KR101148500B1 - Electrophoretic display device and method for fabricating the same - Google Patents

Electrophoretic display device and method for fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
KR101148500B1
KR101148500B1 KR20050056580A KR20050056580A KR101148500B1 KR 101148500 B1 KR101148500 B1 KR 101148500B1 KR 20050056580 A KR20050056580 A KR 20050056580A KR 20050056580 A KR20050056580 A KR 20050056580A KR 101148500 B1 KR101148500 B1 KR 101148500B1
Authority
KR
Grant status
Grant
Patent type
Prior art keywords
gate
formed
display device
electrophoretic display
method
Prior art date
Application number
KR20050056580A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070000910A (en )
Inventor
이상엽
정영식
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Images

Abstract

본 발명은 전기영동 디스플레이장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 전기영동 디스플레이장치는 하판상에 형성된 게이트배선; The present invention relates to an electrophoretic display device and a method of manufacturing the electrophoretic display device according to the present invention includes a gate wiring formed on the lower plate; 상기 게이트배선을 포함한 상기 하판전체에 형성된 게이트절연막과 활성층; A gate insulating film and an active layer formed on the whole of the lower substrate including the gate wiring; 상기 하판상에 형성되고 상기 게이트배선과 교차되게 배치되는 데이터배선과 상기 활성층으로부터 대향되게 배치된 소스전극부와 드레인전극부; The lower plate is formed on the gate line and the counter be arranged from the data wiring and the active layer is arranged to cross the source electrode part and a drain electrode part; 상기 데이터배선과 소스전극부 및 드레인전극부를 포함한 하판전체에 형성되고, 상기 데이터배선과 게이트배선상에 위치하는 부분에 에어갭이 형성된 절연막; The data line and the source electrode portions and are formed on the entire lower plate including a drain electrode portion, the insulating air gap is formed in a portion positioned on the data line and the gate wirings; 상기 절연막상에 형성되고 상기 드레인전극부와 접속되는 화소전극부; The pixel electrode portion is formed on the insulating film to be connected with the drain electrode part; 및 상기 화소전극부를 포함한 하판상에 형성된 전기영동필름;을 포함하여 구성된다. And an electrophoretic film formed on the lower plate including parts of the pixel electrode, is configured to include a.
전기영동필름, 에어갭, 전자잉크, 화이트잉크, 블랙잉크, 캡슐 Electrophoresis film, air gap, electronic ink, white ink, black ink, capsule

Description

전기영동 표시장치 및 그 제조방법{ELECTROPHORETIC DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME} The electrophoretic display device and a method of manufacturing {ELECTROPHORETIC DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

도 1은 종래기술에 따른 전기영동 디스플레이장치를 개략적으로 설명하기 위한 레이아웃도. 1 is a layout for an overview of the electrophoretic display device according to the prior art.

도 2는 종래기술에 따른 전기 영동 디스플레이장치에 있어서, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도. 2 is according to the electrophoretic display device according to the prior art, cross-sectional view taken along the line Ⅱ-Ⅱ of FIG.

도 3은 종래기술에 따른 전기 영동 디스플레이장치에 있어서, 도 1의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 단면도. Figure 3 in an electrophoretic display device according to the related art, a sectional view according to the line of Ⅲ Ⅲ-1.

도 4는 본 발명에 따른 전기영동 디스플레이장치를 개략적으로 설명하기 위한 레이아웃도. Figure 4 is a layout for an overview of the electrophoretic display device according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 전기 영동 디스플레이장치에 있어서, 도 4의 Ⅴ-Ⅴ선에 따른 단면도. 5 is according to the electrophoretic display device according to the present invention, a cross-sectional view taken along Ⅴ Ⅴ-line in Fig.

도 6은 본 발명에 따른 전기 영동 디스플레이장치에 있어서, 도 4의 Ⅵ-Ⅵ선에 따른 단면도. Figure 6 is according to the electrophoretic display device according to the present invention, Ⅵ Ⅵ-sectional view taken along the line of FIG.

