KR101229102B1 - 약액 도포 장치 및 약액 도포 방법 - Google Patents

약액 도포 장치 및 약액 도포 방법 Download PDF

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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

스핀 코팅법에 의해 균일하고 편차가 없이 약액을 도포할 수 있는 약액 도포 장치 및 약액 도포 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 스테이지 위에 고정된 도포 대상물에 약액을 도포하기 위한 복수의 노즐이 제공되어 있다. 각 노즐은 개별적으로 상하좌우 방향으로 이동 가능하다. 따라서, 토출 포인트나 패턴의 제어가 가능하게 되고, 보다 넓은 점도 범위의 약액에 대응한 도포가 가능하다. 본 발명을 실시함으로써, 기판 전체에 걸쳐 막 두께 분포가 작고, 균일한 두께의 도포막이 얻어짐과 동시에, 토출하는 약액의 낭비를 줄이여 사용 효율을 높인 약액 토출 방법을 구비한 약액 도포 장치를 얻을 수 있다.
약액 도포 장치, 약액 도포 방법, 스핀 코팅법, 노즐, 표시장치

Description

약액 도포 장치 및 약액 도포 방법{Chemical solution application apparatus and chemical solution application method}
도 1은 본 발명의 약액 도포 장치의 구성을 나타내는 단면도.
도 2(A) 및 도 2(B)는 본 발명의 약액 도포 장치의 상면도.
도 3은 본 발명의 약액 도포 장치의 사시도.
도 4(A) 및 도 4(B)는 결정화 기술에 본 발명의 약액 도포 장치를 사용한 경우를 나타내는 도면.
도 5(A) 및 도 5(B)는 본 발명을 사용한 EL 발광 소자를 제조하는 것을 나타내는 도면.
도 6은 발광 소자의 대표적인 구조를 나타내는 도면.
도 7(A) 및 도 7(B)는 본 발명을 적용한 표시장치의 화소부의 제조공정의 상면도 및 단면도.
도 8(A) 및 도 8(B)는 본 발명을 적용한 표시장치의 화소부의 제조공정의 상면도 및 단면도.
도 9(A) 및 도 9(B)는 본 발명을 적용한 표시장치의 화소부의 제조공정의 상면도 및 단면도.
도 10(A)∼도 10(E)는 본 발명을 적용한 표시장치의 화소부의 제조공정의 단 면도.
도 11(A) 및 도 11(B)는 본 발명을 적용한 표시장치의 화소부의 제조공정의 상면도 및 단면도.
도 12(A) 및 도 12(B)는 본 발명을 적용한 표시장치의 화소부의 제조공정의 상면도 및 단면도.
도 13(A) 및 도 13(B)는 본 발명을 적용한 표시장치의 화소부의 제조공정의 상면도 및 단면도.
도 14(A)∼도 14(C)는 본 발명을 적용한 표시장치의 화소부의 제조공정의 단면도.
도 15는 디스펜서 방식을 채용한 액정 적하 주입법을 나타내는 사시도.
도 16(A)∼도 16(D)는 본 발명이 적용되는 전자 기기를 나타내는 도면.
도 17은 본 발명의 약액 도포 장치의 사시도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101: 흡착 스테이지 102: 기판
103(a)∼103(d): 이동식 노즐 104(a)∼104(d): 배관
105(a)∼105(d): 약액 압송부(탱크) 106: 가이드 레일
107: 컵 109(a)∼109(d): 약액 토출 제어 기구
본 발명은 도포 대상물에 약액(藥液)을 도포하기 위한 약액 도포 장치 및 약액 도포 방법에 관한 것이다.
종래의 스핀 코터(coater) 장치로 대표되는 약액 도포 장치는, 회전 원반 상에 기판을 고정하고, 단일 노즐로부터 기판 표면의 단일 중앙 지점 또는 복수의 지점에 액적(液滴)을 연속적으로 적하(滴下)하고, 회전 원반을 회전시켜 기판 표면에 박막을 형성한다(예를 들어, 일본국 공개특허공고 평6-15224호 공보 참조).
또한, 기판 크기의 대형화에 따라 또는 수 종류의 약액을 사용할 목적으로 복수의 노즐로부터 액체를 도포하는 장치가 고안되고 있다. 복수의 적하 구멍이 직선 형상으로 배치된 노즐을 각 적하 구멍으로부터 포토레지스트를 적하하면서 이동시킴으로써, 기판의 상면 전체에 포토레지스트를 적하하고, 이어서, 모터를 구동하여 턴테이블을 회전시켜 기판을 면 방향으로 회전시킴으로써, 기판의 상면 전체에 포토레지스트를 균일하게 도포하는 것이 가능하다(예를 들어, 일본국 공개특허공고 평8-141477호 공보 참조).
그러나, 단일 노즐로부터 복수의 지점에 액적을 연속적으로 적하하는 도포 방법에서는, 노즐을 이동시키고 있는 사이에, 먼저 토출한 유동성 착색 수지가 건조하고, 먼저 토출한 영역의 막 두께가 두껍게 되어, 기판 위에 균일하게 도포할 수 없다.
또한, 복수의 적하 구멍이 직선 형상으로 배치된 노즐을 직선으로 일 방향으로 상대적으로 이동시키는 약액의 적하 방법은, 기판의 형상이 사각형이고 그 크기가 특정되어 있는 경우에는 적합하지만, 형상이 원형인 기판이나 크기가 다른 기판에 대하여 도포하는 경우에는 토출물에 낭비가 발생한다. 레지스트는 고가이고, 낭비할 수는 없다. 또한, 단일 노즐의 경우와 마찬가지로, 직선 형상으로 배치된 복수의 노즐을 이동시키고 있는 사이에, 먼저 토출한 토출물로부터 차례로 건조하여 가기 때문에, 이어서, 모터를 구동하여 턴테이블을 회전시킬 쯤에는 최초와 최후에 적하한 영역에서 점도가 바뀌고, 불균일한 도포가 발생하게 된다.
토출하는 약액의 종류(점도)가 바뀌면, 그 약액을 도포 대상물에 도포하는 방법도 크게 바뀌게 된다. 저점도의 경우, 기판 전면이 균일하게 도포되기 전에 약액이 떨어지게 된다. 고점도의 경우에는, 전면에 넓게 퍼져 도포되지 않는 경우가 있다. 따라서, 균일한 도포막을 얻기 위해서는, 기판에 대한 토출 포인트의 선택이 중요하다. 그러나, 복수의 적하 구멍이 직선 형상으로 배치된 노즐에서는, 토출 포인트의 패턴의 선택이 가능하지 않다는 문제도 발생하고 있다.
상기 과제를 감안하여, 본 발명의 목적은 기판 전체에 걸쳐 막 두께 분포가 작고, 균일한 두께의 도포막을 얻을 수 있는 약액 토출 방법 및 약액 도포 장치를 제공하는데 있다. 또한, 토출하는 약액의 낭비를 줄이고, 사용 효율을 높인 약액 토출 방법 및 약액 도포 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성의 하나는, 기판을 보유하는 스테이지와, 그 스테이지에 의해 보유된 기판과 대향하여 제공되고, 기판 상에 약액을 토출하는 복수의 노즐과, 그 복수의 노즐을 각각 자유롭게 이동시키는 구동기구와, 상기 복수의 노즐로부터 토출되는 약액의 양을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구성의 하나는, 기판을 보유하는 스테이지와, 그 스테이지에 의해 보유된 기판과 대향하여 제공되고, 기판 상에 약액을 토출하는 복수의 노즐과, 그 복수의 노즐을 각각 자유롭게 이동시키는 제1 구동기구와, 상기 스테이지를 이동시키는 제2 구동기구와, 상기 복수의 노즐로부터 토출되는 약액의 양을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구성의 하나는, 기판을 보유하는 스테이지와, 그 스테이지에 의해 보유된 기판과 대향하여 제공되고, 기판 상에 약액을 토출하는 복수의 노즐과, 그 복수의 노즐을 각각 자유롭게 이동시키는 제1 구동기구와, 상기 스테이지를 이동시키는 제2 구동기구와, 상기 약액을 수납하는 탱크와, 배관을 통하여 그 탱크에 연결되고, 상기 복수의 노즐로부터 토출되는 약액의 양을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구성의 하나는, 기판을 보유하는 스테이지와, 그 스테이지에 의해 보유된 기판과 대향하여 제공된 가이드 레일과, 그 가이드 레일에 의해 보유되고, 기판 상에 약액을 토출하는 복수의 노즐과, 상기 약액을 수납하는 탱크와, 배관을 통하여 그 탱크에 연결되고, 상기 복수의 노즐로부터 토출되는 약액의 양을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 복수의 노즐은 각각 가이드 레일을 따라 자유롭게 이동할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구성의 하나에서, 상기 가이드 레일은 매트릭스 형상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구성의 하나는, 기판을 보유하는 스테이지와, 그 스테이지에 의해 보유된 기판과 대향하여 제공된 가이드 레일과, 그 가이드 레일에 의해 보유되고, 기판 상에 약액을 토출하는 복수의 노즐과, 상기 약액을 수납하는 탱크와, 배관을 통하여 상기 탱크에 연결되고, 상기 복수의 노즐로부터 토출되는 약액의 양을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 복수의 노즐 각각이 상기 가이드 레일을 따라 자유롭게 이동되고 소정의 위치에 배치되고, 상기 복수의 노즐로부터 상기 스테이지 위에 보유된 기판에 약액을 토출하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구성의 하나에서, 복수의 노즐은 도포 대상물에 대하여 상하 방향으로도 이동할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구성의 하나에서, 복수의 노즐은 모두 사용될 필요는 없고, 사용되는 노즐의 수를 기판의 크기, 약액의 점도 등에 따라 변경할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구성의 하나에서, 복수의 노즐로부터 토출되는 약액은 1종류에 한정되지 않는다. 몇 종류의 약액을 각 탱크에 충전하여 두고, 토출 시에 노즐을 바꿈으로써, 도포막을 연속적으로 성막할 수 있다.
본 발명에서 토출되는 약액으로서는, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 멜라민 수지, 폴리에스터 수지, 폴리카보네이트 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리아세탈, 폴레에테르, 폴리우레탄, 폴리아미드(나일론), 폴리이미드-아미드, 프란 수지, 디아릴 프탈레이트 수지 등의 유기 수지; 실록산, 폴리실라잔, 헥사메틸디실라잔이 사용될 수 있다. 또는, 물, 알코올, 에테르, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미 드, 디메틸술폭시드, N-메틸피롤리돈, 헥사메틸포스파미드, 클로로포름, 염화메틸렌 등의 극성 용매를 사용한 용액이 사용될 수도 있다. 또한, 디아조나프토퀴논-노보락 수지계(현상액은 TMAH(Tetramethylammonium hydroxide)), 폴리메틸메타크릴레이트(현상액은 메틸이소부틸케톤:이소프로필 알코올의 1:3 용액), 또는 알파메틸스티렌-알파클로로아크릴산의 공중합체(현상액은 혼합 크실렌) 등의 레지스트가 사용될 수도 있다. 또한, FAS(플루오르알킬실란) 등의 실란 커플링제가 사용될 수도 있다. 물론, 상기에서 나열한 약액에 한정되는 것은 아니고, 목적에 따라 다양한 약액을 사용할 수 있다.
