KR101241840B1 - 사파이어 잉곳의 ｒ면 측정장치 - Google Patents

사파이어 잉곳의 ｒ면 측정장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101241840B1
KR101241840B1 KR1020120129361A KR20120129361A KR101241840B1 KR 101241840 B1 KR101241840 B1 KR 101241840B1 KR 1020120129361 A KR1020120129361 A KR 1020120129361A KR 20120129361 A KR20120129361 A KR 20120129361A KR 101241840 B1 KR101241840 B1 KR 101241840B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sapphire ingot
ingot
sapphire
unit
jig
Prior art date
Application number
KR1020120129361A
Other languages
English (en)
Inventor
이재철
Original Assignee
뉴마테크 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 뉴마테크 주식회사 filed Critical 뉴마테크 주식회사
Priority to KR1020120129361A priority Critical patent/KR101241840B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101241840B1 publication Critical patent/KR101241840B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
    • G01B15/08—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/10—Different kinds of radiation or particles
    • G01N2223/101—Different kinds of radiation or particles electromagnetic radiation
    • G01N2223/1016—X-ray

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

본 발명은 사파이어 잉곳의 R면 측정장치에 관한 것으로서, 단결정의 사파이어 잉곳에 대한 R면 위치를 미리 파악할 수 있는 측정장치를 제공하여, 고가의 사파이어 잉곳의 슬라이싱 공정에서 불량률을 줄이고 신뢰성 높은 사파이어 웨이퍼를 제조할 수 있도록 한 사파이어 잉곳의 R면 측정장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 사파이어 잉곳(10)에 X선을 조사하는 X선조사부(110)와, 사파이어 잉곳(10)을 통해 회절되는 X선의 강도를 검출하는 X선검출부(120)와, 사파이어 잉곳(10)이 'v'자형 홈으로부터 57 ~ 58°각도로 기울어져 배치 고정될 수 있도록 구성된 지그부(140)와, 상기 지그부(140) 하부에서 지그부(140)를 지지하면서 각도 조절에 따라 회전 동작하도록 구성된 테이블(130)을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.

