KR101152833B1 - 디바이스 제조 방법 및 리소그래피 장치 - Google Patents

디바이스 제조 방법 및 리소그래피 장치 Download PDF

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미카엘 요제프 마티스 렌켄스
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

디바이스 제조 방법은 리소그래피 투영 장치의 진공 챔버 내의 압력을 온도 안정화 압력 범위에 이르게 하는 단계; 진공 챔버 내의 온도를 안정화하도록 시간 주기 동안 진공 챔버 내의 압력을 온도 안정화 압력 범위 내에 유지하는 단계; 진공 챔버 내의 압력을 생산 압력 범위로 감소시키는 단계; 방사선 시스템으로 방사선 빔을 발생시키는 단계; 방사선 빔을 패터닝하는 단계; 및 진공 챔버를 통해 기판 상의 방사선-감응재층의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함한다.

Description

디바이스 제조 방법 및 리소그래피 장치{DEVICE MANUFACTURING METHOD AND LITHOGRAPHIC APPARATUS}
본 출원은 2007 년 1 월 17 일에 제출된 미국 출원 제 11/654,037 호로부터 우선권을 주장하며, 그 전문이 본 명세서에서 인용참조된다.
본 발명은 디바이스 제조 방법 및 리소그래피 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하 는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 장치에서, 웨이퍼 상에 이미징될 수 있는 피처들의 크기는 투영 방사선의 파장에 의해 제한될 수 있다. 더 높은 밀도의 디바이스들 및 이에 따른 더 높은 작업 속도들을 이용하여 집적 회로들을 생성하기 위해서는, 보다 작은 피처들을 이미징할 수 있어야 한다. 가장 통상적인 리소그래피 투영 장치가 193 nm 이상의 파장을 갖는 수은 램프들 또는 엑시머 레이저(excimer laser)들에 의해 발생된 자외선을 채택하는 동안, 약 13 nm의 보다 짧은 파장의 방사선을 사용하는 것이 제안되었다. 이러한 방사선은 극자외(EUV) 또는 연질 x-선(soft x-ray)이라 칭하며, 가능한 소스들로는 레이저-생성 플라즈마 소스(laser-produced plasma source), 방전 플라즈마 소스(discharge plasma source) 또는 전자저장링(electron storage ring)으로부터의 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)을 포함한다. 제안된 다른 방사선 형태들로는 전자 빔 및 이온 빔을 포함한다.
전자 또는 이온 빔들, 또는 EUV를 이용하는 경우, 마스크, 기판 및 광학 구성요소들을 포함한 빔 경로는 상기 빔의 산란 및/또는 흡수를 방지하도록 진공 내에 유지되어야 한다. 전자 및 이온 빔들에 대해 약 10-6 mbar보다 작은 총 압력이 사용될 수 있다. EUV 방사선에 대한 광학 요소들은 그 표면 상으로의 탄소층의 증 착에 의해 손상될 수 있으므로, 탄화수소 분압이 일반적으로 가능한 한 낮게 유지되어야 하며, 거울들로부터의 탄소층은 때때로 거울로부터 세정되어야 할 수 있다. EUV 방사선을 이용하는 리소그래피 장치에 대하여, 총 진공 압력은 전형적으로 저진공(rough vacuum)으로 간주되는 전자 및 이온 빔들에 대해 사용된 압력보다 더 높을 수 있다.
기판 상에 마스크를 이미징할 수 있도록, EUV의 경우에 프레임에 의해 유지된 1 이상의 거울들을 포함할 수 있는 투영 시스템이 사용된다. 투영 시스템에 의해 이미징될 수 있는 피처들은 100 nm보다 더 작을 수 있으며, 그러므로 이미지는 거울의 수차 및 프레임의 변형에 매우 민감하다. 변형 및 수차는 거울 및 프레임에 사용되는 저팽창 재료의 열적 변동들에 의해 야기될 수 있다. 변동들은 투영 시스템의 가열 및/또는 냉각에 의해 야기될 수 있다. 가열은 EUV 광으로의 거울의 조명 시, 또한 상대적으로 뜨거운 가스로의 거울들의 세정 시 발생할 수 있다. 냉각은 진공 챔버의 펌프 다운(pump down) 시 단열 팽창에 의해 야기될 수 있다.