본 발명을 실시함으로써, 기판 전체에 걸쳐 막 두께 분포가 작고, 균일한 두께의 도포막이 얻어짐과 동시에, 토출하는 약액의 낭비를 줄여 사용 효율을 높인 약액 토출 방법을 구비한 약액 도포 장치가 얻어질 수 있다.
토출물의 하나인 레지스트는 고가이다. 그러나, 통상의 스핀 도포 시에 웨이퍼 위에 적하한 레지스트의 97%가 비산된다는 것은 알려져 있다. 따라서, 복수의 노즐을 각각 자유롭게 이동시킬 수 있는 구동기구를 가지는 본 발명의 약액 도포 장치를 사용함으로써, 최적의 개소에 최적의 양을 토출할 수 있기 때문에, 레지스트의 사용 효율을 대폭으로 향상시킬 수 있다.
기판이 대형이고 장방형일 때에는, 노즐들을 기판의 엣지(edge) 부분에도 배치함으로써, 기판의 네 구석에서 약액이 떨어지는 일이 없고, 대형 기판이라도 균일한 도포막의 형성이 가능하게 된다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은 많은 다른 양태로 실시될 수 있고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 그 형태 및 상세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 당업자라면 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다.
[실시형태 1]
먼저, 복수의 이동식 노즐을 구비한 약액 도포 장치에 대하여, 도 1과 도 2(A) 및 도 2(B)를 사용하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 약액 도포 장치의 측면도이고, 도 2(A) 및 도 2(B)는 상면도이다. 흡착 스테이지(101)(회전 지지판 또는 턴테이블이라고도 부름) 위에 기판(102)이 세트된다. 그리고, 가이드 레일(106)(도 2(A) 및 도 2(B)에서는 생략됨)에 복수의 이동식 노즐(103(a)∼103(d))이 고정되어 있다. 각 노즐(103(a)∼103(d))은 x축, y축, z축을 따라 방향을 바꿀 수 있고, 배관(104(a)∼104(d))을 통하여 약액 펌핑부(탱크)(105(a)∼105(d))에 접속되어 있다. 복수의 노즐(103)과 탱크(105) 사이에는, 이들을 제어하는 약액 토출 제어기구(토출 제어 수단 또는 제어부라고도 칭함)(109(a)∼109(d))가 접속되어 있다. 그리고, 약액 토출 제어기구(109(a)∼109(d))로부터 신호를 수신한 각 탱크(105(a)∼105(d))는 이 신호에 의해 각 탱크(105(a)∼105(d))의 약액 펌핑을 조정하여, 각 노즐(103(a)∼103(d))로부터 소정량의 약액을 토출한다. 이 약액 토출 제어기구(109(a)∼109(d))에 의해, 기판의 위치나 형상에 따라 토출량이나 토출 속도를 바꿀 수가 있다. 또한, 컵(107) 및 컵 뚜껑(108)은, 기판(102)이 회전하고 있을 때 약액이 비산하지 않도록 하고, 연무가 된 약액이 컵(107)내의 공기 흐름을 제어함으로써 기판에 재부착하는 것을 방지하기 위해 설치되어 있다(도 1 참조).
또한, 탱크(105(a)∼105(d))는 각 노즐(103(a)∼103(d))과 약액 토출 제어기구(109(a)∼109(d)) 사이에 제공될 수도 있다. 또한, 탱크(105(a)∼105(d)) 자체에 약액 펌핑을 조정하는 기구가 제공되어 있으면, 약액 토출 제어기구(109(a)∼109(d))는 없어도 좋다.
또한, 탱크(105(a)∼105(d)) 및 약액 토출 제어기구(109(a)∼109(d))는 각 노즐(103(a)∼103(d))마다 제공되지 않아도 좋고, 도 2(B)에 도시된 바와 같이, 하나의 약액 토출 제어기구(209)와 하나의 탱크(205)가 제공되어도 좋다.
또한, 스테이지에는, 스테이지를 상하좌우로 이동시키는 구동기구가 제공될 수도 있다. 또한, 기판 보유 방법으로서, 스테이지 대신에. 기계적 척(chuck) 방식을 이용한 스핀 척이 사용될 수도 있다. 도 1과 도 2(A) 및 도 2(B)에는, 기판(102)이 스테이지(101)보다 큰 것으로 나타내어져 있으나, 스테이지(101)가 더 클 수도 있다.
또한, 기판(102)과 이동식 노즐(103) 사이의 간격은 기판을 상하로 이동시켜 조정될 수 있다.
또한, 복수의 이동식 노즐(103)은 자동으로 또는 수동으로 이동될 수 있다. 자동식인 경우, 복수의 노즐을 개별적으로 이동시킬 수 있는 구동기구를 제공함으로써 복수의 노즐이 자유롭게 이동될 수 있다. 도 3은 노즐이 수동으로 이동되는 경우의 약액 도포 장치의 사시도를 나타낸다. 턴테이블(301)에 고정된 기판(도포 대상물)(302) 상방에는 가이드 레일(306)이 그리드(grid)(격자) 형태로 배치되어 있다. 가이드 레일(306) 밑에는 복수의 노즐(303)이 지그(jug)에 의해 고정되어 있다. 각 노즐(303)은, 화살표로 나타낸 방향으로 수동으로 이동하고, 고정되는 위치를 변경함으로써, 약액을 토출할 수 있다. 이 때, 그리드를 촘촘하게 함으로써, 노즐의 배치 자유도를 증가시킨다.
또한, 복수의 이동식 노즐은 모두 동시에 사용되지 않아도 좋다. 기판의 크기나 약액의 양, 점도에 따라 그때마다 필요한 개소의 노즐만을 가동시켜 토출시킬 수 있다. 그리고, 나머지 노즐에 접속되어 있는 탱크에는 다음의 도포막에 사용하는 약액을 넣어 두고, 도포막을 연속적으로 형성할 수도 있다. 그 결과, 스루풋(throughput)의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 도 1과 도 2(A) 및 도 2(B)에서는, 4개의 노즐만을 나타내고 있지만, 물론 이 수에 한정되는 것은 아니라는 것은 말할 것도 없다. 노즐의 수는 2개 이상이면 몇 개라도 좋다. 기판의 크기, 도포하는 약액의 점도 등에 따라 수를 결정하면 된다. 예를 들어, 노즐의 수는 도 3에 도시된 바와 같은 행의 수와 열의 수의 곱(n×m(n, m > 0))으로 나타내는 수이어도 좋다. 또한, 행렬로 나타내는 수에 한정되지 않고, 도 17에 나타낸 약액 도포 장치와 같이 노즐이 5개일 수도 있다.
본 발명에서는, 기판이나 약액을 변경할 때마다, 그 기판의 크기, 약액의 점도, 약액 건조의 용이성에 따라, 노즐의 배치를 변경할 수 있다. 예를 들어, 장방형의 대형 기판의 경우에는, 네 귀퉁이에도 노즐을 이동, 배치한다. 예를 들어, 건조하기 쉬운 약액의 경우에는, 기판 전체에 균일하게 노즐을 이동, 배치한다. 이와 같이, 복수의 노즐 각각이 자유롭게 이동 가능하기 때문에, 기판의 크기나 약액의 점도 등에 따라 노즐의 배치를 미세 조정함으로써, 기판 전체에 균일한 도포막의 형성이 가능하게 된다.
[실시형태 2]
본 실시형태를 도 7∼도 15를 사용하여 설명한다. 구체적으로는, 본 발명을 적용한 표시장치(여기서는 액정 표시장치를 말함)의 제조방법에 대하여 설명한다. 먼저, 본 발명을 적용한 채널 에치(channel-etch)형 박막트랜지스터를 가지는 표시장치의 제조방법에 대하여 설명한다. 도 7∼도 9, 도 11∼도 13의 (A)는 표시장치 화소부의 상면도이고, 도 7∼도 9, 도 11∼도 13의 (B)는 도 7∼도 9, 도 11∼도 13의 (A)에서의 G-H선에 따른 단면도이다.
기판(700) 위에, 하지(下地) 전(前)처리로서 하지막(701)을 형성한다. 기판(700)에는, 바륨 붕규산 유리, 알루미노 붕규산 유리 등으로 된 유리 기판, 석영 기판, 실리콘 기판, 금속 기판, 스테인리스 강 기판, 또는 본 제조공정의 처리 온도에 견딜 수 있는 내열성을 가지는 플라스틱 기판을 사용한다. 또한, 기판(700)의 표면이 평탄화되도록 CMP(Chemical Mechanical Polishing)법 등에 의해 연마될 수도 있다. 또한, 기판(700) 상에 절연층을 형성하여도 좋다. 이 절연층은 규소를 함유하는 산화물 재료와, 질화물 재료 중 적어도 하나를 사용하여 단층 또는 적층으로 형성된다. 이 절연층은 형성하지 않아도 좋지만, 기판(700)으로부터의 오염 물질 등을 차단하는 효과가 있다. 이 절연층을 본 발명의 약액 도포 장치를 사용하여 형성할 수 있다. 절연막의 재료의 점성에 맞춘 최적의 토출 패턴으로 함으로써, 막 두께가 균일한 절연층을 형성할 수 있다. 유리 기판으로부터의 오염을 방지하기 위한 하지층을 형성하는 경우에는, 액적 토출법에 의해 그 위에 형성되는 게이트 전극층(703)의 하지 전처리로서 하지막(701)을 형성한다. 또한, 액적 토출법이란, 도전막이나 절연막 등의 재료를 포함한 조성물의 액적(液滴)(도트라고도 함)을 선택적으로 토출(분사)하여 임의의 장소에 하지막(701) 및 게이트 전극층(703) 등을 형성하는 방법을 나타낸다. 그의 방식에 따라서는, 액적 토출 방법이 잉크젯 장치에 의한 토출로 불릴 수도 있다.
본 실시형태에서는, 하지막(701)으로서 습윤성이 낮은 물질을 형성한다(도 7(A) 및 도 7(B) 참조). 이 하지막(701)도 본 발명의 약액 도포 장치를 사용하여 형성할 수 있다. 하지막의 재료의 점도에 맞춘 최적의 토출 패턴으로 함으로써, 막 두께가 균일한 하지막을 얻을 수 있다.
다음에, 게이트 전극층이 형성되는 영역에 레이저 장치에 의해 레이저광(771a)을 조사하여 하지막에 개질 처리를 행한다(도 8(A) 및 도 8(B) 참조). 이 개질 처리에 의해, 하지막(702a, 702b)은 그 위에 적층되는 게이트 전극층을 형성하는 도전성 재료를 포함하는 조성물에 대하여 높은 습윤성을 가지는 영역이 된다. 따라서, 하지막(702a, 702b)과 그 주위의 하지막과의 사이에는, 도전성 재료를 포함하는 조성물에 대하여 습윤성의 정도에 차이가 생긴다.
