KR101206758B1 - Hybrid tandem type thin film Solar Cell and method of manufacturing the same - Google Patents
Hybrid tandem type thin film Solar Cell and method of manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101206758B1 KR101206758B1 KR1020090098553A KR20090098553A KR101206758B1 KR 101206758 B1 KR101206758 B1 KR 101206758B1 KR 1020090098553 A KR1020090098553 A KR 1020090098553A KR 20090098553 A KR20090098553 A KR 20090098553A KR 101206758 B1 KR101206758 B1 KR 101206758B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solar cell
- electrode
- thin film
- forming
- layer
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 82
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 18
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 29
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 3
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 3
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/078—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers including different types of potential barriers provided for in two or more of groups H01L31/062 - H01L31/075
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
- H10K30/57—Photovoltaic [PV] devices comprising multiple junctions, e.g. tandem PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은, 무기계 물질로 이루어진 제1 광전변환부를 포함하는 제1 태양전지; 상기 제1 태양전지와 직렬로 연결되며, 유기계 물질로 이루어진 제2 광전변환부를 포함하는 제2 태양전지; 및 상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지에서 생성된 전자 또는 정공을 수집하기 위한 전극 쌍으로 작용하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하여 이루어진 이종 적층형 박막 태양전지, 및 그 제조방법에 관한 것으로서,The present invention, the first solar cell including a first photoelectric conversion portion made of an inorganic material; A second solar cell connected in series with the first solar cell and including a second photoelectric conversion unit made of an organic material; And a first stacked thin film solar cell including a first electrode and a second electrode serving as an electrode pair for collecting electrons or holes generated in the first solar cell and the second solar cell, and a method of manufacturing the same. ,
본 발명에 따른 이종 적층형 박막 태양전지는, 흡수하는 광 파장 대역이 서로 상이한 무기계 물질을 포함하는 제1 태양전지와 유기계 물질을 포함하는 제2 태양전지의 조합에 의해 전지효율이 증진되는 효과가 있고, 또한, 제2 태양전지를 유기계 물질을 이용함으로써 대기 중에서 인쇄법이나 코팅법을 적용하여 제2 태양전지를 형성할 수 있어 종래의 텐덤구조의 박막형 태양전지에 비하여 설비비가 절감되고 공정시간이 단축되는 효과가 있다.The hetero-layered thin film solar cell according to the present invention has an effect of improving battery efficiency by a combination of a first solar cell including inorganic materials having different wavelength wavelength bands and a second solar cell including organic materials. In addition, by using the organic material for the second solar cell can be formed in the air by applying the printing method or coating method, the second solar cell can be formed, compared to the conventional tandem thin film solar cell, the equipment cost is reduced and the process time is shortened It is effective.
박막 태양전지, 이종 적층 Thin Film Solar Cell, Heterolayer
Description
본 발명은 박막형 태양전지(Thin film type Solar Cell)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 복수 개의 태양전지가 직렬로 연결되어 전지효율이 향상된 적층형 박막 태양전지에 관한 것이다. The present invention relates to a thin film type solar cell, and more particularly, to a stacked thin film solar cell having a plurality of solar cells connected in series to improve battery efficiency.
태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다. Solar cells are devices that convert light energy into electrical energy using the properties of semiconductors.
태양전지의 구조 및 원리에 대해서 간단히 설명하면, 태양전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole) 및 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산할 수 있게 되는 원리이다. The structure and principle of the solar cell will be briefly described. The solar cell has a PN junction structure in which a P (positive) type semiconductor and a N (negative) type semiconductor are bonded to each other. Holes and electrons are generated in the semiconductor by the energy of the incident solar light. At this time, the holes (+) are moved toward the P-type semiconductor by the electric field generated in the PN junction. Negative (-) is the principle that the electric potential is generated by moving toward the N-type semiconductor to generate power.
이와 같은 태양전지는 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분할 수 있 다. Such solar cells may be classified into a substrate type solar cell and a thin film type solar cell.
상기 기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이고, 상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이다. The substrate type solar cell is a solar cell manufactured using a semiconductor material such as silicon as a substrate, and the thin film type solar cell is a solar cell manufactured by forming a semiconductor in the form of a thin film on a substrate such as glass.
상기 기판형 태양전지는 상기 박막형 태양전지에 비하여 효율이 다소 우수하기는 하지만, 공정상 두께를 최소화하는데 한계가 있고 고가의 반도체 기판을 이용하기 때문에 제조비용이 상승되는 단점이 있다. Although the substrate type solar cell is somewhat superior in efficiency to the thin film type solar cell, there is a limitation in minimizing the thickness in the process and the manufacturing cost is increased because an expensive semiconductor substrate is used.
상기 박막형 태양전지는 상기 기판형 태양전지에 비하여 효율이 다소 떨어지기는 하지만, 얇은 두께로 제조가 가능하여 휘는 태양전지로도 제조가 가능하고, 저가의 재료를 이용할 수 있어 제조비용이 감소되는 장점이 있어 대량생산에 적합하다. Although the thin film type solar cell has a somewhat lower efficiency than the substrate type solar cell, the thin film type solar cell can be manufactured as a thin solar cell because it can be manufactured in a thin thickness, and a low cost material can be used to reduce manufacturing costs. It is suitable for mass production.
상기 박막형 태양전지는 기판 상에 전면전극을 형성하고, 상기 전면전극 위에 실리콘과 같은 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 위에 후면전극을 형성하여 제조된다. 이와 같은 박막형 태양전지는 전술한 바와 같이 효율 측면에서 기판형 태양전지보다 떨어지기 때문에, 효율 증진을 위해서 상기 반도체층을 2층으로 형성하여 두 개의 태양전지를 적층한 소위 탠덤(tandem)구조의 박막형 태양전지가 제안된 바 있다. The thin film solar cell is manufactured by forming a front electrode on a substrate, a semiconductor layer such as silicon on the front electrode, and a back electrode on the semiconductor layer. Since the thin film type solar cell is inferior to the substrate type solar cell in terms of efficiency as described above, the thin film type battery having a so-called tandem structure in which two solar cells are stacked by forming the semiconductor layer in two layers to improve efficiency. Solar cells have been proposed.
이와 같은 탠덤 구조의 박막형 태양전지는 반도체층을 2층으로 형성함으로써 태양전지의 효율이 증진되는 효과는 있지만 다음과 같은 단점이 있다. Such a tandem thin film solar cell has the effect of increasing the efficiency of the solar cell by forming a semiconductor layer in two layers, but has the following disadvantages.