투영 시스템이 진공에 유지되기 때문에, 거울의 냉각 또는 가열은 주로 상기 장치의 진공벽으로의 또는 그로부터의, 또한 진공 환경 내의 다른 구성요소들로의 열복사에 의해 발생한다. 복사에 의한 진공 챔버 외부 또는 내부로의 에너지 전달에는 많은 시간이 걸리며, 이 동안 리소그래피 투영 장치가 사용되지 않을 수 있다.
진공 챔버 내부 또는 외부로 열을 더 신속하게 전달하는 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 투영 장치의 진공 챔버 내의 압력을 온도 안정화 압력 범위에 이르게 하는 단계; 진공 챔버 내의 온도를 안정화하도록 시간 주기 동안 진공 챔버 내의 압력을 온도 안정화 압력 범위 내에 유지하는 단계; 진공 챔버 내의 압력을 생산 압력 범위로 감소시키는 단계; 방사선 시스템으로 방사선 빔을 발생시키는 단계; 방사선 빔을 패터닝하는 단계; 및 진공 챔버를 통해 기판 상의 방사선-감응재층의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템 및 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다. 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있다. 또한, 상기 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블, 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템, 및 방사선 빔에 진공 빔 경로를 제공하도록 구성되고 배치된 진공 챔버를 포함한다. 진공 챔버에는 진공 챔버를 비우도록 구성된 펌프, 진공 챔버를 정화하도록 구성된 정화 시스템, 및 펌프 및 정화 시스템을 제어하도록 구성된 진공 제어 시스템이 제공된다.
이하 첨부된 개략적인 도면을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는: 예를 들어, UV 또는 EUV 방사선의 방사선 빔(PB)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(PB)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PL)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 지지한다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전 기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(LA)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전 달 시스템의 도움으로, 소스(LA)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(LA) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다. 상기 소스(LA)는 진공에서도 유지되어야 하는 EUV 소스일 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터 및 콘덴서와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(PB)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(PB)은 투영 시스템(PL)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(PB)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러 리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(PB)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟 부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
소위 "메트롤로지 프레임"(MF)은 주 장치 구조체로부터 기계적으로 격리되는 기준의 격리된 프레임을 제공한다. 투영 시스템(PL)은 메트롤로지 프레임(MF) 상에 지지된다. 투영 시스템(PL)은 차폐 구조체(shield structure: 10)에 의해 부분 적으로 둘러싸인다.
예시된 실시예의 리소그래피 투영 장치는 진공벽(VW)을 갖는 진공 챔버(VC)를 포함한다. 진공 챔버에서, 빔(PB)은 마스크(MA) 상에, 또한 후속하여 기판(W)의 타겟 영역 상에 입사한다. 진공 챔버(VC) 내의 압력은 진공 펌프(VP) 및 정화 시스템(PS)으로 통제되며, 이 둘은 진공 제어 시스템(VCS)에 의해 제어된다. 진공 펌프(VP)는 터보 펌프일 수 있으며, 정화 시스템은 헬륨, 수소, 질소, 아르곤 또는 그 혼합물로 진공 챔버를 정화하는 1 이상의 밸브들을 포함할 수 있다. 진공 제어 시스템(VCS)에는 컴퓨터가 제공될 수 있으며, 진공 챔버(VC) 내의 압력을 측정하는 압력 센서로의 연결이 제공될 수 있다. 이는 진공 펌프(VP) 및 정화 시스템(PS)으로 진공 챔버(VC) 내의 압력을 통제할 가능성을 제공한다.
진공 챔버를 진공 상태로 유도하기 위해, 진공 펌프(VP)가 진공 제어 시스템(VCS)에 의해 시동될 수 있다. 진공 챔버 내의 온도는 진공 챔버 내의 가스의 단열 팽창에 의해 섭씨 2 도만큼 감소될 수 있다. 투영 시스템(PL) 및 방사선 시스템(LA), 민감한 거울들을 가질 수 있는 IL, 및 메트롤로지 프레임(MF)은 온도 변화들에 민감할 수 있으므로, 기판들의 노광을 위해 리소그래피 장치가 사용되기 전에 온도의 감소가 보상되어야 한다. 선택들 중 하나는 진공 챔버(VC)를 약 0.1 mbar 이하의 요구되는 생산 압력 범위로 진공 챔버(VC)를 펌프 다운하고, 진공 챔버의 온도가 다시 안정화될 때까지 기다리는 것이다. 대류에 의해 진공벽(VW)으로부터 진공 챔버(VC) 내의 구성요소들로 상당한 열을 수송할 매질이 진공 내에 별로 존재하지 않기 때문에, 열은 진공벽들(VW)로부터 복사에 의해 전달되며, 이는 10 시간 이상 걸릴 수 있다.
