KR101243773B1 - Wavelength converting composition for light emitting device and sollar cell, light emitting device and sollar cell comprising the composition, preparing method for the composition - Google Patents

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Abstract

본 발명은 250 ~ 500nm 파장대의 빛을 흡수하여 600 ~ 850nm의 장파장대 영역으로 변환시킬 수 있는 파장변환조성물로서, 난색계(暖色系) 백색 발광다이오드 튜닝용 형광체로서 사용되기에 적합할 뿐 아니라, 태양광에 포함된 250 ~ 500nm의 단파장 빛을 900nm 가까운 장파장으로 변환시켜 태양전지의 변환효율을 개선할 수 있는 에너지 다운-컨버팅 물질로도 활용가능한 파장변환조성물과 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 파장변환조성물은 하기 화학식 1로 표시되며, 5부피% 이하의 AlN을 포함하고, 400nm 파장의 광으로 여기하였을 때, 부활제인 유로퓸 이온의 농도에 따라 발광스펙트럼의 피크파장이 620nm~710nm 범위로 변하는 것을 특징으로 하는 파장변환조성물.
[화학식 1]
Mg1 - zAlxSiyNδ:Euz 2 +
여기서, 0.1≤x≤2, 0.1≤y≤2, 0.0001≤z≤0.2, 0.9≤δ≤5.33 임
The present invention is a wavelength conversion composition capable of absorbing light in the wavelength range of 250 to 500 nm and converting it into a long wavelength range of 600 to 850 nm, and is not only suitable for use as a phosphor for tuning a white color light emitting diode, but also The present invention relates to a wavelength conversion composition that can be used as an energy down-converting material that can improve the conversion efficiency of a solar cell by converting short wavelength light of 250 to 500 nm included in light into a near wavelength of 900 nm, and a method of manufacturing the same.
The wavelength conversion composition according to the present invention is represented by the following formula (1), containing 5% by volume or less of AlN, when excited with light of 400nm wavelength, the peak wavelength of the emission spectrum according to the concentration of the europium ion activator is 620nm ~ A wavelength conversion composition, characterized by a change in the 710 nm range.
[Formula 1]
Mg 1 - z Al x Si y N δ : Eu z 2 +
Where 0.1≤x≤2, 0.1≤y≤2, 0.0001≤z≤0.2, 0.9≤δ≤5.33

Description

발광장치 및 태양전지용 파장변환조성물, 이 조성물을 포함하는 발광장치와 태양전지 및 이 파장변환조성물의 제조방법 {WAVELENGTH CONVERTING COMPOSITION FOR LIGHT EMITTING DEVICE AND SOLLAR CELL, LIGHT EMITTING DEVICE AND SOLLAR CELL COMPRISING THE COMPOSITION, PREPARING METHOD FOR THE COMPOSITION}WAVELENGTH CONVERTING COMPOSITION FOR LIGHT EMITTING DEVICE AND SOLLAR CELL, LIGHT EMITTING DEVICE AND SOLLAR CELL COMPRISING THE COMPOSITION, PREPARING METHOD FOR THE COMPOSITION}

본 발명은 질화물로 이루어진 파장변환조성물과 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 250 ~ 500nm 파장대의 빛을 흡수하여 600 ~ 850nm의 장파장대 영역으로 변환시킬 수 있는 파장변환조성물로서, 주황색에서 근적외선까지의 넓은 영역에서의 발광이 가능하여 난색계(暖色系) 백색 발광다이오드 튜닝용 형광체로서 사용되기에 적합할 뿐 아니라, 약 900nm 파장대에서 변환효율이 우수한 태양전지에 적용될 때 태양광에 포함된 250 ~ 500nm의 단파장 빛을 900nm 가까운 장파장으로 변환시켜 태양전지의 변환효율을 개선할 수 있는 파장변환조성물과 이의 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a wavelength conversion composition made of nitride and a method for manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a wavelength conversion composition capable of absorbing light in the wavelength range of 250 to 500 nm and converting it into a long wavelength range of 600 to 850 nm. It is possible to emit light in a wide range up to and is not only suitable for use as a fluorescent color for white color light-emitting diode tuning phosphor, but also when applied to solar cells with excellent conversion efficiency in the wavelength range of about 900 nm, it is included in the sunlight. The present invention relates to a wavelength conversion composition capable of improving the conversion efficiency of a solar cell by converting a short wavelength light of 500 nm into a near wavelength of 900 nm and a method of manufacturing the same.

최근 조명, LCD 백라이트, 자동차 조명용 등으로 각광을 받고 있는 백색 LED발광장치는, 통상 청색 또는 근자외선을 방출하는 LED 발광소자와, 이 발광소자에서 방출하는 광을 여기원으로 하여 파장을 변환시키는 형광체를 포함하여 이루어진다.BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, white LED light emitting devices, which have been spotlighted for lighting, LCD backlights, automobile lighting, and the like, usually include LED light emitting elements emitting blue or near ultraviolet rays, and phosphors that convert wavelengths using light emitted from the light emitting elements as excitation sources. It is made, including.