여기서 습윤성에 대하여 설명한다. 습윤성이 높다는 것은 친액성이 높은(발액성(撥液性)이 낮은) 것을 의미하고, 습윤성이 높은 영역의 표면에, 유동성을 가지는 액상 조성물을 형성한 경우, 그 액상 조성물의 접촉각이 작아진다. 접촉각이 작으면, 유동성을 가지는 액상 조성물이 표면 위에서 퍼지고, 표면을 잘 적실 수 있게 된다. 반대로, 습윤성이 낮다는 것은 발액성이 높은(친액성이 낮은) 것을 의미하고, 습윤성이 낮은 영역의 표면에, 유동성을 가지는 액상 조성물을 형성한 경우, 그 액상 조성물의 접촉각이 크게 된다. 접촉각이 크면, 유동성을 가지는 액상의 조성물이 영역의 표면 위에서 퍼지지 않고, 표면을 적시지 않는다. 습윤성이 다른 영역은 표면 에너지가 다르다. 습윤성이 높은 영역의 표면에서의 표면 에너지가 크고, 습윤성이 낮은 영역의 표면에서의 표면 에너지는 작다. 습윤성이 높은 영역 상에 형성된 액상 조성물의 접촉각은 30도 이하인 것이 바람직하고, 습윤성이 낮은 영역 상에 형성된 액상 조성물의 접촉각은 90도 이상인 것이 바람직하다.
레이저광에 의해 개질 처리가 행해진 하지막(702a, 702b)의 영역에, 도전성 재료를 포함하는 조성물의 액적을 액적 토출 장치(780a)에 의해 토출하여 게이트 전극층(703)과 용량 배선층(704)을 형성한다(도 9(A) 및 도 9(B) 참조). 토출된 액적은 하지막 위에서, 주위의 영역보다 습윤성이 높은 하지막(702a, 702b)의 영역에 형성된다. 액적이 토출되는 노즐의 토출구의 크기가 형성되는 도전층의 소망의 크기보다 큰 경우에도, 습윤성을 높이는 처리를 그 도전층 형성 영역에 실시함으로써, 액적은 도전층 형성 영역에만 부착하고, 세선(細線)화된 도전층이 형성된다. 이것은, 피형성 영역과 그 주위의 영역 사이에서 습윤성의 정도에 차를 발생시키므로, 액적이 주위의 영역에서는 반발되고, 습윤성이 높은 형성 영역에 머물게 되기 때문이다.
레이저광을 피처리물에 조사하여 개질을 행함으로써, 게이트 전극층(703) 등 미세한 패턴을 형성하고자 하는 경우, 액적 토출구가 다소 크더라도, 액적이 형성 영역 상에서 퍼지지 않고, 세선화할 수 있다. 또한, 액적의 액량을 제어함으로써, 도전층의 막 두께 제어도 가능하게 된다. 레이저광은 미세 가공이 가능하기 때문에, 레이저광 조사에 의해 막의 개질을 행하면, 미세한 배선이나, 전극 등을 제어성 좋게 형성할 수 있다.
또한, 하지 전처리로서 형성하는 하지막(701)을 본 발명의 약액 도포 장치를 사용하여 형성하는 경우, 용매를 제거할 필요가 있을 때는 소성 또는 건조를 행하면 된다.
하지막(701)은 0.01∼10 nm의 두께로 형성될 수 있지만, 극히 얇게 형성하면 좋으므로, 반드시 층 구조를 가지지 않아도 좋다. 하지막으로서, 금속 재료나 3d 천이 금속 원소를 사용하고, 하지막이 도전성을 가지고 있는 경우, 도전층 형성 영역 이외의 하지막에 있어서는 하기의 2가지 방법을 수행하는 것이 바람직하다.
제1 방법으로서는, 게이트 전극층(703)과 겹치지 않는 하지막(701)(즉, 주위의 습윤성이 보다 낮은 영역)을 절연화하여, 절연층을 형성한다. 즉, 게이트 전극층(703)과 겹치지 않는 하지막(701)을 산화하여 절연화한다. 이와 같이, 게이트 전극층(703)과 겹치지 않는 하지막(701)을 산화하여 절연화하는 경우에는, 하지막(701)을 0.01∼10 nm의 두께로 형성하여 두는 것이 바람직하고, 그렇게 하면 용이하게 산화시킬 수 있다. 또한, 산화하는 방법으로서는, 게이트 전극층(703)과 겹치지 않는 하지막(701)을 산소 분위기 하에 두는 방법을 사용하여도 좋고, 또는 열 처리를 행하는 방법을 사용하여도 좋다.
제2 방법으로서는, 게이트 전극층(703)의 형성 영역(도전성 재료를 포함하는 조성물의 토출 영역)에 절연층을 선택적으로 형성한다. 게이트 전극층(703)과 겹치지 않는 하지막(701)은 액적 토출법 등을 이용하여 기판 상에 선택적으로 형성하여도 좋고, 기판의 전면에 본 발명의 도포 방법에 의해 형성한 후, 게이트 전극층(703)을 마스크로 하여 하지막(701)을 선택적으로 에칭하여 제거하여 형성하여도 좋다. 이 공정을 이용하는 경우에는, 하지막(701)의 두께에 제약은 없다.
또한, 다른 방법으로서, 액적 토출법에 의해 형성되는 패턴과 그의 형성 영역과의 밀착성을 높이기 위해, 접착재로서 기능하는 유기 재료계의 물질을 형성하여도 좋다. 유기 재료(유기 수지 재료)(폴리이미드, 아크릴)이나, 규소(Si)와 산소(O)와의 결합으로 골격 구조가 형성되고, 치환기에 적어도 수소를 포함하는 유기기(예를 들어, 알킬기, 방향족 탄화수소)가 사용된다. 치환기로서 플루오르기를 사용하여도 좋다. 또는, 치환기로서, 적어도 수소를 포함하는 유기기와, 플루오르기를 사용하여도 좋다.
게이트 전극층(703)과 용량 배선층(704)의 형성은 액적 토출 수단을 사용하여 행한다. 액적 토출 수단이란, 조성물 토출구를 가지는 노즐이나, 하나 또는 복수의 노즐을 구비한 헤드 등의 액적 토출 수단에 대한 총칭이다.
액적 토출법을 사용하여 형성되는 도전층의 하지 전처리로서, 상기한 하지막(701)을 형성하는 공정을 행하였지만, 이 처리 공정은 게이트 전극층(703)과 용량 배선층(704)을 형성한 후에 행하여도 좋다.
또한, 액적 토출법에 의해 조성물을 토출하여 게이트 전극층(703)과 용량 배선층(704)을 형성한 후, 평탄성을 높이기 위해 게이트 전극층(703)과 용량 배선 층(704)의 표면을 압력으로 프레스하여 평탄화하여도 좋다. 프레스의 방법으로서는, 롤러 형상의 것을 표면에 주사함으로써 요철을 고르게 하여 경감시키거나, 또는 평탄한 판 형상의 것으로 표면을 수직으로 프레스하여도 좋다. 프레스할 때, 가열 공정을 행하여도 좋다. 또한, 용제 등에 의해 표면을 연화 또는 융해시킨 후에 에어 나이프에 의해 표면의 요철부를 제거하여도 좋다. 또한, CMP법을 사용하여 표면을 연마하여도 좋다. 이 공정은 액적 토출법으로 인하여 요철이 발생하는 경우에 그 표면을 평탄화할 때 적용될 수 있다. 그 결과, 게이트 전극층으로서, 5 ㎛ 이하의 선 폭을 가지는 배선이 형성된다.
다음에, 게이트 전극층(703)과 용량 배선층(704) 위에 게이트 절연층(705)을 형성한다(도 10(A) 참조). 게이트 절연층(705)은 규소의 산화물 재료 또는 질화물 재료 등의 공지의 재료로 형성될 수 있고, 단층 또는 적층일 수 있다. 본 실시형태에서는, 질화규소막, 산화규소막, 질화규소막의 3층 적층을 사용한다. 또는, 게이트 절연층(705)은 산화질화규소막의 단층 또는 2층으로 된 적층이어도 좋다. 바람직하게는, 치밀한 막질을 가지는 질화규소막을 사용한다. 또한, 액적 토출법으로 형성되는 도전층에 은이나 구리 등을 사용하는 경우, 그 위에 배리어막으로서 질화규소막이나 NiB 막을 형성하면, 불순물의 확산을 방지하고, 도전층의 표면을 평탄화하는 효과가 있다. 또한, 낮은 성막 온도에서 게이트 누설 전류가 적은 치밀한 절연막을 형성하기 위해서는, 아르곤 등의 희가스 원소를 함유하는 반응 가스를 형성되는 절연막 중에 혼입시키면 좋다.
다음에, 반도체막을 형성한다. 일 도전형을 가지는 반도체층은 필요에 따라 형성하면 좋다. 본 실시형태에서는, 반도체층(706)과 일 도전형을 가지는 반도체층으로서 N형 반도체층(707)을 적층한다(도 10(B) 참조). 또한, N형 반도체층 대신에, P형 반도체층을 형성한 P채널형 TFT를 형성할 수도 있다. 또한, N채널형 TFT와 P채널형 TFT로 형성된 CMOS 구조를 제조할 수도 있다. 또한, 도전성을 부여하기 위해, 도전성을 부여하는 원소를 도핑에 의해 첨가하여 불순물 영역을 반도체층에 형성함으로써, N채널형 TFT와 P채널형 TFT를 형성할 수 있다.
본 실시형태에서는, 반도체로서 비정질 반도체를 사용한다. 반도체층을 형성한 후, 플라즈마 CVD법 등에 의해, 일 도전형을 가지는 반도체층으로서 N형 반도체층을 형성한다.
이어서, 본 발명의 약액 도포 장치를 사용하여 N형 반도체층(706) 상에 네가티브형 레지스트(740)를 도포한다(도 10(C) 참조). 감광제를 포함하는 시판 레지스트 재료로서, 네거티브형 레지스트인 베이스 수지, 디페닐실란디올, 및 산 발생제 등이 사용될 수 있다. 네거티브형 레지스트 대신에 포지티브형의 레지스트 재료가 사용될 수도 있고, 예를 들어, 대표적인 포지티브형 레지스트인 노보락 수지와 감광제인 나프토퀴논 디아지드 화합물이 사용될 수도 있다. 또한, 레지스트를 대신하는 마스크로서, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지, 노보락 수지, 멜라민 수지, 우레탄 수지 등의 수지 재료가 사용된다. 또한, 벤조시클로부텐, 파릴렌, 알린렌 에테르 플루오라이드, 투과성 폴리이미드 등의 유기 재료; 실록산계 폴리머 등의 중합에 의해 생긴 화합물 재료; 수용성 호모폴리머와 수용성 공중합체를 포함하는 조성물 재료 등이 사용될 수도 있다. 어느 재료를 사용하여도 그의 표면 장 력과 점도는 용매의 농도를 조정하거나, 계면 활성제 등을 더하거나 하여 적절히 조정된다.