훨씬 더 빠른 선택은 약 500 내지 0.01 mbar, 바람직하게는 약 50 내지 0.1 mbar, 또한 더 바람직하게는 약 10 내지 0.1 mbar일 수 있는 온도 안정화 압력 범위로 진공 챔버(VC)를 펌프 다운하는 것이다. 이때 단열 팽창에 의한 대부분의 냉각이 이미 발생하였고, 대류에 의해 온도 안정화를 허용하기에 충분한 매질이 진공 챔버(VC) 내에 존재한다. 이는 진공 챔버(VC) 내의 온도를 안정화하기 위해, 진공 챔버 내의 압력으로 하여금 비교적 짧은 주기, 예를 들어 약 1 내지 2 시간 동안 온도 안정화 압력 범위 내에 유지되게 할 수 있다. 다음 단계는, 생산이 시작될 수 있도록 진공 챔버(VC) 내의 압력을 생산 압력 범위로 더 감소시킬 것이다. 생산 압력 범위는 약 0.2 mbar 이하, 약 0.1 내지 약 0.01 mbar, 또는 주 가스(main gas)가 수소인 경우에는 심지어 약 0.001 이하일 수 있다. 주 가스가 헬륨 또는 아르곤인 경우, 압력은 생산이 약 0.01 mbar 부근에서 시작할 수 있도록 10 배 더 낮을 수 있다.
EUV 리소그래피 장치의 투영 시스템 내의 거울들은 탄소 오염을 겪는다. 탄소 오염은 나머지 바탕 환경으로부터 거울들 상에 흡수되는 탄화수소의 EUV 또는 플라즈마 유도 해리(plasma induced dissociation)에서 일어날 수 있다. 탄소 오염은 진공 환경을 탄화수소로부터 가능한 한 청결하게 유지함으로써 최소화될 수 있지만, 탄화수소를 전부 제거하기는 어렵다. 거울들 상의 탄소는, 펌핑될 수 있는 가스 상태의 탄소-산화물들(carbon-oxides) 또는 탄화수소들이 생성되도록 활성 산소(reactive oxygen) 또는 수소 라디칼들을 이용한 탄소의 산화 또는 수소화에 의해 제거될 수 있다. 이 반응을 위해, 수소 또는 산소는 수소 및 산소 라디칼들을 생성하도록 수소와 희 가스(noble gas), 또는 산소와 희 가스의 적절한 혼합물을 이용하는 전자 소스, 열선 또는 무선 주파수(RF) 방전 제너레이터(discharge generator)에 의해 활성화될 수 있다. 또한, 수소 및 산소에 대한 대안예로서, 가스 상태의 생성물을 형성하도록 탄소와 반응할 수 있는 라디칼들의 형성을 위해 질소, 질소 산화물, 산화탄소(CO) 및 물이 조사되었다. 세정의 단점은, 거울들에 상당한 열 부하를 야기할 수 있다는 것이며, 이는 거울들이 섭씨 10 도 이상으로 뜨거워지고, 그 결과 변형되게 할 수 있다. 그러므로, 세정 이후에 거울들을 식힐 필요가 있을 수 있다. 세정은 진공에서 행해질 것이고, 열은 진공에서 쉽게 수송되지 않기 때문에, 진공 챔버(VC) 내의 압력을 세정 이후에 온도 안정화 압력 범위에 이르게 하는 것이 유리할 수 있다. 이를 위해 압력을 증가시키는 것이 바람직할 수 있으며, 후속하여 진공 챔버 내의 거울들의 온도를 안정화하도록 시간 주기 동안 압력이 온도 안정화 압력 범위 내에 유지되어야 한다. 온도가 안정화된 이후, 압력은 생산 압력 범위로 감소될 수 있으며, 리소그래피 장치는 기판들의 노광에 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 진공 제어 시스템에 제공된 전용 전자 하드웨어로서 구현될 수 있으며, 또는 소프트웨어 내에 구현될 수 있고, 예를 들어 상기 방법의 각 단계는 더 긴 컴퓨터 코드의 서브루틴 또는 모듈이다. 본 발명이 소프트웨어 내에 구현되는 경우, 본 발명의 일 실시예는 진공 제어 시스템(VCS)에 제공된 컴퓨터 프로그램을 포함할 수 있다. 컴퓨터 시스템은 프로세서 상에 여하한의 적절한 언어로 기록된 컴퓨터 프로그램을 실행하는 여하한 타입의 컴퓨터 시스템일 수 있다. 컴퓨터 프로그램은 컴퓨터 판독가능한 매체 상에 저장될 수 있으며, 이는 여하한의 타입: 예를 들어, 컴퓨터 시스템의 드라이브 내로 삽입가능한 디스크-형 매체와 같고 자기적으로, 광학적으로, 또는 자기-광학적으로 정보를 저장할 수 있는 기록 매체; 하드 드라이브와 같은 컴퓨터 시스템의 고정 기록 매체; 또는 고체-상태(solid-state) 컴퓨터 메모리로 구성될 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언 급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (28)

