KR101160935B1 - 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치 - Google Patents

배치식 증착 장치의 가스 분사 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 진공 챔버(100)의 내부에 적층된 다수의 기판에 다수의 가스를 공급하여 일괄적으로 기판 처리하는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치로서, 상기 진공 챔버(100)의 내측에 배치되며, 기판의 적층 방향을 따라 Ga의 저장공간이 배치되고, HCl 가스가 각각 공급되어 적층된 각각의 기판에 GaCl을 교대로 공급하는 다수의 갈륨 공급부(110); 상기 갈륨 공급부(110)의 일측에 배치되며, NH3가스를 공급하는 다수의 질소 공급관(120, 121, 122); 및 상기 갈륨 공급부(110)의 일측에 배치되며, H2가스를 공급하는 다수의 캐리어 공급관(125, 126)을 포함하고, 상기 다수의 갈륨 공급부(110)의 상기 저장공간(113)은 적층된 기판에 교대로 대응되게 배치되며, 상기 저장공간(113)은 기판의 사이의 간격보다 길게 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

배치식 증착 장치의 가스 분사 장치{Gas Injector For Batch Type Vapor Deposition Apparatus}
본 발명은 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다수의 엘이디 기판 상에 질화갈륨 층을 일괄적이면서 균일하게 증착할 수 있는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치에 관한 것이다.
질화갈륨(GaN)은 III-V 화합물 반도체로서 청색, 녹색, 자외선 영역에서 동작하는 반도체 레이저 및 발광 다이오드 등 광소자 뿐만 아니라 고온, 고출력에서 동작하는 HEMT, FET 등 전자소자 등과 같은 고온 고출력 전자 소자의 재료로 많이 사용되고 있다.
GaN 화합물 반도체층은 주로 사파이어(Al2O3) 또는 SiC와 같은 이종 기판 위에 성장 속도가 수십 내지 수백 ㎛/h로 빠른 HVPE(hydride vapor phase epitaxy)법을 이용하여 형성된다.
한편, 종래의 GaN 화합물 반도체층 형성을 위한 HVPE 장치는 한 번의 공정으로 하나의 기판을 처리할 수 있는 매엽식으로서 생산 효율이 떨어지는 문제점이 있었다. 따라서, 이러한 매엽식 장치를 개선하여 한 번의 공정으로 다수의 기판을 처리할 수 있는 배치식 HVPE 장치가 제안되었다. 그러나, 배치식 HVPE 장치는 다수의 기판을 처리하는 관계로 다수의 가스 노즐을 설치해야 하므로 증착 공간을 제공하는 챔버의 구조가 복잡해지고, 챔버 내에서 다수의 가스를 균일하게 혼합하여 기판에 공급하기 위한 가스의 유동 구조가 복잡해지는 문제점이 있었다. 그리고, 갈륨의 저장공간이 기판 사이의 간격보다 작게 형성되어 갈륨의 저장용량이 작기 때문에 원하는 증착 층의 두께를 형성하기 위해 충분한 시간 동안 갈륨 소스를 제공하지 못하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점들을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 다수의 엘이디 기판에 질화갈륨 층을 균일하게 증착하여 다수의 기판에 질화갈륨 층을 처리하는 생산 효율을 향상시킬 수 있고, 갈륨의 저장용량을 보다 크게 개선하여 충분한 시간 동안 갈륨 소스를 제공하고 원하는 증착 층의 두께를 얻을 수 있는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치는, 진공 챔버(100)의 내부에 적층된 다수의 기판에 다수의 가스를 공급하여 일괄적으로 기판 처리하는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치로서, 상기 진공 챔버(100)의 내측에 배치되며, 기판의 적층 방향을 따라 Ga의 저장공간이 배치되고, HCl 가스가 각각 공급되어 적층된 각각의 기판에 GaCl을 교대로 공급하는 다수의 갈륨 공급부(110); 상기 갈륨 공급부(110)의 일측에 배치되며, NH3 가스를 공급하는 다수의 질소 공급관(120, 121, 122); 및 상기 갈륨 공급부(110)의 일측에 배치되며, H2 가스를 공급하는 다수의 캐리어 공급관(125, 126)을 포함하고, 상기 다수의 갈륨 공급부(110)의 상기 저장공간(113)은 적층된 기판에 교대로 대응되게 배치되며, 상기 저장공간(113)은 기판의 사이의 간격보다 길게 형성될 수 있다.
