KR101209185B1 - 웨이퍼 원료 공급장치 - Google Patents

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KR101209185B1
KR101209185B1 KR1020120067115A KR20120067115A KR101209185B1 KR 101209185 B1 KR101209185 B1 KR 101209185B1 KR 1020120067115 A KR1020120067115 A KR 1020120067115A KR 20120067115 A KR20120067115 A KR 20120067115A KR 101209185 B1 KR101209185 B1 KR 101209185B1
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김성진
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(주)대백인터내쇼날
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Abstract

본 발명은 용융로가 내장된 가열챔버와 결합되어 용융로로 웨이퍼를 제조하기 위한 원료를 투입시키는 웨이퍼 원료 공급장치에 관한 것이다. 본 장치는 각 구성이 내부에 설치되어 장치의 외장이 되는 하우징과; 상기 하우징 내부에 배치되고, 칩폴리 형태의 웨이퍼 원료가 투입되어 충진되는 원료드럼과; 상기 드럼의 하부에 설치되어 드럼에 충진된 웨이퍼 원료가 하부로 낙하되면 이를 목적하는 지점으로 이송하는 원료이송부와; 상기 이송부를 통해 이송된 웨이퍼 원료가 낙하되면 웨이퍼 원료가 가열챔버 내부의 용융로로 투입되도록 안내하는 원료투입부를 포함하여 구성된다. 본 발명에 따르면, 장치의 규모가 최소화되면서 웨이퍼 원료의 공급과정이 제한된 공간 내에서 최소의 구동반경으로 수행될 수 있는 장점이 있다.

Description

웨이퍼 원료 공급장치 {Apparatus for feeding materials of wafer}
본 발명은 솔라(solar) 또는 반도체 웨이퍼 원료 공급장치에 관한 것으로 특히, 제한된 공간 내에서 최소의 구동반경으로 수행될 수 있도록 하는 동시에 공급이 효과적으로 이루어지도록 한 반도체 웨이퍼 원료 공급장치에 관한 것이다.
솔라, 반도체 웨이퍼는 IC칩이나 태양광 전지판 등을 제작하기 위한 기판으로 적용되며, 이와 같은 반도체 웨이퍼는 주로 실리콘 등의 원료를 가열시켜 용융하고, 단결정 잉곳의 형태로 성형한 후, 이를 슬라이싱하여 열처리나 경면 가공 등을 행함으로써 제조된다
대한민국 특허출원 제2010-120565호(실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법, 이하 기출원발명)에는 상기 반도체 웨이퍼를 제조하기 위한 방법과 특히, 도면(도 9)에서와 같이 반도체 웨이퍼를 제조하기 위해 원료가 공급되어 가열/용융되는 제조장치가 제시되어 있다.
상기와 같은 기출원발명의 웨이퍼 제조장치는「반도체 재료(웨이퍼 원료)를 용융하기 위한 부재나 성장한 단결정을 인상하는 기구 등을 갖고 있으며, 반도체 재료 용융을 위한 부재는 가열 챔버 내에 수용되고, 단결정을 인상하는 기구는, 이 가열 챔버로부터 분리 가능하게 된 상부 구조체의 일부를 구성하는 인상 챔버의 내부 및 외부에 마련되어 있다. 이 상부 구조체는, 중간 챔버도 갖추어」구성된다.
또한, 상기 기출원발명의 제조장치에서는 제시되고 있지 않지만 단결정을 인상하는 기구가 설치된 위치에는 가열 챔버 내부로 용융원료를 공급하기 위한 호퍼, 피더 등이 설치된다.
즉, 상기 제조장치는 웨이퍼 원료를 투입시키기 위한 호퍼, 피더 등의 공급구성이 별도의 장치로 제작되어 웨이퍼 원료를 공급하기 위해서는 별도 제작된 호퍼, 피더 등을 작업장의 겐트리 크래인, 호이스트 등으로 가열챔버의 상측에 배치시킨 후 이들을 체결하여 웨이퍼 원료의 공급을 수행하고 있다.
