KR101242989B1 - Film-forming apparatus, film-forming method and semiconductor device - Google Patents

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KR101242989B1 KR1020117005947A KR20117005947A KR101242989B1 KR 101242989 B1 KR101242989 B1 KR 101242989B1 KR 1020117005947 A KR1020117005947 A KR 1020117005947A KR 20117005947 A KR20117005947 A KR 20117005947A KR 101242989 B1 KR101242989 B1 KR 101242989B1
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Abstract

성막 장치(1)에 있어서, 도포 대상물(W)이 배치되는 스테이지(2)와, 스테이지(2)를 수평면 내에서 회전시키는 회전 기구(3)와, 스테이지(2)에 배치된 도포 대상물(W) 상의 정해진 영역에 재료를 도포하여 도포막(M)을 형성하는 도포부(4)와, 도포막(M)을 용해할 수 있는 용매 증기를 생성하는 급기부(給氣部; 5)와, 스테이지(2)에 배치된 도포 대상물(W) 상의 도포막(M)에 대해, 급기부(5)에 의해 생성된 용매 증기를 분무하는 분무부(6)와, 분무부(6)에 의해 분무되는 용매 증기의 양을, 도포막(M)을 용해해서, 도포막(M)의 표층측 부분의 점도가 도포 대상물(W)측 부분의 점도보다 낮아지는 양이 되도록 제어하는 제어부(9)를 구비한다. In the film-forming apparatus 1, the stage 2 in which the coating object W is arrange | positioned, the rotating mechanism 3 which rotates the stage 2 in a horizontal plane, and the coating object W arrange | positioned at the stage 2 are provided. A coating part 4 for applying the material to a predetermined region on the sheet) to form the coating film M, a supply part 5 for generating solvent vapor capable of dissolving the coating film M, The spraying part 6 which sprays the solvent vapor produced | generated by the air supply part 5, and the spraying part 6 with respect to the coating film M on the application object W arrange | positioned at the stage 2 The control unit 9 controls the amount of the solvent vapor to be dissolved so that the coating film M is dissolved so that the viscosity of the surface layer side portion of the coating film M becomes lower than the viscosity of the portion to be coated on the application target W side. Equipped.

Figure R1020117005947
Figure R1020117005947

Description

성막 장치, 성막 방법 및 반도체 장치{FILM-FORMING APPARATUS, FILM-FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE}FILM-FORMING APPARATUS, FILM-FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 성막 장치, 성막 방법 및 반도체 장치에 관한 것이며, 예컨대 도포 대상물 상에 재료를 도포하여 도포막을 형성하는 성막 장치 및 성막 방법, 또한, 그 성막 장치 또는 성막 방법에 의해 제조된 반도체 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method and a semiconductor device, and for example, a film forming apparatus and a film forming method which apply a material onto a coating object to form a coating film, and also a semiconductor device manufactured by the film forming apparatus or the film forming method. will be.

성막 장치는 반도체나 액정 디스플레이 등의 제조에서 액상(液相) 성막 공정에 이용된다(예컨대, 특허 문헌 1 참조). 액상 성막 공정에서는, 웨이퍼 등의 기판 상에 레지스트나 보호막 등의 도포막을 성막할 때, 0.1 ㎛∼1.0 ㎛ 정도의 막두께 균일성이 요구되고 있고, 통상, 도포막은 스핀 코트에 의해 형성된다. 이 스핀 코트는 기판 상의 중앙에 재료를 공급하고, 그 기판을 고속 회전시켜 재료를 기판면에 확산시킴으로써 기판 상에 도포막을 형성하는 도포 방법이다. The film-forming apparatus is used for the liquid-phase film-forming process in manufacture of a semiconductor, a liquid crystal display, etc. (for example, refer patent document 1). In the liquid film forming step, when forming a coating film such as a resist or a protective film on a substrate such as a wafer, a film thickness uniformity of about 0.1 μm to 1.0 μm is required, and the coating film is usually formed by spin coating. This spin coat is a coating method which forms a coating film on a board | substrate by supplying a material to the center on a board | substrate, and rotating a board | substrate at high speed, and spreading a material to a board | substrate surface.

일본 특허 공개 평성 제10-92802호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-92802

그러나, 전술한 바와 같이 스핀 코트를 이용한 경우에는, 막두께 균일성은 어느 정도 얻어지지만, 재료 이용 효율은 1∼3할로 나빠, 재료를 낭비하게 된다. 또한, 도포 중에 기판의 사이드나 이면으로 비산(飛散), 또는, 미스트화되어 돌아 들어간 재료가 부착되어 버리기 때문에, 도포 공정 후에 시너로 이들을 제거하는 엣지 커트 및 백 린스(back rinse)라고 불리는 공정이 필요해진다. 이때, 대량의 시너를 사용하기 때문에 환경 부하가 커서, 시너량의 삭감이 요구되고 있다.However, in the case of using the spin coat as described above, the film thickness uniformity is obtained to some extent, but the material use efficiency is 1 to 30%, resulting in waste of the material. In addition, since the material which has scattered or misted and returned to the side or the back surface of the substrate during coating is adhered, a process called edge cut and back rinse which removes them with thinner after the coating process is performed. It becomes necessary. At this time, since a large amount of thinner is used, the environmental load is large and the amount of thinner is required.

또한, 스핀 코트를 이용한 경우에는, 비산된 재료를 받아냄과 동시에, 미스트화된 재료를 회수하기 위한 컵을 정기적으로 교환해야 하고, 그때마다 스핀 코터가 연결되어 있는 라인 전체를 정지시킬 필요가 발생하기 때문에, 가동률이 저하되어 버린다. 통상, 이러한 라인에는 고액의 노광기가 접속되므로, 가동률 저하의 영향은 크다.In addition, in the case of using a spin coat, the cups for collecting scattered material and at the same time recovering the misted material have to be replaced regularly, and the entire line to which the spin coater is connected needs to be stopped. Therefore, operation rate will fall. Usually, since a large amount of exposure machine is connected to such a line, the influence of the operation rate fall is large.

본 발명은 상기한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 막두께 균일성을 유지하면서, 재료 이용 효율의 향상, 환경 부하의 저감 및 가동률 저하의 억제를 실현할 수 있는 성막 장치, 성막 방법 및 반도체 장치를 제공하는 것이다.This invention is made | formed in view of the above-mentioned subject, The objective is the film-forming apparatus, the film-forming method, and the semiconductor device which can realize the improvement of material utilization efficiency, the reduction of environmental load, and the suppression of operation rate reduction, maintaining film thickness uniformity. To provide.

본 발명의 실시형태에 따른 제1 특징은, 성막 장치에 있어서, 도포 대상물이 배치되는 스테이지와, 스테이지에 배치된 도포 대상물 상의 정해진 영역에 재료를 도포하여 도포막을 형성하는 도포부와, 도포막을 용해할 수 있는 용매 증기를 생성하는 급기부(給氣部)와, 스테이지에 배치된 도포 대상물 상의 도포막에 대해, 급기부에 의해 생성된 용매 증기를 분무하는 분무부와, 분무부에 의해 분무되는 용매 증기의 양을, 도포막을 용해해서, 도포막의 표층측 부분의 점도가 도포 대상물측 부분의 점도보다 낮아지는 양이 되도록 제어하는 제어부를 구비하는 것이다.The 1st characteristic which concerns on embodiment of this invention WHEREIN: The film-forming apparatus melt | dissolves the stage in which a coating object is arrange | positioned, the coating part which apply | coats a material to the predetermined area | region on the coating object arrange | positioned at the stage, and forms a coating film, and a coating film. The spraying part which sprays the solvent vapor produced | generated by the supplying part with respect to the air supply part which produces | generates the solvent vapor which can be made, and the coating film on the application target arrange | positioned at the stage, and sprayed by the spraying part It is provided with the control part which controls the quantity of solvent vapor so that it may become an amount which melt | dissolves a coating film and becomes a quantity which becomes lower than the viscosity of the surface layer side part of a coating film, and the coating object side part.

본 발명의 실시형태에 따른 제2 특징은 반도체 장치에 있어서, 전술한 성막 장치에 의해 제조된 것이다.A second feature according to an embodiment of the present invention is the semiconductor device, which is manufactured by the film forming apparatus described above.

본 발명의 실시형태에 따른 제3 특징은, 성막 방법에 있어서, 도포 대상물 상의 정해진 영역에 재료를 도포하여 도포막을 형성하는 공정과, 분무되는 용매 증기의 양을, 도포막을 용해해서, 도포막의 표층측 부분의 점도가 도포 대상물측 부분의 점도보다 낮아지는 양이 되도록 조정하여 용매 증기를 생성하는 공정과, 조정하여 생성된 용매 증기를 도포 대상물 상의 도포막에 분무하는 공정을 포함하는 것이다.According to a third aspect of the present invention, in the film forming method, a step of forming a coating film by applying a material to a predetermined region on a coating object, and dissolving the coating film in the amount of solvent vapor to be sprayed, the surface layer of the coating film. And adjusting the viscosity of the side portion to be an amount lower than the viscosity of the coating target side portion to generate solvent vapor, and spraying the adjusted solvent vapor on the coating film on the coating object.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 모식도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시하는 성막 장치가 수행하는 성막 처리의 흐름을 도시하는 흐름도이다.
도 4는 도 3에 도시하는 성막 처리에서의 성막 장치의 도포를 설명하기 위한 설명도이다.
도 5는 도 4에 도시하는 도포의 변형예를 설명하기 위한 설명도이다.
도 6은 도 3에 도시하는 성막 처리에서의 막두께 평탄화 처리를 설명하기 위한 설명도이다.
도 7은 도 6에 도시하는 막두께 평탄화 처리에서의 평탄화 현상을 설명하기 위한 설명도이다.
도 8은 도포 후의 액막(도포막)을 설명하기 위한 설명도이다.
도 9는 막두께 평탄화 처리 후의 액막을 설명하기 위한 설명도이다.
도 10은 도 9에 도시하는 액막에 대해 건조 처리(베이킹 처리)를 수행한 후의 건조막을 설명하기 위한 설명도이다.
도 11은 용매 증기를 증가시킨 막두께 평탄화 처리 후의 액막을 설명하기 위한 설명도이다.
도 12는 도 11에 도시하는 액막에 대해 건조 처리를 수행한 후의 건조막을 설명하기 위한 설명도이다.
도 13은 도 3에 도시하는 성막 처리에서의 가건조에 이용되는 배기 유닛을 설명하기 위한 설명도이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 성막 장치가 구비하는 분무부의 개략 구성을 도시하는 외관 사시도이다.
도 15는 도 14의 A1-A1선 단면도이다.
도 16은 도 14의 A2-A2선 단면도이다.
도 17은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 성막 장치가 구비하는 분무부의 개략 구성을 도시하는 외관 사시도이다.
도 18은 도 17의 A3-A3선 단면도이다.
도 19는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 성막 장치가 구비하는 분무부의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 20은 본 발명의 제5 실시형태에 따른 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 21은 도 20에 도시하는 성막 장치가 구비하는 분무부의 분출구를 도시하는 평면도이다.
도 22는 슬릿 길이를 변경하는 슬릿 길이 조정 기구를 이용한 막두께 평탄화 처리 후의 액막을 설명하기 위한 설명도이다.
도 23은 도 22에 도시하는 액막에 대해 건조 처리를 수행한 후의 건조막을 설명하기 위한 설명도이다.
도 24는 본 발명의 제6 실시형태에 따른 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 25는 도 24에 도시하는 성막 장치가 구비하는 분무부의 분출구를 도시하는 평면도이다.
도 26은 본 발명의 제7 실시형태에 따른 성막 장치가 구비하는 분무부의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 27은 분출구의 외주부에 기계적인 차단판의 조정 기구를 이용한 막두께 평탄화 처리 후의 액막을 설명하기 위한 설명도이다.
도 28은 본 발명의 제8 실시형태에 따른 성막 시스템의 개략 구성을 도시하는 블록도이다.
도 29는 도 28에 도시하는 성막 시스템이 수행하는 성막 처리의 흐름을 도시하는 흐름도이다. FIG. 1: is a schematic diagram which shows schematic structure of the film-forming apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention.
FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the film forming apparatus shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a flowchart showing a flow of film forming processing performed by the film forming apparatus shown in FIGS. 1 and 2.
It is explanatory drawing for demonstrating application | coating of the film-forming apparatus in the film-forming process shown in FIG.
It is explanatory drawing for demonstrating the modification of the application | coating shown in FIG.
It is explanatory drawing for demonstrating the film thickness planarization process in the film-forming process shown in FIG.
It is explanatory drawing for demonstrating the planarization phenomenon in the film thickness planarization process shown in FIG.
It is explanatory drawing for demonstrating the liquid film (coating film) after application | coating.
It is explanatory drawing for demonstrating the liquid film | membrane after a film thickness planarization process.
It is explanatory drawing for demonstrating the dry film | membrane after performing a drying process (baking process) with respect to the liquid film shown in FIG.
It is explanatory drawing for demonstrating the liquid film after the film thickness planarization process which increased the solvent vapor.
It is explanatory drawing for demonstrating the dry film | membrane after performing the drying process with respect to the liquid film shown in FIG.
It is explanatory drawing for demonstrating the exhaust unit used for temporary drying in the film-forming process shown in FIG.
It is an external appearance perspective view which shows schematic structure of the spraying part with which the film-forming apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention is equipped.
15 is a cross-sectional view taken along a line A1-A1 of FIG. 14.
FIG. 16 is a cross-sectional view taken along the line A2-A2 of FIG. 14.
It is an external appearance perspective view which shows schematic structure of the spraying part with which the film-forming apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention is equipped.
18 is a cross-sectional view taken along the line A3-A3 in FIG. 17.
It is sectional drawing which shows schematic structure of the spraying part with which the film-forming apparatus which concerns on 4th Embodiment of this invention is equipped.
It is a top view which shows schematic structure of the film-forming apparatus which concerns on 5th Embodiment of this invention.
It is a top view which shows the blowing port of the spraying part with which the film-forming apparatus shown in FIG. 20 is equipped.
It is explanatory drawing for demonstrating the liquid film | membrane after film thickness planarization process using the slit length adjustment mechanism which changes a slit length.
It is explanatory drawing for demonstrating the dry film | membrane after performing a drying process with respect to the liquid film shown in FIG.
It is a top view which shows schematic structure of the film-forming apparatus which concerns on 6th Embodiment of this invention.
It is a top view which shows the blowing port of the spraying part with which the film-forming apparatus shown in FIG. 24 is equipped.
It is sectional drawing which shows schematic structure of the spraying part with which the film-forming apparatus which concerns on 7th Embodiment of this invention is equipped.
It is explanatory drawing for demonstrating the liquid film | membrane after film thickness planarization process using the adjustment mechanism of a mechanical blocking plate in the outer peripheral part of a jet port.
It is a block diagram which shows schematic structure of the film-forming system concerning 8th Embodiment of this invention.
29 is a flowchart showing the flow of the film forming process performed by the film forming system shown in FIG. 28.

(제1 실시형태)(First embodiment)

본 발명의 제1 실시형태에 대해 도 1 내지 도 13을 참조하여 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION The 1st Embodiment of this invention is described with reference to FIGS.

도 1에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 성막 장치(1)는 도포 대상물로서의 웨이퍼(W)가 배치되는 스테이지(2)와, 그 스테이지(2)를 수평면 내에서 회전시키는 회전 기구(3)와, 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)에 재료를 도포하여 도포막(M)을 형성하는 도포부(4)와, 그 도포막(M)을 용해할 수 있는 용매 증기(증기화된 용매)를 생성하는 급기부(給氣部; 5)와, 그 용매 증기를 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)에 분무하는 분무부(6)와, 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)에 대해 도포부(4) 및 분무부(6)를 상대 이동시키는 이동 기구(7)와, 용매 증기를 배기하는 배기부(8)와, 각부를 제어하는 제어부(9)를 구비한다.As shown in FIG. 1, the film-forming apparatus 1 which concerns on 1st Embodiment of this invention makes the stage 2 in which the wafer W as a coating object arrange | position, and rotates the stage 2 in a horizontal plane. The rotating mechanism 3, the coating part 4 which apply | coats a material to the wafer W on the stage 2, and forms the coating film M, and the solvent vapor which can melt | dissolve the coating film M ( An air supply unit 5 for generating a vaporized solvent), a spray unit 6 for spraying the solvent vapor onto the coating film M on the wafer W, and a wafer on the stage 2 A moving mechanism 7 for relatively moving the application part 4 and the spray part 6 with respect to W), an exhaust part 8 for exhausting the solvent vapor, and a control part 9 for controlling the respective parts.

스테이지(2)는 원형상으로 형성되어 있고, 회전 기구(3)에 의해 수평면 내에서 회전 가능하게 구성된다. 이 스테이지(2)는 배치된 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착 기구를 구비하고, 그 흡착 기구에 의해 스테이지 상면에 웨이퍼(W)를 고정하여 유지한다. 이 흡착 기구로서는, 예컨대 에어 흡착 기구 등이 이용된다. 또한, 스테이지(2)는, 웨이퍼(W)를 지지하는 돌출 및 함몰 가능한 복수의 지지핀을 구비하고, 반송용의 로봇 아암 등이 웨이퍼(W)를 전달하는 경우, 이들 지지핀에 의해 웨이퍼(W)를 지지한다.The stage 2 is formed in circular shape, and is comprised by the rotating mechanism 3 so that rotation is possible in a horizontal plane. This stage 2 is equipped with the adsorption mechanism which adsorb | sucks the arrange | positioned wafer W, and the wafer W is fixed and hold | maintained on the stage upper surface by this adsorption mechanism. As this adsorption mechanism, an air adsorption mechanism etc. are used, for example. In addition, the stage 2 includes a plurality of protruding and recessable support pins that support the wafer W. When the robot arm or the like for conveying the wafer W transfers the wafer W, the stage 2 supports the wafer ( Support W).

회전 기구(3)는 스테이지(2)를 수평면 내에서 회전 가능하게 지지하고, 스테이지 중심을 회전 중심으로 하여 스테이지(2)를 모터 등의 구동원에 의해 수평면 내에서 회전시키는 기구이다. 이에 따라, 스테이지(2) 상에 배치된 웨이퍼(W)는 수평면 내에서 회전하게 된다.The rotation mechanism 3 is a mechanism which rotatably supports the stage 2 in a horizontal plane, and rotates the stage 2 in a horizontal plane by a drive source such as a motor with the stage center as the rotation center. As a result, the wafer W disposed on the stage 2 is rotated in the horizontal plane.