다음에, 레지스트를 남기고자 하는 부분에 광을 조사한다(도 10(D) 참조). 이어서, 현상 처리에 의해, 감광하지 않은 부분의 레지스트를 제거하여 마스크(741)를 형성한다. 그리고, 마스크(741)를 이용하여 반도체층 및 N형 반도체층을 동시에 패터니하여, 반도체층(706)과 N형 반도체층(707)을 형성한다(도 10(E) 참조). 또한, 마스크는 조성물을 선택적으로 토출하여 형성될 수도 있다. 이상과 같이 하여, 반도체층(706)과 N형 반도체층(707)이 형성된다.(도 11(A) 및 도 11(B) 참조)
또한, 본 실시형태에서, 게이트 전극층(703)과 용량 배선층(704)을 액적 토출법에 의해 형성할 때의 전처리로서, 하지막을 형성하고 레이저광 조사에 의한 개질 처리를 하는 바와 같이, 패턴을 선택적으로 형성하는 것도 가능하다. 액적 토출법에 의해 액적을 토출하여 패턴을 형성할 때, 패턴 형성 영역에 레이저광 조사 처리에 의해 개질 처리를 행할 수 있다. 이 개질 처리를 형성 영역에만 행함으로써, 형성 영역과 그 주위의 영역 사이에서 습윤성에 차이가 생기고, 습윤성이 높은 형성 영역에만 액적이 머무르므로, 제어성 좋게 패턴을 형성할 수 있다.
도전성 재료를 포함하는 조성물을 토출하여 소스/드레인 전극층(730, 708)을 형성하고, 이 소스/드레인 전극층(730, 708)을 마스크로 하여 반도체층(706) 및 N형 반도체층(707)을 패터닝하여, 반도체층(706)을 노출시킨다(도 12(A) 및 도 12(B) 참조). 소스/드레인 전극층(730, 708)을 형성하는 공정도, 상기한 게이트 전극층(703)을 형성했을 때와 마찬가지로 형성할 수 있다. 소스/드레인 전극층(730)은 배선층으로도 기능한다.
소스/드레인 전극층(730, 708)을 형성하는 도전성 재료로서는, Ag(은), Au(금), Cu(구리), W(텅스텐), Al(알루미늄) 등의 금속의 입자를 주성분으로 하는 조성물을 사용할 수 있다. 또한, 투광성을 가지는 인듐 주석 산화물(ITO), 산화규소를 포함하는 인듐 주석 산화물(ITSO), 유기 인듐, 유기 주석, 산화아연, 질화티탄 등을 조합시켜도 좋다.
또한, 액적 토출법을 사용하여 형성되는 도전층의 하지 전처리로서, 상기한 하지막을 형성하는 공정을 행하고, 또한, 이 처리 공정은 도전층을 형성한 후에 행하여도 좋다. 이 공정에 의해, 층들 사이의 밀착성이 향상하기 때문에, 표시장치의 신뢰성도 향상될 수 있다.
이어서, 도전성 재료를 포함하는 조성물을 토출하여, 소스/드레인 도전층(708)과 접하도록 게이트 절연층(705) 상에 화소 전극층(711)을 선택적으로 형성한다(도 13(A) 및 도 13(B) 참조). 투과형 액정 표시 패널을 제조하는 경우에는, 화소 전극층(711)은 인듐 주석 산화물(ITO), 산화규소를 포함하는 인듐 주석 산화물(ITSO), 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2) 등을 포함하는 조성물에 의해 소정의 패턴을 형성하고 소성하여 형성될 수도 있다.
화소 전극층(711)은 소스/드레인 전극층(708)의 형성 전에 게이트 절연층(705) 상에 선택적으로 형성할 수도 있다. 이 경우, 본 실시형태에서는. 소스/ 드레인 전극층(708)과 화소 전극층(711)의 접속 구조가, 화소 전극층 위에 소스/드레인 전극층(708)을 적층하는 구조이다. 소스/드레인 전극층(708)보다 먼저 화소 전극층(711)을 형성하면, 평탄한 형성 영역에 형성할 수 있으므로, 피복성이 좋고, CMP 등 연마 처리도 충분히 행할 수 있으므로 평탄성 좋게 화소 전극층(711)을 형성할 수 있다.
또한, 도 14(A)∼도 14(C)에 나타낸 바와 같이, 층간절연막이 되는 절연물(750)을 소스/드레인 전극층(708) 위에 형성하고, 배선층(752)을 통해 소스/드레인 전극층(708)을 화소 전극층(711)에 전기적으로 접속하도록 할 수도 있다. 이 경우, 개구부(콘택트 홀)를 절연물(750)을 제거하여 형성하는 것이 아니라, 절연물(750)에 대하여 습윤성이 낮은 물질(751)을 소스/드레인 전극층(708) 위에 형성한다. 이어서, 절연물(750)을 포함하는 조성물을 도포법 등으로 도포하면, 습윤성이 낮은 물질(751)이 형성되어 있는 영역을 제외한 영역에 절연물(750)이 형성된다(도 14(A) 참조).
가열, 건조 등에 의해 절연물(750)을 고화한 후, 습윤성이 낮은 물질(751)을 제거하고, 개구부를 형성한다. 이 개구부를 묻도록 배선층(752)을 형성하고, 이 배선층(752)에 접하도록 화소 전극층(711)을 형성한다(도 14(B) 참조). 이 방법을 사용하면, 에칭에 의한 개구부의 형성이 필요하지 않으므로, 공정을 간략화하는 효과가 있다.
또한, 도 14(A) 및 도 14(B)와 같이, 소스/드레인 전극층(708) 위에 층간절연층이 되는 절연물(750)을 형성하는 경우, 다른 개구부 형성 방법이 사용될 수도 있다. 이 경우, 절연물(750)에 감광성 절연물을 사용한다. 감광성 절연물을 층간절연층으로서 형성한 후, 개구부를 제공할 영역에 레이저광을 조사하여, 그 영역의 절연물을 노광시킨다. 노광된 절연물을 에칭 등에 의해 제거하고, 소스/드레인 전극층(708)에 달하는 개구부(콘택트 홀)를 형성한다. 이 개구부에 도전층을 소스/드레인 전극층(708)에 접하도록 형성하고, 이 도전층에 접속하도록 제1 도전층을 형성한다. 본 실시형태에서는. 레이저광 조사에 의한 개질 및 처리 가공을 행하기 위해, 미세한 가공을 실현할 수 있다.
또한, 스퍼터링법에 의해 인듐 주석 산화물(ITO), 산화규소를 포함하는 인듐 주석 산화물(ITSO), 산화아연(ZnO) 등으로 화소 전극층(711)을 형성하는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는, ITO에 산화규소가 2∼10 중량% 포함된 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 산화규소를 포함하는 산화인듐 주석을 사용하여 화소 전극층(711)을 형성한다. 이 외에, 산화규소를 포함하는 산화인듐에 2∼20%의 산화아연(ZnO)을 혼합한 산화물 도전성 재료를 사용하여도 좋다. 스퍼터링법으로 화소 전극층(711)을 형성한 후에, 액적 토출법에 의해 마스크층을 형성한 다음, 화소 전극층(711)을 소망의 패턴으로 에칭힐 수도 있다. 본 실시형태에서는, 화소 전극층(711)이 액적 토출법을 사용하여 투광성을 가지는 도전성 재료로 형성된다. 구체적으로는, 화소 전극층(711)이 인듐 주석 산화물, 또는 ITO와 산화규소로 구성되는 ITSO를 사용하여 형성된다.
또한, 반사형 액정 표시 패널을 제조하는 경우에는, Ag(은), Au(금), Cu(구리), W(텅스텐), Al(알루미늄) 등의 금속의 입자를 주성분으로 하는 조성물을 사용 할 수 있다. 다른 방법으로서는, 스퍼터링법에 의해 투명 도전막 또는 광 반사성의 도전막을 형성하고, 액적 토출법에 의해 마스크 패턴을 형성하고, 에칭 가공을 조합시켜 화소 전극층(711)을 형성할 수도 있다.
화소 전극층(711)은 그의 표면이 평탄화되도록, CMP법에 의해 그리고 폴리비닐 알코올계의 다공질체를 사용하여 스와빙(swabbing) 및 연마될 수도 있다. 또한, CMP법을 사용한 연마 후에, 화소 전극층(711)의 표면에 자외선 조사, 산소 플라즈마 처리 등을 행하여도 좋다.
이상의 공정에 의해, 기판(700) 상에 보텀 게이트형(역스태거형이라고도 함)의 TFT와 화소 전극이 접속된 표시 패널(액정 표시 패널)용의 TFT를 가지는 기판(700)이 완성된다. 또한, 본 실시형태의 TFT는 채널 에치형이다.
다음에, 도 14(C)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 약액 도포법에 의해, 화소 전극층(711)을 덮도록 배향막으로 기능하는 절연층(712)을 형성한다. 도 14(C)는 도 7∼도 9, 도 11∼도 13의 (A)에 도시한 상면도의 G-H선에 따른 단면도이고, 표시 패널의 완성도이다. 또한, 절연층(712)은 스크린 인쇄법이나 오프셋 인쇄법을 이용하여 선택적으로 형성될 수 있다. 그 후, 러빙 처리를 행한다. 이어서, 화소를 형성한 주변 영역에 액적 토출법에 의해 시일재를 형성한다(도시하지 않음).
이어서, 배향막으로서 기능하는 절연층(721), 컬러 필터로서 기능하는 착색층(722), 대향 전극으로서 기능하는 도전층(723), 및 편광판(725)이 제공된 대향 기판(724)과 TFT를 가지는 기판(700)을 스페이서를 통하여 접합하고, 그의 빈틈에 액정층(720)을 제공함으로써 표시 패널(액정 표시 패널)을 제조할 수 있다(도 14(C) 참조). 시일재에는 충전재가 혼입될 수도 있고, 또한, 대향 기판(724)에는 차폐막(블랙 매트릭스) 등이 형성될 수도 있다. 또한, 액정층을 형성하는 방법으로서, 디스펜서법(적하법)이나, 대향 기판(724)과 기판(700)을 접합한 후에 모세관 현상을 이용하여 액정을 주입하는 딥(dip)법(펌핑법)이 사용될 수 있다.
디스펜서법을 이용한 액정 적하 주입법을 도 15를 사용하여 설명한다. 도 15에서, 부호 40은 제어장치, 부호 42는 촬상 수단. 부호 43은 헤드, 부호 33은 액정, 부호 34는 배리어층, 부호 32는 시일재, 부호 30은 TFT 기판, 부호 20은 대향 기판을 나타내고, 부호 35, 41은 마커(marker)를 나타낸다. 시일재(32)로 폐(閉) 루프를 형성하고, 그 안에 헤드(43)로부터 액정(33)을 1회 또는 복수 회 적하한다. 그 때 시일재(32)와 액정(33)이 반응하는 것을 방지하기 위해, 배리어층(34)이 제공된다. 이어서, 진공 중에서 TFT 기판(30)과 대향 기판(20)을 접합하고, 자외선 경화를 행하여, 액정이 충전된 상태가 된다. 물론, 디스펜서법 대신에 본 발명의 약액 도포 장치를 사용하여 액정을 적하 주입하여도 좋다.