상기와 같은 종래의 웨이퍼 원료 공급구성은 장치의 규모가 불필요하게 클 뿐만 아니라, 호퍼, 피더 등의 구성을 크래인, 호이스트 등으로 이동시켜 가열챔버와 체결함에 있어서 작업장 내에서의 작업공간이 상당히 넓게 요구되는 문제점이 발생된다.
또한, 상기 웨이퍼 원료는 제조될 웨이퍼의 규격에 따라 미리 중량을 계측한 후 투입시켜야 하기 때문에 작업의 번거로움이 발생되며, 특히, 상기 웨이퍼 원료는 대량으로 투입될 때 피더의 막힘등을 방지하기 위해 상당히 입자크기를 갖는 칩폴리 형태에서 미세한 알갱이 상태로 저장된 나이트폴리 형태로 분쇄되어 공급되어야 하기 때문에 선행작업에 따른 번거로움과 시간지연의 문제점이 노출된다.
그리고, 상기 웨이퍼 원료를 피더을 통해 공급할 때 이물질도 함께 유입되어 웨이퍼의 제조불량률이 상승하게 되며, 상기 웨이퍼 원료의 공급과정에서 가열챔버에서 발생된 열은 피더, 호퍼로 전달되어 웨이퍼 원료가 열에 용융되어 피더나 호퍼의 내측 벽면에 융착되어 정확한 량의 웨이퍼 원료 투입이 어려워 지고, 특히 상기 호퍼와 피더를 작업 수행시마다 세정해야 하는 등의 불편한 문제점이 발생된다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하고자 제안된 것이다.
본 발명은, 장치의 구모를 가능한 최소화하면서 웨이퍼 원료의 공급과정이 제한된 공간 내에서 최소의 구동반경으로 수행될 수 있도록 하고, 드럼 내에 충진된 웨이퍼 원료의 하중을 측정하여 피더를 통해 공급되는 원료의 투입량을 확인할 수 있도록 하며, 상당한 입자크기를 갖는 웨이퍼 원료를 분쇄하는 선행작업 없이도 투입시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 원료 공급장치를 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 웨이퍼 원료가 공급되기 위한 피딩라인을 진공상태로 유지시켜 원료가 투입됨과 동시에 이물질을 외부로 흡기하여 배출시킬 수 있도록 하고, 가열로와 결합되는 지점에 냉각구성을 갖추어 가열로에서 발생된 열의 전도를 차단시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 원료 공급장치를 제공함에 다른 목적이 있다.
본 발명의 원료 공급장치는: 용융로가 내장된 가열챔버와 결합되어 용융로로 웨이퍼를 제조하기 위한 원료를 투입시키는 웨이퍼 원료 공급장치에 있어서,
각 구성이 내부에 설치되어 장치의 외장이 되는 하우징와; 상기 하우징 내부에 배치되고, 칩폴리 형태의 웨이퍼 원료가 투입되어 충진되는 원료드럼과; 상기 드럼의 하부에 설치되어 드럼에 충진된 웨이퍼 원료가 하부로 낙하되면 이를 목적하는 지점으로 이송하는 원료이송부와; 상기 이송부를 통해 이송된 웨이퍼 원료가 낙하되면 웨이퍼 원료가 가열챔버 내부의 용융로로 투입되도록 안내하는 원료투입부를 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 원료이송부는:
원료드럼의 웨이퍼 원료가 낙하되는 하측에 배치되어 웨이퍼 원료가 낙하되면 진동이 발생되어 웨이퍼 원료를 목적하는 지점으로 진행시키는 진동이송부와; 상기 진동이송부의 일측 하방에 배치되어 웨이퍼 원료가 진동이송부 내에서 이송된 후 낙하되면, 이를 일측으로 수집하여 원료투입부로 낙하시키는 퍼넬과; 상기 진동이송부, 퍼넬과 결합되어 이들을 지지하며, 하우징 내부에 회전가능하게 설치되어 진동이송부와 퍼넬을 각도회전시킴에 의해 원료드럼에서 웨이퍼 원료의 투입여부가 단속되도록 하는 회전기구부를 포함한다.
