KR101252030B1 - 스로우 실리콘 비아들을 사용하여 개선된 광전지 효율 - Google Patents
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Abstract
광전지(photovoltaic cell)는 제 1 노드 및 제 2 노드를 가진 광전지 층을 포함한다. 제 1 전도성 층은 광전지 층의 제 2 노드에 전기적으로 연결되어, 광전지 층으로부터의 광을 차단(block)하지 않는다. 제 2 전도성 층은 제 1 전도성 층에 인접하나 제 1 전도성 층으로부터 전기적으로 절연되며, 따라서 제 2 전도성 층은 광전지 층으로부터 광을 차단하지 않는 위치에 배치된다. 적어도 하나의 스로우 실리콘 비아는 광전지 층의 제 1 노드 및 제 2 전도성 층에 전기적으로 연결되나 제 1 전도성 층 및 광전지 층의 적어도 일부분으로부터 전기적으로 절연된다.
Description
본 개시내용은 일반적으로 광전지들에 관한 것이다. 특히, 본 개시내용은 스로우 실리콘 비아들을 사용함으로써 광 방해(light obstruction)를 감소시키는 것에 관한 것이다.
종래의 태양 전지들은 태양과 같은 광원으로부터 에너지를 수신하여 이 에너지를 전기로 변환시킨다. 종래의 태양 전지들은 일반적으로 광자(light photon)들을 수신하고 이들 광자들을 전기로 변환하는 광전지 층(photovoltaic layer)을 포함한다. 효율을 향상시키기 위하여, 불규칙 표면을 가지고 산화 인듐-주석(Indium-Tin-Oxide)로 만들어진 층과 같은 전도성 전극층이 더 많은 광자들을 광전지 층으로 편향(deflect)시키기 위하여 사용되었다. 이러한 어레인지먼트(arrangement)에서, 금속 트레이스(metallic trace)들은 한 측면 상의 전극 층의 위에 배치되며 금속 층은 광전지 층의 다른 측면상에 배치된다. 한 측면상의 금속 트레이스들 및 광전지 층의 다른 측면상의 금속 층 사이에 연결된 로드(load)는 생성된 전기에 대한 전도 경로(conduction path)에 제공한다. 이러한 어레인지먼트에서, 광전지의 수광 측면상에 있는 금속 트레이스들은 일부 광이 광전지 층으로 진입하는 것을 방해하여 태양 전지의 효율을 감소시킬 것이다.
효율을 향상시키기 위한 한 방식은 더 많은 광자들이 광전지 층에 진입하도록 금속 트레이스들의 크기를 감소시키는 것이었다. 그러나, 트레이스 크기를 감소시키면 태양 전지의 내부 저항도 증가하게 되며, 따라서 효율이 감소된다. 다른 솔루션은 전극 층에 의하여 흡수되는 광의 양을 감소시키기 위하여 금속 트레이스들의 크기를 감소시키지 않고 전극 층의 두께를 감소시키는 것이었다. 그러나, 전극 층의 감소된 두께는 내부 저항을 증가시키며 광은 금속 트레이스들에 의하여 계속해서 방해를 받는다.
따라서, 금속 트레이스들로부터의 광 전지로의 광의 방해를 감소시켜서 광 전지의 내부 저항을 증가시키지 않고 광 전지의 효율을 증가시키는 광 전지 구조에 대한 필요성이 요구된다.
일 실시예에서, 광전지(photovoltaic cell)는 제 1 노드 및 제 2 노드를 가진 광전지 층을 포함한다. 제 1 전도성 층은 광전지 층의 제 2 노드에 전기적으로 연결된다. 제 2 전도성 층은 광전지 층의 제 2 노드 상의 제 1 전도성 층에 인접하여 배치되나 제 1 전도성 층으로부터 전기적으로 절연되며, 따라서 제 2 전도성 층은 광전지 층의 제 1 노드상에 충돌하는 광을 차단하지 않을 것이다. 적어도 하나의 스로우 실리콘 비아(through silicon via)는 광전지 층의 제 1 노드에서부터 제 2 전도성 층으로 전기적으로 연결되며, 상기 스로우 실리콘 비아는 제 1 전도성 층 및 광전지 층의 몸체를 통과하나 이들로부터 전기적으로 절연된다.