도포부(4)는 도포막(M)이 되는 재료를 토출하는 도포 노즐이다. 이 도포부(4)는 정해진 압력에 의해 선단부로부터 재료를 연속적으로 토출하여 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)에 도포한다. 이 도포부(4)에는, 재료를 저류하는 탱크(4a)가 튜브나 파이프 등의 공급관(4b)을 통해 접속된다. 이 공급관(4b)에는, 조정 밸브(4c)가 설치된다. 이 조정 밸브(4c)는 제어부(9)에 전기적으로 접속되어, 제어부(9)에 의한 제어에 따라 도포부(4)로부터의 재료의 토출량이 조정된다. The coating part 4 is a coating nozzle which discharges the material used as the coating film M. FIG. This application part 4 discharges material continuously from a front-end | tip part by predetermined pressure, and apply | coats to the wafer W on the stage 2. The tank 4a which stores a material is connected to this application | coating part 4 via supply pipe 4b, such as a tube and a pipe. An adjustment valve 4c is provided in this supply pipe 4b. This adjustment valve 4c is electrically connected to the control part 9, and the discharge amount of the material from the application part 4 is adjusted according to control by the control part 9. As shown in FIG.

급기부(5)는 용매 증기를 발생시키는 용매 증기 발생부(5a)와, 용매 증기 발생부(5a)와 분무부(6)를 연통(連通)시키는 반송관(5b)과, 발생시킨 용매 증기를 분무부(6)에 반송관(5b)을 통해 반송하기 위한 반송 기체를 용매 증기 발생부(5a)에 공급하는 반송 기체 공급부(5c)와, 용매 증기 발생부(5a)와 반송 기체 공급부(5c)를 연통시키는 공급관(5d)을 구비한다.The air supply unit 5 includes a solvent vapor generator 5a for generating solvent vapor, a carrier pipe 5b for communicating the solvent vapor generator 5a and the spray unit 6, and the generated solvent vapor. The carrier gas supply part 5c which supplies the conveyance gas for conveying to the spray part 6 through the conveyance pipe 5b to the solvent vapor generation part 5a, the solvent vapor generation part 5a, and the carrier gas supply part ( A supply pipe 5d for communicating 5c) is provided.

용매 증기 발생부(5a)는 용매를 저류하는 탱크(11)와, 용매 증기 발생용 히터(12)와, 탱크(11) 내의 용매 증기의 온도를 측정하는 온도 센서(13)를 구비한다. 히터(12) 및 온도 센서(13)는 제어부(9)에 전기적으로 접속되어 있고, 제어부(9)는 온도 센서(13)에 의해 측정된 온도에 기초하여, 탱크(11) 내의 용매를 증기화시키도록 히터(12)의 온도를 조정한다.The solvent vapor generating unit 5a includes a tank 11 for storing a solvent, a heater 12 for generating solvent vapor, and a temperature sensor 13 for measuring the temperature of the solvent vapor in the tank 11. The heater 12 and the temperature sensor 13 are electrically connected to the control unit 9, and the control unit 9 vaporizes the solvent in the tank 11 based on the temperature measured by the temperature sensor 13. The temperature of the heater 12 is adjusted.

반송관(5b)은 용매 증기 발생부(5a)와 분무부(6)를 접속하여, 용매 증기 발생부(5a)로부터 분무부(6)에 용매 증기를 반송하기 위한 반송 유로이다. 반송관(5b)으로서는, 예컨대 튜브나 파이프 등이 이용된다. 이 반송관(5b)에는, 열을 공급하는 히터(14)가 설치된다. 이 히터(14)로서는 시트형의 히터가 이용되고, 반송관(5b)의 외주면에 감겨져 있다. 히터(14)는 제어부(9)에 전기적으로 접속되어, 반송관(5b)의 온도가 용매의 이슬점 온도보다 높아지도록 제어부(9)에 의해 조정된다.The conveyance pipe 5b is a conveyance flow path for connecting the solvent vapor generating part 5a and the spraying part 6, and conveying solvent vapor from the solvent vapor generating part 5a to the spraying part 6. As the conveyance pipe 5b, a tube, a pipe, etc. are used, for example. The heater 14 which supplies heat is provided in this conveyance pipe 5b. As this heater 14, a sheet heater is wound around the outer circumferential surface of the conveying pipe 5b. The heater 14 is electrically connected to the control part 9, and is adjusted by the control part 9 so that the temperature of the conveyance pipe 5b may become higher than the dew point temperature of a solvent.

여기서, 반송관(5b)의 온도가 용매의 이슬점 온도보다 낮은 경우에는, 반송 기체 중의 증기화된 용매가 결로하여, 원하는 용매 증기량을 얻는 것이 곤란해지지만, 반송관(5b)의 온도는 히터(14)에 의해 조정되어, 반송관(5b) 내의 용매 증기가 결로하지 않는 온도 범위로 유지된다.Here, when the temperature of the conveying pipe 5b is lower than the dew point temperature of a solvent, the vaporized solvent in the conveying gas will condensate, and it will become difficult to obtain a desired amount of solvent vapor, but the temperature of the conveying pipe 5b is a heater ( It is adjusted by 14), and it is maintained in the temperature range which solvent vapor in the conveyance pipe 5b does not condense.

반송 기체 공급부(5c)는 반송 기체를 저류하여 용매 증기 발생부(5a)에 공급하는 공급부이다. 이 반송 기체에 의해, 용매 증기 발생부(5a)에서 발생한 용매 증기는 분무부(6)에 반송되어 분출된다. 반송 기체로서는, 예컨대 질소 등의 비활성 가스나 공기 등이 이용된다. The carrier gas supply part 5c is a supply part which stores a carrier gas and supplies it to the solvent vapor generation part 5a. By this conveyance gas, the solvent vapor which generate | occur | produced in the solvent vapor generation part 5a is conveyed to the spray part 6, and is ejected. As a carrier gas, inert gas, such as nitrogen, air, etc. are used, for example.

공급관(5d)은 반송 기체 공급부(5c)와 용매 증기 발생부(5a)를 접속하여, 반송 기체 공급부(5c)로부터 용매 증기 발생부(5a)에 반송 기체를 공급하기 위한 공급 유로이다. 공급관(5d)으로서는, 예컨대 튜브나 파이프 등이 이용된다. 이 공급관(5d)에는, 반송 기체의 유량을 조정하는 조정 밸브(15)가 설치된다. 이 조정 밸브(15)는 제어부(9)에 전기적으로 접속되어, 제어부(9)에 의한 제어에 따라 반송 기체 공급부(5c)로부터의 반송 기체의 유량이 조정된다.The supply pipe 5d is a supply flow path for connecting the carrier gas supply part 5c and the solvent vapor generator 5a to supply the carrier gas from the carrier gas supply part 5c to the solvent vapor generator 5a. As the supply pipe 5d, for example, a tube, a pipe, or the like is used. 5 d of supply pipes are provided with the adjustment valve 15 which adjusts the flow volume of carrier gas. This adjustment valve 15 is electrically connected to the control part 9, and the flow volume of the conveyance gas from the conveyance gas supply part 5c is adjusted by the control by the control part 9. As shown in FIG.

분무부(6)는 용매 증기 발생부(5a)로부터 반송관(5b)을 통해 반송된 용매 증기를 분출하는 분출 헤드이며 에어나이프형의 급기 유닛이다. 이 분무부(6)는 슬릿(가늘고 긴 간극)형의 분출구(H1)를 갖는 상자형으로 형성된다. 분무부(6)의 측면에는, 열을 공급하는 히터(16)가 설치된다. 이 히터(16)로서는 시트형의 히터가 이용되고, 분무부(6)의 외주면에 접착된다. 히터(16)는 제어부(9)에 전기적으로 접속되어, 분무부(6)의 온도가 용매의 이슬점 온도보다 높아지도록 제어부(9)에 의해 조정된다. The spray part 6 is a jet head which ejects the solvent vapor conveyed through the conveyance pipe 5b from the solvent vapor generation part 5a, and is an air knife type air supply unit. This spray part 6 is formed in the box shape which has the slit (elongate gap) type | mold jet port H1. The heater 16 which supplies heat is provided in the side surface of the spray part 6. As this heater 16, a sheet heater is used and adhered to the outer circumferential surface of the spray unit 6. The heater 16 is electrically connected to the control part 9 and adjusted by the control part 9 so that the temperature of the spray part 6 may become higher than the dew point temperature of a solvent.

여기서, 전술한 반송관(5b)과 마찬가지로, 분무부(6)의 온도가 용매의 이슬점 온도보다 낮은 경우에는, 반송 기체 중, 증기화된 용매의 결로에 의해 원하는 용매 증기량을 얻는 것이 곤란해지지만, 분무부(6)의 온도는 히터(16)에 의해 조정되어, 분무부(6) 내의 용매 증기의 결로가 이루어지지 않는 온도 범위로 유지된다.Here, similarly to the above-mentioned conveyance pipe 5b, when the temperature of the spraying part 6 is lower than the dew point temperature of a solvent, it will become difficult to obtain a desired amount of solvent vapor by the dew condensation of the vaporized solvent in a carrier gas. The temperature of the spray section 6 is adjusted by the heater 16 and maintained at a temperature range where no condensation of solvent vapor in the spray section 6 is achieved.

이동 기구(7)는, 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 도포부(4)를 지지하여 Z축 방향으로 이동시키는 Z축 이동 기구(7a)와, 분무부(6)를 지지하여 Z축 방향으로 이동시키는 Z축 이동 기구(7b)와, 이들 Z축 이동 기구(7a, 7b)를 X축 방향으로 각각 이동시키는 한 쌍의 X축 이동 기구(7c, 7d)를 구비한다. 각 Z축 이동 기구(7a, 7b) 및 한 쌍의 X축 이동 기구(7c, 7d)로서는, 예컨대 리니어 모터를 구동원으로 하는 리니어 모터 이동 기구나, 모터를 구동원으로 하는 이송 나사 이동 기구 등이 이용된다.As shown in Figs. 1 and 2, the moving mechanism 7 supports the Z-axis moving mechanism 7a for supporting the application unit 4 and moving in the Z-axis direction, and the spraying unit 6 to support Z. Z-axis moving mechanism 7b for moving in the axial direction, and a pair of X-axis moving mechanisms 7c and 7d for moving these Z-axis moving mechanisms 7a and 7b in the X-axis direction, respectively. As each Z-axis moving mechanism 7a, 7b and a pair of X-axis moving mechanisms 7c, 7d, the linear motor moving mechanism which uses a linear motor as a drive source, the feed screw moving mechanism which uses a motor as a drive source, etc. are used, for example. do.

한 쌍의 X축 이동 기구(7c, 7d)는 각 Z축 이동 기구(7a, 7b)를 통해 도포부(4) 및 분무부(6)를 각각 X축 방향으로 이동시키는 이동 기구이다. 예컨대, 도포부(4)는 X축 이동 기구(7d)에 의해 스테이지(2)의 중앙으로부터 외주를 향해 X축 방향으로 이동하고, 분무부(6)는 한 쌍의 X축 이동 기구(7c, 7d)에 의해 스테이지(2)의 전체면에 걸쳐 X축 방향으로 이동한다. The pair of X-axis moving mechanisms 7c and 7d are moving mechanisms for moving the application part 4 and the spraying part 6 in the X-axis direction, respectively, through the respective Z-axis moving mechanisms 7a and 7b. For example, the applicator 4 moves in the X-axis direction from the center of the stage 2 to the outer circumference by the 7-axis moving mechanism 7d, and the sprayer 6 moves the pair of X-axis moving mechanisms 7c, 7d) moves in the X-axis direction over the entire surface of the stage 2.

또, Z축 이동 기구(7b)에는, 반사형 레이저 거리 센서 등의 높이 센서(17)가 설치된다. 이 높이 센서(17)는 한 쌍의 X축 이동 기구(7c, 7d)에 의해 Z축 이동 기구(7b)와 함께 X축 방향으로 이동함으로써 웨이퍼(W)의 도포면의 기복이나 표면 거칠기 등을 측정한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 도포면의 높이 프로파일이 취득된다.Moreover, the height sensor 17, such as a reflective laser distance sensor, is provided in the Z-axis movement mechanism 7b. The height sensor 17 moves in the X-axis direction together with the Z-axis moving mechanism 7b by the pair of X-axis moving mechanisms 7c and 7d to measure the undulation and surface roughness of the coated surface of the wafer W, and the like. do. Thereby, the height profile of the application | coating surface of the wafer W is acquired.

배기부(8)는 스테이지(2)에 대향하지 않는 대기 위치에서 대기하는 분무부(6)로부터 분출된 용매 증기를 배기하는 배기 헤드이다. 이 배기부(8)는 정해진 흡인력에 의해 용매 증기를 연속적으로 흡인하여 배기한다. 배기부(8)에는, 정해진 흡인력을 발생시키는 펌프(8a)가 튜브나 파이프 등의 배기관(8b)을 통해 접속된다. 펌프(8a)는 제어부(9)에 전기적으로 접속되어, 제어부(9)에 의한 제어에 따라 구동한다.The exhaust section 8 is an exhaust head for exhausting the solvent vapor ejected from the spray section 6 waiting in the standby position not facing the stage 2. The exhaust section 8 continuously sucks and exhausts solvent vapor by a predetermined suction force. A pump 8a for generating a predetermined suction force is connected to the exhaust part 8 via an exhaust pipe 8b such as a tube or a pipe. The pump 8a is electrically connected to the control part 9, and is driven by the control by the control part 9.

제어부(9)는 각부를 집중적으로 제어하는 마이크로 컴퓨터와, 각종 프로그램이나 각종 정보 등을 기억하는 기억부를 구비한다. 기억부로서는, 메모리나 하드 디스크 드라이브(HDD) 등을 이용한다. 이 제어부(9)는 각종의 프로그램에 기초하여, 스테이지(2)의 회전이나 도포부(4)의 이동, 분무부(6)의 이동 등을 제어한다. 이에 따라, 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)와 도포부(4)의 상대 위치, 또한, 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)와 분무부(6)의 상대 위치를 다양하게 변화시킬 수 있다. The control part 9 is equipped with the microcomputer which centrally controls each part, and the memory | storage part which stores various programs, various information, etc. As the storage unit, a memory, a hard disk drive (HDD), or the like is used. This control part 9 controls rotation of the stage 2, the movement of the application part 4, the movement of the spray part 6, etc. based on various programs. Thereby, the relative position of the wafer W on the stage 2 and the application part 4, and the relative position of the wafer W and the spray part 6 on the stage 2 can be variously changed.

다음으로, 전술한 성막 장치(1)가 수행하는 성막 처리(성막 방법)에 대해 설명한다. 성막 장치(1)의 제어부(9)는 각종의 프로그램에 기초하여 성막 처리를 실행한다. 또, 웨이퍼(W)가 스테이지(2) 상에 흡착 고정된 상태에서 성막 처리가 수행된다. Next, the film-forming process (film-forming method) performed by the film-forming apparatus 1 mentioned above is demonstrated. The control unit 9 of the film forming apparatus 1 executes the film forming process based on various programs. Moreover, the film-forming process is performed in the state in which the wafer W was adsorbed and fixed on the stage 2.

도 3에 도시하는 바와 같이, 먼저, 갭 조정이 수행되고(단계 S1), 계속해서, 도포부(4)에 의한 도포가 수행된다(단계 S2). 그 후, 가건조가 수행되고(단계 S3), 분무부(6)에 의한 막두께 평탄화 처리가 수행되며(단계 S4), 처리가 종료된다. As shown in Fig. 3, first, gap adjustment is performed (step S1), and then application by the application section 4 is performed (step S2). After that, temporary drying is performed (step S3), the film thickness flattening process by the spraying section 6 is performed (step S4), and the processing is finished.

단계 S1의 갭 조정에서는, 높이 센서(17)가 한 쌍의 X축 이동 기구(7c, 7d)에 의해 Z축 이동 기구(7b)와 함께 X축 방향으로 이동하여, 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)의 도포면의 기복이나 표면 거칠기 등을 측정한다. 즉, 높이 프로파일이 취득되어, 제어부(9)의 기억부에 기억된다. 다음으로, 전술한 높이 프로파일이 이용되어, 도포부(4)와 웨이퍼(W)의 도포면 사이의 수직 방향의 거리(이하, 간단히 갭이라고 함)를 설정값에 맞추기 위해, 예컨대 평균값과 설정값의 차분이 구해져 보정량이 산출되고, 그 보정량만큼 도포부(4)가 Z축 이동 기구(7a)에 의해 Z축 방향으로 이동한다. 이렇게 하여, 도포부(4)와 웨이퍼(W)의 도포면 사이의 갭이 원하는 갭으로 조정된다. 또, 웨이퍼(W)마다 갭의 변동이 작은 경우에는, 갭 조정은 첫회만 수행되고, 그 후에는 생략된다.In the gap adjustment of step S1, the height sensor 17 is moved in the X-axis direction together with the Z-axis moving mechanism 7b by the pair of X-axis moving mechanisms 7c and 7d, so that the wafer on the stage 2 ( Measure the undulation and surface roughness of the coated surface of W). That is, the height profile is acquired and stored in the storage unit of the control unit 9. Next, the above-described height profile is used to adjust the distance in the vertical direction (hereinafter simply referred to as a gap) between the application portion 4 and the application surface of the wafer W to a set value, for example, to adjust the average value and the set value. The difference is determined to calculate the correction amount, and the coating portion 4 is moved in the Z-axis direction by the Z-axis moving mechanism 7a by the correction amount. In this way, the gap between the application part 4 and the application surface of the wafer W is adjusted to a desired gap. In addition, in the case where the variation in the gap is small for each wafer W, the gap adjustment is performed only once, and thereafter it is omitted.