또한, 상기 투입부는:
하우징의 내부와 가열챔버에 걸쳐 승강되도록 설치되어 웨이퍼 원료의 공급시 원료이송부의 하측에서 웨이퍼 원료의 투입을 안내하는 공급관과; 상기 하우징 내부에 설치되고 공급관과 결합되어, 웨이퍼 원료의 공급시 공급관을 가열챔버 측으로 하강시켜 원료이송부의 하측에 배치되도록 하고, 웨이퍼 원료가 공급되지 않을시 공급관이 하우징의 내측으로 상승되도록 하는 승강기구부를 포함한다.
이때, 상기 공급관은:
다수의 객체가 길이방향으로 결합되어 손상된 객체의 선택적인 교체가 가능하도록 구성되고, 상기 객체 중 적어도 어느 하나 이상의 객체 내주면에는 낙하되는 웨이퍼 원료의 투입속도를 감소시키기 위한 돌기가 형성된다. 특히, 상기 원료드럼, 원료이송부, 원료투입부의 구성 중 웨이퍼 원료가 투입되어 공급될 때 웨이퍼 원료와 접촉되는 구성부는 Si ingot(규소봉) 또는 SiO2를 재질로 하여 제작된다.
한편, 본 발명의 원료 공급장치는:
하우징의 일측에 설치되어 원료드럼에 충진된 웨이퍼 원료의 중량을 측정하여 투입량을 계측하는 중량측정부를 더 포함하여 이루어진다.
바람직하게, 본 발명의 원료 공급장치는:
상기 하우징이 내부를 진공상태로 유지시켜 웨이퍼 원료의 투입과정에서 이물질 등을 외부로 배출시키기 위해 일측에 설치된 이물질 제거부를 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 하우징은:
가열챔버와 결합되는 단부에 설치되고, 냉각매체를 순환시켜 가열챔버에서 전달되는 열을 냉각시키기 위한 냉각부를 포함한다. 특히, 상기 하우징은 가열챔버와의 사이에 결합되어 장치의 규격에 따라 웨이퍼 원료의 투입 높이 및 열발생에 대한 거리를 유지시키기 위한 게이트 챔버를 더 포함하여 구성된다.
이상에서와 같은 본 발명의 원료 공급장치에 따르면, 웨이퍼 원료의 공급을 위한 구성이 제한된 공간 내에서 최소의 반경으로 구동될 수 있도록 하므로써 장치의 규모를 최소화하는 동시에, 작업장 내에서 작업공간을 효율적으로 활용할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 웨이퍼 원료의 공급과 동시에 공급되는 웨이퍼 원료의 하중을 측정하여 피더를 통해 공급되는 원료의 투입량을 보다 편리하게 확인할 수 있도록 하며, 피딩라인에서의 진동구성에 의해 상당한 입자크기를 갖는 웨이퍼 원료를 선행작업 없이도 공급시킬 수 있게 되어 작업을 보다 신속하고 편리하게 수행할 수 있는 효과를 얻게 된다.
또한, 본 발명은 피딩라인을 진공상태로 유지시켜 원료의 투입과 동시에 이물질을 외부로 흡기하여 배출시킬 수 있도록 하므로써, 보다 우수한 품질의 웨이퍼를 제조할 수 있는 효과가 발생되며, 용융로와 결합되는 지점에 냉각구성을 갖추어 용융로에서 발생된 열의 전도를 차단시킬 수 있도록 하므로써 보다 정확하고 안정된 작업을 수행할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 의한 웨이퍼 원료 공급장치의 개념도.
도 2는 본 발명에 의한 웨이퍼 원료 공급장치의 정면도.
도 3은 본 발명에 의한 웨이퍼 원료 공급장치의 측면도.
도 4는 본 발명에 의한 웨이퍼 원료 공급장치의 평면도.
도 5는 본 발명에 의한 웨이퍼 원료 공급장치의 하우징 제거상태 정면도.