첫째, 종래의 탠덤 구조의 박막형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체층을 2층 으로 형성하기 위해서 고가의 반도체 증착 장비가 추가로 필요하게 되고 그에 따라 대량생산시 설비투자비가 증가되는 단점이 있다. First, in the conventional tandem thin film solar cell, expensive semiconductor deposition equipment is additionally required to form two layers of a semiconductor layer such as silicon, and thus, there is a disadvantage in that equipment investment costs are increased during mass production.
둘째, 반도체 증착 공정은 상당히 장시간에 걸쳐 진행되기 때문에 이와 같은 반도체 증착 공정을 반복하여 수행할 경우 전체 공정시간이 증가되고, 또한 고품질의 반도체층을 얻기 위해서 최적화된 증착 공정 조건을 찾는 작업이 용이하지 않고 그를 위해서 장시간에 걸쳐 반복실험을 수행해야 하는 단점이 있다. Second, since the semiconductor deposition process is performed for a long time, the overall process time is increased when the semiconductor deposition process is repeatedly performed, and it is not easy to find the optimized deposition process conditions in order to obtain a high quality semiconductor layer. There is a disadvantage in that it is necessary to perform repeated experiments for a long time for him.
본 발명은 전술한 종래의 박막형 태양전지의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 다양한 파장의 태양광을 흡수함으로써 전지효율을 증진시킴과 더불어 고가의 반도체 증착 장비의 사용을 최소화하고 공정시간을 단축하여 생산성 면에서 우수한 이종 적층형 박막 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention is designed to solve the problems of the conventional thin-film solar cell described above, while improving the cell efficiency by absorbing sunlight of various wavelengths, while minimizing the use of expensive semiconductor deposition equipment and shortening the process time, the productivity An object of the present invention is to provide a heterogeneous multilayer thin film solar cell excellent in terms of the present invention and a method of manufacturing the same.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 무기계 물질로 이루어진 제1 광전변환부를 포함하는 제1 태양전지; 상기 제1 태양전지와 직렬로 연결되며, 유기계 물질로 이루어진 제2 광전변환부를 포함하는 제2 태양전지; 및 상기 제1 태양전지 및 제2 태양전지에서 생성된 전자 또는 정공을 수집하기 위한 전극 쌍으로 작용하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하여 이루어진 이종 적층형 박막 태양전지를 제공한다. The present invention to achieve the above object, a first solar cell including a first photoelectric conversion portion made of an inorganic material; A second solar cell connected in series with the first solar cell and including a second photoelectric conversion unit made of an organic material; And a first electrode and a second electrode serving as electrode pairs for collecting electrons or holes generated in the first solar cell and the second solar cell.
이때, 투명 기판의 일면에 전면전극으로서 상기 제1 전극이 형성되고, 상기 제1 전극 위에 상기 제1 태양전지가 형성되고, 상기 제1 태양전지 위에 상기 제2 태양전지가 형성되고, 상기 제2 태양전지 위에 후면전극으로서 상기 제2 전극이 형성될 수 있다. In this case, the first electrode is formed as a front electrode on one surface of the transparent substrate, the first solar cell is formed on the first electrode, the second solar cell is formed on the first solar cell, and the second The second electrode may be formed as a back electrode on the solar cell.
투명 기판의 일면에 전면전극으로서 상기 제1 전극이 형성되고, 상기 제1 전극 위에 상기 제2 태양전지가 형성되고, 상기 제2 태양전지 위에 상기 제1 태양전 지가 형성되고, 상기 제1 태양전지 위에 후면전극으로서 상기 제2 전극이 형성될 수 있다. The first electrode is formed as a front electrode on one surface of the transparent substrate, the second solar cell is formed on the first electrode, the first solar cell is formed on the second solar cell, and the first solar cell The second electrode may be formed as a rear electrode thereon.
불투명 기판의 일면에 후면전극으로서 상기 제2 전극이 형성되고, 상기 제2 전극 위에 상기 제1 태양전지가 형성되고, 상기 제1 태양전지 위에 상기 제2 태양전지가 형성되고, 상기 제2 태양전지 위에 전면전극으로서 상기 제1 전극이 형성될 수 있다. The second electrode is formed as a back electrode on one surface of an opaque substrate, the first solar cell is formed on the second electrode, the second solar cell is formed on the first solar cell, and the second solar cell The first electrode may be formed as a front electrode.
불투명 기판의 일면에 후면전극으로서 상기 제2 전극이 형성되고, 상기 제2 전극 위에 상기 제2 태양전지가 형성되고, 상기 제2 태양전지 위에 상기 제1 태양전지가 형성되고, 상기 제1 태양전지 위에 전면전극으로서 상기 제1 전극이 형성될 수 있다. The second electrode is formed as a back electrode on one surface of an opaque substrate, the second solar cell is formed on the second electrode, the first solar cell is formed on the second solar cell, and the first solar cell The first electrode may be formed as a front electrode.
상기 제1 태양전지와 상기 제2 태양전지 사이에 중간 계면층이 추가로 형성될 수 있다. An intermediate interface layer may be further formed between the first solar cell and the second solar cell.
상기 제1 태양전지는 상기 제2 태양전지와 마주하는 일면에 제1 투명도전층이 추가로 형성될 수 있다. The first solar cell may further include a first transparent conductive layer formed on one surface facing the second solar cell.
상기 제2 태양전지는 상기 제1 태양전지와 마주하는 일면에 제2 투명도전층이 추가로 형성될 수 있다. The second solar cell may further include a second transparent conductive layer on one surface facing the first solar cell.
상기 제1 전극은 투명 전극층으로 이루어지고, 상기 제2 전극은 투명 전극층 및 불투명 전극층의 이층구조로 이루어질 수 있다. The first electrode may be formed of a transparent electrode layer, and the second electrode may be formed of a two-layer structure of a transparent electrode layer and an opaque electrode layer.
상기 제1 광전변환부는 PIN구조의 비정질 실리콘 또는 미세결정질 실리콘을 포함하여 이루어지고, 상기 제2 광전변환부는 광전성 또는 전도성 유기계 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. The first photoelectric conversion part may include amorphous silicon or microcrystalline silicon having a PIN structure, and the second photoelectric conversion part may include a photoelectric or conductive organic material.