Description

사파이어 잉곳의 Ｒ면 측정장치 {Measurement device for sapphire ingot}
본 발명은 사파이어 잉곳의 R면 측정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, C축으로 성장된 사파이어 잉곳 결정에 대한 R면의 위치를 측정하여 R면을 회피하여 절단 가공하도록 함으로, 절단 과정에서의 편차 발생을 줄이고, 고품질의 사파이어 웨이퍼를 생산할 수 있도록 한 사파이어 잉곳의 R면 측정장치에 관한 것이다.
사파이어 웨이퍼는 엘이디(LED) 등의 소자를 제조하는데 필수적으로 이용되는 것으로, 그 제조방법은 GaN(질화갈륨)결정을 C축으로 성장시킨 사파이어(sapphire) 잉곳(ingot)을 낱장의 웨이퍼로 제조하기 위해 얇게 절단(slicing)한 후, 원하는 웨이퍼의 두께로 연마하면서 평탄도를 개선하는 랩핑(lapping) 공정, 모서리 가공(edge grinding) 공정, 표면 경면화 및 평탄도를 향상시키기 위한 경면 연마(polishing) 공정 등의 단계를 거쳐 웨이퍼를 생산한다.
그러나, 사파이어 잉곳은 단결정으로 결정 방향을 갖기에 슬라이싱 과정에서 방향 틀어짐 현상이 유도되는 문제점이 발생할 수 있었다.
도 1 및 도 2는 사파이어 결정구조를 개략적으로 도시한 것이다.
상기와 같이, 사파이어 결정은 각각의 결정 방향을 갖는데, 성장 방향에 해당하는 C축 방향으로는 C면이 형성되고, 상기 C축에 대해 소정 각도 기울어진 위치에는 R면이 형성된다.
즉, C축으로 성장된 단결정의 사파이어 잉곳은 C축에 대한 수직면인 C면을 슬라이싱하여 웨이퍼로 사용하는 것이 가장 바람직하나, C면과 서로 다른 결정 방향을 갖는 R면은 슬라이싱 과정에서 편차 발생을 유도하는 등 절단 가공에 좋지 않은 영향을 미쳤다.
이와 같이, 사파이어 잉곳의 R면에 대한 결정 방향을 예측하지 못하고 슬라이싱 가공이 이루어지면 절단 과정에서 편차가 발생할 수 있었고, 이는 고가의 사파이어 웨이퍼에 대한 불량률이 증가하는 원인으로 작용하였다.
사파이어 잉곳의 절단 조건에서 사파이어의 결정 방향은 제품 성능에 매우 중요한 영향을 미치는 원인으로 작용하였기에, 신뢰성 높은 사파이어 웨이퍼의 제작을 위해서는 단결정 사파이어 잉곳의 R면에 대한 결정 방향을 미리 파악하는 것이 중요하다. 또한, 사파이어 잉곳 결정에 대한 R면 위치는 C면에 대하여 방사상으로 120°각도를 형성하며 인접 배치되기에 R면에 대한 결정 방향을 파악할 수만 있으면 사파이어 잉곳을 안정적으로 슬라이싱 할 수 있는 방향을 예측할 수 있는 것이다.
하지만, 기존에는 사파이어 잉곳 상태에서 사파이어 결정의 R면 위치를 측정할 수 있는 장치가 없었으며, 고가의 사파이어 웨이퍼에 대한 불량률을 감소시키기 위한 수단으로 사파이어 잉곳의 R면 측정장치가 요구되는 실정이다.
따라서, 본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 단결정의 사파이어 잉곳에 대한 R면 위치를 미리 파악할 수 있는 측정장치를 제공하여, 고가의 사파이어 잉곳의 슬라이싱 공정에서 불량률을 줄이고 신뢰성 높은 사파이어 웨이퍼를 제조할 수 있도록 함에 본 발명의 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 기술적 수단으로, 본 발명은 사파이어 잉곳에 X선을 조사한 후 X선의 입사각에 대한 회절 X선의 강도를 검출하면서 C축 성장 사파이어 잉곳 결정에 대한 R면의 위치를 측정하도록 한다.
또한, 다수의 테스트 결과 사파이어 잉곳 결정에 대한 R면 위치는 C축으로부터 57 ~ 58°기울어져 형성되기에 지그부의 위치를 57 ~ 58°경사지게 배치되도록 한다.
또한, 사파이어 잉곳 결정에 대한 R면 위치는 C면에 대하여 방사상으로 120°각도를 형성하며 인접 배치되기에 지그부에서 사파이어 잉곳을 회전시키면서 R면의 위치를 파악할 수 있도록 한다.
본 발명에 따른 사파이어 잉곳의 R면 측정장치에 의하면, C축 성장된 사파이어 잉곳 결정에 대한 R면의 위치를 미리 파악할 수 있어 사파이어 잉곳의 슬라이싱 과정에서 불량률을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 불량률 감소에 따른 생산성 향상과, 생산원가의 절감, 그리고 신뢰성 높은 사파이어 웨이퍼를 제조할 수 있는 효과도 있다.