도 6은 본 발명에 의한 웨이퍼 원료 공급장치의 하우징 제거상태 측면도.
도 7은 본 발명에 의한 웨이퍼 원료 공급장치에 적용된 공급관 단면도.
도 8은 본 발명에 의한 웨이퍼 원료 공급장치의 원료공급상태 단면도.
이상에 기재된 또는 기재되지 않은 본 발명의 특징과 효과들은, 이하에서 첨부도면을 참조하여 설명하는 실시예 기재를 통하여 더울 명백해질 것이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명에 의한 웨이퍼 원료 공급장치는 하우징(10), 원료드럼(20), 원료이송부(30), 원료투입부(40)로 이루어진다. 여기서, 상기 웨이퍼 원료 공급장치는 용융로(1)가 내장된 가열챔버(2)와 결합되어 용융로(1)로 웨이퍼를 제조하기 위한 원료를 투입시키게 된다.
상기 하우징(10)은 각 구성이 내부에 설치되어 장치의 외장이 되는 구성이다. 이와 같은 하우징(10)은 도면에서와 같이 원통형태의 구성이며, 이외에도 내부에 설치된 각 구성이 구동될 공간이 충분하게 확보될 수 있다면, 삼각, 사각 등의 다각기둥 형태로 제작될 수 있다.
상기 원료드럼(20)은 하우징(10) 내부에 배치되어 구성된다. 여기서, 상기 원료드럼(20)은 호퍼 형태의 하부구성을 가지며 후술될 원료투입부(40)의 공급관(41)이 승강되기 위한 공간을 제공하기 위해 하우징(10)의 일측에 치우져 배치된다. 이와 같은 원료드럼(20)은 웨이퍼 원료 형태의 웨이퍼 원료가 투입되어 충진되는 구성으로, 이를 위해 상기 하우징(10)은 상부에 웨이퍼 원료를 투입시키기 위한 도어(11)가 형성되고, 상기 도어(11)의 하측에 원료드럼(20)이 배치되어야 함은 당연하다.
상기 원료이송부(30)는 원료드럼(20)의 하부에 설치되어 구성된다. 이와 같은 원료이송부(30)는 원료드럼(20)에 충진된 웨이퍼 원료가 하부로 낙하되면 이를 목적하는 지점으로 이송하기 위한 구성으로, 진동이송부(31), 퍼넬(32), 회전기구부(33)로 이루어진다.
상기 진동이송부(31)는 원료드럼(20)의 웨이퍼 원료가 낙하되는 하측에 배치된다. 이와 같은 진동이송부(31)는 낙하되는 웨이퍼 원료를 수용하기 위한 이송가이더(34)와, 상기 이송가이더(34)와 결합되어 웨이퍼 원료가 낙하되면 진동을 발생시켜 웨이퍼 원료를 목적하는 지점으로 진행시키는 진동기구(35)로 구성된다.
상기 퍼넬(32)은 진동이송부(31)의 이송가이더(34) 일측 하방에 배치된다. 이와 같은 퍼넬(32)은 웨이퍼 원료가 진동기구(35)의 진동에 의해 이송가이더(34) 내에서 이송된 후 낙하되면, 이를 중심측으로 수집하여 후술될 원료투입부(40)의 공급관(41)으로 낙하시키는 깔때기 형태의 구성이다.
상기 회전기구부(33)는 진동이송부(31), 퍼넬(32)과 결합되어 이들을 지지하며, 하우징(10) 내부에 회전가능하게 설치되어 구성된다. 이와 같은 회전기구부(33)는 진동이송부(31)와 퍼넬(32)을 각도회전시킴에 의해 원료드럼(20)에서 웨이퍼 원료의 투입여부가 단속되도록 하기 위한 구성이다. 따라서, 상기 회전기구부(33)는 진동이송부(31), 퍼넬(32)을 결합지지하기 위한 브래킷(36)과, 브래킷(36)을 회전시키기 위해 동력전달가능하게 하우징(10) 내부에 설치된 모터(37)로 구성된다.
