KR101156096B1 - Back ligtht unit for quantum dot sheet and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 양자점을 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛에 적용하여 고휘도와 우수한 색채 재현성을 구현할 수 있는 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지 및 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 백라이트 유닛은 제1 파장의 광을 방출하는 광원부; 적어도 일 측면에 상기 광원부가 위치하여 상기 방출된 제1 파장의 광을 가이드하는 도광판; 및 상기 도광판 상부에 위치하고, 상기 제1 파장의 광 중 일부를 흡수하여 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 방출하는 양자점 시트와 상기 양자점 시트 양면으로 코팅된 한 쌍의 비드 코팅층을 포함하는 양자점 확산 시트를 포함하고, 상기 양자점 시트는 실리콘에 상기 제2 파장의 광 및 상기 제3 파장의 광 각각에 대응하는 양자점 형광체 분말이 균일하게 혼합되어 구성되며, 상기 각 비드 코팅층은 다수의 비드와 상기 다수의 비드를 고정하는 바인더를 포함한다.The present invention relates to a light emitting diode package using a quantum dot sheet and a backlight unit using a quantum dot sheet which can apply quantum dots to a light emitting diode package and a backlight unit to implement high brightness and excellent color reproducibility.
To this end, the backlight unit according to an embodiment of the present invention comprises a light source unit for emitting light of a first wavelength; A light guide plate positioned on at least one side of the light source to guide light of the emitted first wavelength; And a quantum dot sheet disposed on the light guide plate and absorbing a portion of the light of the first wavelength to emit light of a second wavelength and light of a third wavelength, and a pair of bead coating layers coated on both sides of the quantum dot sheet. And a quantum dot diffusion sheet, wherein the quantum dot sheet is formed by uniformly mixing quantum dot phosphor powder corresponding to each of light of the second wavelength and light of the third wavelength in silicon, and each of the bead coating layers includes a plurality of beads and It includes a binder for fixing the plurality of beads.

Description

양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛 및 그 제조방법{BACK LIGTHT UNIT FOR QUANTUM DOT SHEET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}BACK LIGTHT UNIT FOR QUANTUM DOT SHEET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 백라이트 유닛에 관한 것이다. 보다 상세하게는 양자점 시트를 이용하여 휘도 및 색재현성을 향상시킬 수 있는 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a backlight unit. More specifically, the present invention relates to a backlight unit using a quantum dot sheet capable of improving luminance and color reproducibility using a quantum dot sheet, and a method of manufacturing the same.

발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기를 자외선, 가시광선, 적외선 등으로 전환시키는 반도체 소자로서 주로 가전제품, 리모컨, 대형 전광판 등에 사용되고 있다.Light emitting diodes (LEDs) are semiconductor devices that convert electricity into ultraviolet rays, visible rays, infrared rays, etc. using the characteristics of compound semiconductors, and are mainly used in home appliances, remote controls, and large electronic displays.

고휘도의 LED 광원은 조명등으로 사용되고 있으며, 에너지 효율이 매우 높고 수명이 길어 교체 비용이 적으며 진동이나 충격에도 강하고 수은 등 유독물질의 사용이 불필요하기 때문에 에너지 절약, 환경보호, 비용절감 차원에서 기존의 백열전구나 형광등을 대체하고 있다.The high-intensity LED light source is used as an illumination light. It has high energy efficiency, long life and low replacement cost. It is resistant to vibration and shock, and it does not require the use of toxic substances such as mercury. It is replacing incandescent lamps and fluorescent lamps.

또한, LED는 중대형 LCD TV, 모니터 등의 광원으로서도 매우 유리하다. 현재 LCD(Liquid Crystal Display)에 주로 사용되고 있는 냉음극 형광등(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp)에 비하여 색순수도가 우수하고 소비전력이 적으며 소형화가 용이하여 이를 적용한 시제품이 양산되고 있으며, 더욱 활발한 연구가 진행되고 있는 상태이다.Also, the LED is very advantageous as a light source such as a medium and large-sized LCD TV and a monitor. Compared to CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp), which is mainly used in LCD (Liquid Crystal Display), it has excellent color purity, low power consumption, and easy miniaturization, Is in progress.

최근, 청색 LED를 사용하고 형광체로서 적색광 및 녹색광을 방출하는 양자점(QD, Quantum Dot)을 이용하여 백색광을 구현하는 기술이 다수 선보이고 있다. 이는 양자점을 이용하여 구현되는 백색광이 고휘도와 우수한 색채 재현성을 갖기 때문이다.Recently, a number of technologies for implementing white light using quantum dots (QDs) that use blue LEDs and emit red light and green light as phosphors have been introduced. This is because white light implemented using quantum dots has high luminance and excellent color reproducibility.

따라서, 이러한 양자점을 백색광의 소스로 활용하기 위해 이를 적용한 발광다이오드 패키지 및 백라이트 유닛에 대한 연구의 필요성이 대두된다.Therefore, there is a need for research into a light emitting diode package and a backlight unit to which the quantum dot is applied as a source of white light.

본 발명은 상기와 같은 필요성에 의해 안출된 것으로서, 본 발명의 제1 목적은 양자점을 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛에 적용하여 고휘도와 우수한 색채 재현성을 구현하기 위해 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지 및 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above necessity, and a first object of the present invention is to apply a quantum dot to a light emitting diode package and a backlight unit to realize a high brightness and excellent color reproducibility using a quantum dot sheet and a light emitting diode package and a quantum dot sheet It is to provide a backlight unit using.

또한, 본 발명의 제2 목적은 발광 다이오드 패키지를 구성함에 있어서 양자점 시트를 용이하게 적용할 수 있는 발광 다이오드 패키지 제조방법을 제공하는 데 있다.In addition, a second object of the present invention is to provide a light emitting diode package manufacturing method that can easily apply a quantum dot sheet in the configuration of a light emitting diode package.