도 1 및 도 2는 사파이어 결정구조를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 사파이어 잉곳의 R면 측정장치에 대한 전체 구성도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 사파이어 잉곳의 R면 측정장치에서 테이블의 구성을 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 사파이어 잉곳의 R면 측정장치에서 지그부의 측면을 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 사파이어 잉곳의 R면 측정장치에 대한 사용상태도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 사파이어 잉곳의 R면 측정장치에서 지그부의 평면을 나타낸 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 사파이어 잉곳의 R면 측정장치에 대한 전체 구성도이며, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 사파이어 잉곳의 R면 측정장치에 대한 사용상태도이다.
상기와 같이 본 발명에 따른 사파이어 잉곳의 R면 측정장치는 X선조사부(110)와, X선검출부(120)와, 테이블(130)과, 지그부(140)와, 각도조절부(150)와, 입력부(160)와, 표시부(170)와, 에어흡입부(180)와, 본체(190)를 포함하여 구성된다.
X선조사부(110)는 지그부(140)에 배치된 사파이어 잉곳(10)에 X선을 조사하기 위하여 X선을 생성 및 방출하는 것이다.
X선검출부(120)는 X선조사부(110)와 소정의 각도를 형성하며 배치된 것으로, 좌우 또는 상하 위치조절이 가능하도록 구성될 수 있으며, X선조사부(110)를 통해 조사된 X선이 사파이어 잉곳(10)으로 입사될 때 X선의 입사각에 대한 회절 X선의 강도를 검출한다.
테이블(130)은 본체(190) 상부에 위치하며, 지그부(140)가 배치될 수 있도록 공간부를 형성하고, 좌우 양방향으로 회동 가능하도록 구성된다.
상기 테이블(130)은 수평으로 평탄하게 구성된 수평지지부(131)와, 상기 수평지지부(131)의 일측 단부에서 수직 설치되는 수직지지부(132)를 포함하여 구성된다.
상기 수평지지부(131)는 일측이 본체(190)로부터 회동 가능하도록 연결 구성되어 본체(190)로부터 각도 조절이 이루어질 수 있고, 또 다른 일측 하부에는 이송로울러(131a)가 형성되어 각도조절에 따른 회전 이송동작이 용이하게 이루어질 수 있도록 하였다.
상기 수직지지부(132)는 수평지지부(131)의 일측에서 수직 설치되며, 일부분에는 다수의 에어통공(132a)이 관통 형성된 후 에어흡입부(180)로부터 에어 흡입동작이 이루어질 수 있도록 구성된 것으로, 이는 지그부(140) 등 고정대상의 물체가 에어 흡입 동작에 의해 수직지지부(132)측에 흡착 고정될 수 있도록 한 것이다.
지그부(140)는 테이블(130) 상부에 배치되는 것으로, 'v'자형 홈으로부터 사파이어 잉곳(10)이 기울어져 거치되도록한 후 이를 지지한다.
보다 상세하게는, 상기 지그부(140)는 사파이어 잉곳(10)의 측면을 지지하는 측면받침부(141)와, 사파이어 잉곳(10)의 하부면을 지지하는 하부면받침부(142)를 포함하여 이루어지고, 상기 측면받침부(141)는 테이블(130)의 수평지지부(131)를 기준으로 한 수직축으로부터 57 ~ 58°각도로 기울어진 위치에 형성되며, 상기 하부면받침부(142)는 상기 측면받침부(141)의 일단으로부터 직각 위치에 형성된다.
상기에서 측면받침부(141)가 57 ~ 58°각도로 경사지게 형성됨은 원기둥 형상의 사파이어 잉곳(10)이 57 ~ 58°각도로 기울어져 배치될 수 있도록 함이며, 이는 C축 방향으로 성장된 사파이어 결정의 R면이 C축을 기준으로 57.6°각도로 기울어진 결정 방향성을 갖기 때문에 사파이어 잉곳(10) 전체를 57.6°각도로 기울이거나, 오차범위를 포함하여 57 ~ 58°각도로 기울이면 사파이어 결정의 R면이 테이블(130)로부터 수직 위치에 배치되기 때문이다.
사파이어 결정의 R면이 테이블(130)로부터 수직 위치에 배치될 경우, X선조사부(110)에서 잉곳(10)에 X선을 조사하고 이를 X선검출부(120)에서 측정할 시, 잉곳(10)으로 입사된 X선의 입사각에 대한 회절 X선의 강도는 최고치인 피크값이 될 것이다.
