KR101257035B1 - 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화아연계 투명 전도성 산화막 - Google Patents
산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화아연계 투명 전도성 산화막 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화아연계 투명 전도성 산화막에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 표면에 금속 나노 입자를 증착함으로써, 투과도를 유지한 채 면저항을 줄일 수 있는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화아연계 투명 전도성 산화막에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 기판에 도펀트가 도핑된 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및 상기 산화아연 박막의 표면에 금속 나노 입자를 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화아연계 투명 전도성 산화막을 제공한다.
이를 위해, 본 발명은 기판에 도펀트가 도핑된 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및 상기 산화아연 박막의 표면에 금속 나노 입자를 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화아연계 투명 전도성 산화막을 제공한다.
Description
본 발명은 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화아연계 투명 전도성 산화막에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 표면에 금속 나노 입자를 증착함으로써, 투과도를 유지한 채 면저항을 줄일 수 있는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화아연계 투명 전도성 산화막에 관한 것이다.
일반적으로, 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)은 입사되는 빛에 대해 투명한 성질을 가짐과 동시에 금속처럼 전기를 흐르게 하는 물질이다. 현재, 투명 전도성 산화물은 박막 형태로 형성되어 평판 디스플레이 및 태양전지 등의 소자에서 투명전극으로 사용되고 있으며 최첨단 디스플레이 기술, 모바일 디스플레이 기술, 친환경 정책에 의한 신 재생 에너지의 대표로 일컬어지는 다양한 태양전지 제조 기술 등으로 말미암아 그 중요성 및 수요가 날마다 증가하고 있다.
이러한 투명 전도성 산화물의 재료로는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등이 사용되고 있으며, 현재 상용화 되고 있는 대부분의 재료는 인듐 주석 산화물(ITO)이다. 그러나 인듐 주석 산화물(ITO)의 경우 인듐 성분의 고갈 및 전 세계 보유량의 부족으로 말미암아 불안정한 가격이 형성되고 있으며, 이에 따라 가격 상승이 불가피해지고 있다. 그리고 일부 소자 적용 시에 따른 제약으로 말미암아 수년 전부터 인듐 주석 산화물(ITO)을 대체할 수 있는 투명 전도성 산화물의 개발이 중요한 과제로 자리매김 해 오고 있다.
그 중, 대표적인 물질이 산화아연(ZnO)을 기반으로 하는 투명 전도성 산화물인데, 이는 절연 및 반도체적 성질을 가지는 산화아연(ZnO)에 투명 전도성 산화물의 특징을 나타낼 수 있는 제3의 원소를 도핑하여 형성된다. 즉, 산화아연(ZnO)을 기반으로 하는 투명 전도성 산화물은 산화아연(ZnO) 물질에 갈륨(Ga), 인듐(In), 알루미늄(Al) 등과 같은 원소를 도핑하여 만들어진다.
하지만, 산화아연(ZnO)계 투명 전도성 산화물은 인듐 주석 산화물(ITO)에 비해 면저항이 상대적으로 높은 문제가 있다. 따라서, 높은 투과도를 유지한 상태에서 면저항을 낮출 수 있는 방법 및 구조에 대한 다양한 연구가 필요한 실정이다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 표면에 금속 나노 입자를 증착함으로써, 투과도를 유지한 채 면저항을 줄일 수 있는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화아연계 투명 전도성 산화막을 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은 기판에 도펀트가 도핑된 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및 상기 산화아연 박막의 표면에 금속 나노 입자를 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 산화아연 박막은 펄스 레이저 증착, 스퍼터링, 스프레이 코팅, CVD 코팅, 증발 또는 분자빔 적층 성장 중 선택된 어느 하나의 공법을 통해 형성될 수 있다.
또한, 상기 도펀트는 갈륨(Ga)일 수 있다.
그리고 상기 금속 나노 입자는 은(Ag)일 수 있다.
이때, 상기 금속 나노 입자는 열 증착될 수 있다.
또한, 상기 금속 나노 입자는 전기화학 증착될 수 있다.
게다가, 상기 전기화학 증착 공정에 사용되는 전해질은 C16H36ClNO4 및 AgNO3을 반응시킨 수용액일 수 있다.
아울러, 상기 전기화학 증착 공정은 펄스 전류를 사용할 수 있다.
