KR101188566B1 - 색변환재를 포함하는 발광다이오드 장치 - Google Patents

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Abstract

발광다이오드(LED) 장치를 개시한다. 발광다이오드(LED) 장치(1)는 베이스(3)에 배치된 LED 칩(2) 및 색변환재(7)를 포함하되, 상기 색변환재(7)은 상기 LED 칩(2)을 둘러싸고 상기 LED 칩(2)에 의해 방출되는 광의 적어도 일부를 다른 파장의 광으로 변환하도록 구성된다. 색변환재(7)는 측면으로 반사기(8)에 의해 둘러싸인다. 상기 LED 칩(2)과 상기 반사기(8) 사이의 최대 거리(x)는 0.5 mm 이다.

Description

색변환재를 포함하는 발광다이오드 장치{LIGHT-EMITTING DIODE ARRANGEMENT COMPRISING A COLOR-CONVERTING MATERIAL}
본 발명은 청구항 1의 전문(preamble)에 따른 발광다이오드 장치(light-emitting diode arrangement)에 관한 것으로, 상기 발광다이오드 장치는 색변환재(color converting material)에 의해 둘러싸이는 발광다이오드 칩(light-emitting diode chip)을 포함하되, 상기 색변환재는 상기 발광다이오드 칩에 의해 방출되는 광의 적어도 일부를 다른 파장의 광으로 변환시키는데 사용된다.
발광다이오드의 분야, 특히 소위 "백색 LEDs"로 불리는 분야가 본 발명의 배경기술이 된다. 광을 방출하는 반도체 소자(semiconductor element)는 일반적으로 특정 파장으로 광을 방출하며, 직접적으로 백색광을 생성하는 반도체 소자는 아직 개발되어 있지 않다. 대신에, 반도체 소자들은 녹색, 적색 또는 청색과 같은 각 파장의 광을 방출하도록 구성된다. 그럼에도 불구하고 백색광의 생성이 가능하도록 하기 위해, 종래기술에서는 청색 LEDs 광을 색변환에 의해 혼합 백색광(white light mixture)으로 변환하는 기술이 알려져 있다. 일반적으로 매트릭스(matrix) 형상으로 임베디드(embedded)되는 형광체(phosphor)는 소위 LED 다이(die)라고 불리는 반도체 소자의 주위로 배치된다. 청색광은 LED 다이의 주변에서 형광체에 의 하여 흡수되어 보다 긴 파장의 광으로 변환된다. 형광체로부터 방출되는 장파장의 광은 발광다이오드 칩의 변환되지 않은 청색광과 조합되어 혼합 백색광이 된다.
종래기술에서와 같이 색변환재가 LED 다이 주변에 배치되는 형태는 일반적으로 LED 칩을 둘러싸는 색변환재로부터 나오는 광이 순수하게 백색이 아니라 공간적 방향에 따라 다른 색을 가지거나(및/또는) 형광체 층(phosphor layer)의 표면에서 다른 색을 가진다는 결점이 있다. 렌즈 등을 이용하여 방출된 광을 조준(collimation) 및 투사(imaging)하는 것은 이러한 색의 불균일성을 더 강화시킨다.
이러한 분균일성의 원인은 색변환된 성분이 형광체/매트릭스 환경을 통한 광경로에 비례하여 증가하는데 있다. 일반적으로 정육면체(cubic) 또는 직육면체(cuboid)로 구성되는 발광다이오드 칩은 모든 방향으로 그 모양과 유사한 형태로 광을 방출하기 때문에 광의 균일한 변환을 실현하기는 매우 어렵다. 그러나, 특히 어려운 점은 불균일한 광 방출 영역으로부터 균일한 백색광을 실현하기 위한 이미지화 광학 시스템(imaging optical system)으로 인하여 발생한다. 따라서 종래의 광학 시스템을 포함하는 백색 LEDs는 중앙에 푸른 빛을 띠고 가장자리에 황색을 띠는 전형적인 불균일한 백색 방출을 나타낸다.