이러한 백색 LED를 구현하는 대표적인 방법으로 종래, 발광 소자로서 InGaN계 재료를 사용한 청색 발광 다이오드를 사용하고 형광체로는 (Y,Gd)3(Al,Ga)5O12의 조성식으로 표현되는 황색발광의 YAG계 형광체를 사용한 것이 대표적인데, 이 백색 LED는 발광 소자로부터 방출된 청색광을 형광체층으로 입사시켜 형광체층 내에서 수회의 흡수와 산란을 반복하며 이 과정에서 형광체에 흡수된 청색광은 황색으로 파장변환이 이루어져 파장변환된 황색광과 입사된 청색광의 일부가 혼합되어 인간의 눈에는 백색으로 보이게 하는 것이다. 그러나, 이 백색 LED는 빛에 적색 성분이 적고, 색 온도가 높으며, 적색이 부족한 연색성이 낮은 조명광 밖에 얻지 못한다는 문제점이 있다.As a representative method for implementing such a white LED, conventionally, a blue light emitting diode using an InGaN-based material as a light emitting device is used, and as a phosphor, a yellow light emission represented by a composition formula of (Y, Gd) 3 (Al, Ga) 5 O 12 is used. A typical YAG-based phosphor is used. The white LED emits blue light emitted from the light emitting element into the phosphor layer and repeats absorption and scattering several times in the phosphor layer. In this process, the blue light absorbed by the phosphor is converted into yellow. This is done by mixing a portion of the wavelength-converted yellow light and the incident blue light to appear white to the human eye. However, this white LED has a problem in that only light having a low red component, high color temperature, and low color rendering of the red light is obtained.

그런데, 점포의 디스플레이용 조명이나, 의료 현장용 조명 등에 있어서는 약간 적색 빛을 띤 난색계(暖色系) 백색의 발광 장치가 요구되고 있으며, 일반 조명용으로서도, 사람의 눈에 온화한 전구색에 가까운 백색 LED가 강하게 요구되고 있어, 현재는 색재현성과 연색성(광원이 태양광과 가까운 정도를 나타내는 지수)의 향상을 위하여 2가지 이상의 형광체가 사용되고 있다.By the way, in the display lighting of a store, the lighting for a medical field, etc., a slightly reddish-light white light-emitting device is calculated | required, and even for general lighting, the white LED which is close to the light bulb color mild to human eyes is strong At present, two or more phosphors are used to improve color reproducibility and color rendering (index indicating the degree of light source being close to sunlight).

형광체 중에서는, 종래에는 YAG 형광체로 대표되는 안정성이 우수한 산화물계 형광체가 주로 사용되어 왔다. 그러나 산화물계 형광체만으로는 난색계 백색 발광을 하는데 한계가 있고, 황화물계 형광체의 경우 발광특성은 우수하나 안정성이 떨어져 실제로 사용하기 어려운 점이 있다.Among the phosphors, conventionally, oxide-based phosphors excellent in stability represented by YAG phosphors have been mainly used. However, there is a limit to the warm color white light emission only with the oxide-based phosphor, the sulfide-based phosphor is excellent in the light emission characteristics, but the stability is difficult to actually use.

한편, 질화물계 형광체의 경우, 질화물 모체에서 Eu2 + 이온의 여기와 발광 밴드는 Eu2 + 이온과 N 리간드 사이의 공유결합때문에 산화물에 비하여 상당히 장파장 쪽으로 이동하게 된다. 또한, Eu2 + 이온으로 활성화된 질화물 형광체는 양자 효율이 높으며, 광 안정성과, 열 안정성이 우수한 특성을 나타내고, Eu2 + 이온은 2개 혹은 3개의 형광체를 이용하여 백색발광 다이오드를 제조하는 데 있어, 적절한 밴드 모양을 나타내므로 다양한 백색 LED에 적용할 수 있는 것으로 보고되고 있다.On the other hand, in the case of nitride-based fluorescent material, and this light emission band of the Eu 2 + ions in the nitride matrix is compared to the oxide due to covalent bond between Eu 2 + ions and N ligands move significantly toward the long wavelength. In addition, the nitride fluorescent material activated with Eu 2 + ions is higher quantum efficiency, the light stability and thermal stability shows excellent properties, Eu 2 + ions to produce a white light emitting device using a two or three phosphors Therefore, it is reported that it can be applied to various white LEDs because it shows an appropriate band shape.

이러한 질화물계 형광체 중의 대표적인 예로는 CaAlSiN3:Eu2 + (Sr,Ca)AlSiN3:Eu2 + 또는 Sr2Si5N8:Eu2 + 등이 있다. 이중 CaAlSiN3:Eu2 + 형광체는 대표적인 적색발광 형광체로 각광받고 있으나, 다양한 난색계 백색 발광을 구현하기 위해서는 다양한 파장대의 발광이 가능한 형광체가 요구된다.Representative examples of these nitride-based fluorescent material is CaAlSiN 3: and the like Eu 2 +: Eu 2 + ( Sr, Ca) AlSiN 3: Eu 2 + or Sr 2 Si 5 N 8. Although CaAlSiN 3 : Eu 2 + phosphors are spotlighted as representative red light emitting phosphors, phosphors capable of emitting light in various wavelengths are required to realize various warm color-based white light emission.

