KR101215626B1 - Fineness pattern printing method - Google Patents

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KR101215626B1
KR101215626B1 KR1020110107017A KR20110107017A KR101215626B1 KR 101215626 B1 KR101215626 B1 KR 101215626B1 KR 1020110107017 A KR1020110107017 A KR 1020110107017A KR 20110107017 A KR20110107017 A KR 20110107017A KR 101215626 B1 KR101215626 B1 KR 101215626B1
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line width
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roughness
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KR1020110107017A
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조정대
강동우
이택민
이승현
김인영
윤덕균
장윤석
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한국기계연구원
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    • H05K3/1275—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by other printing techniques, e.g. letterpress printing, intaglio printing, lithographic printing, offset printing
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Abstract

PURPOSE: A method for printing a fine pattern is provided to easily print the pattern with a fine linewidth by transferring a second pattern or corresponding pattern on a substrate after the second pattern is formed on a first roll. CONSTITUTION: An ink layer(I) is formed on a blanket or stamp included in a first roll(R1). A first pattern(P1) of a first linewidth(W1) is prepared. A corresponding pattern(P3) is formed by transferring the ink layer of the first roll on the first pattern. A second pattern(P2) of a second linewidth(W2) is formed in the first roll using the remaining ink layer. One of the second pattern and the corresponding pattern is transferred on a substrate(5).

Description

미세 패턴 인쇄 방법 {FINENESS PATTERN PRINTING METHOD}Fine Pattern Printing Method {FINENESS PATTERN PRINTING METHOD}

본 기재는 일반적인 인쇄 공정으로 제작하기 어려운 미세 선폭을 가지는 패턴을 인쇄하는 미세 패턴 인쇄 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a fine pattern printing method for printing a pattern having a fine line width that is difficult to be produced by a general printing process.

예를 들면, 액정표시장치의 하부 기판은 화소 전극에 신호를 인가하기 위한 박막트랜지스터를 포함하는 TFT 기판과, 칼라필터가 배열되어 있는 칼라필터 기판을 가진다. 이러한 TFT 기판이나 칼라필터 기판을 제조하는 과정에서는 매우 미세한 선폭의 패턴을 기판 상에 형성시키는 인쇄 공정이 진행된다.For example, a lower substrate of a liquid crystal display device has a TFT substrate including a thin film transistor for applying a signal to a pixel electrode, and a color filter substrate in which color filters are arranged. In the process of manufacturing such a TFT substrate or a color filter substrate, a printing process of forming a pattern having a very fine line width on the substrate proceeds.

이 인쇄 공정은 특정 선폭의 패턴을 전사하여 그대로 기판 상에 인쇄하여 미세 패턴을 형성하는 방법으로써, 전사 공정의 특성상, 패턴의 선폭을 10마이크로미터 이하로 인쇄하기 어렵다.This printing process is a method of transferring a pattern of a specific line width and printing it on a substrate as it is to form a fine pattern. Due to the characteristics of the transfer process, it is difficult to print the line width of the pattern to 10 micrometers or less.

본 발명의 목적은 일반적인 인쇄 공정으로 제작하기 어려운 미세 선폭을 가지는 패턴을 인쇄하는 미세 패턴 인쇄 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a fine pattern printing method for printing a pattern having a fine line width that is difficult to produce in a general printing process.

본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 인쇄 방법은, 회전하는 제1 롤에 잉크층을 형성하는 제1 단계, 제1 선폭(W1)의 제1 패턴(P1)을 준비하는 제2 단계, 상기 제1 패턴에 상기 제1 롤을 밀착 회전시켜 상기 제1 롤에 형성된 상기 잉크층을 상기 제1 패턴에 전사하여 대응 패턴을 형성하고 잔여 잉크층으로 상기 제1 롤에 제2 선폭(W2)의 제2 패턴을 형성하는 제3 단계, 및 상기 제2 패턴 및 상기 대응 패턴 중 하나를 기판에 전사하는 제4 단계를 포함한다.In the fine pattern printing method according to an embodiment of the present invention, a first step of forming an ink layer on a rotating first roll, a second step of preparing a first pattern (P1) of the first line width (W1), The first roll is in close contact with the first pattern to transfer the ink layer formed on the first roll to the first pattern to form a corresponding pattern, and the remaining ink layer has a second line width W2 on the first roll. A third step of forming a second pattern, and a fourth step of transferring one of the second pattern and the corresponding pattern to the substrate.

상기 제1 단계는, 상기 제1 롤에 구비되는 블랭킷 또는 스탬프에 잉크층을 형성할 수 있다.In the first step, an ink layer may be formed on a blanket or a stamp provided on the first roll.

상기 제2 단계는, 상기 제1 패턴을 리무버 플레이트에 준비할 수 있다.In the second step, the first pattern may be prepared on a remover plate.

상기 제3 단계는, 상기 제2 패턴의 상기 제2 선폭을 상기 제1 패턴의 상기 제1 선폭보다 미세하게 형성할 수 있다.In the third step, the second line width of the second pattern may be formed to be smaller than the first line width of the first pattern.