- 도면의 주요부분에 대한 부호설명 - - invention relates to explain -

111 : 기판 113 : 게이트배선 111: substrate 113: a gate wiring

113a : 게이트전극 115 : 스토리지공통배선 113a: gate electrode 115: the storage common line

117 : 게이트절연막 121 : 데이터배선 117: Gate insulating film 121: a data line

121a : 소스전극부 123 : 드레인전극부 121a: Source electrode unit 123: Drain electrode unit

125 : 절연막 127 : 드레인콘택홀 125: insulating film 127: drain contact hole,

129 : 에어갭 131 : 화소전극 133 : 캡슐 135 : 전기영동필름 135a : 화이트잉크 135b : 블랙잉크 141 : 화소지역경계부 129: Air gaps 131: pixel electrode 133: Capsule 135: electrophoretic film 135a: 135b white ink: black ink 141: pixel region boundary

본 발명은 전기영동 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자종이에서 발생하는 크로스토크(cross talk)나 픽셀전압(pixel voltage)의 진동(vibration)으로 부터 발생하는 불량, 화질저하 문제를 해결할 수 있는 전기영동 디스플레이장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention, more particularly to a cross-talk generated in the electronic paper (cross talk) or defective, image quality deterioration arising from a vibration (vibration) of the pixel voltage (pixel voltage) of the electrophoretic display device and a method of manufacturing the same an electrophoretic display device that can solve the problem and relates to a method of manufacturing the same.

전기영동 디스플레이(Electrophoretic Display)장치는 외부 광원이 필요없고, 반사율이 우수하며, 유연성(Flexibility)과 휴대성(Portability)이 뛰어나며, 기타 경량 등의 특성을 지닌 전기영동(Electrophoresis; 전기장내에서 하전된 입자가 양극 또는 음극쪽으로 이동하는 현상)을 이용한 평판 디스플레이(Flat Display)의 일종이다. Electrophoretic display (Electrophoretic Display) device without the need for an external light source, a reflection ratio is excellent, and flexibility (Flexibility) and portability (Portability) are excellent, with the electrophoretic characteristics of such other light (Electrophoresis; charged in Electrical Field is a type of flat panel display (flat display) using a phenomenon in which the particles are moved toward an anode or a cathode).

이러한 전기영동 디스플레이장치는 종이나 플라스틱과 같은 얇고 구부리기 쉬운 베이스필름(Base film)에 투명전도막을 입혀 전기영동 부유입자(Electropho -retic Suspension)을 구동하는 반사형 디스플레이로서, 차세대 전자종이(Electric Paper)로서도 각광 받을 것으로 기대되는 장치이다. The electrophoretic display device, the next generation of electronic paper (Electric Paper) as a reflective display coated with a transparent conductive film for driving the electrophoretic particles suspended (Electropho -retic Suspension) to (Base film) The base film thin and flexible, such as paper or plastic It is expected to be received as a popular device.

이러한 관점에서, 종래기술에 따른 전기영동 디스플레이장치에 대해 도 1를 참조하여 설명하면 다음과 같다. In view of this, it will be described with reference to Figure 1 for an electrophoretic display device according to the prior art as follows.

도 1은 종래기술에 따른 전기영동 디스플레이장치를 개략적으로 설명하기 위한 단면도이다. 1 is a sectional view for schematically illustrating an electrophoretic display device according to the prior art.

도 1을 참조하면, 하판(11)상에 수평방향으로 게이트배선(13)과 함께 상기 게이트배선(13)과 동일방향으로 일정간격만큼 이격되어 스토리지 공통배선(15)이 형성되어 있다. Referring to Figure 1, with the gate wiring 13 in the horizontal direction on the lower plate 11 spaced apart by regular intervals in the gate wiring 13 in the same direction, the storage common wiring 15 is formed.

또한, 상기 게이트배선(13)과 교차되는 수직방향으로 데이터배선(21)이 형성되어 있으며, 이 데이터배선(21)과 일정간격 이격되어 드레인전극부(23)가 형성되어 있다. In addition, there is a direction perpendicular to the data line 21 is formed crossing the gate wiring 13, the data line is spaced 21 and the predetermined interval has a drain electrode portion 23 is formed. 여기서, 상기 게이트배선(13)에는 게이트전극(13a)이 연장되어져 상기 데이트배선(21)의 소스전극부(21a)와 드레인전극부(23)에 오버랩되어 있다. Here, the gate wiring 13 has been extended gate electrode (13a) overlaps the source electrode portions (21a) and the drain electrode portion 23 of the date wiring 21. 이때, 상기 게이트전극(13a)과 소스전극부(21a) 및 드레인전극부(23)는 박막트랜지스터부를 이룬다. In this case, the gate electrode (13a) and source electrode (21a) and a drain electrode portion 23 constitute parts of the thin film transistor.