상기 원료투입부(40)는 이송부(30)를 통해 이송된 웨이퍼 원료가 낙하되면 웨이퍼 원료가 가열챔버(2) 내부의 용융로(1)로 투입되도록 안내하기 위한 구성이다. 이를 위해 상기 원료투입부(40)는 공급관(41), 승강기구부(42)로 이루어진다.
상기 공급관(41)은 하우징(10)의 내부와 가열챔버(2)에 걸쳐 승강되도록 상, 하로 길이방향을 두고 배치된다. 이와 같은 공급관(41)은 웨이퍼 원료의 공급시 원료이송부(30)의 하측에서 웨이퍼 원료의 투입을 안내하기 위한 구성이다. 여기에서, 상기 공급관(41)은 도 7에서와 같이 다수의 객체(43)가 길이방향으로 결합되어 구성된다. 이와 같은 공급관(41)의 구성은 웨이퍼 원료의 공급과정에서 상기 다수의 객체(43) 중 손상된 객체(43) 만을 선택적으로 교체할 수 있도록 한 것이다. 이때, 상기 객체(43)간의 결합은 상호 대향되는 단부에 암, 수의 나사구성을 형성하여 수행될 수 있으며, 이외에도 끼워맞춤방식의 결합 또는 단순한 결합홈, 결합돌기 등의 구성으로도 적용 가능하다.
또한, 상기 객체(43) 중 적어도 어느 하나 이상의 객체(43) 내주면에는 낙하되는 웨이퍼 원료의 투입속도를 감소시키기 위한 돌기(44)가 형성된다. 이와 같은 돌기(44)는 웨이퍼 원료의 투입속도 감소에 따라 낙하되는 웨이퍼 원료가 상호간의 충돌에 의해 상측으로 튀어오르는 등의 현상을 방지하여 공급관(41)의 객체(43) 내주면 손상 등을 방지하도록 한 것이다. 특히, 상기 돌기(44)는 웨이퍼 원료가 낙하되는 방향을 기준하여 내측으로 향하는 경사면(45)이 형성된다.
상기 승강기구부(42)는 하우징(10) 내부에 설치되고 공급관(41)과 결합되어 구성된다. 여기서, 상기 승강기구부(42)는 도면에서와 같이 볼 리드 스크류유닛 또는 실린더나 모터와 링크 등으로 설치된 직선이동기구 등으로 적용되어 구성된다.
상기와 같은 구성에서 상기 원료드럼(20), 원료이송부(30), 원료투입부(40)의 구성 중 웨이퍼 원료가 투입되어 공급될 때 웨이퍼 원료와 접촉되는 구성부, 즉 상기 원료드럼(20), 원료이송부(30)의 이송가이더(34), 퍼넬(32), 공급관(41)은 웨이퍼 원료로 투입되는 칩폴리와 동종 재질의 Si ingot(규소봉)을 재질로 하여 제작된다. 상기 웨이퍼 원료와 접촉되는 구성을 Si ingot 재질로 제작함은 웨이퍼 원료로 투입되는 칩폴리와 금속재질(원료드럼, 이송가이더, 퍼넬, 공급관이 금속재질일 경우) 간의 충돌 및 마찰에 의해 금속분진 등의 이물질 발생에 따른 오염을 방지하기 위한 것이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 승강기구부(42)는 웨이퍼 원료의 공급시 공급관(41)은 승강기구부(42)에 의해 가열챔버(2) 측으로 하강되어 원료이송부(30)의 하측에 배치된다. 이러한 상태에서 상기 원료이송부(30)의 회전기구부(33)가 구동되어 진동이송부(31)의 이송가이더(34)와 퍼넬(32)이 가열챔버(2)의 상부로 회전되는데, 이와 같은 상태는 웨이퍼 원료를 가열챔버(2)의 용융로(1)로 투입시킬 수 있는 상태가 된다.