한편, MgAlSiN3:Eu2 + 형광체는 대표적인 적색형광체인 CaAlSiN3:Eu2 + 와 비교할 때, 그 구조와 스펙트럼 특성이 유사하여, CaAlSiN3:Eu2 + 형광체를 대체할 수 있는 후보로 고려되어 왔으나, 실제로는 CaAlSiN3:Eu2+ 형광체에 비해 합성이 용이하지 않아 MgAlSiN3:Eu2 + 형광체에 대한 연구는 거의 이루어지지 않은 상태이다.On the other hand, the MgAlSiN 3 : Eu 2 + phosphor has a similar structure and spectral characteristics compared to CaAlSiN 3 : Eu 2 + , which is a representative red phosphor, and has been considered as a candidate to replace CaAlSiN 3 : Eu 2 + phosphor. In fact, the synthesis of MgAlSiN 3 : Eu 2 + phosphors has not been studied because the synthesis is not easy compared to CaAlSiN 3 : Eu 2+ phosphors.

질화물 형광체의 제조에는 많은 제약이 따르는데, 기본적으로 출발원료가 금속질화물이어야 하고, 원료를 높게는 수십 기압 정도의 질소분위기 하에서, 최대 2,000℃까지 올라가는 반응온도로 합성로에서 반응시켜야만 질화물 형광체를 얻을 수 있기 때문이다. 그런데, MgAlSiN3:Eu2 + 형광체를 합성하는 과정에서는, CaAlSiN3:Eu2 + 형광체와 달리, 원료물질인 AlN이나 베타 싸이알론(β-SiAlON)과 같은 잔존물이 많이 남아 완전한 단상의 형광체를 합성하기 어렵다.There are many limitations in the manufacture of nitride phosphors. Basically, starting materials should be metal nitrides, and the raw materials should be reacted in a synthesis furnace at a reaction temperature of up to 2,000 ° C under nitrogen atmosphere of several tens of atmospheres to obtain nitride phosphors. Because it can. However, MgAlSiN 3: In the process of synthesizing the Eu 2 + phosphor, CaAlSiN 3: Eu 2 +, unlike the fluorescent material, a lot of residues, such as the raw material AlN or beta Im-alone (β-SiAlON) remains synthesizing phosphors of the complete single-phase Difficult to do

한편, 태양전지의 경우 입사한 태양광의 에너지를 전기에너지로 변환시키는 변환효율이 높아야하는데, 변환효율은 태양전지의 빛 반사도, 특정 파장대의 흡수효율, 전지의 내부저항 등 다양한 인자에 영향을 받으며, 현재 실리콘 태양전지의 경우 셀효율은 10 ~ 19% 정도로 알려져 있다.On the other hand, in the case of solar cells, the conversion efficiency for converting the energy of incident sunlight into electrical energy must be high. The conversion efficiency is affected by various factors such as light reflectivity of the solar cell, absorption efficiency of a specific wavelength band, and internal resistance of the battery. Currently, the cell efficiency of silicon solar cells is known to be about 10 to 19%.

그리고, 실리콘 태양전지의 경우, 약 900nm 대의 근적외선 영역에서 변환효율이 가장 우수한 것으로 알려져 있는데, 태양광은 X선, 자외선, 가시광선, 적외선 등 다양한 파장대의 빛을 포함한다. 따라서, 실리콘 태양전지에 입사되는 빛 중에서 변환효율이 낮은 단파장대의 빛을 900nm에 가까운 장파장대의 빛으로 변환시킬 수 있다면, 태양전지의 변환효율을 증대시킬 수 있다.
In the case of the silicon solar cell, the conversion efficiency is known to be the best in the near infrared region of about 900nm range, and the sunlight includes light of various wavelengths such as X-rays, ultraviolet rays, visible rays, and infrared rays. Therefore, if the light having low conversion efficiency among the light incident on the silicon solar cell can be converted into light having a long wavelength near 900 nm, the conversion efficiency of the solar cell can be increased.

본 발명은 전술한 종래기술의 문제점과 백색 LED에서 요구되는 다양한 발광 색상의 구현을 실현할 수 있게 하기 위한 것으로, 부활제 농도의 조절을 통해 주황색(600nm)에서 적외선 영역(750nm)에 걸친 넓은 파장대의 발광이 가능하여 다양한 백색 튜닝을 가능하게 하는 형광체로 사용될 수 있는 질화물계 파장변환조성물을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention is to realize the above-described problems of the prior art and the implementation of various emission colors required in white LEDs, by adjusting the concentration of the activator, a broad wavelength band from orange (600 nm) to the infrared region (750 nm) It is an object of the present invention to provide a nitride-based wavelength conversion composition that can be used as a phosphor capable of emitting light to enable various white tunings.