그리고, 본 발명의 제3 목적은 양자 시트에 비드 코팅층을 형성하여 별도의 확산층(diffusion sheet)을 대체할 수 있는 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛 제조방법을 제공하는 데 있다.In addition, a third object of the present invention is to provide a method for manufacturing a backlight unit using a quantum dot sheet that can form a bead coating layer on a quantum sheet to replace a separate diffusion layer.

상기와 같은 본 발명의 목적은 제1 파장의 광을 흡수하여 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 방출하는 양자점 시트; 상기 양자점 시트 양면으로 형성된 한 쌍의 투광층; 상기 한 쌍의 투광층의 측면을 따라 형성되어 상기 양자점 시트를 외부로부터 밀봉하는 봉지부; 상기 한 쌍의 투광층 중 어느 하나의 투광층과 접착되는 수지층; 상기 양자점 시트를 향하여 상기 제1 파장의 광을 방출하는 발광 소자; 및상기 수지층 및 상기 발광 소자가 수용되는 패키지 본체를 포함하고, 상기 양자점 시트는 실리콘에 상기 제2 파장의 광 및 상기 제3 파장의 광 각각에 대응하는 양자점 형광체 분말이 균일하게 혼합되며, 상기 수지층은 열경화성 레진으로 구성되어 열경화 시 상기 한 쌍의 투광층 중 어느 하나의 투광층과 접착되는 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지를 제공함으로써 달성될 수 있다.An object of the present invention as described above is a quantum dot sheet for absorbing light of the first wavelength to emit light of the second wavelength and light of the third wavelength; A pair of light transmitting layers formed on both surfaces of the quantum dot sheet; An encapsulation portion formed along side surfaces of the pair of light transmitting layers to seal the quantum dot sheet from the outside; A resin layer bonded to any one of the pair of light transmitting layers; A light emitting device emitting light of the first wavelength toward the quantum dot sheet; And a package body accommodating the resin layer and the light emitting device, wherein the quantum dot sheet is uniformly mixed with silicon with quantum dot phosphor powder corresponding to each of light of the second wavelength and light of the third wavelength. The resin layer may be achieved by providing a light emitting diode package using a quantum dot sheet composed of a thermosetting resin and bonded to one of the light transmitting layers of the pair of light transmitting layers during thermal curing.

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제2 파장의 광 및 제3 파장의 광은 적색광 및 녹색광 각각에 대응하는 파장대의 광인 것이 바람직하다.It is preferable that the light of a 2nd wavelength and the light of a 3rd wavelength are the light of a wavelength band corresponding to red light and green light, respectively.

양자점 시트는 한 쌍의 투광층과 봉지부로 형성되는 일정 갭의 공간에 충진되어 경화된 것이 바람직하다.It is preferable that the quantum dot sheet is filled and cured in a space of a predetermined gap formed by a pair of light transmitting layers and an encapsulation portion.

봉지부는 한 쌍의 투광층 상호 간에 일정 갭이 유지되도록 한 쌍의 투광층 사이에 형성된 것이 바람직하다.The encapsulation portion is preferably formed between the pair of light transmitting layers such that a constant gap is maintained between the pair of light transmitting layers.

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패키지 본체는 오목부로 형성되어 오목부에 수지층 및 발광 소자가 실장되는 것이 바람직하다.It is preferable that a package main body is formed in the recessed part, and the resin layer and the light emitting element are mounted in the recessed part.

또한, 본 발명의 목적은 제1 파장의 광을 방출하는 광원부; 적어도 일 측면에 상기 광원부가 위치하여 상기 방출된 제1 파장의 광을 가이드하는 도광판; 및 상기 도광판 상부에 위치하고, 상기 제1 파장의 광 중 일부를 흡수하여 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 방출하는 양자점 시트와 상기 양자점 시트 양면으로 코팅된 한 쌍의 비드 코팅층을 포함하는 양자점 확산 시트를 포함하고, 상기 양자점 시트는 실리콘에 상기 제2 파장의 광 및 상기 제3 파장의 광 각각에 대응하는 양자점 형광체 분말이 균일하게 혼합되어 구성되며, 상기 각 비드 코팅층은 다수의 비드와 상기 다수의 비드를 고정하는 바인더를 포함하는 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛을 제공함으로써 달성될 수 있다.In addition, an object of the present invention is a light source for emitting light of a first wavelength; A light guide plate positioned on at least one side of the light source to guide light of the emitted first wavelength; And a quantum dot sheet disposed on the light guide plate and absorbing a portion of the light of the first wavelength to emit light of a second wavelength and light of a third wavelength, and a pair of bead coating layers coated on both sides of the quantum dot sheet. And a quantum dot diffusion sheet, wherein the quantum dot sheet is formed by uniformly mixing quantum dot phosphor powder corresponding to each of light of the second wavelength and light of the third wavelength in silicon, and each of the bead coating layers includes a plurality of beads and It can be achieved by providing a backlight unit using a quantum dot sheet including a binder for fixing the plurality of beads.

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제1 파장의 광, 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광은 청색광, 적색광 및 녹색광 각각에 대응하는 파장대를 주 파장대로 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the light of a 1st wavelength, the light of a 2nd wavelength, and the light of a 3rd wavelength contain the wavelength band corresponding to each of blue light, red light, and green light as a main wavelength band.

그리고, 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지는 양자점 확산 시트 상부에 위치하여 제1 파장의 광 중 투과광, 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 집광하는 프리즘 시트; 및 프리즘 시트 상부에 위치하는 보호 시트;를 더 포함하는 것이 바람직하다.The light emitting diode package using the quantum dot sheet may include: a prism sheet positioned on the quantum dot diffusion sheet to collect transmitted light, light of a second wavelength, and light of a third wavelength; And a protective sheet positioned on the prism sheet.