이상의 공정에 의해 형성된 화소부와 외부 배선 기판을 접속하기 위해 접속부를 형성한다. 대기압 또는 대기압 근방의 압력 하에, 산소 가스를 사용한 애싱(ashing) 처리에 의해, 접속부의 절연층을 제거한다. 이 처리는 산소 가스와, 수소, CF4, NF3, H2O, CHF3에서 선택된 하나 또는 복수를 사용하여 행해진다. 이 공정에서는, 정전기에 의한 손상이나 파괴를 방지하기 위해, 대향 기판을 사용하여 봉지한 후에, 애싱 처리를 행하고 있지만, 정전기에 의한 영향이 적은 경우에는 어느 때라도 애싱 처리를 행할 수 있다.
이어서, 이방 도전성 층을 통하여 게이트 전극층(703)이 전기적으로 접속되도록 접속용의 배선 기판이 제공된다. 이 배선 기판은 외부로부터의 신호나 전위를 전달하는 역할을 한다. 상기 공정을 거쳐, 채널 에치형의 스위칭용 TFT와 용량 소자를 포함하는 표시 패널(액정 표시 패널)이 완성된다. 용량 소자는 용량 배선층(704)과 게이트 절연층(705)과 화소 전극층(711)으로 형성된다.
본 실시형태에서는, 스위칭용 TFT에 대하여 단일 게이트 구조를 나타내었지만, 이중 게이트 구조 등의 멀티게이트 구조이어도 좋다.
이상 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에서는, 하지막의 도포에 복수의 노즐을 개별적으로 이동시킬 수 있는 약액 도포 장치를 사용함으로써, 막 두께가 균일한 하지막을 형성할 수 있다. 그 결과, 유리 기판으로부터의 오염 물질 등을 차단하는 효과가 얻어질 수 있다. 또한, 기판과 하지막과의 사이에 절연층을 형성할 때에도, 본 발명의 약액 도포 장치를 사용함으로써, 막 두께가 균일한 절연층을 형성할 수 있다. 그 결과, 유리 기판으로부터 반도체막으로의 오염을 한층 더 방지할 수 있다.
[실시형태 3]
본 발명을 적용하여, 다양한 표시장치를 제조할 수 있다. 즉, 그들 표시장치를 표시부에 설치한 다양한 전자 기기에 본 발명을 적용할 수 있다.
그러한 전자 기기의 예로서는, 비디오 카메라, 디지털 카메라, 프로젝터, 헤드 장착형 디스플레이(고글형 디스플레이), 자동차 내비게이션 시스템, 카 스테레 오, 퍼스널 컴퓨터, 게임 기기, 휴대형 정보 단말기(모바일 컴퓨터, 휴대 전화기 또는 전자 책 등), 기록 매체를 구비한 화상 재생 장치(구체적으로는, DVD(Digital Versatile Disc) 등의 기록 매체를 재생하고, 그의 화상을 표시할 수 있는 장치) 등을 들 수 있다. 그들의 예를 도 16에 나타낸다.
도 16(A)는 본체(2101), 케이스(2102), 표시부(2103), 키보드(2104), 외부 접속 포트(2105), 포인팅 마우스(2106) 등을 포함하는 퍼스널 컴퓨터를 나타낸다. 표시부(2103)는 본 발명에 따라 제조될 수 있다. 본 발명을 사용하면, 각 층 전체에 걸쳐 막 두께를 균일하게 할 수 있기 때문에, 신뢰성이 높은 화상이 표시될 수 있다.
도 16(B)는 기록 매체를 구비한 화상 재생 장치(구체적으로는, DVD 플레이어)로서, 이 장치는 본체(2201), 케이스(2202), 표시부A(2203), 표시부B(2204), 기록 매체(DVD 등) 판독부(2205), 조작 키(2206), 스피커부(2207) 등을 포함한다. 표시부A(2203)는 주로 화상 정보를 표시하고, 표시부B(2204)는 주로 문자 정보를 표시한다. 이들 표시부A(2203) 및 표시부B(2204)는 본 발명에 띠리 제조될 수 있다. 본 발명을 사용하면, 각 층 전체에 걸쳐 막 두께를 균일하게 할 수 있기 때문에, 신뢰성이 높은 화상이 표시될 수 있다.
도 16(C)는 본체(2301), 음성 출력부(2302), 음성 입력부(2303), 표시부(2304), 조작 스위치(2305), 안테나(2306) 등을 포함하는 휴대 전화기를 나타낸다. 본 발명에 의해 제조된 표시장치를 표시부(2304)에 적용함으로써, 각 층 전체에 걸쳐 막 두께를 균일하게 할 수 있기 때문에, 신뢰성이 높은 화상이 표시될 수 있다.
도 16(D)는 본체(2401), 표시부(2402), 케이스(2403), 외부 접속 포트(2404), 리모콘 수신부(2405), 수상부(2406), 배터리(2407), 음성 입력부(2408), 접안부(2409), 조작 키(2410) 등을 포함하는 디지털 카메라를 나타낸다. 표시부(2402)는 본 발명에 따라 제조될 수 있다. 본 발명에 의해 제조되는 표시장치를 표시부(2304)에 적용함으로써, 각 층 전체에 걸쳐 막 두께를 균일하게 할 수 있기 때문에, 신뢰성이 높은 화상이 표시될 수 있다.
[실시예 1]
본 실시예에서는, 결정화를 조장하는 촉매 원소를 수용액에 함유시킨 도포액을 본 발명의 약액 도포 장치를 사용하여 비정질 규소막 상에 균일하고 얇게 도포한 다음, 가열에 의해 비정질 규소막을 결정화시키는 반도체장치 제조방법에 대하여 설명한다.
도 4(A) 및 도 4(B)는, 일본국 공개특허공고 특개평7-130652호 공보 및 특개평 8-78329호 공보에 개시된 결정화 기술에 본 발명을 적용하는 예를 나타낸다. 먼저, 흡착 스테이지(406)에 고정된 기판(401) 상에 하지막(402)을 제공하고, 그 위에 비정질 규소막(403)을 형성한다. 하지막(402)으로서, 100∼300 nm의 막 두께를 가지는 산화규소막, 질화규소막, 또는 질화산화규소막이 사용될 수 있다. 본 실시얘에서는, TEOS(테트라에틸 오르소실리케이트)를 원료로 사용하고, 산화규소막을 200 nm의 막 두께로 형성한다. 또한, 기판(401)이 석영 기판과 같이 충분히 평탄성을 가지고 있다면, 하지막(402)은 특별히 제공하지 않아도 좋다.
여기서, 중량 환산으로 10 ppm의 니켈을 함유하는 초산 니켈 용액을 본 발명의 약액 도포 장치를 사용하여 비정질 규소막(403) 위에 도포하여 니켈 함유층(404)을 형성한다(도 4(A) 참조). 본 발명을 사용함으로써, 니켈을 함유하는 초산 니켈 용액을 비정질 규소막 상에 균일하게 도포할 수 있다.
그 다음, 500℃, 1시간의 탈수소 공정 후, 500∼650℃에서 4∼12시간(본 실시예에서는 550℃, 4시간)의 열처리를 행하여, 결정질 규소막(405)을 형성한다(도 4(B) 참조). 이렇게 하여 얻어진 결정질 규소막(폴리실리콘이라고도 불림)(405)은 봉(棒) 형상 또는 침 형상의 결정이 집합하여 이루어지고, 각각의 결정은 거시적으로는 어느 특정의 방향성을 가지고 성장하고 있기 때문에, 결정성이 균일하다는 이점이 있다.
도포에 사용하는 용액은 니켈(Ni) 이외에도, 게르마늄(Ge), 철(Fe), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 납(Pb), 코발트(Co), 백금(Pt), 구리(Cu), 금(Au)과 같은 원소를 포함하는 용액이 사용될 수도 있다.
또한, 본 실시예에서는, 비정질 규소막 위에 촉매 원소를 도입하는 방법을 나타내었지만, 비정질 규소막 아래에 촉매 원소를 도입하는 방법을 채용하여도 좋다. 이 경우에는, 비정질 규소막의 성막 전에 본 발명의 약액 도포 장치를 사용하여 촉매 원소를 함유한 용액을 하지막 상에 도포할 수 있다.
이와 같이, 결정화를 촉진하는 촉매 원소의 도포에 본 발명의 약액 도포 장치를 사용함으로써, 촉매 원소의 사용량을 억제하는 동시에, 막 두께가 균일한 도포막을 제공할 수 있다. 그 결과, 균일한 결정화가 행해질 수 있다.
[실시예 2]
본 실시예에서는, 본 발명의 약액 도포 장치를 사용하여 EL 발광 소자의 양극 표면에 절연막을 형성하는 예에 대하여 도 5(A) 및 도 5(B)를 참조하여 설명한다.
먼저, 기판(500) 위에, 스위칭용 TFT(스위칭 소자로서 기능하는 박막트랜지스터)(502)와 전류 제어용 TFT(EL 소자에 공급되는 전류를 제어하기 위한 소자로서 기능하는 TFT, 구동용 TFT라고도 함)(503)를 형성한다. 여기서는, 이들 TFT의 상세한 제조방법은 생략한다. 또한, 기판(500)으로서는, 투광성을 가지는 기판이라면 한정되지 않고, 석영 기판을 사용하여도 좋다. 또한, 본 실시예의 처리 온도에 견딜 수 있는 내열성을 가지는 플라스틱 기판이 사용될 수도 있다.
그리고, 스위칭용 TFT(502) 및 전류 제어용 TFT(503)를 덮는, 무기 절연 재료로 된 층간절연막(535)을 1.0∼2.0 ㎛의 평균 막 두께로 형성한다. 무기 절연 재료로서는, 산화규소막 또는 산화질화규소막을 공지의 스퍼터링법 또는 플라즈마 CVD법을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 질화산화규소막을 사용하는 경우에는, 원료 가스로서 SiH4와 N2O를 사용하고, 성막 조건으로서 압력을 40 Pa, 기판온도를 400℃, RF 출력을 100 W로 하고, 원료 가스 유량은 SiH4에 대해서는 4 sccm, N2O에 대해서는 400 sccm으로 하는 조건 하에 플라즈마 CVD 장치에 의해 형성될 수 있다.
이어서, CMP(Chemical Mechanical Polish: 화학 기계 연마)법이라 불리는 기술로 층간절연막을 연마하여 평탄화한다. CMP법은 피가공물의 표면을 화학적 또는 기계적으로 평탄화하는 방법이다. CMP법은, 일반적으로 플래튼(Platen)(연마판)에 연마포 또는 연마 패드(본 명세서에서는, 이하, 총칭하여 패드(pad)라 부름)를 부착하고, 피가공물과 패드와의 사이에 슬러리를 공급하면서 플래튼과 피가공물을 각각 회전 또는 요동시켜, 피가공물의 표면을 화학적 효과와 기계적 연마의 복합 작용에 의해 연마하는 방법이다. 본 실시예에서는, 층간절연막(535)을 형성한 후, 이 층간절연막(535)을 CMP법에 의해 연마한다. CMP법에 사용되는 슬러리, 패드 및 CMP 장치 등은 공지의 것일 수 있고, 또한 연마 방법도 공지의 방법을 사용하여 행할 수 있다. 또한, CMP법에 의한 평탄화 처리 공정이 완료된 후에, 층간절연막(535)의 평균 막 두께가 1.0∼2.0 ㎛ 정도가 된다. 또한, 평탄화 처리를 한 층간절연막(535) 상에 질화규소막 또는 DLC(diamond-like carbon) 막으로 된 절연막을 제공하여도 좋다. 이와 같이, 질화규소막 또는 DLC 막으로 된 절연막을 형성함으로써, 발광 소자를 형성할 때에 사용하는 알칼리 금속이 층간절연막을 통하여 TFT측으로 침입하는 것을 방지할 수 있다고 고려된다.