또한, 본 발명의 다른 목적은 태양광에 포함된 250 ~ 500nm의 빛을 600 ~ 850nm대의 장파장 빛으로 변환시킬 수 있어, 태양전지에 적용되었을 때 변환효율을 상당 수준 높일 수 있는 질화물계 파장변환조성물 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to convert the light of 250 ~ 500nm contained in sunlight into long wavelength light of 600 ~ 850nm, nitride-based wavelength conversion composition that can significantly increase the conversion efficiency when applied to solar cells To provide.

또한, 본 발명의 또 다른 목적은 상기한 질화물계 파장변환조성물을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
In addition, another object of the present invention is to provide a method for producing the nitride-based wavelength conversion composition.

상기 과제를 해결하기 위한 수단으로 본 발명은, 하기 화학식 1로 표시되며, 5부피% 이하의 AlN을 포함하고, 400nm 파장의 광으로 여기하였을 때, 유로퓸의 농도에 따라 발광스펙트럼의 피크파장이 620nm ~ 710nm 범위로 변하는 것을 특징으로 하는 파장변환조성물을 제공한다.As a means for solving the above problems, the present invention, represented by the following formula (1), containing 5% by volume or less of AlN, when excited with light of 400nm wavelength, the peak wavelength of the emission spectrum according to the concentration of europium is 620nm It provides a wavelength conversion composition characterized by varying in the range ~ ~ 710nm.

[화학식 1][Formula 1]

Mg1-zAlxSiyNd:Euz 2+ Mg 1-z Al x Si y N d : Eu z 2+

여기서, x는 0.1 ~ 2, 바람직하게는 0.5 ~ 1.5이고, y는 0.1 ~ 2, 바람직하게는 0.5 ~ 1.5이고, z는 0.00001 ~ 0.2, 바람직하게는 0.0001 ~ 0.015이고, d는 0.9 ~ 5.33, 바람직하게는 2.5 ~ 3.5이다.Here, x is 0.1 to 2, preferably 0.5 to 1.5, y is 0.1 to 2, preferably 0.5 to 1.5, z is 0.00001 to 0.2, preferably 0.0001 to 0.015, d is 0.9 to 5.33, Preferably it is 2.5-3.5.

또한, 상기 파장변환조성물에서, AlN은 5부피% 이하인 것이 바람직하나, 3부피% 이하인 것이 보다 바람직하다.In the wavelength conversion composition, AlN is preferably 5% by volume or less, but more preferably 3% by volume or less.

또한, 상기 파장변환조성물은 AlN과 같은 잔류물이 거의 존재하지 않는 단일상으로 이루어진 것을 특징으로 한다.In addition, the wavelength conversion composition is characterized in that consisting of a single phase in which little residue such as AlN.

또한, 상기 파장변환조성물은 발광장치의 형광체로 사용될 수 있으며, 발광스펙트럼의 피크파장이 620nm ~ 710nm 범위이기 때문에 주황색에서 근적외선에 이르는 범위까지 발광이 가능하여, 난색계 백색 발광을 구현하는데에 적합하게 사용될 수 있다.In addition, the wavelength conversion composition may be used as a phosphor of the light emitting device, and since the peak wavelength of the emission spectrum is in the range of 620 nm to 710 nm, it is possible to emit light in a range from orange to near infrared rays, which is suitable for realizing a warm white light emission. Can be.

또한, 본 발명은 상기 파장변환조성물을 포함하는 백색 LED와 같은 발광장치를 포함한다.In addition, the present invention includes a light emitting device such as a white LED including the wavelength conversion composition.

또한, 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 하기 화학식 2로 표시되며, 5부피% 이하의 AlN을 포함하고, 250nm ~ 500nm 파장범위의 광을 흡수하여, 600nm ~ 850nm 파장범위의 광으로 변환시키는 태양전지용 파장변환조성물을 제공한다.In addition, in order to achieve another object of the present invention, the present invention, represented by the following formula (2), containing 5% by volume or less of AlN, absorbs light in the wavelength range of 250nm to 500nm, light in the wavelength range of 600nm to 850nm It provides a wavelength conversion composition for solar cells to convert to.

[화학식 2][Formula 2]

Mg1 - zAlxSiyNd:Euz 2 + Mg 1 - z Al x Si y N d : Eu z 2 +

여기서, x는 0.1 ~ 2, 바람직하게는 0.5 ~ 1.0이고, y는 0.1 ~ 2, 바람직하게는 0.5 ~ 1.5이고, z는 0.00001 ~ 0.2, 바람직하게는 0.015 ~ 0.2이고, d는 0.9 ~ 5.33, 바람직하게는 2.5 ~ 3.5이다.Here, x is 0.1 to 2, preferably 0.5 to 1.0, y is 0.1 to 2, preferably 0.5 to 1.5, z is 0.00001 to 0.2, preferably 0.015 to 0.2, d is 0.9 to 5.33, Preferably it is 2.5-3.5.