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다수의 비드는 폴리메틸 메타아크릴, 폴리스틸렌, 스틸렌-아크릴로니트릴 중 적어도 어느 하나의 재료로 형성된 것이 바람직하다.The plurality of beads are preferably formed of at least one of polymethyl methacryl, polystyrene, and styrene-acrylonitrile.

한편, 본 발명의 목적은 다른 카테고리로서, 한 쌍의 투광층이 측면을 따라 형성된 봉지부를 사이에 두고 일정 갭의 충진 공간을 형성하고 양자점 형광체 분말이 실리콘에 교반되어 양자점 시트로 균일하게 혼합되는 단계(S110); 상기 균일하게 혼합된 양자점 시트가 상기 충진 공간에 충진되는 단계(S120); 상기 충진된 양자점 시트가 상기 봉지부에 의해 밀봉되는 단계(S130); 및 상기 양자점 시트로 제1 파장의 광을 방출하는 발광 소자를 배치하는 단계(S140)를 포함하고, 상기 발광 소자 배치단계(S140)는 수지층이 상기 발광 소자를 실장한 패키지 본체의 오목부에 충진되는 단계(S142), 및 상기 수지층이 상기 한 쌍의 투광층 중 어느 하나의 투광층과 접착되는 단계(S144)를 포함하는 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.On the other hand, an object of the present invention is a different category, wherein a pair of light-transmitting layer is formed between the encapsulation portion formed along the side to form a gap filling space and the quantum dot phosphor powder is stirred in silicon and mixed uniformly into the quantum dot sheet (S110); Filling the filling space with the uniformly mixed quantum dot sheet (S120); The filled quantum dot sheet is sealed by the encapsulation unit (S130); And disposing a light emitting device that emits light of a first wavelength to the quantum dot sheet (S140), wherein the light emitting device disposing step (S140) includes a recess in a package body in which a resin layer mounts the light emitting device. It can be achieved by providing a method of manufacturing a light emitting diode package using a quantum dot sheet comprising the step (S142) of filling, and the step (S144) of the resin layer is bonded to any one of the light transmitting layer of the pair of light transmitting layers. have.

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양자점 시트의 밀봉단계(S130)와 발광 소자 배치단계(S140) 사이에는, 밀봉된 양자점 시트가 충진 공간에서 경화되는 단계(S135);를 더 포함하는 것이 바람직하다.Between the sealing step (S130) and the light emitting device arrangement step (S140) of the quantum dot sheet, a step (S135) of the sealed quantum dot sheet is hardened in the filling space;

수지층의 접착단계(S144)에서, 수지층은 열경화성 레진인 것이 바람직하다.In the bonding step (S144) of the resin layer, the resin layer is preferably a thermosetting resin.

수지층의 접착단계(S144)는, 열경화성 레진이 한 쌍의 투광층 중 어느 하나의 투광층과 열경화에 의해 접착되는 단계인 것이 바람직하다.The bonding step (S144) of the resin layer is preferably a step in which the thermosetting resin is bonded by thermosetting with one of the light transmitting layers of the pair of light transmitting layers.

또한, 본 발명의 목적은 양자점 시트 및 상기 양자점 시트 양면으로 형성된 한 쌍의 비드 코팅층을 포함하는 양자점 확산 시트를 제공하는 단계(S210); 및 상기 양자점 확산 시트가 적어도 일 측면에 제1 파장의 광원부가 구비된 도광판 상부로 적층되는 단계(S220)를 포함하되, 상기 양자점 확산 시트 제공단계(S210)는 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 각각 방출하는 양자점 형광체 분말이 실리콘에 교반되어 상기 양자점 시트로 균일하게 혼합되는 단계(S212); 상기 균일하게 혼합된 양자점 시트가 경화되는 단계(S214); 상기 한 쌍의 비드 코팅층이 상기 경화된 양자점 시트 상부 및 하부로 코팅되는 단계(S216); 및 상기 코팅된 비드 코팅층이 경화되는 단계(S218)를 포함하고, 상기 각 비드 코팅층은 다수의 비드와 상기 다수의 비드를 고정하는 바인더를 포함하도록 구성되는 백라이트 유닛의 제조방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.In addition, an object of the present invention is to provide a quantum dot diffusion sheet including a quantum dot sheet and a pair of bead coating layer formed on both sides of the quantum dot sheet (S210); And stacking (S220) the quantum dot diffusion sheet on the light guide plate having a light source unit having a first wavelength on at least one side thereof, wherein the providing of the quantum dot diffusion sheet (S210) includes light of a second wavelength and a third wavelength. (S212) the quantum dot phosphor powder for emitting the light of each is stirred in silicon and mixed uniformly into the quantum dot sheet (S212); Curing the uniformly mixed quantum dot sheet (S214); Coating the pair of bead coating layers on the top and bottom of the cured quantum dot sheet (S216); And curing the coated bead coating layer (S218), wherein each bead coating layer can be achieved by providing a method of manufacturing a backlight unit configured to include a plurality of beads and a binder to fix the plurality of beads. have.

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코팅된 비드 코팅층의 경화단계(S218)는, 코팅된 비드 코팅층이 오븐 또는 열풍에 의해 경화되는 단계인 것이 바람직하다.The curing step (S218) of the coated bead coating layer is preferably a step in which the coated bead coating layer is cured by an oven or hot air.

상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 의하면, 양자점을 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛에 적용하여 고휘도와 우수한 색채 재현성을 구현할 수 있는 효과가 있다.According to one embodiment of the present invention as described above, by applying the quantum dot to the light emitting diode package and the backlight unit there is an effect that can implement a high brightness and excellent color reproducibility.

또한, 발광 다이오드 패키지를 구성함에 있어서 양자점 시트를 용이하게 적용하여 제조할 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect that can be manufactured by easily applying a quantum dot sheet in configuring the light emitting diode package.