이와 반대로, 상기 승강기구부(42)는 도 5 및 도 6에서와 같이 웨이퍼 원료가 공급되지 않을시 공급관(41)이 승강기구부(42)에 의해 하우징(10)의 내측으로 상승되도록 한다. 이때, 상기 공급관(41)이 하우징(10)의 내측으로 상승되기 전에 상기 원료이송부(30)의 회전기구부(33)가 구동되어 이송가이더(34)와 퍼넬(32)이 각도회전되므로써 공급관(41)이 하우징(10)의 내측으로 상승될 수 있게 된다.
여기서, 상기 원료이송부(30)는 회전기구부(33)의 구동에 따라 원료드럼(20)의 웨이퍼 원료가 낙하되는 출구를 개폐시킬 수 있도록 하여 단속기능을 수행할 수 있게 된다. 이를 위해 상기 이송가이더(34)의 원료드럼(20) 웨이퍼 원료 출구측 지점에는 회전에 의해 원료드럼(20)의 출구를 개폐시킬 수 있도록 한 차단판 등을 설치하거나 전자적인 스위칭 기능에 의해 동작되는 밸브 등을 설치하여 원료드럼(20)의 출구에 대한 개폐단속을 수행할 수도 있다.
추가되는 구성으로, 상기 하우징(10)의 일측에는 원료드럼(20)에 충진된 웨이퍼 원료의 중량을 측정하여 투입량을 계측하는 중량측정부(50)가 설치된다. 여기서, 도 2, 도 3에서 상기 중량측정부(50)는 로드셀로 적용된 구성으로, 이는 웨이퍼 원료가 원료드럼(20)에 충진될 때 하우징(10)의 미세한 기울기 등의 변화량을 감지하여 이를 중량으로 환산할 수 있도록 하기 위한 구성이다. 이때, 상기 중량측정부(50)는 하우징(10)에 설치된 것을 기본 구성으로 하지만 원료드럼(20)에 직접 설치된 로드셀 또는 전자저울 등으로 적용될 수도 있다.
또한, 상기 하우징(10)의 일측에는 내부를 진공상태로 만들어 주기 위한 진공포트(suction port)(60)가 형성된다. 여기에는 진공펌프, 진공 이젝터, 컴프레서 등 공압기기들이 적용될 수 있다.
또한, 상기 하우징(10)은 가열챔버(2)와 결합되는 단부에 냉각매체를 순환시켜 가열챔버(2)에서 전달되는 열을 냉각시키기 위한 냉각부(70)가 설치된다. 이와 같은 냉각부(70)는 가열챔버(2)와 결합되기 위한 단부를 결합플렌지(12)로 형성하고, 상기 결합플렌지(12)의 내부에 냉각매체가 순환되도록 한 구성이다. 이때, 상기 결합플렌지(12) 내부의 냉각부(70)에는 냉각매체로 공기, 물, 냉매가스 등을 순환시키게 되며, 상기 냉각매체를 순환시키기 위한 별도의 컴프레서, 펌프 등의 구성이 수반됨은 당연하다.
또한, 상기 하우징(10)은 도 7에서와 같이 가열챔버(2)와의 사이에 장치의 규격에 따라 웨이퍼 원료의 투입 높이 및 열발생에 대한 거리를 유지시키기 위한 게이트챔버(80)가 개재되어 구성된다. 여기서, 상기 게이트챔버(80)는 하우징(10)과 가열챔버(2)의 사이에 설치되기 때문에 상기 하우징(10)의 냉각부(70) 구성은 게이트챔버(80)와 가열챔버(2)와의 결합지점에 설치될 수 있다. 즉, 상기 냉각부(70)는 도면에서와 같이 냉각자켓의 형태로 형성되어 전술된 하우징(10)의 냉각부(70) 기능을 수행하게 된다.