또한, 사파이어 잉곳 결정에 대한 R면 위치는 C면에 대하여 방사상으로 120°각도를 형성하며 인접 배치되기에, 지그부(140)에 배치된 사파이어 잉곳(10)을 회전시키며 X선을 조사하면 사파이어 잉곳(10) 결정에 대한 R면 위치를 쉽게 파악할 수 있을 것이며, R면을 회피하여 슬라이싱 방향을 설정하면 불량률을 줄이고 품질 높은 사파이어 웨이퍼를 제조할 수 있을 것이다.
상기 측면받침부(141)는 곡면 형태로 이루어져 원통형의 잉곳(10)이 안정적으로 거치될 수 있도록 하였으며, 측면받침부(141) 중앙에는 거치홈(141a)을 형성하여 직경이 서로 다른 원통형의 잉곳(10)이 안정적으로 거치될 수 있도록 하였다.
일반적으로 사용되는 사파이어 잉곳은 직경 2인치, 4인치, 6인치로 구분된다. 본 발명에 따른 지그부(140)는 서로 다른 직경을 갖는 사파이어 잉곳이 안정적으로 거치 및 회전될 수 있는 구성을 제공하여 R면의 위치를 파악하는데, 지그부(140)의 하부면받침부(142)에는 제1스러스트베어링(142a) 및 제2스러스트베어링(142b)이 형성되어 사파이어 잉곳(10)의 바닥면과 접촉됨에 따른 용이한 회전을 보조하고, 측면받침부(141) 양측에는 잉곳 회전로울러(141b)가 형성되어 사파이어 잉곳(10)의 측면부와 접촉됨에 따른 용이한 회전을 보조한다. 이때, 상기 제1스러스트베어링(142a)은 직경 2인치의 사파이어 잉곳과 대응하는 크기가 적용되어 회전을 보조하고, 상기 제2스러스트베어링(142b)은 직경 4인치의 사파이어 잉곳과 대응하는 크기가 적용되어 회전을 보조하며, 측면받침부(141)에 형성된 잉곳 회전로울러(141b)는 6인치의 사파이어 잉곳의 측면부에 접촉하여 회전을 보조한다.
각도조절부(150)는 X선검출부(120) 또는 테이블(130)을 사용자에 의해 일정 각도로 회동시킬 수 있도록 구성된 것으로, 이는 X선조사부(110)에서 조사된 X선이 사파이어 잉곳(10)에 입사된 후 회절되었을시 X선검출부(120)에서 회절 X선에 대한 피크값을 검출하기 위하여 X선검출부(120) 또는 테이블(130)의 각도를 조절할 수 있도록 한 것이다.
입력부(160)는 조사되는 X선의 파장값, 테이블(130)의 각도 등 각종 동작에 관한 설정값을 입력할 수 있도록 구성된 것이다.
표시부(170)는 각종 동작상태에 관한 수치값을 표시하는 것으로, X선의 파장값, 각도 설정값, 회절 X선에 대한 피크값 등을 확인할 수 있도록 표시수단을 제공한다.
본체(190)는 장비의 하우징 역할을 하며, 상부에는 X선검출부(120) 및 테이블(130)이 배치되고, 각도조절부(150)와, 입력부(160)와, 표시부(170) 등의 구성이 내부에 수용되거나 조작 가능하도록 연결 설치된다.
상기와 같은 구성으로 이루어진 사파이어 잉곳의 R면 측정장치는, 지그부(140)에 사파이어 잉곳(10)을 배치하고 X선을 조사하면 사파이어 잉곳(10)에 대한 회절 X선을 검출하면서 그 강도를 측정하는데, 이때 R면이 수직 위치에 배치되어 정확히 R면에 X선이 조사되면 X선의 회절시 손실이 적어 측정되는 X선은 최고값이 될 것이다. 또한, 사파이어 잉곳 결정에 대한 R면 위치는 C면에 대하여 방사상으로 120°각도를 형성하며 인접 배치되기에, 지그부(140)에 배치된 사파이어 잉곳(10)을 회전시키며 X선을 조사하면 사파이어 잉곳(10) 결정에 대한 R면 위치를 쉽게 파악할 수 있을 것이며, 파악된 R면 위치를 회피하면 웨이퍼 제조시 절단 가공방향을 용이하게 결정할 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상을 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있는 것이다.
10 : 사파이어 잉곳 110 : X선조사부
120 : X선검출부 130 : 테이블
131 : 수평지지부 131a : 이송로울러
132 : 수직지지부 132a : 에어통공
140 : 지그부 141 : 측면받침부
141a : 거치홈 141b : 잉곳 회전로울러
142 : 하부면받침부 142a : 제1스러스트베어링
142b : 제2스러스트베어링 150 : 각도조절부
160 : 입력부 170 : 표시부
180 : 에어흡입부 190 : 본체

