KR101243932B1 - 미세입자 표면처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 미세입자 표면처리 장치에 관한 것으로서, 내부에 생성된 플라즈마에 의해 유입된 미세입자가 표면처리되고, 지면에 대하여 경사지게 설치되는 표면처리관; 상기 표면처리관과 지면이 이루는 경사각도를 변경하기 위하여 상기 표면처리관의 경사를 조정하는 경사조정부; 상기 표면처리관 내부로 미세입자를 공급하는 미세입자 공급부; 및 미세입자의 정보를 입력받고, 상기 미세입자의 정보에 대응되게 설정된 상기 표면처리관의 경사각도 신호를 상기 경사조정부로 전송하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

미세입자 표면처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SURFACE OF MINUTE PARTICLES}
본 발명은 미세입자 표면처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 미세입자의 입체적인 표면을 처리하는 미세입자 표면처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 피처리물인 기판의 표면을 처리하는 방법, 예를 들면 기판의 표면으로부터 유기 물질과 같은 오염물의 제거, 레지스트(resist)의 제거, 유기 필름의 접착, 표면 변형, 필름 형성의 향상, 금속 산화물의 환원, 또는 액정용 유리 기판의 세정 등을 위해서는 크게 화학 약품을 이용한 방법과 플라즈마를 이용한 방법이 있다. 이 중에서 화학 약품을 이용한 방법은 화학 약품이 환경에 악영향을 미친다는 단점이 있다.
플라즈마를 이용한 표면처리의 일 예로는 저온ㆍ진공 상태의 플라즈마를 이용하는 방법이 있다. 저온ㆍ진공 플라즈마를 이용한 표면처리 방법은 저온ㆍ저압의 진공조 내에 플라즈마를 발생시켜 이를 기판의 표면과 접촉시켜 기판 표면을 처리하는 것이다. 이러한 저온ㆍ진공 상태의 플라즈마를 이용하는 표면처리 방법은 우수한 표면처리 효과에도 불구하고 널리 이용되지는 않고 있는 실정이다. 이것은 저압을 유지하기 위해 진공 장치가 필요하게 되므로 연속공정에 적용하기 곤란하고, 플라즈마의 평균 충돌 거리가 길어 플라즈마 발생부와 피처리물의 거리가 커져 소형화에 부적합하기 때문이다. 이에 따라 최근에는 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시켜 기판의 표면처리에 이용하고자 하는 연구가 매우 활발히 이루어지고 있다.
도 1을 참조하면, 종래의 대기압 플라즈마 표면처리 장치(10)는, 전극(12)과, 유전체막(11)과, 피처리물 지지부(13)와, 가스 유입부(14)와, 전원 컨트롤러(15)를 포함한다. 외부로부터 가스 유입부(14)를 통해서 반응가스가 전극(12) 측으로 공급되고, 전원 컨트롤러(15)에 의해서 전극(12)에는 RF 전원이 인가되어, 전극(12)과 피처리물 지지부(13) 사이에 플라즈마 영역(PA)이 형성됨으로써, 피처리물 지지부(13) 상에 안착된 피처리물의 표면처리가 수행된다.
종래의 플라즈마 표면처리 장치(10)에서는 전극(12)과 피처리물 지지부(13) 사이에 플라즈마 영역(PA)이 형성되므로, 평판 형태의 피처리물의 상면의 표면처리를 수행하는 작업은 가능하였다. 그러나, 도 1에 도시된 바와 같이 피처리물이 솔더볼(1)과 같은 구형이며, 구의 표면 전체에 대하여 표면처리를 수행해야 하는 경우 종래의 장치로는 원하는 처리 결과를 얻을 수 없다.