다른 실시예에서, 광 굴절층은 광을 광전지 층으로 편향시키기 위하여 광전지 층의 제 1 노드에 연결될 수 있다. 그러나, 스로우 실리콘 비아가 제 1 노드에 직접 전기적으로 연결되기 때문에, 광 굴절층은 전극 층일 필요가 없고 전도될 필요가 없으며, 따라서 내부 저항을 증가시키기 않고 광 흡수를 감소시키는 구조를 가질 수 있다.
또 다른 실시예에서, 광전지로의 광의 방해(obstruction)를 감소시키기 위한 장치는 분극된 노드(polarized node)들 사이에서 전기를 생성하기 위하여 광을 수신하여 광을 흡수하기 위한 수단을 포함한다. 또한, 상기 장치는 광을 수신하기 위한 수단으로부터의 광을 차단하지 않으면서 광을 수신하기 위한 수단의 제 1 분극된 노드로부터 전기를 도통(conduct)시키기 위한 제 1 수단을 포함한다. 최종적으로, 상기 장치는 광을 수신하기 위한 수단으로부터의 광을 차단하지 않으면서 광을 수신하기 위한 수단의 제 2 분극된 노드로부터 전기를 도통시키기 위한 제 2 수단을 포함한다.
또 다른 실시예에서, 태양 전지로의 광의 차단을 감소시키기 위한 방법은 제 1 노드 및 제 2 노드를 가진 광전지 층을 배치하는 단계를 포함한다. 제 1 전도성 층은 광전지 층의 제 2 노드에 인접하게 배치되어 광전지 층의 제 2 노드에 전기적으로 연결되며, 따라서 제 1 전도성 층은 광전지 층으로부터의 광을 차단하지 않는다. 다음으로, 제 2 전도성 층은 제 1 전도성 층에 인접하게 배치되어 제 1 전도성 층에 전기적으로 연결되며, 따라서 제 2 전도성 층은 광전지 층으로부터의 광을 차단하지 않는다. 최종적으로, 적어도 하나의 스로우 실리콘 비아는 광전지 층의 제 1 노드로부터 광전지 층 및 제 1 전도성 층을 통해 제 2 전도성 층까지 제조되는 반면에, 적어도 하나의 스로우 실리콘 비아는 광전지 층 및 제 1 전도성 층으로부터 전기적으로 절연된다.
전술한 내용은 이하의 상세한 설명이 더 양호하게 이해될 수 있도록 하기 위하여 본 개시내용의 특징들 및 기술적 장점들을 넓게 개략적으로 기술하였다. 본 개시내용의 청구항들의 요지를 형성하는 추가 특징들 및 장점들이 이하에 기술될 것이다. 개시된 개념 및 특정 실시예들이 본 개시내용의 동일한 목적들을 수행하기 위한 다른 구조들을 수정하거나 또는 설계하기 위한 기본서로서 용이하게 활용될 수 있다는 것이 당업자에 의하여 인식되어야 한다. 이러한 균등 구성들이 첨부된 청구항들에 기술된 개시내용의 기술로부터 벗어나지 않는다는 것이 당업자에 의하여 인식되어야 한다. 구성 및 동작 방법과 관련하여 본 개시내용의 특징인 것으로 믿어지는 신규한 특징들은 추가 목적들 및 장점들과 함께 첨부 도면들을 참조로 하여 이하의 상세한 설명을 고찰할때 양호하게 이해될 것이다. 그러나, 도면들 각각이 단지 예시적 및 설명을 위해서만 제공되며 본 개시내용을 제한하는 것으로 의도되지 않는다는 것이 명백하게 이해될 것이다.
본 개시내용의 더 완전한 이해를 위하여, 첨부 도면들과 관련하여 기술된 이하의 상세한 설명이 지금 참조된다.
도 1은 종래의 태양 전지의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 종래의 태양 전지의 평면도이다.
도 3은 스로우 실리콘 비아들를 사용한 예시적인 광 전지의 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 광 전지의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 종래의 태양 전지의 평면도이다.