상기 제3 단계는, 상기 대응 패턴을 상기 제2 패턴과 동일한 제2 선폭으로 형성할 수 있다.In the third step, the corresponding pattern may be formed to have the same second line width as the second pattern.

상기 제4 단계는, 상기 제1 롤의 상기 제2 패턴을 상기 기판에 전사할 수 있다.In the fourth step, the second pattern of the first roll may be transferred onto the substrate.

상기 제3 단계 및 상기 제4 단계는, 상기 리무버 플레이트와 상기 기판을 각각 반대 방향으로 이동할 수 있다.In the third and fourth steps, the remover plate and the substrate may be moved in opposite directions, respectively.

상기 제3 단계는, 상기 제2 패턴의 상기 제2 선폭을 1 내지 10마이크로미터로 형성할 수 있다.In the third step, the second line width of the second pattern may be formed to 1 to 10 micrometers.

상기 제2 단계는, 상기 제1 패턴을 블랭킷 또는 스탬프에 구비할 수 있다.In the second step, the first pattern may be provided on a blanket or a stamp.

상기 제3 단계는, 상기 제1 패턴의 상기 제1 선폭을 상기 제2 패턴의 상기 제2 선폭보다 미세하게 형성할 수 있다.In the third step, the first line width of the first pattern may be formed to be smaller than the second line width of the second pattern.

상기 제3 단계는, 상기 대응 패턴을 상기 제1 패턴과 동일한 제1 선폭으로 형성할 수 있다.In the third step, the corresponding pattern may be formed to have the same first line width as the first pattern.

상기 제4 단계는, 상기 대응 패턴을 상기 기판에 전사할 수 있다.In the fourth step, the corresponding pattern may be transferred to the substrate.

상기 제4 단계는, 상기 기판을 제2 롤에 구비하여, 상기 블랭킷 또는 스탬프의 상기 대응 패턴을 상기 기판에 전사할 수 있다.In the fourth step, the substrate may be provided on the second roll to transfer the corresponding pattern of the blanket or stamp onto the substrate.

상기 제3 단계 및 상기 제4 단계는, 상기 블랭킷 또는 스탬프와 상기 기판을 각각 반대 방향으로 이동할 수 있다.In the third and fourth steps, the blanket or stamp and the substrate may be moved in opposite directions, respectively.

상기 제2 단계는, 상기 제1 패턴을 제3 롤에 준비할 수 있다.In the second step, the first pattern may be prepared on a third roll.

상기 제3 단계는, 상기 제1 패턴의 상기 제1 선폭을 상기 제2 패턴의 상기 제2 선폭보다 미세하게 형성할 수 있다.In the third step, the first line width of the first pattern may be formed to be smaller than the second line width of the second pattern.

상기 제3 단계는, 상기 대응 패턴을 상기 제1 패턴과 동일한 제1 선폭으로 형성할 수 있다.In the third step, the corresponding pattern may be formed to have the same first line width as the first pattern.

상기 제4 단계는, 상기 제1 패턴 상의 상기 대응 패턴을 상기 기판에 전사할 수 있다.In the fourth step, the corresponding pattern on the first pattern may be transferred to the substrate.

상기 제3 단계는, 상기 잉크층의 제1 거칠기의 외표면을 상기 제1 패턴의 제2 거칠기의 외표면에 전사하여 제2 거칠기의 내표면의 대응 패턴을 형성하고, 상기 제4 단계는, 상기 대응 패턴을 상기 기판에 전사하여 형성되는 제2 거칠기의 내표면을 상기 제2 패턴의 제2 거칠기의 외표면으로 형성할 수 있다.In the third step, the outer surface of the first roughness of the ink layer is transferred to the outer surface of the second roughness of the first pattern to form a corresponding pattern of the inner surface of the second roughness, and the fourth step, The inner surface of the second roughness formed by transferring the corresponding pattern to the substrate may be formed as the outer surface of the second roughness of the second pattern.

상기 제2 거칠기는 상기 제1 거칠기보다 작게 형성될 수 있다.The second roughness may be smaller than the first roughness.