또한, 상기 태양전지용 파장변환조성물에서, AlN은 5부피% 이하인 것이 3부피% 이하인 것이 보다 바람직하다.In the solar cell wavelength conversion composition, AlN is more preferably 5% by volume or less and 3% by volume or less.

또한, 본 발명은 상기 태양전지용 파장변환조성물을 포함하는 태양전지를 제공하며, 상기 태양전지는 다양한 종류의 태양전지에 사용될 수 있으며, 실리콘 태양전지는 가장 바람직한 예이다.In addition, the present invention provides a solar cell comprising the wavelength conversion composition for the solar cell, the solar cell can be used in various kinds of solar cells, silicon solar cells are the most preferred example.

또한, 본 발명은 상기 다른 목적을 해결하기 위해, 상기 파장변환조성물을 제조하는 방법으로서, (a) 상기 파장변환조성물의 원료분체를 칭량하는 단계; (b) 칭량된 원료분체를 산소와 수분의 함량이 1ppm 이하로 유지된 분위기 하에서 건식 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 및 (c) 상기 혼합물을 1300 ~ 2000℃의 온도와 5기압 ~ 20기압의 질소 분위기에서 소성하여 소성물을 제조하는 단계;를 포함하는 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention to solve the other object, a method for producing the wavelength conversion composition, comprising the steps of: (a) weighing the raw material powder of the wavelength conversion composition; (b) preparing a mixture by dry mixing the weighed raw powder in an atmosphere in which oxygen and water contents are maintained at 1 ppm or less; And (c) calcining the mixture at a temperature of 1300 to 2000 ° C. and a nitrogen atmosphere of 5 to 20 atmospheres to produce a fired product.

또한, 상기 제조방법에 있어서, 상기 질소 분위기는 80% 이상의 질소를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above production method, the nitrogen atmosphere is characterized in that it contains 80% or more nitrogen.

또한, 상기 제조방법에 있어서, 상기 원료분체는 Mg3N 분말, AlN 분말, a-Si3N4 분말, EuN 분말을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the above production method, the raw material powder is characterized in that it comprises Mg 3 N powder, AlN powder, a-Si 3 N 4 powder, EuN powder.

또한, 상기 제조방법에 있어서, 상기 원료분체의 칭량은 비화학양론적으로 행하는 것을 특징으로 하는데, 이는 원료분체 자체의 화학양론이 일정하지 않기 때문에, 화학양론적으로 칭량하였을 때에는 칭량된 결과로 합성물을 얻기 어렵기 때문이다.
In the above production method, the raw material powder is weighed non-stoichiometrically. This is because the stoichiometry of the raw material powder itself is not constant. Because it is difficult to obtain.

본 발명에 따른 파장변환조성물은 발광스펙트럼의 피크파장이 620nm~710nm 범위이기 때문에 주황색에서 근적외선에 이르는 범위까지 발광이 가능하여, 다양한 색감의 백색 발광을 구현하는 튜닝용 형광체로 적합하게 사용될 수 있다.The wavelength conversion composition according to the present invention is capable of emitting light from orange to near infrared rays because the peak wavelength of the emission spectrum is in the range of 620 nm to 710 nm, and can be suitably used as a tuning phosphor for implementing white light emission of various colors.

또한, 본 발명에 따른 파장변환조성물은 태양광에 포함된 250 ~ 500nm의 단파장 빛을 흡수하여, 600 ~ 850nm의 장파장으로 변환시킬 수 있어, 태양전지에 적용할 경우, 변환효율을 높이는데 기여할 수 있다.
In addition, the wavelength conversion composition according to the present invention can absorb the short wavelength light of 250 ~ 500nm included in the sunlight, can be converted to a long wavelength of 600 ~ 850nm, when applied to solar cells, it can contribute to increase the conversion efficiency have.

도 1은 본 발명에 따라 제조한 MgAlSiN3:Eu2 + 형광체의 XRD 패턴을 나타낸 것이다.
도 2는 400nm 여기광으로 여기시켰을 때, Eu2 + 이온 농도에 따른 발광스펙트럼의 변화를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 제조한 MgAlSiN3:Eu2 + 형광체에서 Eu2 + 이온의 농도를 각각 0.005몰과 0.05몰로 하였을 때의 여기 스펙트럼을 측정한 결과이다.
Figure 1 shows the XRD pattern of the MgAlSiN 3 : Eu 2 + phosphor prepared according to the present invention.
Figure 2 shows the change in the emission spectrum according to the concentration of Eu 2 + when excited by 400nm excitation light.
3 is a result of measuring the excitation spectrum when the concentration of Eu 2 + ion in the MgAlSiN 3 : Eu 2 + phosphor prepared according to the embodiment of the present invention was 0.005 mol and 0.05 mol, respectively.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 기초하여 본 발명에 따른 파장변환조성물에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the wavelength conversion composition according to the present invention will be described in detail based on the preferred embodiment of the present invention.