상기 제1 광전변환부에서 흡수하는 광파장 대역과 상기 제2 광전변환부에서 흡수하는 광파장 대역은 서로 상이할 수 있다. The light wavelength band absorbed by the first photoelectric converter and the light wavelength band absorbed by the second photoelectric converter may be different from each other.
유기계 물질로 이루어진 제3 광전변환부를 포함하는 제3 태양전지를 추가로 포함하여 이루어지며, 이때, 상기 제1 광전변환부에서 흡수하는 광파장 대역, 상기 제2 광전변환부에서 흡수하는 광파장 대역, 및 상기 제3 광전변환부에 흡수하는 광파장 대역은 서로 상이할 수 있다. And a third solar cell including a third photoelectric conversion unit made of an organic material, wherein the optical wavelength band absorbed by the first photoelectric conversion unit, the optical wavelength band absorbed by the second photoelectric conversion unit, and The wavelength bands absorbed by the third photoelectric converter may be different from each other.
본 발명은 또한, 투명 기판 상에 전면전극으로서 제1 전극을 형성하는 공정; 상기 제1 전극 상에 무기계 물질로 이루어진 제1 광전변환부를 포함하는 제1 태양전지 및 상기 제1 태양전지와 직렬로 연결되며 유기계 물질로 이루어진 제2 광전변환부를 포함하는 제2 태양전지를 형성하는 공정; 및 상기 제1 태양전지 또는 제2 태양전지 상에 후면전극으로서 제2 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 이종 적층형 박막 태양전지의 제조방법을 제공한다. The present invention also provides a process for forming a first electrode as a front electrode on a transparent substrate; Forming a first solar cell including a first photoelectric conversion unit made of an inorganic material on the first electrode, and a second solar cell including a second photoelectric conversion unit made of an organic material and connected in series with the first solar cell; fair; And providing a second electrode as a back electrode on the first solar cell or the second solar cell.
본 발명은 또한, 불투명 기판 상에 후면전극으로서 제2 전극을 형성하는 공정; 상기 제2 전극 상에 무기계 물질로 이루어진 제1 광전변환부를 포함하는 제1 태양전지 및 상기 제1 태양전지와 직렬로 연결되며 유기계 물질로 이루어진 제2 광전변환부를 포함하는 제2 태양전지를 형성하는 공정; 및 상기 제1 태양전지 또는 제2 태양전지 상에 전면전극으로서 제1 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 이종 적층형 박막 태양전지의 제조방법을 제공한다. The invention also provides a process for forming a second electrode as a back electrode on an opaque substrate; Forming a first solar cell including a first photoelectric conversion unit made of an inorganic material on the second electrode and a second photovoltaic cell including a second photoelectric conversion unit made of an organic material and connected in series with the first solar cell; fair; And providing a first electrode as a front electrode on the first solar cell or the second solar cell.
이때, 상기 제1 태양전지를 먼저 형성하고, 그 후 상기 제1 태양전지 상에 상기 제2 태양전지를 형성할 수 있다. 또는, 상기 제2 태양전지를 먼저 형성하고, 그 후 상기 제2 태양전지 상에 상기 제1 태양전지를 형성할 수 있다. In this case, the first solar cell may be formed first, and then the second solar cell may be formed on the first solar cell. Alternatively, the second solar cell may be formed first, and then the first solar cell may be formed on the second solar cell.
상기 제1 태양전지와 상기 제2 태양전지 사이에 중간 계면층을 형성하는 공정을 추가로 포함할 수 있다. The method may further include forming an intermediate interface layer between the first solar cell and the second solar cell.
상기 제1 태양전지를 형성하는 공정은 상기 제2 태양전지와 마주하는 일면에 제1 투명도전층을 형성하는 공정을 추가로 포함할 수 있다. The forming of the first solar cell may further include forming a first transparent conductive layer on one surface facing the second solar cell.
상기 제2 태양전지를 형성하는 공정은 상기 제1 태양전지와 마주하는 일면에 제2 투명도전층을 형성하는 공정을 추가로 포함할 수 있다. The forming of the second solar cell may further include forming a second transparent conductive layer on one surface facing the first solar cell.
상기 제2 전극을 형성하는 공정은 투명 전극층 및 불투명 전극층의 이층구조로 형성할 수 있다. The process of forming the second electrode may be formed in a two-layer structure of a transparent electrode layer and an opaque electrode layer.
상기 제1 광전변환부는 비정질 실리콘 또는 미세결정질 실리콘을 PIN구조로형성하고, 상기 제2 광전변환부는 광전성 또는 전도성 유기계 물질을 인쇄법 또는 코팅법으로 형성할 수 있다. The first photoelectric conversion unit may form amorphous silicon or microcrystalline silicon in a PIN structure, and the second photoelectric conversion unit may form a photoelectric or conductive organic material by printing or coating.
상기 구성에 의한 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention by the above configuration has the following effects.
본 발명에 따른 이종 적층형 박막 태양전지는, 무기계 물질을 포함하는 제1 태양전지와 유기계 물질을 포함하는 제2 태양전지의 조합에 의해 전지의 광전변환효율이 증진되는 효과가 있다. 즉, 상기 제1 태양전지에서 흡수하는 광 파장 대역이 상기 제2 태양전지에서 흡수하는 광 파장 대역과 상이하도록 함으로써 태양전지가 보다 넓은 대역에서 태양광을 흡수할 수 있어 전지효율이 증진된다. The hetero-layered thin film solar cell according to the present invention has the effect of improving the photoelectric conversion efficiency of the battery by the combination of the first solar cell containing the inorganic material and the second solar cell containing the organic material. That is, by allowing the wavelength band of the light absorbed by the first solar cell to be different from the wavelength band of the light absorbed by the second solar cell, the solar cell may absorb sunlight in a wider band, thereby improving battery efficiency.
본 발명에 따른 이종 적층형 박막 태양전지는, 제2 태양전지를 유기계 물질을 이용함으로써 대기 중에서 인쇄법이나 코팅법을 적용하여 제2 태양전지를 형성할 수 있어 종래의 텐덤구조의 박막형 태양전지에 비하여 설비비가 절감되고 공정시간이 단축되는 효과가 있다.The heterogeneous stacked thin film solar cell according to the present invention can form a second solar cell by applying a printing method or a coating method in the air by using an organic material as the second solar cell, compared to a thin film solar cell having a conventional tandem structure. Equipment cost is reduced and process time is shortened.