더불어, 상기 금속 나노 입자 증착 후 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명은 기판에 형성되고, 도펀트가 도핑되어 있으며, 금속 나노 입자가 표면에 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막을 제공한다.
여기서, 상기 도펀트는 갈륨(Ga)일 수 있다.
또한, 상기 금속 나노 입자는 은(Ag)일 수 있다.
그리고 상기 금속 나노 입자의 평균 직경은 100㎚ 이하일 수 있다.
게다가, 면저항이 8.0~9.7 Ω/㎠일 수 있다.
본 발명에 따르면, 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막의 표면에 열 또는 전기화학 증착법을 통해 금속 나노 입자를 증착함으로써, 제조되는 산화아연계 투명 전도성 산화막의 면저항을 줄일 수 있고, 이와 아울러, 투과도를 유지하거나 오히려 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전기화학 증착 공정의 펄스 전류 인가 방식을 나타낸 그래프.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 전기화학 증착을 통해 산화아연 박막의 표면에 증착된 금속 나노 입자를 촬영한 사진.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따라 증착된 금속 나노 입자의 전자 방출 매커니즘을 나타낸 모식도.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 산화아연계 투명 전도성 산화막의 투과도 변화를 나타낸 그래프.
도 5는 도 4의 부분 확대 그래프.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따라 열 증착을 통해 제조된 산화아연계 투명 전도성 산화막을 개략적으로 나타낸 단면도.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따라 전기화학 증착을 통해 제조된 산화아연계 투명 전도성 산화막을 개략적으로 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 전기화학 증착을 통해 산화아연 박막의 표면에 증착된 금속 나노 입자를 촬영한 사진.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따라 증착된 금속 나노 입자의 전자 방출 매커니즘을 나타낸 모식도.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 산화아연계 투명 전도성 산화막의 투과도 변화를 나타낸 그래프.
도 5는 도 4의 부분 확대 그래프.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따라 열 증착을 통해 제조된 산화아연계 투명 전도성 산화막을 개략적으로 나타낸 단면도.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따라 전기화학 증착을 통해 제조된 산화아연계 투명 전도성 산화막을 개략적으로 나타낸 단면도.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화아연계 투명 전도성 산화막에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 실시 예에 따른 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법은 고 투과율을 유지한 채 낮은 면저항을 갖는 산화아연계 투명 전도성 산화막(100)을 제조하기 위한 방법으로, 산화아연 박막 형성단계 및 금속 나노 입자 증착단계를 포함하여 형성된다. 여기서, 각 구성요소의 도면부호는 도 6 및 도 7을 참조하여 설명하기로 한다.
먼저, 산화아연(ZnO) 박막 형성단계는 기판(110)에 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(120)을 형성하는 단계이다. 이 단계에서는 펄스 레이저 증착, 스퍼터링, 스프레이 코팅, CVD 코팅, 증발 또는 분자빔 적층 성장 중 선택된 어느 하나의 공법을 사용하여 기판(110) 상에 산화아연(ZnO) 박막(120)을 형성한다. 여기서, 산화아연(ZnO) 박막의 전도성 향상을 위해 도핑되는 도펀트는 갈륨(Ga)이 사용될 수 있고, 이러한 갈륨(Ga) 도펀트는 도핑 공법에 따라 박막(120) 형성 전 또는 박막(120) 형성 후에 산화아연(ZnO)에 도핑될 수 있다. 그리고 일면에 산화아연(ZnO) 박막(120)이 형성되는 기판(110)은 광 투과율이 우수하고 기계적인 물성이 우수한 것이면 어느 것이든 제한되지 않는다. 예컨대, 기판(110)은 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름인 폴리머 계열의 물질이나 화학강화유리인 소다라임유리(SiO2-CaO-Na2O) 또는 알루미노실리케이트 유리(SiO2-Al2O3-Na2O)가 사용될 수 있으며, 이중 Na의 양은 용도에 따라 조절될 수 있다.