발광다이오드 칩에 의해 방출되는 광을 가능한 균일한 혼합 백색광으로 변환하기 위하여 종래기술로 다양한 장치들이 알려져 있다. 두 가지 공지된 구성이 도 5 내지 7에 도시되어 있으며 이하 간략히 설명한다.
도 5 및 도6에 도시되어 있는 공지된 제1 발광다이오드 장치(100)는 베이 스(102)에 배치되는 발광다이오드 칩(101)을 포함한다. 베이스(102)는 열전도 절연층(thermally conductive insulating layer)(103)으로 구성될 수 있고, 열전도 절연층(103)의 상측면에는 도선(conductor path)(104)을 포함하는 전기적 전도층(electrically conductive layer)이 배치되고, 그 위에 LED 다이(101)가 배치된다. LED 다이의 전기적 접촉은 발광다이오드 칩(101)의 상면으로 연결되는 본딩 와이어(bonding wire)(105)에 의하여 도선(104)으로부터 측면으로 이루어진다.
발광다이오드 칩(101)에 의해 방출되는 광의 색변환을 위하여, 발광다이오드 칩(101)은 색변환재(106)로 완전히 채워진 반구형 봉지재(encapsulation)에 의해 둘러싸인다. 이와 같은 장치에서는 반구형 봉지재로써 거의 균일한 길이의 광경로를 형성하는 것이 가능하기 때문에 균일한 표면색을 얻을 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 귤절율 n = 1의 공기에 대하여 굴절율 n ≒ 1.4 내지 1.6을 갖는 봉지재를 이용하여 방출되는 광은 변환되지 않은 청색광의 부분 방출과 색변환재(106)인 형광체에 의하여 색변환된 광의 부분 방출이 국부적인 균등화를 이룰 수 있도록 한다. 이와 같이, 결과적으로 방출되는 혼합광(light mixture)은 색깔에 있어서 균질화되는 것이다.
그러나, 이러한 공지의 구성에서는 발광다이오드 칩(101)이 실질적으로 하나의 점(point)으로 여겨질 수 있고 봉지재는 발광다이오드 칩(101)의 광방출 영역보다 실질적으로 더 커야할 것이 요구된다. 다시 말해서 이러한 시스템의 이미지화를 위해 매우 큰 렌즈가 필요하게 되는 단점을 초래하는데, 왜냐하면 광을 효과적으로 직진시키기 위해 발광 표면은 렌즈에 대하여 거의 점으로 작동되어야 하기 때문이 다. 색변환을 위한 사용 가능한 반구의 최소 크기는 발광다이오드 칩(101)의 가장자리 길이의 거의 3 내지 4배이고, 렌즈의 크기는 발광 표면의 거의 10 내지 20배이어야 한다.
도 6은 반구형 변환기 구조(spherical converter geometry)와 렌즈(107)가 포함된 백색광 LED 장치 및 그 작동상태를 보여준다. 광의 이미지화를 위하여 단지 제한된 방출 각도 범위가 사용될 수 있으므로, 반구형 변환기의 경우는 많은 측면광의 손실이 예정되는데, 이런 방출 특성에 의하여 광의 일정 비율이 렌즈(107)에 의해 이미지화될 수 없게 된다.
그러나, 반구형 모양으로 배치되는 광변환 물질을 대신하여 일정한 두께를 가진 코팅을 사용할 수 있으며, 이러한 장치는 도 7에 도시된다.
먼저, 두 번째 변형 예인 이 발광다이오드 장치(120)는 또한 절연층(123)과 도선(124) 층으로 구성되는 베이스(122)에 배치되는 발광다이오드 칩(121)으로 구성된다. 첫 번째 공지된 장치의 경우와 마찬가지로, 전기적 접촉은 발광다이오드 칩(121)의 상측면으로 연결되는 본딩 와이어(125)에 의하여 이루어진다.
