KR101158110B1 - Reverse imprinting transfer apparatus and method of continuous pattern using a roll stamp - Google Patents

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이재종
임형준
최기봉
김기홍
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한국기계연구원
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Abstract

PURPOSE: An apparatus and a method for transferring continuous patterns based on a reverse-imprint technique using a roll stamp are provided to apply resist on a flexible substrate without the addition of a separate driving element. CONSTITUTION: An apparatus for transferring continuous patterns includes a wafer fixing part(100), a first wafer(210), a second wafer(220), a roll stamp(300), a flexible substrate(400), a transparent panel(500), and an ultraviolet ray irradiating unit(600). The wafer fixing part is movable to the X-axial direction. The first wafer is spaced apart from the second wafer, and both wafers are fixed on the upper side of the wafer fixing part. Resists(211, 221) are coated on the upper sides of the wafers. The roll stamp is installed on the upper sides of the wafers and is rotatable to the X-axis and the Y-axis. Patterns(310) are formed on the outer circumference of the roll stamp. A flexible substrate is installed on the upper side of the roll stamp. The roll stamp is in connection with a supplying roll(410) and a collecting roll(420) and is wound around a collecting roll. The transparent panel is fixed to be in contact with the upper side of the flexible substrate. The ultraviolet ray irradiating unit irradiates ultraviolet ray to the roll stamp.

Description

롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치 및 방법{Reverse imprinting transfer apparatus and method of continuous pattern using a roll stamp}Reverse imprinting transfer apparatus and method of continuous pattern using a roll stamp}

본 발명은 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스핀코팅을 이용해 웨이퍼 상에 얇은 레지스트 막을 형성하고, 롤스탬프를 접촉시켜 회전하여 레지스트 중의 일부를 롤스탬프의 패턴면으로 전이시킨 후 롤스탬프를 다시 유연기판에 접촉시켜 회전시키면서 경화시킴으로써, 롤스탬프에 전이된 레지스트를 유연기판에 전사되도록 하는 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치 및 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reverse pattern continuous pattern transfer apparatus and method using a roll stamp. More specifically, a thin resist film is formed on a wafer using spin coating, and a roll stamp is contacted to rotate to roll a portion of the resist. The reverse pattern printing apparatus and method of reverse imprint method using a roll stamp to transfer the resist to the flexible substrate by rotating the roll stamp to contact with the flexible substrate, and then harden while rotating the roll stamp again in contact with the flexible substrate. It is about.

일반적으로 마이크로 또는 나노미터급 패턴을 형성하기 위해서는 나노임프린트 리소그래피 기술이 활용되고 있다. 나노임프린트 리소그래피 기술의 특징은 패턴이 새겨져 있는 스탬프를 레지스트가 도포된 기판위에 접촉 및 가압을 시킨 후 가열 또는 자외선 조사를 통해서 레지스트를 경화시킴과 동시에 레지스트에 스탬프의 패턴을 전사시키게 된다. 그리고 최근에는 유연기판에 패턴을 전사하기 위해 롤 형상의 스탬프를 활용하는 사례가 늘어나고 있으며, 이는 연속되는 선 접촉을 유도함으로써 유연기판에 비교적 빠르고 저렴하게 패턴을 전사할 수 있다.In general, nanoimprint lithography technology is used to form micro or nanometer patterns. The characteristics of the nanoimprint lithography technique are to contact and press a patterned stamp on a resist-coated substrate, and then harden the resist by heating or ultraviolet irradiation and simultaneously transfer the pattern of the stamp to the resist. In recent years, the use of a stamp in the form of a roll to transfer the pattern to the flexible substrate is increasing, which can be transferred to the flexible substrate relatively quickly and inexpensively by inducing continuous line contact.

앞서 언급한 롤스탬프를 이용한 유연기판의 패턴 전사 방법에 있어 자외선 경화형의 레지스트를 사용하게 되는 경우에는 유연기판에 레지스트를 도포해야 하며, 일반적으로 웨이퍼와 같은 평면기판의 경우에는 스핀코팅에 의해 레지스트를 도포하므로 약 100 나노미터 수준의 비교적 얇고 균일한 도포가 가능하나, 이러한 스핀코팅 방법은 기판을 회전시켜야 하므로 유연기판에는 적용할 수 없는 문제점이 있다.When the UV-curable resist is used in the pattern transfer method of the flexible substrate using the roll stamp mentioned above, the resist should be applied to the flexible substrate. Generally, in the case of a flat substrate such as a wafer, the resist is applied by spin coating. Because of the coating, relatively thin and uniform coating of about 100 nanometers is possible, but such a spin coating method has a problem in that it cannot be applied to a flexible substrate because the substrate must be rotated.

따라서, 유연기판을 위한 레지스트 코팅은 스프레이 코팅, 잉크젯 코팅, 슬릿 코팅, 롤코팅, 그라비아 코팅 등 다양한 방법들을 통해 이용하여 이루어지고 있으나 모든 경우에 있어 대략 수 마이크로미터 수준의 레지스트 두께를 가지는 코팅이 이루어지므로 스핀코팅과 같이 얇은 코팅을 수행하기에는 어려움이 있다.Therefore, the resist coating for the flexible substrate is used by various methods such as spray coating, inkjet coating, slit coating, roll coating, gravure coating, but in all cases, the coating having a resist thickness of about several micrometers is achieved. Therefore, it is difficult to perform thin coating such as spin coating.

이와 관련된 종래 기술로는 한국등록특허(10-1062128)인 임프린트 장치 및 학회발표자료(학회명: EIPBN 2011 - The 55th internaional conference on electron, ion, and photon beam technology and nanofabrication, 제목 : "Liquid Transfer Imprint Lithography: A new route to residual layer thickness control")가 개시되어 있다.
Prior arts related to this include the imprint apparatus and the conference presentation data of Korean Registered Patent (10-1062128) (EIPBN 2011-The 55th internaional conference on electron, ion, and photon beam technology and nanofabrication, title: "Liquid Transfer Imprint Lithography A new route to residual layer thickness control "is disclosed.