그리고, 양자 시트에 비드 코팅층을 형성하여 별도의 확산층을 대체할 수 있는 효과가 있다.And, by forming a bead coating layer on the quantum sheet has the effect of replacing the separate diffusion layer.

도 1은 본 발명에 따른 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지의 일 실시예 단면을 나타낸 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛의 일 실시예 단면을 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 일 실시예를 순차적으로 나타낸 순서도,
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지의 일 실시예 구성 중 한 쌍의 글라스 층 사이로 양자점 시트를 충진하는 과정을 나타낸 공정 단면도,
도 5는 본 발명에 따른 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛 제조방법 일 실시예를 순차적으로 나타낸 순서도,
도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 따른 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛의 일 실시예 구성 중 양자점 확산 시트 제조과정을 나타낸 공정 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a cross section of an embodiment of a light emitting diode package using a quantum dot sheet according to the present invention;
2 is a cross-sectional view showing a cross section of an embodiment of a backlight unit using a quantum dot sheet according to the present invention;
3 is a flowchart sequentially showing an embodiment of a method of manufacturing a light emitting diode package using a quantum dot sheet according to the present invention;
4A to 4C are cross-sectional views illustrating a process of filling a quantum dot sheet between a pair of glass layers in one embodiment of a light emitting diode package using a quantum dot sheet according to the present invention;
5 is a flowchart sequentially showing an embodiment of a method for manufacturing a backlight unit using a quantum dot sheet according to the present invention;
6A through 6C are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a quantum dot diffusion sheet in an exemplary embodiment of a backlight unit using a quantum dot sheet according to the present invention.

<발광 다이오드 패키지의 구성><Configuration of Light Emitting Diode Package>

도 1은 본 발명에 따른 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지의 일 실시예 단면을 나타낸 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 패키지(10)의 일 실시예는 양자점(QD, Quantum Dot)을 포함하는 양자점 시트(110), 한 쌍의 투광층(120, 122), 봉지부(130), 수지층(140), 발광 소자(150) 및 패키지 본체(160)로 구성된다.1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a light emitting diode package using a quantum dot sheet according to the present invention. As shown in FIG. 1, one embodiment of the LED package 10 includes a quantum dot sheet 110 including a quantum dot (QD), a pair of light transmitting layers 120 and 122, and an encapsulation portion 130. ), A resin layer 140, a light emitting element 150, and a package body 160.

본 실시예는 발광 다이오드 패키지(10)에 관한 것으로서, 발광 소자(150)가 청색을 포함하는 제1 파장의 광을 방출하면, 그 일부를 흡수하여 양자점 시트(110)가 적색광 및 녹색광에 대응하는 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 방출하고, 제1 파장의 광 중 일부 투과광, 적색광 및 녹색광이 혼합되어 백색광이 구현되도록 작용한다.The present embodiment relates to the light emitting diode package 10. When the light emitting device 150 emits light having a first wavelength including blue, the light emitting device 150 absorbs a part of the light emitting device 150 so that the quantum dot sheet 110 corresponds to red light and green light. The light of the second wavelength and the light of the third wavelength are emitted, and some of the transmitted light, the red light, and the green light of the light of the first wavelength are mixed to serve to realize the white light.

이하, 도 1을 참고하여 각각의 구성을 설명한다.Hereinafter, each configuration will be described with reference to FIG. 1.

양자점 시트(110)는 청색광을 포함하는 제1 파장의 광을 흡수하여 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 방출하는 역할을 한다. 이러한 양자점 시트(110)는 실리콘에 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광 각각에 대응하는 양자점 형광 분말체가 균일하게 배치되어 구성된다.The quantum dot sheet 110 serves to absorb light of the first wavelength including blue light and emit light of the second wavelength and light of the third wavelength. The quantum dot sheet 110 is formed by uniformly disposing a quantum dot fluorescent powder corresponding to each of light of a second wavelength and light of a third wavelength in silicon.

여기서, 양자점 형광 분말체의 개별 양자점(QD, Quantum Dot)은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. Here, when the size of each quantum dot (QD, Quantum Dot) of the quantum dot fluorescent powder is smaller than the Bohr raidus of the exciton of the electrons and holes excited by light, electricity, etc., the quantum confinement effect occurs. As a result, the energy level becomes significant and the size of the energy gap is changed. Further, the charge is confined within the quantum dots, so that it has a high luminous efficiency.

또한, 양자점은 일반적 형광염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100～1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다. 이러한 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의한 양자점의 합성방법은 이미 공지된 기술이다. In addition, the fluorescence wavelength is different depending on the size of the particle, unlike the general fluorescent dyes. That is, as the size of the particle becomes smaller, it emits light having a shorter wavelength, and the particle size can be adjusted to produce fluorescence in a visible light region of a desired wavelength. In addition, since the extinction coefficient is 100 to 1000 times higher and the quantum efficiency is higher than that of general dyes, very strong fluorescence is generated. Such quantum dots can be synthesized by chemical wet methods. Here, the chemical wet method is a method in which a precursor material is added to an organic solvent to grow particles, and a method of synthesizing quantum dots by a chemical wet method is a known technique.

그리고, 양자점은 코어-쉘 구조(core-shell)를 가질 수 있으며, 코어의 경우 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 및 HgS으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 한 물질을 포함하고, 쉘의 경우 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 및 HgS 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 한 물질을 포함한다.The quantum dot may have a core-shell structure, and the core may include any one material selected from the group consisting of CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe, and HgS. Case includes any one selected from the group consisting of CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe and HgS.