상기 갈륨 공급부(110)는 기판의 외측에 원주 방향으로 두 개가 유격되어 배치되며, 상기 질소 공급관(120, 121, 122)는 상기 갈륨 공급부(110)와 상기 기판 사이에 세 개가 원주 방향으로 배치될 수 있다.
상기 갈륨 공급부(110)의 각 저장공간(113)의 상부에는 Ga가스가 상승하여 통과하고 HCl 가스가 공급되는 반응공간(114)과, 상기 반응공간(114)에서 생성된 GaCl을 유출하는 유출구(111, 112)가 형성될 수 있다.
상기 캐리어 공급관(125, 126)은 상기 갈륨 공급부(110)의 외측에 두 개가 원주 방향으로 배치될 수 있다.
상기 캐리어 공급관(125, 126)에는 N2 가스가 함께 공급될 수 있다.
상기 갈륨 공급부(110)의 반대편 기판의 외측에는 다수의 배기관(130)이 설치될 수 있다.
상기 배기관(130)은 상기 각각의 갈륨 공급부(110)에 대향하게 배치되며, 상기 각각의 갈륨 공급부(110)의 유출구(111, 112)에 대응하는 흡입구(131, 132)를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따른 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치는 다수의 갈륨 공급부가 적층된 기판에 교대로 갈륨이 대응되게 구성되어 적층된 기판 사이의 간격보다 길게 갈륨의 저장공간이 형성되므로 갈륨의 저장용량이 보다 크게 개선되어 충분한 시간 동안 갈륨 소스를 제공하고 원하는 증착 층의 두께를 얻을 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치는 다수의 관로에서 제공되는 서로 다른 가스의 유동 방향이 갈륨가스와 중첩되어 화학 반응이 원활하게 이루어지므로 다수의 엘이디 기판에 질화갈륨 층을 균일하게 증착할 수 있으며, 다수의 기판에 질화갈륨을 처리하는 생산 효율을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 증착 장치의 진공 챔버에 대한 개략적인 단면도이다.
도 2는 하나의 갈륨 공급부와 기판의 배치 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판의 주위에 갈륨 공급부와 질소 공급관이 배치된 평면도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 증착 장치의 진공 챔버에 대한 개략적인 단면도이다.
도 2는 하나의 갈륨 공급부와 기판의 배치 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판의 주위에 갈륨 공급부와 질소 공급관이 배치된 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 증착 장치는 진공 챔버(100)의 내부에 적층된 다수의 기판에 다수의 가스를 공급하여 일괄적으로 기판 처리하는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치로서, 진공 챔버(100)의 내측에 배치되며 기판의 적층 방향을 따라 Ga이 교대로 배치되고 HCl 가스가 각각 공급되어 적층된 각각의 기판에 GaCl을 교대로 공급하는 다수의 갈륨 공급부(110), 갈륨 공급부(110)의 일측에 배치되며 NH3 가스를 공급하는 다수의 질소 공급관(120, 121, 122), 및 갈륨 공급부(110)의 일측에 배치되며 H2 가스를 공급하는 다수의 캐리어 공급관(125, 126)을 포함할 수 있다.
