KR101202524B1 - Laser crystallization apparatus and method for driving the same and fabrication method of poly-silicon, TFT and LCD using it - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 결정화 장비 및 구동방법, 그를 이용한 폴리실리콘막, 박막트랜지스터 및 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 비정질 실리콘막을 형성한 후 동일한 프로세스 챔버에서 제어된 고온의 N2(Hot N2)를 이용하여 가스 탱크에서 셋팅(setting)된 N2 유량으로 분출(blowing)과 동시에 레이저 빔(laser beam)을 조사하면서 탈수소화 및 결정화 공정을 동시에 진행하여 폴리실리콘막을 형성하는 레이저 결정화 장비 및 구동방법을 제공하고, 상기 레이저 결정화 장비를 이용한 폴리실리콘막, 박막트랜지스터 및 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.

상기 탈수소화 및 결정화가 동시에 가능한 결정화 장비를 통해 폴리실리콘막의 결정화 특성 향상, 공정단순화, 공정시간 단축 및 장비 투자 비용을 절감할 수 있다.

Figure R1020050134251

레이저 결정화 장비, 폴리실리콘, 결정화, 탈수소화

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser crystallization apparatus and a driving method, a method of manufacturing a polysilicon film, a thin film transistor, and a liquid crystal display device using the same, and in particular, after forming an amorphous silicon film, controlled high temperature N 2 (Hot N 2) in the same process chamber. Laser crystallization equipment and driving to form polysilicon film by simultaneously performing dehydrogenation and crystallization process while blowing and irradiating laser beam at the same time as N 2 flow rate set in gas tank A method for manufacturing a polysilicon film, a thin film transistor, and a liquid crystal display device using the laser crystallization equipment is provided.

Through the crystallization equipment capable of simultaneously dehydrogenation and crystallization, it is possible to improve the crystallization characteristics of the polysilicon film, simplify the process, reduce the process time, and reduce the equipment investment cost.

Figure R1020050134251

Laser Crystallization Equipment, Polysilicon, Crystallization, Dehydrogenation

Description

레이저 결정화 장비 및 구동방법, 그를 이용한 폴리실리콘막, 박막트랜지스터 및 액정표시장치의 제조방법{Laser crystallization apparatus and method for driving the same and fabrication method of poly-silicon, TFT and LCD using it} Laser crystallization apparatus and driving method, manufacturing method of polysilicon film, thin film transistor and liquid crystal display device using the same {fabrication method and driving method of poly-silicon, TFT and LCD using it}

도 1a 내지 도 1d는 종래의 ELA 기술에 의한 폴리실리콘 결정화 방법을 설명하기 위한 공정단면도.1A to 1D are cross-sectional views for explaining a polysilicon crystallization method using a conventional ELA technique.

도 2는 종래의 ELA 기술에 의한 폴리실리콘 결정화 방법을 위한 레이저 결정화 장비를 나타낸 개략도.Figure 2 is a schematic diagram showing the laser crystallization equipment for the polysilicon crystallization method by the conventional ELA technology.

도 3은 도 2의 레이저 결정화 장비를 이용하여 결정화된 폴리실리콘막의 표면 거칠기를 나타낸 도면.3 is a view showing the surface roughness of the polysilicon film crystallized using the laser crystallization equipment of FIG.

도 4는 본 발명에 따른 탈수소화 및 결정화가 동시에 가능한 레이저 결정화 장비를 나타낸 개략도.Figure 4 is a schematic diagram showing the laser crystallization equipment capable of simultaneously dehydrogenation and crystallization according to the present invention.

도 5는 도 4의 레이저 결정화 장비를 이용한 폴리실리콘 결정화 방법을 나타낸 순서도.FIG. 5 is a flowchart illustrating a polysilicon crystallization method using the laser crystallization apparatus of FIG. 4.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비를 이용한 폴리실리콘 결정화 방법을 도시한 공정단면도.6a to 6c is a cross-sectional view showing a polysilicon crystallization method using a laser crystallization equipment according to the present invention.

도 7a 내지 도 7g는 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비를 이용한 액정표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정단면도.7A to 7G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device using the laser crystallization apparatus according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>Description of the Related Art [0002]

100 : 프로세스 챔버 110 : 가스 탱크100 process chamber 110 gas tank

112 : 가스방출부 114 : 씰링 윈도우112 gas discharge portion 114 sealing window

116 : 제1 온도측정기 118 : 가스 농도 측정기116: first temperature measuring instrument 118: gas concentration measuring instrument

120 : 제1 가스공급부 125 : 제1 가스공급관120: first gas supply unit 125: first gas supply pipe

130 : 온도제어시스템부 140 : 레이저 장치130: temperature control system 140: laser device

145 : 레이저 빔 150 : 보조 가스 탱크145: laser beam 150: auxiliary gas tank

155 : 제2 온도측정기 157 : 게이트 밸브155: second temperature measuring instrument 157: gate valve

160 : 제2 가스공급부 165 : 제2 가스공급관160: second gas supply unit 165: second gas supply pipe

170 : 유틸리티 탱크 175 : 제1 보조차단막170: utility tank 175: first auxiliary barrier membrane

180 : X-Y 스테이지 190, 300, 700 : 기판180: X-Y stage 190, 300, 700: substrate

195 : 제2 보조차단막 305, 705 : 버퍼층195: second auxiliary barrier 305, 705: buffer layer

310, 710 : 비정질 실리콘막 310' : 폴리실리콘막310, 710: amorphous silicon film 310 ': polysilicon film

710' : 폴리실리콘막, 액티브층 720 : 게이트 절연막710 ': polysilicon film, active layer 720: gate insulating film

730 : 게이트 전극 740 : 층간절연막730: gate electrode 740: interlayer insulating film

750 : 소스 전극 760 : 드레인 전극750: source electrode 760: drain electrode

780 : 화소 전극780 pixel electrodes

본 발명은 레이저 결정화 장비 및 구동방법, 그를 이용한 폴리실리콘막, 박막트랜지스터 및 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 비정질 실리콘 막을 형성한 후 동일한 프로세스 챔버에서 탈수소화 및 결정화 공정을 동시에 진행하여 폴리실리콘막을 형성하는 레이저 결정화 장비 및 구동방법을 제공하고, 상기 레이저 결정화 장비를 이용한 폴리실리콘막, 박막트랜지스터 및 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser crystallization apparatus and a driving method, a method of manufacturing a polysilicon film, a thin film transistor, and a liquid crystal display device using the same. In particular, after the amorphous silicon film is formed, dehydrogenation and crystallization are simultaneously performed in the same process chamber. The present invention relates to a laser crystallization apparatus and a driving method for forming a silicon film, and to a method for manufacturing a polysilicon film, a thin film transistor, and a liquid crystal display using the laser crystallization equipment.

최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(Flat Panel Display)의 필요성이 대두되었는데, 그 중 색 재현성 등이 우수한 액정표시장치(Liquid Crystal Display;LCD)가 활발하게 개발되고 있다.Recently, with the rapid development of the information society, there is a need for a flat panel display having excellent characteristics such as thinness, light weight, and low power consumption, among which liquid crystal display having excellent color reproducibility (Liquid Crystal) is emerging. Display; LCD) is actively developed.

일반적으로 액정표시장치는 전계 생성 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 서로 대향하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정층을 형성한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직임으로써 액정 분자의 움직임에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device is formed by arranging two substrates on which electric field generating electrodes are formed so that the surfaces on which the two electrodes are formed face each other, forming a liquid crystal layer between the two substrates, and then applying voltage to the two electrodes. It is a device that expresses an image by the transmittance of light that varies depending on the movement of liquid crystal molecules by moving the liquid crystal molecules by an electric field.

액정표시장치의 하부 기판은 스위칭 소자(switching device)인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor;TFT)를 포함하는데, 상기 TFT의 채널(Channel)로 사용되는 액티브층은 비정질 실리콘(amorphous silicon;a-Si:H)이 주류를 이루고 있다.The lower substrate of the liquid crystal display includes a thin film transistor (TFT), which is a switching device. The active layer used as a channel of the TFT is formed of amorphous silicon (a-Si). H) is mainstream.

상기 비정질 실리콘은 낮은 온도에서 증착하여 박막(thin film)을 형성하는 것이 가능하며, 주로 낮은 용융점을 가지는 유리를 사용하는 액정패널의 스위칭 소자에 많이 사용된다.The amorphous silicon may be formed at a low temperature to form a thin film, and is mainly used for a switching device of a liquid crystal panel using glass having a low melting point.