도 3은 스로우 실리콘 비아들를 사용한 예시적인 광 전지의 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 광 전지의 평면도이다.
도 1은 광전지 층(102), 금속 층(104), 전극 층(106), 및 금속 층(108)을 포함하는 종래의 태양 전지(100)의 단면도이다. 금속 층(104)은 광전지 층(102)의 하부 노드(102b)에 전기적으로 연결되며 로드(load)(116)에 전기적으로 연결된다. 전극 층(106)은 통상적으로 대략 90% In2O3 및 10% SnO2인 산화 인듐-주석(Indium-Tin-Oxide) 재료로 구성된다. 전극 층(106)은 광전지 층(102)의 수광 상부 노드(102a)에 전기적으로 연결된다. 전극 층(106)은 전기 생성을 증가시키기 위하여 광전지 층(102)으로 광을 편향시키는 전도성 층이다. 전극 층(106)은 통상적으로 부채꼴 표면(scalloped surface)을 포함하며, 따라서 광자(112a) 및 광자(114b)는 표면으로부터 반사되거나(예컨대, 광자(112b) 및 광자(114b)) 또는 광전지 층(102) 내로 편향되어 흡수되는 각도로 전극 층(106)을 통과한다. 금속 트레이스들(108a, 108b)과 같은 금속 트레이스들(또는 전기 리드(electrical lead)들)을 가진 금속 층(108)은 전극 층(106) 위에서 전극 층(106)과 전기적 전도 관계(electrically conductive relationship)로 배치된다.
도 2는 광전지 층(102)의 수광 상부 노드(102a)와 전기적 전도 관계로 전극 층(106)(도 1) 상에 배치된 금속 트레이스들(108a, 108b, 108c, 108d)을 가진 금속 층(108)을 도시한 도 1에 도시된 태양 전지(100)의 평면도이다. 금속 층(108)은 Y 금속으로서 정의된 y-축 디멘션(dimension)과 X 금속으로서 정의된 x-축 디멘션을 가진다. 또한, 광전지 층(102)은 Y 전지로서 정의된 y-축 디멘션과 X 전지로서 정의된 x-축 디멘션을 가진다. 전극 층(106)(도 1)에의 종래의 금속 연결부들은 광전지 층(102) 상의 영역을 커버(cover)하며, 광이 광전지 층(102)상에 충돌하는 것을 막는 트레이스들(108a, 108b, 202, 204)을 가지는 금속 메시(metal mesh)로서 구성된다. 종래의 금속 메시에 의하여 차단된 광자들은 공식(X metal*(Y cell + Ymetal) + X cell*Ymetal)/((Y cell + Y metal)*(X cell + X metal))을 사용하여 추정될 수 있다. 결과는 금속 층(108)에 의하여 차단되는 태양 전지(100)의 표면 영역의 비(ratio)의 추정치이다. 금속 트레이스들(108a, 108b, 202, 204)에 의하여 차단되는 광전지 층(102)의 수광 상부 노드(102a)의 영역들이 더 많아질수록, 생성되는 전기가 적으며 광전지 층(102)의 효율이 낮아질 것이다.