이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 롤에 형성된 잉크층을 제1 선폭의 제1 패턴에 전사함으로써 제1 패턴에 대응 패턴을 형성하고, 제1 롤에 제2 패턴을 형성하여, 제2 패턴 또는 대응 패턴을 기판에 전사함으로써, 미세 선폭의 패턴을 용이하게 인쇄하는 효과가 있다.As described above, according to one embodiment of the present invention, the corresponding pattern is formed on the first pattern by transferring the ink layer formed on the first roll to the first pattern having the first line width, and the second pattern is formed on the first roll. By transferring the second pattern or the corresponding pattern onto the substrate, there is an effect of easily printing a pattern having a fine line width.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 미세 패턴 인쇄 방법의 공정도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 미세 패턴 인쇄 방법의 공정도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 미세 패턴 인쇄 방법의 공정도이다.1 is a process chart of a fine pattern printing method according to a first embodiment of the present invention.
2 is a process chart of the fine pattern printing method according to a second embodiment of the present invention.
3 is a process chart of the fine pattern printing method according to a third embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 미세 패턴 인쇄 방법의 공정도이다. 도 1을 참조하면, 제1 실시예의 미세 패턴 인쇄 방법은, 회전하는 제1 롤(R1)에 잉크층(I)을 형성하는 제1 단계(ST1), 제1 선폭(W1)의 제1 패턴(P1)을 준비하는 제2 단계(ST2), 제1 패턴(P1)에 대응 패턴(P3)을 형성하고 제1 롤(R1)에 제2 선폭(W2)의 제2 패턴(P2)을 형성하는 제3 단계(ST3), 및 제2 패턴(P2) 또는 대응 패턴(도 2의 P23, 도 3의 P33)을 기판(5)에 전사하여 목표로 하는 미세 패턴(P4)을 형성하는 제4 단계(ST4)를 포함한다.1 is a process chart of a fine pattern printing method according to a first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, in the fine pattern printing method of the first embodiment, the first step ST1 of forming the ink layer I on the rotating first roll R1 and the first pattern of the first line width W1 In the second step ST2 of preparing (P1), the corresponding pattern P3 is formed on the first pattern P1, and the second pattern P2 of the second line width W2 is formed on the first roll R1. A fourth step ST3 and a second pattern P2 or a corresponding pattern (P23 in FIG. 2 and P33 in FIG. 3) are transferred to the substrate 5 to form a target fine pattern P4. Step ST4 is included.

예를 들면, 제1 단계(ST1)는 제1 롤(R1)의 길이 전 범위에 걸쳐 배치되는 슬롯 다이(1)를 통하여, 제1 롤(R1)에 구비되는 블랭킷 또는 스탬프(2)에 잉크층(I)을 형성한다. 잉크층(I)은 제1 롤(R1) 상에서 설정된 두께(t)를 가진다. 형성된 잉크층(I)의 두께(t)는 인쇄 단계에서 최종적으로 형성되는 미세 패턴(P4)의 높이(H)를 형성한다.For example, the first step ST1 may ink the blanket or stamp 2 provided on the first roll R1 through the slot die 1 disposed over the entire length of the first roll R1. Form layer (I). The ink layer I has the thickness t set on the first roll R1. The thickness t of the formed ink layer I forms the height H of the fine pattern P4 finally formed in the printing step.

제2 단계(ST2)는 리무버 플레이트(3)에 제1 선폭(W1)의 제1 패턴(P1)을 준비한다. 제1 패턴(P1)은 제1 롤(R1)에 제2 패턴(P2)을 형성하기 위한 것으로서, 포토리소그래피(photolithography), 에칭 및 레이저 식각 등의 방법으로 구현 될 수 있다.In the second step ST2, the first pattern P1 having the first line width W1 is prepared on the remover plate 3. The first pattern P1 is for forming the second pattern P2 on the first roll R1 and may be implemented by photolithography, etching, and laser etching.

제3 단계(ST3)는 리무버 플레이트(3)에 상에서 제1 롤(R1)을 회전시켜, 대응 패턴(P3)과 제2 패턴(P2)을 동시에 형성한다. 리무버 플레이트(3)는 잉크층(I)에서 대응 패턴(P3)을 제거하여 제1 롤(R1)에 제2 패턴(P2)의 형성을 가능하게 한다. 제1 실시예에서는 제1 롤(R1)에 형성된 잉크층(I)으로 제1 패턴(P1) 상에 대응 패턴(P3)을 형성하고, 이로 인하여, 제1 패턴(P1)에 대응하지 않은 부분에서 제1 롤(R1)의 잔여 잉크층으로 제1 롤(R1)에 제2 선폭(W2)의 제2 패턴(P2)을 형성한다.In the third step ST3, the first roll R1 is rotated on the remover plate 3 to simultaneously form the corresponding pattern P3 and the second pattern P2. The remover plate 3 allows the formation of the second pattern P2 on the first roll R1 by removing the corresponding pattern P3 from the ink layer I. In the first embodiment, the corresponding pattern P3 is formed on the first pattern P1 with the ink layer I formed on the first roll R1, and thus, a portion that does not correspond to the first pattern P1. The second pattern P2 of the second line width W2 is formed on the first roll R1 with the remaining ink layer of the first roll R1.

이때, 제1 롤(R1)은 시계 방향으로 회전하고, 제1 패턴(P1) 및 대응 패턴(P3)을 형성한 리무버 플레이트(3)는 테이블(4) 상에서 후진(도 1에서 우측에서 좌측으로 이동)한다.At this time, the first roll R1 is rotated in the clockwise direction, and the remover plate 3 having the first pattern P1 and the corresponding pattern P3 moves backward on the table 4 (from right to left in FIG. 1). Move).