그러나, 상기 비정질 실리콘 박막은 소규모 TFT LCD의 제작에는 유리하지만, 이동도가 낮다는 단점 때문에 대화면 TFT LCD의 제조에는 적용하기 곤란하다.However, the amorphous silicon thin film is advantageous for the production of small-sized TFT LCDs, but is difficult to apply to the production of large-screen TFT LCDs due to the low mobility.

그래서, 최근에는 이동도가 우수한 폴리실리콘막(Si:H)을 액티브층으로 이용하는 폴리실리콘 TFT의 연구가 활발하며, 이러한 폴리실리콘 TFT는 대화면 TFT LCD의 제작에 용이하게 적용시킬 수 있음은 물론, TFT 어레이 기판에 구동 드라이브 IC를 함께 직접시킬 수 있기 때문에 직접도 및 가격 경쟁력이 우수한 장점이 있다.Therefore, in recent years, research on polysilicon TFTs using a polysilicon film (Si: H) having excellent mobility as an active layer has been actively conducted, and such a polysilicon TFT can be easily applied to the production of a large-screen TFT LCD. The drive driver IC can be directly mounted on the TFT array substrate, which has advantages of directness and price competitiveness.

상기 TFT에 사용되는 액티브층을 폴리실리콘 박막으로 형성하기 위해서는 순수 비정질 실리콘(Intrinsic amorphous silicon)을 소정의 방법 즉, 절연 기판에 플라즈마화학기상증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition;PECVD)이나 저압화학기상증착법(low pressure chemical vapor deposition;LPCVD) 방법으로 비정질 실리콘 막을 증착한 후, 이를 다시 결정화하는 방법을 사용했다.In order to form the active layer used in the TFT as a polysilicon thin film, pure amorphous silicon (Intrinsic amorphous silicon) is a predetermined method, that is, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or low pressure chemical vapor deposition method on the insulating substrate A method of depositing an amorphous silicon film by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) and then crystallizing it again was used.

상기 결정화는 고출력 펄스 레이저인 엑시머 레이저를 순간적으로 조사하여 열을 가함으로써 비정질 실리콘을 결정화하는 엑시머 레이저 어닐링법(ELA법;Excimer Laser Annealing), 반응로(furnace) 속에서 노(爐) 가열법을 이용하여 비정질 실리콘을 결정화하는 고상결정화법(SPC법;Solid Phase Crystallization), 완전 멜팅 영역대의 에너지를 사용하는 순차적 측면 고상화법(SLS;Sequential Lateral Solidification) 또는 비정질 실리콘막 상에 금속을 선택적으로 증착한 후 전기장을 인가하여 금속을 씨드(seed)로 하여 결정화가 일어나도록 유도하는 금속 유도결정화법(MIC;Metal Induced Crystallization) 등 중에서 어느 하나를 선택할 수 있다.The crystallization is an excimer laser annealing method (ELA method) which crystallizes amorphous silicon by applying a heat of an excimer laser which is a high power pulse laser instantaneously, and a furnace heating method in a furnace. Solid phase crystallization (SPC method), crystallization of amorphous silicon using the sequential lateral solidification (SLS) method using energy of the complete melting region, or selective deposition of metal on the amorphous silicon film After the application of an electric field, one of metal induction crystallization (MIC), or the like, may be selected to induce crystallization by using a metal as a seed.

이 중, 상기 ELA법은 300~800Å 정도의 두꺼운 두께의 실리콘막을 용융시키기 위해 단파장(λ=0.3㎛)의 강한 에너지를 펄스 형태로 투과시키기 때문에 빠른 속도의 결정화가 가능하고, 결정성이 뛰어나 소자의 이동도가 향상됨으로써 소자의 동작특성이 좋다.Among them, the ELA method transmits strong energy having a short wavelength (λ = 0.3 μm) in the form of pulses to melt a silicon film having a thickness of about 300 to 800 kV in a pulse form, so that crystallization at high speed is possible and crystallinity is excellent. By improving the mobility of, the operation characteristics of the device is good.

도 1a 내지 도 1d는 종래의 ELA 기술에 의한 폴리실리콘 결정화 방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.1A to 1D are cross-sectional views for describing a polysilicon crystallization method using a conventional ELA technique.

폴리실리콘 결정화 방법은, 우선 도 1a에서와 같이 유리 기판(10) 전면에 PECVD 또는 LPCVD 방법을 수행하여 실리콘 산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막(SiNx)을 증착하여 버퍼층(buffer layer)(12)을 형성하고, 상기 버퍼층(12) 상에 PECVD, LPCVD 또는 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 비정질 실리콘을 증착하여 비정질 실리콘막(14)을 형성한다.In the polysilicon crystallization method, first, a PECVD or LPCVD method is performed on the entire glass substrate 10 as shown in FIG. 1A to deposit a silicon oxide film (SiO 2 ) or a silicon nitride film (SiNx) to form a buffer layer 12. The amorphous silicon film 14 is formed by depositing amorphous silicon on the buffer layer 12 using a method such as PECVD, LPCVD, or sputtering.

도 1b를 참조하면, 상기 비정질 실리콘막(14)을 반응로(furnance)나 RTA(Rapid Thermal Anneal), 오븐(oven) 등을 이용하여 열처리하여 탈수소화 과정을 거친다.Referring to FIG. 1B, the amorphous silicon film 14 is subjected to a dehydrogenation process by heat treatment using a furnace, a rapid thermal annealing (RTA), an oven, or the like.

종래의 비정질 실리콘막은 화학기상증착법(CVD)을 사용하여 증착하므로 박막 내에 수소를 많이 함유한다. The conventional amorphous silicon film is deposited by chemical vapor deposition (CVD), and thus contains a large amount of hydrogen in the thin film.

상기 수소(H2)는 열에 의해 박막을 이탈하는 특징이 있기 때문에, 상기 비정 질 실리콘막을 레이저를 이용한 결정화시 비정질 실리콘막에 포함된 수소 기체의 급격한 부피 팽창에 의해 결정화막의 박리가 일어나기 때문에 탈수소화 공정을 거치는 것이 필요하다.Since the hydrogen (H 2 ) has a characteristic of leaving the thin film by heat, dehydrogenation because the crystallization film is peeled off due to the rapid volume expansion of hydrogen gas contained in the amorphous silicon film during crystallization of the amorphous silicon film using a laser. It is necessary to go through the process.

도 1c를 참조하면, 상기 비정질 실리콘막(14)에 엑시머 레이저를 조사하여 순간적인 에너지를 가함으로써 비정질 실리콘막(14)을 용융시킨다. 이때, 비정질 실리콘막(14) 저부에 용융되지 않은 성장씨드층(16)이 존재하게 된다.Referring to FIG. 1C, the amorphous silicon film 14 is melted by applying an excimer laser to the amorphous silicon film 14 by applying instantaneous energy. At this time, an unmelted growth seed layer 16 is present at the bottom of the amorphous silicon film 14.

도 1d를 참조하면, 이후, 용융된 비정질 실리콘막(14)을 응고시켜 결정을 설장시킴으로써 폴리실리콘막(14')으로 전환시킨다. 결정성장은 성장씨드층(16)을 중심으로 일어나며, 레이저에 의한 에너지에 의해 성장씨드층(16)이 확산하여 일정방향으로 이동하면서 결정화가 진행된다.Referring to FIG. 1D, the molten amorphous silicon film 14 is then solidified to form a crystal to convert to the polysilicon film 14 '. Crystal growth occurs around the growth seed layer 16, and crystallization proceeds while the growth seed layer 16 diffuses and moves in a predetermined direction by the energy of the laser.

도 2는 종래의 ELA 기술에 의한 폴리실리콘 결정화 방법을 위한 레이저 결정화 장비를 나타낸 개략도이고, 도 3은 도 2의 레이저 결정화 장비를 이용하여 결정화된 폴리실리콘막의 표면 거칠기를 나타낸 도면이다.2 is a schematic view showing a laser crystallization equipment for a polysilicon crystallization method according to the conventional ELA technology, Figure 3 is a view showing the surface roughness of the polysilicon film crystallized using the laser crystallization equipment of FIG.

도시된 바와 같이, 종래의 폴리실리콘 결정화 방법을 위한 제조 장치는, 프로세스 챔버(20)와, 상기 프로세스 챔버(20) 하부에 비정질 실리콘막이 증착된 기판(21)이 배치되는 X-Y 스테이지(23)와, 상기 프로세스 챔버(20) 상부에 레이저 빔을 투과시키기 위한 어닐 윈도우(Anneal Window)(25)와, 상기 프로세스 챔버(20) 외부의 상부에 레이저 빔(27)을 조사하기 위한 레이저 장치(29)가 형성되어 있다.As shown, the manufacturing apparatus for the conventional polysilicon crystallization method, the XY stage 23 and the process chamber 20, the substrate 21 on which an amorphous silicon film is deposited below the process chamber 20 is disposed; An annealing window 25 for transmitting a laser beam over the process chamber 20, and a laser device 29 for irradiating a laser beam 27 on the outside of the process chamber 20. Is formed.