이어서, 소정의 패턴의 레지스트 마스크를 형성하고, 각 TFT의 반도체층에 형성된 소스 영역 또는 드레인 영역인 불순물 영역에 이르도록 콘택트 홀을 형성한다. 콘택트 홀은 건식 에칭법으로 형성된다.
그 다음, 도전성 금속막을 스퍼터링법이나 진공 증착법으로 형성하고, 마스크를 사용하여 그 금속막을 에칭함으로써, 배선(536∼539)을 형성한다. 도시되지 않지만, 본 실시예에서는, 이들 배선이 막 두께 50 nm의 Ti 막과 막 두께 500 nm의 합금막(Al과 Ti의 합금막)과의 적층막으로 형성되었다.
이어서, 그 위에 투명 도전막을 80∼120 nm의 두께로 형성하고, 에칭함으로써, 양극(543)(화소 전극)을 형성한다(도 5(A) 참조). 또한, 본 실시예에서는, 투명 전극으로서, 산화 인듐·주석(ITO)막이나 산화 인듐에 2∼20 wt%의 조성의 산화아연(ZnO)을 혼합한 투명 도전막이 사용된다.
또한, 드레인 배선(538)과 접하여 겹치도록 양극(543)을 형성함으로써, 전류 제어용 TFT의 드레인 영역과 양극(543) 사이의 전기적 접속이 형성된다. 여기서, 양극(543)에 대하여 180∼350℃로 가열 처리를 행할 수도 있다.
이어서, 양극(543) 상에 제2 층간절연막을 형성하고, 제2 층간절연막을 에칭하여, 화소(발광 소자)에 대응하는 위치에 개구부를 가지는 뱅크(546)를 형성한다. 본 실시예에서는, 레지스트를 사용하여 뱅크(546)를 형성한다. 뱅크(546)의 두께는 1 ㎛ 정도로 하고, 배선과 양극이 접하는 부분을 덮는 영역이 테이퍼 형상이 되도록 형성된다.
또한, 본 실시예에서는, 뱅크(546)로서 레지스트로 된 막을 사용하고 있지만, 경우에 따라서는 폴리이미드, 폴리아미드, 아크릴, BCB(벤조시클로부텐), 산화규소막 등이 사용될 수도 있다. 뱅크(546)는 절연성을 가지는 물질이라면, 유기 물질이나 무기 물질 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 감광성 아크릴 막을 사용하여 뱅크(546)를 형성하는 경우에는, 감광성 아크릴 막을 에칭한 후 180∼350℃로 가열 처리를 행하는 것이 바람직하다. 또한, 비감광성 아크릴 막을 사용하여 뱅크(546)를 형성하는 경우에는, 180∼350℃로 가열 처리를 행한 후, 에칭하여 뱅크를 형성하는 것이 바람직하다.
다음에, 양극(전극)(543)의 표면에 스와빙(swabbing) 처리를 행한다. 또한, 본 실시예에서는, 계면활성제(약 알칼리성)를 포함시킨 다공질의 스폰지(대표적으로는 PVA(폴리비닐 알코올)제, 나일론제 등)를 사용하여 양극(543)의 표면을 닦음으로써, 양극(543) 표면의 평탄화 및 표면에 부착한 오물의 제거를 행한다. 오물의 제거 시의 세정액으로서는, 순수(純水)를 사용하고, 다공질의 스폰지를 둘러 감은 축의 회전 속도를 100∼300 rpm으로 하고, 압입(push-in)값을 0.1∼1.0 mm로 한다. 또한, 세정 기구로서, 기판의 표면에 평행한 축선을 중심으로 회전하고 기판의 표면에 접촉하는 롤 브러시(PVA제)를 가지는 세정 장치를 사용하여도 좋고, 기판의 표면에 수직인 축선을 중심으로 회전하고 기판의 표면에 접촉하는 디스크 브러시(PVA제)를 가지는 세정 장치를 사용하여도 좋다.
이어서, 뱅크(546) 및 양극(543)을 덮도록 제3 절연막(547)을 형성한다. 이 제3 절연막(547)은 본 발명의 약액 도포 장치를 사용하여 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드 등의 유기 수지막으로 막 두께 1∼5 nm로 형성된다. 유기 수지막의 도포에 본 발명의 약액 도포 장치를 사용함으로써, 그 수지막의 사용량을 억제하면서, 막 두께가 균일하게 되는 도포막을 제공할 수 있다. 막 두께가 균일한 제3 절연막(547)을 형성함으로써, 양극(543) 표면의 크랙(crack) 등을 엄폐할 수 있고, 발광 소자의 열화를 방지할 수 있다.
다음에, 제3 절연막(547) 상에 유기 화합물층(548)과 음극(549)을 증착법에 의해 형성함으로써 발광 소자(550)를 형성한다(도 5(B) 참조). 또한, 본 실시예에서는, 발광 소자(550)의 음극(549)으로서 MgAg 전극을 사용하지만, 공지의 다른 재료를 사용하여도 좋다. 또한, 유기 화합물층(548)은 발광층 이외에 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 버퍼층과 같은 복수의 층을 조합시켜 적층함으로써 형성된다. 본 실시예에서는, 유기 화합물층(548)과 음극(549)이 양극(543) 위에 형성되지만, 유기 화합물층(548)과 양극(543)이 음극(549) 위에 제공될 수도 있다. 동일한 것이 다른 실시예에도 적용된다.
[실시예 3]
본 실시예에서는, 발광 소자에 사용되는 발광층의 형성에 본 발명의 약액 도포 장치를 사용하는 예에 대하여 설명한다.
먼저, 발광 소자의 대표적인 구조를 도 6에 나타낸다. 기판(600) 상에 양극(601), 발광층(602), 및 음극(603)이 적층되어 있다. 발광층(602)은 적어도 발광성 유기 화합물을 포함하고 있으면 허용되고, 저분자 화합물, 고분자 화합물(폴리머) 뿐만 아니라, 올리고머나 덴드리머 등의 중분자 화합물, 또는 무기 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 발광성 유기 화합물에 관해서도, 저분자 화합물, 고분자 화합물(폴리머) 뿐만 아니라, 올리고머나 덴드리머 등의 중분자 화합물이 사용될 수 있다.
본 실시형태의 도 6에서는, 발광층이 정공 주입층(611), 정공 수송층(612), 발광성 유기 화합물을 포함하는 층(613), 전자 수송층(614), 및 전자 주입층(615)으로 구성되어 있지만, 반드시 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 또한, 정공 주입층은 양극으로부터 정공을 받는 기능을 나타내는 층이고, 정공 수송층은 발광성 유기 화합물을 포함하는 층에 정공을 건내는 기능을 나타내는 층이다. 또한, 전자 주입층은 음극으로부터 전자를 받는 기능을 나타내는 층이고, 전자 수송층은 발광성 유기 화합물을 포함하는 층에 전자를 건내는 기능을 나타내는 층이다.
먼저, 각 층에 사용될 수 있는 재료를 구체적으로 예시한다. 그러나, 본 발명에 적용될 수 있는 재료는 이들에 한정되는 것은 아니다.
정공 주입층에 사용될 수 있는 정공 주입 재료로서는, 프탈로시아닌계 화합물이 유효하고, 프탈로시아닌(약칭: H2-Pc), 구리 프탈로시아닌(약칭: Cu-Pc), 또는 바나딜 프탈로시아닌(약칭: VOPc) 등이 사용될 수 있다. 또한, 도전성 고분자 화합물에 화학 도핑을 실시한 재료도 있고, 폴리스틸렌 술폰산(약칭: PSS)을 도핑한 폴리에틸렌디옥시티오펜(약칭: PEDOT)이나 폴리아닐린(약칭: PAni) 등이 사용될 수도 있다. 또한, 산화몰리브덴(MoOx), 산화바나듐(VOx), 산화니켈(NiOx) 등의 무기 반도체의 박막이나 또는 산화알루미늄(Al2O3) 등의 무기 절연체의 초박막도 유효하다. 또한, 4,4',4''-트리스(N,N-디페닐-아미노)-트리페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐-아미노]-트리페닐아민(약칭: MTDATA), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]-비페닐(약칭: α-NPD), 또는 4,4'-비스[N-(4-(N,N-디-m-톨일아미노)페닐)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: DNTPD) 등의 방향족 아민계 화합물도 사용될 수 있다. 또한, 그들 방향족 아민계 화합물에 대하여 억셉터(acceptor)성을 나타내는 물질을 첨가하여도 좋고, 구체적으로는, 억셉터인 2,3,5,6-테트라플루오르-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(약칭: F4-TCNQ)을 VOPc에 첨가한 것이나, 억셉터인 MoOx를 α-NPD에 첨가한 것을 사용하여도 좋다.
정공 주입 재료의 도포에 본 발명의 약액 도포 장치를 사용함으로써, 양극 전체에 걸쳐 막 두께 분포가 작고, 균일한 두께의 정공 주입 재료의 도포막을 얻을 수 있다. 또한, 복수의 노즐에 의해 최적의 패턴으로 약액을 토출할 수 있기 때문에, 약액의 낭비를 줄여 사용 효율을 높일 수 있다.
정공 수송층에 사용할 수 있는 정공 수송 재료로서는, 방향족 아민계 화합물이 적합하고, 상기한 TDATA, MTDATA, TPD, α-NPD, DNTPD 등이 사용될 수 있다.
정공 수송 재료의 도포에 본 발명의 약액 도포 장치를 사용함으로써, 정공 주입층 전체에 걸쳐 막 두께 분포가 작고, 균일한 두께의 정공 수송 재료의 도포막이 얻어질 수 있다. 또한, 복수의 노즐에 의해 적당한 패턴으로 약액을 토출할 수 있기 때문에, 약액의 낭비를 줄여, 사용 효율을 높일 수 있다.
다음에, 발광성 유기 화합물로서 사용할 수 있는 재료를 열거하지만, 본 발명에서는 그들에 한정되지 않고, 어떠한 발광성 유기 화합물이라도 사용될 수 있다.
예를 들어, 청색 내지 청녹색의 발광은 퍼릴렌, 2,5,8,11-테트라-t-부틸퍼릴렌(약칭: TBP), 또는 9,10-디페닐안트라센(약칭: DPA) 등을 게스트 재료로서 사용하고, 적당한 호스트 재료에 분산시킴으로써 얻어진다. 또한, 청색 내지 청녹색의 발광은 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐(약칭: DPVBi) 등의 스티릴아릴렌 유도체나, 9,10-디-2-나프틸안트라센(약칭: DNA), 9,10-비스(2-나프틸)-2-t-부틸안트라 센(약칭: t-BuDNA) 등의 안트라센 유도체에 의해 얻어질 수도 있다. 또한, 폴리(9,9-디옥틸플루오렌) 등의 폴리머를 사용하여도 좋다.