여기에서는 색변환재(126)가 일정한 두께를 가지고 발광다이오드 칩(121)의 표면 전체를 균일하게 덮도록 배치된다. 그리고 색변환재(126)를 나가는 광선은 렌즈(127)에 의하여 다시 조준된다.
만일 코팅이 매우 얇은 것으로 채택된 경우, 발광다이오드 칩(121)의 전극 구조가 보이게 되고, 작은 방출각(예를 들어 10°이하)으로 투사되는 광은 투사되는 영역에서 불균일한 투사를 초래한다. 색변환재(126)의 층이 매우 얇은 경우, 이 러한 전극 구조는 또한 색의 불균일성을 만들 수 있다. 이는 발광다이오드 칩(121)의 더 넓은 영역에서 광을 발하지 않는 경우에 대한 것이다.
반대로 만일 층이 매우 두꺼운 경우, 층의 가장자리에서는 광이 다른 색으로 방출될 위험이 존재한다. 그러나, 적어도 전극 구조는 더 이상 보이지 않게 되고, 보다 넓은, 비발광 전극 구조에 기인한 색의 불균일성을 피할 수 있게 된다.
그러므로 이러한 공지된 장치에서 측면으로 방출되는 광선은 단지 일부분만이 투사(imaging)에 사용된다. 층의 두께가 증가됨에 따라 더욱 많은 광이 측면을 통해 방출되고, 그 결과 활용 가능한 광량은 더욱 줄어들게 된다. 따라서 달성 가능한 균일한 백색광 방출과 광학 시스템을 이용하여 이것을 투사(imaging)할 가능성과 관련하여, 이러한 공지된 장치 또한 결점을 가지게 된다.
발광다이오드 장치에 대하여, 도 5 내지 7에 도시된 공지된 구성의 중간 정도의 구성을 갖는 구조물이 존재한다. 그러나 도 6에 도시한 발광다이오드 장치의 구조 높이만이 실질적으로 허용 가능한 높이를 갖기 때문에, 상기 중간 정도의 구성을 갖는 구조물은 실현될 수 없다.
색변환재를 이용하지 않고 백색광을 생성할 가능성은 WO 02/50472 A1에 개시되어 있다. 이 공개 출원에는 깔때기 모양의 반사기를 갖는 베이스 면의 기저에 다른 색의 발광다이오드 칩을 다수 배치한 발광다이오드 장치가 기술되어 있다. 반사기의 특별한 구성뿐만 아니라 다른 색깔의 발광다이오드 칩들을 갖는 상기 장치는 발광다이오드 칩들로부터 방출되는 광이 전체적으로 혼합되어 백색광을 만들도록 한다. 그러나, 이러한 공개된 구조는 하나의 발광다이오드 칩이 사용될 수 있는 도 5 내지 7에 각각 도시한 구조와 비교하여 매우 복잡하다.
상술한 본 발명의 목적은 청구항 1의 특징을 가진 발광다이오드 장치를 이용하여 이룰 수 있다. 본 발명의 개선된 이점은 종속항에 나타낸다.
베이스에 배치되는 발광다이오드 칩과 상기 발광다이오드 칩을 둘러싸고, 상기 발광다이오드 칩에 의해 방출되는 광의 적어도 어느 한 부분을 다른 파장의 광으로 변환하도록 구성되는 색변환재를 포함하는 발광다이오드 장치를 제안한다. 본 발명에 따르면, 상기 색변환재는 반사기에 의해 측면이 둘러싸이고, 상기 발광다이오드 칩에서 상기 반사기 간의 거리는 최대 0.5 mm 이다. 바람직하게는 상기 발광다이오드 칩과 상기 반사기 간의 거리는 단지 0.1 mm 에서 0.2 mm 사이의 범위이다.