이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
<이종 적층형 박막 태양전지><Heterogeneous stacked thin film solar cell>
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a heterogeneous stacked thin film solar cell according to a first embodiment of the present invention.
도 1에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지는, 투명 기판(110), 전면전극(200), 제1 태양전지(300), 중간 계면층(400), 제2 태양전지(500), 및 후면전극(600)을 포함하여 이루어질 수 있다. As can be seen in Figure 1, the hetero-layer stacked thin film solar cell according to the first embodiment of the present invention, the
상기 투명 기판(110)은 유리 또는 투명한 플라스틱 등의 투명한 물질로 이루어질 수 있으며, 상기 투명 기판(110)을 통해 태양광이 태양전지 내부로 입사된다. The
상기 전면전극(200)은 상기 투명 기판(110) 상에 형성되며, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다. 상기 전면전극(200)은 스퍼터링(Sputtering)법, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법, APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 적층할 수 있다. The
상기 전면전극(200)은 태양광이 입사되는 면이기 때문에 입사되는 태양광이 태양전지 내부로 최대한 흡수될 수 있도록 하는 것이 중요하며, 이를 위해서 텍스처(texturing) 가공공정을 통해 상기 전면전극(200)의 표면을 요철구조로 형성할 수 있다. 상기 텍스처 가공공정이란 물질 표면을 울퉁불퉁한 요철구조로 형성하여 마치 직물의 표면과 같은 형상으로 가공하는 공정으로서, 화학증기압증착법을 이용한 텍스처 성장법, 포토리소그라피법(photolithography)을 이용한 식각공정, 화학용액을 이용한 이방성 식각공정(anisotropic etching), 또는 기계적 스크라이빙(mechanical scribing)을 이용한 홈 형성 공정 등을 통해 수행할 수 있다. 이와 같이, 상기 전면전극(200)이 요철구조로 형성될 경우 입사되는 태양광이 태양전지 외부로 반사되는 비율은 감소하게 되며, 그와 더불어 입사되는 태양광의 산란에 의해 태양전지 내부로 태양광이 흡수되는 비율은 증가하게 되어, 태양전지의 효율이 증진되는 효과가 있다. Since the
상기 제1 태양전지(300)은 제1 광전변환부(310) 및 제1 투명도전층(330)을 포함하여 이루어질 수 있다. The first
상기 제1 광전변환부(310)는 상기 전면전극(200) 상에 형성되며, 무기계 물질로 이루어진다. 상기 제1 광전변환부(310)를 구성하는 무기계 물질로는 비정질 실리콘 또는 미세결정질 실리콘과 같은 실리콘계 반도체물질이 이용될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 광전변환부(310)는 상기 실리콘계 반도체물질로 이루어진 P형 반도체층, I형 반도체층 및 N형 반도체층이 순서대로 적층된 PIN구조로 이루어질 수 있다. 이와 같은 PIN구조의 제1 광전변환부(310)는 실리콘계 반도체 물질을 플라즈마 CVD법 등을 이용하여 형성할 수 있다.The first
상기 제1 투명도전층(330)은 상기 제1 광전변환부(310) 상에 형성되며, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide)과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 제1 투명도전층(330)은 태양광을 다양하게 굴절 및 산란시켜 태양광의 흡수율을 증진시키는 기능을 하는 것으로서, 경우에 따라서 생략할 수 있다. The first transparent
상기 중간 계면층(400)은 상기 제1 태양전지(300)와 상기 제2 태양전지(500) 사이 영역에 형성되어, 상기 제1 태양전지(300)와 상기 제2 태양전지(500) 사이의 계면특성을 향상시킴과 더불어 태양광의 흡수율을 증진시키는 역할을 하는 것이다. The
상기 중간 계면층(400)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide)과 같은 무기계 투명전도막, 폴리파라페닐렌비닐렌(PPV:poly-para-phenylene vinylene), 폴리스티렌설포네이트(polystyrenesulfonate), PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)) 등과 같은 유기계 전도성막, 또는 그들의 혼합막으로 이루어질 수 있다. 상기 중간 계면층(400)은 태양전지의 태양광 흡수율 증진을 위해서 요철구조로 형성될 수 있다. 상기 중간 계면층(400)은 생략이 가능하다. The
상기 제2 태양전지(500)는 상기 중간 계면층(400) 상에 형성되거나 또는 상기 중간 계면층(400)이 생략된 경우에는 상기 제1 태양전지(300) 상에 형성된다. The second
상기 제2 태양전지(500)는 상기 제1 태양전지(300)와 직렬로 연결되며, 따라서 상기 제1 태양전지(300) 및 제2 태양전지(500)에서 생성된 정공 및 전자는 각각 상기 제1 전극(200) 및 제2 전극(600)으로 이동하여 수집된다. The second
상기 제2 태양전지(500)는 제2 광전변환부(510) 및 제2 투명도전층(530)을 포함하여 이루어질 수 있다. The second
상기 제2 투명도전층(530)은 상기 중간 계면층(400) 또는 상기 제1 태양전지(300) 상에 형성되며, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide)과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 제2 투명도전층(530)은 상기 제1 투명도전층(330)과 마찬가지로 생략이 가능하다. The second transparent
상기 제2 광전변환부(510)는 상기 제2 투명도전층(530) 상에 형성되며, 유기계 물질로 이루어진다. 상기 제2 광전변환부(510)를 구성하는 유기계 물질로는 전도성 또는 광전성 유기계 물질 등이 이용될 수 있다. The second
상기 제2 광전변환부(510)는 전자공여체(electron donor)와 전자수용체(electron acceptor)를 이용한 저분자 또는 고분자 유기계 물질로 이루어질 수 있다. 상기 전자공여체로는 히드라존 화합물, 피라졸린 화합물, 트리페닐메탄 화합물, 트리페닐아민 화합물, 테트라티오플루바렌, 테트라페닐테트라티오플라바렌, 폴 리(3-알킬티오펜), 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리플루오렌 유도체 등을 들 수 있고, 상기 전자수용체로는 InP, InAs, GaP, GaAs 등의 Ⅲ-V족 화합물 반도체 결정, CdSe, CdS, CdTe, ZnS 등의 II-VI족 화합물 반도체 결정, ZnO, SiO2, TiO2, Al2O3 등의 산화물 반도체 결정, CuInSe2, CuInS, 플라렌유도체 등으로 이루어지는 저분자 재료나 도전성 고분자 등을 들 수 있지만, 반드시 이들에 한정되는 것은 아니다. The second
상기 제2 광전변환부(510)는 대기 중에서 스크린인쇄법(screen printing), 잉크젯인쇄법(inkjet printing), 그라비아인쇄법(gravure printing) 또는 미세접촉인쇄법(microcontact printing) 등과 같은 인쇄법이나 코팅방법을 이용하여 형성될 수 있기 때문에 공정시간이 단축되고 설비비가 절감되는 효과가 있다. 다만, 진공 중에서 저분자 유기계 물질을 증착하여 형성할 수도 있다. The second