한 쌍의 투광층(120, 122)은 양자점 시트(110)의 양면에 형성되어 제1 파장의 광, 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 투과시키고 내부의 양자점 시트(110)를 보호하는 역할을 한다. 그리고, 양자점 시트(110) 제조 시에는 액상의 양자점 시트(110)의 충진 공간 또는 경화틀로서 역할도 하며, 글라스(glass) 소재를 이용하여 형성될 수 있다.The pair of light transmitting layers 120 and 122 are formed on both sides of the quantum dot sheet 110 to transmit light of the first wavelength, light of the second wavelength, and light of the third wavelength, and to protect the quantum dot sheet 110 therein. It plays a role. When the quantum dot sheet 110 is manufactured, the quantum dot sheet 110 may also serve as a filling space or a hardening mold of the liquid quantum dot sheet 110, and may be formed using a glass material.

봉지부(130)는 한 쌍의 투광층(120, 122)의 측면을 따라 형성되어 양자점 시트(110)를 외부로부터 밀봉하는 역할을 한다. 양자점 시트(110)는 외부의 산소나 수분에 취약하여 이를 보완하기 위해 한 쌍의 투광층(120, 122)과 봉지부(130)로 형성되는 내부의 충진 공간에 양자점 시트(110)를 충진하여 외부로부터 밀폐하게 된다.The encapsulation unit 130 is formed along side surfaces of the pair of light transmitting layers 120 and 122 to seal the quantum dot sheet 110 from the outside. The quantum dot sheet 110 is vulnerable to oxygen or moisture from outside to fill the quantum dot sheet 110 in an internal filling space formed by a pair of light transmitting layers 120 and 122 and an encapsulation unit 130. It is sealed from the outside.

상술한 양자점 시트(110), 한 쌍의 투광층(120, 122) 및 봉지부(130)는 하나의 단위체로 제조될 수 있는데 이에 대해서는 발광 다이오드 패키지 제조방법에서 후술한다.The above-described quantum dot sheet 110, the pair of light transmitting layers 120 and 122, and the encapsulation unit 130 may be manufactured in one unit, which will be described later in the LED package manufacturing method.

수지층(140)은 한 쌍의 투광층(120, 122) 중 어느 하나의 투광층(122)과 접착되고, 내부의 발광 소자(150)를 외부로부터 보호하는 봉지재(encapsulant)로서의 역할을 함과 동시에 발광되는 제1 파장의 광을 외부로 확산시키는 역할을 한다. 수지층(140)은 상부의 투광층(122)과의 접착을 위해 열경화성 수지를 사용한다.The resin layer 140 is bonded to one of the light transmitting layers 122 of the pair of light transmitting layers 120 and 122, and serves as an encapsulant for protecting the light emitting device 150 from the outside. And at the same time serves to diffuse the light of the first wavelength emitted to the outside. The resin layer 140 uses a thermosetting resin for adhesion to the light transmitting layer 122 of the upper portion.

발광 소자(150)는 양자점 시트(110)를 향하여 제1 파장의 광을 방출하는 광원으로서의 역할을 하며, 양자점 시트(110)의 양자점(QD)을 이용하여 백색광을 구현하기 위한 구성이다. 이러한 발광 소자(150)는 청색 발광 다이오드 칩(미도시)과 이를 연결되는 리드(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.The light emitting device 150 serves as a light source that emits light having a first wavelength toward the quantum dot sheet 110, and is configured to implement white light using the quantum dots QD of the quantum dot sheet 110. The light emitting device 150 may include a blue light emitting diode chip (not shown) and a lead (not shown) connected thereto.

패키지 본체(160)는 오목부로 형성되어 오목부에 수지층(140) 및 발광 소자(150)를 실장하기 위한 구성이다. 오목부는 청색광을 포함하는 제1 파장의 광을 외부로 반사시키기 위한 반사컵(reflector cup)으로 형성된다.
The package main body 160 is formed in the recessed portion and is configured to mount the resin layer 140 and the light emitting element 150 in the recessed portion. The recess is formed as a reflector cup for reflecting light of the first wavelength including blue light to the outside.

<백라이트 유닛의 구성><Configuration of the backlight unit>

도 2는 본 발명에 따른 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛의 일 실시예 단면을 나타낸 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 백라이트 유닛(20)의 일 실시예는 광원부(210), 도광판(220), 양자점 확산 시트(230), 양자점 시트(232), 한 쌍의 비드 코팅층(234, 236), 프리즘 시트(240), 보호 시트(250) 및 반사 시트(260)를 포함하여 구성될 수 있다.2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a backlight unit using a quantum dot sheet according to the present invention. As shown in FIG. 2, one embodiment of the backlight unit 20 includes a light source unit 210, a light guide plate 220, a quantum dot diffusion sheet 230, a quantum dot sheet 232, and a pair of bead coating layers 234 and 236. ), A prism sheet 240, a protective sheet 250, and a reflective sheet 260.

본 실시예는 측면 발광 방식에 사용되는 백라이트 유닛(20)에 관한 것으로서, 광원부(210)에서 방출된 청색광을 포함한 제1 파장의 광을 흡수하여 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 방출하는 양자점 시트(232)를 통해 백색광을 구현하는 작용을 한다. 이와 함께 한 쌍의 비드 코팅층(234, 236)을 이용하여 광확산이 일어날 수 있도록 작용한다.The present embodiment relates to the backlight unit 20 used in the side emission method, and absorbs light of the first wavelength including blue light emitted from the light source unit 210 to emit light of the second wavelength and light of the third wavelength. The quantum dot sheet 232 serves to implement white light. In addition, the light diffusion may occur by using a pair of bead coating layers 234 and 236.

이하, 도 2를 참조하여 세부 구성에 대해 설명한다.Hereinafter, the detailed configuration will be described with reference to FIG. 2.

광원부(210)는 청색광을 포함하는 제1 파장의 광을 방출하는 역할을 한다. 이러한 광원부(210)는 청색의 냉음극 형광등(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp) 또는 청색 발광 다이오드 소자가 사용될 수 있다.The light source unit 210 serves to emit light of a first wavelength including blue light. The light source unit 210 may be a blue Cold Cathode Fluorescent Lamp (CCFL) or a blue light emitting diode device.