KR 10-1062128 B1 (2011.08.29.)KR 10-1062128 B1 (2011.08.29.)

학회명: EIPBN 2011 - The 55th internaional conference on electron, ion, and photon beam technology and nanofabrication, 제목 : "Liquid Transfer Imprint Lithography: A new route to residual layer thickness control", 저자 : N. I. Koo, J. W. Kim, M. Otto, C. Moormann, H. KurzEIPBN 2011-The 55th internaional conference on electron, ion, and photon beam technology and nanofabrication, titled: "Liquid Transfer Imprint Lithography: A new route to residual layer thickness control", author: NI Koo, JW Kim, M. Otto , C. Moormann, H. Kurz

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 스핀코팅을 이용해 웨이퍼 상에 나노미터 수준의 얇은 레지스트 막을 형성하고, 롤스탬프를 접촉시켜 회전하여 레지스트 중의 일부를 롤스탬프의 패턴면으로 전이시킨 후 롤스탬프를 다시 유연기판에 접촉시켜 회전시키면서 경화시킴으로써, 롤스탬프에 전이된 레지스트를 유연기판에 전사되도록 하는 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치 및 방법을 제공하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to form a nanometer thin resist film on a wafer using spin coating, and to rotate a portion of the resist by rotating the roll stamp. After the transfer to the pattern surface of the stamp, the roll stamp is brought into contact with the flexible substrate and rotated to harden, thereby transferring the reverse pattern imprint continuous pattern transfer apparatus and method using a roll stamp to transfer the resist transferred to the roll stamp onto the flexible substrate. To provide.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치는, X축 방향으로 이동 가능하게 설치되는 웨이퍼 고정부(100); 상기 웨이퍼 고정부(100)의 상측에 고정되고 서로 일정거리 이격되며, 각각 상면에 레지스트(211,221)가 코팅되는 제1웨이퍼(210) 및 제2웨이퍼(220); 상기 제1웨이퍼(210) 및 제2웨이퍼(220)의 상부에 설치되고, X축과 Y축 방향으로 이동 및 회전 가능하게 설치되며, 외주면에 패턴(310)이 형성되는 롤스탬프(300); 상기 롤스탬프(300)의 상부에 설치되고, 공급롤(410)과 회수롤(420)에 연결되어 상기 회수롤(420)에 권취되도록 형성되는 유연기판(400); 상기 유연기판(400)의 상면이 접촉되도록 고정되는 투명판(500); 및 상기 투명판(500)의 상측에 위치되어 X축 방향으로 이동 가능하게 설치되며, 상기 롤스탬프(300)로 자외선을 조사하는 자외선 조사장치(600); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Continuous pattern transfer apparatus of the reverse imprint method using the roll stamp of the present invention for achieving the above object, the wafer holding portion 100 is installed to be movable in the X-axis direction; A first wafer 210 and a second wafer 220 fixed to an upper side of the wafer fixing part 100 and spaced apart from each other by a predetermined distance, and coated with resists 211 and 221 on upper surfaces thereof, respectively; Roll stamps 300 which are installed on the first wafer 210 and the second wafer 220, are installed to move and rotate in the X-axis and Y-axis direction, the pattern 310 is formed on the outer peripheral surface; A flexible substrate 400 installed on the roll stamp 300 and connected to a supply roll 410 and a recovery roll 420 to be wound around the recovery roll 420; Transparent plate 500 is fixed to the upper surface of the flexible substrate 400 in contact with; And an ultraviolet irradiation device 600 positioned above the transparent plate 500 to be movable in the X-axis direction and irradiating ultraviolet rays to the roll stamp 300. And a control unit.

또한, 상기 제1웨이퍼(210) 및 제2웨이퍼(220)의 상면에 코팅되는 레지스트(211,221)는 스핀코팅에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the resists 211 and 221 coated on the upper surfaces of the first wafer 210 and the second wafer 220 may be formed by spin coating.

또한, 상기 웨이퍼 고정부(100)의 하측 또는 상기 롤스탬프(300)의 상측에 탄성부재가 결합되는 것을 특징으로 한다.In addition, an elastic member is coupled to the lower side of the wafer fixing part 100 or the upper side of the roll stamp 300.

또한, 상기 자외선 조사장치(600)는 자외선이 선형으로 집광되어 조사되도록 하거나, 슬릿에 의해 일정한 폭을 갖는 선형으로 조사되도록 하는 것을 특징으로 한다.In addition, the ultraviolet irradiation device 600 is characterized in that the ultraviolet rays are concentrated and irradiated linearly or irradiated linearly with a predetermined width by the slit.