  1. 디바이스 제조 방법에 있어서:
    리소그래피 투영 장치의 진공 챔버 내의 압력을 온도 안정화 압력 범위에 이르게 하는 단계;
    상기 진공 챔버 내의 온도를 안정화하도록 시간 주기 동안 상기 진공 챔버 내의 상기 압력을 상기 온도 안정화 압력 범위 내에 유지하는 단계;
    상기 진공 챔버 내의 상기 압력을 생산 압력 범위로 감소시키는 단계;
    방사선 시스템으로 방사선 빔을 발생시키는 단계;
    상기 방사선 빔을 패터닝하는 단계; 및
    상기 진공 챔버를 통해 기판 상의 방사선-감응재층의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계
    를 포함하는 디바이스 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 챔버 내의 상기 압력을 상기 온도 안정화 압력 범위에 이르게 하는 단계는, 정상 대기 압력에서 온도 안정화 압력 범위로 상기 압력을 펌프 다운(pump down)하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사선 시스템 또는 투영 시스템의 거울을 가스로 세정하는 단계를 더 포함하는 디바이스 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 진공 챔버 내의 상기 압력을 상기 온도 안정화 압력 범위에 이르게 하는 단계는, 세정 압력에서 상기 온도 안정화 압력 범위로 상기 진공 챔버 내의 상기 압력을 증가시키는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 챔버를 정화 가스로 정화하는 단계를 더 포함하는 디바이스 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 정화 가스는 헬륨, 수소, 질소, 아르곤 또는 이들의 혼합물을 포함하는 디바이스 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사선 빔을 발생시키는 단계는, 상기 압력이 상기 생산 압력 범위 내에 있는 경우에 수행되는 디바이스 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 리소그래피 장치의 진공 제어 시스템에 제공된 컴퓨터 상에서 실행되는 경우, 상기 리소그래피 장치가 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행하게 하는 컴퓨터 실행가능한 코드를 포함한 컴퓨터 프로그램을 저장하는 컴퓨터 판독가능한 매체.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 리소그래피 장치에 있어서:
    방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;
    패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
    상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
    상기 방사선 빔에 진공 빔 경로를 제공하도록 구성되고 배치된 진공 챔버를 포함하고,
    상기 진공 챔버에는, 상기 진공 챔버를 비우도록 구성된 펌프, 상기 진공 챔버를 정화하도록 구성된 정화 시스템, 및 상기 펌프 및 상기 정화 시스템을 제어하도록 구성된 진공 제어 시스템이 제공되며,
    상기 진공 제어 시스템은, 상기 진공 제어 시스템에 제공된 컴퓨터 상에서 운영되는 프로그램으로 상기 진공 챔버의 펌프 다운 시퀀스(pump down sequence)를 제어하도록 구성되며,
    상기 컴퓨터 상에서 운영되는 경우에 상기 프로그램은 대기 압력에서 생산 압력 범위로 상기 진공 챔버를 펌프 다운함에 있어서 온도 안정화 압력 범위에서 휴지(pause)를 제공하는 리소그래피 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 정화 시스템은 헬륨, 수소, 질소, 아르곤 또는 이들의 혼합물을 포함한 정화 가스를 제공하도록 구성되고 배치되는 리소그래피 장치.