솔더볼(1)과 같이 입체적인 형상을 가진 미세입자의 경우, 어느 한 방향으로만 플라즈마 영역이 형성되면 플라즈마 영역이 형성되지 않은 다른 방향의 표면은 거의 표면처리되지 않는 문제점이 있다. 또한, 솔더볼(1)과 같은 미세입자는 피처리물 지지부(13) 상에 여러 층이 적층될 수밖에 없는데, 상부에 놓여진 솔더볼(1)의 표면처리 효율과 하부에 놓여진 솔더볼(1)의 표면처리 효율이 현저한 차이가 발생하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 입체적인 형상의 미세입자의 전체 표면을 효과적으로 표면처리할 수 있고, 미세입자의 중량 등의 정보에 따라 미세입자가 표면처리되는 표면처리관의 경사각도를 조정하여 표면처리관 내부에서 미세입자의 이송속도를 제어함으로써 미세입자의 표면처리 효율을 높일 수 있는 미세입자 표면처리 장치를 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 미세입자 표면처리 장치는, 내부에 생성된 플라즈마에 의해 유입된 미세입자가 표면처리되고, 지면에 대하여 경사지게 설치되는 표면처리관; 상기 표면처리관과 지면이 이루는 경사각도를 변경하기 위하여 상기 표면처리관의 경사를 조정하는 경사조정부; 상기 표면처리관 내부로 미세입자를 공급하며, 상기 표면처리관으로 공급되는 미세입자의 양을 조절하기 위한 밸브를 포함하는 미세입자 공급부; 및 미세입자의 정보를 입력받고, 상기 미세입자의 정보에 대응되게 설정된 상기 표면처리관의 경사각도 신호를 상기 경사조정부로 전송하며, 상기 밸브를 어느 정도 개방할지 여부를 결정하는 개방틈새 정보를 입력받아 상기 밸브로 개방틈새 신호를 전송하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
삭제
본 발명에 따른 미세입자 표면처리 장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 경사조정부는, 회전구동력을 발생하는 모터와, 상기 표면처리관의 외측에 고정되게 설치되고 상기 표면처리관의 외측으로부터 돌출되어 상기 모터의 회전축에 연결되는 축부재를 포함한다.
본 발명에 따른 미세입자 표면처리 장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 표면처리관은, 유전체로 이루어진 본체; 상기 본체 외부에 상기 본체의 길이 방향을 따라 교차, 반복되게 설치되며, 상기 본체 내부에 전기장을 형성하기 위하여 상기 본체를 둘러싸도록 형성된 다수의 고주파 전극 및 다수의 접지 전극;을 포함한다.
본 발명에 따른 미세입자 표면처리 장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 표면처리관 내부에 형성된 플라즈마 광을 입력받아, 파장대별로 상기 플라즈마 광의 강도를 산출하는 분광유닛;을 더 포함한다.
본 발명에 따른 미세입자 표면처리 장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 분광유닛은, 상기 표면처리관의 길이 방향과 교차하는 방향으로 설치되며 입력된 플라즈마 광을 전송하는 광파이버와, 상기 광파이버를 통해 전송된 플라즈마 광의 강도를 산출하는 분광기를 포함한다.
본 발명의 미세입자 표면처리 장치에 따르면, 미세입자와 플라즈마의 접촉 시간을 조정하여 미세입자의 표면처리 효율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 미세입자 표면처리 장치에 따르면, 최적의 표면처리 효율을 구현할 수 있는 미세입자의 공급량을 용이하게 제어할 수 있다.
또한, 본 발명의 미세입자 표면처리 장치에 따르면, 표면처리관 내부에 균일한 플라즈마 영역을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 미세입자 표면처리 장치에 따르면, 최적의 표면처리 효율을 구현할 수 있는 표면처리 공정 조건을 용이하게 찾아낼 수 있다.
도 1은 종래의 대기압 플라즈마 표면처리 장치의 일례를 나타내는 도면이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세입자 표면처리 장치의 개략적인 구성도이고,
도 3은 도 2의 미세입자 표면처리 장치의 경사조정부를 확대한 도면이고,
도 4는 도 2의 미세입자 표면처리 장치의 표면처리관을 확대한 도면이고,
도 5는 도 2의 미세입자 표면처리 장치의 분광유닛에 의해 산출된 플라즈마 광의 강도를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명에 따른 미세입자 표면처리 장치의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세입자 표면처리 장치의 개략적인 구성도이고, 도 3은 도 2의 미세입자 표면처리 장치의 경사조정부를 확대한 도면이고, 도 4는 도 2의 미세입자 표면처리 장치의 표면처리관을 확대한 도면이고, 도 5는 도 2의 미세입자 표면처리 장치의 분광유닛에 의해 산출된 플라즈마 광의 강도를 나타내는 그래프이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예의 미세입자 표면처리 장치(100)는, 플라즈마를 이용하여 미세입자의 입체적인 표면을 처리하는 것으로서, 표면처리관(110)과, 경사조정부(120)와, 미세입자 공급부(130)와, 제어부(140)와, 분광유닛(150)과, 배출부(160)를 포함한다.