예를 들어, 청녹색 내지 녹색의 발광은 쿠마린 30, 쿠마린 6 등의 쿠마린계 색소나, 비스[2-(4,6-디플루오르페닐)피리디나토-N,C2'](피콜리나토)이리듐(약칭: FIrpic), 비스(2-페닐피리디나토-N,C2')(아세틸아세토나토)이리듐(약칭: Ir(ppy)2(acac)) 등을 게스트 재료로서 사용하고, 적당한 호스트 재료에 분산시킴으로써 얻어진다. 도한, 청녹색 내지 녹색의 발광은 상기한 퍼릴렌이나 TBP를 5 wt% 이상의 고농도로 적당한 호스트 재료에 분산시킴으로써도 얻어질 수도 있다. 또한, BAlq, Zn(BTZ)2, 또는 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)클로로갈륨(Ga(mq)2Cl) 등의 금속 착체로부터도 얻어질 수 있다. 또한, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 등의 폴리머를 사용하여도 좋다.
예를 들어, 황색 내지 오렌지색의 발광은 루브렌, 4-(디시아노메틸렌)-2-[p-(디메틸아미노)스티릴]-6-메틸-4H-피란(약칭: DCM1), 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(9-줄롤리딜)에티닐-4H-피란(약칭: DCM2), 비스[2-(2-티에닐)피리디나토]아세틸아세토나토 이리듐(Ir(thp)2(acac)), 비스(2-페닐퀴놀리나토)아세틸아세토나토 이리듐(Ir(pq)2(acac)) 등을 게스트 재료로서 사용하고, 적당한 호스트 재료에 분산시킴으로써 얻어진다. 또한, 황색 내지 오렌지색의 발광은 비스(8-퀴놀리놀라토)아연(약칭: Znq2)이나 비스[2-신나모일-8-퀴놀리놀라토]아연(약칭: Znsq2) 등의 금속 착 체로부터도 얻어질 수 있다. 또한, 폴리(2,5-디알콕시-1,4-페닐렌비닐렌) 등의 폴리머를 사용하여도 좋다.
예를 들어, 오렌지색 내지 적색의 발광은 4-(디시아노메틸렌)-2,6-비스[p-(디메틸아미노)스티릴]-4H-피란(약칭: BisDCM), 4-(디시아노메틸렌)-2,6-비스[2-(줄롤리딘)에티닐-4H-피란(약칭: DCM1), 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(9-줄롤리딘)에티닐-4H-피란(약칭: DCM2), 비스[2-(2-티에닐)피리디나토]아세틸아세토나토 이리듐(Ir(thp)2(acac)), 비스(2-페닐퀴놀리나토)아세틸아세토나토 이리듐(Ir(pd)2(acac)), 비스[2-(2'-벤조티에닐)피리디나토-N,C3'](아세틸아세토나토) 이리듐(약칭: Ir(btp)2(acac)) 등을 게스트 재료로서 사용하고, 적당한 호스트 재료에 분산시킴으로써 얻어진다. 또한, 오렌지색 내지 적색의 발광은 비스(8-퀴놀리놀라토)아연(약칭: Znq2)이나 비스[2-신나모일-8-퀴놀리놀라토]아연(약칭: Znsq2) 등의 금속 착체로부터도 얻어질 수 있다. 또한, 폴리(3-알킬티오펜) 등의 폴리머를 사용하여도 좋다.
또한, 상기한 발광성 유기 화합물 중에도 특히 FIrpic, Ir(ppy)2(acac), Ir(thp)2(acac), Ir(pq)2(acac), Ir(btp)2(acac) 등의 인광 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명을 적용한 발광 소자에서는 전류량이 경시적으로 증가하기 때문에, 소비전력의 상승이 크지만, 이들 인광 물질을 사용하면, 일반적으로 소비전력을 작게 할 수 있다.
또한, 상기 구성에서 적당한 호스트 재료로서는, 발광성 유기 화합물보다 발광색이 단파장의 것이거나, 또는 에너지 갭이 큰 것이면 좋다. 구체적으로는, 상기한 예로 대표되는 정공 수송 재료나 전자 수송 재료에서 적절히 선택될 수 있다. 또한, 4,4'-비스(N-카르바졸일)비페닐(약칭: CBP), 4,4',4''-트리스(N-카르바졸일)트리페닐아민(약칭: TCTA), 1,3,5-트리스[4-(N-카르바졸일)페닐]벤젠(약칭: TCPB) 등이 사용될 수도 있다.
발광성 유기 화합물의 도포에 본 발명의 약액 도포 장치를 사용함으로써, 정공 수송층 전체에 걸쳐 막 두께 분포가 작고, 균일한 두께의 발광성 유기 화합물로서 사용할 수 있는 재료의 도포막이 얻어질 수 있다. 또한, 본 발명에서는 개별적으로 가변의 복수의 노즐에 의해 적절한 패턴으로 약액을 토출할 수 있기 때문에, 약액의 낭비를 줄여, 사용 효율을 높일 수 있다.
전자 수송성에 사용할 수 있는 전자 수송 재료로서는, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(약칭: Alq3), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]-퀴놀리나토)베릴륨(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(4-페닐페놀라토)알루미늄(약칭: BAlq), 비스[2-(2-하이드록시페닐)벤조옥사졸라토]아연(약칭: Zn(BOX)2), 비스[2-(2-하이드록시페닐)벤조티아졸라토]아연(약칭: Zn(BTZ)2) 등의 금속 착체를 들 수 있다. 또한, 금속 착체 이외에도, 2-(4-비페닐)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7) 등의 옥사디아졸 유도체, 3-(4- tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4-비페닐)-1,2,4-트리아졸(약칭: TAZ), 3-(4-tert-부틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-비페닐)-1,2,4-트리아졸(약칭: p-EtTAZ) 등의 트리아졸 유도체, 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트리일)트리스[1-페닐-1H-벤즈이미다졸](약칭: TPBI)과 같은 이미다졸 유도체, 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 바소큐프로인(약칭: BCP) 등의 페난트롤린 유도체가 사용될 수도 있다.
전자 수송층의 도포에 본 발명의 약액 도포 장치를 사용함으로써, 발광성 유기 화합물을 포함하는 층 상의 전체에 걸쳐 막 두께 분포가 작고, 균일한 두께의 전자 수송 재료의 도포막이 얻어질 수 있다. 또한, 본 발명에서는 개별적으로 가변의 복수의 노즐에 의해 적절한 패턴으로 약액을 토출할 수 있기 때문에, 약액의 낭비를 줄여, 사용 효율을 높일 수 있다.
전자 주입층에 사용할 수 있는 전자 주입 재료로서는, 상기한 Alq3, Almq3, BeBq2, BAlq, Zn(BOX)2, Zn(BTZ)2, PBD, OXD-7, TAZ, p-EtTAZ, TPBI, BPhen, BCP 등의 전자 수송 재료가 사용될 수 있다. 그 외에, LiF, CsF 등의 알칼리 금속 할로겐 화합물이나, CaF2와 같은 알칼리토류 할로겐 화합물, 또는 Li2O 등의 알칼리 금속 산화물과 같은 절연체의 초박막이 자주 사용된다. 또한, 리튬 아세틸아세트네이트(약칭: Li(acac))나 8-퀴놀리놀라토-리튬(약칭: Liq) 등의 알칼리 금속 착체도 유효하다. 또한, 이들 전자 주입 재료에 대하여 도너(donor)성을 나타내는 물질을 첨가하여도 좋고, 도너로서는, 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 희토류 금속 등이 사용될 수 있다. 구체적으로는, BCP에 도너인 리튬을 첨가한 것이나, Alq3에 도너 인 리듐을 첨가한 것이 사용될 수 있다.
전자 주입 재료의 도포에 본 발명의 약액 도포 장치를 사용함으로써, 전자 수송층 전체에 걸쳐 막 두께 분포가 작고, 균일한 두께의 전자 주입 재료의 도포막이 얻어질 수 있다. 또한, 본 발명에서는 개별적으로 가변의 복수의 노즐에 의해 적당한 패턴으로 약액을 토출할 수 있기 때문에, 약액의 낭비를 줄여, 사용 효율을 높일 수 있다.
한편, 발광 소자의 양극(601)을 구성하는 재료로서는, 일 함수가 큰 도전성 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 양극(601)으로부터 광을 취출하는 경우에는, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 산화아연(ZnO), 산화규소를 첨가한 인듐 주석 산화물 등의 투명 도전성 재료가 사용될 수도 있다. 또한, 양극(601)을 차광성으로 하는 것이라면, TiN, ZrN, Ti, W, Ni, Pt, Cr 등의 단층 막 이외에, 질화티탄막과 알루미늄을 주성분으로 하는 막과의 적층, 질화티탄막과 알루미늄을 주성분으로 하는 막과 질화티탄막과의 3층 구조 등이 사용될 수도 있다. 또는, Ti, Al 등의 반사성 전극 위에 상기한 투명 도전성 재료를 적층하는 방법이어도 좋다.
또한, 음극(603)을 구성하는 재료로서는, 일 함수가 작은 도전성 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 구체적으로는, Li나 Cs 등의 알칼리 금속, 및 Mg, Ca, Sr 등의 알칼리토류 금속, 또는 이들을 포함하는 합금(Mg:Ag, Al:Li 등) 이외에, Yb나 Er 등의 희토류 금속을 사용하여 음극(603)을 형성할 수도 있다. 또한, 이들 도전성 재료 위에 다른 도전성 재료(예를 들어, 알루미늄 등)를 적층하여도 좋다. 또 한, LiF, CsF, CaF2, Li2O 등의 전자 주입층을 사용하는 경우에는, 알루미늄 등의 통상의 도전성 박막을 사용할 수 있다. 또한, 음극(603) 측을 광 취출 방향으로 하는 경우에는, Li나 Cs 등의 알칼리 금속, 및 Mg, Ca, Sr 등의 알칼리토류 금속을 포함하는 초박막과, 투명 도전막(ITO, IZO, ZnO 등)과의 적층 구조가 사용될 수도 있다. 또는, 상기한 전자 수송 재료에 대하여 도너성을 나타내는 물질(알칼리 금속 또는 알칼리토류 금속 등)을 첨가한 층과, 투명 도전막(ITO, IZO, ZnO 등)을 적층한 구성으로 하여도 좋다. 구체적으로는, BCP에 도너인 리듐을 첨가한 층이나, Alq3에 도너인 리튬을 첨가한 층 상에 ITO를 적층할 수도 있다.
상기한 발광 소자의 제조에 있어서, 발광층(602)의 각 층의 형성에 본 발명의 약액 도포 장치를 사용할 수 있다. 그 결과, 개별적으로 독립하여 이동 가능한 복수의 노즐에 의해 적당한 패턴으로 약액을 토출할 수 있기 때문에, 각 층의 전체에 걸쳐 막 두께를 균일하게 할 수 있고, 또한, 약액의 낭비를 줄여 사용 효율을 높일 수 있다.