따라서 본 발명에 따르면, 공지된 색의 불균일성을 제거하기 위하여, 색변환재는 측면에서 반사기(바람직하게는 수직으로 배치)에 의하여 경계가 만들어진다. LED 칩을 반사기 또는 반사용 부재(reflector elements)로 둘러싸는 것이 이미 공지된 것일지라도, 상기 공지된 경우에서는 발광다이오드 칩과 반사기 간의 거리가 본 발명에 의해 제시된 것보다 매우 크다. 그 이유는 종래기술에서는 반사용 부재가 발광다이오드 칩으로부터 이미 특정 방향으로 방출되는 광을 조준하기 위하여, 상기 분사용 부재가 독점적으로 제공되기 때문이다. 본 발명에 따른 반사기의 주요 목적은 혼합된 광의 균일한 방출을 얻기 위해 색변환재를 통하는 광의 경로를 최적화하는데 있다.
따라서, 우선 측면의 광방출이 반사기에 의해 배제되는데, 이것은 단지 부분적으로만 사용되고 있었던 측면 광방출이 굴절 렌즈에 의해 투사되는 것이다. 한편 반사기를 이용함으로써, 발광다이오드 칩의 상측의 색변환재를 위한 더 큰 층의 두께를 형성할 수가 있다. 이와 같이 층의 두께가 더 크게 되면, 광의 색혼합을 더 좋게 만들어서 발광다이오드 칩의 전극 구조가 더 이상 색변환재를 통하여 드러나지 않도록 한다. 다른 이점은 반사기의 도움으로 이미지화되는 영역의 크기를 가능한 작게 유지하는데 이용 가능한 광학 시스템의 구조의 크기가 특정 렌즈의 범위로 유지되도록 한다.
발광다이오드 칩의 상측면을 덮는 색변환재의 두께는 적어도 0.05 mm 이고, 특히 상기 두께는 발광다이오드 칩과 반사기 사이의 거리보다 큰 적어도 0.05 mm 가 되도록 마련된다.
앞서 언급한 바와 같이, 광학 시스템은 발광다이오드 칩에 의해 방출되는 광을 조준하기 위해 제공된다. 이 광학 시스템은 한편으로 발광다이오드 칩과 색변환재를 둘러싸는 렌즈일 수 있다. 다른 한편으로 이 렌즈는 광방출 방향에서 보았을 때, 발광다이오드 칩의 정면에 배치되어 이용될 수 있다. 본 발명의 바람직한 일 측면에 따르면, 상기 렌즈가 색변환재의 표면으로부터 이격되어 배치될 수 있는데, 특히 공기 갭(air-gap)에 의해 이격되어 배치될 수 있다. 이하 이런 특별한 구성으로부터 얻을 수 있는 특히 좋은 혼합, 그리고 이에 의하여 색이 균일한 광의 방출을 얻는 것에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
바람직하게는 색변환재의 전체 높이까지 둘러싸는 반사기는 한편으로 금속일 수 있다; 그러나 또한 확산되도록 반사하는 물질로 반사기를 형성하는 것을 생각할 수 있는데, 이 경우에 예를 들면 테프론(Teflon)이나 다른 적당한 물질일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 장치를 나타낸 것이다.
도 2는 색변환을 위해 사용되는 색변환재의 기하학적 크기(geometric dimensions)를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 장치를 나타낸 것이다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 장치를 나타낸 것이다.
도 5 내지 7은 종래의 발광다이오드 장치를 나타낸 것이다.
이하, 본 발명에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다.
먼저 참조부호 1로 표시되어 도 1에 개시되어 있는 발광다이오드 장치는 베이스(3)에 배치되는, 바람직하게는 청색광을 방출하는 발광다이오드 칩(2)을 포함한다. 베이스(3)는 도선(5)을 포함하는 전기적 전도층뿐만 아니라 절연층(4)을 포함한다. 발광다이오드 칩(2)의 전기적 연결을 위해 본딩 와이어는 도선들로부터 칩의 상면으로 이어진다. 베이스(3)는 다른 방법으로 구성될 수 있음을 주의하여야 한다. 특히, 발광다이오드 칩(2)으로부터 효과적인 열 소산이 가능하도록 특별한 수단이 채용될 수 있다.