상기 후면전극(600)은 상기 제2 태양전지(500) 상에 형성되며, 투명 전극층(630) 및 불투명 전극층(610)의 이층구조로 이루어질 수 있다. 다만, 상기 후면전극(600)은 경우에 따라서 불투명 전극(610) 만으로 이루어질 수 있다. The
상기 투명 전극층(630)은 상기 제2 태양전지(500) 상에 형성되며, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide)과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 형성할 수 있다. The
상기 불투명 전극층(610)은 상기 투명 전극층(630) 상에 형성되며, Ag, Al, Ag+Al, Ag+Mg, Ag+Mn, Ag+Sb, Ag+Zn, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu, Ag+Al+Zn 등과 같은 금속물질을 스퍼터링(Sputtering)법 등을 이용하여 형성하거나 또는 상기 금속물질의 페이스트(Paste)를 스크린인쇄법(screen printing), 잉크젯인쇄법(inkjet printing), 그라비아인쇄법(gravure printing) 또는 미세접촉인쇄법(microcontact printing) 등과 같은 인쇄법을 이용하여 형성할 수 있다. The
이상과 같은 본 발명에 따른 이종 적층형 박막 태양전지는, 제1 태양전지(300)와 제2 태양전지(500)의 조합에 의해 전지효율이 증진될 수 있는데, 이를 위해서, 상기 제1 태양전지(300)에서 흡수하는 광 파장 대역이 상기 제2 태양전지(500)에서 흡수하는 광 파장 대역과 상이하도록 하는 것이 태양전지가 보다 넓은 대역에서 태양광을 흡수할 수 있어 바람직하다. 보다 구체적으로는, 상기 제1 태양전지(300)에서는 상대적으로 단파장의 광을 흡수하고, 상기 제2 태양전지(500)에서는 상대적으로 장파장의 광을 흡수하도록 상기 제1 광전변환부(310) 및 제2 광전변환부(510)를 형성하는 것이 바람직하다. 다만, 특수한 경우에 있어서, 상기 제1 광전변환부(310)와 상기 제2 광전변환부(510)가 비슷한 광파장대역을 사용할 수도 있고, 이 경우에도 각 태양전지가 직렬연결되어, 광전류는 그대로 유지하거나 작게 감소되더라도 전압이 증가되는 효과로 인해 광변환효율이 증대시킬 수도 있다. In the hetero-layer stacked thin film solar cell according to the present invention as described above, the battery efficiency can be improved by the combination of the first
상기 제1 광전변환부(310)는 비정질 실리콘 또는 미세결정질 실리콘으로 이루어질 수 있는데, 일반적으로 상기 비정질 실리콘의 경우 대략 300 내지 800nm 대역의 광을 흡수하고, 상기 미세결정질 실리콘의 경우 대략 500 내지 1200nm 대역의 광을 흡수한다. 또한, 상기 제2 광전변환부(510)는 광전성 또는 전도성 유기 고분 자로 이루어질 수 있는데, 물질에 따라 대략 400 내지 1200nm 대역의 광을 흡수하거나 또는 대략 900 내지 1700nm 대역의 광을 흡수할 수 있고, 경우에 따라 무기계의 광파장대역과 비슷한 대역을 흡수할 수도 있다.The first
따라서, 상기 제1 태양전지(300)의 제1 광전변환부(310)가 500 내지 1200nm 대역의 광을 흡수하는 미세결정질 실리콘으로 이루어진 경우에는 상기 제2 태양전지(500)의 제2 광전변환부(510)는 900 내지 1700nm 대역의 광을 흡수하는 물질로 구성하는 것이 바람직하다. Therefore, when the first
또한, 상기 제1 태양전지(300)의 제1 광전변환부(310)가 300 내지 800nm 대역의 광을 흡수하는 비정질 실리콘으로 이루어진 경우에는 상기 제2 태양전지(500)의 제2 광전변환부(510)는 400 내지 1200nm 대역의 광을 흡수하는 물질로 구성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 흡수하는 광파장 대역을 증진시키기 위해서, 900 내지 1700nm 대역의 광을 흡수하는 물질로 이루어진 제3 광전변환부를 포함하는 제3 태양전지를 추가로 구성할 수도 있다. In addition, when the first
본 발명에 따른 이종 적층형 박막 태양전지는, 제1 태양전지(300)와 제2 태양전지(500)의 조합에 의해 전지효율이 증진됨과 더불어 제2 태양전지(500)를 유기계 물질을 이용함으로써 대기 중에서 인쇄법이나 코팅법을 적용하여 제2 태양전지(500)를 형성할 수 있어 설비비가 절감되고 공정시간이 단축되는 효과가 있다. In the hetero-layered thin film solar cell according to the present invention, the cell efficiency is improved by the combination of the first
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 개략적인 단면도로서, 이는 제1 태양전지(300) 및 제2 태양전지(500)의 위치가 변경된 것을 제외하고, 전술한 제1 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지와 동일하다. 따라 서, 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a heterogeneous stacked thin film solar cell according to a second embodiment of the present invention, except that the positions of the first
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지에서는, 투명 기판(110) 상에 전면전극(200)이 형성되고, 상기 전면전극(200) 상에 제2 태양전지(500)가 형성되고, 상기 제2 태양전지(500) 상에 중간 계면층(400)이 형성되고, 상기 중간 계면층(400) 상에 제1 태양전지(300)가 형성되고, 상기 제1 태양전지(300) 상에 후면전극(600)이 형성될 수 있다. As can be seen in Figure 2, in the hetero-layer stacked thin film solar cell according to the second embodiment of the present invention, the
상기 제2 태양전지(500)는 상기 전면전극(200) 상에 형성된 제2 광전변환부(510) 및 상기 제2 광전변환부(510) 상에 형성된 제2 투명도전층(530)을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 제1 태양전지(300)는 상기 중간 계면층(400) 또는 상기 중간 계면층(400)이 생략될 경우에는 상기 제2 태양전지(500) 상에 형성된 제1 투명도전층(330) 및 상기 제1 투명도전층(330) 상에 형성된 제1 광전변환부(310)를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 제1 투명도전층(330) 및 제2 투명도전층(530)은 생략이 가능하다. The second