그리고 본 발명의 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치를 이용한 전사방법에 있어서, 상기 롤스탬프(300)를 레지스트(211)가 코팅된 제1웨이퍼(210)에 접촉시키고, 상기 롤스탬프(300)를 회전 및 X축 방향으로 이동시켜 상기 롤스탬프(300)의 외주면에 상기 레지스트(211)의 일부가 옮겨지도록 하는 단계(S10); 레지스트(211)의 일부가 옮겨진 롤스탬프(300)를 상기 유연기판(400)에 접촉시키고 상기 롤스탬프(300)를 회전 및 X축 방향으로 이동시키면서, 상기 자외선 조사장치(600)로 자외선을 조사하여 레지스트(211)를 경화시켜 상기 유연기판(400)에 패턴(310)이 형성된 레지스트(211)가 전사되도록 하는 단계(S20); 상기 공급롤(410) 및 회수롤(420)을 회전시켜 상기 레지스트(211)가 전사된 유연기판(400) 부분을 상기 회수롤(420)에 권취하는 단계(S30); 상기 제2웨이퍼(220)를 상기 롤스탬프(300)의 하측으로 로딩한 후, 상기 제2웨이퍼(220)에 대하여 상기 S10단계 내지 S30단계를 수행하는 단계(S40); 상기 제1웨이퍼(210)를 제3웨이퍼(230)로 교체하고, 상기 제3웨이퍼(230)를 상기 롤스탬프(300)의 하측으로 로딩한 후, 상기 제3웨이퍼(230)에 대하여 상기 S10단계 내지 S30단계를 수행하는 단계(S50); 및 교체되는 웨이퍼에 대하여 상기 S50단계를 반복 수행하는 단계(S60); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the transfer method using a reverse pattern imprinting continuous pattern transfer apparatus using the roll stamp of the present invention, the roll stamp 300 is brought into contact with the first wafer 210 coated with the resist 211 and the roll stamp. Moving (300) in the rotational and X-axis directions so that a portion of the resist (211) is transferred to the outer circumferential surface of the roll stamp (S10); Irradiating ultraviolet rays to the ultraviolet irradiation device 600 while contacting the roll stamp 300, a portion of the resist 211 is transferred to the flexible substrate 400 and moving the roll stamp 300 in the rotation and X-axis direction Hardening the resist 211 to transfer the resist 211 having the pattern 310 formed thereon onto the flexible substrate 400 (S20); Rotating the feed roll 410 and the recovery roll 420 to wind a portion of the flexible substrate 400 on which the resist 211 is transferred to the recovery roll 420 (S30); Loading the second wafer 220 to the lower side of the roll stamp 300 and then performing steps S10 to S30 on the second wafer 220 (S40); After replacing the first wafer 210 with the third wafer 230, loading the third wafer 230 to the lower side of the roll stamp 300, the S10 with respect to the third wafer 230 Performing steps S30 to S30; And repeating the step S50 for the wafer to be replaced (S60); And a control unit.

또한, 상기 롤스탬프(300)의 중심축은 S10단계 및 S20단계가 수행되는 동안 'ㅁ'자 궤적을 그리도록 이동되는 것을 특징으로 한다.In addition, the central axis of the roll stamp 300 is characterized in that it is moved to draw the 'ㅁ' character trajectory during step S10 and step S20.

또한, 상기 S40단계가 수행되는 동시에 상기 S50단계에서의 웨이퍼 교체가 수행되는 것을 특징으로 한다.
Further, the wafer replacement in the step S50 is performed at the same time the step S40 is performed.

본 발명의 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치 및 방법은, 종래의 롤스탬프를 이용한 유연기판의 패턴전사 장치에 있어 별다른 구동요소의 추가 없이 레지스트의 도포를 원활하게 수행 할 수 있으며, 유연기판에 패턴을 전사하기 위해 롤스탬프를 이용하므로 연속되는 선 접촉을 유도함으로써 유연기판에 비교적 빠르고 저렴하게 패턴을 전사할 수 있는 장점이 있다.Continuous pattern transfer apparatus and method of reverse imprint method using the roll stamp of the present invention, in the conventional pattern transfer device of the flexible substrate using the roll stamp can be applied to the resist smoothly without the addition of a separate driving element, Since the roll stamp is used to transfer the pattern to the flexible substrate, there is an advantage that the pattern can be transferred to the flexible substrate relatively quickly and inexpensively by inducing continuous line contact.

또한, 유연기판을 위한 나노임프린트 리소그래피 장치에서 기술적 한계였던 레지스트의 코팅 문제를 해결할 수 있는 장점이 있다.
In addition, there is an advantage that can solve the coating problem of the resist that was a technical limitation in the nanoimprint lithography apparatus for the flexible substrate.

도 1은 본 발명의 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치를 나타낸 개락도.
도 2 내지 도 9는 본 발명의 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사방법을 나타낸 개략도.1 is a schematic diagram showing a continuous pattern transfer apparatus of a reverse imprint method using a roll stamp of the present invention.
2 to 9 is a schematic view showing a continuous pattern transfer method of the reverse imprint method using a roll stamp of the present invention.

이하, 상기한 바와 같은 본 발명의 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치 및 방법을 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a continuous pattern transfer apparatus and a method of reverse imprint method using the roll stamp of the present invention as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치를 나타낸 개락도이다.1 is a schematic diagram showing a continuous pattern transfer apparatus of a reverse imprint method using a roll stamp of the present invention.

도시된 바와 같이 본 발명의 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치(1000)는, X축 방향으로 이동 가능하게 설치되는 웨이퍼 고정부(100); 상기 웨이퍼 고정부(100)의 상측에 고정되고 서로 일정거리 이격되며, 각각 상면에 레지스트(211,221)가 코팅되는 제1웨이퍼(210) 및 제2웨이퍼(220); 상기 제1웨이퍼(210) 및 제2웨이퍼(220)의 상부에 설치되고, X축과 Y축 방향으로 이동 및 회전 가능하게 설치되며, 외주면에 패턴(310)이 형성되는 롤스탬프(300); 상기 롤스탬프(300)의 상부에 설치되고, 공급롤(410)과 회수롤(420)에 연결되어 상기 회수롤(420)에 권취되도록 형성되는 유연기판(400); 상기 유연기판(400)의 상면이 접촉되도록 고정되는 투명판(500); 및 상기 투명판(500)의 상측에 위치되어 X축 방향으로 이동 가능하게 설치되며, 상기 롤스탬프(300)로 자외선을 조사하는 자외선 조사장치(600); 를 포함하여 이루어진다.As shown, the continuous pattern transfer apparatus 1000 of the reverse imprint method using the roll stamp of the present invention includes: a wafer holding part 100 installed to be movable in the X-axis direction; A first wafer 210 and a second wafer 220 fixed to an upper side of the wafer fixing part 100 and spaced apart from each other by a predetermined distance, and coated with resists 211 and 221 on upper surfaces thereof, respectively; Roll stamps 300 which are installed on the first wafer 210 and the second wafer 220, are installed to move and rotate in the X-axis and Y-axis direction, the pattern 310 is formed on the outer peripheral surface; A flexible substrate 400 installed on the roll stamp 300 and connected to a supply roll 410 and a recovery roll 420 to be wound around the recovery roll 420; Transparent plate 500 is fixed to the upper surface of the flexible substrate 400 in contact with; And an ultraviolet irradiation device 600 positioned above the transparent plate 500 to be movable in the X-axis direction and irradiating ultraviolet rays to the roll stamp 300. It is made, including.