도 3은 광전지 층(302)을 통해 연장되며 따라서 종래의 태양 전지들의 금속 트레이스들에 의하여 차단되는 측면의 영역을 감소시키는 스로우 실리콘 비아들을 가진 예시적인 광전지(300)의 단면도이다. 광전지(300) 상에 광자들이 충돌할때, 콤플리멘터리 전하(complimentary charge)들이 형성되어 반대 방향들로 광전지 층(302)을 통해 흐르며, 결과적으로 분극된 노드들(예컨대, 양극 및 음극)이 형성된다. 광전지(300)는 수광 상부 노드(302a) 및 수광 상부 노드(302a)의 다른 편에 있는 하부 노드(302b)와 같은 분극된 노드들을 가진 광전지 층(302)을 포함한다. 비록 상부 및 하부 노드들이 기술될지라도, 물론 다른 방향들이 가능하다. 일부 실시예들에서, 광전지 층(302)은 실리콘(Si), 갈륨 비소(GaAs), 카드늄 텔루라이드(cadmium telluride)(DdTe) 및 구리 인듐 디셀라이드(Copper Indium Diselenide)(CuInSe2) 중 하나와 같은 반도체 재료로 만들어진다. 제 1 전도성 층(303)은 광전지 층(302)의 하부 노드(302b)에 전기적으로 연결된다. 제 2 전도성 층(304)은 광전지 층(302)으로의 임의의 광을 차단하지 않을 위치에 배치된다. 예컨대, 제 2 전도성 층(304)은 제 1 전도성 층(303)에 인접하여 배치되나 제 1 전도성 층(303)으로부터 전기적으로 절연될 수 있다. 제 2 전도성 층(304)이 제 1 전도성 층(303)에 인접하기 때문에, 제 2 전도성 층(304)의 표면 영역은 제 2 전도성 층(304)의 내부 저항을 감소시켜서 효율을 개선시키도록 연속적일 수 있다. 제 1 전도성 층(303) 및 제 2 전도성 층(304)은 금속과 같은 전도성 재료로 만들어질 수 있다. 제 1 전도성 층(303) 및 제 2 전도성 층(304) 모두는 로드(318)에 전기적으로 연결되며, 따라서 로드(318)는 제 1 전도성 층(303) 및 제 2 전도성 층(304) 사이의 전류 흐름을 촉진시킬 수 있다.
일부 실시예들에서, 스로우 실리콘 비아(TSV)와 같은 적어도 하나의 비아는 제 2 전도성 층(304) 및 수광 상부 노드(302a)에 전기적으로 연결되며, 따라서 광전지 층(302)에 의하여 생성된 전기는 광전지 층(302)의 몸체(body)를 통해 제 2 전도성 층(304)으로 이동한다. 스로우 실리콘 비아들(306, 308)은 (예컨대, 습식 에칭 프로세스의 결과로서) 경사진 프로파일(sloped profile)을 가질 수 있다. 스로우 실리콘 비아들(306, 308)은 광전지(300)를 통해 전기를 도통시키는, 금속 또는 실리콘 재료와 같은 임의의 전도성 재료일 수 있다. 스로우 실리콘 비아들(306, 308)의 각각은 수광 상부 노드(302a)에 전기적으로 연결된 제 1 단부들(306a, 308a)을 각각 가진다. 제 1 단부들(306a, 308a)의 풋프린트(footprint)가 도 1에 도시된 금속 층(108)보다 실질적으로 작기 때문에, 광전지 층(302)으로 진입하는 광이 덜 차단되며 따라서 광전지 층(302)의 전기 생성 용량을 증가시킨다. 또한, 스로우 실리콘 비아들(306, 308)은 제 2 전도성 층(304)에 전기적으로 연결된 제 2 대향 단부들(306b, 308b)을 각각 가진다. 각각의 스로우 실리콘 비아는 광전지 층(302)의 수광 상부 노드(302a)로부터 광전지 층(302) 및 제 1 전도성 층(303)을 통해 제 2 전도성 층(304)으로 연장될 수 있으며, 따라서 수광 상부 노드(302a) 및 제 2 전도성 층(304) 사이에 전도성 경로들(320, 322)이 존재한다. 전도성 경로들(320, 322)은 도 3에 도시된 수직 구성에 제한되지 않고 수평으로 또는 임의의 다른 각도로 구성될 수 있다. 전도성 경로들(320, 322)을 포함하는 스로우 실리콘 비아들(306, 308)은 광전지 층(302) 및 제 1 전도성 층(303)으로부터 전기적으로 절연(즉, 분리)된다. 게다가, 다수의 스로우 실리콘 비아들은 광전지 층(302)을 가로질러 배열될 수 있으며, 따라서 광전지 층(302)의 상부면상에 전기 접촉점들을 제공한다.