다음으로, 금속 나노 입자 증착단계는 기판(110) 상에 형성된 산화아연(ZnO) 박막(120)의 표면에 금속 나노 입자(130)를 증착하는 단계이다. 이 단계에서는 열 증착 장비(Thermal Evaporator)를 사용하여 금속 나노 입자(130)를 열 증착시킬 수 있다. 이때, 열 증착을 위해 열 증착 장비에 금속 원료를 공급하는 경우 1~3㎚의 평균 두께를 갖는 금속 입자가 원료 물질로 사용될 수 있다. 그리고 열 증착을 통해 형성되는 금속 나노 입자(130)는 필름 형태가 아닌 나노 점(Nano Dot) 형태로 산화아연(ZnO) 박막(120)의 표면에 증착된다. 이때, 증착된 금속 나노 입자(130)는 100㎚ 이하로 그 크기가 제어된다.
또한, 금속 나노 입자 증착단계에서는 전기화학 증착법을 사용하여 금속 나노 입자(130)를 증착시킬 수 있다. 이 경우, 열 증착과는 달리 금속 나노 입자(130)는 필름 형태로 증착된다.
여기서, 전기화학 증착을 통해 금속 나노 입자(130)를 증착할 경우 상온 공정이 가능하고, 진공장비의 이용이 필요하지 않게 되어 생산비용을 절감할 수 있는 장점이 있다. 그리고 본 발명의 실시 예에서는 전기화학 증착 공정에 펄스 전류를 사용한다. 이는, 직류 전류 사용 시 전류 주입 시간에 따라 산화아연(ZnO) 박막(120)에서의 금속 이온 부족으로 핵 생성보다는 성장이 우선시되므로, 마이크로 사이즈의 금속 입자들이 불균일하게 존재하는 덴드라이트 성장(Dendritic Growth)이 발생되어, 금속 나노 입자(130)로 이루어진 금속층(130a)의 표면적이 작아지게 되고, 표면 플라즈몬 공명 현상을 기대할 수 없기 때문이다.
이에 반해, 도 1에 도시한 바와 같이, 전기화학 증착 공정에서 펄스 전류를 인가하게 되면, 금속 이온의 흡착과 환원반응에 따른 핵 생성이 전류 주입시간에 진행되며, 전류 단절시간에는 표면 확산과 성장이 발생한다. 또한, 전류 단절시간에 전해질 용액 내에서 산화아연(ZnO) 박막(120)의 표면으로 금속 이온이 원활히 공급되므로, 금속 나노 입자층(130a)의 불균일한 성장을 막을 수 있게 된다. 즉, 펄스 전류를 인가하는 전기화학 증착 공정은 소정의 전류(Ion)를 일정 시간 동안 인가(ton)하고 이후 일정 시간 동안 단절(toff)시키는 순간적인 전류 인가와 전류 단절 과정을 주기적으로 반복하게 된다.
여기서, 열 증착 또는 전기화학 증착을 통해 산화아연(ZnO) 박막(120)에 증착되는 금속 나노 입자(130) 또는 금속 나노 입자층(130a)은 표면 플라즈몬 공명 현상을 강하게 나타내는 금속인 은(Ag)으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이때, 전기화학 증착 공정을 이용할 경우 은(Ag)으로 이루어진 금속 나노 입자층(130a)을 형성하기 위한 전해질로는 C16H36ClNO4 및 AgNO3을 반응시킨 수용액이 사용될 수 있다.
이러한 기화학 증착은 펄스 시간, 전류 세기, 전해질 수용액 농도 등을 조절함으로써, 금속 나노 입자층(130a)의 금속 나노 입자(130)의 크기 및 밀도 등을 조절할 수 있는 장점이 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 전기화학 증착을 통해 산화아연 박막의 표면에 증착된 금속 나노 입자를 촬영한 사진으로, 증착된 금속 나노 입자층(130a)의 금속 나노 입자(130) 크기는 대략 100㎚ 이하로 형성된 것을 확인할 수 있고, 상기한 조건들이 변하게 되면, 금속 나노 입자(130)의 크기와 밀도 분포가 다르게 생성됨을 확인할 수 있다. 즉, 도 2의 (a) 내지 (c)를 비교해보면, 금속 나노 입자(130)의 크기가 작으면 고밀도로 형성됨을 확인할 수 있다.