우선, 상기 웨이퍼 고정부(100)는 고정된 몸체(미도시)에 하면 또는 양측이 결합되어, X축 방향으로 이동 가능하도록 형성된다.First, the wafer fixing part 100 is formed to be movable in the X-axis direction when the bottom or both sides are coupled to a fixed body (not shown).

상기 제1웨이퍼(210) 및 제2웨이퍼(220)는 상기 웨이퍼 고정부(100)의 상측에 고정되고 서로 일정거리 이격되며, 각각 상면에 레지스트(211,221)가 코팅된다. 그리고 상기 웨이퍼(210,220)들은 얇고 단단한 기판이며, 그 상면에 얇은 막 형태로 상기 레지스트(211,221)가 각각 코팅된 상태로 상기 웨이퍼 고정부(100)의 상면에 고정된다. The first wafer 210 and the second wafer 220 are fixed to the upper side of the wafer fixing part 100 and spaced apart from each other by a predetermined distance, and resists 211 and 221 are coated on the upper surfaces thereof, respectively. The wafers 210 and 220 are thin and rigid substrates, and the wafers 210 and 220 are fixed to the upper surface of the wafer fixing part 100 in a state in which the resists 211 and 221 are coated in the form of a thin film on the upper surface thereof.

상기 롤스탬프(300)는 상기 제1웨이퍼(210) 및 제2웨이퍼(220)의 상부에 일정거리 이격되도록 설치되고, X축과 Y축 방향으로의 이동 및 회전축을 중심으로 회전이 가능하도록 설치된다. 그리고 상기 롤스탬프(300)는 원통형으로 형성되어 그 외주면에는 패턴(310)이 형성된다.The roll stamp 300 is installed to be spaced apart from the upper portion of the first wafer 210 and the second wafer 220 by a predetermined distance, and is installed to be rotatable about a rotation axis and a movement in the X and Y axis directions. do. The roll stamp 300 is formed in a cylindrical shape, and a pattern 310 is formed on an outer circumferential surface thereof.

상기 유연기판(400)은 상기 롤스탬프(300)의 상측에 일정거리 이격되도록 형성되고, 상기 유연기판(400)은 상기 공급롤(410) 및 회수롤(420)에 양측이 연결되며, 상기 공급롤(410)에 미리 권취된 상태에서 상기 공급롤(410)과 회수롤(420)의 회전에 의해 상기 회수롤(420)에 권취되도록 형성된다. 또한, 유연기판(400)은 상기 공급롤(410) 및 회수롤(420)에 권취될 수 있도록 유연한 재질로 형성되고 필름 형태로 이루어질 수 있으며, 자외선이 통과될 수 있도록 형성된다.The flexible substrate 400 is formed to be spaced apart a predetermined distance on the upper side of the roll stamp 300, the flexible substrate 400 is connected to both sides of the supply roll 410 and the recovery roll 420, the supply It is formed to be wound on the recovery roll 420 by the rotation of the supply roll 410 and the recovery roll 420 in a state of being pre-wound in the roll 410. In addition, the flexible substrate 400 may be formed of a flexible material so as to be wound around the supply roll 410 and the recovery roll 420, may be formed in a film form, and may be formed to pass ultraviolet rays.

상기 투명판(500)은 상기 유연기판(400)의 상측에 구성되고 고정된 몸체(미도시)에 고정되며, 상기 투명판(500)은 상기 공급롤(410)과 회수롤(420) 사이에 형성되어 상기 공급롤(410) 및 회수롤(420) 보다 하측에 구성된다. 그리고 상기 투명판(500)은 자외선이 통과될 수 있도록 투명하게 형성된다.The transparent plate 500 is configured on the flexible substrate 400 and fixed to a fixed body (not shown), and the transparent plate 500 is disposed between the supply roll 410 and the recovery roll 420. It is formed on the lower side than the supply roll 410 and the recovery roll 420. And the transparent plate 500 is formed to be transparent so that ultraviolet light can pass through.

이때, 상기 투명판(500)은 상기 유연기판(400)의 상면이 접촉되어 상기 유연기판(400)을 아래쪽으로 눌러 팽팽한 상태를 유지할 수 있도록 구성되며, 상기 투명판(500)의 양측에 일정거리 이격되도록 가이드롤(430)이 구성되어 상기 유연기판(400)이 손상되지 않도록 구성된다.In this case, the transparent plate 500 is configured to be in contact with the upper surface of the flexible substrate 400 to maintain a taut state by pressing the flexible substrate 400 downward, a predetermined distance on both sides of the transparent plate 500 The guide roll 430 is configured to be spaced apart so that the flexible substrate 400 is not damaged.

상기 자외선 조사장치(600)는 자외선을 조사하는 부분이며, 상기 투명판(500)의 상측에 위치되어 X축 방향으로 이동 가능하게 설치된다. 이때, 상기 자외선 조사장치(600)는 하측으로 자외선을 조사하며, 조사되는 자외선이 상기 투명판(500)과 유연기판(400)을 통과하여 상기 롤스탬프(300)와 유연기판(400)의 접촉면으로 조사될 수 있도록 구성된다.The ultraviolet irradiation device 600 is a portion for irradiating ultraviolet rays, is located above the transparent plate 500 is installed to be movable in the X-axis direction. At this time, the ultraviolet irradiation device 600 irradiates the ultraviolet rays to the lower side, the ultraviolet rays irradiated pass through the transparent plate 500 and the flexible substrate 400, the contact surface of the roll stamp 300 and the flexible substrate 400 It can be configured to be investigated.

이하에서 상기와 같이 구성되는 본 발명의 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치(1000)를 이용한 연속패턴 전사방법 및 세부적인 특징에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a continuous pattern transfer method and detailed features using the continuous pattern transfer apparatus 1000 of reverse imprint method using the roll stamp of the present invention configured as described above will be described.