제3 단계(ST3)는 제2 패턴(P2)의 제2 선폭(W2)을 제1 패턴(P1)의 제1 선폭(W1)보다 미세하게 형성한다. 즉 제2 단계(ST2)에서 준비된 제1 패턴(P1)은 상대적으로 큰 제1 선폭(W1)을 가지므로 제2 패턴(P2)보다 형성이 용이하다. 즉 제1 패턴(P1)은 용이한 형성으로 미세한 제2 패턴(P2)을 형성할 수 있게 한다.In the third step ST3, the second line width W2 of the second pattern P2 is formed to be smaller than the first line width W1 of the first pattern P1. That is, since the first pattern P1 prepared in the second step ST2 has a relatively large first line width W1, it is easier to form the second pattern P2. That is, the first pattern P1 makes it possible to form the fine second pattern P2 with easy formation.

제3 단계(ST3)에서 형성되는 대응 패턴(P3)은 제1 패턴(P1) 상에 형성되므로 제1 패턴(P1)과 동일하도록 제1 선폭(W1)으로 서로 형성된다. 제1 실시예에서 대응 패턴(P3)은 제1 롤(R1)에 제2 패턴(P2)의 형성에 따라 동시에 형성되는 것으로서, 제1 롤(R1)에 형성된 잉크층(I) 중에서 사용되지 않는 부분을 차지한다.Since the corresponding patterns P3 formed in the third step ST3 are formed on the first pattern P1, they are formed with the first line width W1 to be the same as the first pattern P1. In the first embodiment, the corresponding pattern P3 is formed simultaneously with the formation of the second pattern P2 on the first roll R1, and is not used among the ink layers I formed on the first roll R1. Take part.

제4 단계(ST4)는 제1 롤(R1)에 형성된 제2 패턴(P2)을 기판(5)에 전사한다. 이때, 제1 롤(R1)은 제2 패턴(P2)을 가지고 반시계 방향으로 회전하고, 기판(5)은 테이블(4) 상에서 전진(도 1에서 좌측에서 우측으로 이동)한다.In the fourth step ST4, the second pattern P2 formed on the first roll R1 is transferred to the substrate 5. At this time, the first roll R1 rotates counterclockwise with the second pattern P2, and the substrate 5 moves forward (moves from left to right in FIG. 1) on the table 4.

리무버 플레이트(3)와 기판(5)의 구동 방향은 제3 단계(ST3)와 제4 단계(ST4)에서 서로 반대 방향으로 구동된다. 따라서 제1 패턴(P1)에 의하여 제1 롤(R1)에 제2 패턴(P2)이 형성되고, 제2 패턴(P2)이 기판(5)에 전사되어 미세 패턴(P4)이 형성된다.Driving directions of the remover plate 3 and the substrate 5 are driven in opposite directions in the third step ST3 and the fourth step ST4. Therefore, the second pattern P2 is formed on the first roll R1 by the first pattern P1, and the second pattern P2 is transferred to the substrate 5 to form the fine pattern P4.

미세 패턴(P4), 즉 미세 패턴(P4)으로 전사되는 제2 패턴(P2)의 제2 선폭(W2)은 1 내지 10마이크로미터로 형성된다. 일반적인 인쇄 방법으로 인쇄되는 패턴의 선폭은 10마이크로미터를 초과한다.The second line width W2 of the fine pattern P4, that is, the second pattern P2 transferred to the fine pattern P4 is formed to be 1 to 10 micrometers. The line width of the pattern printed by the usual printing method exceeds 10 micrometers.

이와 같이 제1 실시예는 리무버 플레이트(3) 상의 제1 패턴(P1)의 제1 선폭(W1)을 크게 형성하고, 제1 롤(R1) 상의 제2 패턴(P2)의 제2 선폭(W2)을 작게 형성하여(W1>W2), 제2 선폭(W2)을 가지는 제2 패턴(P2)으로 미세 패턴(P4)을 형성한다. 즉 미세 패턴(P4)은 미세한 제2 선폭(W2)을 가진다.As described above, the first embodiment forms a large first line width W1 of the first pattern P1 on the remover plate 3, and a second line width W2 of the second pattern P2 on the first roll R1. ) Is formed small (W1> W2), and the fine pattern P4 is formed using the second pattern P2 having the second line width W2. That is, the fine pattern P4 has a fine second line width W2.

이하 본 발명의 다양한 실시예에 대하여 설명하며, 제1 실시예 및 기 설명된 실시예의 구성과 동일한 부분에 대한 설명을 생략하고, 서로 다른 부분에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described, and descriptions of the same parts as those of the first embodiment and the previously described embodiments will be omitted, and different parts will be described.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 미세 패턴 인쇄 방법의 공정도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 실시예는 리무버 플레이트(3)에 제1 패턴(P1)의 제1 선폭(W1)을 광폭으로 형성하여 제1 롤(R1)에 제2 패턴(P2)의 제2 선폭(W2)을 협폭으로 형성하지만, 제2 실시예는 블랭킷 또는 스탬프(23)에 제1 패턴(P21)의 제1 선폭(W21)을 협폭으로 형성하여 제1 롤(R1)에 제2 패턴(P22)의 제2 선폭(W22)을 광폭으로 형성한다.2 is a process chart of the fine pattern printing method according to a second embodiment of the present invention. 1 and 2, the first embodiment forms a wide width of the first line width W1 of the first pattern P1 on the remover plate 3 to form a second pattern P2 on the first roll R1. Although the second line width (W2) of) is narrowly formed, the second embodiment forms the first line width (W21) of the first pattern (P21) narrowly on the blanket or stamp 23 to form the first roll (R1). The second line width W22 of the second pattern P22 is formed to have a wide width.