발광다이오드 칩(2)에 의해 방출되는 광을 혼합 백색광으로 변환하기 위해, 발광다이오드 칩(2)을 둘러싸고 그리고, 특히 광의 적어도 어느 한 부분을 다른 파장의 광으로 변환하는 색변환입자, 특히 형광체를 포함한다. 본 발명에 의하면, 발광다이오드 칩(2)과 색변환재(7)는 반사벽(reflective wall)(8)에 의해 둘러싸인다. 반사벽(8)은 예컨대 금속 반사기에 의해 형성되거나 또는 확산적으로 반사하도록 매우 작은 반사기 또는 확산하여 반사하는 구성으로 형성될 수 있다. 이것의 예로 반사벽(8)이 테프론(Teflon) 또는 황산바륨(barium sulfate)으로 구성될 수 있다. 종래의 발광다이오드 장치와 달리, 반사벽(8)은 발광다이오드 칩(2)의 주변에 0.5 mm 보다 작은 거리에 적용되며, 최적으로 발광다이오드 칩(2)의 측면으로부터 대략 0.1 mm 내지 0.2 mm 가 적용된다.
바람직하게는 수직으로 향하는 반사벽(8)에 의해 발광다이오드 칩(2)의 측면으로 방사되는 광은 다시 반사되며, 이에 따라 광 방출 영역의 크기는 반사기(8)의 상측 개방된 부분에 한정된다. 발광다이오드 칩(2)으로부터 측면으로 나가는 광은 백색의 특정한 분포를 가지고 색변환재(7)의 상측면에서 둘러싸고 있는 색변환재(7)에서 부분적으로 변환되고, 또한 흡수되지 않은 성분과 형광체 입자를 통해 먼저 통과한 변환되지 않은 성분은 반사벽(8)에서 반사되어 첫 번째로 향하게 된다.
LED 칩(2), 색변환재(7) 및 반사기(8)를 구비하는 장치는 최종적으로 광학 시스템에 의해 둘러싸인다. 광학 시스템은 상기 장치를 둘러싸는 렌즈(9)에 의해 형성된다. 렌즈(9)는 색변환재(7)의 상측면에서 나가는 광을 소망하는 방식으로 투사하기 위하여 상측 부분에만 굴곡면을 가지도록 구성된다. 그러나 원통 모양의 렌 즈의 아랫부분은 광학적 기능을 가지지 않는데, 왜냐하면 반사기(8)의 도움으로 광방출 영역을 한정함으로써 이 부분에는 어떠한 경우에도 광이 나가지 않기 때문이다. 따라서 반사기(8)는 렌즈가 아주 간단하고 컴팩트하게 구성되어 사용될 수 있도록 하고, 그럼에도 불구하고 발광다이오드 칩에서 방출되는 광이 색변환재(7)에 의해 적절히 변환된 경우 광을 전부 투사시킬 수 있다. 바람직하지 못한 색혼합을 가지며 결과적으로 이용할 수 없는 측면으로 나가는 광은, 본 발명에 따른 발광다이오드 장치에서는 이러한 광이 생기지 않는다.