본 발명의 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치를 이용한 전사방법에 있어서, 상기 롤스탬프(300)를 레지스트(211)가 코팅된 제1웨이퍼(210)에 접촉시키고, 상기 롤스탬프(300)를 회전 및 X축 방향으로 이동시켜 상기 롤스탬프(300)의 외주면에 상기 레지스트(211)의 일부가 옮겨지도록 하는 단계(S10); 레지스트(211)의 일부가 옮겨진 롤스탬프(300)를 상기 유연기판(400)에 접촉시키고 상기 롤스탬프(300)를 회전 및 X축 방향으로 이동시키면서, 상기 자외선 조사장치(600)로 자외선을 조사하여 레지스트(211)를 경화시켜 상기 유연기판(400)에 패턴(310)이 형성된 레지스트(211)가 전사되도록 하는 단계(S20); 상기 공급롤(410) 및 회수롤(420)을 회전시켜 상기 레지스트(211)가 전사된 유연기판(400) 부분을 상기 회수롤(420)에 권취하는 단계(S30); 상기 제2웨이퍼(220)를 상기 롤스탬프(300)의 하측으로 로딩한 후, 상기 제2웨이퍼(220)에 대하여 상기 S10단계 내지 S30단계를 수행하는 단계(S40); 상기 제1웨이퍼(210)를 제3웨이퍼(230)로 교체하고, 상기 제3웨이퍼(230)를 상기 롤스탬프(300)의 하측으로 로딩한 후, 상기 제3웨이퍼(230)에 대하여 상기 S10단계 내지 S30단계를 수행하는 단계(S50); 및 교체되는 웨이퍼에 대하여 상기 S50단계를 반복 수행하는 단계(S60); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the transfer method using a continuous pattern transfer apparatus of the reverse imprint method using a roll stamp of the present invention, the roll stamp 300 is brought into contact with the first wafer 210 coated with a resist 211, the roll stamp ( Moving a portion of the resist 211 to the outer circumferential surface of the roll stamp 300 by moving the rotation in the direction of rotation and X-axis (S10); Irradiating ultraviolet rays to the ultraviolet irradiation device 600 while contacting the roll stamp 300, a portion of the resist 211 is transferred to the flexible substrate 400 and moving the roll stamp 300 in the rotation and X-axis direction Hardening the resist 211 to transfer the resist 211 having the pattern 310 formed thereon onto the flexible substrate 400 (S20); Rotating the feed roll 410 and the recovery roll 420 to wind a portion of the flexible substrate 400 on which the resist 211 is transferred to the recovery roll 420 (S30); Loading the second wafer 220 to the lower side of the roll stamp 300 and then performing steps S10 to S30 on the second wafer 220 (S40); After replacing the first wafer 210 with the third wafer 230, loading the third wafer 230 to the lower side of the roll stamp 300, the S10 with respect to the third wafer 230 Performing steps S30 to S30; And repeating the step S50 for the wafer to be replaced (S60); And a control unit.

우선, 상기 제1웨이퍼(210)가 상기 롤스탬프(300), 유연기판(400) 및 투명판(500)의 하측에 위치된 상태가 초기상태이다. 이 상태에서 S10단계는 도 2 및 도 3과 같이 상기 롤스탬프(300)를 레지스트(211)가 코팅된 제1웨이퍼(210)에 접촉시키고, 상기 롤스탬프(300)를 회전시켜 X축 방향으로 이동되면서 상기 롤스탬프(300)의 외주면에 상기 레지스트(211)의 일부가 옮겨지도록 하는 단계이다.First, a state where the first wafer 210 is positioned below the roll stamp 300, the flexible substrate 400, and the transparent plate 500 is an initial state. In this state, as shown in FIGS. 2 and 3, the roll stamp 300 contacts the first wafer 210 coated with the resist 211 and rotates the roll stamp 300 in the X-axis direction. While moving, a part of the resist 211 is transferred to the outer circumferential surface of the roll stamp 300.

즉, 상기 제1웨이퍼(210)의 레지스트(211)에 상기 롤스탬프(300)를 접촉시킨 상태로 회전시키면, 도 4와 같이 상기 롤스탬프(300)의 외주면에 상기 레지스트(211)의 일부가 전이되고 나머지 일부는 상기 제1웨이퍼(210)의 상면에 남아있는 상태가 된다.That is, when the roll stamp 300 is rotated in contact with the resist 211 of the first wafer 210, as shown in FIG. 4, a part of the resist 211 is formed on the outer circumferential surface of the roll stamp 300. After the transition, the remaining part remains on the upper surface of the first wafer 210.

S20단계에서는 도 5 내지 도 8과 같이 외주면에 레지스트(211)의 일부가 전이된 상기 롤스탬프(300)를 상측으로 이동시켜 상기 유연기판(400)에 접촉시키고, 상기 롤스탬프(300)를 회전 및 X축 방향으로 이동시킨다. 이때, 상기 자외선 조사장치(600)로 상기 롤스탬프(300) 외주면에 전이된 레지스트(211)와 상기 유연기판(400)이 접촉되는 부분에 자외선(610)을 조사하여 상기 레지스트(211)를 경화시킨다. 그리하여 상기 유연기판(400)에 상기 레지스트(211)가 옮겨지며, 상기 레지스트(211)는 상기 롤스탬프(300)의 외주면에 형성된 패턴(310)이 그대로 전사된다. 그리고 상기 레지스트(211)가 상기 유연기판(400)에 전부 옮겨진 후에는 상기 자외선 조사장치(600)에서 자외선 조사 및 상기 롤스탬프(300)의 회전 및 이동이 종료되고, 상기 유연기판(400)과 일정거리 이격되도록 상기 롤스탬프(300)가 하측으로 이동된다.In step S20, as shown in Figures 5 to 8, the part of the resist 211 is transferred to the outer surface, the roll stamp 300 is moved upward to contact the flexible substrate 400, the roll stamp 300 is rotated And move in the X-axis direction. At this time, the ultraviolet ray 610 is irradiated to a portion where the resist 211 transferred to the outer surface of the roll stamp 300 and the flexible substrate 400 by the ultraviolet irradiation device 600 to cure the resist 211. Let's do it. Thus, the resist 211 is transferred to the flexible substrate 400, and the resist 211 is transferred to the pattern 310 formed on the outer circumferential surface of the roll stamp 300 as it is. After the resist 211 is completely transferred to the flexible substrate 400, ultraviolet irradiation and rotation and movement of the roll stamp 300 are terminated in the ultraviolet irradiation device 600, and the flexible substrate 400 The roll stamp 300 is moved downward so as to be spaced apart by a predetermined distance.

