원부(202); 제2플로우셀(201)의 식각액의 흡광도를 측정하는 제2분광기(203); 및 제2분광기(203)에서 측정된 흡광도 측정값을 기초로 하여 흡광도환산값을 계산하여 출력하는 제2식각액분석제어부(204)로 구성된다.The
그리고, 제2식각액보관탱크(20)의 식각액이 제2플로우셀(201)로 공급될 수 있도록 제2식각액보관탱크(20)와 제2플로우셀(201) 사이에는 제2플로우셀공급라인(22)이 마련되어 있고, 제2플로우셀(201)의 식각액을 제2식각액보관탱크(20)로 공급할 수 있도록 제2플로우셀(201)과 제2식각액보관탱크(20) 사이에는 제2식각액보관탱크공급라인(23)이 마련되어 있다.In addition, a second flow cell supply line between the second
여기서, 제어부(40)는, 제2식각액분석제어부(204)에서 출력된 데이터에 기초하여 흡광도환산값이 10이상인 경우 제2식각액보관탱크(20)의 식각액을 식각기(30)로 이송시키고, 흡광도환산값이 10미만인 경우 제2식각액보관탱크(20)의 식각액을 제2식각액폐기라인(21)으로 방출하도록 제어한다.Here, the
이하에서는 본 발명에 따른 식각액 관리 시스템 및 식각 장치를 이용한 식각액 관리 방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, an etchant management system and an etchant management method using the etchant according to the present invention will be described.
본 발명에 따른 식각액 관리 방법은 제1식각액보관탱크(10)에 보관된 식각액을 제1플로우셀공급라인(12)을 통해 제1플로우셀(101)로 공급하고, 제1광원부(102)를 통해 제1플로우셀(101)로 측정광을 조사한 다음, 제1분광기(103)에서 흡광도를 측정하고, 제1식각액보관탱크공급라인(13)을 통해 제1플로우셀(101)의 식각액을 제1식각액보관탱크(10)로 복귀시키며, 제1식각액분석제어부(104)에서는 측정된 식각액의 흡광도 측정값을 기초로 하여 흡광도환산값을 계산하여 이를 출력하는 단계; 제1식각액분석제어부(104)에서 출력된 데이터에 기초하여 흡광도환산값이 10이상 인 경우 제어부(40)는 제1식각액보관탱크(10)의 식각액을 제1연결라인(14)을 통해 제2식각액보관탱크(20로 이송시키고, 흡광도환산값이 10미만인 경우 제1식각액보관탱크(10)의 식각액을 제1식각액폐기라인(11)으로 방출하도록 제어하는 단계; 제2식 각액보관탱크(20)로 이송된 식각액은 제2연결라인(24)을 통해 식각기(30)로 공급하도록 제어부(40)가 제어하는 단계를 포함한다.The etchant management method according to the present invention is a method in which the etchant stored in the first
여기서, 제2식각액보관탱크(20)에서 식각기(30)로 식각액을 공급하기 전에 제1식각액분석장치(100)와 동일한 원리로서 제2식각액분석장치(200)를 이용하여 제2식각액보관탱크(20)의 식각액을 분석하고 그 결과에 따라 제2식각액보관탱크(20)의 식각액을 식각기(30) 또는 제2식각액폐기라인(21)으로 방출시킬 수 있다.Here, before the etching liquid is supplied from the second etching
이하에서는 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실시예 1(제품명:MA-S07L, 동우화인켐)을 설명하기로 하나, 본 발명의 범위가 이로 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments 1 (product name: MA-S07L, Dongwha Fine-Chem) for explaining the present invention will be described, but the scope of the present invention is not limited thereto.
하기 실시예1는 시간에 따른 식각액의 흡광도의 변화 특성을 분석하고, 온도와 보관일 수에 따른 식각액의 특성변화와 연계하여 사용에 대한 안정적인 범위를 설정하는 실시예이다. In the following Example 1, the characteristics of the change of the absorbance of the etchant over time are analyzed, and a stable range for use is set in connection with the change in the characteristics of the etchant depending on the temperature and the number of days of storage.
실시예 1Example 1
상기 실시예 1 및 시간변화에 대한 온도에 따른 흡광도 환산값과의 관계를 나타낸 그래프(도 3 참조 )에서 볼 수 있는 바와 같이, 13.56 ~ 10.030 범위 안의 식각액은 안정적으로 사용할 수 있다는 것을 확인할 수 있다. As can be seen from the graph showing the relationship between the absorbance conversion value and the temperature change with time in Example 1 (see FIG. 3), it can be seen that the etchant in the range of 13.56 to 10.030 can be used stably.