종래의 레이저 결정화 장비는 프로세스 챔버(20) 내부의 산소(O2)에 의한 표 면 거칠기 증가를 방지하기 위하여 진공 분위기로 상기 프로세스 챔버(20)을 배기한 후 어닐 윈도우(25)를 통해 레이저 장치(29)에서 레이저 빔(27)을 조사하여 비정질 실리콘을 용융시켜 결정화가 진행되며, 상기 X-Y 스테이지(23)를 X, Y 방향으로 이동시키면서 상기 공정을 반복하여 기판(21) 전체에 대하여 결정화를 진행하였다.Conventional laser crystallization equipment exhausts the process chamber 20 in a vacuum atmosphere in order to prevent surface roughness increase by oxygen (O 2 ) inside the process chamber 20, and then the laser apparatus through the annealing window 25. Crystallization proceeds by irradiating the laser beam 27 at (29) to melt amorphous silicon, and repeating the above process while moving the XY stage 23 in the X and Y directions to crystallize the entire substrate 21. Proceeded.

도 3에 도시된 바와 같이, 도 2에 도시된 결정화 장비를 이용하여 폴리실리콘을 결정화하면 기판(30) 상에 절연막으로 이루어지는 버퍼층(32)이 형성되고, 상기 버퍼층(32) 상에 돌출부(36)를 갖는 폴리실리콘막(34)이 형성된다.As shown in FIG. 3, when polysilicon is crystallized by using the crystallization equipment illustrated in FIG. 2, a buffer layer 32 made of an insulating layer is formed on the substrate 30, and the protrusions 36 are formed on the buffer layer 32. The polysilicon film 34 which has () is formed.

상기 돌출부(36)는 비정질 실리콘막에 포함되어 있던 수소가 레이저를 이용한 결정화 공정 진행시 Si:H의 약한 결합으로 인해 프로세스 챔버 내부에 존재하는 산소(O2)와의 폭발적 반응에 의해 형성되며, 이로 인해 폴리실리콘막(34)의 표면 거칠기가 나빠진다.The protrusion 36 is formed by an explosive reaction with oxygen (O 2 ) present in the process chamber due to the weak bonding of Si: H during the crystallization process of hydrogen contained in the amorphous silicon film. This results in poor surface roughness of the polysilicon film 34.

그러나, 도 2에서와 같이 진공 분위기에서 결정화를 진행함에 따라 종래의 N2 또는 대기에 비해 충분히 작은 폴리실리콘막(34)의 표면 거칠기를 획득할 수 있다. However, as the crystallization proceeds in a vacuum atmosphere as shown in FIG. 2, the surface roughness of the polysilicon film 34 sufficiently smaller than that of conventional N 2 or air can be obtained.

상기한 바와 같이, 종래에는 비정질 실리콘막의 결정화 공정 진행 전에 박막의 박리를 방지하게 위해 반드시 탈수소 공정을 거쳐야 하는데, 탈수소화 공정과 결정화 공정을 다른 장비에서 진행하므로 공정 시간이 오래 걸린다.As described above, prior to the crystallization process of the amorphous silicon film, a dehydrogenation process must be performed in order to prevent peeling of the thin film. However, since the dehydrogenation process and the crystallization process are performed in other equipment, the process takes a long time.

또한, 폴리실리콘막의 표면 거칠기를 충분히 작게 하기 위해 진공 분위기에 서 결정화를 진행하는데, 진공 분위기 결정화는 용융된 실리콘에 의한 어닐 윈도우 오염을 유발하여 투과율을 떨어뜨리고, 장비 유지 관리에 어려움이 발생한다. In addition, in order to sufficiently reduce the surface roughness of the polysilicon film, crystallization proceeds in a vacuum atmosphere. The vacuum atmosphere crystallization causes annealing window contamination by molten silicon, resulting in a drop in transmittance and difficulty in equipment maintenance.

이로 인해 통상의 경우 진공 후 N2 분위기로 전환하여 N2 분위기 결정화를 진행하고 있다. 이 경우 진공 챔버 등의 사용으로 장비가 복잡해지고 크게 되는 단점이 있다.This is usually the case after the vacuum switch to N 2 atmosphere N 2 atmosphere to proceed the crystallization. In this case, there is a disadvantage that the equipment becomes complicated and large due to the use of a vacuum chamber.

뿐만 아니라, 탈수소 공정 및 박막트랜지스터 제조 시 폴리실리콘막에 불순물 주입 후 불순물 주입에 의한 실리콘(Si)의 손상방지 및 도펀트(dopant)의 활성화를 위한 활성화 공정 진행 시 별도의 열처리 장비를 필요로 하므로 초기 장비 투자 비용이 많이 드는 문제점이 있다.In addition, during the dehydrogenation process and thin film transistor manufacturing, since an impurity is injected into the polysilicon layer, a separate heat treatment equipment is required during the activation process for preventing damage to silicon (Si) and activation of dopants by impurity injection. There is a problem that equipment investment costs are high.

본 발명은 비정질 실리콘 막을 형성한 후 동일한 챔버에서 탈수소화 및 결정화 공정을 동시에 진행하여 폴리실리콘막을 형성하는 레이저 결정화 장비 및 구동방법, 그를 이용한 폴리실리콘막, 박막트랜지스터 및 액정표시장치의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention provides a laser crystallization apparatus and driving method for forming a polysilicon film by simultaneously performing a dehydrogenation and crystallization process in the same chamber after the amorphous silicon film is formed, a method for manufacturing a polysilicon film, a thin film transistor and a liquid crystal display device using the same Its purpose is to.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비는, 기판 상에 레이저 빔을 조사하기 위한 레이저 장치, 프로세스 챔버 내부에 형성되며 가스방출부를 구비한 가스 탱크, 상기 가스 탱크에 가스를 주입하는 가스공급부, 및 상기 가스의 온도를 제어하는 온도제어시스템부를 포함하여 박막의 탈수소화와 결정화가 동시에 수행되는 프로세스 챔버를 구비한다.In order to achieve the above object, the laser crystallization apparatus according to the present invention includes a laser device for irradiating a laser beam on a substrate, a gas tank formed in a process chamber and having a gas discharge unit, and injecting gas into the gas tank. It includes a gas supply unit, and a temperature control system for controlling the temperature of the gas, the process chamber to perform dehydrogenation and crystallization of the thin film at the same time.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비의 구동방법은, 프로세스 챔버를 열고 X-Y 스테이지 상에 비정질 실리콘막이 형성된 기판을 위치시키는 단계, 온도제어시스템부에 의해 제어된 N2를 가스공급부로부터 가스주입관을 통해 가스 탱크로 공급하는 단계, 상기 가스 탱크에서 셋팅된 N2를 가스방출부를 통해 상기 기판으로 분출하고, 레이저 장치에서 발생한 레이저 빔을 씰링 윈도우를 거쳐 가스방출부를 통해 상기 기판에 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Method of driving a laser crystallization equipment according to the present invention in order to achieve the above object is achieved by opening the process chamber to the N 2 controlled by the step, the temperature control system portion to position the substrate formed on the XY stage amorphous silicon film gas supply Supplying to the gas tank through a gas injection pipe from the gas tank, N 2 set in the gas tank is ejected to the substrate through a gas discharge unit, and a laser beam generated from a laser device is transferred to the substrate through a gas discharge unit through a sealing window. Characterized in that it comprises the step of examining.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 폴리실리콘막의 제조방법은, 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계, 및 상기 비정질 실리콘막을 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 탈수소화 및 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a polysilicon film according to the present invention may include forming a buffer layer on a substrate, forming an amorphous silicon film on the buffer layer, and simultaneously dehydrogenating the amorphous silicon film in the same process chamber. And crystallizing.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 박막트랜지스터의 제조방법은, 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계, 상기 비정질 실리콘막을 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 탈수소화 및 결정화하는 단계, 상기 결정화된 폴리실리콘막을 마스크를 이용하여 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계, 상기 액티브층을 포함한 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 증착하는 단계, 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 패터닝하여 형성하는 단계, 상기 액티브층에 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 불순물을 주입하여 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계, 및 상기 기판을 열처리를 통해 활성화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a thin film transistor according to the present invention includes: forming a buffer layer on a substrate, forming an amorphous silicon film on the buffer layer, simultaneously dehydrogenating the amorphous silicon film in the same process chamber, and Crystallizing, patterning the crystallized polysilicon film using a mask to form an active layer, depositing a gate insulating film on the entire surface of the substrate including the active layer, and forming a gate electrode on the gate insulating film And implanting impurities into the active layer using the gate electrode as a mask to form a source region, a drain region, and a channel region, and activating the substrate through heat treatment.