광 굴절층(314)은 광전지 층(302)으로 광을 편향시키고 반사된 광(예컨대, 광자(316b))의 양을 감소시키기 위하여 수광 상부 노드(302a)상에 배치된다. 다른 실시예에서, 광 굴절층(314)은 수광 상부 노드(302a)에 전기적으로 연결된다. 반투명 특성들을 가진 광 굴절층(314)은 광전지 층(302)으로 광자들(예컨대, 광자(316a))을 편향시키고 광전지 층(302)으로부터 도 4에서 이하에 기술된 스로우 실리콘 비아 어레이(400)로 생성된 전기를 전기적으로 도통시킬 수 있다. 더욱이, 광 굴절층(314)은 산화 인듐-주석 재료 또는 다른 전도성 재료들로 만들어질 수 있다. 또한, 스로우 실리콘 비아가 서로 비교적 근접하게 이격되게 하여 내부 저항을 감소시키며, 따라서 광 굴절층(314)의 두께가 감소되게 되어 결과적으로 더 많은 광이 광전지 층(302)을 통과할 수 있다.
광 굴절층(314)에의 스로우 실리콘 비아 연결부들은 스로우 실리콘 비아들이 광전지 층(302)의 몸체를 통해 제 2 전도성 층(304)에 통로를 제공할 수 있기 때문에 광전지 층(302) 위에 금속화 요건들이 존재해야 하는 필요성을 감소시키거나 또는 제거한다. 예컨대, 도 2에 도시된 바와같이 금속 트레이스들이 광전지(300)의 위에 배치되게 하는 것 대신에, 수광 상부 노드(302a) 및 제 2 전도성 층(304) 사이의 임의의 전기 연결은 효율을 개선하기 위하여 광이 광전지 층(302)으로 진입하는 것을 방해하는 수광 상부 노드(302a)의 영역을 감소시키면서 스로우 실리콘 비아들(306, 308)을 통해 이동할 것이다. 비록 용어 "스로우 실리콘 비아"가 단어 실리콘을 포함할지라도, 스로우 실리콘 비아들이 반드시 실리콘으로 구성되는 것이 아니라는 것에 유의해야 한다. 오히려, 재료는 임의의 디바이스 기판 재료일 수 있다. 일부 실시예들에서, 광전지(300) 및 앞서 기술된 엘리먼트들은 변화될 수 있으며, 제공된 기능들, 구조들, 구성들, 구현들 및 예들에 제한되지 않는다.
도 4는 수광 상부 노드(302a)(도 3)에 전기적으로 연결된 스로우 실리콘 비아들(306, 307, 308, 309)을 가진 광전지 층(302)을 포함하는 광전지(300)(도 3)의 평면도이다. 스로우 실리콘 비아들(306, 307, 308, 309)은 광전지 층(302)상에서 서로에 대하여 전기적 전도 관계를 가지는데, 이는 스로우 실리콘 비아들 간의 내부 저항에 영향을 미친다. 스로우 실리콘 비아들은 광전지 층(302)의 수광 상부 노드(302a)를 따라 서로에 대하여 이격된 관계로 배치될 수 있어서, 스로우 실리콘 비아 어레이(400)를 형성한다. 스로우 실리콘 비아 어레이(400)는 제 2 전도성 층(304)에 더 많은 전도성 경로들을 제공하기 위하여 광전지 층(302) 및 광굴절 층(314) 사이에 임의의 원하는 수의 전기 접촉점들을 제공하며, 그 결과 효율이 개선된다. 더욱이, 광전지(300)의 내부 저항들은 스로우 실리콘 비아들을 서로에 근접하게 이격시키거나 또는 제 2 전도성 층(304)(도 3)의 표면적을 증가시킴으로써 감소될 수 있다. 각각의 스로우 실리콘 비아 간의 간격은 설계 요건들에 의하여 허용가능한 내부 저항의 양에 따라 조정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 스로우 실리콘 비아 어레이(400) 및 앞서 기술된 엘리먼트들은 변화될 수 있으며, 제공된 기능들, 구조들, 구성들, 구현들 또는 예들에 제한되지 않는다.