또한, 실시예 1에서 선별하여 측정한 전자주사현미경의 측정 결과(시간에 따라 색도변화된 식각액을 스프레이모드로 식각하여 프로파일 변화를 흡광도 환산값과의 관계를 나타내는 측정결과; 도 4참조)와 이를 표로 정리한 표 1를 통해서도 13.56 ~ 10.030 범위 안의 식각액은 안정적으로 사용할 수 있다는 것을 확인할 수 있다. Further, the measurement result of the electron-scanning microscope (the measurement result showing the relationship between the profile change and the absorbance conversion value by etching the etchant with the chromaticity change in the spray mode over time, as shown in FIG. 4) Table 1 also shows that the etching solution within the range of 13.56 to 10.030 can be used stably.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 식각액의 농도변화에 따른 색변화도를 실시간으로 자동분석하여 식각액의 보관 및 교환 시점을 포함한 사용기준을 설정하여 식각액을 관리할 수 있는 식각액 관리 시스템, 식각 장치 및 이에 의한 식각액 관리 방법이 제공된다.As described above, according to the present invention, it is possible to provide an etchant management system capable of managing the etchant by automatically analyzing the color change degree according to the concentration change of the etchant in real time, And an etching liquid management method therefor.
또한, 본 발명에 따른 식각액분석장치의 분석결과에 따라 식각액의 성능변화를 실시간으로 정확하게 분석할 수 있음에 따라 식각공정에서 안정적으로 식각액을 사용할 수 있어 식각불량 발생을 억제할 수 있고, 식각액의 폐기비용을 절감할 수 있다. In addition, according to the analysis result of the etching solution analyzing apparatus according to the present invention, it is possible to accurately analyze the performance change of the etching solution in real time, so that the etching solution can be stably used in the etching process, The cost can be reduced.
Claims (23)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060083165A KR101264463B1 (en) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | Etching solution control system and etching apparatus and etching solution control method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060083165A KR101264463B1 (en) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | Etching solution control system and etching apparatus and etching solution control method thereof |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120117247A Division KR20120120105A (en) | 2012-10-22 | 2012-10-22 | Etching solution control system and etching apparatus and etching solution control method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080020140A KR20080020140A (en) | 2008-03-05 |
KR101264463B1 true KR101264463B1 (en) | 2013-05-14 |
Family
ID=39395213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060083165A KR101264463B1 (en) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | Etching solution control system and etching apparatus and etching solution control method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101264463B1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101124118B1 (en) * | 2010-07-29 | 2012-03-16 | (주)화백엔지니어링 | Etching solution control apparatus comprising rgb sensor and cnd sensor |
KR101285093B1 (en) * | 2011-04-22 | 2013-07-11 | (주)화백엔지니어링 | PLATING SOLUTION CONTROL APPARATUS COMPRISING RGB COLOR SENSOR AND pH SENSOR |
KR101939385B1 (en) * | 2012-12-24 | 2019-01-16 | 동우 화인켐 주식회사 | Method of preparing array of thin film transistor |
-
2006
- 2006-08-30 KR KR1020060083165A patent/KR101264463B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080020140A (en) | 2008-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100248500B1 (en) | Apparatus for controlling resist stripping solution | |
US20120016643A1 (en) | Virtual measuring system and method for predicting the quality of thin film transistor liquid crystal display processes | |
TW200308186A (en) | Integrated stepwise statistical process control in a plasma processing system | |
JP6024936B2 (en) | Method for measuring total oxidizing substance concentration, substrate cleaning method and substrate cleaning system | |
KR101264463B1 (en) | Etching solution control system and etching apparatus and etching solution control method thereof | |
KR20020058995A (en) | method of controlling photoresist stripping process and method of regenerating photoresist stripping composition using near infrared spectrometer | |
US7109037B2 (en) | Water-based resist stripping liquid management apparatus and water-based resist stripping liquid management method | |
CN104503112A (en) | Method and system for repairing array substrate | |
CN105304514A (en) | Process monitoring method after etching semiconductor deep hole | |
US6376261B1 (en) | Method for varying nitride strip makeup process based on field oxide loss and defect count | |
KR101410527B1 (en) | Etching solution control system and etching apparatus and etching solution control method thereof | |
KR19990036502A (en) | Resist stripping solution management device | |
DE10134756A1 (en) | A system and method for controlled structuring based on structural elements with critical dimensions | |
JP2007316360A (en) | Management method and management device for water-based photoresist stripping liquid | |
JP2602179B2 (en) | Resist stripper management system | |
KR20120120105A (en) | Etching solution control system and etching apparatus and etching solution control method thereof | |
DE102015114900A1 (en) | Method and system for controlling plasma in a semiconductor fabrication | |
JP3914721B2 (en) | Non-aqueous resist stripping solution management apparatus and non-aqueous resist stripping solution management method | |
US20100078043A1 (en) | Cleaning device and cleaning method | |
US20080053478A1 (en) | Substrate-processing method and method of manufacturing electronic device | |
KR100921403B1 (en) | Method and apparatus for controlling etchant composition using spectroscope | |
TWI699843B (en) | Process system including withdrawing device and method of monitoring the system | |
KR20050091303A (en) | Method and apparatus for controlling stripper composition using spectroscope | |
US8233142B2 (en) | Monitoring method of exposure apparatus | |
JP2007260516A (en) | Washing method using sulfuric acid hydrogenperoxide washing solution, manufacturing method of electro-optical panel and sulfuric acid hydrogenperoxide washing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160304 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170308 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180319 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190311 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200309 Year of fee payment: 8 |