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 사파이어 잉곳(10)에 X선을 조사하는 X선조사부(110);
    사파이어 잉곳(10)을 통해 회절되는 X선의 강도를 검출하는 X선검출부(120);
    사파이어 잉곳(10)이 'v'자형 홈으로부터 57 ~ 58°각도로 기울어져 배치 고정될 수 있도록 구성된 지그부(140);를 포함하여 구성되고,
    상기 지그부(140) 하부에는 지그부(140)를 지지하면서 각도 조절에 따라 회전 동작하도록 구성된 테이블(130);이 더 형성된 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 R면 측정장치.
  3. 사파이어 잉곳(10)에 X선을 조사하는 X선조사부(110);
    사파이어 잉곳(10)을 통해 회절되는 X선의 강도를 검출하는 X선검출부(120);
    사파이어 잉곳(10)이 'v'자형 홈으로부터 57 ~ 58°각도로 기울어져 배치 고정될 수 있도록 구성된 지그부(140);를 포함하여 구성되고,
    상기 지그부(140)는, 사파이어 잉곳(10)의 측면을 지지하는 측면받침부(141)와, 사파이어 잉곳(10)의 하부면을 지지하는 하부면받침부(142)를 포함하고,
    상기 측면받침부(141)는 수직방향으로부터 57 ~ 58°각도로 기울어진 위치에 형성되며, 상기 하부면받침부(142)는 상기 측면받침부(141)의 일단으로부터 직각으로 연장 형성된 지그부(140);를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 R면 측정장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 테이블(130)은, 수평으로 평탄하게 구성된 수평지지부(131)와,
    상기 수평지지부(131)의 일측 단부에서 수직 설치되고 다수의 에어통공(132a)이 관통 형성된 수직지지부(132)와,
    상기 수직지지부(132)의 일측에서 에어통공(132a)을 통해 공기를 흡입하는 에어흡입부(180)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 R면 측정장치.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 측면받침부(141)는 곡면 형태로 이루어지고, 중앙에는 거치홈(141a)이 형성되어 원통형의 잉곳(10)이 안정적으로 거치될 수 있도록하며, 측면받침부(141)의 양측에는 잉곳 회전로울러(141b)가 형성되어 사파이어 잉곳(10) 측면부가 접촉되어 용이한 회전이 이루어질 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 R면 측정장치.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 하부면받침부(142)에는 사파이어 잉곳(10)의 회전이 용이하게 이루어질 수 있도록 최소 하나 이상의 스러스트 베어링(thrust bearing)이 더 형성된 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 R면 측정장치.
  7. 사파이어 잉곳(10)에 X선을 조사하는 X선조사부(110);
    사파이어 잉곳(10)을 통해 회절되는 X선의 강도를 검출하는 X선검출부(120);
    사파이어 잉곳(10)이 'v'자형 홈으로부터 57 ~ 58°각도로 기울어져 배치 고정될 수 있도록 구성된 지그부(140);를 포함하여 구성되고,
    상기 지그부(140) 하부에는 지그부(140)를 지지하면서 각도 조절에 따라 회전 동작하도록 구성된 테이블(130)이 형성되고,
    상기 테이블(130)은 하부에 위치한 본체(190)로부터 연결 지지되는 것으로,
    상기 본체(190)에는 테이블(130)을 일정 각도로 회전시키는 각도조절부(150)와, 각종 동작에 관한 설정값을 입력할 수 있는 입력부(160)와, 각종 동작상태에 관한 수치값을 표시하는 표시부(170)가 더 형성된 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 R면 측정장치.
KR1020120129361A 2012-11-15 2012-11-15 사파이어 잉곳의 ｒ면 측정장치 KR101241840B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120129361A KR101241840B1 (ko) 2012-11-15 2012-11-15 사파이어 잉곳의 ｒ면 측정장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120129361A KR101241840B1 (ko) 2012-11-15 2012-11-15 사파이어 잉곳의 ｒ면 측정장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101241840B1 true KR101241840B1 (ko) 2013-03-11