도광판(220)은 적어도 일 측면에 광원부(210)가 위치하여 방출된 제1 파장의 광을 수광하고, 수광된 제1 파장의 광을 내부 전반사로 가이드하여 면광원 형태로 방출하는 역할을 한다.The light guide plate 220 receives light of the first wavelength emitted by the light source unit 210 positioned on at least one side, and guides the received light of the first wavelength to total internal reflection to emit light in the form of a surface light source.

양자점 확산 시트(230)는 양자점 시트(232)와 한 쌍의 비드 코팅층(232, 234)로 구성된다. 여기서, 양자점 시트(232)는 도광판(220)에서 방출된 면광원 형태의 제1 파장의 광 중 일부를 흡수하여 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 방출하는 역할을 하며, 한 쌍의 비드 코팅층(234, 236)은 양자점 시트(232) 양면으로 코팅되어 광확산을 유도하기 위한 구성이다. 여기서, 다수의 비드(B)는 수 마이크로 단위의 작은 확산 안료를 사용한다.The quantum dot diffusion sheet 230 includes a quantum dot sheet 232 and a pair of bead coating layers 232 and 234. Here, the quantum dot sheet 232 serves to absorb some of the light of the first wavelength in the form of the surface light source emitted from the light guide plate 220 to emit light of the second wavelength and light of the third wavelength, a pair of The bead coating layers 234 and 236 are coated on both surfaces of the quantum dot sheet 232 to induce light diffusion. Here, many of the beads B use small diffusion pigments of several micro units.

양자점 확산 시트(230)의 제조방법은 후술한다.The manufacturing method of the quantum dot diffusion sheet 230 will be described later.

프리즘 시트(240)는 양자점 확산 시트(230) 상부에 위치하여 면광원 형태의 제1 파장의 광 중 투과광, 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 집광하기 위한 구성이다. 그리고, 보호 시트(250)는 프리즘 시트(240) 상부에 위치하여 내부를 보호하기 위한 구성이며, 반사 시트(260)는 광원부(210)에서 방출된 제1 파장의 광을 상부로 반사시키기 위한 구성이다. 프리즘 시트(240), 보호 시트(250) 및 반사 시트(260)는 종래 공지된 측면발광 방식의 발광다이오드 백라이트 유닛의 구성과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
The prism sheet 240 is positioned above the quantum dot diffusion sheet 230 to condense the transmitted light, the light of the second wavelength, and the light of the third wavelength among the light having the first wavelength in the form of a surface light source. In addition, the protective sheet 250 is disposed on the prism sheet 240 to protect the interior thereof, and the reflective sheet 260 is configured to reflect light of the first wavelength emitted from the light source unit 210 upward. to be. Since the prism sheet 240, the protective sheet 250, and the reflective sheet 260 are the same as those of the conventionally known side light emitting diode backlight unit, detailed description thereof will be omitted.

<발광 다이오드 패키지의 제조방법><Method of manufacturing light emitting diode package>

도 3은 본 발명에 따른 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 일 실시예를 순차적으로 나타낸 순서도이다. 도 3을 참조하면, 우선, 한 쌍의 투광층(120, 122)이 측면을 따라 형성된 봉지부(130)를 사이에 두고 일정 갭의 충진 공간을 형성하고 양자점 형광체 분말이 실리콘에 교반되어 양자점 시트(110)로 균일하게 혼합된다(S110).3 is a flowchart sequentially showing an embodiment of a method of manufacturing a light emitting diode package using a quantum dot sheet according to the present invention. Referring to FIG. 3, first, a pair of light-transmitting layers 120 and 122 form a filling gap of a predetermined gap with an encapsulation portion 130 formed along the side surface, and the quantum dot phosphor powder is agitated in silicon to form a quantum dot sheet It is uniformly mixed to 110 (S110).

다음, 균일하게 혼합된 양자점 시트(110)가 충진 공간에 충진된다(S120).Next, the uniformly mixed quantum dot sheet 110 is filled in the filling space (S120).

다음, 충진된 양자점 시트(110)가 봉지부에 의해 밀봉된다(S130).Next, the filled quantum dot sheet 110 is sealed by the sealing portion (S130).

마지막으로, 양자점 시트(110)로 제1 파장의 광을 방출하는 발광 소자를 배치한다(S140).Finally, a light emitting device emitting light having a first wavelength is disposed on the quantum dot sheet 110 (S140).

다만, 발광 소자 배치단계(S140)는 수지층(140)이 발광 소자(150)를 실장한 패키지 본체의 오목부에 충진되며(S142), 이후, 수지층(140)이 한 쌍의 투광층(120, 122) 중 어느 하나의 투광층(122)과 접착됨으로써(S144) 수행될 수 있다.However, in the light emitting device arrangement step (S140), the resin layer 140 is filled in the concave portion of the package body in which the light emitting device 150 is mounted (S142), and then the resin layer 140 has a pair of light transmitting layers ( It may be performed by bonding to any one of the light-transmitting layer 122 of the 120,122 (S144).

그리고, 양자점 시트의 밀봉단계(S130)와 발광 소자 배치단계(S140) 사이에는, 밀봉된 양자점 시트(110)가 충진 공간에서 경화되는 단계(S135);가 더 포함되어 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지의 제조방법의 일 실시예가 수행될 수 있다.In addition, between the sealing step (S130) and the light emitting device arrangement step (S140) of the quantum dot sheet, the step of curing the sealed quantum dot sheet 110 in the filling space (S135); further includes a light emitting diode package using the quantum dot sheet An embodiment of the manufacturing method may be performed.