| 비교예1 | 비교예2 | 비교예3 | 비교예4 | |
| 면저항(Ω/㎠) | 15.5 | 16 | 15.3 | 15.1 |
| 이동도(㎠/Vs) | 23.6 | 33.3 | 28.5 | 29.9 |
| 케리어 농도(㎝-3) | 11.4×1020 | 7.84×1020 | 9.51×1020 | 9.24×1020 |
| 비교예5 | 실시예1 | 실시예2 | 실시예3 | |
| 면저항(Ω/㎠) | 11.5 | 9.7 | 9.2 | 8.6 |
| 이동도(㎠/Vs) | 13.5 | 12.7 | 12 | 9.77 |
| 케리어 농도(㎝-3) | 8.06×1020 | 10.1×1020 | 11.2×1020 | 14.7×1020 |
표 1은 인듐 주석 산화물(ITO) 표면에 금속 나노 입자(130)를 증착한 경우 이동도, 케리어 농도 및 면저항 변화를 나타낸 것이고, 표 2는 산화아연(ZnO) 박막(120)의 표면에 금속 나노 입자(130)를 증착한 경우 이동도, 케리어 농도 및 면저항 변화를 나타낸 것이다.
먼저, 표 1을 보면, 비교예1은 인듐 주석 산화물(ITO) 표면에 금속 나노 입자(130)를 증착하지 않은 경우이고, 비교예 2 및 비교예 4는 입자 크기가 다른 금속 나노 입자(130)를 인듐 주석 산화물(ITO) 표면에 증착한 경우이며, 비교예3은 인듐 주석 산화물(ITO) 표면에 증착된 금속 나노 입자(130) 상에 산화아연(ZnO)이 5㎚ 정도의 두께로 증착된 경우의 이동도, 케리어 농도 및 면저항 측정 결과를 나타낸 것이다.
비교예 1 내지 비교예 4를 비교해 보면, 인듐 주석 산화물(ITO) 표면에 금속 나노 입자(130)를 증착하는 경우, 증착하지 않는 경우와 면저항 값이 거의 차이가 없는 것을 확인할 수 있었고, 비교예2와 같이, 금속 나노 입자(130) 증착 시 면저항이 오히려 증가됨을 확인할 수 있었다.
다음으로, 표2를 보면, 비교예5는 갈륨(Ga)이 도핑된 산화아연(ZnO) 표면에 금속 나노 입자(130)를 증착하지 않은 경우이고, 실시예1 내지 실시예3은 입자 크기가 다른 금속 나노 입자(130)를 갈륨(Ga)이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(120) 표면에 증착한 경우의 이동도, 케리어 농도 및 면저항 측정 결과를 나타낸 것이다.
실시예1 내지 실시예3과 비교예5를 비교해 보면, 금속 나노 입자(130) 증착 시 확연히 면저항이 감소되었음을 확인할 수 있었다. 그리고 실시예3의 측정 값을 보면, 입자의 크기가 작고 케리어 농도치가 높을수록 면저항이 상대적으로 낮게 나타남을 확인할 수 있었다.
여기서, 갈륨(Ga)이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(120)의 표면에 금속 나노 입자(130) 증착 시 면저항이 낮게 나타나는 매커니즘은, 도 3에 도시한 바와 같이, 외부로부터 전기장이 가해지면, 갈륨(Ga)이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(120) 표면의 자유 전자들은 전기장에 의해 한 쪽 방향으로 흐르게 된다. 그리고 이와 동시에 외부 전기장에 의해 갈륨(Ga)이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(120) 표면과 금속 나노 입자(130)가 맞닿는 부분에서 전자들이 방출되는데, 이에 따라, 외부 전기장에 의해 갈륨(Ga)이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(120) 표면에 흐르던 전자들이 금속 나노 입자(130)로부터 방출된 전자들과 합쳐져 전자의 농도가 더해지게 되어, 결과적으로, 갈륨(Ga)이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(120)의 면저항이 낮아지게 되는 것이다.
더불어, 도 4 및 도 5는 비교예5 및 실시예1 내지 실시예3에 대한 투과도 측정 결과를 나타낸 그래프이다. 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 400~600㎚ 파장대에서는 은(Ag) 플라즈몬 흡수에 의한 투과도 감소가 나타나는데, 이는 은(Ag)의 고유의 특성이고, 장파장의 경우 은(Ag)으로 이루어진 금속 나노 입자(130)의 크기가 작고 케리어 농도가 클 때(실시예3) 오히려 투과도가 상대적으로 소폭 증가하는 경향을 나타내었다. 또한, 실시예1 내지 실시예3은 비교예5와 비교 시 투과도 감소는 2% 미만인 것으로 확인되었다.