본 실시형태에 따른 파장변환조성물(이하, '형광체'라 함)은, 예를 들면, 이하에 설명하는 제조 방법으로 제조할 수 있다.The wavelength conversion composition (henceforth a "phosphor") which concerns on this embodiment can be manufactured, for example by the manufacturing method demonstrated below.

먼저, 형광체 모체를 형성하기 위한 원료로서, 마그네슘 질화물(Mg3N2,알드리치,99.5%), 질화규소(α-Si3N4,알드리치), 질화알루미늄(AlN,알드리치,98%)을 준비한다. 또한, 발광을 위한 부활제로서 질화유로퓸(EuN,고쥰도,99.9%)을 준비한다.First, magnesium nitride (Mg 3 N 2 , Aldrich, 99.5%), silicon nitride (α-Si 3 N 4 , Aldrich), and aluminum nitride (AlN, Aldrich, 98%) are prepared as raw materials for forming the phosphor matrix. . In addition, europium nitride (EuN, high purity, 99.9%) is prepared as an activator for light emission.

이어서, 상기와 같이 준비된 원료를 이용하여 AlN을 최소한으로 포함하고 단일상(single phase)으로 이루어진 MgAlSiN3:Eu2+ 형광체를 얻을 수 있도록 원료 물질을 칭량하였다. 본 발명의 실시예에서는 원료 물질의 칭량에 있어서 원료 물질을 조성을 고려한 화학양론적 방법을 사용하지 않고 비화학양론적 방법을 사용하였다. 그 이유는, 마그네슘 질화물, 질화규소 및 질화알루미늄 등은 모두 일정한 양의 불순물인 산화물을 포함하고 있어, 정확한 화학양론적 데이터가 보고되지 않기 때문이다. 이에 따라 본 발명에서는 Mg1-zAlxSiyNd:Euz 2+ 형광체를 얻기 위하여, 원료 물질을 칭량함에 있어서는 x와 y는 각각 0.5 ~ 1.5의 비율이 되도록 칭량하고, z는 0.0001 ~ 0.070의 비율이 되도록 칭량하였다.Subsequently, using the raw material prepared as described above, the raw material was weighed to obtain a MgAlSiN 3 : Eu 2+ phosphor containing minimal AlN and consisting of a single phase. In the embodiment of the present invention, a non-stoichiometric method was used in the weighing of the raw material without using the stoichiometric method considering the composition of the raw material. This is because magnesium nitride, silicon nitride, aluminum nitride, and the like all contain oxides having a certain amount of impurity, and accurate stoichiometric data are not reported. Accordingly, in the present invention, in order to obtain Mg 1-z Al x Si y N d : Eu z 2+ phosphor, x and y are each weighed so as to have a ratio of 0.5 to 1.5, and z is 0.0001 to It was weighed out to a ratio of 0.070.

이와 같이 칭량한 원료들을 산소와 수분의 함량이 1ppm 이하의 분위기에서 수작업으로 10분 동안 혼합하여 혼합물을 얻었다.The raw materials weighed in this way were mixed by hand for 10 minutes in an atmosphere of oxygen and water content of 1 ppm or less to obtain a mixture.

이와 같이 얻어진 혼합물을 가압 분위기에서 소성한다. 상기 가압 분위기는 5기압 이상 20기압 이하의 질소 가스를 주성분으로 하여 이루어지는 분위기에서 수행하는데, 이러한 고압의 질소 가스 분위기에서 소성을 하게 되면 고온 소성 중에 합성되는 질화물의 분해를 방지 또는 억제할 수 있고, 생성되는 질화물의 조성 편차를 줄일 수 있어 성능이 우수한 형광체 조성물을 제조할 수 있게 한다. 한편, 질소가스를 주성분으로 한다는 것은, 전체 가스대비 질소 가스가 80% 이상으로 포함된 것을 의미한다. 또한, 부활제인 Eu2 + 이온을 많이 생성하기 위해서는 환원 분위기가 바람직하다.The mixture thus obtained is fired in a pressurized atmosphere. The pressurized atmosphere is carried out in an atmosphere consisting mainly of nitrogen gas of 5 atm or more and 20 atm or less. When firing in a high pressure nitrogen gas atmosphere, decomposition of nitride synthesized during high temperature firing can be prevented or suppressed. The compositional deviation of the resulting nitride can be reduced, thereby making it possible to produce a phosphor composition having excellent performance. On the other hand, having nitrogen gas as a main component means that nitrogen gas is contained in an amount of 80% or more relative to the total gas. In addition, a reducing atmosphere is preferred in order to generate a lot of resurrection Jane Eu 2 + ions.