특히, 수지층의 접착단계(S144)에서, 수지층(140)은 열경화성 레진을 사용하는 것이 바람직하며, 따라서, 수지층의 접착단계(S144)는, 열경화성 레진이 투광층(122)과 열경화에 의해 접착되는 단계가 될 수 있다.
In particular, in the bonding step (S144) of the resin layer, the resin layer 140 is preferably using a thermosetting resin, therefore, the bonding step (S144) of the resin layer, the thermosetting resin is a thermosetting layer and the thermosetting 122 It can be a step of being bonded by.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지의 일 실시예 구성 중 한 쌍의 투광층 사이로 양자점 시트를 충진하는 과정을 나타낸 공정 단면도이다. 4A to 4C are cross-sectional views illustrating a process of filling a quantum dot sheet between a pair of light transmitting layers in one embodiment of a light emitting diode package using a quantum dot sheet according to the present invention.

도 4a에 도시된 바와 같이, 충진 공간을 형성하기 위해 한 쌍의 투광층(120, 122)이 봉지부(130)를 사이에 두고 일정 갭을 형성한다. 그리고, 도 4b에서 도시된 바와 같이, 액상의 양자점 시트(110)가 일 측면에 형성된 투입구(I)를 통해 소정 압력으로 충진되면, 도 4c에 도시된 바와 같이, 투입구(I)를 봉지부(130)로 밀봉함으로써 양자점 시트(110)의 충진 과정이 수행될 있다.
As shown in FIG. 4A, a pair of light transmitting layers 120 and 122 form a gap with the encapsulation portion 130 therebetween to form a filling space. And, as shown in Figure 4b, when the liquid quantum dot sheet 110 is filled at a predetermined pressure through the inlet (I) formed on one side, as shown in Figure 4c, the inlet (I) is encapsulated ( The filling process of the quantum dot sheet 110 may be performed by sealing with 130.

<백라이트 유닛의 제조방법><Method of manufacturing the backlight unit>

도 5는 본 발명에 따른 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛 제조방법 일 실시예를 순차적으로 나타낸 순서도이다. 도 5를 참조하면, 우선, 양자점 시트(232) 및 양자점 시트(232) 양면으로 형성된 한 쌍의 비드 코팅층(234, 236)을 포함하는 양자점 확산 시트(230)를 제공하는 단계가 수행된다(S210).5 is a flowchart sequentially showing an embodiment of a method for manufacturing a backlight unit using a quantum dot sheet according to the present invention. Referring to FIG. 5, first, a step of providing a quantum dot diffusion sheet 230 including a quantum dot sheet 232 and a pair of bead coating layers 234 and 236 formed on both surfaces of the quantum dot sheet 232 is performed (S210). ).

여기서, 한 쌍의 비드 코팅층(234, 236)은 다수의 비드(B)와 다수의 비드(B)를 고정하는 바인더를 포함하며, 다수의 비드(B)의 경우 폴리메틸 메타아크릴 (Polymethly Methacrylate: PMMA), 폴리스틸렌 (Polystyrene: PS), 스틸렌-아크릴로니트릴 (Styrene Acrylonitrile: SAN) 중 적어도 어느 하나의 재료로 형성될 수 있다.Here, the bead coating layer 234, 236 includes a plurality of beads (B) and a binder for fixing the plurality of beads (B), in the case of a plurality of beads (B) polymethyl methacrylate (Polymethly Methacrylate: PMMA), polystyrene (PS), and styrene-acrylonitrile (SAN).

다음, 양자점 확산 시트(230)가 적어도 일 측면에 제1 파장의 광원부(210)가 구비된 도광판(220) 상부로 적층됨으로써(S220) 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛 제조방법 일 실시예가 수행된다.Next, since the quantum dot diffusion sheet 230 is stacked on the light guide plate 220 having the light source unit 210 of the first wavelength on at least one side (S220), a method of manufacturing a backlight unit using the quantum dot sheet is performed.

특히, 양자점 확산 시트 제공단계(S210)를 구체적으로 설명하면, 도 6a에 도시된 바와 같이, 우선, 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 방출하는 양자점 형광체 분말이 실리콘에 교반되어 양자점 시트(232)로 균일하게 혼합된다(S212).In particular, the step of providing the quantum dot diffusion sheet (S210) in detail, as shown in Figure 6a, first, the quantum dot phosphor powder for emitting light of the second wavelength and the light of the third wavelength is agitated in silicon quantum dot sheet It is uniformly mixed at 232 (S212).

다음, 균일하게 혼합된 양자점 시트(232)가 경화된다(S214).Next, the uniformly mixed quantum dot sheet 232 is cured (S214).

다음, 도 6b 및 도 6c에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 비드 코팅층(234, 236)이 광확산을 위해 경화된 양자점 시트(232) 상부 및 하부로 코팅되고(S216), 이후, 코팅된 비드 코팅층(234, 236)이 경화됨으로써(S218) 양자점 확산 시트(230)가 준비될 수 있다. Next, as shown in FIGS. 6B and 6C, a pair of bead coating layers 234 and 236 are coated onto the top and bottom of the cured quantum dot sheet 232 for light diffusion (S216), and then the coated beads As the coating layers 234 and 236 are cured (S218), the quantum dot diffusion sheet 230 may be prepared.

여기서, 코팅된 비드 코팅층의 경화단계(S218)는, 코팅된 비드 코팅층(234, 236)이 오븐 또는 열풍에 의해 경화되는 단계인 것이 바람직하다.
Here, it is preferable that the curing step (S218) of the coated bead coating layer is a step in which the coated bead coating layers 234 and 236 are cured by an oven or hot air.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기의 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is indicated by the appended claims rather than the detailed description above. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.