상기 표면처리관(110)은, 내부에 생성된 플라즈마에 의해 유입된 미세입자가 표면처리되는 것으로서, 본체(111)와, 고주파 전극(112)과, 접지 전극(113)을 포함한다.
본 실시예에서 미세입자는 솔더볼(1)인 경우를 예로 들어 설명하지만, 솔더볼(1)보다 직경이 작은 파우더 타입의 미세입자 또한 본 발명을 통해 표면처리될 수 있다.
상기 본체(111)는 유전체(예컨대, 석영, 알루미나 등)로 이루어지며, 원통형으로 제작된다. 본체(111)는 원통형으로 제작되는 것이 바람직한데, 이는 표면처리관(110) 내부를 통과하는 솔더볼(1)에 대하여 모든 방향으로 플라즈마가 공급되어 입체적인 형상을 가지는 솔더볼(1)의 표면처리 효율을 높이기 위함이다. 하지만, 본 발명에서는 본체(111)의 형태가 원통형으로 제한되지 않으며, 사각형과 같은 다각형 구조로도 본체(111)의 제작이 가능하다.
상기 고주파 전극(112)과 상기 접지 전극(1130)은, 본체(111) 내부에 전기장을 형성하기 위하여 본체(111)를 둘러싸도록 형성된다. 고주파 전극(112)과 접지 전극(113)은 각각 다수 개가 마련되고, 본체(111) 외부에 본체(111)의 길이 방향(A)을 따라 교차, 반복되게 설치된다. 즉, 고주파 전극(112) 및 접지 전극(113)이 소정 간격 이격되게 배치되고, 다시 고주파 전극(112), 접지 전극(113)의 순서로 교차하면서 본체(111)의 길이 방향(A)을 따라 배치된다.
또한, 다수의 고주파 전극(112) 및 접지 전극(113)은 각각 하나의 공통된 바 형태의 고주파 전극 연결부재(114) 및 접지 전극 연결부재(115)와 연결되며, 이를 통하여, 전체적으로 균일한 전기장 형성이 가능하다. 즉, 석영과 같은 유전체로 이루어진 본체(111) 외부에 배치된 고주파 전극(112) 및 접지 전극(113) 사이에서 일정한 전기장이 형성된다. 따라서, 본체(111) 외부에 설치된 고주파 전극(112) 및 접지 전극(113)에 의해 본체(111) 내부까지 전기장이 형성되고, 본체(111) 내부에 산소, 질소, 아르곤, 헬륨 등과 같은 플라즈마 생성용 반응가스를 유동시키는 경우, 본체(111) 내부에 형성된 전기장이 미세입자 표면처리에 충분한 수준의 플라즈마를 생성시킬 수 있다.
한편, 표면처리관(110)은 지면(S)에 대하여 경사지게 설치된다. 일정 중량을 가진 솔더볼(1)이 표면처리관(110)의 일단부를 통해 내부로 유입되면, 중력에 의하여 타단부 측으로 유동되도록 하기 위함이다. 또한, 표면처리관(110)에는 본체(111) 내부에 플라즈마 생성용 반응가스를 주입하기 위한 주입구(미도시)가 마련되어 있다.
상기 경사조정부(120)는, 표면처리관(110)과 지면(S)이 이루는 경사각도(D)를 변경하기 위하여 표면처리관(110)의 경사를 조정한다.