또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 방법은, 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계, 상기 비정질 실리콘막을 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 탈수소화 및 결정화하는 단계, 상기 결정화된 폴리실리콘막을 마스크를 이용하여 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계, 상기 액티브층을 포함한 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 증착하는 단계, 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 패터닝하여 형성하는 단계, 상기 액티브층에 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 불순물을 주입하여 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계, 상기 기판을 열처리를 통해 활성화하는 단계, 상기 게이트 전극 상에 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 표면 일부를 노출시키는 콘택홀을 포함하는 층간절연막을 형성하는 단계, 상기 층간절연막 상에 콘택홀을 통해 상기 소스 영역에 드레인 영역과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 상기 드레인 전극의 표면 일부를 노출시키는 비아홀을 포함하는 보호층을 형성하는 단계, 및 상기 보호층 상에 비아홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to achieve the above object, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes: forming a buffer layer on a substrate, forming an amorphous silicon film on the buffer layer, and simultaneously forming the amorphous silicon film in the same process chamber. Dehydrogenation and crystallization, patterning the crystallized polysilicon film using a mask to form an active layer, depositing a gate insulating film over the substrate including the active layer, and forming a gate electrode on the gate insulating film Patterning to form the source layer, forming a source region, a drain region, and a channel region by implanting impurities into the active layer using the gate electrode as a mask; activating the substrate through heat treatment; Expose a portion of the surface of the source region and the drain region Forming an interlayer insulating layer including a contact hole, forming a source electrode and a drain electrode electrically connected to the drain region in the source region through the contact hole on the interlayer insulating layer, on the source electrode and the drain electrode Forming a protective layer including a via hole exposing a portion of a surface of the drain electrode at the pixel, and forming a pixel electrode on the protective layer, the pixel electrode electrically connected to the drain electrode through the via hole; do.

이하, 첨부한 도면을 참조하면 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the present invention in more detail.

도 4는 본 발명에 따른 탈수소화 및 결정화가 동시에 가능한 레이저 결정화 장비를 나타낸 개략도이다.Figure 4 is a schematic diagram showing the laser crystallization equipment capable of simultaneously dehydrogenation and crystallization according to the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비는 크게 기판(190) 상에 레이저 빔(145)을 조사하기 위한 레이저 장치(140), 프로세스 챔버(100) 내부에 형성되며 가스방출부(112)를 구비한 가스 탱크(110)와, 상기 가스 탱크(110)에 소정 온도 이상의 고온 가스를 주입하는 제1 가스공급부(120) 및 상기 가스의 온도를 제어하는 온도제어시스템부(130)을 포함하여 형성된다.Referring to FIG. 4, the laser crystallization apparatus according to the present invention is largely formed in the laser device 140 and the process chamber 100 for irradiating the laser beam 145 on the substrate 190 and the gas discharge part 112. ), A gas tank 110 including a first gas supply unit 120 for injecting hot gas of a predetermined temperature or more into the gas tank 110, and a temperature control system unit 130 for controlling the temperature of the gas. Is formed.

상기 가스 탱크(110)에 공급되는 가스는 N2이며, 상기 N2 가스의 온도는 약 400 ~ 700℃로서 상기 온도제어시스템부(130)에 의해 제어된다.The gas supplied to the gas tank 110 is N 2 , and the temperature of the N 2 gas is controlled by the temperature control system 130 as about 400 to 700 ° C.

탈수소화 공정은 400℃ 이상에서 진행되므로 본 발명에서는 온도의 제어가 중요하며, 따라서 상기 가스 탱크(110)의 일측에는 N2의 온도를 측정하기 위한 제1 온도측정기(116)가 구비된다. Since the dehydrogenation process is performed at 400 ° C. or higher, it is important to control the temperature in the present invention. Therefore, one side of the gas tank 110 is provided with a first temperature measuring instrument 116 for measuring the temperature of N 2 .

또한, 상기 가스 탱크(110)의 일측에는 제2 온도측정기(155)를 갖는 보조 가스 탱크(150)가 형성되며, 상기 보조 가스 탱크(150)는 온도 균일도(uniformity) 및 상기 기판(190) 상에 균일하게 N2 유량을 공급하기 위한 장치이다.In addition, an auxiliary gas tank 150 having a second temperature measuring unit 155 is formed at one side of the gas tank 110, and the auxiliary gas tank 150 is formed on a temperature uniformity and on the substrate 190. It is a device for supplying N 2 flow rate uniformly.

상기 보조 가스 탱크(150)는 400℃ 이상인 고온의 제1 가스공급부(120)에 연결된 제1 가스공급관(125)과 400℃ 미만인 저온의 제2 가스공급부(160)에 연결된 제2 가스공급관(165)을 통해 가스가 공급된다. 여기서, 상기 제1 가스공급부(120)와 제2 가스공급부(160)는 유틸리티 탱크(170)에 연결된다.The auxiliary gas tank 150 has a first gas supply pipe 125 connected to the first gas supply unit 120 having a high temperature of 400 ° C. or higher and a second gas supply pipe 165 connected to the second gas supply unit 160 having a low temperature of less than 400 ° C. The gas is supplied through Here, the first gas supply unit 120 and the second gas supply unit 160 are connected to the utility tank 170.

즉, 상기 보조 가스 탱크(150)는 제2 온도측정기(155)를 통해 측정된 온도로부터 고온의 N2의 공급 온도와 저온 N2를 이용하여 원하는 온도 제어가 가능하다.That is, the auxiliary gas tank (150) may be a desired temperature control by using a supply temperature of the high temperature and the low-temperature N 2 N 2 from the temperature measured by the second temperature measuring instrument (155).

또한, 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비는 진공 분위기에서 공정이 진행되지 않으므로 상기 가스 탱크(110)의 일측에 표면 폴리실리콘 박막의 표면 거칠기에 영향을 미치는 프로세스 챔버(100) 내부의 산소(O2)의 농도를 모니터링 하기 위한 가스 농도 측정부(118)가 구비된다.In addition, since the laser crystallization equipment according to the present invention does not proceed in a vacuum atmosphere, oxygen (O 2 ) inside the process chamber 100 affects the surface roughness of the surface polysilicon thin film on one side of the gas tank 110. Gas concentration measuring unit 118 for monitoring the concentration of is provided.

다음으로, 상기 가스 탱크(110) 상부에는 레이저 장치(140)로부터 조사된 레이저 빔(145)이 투과되는 씰링 윈도우(114)가 형성되고, 하부에는 상기 레이저 빔(145)과 함께 상기 가스 탱크(110)의 고온의 N2가 분출(blowing)되는 가스방출부(112)가 형성된다. 상기 레이저 장치(140)는 엑시머 레이저 어닐링(ELA) 장비이며, 레이저 조사부, 광학계, 마스크를 포함한다. Next, a sealing window 114 through which the laser beam 145 irradiated from the laser device 140 is transmitted is formed above the gas tank 110, and a lower portion of the gas tank 110 together with the laser beam 145 is formed. A gas discharge part 112 through which the high temperature N 2 of 110 is blown is formed. The laser device 140 is an excimer laser annealing (ELA) device, and includes a laser irradiator, an optical system, and a mask.

상기 가스 탱크(110)와 상기 보조 가스 탱크(150) 사이에는 필요시 온/오프(On/Off) 제어가 가능한 게이트 밸브(157)가 구비된다.A gate valve 157 is provided between the gas tank 110 and the auxiliary gas tank 150 to enable on / off control when necessary.

상기 가스 탱크(110) 하부에는 X-Y 스테이지(180) 위에 기판(190)이 위치하며, 상기 기판(190)의 양측면에는 일정 간격 이격되어 제2 보조차단막(195)이 형성되어 스테이지(180)가 이동하면서 N2 조사 시 상기 기판(190)으로 산소의 이동을 차단하는 역할을 한다.The substrate 190 is positioned on the XY stage 180 under the gas tank 110, and the second auxiliary blocking layer 195 is formed on both sides of the substrate 190 at a predetermined interval to move the stage 180. While blocking N 2 serves to block the movement of oxygen to the substrate 190.