또한, 제1 실시예는 제1 롤(R1)의 잔여 잉크층으로 형성되는 제2 패턴(P2)으로 미세 패턴(P4)을 형성하지만, 제2 실시예는 블랭킷 또는 스탬프(23)에 형성되는 대응 패턴(P23)으로 미세 패턴(P24)을 형성한다.Further, while the first embodiment forms the fine pattern P4 with the second pattern P2 formed of the remaining ink layer of the first roll R1, the second embodiment is formed on the blanket or stamp 23. The fine pattern P24 is formed with the corresponding pattern P23.

도 2를 참조하면, 제2 실시예에서, 제2 단계(ST22)는 블랭킷 또는 스탬프(23)에 제1 선폭(W21)을 가지는 제1 패턴(P21)을 준비한다. 제1 패턴(P21)은 대응 패턴(P23)을 형성하기 위한 것으로서, 포토리소그래피(photolithography), 에칭 및 레이저 식각 등의 방법으로 구현 될 수 있다.Referring to FIG. 2, in the second embodiment, the second step ST22 prepares the first pattern P21 having the first line width W21 on the blanket or stamp 23. The first pattern P21 is for forming the corresponding pattern P23, and may be implemented by photolithography, etching, and laser etching.

제3 단계(ST23)는 블랭킷 또는 스탬프(23)에 상에서 제1 롤(R1)을 회전시켜, 대응 패턴(P23)과 제2 패턴(P22)을 동시에 형성한다. 제2 실시예에서는 제1 롤(R1)에 형성된 잉크층(I)으로 제1 패턴(P21) 상에 대응 패턴(P23)을 형성하고, 이로 인하여, 제1 패턴(P21)에 대응하지 않은 부분에서 제1 롤(R1)의 잔여 잉크층으로 제1 롤(R1)에 제2 선폭(W22)의 제2 패턴(P22)을 형성한다.In the third step ST23, the first roll R1 is rotated on the blanket or the stamp 23 to simultaneously form the corresponding pattern P23 and the second pattern P22. In the second embodiment, the corresponding pattern P23 is formed on the first pattern P21 with the ink layer I formed on the first roll R1, and thus, a portion not corresponding to the first pattern P21. The second pattern P22 having the second line width W22 is formed on the first roll R1 using the remaining ink layer of the first roll R1.

제3 단계(ST23)에서 형성되는 대응 패턴(P23)은 제1 패턴(P21) 상에 형성되므로 제1 패턴(P21)과 동일하도록 제1 선폭(W21)으로 서로 형성된다. 제2 실시예에서 제1 롤(R1)의 제2 패턴(P22)은 대응 패턴(P23)의 형성에 따라 동시에 형성되는 것으로서, 제1 롤(R1)에 형성된 잉크층(I) 중에서 사용되지 않는 부분을 차지한다.Since the corresponding pattern P23 formed in the third step ST23 is formed on the first pattern P21, the corresponding pattern P23 is formed with the first line width W21 to be the same as the first pattern P21. In the second embodiment, the second pattern P22 of the first roll R1 is formed at the same time as the corresponding pattern P23 is formed, and is not used among the ink layers I formed on the first roll R1. Take part.

제3 단계(ST23)는 대응 패턴(P23)의 선폭을 제1 패턴(P1)의 제1 선폭(W21)과 동일하게 형성한다. 즉 제3 단계(ST23)에서 형성된 대응 패턴(P23)은 제1 롤(R1) 상에 상대적으로 큰 제2 선폭(W22)의 제2 패턴(P22)을 형성하면서 상대적으로 작은 제1 패턴(P21)에 대응하여 제1 선폭(W21)으로 형성되므로 형성이 용이하다.In the third step ST23, the line width of the corresponding pattern P23 is formed to be the same as the first line width W21 of the first pattern P1. That is, the corresponding pattern P23 formed in the third step ST23 forms a second pattern P22 having a relatively large second line width W22 on the first roll R1, and has a relatively small first pattern P21. ) Is formed to have a first line width W21 so that formation is easy.

제4 단계(ST24)는 블랭킷 또는 스탬프(23)에 형성된 대응 패턴(P23)을 제2 롤(R2)에 구비된 기판(25)에 전사한다. 이때, 제2 롤(R2)은 기판(25)을 가지고 반시계 방향으로 회전하고, 블랭킷 또는 스탬프(23)는 테이블(4) 상에서 전진(도 1에서 좌측에서 우측으로 이동)한다. 기판(25)은 합성수지 필름이나 유연재질로 형성될 수 있다.In the fourth step ST24, the corresponding pattern P23 formed on the blanket or stamp 23 is transferred to the substrate 25 provided in the second roll R2. At this time, the second roll R2 is rotated counterclockwise with the substrate 25, and the blanket or stamp 23 is advanced on the table 4 (moving from left to right in FIG. 1). The substrate 25 may be formed of a synthetic resin film or a flexible material.