본 실시예의 미세입자 표면처리 장치(100)에 의해 표면처리되는 솔더볼(1)은 다양한 중량(즉, 다양한 크기)으로 제작된다. 솔더볼(1)은 중력에 의하여 표면처리관(110)의 일단부로부터 타단부 측으로 유동되면서 표면처리관(110) 내부를 통과하는 동안 플라즈마에 의해 표면처리된다. 이때, 솔더볼(1)은 중량에 따라 이송속도가 변하게 되는데, 이송속도에 따라 솔더볼(1)의 표면처리 효율이 변하게 된다. 즉, 이송속도가 느리면 표면처리관(110) 내부에서 플라즈마와 접촉하는 시간이 길어져 표면처리 효율이 높아지고, 이송속도가 빠르면 표면처리관(110) 내부에서 플라즈마와 접촉하는 시간이 짧아져 표면처리 효율이 낮아진다. 그러나, 표면처리 효율을 높이고자 무조건 이송속도를 느리게 하면 전체 장치의 생산 효율이 떨어지는 문제를 가진다. 따라서, 전체 장치의 생산 효율을 고려하면서 이송속도와 표면처리 효율을 조율하는 과정이 필요하다.
경사조정부(120)는 이와 같이 이송속도와 표면처리 효율을 조율하는 과정에서 표면처리관(110)의 경사각도를 조정함으로써, 최적의 표면처리 효율을 구현할 수 있다. 일정 중량의 솔더볼(1)에 대하여 경사각도(D)를 높이면 이송속도가 빨라지고, 경사각도(D)를 낮추면 이송속도가 느려지므로, 여러 경사각도(D)에 대하여 테스트를 수행하면서 최적의 표면처리 효율을 구현할 수 있다. 또한, 표면처리할 솔더볼(1)의 중량이 변경될 경우에도 표면처리 효율을 높이는 방향으로 표면처리관(110)의 경사각도를 조정하면서, 최적의 표면처리 효율을 구현할 수 있다.
본 실시예에서는 지면(S)에 대하여 표면처리관(110)의 경사각도를 약 10도 내지 45도 범위 내에서 조정 가능하다.
본 실시예의 경사조정부(120)는 모터(121)와, 축부재(122)를 포함한다. 상기 모터(121)는 회전구동력을 발생하며, 상기 축부재(122)는 표면처리관(110)의 외측에 고정되게 설치되고 표면처리관(110)의 외측으로부터 돌출되어 모터(121)의 회전축에 연결된다. 모터(121)의 회전구동력이 축부재(122)를 통해 표면처리관(110)으로 전달되어 표면처리관(110)의 경사를 조정할 수 있다.
모터(121)와 축부재(122)로 구성된 본 실시예의 경사조정부는 본 발명의 일 예에 불과하고, 지면(S)에 대한 표면처리관(110)의 경사각도를 조정할 수 있는 경사조정부의 여러 실시예가 가능하다.
한편, 경사조정부(120)를 이용하여 표면처리관(110)의 경사를 조정함으로써, 표면처리관(110)의 길이를 자유롭게 늘릴 수 있다. 표면처리관(110)의 길이가 늘어나면 플라즈마와 솔더볼(1)의 접촉시간이 늘어나 더 많은 표면처리 시간을 확보할 수 있다. 그러나, 표면처리관(110)의 길이가 너무 긴 상태에서 너무 작은 경사각도로 표면처리관(110)이 고정되게 설치될 경우 표면처리관(110) 내부에서 솔더볼(1)의 유동이 정체되어 과도한 플라즈마와의 접촉으로 인해 표면처리 효율이 오히려 떨어질 우려가 있다. 따라서, 필요한 만큼의 길이로 표면처리관(110)을 제작하고 본 발명과 같이 경사조정부(120)를 이용하여 표면처리관(110)의 경사각도(D)를 변경시키면서 최적의 표면처리 효율이 구현되는 경사각도(D)를 구할 수 있다.
상기 미세입자 공급부(130)는, 표면처리관(110) 내부로 미세입자를 공급하며, 표면처리관(110)의 일단부에 결합된다. 미세입자 공급부(130)는 표면처리관(110)으로 공급되는 솔더볼(1)의 양을 조절하기 위한 밸브(131)를 더 포함하고, 밸브(131)는 후술할 제어부(140)를 통해 어느 정도 개방될지 여부가 제어될 수 있다.