본 발명에 따른 결정화 진행 시 보조 가스 탱크(150)와 가스 탱크(110) 사이에 게이트 밸브(157)를 오픈하면 상기 가스 탱크(110)에 고온으로 제어된 N2가 균일하게 공급되고, 따라서 가스방출부(112)를 통해 상기 기판(190) 상에 N2가 분출되 면서 상기 기판(190)을 가열시킨다.When the gate valve 157 is opened between the auxiliary gas tank 150 and the gas tank 110 during the crystallization process according to the present invention, N 2 controlled at a high temperature is uniformly supplied to the gas tank 110. N 2 is ejected onto the substrate 190 through the discharge unit 112 to heat the substrate 190.

상기 기판(190)과 상기 가스 탱크(110)의 바닥면 사이의 거리(d)는 10mm 이하로 형성되며, 따라서 레이저 빔이 조사되는 부분의 02가 분출되는 N2에 밀려 O2 잔량이 제거되면서 결정화가 진행된다.The distance d between the substrate 190 and the bottom surface of the gas tank 110 is formed to be 10 mm or less. Therefore, the remaining amount of O 2 is removed by being pushed by N 2 where 0 2 of the portion to which the laser beam is irradiated is ejected. As the crystallization proceeds.

더욱이, 상기 가스 탱크(110)에는 하부면과 나란하게 제1 보조차단막(175)이 더 형성되어 상기 기판(190)으로 고온의 N2를 분출할 경우, 고온의 N2가 상기 기판(190)에 골고루 퍼질 수 있도록 돕는 역할을 하며, 상기 기판(190) 상에 존재하는 산소를 상기 기판(190) 외부로 밀어내는 역할을 돕는다. 따라서, 폴리실리콘막의 거칠기를 진공분위기 수준으로 제어가 가능하다.Further, the gas tank (110) when the side-by-side first auxiliary shielding film 175 and the lower surface is further formed to spray the N 2 of the high temperature to the substrate 190, a high temperature of the N 2 is the substrate 190, Helps to spread evenly to, and helps to push the oxygen present on the substrate 190 to the outside of the substrate 190. Therefore, the roughness of the polysilicon film can be controlled at the level of the vacuum atmosphere.

또한, 상기한 바와 같이 기판(190)과 가스 탱크(110)의 바닥면 사이의 거리(d)가 충분히 작으므로 결정화가 진행되기 전에 상기 기판(190)이 가열될 수 있으므로 탈수소 과정이 먼저 일어나므로 레이저가 조사되는 부분은 충분히 탈수소가 선행될 수 있다.In addition, as described above, since the distance d between the substrate 190 and the bottom surface of the gas tank 110 is sufficiently small, since the substrate 190 may be heated before crystallization proceeds, the dehydrogenation process occurs first. The portion to which the laser is irradiated may be sufficiently preceded by dehydrogenation.

뿐만 아니라, N2 분출과 레이저 조사는 안정화 시간을 설정하여 상기 기판(190)이 먼저 가열된 후 레이저 조사가 시작될 수 있도록 제어할 수 있다.In addition, N 2 ejection and laser irradiation can be controlled to set the stabilization time so that the laser irradiation can be started after the substrate 190 is first heated.

상기한 바와 같이, 본 발명에서는 상기 고온으로 N2 가스의 온도를 제어한 후 상기 가스 탱크(110)에서 셋팅된 N2 유량으로 상기 가스방출부(115)를 통해 N2 가스를 분출하여 고온의 N2 가스에 의해 상기 기판(190) 이 가열됨으로써 온도 제어 시간을 매우 빠르게 제어할 수 있고, 동시에 레이저를 조사함으로써 탈수소화 및 결정화를 동시에 진행할 수 있다.As it described above, in the present invention, and then controlling the temperature of the N 2 gas as the hot-spray the N 2 gas through the gas discharge unit 115 by the N 2 flow rate set in the gas tank 110, a high-temperature The substrate 190 is heated by N 2 gas so that the temperature control time can be controlled very quickly, and at the same time, dehydrogenation and crystallization can be simultaneously performed by irradiating a laser.

따라서, N2 분출에 의해 결정화 진행시 기판(190) 상에 존재하는 산소가 제거되어 폴리실리콘 표면 거칠기를 진공분위기 수준으로 제어하므로 결정화 특성이 향상되고, 공정을 단순화할 수 있고, 공정 소요 시간을 단축할 수 있다.Therefore, the oxygen present on the substrate 190 is removed during the crystallization process by N 2 ejection to control the surface roughness of the polysilicon at the level of the vacuum atmosphere, thereby improving the crystallization characteristics, simplifying the process, and improving the process time. It can be shortened.

또한, 탈수소화 공정을 위한 별도의 열처리 장비가 필요 없으므로 초기 투자 비용을 절감할 수 있다.In addition, since no additional heat treatment equipment for the dehydrogenation process is required, initial investment costs can be reduced.

언급한 레이저 결정화 장비의 모든 장치의 작동은 콘트롤러(미도시)가 조절하고 있으며, UV 미러가 레이저 빔의 경로를 조절한다.The operation of all the devices of the mentioned laser crystallization equipment is controlled by a controller (not shown), and the UV mirror controls the path of the laser beam.

상술한 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비의 작동을 간략하게 설명하면 다음과 같다.Briefly describing the operation of the laser crystallization equipment according to the present invention as follows.

프로세스 챔버(100)를 열고 X-Y 스테이지에 기판(190)을 위치시키고, 온도제어시스템(130)에 의해 제어된 N2를 제1 가스공급부(120)로부터 제1 가스공급관(125)을 통해 보조 가스 탱크(150)의 게이트 밸브(157)를 열어 가스 탱크(110)로 공급하고, 상기 가스 탱크(110)에서 셋팅된 가스를 가스방출부(112)를 통해 상기 기판(190)으로 분출한다. 이때, 상기 고온의 N2를 이용하여 상기 기판(190)을 가열하여 탈수소 공정이 선행될 수 있고, 이 후 레이저 장치(140)에서 발생한 레이저 빔(145)을 씰링 윈도우(114)를 거쳐 가스방출부(112)를 통해 상기 기판(190)에 조사하여 결정화를 진행한다. 이때, 레이저가 소정의 반복률로 비정질 실리콘 박막을 조사하게 되고, 비정질 실리콘 박막은 연속적으로 이동하기 때문에 비정질 실리콘 박막의 전 구간에 걸쳐 레이저가 연속적으로 조사된다. 상기 레이저 결정화 장비는 N2를 상기 기판(190)에 분출함과 동시에 레이저(145)를 조사함으로써 탈수소화 공정과 결정화 공정을 동시에 진행할 수 있다.Open the process chamber 100 and position the substrate 190 on the XY stage, and the N 2 controlled by the temperature control system 130 is supplied from the first gas supply unit 120 to the auxiliary gas through the first gas supply pipe 125. The gate valve 157 of the tank 150 is opened and supplied to the gas tank 110, and the gas set in the gas tank 110 is ejected to the substrate 190 through the gas discharge unit 112. At this time, the dehydrogenation process may be preceded by heating the substrate 190 using the high temperature N 2 , and thereafter, gas is emitted through the sealing window 114 to the laser beam 145 generated by the laser device 140. The substrate 190 is irradiated through the unit 112 to proceed with crystallization. In this case, the laser irradiates the amorphous silicon thin film at a predetermined repetition rate, and since the amorphous silicon thin film moves continuously, the laser is continuously irradiated over the entire section of the amorphous silicon thin film. The laser crystallization apparatus may simultaneously perform a dehydrogenation process and a crystallization process by emitting N 2 to the substrate 190 and irradiating the laser 145.

여기서, 상기 제1, 2 온도측정기(116, 155)를 통해 측정된 온도로부터 고온의 N2와 저온의 N2를 이용하여 원하는 온도를 제어한다. 즉, 온도가 소정 온도(400~700℃) 이상일 경우에는 제2 가스주입부(160)로부터 제2 가스공급관(165)을 통해 저온의 N2를 공급하여 온도를 소정 온도로 다시 설정하고, 온도가 400℃ 이하일 경우에는 제1 가스주입부(120)로부터 제1 가스공급관(125)을 통해 고온의 N2를 공급하여 온도를 소정 온도로 다시 설정한다. Here, using the first and second temperature measuring devices (116, 155) a high temperature N 2 and N 2 in a low temperature from the measured temperature over and controls the desired temperature. That is, when the temperature is more than the predetermined temperature (400 ~ 700 ℃), by supplying a low temperature N 2 from the second gas injection unit 160 through the second gas supply pipe 165 to set the temperature to a predetermined temperature again, the temperature When the temperature is 400 ° C. or less, high temperature N 2 is supplied from the first gas injection part 120 through the first gas supply pipe 125 to reset the temperature to a predetermined temperature.