1: 용융로 2: 가열챔버
10: 하우징 20: 원료드럼
30: 원료이송부 40: 원료투입부

Claims (9)

  1. 용융로(1)가 내장된 가열챔버(2)와 결합되어 용융로(1)로 웨이퍼를 제조하기 위한 원료를 투입시키는 웨이퍼 원료 공급장치에 있어서,
    각 구성이 내부에 설치되어 장치의 외장이 되는 하우징(10)과; 상기 하우징(10) 내부에 배치되고, 칩폴리 형태의 웨이퍼 원료가 투입되어 충진되는 원료드럼(20)과; 상기 드럼(20)의 하부에 설치되어 드럼(20)에 충진된 웨이퍼 원료가 하부로 낙하되면 이를 목적하는 지점으로 이송하는 원료이송부(30)와; 상기 이송부(30)를 통해 이송된 웨이퍼 원료가 낙하되면 웨이퍼 원료가 가열챔버(2) 내부의 용융로(1)로 투입되도록 안내하는 원료투입부(40)를 포함하며,
    상기 하우징(10)은, 내부를 진공상태로 만들어 주기 위하여 일측에 형성된 진공포트(60)를 포함하는 것,
    을 특징으로 하는 웨이퍼 원료 공급장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 원료이송부(30)는:
    원료드럼(20)의 웨이퍼 원료가 낙하되는 하측에 배치되어 웨이퍼 원료가 낙하되면 진동이 발생되어 웨이퍼 원료를 목적하는 지점으로 진행시키는 진동이송부(31)와;
    상기 진동이송부(31)의 일측 하방에 배치되어 웨이퍼 원료가 진동이송부(31) 내에서 이송된 후 낙하되면, 이를 일측으로 수집하여 원료투입부(40)로 낙하시키는 퍼넬(32)과;
    상기 진동이송부(31), 퍼넬(32)과 결합되어 이들을 지지하며, 하우징(10) 내부에 회전가능하게 설치되어 진동이송부(31)와 퍼넬(32)을 각도회전시킴에 의해 원료드럼(20)에서 웨이퍼 원료의 투입여부가 단속되도록 하는 회전기구부(33);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 원료 공급장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 투입부(40)는:
    하우징(10)의 내부와 가열챔버(2)에 걸쳐 승강되도록 설치되어 웨이퍼 원료 공급시 원료이송부(30)의 하측에서 웨이퍼 원료의 투입을 안내하는 공급관(41)과;
    상기 하우징(10) 내부에 설치되고 공급관(41)과 결합되어, 웨이퍼 원료의 공급시 공급관(41)을 가열챔버(2) 측으로 하강시켜 원료이송부(30)의 하측에 배치되도록 하고, 웨이퍼 원료가 공급되지 않을시 공급관(41)이 하우징(10)의 내측으로 상승되도록 하는 승강기구부(42);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 원료 공급장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 공급관(41)은 다수의 객체(43)가 길이방향으로 결합되어 손상된 객체(43)의 선택적인 교체가 가능하도록 구성되고,
    상기 객체(43) 중 적어도 어느 하나 이상의 객체(43) 내주면에는 낙하되는 웨이퍼 원료의 투입속도를 감소시키기 위한 돌기(44)가 형성된 것,
    을 특징으로 하는 웨이퍼 원료 공급장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 한 항에 있어서,
    상기 원료드럼(20), 원료이송부(30), 원료투입부(40)의 구성 중 웨이퍼 원료가 투입되어 공급될 때 웨이퍼 원료와 접촉되는 구성부는 Si ingot(규소봉)을 재질로 하여 제작된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 원료 공급장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 한 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 원료 공급장치는:
    하우징(10)의 일측에 설치되어 원료드럼(20)에 충진된 웨이퍼 원료의 중량을 측정하여 투입량을 계측하는 중량측정부(50);
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 원료 공급장치.
  7. 삭제
  8. 제1항 내지 제3항 중 한 항에 있어서,
    상기 하우징(10)은:
    가열챔버(2)와 결합되는 단부에 설치되고, 냉각매체를 순환시켜 가열챔버(2)에서 전달되는 열을 냉각시키기 위한 냉각부(70);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 원료 공급장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 한 항에 있어서,
    상기 하우징(10)은:
    가열챔버(2)와의 사이에 결합되어 장치의 규격에 따라 웨이퍼 원료의 투입 높이 및 열발생에 대한 거리를 유지시키기 위한 게이트챔버(80);
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 원료 공급장치.
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