상기 제어부(140)는, 미세입자의 정보를 입력받고, 미세입자의 정보에 대응되게 설정된 표면처리관(110)의 경사각도 신호를 경사조정부(120)로 전송한다.
솔더볼(1)의 중량에 따라 경사조정부(120)를 이용하여 표면처리관(110)의 경사각도(D)를 변경시키면서, 각 솔더볼(1)에 대하여 최적의 표면처리 효율을 나타내는 표면처리관(110)의 경사각도(D)를 미리 구할 수 있다. 이후, 솔더볼(1)의 각각의 중량에 대하여 표면처리관(110)의 최적의 경사각도(D)가 제어부(140)에 미리 저장되고, 표면처리할 솔더볼(1)의 중량 등과 같은 정보를 제어부(140)에 입력하면, 제어부(140)는 미리 설정된 표면처리관(110)의 최적의 경사각도 신호를 경사조정부(120)로 전송한다.
본 실시예에서 미세입자의 정보에 대하여 미세입자의 중량을 예로 들어 설명하였지만, 미세입자의 종류, 미세입자의 크기 등의 정보에 따라 표면처리관(110)의 최적의 경사각도(D)가 설정될 수 있다.
또한, 제어부(140)는 미세입자 공급부(130)의 밸브(131)를 어느 정도 개방할지 여부를 결정하는 개방틈새 정보를 입력받아 밸브(131)로 개방틈새 신호를 전송할 수도 있다. 밸브(131)의 개방 정도에 따라 미세입자 공급부(130)로부터 표면처리관(110)으로 공급되는 미세입자의 양을 제어할 수 있다.
상기 분광유닛(150)은, 표면처리관(110) 내부에 형성된 플라즈마 광을 입력받아, 파장대별로 플라즈마 광의 강도를 산출한다.
도 5를 참조하면, 특정 파장대(WL, 도 5에서는 약 777nm 정도)에서 최대 크기의 광강도 피크값(PV)이 보이고, 광강도 피크값(PV)의 크기는 솔더볼(1)의 표면처리 효율과 연결된다. 즉, 해당 파장대(WL)의 광강도 피크값(PV)이 크면 플라즈마 생성량이 충분하다는 것을 의미하므로 솔더볼(1)의 표면처리 효율은 높아지고, 해당 파장대(WL)의 광강도 피크값(PV)이 작으면 플라즈마 생성량이 충분치 않다는 것을 의미하므로 솔더볼(1)의 표면처리 효율은 낮아진다. 이러한, 해당 파장대(WL)의 광강도 피크값(PV)의 크기는 표면처리관(110)에 주입되는 반응가스의 양 또는 솔더볼(1)의 이송속도 등에 의해 좌우되는데, 분석을 해보면 광강도 피크값(PV)의 크기는 반응가스의 양 또는 솔더볼(1)의 이송속도 등에 정비례하지도 또는 반비례하지도 않는다.
따라서, 분광유닛(150)을 이용하여 반응가스의 양 또는 솔더볼(1)의 이송속도 등을 변경하면서 해당 파장대(WL)의 광강도 피크값(PV)의 크기 데이터를 확보할 수 있다. 최대 크기의 광강도 피크값(PV)을 보이는 공정 조건을 찾아내 실제 표면처리 작업시 해당 공정 조건으로 작업을 수행함으로써, 표면처리 효율을 향상시킬 수 있다.
분광유닛(150)은, 표면처리관(110)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 설치되며 입력된 플라즈마 광을 전송하는 광파이버(151)와, 광파이버(151)를 통해 전송된 플라즈마 광의 강도를 산출하는 분광기(152)를 포함하여 구성된다. 광파이버(151)로 입력되는 플라즈마 광의 입력 효율을 높이기 위하여 표면처리관(110)과 광파이버(151) 사이에 집광렌즈(미도시)가 추가로 설치될 수도 있다.
표면처리관(110) 내부에 형성된 플라즈마 광이 광파이버(151)로 입력되기 위해서 표면처리관의 본체(111)는 투명한 재질로 제작되는 것이 바람직하다.