갈륨 공급부(110)는 기판의 적층 방향을 따라 유출구(111, 112), Ga의 저장공간(113), 및 반응공간(114)이 함께 배치될 수 있다. 유출구(111, 112)는 저장공간(113)의 상부에서 갈륨 공급부(110)의 측벽에 형성될 수 있다. 저장공간(113)은 다수의 갈륨 공급부(110)에서 적층된 기판에 교대로 대응되게 배치되어 기판의 사이의 간격보다 길게 형성될 수 있다. 도 2에서 점선으로 이루어진 기판은 도 1의 다른 위치에 배치된 갈륨 공급부(110)의 대응되는 저장공간(113)으로부터 갈륨을 제공받는 기판이다. 도 2에서 점선으로 이루어진 갈륨 공급부는 기판에 대한 배치구조를 쉽게 표현하기 위해 편의상 실선의 갈륨 공급부에 대면하게 배치되어 있으나, 실질적으로 도 1과 같은 배치로 봐야 한다. 갈륨 공급부(110)의 반응공간(114)은 저장공간(113)의 상부에 배치되며 Ga가스가 상승하여 통과하고 HCl 가스가 공급될 수 있다. 반응공간(114)에서 생성된 GaCl는 유출구(111, 112)를 통하여 유출될 수 있다.
갈륨 공급부(110)는 단면이 박스 형상으로 기판의 적층 방향을 따라 길이가 길게 형성될 수 있다. 갈륨은 갈륨 공급부(110)에 작은 덩어리 형태로 갈륨 공급부(110)의 높이 방향을 따라 일정 간격으로 배치될 수 있다. 갈륨 공급부(110)는 적층 구조이며, 적층된 구조를 이루는 단위 요소에 갈륨이 간격을 두고 배치될 수 있다. 갈륨 공급부(110)는 기판 외측의 다수 위치에서 갈륨을 공급할 수 있도록 다수의 위치에 배치되며, 갈륨은 각각의 갈륨 공급부(110)에서 교대로 기판에 대응되게 적층될 수 있다. 즉, 하나의 기판에 대해 하나의 갈륨 공급부(110)의 갈륨이 제공되며, 그 위와 아래에는 다른 갈륨 공급부(110)의 갈륨이 제공될 수 있다. 각각의 갈륨 공급부(110)은 하나의 갈륨 공급부의 갈륨에 대한 저장공간이 기판에 일대일로 대응하여 이루어진 구조보다 저장공간(113)이 더 길게 형성될 수 있어서, 더 많은 갈륨을 저장할 수 있고, 더 긴 시간동안 갈륨 가스를 제공할 수 있다. 각각의 갈륨 공급부(110)의 저장공간(113)은 적어도 하나 이상의 기판을 걸러서 기판에 대응되게 배치되어 갈륨 가스를 제공하게 되는데, 소스로서 제공되기 위한 대응을 거르는 기판의 개수에 비례하여 길이가 길게 형성될 수 있다. 세 개의 갈륨 공급부(110)가 배치되는 경우, 각각의 갈륨 공급부(110)의 하나의 저장공간(113)은 임의의 세 개의 적층된 기판 중 하나의 기판에 갈륨 가스를 제공하며, 다른 두 개의 갈륨 공급부(110)의 저장공간(113)은 각각 상하로 배치된 하나씩의 기판에 갈륨 소스를 제공할 수 있는데, 저장공간(113)은 세 개의 기판이 적층된 높이만큼 길이가 형성될 수 있다.
Ga 가스는 갈륨 덩어리가 열에 의해 기화되어 가스로 변화된 것으로서, 갈륨 공급부(110)에 함께 제공되는 HCl 가스와 화학 반응에 의해 염화갈륨(GaCl) 가스를 생성할 수 있다. 염화갈륨 가스는 갈륨 공급부(110)의 유출구(111, 112)를 통해 기판 측으로 유동된다. 이때, 각각의 갈륨 공급부(110)에서 기판의 중심을 통과하는 방향으로 염화갈륨 가스가 이동될 수 있다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 갈륨 공급부(110)는 기판의 외측에 원주 방향으로 두 개가 유격되어 배치되며, 질소 공급관(120, 121, 122)는 갈륨 공급부(110)와 기판 사이에 세 개가 원주 방향으로 배치될 수 있다. 즉, 갈륨 공급부(110)의 외측에 질소 공급관(120, 121, 122)가 원주 방향으로 배치되는데, 갈륨 공급부(110)들 사이에 하나의 질소 공급관(120, 121, 122)가 배치되고, 그 양측에 두 개의 질소 공급관(120, 121, 122)가 배치될 수 있다.