단계 S2의 도포에서는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 스테이지(2)가 회전 기구(3)에 의해 회전하면서, 도포부(4)가 X축 이동 기구(7d)에 의해 Z축 이동 기구(7a)와 함께 X축 방향, 즉 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주를 향해 서서히 이동한다. 이때, 도포부(4)는 이동하면서 재료를 연속해서 웨이퍼(W)의 도포면에 토출하고, 또한 주속도(周速度)에 맞춰 토출량을 제어함으로써, 그 도포면 상에 소용돌이형의 패턴으로 재료를 도포한다(스파이럴 도포). 이에 따라, 웨이퍼(W)의 도포면 상에 도포막(M)이 형성된다. In the application | coating of step S2, as shown in FIG. 4, while the stage 2 rotates by the rotation mechanism 3, the application | coating part 4 moves by the X-axis movement mechanism 7d by the Z-axis movement mechanism 7a. ) Gradually moves toward the outer circumference from the X-axis direction, that is, from the center of the wafer W. At this time, the coating portion 4 continuously discharges the material onto the coated surface of the wafer W while moving, and controls the discharge amount according to the main speed, thereby applying the material in a spiral pattern on the coated surface. (Spiral application). Thereby, the coating film M is formed on the coating surface of the wafer W. As shown in FIG.

또, 도포부(4)로서 도포 노즐이 이용되고 있으나, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 도 5에 도시하는 바와 같이, 재료를 복수의 액적으로서 분사하는 잉크젯 헤드 등의 분사 헤드(4A)가 이용될 수도 있다. 이 분사 헤드(4A)는 X축 방향에 더하여, Y축 방향으로도 이동 가능하게 형성된다. 이에 따라, 분사 헤드(4A)와 웨이퍼(W)의 상대 위치가 변경되면서, 분사 헤드(4A)로부터 복수의 액적이 분사되어 웨이퍼(W)의 도포면 상에 도포된다(도트 도포). 이때의 분사량, 도포 피치 및 액적량이 최적화되고, 웨이퍼(W) 상의 각 액적이 이어져, 웨이퍼(W)의 도포면 상에 재료에 의한 도포막(M)이 형성된다. 또한, 이 잉크젯 헤드 등의 분사 헤드(4A)를 이용한 경우에는, 스테이지(2)가 회전 기구(3)에 의해 회전하면서 분사를 수행함으로써, 효율적으로 도포할 수도 있다. Moreover, although the application nozzle is used as the application part 4, it is not limited to this, For example, as shown in FIG. 5, 4 A of injection heads, such as an inkjet head which injects material as a some droplet, are used. May be This injection head 4A is formed to be movable in the Y-axis direction in addition to the X-axis direction. Thereby, while the relative position of 4 A of injection heads and the wafer W is changed, several droplets are ejected from 4 A of injection heads, and are apply | coated on the application surface of the wafer W (dot coating). At this time, the injection amount, the coating pitch, and the droplet amount are optimized, and each droplet on the wafer W is connected to form a coating film M made of a material on the application surface of the wafer W. FIG. In addition, when 4A of injection heads, such as an inkjet head, are used, it can apply | coat efficiently by performing injection, rotating the stage 2 by the rotating mechanism 3. As shown in FIG.

단계 S3의 가건조에서는, 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)의 유동성을 억제하기 위해, 스테이지(2)가 정해진 속도로 정해진 시간 회전하여, 도포막(M)의 건조가 촉진된다. 특히, 도포막(M)의 외측 가장자리 부분의 건조가 촉진되어, 도포막(M)의 확대가 억제된다. 또, 도포막(M)의 유동성이 문제가 되지 않는 경우에는, 가건조를 생략할 수도 있다. 이러한 가건조를 웨이퍼(W)에 재료를 도포한 후에 제공함으로써, 그 건조 공정에서 도포막(M)이 어느 정도 건조하여 도포막(M)의 유동성이 억제되기 때문에, 그 후에 실시되는 막두께 평탄화 처리에서 웨이퍼(W)의 도포막(M)의 둘레 가장자리부에 발생하는 막 형상의 변화를 억제할 수 있다.In the temporary drying of step S3, in order to suppress the fluidity | liquidity of the coating film M on the wafer W, the stage 2 is rotated at a predetermined speed for a predetermined time, and drying of the coating film M is accelerated. In particular, drying of the outer edge part of the coating film M is accelerated | stimulated, and expansion of the coating film M is suppressed. In addition, when the fluidity | liquidity of the coating film M does not become a problem, temporary drying can also be abbreviate | omitted. By providing such temporary drying after applying the material to the wafer W, the coating film M is dried to some extent in the drying step and the fluidity of the coating film M is suppressed. The change of the film shape which arises in the peripheral part of the coating film M of the wafer W in a process can be suppressed.

단계 S4의 막두께 평탄화 처리에서는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 분무부(6)가 한 쌍의 X축 이동 기구(7c, 7d)에 의해 Z축 이동 기구(7b)와 함께 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)의 전체면에 걸쳐 X축 방향으로 이동한다. 이때, 분무부(6)는 X축 방향으로 이동하면서 용매 증기를 연속해서 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)에 분무하여, 그 도포막(M)의 표층을 용해시킨다. 또, 제어부(9)는 용매 증기의 분무량(공급량)을 도포막(M)의 표층의 점도를 저하시키는 양이 하도록 제어한다. 이 용매 증기의 분무량의 조정은, 반송 기체의 유량을 조정 밸브(15)에 의해 조정하거나, 용매 증기 발생부(5a)의 온도 설정을 변경하거나, 또는 그 양쪽을 함으로써 이루어진다. 또한, 제어부(9)에 의해 회전 기구(3)의 회전수를 제어함으로써도 분무량을 조정할 수 있다. 또, 도포막(M)에 있어서 점도를 저하시키는 개소는 표층뿐만 아니라, 표층 부근이나 표층만으로 할 수도 있다. 또한, 도포막(M)의 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도를 표층측의 점도보다 낮아지지 않도록 제어한다.In the film thickness flattening process of step S4, as shown in FIG. 6, the spray part 6 uses the pair of X-axis movement mechanisms 7c and 7d with the Z-axis movement mechanism 7b, and the stage 2 is carried out. It moves in the X-axis direction over the whole surface of the wafer W of the image. At this time, the spray part 6 sprays solvent vapor continuously on the coating film M on the wafer W, moving in the X-axis direction, and dissolves the surface layer of the coating film M. FIG. Moreover, the control part 9 controls so that the spray amount (supply amount) of solvent vapor may be set to the amount which reduces the viscosity of the surface layer of the coating film M. FIG. Adjustment of the spray amount of this solvent vapor is performed by adjusting the flow volume of carrier gas with the adjustment valve 15, changing the temperature setting of the solvent vapor generation part 5a, or both. Moreover, the spray amount can also be adjusted by controlling the rotation speed of the rotating mechanism 3 by the control part 9. In addition, the location which reduces a viscosity in coating film M can be made into not only a surface layer but only a surface layer vicinity and a surface layer. Moreover, it controls so that the viscosity of the wafer W side (stage side) of the coating film M may not become lower than the viscosity of the surface layer side.

이러한 막두께 평탄화 처리 전에는, 스파이럴 도포나 도트 도포에 의한 도포 피치 불균일(Ma)이나, 건조 시에 발생하는 크라운(Mb)이 도포막(M)에 존재하나, 막두께 평탄화 처리에 있어서, 용매 증기가 분무부(6)에 의해 웨이퍼(W)에 분무되면, 도포막(M)의 표층의 점도가 저하되고, 도포 피치 불균일(Ma)이나 크라운(Mb)이 억제되어 작아져, 도포막(M)의 변동이 감소한다. 즉, 스파이럴 도포나 도트 도포에 의해 막두께 균일성이 저하되지만, 막두께 평탄화 처리에 의해 도포막(M)의 변동이 작아지기 때문에, 스핀 코트와 같은 정도 또는 그 이상의 막두께 균일성을 얻을 수 있다.Prior to such a film thickness flattening treatment, the coating pitch unevenness Ma by spiral coating or dot coating and the crown Mb generated during drying are present in the coating film M, but in the film thickness flattening treatment, solvent vapor Is sprayed onto the wafer W by the sprayer 6, the viscosity of the surface layer of the coating film M decreases, the coating pitch unevenness Ma and the crown Mb are suppressed, and the coating film M becomes small. ) Fluctuations are reduced. That is, the film thickness uniformity decreases by spiral coating or dot coating, but since the variation of the coating film M is reduced by the film thickness flattening treatment, it is possible to obtain a film thickness uniformity equal to or higher than that of spin coating. have.

따라서, 스파이럴 도포나 도트 도포 등의 스핀 코트 이외의 도포 방법을 이용하는 것이 가능하고, 그 도포 방법을 이용함으로써, 스핀 코트에 비해, 웨이퍼(W)의 도포면의 정해진 영역에만 재료를 도포할 수 있다. 이에 따라, 재료가 웨이퍼(W)의 사이드나 이면으로 비산, 또는 미스트화되어 돌아 들어간 재료가 부착되는 일이 없어지고, 또한, 도포 공정 후에 엣지 커트 및 백 린스라고 불리는 공정이 필요 없게 되며, 또한, 컵을 정기적으로 교환할 필요도 없어진다. 이와 같이, 막두께 균일성을 유지하면서, 재료 이용 효율의 향상, 환경 부하의 저감 및 가동률 저하의 억제를 실현할 수 있다.Therefore, it is possible to use a coating method other than spin coating such as spiral coating or dot coating, and by using the coating method, the material can be applied only to a predetermined region of the coated surface of the wafer W as compared with the spin coating. As a result, the material is not scattered or misted to the side or back side of the wafer W, and no material is attached to it, and a process called edge cut and back rinse is unnecessary after the coating step. This eliminates the need for regular cup changes. In this way, it is possible to realize the improvement of the material utilization efficiency, the reduction of the environmental load, and the suppression of the operation rate while maintaining the film thickness uniformity.

여기서, 도 7에 도시하는 바와 같이, 도포 피치 불균일(Ma)이 존재하는 경우에는, 평탄화 시간(T)은 T∝μλ4/σh3(μ: 점도, λ: 파장, σ: 표면 장력, h: 평균 두께)과 같은 관계를 가지며, 재료의 점도(μ)와 비례 관계에 있다. 따라서, 용매 증기를 도포막(M)의 표면에 분무함으로써, 도포막(M)의 표층이 용해되어 점도가 저하되면, 평탄화 시간(T)이 단축되고, 도포막(M)의 평탄화가 촉진된다. 특히, 도포되는 재료의 표면 장력(σ)이 높은 경우라도, 도포막(M)의 표면에 용매 증기를 분무함으로써, 그 표면의 점도를 저하시켜 도포막(M)의 평탄화를 촉진하는 것이 가능하다.Here, as shown in FIG. 7, when the application pitch unevenness Ma exists, the planarization time T is T∝μλ 4 / σh 3 (μ: viscosity, λ: wavelength, σ: surface tension, h : Average thickness) and proportional to the viscosity (μ) of the material. Therefore, when spraying solvent vapor on the surface of the coating film M, when the surface layer of the coating film M melt | dissolves and a viscosity falls, planarization time T is shortened and planarization of the coating film M is accelerated. . In particular, even when the surface tension (σ) of the material to be applied is high, it is possible to spray the solvent vapor on the surface of the coating film M to lower the viscosity of the surface and to promote the flattening of the coating film M. .

또, 전술한 막두께 평탄화 처리를 수행하는 경우에는, 분무부(6)와 웨이퍼(W)를 한 쌍의 X축 이동 기구(7c, 7d)에 의해 직선적으로 상대 이동시킴과 동시에, 스테이지(2)를 회전시키는 제어가 수행될 수도 있다. 이 경우에는, 점도가 저하된 도포막(M)의 표층이 원심력에 의해 평탄해지기 쉬워지기 때문에, 평탄화 시간이 단축되고, 또한 평탄화 효과가 촉진된다. In addition, when performing the above-mentioned film thickness planarization process, the spray part 6 and the wafer W are linearly moved relative to each other by a pair of X-axis moving mechanisms 7c and 7d, and the stage 2 Control may be performed. In this case, since the surface layer of the coating film M with which the viscosity fell is easy to be flattened by centrifugal force, planarization time is shortened and a planarization effect is accelerated.

여기서, 분무부(6)는 전술한 막두께 평탄화 처리를 실행하지 않는 경우, 스테이지(2)에 대향하지 않는 대기 위치에서 대기한다. 이 대기 위치에 대기하는 분무부(6)로부터 분출된 용매 증기는 배기부(8)에 의해 배기된다. 또, 분무부(6)는 여기서는 항상 용매 증기를 분출하도록 제어된다. 이와 같이 용매 증기를 항상 각부에 흐르게 하는 제어를 수행함으로써, 용매 증기의 온도 안정화와 용매 증기량의 안정화를 실현할 수 있다.Here, the spray part 6 waits in the standby position which does not oppose the stage 2, when the above-mentioned film thickness planarization process is not performed. The solvent vapor blown out from the spray section 6 waiting at this standby position is exhausted by the exhaust section 8. In addition, the spray part 6 is controlled to always eject solvent vapor here. Thus, by performing control which always flows solvent vapor into each part, temperature stabilization of solvent vapor and stabilization of the amount of solvent vapor can be implement | achieved.

여기서, 단계 S4의 막두께 평탄화 처리에 대해, 도 8 내지 도 12를 사용하여 더 상세히 설명한다. 목적으로 하는 도포막(M)의 형상은, 용매 증기를 공급해서, 평탄화 후의 후술하는 건조(베이킹) 후에, 원기둥형의 박막으로 되는 것이 바람직하다. Here, the film thickness flattening process of step S4 will be described in more detail with reference to FIGS. 8 to 12. It is preferable that the shape of the coating film M made into the objective becomes a cylindrical thin film after supplying solvent vapor | steam and drying (baking) mentioned later after planarization.

먼저, 도포부(4)는 이동하면서 재료를 연속해서 웨이퍼(W)의 도포면에 토출하여, 그 도포면 상에 소용돌이형의 패턴을 도포한다(스파이럴 도포). 이때의 액막을 도 8에 도시한다. 다음으로, 막두께 평탄화 처리를 실시한 경우, 도 9에 도시하는 액막의 점도 분포가 된다. 여기서는, 액막의 표층 점도가 용매 증기에 의해 저점도화되어, 도포 시에 형성되는 표면의 요철이 완화된다. 이것을 건조(베이킹) 후 건조막(Ma)으로 한 상태를 도 10에 도시한다. 여기서는, 건조 중인 액이 둘레 가장자리부로 유동하는 것에 의해, 둘레 가장자리부에 돌기(ΔL1)(소위 크라운)가 발생한다. 한편, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 부분에는 도포 시의 요철에 기인한 막두께 변동(ΔS1)이 존재한다. 여기서 ΔL1은 평균 막두께로부터 돌기 최고부와의 거리이고, ΔS1은 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 요철의 레인지이다. First, the application part 4 discharges a material continuously to the application | coating surface of the wafer W, moving, and apply | coats a vortex pattern on the application | coating surface (spiral application | coating). The liquid film at this time is shown in FIG. Next, when the film thickness flattening treatment is performed, the viscosity distribution of the liquid film shown in FIG. 9 is obtained. Here, the surface layer viscosity of the liquid film is lowered by the solvent vapor, and the unevenness of the surface formed at the time of coating is alleviated. The state which made it the dry film Ma after drying (baking) is shown in FIG. Here, the protrusion ΔL1 (the so-called crown) is generated in the peripheral edge part by flowing the drying liquid to the peripheral edge part. On the other hand, the film thickness fluctuation (DELTA) S1 resulting from the unevenness | corrugation at the time of application | coating exists in parts other than a peripheral edge part (inner side of a peripheral edge part). (DELTA) L1 is distance from an average film thickness with a protrusion top part, (DELTA) S1 is a range of the unevenness | corrugation other than a peripheral edge part (inner side of a peripheral edge part).

또, 도 9는 점도 분포의 개요를 설명하는 도면이고, 점도가 낮은 부분과 점도가 높은 부분을 단순화하여 도시하고 있다.9 is a figure explaining the outline | summary of a viscosity distribution, Comprising: The part with low viscosity and the part with high viscosity are simplified and shown.

여기서, 표층이란 표면의 층이며, 요철의 부분이 있는 개소이다. 이 표층을 저점도화하는 것이 최저한 필요하다.Here, a surface layer is a layer of a surface, and is a location with a part of unevenness. It is necessary to make this surface layer low viscosity minimum.

일반적으로, ΔL1과 ΔS1은 트레이드오프 관계에 있다. 즉, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 평탄도를 더 향상시키기 위해서는, 전체적으로 용매 증기량을 증가시키면 된다. 그러나, 용매 증기량을 증가시키면, 둘레 가장자리부의 돌기의 높이가 증대해 버린다. 도 11에 도시하는 바와 같이, 액막의 점도가 대폭 저하(매우 낮음)되어, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 평탄성은 좋으나 둘레 가장자리부의 형상이 둥그스름해져 완만하게 변화해 버린다. 이 상태에서 건조(베이킹)를 실시하면, 액의 유동성이 좋기 때문에 고형분이 둘레 가장자리부로 흘러 들어가 거기서 건조해 버린다. 그러면, 도 12와 같이 둘레 가장자리부의 돌기가 높은 형상의 건조막(Ma)이 되어 버린다(ΔS2＜ΔS1, ΔL2＞ΔL1).In general, ΔL1 and ΔS1 are in a tradeoff relationship. That is, in order to further improve the flatness other than the circumferential edge (inside the circumferential edge), the amount of solvent vapor may be increased as a whole. However, if the amount of solvent vapor is increased, the height of the projection of the peripheral edge portion increases. As shown in Fig. 11, the viscosity of the liquid film is greatly reduced (very low), and the flatness of the peripheral edge portion (inside the edge portion) is good, but the shape of the peripheral edge portion is rounded and changes smoothly. When drying (baking) is carried out in this state, since the fluidity of the liquid is good, the solid content flows into the circumferential edge and is dried there. Then, as shown in FIG. 12, the protrusion of a peripheral part becomes a high shape dry film Ma ((DELTA) S2 <(DELTA) S1, (DELTA) L2> (DELTA) L1).

둘레 가장자리부란, 웨이퍼(W)의 도포막(M)의 건조 시에 발생하는 막 형상의 변화가 나타나는 부분이고, ΔL1이 발생하는 부분을 위에서 본 부분이다.The peripheral edge part is a part where the change of the film shape which arises at the time of drying of the coating film M of the wafer W is shown, and the part which (DELTA) L1 generate | occur | produces was seen from the top.