여기에서 상기 자외선 조사장치(600)는 상기 롤스탬프(300)의 중심축과 연결(미도시)되어, 상기 롤스탬프(300)를 따라서 X축 방향으로 함께 이동하도록 구성될 수 있다.The ultraviolet irradiation device 600 is connected to the central axis of the roll stamp 300 (not shown), it may be configured to move together in the X-axis direction along the roll stamp (300).

S30단계는 상기 공급롤(410) 및 회수롤(420)을 회전시켜 상기 레지스트(211)가 옮겨진 상기 유연기판(400)의 일부가 상기 회수롤(420)에 권취되도록 하는 단계이다.In step S30, the supply roll 410 and the recovery roll 420 are rotated so that a part of the flexible substrate 400 on which the resist 211 is transferred is wound on the recovery roll 420.

S40단계는 상기 제2웨이퍼(220)를 상기 롤스탬프(300)의 하측으로 로딩한 후, 상기 제2웨이퍼(220)에 대하여 상기 S10단계 내지 S30단계를 수행하는 단계이다. 즉, 상기 웨이퍼 고정부(100)를 이동시켜 상기 제2웨이퍼(220)를 상기 제1웨이퍼(210)가 있던 위치로 이동시킨 상태에서, 상기 제2웨이퍼(220)의 상면에 코팅된 레지스트(221)의 일부가 상기 유연기판(400)에 옮겨져 패턴(310)이 전사되도록 하고, 상기 레지스트(221)가 옮겨진 상기 유연기판(400)의 일부가 상기 회수롤(420)에 권취되도록 하는 것을 반복하는 단계이다.In step S40, the second wafer 220 is loaded below the roll stamp 300, and then steps S10 to S30 are performed on the second wafer 220. That is, in the state where the second wafer 220 is moved to the position where the first wafer 210 is located by moving the wafer fixing part 100, a resist coated on the upper surface of the second wafer 220 ( A portion of the 221 is transferred to the flexible substrate 400 so that the pattern 310 is transferred, and a portion of the flexible substrate 400 to which the resist 221 is transferred is wound on the recovery roll 420. It's a step.

S50단계는 도 9와 같이 상기 제1웨이퍼(210)를 제3웨이퍼(230)로 교체하고, 상기 제3웨이퍼(230)를 상기 롤스탬프(300)의 하측으로 로딩한 후, 상기 제3웨이퍼(230)에 대하여 상기 S10단계 내지 S30단계를 수행하는 단계이다. 즉, 레지스트(211)의 일부가 상기 유연기판(400)에 옮겨진 상기 제1웨이퍼(210)를 탈거하고 상기 제3웨이퍼(230)를 상기 제1웨이퍼(210)가 있던 위치에 고정하여, 상기 웨이퍼 고정부(100)를 이동하여 상기 제3웨이퍼(230)가 상기 롤스탬프(300)의 하측에 위치되도록 한 후, 상기 제3웨이퍼(230)의 상면에 코팅된 레지스트(231)의 일부가 상기 유연기판(400)에 옮겨져 패턴(310)이 전사되도록 하고, 상기 레지스트(231)가 옮겨진 상기 유연기판(400)의 일부가 상기 회수롤(420)에 권취되도록 하는 것을 반복하는 단계이다.In step S50, the first wafer 210 is replaced with the third wafer 230 as shown in FIG. 9, and the third wafer 230 is loaded below the roll stamp 300, and then the third wafer is loaded. The step S10 to step S30 is performed with respect to 230. That is, a part of the resist 211 is removed from the first wafer 210 transferred to the flexible substrate 400 and the third wafer 230 is fixed to the position where the first wafer 210 is located. After moving the wafer fixing part 100 so that the third wafer 230 is positioned below the roll stamp 300, a portion of the resist 231 coated on the upper surface of the third wafer 230 is The pattern 310 is transferred to the flexible substrate 400 so that the pattern 310 is transferred, and a part of the flexible substrate 400 to which the resist 231 is transferred is wound on the recovery roll 420.

S60단계도 마찬가지로 교체되는 웨이퍼들에 대하여 상기 S50단계를 반복적으로 수행하는 단계이다.Similarly, step S60 is a step of repeatedly performing the step S50 on the wafers to be replaced.

이와 같이 유연기판에 레지스트의 일부가 옮겨지며 패턴이 전사되는 과정을 반복함으로써, 패턴이 전사된 유연기판을 연속적으로 제조할 수 있게 된다.As described above, by repeating the process of transferring a portion of the resist to the flexible substrate and transferring the pattern, the flexible substrate on which the pattern is transferred can be continuously manufactured.

그리고 상기 롤스탬프(300)의 중심축은 S10단계 및 S20단계가 수행되는 동안 'ㅁ'자 궤적을 그리며 이동되도록 구성될 수 있다. 즉, 웨이퍼(210,220)와 유연기판(400)이 고정된 상태에서, 상기 롤스탬프(300)가 'ㅁ'자 궤적을 그리며 이동하면서 상기 유연기판(400)으로 패턴이 전사되는 과정을 수행할 수 있으므로 최소의 이동 궤적을 형성할 수 있어 작업 시간을 단축시킬 수 있다.In addition, the central axis of the roll stamp 300 may be configured to move while drawing the 'ㅁ' trajectory during the step S10 and step S20. That is, while the wafers 210 and 220 and the flexible substrate 400 are fixed, the roll stamp 300 moves along the 'ㅁ' shape of the trajectory, thereby transferring a pattern to the flexible substrate 400. Therefore, the minimum movement trajectory can be formed, thereby reducing the work time.