블랭킷 또는 스탬프(23)와 기판(5)의 구동 방향은 제3 단계(ST23)와 제4 단계(ST24)에서 서로 반대 방향으로 구동된다. 따라서 제1 패턴(P21)에 의하여 제1 롤(R1)에 제2 패턴(P22)이 형성되고, 블랭킷 또는 스탬프(23)에 대응 패턴(P23)이 제2 롤(R2)에 구비된 기판(25)에 전사되어 미세 패턴(P24)을 형성한다.The driving directions of the blanket or stamp 23 and the substrate 5 are driven in opposite directions in the third step ST23 and the fourth step ST24. Accordingly, the substrate having the second pattern P22 formed on the first roll R1 by the first pattern P21 and the corresponding pattern P23 formed on the blanket or the stamp 23 on the second roll R2 ( 25) to form a fine pattern (P24).

이와 같이 제2 실시예는 블랭킷 또는 스탬프(23) 상의 제1 패턴(P21)의 제1 선폭(W21)을 작게 형성하고, 제1 롤(R1) 상의 제2 패턴(P22)의 제2 선폭(W22)을 크게 형성하여(W21<W22), 제1 선폭(W21)을 가지는 대응 패턴(P23)으로 미세 패턴(P24)을 형성한다. 즉 미세 패턴(P24)은 미세한 제1 선폭(W21)을 가진다.As described above, in the second embodiment, the first line width W21 of the first pattern P21 on the blanket or stamp 23 is made small, and the second line width of the second pattern P22 on the first roll R1 ( The large pattern W22 is formed (W21 <W22) to form the fine pattern P24 in the corresponding pattern P23 having the first line width W21. That is, the fine pattern P24 has a fine first line width W21.

도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 미세 패턴 인쇄 방법의 공정도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1, 제2 실시예는 롤투플레이트(roll to plate) 방식으로 1차 인쇄하고(제1 내지 제3 단계), 롤투플레이트(roll to plate) 방식으로 2차 인쇄한다(제4 단계).3 is a process chart of the fine pattern printing method according to a third embodiment of the present invention. 1 to 3, the first and second embodiments are primarily printed in a roll to plate manner (first to third steps), and second in a roll to plate manner. Print (step 4).

이에 비하여, 제3 실시예는 롤투롤(roll to roll) 방식으로 1차 인쇄하고(제1 내지 제3 단계), 롤투플레이트(roll to plate) 방식으로 2차 인쇄한다(제4 단계). In contrast, the third embodiment prints firstly by a roll to roll method (first to third steps) and secondly prints by a roll to plate method (fourth step).

제3 실시예에서, 제2 단계(ST32)는 제3 롤(R3)에 제1 선폭(W31)의 제1 패턴(P31)을 준비한다. 제1 패턴(P31)은 블랭킷 또는 스탬프(6)에 형성되어 제3 롤(R3)의 외면에 부착될 수 있다.In the third embodiment, the second step ST32 prepares the first pattern P31 of the first line width W31 on the third roll R3. The first pattern P31 may be formed on the blanket or stamp 6 and attached to the outer surface of the third roll R3.

제3 단계(ST33)는 제1 롤(R1)과 제2 롤(R2)을 맞대어 회전시켜 대응 패턴(P33)과 제2 패턴(P32)을 동시에 형성한다. 즉 제3 실시예에서는 제1 롤(R1)에 형성된 잉크층(I)으로 제3 롤(R3)의 제1 패턴(P31) 상에 대응 패턴(P33)을 형성하고, 이로 인하여, 제1 패턴(P31)에 대응하지 않은 부분에서 제1 롤(R1)의 잔여 잉크층로 제1 롤(R1)에 제2 선폭(W32)의 제2 패턴(P32)을 형성한다.In the third step ST33, the first roll R1 and the second roll R2 are rotated against each other to simultaneously form the corresponding pattern P33 and the second pattern P32. That is, in the third embodiment, the corresponding pattern P33 is formed on the first pattern P31 of the third roll R3 with the ink layer I formed on the first roll R1, and thus, the first pattern The second pattern P32 of the second line width W32 is formed on the first roll R1 with the remaining ink layer of the first roll R1 at a portion not corresponding to (P31).

이때, 제1 롤(R1)은 반시계 방향으로 회전하고, 제1 패턴(P31) 상에 대응 패턴(P33)을 형성한 제3 롤(R3)은 시계 방향으로 회전한다.At this time, the 1st roll R1 rotates counterclockwise, and the 3rd roll R3 which formed the corresponding pattern P33 on the 1st pattern P31 rotates clockwise.