이와 같은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지는, 전술한 제1 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지에 비하여, 수분이나 산소에 약한 제2 태양전지(500)의 보호효과가 증진되는 장점이 있다. 즉, 상기 제2 태양전지(500)에 포함되는 유기계 물질로 이루어진 제2 광전변환부(510)는 수분이나 산소에 약한 단점이 있는데, 도 2와 같은 본 발명의 제2 실시예에 따르면, 제2 태양전지(500) 상부에 제1 태양전지(300)가 형성되기 때문에 상기 제1 태양전지(300)에 의해서 수분이나 산소가 상기 제2 태양전지(500) 내부로 침투하는 것이 방지되는 효과가 있다. Such a heterogeneous stacked thin film solar cell according to the second embodiment of the present invention, as compared with the heterogeneous stacked thin film solar cell according to the first embodiment described above, has a protective effect of the second
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 개략적인 단면도로서, 이는 불투명 기판(130)을 이용함으로써 태양광이 기판과 반대방향으로 입사되도록 설계된 점에서 전술한 제1 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지와 상이하다. 그 외에, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.3 is a schematic cross-sectional view of a heterogeneous stacked thin film solar cell according to a third embodiment of the present invention, which is designed to allow sunlight to be incident in a direction opposite to the substrate by using an
도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지에서는, 불투명 기판(130) 상에 후면전극(600)이 형성되고, 상기 후면전극(600) 상에 제1 태양전지(300)가 형성되고, 상기 제1 태양전지(300) 상에 중간 계면층(400)이 형성되고, 상기 중간 계면층(400) 상에 제2 태양전지(500)가 형성되고, 상기 제2 태양전지(500) 상에 전면전극(200)이 형성될 수 있다. As can be seen in Figure 3, in the hetero-layer stacked thin film solar cell according to the third embodiment of the present invention, the
상기 불투명 기판(130)은 스테인레스 스틸이나 불투명 플라스틱 기판 등을 이용할 수 있다. 이 경우, 휘어지는(flexible) 태양전지를 용이하게 구현할 수 있다. As the
상기 후면전극(600)은 상기 불투명 기판(130) 상에 형성된 불투명 전극층(610) 및 상기 불투명 전극층(610) 상에 형성된 투명 전극층(630)의 이층구조로 이루어질 수 있다. The
상기 제1 태양전지(300)는 상기 후면전극(600) 상에 형성된 제1 광전변환부(310) 및 상기 제1 광전변환부(310) 상에 형성된 제1 투명도전층(330)을 포함하 여 이루어질 수 있고, 상기 제2 태양전지(500)는 상기 중간 계면층(400) 또는 상기 중간 계면층(400)이 생략될 경우에는 상기 제1 태양전지(300) 상에 형성된 제2 투명도전층(530) 및 상기 제2 투명도전층(530) 상에 형성된 제2 광전변환부(510)를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 제1 투명도전층(330) 및 제2 투명도전층(530)은 생략이 가능하다. The first
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 개략적인 단면도로서, 이는 제1 태양전지(300) 및 제2 태양전지(500)의 위치가 변경된 것을 제외하고, 전술한 제3 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지와 동일하다. 4 is a schematic cross-sectional view of a heterogeneous stacked thin film solar cell according to a fourth exemplary embodiment of the present invention, except that the positions of the first
도 4에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지에서는, 불투명 기판(130) 상에 후면전극(600)이 형성되고, 상기 후면전극(600) 상에 제2 태양전지(500)가 형성되고, 상기 제2 태양전지(500) 상에 중간 계면층(400)이 형성되고, 상기 중간 계면층(400) 상에 제1 태양전지(300)가 형성되고, 상기 제1 태양전지(300) 상에 전면전극(200)이 형성될 수 있다. As can be seen in Figure 4, in the hetero-layer stacked thin film solar cell according to the fourth embodiment of the present invention, the
상기 제2 태양전지(500)는 상기 후면전극(600) 상에 형성된 제2 광전변환부(510) 및 상기 제2 광전변환부(510) 상에 형성된 제2 투명도전층(530)을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 제1 태양전지(300)는 상기 중간 계면층(400) 또는 상기 중간 계면층(400)이 생략될 경우에는 상기 제2 태양전지(500) 상에 형성된 제1 투명도전층(330) 및 상기 제1 투명도전층(330) 상에 형성된 제1 광전변환부(310)를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 제1 투명도전층(330) 및 제2 투명도전층(530)은 생략이 가능하다. The second
이와 같은 본 발명의 제4 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지는, 전술한 제2 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지와 유사하게, 수분이나 산소에 약한 제2 태양전지(500)의 보호효과가 증진되는 장점이 있다. Such a heterogeneous stacked thin film solar cell according to the fourth embodiment of the present invention, similar to the heterogeneous stacked thin film solar cell according to the second embodiment described above, the protection effect of the second
<이종 적층형 박막 태양전지의 제조방법> <Method of manufacturing heterogeneous stacked thin film solar cell>
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 제조공정도로서, 이는 전술한 도 1에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 제조공정에 관한 것이다. 5A to 5E are manufacturing process diagrams of a heterogeneous stacked thin film solar cell according to an embodiment of the present invention, which relates to a process of manufacturing a heterogeneous stacked thin film solar cell according to FIG. 1.