ΔL1∼ΔL3가 발생하는 부분의 폭은 도포막(M)의 둘레 가장자리부로부터 2 ㎚ 정도이지만, 도포 재료, 용매 등에 따라 상이하다.Although the width | variety of the part in which (DELTA) L1-(DELTA) L3 generate | occur | produces is about 2 nm from the peripheral edge part of the coating film M, it changes with a coating material, a solvent, etc.

즉, 용매 증기량을 증가하여, 도포막(M)의 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도를 낮게 하면, 둘레 가장자리부의 돌기가 높아져 버려, 평탄화를 할 수 없다.That is, when the amount of solvent vapor is increased and the viscosity of the coating film M is lowered on the wafer W side (stage side), the projection of the peripheral edge portion becomes high, and flattening cannot be performed.

그래서, 용매 증기의 분무량(공급량)을 도포막(M)의 표층의 점도를 저하시키는 양이 되도록 제어한다.Therefore, the spray amount (supply amount) of solvent vapor is controlled so that it may become an amount which reduces the viscosity of the surface layer of the coating film M. FIG.

여기서는, 도포막(M)의 점도 분포를 변경하는 것이 중요하다. 예컨대, 도포막(M)의 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도를 표층측의 점도보다 낮아지지 않도록 제어함으로써, 둘레 가장자리부의 돌기가 높아지는 것을 방지할 수 있다. 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도는 가능한 한 유지해 두고, 표층측의 점도를 낮게 함으로써, 돌기를 억제하여 평탄화를 실현할 수 있다.It is important to change the viscosity distribution of the coating film M here. For example, by controlling the viscosity of the coating film M on the wafer W side (stage side) so as not to be lower than the viscosity on the surface layer side, it is possible to prevent the protrusion of the peripheral edge portion from increasing. By maintaining the viscosity at the wafer W side (stage side) as much as possible and lowering the viscosity at the surface layer side, projections can be suppressed and planarization can be realized.

또, 전술한 바와 같이, 용매 증기의 분무량의 조정은, 반송 기체의 유량을 조정 밸브(15)에 의해 조정하거나, 용매 증기 발생부(5a)의 온도 설정을 변경하거나, 또는 그 양쪽을 함으로써 이루어진다. 또한, 제어부(9)에 의해 회전 기구(3)의 회전수를 제어함으로써도 분무량을 조정할 수 있다.Moreover, as mentioned above, adjustment of the spray amount of solvent vapor is performed by adjusting the flow volume of carrier gas with the adjustment valve 15, changing the temperature setting of the solvent vapor generation part 5a, or both. . Moreover, the spray amount can also be adjusted by controlling the rotation speed of the rotating mechanism 3 by the control part 9.

여기서, 용매 증기의 분무에 의해 도포막(M)의 표층측의 점도를 저하시키는 경우, 표면으로부터 도포막(M)의 두께의 60%까지의 점도를 저하시킴으로써, 둘레 가장자리부의 돌기가 높아지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 표면으로부터 도포막(M)의 두께의 30%까지의 점도를 저하시키는 것이 가장 바람직하다.Here, when the viscosity of the surface layer side of the coating film M is reduced by spraying of solvent vapor, the protrusion of a peripheral edge part is prevented by reducing the viscosity to 60% of the thickness of the coating film M from the surface. can do. Moreover, it is most preferable to reduce the viscosity to 30% of the thickness of the coating film M from the surface.

또한, 용매 증기를 분무하여 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)의 점도 분포를 변경함으로써, 웨이퍼(W)에 발생하는 막 형상의 변화를 억제할 수 있다. 예컨대, 도포막(M)의 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 점도를 저하시킴으로써, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 발생하는 막 형상의 변화를 억제할 수 있다. In addition, by changing the viscosity distribution of the coating film M on the wafer W by spraying the solvent vapor, it is possible to suppress the change in the film shape occurring on the wafer W. FIG. For example, the change of the film shape which arises in the peripheral edge part of the wafer W can be suppressed by reducing the viscosity of other than the peripheral edge part of the coating film M (inner side of the peripheral edge part).

둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 점도를 저하시키기 위해서는 제어부(9)에 의해 정해진 영역에만 용매 증기를 분무하는 제어를 수행한다.In order to reduce the viscosity other than the circumferential edge (inside the circumferential edge), control is performed to spray the solvent vapor only in the region defined by the controller 9.

또한, 도포부로서 스파이럴 도포를 이용한 경우, 평탄화에 대하여, 다른 도포 방법에 비해 이점이 있다. 즉, 스파이럴 도포에 의한 막면의 요철 패턴은 회전 방향으로 근사적으로 대칭이다(어떤 반경에서 단면을 취해도 요철의 진폭과 피치가 동등함). 따라서, 막두께 평탄화 처리 시의 조건이 동일 조건이어도, 다른 도포 방법에 비해, 막두께 평탄화 처리에 의해 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)의 전체면을 보다 균일화하는 것이 가능하다. Moreover, when spiral coating is used as an application part, there exists an advantage compared with other coating methods about planarization. That is, the uneven | corrugated pattern of the membrane surface by spiral application | coating is approximately symmetric in a rotation direction (the amplitude and pitch of unevenness | corrugation are equal even if a cross section is taken in any radius). Therefore, even if the conditions at the time of a film thickness planarization process are the same conditions, compared with another coating method, it is possible to make uniform the whole surface of the coating film M on the wafer W by the film thickness planarization process.

또, 디스펜서 등에 의해 직선형으로 한 번에 도포한 경우에는, 회전 방향으로 대칭이 아니다. 그래서, 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)의 전체면을 균일화하기 위해서는, 국소적으로 용매 공급량 등의 조건을 변경할 필요가 있다. 따라서, 스파이럴 도포를 이용하면, 보다 평탄화의 효과가 상승하여, 스핀 코트와 같은 정도의 막두께 균일성을 얻을 수 있다.Moreover, when apply | coating linearly at once by a dispenser etc., it is not symmetrical in a rotation direction. Therefore, in order to make the whole surface of the coating film M on the wafer W uniform, it is necessary to change conditions, such as solvent supply amount locally. Therefore, when spiral coating is used, the effect of planarization is raised more, and the film thickness uniformity similar to a spin coat can be obtained.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시형태에 따르면, 용매 증기를 생성하여 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)에 분무함으로써, 도포막(M)의 표층의 점도가 저하되고, 스파이럴 도포나 도트 도포에 의한 도포 피치 불균일(Ma)이나 크라운(Mb)이 작아져, 도포막(M)의 변동이 작아지기 때문에, 스파이럴 도포나 도트 도포 등의 스핀 코트 이외의 도포 방법을 이용한 경우라도, 막두께 균일성을 유지할 수 있다. 그 결과, 스파이럴 도포나 도트 도포 등의 도포 방법을 이용하는 것이 가능하기 때문에, 스핀 코트에 비해, 웨이퍼(W)의 도포면의 정해진 영역에만 재료를 도포할 수 있고, 웨이퍼(W)의 사이드나 이면으로 비산, 또는 미스트화되어 돌아 들어간 재료가 부착되는 일이 없어지며, 또한 도포 공정 후에 엣지 커트 및 백 린스라고 불리는 공정이 필요 없게 되고, 또한 컵을 정기적으로 교환할 필요도 없어진다. 따라서, 막두께 균일성을 유지하면서, 재료 이용 효율의 향상, 환경 부하의 저감 및 가동률 저하의 억제를 실현할 수 있다.As described above, according to the first embodiment of the present invention, by generating solvent vapor and spraying the coating film M on the wafer W, the viscosity of the surface layer of the coating film M is lowered, so that the spiral coating Since the coating pitch unevenness Ma and crown Mb by dot coating become small, and the fluctuation | variation of the coating film M becomes small, even if it uses the coating methods other than spin coating, such as spiral coating and dot coating, Thickness uniformity can be maintained. As a result, since it is possible to use a coating method such as spiral coating or dot coating, the material can be applied only to a predetermined region of the application surface of the wafer W, compared to the spin coat, and to the side or the rear surface of the wafer W. No scattering, no misting, and no returning material adheres, and there is no need for a process called edge cut and back rinse after the coating step, and no need to change the cup regularly. Therefore, the improvement of material utilization efficiency, the reduction of environmental load, and the suppression of a fall of operation rate can be implement | achieved, maintaining film thickness uniformity.

또한, 용매 증기의 분무량을 도포막(M)의 표층의 점도를 저하시키는 양이 되도록 조정함으로써, 도포막(M)의 표층의 점도가 내려가고, 그 후에 도포막(M)이 건조하는 건조 시간을 단축하는 것이 가능하기 때문에, 제조 시간을 단축할 수 있다. Moreover, by adjusting the spray amount of solvent vapor so that it may become an amount which reduces the viscosity of the surface layer of the coating film M, the drying time when the viscosity of the surface layer of the coating film M falls, and the coating film M dries thereafter. Since it is possible to shorten, the manufacturing time can be shortened.

또한, 도포막(M)의 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도를 표층측의 점도보다 낮아지지 않도록 제어함으로써, 둘레 가장자리부의 돌기가 높아지는 것을 방지할 수 있다.In addition, by controlling the viscosity of the wafer W side (stage side) of the coating film M not to be lower than the viscosity of the surface layer side, it is possible to prevent the protrusion of the peripheral edge portion from increasing.

또한, 용매 증기를 분무하여 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)의 점도 분포를 변경함으로써, 웨이퍼(W)에 발생하는 막 형상의 변화를 억제할 수 있다. 예컨대, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 점도를 저하시킴으로써, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 발생하는 막 형상의 변화를 억제할 수 있다.In addition, by changing the viscosity distribution of the coating film M on the wafer W by spraying the solvent vapor, it is possible to suppress the change in the film shape occurring on the wafer W. FIG. For example, by decreasing the viscosity of the peripheral edge portion other than the peripheral edge portion (inside the peripheral edge portion), it is possible to suppress the change in the film shape occurring at the peripheral edge portion of the wafer W.

둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 점도를 저하시키기 위해서는 제어부(9)에 의해 정해진 영역에만 용매 증기를 분무하는 제어를 수행한다.In order to reduce the viscosity other than the circumferential edge (inside the circumferential edge), control is performed to spray the solvent vapor only in the region defined by the controller 9.

또한, 웨이퍼(W)를 수평면 내에서 회전시키면서 그 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)에 용매 증기를 분무함으로써, 용매 증기에 의한 점도 저하에 더하여, 회전에 의한 원심력에 의해 도포막(M)의 변동이 보다 작아지기 때문에, 도포막(M)의 막두께 균일성을 향상시킬 수 있다. Further, by spraying the solvent vapor on the coating film M on the wafer W while rotating the wafer W in the horizontal plane, the coating film M is caused by the centrifugal force by the rotation in addition to the viscosity decrease by the solvent vapor. Since the variation of is smaller, the film thickness uniformity of the coating film M can be improved.

또한, 가건조로 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)을 건조시킴으로써, 그 건조 공정에서 도포막(M)이 어느 정도 건조하여 도포막(M)의 유동성이 억제되기 때문에, 그 후에 실시되는 막두께 평탄화 처리에서 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 발생하는 막 형상의 변화를 억제할 수 있다.In addition, by drying the coating film M on the wafer W by temporary drying, since the coating film M is dried to some extent in the drying process and the fluidity of the coating film M is suppressed, the film thickness performed after that is In the planarization process, a change in the film shape occurring at the peripheral edge portion of the wafer W can be suppressed.

여기서, 전술한 가건조에서의 건조 수단으로서는, 건조부로서의 회전 기구(3)로 웨이퍼(W)를 회전시키나, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 분무 기구로 웨이퍼(W)에 질소 등의 건조용 기체를 분무할 수도 있고, 또는, 베이킹로(baking furnace)에서 웨이퍼(W)를 가열할 수도 있으며, 스테이지(2)에 가열 수단을 설치하여 웨이퍼(W)를 가열할 수도 있고, 도포부(4)와 스테이지(2)의 회전축으로부터의 거리가 동등한 위치에 건조용 급기 헤드 또는 건조용 램프를 설치할 수도 있다.Here, as the drying means in the temporary drying described above, the wafer W is rotated by the rotary mechanism 3 as a drying unit, but is not limited thereto. For example, a spraying mechanism is used for drying nitrogen or the like on the wafer W. Gas may be sprayed, or the wafer W may be heated in a baking furnace, a heating means may be provided in the stage 2 to heat the wafer W, and the coating unit 4 may be heated. ) And a drying air supply head or a drying lamp may be provided at a position where the distance from the rotating shaft of the stage 2 is equal.

또한, 도 13에 도시하는 바와 같이, 균일한 배기가 가능한 배기 유닛(21)을 이용할 수도 있다. 이 배기 유닛(21)은 스테이지(2)를 덮는 케이스(22)와, 그 케이스(22) 내에 설치된 분산판(23)으로 구성된다. 이 분산판(23)은 공기가 통과하는 복수의 관통 구멍(23a)을 가지므로, 배기를 균일화한다. 또, 케이스(22)의 상부가 공장 배기계에 접속되고, 공기는 케이스(22)의 하방으로부터 상방으로 분산판(23)을 통과해서 흘러, 케이스(22)의 상부로부터 배기된다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)을 균일하게 건조시킬 수 있다.In addition, as shown in FIG. 13, the exhaust unit 21 which can perform uniform exhaust_gas can also be used. The exhaust unit 21 is composed of a case 22 covering the stage 2 and a dispersion plate 23 provided in the case 22. Since this dispersion plate 23 has a plurality of through holes 23a through which air passes, the exhaust plate is made uniform. Moreover, the upper part of the case 22 is connected to a factory exhaust system, and air flows through the distribution plate 23 from below the case 22 upwards, and is exhausted from the upper part of the case 22. As shown in FIG. Thereby, the coating film M on the wafer W can be dried uniformly.

(제2 실시형태)(Second Embodiment)

본 발명의 제2 실시형태에 대해 도 14 내지 도 16을 참조하여 설명한다.A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 to 16.

본 발명의 제2 실시형태는 제1 실시형태의 변형이다. 따라서, 특히, 제1 실시형태와 상이한 부분, 즉 분무부(6)에 대해 설명한다. 또, 제2 실시형태에서는 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일한 부분의 설명을 생략한다.The second embodiment of the present invention is a modification of the first embodiment. Therefore, especially the part different from 1st Embodiment, ie, the spray part 6, is demonstrated. In addition, in 2nd Embodiment, description of the part same as the part demonstrated in 1st Embodiment is abbreviate | omitted.

도 14 내지 도 16에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 분무부(6)는 에어나이프형의 급배기(給排氣) 유닛이고, 직육면체 형상의 케이스(31)와, 급기부(5)에 의해 공급된 용매 증기를 분출하는 분출구(H1)와, 그 분출구(H1) 주위에 형성되고 분출구(H1)로부터 분출된 잉여분의 용매 증기를 배기하는 배기구(H2)를 갖는다.As shown in FIGS. 14-16, the spray part 6 which concerns on 2nd Embodiment of this invention is an air knife type | mold exhaust / exhaust unit, and the case 31 of a rectangular parallelepiped shape, and The jet port H1 which blows off the solvent vapor supplied by the base 5 and the exhaust port H2 which are formed around the jet port H1 and exhaust the excess solvent vapor blown off from the jet port H1 are provided.

케이스(31)는 3개의 블록체(31a, 31b, 31c)가 조합되어 직육면체 형상으로 형성된다. 각 블록체(31a, 31b, 31c)는 볼트 등의 체결 부재에 의해 고정된다.The case 31 is formed in a rectangular parallelepiped by combining three block bodies 31a, 31b, and 31c. Each block body 31a, 31b, 31c is fixed by fastening members, such as a bolt.

분출구(H1)는 케이스(31)의 하면(도 15 및 도 16 중)에 슬릿(가늘고 긴 간극)형으로 형성되고, 케이스(31)의 측면에 원형 형상으로 형성된 두 개의 유입구(H3)에 분출 유로(F1)를 통해 접속된다. 이 분출 유로(F1)는 용매 증기가 흐르는 방향에 대해 수직 방향으로 긴 슬릿형으로 형성되고, 하나의 분출구(H1)와 두 개의 유입구(H3)를 연통시키는 유로이다. 이들 유입구(H3)에는, 각각 반송관(5b)이 접속된다.The jet port H1 is formed in a slit (elongated gap) type on the lower surface (in FIGS. 15 and 16) of the case 31, and is jetted to two inlets H3 formed in a circular shape on the side surface of the case 31. It is connected via the flow path F1. The jet flow path F1 is formed in a slit shape long in the direction perpendicular to the direction in which the solvent vapor flows, and is a flow path for communicating one jet port H1 and two inlets H3. The conveying pipe 5b is connected to these inflow openings H3, respectively.

배기구(H2)는 케이스(31)의 하면(도 15 및 도 16 중)에 분출구(H1)를 사이에 두고, 또한 분출구(H1)에 근접하여 슬릿형으로 두 개 형성되며, 케이스(31)의 측면에 원형 형상으로 형성된 유출구(H4)에 배기 유로(F2)를 통해 접속된다. 이 배기 유로(F2)는 분출 유로(F1)를 사이에 두고 슬릿형으로 두 개 형성되고, 각 배기 유로(F2)는 각각 하나의 배기구(H2)와 하나의 유출구(H4)를 연통시키는 유로이다. 이 유출구(H4)에는 배기관이 접속된다.The two exhaust ports H2 are formed in the slit shape with the ejection openings H1 interposed between the lower surfaces of the case 31 (in FIGS. 15 and 16) and close to the ejection openings H1. It is connected to the outlet port H4 formed in circular shape at the side surface via the exhaust flow path F2. Two exhaust flow paths F2 are formed in a slit shape with a jet flow path F1 interposed therebetween, and each of the exhaust flow paths F2 communicates with one exhaust port H2 and one outlet port H4. . The exhaust pipe is connected to this outlet H4.

이러한 분무부(6)는 용매 증기를 분무하여 공급하는 급기 기능에 더하여, 잉여분의 용매 증기를 배기하는 배기 기능도 갖고, 급배기가 일체로 된 구조로 되어 있다. 따라서, 급배기의 밸런스를 최적화함으로써, 용매 증기를 도포막(M)에 공급할 때, 잉여의 용매 증기를 장치 내에 흩뿌리는 일이 없어져, 장치의 오염을 방지할 수 있다.In addition to the air supply function for spraying and supplying the solvent vapor, the spray unit 6 also has an exhaust function for exhausting the excess solvent vapor, and has a structure in which the air supply and exhaust air is integrated. Therefore, by optimizing the balance of the supply / exhaust air, when supplying the solvent vapor to the coating film M, excess solvent vapor is not scattered in the apparatus, and contamination of the apparatus can be prevented.