QD: 양자점
B: 다수의 비드
I: 투입구
10: 발광 다이오드 패키지
110: 양자점 시트
120, 122: 한 쌍의 투광층
130: 봉지부
140: 수지층
150: 발광 소자
160: 패키지 본체
20: 백라이트 유닛
210: 광원부
220: 도광판
230: 양자점 확산 시트
232: 양자점 시트
234, 236: 한 쌍의 비드 코팅층
240: 프리즘 시트
250: 보호 시트
260: 반사 시트QD: QD
B: multiple beads
I: slot
10: LED package
110: quantum dot sheet
120, 122: a pair of light transmitting layers
130: encapsulation
140: resin layer
150: light emitting element
160: package body
20: backlight unit
210: light source
220: light guide plate
230: quantum dot diffusion sheet
232: quantum dot sheet
234, 236: a pair of bead coating layers
240: prism sheet
250: protective sheet
260: reflective sheet

Claims (18)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 파장의 광을 방출하는 광원부;
적어도 일 측면에 상기 광원부가 위치하여 상기 방출된 제1 파장의 광을 가이드하는 도광판; 및
상기 도광판 상부에 위치하고, 상기 제1 파장의 광 중 일부를 흡수하여 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 방출하는 양자점 시트와 상기 양자점 시트 양면으로 코팅된 한 쌍의 비드 코팅층을 포함하는 양자점 확산 시트
를 포함하고,
상기 양자점 시트는 실리콘에 상기 제2 파장의 광 및 상기 제3 파장의 광 각각에 대응하는 양자점 형광체 분말이 균일하게 혼합되어 구성되며,
상기 각 비드 코팅층은 다수의 비드와 상기 다수의 비드를 고정하는 바인더를 포함하는 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛.
A light source unit emitting light of a first wavelength;
A light guide plate positioned on at least one side of the light source to guide light of the emitted first wavelength; And
A quantum dot disposed on the light guide plate and including a quantum dot sheet absorbing a portion of the light of the first wavelength and emitting light of a second wavelength and light of a third wavelength, and a pair of bead coating layers coated on both sides of the quantum dot sheet; Diffusion sheet
Including,
The quantum dot sheet is formed by uniformly mixing quantum dot phosphor powder corresponding to each of light of the second wavelength and light of the third wavelength in silicon,
Each bead coating layer is a backlight unit using a quantum dot sheet including a plurality of beads and a binder for fixing the plurality of beads.
삭제delete 제 8항에 있어서,
상기 제1 파장의 광, 상기 제2 파장의 광, 및 상기 제3 파장의 광은 청색광, 적색광, 및 녹색광 각각에 대응하는 파장대를 주 파장대로 포함하고,
상기 양자점 확산 시트 상부에 위치하여 상기 제1 파장의 광 중 상기 양자점 시트를 투과한 광, 상기 제2 파장의 광, 및 상기 제3 파장의 광을 집광하는 프리즘 시트; 및
상기 프리즘 시트 상부에 위치하는 보호 시트
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛.
The method of claim 8,
The light of the first wavelength, the light of the second wavelength, and the light of the third wavelength include a wavelength band corresponding to each of blue light, red light, and green light as the main wavelength,
A prism sheet positioned above the quantum dot diffusion sheet and condensing light transmitted through the quantum dot sheet, light of the second wavelength, and light of the third wavelength among light of the first wavelength; And
A protective sheet located above the prism sheet
Backlight unit using a quantum dot sheet, characterized in that it further comprises.
삭제delete 제 8항에 있어서,
상기 다수의 비드는 폴리메틸 메타아크릴, 폴리스틸렌, 스틸렌-아크릴로니트릴 중 적어도 어느 하나의 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛.
The method of claim 8,
The plurality of beads is a backlight unit using a quantum dot sheet, characterized in that formed of at least one material of polymethyl methacryl, polystyrene, styrene-acrylonitrile.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 양자점 시트 및 상기 양자점 시트 양면으로 형성된 한 쌍의 비드 코팅층을 포함하는 양자점 확산 시트를 제공하는 단계(S210); 및
상기 양자점 확산 시트가 적어도 일 측면에 제1 파장의 광원부가 구비된 도광판 상부로 적층되는 단계(S220)
를 포함하되,
상기 양자점 확산 시트 제공단계(S210)는,
제2 파장의 광 및 제3 파장의 광을 각각 방출하는 양자점 형광체 분말이 실리콘에 교반되어 상기 양자점 시트로 균일하게 혼합되는 단계(S212);
상기 균일하게 혼합된 양자점 시트가 경화되는 단계(S214);
상기 한 쌍의 비드 코팅층이 상기 경화된 양자점 시트 상부 및 하부로 코팅되는 단계(S216); 및
상기 코팅된 비드 코팅층이 경화되는 단계(S218)
를 포함하고,
상기 각 비드 코팅층은 다수의 비드와 상기 다수의 비드를 고정하는 바인더를 포함하도록 구성되는 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛의 제조방법.
Providing a quantum dot diffusion sheet including a quantum dot sheet and a pair of bead coating layers formed on both sides of the quantum dot sheet (S210); And
Stacking the quantum dot diffusion sheet on the light guide plate having a light source unit having a first wavelength on at least one side (S220);
Including,
The quantum dot diffusion sheet providing step (S210),
Quantum dot phosphor powder emitting light of a second wavelength and light of a third wavelength, respectively, is stirred in silicon and uniformly mixed into the quantum dot sheet (S212);
Curing the uniformly mixed quantum dot sheet (S214);
Coating the pair of bead coating layers on the top and bottom of the cured quantum dot sheet (S216); And
Step of curing the coated bead coating layer (S218)
Including,
Each bead coating layer is a manufacturing method of a backlight unit using a quantum dot sheet is configured to include a plurality of beads and a binder for fixing the plurality of beads.
제 17항에 있어서,
상기 코팅된 비드 코팅층의 경화단계(S218)는,
상기 코팅된 비드 코팅층이 오븐 또는 열풍에 의해 경화되는 단계인 것을 특징으로 하는 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛의 제조방법.The method of claim 17,
Curing step (S218) of the coated bead coating layer,
Method of manufacturing a backlight unit using a quantum dot sheet, characterized in that the coated bead coating layer is cured by an oven or hot air.
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