비록 본 개시내용 및 이의 장점들이 상세히 기술되었을지라도, 첨부된 청구항들에 의하여 한정된 개시내용의 기술로부터 벗어나지 않고 다양한 변화들, 대체들 및 변경들이 여기에서 이루어질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 더욱이, 본 출원의 범위는 명세서에서 기술된 프로세스, 머신, 제조물, 조성물(composition of matter),수단, 방법들 및 단계들에 제한되는 것으로 의도되지 않는다. 당업자가 본 개시내용으로부터 용이하게 인식하는 바와같이, 여기에 기술된 대응 실시예들과 동일한 결과를 실질적으로 달성하거나 또는 동일한 기능을 실질적으로 수행하는, 현재 존재하거나 또는 이후에 개발될 프로세스들, 머신들, 제조물, 조성물들, 수단, 방법들 또는 단계들은 본 개시내용에 따라 활용될 수 있다. 따라서, 첨부된 청구항들은 이러한 프로세스들, 머신들, 제조물, 조성물들, 수단, 방법들 또는 단계들을 그들의 범위내에 포함하는 것으로 의도된다.
Claims (18)
- 광전지(photovoltaic cell)로서,
광전지 층;
상기 광전지 층에 배치된 제 1 전도성 표면을 갖고 상기 광전지 층에 전기적으로 연결되어, 상기 광전지 층으로부터의 광을 차단(block)하지 않는 제 1 전도성 층;
상기 제 1 전도성 층에 인접하나 상기 제 1 전도성 층으로부터 전기적으로 절연되는 제 2 전도성 층 ― 상기 제 2 전도성 층은 상기 광전지 층으로부터의 광을 차단하지 않도록 상기 제 1 전도성 표면의 맞은편에 위치함 ―;
각각 상기 광전지 층의 제 1 부분 및 상기 제 2 전도성 층에 직접 연결되는 다수의 스로우 기판 비아(through substrate via)들 ― 상기 스로우 기판 비아들은 상기 제 1 전도성 층 및 상기 광전지 층의 적어도 제 2 부분으로부터 전기적으로 절연됨 ―; 및
상기 제 1 전도성 층의 맞은 편의 적어도 하나의 스로우 기판 비아 및 상기 광전지 층에 배치되는 광 굴절층
을 포함하는,
광전지. - 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 광 굴절층은 상기 광전지 층 및 적어도 하나의 스로우 기판 비아에 전기적으로 연결되는 전극층인, 광전지.
- 제 1항에 있어서, 상기 스로우 기판 비아들은 상기 광전지 층의 제 1 부분으로부터 상기 광전지 층 및 상기 제 1 전도성 층을 통해 상기 제 2 전도성 층으로 연장되며, 상기 제 1 부분으로부터 상기 제 2 전도성 층까지 전도성 경로를 제공하는, 광전지.
- 태양 전지로서,
광전지 층;
상기 광전지 층에 배치된 제 1 전도성 표면을 갖고 상기 광전지 층에 전기적으로 연결되는 제 1 전도성 층;
상기 제 1 전도성 층에 인접하며 상기 제 1 전도성 층으로부터 전기적으로 절연된 제 2 전도성 층, ― 상기 제 2 전도성 층은 임의의 광으로부터 상기 광전지 층을 차단하지 않도록 상기 제 1 전도성 층의 제 1 전도성 표면에 맞은 편에 위치함 ―;
상기 제 1 전도성 층 및 상기 광전지 층의 제 2 부분으로부터 전기적으로 절연되면서, 각각 상기 광전지 층의 제 1 부분 및 상기 제 2 전도성 층에 직접 연결된 다수의 스로우 기판 비아들; 및
상기 제 1 전도성 층의 맞은 편의 적어도 하나의 스로우 기판 비아 및 상기 광전지 층에 배치되는 전극 층
을 포함하는,
태양 전지. - 제 5항에 있어서, 각각의 스로우 기판 비아는 수광 상부 노드에서 노출되고 상기 전극 층에 전기적으로 연결되는 제 1 단부를 더 포함하는, 태양 전지.
- 제 5항에 있어서, 각각의 스로우 기판 비아는 스로우 기판 비아 어레이를 형성하도록 전기적 전도 관계(electrically conductive relationship)로 다른 스로우 기판 비아에 대하여 이격되는, 태양 전지.
- 제 5항에 있어서, 상기 전극 층은 산화 인듐-주석(Indium-Tin-Oxide)을 더 포함하는, 태양 전지.
- 제 5항에 있어서, 상기 전극 층은 상기 적어도 하나의 스로우 기판 비아로 부터 반사된 광을 흡수하는, 태양 전지.