또한, 잉여분의 용매 증기를 배기함으로써, 도포막(M)의 점도 분포를 적절하게 제어할 수 있다.In addition, by discharging excess solvent vapor, the viscosity distribution of the coating film M can be appropriately controlled.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시형태에 따르면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 용매 증기를 공급하는 분출구(H1) 주위에 배기구(H2)를 배치함으로써, 용매 증기의 급기량과 배기량을 적정화하는 것이 용이해진다. 이에 따라, 분출구(H1) 바로 아래가 되는 좁은 범위에만 용매 증기를 공급하는 것이 가능하기 때문에, 잉여의 용매 증기를 장치 내에 흩뿌리는 일이 없어져, 장치의 오염을 방지할 수 있다.As described above, according to the second embodiment of the present invention, the same effects as in the first embodiment can be obtained. Further, by disposing the exhaust port H2 around the jet port H1 for supplying the solvent vapor, it becomes easy to optimize the air supply amount and the exhaust amount of the solvent vapor. As a result, it is possible to supply the solvent vapor only in a narrow range which is directly below the jet port H1, so that the excess solvent vapor is not scattered in the device, and contamination of the device can be prevented.

또한, 잉여분의 용매 증기를 배기함으로써, 도포막(M)의 점도 분포를 적절하게 제어할 수 있다.In addition, by discharging excess solvent vapor, the viscosity distribution of the coating film M can be appropriately controlled.

또한, 잉여분의 용매 증기를 배기함으로써, 도포막(M)의 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도를 표층측의 점도보다 낮아지지 않도록 제어할 수 있다. 따라서, 둘레 가장자리부의 돌기가 높아지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도는 가능한 한 유지해 두고, 표층측의 점도를 낮게 함으로써, 돌기를 억제하여 평탄화를 실현할 수 있다.In addition, by exhausting the excess solvent vapor, the viscosity of the wafer W side (stage side) of the coating film M can be controlled so as not to be lower than the viscosity of the surface layer side. Therefore, it is possible to prevent the protrusion of the peripheral edge portion from increasing. In addition, by maintaining the viscosity of the wafer W side (stage side) as much as possible and lowering the viscosity of the surface layer side, projections can be suppressed and planarization can be realized.

(제3 실시형태)(Third Embodiment)

본 발명의 제3 실시형태에 대해 도 17 및 도 18을 참조하여 설명한다. A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 17 and 18.

본 발명의 제3 실시형태는 제1 실시형태의 변형이다. 따라서, 특히, 제1 실시형태와 상이한 부분, 즉 분무부(6)에 대해 설명한다. 또, 제3 실시형태에서는 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일한 부분의 설명을 생략한다. The third embodiment of the present invention is a modification of the first embodiment. Therefore, especially the part different from 1st Embodiment, ie, the spray part 6, is demonstrated. In addition, in 3rd Embodiment, description of the part same as the part demonstrated in 1st Embodiment is abbreviate | omitted.

도 17 및 도 18에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 분무부(6)는 노즐형의 급배기 유닛이고, 원기둥 형상의 케이스(41)와, 급기부(5)에 의해 공급된 용매 증기를 분출하는 분출구(H1)와, 그 분출구(H1) 주위에 형성되고 분출구(H1)로부터 분출된 잉여분의 용매 증기를 배기하는 배기구(H2)를 갖는다. 또, 케이스(41)는 도포부(4)의 도포 노즐과 같은 정도의 크기로 형성된다. As shown in FIG. 17 and FIG. 18, the spray part 6 which concerns on 3rd Embodiment of this invention is a nozzle type supply-and-discharge unit, and is provided by the cylindrical case 41 and the supply-air supply part 5, respectively. The blower outlet H1 which blows off the supplied solvent vapor | steam, and the exhaust port H2 which is formed around the blower outlet H1 and blown out the excess solvent vapor blown off from the blower outlet H1 are provided. In addition, the case 41 is formed in the same size as the coating nozzle of the application part 4.

분출구(H1)는 케이스(41)의 하면(도 18 중)에 원형 형상으로 형성되고, 케이스(41)의 상면(도 18 중)에 원형 형상으로 형성된 하나의 유입구(H3)에 분출 유로(F1)를 통해 접속된다. 이 분출 유로(F1)는 원기둥 형상으로 형성되고, 하나의 분출구(H1)와 하나의 유입구(H3)를 연통시키는 유로이다. 이 유입구(H3)에는 반송관(5b)이 접속된다.The jet port H1 is formed in a circular shape on the lower surface (in Fig. 18) of the case 41, and the jet flow path F1 in one inlet port H3 formed in a circular shape on the upper surface (in Fig. 18) of the case 41. Is connected via This jet flow path F1 is formed in the cylinder shape, and is a flow path which connects one jet port H1 and one inlet port H3. The conveyance pipe 5b is connected to this inflow port H3.

배기구(H2)는 분출구(H1)를 안으로 하여 원환형으로 형성되고, 케이스(41)의 측면에 원형 형상으로 형성된 두 개의 유출구(H4)에 배기 유로(F2)를 통해 접속된다. 이 배기 유로(F2)는 하나의 배기구(H2)와 두 개의 유출구(H4)를 연통시키는 유로이다. 이들 유출구(H4)에는 각각 배기관(42)이 접속된다.The exhaust port H2 is formed in an annular shape with the ejection port H1 in, and is connected to the two outlet ports H4 formed in a circular shape on the side surface of the case 41 via the exhaust flow path F2. This exhaust passage F2 is a passage for communicating one exhaust port H2 and two outlet ports H4. The exhaust pipe 42 is connected to these outlets H4, respectively.

이러한 분무부(6)는 용매 증기를 분무하여 공급하는 급기 기능에 더하여, 잉여분의 용매 증기를 배기하는 배기 기능도 갖고, 급배기가 일체로 된 구조로 되어 있다. 따라서, 급배기의 밸런스를 최적화함으로써, 용매 증기를 도포막(M)에 공급할 때, 잉여의 용매 증기를 장치 내에 흩뿌리는 일이 없어져, 장치의 오염을 방지할 수 있다.In addition to the air supply function for spraying and supplying the solvent vapor, the spray unit 6 also has an exhaust function for exhausting the excess solvent vapor, and has a structure in which the air supply and exhaust air is integrated. Therefore, by optimizing the balance of the supply / exhaust air, when supplying the solvent vapor to the coating film M, excess solvent vapor is not scattered in the apparatus, and contamination of the apparatus can be prevented.

또한, 노즐형의 분무부(6)는 소형화가 가능한 구조이기 때문에, 도포부(4) 근방, 즉 스테이지(2)의 중심으로부터 도포부(4)의 도포 노즐과 반경 방향으로 동등한 거리로, 회전 방향에 대해 도포 노즐의 후방에 위치하도록 노즐형의 분무부(6)를 설치하고, 그 분무부(6)로부터 도포 직후의 도포막(M)에 용매 증기를 공급함으로써, 도포와 막두께 평탄화 처리를 동시에 수행하는 것이 가능하기 때문에, 제조 공정의 간략화 및 제조 시간의 단축을 실현할 수 있다.Moreover, since the nozzle type spray part 6 is a structure which can be miniaturized, it rotates by the distance equal to the application nozzle of the application part 4 in the radial direction in the vicinity of the application part 4, ie from the center of the stage 2. The spraying part 6 of a nozzle type is provided so that it may be located behind a coating nozzle with respect to the direction, and a solvent vapor is supplied from the spraying part 6 to the coating film M immediately after application | coating, and an application | coating and film thickness planarization process are carried out. Since it is possible to carry out simultaneously, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing time can be shortened.

또한, 분무부(6)가 한 쌍의 X축 이동 기구(7c, 7d)에 의해 Z축 이동 기구(7b)와 함께 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)의 전체면에 걸쳐 X축 방향으로 이동한다. 이때, 분무부(6)는 X축 방향으로 이동하면서 용매 증기를 연속해서 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)에 분무하여, 그 도포막(M)의 표층을 용해시킨다. 또, 제어부(9)는 용매 증기의 분무량(공급량)을 도포막(M)의 표층의 점도를 저하시키는 양이 되도록 제어한다. 이 용매 증기의 분무량의 조정은, 반송 기체의 유량을 조정 밸브(15)에 의해 조정하거나, 용매 증기 발생부(5a)의 온도 설정을 변경하거나, 또는 그 양쪽을 함으로써 이루어진다. 또한, 제어부(9)에 의해 회전 기구(3)의 회전수를 제어함으로써도 분무량을 조정할 수 있다. Further, the spraying section 6 is moved in the X-axis direction over the entire surface of the wafer W on the stage 2 together with the Z-axis moving mechanism 7b by the pair of X-axis moving mechanisms 7c and 7d. do. At this time, the spray part 6 sprays solvent vapor continuously on the coating film M on the wafer W, moving in the X-axis direction, and dissolves the surface layer of the coating film M. FIG. Moreover, the control part 9 controls the spray amount (supply amount) of solvent vapor so that it may become an amount which reduces the viscosity of the surface layer of the coating film M. FIG. Adjustment of the spray amount of this solvent vapor is performed by adjusting the flow volume of carrier gas with the adjustment valve 15, changing the temperature setting of the solvent vapor generation part 5a, or both. Moreover, the spray amount can also be adjusted by controlling the rotation speed of the rotating mechanism 3 by the control part 9.

이와 같이, 제어부(9)에 의해, 도포 대상물의 중심으로부터 어느 반경에서의 주속도에 맞춰 용매 증기의 양을 조정하고, 단위 면적당 분무량을 일정하게 하기 위해, 주속도의 상승에 맞춰 용매 증기의 공급량을 증가시킨다.In this way, the control unit 9 adjusts the amount of the solvent vapor in accordance with the main speed at a certain radius from the center of the coating object, and in order to make the spray amount per unit area constant, the supply amount of the solvent vapor in accordance with the increase in the main speed. To increase.

여기서, 둘레 가장자리부에서는 거의 공급하지 않도록 제어함으로써, 돌기의 발생을 억제할 수 있어, 막두께 균일성을 향상시킬 수 있다.Here, by controlling so that the peripheral edge part is hardly supplied, generation | occurrence | production of protrusion can be suppressed and film thickness uniformity can be improved.

또, 제어부(9)에 의해, 용매 증기를, 도포막(M)의 둘레 가장자리부와 둘레 가장자리부의 내측에서 상이하도록 제어함으로써도, 둘레 가장자리부에의 용매 증기의 공급을 적게 할 수 있어, 막두께 균일성을 향상시킬 수 있다. Moreover, even if the control part 9 controls solvent vapor so that it may differ in the inner peripheral part of the circumferential edge part of the coating film M, supply of the solvent vapor to a circumferential edge part can be reduced, and a film | membrane is carried out. Thickness uniformity can be improved.

또한, 도포막(M)의 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도를 표층측의 점도보다 낮아지지 않도록 제어할 수 있다. 따라서, 둘레 가장자리부의 돌기가 높아지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도는 가능한 한 유지해 두고, 표층측의 점도를 낮게 함으로써, 돌기를 억제하여 평탄화를 실현할 수 있다.Moreover, it can control so that the viscosity of the wafer W side (stage side) of the coating film M may not become lower than the viscosity of the surface layer side. Therefore, it is possible to prevent the protrusion of the peripheral edge portion from increasing. In addition, by maintaining the viscosity of the wafer W side (stage side) as much as possible and lowering the viscosity of the surface layer side, projections can be suppressed and planarization can be realized.

또한, 잉여분의 용매 증기를 배기함으로써, 도포막(M)의 점도 분포를 적절하게 제어할 수 있다.In addition, by discharging excess solvent vapor, the viscosity distribution of the coating film M can be appropriately controlled.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시형태에 따르면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 용매 증기를 공급하는 분출구(H1) 주위에 배기구(H2)를 배치함으로써, 용매 증기의 급기량과 배기량을 적정화하는 것이 용이해진다. 이에 따라, 분출구(H1) 바로 아래가 되는 좁은 범위에만 용매 증기를 공급하는 것이 가능하기 때문에, 잉여의 용매 증기를 장치 내에 흩뿌리는 일이 없어져, 장치의 오염을 방지할 수 있다. As described above, according to the third embodiment of the present invention, the same effects as in the first embodiment can be obtained. Further, by disposing the exhaust port H2 around the jet port H1 for supplying the solvent vapor, it becomes easy to optimize the air supply amount and the exhaust amount of the solvent vapor. As a result, it is possible to supply the solvent vapor only in a narrow range which is directly below the jet port H1, so that the excess solvent vapor is not scattered in the device, and contamination of the device can be prevented.

또한, 잉여분의 용매 증기를 배기함으로써, 도포막(M)의 점도 분포를 적절하게 제어할 수 있다. In addition, by discharging excess solvent vapor, the viscosity distribution of the coating film M can be appropriately controlled.

(제4 실시형태)(Fourth Embodiment)

본 발명의 제4 실시형태에 대해 도 19를 참조하여 설명한다.A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 19.

본 발명의 제4 실시형태는 제1 실시형태의 변형이다. 따라서, 특히, 제1 실시형태와 상이한 부분, 즉 분무부(6)에 대해 설명한다. 또, 제4 실시형태에서는 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일한 부분의 설명을 생략한다.The fourth embodiment of the present invention is a modification of the first embodiment. Therefore, especially the part different from 1st Embodiment, ie, the spray part 6, is demonstrated. In addition, in 4th Embodiment, description of the part same as the part demonstrated in 1st Embodiment is abbreviate | omitted.

도 19에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 제4 실시형태에 따른 분무부(6)는 스테이지(2)를 덮는 케이스(51)와, 그 케이스(51) 내에 설치된 분산판(52)을 구비한다. 또한, 성막 장치(1)에는, 잉여분의 용매 증기를 배기하는 배기부(53)가 설치된다. 또, 케이스(51)는 웨이퍼(W)와 동등한 사이즈의 분출구(H1)를 갖는다.As shown in FIG. 19, the spray part 6 which concerns on 4th Embodiment of this invention is provided with the case 51 which covers the stage 2, and the dispersion plate 52 provided in the case 51. As shown in FIG. . In addition, the film forming apparatus 1 is provided with an exhaust part 53 for exhausting excess solvent vapor. In addition, the case 51 has a jet port H1 having a size equivalent to that of the wafer W. As shown in FIG.

분산판(52)은 용매 증기가 통과하는 복수의 관통 구멍(52a)을 가지므로, 급기를 균일화한다. 이 분산판(52)은 분산부로서 기능한다. 또, 케이스(22)의 상부가 용매 증기 발생부(5a)에 반송관(5b)을 통해 접속된다. 용매 증기는 케이스(22)의 상방으로부터 하방으로 분산판(52)을 통과해서 흘러, 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)의 도포막(M)에 균일하게 공급된다. 또, 분산부로서 분산판(52)이 이용되나, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 디퓨저(diffuser)를 이용할 수도 있다.Since the dispersion plate 52 has a plurality of through holes 52a through which solvent vapor passes, the air supply is made uniform. This dispersion plate 52 functions as a dispersion part. Moreover, the upper part of the case 22 is connected to the solvent vapor generating part 5a through the conveyance pipe 5b. The solvent vapor flows through the dispersion plate 52 from above the case 22 and is uniformly supplied to the coating film M of the wafer W on the stage 2. Moreover, although the dispersion plate 52 is used as a dispersion part, it is not limited to this, For example, a diffuser can also be used.

배기부(53)는 분무부(6)로부터 분출된 잉여분의 용매 증기를 배기하는 배기 헤드이고, 스테이지(2)의 외측 가장자리를 둘러싸도록 원환형으로 형성된다. 이 배기부(53)는 정해진 흡인력에 의해 용매 증기를 연속적으로 흡인하여 배기한다. 배기부(53)에는, 정해진 흡인력을 발생시키는 펌프가 튜브나 파이프 등의 배기관을 통해 접속된다. 펌프는 제어부(9)에 전기적으로 접속되고, 제어부(9)에 의한 제어에 따라 구동한다. The exhaust section 53 is an exhaust head for exhausting excess solvent vapor ejected from the spray section 6, and is formed in an annular shape to surround the outer edge of the stage 2. The exhaust section 53 continuously sucks and exhausts solvent vapor by a predetermined suction force. A pump for generating a predetermined suction force is connected to the exhaust part 53 via an exhaust pipe such as a tube or a pipe. The pump is electrically connected to the control unit 9, and operates under control by the control unit 9.

이러한 분무부(6)는 웨이퍼(W)와 동등한 사이즈의 분출구(H1)를 갖고, 공급량을 면 내에서 균일화하기 위해 관통 구멍(52a)이 적절하게 복수 형성된 분산판(52)을 내장한다. 이에 따라, 용매 증기가 분산되어 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)에 공급되고, 도포막(M)에 대한 면 내에서의 공급량이 균일해지기 때문에, 막두께 균일성을 향상시킬 수 있다. This spraying section 6 has a jet port H1 having a size equivalent to that of the wafer W, and incorporates a dispersion plate 52 in which a plurality of through holes 52a are appropriately formed in order to uniformize the supply amount in plane. Thereby, since solvent vapor is disperse | distributed and it is supplied to the coating film M on the wafer W, and the supply amount in surface with respect to the coating film M becomes uniform, film thickness uniformity can be improved.

또한, 도포막(M)의 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도를 표층측의 점도보다 낮아지지 않도록 제어할 수 있다. 따라서, 둘레 가장자리부의 돌기가 높아지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도는 가능한 한 유지해 두고, 표층측의 점도를 낮게 함으로써, 돌기를 억제하여 평탄화를 실현할 수 있다.Moreover, it can control so that the viscosity of the wafer W side (stage side) of the coating film M may not become lower than the viscosity of the surface layer side. Therefore, it is possible to prevent the protrusion of the peripheral edge portion from increasing. In addition, by maintaining the viscosity of the wafer W side (stage side) as much as possible and lowering the viscosity of the surface layer side, projections can be suppressed and planarization can be realized.