갈륨 공급부(110)와 기판 사이에서 기판에 원주 방향으로 배치된 질소 공급관(120, 121, 122)은 염화갈륨 가스와 반응하기 위한 NH3를 공급하기 위한 것으로서, 기판의 적층 방향을 따라 각각의 기판의 중심부를 향해 NH3가스를 유출시킬 수 있는 구멍 또는 관로(미도시)가 수평으로 형성될 수 있다. 질소 공급관(120, 121, 122)은 갈륨 공급부(110)보다 더 많이 원주 방향으로 배치되어 더 많은 지점에서 기판의 반경 방향으로 NH3 가스를 공급할 수 있다. 질소 공급관(120, 121, 122)에서 공급된 NH3 가스는 염화갈륨(GaCl) 가스와 반응하여 기판에 일정 두께로 고르게 증착되는 질화갈륨(GaN) 층을 생성할 수 있다.
다시, 도 1과 도 3을 참조하면, 캐리어 공급관(125, 126)은 갈륨 공급부(110)의 외측에 두 개가 원주 방향으로 배치될 수 있다. 캐리어 공급관(125, 126)은 캐리어 가스를 공급하는데, H2와 N2 가스가 함께 공급될 수 있다. H2 가스는 NH3 가스와 염화갈륨(GaCl) 가스의 반응에 사용되며, N2는 진공 챔버(100)에서 균일한 증착 분위기를 형성하며 H2를 기판 상의 NH3 가스와 염화갈륨(GaCl)의 반응 영역으로 원활하게 이동시킬 수 있게 한다.
갈륨 공급부(110)의 반대편 기판의 외측에는 다수의 배기관(130)이 설치될 수 있다. 배기관(130)은 기판의 증착 반응 후에 생성되는 HCl과 2H2를 흡입하며, N2 가스도 흡입하여 배기하는 역할을 수행할 수 있다. 배기관(130)은 진공펌프(미도시)와 연결된 진공 배기계(미도시)에 연결될 수 있다. 배기관(130)은 각각의 갈륨 공급부(110)와 대향하게 배치되며, 각각의 갈륨 공급부(110)의 유출구(111, 112)에 대응하는 흡입구(131, 132)를 포함할 수 있다. 배기관(130)에서 각 갈륨 공급부(110)에 대응하는 흡입구(131, 132)는 포트 방식이나, 구멍 방식으로 제공될 수 있다. 갈륨 공급부(110)의 유출구(111, 112)와 배기관(130)의 흡입구(131, 132)는 일대일 대응으로 구비될 수 있다.
전술한 갈륨 공급부(110)의 도시가 자세하게 이루어지지는 않았으나, 기판의 적층된 높이 방향을 따라 조립된 박스 형상의 조립 블록일 수 있다. 질소 공급관(120, 121, 122)과 캐리어 공급관(125, 126)은 기판의 최하부에 배치된 가스 공급부(미도시)에 연결되어 각각의 가스를 공급받을 수 있는 튜브 형상일 수 있다. 갈륨 공급부(110), 질소 공급관(120, 121, 122), 캐리어 공급관(125, 126) 및 배기관(130)은 질화갈륨의 증착 속도와 한 층당 배치되는 기판의 개수에 따라 설치되는 개수가 조정될 수 있다.
한편, 본 발명에서 기판은 사파이어 기판이 선택될 수 있다. 사파이어 기판은 알루미나(Al2O3)가 2,300℃ 이상의 고온에서 성장하여 제조되는 단결정 기판이다. 사파이어는 광학 특성, 열 전달 특성, 저온 및 고온 안정성, 기계적 특성이 우수한 세라믹 재료로서, 질화갈륨 에피층(epi-layer)이 성장하는 데에 적합한 대리 기판이라 할 수 있다.