본 발명에 따른 발광다이오드 장치(1)의 특정 크기는 도 2에서 다시 한번 명확히 한다. 도 2는 본 발명에 따른 발광다이오드 장치의 두 번째 실시예의 일부를 나타낸다. 도 2를 통해 알 수 있는 바와 같이, 발광다이오드 칩(2)의 측면과 반사기(8) 사이의 거리를 x라 표시하고, 반면 발광다이오드 칩(2)의 상측면에서 색변환재(7)의 상측 표면까지의 거리를 h라 표시한다. 본 발명에 의해 앞서 언급한 발광다이오드 칩과 반사기(8) 사이 거리 x 는 본 발명에서 작게 그리고 최대 0.5 mm 가 되도록 선택되는데, 바람직하게는 0.1 mm 내지 0.2 mm 의 범위가 선택된다. 그러나, 색변환 층(7)의 높이 h는 적어도 0.05 mm에 해당되고, 더욱 바람직하게는 최소 높이 hmin = 0.05 mm + x 의 관계가 적용되는 높이가 선택된다. 원칙적으로 높이가 높을수록 혼합광의 생산이 최적화되므로 색변환층의 높이 h에 대한 상한을 설정해 문제로 발생하지 않는다. 처음에 언급한 바와 같이, 발광다이오드 칩(2)에서 방출되는 광의 변환 비율은 색변환재(7)를 투과한 광경로의 길이에 비례하기 때문에, 이러한 이유로 인하여 균일한 광방출을 얻기 위해 가능한 큰 두께를 적용하려 한다. 그러나, 제조상의 기술적인 이유로 인하여, 두께 h의 상한은 3 mm 로 선택되는데, 이에 의하면 전체적으로 발광다오드 장치의 구성이 가능한 컴팩트이고 평평하게 되도록 할 수 있다.
도 1에 도시된 일 실시예에 따른 발광다이오드 장치와 비교되는 다른 실시예에 따른 장치가 도 2에 도시된다. 도 2의 장치에서는 더 이상 본딩 와이어에 영향을 받지 않고 발광다이오드 칩(2)의 전기적 연결이 이루어진다는 점에서 도 1과 비교된다. 대신에, 칩(2)은 도시된 구성에서 “아래쪽을 향해(face down)”, 즉 반대로 뒤집혀 배치된다. 이러한 경우에 전기적 연결은 소위 범프(bumps)(10)에 의해 이루어지는데, 범프(10)는 도선(5)의 층과 칩(2)의 표면을 직접적으로 연결시킨다. 베이스(3) 위의 발광다이오드 칩(2)이 이와 같이 배치되는 것은 플립칩(flip-chip) 기술로서 종종 기술되는데, 이러한 장치는 다른 것들보다도 이점이 있는데, 왜냐하면 광의 강도와 관련하여 이러한 조립 기술로 향상된 광 수취율을 얻을 수 있도록 하기 때문이다. 다른 무엇보다 이는 본딩 와이어가 필요 없으며 방출면에 그림자가 생기지 않는다는 것으로 설명될 수 있다. 발광다이오드 장치의 완전한 배치는 렌즈 장치(9)에 의해 반사기(8), 색변환재(7) 및 발광다이오드 칩(2)이 둘러싸이는 배치로 도 3에 도시된다.
위에서 설명한 본 발명의 두 가지 실시예에서는 색변환재(7)와 반사기(8)가 렌즈(9)를 형성하는 광학 시스템에 의해 직접적으로 둘러싸이는 것에 대하여 설명하였다. 도 4a 및 4b에는 본 발명의 세 번째 실시예에 따른 발광다이오드 장치(1) 가 도시되어 있는데, 색변환재(7)의 표면으로부터 일정 거리 떨어져 배치되는 소위 보조 렌즈(ancillary lens)(11)가 사용되는 발광다이오드 장치(1)를 설명한다. 먼저, 발광다이오드 장치(1)는 도 3의 실시예에서 설명한 것과 동일한 구성 요소를 포함하고, 동일한 구성 요소는 동일한 참조번호가 부여된다. 이에 추가하여, 도선(5)을 포함한 전기적 전도층의 표면에 스페이서(spacers)(12)가 배치되고, 스페이서(12)의 상측면에는 보조 렌즈(11)가 배치된다. 예를 들어 다른 종류의 절연층으로 형성될 수 있는 스페이서(12)의 높이는 보조 렌즈(11)가 색변환재(7)로부터 작은 공기 갭(13)을 가지고 이격될 수 있도록 선택된다. 이로서 색변환재(7)의 상측면으로부터 광의 효과적인 투사가 가능해 진다.