또한, 웨이퍼(W)의 단부로부터 흘러 나오는 용매 증기는 배기부(53)에 의해 회수되기 때문에, 잉여분의 용매 증기가 산란하는 일이 없어지고, 또한 웨이퍼(W) 상의 용매 증기의 흐름도 정류된다. 특히, 급배기의 밸런스를 최적화함으로써, 용매 증기를 도포막(M)에 공급할 때, 잉여의 용매 증기를 장치 내에 흩뿌리는 일이 없어져, 장치의 오염을 방지할 수 있다. In addition, since the solvent vapor flowing out from the end portion of the wafer W is recovered by the exhaust portion 53, the excess solvent vapor is not scattered and the flow of the solvent vapor on the wafer W is rectified. In particular, by optimizing the balance of the supply / exhaust air, when supplying the solvent vapor to the coating film M, excess solvent vapor is not scattered in the apparatus, and contamination of the apparatus can be prevented.

또한, 잉여분의 용매 증기를 외측 가장자리로부터 배기함으로써, 도포막(M)의 점도 분포를 적절하게 제어할 수 있다.In addition, by discharging excess solvent vapor from the outer edge, the viscosity distribution of the coating film M can be appropriately controlled.

또한, 제4 실시형태에 따르면, 웨이퍼(W)를 수평면 내에서 회전시키지 않아도 된다. 그러나, 회전시키면서 그 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)에 용매 증기를 분무한 경우, 용매 증기에 의한 점도 저하에 더하여, 회전에 의한 원심력에 의해 도포막(M)의 변동이 보다 작아진다. 따라서, 도포막(M)의 막두께 균일성을 향상시킬 수 있다.Moreover, according to 4th Embodiment, it is not necessary to rotate the wafer W in a horizontal plane. However, when solvent vapor is sprayed onto the coating film M on the wafer W while rotating, in addition to the viscosity decrease by the solvent vapor, the variation of the coating film M becomes smaller due to the centrifugal force caused by the rotation. Therefore, the film thickness uniformity of the coating film M can be improved.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제4 실시형태에 따르면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 용매 증기를 분산시켜 공급함으로써, 도포막(M)에 대한 면 내에서의 공급량이 균일해지기 때문에, 막두께 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 외측 가장자리로부터 용매 증기를 배기하는 원환형의 배기부(53)를 설치함으로써, 웨이퍼(W)의 외주로부터 흘러 나오는 용매 증기가 배기부(53)에 의해 배기되고, 또한 용매 증기의 급기량과 배기량을 적정화하는 것이 용이해지기 때문에, 잉여의 용매 증기를 장치 내에 흩뿌리는 일이 없어져, 장치의 오염을 방지할 수 있다.As described above, according to the fourth embodiment of the present invention, the same effects as in the first embodiment can be obtained. In addition, since the supply amount in surface to the coating film M becomes uniform by disperse | distributing and supplying solvent vapor, film thickness uniformity can be improved. Moreover, by providing the annular exhaust part 53 which exhausts solvent vapor from the outer edge of the wafer W, the solvent vapor which flows out from the outer periphery of the wafer W is exhausted by the exhaust part 53, and Since it becomes easy to optimize the air supply amount and the exhaust amount of the solvent vapor, the excess solvent vapor is not scattered in the apparatus, and contamination of the apparatus can be prevented.

또한, 잉여분의 용매 증기를 외측 가장자리로부터 배기함으로써, 도포막(M)의 점도 분포를 적절하게 제어할 수 있다.In addition, by discharging excess solvent vapor from the outer edge, the viscosity distribution of the coating film M can be appropriately controlled.

(제5 실시형태)(Fifth Embodiment)

본 발명의 제5 실시형태에 대해 도 20 및 도 21을 참조하여 설명한다.A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 20 and 21.

본 발명의 제5 실시형태는 제1 실시형태의 변형이다. 따라서, 특히, 제1 실시형태와 상이한 부분, 즉 분무부(6)에 대해 설명한다. 또, 제5 실시형태에서는 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일한 부분의 설명을 생략한다. The fifth embodiment of the present invention is a modification of the first embodiment. Therefore, especially the part different from 1st Embodiment, ie, the spray part 6, is demonstrated. In addition, in 5th Embodiment, description of the part same as the part demonstrated in 1st Embodiment is abbreviate | omitted.

도 20 및 도 21에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 제5 실시형태에 따른 분무부(6)는 슬릿 형상의 분출구(H1)의 개구 면적을 조정하는 두 개의 조정 기구(61)를 구비한다. 조정 기구(61)는 분출구(H1)의 슬릿 길이를 변경하는 슬릿 길이 조정 기구이고, 분무부(6)의 길이 방향의 양단부에 설치된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 대한 용매 증기의 공급 범위를 가변시킬 수 있다. 슬릿의 길이를 변경함으로써, 웨이퍼(W)의 엣지 부분에의 용매 증기의 분무량을 제어할 수 있다. As shown to FIG. 20 and FIG. 21, the spray part 6 which concerns on 5th Embodiment of this invention is provided with two adjustment mechanism 61 which adjusts the opening area of the slit-shaped jet opening H1. The adjustment mechanism 61 is a slit length adjustment mechanism which changes the slit length of the jet port H1, and is provided in the both ends of the spray part 6 in the longitudinal direction. Accordingly, the supply range of the solvent vapor to the wafer W can be varied. By changing the length of the slit, the spray amount of the solvent vapor on the edge portion of the wafer W can be controlled.

여기서, 슬릿의 길이를 변경하는 기구는 제어부(9)와 연동하여 변경할 수도 있고, 수동으로 변경할 수도 있다.Here, the mechanism for changing the length of the slit may be changed in conjunction with the control unit 9, or may be changed manually.

또한, 제어부(9)는 분무부(6)를 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)에 대향시킨 상태에서, 회전 기구(3)에 의해 스테이지(2)를 회전시키면서 분무부(6)에 용매 증기의 분무를 실행시킨다. 이에 따라, 막두께 평탄화 처리를 수행할 때, 분무부(6)는 X축 방향으로 이동하지 않고 스테이지(2)의 직경 바로 위에 고정된 상태에서, 회전하는 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)에 용매 증기를 공급한다.Moreover, the control part 9 is a solvent vapor in the spray part 6, rotating the stage 2 by the rotating mechanism 3, in the state which the spray part 6 opposes the wafer W on the stage 2, and is. Spray is carried out. Accordingly, when performing the film thickness flattening treatment, the spraying portion 6 does not move in the X-axis direction and is fixed to the wafer W on the rotating stage 2 while being fixed directly above the diameter of the stage 2. Supply solvent vapor.

또, 분출구(H1)는 그 길이 방향의 중심으로부터 둘레 가장자리부를 향해 슬릿폭이 서서히 커지도록 형성된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 둘레 가장자리부를 향해 서서히 용매 증기의 공급량이 증가하게 된다. 여기서, 막두께 평탄화 처리를 수행할 때에, 스테이지(2)를 회전시키는데, 이때, 중심으로부터 둘레 가장자리부로 감에 따라 주속도가 커지기 때문에, 단위 면적당 용매 공급량을 일정하게 하기 위해서는, 중심으로부터 둘레 가장자리부로 감에 따라 공급량을 증가시킬 필요가 있다. 일례로서, 슬릿폭이 둘레 가장자리부를 향해 서서히 커지는 형상을 들 수 있다. 또한, 원심력에 의해 도포막(M)의 두께가 중심으로부터 둘레 가장자리부를 향해 서서히 두꺼워지는 경우가 있기 때문에, 그 두께에 따라 용매 증기의 공급량을 변경할 수도 있다.In addition, the jet port H1 is formed so that the slit width gradually increases from the center in the longitudinal direction toward the peripheral edge portion. As a result, the supply amount of the solvent vapor gradually increases from the center of the wafer W toward the peripheral edge portion. Here, when performing the film thickness flattening process, the stage 2 is rotated. At this time, since the circumferential speed increases as it goes from the center to the circumferential edge portion, in order to make the solvent supply amount per unit area constant, from the center to the circumferential edge portion. As we go, we need to increase the supply. As an example, a shape in which the slit width gradually increases toward the peripheral edge portion is mentioned. In addition, since the thickness of the coating film M may become thick gradually from a center toward a peripheral edge part by centrifugal force, the supply amount of solvent vapor can also be changed with the thickness.

또한, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에의 용매 증기의 공급량을 억제하기 위해, 예컨대 도 22와 같이 슬릿 길이를 변경하는 슬릿 길이 조정 기구를 설치한다[조정 기구(61)]. 이에 따라, 액막의 둘레 가장자리부의 점도는 거의 저하되지 않고 둘레 가장자리 형상을 유지하고, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 점도가 저하되어 요철이 완화된다. 이 상태에서 후술하는 건조(베이킹)가 수행되면, 둘레 가장자리부의 돌기가 억제되고, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 평탄성이 향상된 도 23의 건조막(Ma)을 얻을 수 있다(ΔS3＜ΔS1, ΔL3≒ΔL1). Moreover, in order to suppress the supply amount of the solvent vapor to the peripheral edge part of the wafer W, the slit length adjustment mechanism which changes a slit length like FIG. 22 is provided (adjustment mechanism 61). Thereby, the viscosity of the peripheral edge part of a liquid film hardly falls, maintains a peripheral edge shape, the viscosity of other than a peripheral edge part (inner side of a peripheral edge part) falls, and an unevenness | corrugation is alleviated. When drying (baking) described later in this state is performed, the projection of the peripheral edge portion is suppressed, and the dry film Ma of FIG. 23 having improved flatness other than the peripheral edge portion (inside the peripheral edge portion) can be obtained (ΔS3 < ΔS1, ΔL3 ≒ ΔL1).

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제5 실시형태에 따르면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 분출구(H1)의 개구 면적을 조정하는 조정 기구(61)를 설치함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 용매 증기의 공급 범위를 가변시킬 수 있다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 사이즈가 변경된 경우에도, 그 사이즈에 대응시켜 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)에만 용매 증기를 공급하는 것이 가능하기 때문에, 잉여의 용매 증기를 장치 내에 흩뿌리는 일이 없어져, 장치의 오염을 방지할 수 있다.As described above, according to the fifth embodiment of the present invention, the same effects as in the first embodiment can be obtained. Moreover, by providing the adjustment mechanism 61 which adjusts the opening area of the jet port H1, the supply range of the solvent vapor to the wafer W can be changed. For example, even when the size of the wafer W is changed, it is possible to supply solvent vapor only to the coating film M on the wafer W corresponding to the size, so that excess solvent vapor is scattered in the apparatus. This eliminates contamination of the device.

또한, 슬릿 길이를 조정할 수 있는 조정 기구(61)를 설치함으로써, 액막의 둘레 가장자리부의 점도는 거의 저하되지 않고 둘레 가장자리 형상이 유지되고, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 점도가 저하되어 요철이 완화된다. 이 상태에서 건조(베이킹)가 수행되면, 둘레 가장자리부의 돌기가 억제되고, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 평탄성이 향상된 건조막(Ma)을 얻을 수 있다.Moreover, by providing the adjustment mechanism 61 which can adjust a slit length, the viscosity of the circumferential edge part of a liquid film hardly falls, but the circumferential edge shape is maintained, and the viscosity of other than a circumferential edge part (inner side of a circumferential edge part) falls, Unevenness is alleviated. When drying (baking) is performed in this state, the projection of the peripheral edge portion is suppressed, and a dry film Ma having improved flatness other than the peripheral edge portion (inside the peripheral edge portion) can be obtained.

즉, 용매 증기를 분무하여 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)의 점도 분포를 변경함으로써, 웨이퍼(W)에 발생하는 막 형상의 변화를 억제할 수 있다. 예컨대, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 점도를 저하시킴으로써, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 발생하는 막 형상의 변화를 억제할 수 있다.That is, by changing the viscosity distribution of the coating film M on the wafer W by spraying solvent vapor, it is possible to suppress the change in the film shape occurring on the wafer W. For example, by decreasing the viscosity of the peripheral edge portion other than the peripheral edge portion (inside the peripheral edge portion), it is possible to suppress the change in the film shape occurring at the peripheral edge portion of the wafer W.

둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 점도를 저하시키기 위해서는, 조정 기구(61)에 의해 용매 증기의 공급 범위를 가변시킬 수 있다.In order to reduce the viscosity other than the circumferential edge (inside the circumferential edge), the supply range of the solvent vapor can be varied by the adjustment mechanism 61.

또한, 도포막(M)의 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도를 표층측의 점도보다 낮아지지 않도록 제어할 수 있다. 따라서, 둘레 가장자리부의 돌기가 높아지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도는 가능한 한 유지해 두고, 표층측의 점도를 낮게 함으로써, 돌기를 억제하여 평탄화를 실현할 수 있다.Moreover, it can control so that the viscosity of the wafer W side (stage side) of the coating film M may not become lower than the viscosity of the surface layer side. Therefore, it is possible to prevent the protrusion of the peripheral edge portion from increasing. In addition, by maintaining the viscosity of the wafer W side (stage side) as much as possible and lowering the viscosity of the surface layer side, projections can be suppressed and planarization can be realized.

(제6 실시형태)(Sixth Embodiment)

본 발명의 제6 실시형태에 대해 도 24 및 도 25를 참조하여 설명한다.A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 24 and 25.

본 발명의 제6 실시형태는 제1 실시형태의 변형이다. 따라서, 특히, 제1 실시형태와 상이한 부분, 즉 분무부(6)에 대해 설명한다. 또, 제6 실시형태에서는 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일한 부분의 설명을 생략한다.The sixth embodiment of the present invention is a modification of the first embodiment. Therefore, especially the part different from 1st Embodiment, ie, the spray part 6, is demonstrated. In addition, in 6th Embodiment, description of the part same as the part demonstrated in 1st Embodiment is abbreviate | omitted.

도 24 및 도 25에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 제6 실시형태에 따른 분무부(6)는 슬릿 형상의 분출구(H1)의 개구 면적을 조정하는 하나의 조정 기구(61)를 구비한다. 조정 기구(61)는 분출구(H1)의 슬릿 길이를 변경하는 슬릿 길이 조정 기구이고, 분무부(6)의 길이 방향의 일단부에 설치된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 대한 용매 증기의 공급 범위를 가변시킬 수 있다. 또, 분무부(6)는 스테이지(2)의 반경 정도의 길이로 형성되고, 한 쌍의 X축 이동 기구(7c, 7d) 중 어느 한쪽에 의해 이동 가능하게 구성된다.As shown to FIG. 24 and FIG. 25, the spray part 6 which concerns on 6th Embodiment of this invention is equipped with one adjustment mechanism 61 which adjusts the opening area of the slit-shaped jet opening H1. The adjustment mechanism 61 is a slit length adjustment mechanism which changes the slit length of the jet port H1, and is provided in the one end part of the spray part 6 in the longitudinal direction. Accordingly, the supply range of the solvent vapor to the wafer W can be varied. Moreover, the spray part 6 is formed in the length about the radius of the stage 2, and is comprised so that a movement is possible by either one of a pair of X-axis movement mechanisms 7c and 7d.

또한, 제어부(9)는 분무부(6)를 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)에 대향시킨 상태에서, 회전 기구(3)에 의해 스테이지(2)를 회전시키면서 분무부(6)에 용매 증기의 분무를 실행시킨다. 이에 따라, 막두께 평탄화 처리를 수행할 때, 분무부(6)는 X축 방향으로 이동하지 않고 스테이지(2)의 반경 바로 위에 고정된 상태에서, 회전하는 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)의 전체면에 용매 증기를 공급한다.Moreover, the control part 9 is a solvent vapor in the spray part 6, rotating the stage 2 by the rotating mechanism 3, in the state which the spray part 6 opposes the wafer W on the stage 2, and is. Spray is carried out. Accordingly, when the film thickness planarization process is performed, the spraying portion 6 is fixed to just above the radius of the stage 2 without moving in the X-axis direction, so that the wafer W on the rotating stage 2 Solvent vapor is supplied to the entire surface.

또, 분출구(H1)는 그 길이 방향의 내주부로부터 둘레 가장자리부를 향해 슬릿폭이 서서히 커지도록 형성된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 둘레 가장자리부를 향해 서서히 용매 증기의 공급량이 증가하게 된다. 여기서, 막두께 평탄화 처리를 수행할 때에, 스테이지(2)를 회전시키는데, 이때, 중심으로부터 둘레 가장자리부로 감에 따라 주속도가 커지기 때문에, 단위 면적당 용매 공급량을 일정하게 하기 위해서는, 둘레 가장자리부를 향해 공급량을 증가시킬 필요가 있다. 일례로서, 슬릿폭이 둘레 가장자리부를 향해 서서히 커지는 형상을 들 수 있다. 또한, 원심력에 의해 도포막(M)의 두께가 중심으로부터 둘레 가장자리부를 향해 서서히 두꺼워지는 경우가 있기 때문에, 그 두께에 따라 용매 증기의 공급량을 변경할 수도 있다. 또, 용매 증기의 공급량에 대해서는 제5 실시형태에서 설명한 바와 동일하다.Moreover, the jet port H1 is formed so that a slit width may become large gradually from the inner peripheral part of the longitudinal direction toward a circumferential edge part. As a result, the supply amount of the solvent vapor gradually increases from the center of the wafer W toward the peripheral edge portion. Here, when performing the film thickness flattening process, the stage 2 is rotated. At this time, since the main speed increases as it goes from the center to the circumferential edge portion, in order to keep the solvent supply amount per unit area constant, the feed amount toward the circumferential edge portion. Need to be increased. As an example, a shape in which the slit width gradually increases toward the peripheral edge portion is mentioned. In addition, since the thickness of the coating film M may be gradually thickened from the center toward the peripheral edge part by the centrifugal force, the supply amount of the solvent vapor can be changed according to the thickness. The supply amount of the solvent vapor is the same as that described in the fifth embodiment.

또한, 슬릿의 길이를 변경하는 기구는 제어부(9)와 연동하여 변경할 수도 있고, 수동으로 변경할 수도 있다.The mechanism for changing the length of the slit may be changed in conjunction with the control unit 9 or may be changed manually.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제6 실시형태에 따르면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 분출구(H1)의 개구 면적을 조정하는 조정 기구(61)를 설치함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 용매 증기의 공급 범위를 가변시킬 수 있다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 사이즈가 변경된 경우에도, 그 사이즈에 대응시켜 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)에만 용매 증기를 공급하는 것이 가능하기 때문에, 잉여의 용매 증기를 장치 내에 흩뿌리는 일이 없어져, 장치의 오염을 방지할 수 있다. 또한, 슬릿 길이를 조정할 수 있는 조정 기구(61)를 설치함으로써, 제5 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the sixth embodiment of the present invention, the same effects as in the first embodiment can be obtained. Moreover, by providing the adjustment mechanism 61 which adjusts the opening area of the jet port H1, the supply range of the solvent vapor to the wafer W can be changed. For example, even when the size of the wafer W is changed, it is possible to supply solvent vapor only to the coating film M on the wafer W corresponding to the size, so that excess solvent vapor is scattered in the apparatus. This eliminates contamination of the device. Moreover, the effect similar to 5th Embodiment can be acquired by providing the adjustment mechanism 61 which can adjust a slit length.