제3 단계(ST33)는 대응 패턴(P33)의 선폭을 제1 패턴(P31)의 제1 선폭(W31)과 동일하게 형성한다. 즉 제3 단계(ST33)에서 형성된 대응 패턴(P33)은 제1 롤(R1) 상에 상대적으로 큰 제2 선폭(W32)의 제2 패턴(P32)를 형성하면서, 상대적으로 작은 제1 패턴(P31)에 대응하여 제1 선폭(W31)으로 형성되므로 형성이 용이하다.In the third step ST33, the line width of the corresponding pattern P33 is formed to be the same as the first line width W31 of the first pattern P31. That is, the corresponding pattern P33 formed in the third step ST33 forms a second pattern P32 having a relatively large second line width W32 on the first roll R1, and has a relatively small first pattern ( Since it is formed with the 1st line width W31 corresponding to P31, it is easy to form.

제4 단계(ST4)는 블랭킷 또는 스탬프(6)의 제1 패턴(P31) 상에 형성된 대응 패턴(P33)을 기판(35)에 전사한다. 이때, 블랭킷 또는 스탬프(6)를 가지는 제3 롤(R3)은 반시계 방향으로 회전하고, 기판(35) 테이블(4) 상에서 전진(도 1에서 좌측에서 우측으로 이동)한다.In the fourth step ST4, the corresponding pattern P33 formed on the first pattern P31 of the blanket or stamp 6 is transferred to the substrate 35. At this time, the third roll R3 having the blanket or stamp 6 rotates counterclockwise and moves forward (moving from left to right in FIG. 1) on the substrate 35 table 4.

한편, 제3 단계(ST33)는 잉크층(I)의 거칠기가 불균일한 제1 거칠기의 외표면(S1)을 제1 패턴(P31)의 외표면(S2)에 전사하여, 상대적으로 거칠기가 균일한 대응 패턴(P33)의 제2 거칠기의 내표면(S2)을 형성한다. 제2 거칠기는 제1 거칠기보다 고운 표면을 형성한다.On the other hand, the third step ST33 transfers the outer surface S1 of the first roughness, in which the roughness of the ink layer I is uneven, to the outer surface S2 of the first pattern P31, so that the roughness is relatively uniform. The inner surface S2 of the second roughness of the corresponding pattern P33 is formed. The second roughness forms a finer surface than the first roughness.

즉 제1 롤(R1)에 구비된 잉크층(I)은 제1 거칠기의 외표면(S1)을 가지지만 제2 거칠기의 외표면(S2)을 가지는 제1 패턴(P31)에 전사되는 대응 패턴(P33)을 형성한다. 따라서 제3 롤(R3) 상에서 대응 패턴(P33)은 제2 거칠기의 내표면(S3)을 형성한다.That is, the ink layer I provided on the first roll R1 has a corresponding outer surface S1 of the first roughness, but a corresponding pattern transferred to the first pattern P31 having the outer surface S2 of the second roughness. (P33) is formed. Accordingly, the corresponding pattern P33 forms the inner surface S3 of the second roughness on the third roll R3.

제4 단계(ST34)는 대응 패턴(P33)을 기판(35)에 전사하여 미세 패턴(P34)를 형성한다. 제3 단계(ST33)에서 형성된 대응 패턴(P33)은 제2 거칠기의 내표면(S3)을 제2 거칠기의 외표면(S4)으로 형성한다. 따라서 제3 실시예에서 기판(35)에 형성되는 미세 패턴(P24)는 제2 거칠기의 외표면(S4)을 형성한다.In the fourth step ST34, the corresponding pattern P33 is transferred to the substrate 35 to form the fine pattern P34. The corresponding pattern P33 formed in the third step ST33 forms the inner surface S3 of the second roughness as the outer surface S4 of the second roughness. Therefore, in the third embodiment, the fine pattern P24 formed on the substrate 35 forms the outer surface S4 of the second roughness.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And it goes without saying that the invention belongs to the scope of the invention.

1 : 슬롯 다이 2, 6, 23 : 블랭킷 또는 스탬프
3 : 리무버 플레이트 4 : 테이블
5, 25, 35 : 기판 H : 높이
I : 잉크층 P1, P21, P31 : 제1 패턴
P2, P22, P32 : 제2 패턴 P3, P23, P33 : 대응 패턴
P4, P24, P34 : 미세 패턴 R1, R2, R3 : 제1, 제2, 제3 롤
S1 : 제1 거칠기의 외표면 S2 : 제2 거칠기의 외표면
S3 : 제2 거칠기의 내표면 S4 : 제2 거칠기의 외표면
t :두께 W1, W21, W31 : 제1 선폭
W2, W22, W32 : 제2 선폭1: slot die 2, 6, 23: blanket or stamp
3: remover plate 4: table
5, 25, 35: substrate H: height
I: Ink layers P1, P21, P31: First pattern
P2, P22, P32: second pattern P3, P23, P33: corresponding pattern
P4, P24, P34: Fine pattern R1, R2, R3: First, second, third roll
S1: outer surface of first roughness S2: outer surface of second roughness
S3: Inner surface of second roughness S4: Outer surface of second roughness
t: Thickness W1, W21, W31: First line width
W2, W22, W32: second line width