Family

ID=48181562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120129361A KR101241840B1 (ko) 2012-11-15 2012-11-15 사파이어 잉곳의 ｒ면 측정장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101241840B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110095091A (ko) * 2010-02-17 2011-08-24 한미반도체 주식회사 잉곳 검사 장치 및 방법
KR20120122567A (ko) * 2011-04-29 2012-11-07 웅진에너지 주식회사 잉곳 검사 장치 및 이를 이용한 잉곳 검사 방법
KR20120122424A (ko) * 2011-04-29 2012-11-07 팅크웨어(주) 전자기기, 그 제어방법 및 전자기기와 통신하는 서버

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110095091A (ko) * 2010-02-17 2011-08-24 한미반도체 주식회사 잉곳 검사 장치 및 방법
KR20120122567A (ko) * 2011-04-29 2012-11-07 웅진에너지 주식회사 잉곳 검사 장치 및 이를 이용한 잉곳 검사 방법
KR20120122424A (ko) * 2011-04-29 2012-11-07 팅크웨어(주) 전자기기, 그 제어방법 및 전자기기와 통신하는 서버

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6077152B2 (ja) 研磨装置
TW201515768A (zh) 工件之兩面硏磨裝置及兩面硏磨方法
JP4481667B2 (ja) 切削方法
TWM549782U (zh) 晶棒切片設備及其調整裝置
US10920338B1 (en) Driving unit measuring apparatus and silicon crystal growing apparatus having same
CN209230943U (zh) 一种刀具的旋转检测治具
JP2013258243A (ja) 化合物半導体基板の製造方法および製造装置
KR101241840B1 (ko) 사파이어 잉곳의 ｒ면 측정장치
CN110509133A (zh) 蓝宝石衬底切割片再生加工方法
TWI819854B (zh) 矽片定位方法及裝置
TW201044450A (en) Cutting device, cutting device unit and cutting method
US20220199407A1 (en) Grinding apparatus
JP2013035074A (ja) 切削装置
KR102196297B1 (ko) 웨이퍼 육안 검사장치
US20220410432A1 (en) Ingot temperature controller and wire sawing device having same
JP4259136B2 (ja) 試料の検査装置
JP2016186956A (ja) シリコンウェーハの製造方法
KR101289660B1 (ko) 사파이어 잉곳 가공용 지그
KR101554993B1 (ko) 웨이퍼 연마장치
JPH112614A (ja) 単結晶軸方位ｘ線測定方法及び装置
CN221176192U (zh) 一种新型晶圆整边工具
KR20050020271A (ko) 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조방법 및 제조장치
JP2019119053A (ja) ブレーク装置
KR101426759B1 (ko) 웨이퍼 연마장치
CN219532895U (zh) 自动光学检测垫块宽度调节装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160303

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170303

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180305

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190305

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200305

Year of fee payment: 8