상기 배출부(160)는, 표면처리관(110)의 타단부의 외측에 배치되어 표면처리관(110)을 통과하면서 표면처리가 완료된 솔더볼(1)을 받아낸다.
상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 미세입자 표면처리 장치는, 미세입자의 중량 등의 정보에 따라 미세입자가 표면처리되는 표면처리관의 경사각도를 조정하여 표면처리관을 통과하는 미세입자의 이송속도를 제어할 수 있도록 구성됨으로써, 미세입자와 플라즈마의 접촉 시간을 조정하여 미세입자의 표면처리 효율을 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 미세입자 표면처리 장치는, 미세입자 공급부로부터 표면처리관으로 공급되는 미세입자의 양을 조정할 수 있도록 구성됨으로써, 최적의 표면처리 효율을 구현할 수 있는 미세입자의 공급량을 용이하게 제어할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 미세입자 표면처리 장치는, 본체를 둘러싸면서 본체의 길이 방향을 따라 교차, 반복되게 다수의 고주파 전극 및 접지 전극을 설치함으로써, 표면처리관 내부에 균일한 플라즈마 영역을 형성할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 미세입자 표면처리 장치는, 표면처리관 내부에 형성된 플라즈마 광을 파장대별로 분광할 수 있는 분광유닛을 구비함으로써, 최적의 표면처리 효율을 구현할 수 있는 표면처리 공정 조건을 용이하게 찾아낼 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 플라즈마 형성 조건을 대기압으로 설정하였으나, 표면처리관 내의 압력을 진공으로 하는 경우에도 플라즈마를 형성하여 미세입자의 표면처리가 가능하므로, 본 발명에서 상술한 방식의 미세입자의 표면처리 방식은 굳이 대기압에 한정되지 않으며, 임의의 모든 압력 조건을 다 포함할 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예 및 변형례에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
100 : 미세입자 표면처리 장치
110 : 표면처리관
120 : 경사조정부
130 : 미세입자 공급부
140 : 제어부
150 : 분광유닛

Claims (6)

  1. 미세입자가 유입되어 내부에 생성되는 플라즈마에 의해 표면처리되고, 지면에 대하여 경사지게 설치되는 표면처리관;
    상기 표면처리관과 지면이 이루는 경사각도를 변경하기 위하여 상기 표면처리관의 경사를 조정하는 경사조정부;
    상기 표면처리관 내부로 미세입자를 공급하며, 상기 표면처리관으로 공급되는 미세입자의 양을 조절하기 위한 밸브를 포함하는 미세입자 공급부; 및
    미세입자의 정보를 입력받고, 상기 미세입자의 정보에 대응되게 설정된 상기 표면처리관의 경사각도 신호를 상기 경사조정부로 전송하며, 상기 밸브를 어느 정도 개방할지 여부를 결정하는 개방틈새 정보를 입력받아 상기 밸브로 개방틈새 신호를 전송하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세입자 표면처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 경사조정부는,
    회전구동력을 발생하는 모터와, 상기 표면처리관의 외측에 고정되게 설치되고 상기 표면처리관의 외측으로부터 돌출되어 상기 모터의 회전축에 연결되는 축부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세입자 표면처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 표면처리관은,
    유전체로 이루어진 본체;
    상기 본체 외부에 상기 본체의 길이 방향을 따라 교차, 반복되게 설치되며, 상기 본체 내부에 전기장을 형성하기 위하여 상기 본체를 둘러싸도록 형성된 다수의 고주파 전극 및 다수의 접지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세입자 표면처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 표면처리관 내부에 형성된 플라즈마 광을 입력받아, 파장대별로 상기 플라즈마 광의 강도를 산출하는 분광유닛;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세입자 표면처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 분광유닛은,
    상기 표면처리관의 길이 방향과 교차하는 방향으로 설치되며 입력된 플라즈마 광을 전송하는 광파이버와, 상기 광파이버를 통해 전송된 플라즈마 광의 강도를 산출하는 분광기를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세입자 표면처리 장치.
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