즉, 갈륨(Ga)이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(120)의 표면에 금속 나노 입자(130)를 증착하게 되면, 장파장대에서 투과도는 유지하면서 면저항은 감소됨을 확인할 수 있었다. 이러한 현상은 은(Ag)으로 이루어진 금속 나노 입자(130)에 의한 표면 플라즈몬 공명 현상으로 유추된다.
본 발명의 실시 예에서는 금속 나노 입자(130)를 산화아연(ZnO) 박막(120)의 표면에 증착하는 방법으로, 열 증착 또는 전기화학 증착을 예로 들었지만, 그 외에 금속 나노 입자(130)를 합성하는 다양한 방법이나 기술 등이 사용될 수 있다.
상기와 같이, 갈륨(Ga)이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(120)의 표면에 금속 나노 입자(130)를 증착하면, 본 발명의 실시 예에 따른 산화아연계 투명 전도성 산화막(100) 제조가 완료된다.
여기서, 금속 나노 입자 증착단계 후 불순물 제거 및 구조 안정화를 통한 추가적인 면저항 감소를 위해 산화아연계 투명 전도성 산화막(100)을 열처리하는 단계가 진행될 수 있다.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법을 통해 제조된 산화아연계 투명 전도성 산화막(100)은 기판(110)에 형성되고, 도펀트가 도핑되어 있으며, 금속 나노 입자(130)가 표면에 나노 점 형태로 형성(도 6)되어 있거나 금속 나노 입자층(130a) 형태(도 7)로 형성되어 있다. 여기서, 도펀트는 갈륨(Ga)일 수 있고, 금속 나노 입자(130)는 은(Ag)일 수 있다. 그리고 증착된 금속 나노 입자(130)의 평균 직경은 100㎚ 이하를 가지며, 면저항은 8.0~9.7 Ω/㎠을 나타낸다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(120)의 표면에 열 또는 전기화학 증착법을 통해 은(Ag)으로 이루어진 금속 나노 입자(130)를 증착하는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화아연계 투명 전도성 산화막(100)을 제공한다. 이를 통해, 본 발명은 인듐 주석 산화물(ITO)에서는 볼 수 없는 은(Ag)으로 이루어진 금속 나노 입자(130)에 의한 면저항 감소 효과를, 갈륨(Ga)이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(120)을 사용함으로써 구현할 수 있다. 그리고 면저항 감소와 아울러, 투과도를 유지하거나 오히려 향상시킬 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 산화아연계 투명 전도성 산화막 110: 기판
120: 산화아연 박막 130: 금속 나노 입자
130a: 금속 나노 입자층
120: 산화아연 박막 130: 금속 나노 입자
130a: 금속 나노 입자층
Claims (14)
- 기판에 도펀트가 도핑된 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및
상기 산화아연 박막의 표면에 은(Ag)으로 이루어진 금속 나노 입자를 증착하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 산화아연 박막은 펄스 레이저 증착, 스퍼터링, 스프레이 코팅, CVD 코팅, 증발 또는 분자빔 적층 성장 중 선택된 어느 하나의 공법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 도펀트는 갈륨(Ga)인 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 금속 나노 입자는 열 증착되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 금속 나노 입자는 전기화학 증착되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법.
- 제6항에 있어서,
상기 전기화학 증착 공정에 사용되는 전해질은 C16H36ClNO4 및 AgNO3을 반응시킨 수용액인 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법.
- 제6항에 있어서,
상기 전기화학 증착 공정은 펄스 전류를 사용하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 금속 나노 입자 증착 후 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막 제조방법.
- 기판에 형성되고, 도펀트가 도핑되어 있으며, 은(Ag)으로 이루어진 금속 나노 입자가 표면에 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막.
- 제10항에 있어서,
상기 도펀트는 갈륨(Ga)인 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막.
- 삭제
- 제10항에 있어서,
상기 금속 나노 입자의 평균 직경은 100㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막.
- 제10항에 있어서,
면저항이 8.0~9.7 Ω/㎠인 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명 전도성 산화막.
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