우선, 도 5a에서 알 수 있듯이, 투명 기판(110) 상에 전면전극(200)을 형성한다. First, as shown in FIG. 5A, the
상기 투명 기판(110)은 유리 또는 투명한 플라스틱을 이용할 수 있다. The
상기 전면전극(200)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 전면전극(200)은 텍스처 가공공정을 통해 그 표면을 요철구조로 형성할 수 있다. The
다음, 도 5b에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극(200) 상에 제1 태양전지(300)를 형성한다. Next, as can be seen in Figure 5b, to form a first
상기 제1 태양전지(300) 형성공정은 상기 전면전극(200) 상에 제1 광전변환부(310)를 형성하는 공정 및 상기 제1 광전변환부(310) 상에 제1 투명도전층(330)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다. The first
상기 제1 광전변환부(310)를 형성하는 공정은 플라즈마 CVD법을 이용하여 비정질 실리콘 또는 미세결정질 실리콘과 같은 실리콘계 반도체물질로 이루어진 PIN구조의 반도체층을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다. The process of forming the first
상기 제1 투명도전층(330)을 형성하는 공정은 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide)과 같은 투명한 도전물질을 적층하는 공정으로 이루어질 수 있으며, 상기 제1 투명도전층(330)은 생략할 수 있다. The process of forming the first transparent
다음, 도 5c에서 알 수 있듯이, 상기 제1 태양전지(300) 상에 중간 계면층(400)을 형성한다. Next, as can be seen in Figure 5c, to form an
상기 중간 계면층(400)을 형성하는 공정은 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide)과 같은 무기계 투명전도막을 적층하는 공정으로 이루어질 수도 있고, 인쇄법 또는 코팅법을 이용하여 폴리파라페닐렌비닐렌(PPV:poly-para-phenylene vinylene), 폴리스티렌설포네이트(polystyrenesulfonate), PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)) 등과 같은 유기계 전도성막을 적층하는 공정으로 이루어질 수도 있다. 경우에 따라서, 무기계 투명전도막 및 유기계 전도성막을 이중으로 적층할 수도 있다. The
상기 중간 계면층(400)은 텍스처 가공공정을 통해 그 표면을 요철구조로 형성할 수도 있다. 상기 중간 계면층(400)은 생략이 가능하다.The intermediate
다음, 도 5d에서 알 수 있듯이, 상기 중간 계면층(400) 상에 제2 태양전지(500)를 형성한다. Next, as can be seen in Figure 5d, to form a second
상기 제2 태양전지(500)를 형성하는 공정은 상기 중간 계면층(400) 상에 제2 투명도전층(530)을 형성하는 공정 및 상기 투명도전층(530) 상에 제2 광전변환부(510)를 형성하는 공정을 포함할 수 있다. The process of forming the second
상기 제2 투명도전층(530)을 형성하는 공정은 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide)과 같은 투명한 도전물질을 적층하는 공정으로 이루어질 수 있다. 상기 제2 투명도전층(530)은 생략이 가능하다. The process of forming the second transparent
상기 제2 광전변환부(510)를 형성하는 공정은 전도성 또는 광전성 유기계 물질과 같은 유기계 물질을 스크린인쇄법(screen printing), 잉크젯인쇄법(inkjet printing), 그라비아인쇄법(gravure printing) 또는 미세접촉인쇄법(microcontact printing) 등과 같은 인쇄법이나, 슬릿코팅, 스핀코팅과 같은 코팅방법을 이용하여 적층하는 공정으로 이루어질 수 있다. 다만, 경우에 따라서는 진공증착법으로도 형성할 수 있다. 상기 유기계 물질의 구체적인 예는 전술한 바와 동일하므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다. The process of forming the second
다음, 도 5e에서 알 수 있듯이, 상기 제2 태양전지(500) 상에 후면전극(600)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 5E, a
상기 후면전극(600)을 형성하는 공정은, 상기 제2 태양전지(500) 상에 투명 전극층(630)을 형성하는 공정 및 상기 투명전극층(630) 상에 불투명 전극층(610)을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다. 다만, 상기 후면전극(600)은 상기 불투명 전극(610) 만으로 이루어질 수 있다. The process of forming the
상기 투명 전극층(630)을 형성하는 공정은 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide)과 같은 투명한 도전물질을 적층하는 공정으로 이루어질 수 있다. The process of forming the
상기 불투명 전극층(610)을 형성하는 공정은 스퍼터링(Sputtering)법 등을 이용하여 Ag, Al, Ag+Al, Ag+Mg, Ag+Mn, Ag+Sb, Ag+Zn, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu, Ag+Al+Zn 등과 같은 금속물질을 적층하는 공정으로 이루어질 수도 있고, 상기 금속물질의 페이스트(Paste)를 스크린인쇄법(screen printing), 잉크젯인쇄법(inkjet printing), 그라비아인쇄법(gravure printing) 또는 미세접촉인쇄법(microcontact printing) 등과 같은 인쇄법을 이용하여 적층하는 공정으로 이루어질 수도 있다. The process of forming the
한편, 도 5b 공정에서 제1 태양전지(300) 대신에 제2 태양전지(500)를 형성하고, 도 5d공정에서 제2 태양전지(500) 대신에 제1 태양전지(300)를 형성함으로써, 전술한 도 2에 따른 이종 적층형 박막 태양전지를 제조할 수도 있다. Meanwhile, by forming the second
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 제조공정도로서, 이는 전술한 도 3에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 제조공정에 관한 것이다. 전술한 실시예와 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하 기로 한다. 6A to 6E are diagrams illustrating a manufacturing process of a heterogeneous stacked thin film solar cell according to another exemplary embodiment of the present invention, which relates to a heterogeneous stacked thin film solar cell according to FIG. 3. Detailed description of the same configuration as the above-described embodiment will be omitted.