다시 말해서 색변환재(7)의 상측면을 통하여 나가는 광은 공기 갭(13)을 지나 보조 렌즈(11)로 연결된다. 형광체에 의한 조절과 형광체로부터 공기로의 굴절율 변화에 때문에 색변환재(7)로부터 방출되는 광은 ‘광방출은 모든 방향에 근본적으로 동일한 크기를 가진다’는 람베르트(Lamber)의 법칙에 따라 분포된다. 다음으로 보조 렌즈(11)에 광이 들어갈 때 광 분포는 렌즈의 굴절율에 따라 조준되는데, 보조 렌즈(11)의 굴절율이 n = 1.5 인 경우에는, 상기 광 분포는 ± 41.8° 범위에서 조준된다. 이러한 결과는 도 4b에 도시된다. 렌즈(11)로부터 나가자마자, 광선들은 40° 렌즈의 최대로 21.8°가 편향되어야 하는데, 이는 많은 지출 없이 실현되고 특히 더 많은 손실 없이 실현될 수 있다.
상술한 바와 같이, 반사기로 경계를 형성하는 색변환재를 포함하는 구조는 프레넬(Fresnel) 반사를 제외하고 거의 100%의 광의 투사의 가능성을 제공한다. 이에 따라, 종래기술과 비교하여 원하는 목표 영역에서의 유용한 광의 요소가 실질적으로 증가될 수 있다. 동시에 더욱 효과적인 색혼합을 얻을 수 있고, 이에 의해 렌즈 또는 다른 종래의 광학 시스템에 의해서도 효과적인 방법으로 혼합 백색광이 균일화게 투사될 수 있도록 보증한다.

Claims (15)

  1. 베이스(base)에 배치되는 발광다이오드 칩; 및
    상기 발광다이오드 칩의 측면을 둘러싸고 상부를 덮으며, 상기 발광다이오드 칩에 의해 방출되는 광의 적어도 어느 일부를 다른 파장의 광으로 변환하도록 구성되는 색변환재(color converting material)를 포함하되,
    상기 색변환재는 반사기(reflector)에 의해 측면이 둘러싸이고, 상기 발광다이오드 칩에서 상기 반사기까지의 수평 거리는 0.1 mm 에서 0.5 mm 사이이며, 상기 반사기는 수직으로 향하며 확산 반사하도록 구성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩(2)으로부터 상기 반사기(8) 간의 상기 거리(x)는 0.1 mm 에서 0.2 mm 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 반사기(8)는 상기 색변환재(7)의 전체 높이보다 높게 둘러싸는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩(2)의 상측면을 덮는 상기 색변환재(7)의 두께(h)가 적어도 0.05 mm 인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩(2)의 상측면을 덮는 상기 색변환재(7)의 상기 두께(h)가 상기 발광다이오드 칩(2)과 상기 반사기(8) 사이의 상기 거리(x)보다 적어도 0.05 mm 더 큰 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩(2)의 상측면을 덮는 상기 색변환재(7)의 상기 두께(h)가 최대 3 mm 인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
  8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩(2)에 의해 방출되는 광을 조준(collimating)하는 광학 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 광학 시스템은 상기 발광다이오드 칩(2) 및 상기 색변환재를 둘러싸는 렌즈(9)로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 광학 시스템은 광의 방출 방향에 대해 상기 발광다이 오드 칩(2)의 정면에 배치되는 렌즈(11)로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 렌즈(11)는 상기 색변환재(7)의 표면으로부터 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 렌즈(11)는 공기 갭(air-gap)에 의해 상기 색변환재(7)의 표면으로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
  13. 삭제
  14. 제 1항에 있어서, 상기 반사기(8)는 황산바륨으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
  15. 제 1항에 있어서, 상기 반사기(8)는 테프론(Teflon)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 장치.
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