- 제 5항에 있어서, 상기 제 1 전도성 층 및 상기 제 2 전도성 층 간의 전류 흐름을 촉진시키는 로드(load)를 더 포함하는, 태양 전지.
- 광을 수신하여 상기 광을 흡수하기 위한 수단;
상기 광을 수신하기 위한 수단으로부터의 광을 차단하지 않으면서 상기 광을 수신하기 위한 수단으로부터의 전기를 도통(conduct)시키기 위한 제 1 수단 ― 상기 전기를 도통시키기 위한 제 1 수단은 상기 광을 수신하기 위한 수단에 배치된 제 1 전도성 표면을 가짐 ―; 및
상기 광을 수신하기 위한 수단으로부터의 광을 차단하지 않으면서 상기 광을 수신하기 위한 수단으로부터의 전기를 도통시키기 위한 제 2 수단 ― 상기 전기를 도통시키기 위한 제 2 수단은 상기 제 1 전도성 표면의 맞은 편에 배치되고 상기 전기를 도통시키기 위한 제 1 수단으로부터 전기적으로 절연되며,
상기 전기를 도통시키기 위한 제 1 수단은 상기 광을 수신하기 위한 수단의 제 1 부분 및 상기 전기를 도통시키기 위한 제 2 수단에 직접 전기적으로 연결시키기 위한 수단을 더 포함하고, 상기 전기적으로 연결시키기 위한 수단은 상기 전기를 도통시키기 위한 제 1 수단 및 상기 광을 수신하기 위한 수단의 제 2 부분으로부터 절연됨 ―;
상기 광을 수신하기 위한 수단으로 광을 편향(deflect)시키기 위한 수단
을 포함하고, 상기 편향시키기 위한 수단은 상기 전기를 도통시키기 위한 제 1 수단의 맞은 편의 상기 전기적으로 연결시키기 위한 수단 및 상기 광을 수신하기 위한 수단에 배치되는,
장치. - 삭제
- 제 11항에 있어서, 상기 전기적으로 연결시키기 위한 수단은 스로우 기판 비아를 더 포함하는, 장치.
- 삭제
- 태양 전지를 제조하는 방법으로서,
광전지 층을 배치하는 단계;
상기 광전지 층에 배치된 제 1 전도성 표면을 갖고 상기 광전지 층에 전기적으로 연결되어, 상기 광전지 층으로부터의 광을 차단하지 않는 제 1 전도성 층을 배치하는 단계;
상기 제 1 전도성 층에 인접하고 상기 제 1 전도성 층으로부터 전기적으로 절연된 제 2 전도성 층을 배치하는 단계 ― 상기 제 2 전도성 층은 상기 광전지 층으로부터의 광을 차단하지 않도록 상기 제 1 전도성 표면의 맞은 편에 위치함 ―;
상기 광전지 층의 제 1 부분과 상기 제 2 전도성 층 사이에 다수의 스로우 기판 비아들을 제조하는 단계 ― 상기 다수의 스로우 기판 비아들 각각은 상기 제 2 전도성 층에 직접 연결되고, 상기 광전지 층의 제 2 부분 및 상기 제 1 전도성 층으로부터 전기적으로 전열됨 ―; 및
상기 광전지 층에 근접하고 전기적으로 연결된 전극 층을 위치시키는 단계 ― 상기 전극 층은 상기 제 1 전도성 층의 맞은편의 적어도 하나의 스로우 기판 비아 및 상기 광전지 층에 배치됨 ―
태양 전지를 제조하는 방법. - 삭제
- 제 15항에 있어서, 상기 전극 층의 두께를 감소시키기 위하여 적어도 상기 제 1 전도성 층의 크기로 상기 제 2 전도성 층을 제조하는 단계를 더 포함하는, 태양 전지를 제조하는 방법.
- 제 15항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스로우 기판 비아를 제조하는 단계는 스로우 기판 비아 어레이를 형성하기 위하여 전기적 전도 관계로 적어도 하나의 스로우 기판 비아를 적어도 하나의 다른 스로우 기판 비아에 대하여 이격시키는 단계를 더 포함하는, 태양 전지를 제조하는 방법.
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