우선, 도 6a에서 알 수 있듯이, 불투명 기판(130) 상에 후면전극(600)을 형성한다. First, as shown in FIG. 6A, the
상기 후면전극(600)을 형성하는 공정은, 상기 불투명 기판(130) 상에 불투명 전극층(610)을 형성하는 공정 및 상기 불투명 전극층(610) 상에 투명 전극층(630)을 형성하는 공정으로 이루어질 수도 있고, 상기 불투명 전극층(610)을 형성하는 공정만으로 이루어질 수 있다. The process of forming the
상기 불투명 기판(130)은 스테인레스 스틸이나 불투명 플라스틱 기판 등을 이용할 수 있다. As the
다음, 도 6b에서 알 수 있듯이, 상기 후면전극(600) 상에 제1 태양전지(300)를 형성한다. Next, as can be seen in Figure 6b, to form a first
상기 제1 태양전지(300) 형성공정은 상기 후면전극(600) 상에 제1 광전변환부(310)를 형성하는 공정 및 상기 제1 광전변환부(310) 상에 제1 투명도전층(330)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다. The first
다음, 도 6c에서 알 수 있듯이, 상기 제1 태양전지(300) 상에 중간 계면층(400)을 형성한다. Next, as can be seen in Figure 6c, to form an
다음, 도 6d에서 알 수 있듯이, 상기 중간 계면층(400) 상에 제2 태양전지(500)를 형성한다. Next, as can be seen in Figure 6d, to form a second
상기 제2 태양전지(500)를 형성하는 공정은 상기 중간 계면층(400) 상에 제2 투명도전층(530)을 형성하는 공정 및 상기 투명도전층(530) 상에 제2 광전변환 부(510)를 형성하는 공정을 포함할 수 있다. The process of forming the second
다음, 도 6e에서 알 수 있듯이, 상기 제2 태양전지(500) 상에 전면전극(200)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 6E, the
한편, 도 6b 공정에서 제1 태양전지(300) 대신에 제2 태양전지(500)를 형성하고, 도 6d공정에서 제2 태양전지(500) 대신에 제1 태양전지(300)를 형성함으로써, 전술한 도 4에 따른 이종 적층형 박막 태양전지를 제조할 수도 있다. Meanwhile, by forming the second
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 개략적인 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of a heterogeneous stacked thin film solar cell according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 개략적인 단면도.Figure 2 is a schematic cross-sectional view of a heterogeneous stacked thin film solar cell according to a second embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 개략적인 단면도.3 is a schematic cross-sectional view of a heterogeneous stacked thin film solar cell according to a third embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 개략적인 단면도.4 is a schematic cross-sectional view of a heterogeneous stacked thin film solar cell according to a first embodiment of the present invention.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 개략적인 공정 단면도.5A to 5E are schematic process cross-sectional views of a heterogeneous stacked thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이종 적층형 박막 태양전지의 개략적인 공정 단면도.6A to 6E are schematic process cross-sectional views of a heterogeneous stacked thin film solar cell according to another embodiment of the present invention.
<도면의 주요부의 부호에 대한 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS OF THE DRAWINGS FIG.
110: 투명 기판 130: 불투명 기판 110: transparent substrate 130: opaque substrate
200: 전면전극 300: 제1 태양전지200: front electrode 300: the first solar cell
400: 중간 계면층 500: 제2 태양전지400: intermediate interface layer 500: second solar cell
600: 후면전극600: rear electrode
Claims (20)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090098553A KR101206758B1 (en) | 2009-10-16 | 2009-10-16 | Hybrid tandem type thin film Solar Cell and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090098553A KR101206758B1 (en) | 2009-10-16 | 2009-10-16 | Hybrid tandem type thin film Solar Cell and method of manufacturing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110041634A KR20110041634A (en) | 2011-04-22 |
KR101206758B1 true KR101206758B1 (en) | 2012-11-30 |
Family
ID=44047452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090098553A KR101206758B1 (en) | 2009-10-16 | 2009-10-16 | Hybrid tandem type thin film Solar Cell and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101206758B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016123363A1 (en) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | The Regents Of The University Of California | Tandem organic-inorganic photovoltaic devices |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101386076B1 (en) * | 2012-06-20 | 2014-04-24 | 한국기계연구원 | organic-inorganic hybrid tandem multijuntion photovoltaics and preparing method for thereof |
KR101304573B1 (en) * | 2012-06-20 | 2013-09-05 | 한국기계연구원 | Method for improving light to electric energy conversion efficiency of organic-inorganic hybrid tandem multijuntion photovoltaics |
KR102700496B1 (en) * | 2022-02-25 | 2024-09-02 | 한국재료연구원 | Hybrid Solar Cell and the manufacturing method thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004349657A (en) | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Works Ltd | Organic solar cell |
WO2009013282A1 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Basf Se | Photovoltaic tandem cell |
JP2009076667A (en) | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic thin-film solar cell |
JP2009533878A (en) * | 2006-04-11 | 2009-09-17 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | Tandem photovoltaic cell |
-
2009
- 2009-10-16 KR KR1020090098553A patent/KR101206758B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004349657A (en) | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Works Ltd | Organic solar cell |
JP2009533878A (en) * | 2006-04-11 | 2009-09-17 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | Tandem photovoltaic cell |
WO2009013282A1 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Basf Se | Photovoltaic tandem cell |
JP2009076667A (en) | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic thin-film solar cell |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016123363A1 (en) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | The Regents Of The University Of California | Tandem organic-inorganic photovoltaic devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110041634A (en) | 2011-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11158828B2 (en) | Solar cell comprising an oxide-nanoparticle buffer layer and method of fabrication | |
US10333016B2 (en) | Multi-junction photoelectric conversion device and photoelectric conversion module | |
US20180019358A1 (en) | Tandem solar cell, tandem solar cell module comprising the same, and method for manufacturing thereof | |
Jang et al. | Monolithic tandem solar cells comprising electrodeposited CuInSe 2 and perovskite solar cells with a nanoparticulate ZnO buffer layer | |
KR101117127B1 (en) | Tandem solar cell using amorphous silicon solar cell and organic solar cell | |
JP6106403B2 (en) | Photoelectric conversion element and method for producing photoelectric conversion element | |
US11764001B2 (en) | Perovskite solar cell configurations | |
WO2016157979A1 (en) | Photoelectric conversion device and photoelectric conversion module | |
KR20130133156A (en) | Photovoltaic devices with multiple junctions separated by a graded recombination layer | |
KR20110015999A (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
KR101206758B1 (en) | Hybrid tandem type thin film Solar Cell and method of manufacturing the same | |
US20100212721A1 (en) | Thin film type solar cell and method for manufacturing the same | |
KR101210046B1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
JP5624153B2 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
KR101210110B1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
CN111326659B (en) | Metal transparent electrode and organic solar cell | |
KR101210034B1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
CN114156370B (en) | Solar cell device and manufacturing method thereof | |
KR101537223B1 (en) | Organic-inorganic hybrid thin film solar cells | |
CN219679160U (en) | Photovoltaic cell | |
KR101419805B1 (en) | Back contact of thin film solar cell and Thin film solar cell comprising the same | |
KR20120114002A (en) | Solar cell and method of fabircating the same | |
CN117529127A (en) | Double-sided light-absorbing photovoltaic cell | |
TWI447926B (en) | A method for forming the transparent light-trapping structure inside the solar cell | |
KR101349596B1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151005 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160927 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171011 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181001 Year of fee payment: 7 |