(제7 실시형태)(7th Embodiment)

본 발명의 제7 실시형태에 대해 도 26 및 도 27을 참조하여 설명한다.A seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 26 and 27.

본 발명의 제7 실시형태는 제1 실시형태의 변형이다. 따라서, 특히, 제1 실시형태와 상이한 부분, 즉 분무부(6)에 대해 설명한다. 또, 제7 실시형태에서는 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일한 부분의 설명을 생략한다.7th Embodiment of this invention is a modification of 1st Embodiment. Therefore, especially the part different from 1st Embodiment, ie, the spray part 6, is demonstrated. In addition, in 7th Embodiment, description of the part same as the part demonstrated in 1st Embodiment is abbreviate | omitted.

도 26에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 제7 실시형태에 따른 분무부(6)는 스테이지(2)를 덮는 케이스(71)와, 그 케이스(71) 내에 설치된 분산판(72)과, 그 케이스(71)의 외주면에 설치되고 원형 형상의 분출구(H1)의 개구 면적을 조정하는 하나의 조정 기구(73)를 구비한다. 또, 케이스(71)는 웨이퍼(W)와 동등한 사이즈의 분출구(H1)를 갖는다.As shown in FIG. 26, the spray part 6 which concerns on 7th Embodiment of this invention is the case 71 which covers the stage 2, the dispersion plate 72 provided in the case 71, One adjustment mechanism 73 is provided on the outer circumferential surface of the case 71 and adjusts the opening area of the circular jet port H1. In addition, the case 71 has a jet port H1 having a size equivalent to that of the wafer W. As shown in FIG.

분산판(72)은 용매 증기가 통과하는 복수의 관통 구멍(72a)을 가지므로, 급기를 균일화한다. 이 분산판(52)은 분산부로서 기능한다. 또, 케이스(71)의 상부가 용매 증기 발생부(5a)에 반송관(5b)을 통해 접속된다. 용매 증기는 케이스(71)의 상방으로부터 하방으로 분산판(72)을 통과해서 흘러, 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)의 도포막(M)에 균일하게 공급된다. 또, 분산부로서 분산판(52)이 이용되나, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 디퓨저를 이용할 수 있다.Since the dispersion plate 72 has a plurality of through holes 72a through which solvent vapor passes, the air supply is made uniform. This dispersion plate 52 functions as a dispersion part. Moreover, the upper part of the case 71 is connected to the solvent vapor generation part 5a through the conveyance pipe 5b. The solvent vapor flows through the dispersion plate 72 from above the case 71 and is uniformly supplied to the coating film M of the wafer W on the stage 2. In addition, although the dispersion plate 52 is used as a dispersion part, it is not limited to this, For example, a diffuser can be used.

조정 기구(73)는 분출구(H1)의 직경을 변경하는 직경 조정 기구이고, 분출구(H1)의 외주 부분을 덮도록 분무부(6)의 외주면에 설치된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 대한 용매 증기의 공급 범위를 가변시킬 수 있다.The adjustment mechanism 73 is a diameter adjustment mechanism which changes the diameter of the jet port H1, and is provided in the outer peripheral surface of the spray part 6 so that the outer peripheral part of the jet port H1 may be covered. Accordingly, the supply range of the solvent vapor to the wafer W can be varied.

또한, 제어부(9)는 분무부(6)를 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)에 대향시킨 상태에서, 회전 기구(3)에 의해 스테이지(2)를 회전시키면서 분무부(6)에 용매 증기의 분무를 실행시킨다. 이에 따라, 막두께 평탄화 처리를 수행할 때, 분무부(6)는 X축 방향으로 이동하지 않고 스테이지(2)의 바로 위에 고정된 상태에서, 회전하는 스테이지(2) 상의 웨이퍼(W)에 용매 증기를 공급한다.Moreover, the control part 9 is a solvent vapor in the spray part 6, rotating the stage 2 by the rotating mechanism 3, in the state which the spray part 6 opposes the wafer W on the stage 2, and is. Spray is carried out. Accordingly, when the film thickness planarization process is performed, the spray part 6 is fixed to the wafer W on the rotating stage 2 in a state in which it is fixed directly on the stage 2 without moving in the X-axis direction. Supply steam.

또, 제7 실시형태에 따르면, 분출구(H1)가 원형 형상이기 때문에, 웨이퍼(W)를 수평면 내에서 회전시키지 않아도 된다. In addition, according to the seventh embodiment, since the jet port H1 is circular, it is not necessary to rotate the wafer W in the horizontal plane.

또한, 용매 증기의 공급량에 대해서는 제5 실시형태에서 설명한 바와 동일하지만, 더욱 평탄화시키기 위해, 둘레 가장자리부에의 용매 증기의 공급량을 제어하는 것에 대해 서술한다. 전술한 ΔL1과 ΔS1은 트레이드오프 관계에 있기 때문에, 이것을 해소하기 위한 일례에 대해 설명한다.In addition, although the supply amount of solvent vapor is the same as what was demonstrated in 5th Embodiment, in order to make it flatter, it describes about controlling the supply amount of the solvent vapor to a peripheral part. Since ΔL1 and ΔS1 described above are in a trade-off relationship, an example for eliminating this will be described.

둘레 가장자리부에의 용매 증기의 공급량을 제어하기 위해, 도 26과 같이 토출구(H1)의 외주부에 기계적인 차폐판을 설치한다[조정 기구(73)]. 이에 따라, 액막의 둘레 가장자리부의 점도는 거의 저하되지 않고 둘레 가장자리 형상을 유지하고, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 점도가 저하되어 요철이 완화된다. 이 상태에서 후술하는 건조(베이킹)가 수행되면, 둘레 가장자리부의 돌기가 억제되고, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 평탄성이 향상된 도 23의 건조막(Ma)을 얻을 수 있다(ΔS3＜ΔS1, ΔL3≒ΔL1). 또, 이 차폐판의 결로를 방지하기 위해, 차폐판의 온도를 이슬점 이상이 되도록 관리하는 것이 바람직하다.In order to control the supply amount of the solvent vapor to the peripheral edge portion, a mechanical shielding plate is provided at the outer peripheral portion of the discharge port H1 as shown in FIG. 26 (adjustment mechanism 73). Thereby, the viscosity of the peripheral edge part of a liquid film hardly falls, maintains a peripheral edge shape, the viscosity of other than a peripheral edge part (inner side of a peripheral edge part) falls, and an unevenness | corrugation is alleviated. When drying (baking) described later in this state is performed, the projection of the peripheral edge portion is suppressed, and the dry film Ma of FIG. 23 having improved flatness other than the peripheral edge portion (inside the peripheral edge portion) can be obtained (ΔS3 < ΔS1, ΔL3 ≒ ΔL1). Moreover, in order to prevent the dew condensation of this shielding board, it is preferable to manage the temperature of a shielding board so that it may become more than dew point.

이와 같이, 용매 증기를 분무하여 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)의 점도 분포를 변경함으로써, 웨이퍼(W)에 발생하는 막 형상의 변화를 억제할 수 있다. 예컨대, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 점도를 저하시킴으로써, 둘레 가장자리부에 발생하는 막 형상의 변화를 억제할 수 있다. In this way, by changing the viscosity distribution of the coating film M on the wafer W by spraying the solvent vapor, it is possible to suppress the change in the film shape generated in the wafer W. FIG. For example, by decreasing the viscosity of the peripheral edge portion (inside the peripheral edge portion), it is possible to suppress the change in the film shape occurring in the peripheral edge portion.

둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 점도를 저하시키기 위해서는, 조정 기구(73)에 의해 정해진 영역에만 용매 증기를 분무한다.In order to reduce the viscosity other than the circumferential edge (inside the circumferential edge), the solvent vapor is sprayed only in the region defined by the adjustment mechanism 73.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제7 실시형태에 따르면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 용매 증기를 분산시켜 공급함으로써, 도포막(M)에 대한 면 내에서의 공급량이 균일해지기 때문에, 막두께 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 분출구(H1)의 개구 면적을 조정하는 조정 기구(73)를 설치함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 용매 증기의 공급 범위를 가변시킬 수 있다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 사이즈가 변경된 경우에도, 그 사이즈에 대응시켜 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)에만 용매 증기를 공급하는 것이 가능하기 때문에, 잉여의 용매 증기를 장치 내에 흩뿌리는 일이 없어져, 장치의 오염을 방지할 수 있다. As described above, according to the seventh embodiment of the present invention, the same effects as in the first embodiment can be obtained. In addition, since the supply amount in surface to the coating film M becomes uniform by disperse | distributing and supplying solvent vapor, film thickness uniformity can be improved. Moreover, the provision range of the solvent vapor to the wafer W can be varied by providing the adjustment mechanism 73 which adjusts the opening area of the jet port H1. For example, even when the size of the wafer W is changed, it is possible to supply solvent vapor only to the coating film M on the wafer W corresponding to the size, so that excess solvent vapor is scattered in the apparatus. This eliminates contamination of the device.

또한, 분출구(H1)의 외주부(개구부)에 기계적인 차폐판의 조정 기구(73)를 설치함으로써, 둘레 가장자리부에의 용매 증기의 공급량이 조정되기 때문에, 액막의 둘레 가장자리부의 점도는 거의 저하되지 않고 둘레 가장자리 형상이 유지되고, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 점도가 저하되어 요철이 완화된다. 이 상태에서 후술하는 건조(베이킹)가 수행되면, 둘레 가장자리부의 돌기가 억제되고, 둘레 가장자리부 이외(둘레 가장자리부의 내측)의 평탄성이 향상된 건조막(Ma)을 얻을 수 있다.Moreover, since the supply amount of the solvent vapor to the peripheral edge part is adjusted by providing the adjustment mechanism 73 of the mechanical shielding plate in the outer peripheral part (opening part) of the jet port H1, the viscosity of the peripheral edge part of a liquid film hardly falls. The circumferential edge shape is maintained without any change, and the viscosity other than the circumferential edge portion (inside the circumferential edge portion) decreases, so that the unevenness is alleviated. When drying (baking) described later in this state is performed, the projection of the peripheral edge portion is suppressed, and a dry film Ma having improved flatness other than the peripheral edge portion (inside the edge portion) can be obtained.

또한, 도포막(M)의 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도를 표층측의 점도보다 낮아지지 않도록 제어할 수 있다. 따라서, 둘레 가장자리부의 돌기가 높아지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)측(스테이지측)의 점도는 가능한 한 유지해 두고, 표층측의 점도를 낮게 함으로써, 돌기를 억제하여 평탄화를 실현할 수 있다.Moreover, it can control so that the viscosity of the wafer W side (stage side) of the coating film M may not become lower than the viscosity of the surface layer side. Therefore, it is possible to prevent the protrusion of the peripheral edge portion from increasing. In addition, by maintaining the viscosity of the wafer W side (stage side) as much as possible and lowering the viscosity of the surface layer side, projections can be suppressed and planarization can be realized.

(제8 실시형태)(8th Embodiment)

본 발명의 제8 실시형태에 대해 도 28 및 도 29를 참조하여 설명한다. An eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 28 and 29.

본 발명의 제8 실시형태는 제1 실시형태에 따른 성막 장치(1)를 성막 시스템(81)에 적응한 적응예이다. 따라서, 특히, 제1 실시형태와 상이한 부분에 대해 설명한다. 또, 제8 실시형태에서는 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일한 부분의 설명을 생략한다. The eighth embodiment of the present invention is an adaptation example in which the film forming apparatus 1 according to the first embodiment is adapted to the film forming system 81. Therefore, the part different from 1st Embodiment is demonstrated especially. In addition, in 8th Embodiment, description of the part same as the part demonstrated in 1st Embodiment is abbreviate | omitted.

도 28에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 제8 실시형태에 따른 성막 시스템(81)은 웨이퍼(W)에 감광성의 재료를 도포하는 성막 장치(1)와, 웨이퍼(W)가 투입되는 인터페이스 장치(82)와, 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)을 현상하는 현상 장치(83)와, 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)을 건조하는 베이킹 장치(84)와, 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)을 냉각하는 냉각 플레이트(chill plate; 85)와, 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)을 노광하는 노광기(86)와, 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)의 외측 가장자리의 불필요한 부분을 시너로 제거하는 엣지 커트를 수행하는 엣지 커트 장치(87)와, 각 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(88)를 구비한다.As shown in FIG. 28, the film-forming system 81 which concerns on 8th Embodiment of this invention is the film-forming apparatus 1 which apply | coats a photosensitive material to the wafer W, and the interface apparatus into which the wafer W is thrown in. 82, a developing device 83 for developing the coating film M on the wafer W, a baking device 84 for drying the coating film M on the wafer W, and a wafer W on the wafer W. A cooling plate 85 for cooling the coating film M, an exposure machine 86 for exposing the coating film M on the wafer W, and an outer edge of the coating film M on the wafer W; An edge cut device 87 for performing an edge cut to remove unnecessary portions of the thinner, and a transfer device 88 for transferring the wafer W between the devices.

이러한 성막 시스템(81)이 수행하는 성막 처리(성막 방법)에 대해 설명한다. 성막 시스템(81)의 제어 장치는 각종의 프로그램에 기초하여 성막 처리를 실행한다.The film forming process (film forming method) performed by such a film forming system 81 will be described. The control device of the film forming system 81 executes the film forming process based on various programs.

도 29에 도시하는 바와 같이, 먼저, 세정이나 전처리가 끝난 웨이퍼(W)가 카세트에 수용된 상태로 인터페이스 장치(82)에 세팅되고, 웨이퍼(W)의 투입이 접수된다(단계 S11). 계속해서, 웨이퍼(W)가 반송 장치(88)에 의해 카세트로부터 취출되고, 냉각 플레이트(85)에 반송되어 배치되며, 웨이퍼(W)가 정해진 시간 동안 냉각된다(단계 S12).As shown in FIG. 29, first, the wafer W which has been cleaned or preprocessed is set in the interface device 82 in a state of being accommodated in a cassette, and the wafer W is loaded (step S11). Subsequently, the wafer W is taken out from the cassette by the conveying device 88, conveyed to the cooling plate 85, and arranged, and the wafer W is cooled for a predetermined time (step S12).

정해진 시간 경과 후, 웨이퍼(W)는 냉각 플레이트(85)로부터 취출되어 성막 장치(1)에 반송되고, 감광성의 재료가 성막 장치(1)에 의해 웨이퍼(W) 상에 도포되어 도포막(M)이 형성되며, 그 후, 도포막(M)의 막두께 평탄화 처리가 수행된다(단계 S13). 이때의 도포 및 막두께 평탄화 처리는 제1 실시형태와 동일하다(도 3 참조).After the lapse of the predetermined time, the wafer W is taken out from the cooling plate 85 and conveyed to the film forming apparatus 1, and the photosensitive material is applied onto the wafer W by the film forming apparatus 1 to coat the coating film M. ) Is formed, and then the film thickness flattening process of the coating film M is performed (step S13). Application | coating and film thickness planarization process at this time are the same as that of 1st Embodiment (refer FIG. 3).

그 후, 웨이퍼(W)는 반송 장치(88)에 의해 순차 반송되고, 웨이퍼(W)가 베이킹 장치(84)에 의해 가열되어, 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)이 건조되며(단계 S14), 계속해서, 웨이퍼(W)가 냉각 플레이트(85)에 의해 냉각되고(단계 S15), 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)[즉, 건조막(Ma)]은 노광기(86)에 의해 노광된다(단계 S16).Thereafter, the wafer W is sequentially conveyed by the conveying device 88, the wafer W is heated by the baking device 84, and the coating film M on the wafer W is dried (step S14). ), The wafer W is cooled by the cooling plate 85 (step S15), and the coating film M (ie, the dry film Ma) on the wafer W is exposed by the exposure machine 86. It exposes (step S16).

또한, 웨이퍼(W)는 다시 냉각 플레이트(85)에서 냉각되고(단계 S17), 웨이퍼(W) 상의 도포막(M)[즉, 건조막(Ma)]이 현상 장치(83)에 의해 현상되고 나서 세정 처리되며(단계 S18), 웨이퍼(W)가 반송 장치(88)에 의해 인터페이스 장치(82)로 반환되어 배출되고(단계 S19), 처리가 종료된다. 그 후, 웨이퍼(W)가 개편화(個片化)되어, 반도체 칩 등의 복수의 반도체 장치가 생성된다.Further, the wafer W is cooled again in the cooling plate 85 (step S17), and the coating film M (ie, the dry film Ma) on the wafer W is developed by the developing apparatus 83. Then, it is cleaned (step S18), the wafer W is returned to the interface device 82 by the conveying device 88 and discharged (step S19), and the processing ends. Thereafter, the wafer W is separated into pieces, and a plurality of semiconductor devices such as semiconductor chips are produced.

또, 스핀 코트 대신에 스파이럴 도포나 도트 도포, 디스펜서 도포 등, 어떤 영역에 한정하여 성막하는 것이 가능한 도포 방법이 이용되기 때문에, 엣지 커트 공정을 삭제하는 것이 가능하고, 엣지 커트 장치(87)를 제거하여, 성막 시스템(81)의 가격을 억제할 수 있다. In addition, since an application method capable of forming a film in a specific area, such as spiral coating, dot coating, or dispenser coating, is used instead of the spin coat, the edge cut process can be eliminated, and the edge cut device 87 is removed. Thus, the price of the film forming system 81 can be suppressed.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제8 실시형태에 따르면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 전술한 성막 장치(1)를 성막 시스템(81)에 적응시킴으로써, 스핀 코트 대신에 스파이럴 도포나 도트 도포, 디스펜서 도포 등, 어떤 영역에 한정하여 성막하는 것이 가능한 도포 방법이 이용되기 때문에, 웨이퍼(W)의 도포면의 정해진 영역에만 재료가 도포된다. 이에 따라, 엣지 커트 공정을 삭제하는 것이 가능하기 때문에, 엣지 커트 장치(87)를 제거하여 성막 시스템(81)의 가격을 억제할 수 있다. As described above, according to the eighth embodiment of the present invention, the same effects as in the first embodiment can be obtained. In addition, since the above-described film forming apparatus 1 is adapted to the film forming system 81, a coating method capable of forming a film in a specific area such as spiral coating, dot coating, dispenser coating, or the like instead of spin coating is used. A material is apply | coated only to the predetermined | prescribed area | region of the application surface of (W). Thereby, since the edge cut process can be deleted, the edge cut device 87 can be removed to reduce the price of the film forming system 81.