도 5는 도 4의 레이저 결정화 장비를 이용한 폴리실리콘 결정화 방법을 나타낸 순서도이고, 도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비를 이용한 폴리실리콘 결정화 방법을 도시한 공정단면도이다.5 is a flowchart illustrating a polysilicon crystallization method using the laser crystallization apparatus of FIG. 4, and FIGS. 6A to 6C are process cross-sectional views illustrating a polysilicon crystallization method using the laser crystallization apparatus according to the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비를 이용하여 폴리실리콘을 결정화하는 순서는 다음과 같다.As shown in Figure 5, the crystallization of polysilicon using the laser crystallization equipment according to the present invention is as follows.

우선, 기판 상에 버퍼층을 형성하고(S10), 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘 막을 형성하고(S20), 상기 비정질 실리콘막을 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 탈수소화 및 결정화한다(S30).First, a buffer layer is formed on a substrate (S10), an amorphous silicon film is formed on the buffer layer (S20), and the amorphous silicon film is simultaneously dehydrogenated and crystallized in the same process chamber (S30).

도 6a 내지 도 6c를 참조하여 보다 상세하게 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비를 이용한 폴리실리콘 결정화 방법을 설명하기로 한다.6A to 6C, the polysilicon crystallization method using the laser crystallization apparatus according to the present invention will be described in more detail.

우선, 도 6a를 참조하면, 유리 기판(300) 전면에 PECVD 또는 LPCVD 방법을 수행하여 실리콘 산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막(SiNx)을 증착하여 버퍼층(buffer layer)(305)을 형성하고, 상기 버퍼층(305) 상에 PECVD, LPCVD 또는 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 비정질 실리콘을 증착하여 비정질 실리콘막(310)을 형성한다.First, referring to FIG. 6A, a silicon oxide film (SiO 2 ) or a silicon nitride film (SiNx) is deposited to form a buffer layer 305 by performing a PECVD or LPCVD method on the entire glass substrate 300. The amorphous silicon film 310 is formed by depositing amorphous silicon on the buffer layer 305 using a method such as PECVD, LPCVD, or sputtering.

도 6b를 참조하면, 상기 비정질 실리콘막(310)을 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비를 이용하여 탈수소화 및 결정화 공정을 동시에 진행한다. Referring to FIG. 6B, the amorphous silicon film 310 is simultaneously dehydrogenated and crystallized using a laser crystallization apparatus according to the present invention.

상기 탈수소화 및 결정화 공정은 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 진행되며, 보다 상세하게는 상기 기판(300) 가열 후 탈수소화가 먼저 진행된 후 결정화가 일어날 수 있다.The dehydrogenation and crystallization process may be simultaneously performed in the same process chamber, and more specifically, after the substrate 300 is heated, dehydrogenation may proceed first and then crystallization may occur.

상기 탈수소화는 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비를 이용하여 고온으로 N2 가스의 온도를 제어한 후 상기 가스 탱크(110)에서 셋팅된 N2 유량으로 상기 가스방출부(112)를 통해 상기 기판(300)으로 N2 가스를 분출함으로써 가능하다.The dehydrogenation is performed by controlling the temperature of the N 2 gas at a high temperature by using the laser crystallization equipment according to the present invention, and then controlling the substrate through the gas discharge unit 112 at the N 2 flow rate set in the gas tank 110. By blowing N 2 gas into 300).

이때, 상기 기판(300)은 상기 고온의 N2 가스에 의해 가열됨으로써 온도 제어 시간을 매우 빠르게 제어 가능하다.In this case, the substrate 300 is heated by the high temperature N 2 gas to control the temperature control time very quickly.

또한, N2를 분출함에 의해 결정화 진행시 상기 기판(300) 상에 존재하는 산소가 제거되어 폴리실리콘막의 표면 거칠기를 진공분위기 수준으로 제어가 가능하 다.In addition, the oxygen present on the substrate 300 is removed during the crystallization process by ejecting N 2 to control the surface roughness of the polysilicon film to a vacuum atmosphere level.

상기 비정질 실리콘막(310)에 레이저를 조사하여 순간적인 에너지를 가할 때 비정질 실리콘막(310) 저부에는 용융되지 않은 성장씨드층(320)이 형성된다.When the laser is irradiated to the amorphous silicon layer 310 to apply instantaneous energy, an ungrown growth seed layer 320 is formed at the bottom of the amorphous silicon layer 310.

도 6c를 참조하면, 상기 비정질 실리콘막(310) 저부에 용융되지 않은 성장씨드층(320)이 확산하여 일정방향으로 이동하면서 결정화가 진행되며 상기 비정질 실리콘막(310)을 응고시켜 폴리실리콘막(310')으로 전환된다.Referring to FIG. 6C, the growth seed layer 320 which is not molten is diffused to the bottom of the amorphous silicon film 310 to move in a predetermined direction, and crystallization proceeds. The amorphous silicon film 310 is solidified to form a polysilicon film ( 310 ').

이로써, 본 발명에 따른 탈수소화 및 결정화가 동시에 가능한 레이저 결정화 장비를 이용한 폴리실리콘막의 제조방법이 완성된다.As a result, a method for producing a polysilicon film using laser crystallization equipment capable of simultaneously dehydrogenation and crystallization according to the present invention is completed.

한편, 이와 같은 레이저 결정화 장비를 이용한 폴리실리콘 제조 방법은 박막트랜지스터 및 액정표시장치를 제조하는데 있어 매우 유용하게 이용될 수 있다.On the other hand, polysilicon manufacturing method using such a laser crystallization equipment can be very useful for manufacturing a thin film transistor and a liquid crystal display device.

그러면, 이와 같은 폴리실리콘 제조방법을 이용하여 박막트랜지스터 및 액정표시장치를 제조하는 과정에 대하여 간략하게 설명해 보기로 한다. 알려진 바와 같이, 액정표시장치의 TFT 기판을 제조하는 공정 중에는 박막트랜지스터를 제조하는 공정이 포함되어 있으므로, 여기서는 액정표시장치의 TFT 기판을 제조하는 공정을 기준으로 하여 통합하여 설명하기로 한다. Next, a process of manufacturing a thin film transistor and a liquid crystal display using the polysilicon manufacturing method will be briefly described. As is known, the process of manufacturing the TFT substrate of the liquid crystal display device includes the process of manufacturing the thin film transistor, and therefore, the description will be made here on the basis of the process of manufacturing the TFT substrate of the liquid crystal display device.

즉, 본 발명에 의하면, 기판 상에 버퍼층, 액티브층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막, 소스 전극 및 드레인 전극, 보호층 및 화소 전극을 형성하는 액정표시장치의 TFT 기판을 제조함에 있어, 비정질 실리콘막의 탈수소화 및 결정화를 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 진행하여 폴리실리콘막을 형성하는 것을 포함한다.That is, according to the present invention, in manufacturing a TFT substrate of a liquid crystal display device in which a buffer layer, an active layer, a gate insulating film, a gate electrode, an interlayer insulating film, a source electrode and a drain electrode, a protective layer, and a pixel electrode are formed on a substrate, Dehydrogenation and crystallization of the silicon film are performed simultaneously in the same process chamber to form a polysilicon film.

도 7a 내지 도 7g는 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비를 이용한 액정표시장치의 제조 방법을 나타낸 공정단면도이다.7A to 7G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display using laser crystallization equipment according to the present invention.

도 7a를 참조하면, 기판(700) 상에 버퍼층(705)을 형성하고, 상기 버퍼층(705) 상에 비정질 실리콘막(710)을 형성한다.Referring to FIG. 7A, a buffer layer 705 is formed on a substrate 700, and an amorphous silicon film 710 is formed on the buffer layer 705.

도 7b를 참조하면, 상기 비정질 실리콘막(710)을 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비를 이용하여 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 열처리 및 엑시머 레이저를 조사함으로써 탈수소화 및 결정화하여 폴리실리콘막(710')을 형성한다.Referring to FIG. 7B, the amorphous silicon film 710 is dehydrogenated and crystallized by irradiating heat treatment and excimer laser simultaneously in the same process chamber using the laser crystallization equipment according to the present invention to form a polysilicon film 710 ′. do.