또한, 소성온도는 1300 ~ 2000℃가 바람직하며 고품질의 형광체를 얻기 위해서는 1600℃ 이상이 보다 바람직하다. 또한, 소성시간은 30분 ~ 100시간의 범위 내로 할 수 있는데, 품질과 생산성 등을 고려할 때 2시간 ~ 8시간이 바람직하다. 본 발명의 실시예에서는 10기압의 질소 수소 혼합가스(질소 97% + 수소 3%) 분위기 하에서 1800℃의 소성온도로 2시간 동안 소성을 실시하여 형광체를 제조하였다. 이와 같이 제조된 파장변환 조성물은, 상기한 조성의 원자비율을 갖는 것이면 되고, 일부 실리콘이나 알루미늄이 산화되어 SiO2나 A12O3로 변질된 조성물을 포함할 수 있다.In addition, the firing temperature is preferably 1300 ~ 2000 ℃, more preferably 1600 ℃ or more in order to obtain a high quality phosphor. In addition, the firing time can be in the range of 30 minutes to 100 hours, but considering the quality and productivity, 2 hours to 8 hours is preferable. In an embodiment of the present invention, a phosphor was prepared by firing at a firing temperature of 1800 ° C. for 2 hours in a nitrogen-hydrogen mixed gas (nitrogen 97% + hydrogen 3%) at 10 atmospheres. The wavelength conversion composition thus prepared may be one having an atomic ratio of the above-described composition, and may include a composition in which some silicon or aluminum is oxidized and modified to SiO 2 or A1 2 O 3 .

이상과 같이 얻어진 조성물에 대해 XRD 회절분석을 실시한 결과, Mg1 - zAlxSiyNd:Euz 2 + 형광체에 있어서, 초기 원료 칭량시 x/y의 비율을 0.67 ~ 1.33의 범위로 유지하였을 때, AlN을 거의 포함하지 않고 화학양론적으로 정확하게 일치하는 단일상의 MgAlSiN3:Eu2 + 형광체를 얻을 수 있음을 알 수 있었다.As a result of XRD diffraction analysis of the composition obtained as described above, in the Mg 1 - z Al x Si y N d : Eu z 2 + phosphor, the ratio of x / y during initial material weighing was maintained in the range of 0.67 to 1.33. It was found that a single-phase MgAlSiN 3 : Eu 2 + phosphor containing almost no AlN and having a stoichiometric exact match could be obtained.

도 1은 본 발명의 실시예에 따라 제조한 MgAlSiN3:Eu2 + 형광체의 XRD 회절분석 결과를 나타낸 것이다. 도 1에서 확인되는 바와 같이, x/y 비율을 0.67 ~ 1.33으로 유지할 때, 화학양론적으로 정확하게 일치하는 MgAlSiN3:Eu2+ 형광체가 얻어짐을 알 수 있다. 이때 AlN의 부피분율은 3% 이하로 측정되었다.Figure 1 shows the XRD diffraction analysis of the MgAlSiN 3 : Eu 2 + phosphor prepared in accordance with an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, it can be seen that when the x / y ratio is maintained at 0.67 to 1.33, a stoichiometrically accurate MgAlSiN 3 : Eu 2+ phosphor is obtained. At this time, the volume fraction of AlN was measured to 3% or less.

도 2는 Eu2 + 이온의 도핑농도를 다르게 하였을 때, 발광 스펙트럼(400nm 여기)의 변화를 나타낸 것이다. 도 2에서 확인되는 바와 같이, Eu2 + 이온의 농도가 증가함에 따라, 피크파장이 620nm에서 710nm까지 넓은 범위로 적색으로 이동하는 것을 알 수 있다.Figure 2 shows a change at the time when a different doping concentration of Eu 2 + ions, and an emission spectrum (400nm here). As will be confirmed from FIG. 2, it can be seen that movement in red in a wide range with increasing the concentration of Eu 2 + ions, and the peak wavelength of from 620nm to 710nm.

특히, Eu2 + 이온의 농도가 0.013몰에서 0.017몰로 증가할 때, 피크파장이 640nm 이하에서 700nm 이상으로 급격하게 변화하는데(즉 0.015몰을 경계로 피크파장이 급격하게 변하는데), 이는 MgAlSiN3 구조 내에 Eu2 + 이온 주위에 2개의 다른 대표적인 국부구조(local structure) 또는 국부구조그룹(local structure group)이 존재함을 의미하고 각 구조는 640nm 이하의 피크파장과 700nm 이상의 피크파장을 나타낸다고 할 수 있다.In particular, Eu 2 +, when the ion concentration to increase moles 0.017 at 0.013 mole, to the peak wave length change abruptly over 700nm below 640nm (i.e., the peak wavelength to a sudden change in boundary 0.015 mol), which MgAlSiN 3 Eu 2 + ions of two different exemplary local structure around within the structure (local structure) or local structural group (local structure group) is present means that each structure can represent a peak wavelength of less than 640nm, and the peak wavelength over 700nm have.