따라서, 스파이럴 도포나 도트 도포 등의 스핀 코트 이외의 도포 방법을 이용하는 것이 가능하고, 그 도포 방법을 이용함으로써, 스핀 코트에 비해, 웨이퍼(W)의 도포면의 정해진 영역에만 재료를 도포할 수 있다. 이에 따라, 재료가 웨이퍼(W)의 사이드나 이면으로 비산, 또는 미스트화되어 돌아 들어간 재료가 부착되는 일이 없어진다. 또한, 도포 공정 후에 엣지 커트 및 백 린스라고 불리는 공정이 필요 없게 되고, 또한, 컵을 정기적으로 교환할 필요도 없어진다. 이와 같이, 막두께 균일성을 유지하면서, 재료 이용 효율의 향상, 환경 부하의 저감 및 가동률 저하의 억제를 실현할 수 있다.Therefore, it is possible to use a coating method other than spin coating such as spiral coating or dot coating, and by using the coating method, the material can be applied only to a predetermined region of the coated surface of the wafer W as compared with the spin coating. As a result, the material is not scattered or misted to the side or back surface of the wafer W, and no material adheres. Moreover, the process called an edge cut and a back rinse is unnecessary after an application | coating process, and also the need to change a cup regularly is not necessary. In this way, it is possible to realize the improvement of the material utilization efficiency, the reduction of the environmental load, and the suppression of the operation rate while maintaining the film thickness uniformity.

(다른 실시형태)(Other Embodiments)

또, 본 발명은 전술한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경될 수 있다. 예컨대, 전술한 실시형태에 나타나는 전체 구성 요소로부터 몇 가지 구성 요소를 삭제할 수도 있다. 또한, 다른 실시형태에 이르는 구성 요소를 적절하게 조합할 수도 있다.In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above, It can change variously in the range which does not deviate from the summary. For example, some components may be deleted from all the components shown in the above-described embodiment. Moreover, the component from other embodiment can also be combined suitably.

전술한 실시형태에서는, 도포 대상물로서 웨이퍼(W)를 이용하고 있으나, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 원형 형상 또는 원형 이외의 형상의 유리 기판 등을 이용할 수도 있다.In the above-mentioned embodiment, although the wafer W is used as an application | coating object, it is not limited to this, For example, the glass substrate etc. of circular shape or shapes other than circular shape can also be used.

이상, 본 발명의 실시형태를 설명하였으나, 구체예를 예시한 것에 불과하며, 특별히 본 발명을 한정하는 것은 아니고, 각부의 구체적 구성 등은 적절하게 변경할 수 있다. 또한, 실시형태에 기재된 작용 및 효과는 본 발명으로부터 발생하는 가장 적합한 작용 및 효과를 열거한 것에 불과하며, 본 발명에 따른 작용 및 효과는 본 발명의 실시형태에 기재된 것에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 예컨대 도포 대상물 상에 재료를 도포하여 도포막을 형성하는 성막 장치 및 성막 방법, 또한, 그 성막 장치 또는 성막 방법에 의해 제조된 반도체 장치 등에서 이용된다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described, it is only what illustrated the specific example, It does not specifically limit this invention, The concrete structure etc. of each part can be changed suitably. In addition, the action and effect described in the embodiment only enumerate the most suitable action and effect which arise from this invention, and the action and effect which concerns on this invention is not limited to what was described in embodiment of this invention. The present invention is used in, for example, a film forming apparatus and a film forming method which apply a material onto a coating object to form a coating film, and also a semiconductor device manufactured by the film forming apparatus or the film forming method.

Claims (20)

도포 대상물이 배치되는 스테이지와,
상기 스테이지에 배치된 상기 도포 대상물 상의 정해진 영역에 재료를 도포하여 도포막을 형성하는 도포부와,
상기 도포막을 용해할 수 있는 용매 증기를 생성하는 급기부(給氣部)와,
상기 스테이지에 배치된 상기 도포 대상물 상의 상기 도포막에 대해, 상기 급기부에 의해 생성된 상기 용매 증기를 분무하는 분무부와,
상기 급기부와 상기 분무부를 접속하고, 상기 급기부에 의해 생성된 상기 용매 증기를 분무부에 반송하기 위한 반송관과,
상기 반송관에 열을 공급하기 위한 제1 히터와,
상기 분무부에 열을 공급하기 위한 제2 히터와,
상기 분무부에 의해 분무되는 상기 용매 증기의 양을, 상기 도포막을 용해해서 상기 도포막의 표층측 부분의 점도가 상기 도포 대상물측 부분의 점도보다 낮아지며 상기 도포막의 표층측 부분의 점도 및 상기 도포 대상물측 부분의 점도가 상기 도포 대상물 상의 상기 도포막의 확대를 억제하는 점도가 되는 양이 되도록 제어하고, 상기 반송관의 온도가 상기 용매 증기의 이슬점보다 높게 되도록 상기 제1 히터를 제어하고, 상기 분무부의 온도가 상기 용매 증기의 이슬점보다도 높게 되도록 상기 제2 히터를 제어함으로써 상기 급기부로부터 상기 분무부에 반송되는 상기 용매 증기를 상기 용매 증기의 이슬점 온도보다도 높은 온도로 유지하여 상기 도포 대상물 상의 상기 도포막에 분무하도록 제어하는 제어부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치. A stage on which an application object is placed,
An application unit for forming a coating film by applying a material to a predetermined region on the application object disposed on the stage;
An air supply unit for generating a solvent vapor capable of dissolving the coating film,
A spraying part for spraying the solvent vapor generated by the air supplying part with respect to the coating film on the application object disposed on the stage;
A conveying tube for connecting the air supply unit and the spray unit and conveying the solvent vapor generated by the air supply unit to the spray unit;
A first heater for supplying heat to the conveying pipe;
A second heater for supplying heat to the spraying unit,
The amount of the solvent vapor sprayed by the spraying part is dissolved in the coating film so that the viscosity of the surface layer side portion of the coating film is lower than that of the coating object side portion, and the viscosity of the surface layer side portion of the coating film and the coating object side. The viscosity of the part is controlled so as to be an amount which becomes a viscosity that suppresses the expansion of the coating film on the application object, the first heater is controlled so that the temperature of the conveying pipe is higher than the dew point of the solvent vapor, and the temperature of the spraying part The second heater is controlled to be higher than the dew point of the solvent vapor so that the solvent vapor conveyed from the air supply part to the spraying part is maintained at a temperature higher than the dew point temperature of the solvent vapor and applied to the coating film on the application object. Control to control spraying
And a film-forming apparatus. 제1항에 있어서, 상기 제어부는 상기 도포막의 둘레 가장자리부의 내측의 표층에 상기 용매 증기를 분무하도록 상기 분무부를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치. The film-forming apparatus of Claim 1 in which the said control part controls the said spraying part so that the said solvent vapor may be sprayed on the inner surface layer of the circumferential edge part of the said coating film. 제1항에 있어서, 상기 분무부는 에어나이프형이고, 상기 급기부에 의해 생성된 상기 용매 증기를 분출하는 분출구를 구비하며,
상기 성막 장치는,
상기 분출구의 개구 면적을 조정하는 조정 기구와,
상기 스테이지를 수평면 내에서 회전시키는 회전 기구
를 구비하고,
상기 제어부는 상기 회전 기구에 의해 상기 스테이지를 회전시키면서, 상기 분무부에 상기 용매 증기의 분무를 실행시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The spraying apparatus of claim 1, wherein the spray unit is an air knife type, and has a spray port for ejecting the solvent vapor generated by the air supply unit,
The film forming apparatus,
An adjustment mechanism for adjusting the opening area of the jet port;
A rotating mechanism for rotating the stage in a horizontal plane
And,
And the control unit causes spraying of the solvent vapor on the spraying unit while rotating the stage by the rotating mechanism. 제1항에 있어서, 상기 분무부는 노즐형이고, 상기 급기부에 의해 생성된 상기 용매 증기를 분출하는 분출구를 구비하며,
상기 성막 장치는 상기 스테이지를 수평면 내에서 회전시키는 회전 기구를 구비하고,
상기 제어부는 상기 분무부에 의한 상기 용매 증기의 분무량이, 상기 도포막의 둘레 가장자리부와 둘레 가장자리부의 내측에서 상이한 양이 되도록 상기 급기부를 제어하며, 상기 회전 기구에 의해 상기 스테이지를 회전시키면서, 상기 분무부에 상기 용매 증기의 분무를 실행시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치. The spraying apparatus according to claim 1, wherein the spraying unit is nozzle type and has a spraying port for ejecting the solvent vapor generated by the air supplying unit.
The film forming apparatus includes a rotating mechanism for rotating the stage in a horizontal plane,
The said control part controls the said air supply part so that the spray amount of the said solvent vapor | steam by the said spraying part may become a different amount in the inner peripheral part of the circumferential edge part of the said coating film, and rotates the said stage by the said rotating mechanism, A film forming apparatus, wherein spraying of the solvent vapor is carried out in a spraying unit. 제1항에 있어서, 상기 분무부는,
상기 스테이지를 덮도록 형성되고, 상기 급기부에 의해 생성된 상기 용매 증기를 분출하는 분출구를 갖는 케이스와,
상기 케이스 내에 설치되고, 상기 급기부에 의해 생성된 상기 용매 증기를 분산시키는 분산부와,
상기 분출구의 개구 면적을 조정하는 조정 기구
를 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method of claim 1, wherein the spray unit,
A case formed to cover the stage, the case having a jet port for ejecting the solvent vapor generated by the air supply unit;
A dispersion unit installed in the case and dispersing the solvent vapor generated by the air supply unit;
Adjustment mechanism for adjusting the opening area of the jet port
And a film-forming apparatus. 제3항, 제4항, 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스테이지의 외측 가장자리를 따르도록 설치되고, 상기 분출구로부터 분출된 잉여분의 상기 용매 증기를 배기하는 배기부를 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치. 6. An exhaust section according to any one of claims 3, 4, and 5, comprising an exhaust section provided along an outer edge of the stage and exhausting excess solvent vapor ejected from the ejection opening. Deposition device. 제3항, 제4항, 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분무부는,
상기 급기부에 의해 생성된 상기 용매 증기를 분출하는 분출구와,
상기 분출구 주위에 형성되고, 상기 분출구로부터 분출된 잉여분의 상기 용매 증기를 배기하는 배기구
를 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The said spraying part in any one of Claims 3, 4, and 5,
A jet port for ejecting the solvent vapor generated by the air supply unit,
An exhaust port formed around the jet port to exhaust the excess of the solvent vapor jetted from the jet port
And a film-forming apparatus. 제3항, 제4항, 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도포부에 의해 도포된 상기 도포 대상물 상의 상기 도포막을 건조시키는 건조부를 구비하고,
상기 제어부는 상기 분무부에 상기 용매 증기의 분무를 실행시킬 때까지 상기 도포 대상물 상의 상기 도포막의 표층을 건조시키도록 상기 건조부를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The drying unit according to any one of claims 3, 4, and 5, further comprising a drying unit for drying the coating film on the coating object applied by the coating unit.
And the control unit controls the drying unit to dry the surface layer of the coating film on the coating object until spraying of the solvent vapor on the spraying unit. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 분무부에 의해 분무되는 상기 용매 증기의 양을, 적어도 상기 용매 증기의 반송 기체의 유량 또는 상기 용매 증기를 발생시킬 때의 온도에 따라 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The said control part controls the quantity of the said solvent vapor sprayed by the said spraying part at least according to the flow volume of the carrier gas of the said solvent vapor, or the temperature at the time of generating the said solvent vapor. Film forming device. 제1항에 있어서, 상기 스테이지를 수평면 내에서 회전시키는 회전 기구를 구비하고,
상기 제어부는 상기 회전 기구에 의해 상기 스테이지를 회전시키면서, 상기 도포막의 형성을 실행시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치. The apparatus of claim 1, further comprising a rotating mechanism for rotating the stage in a horizontal plane.
And the control unit executes formation of the coating film while rotating the stage by the rotating mechanism. 제1항에 있어서, 상기 분무부에 의해 상기 용매 증기가 분무된 상기 도포 대상물 상의 상기 도포막을 건조시키는 건조부를 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.The film-forming apparatus of Claim 1 provided with the drying part which dries the said coating film on the said application object with which the said solvent vapor was sprayed by the said spraying part. 제1항에 기재된 성막 장치에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.It is manufactured by the film-forming apparatus of Claim 1, The semiconductor device characterized by the above-mentioned. 도포 대상물 상의 정해진 영역에 재료를 도포하여 도포막을 형성하는 공정과,
분무되는 용매 증기의 양을, 상기 도포막을 용해해서, 상기 도포막의 표층측 부분의 점도가 상기 도포 대상물측 부분의 점도보다 낮아지며, 상기 도포막의 표층측 부분의 점도 및 상기 도포 대상물측 부분의 점도가 상기 도포 대상물 상의 상기 도포막의 확대를 억제하는 점도가 되는 양이 되도록 조정하여 상기 용매 증기를 생성하는 공정과,
상기 조정하여 생성된 상기 용매 증기를 반송하기 위한 반송관을 상기 용매 증기의 이슬점 온도보다도 높은 온도가 되도록 조정하는 공정과,
조정하여 생성된 상기 용매 증기를 상기 반송관에 의해 상기 용매 증기의 이슬점 온도보다 높은 온도로 유지하여 반송하는 공정과,
상기 조정하여 생성된 상기 용매 증기를 상기 도포 대상물 상의 상기 도포막에 분무하기 위한 분무부를 상기 용매 증기의 이슬점 온도보다도 높은 온도가 되도록 조정하는 공정과,
이슬점 온도보다도 높은 온도로 유지하여 반송된 상기 조정하여 생성된 용매 증기를 상기 분무부에 의해 상기 용매 증기의 이슬점 온도보다도 높은 온도로 유지하여 상기 도포 대상물 상의 상기 도포막에 분무하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 방법. Forming a coating film by applying a material to a predetermined region on the application object;
The coating film is dissolved in the amount of the solvent vapor to be sprayed, and the viscosity of the surface layer side portion of the coating film is lower than the viscosity of the coating object side portion, and the viscosity of the surface layer side portion of the coating film and the viscosity of the coating object side portion Generating the solvent vapor by adjusting the amount to become a viscosity that suppresses the expansion of the coating film on the coating object;
Adjusting a conveying tube for conveying the solvent vapor generated by the adjustment so that the temperature is higher than the dew point temperature of the solvent vapor;
Maintaining and conveying the adjusted solvent vapor generated at a temperature higher than the dew point temperature of the solvent vapor by the carrier pipe;
Adjusting the spraying portion for spraying the solvent vapor generated by the adjustment to the coating film on the coating object to be a temperature higher than the dew point temperature of the solvent vapor;
A step of spraying the coating film on the object to be applied by maintaining the temperature of the solvent vapor generated by the spraying unit at a temperature higher than the dew point temperature at the temperature higher than the dew point temperature of the solvent vapor by the spraying unit.
Deposition method comprising a. 제13항에 있어서, 상기 용매 증기를 분무하는 공정에서는, 상기 도포막의 둘레 가장자리부의 내측에 상기 용매 증기를 분무하는 것을 특징으로 하는 성막 방법. The film forming method according to claim 13, wherein in the step of spraying the solvent vapor, the solvent vapor is sprayed inside the peripheral edge portion of the coating film. 제14항에 있어서, 상기 분무하는 공정에서는, 분무된 잉여분의 상기 용매 증기를 배기하는 것을 특징으로 하는 성막 방법. The film-forming method of Claim 14 which exhausts the said excess amount of the solvent vapor sprayed in the said spraying process. 제13항에 있어서, 상기 도포막을 형성하는 공정 후이고 상기 용매 증기를 분무하는 공정 전에, 상기 도포 대상물 상의 상기 도포막을 건조시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 방법. The film-forming method of Claim 13 including the process of drying the said coating film on the said application target after the process of forming the said coating film, and before the process of spraying the said solvent vapor. 제13항에 있어서, 상기 용매 증기를 생성하는 공정에서는, 생성되는 상기 용매 증기의 양을, 적어도 상기 용매 증기의 반송 기체의 유량 또는 상기 용매 증기를 발생시킬 때의 온도에 따라 조정하여 상기 용매 증기를 생성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.The solvent vapor according to claim 13, wherein in the step of generating the solvent vapor, the amount of the solvent vapor generated is adjusted at least in accordance with a flow rate of a carrier gas of the solvent vapor or a temperature when generating the solvent vapor. Formation method, characterized in that for generating. 제13항에 있어서, 상기 도포막을 형성하는 공정에서는, 상기 도포 대상물을 수평면 내에서 회전시키면서 상기 도포 대상물 상에 재료를 도포하여 상기 도포막을 형성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.The film forming method according to claim 13, wherein in the step of forming the coating film, the coating film is formed by applying a material onto the coating object while rotating the coating object in a horizontal plane. 제18항에 있어서, 상기 용매 증기를 생성하는 공정에서는, 생성되는 상기 용매 증기의 양을, 상기 용매 증기의 반송 기체의 유량, 상기 용매 증기를 발생시킬 때의 온도, 및 상기 도포 대상물의 회전에 따라 조정하여 상기 용매 증기를 생성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법. The process for producing the solvent vapor according to claim 18, wherein the amount of the solvent vapor generated is determined by the flow rate of the carrier gas of the solvent vapor, the temperature at which the solvent vapor is generated, and the rotation of the coating object. And adjusting accordingly to produce the solvent vapor. 제13항에 있어서, 상기 용매 증기를 분무하는 공정 후에, 상기 도포 대상물 상의 상기 도포막을 건조시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.The film-forming method of Claim 13 including the process of drying the said coating film on the said application target after the process of spraying the said solvent vapor.
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