상기 버퍼층(705), 비정질 실리콘막(710), 탈수소화 및 결정화 방법은 본 발명에 따른 폴리실리콘막 형성 방법 및 형성 물질과 동일하다.The buffer layer 705, the amorphous silicon film 710, the dehydrogenation and crystallization method are the same as the polysilicon film forming method and the forming material according to the present invention.

도 7c를 참조하면, 상기 폴리실리콘막(710')을 패터닝하여 액티브층(710')을 형성하고, 상기 액티브층(710') 상부의 기판(700) 전면에 걸쳐 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 증착하여 게이트 절연막(720)을 형성한다. Referring to FIG. 7C, the polysilicon layer 710 ′ is patterned to form an active layer 710 ′, and a silicon oxide layer or a silicon nitride layer is deposited over the entire surface of the substrate 700 on the active layer 710 ′. Thus, the gate insulating film 720 is formed.

도 7d를 참조하면, 상기 게이트 절연막(720) 상에 상기 액티브층(710')의 소정 영역에 대응하도록 도전성 물질을 증착 후 패터닝하여 게이트 전극(730)을 형성하고, 상기 게이트 전극(730)을 마스크로 하여 상기 액티브층(710')에 불순물을 주입하여 소스 영역(710'a), 드레인 영역(710'c) 및 불순물이 주입되지 않은 채널 영역(710'b)을 포함하는 액티브층(710')을 형성한다. Referring to FIG. 7D, a gate electrode 730 is formed by depositing and patterning a conductive material on the gate insulating layer 720 to correspond to a predetermined region of the active layer 710 ′, and forming the gate electrode 730. Impurities are implanted into the active layer 710 'as a mask to include an active layer 710 including a source region 710'a, a drain region 710'c, and a channel region 710'b in which impurities are not implanted. Form ').

도 7e를 참조하면, 상기 액티브층(710')을 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비를 이용하여 활성화하여 불순물 주입에 의한 실리콘(Si)의 손상방비 및 도펀트(dopant)의 활성화를 돕는다. Referring to FIG. 7E, the active layer 710 ′ is activated by using the laser crystallization apparatus according to the present invention to help damage protection of silicon (Si) and activation of dopants by impurity implantation.

상기 활성화 공정 시 레이저 조사 없이 고온의 N2 만을 이용하여 열처리를 진행한다. 따라서, 별도의 열처리 공정을 위한 장비 투자비가 필요 없으므로 비용을 절감할 수 있다.In the activation process, heat treatment is performed using only high temperature N 2 without laser irradiation. Therefore, the equipment investment cost for a separate heat treatment process is not required, thereby reducing the cost.

도 7f를 참조하면, 상기 게이트 전극(730)을 포함한 기판(700) 전면에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 증착하여 층간절연막(740)을 형성하고, 상기 층간절연막(740)의 일부를 식각하여 상기 액티브층(710')의 소스 영역(710'a) 및 드레인 영역(710'c)의 표면 일부를 노출시키는 콘택홀(745)을 형성하고, 상기 콘택홀(745)을 포함한 기판(700) 전면에 도전성 물질을 증착 후 패터닝하여 상기 소스 영역(710'a) 및 드레인 영역(710'c)과 전기적으로 연결되는 소스 전극(750) 및 드레인 전극(760)을 형성한다.Referring to FIG. 7F, an interlayer insulating film 740 is formed by depositing a silicon oxide film or a silicon nitride film on an entire surface of the substrate 700 including the gate electrode 730, and etching a portion of the interlayer insulating film 740 to form the active layer. A contact hole 745 is formed to expose a portion of the surface of the source region 710'a and the drain region 710'c of the layer 710 ', and is formed on the entire surface of the substrate 700 including the contact hole 745. The conductive material is deposited and patterned to form a source electrode 750 and a drain electrode 760 electrically connected to the source region 710'a and the drain region 710'c.

이로써, 폴리실리콘막으로 이루어지는 액티브층(710'), 게이트 전극(730), 소스 전극(750) 및 드레인 전극(760)을 포함하는 폴리실리콘 박막트랜지스터가 형성된다.As a result, a polysilicon thin film transistor including an active layer 710 ', a gate electrode 730, a source electrode 750, and a drain electrode 760 made of a polysilicon film is formed.

도 7g를 참조하면, 상기 소스 전극(750) 및 드레인 전극(760)을 포함한 기판 (700) 전면에 걸쳐 보호층(770)을 형성하고, 보호층(770)의 일부를 식각하여 상기 드레인 전극(760)의 표면 일부를 노출시키는 비아홀(775)을 형성한다. 상기 비아홀(775)을 포함한 기판(700) 전면에 투명 도전성 물질을 증착 후 패터닝하여 상기 드레인 전극(760)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(780)을 형성한다.Referring to FIG. 7G, a protective layer 770 is formed over the entire surface of the substrate 700 including the source electrode 750 and the drain electrode 760, and a portion of the protective layer 770 is etched to form the drain electrode ( A via hole 775 is formed to expose a portion of the surface of 760. A transparent conductive material is deposited and patterned on the entire surface of the substrate 700 including the via hole 775 to form a pixel electrode 780 electrically connected to the drain electrode 760.

이로써, 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비를 이용한 폴리실리콘 박막트랜 지스터를 구비한 폴리실리콘 액정표시장치의 어레이 기판을 완성한다.Thus, the array substrate of the polysilicon liquid crystal display device having the polysilicon thin film transistor using the laser crystallization equipment according to the present invention is completed.

상기 박막트랜지스터는 탈수소화 공정 및 결정화 공정을 동시에 진행하므로 공정이 단순화되고, 폴리실리콘막의 결정화 특성이 향상된다.Since the thin film transistor performs the dehydrogenation process and the crystallization process at the same time, the process is simplified and the crystallization characteristic of the polysilicon film is improved.

또한, 상기 활성화 공정을 본 발명에 따른 레이저 결정화 장비를 이용하여 레이저 조사 없이 고온의 N2만을 이용하여 진행함으로써 별도의 열처리 장비가 필요 없기 때문에 초기 장비 투자 비용을 절감할 수 있다.In addition, since the activation process is performed using only the high temperature N 2 without laser irradiation using the laser crystallization equipment according to the present invention, an initial equipment investment cost can be reduced because a separate heat treatment equipment is not required.

뿐만 아니라, 상기 박막트랜지스터 제조 방법을 이용하여 액정표시장치를 제조함으로써 저렴한 비용과 단순한 공정으로 결정화 특성이 향상된 폴리실리콘 액정표시장치를 제작할 수 있다.In addition, by manufacturing a liquid crystal display using the thin film transistor manufacturing method, it is possible to manufacture a polysilicon liquid crystal display having improved crystallization characteristics at a low cost and a simple process.

본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 액정패널 및 그 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.Although the present invention has been described in detail through specific embodiments, it is intended to describe the present invention in detail, and the liquid crystal panel and its manufacturing method according to the present invention are not limited thereto, and the technical features of the present invention may be used. It is obvious that modifications and improvements are possible by those skilled in the art.

본 발명은 비정질 실리콘막을 형성한 후 레이저 결정화 장비의 동일한 프로세스 챔버에서 제어된 고온의 N2(Hot N2)를 이용하여 가스 탱크에서 셋팅(setting)된 N2 유량으로 분출(blowing)함과 동시에 레이저 빔(laser beam)을 조사하면서 탈수소화 및 결정화 공정을 동시에 진행하여 폴리실리콘막을 형성함으로써 결정화 특성을 향상시키고, 공정을 단순화하여 공정 시간을 단축하고, 장비 투자 비용을 절 감할 수 있는 효과가 있다.The present invention forms an amorphous silicon film and then blows at an N 2 flow rate set in a gas tank using hot N 2 (hot N 2 ) controlled in the same process chamber of a laser crystallization apparatus. Dehydrogenation and crystallization processes are simultaneously performed while irradiating a laser beam to form a polysilicon film, thereby improving crystallization characteristics, simplifying the process, shortening process time, and reducing equipment investment cost. .

본 발명은 박막트랜지스터 제조 시 액티브층에 불순물 주입 후 상기 레이저 결정화 장비를 이용하여 고온의 N2만을 분출함으로써 활성화 공정을 진행할 수 있으므로 열처리를 위한 초기 장비 투자 비용을 절감할 수 있는 또 다른 효과가 있다.In the present invention, since the activation process may be performed by injecting impurity into the active layer in the manufacturing process of the thin film transistor and then emitting high temperature N 2 only by using the laser crystallization equipment, there is another effect of reducing the initial equipment investment cost for heat treatment. .