도 3은 Eu2 + 이온의 농도가 각각 0.005몰과 0.05몰일때의 여기 스펙트럼을 측정한 결과이다. 도 3에서 확인되는 바와 같이, 두 샘플에 있어서 여기 거동은 분명한 차이를 보이는데, 특히 450nm 보다 긴 파장 영역에서 큰 차이를 보인다. 이와 같은 여기 스펙트럼의 차이는 Eu2 + 이온 주위의 국부구조의 차이를 추정할 수 있게 한다.3 is a result of the concentration of Eu 2 + ion measuring the excitation spectrum of 0.005 mol and 0.05 mol, respectively when. As can be seen in FIG. 3, the excitation behavior in the two samples shows a clear difference, especially in the wavelength region longer than 450 nm. Such a difference in the excitation spectrum makes it possible to estimate the difference between local structure around Eu 2 + ions.

따라서, 본 발명에 따른 MgAlSiN3:Eu2 + 형광체는 실용적인 관점에서 피크파장이 640nm 이하인 경우에는 백색 LED의 형광체에 적합하게 사용될 수 있고, Eu2 + 이온 농도가 0.015몰 이상 보다 바람직하게는 0.02몰 이상일 경우 발광파장이 가시영역을 벗어나게 되고 이 경우 태양전지의 변환효율을 높이기 위한 에너지 다운-컨버팅 재료(energy down-converting material)로서 적합하게 사용될 수 있다.
Thus, MgAlSiN 3 according to the invention: Eu 2 + phosphor is not more than the peak wavelength of 640nm from a practical point of view there may be suitably used in the fluorescent substance as a white LED, Eu 2 + ion concentration is preferably 0.02 mol more than 0.015 mol In the above case, the light emission wavelength is out of the visible region, and in this case, the light emission wavelength may be suitably used as an energy down-converting material for increasing the conversion efficiency of the solar cell.

Claims (14)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 하기 화학식 2로 표시되며, 5부피% 이하의 AlN을 포함하고, 250nm ~ 500nm 파장범위의 광을 흡수하여, 600nm ~ 850nm 파장범위의 광으로 변환시키며, 피크파장이 660nm ~ 710nm인 것을 특징으로 하는 태양전지용 파장변환조성물.
[화학식 2]
Mg1-zAlxSiyNd:Euz 2+
여기서, 0.1≤x≤2, 0.1≤y≤2, 0.0001≤z≤0.2, 0.9≤d≤5.33임
It is represented by the following formula (2), containing 5% by volume or less of AlN, absorbs light in the wavelength range of 250nm to 500nm, converts to light in the wavelength range of 600nm to 850nm, characterized in that the peak wavelength is 660nm to 710nm Wavelength conversion composition for solar cell.
(2)
Mg 1-z Al x Si y N d : Eu z 2+
Where 0.1≤x≤2, 0.1≤y≤2, 0.0001≤z≤0.2, 0.9≤d≤5.33
제 7 항에 있어서,
상기, AlN은 3부피% 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지용 파장변환조성물.
The method of claim 7, wherein
The AlN wavelength conversion composition for a solar cell, characterized in that less than 3% by volume.
제 7 항에 있어서,
z는 0.015 ~ 0.2인 것을 특징으로 하는 태양전지용 파장변환조성물.
The method of claim 7, wherein
z is a wavelength conversion composition for solar cells, characterized in that 0.015 ~ 0.2.
제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 파장변환조성물을 포함하는 태양전지.The solar cell containing the wavelength conversion composition in any one of Claims 7-9. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 파장변환조성물의 제조방법으로서,
(a) 상기 파장변환조성물의 원료분체를 칭량하는 단계;
(b) 칭량된 원료분체를 산소와 수분의 함량이 1ppm 이하로 유지된 분위기 하에서 건식 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 및
(c) 상기 혼합물을 1300 ~ 2000℃의 온도와 5기압 ~ 20기압의 질소 분위기에서 소성하여 소성물을 제조하는 단계;를 포함하며,
상기 원료분체는, Mg3N 분말, AlN 분말, α-Si3N4 분말, EuN 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 파장변환조성물의 제조방법.
A method for producing a wavelength converting composition according to any one of claims 7 to 9,
(a) weighing raw material powder of the wavelength conversion composition;
(b) preparing a mixture by dry mixing the weighed raw powder in an atmosphere in which oxygen and water contents are maintained at 1 ppm or less; And
(c) calcining the mixture at a temperature of 1300 to 2000 ° C. and a nitrogen atmosphere of 5 to 20 atmospheres to produce a fired product.
The raw material powder, Mg 3 N powder, AlN powder, α-Si 3 N 4 powder, EuN powder manufacturing method of the wavelength conversion composition characterized in that it comprises.
제 11 항에 있어서,
상기 질소 분위기는 80% 이상의 질소를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장변환조성물의 제조방법.
The method of claim 11,
The nitrogen atmosphere is a method for producing a wavelength conversion composition comprising at least 80% nitrogen.
삭제delete 제 11 항에 있어서,
상기 원료분체의 칭량은 비화학양론적으로 행하는 것을 특징으로 하는 파장변환조성물의 제조방법.
The method of claim 11,
Weighing the raw material powder is a non-stoichiometric method for producing a wavelength conversion composition.
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