상기와 같이 기술된 본 발명의 실시예들에 대한 도면은 자세한 윤곽라인을 생략한 것으로서, 본 발명의 기술사상에 속하는 부분을 쉽게 알 수 있도록 개략적으로 도시한 것이다. 또한, 상기 실시예들은 본 발명의 기술사상을 한정하는 기준이 될 수 없으며, 본 발명의 청구범위에 포함된 기술사항을 이해하기 위한 참조적인 사항에 불과하다.
100: 진공 챔버
110: 갈륨 공급부
111, 112: 유출구
113: 저장공간
114: 반응공간
120, 121, 122: 질소 공급관
125, 126: 캐리어 공급관
130: 배기관
131, 132: 흡입구

Claims (7)

  1. 진공 챔버(100)의 내부에 적층된 다수의 기판에 다수의 가스를 공급하여 일괄적으로 기판 처리하는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치로서,
    상기 진공 챔버(100)의 내측에 배치되며, 기판의 적층 방향을 따라 Ga의 저장공간이 배치되고, HCl 가스가 각각 공급되어 적층된 각각의 기판에 GaCl을 교대로 공급하는 다수의 갈륨 공급부(110);
    상기 갈륨 공급부(110)의 일측에 배치되며, NH3 가스를 공급하는 다수의 질소 공급관(120, 121, 122); 및
    상기 갈륨 공급부(110)의 일측에 배치되며, H2 가스를 공급하는 다수의 캐리어 공급관(125, 126)을 포함하고,
    상기 다수의 갈륨 공급부(110)의 상기 저장공간(113)은 적층된 기판에 교대로 대응되게 배치되며, 상기 저장공간(113)은 기판의 사이의 간격보다 길게 형성되는 것을 특징으로 하는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 갈륨 공급부(110)는 기판의 외측에 원주 방향으로 두 개가 유격되어 배치되며, 상기 질소 공급관(120, 121, 122)은 상기 갈륨 공급부(110)와 상기 기판 사이에 세 개가 원주 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 갈륨 공급부(110)의 각 저장공간(113)의 상부에는 Ga가스가 상승하여 통과하고 HCl 가스가 공급되는 반응공간(114)과, 상기 반응공간(114)에서 생성된 GaCl을 유출하는 유출구(111, 112)가 형성되는 것을 특징으로 하는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 캐리어 공급관(125, 126)은 상기 갈륨 공급부(110)의 외측에 두 개가 원주 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 캐리어 공급관(125, 126)에는 N2 가스가 함께 공급되는 것을 특징으로 하는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 갈륨 공급부(110)의 반대편 기판의 외측에는 다수의 배기관(130)이 설치되는 것을 특징으로 하는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 배기관(130)은 상기 각각의 갈륨 공급부(110)에 대향하게 배치되며, 상기 각각의 갈륨 공급부(110)의 유출구(111, 112)에 대응하는 흡입구(131, 132)를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치.
KR1020110054719A 2011-06-07 2011-06-07 배치식 증착 장치의 가스 분사 장치 KR101160935B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6660083B2 (en) * 2001-03-30 2003-12-09 Technologies And Devices International, Inc. Method of epitaxially growing device structures with submicron group III nitride layers utilizing HVPE
KR20040069170A (ko) * 2003-01-28 2004-08-04 엘지전자 주식회사 질화갈륨 기판 제조 장치
JP2008078452A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Tokyo Electron Ltd 被処理体の酸化装置及び酸化方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6660083B2 (en) * 2001-03-30 2003-12-09 Technologies And Devices International, Inc. Method of epitaxially growing device structures with submicron group III nitride layers utilizing HVPE
KR20040069170A (ko) * 2003-01-28 2004-08-04 엘지전자 주식회사 질화갈륨 기판 제조 장치
JP2008078452A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Tokyo Electron Ltd 被処理体の酸化装置及び酸化方法

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