또한, 상기 S40단계가 수행되는 동시에 상기 S50단계에서의 웨이퍼 교체가 수행될 수 있다. 즉, 제2웨이퍼(220)의 레지스트(221)가 상기 유연기판(400)에 전사되는 과정이 수행되는 도중에 제1웨이퍼(210)를 제3웨이퍼(230)로 교체하여 작업시간을 단축시킬 수 있다.In addition, at step S40, the wafer replacement may be performed at step S50. That is, during the process of transferring the resist 221 of the second wafer 220 to the flexible substrate 400, the first wafer 210 may be replaced with the third wafer 230 to shorten the working time. have.

또한, 상기 제1웨이퍼(210) 및 제2웨이퍼(220)의 상면에 코팅되는 레지스트(211,221)는 스핀코팅에 의해 형성될 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼(210,220)들은 단단한 기판이므로 스핀코터에 웨이퍼를 올려놓고 액체 상태인 레지스트를 여려 방울 떨어뜨린 후 회전시켜 얇은 레지스트 박막이 형성되도록 할 수 있다. 이때, 상기 레지스트 박막은 약 100 나노미터 두께로 형성될 수 있으므로, 상기 유연기판(400)에 나노미터 두께의 레지스트 박막이 옮겨지도록 할 수 있다.In addition, the resists 211 and 221 coated on the upper surfaces of the first wafer 210 and the second wafer 220 may be formed by spin coating. That is, since the wafers 210 and 220 are rigid substrates, a thin resist thin film may be formed by placing a wafer on a spin coater, dropping a plurality of resists in a liquid state, and then rotating the wafer. In this case, since the resist thin film may be formed to a thickness of about 100 nanometers, the nanometer-thick resist thin film may be transferred to the flexible substrate 400.

또한, 상기 웨이퍼 고정부(100)의 하측 또는 상기 롤스탬프(300)의 상측에 탄성부재가 결합될 수 있다. 이는 도면에 도시되진 않았으나 상기 롤스탬프(300) 중심축의 상측에 스프링과 같은 탄성부재를 결합하거나, 상기 웨이퍼 고정부(100)의 하측에 탄성부재를 삽입하여 상기 롤스탬프(300)가 레지스트와 연속적이고 안정적인 선 접촉이 이루어지도록 할 수 있다.In addition, an elastic member may be coupled to the lower side of the wafer fixing part 100 or the upper side of the roll stamp 300. Although not shown in the drawings, the roll stamp 300 is coupled to an elastic member, such as a spring, on the upper side of the central axis of the roll stamp 300, or the elastic member is inserted below the wafer fixing part 100 so that the roll stamp 300 is continuous with the resist. A stable and reliable line contact can be made.

또한, 상기 자외선 조사장치(600)는 자외선이 선형으로 집광되어 조사되도록 하거나, 슬릿에 의해 일정한 폭을 갖는 선형으로 조사되도록 할 수 있다. 이는 상기 유연기판(400)에 레지스트가 전사될 때 상기 롤스탬프(300)와 접촉되는 부분에만 국부적으로 자외선을 조사하여, 접촉부의 레지스트만이 경화가 일어나도록 하는 것이다.In addition, the ultraviolet irradiation device 600 may be irradiated with a linear collection of ultraviolet rays, or may be irradiated linearly with a predetermined width by the slit. This is because when the resist is transferred to the flexible substrate 400, only ultraviolet rays are locally irradiated only to the part in contact with the roll stamp 300, so that only the resist of the contact portion is cured.

본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It goes without saying that various modifications can be made.

1000 : (본 발명의) 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치
100 : 웨이퍼 고정부
210 : 제1웨이퍼 220 : 제2웨이퍼
230 : 제3웨이퍼
211, 221, 231 : 레지스트
300 : 롤스탬프 310 : 패턴
400 : 유연기판
410 : 공급롤 420 : 회수롤
430 : 가이드롤
500 : 투명판
600 : 자외선 조사장치 610 : 자외선1000: Continuous pattern transfer device of reverse imprint method using roll stamp (of the present invention)
100: wafer holding part
210: first wafer 220: second wafer
230: third wafer
211, 221, 231: resist
300: roll stamp 310: pattern
400: flexible substrate
410: supply roll 420: recovery roll
430 guide roll
500: transparent plate
600: ultraviolet irradiation device 610: ultraviolet light

Claims (7)