본 발명을 실시함으로써, 기판 전체에 걸쳐 막 두께 분포가 작고, 균일한 두께의 도포막이 얻어짐과 동시에, 토출하는 약액의 낭비를 줄여 사용 효율을 높인 약액 토출 방법을 구비한 약액 도포 장치를 얻을 수 있다.
토출물의 하나인 레지스트는 고가이다. 그러나, 통상의 스핀 도포 시에 웨이퍼 위에 적하한 레지스트의 97%는 비산되어 버리는 것으로 알려져 있다. 따라서, 복수의 노즐을 각각 자유롭게 이동시킬 수 있는 구동기구를 가지는 본 발명에 따른 약액 도포 장치를 사용함으로써, 최적의 개소에 최적의 양을 토출할 수 있기 때문에, 레지스트의 사용 효율을 대폭으로 향상시킬 수 있다.
기판이 대형이고 장방형일 때에는, 기판의 엣지 부분에도 노즐을 배치함으로써, 기판의 네 구석에서 약액이 떨어지는 일이 없고, 대형 기판이라도 균일한 도포막의 형성이 가능하게 된다.

Claims (19)

  1. 약액 도포 장치에 있어서,
    기판을 보유하는 스테이지;
    상기 기판을 보유하는 상기 스테이지와 대향하여 구비된 가이드 레일;
    상기 기판을 보유하는 상기 스테이지와 대향하여 제공되고, 약액을 토출하는 복수의 노즐;
    상기 복수의 노즐 각각을 개별적으로 이동시키는 구동기구; 및
    상기 복수의 노즐로부터 토출되는 약액의 양을 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 복수의 노즐들 중 몇몇 노즐은 각각 상기 가이드 레일을 따라 개별적으로 이동할 수 있고,
    상기 가이드 레일은 매트릭스 형상으로 배열된, 약액 도포 장치.
  2. 약액 도포 장치에 있어서,
    기판을 보유하는 스테이지;
    상기 기판을 보유하는 상기 스테이지와 대향하여 구비된 가이드 레일;
    상기 기판을 보유하는 상기 스테이지와 대향하여 제공되고, 약액을 토출하는 복수의 노즐;
    상기 복수의 노즐 각각을 개별적으로 이동시키는 제1 구동기구;
    상기 스테이지를 이동시키는 제2 구동기구; 및
    상기 복수의 노즐로부터 토출되는 약액의 양을 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 복수의 노즐들 중 몇몇 노즐은 각각 상기 가이드 레일을 따라 개별적으로 이동할 수 있고,
    상기 가이드 레일은 매트릭스 형상으로 배열된, 약액 도포 장치.
  3. 약액 도포 장치에 있어서,
    기판을 보유하는 스테이지;
    상기 기판을 보유하는 상기 스테이지와 대향하여 구비된 가이드 레일;
    상기 기판을 보유하는 상기 스테이지와 대향하여 제공되고, 약액을 토출하는 복수의 노즐;
    상기 복수의 노즐 각각을 개별적으로 이동시키는 제1 구동기구;
    상기 스테이지를 이동시키는 제2 구동기구;
    상기 약액을 수납하는 탱크; 및
    배관을 통하여 상기 탱크에 연결되고, 상기 복수의 노즐로부터 토출되는 약액의 양을 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 복수의 노즐들 중 몇몇 노즐은 각각 상기 가이드 레일을 따라 개별적으로 이동할 수 있고,
    상기 가이드 레일은 매트릭스 형상으로 배열된, 약액 도포 장치.
  4. 약액 도포 장치에 있어서,
    기판을 보유하는 스테이지;
    상기 기판을 보유하는 상기 스테이지와 대향하여 제공된 가이드 레일;
    상기 가이드 레일에 의해 유지되고, 약액을 토출하는 복수의 노즐;
    상기 약액을 수납하는 탱크; 및
    배관을 통하여 상기 탱크에 연결되고, 상기 복수의 노즐로부터 토출되는 약액의 양을 제어하는 제어부를 포함하고;
    상기 복수의 노즐 중 몇몇 노즐은 각각 상기 가이드 레일을 따라 개별적으로 이동할 수 있고,
    상기 가이드 레일은 매트릭스 형상으로 배열되어 있는, 약액 도포 장치.
  5. 약액 도포 방법에 있어서,
    스테이지 상에 기판을 보유시키고;
    복수의 노즐을 통해 상기 기판에 약액을 토출하고;
    상기 약액을 토출하는 동안 상기 스테이지 위의 상기 기판을 회전시키고;
    상기 복수의 노즐 각각을 개별적으로 이동시키는 것을 포함하고;
    상기 복수의 노즐 중 하나가 상기 복수의 노즐 중의 다른 노즐로부터 독립하여 이동될 수 있고,
    상기 복수의 노즐은 가이드 레일에 의해 지지되어 있는, 약액 도포 방법.
  6. 약액 도포 방법에 있어서,
    스테이지 상에 기판을 보유시키고;
    복수의 노즐을 통해 상기 기판에 약액을 토출하고;
    상기 약액을 토출하는 동안 상기 스테이지 위의 상기 기판을 회전시키고;
    상기 복수의 노즐 각각은 개별적으로 이동시키고; 및
    상기 복수의 노즐 중 하나로부터 토출될 약액의 양을 제어하는 것을 포함하고;
    상기 복수의 노즐 중 하나로부터 토출될 약액의 양이 상기 복수의 노즐 중의 다른 노즐로부터 독립하여 제어될 수 있고,
    상기 복수의 노즐은 가이드 레일에 의해 지지되어 있는, 약액 도포 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 노즐이, 상기 기판을 보유하는 상기 스테이지의 표면에 대하여 수직방향으로 이동할 수 있는, 약액 도포 장치.
  8. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 탱크가 상기 복수의 노즐 중 하나에 조작가능하게 연결되어 있는, 약액 도포 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 노즐 중 다른 하나의 노즐에 조작가능하게 연결되어 있는 다른 탱크를 더 포함하는, 약액 도포 장치.
  10. 삭제
  11. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 노즐 중 하나가 상기 기판의 표면에 대하여 수평방향 또는 수직방향으로 이동될 수 있는, 약액 도포 방법.
  12. 삭제
  13. 제 6 항에 있어서,
    상기 약액의 양이 제어부에 의해 제어될 수 있는, 약액 도포 방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4954610B2 (ja) * 2005-06-10 2012-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 塗布装置、塗布方法及び半導体装置の作製方法
US7770535B2 (en) * 2005-06-10 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Chemical solution application apparatus and chemical solution application method
JP4805758B2 (ja) 2006-09-01 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置
EP2082075B1 (en) * 2006-09-08 2017-05-17 Massachusetts Institute of Technology Automated layer by layer spray technology
US8092599B2 (en) * 2007-07-10 2012-01-10 Veeco Instruments Inc. Movable injectors in rotating disc gas reactors
KR100861096B1 (ko) * 2007-08-02 2008-09-30 세메스 주식회사 약액 도포 장치 및 약액 토출 시간 보정 방법
JP4636083B2 (ja) * 2007-12-28 2011-02-23 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 異種ｓｏｇ材料装填時におけるノズル先端の結晶化防止方法
US20100051993A1 (en) * 2008-09-03 2010-03-04 Casio Computer Co., Ltd. Light emitting apparatus and manufacturing method thereof
JP4877372B2 (ja) * 2009-08-28 2012-02-15 カシオ計算機株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5634341B2 (ja) * 2011-06-29 2014-12-03 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
KR101909480B1 (ko) * 2011-08-04 2018-10-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN102623323A (zh) * 2012-04-01 2012-08-01 南通富士通微电子股份有限公司 半导体圆片喷液蚀刻系统及方法
JP6203098B2 (ja) * 2013-03-29 2017-09-27 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102218589B1 (ko) 2013-06-20 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 수지 도포 장치, 그 방법 및 이를 이용한 수지층 형성방법
EP3100298B1 (en) 2014-01-27 2020-07-15 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems
TWI666684B (zh) * 2015-11-16 2019-07-21 日商東京威力科創股份有限公司 塗佈膜形成方法、塗佈膜形成裝置及記憶媒體
CN105496788A (zh) * 2016-01-19 2016-04-20 周午贤 一种成品药制成机器
CN105534714A (zh) * 2016-01-19 2016-05-04 周午贤 一种药粒冷却装置生产器
CN105476857A (zh) * 2016-01-19 2016-04-13 金丽秋 一种成品药糖衣喷涂一体机
KR101870656B1 (ko) * 2016-05-26 2018-06-27 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 약액 공급 장치
TWI682813B (zh) 2016-11-29 2020-01-21 荷蘭商耐克創新有限合夥公司 多噴嘴工具以及使用多噴嘴工具塗覆材料的方法
US11180519B2 (en) 2018-02-09 2021-11-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102022954B1 (ko) * 2018-04-20 2019-09-19 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 약액 공급 장치
CN110044278B (zh) * 2019-04-09 2021-11-19 华南理工大学 一种非接触式流体薄膜厚度测量装置及方法
KR102133235B1 (ko) * 2019-09-18 2020-07-13 주식회사 팀즈 멀티 노즐 정밀토출 제어 디스펜서

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09319094A (ja) * 1996-05-27 1997-12-12 Mitsubishi Electric Corp スピンナ塗布方法およびスピンナ塗布装置
JP2002346461A (ja) 2001-05-24 2002-12-03 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成方法及びその装置
JP2003224066A (ja) * 2001-11-26 2003-08-08 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置
JP2004237157A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回転塗布装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0615224A (ja) 1992-07-01 1994-01-25 Fujitsu Ltd 着色樹脂の塗布方法
SG93216A1 (en) * 1993-03-25 2002-12-17 Tokyo Electron Ltd Method of forming coating film and apparatus therefor
TW264575B (ko) * 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3431033B2 (ja) 1993-10-29 2003-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体作製方法
JP3464287B2 (ja) 1994-09-05 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH08141477A (ja) 1994-11-21 1996-06-04 Casio Comput Co Ltd 薄膜形成方法およびその装置
JPH09160256A (ja) 1995-12-07 1997-06-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 液体吐出装置
JP3338804B2 (ja) 1999-08-31 2002-10-28 秋田日本電気株式会社 レジスト塗布装置とその方法
US6634806B2 (en) * 2000-03-13 2003-10-21 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2001287154A (ja) * 2000-04-06 2001-10-16 Nec Corp 研磨装置および研磨方法
JP3616748B2 (ja) * 2000-11-07 2005-02-02 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法，現像処理装置及び処理装置
US6811613B2 (en) 2001-11-26 2004-11-02 Tokyo Electron Limited Coating film forming apparatus
JP2004275989A (ja) 2003-03-19 2004-10-07 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 基板処理装置
US7770535B2 (en) 2005-06-10 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Chemical solution application apparatus and chemical solution application method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09319094A (ja) * 1996-05-27 1997-12-12 Mitsubishi Electric Corp スピンナ塗布方法およびスピンナ塗布装置
JP2002346461A (ja) 2001-05-24 2002-12-03 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成方法及びその装置
JP2003224066A (ja) * 2001-11-26 2003-08-08 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置
JP2004237157A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回転塗布装置

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