  14. 리소그래피 장치에 있어서:
    방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;
    패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
    상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템;
    상기 방사선 빔에 진공 빔 경로를 제공하도록 구성되고 배치된 진공 챔버; 및
    상기 투영 시스템 또는 방사선 시스템의 거울들을 세정하도록 구성되고 배치된 세정 유닛를 포함하고,
    상기 진공 챔버에는, 상기 진공 챔버를 비우도록 구성된 펌프, 상기 진공 챔버를 정화하도록 구성된 정화 시스템, 및 상기 펌프 및 상기 정화 시스템을 제어하도록 구성된 진공 제어 시스템이 제공되며,
    상기 진공 제어 시스템은 컴퓨터 상에서 운영되는 프로그램으로 상기 진공 챔버의 압력을 제어하도록 구성되며, 상기 컴퓨터 상에서 운영되는 경우에 상기 프로그램은 상기 거울들의 세정 이후 상기 진공 챔버 내의 상기 압력의 온도 안정화 압력 범위로의 증가를 제공하는 리소그래피 장치.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5315100B2 (ja) * 2009-03-18 2013-10-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置
TWI408511B (zh) * 2009-04-24 2013-09-11 E Way Technology Co Ltd Exposure machine and its exposure method
NL2009378A (en) * 2011-10-07 2013-04-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of cooling a component in a lithographic apparatus.
JP6218459B2 (ja) * 2013-07-02 2017-10-25 キヤノン株式会社 除振装置、除振方法、リソグラフィ装置及びデバイスの製造方法
CN104914676B (zh) * 2014-03-12 2017-05-10 旺昌机械工业(昆山)有限公司 网板曝光机监控系统
TWI559093B (zh) * 2014-03-12 2016-11-21 鈦興有限公司 網板曝光機監控系統
JP6733216B2 (ja) * 2016-02-26 2020-07-29 セイコーエプソン株式会社 フィルム
TWI674482B (zh) * 2018-04-24 2019-10-11 台灣積體電路製造股份有限公司 曝光設備及曝光方法
JP7419030B2 (ja) * 2019-11-18 2024-01-22 キヤノン株式会社 保持装置、露光装置、及び物品の製造方法
CN114830463A (zh) * 2019-12-20 2022-07-29 西默有限公司 用于激光源的气体吹扫系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6870598B2 (en) * 1996-03-04 2005-03-22 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US20050168712A1 (en) 2004-02-03 2005-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4825247A (en) * 1987-02-16 1989-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JP2003115451A (ja) * 2001-07-30 2003-04-18 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2004039905A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Nikon Corp 露光装置、ミラーの冷却方法、反射マスクの冷却方法及び露光方法
JP2004029314A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Nikon Corp 光学素子冷却装置、光学素子冷却方法及び露光装置
EP1376239A3 (en) 2002-06-25 2005-06-29 Nikon Corporation Cooling device for an optical element
EP1387054B1 (en) * 2002-07-31 2012-07-25 Canon Kabushiki Kaisha Cooling apparatus for an optical element, exposure apparatus comprising said cooling apparatus, and device fabrication method
JP4458333B2 (ja) * 2003-02-13 2010-04-28 キヤノン株式会社 露光装置、およびデバイスの製造方法
SG115630A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock
ATE514123T1 (de) 2003-07-29 2011-07-15 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und gerät zur oberflächenreinigung von einer optischen vorrichtung
GB0408543D0 (en) 2004-04-16 2004-05-19 Boc Group Plc Cleaning of multi-layer mirrors
US7423721B2 (en) * 2004-12-15 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7868304B2 (en) 2005-02-07 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Method for removal of deposition on an optical element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2006222165A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Canon Inc 露光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6870598B2 (en) * 1996-03-04 2005-03-22 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US20050168712A1 (en) 2004-02-03 2005-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
US7130016B2 (en) * 2004-02-03 2006-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method

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US7426015B2 (en) 2008-09-16
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TWI390360B (zh) 2013-03-21
WO2008087597A3 (en) 2008-09-12
JP4897891B2 (ja) 2012-03-14
JP2010517260A (ja) 2010-05-20
KR20090101931A (ko) 2009-09-29
WO2008087597A2 (en) 2008-07-24
TW200841133A (en) 2008-10-16
US20080170210A1 (en) 2008-07-17

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