Claims (30)

기판 상에 레이저 빔을 조사하기 위한 레이저 장치;A laser apparatus for irradiating a laser beam onto the substrate; 프로세스 챔버 내부에 형성되며 가스를 분출하기 위한 가스방출부를 구비한 가스 탱크;A gas tank formed in the process chamber and having a gas discharge part for ejecting gas; 상기 가스 탱크에 상기 가스를 주입하는 가스공급부; 및A gas supply unit for injecting the gas into the gas tank; And 상기 가스 탱크의 일측에 구비되어 상기 가스공급부로부터 주입된 가스의 온도를 탈수소화를 위한 온도로 제어하는 보조 가스 탱크를 포함하고,An auxiliary gas tank provided at one side of the gas tank to control a temperature of the gas injected from the gas supply unit to a temperature for dehydrogenation; 상기 레이저 빔은 상기 가스가 분출되는 상기 가스방출부를 관통하여 조사되어 박막의 탈수소화와 결정화가 동시에 수행되는 프로세스 챔버를 구비하는 레이저 결정화 장비.And the laser beam is irradiated through the gas discharge part from which the gas is ejected, and has a process chamber for simultaneously performing dehydrogenation and crystallization of a thin film. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스는 N2 인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비.The gas is N 2 Laser crystallization equipment, characterized in that. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 가스 탱크에 공급되는 가스의 온도는 400℃ 내지 700℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비.Laser crystallization equipment, characterized in that the temperature of the gas supplied to the gas tank is maintained at 400 ℃ to 700 ℃. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스공급부는 제1 온도의 가스를 공급하는 제1 가스공급부와 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 가스를 주입하는 제2 가스공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비.The gas supply unit comprises a first gas supply unit for supplying a gas of a first temperature and a second gas supply unit for injecting a gas of a second temperature lower than the first temperature laser crystallization equipment. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 탱크와 보조 가스 탱크 사이에 게이트 밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비.And a gate valve between the gas tank and the auxiliary gas tank. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 탱크와 상기 보조 가스 탱크의 일측면에 제1, 2 온도측정기를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비.Laser crystallization equipment characterized in that it comprises a first, second temperature measuring instrument on one side of the gas tank and the auxiliary gas tank. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 탱크는 일측면에 가스 농도 측정기를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비.The gas tank is laser crystallization equipment, characterized in that it comprises a gas concentration meter on one side. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 탱크의 바닥면과 기판 사이의 바닥면의 거리는 10mm 이하인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비.Laser crystallization equipment, characterized in that the distance of the bottom surface between the bottom surface of the gas tank and the substrate is less than 10mm. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 탱크의 바닥면의 양측면에 제1 보조차단막을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비.Laser crystallization equipment, characterized in that provided on both sides of the bottom surface of the gas tank first auxiliary barrier film. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 기판의 양측면에 일정 간격 이격된 제2 보조차단막을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비.Laser crystallization equipment characterized in that it comprises a second secondary blocking film spaced at regular intervals on both sides of the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 탱크의 상부면에 씰링 윈도우를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비.And a sealing window on an upper surface of the gas tank. 프로세스 챔버를 열고 X-Y 스테이지 상에 비정질 실리콘막이 형성된 기판을 위치시키는 단계;Opening the process chamber and positioning a substrate on which an amorphous silicon film is formed on the X-Y stage; N2를 가스공급부로부터 가스주입관을 통해 보조 가스 탱크로 공급하는 단계;Supplying N 2 from the gas supply unit to the auxiliary gas tank through a gas injection pipe; 상기 보조 가스 탱크에서 상기 N2의 온도를 탈수소화를 위한 온도로 제어하는 단계;Controlling the temperature of the N 2 in the auxiliary gas tank to a temperature for dehydrogenation; 상기 보조 가스 탱크에서 온도 제어된 N2를 가스방출부를 통해 상기 기판으로 분출하고, 레이저 장치에서 발생한 레이저 빔을 씰링 윈도우를 거쳐 가스방출부를 통해 상기 기판에 조사하는 단계를 포함하고,Ejecting the temperature controlled N 2 from the auxiliary gas tank to the substrate through a gas discharge unit, and irradiating the substrate through the gas discharge unit through a gas discharge unit through a sealing window; 상기 N2의 분출과 레이저 빔의 조사에 의해 탈수소화와 결정화가 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비의 구동방법.And dehydrogenation and crystallization are simultaneously performed by the ejection of N2 and irradiation of a laser beam. 삭제delete 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 가스공급부는 제1 온도의 가스를 공급하는 제1 가스공급부와 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 가스를 공급하는 제2 가스공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비의 구동방법.And the gas supply part comprises a first gas supply part supplying a gas at a first temperature and a second gas supply part supplying a gas at a second temperature lower than the first temperature. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 가스 분출과 레이저 조사는 안정화 시간을 설정하여 상기 기판이 먼저 가열된 후 레이저 조사가 시작될 수 있도록 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비의 구동방법.The gas blowing and laser irradiation is a method of driving a laser crystallization equipment, characterized in that by setting the stabilization time can be controlled so that the laser irradiation can be started after the substrate is first heated. 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;Forming a buffer layer on the substrate; 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계; 및Forming an amorphous silicon film on the buffer layer; And 제1항 내지 제12항의 어느 한 항에 의한 상기 레이저 결정화 장비를 이용하여 상기 비정질 실리콘막을 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 탈수소화 및 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막의 제조방법.A method for producing a polysilicon film, comprising dehydrogenating and crystallizing the amorphous silicon film simultaneously in the same process chamber using the laser crystallization equipment according to any one of claims 1 to 12. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;Forming a buffer layer on the substrate; 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계;Forming an amorphous silicon film on the buffer layer; 제1항 내지 제12항의 어느 한 항에 의한 상기 레이저 결정화 장비를 이용하여 상기 비정질 실리콘막을 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 수행하여 탈수소화 및 결정화하는 단계;Dehydrogenation and crystallization by simultaneously performing the amorphous silicon film in the same process chamber using the laser crystallization equipment according to any one of claims 1 to 12; 상기 결정화된 폴리실리콘막을 마스크를 이용하여 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계;Patterning the crystallized polysilicon film using a mask to form an active layer; 상기 액티브층을 포함한 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 증착하는 단계;Depositing a gate insulating film on the entire surface of the substrate including the active layer; 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 패터닝하여 형성하는 단계;Patterning and forming a gate electrode on the gate insulating film; 상기 액티브층에 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 불순물을 주입하여 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계; 및Implanting impurities into the active layer using the gate electrode as a mask to form a source region, a drain region, and a channel region; And 상기 기판을 열처리를 통해 활성화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.And activating the substrate through heat treatment. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;Forming a buffer layer on the substrate; 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계;Forming an amorphous silicon film on the buffer layer; 제1항 내지 제12항의 어느 한 항에 의한 상기 레이저 결정화 장비를 이용하여 상기 비정질 실리콘막을 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 수행하여 탈수소화 및 결정화하는 단계;Dehydrogenation and crystallization by simultaneously performing the amorphous silicon film in the same process chamber using the laser crystallization equipment according to any one of claims 1 to 12; 상기 결정화된 폴리실리콘막을 마스크를 이용하여 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계;Patterning the crystallized polysilicon film using a mask to form an active layer; 상기 액티브층을 포함한 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 증착하는 단계;Depositing a gate insulating film on the entire surface of the substrate including the active layer; 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 패터닝하여 형성하는 단계;Patterning and forming a gate electrode on the gate insulating film; 상기 액티브층에 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 불순물을 주입하여 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계; Implanting impurities into the active layer using the gate electrode as a mask to form a source region, a drain region, and a channel region; 상기 기판을 열처리를 통해 활성화하는 단계; Activating the substrate through heat treatment; 상기 게이트 전극 상에 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 표면 일부를 노출시키는 콘택홀을 포함하는 층간절연막을 형성하는 단계;Forming an interlayer insulating layer on the gate electrode, the interlayer insulating layer including a contact hole exposing a portion of a surface of the source region and the drain region; 상기 층간절연막 상에 콘택홀을 통해 상기 소스 영역에 드레인 영역과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; Forming a source electrode and a drain electrode electrically connected to the drain region on the source region through a contact hole on the interlayer insulating layer; 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 상기 드레인 전극의 표면 일부를 노출시키는 비아홀을 포함하는 보호층을 형성하는 단계; 및Forming a protective layer on the source electrode and the drain electrode, the protective layer including a via hole exposing a portion of a surface of the drain electrode; And 상기 보호층 상에 비아홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.Forming a pixel electrode electrically connected to the drain electrode through a via hole on the protective layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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