X축 방향으로 이동 가능하게 설치되는 웨이퍼 고정부(100);
상기 웨이퍼 고정부(100)의 상측에 고정되고 서로 일정거리 이격되며, 각각 상면에 레지스트(211,221)가 코팅되는 제1웨이퍼(210) 및 제2웨이퍼(220);
상기 제1웨이퍼(210) 및 제2웨이퍼(220)의 상부에 설치되고, X축과 Y축 방향으로 이동 및 회전 가능하게 설치되며, 외주면에 패턴(310)이 형성되는 롤스탬프(300);
상기 롤스탬프(300)의 상부에 설치되고, 공급롤(410)과 회수롤(420)에 연결되어 상기 회수롤(420)에 권취되도록 형성되는 유연기판(400);
상기 유연기판(400)의 상면이 접촉되도록 고정되는 투명판(500); 및
상기 투명판(500)의 상측에 위치되어 X축 방향으로 이동 가능하게 설치되며, 상기 롤스탬프(300)로 자외선을 조사하는 자외선 조사장치(600); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치.
A wafer fixing part 100 installed to be movable in the X-axis direction;
A first wafer 210 and a second wafer 220 fixed to an upper side of the wafer fixing part 100 and spaced apart from each other by a predetermined distance, and coated with resists 211 and 221 on upper surfaces thereof, respectively;
Roll stamps 300 which are installed on the first wafer 210 and the second wafer 220, are installed to move and rotate in the X-axis and Y-axis direction, the pattern 310 is formed on the outer peripheral surface;
A flexible substrate 400 installed on the roll stamp 300 and connected to a supply roll 410 and a recovery roll 420 to be wound around the recovery roll 420;
Transparent plate 500 is fixed to the upper surface of the flexible substrate 400 in contact with; And
An ultraviolet irradiation device 600 positioned above the transparent plate 500 and installed to be movable in the X-axis direction and irradiating ultraviolet rays to the roll stamp 300; Reverse pattern imprinting continuous pattern transfer apparatus using a roll stamp, characterized in that comprises a.
제1항에 있어서,
상기 제1웨이퍼(210) 및 제2웨이퍼(220)의 상면에 코팅되는 레지스트(211,221)는 스핀코팅에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치.
The method of claim 1,
The resist (211,221) coated on the upper surface of the first wafer 210 and the second wafer 220 is formed by spin coating, reverse pattern imprint continuous pattern transfer apparatus using a roll stamp.
제1항에 있어서,
상기 웨이퍼 고정부(100)의 하측 또는 상기 롤스탬프(300)의 상측에 탄성부재가 결합되는 것을 특징으로 하는 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치.
The method of claim 1,
Reverse pattern printing apparatus of the reverse imprint method using a roll stamp, characterized in that the elastic member is coupled to the lower side of the wafer fixing portion 100 or the upper side of the roll stamp (300).
제1항에 있어서,
상기 자외선 조사장치(600)는 자외선이 선형으로 집광되어 조사되도록 하거나, 슬릿에 의해 일정한 폭을 갖는 선형으로 조사되도록 하는 것을 특징으로 하는 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치.
The method of claim 1,
The ultraviolet irradiating apparatus 600 is a reverse pattern imprinting pattern transfer apparatus using a roll stamp, characterized in that the ultraviolet rays are linearly concentrated and irradiated, or irradiated linearly with a predetermined width by the slit.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사장치를 이용한 전사방법에 있어서,
상기 롤스탬프(300)를 레지스트(211)가 코팅된 제1웨이퍼(210)에 접촉시키고, 상기 롤스탬프(300)를 회전 및 X축 방향으로 이동시켜 상기 롤스탬프(300)의 외주면에 상기 레지스트(211)의 일부가 옮겨지도록 하는 단계(S10);
상기 레지스트(211)의 일부가 옮겨진 롤스탬프(300)를 상기 유연기판(400)에 접촉시키고 상기 롤스탬프(300)를 회전 및 X축 방향으로 이동시키면서, 상기 자외선 조사장치(600)로 자외선을 조사하여 레지스트(211)를 경화시켜 상기 유연기판(400)에 패턴(310)이 형성된 레지스트(211)가 전사되도록 하는 단계(S20);
상기 공급롤(410) 및 회수롤(420)을 회전시켜 상기 레지스트(211)가 전사된 유연기판(400) 부분을 상기 회수롤(420)에 권취하는 단계(S30);
상기 제2웨이퍼(220)를 상기 롤스탬프(300)의 하측으로 로딩한 후, 상기 제2웨이퍼(220)에 대하여 상기 S10단계 내지 S30단계를 수행하는 단계(S40);
상기 제1웨이퍼(210)를 제3웨이퍼(230)로 교체하고, 상기 제3웨이퍼(230)를 상기 롤스탬프(300)의 하측으로 로딩한 후, 상기 제3웨이퍼(230)에 대하여 상기 S10단계 내지 S30단계를 수행하는 단계(S50); 및
교체되는 웨이퍼에 대하여 상기 S50단계를 반복 수행하는 단계(S60); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사방법.
In the transfer method using a continuous pattern transfer apparatus of the reverse imprint method using the roll stamp of any one of claims 1 to 4,
The roll stamp 300 is in contact with the first wafer 210 coated with the resist 211, and the roll stamp 300 is moved in the rotational and X-axis directions so that the resist is formed on the outer circumferential surface of the roll stamp 300. Allowing a part of 211 to be moved (S10);
While the part of the resist 211 is moved, the roll stamp 300 is brought into contact with the flexible substrate 400, and the roll stamp 300 is moved in the rotational and X-axis directions, and ultraviolet rays are emitted to the ultraviolet irradiation device 600. Irradiating and curing the resist 211 to transfer the resist 211 having the pattern 310 formed thereon onto the flexible substrate 400 (S20);
Rotating the feed roll 410 and the recovery roll 420 to wind a portion of the flexible substrate 400 on which the resist 211 is transferred to the recovery roll 420 (S30);
Loading the second wafer 220 to the lower side of the roll stamp 300 and then performing steps S10 to S30 on the second wafer 220 (S40);
After replacing the first wafer 210 with the third wafer 230, loading the third wafer 230 to the lower side of the roll stamp 300, the S10 with respect to the third wafer 230 Performing steps S30 to S30; And
Repeating the step S50 on the wafer to be replaced (S60); Reverse pattern imprint method continuous pattern transfer method using a roll stamp, characterized in that comprises a.
제5항에 있어서,
상기 롤스탬프(300)의 중심축은 S10단계 및 S20단계가 수행되는 동안 'ㅁ'자 궤적을 그리도록 이동되는 것을 특징으로 하는 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사방법.
The method of claim 5,
The central axis of the roll stamp 300 is a reverse pattern imprint continuous pattern transfer method using a roll stamp, characterized in that during the step S10 and step S20 is moved to draw the 'ㅁ' character trajectory.
제5항에 있어서,
상기 S40단계가 수행되는 동시에 상기 S50단계에서의 웨이퍼 교체가 수행되는 것을 특징으로 하는 롤스탬프를 이용한 리버스임프린트 방식의 연속패턴 전사방법.The method of claim 5,
Reverse pattern printing method of the reverse imprint method using a roll stamp, characterized in that the step S40 is performed and the wafer replacement in the step S50 is performed.
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