Claims (20)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 회전하는 제1 롤에 구비되는 블랭킷 또는 스탬프에 잉크층를 형성하는 제1 단계;
제1 선폭의 제1 패턴을 준비하는 제2 단계;
상기 제1 패턴에 상기 제1 롤을 밀착 회전시켜 상기 제1 롤에 형성된 상기 잉크층을 상기 제1 패턴에 전사하여 대응 패턴을 형성하고 잔여 잉크층으로 상기 제1 롤에 제2 선폭의 제2 패턴을 형성하는 제3 단계; 및
상기 제2 패턴 및 상기 대응 패턴 중 하나를 기판에 전사하는 제4 단계
를 포함하며,
상기 제3 단계는,
상기 제1 패턴의 상기 제1 선폭을 상기 제2 패턴의 상기 제2 선폭보다 미세하게 형성하고,
상기 제3 단계는,
상기 대응 패턴을 상기 제1 패턴과 동일한 제1 선폭으로 형성하며,
상기 제4 단계는,
상기 대응 패턴을 상기 기판에 전사하고,
상기 제4 단계는,
상기 기판을 제2 롤에 구비하여,
상기 블랭킷 또는 스탬프의 상기 대응 패턴을 상기 기판에 전사하는 미세 패턴 인쇄 방법.
A first step of forming an ink layer on a blanket or stamp provided on the rotating first roll;
Preparing a first pattern having a first line width;
By closely rotating the first roll to the first pattern, the ink layer formed on the first roll is transferred to the first pattern to form a corresponding pattern, and the second ink having a second line width on the first roll is a remaining ink layer. Forming a pattern; And
A fourth step of transferring one of the second pattern and the corresponding pattern to a substrate
Including;
In the third step,
Forming the first line width of the first pattern to be smaller than the second line width of the second pattern,
In the third step,
The corresponding pattern is formed to have the same first line width as the first pattern,
In the fourth step,
Transferring the corresponding pattern to the substrate,
In the fourth step,
The substrate is provided on a second roll,
The fine pattern printing method for transferring the corresponding pattern of the blanket or stamp to the substrate.
제13 항에 있어서,
상기 제3 단계 및 상기 제4 단계는
상기 블랭킷 또는 스탬프와 상기 기판을 각각 반대 방향으로 이동하는 미세 패턴 인쇄 방법.The method of claim 13,
The third step and the fourth step
The fine pattern printing method for moving the blanket or stamp and the substrate in opposite directions, respectively. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 회전하는 제1 롤에 잉크층를 형성하는 제1 단계;
제1 선폭의 제1 패턴을 준비하는 제2 단계;
상기 제1 패턴에 상기 제1 롤을 밀착 회전시켜 상기 제1 롤에 형성된 상기 잉크층을 상기 제1 패턴에 전사하여 대응 패턴을 형성하고 잔여 잉크층으로 상기 제1 롤에 제2 선폭의 제2 패턴을 형성하는 제3 단계; 및
상기 제2 패턴 및 상기 대응 패턴 중 하나를 기판에 전사하는 제4 단계
를 포함하며,
상기 제2 단계는,
상기 제1 패턴을 제3 롤에 준비하고,
상기 제3 단계는,
상기 제1 패턴의 상기 제1 선폭을 상기 제2 패턴의 상기 제2 선폭보다 미세하게 형성하며,
상기 제3 단계는,
상기 대응 패턴을 상기 제1 패턴과 동일한 제1 선폭으로 형성하고,
상기 제4 단계는,
상기 제1 패턴 상의 상기 대응 패턴을 상기 기판에 전사하며,
상기 제3 단계는,
상기 잉크층의 제1 거칠기의 외표면을 상기 제1 패턴의 제2 거칠기의 외표면에 전사하여 제2 거칠기의 내표면의 대응 패턴을 형성하고,
상기 제4 단계는,
상기 대응 패턴을 상기 기판에 전사하여 형성되는 제2 거칠기의 내표면을 제2 거칠기의 외표면으로 형성하는 미세 패턴 인쇄 방법.A first step of forming an ink layer on a rotating first roll;
Preparing a first pattern having a first line width;
By closely rotating the first roll to the first pattern, the ink layer formed on the first roll is transferred to the first pattern to form a corresponding pattern, and the second ink having a second line width on the first roll is a remaining ink layer. Forming a pattern; And
A fourth step of transferring one of the second pattern and the corresponding pattern to a substrate
Including;
The second step comprises:
Preparing the first pattern on a third roll,
In the third step,
The first line width of the first pattern is formed to be smaller than the second line width of the second pattern,
In the third step,
Forming the corresponding pattern in the same first line width as the first pattern,
In the fourth step,
Transferring the corresponding pattern on the first pattern to the substrate,
In the third step,
Transfer the outer surface of the first roughness of the ink layer to the outer surface of the second roughness of the first pattern to form a corresponding pattern of the inner surface of the second roughness,
In the fourth step,
A fine pattern printing method, wherein the inner surface of the second roughness formed by transferring the corresponding pattern to the substrate is formed as the outer surface of the second roughness. 제19 항에 있어서,
상기 제2 거칠기는 상기 제1 거칠기보다 작게 형성되는 미세 패턴 인쇄 방법.The method of claim 19,
And the second roughness is smaller than the first roughness.
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