그리고, 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(21)이 교차되어 정의되는 화소지역(41)내에는 화소전극(31)이 오버랩되어져 상기 드레인전극부(23)와 접속되어 있다. Further, in the gate wiring 13 and the data line, the pixel region 41, which 21 is cross-definition been the pixel electrode 31 overlaps and is connected to the drain electrode (23). 여기서, 상기 화소전극(31)은 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(21)에 걸쳐 오버랩되어 있다. Here, the pixel electrode 31 is overlapped over the gate wiring 13 and the data line (21).

또한, 상기와 같이 구성되는 전기영동 디스플레이장치에 적용되는 하판상에 전기영동필름을 적층하고 그 위에 투명전극이나 기타 전극물질층을 적층하여 전기영동 디스플레이장치를 구성한다. Further, by laminating the electrophoretic film on the lower plate to be applied to an electrophoretic display device configured as described above and laminating the transparent electrode or any other electrode material layer thereon constitutes an electrophoretic display device.

상기와 같이 구성되는 종래기술에 따른 전기영동 디스플레이장치의 제조방법에 대해 도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다. Referring to FIGS. 2 and 3, a method for manufacturing an electrophoretic display device according to the related art is configured as described above as follows.

도 2는 종래기술에 따른 전기 영동 디스플레이장치에 있어서, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도이다. 2 is in the electrophoretic display device according to the related art, a sectional view taken on the line Ⅱ-Ⅱ of FIG.

도 3은 종래기술에 따른 전기 영동 디스플레이장치에 있어서, 도 1의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 단면도이다. Figure 3 in an electrophoretic display device according to the related art, a sectional view taken on the Ⅲ-Ⅲ line of Fig.

도 2 및 도 3를 참조하면, 먼저 하판(11)상에 게이트배선을 형성하기 위한 도전층을 증착한후 이를 선택적으로 패터닝하여 게이트배선(13)을 형성한다. 2 If and FIG. 3, to form the first lower plate 11, the gate wire 13, and then depositing a conductive layer for forming the gate wiring by selectively patterning it to the phase. 이때, 상기 도전층 패터닝시에 상기 게이트배선(13)과 함께 이 게이트배선(13)과 일정간격 이격되어 동일방향으로 스토리지공통배선(15)을 동시에 형성한다. In this case, the spaced apart the gate line 13 and the predetermined distance together with the gate wiring 13 at the time the conductive layer is patterned to form a storage common wiring 15 in the same direction at the same time.

그다음, 게이트절연막(17)과 활성층(미도시)을 적층한후 그 위에 도전층을 증착하고 이를 패터닝하여 상기 게이트배선(13)과 교차되게 배열되는 데이터배선(21)을 형성한다. Then, a gate insulating film 17 and an active layer (not shown), the laminated structure after the data is deposited a conductive layer thereon and patterning the array so as to intersect with the gate wiring 13. This wiring 21. 이때, 상기 도전층 패터닝시에 상기 데이터배선(21)과 함께 이 데이터배선(21)과 일정간격 이격되게 드레인전극부(23)가 동시에 형성된다. In this case, when the conductive layer patterning the data line 21 and the drain electrode to be spaced a certain portion 23 interval with the data line 21 is formed at the same time. 또한, 상기 데이터배선(21)에서 연장된 소스전극부(21a)와 드레인전극부(23)는 상기 게이트배선(13)에서 연장된 게이트전극(13a)과 오버랩되어져 박막트랜지스터부를 이룬다. In addition, the data line, the source electrode portions (21a) and the drain electrode portion 23 extending from 21 been overlapped with the gate electrode (13a) extending from the gate wiring 13 constitute parts of the thin film transistor.

이어서, 하판전체에 유기막 또는 기타 절연물질을 이용하여 보호막용 절연막(25)을 두껍게 증착한후 상기 절연막(25)을 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극부(23)를 노출시키는 드레인콘택홀(미도시; 도 1의 27)을 형성한다. Next, after a thick protective insulating film (25) deposited using an organic film, or other insulating material on the entire lower plate drain contact hole exposing the drain electrode (23) is selectively patterned in the insulating film 25 (not shown to form 27 of Figure 1); 1 hour. 이때, 상기 절연막(25)은 상기 전극들의 오버랩되는 구조위에 저유전체인 유기막, 예를들어 포토 아크릴레이트(photo acrylate) 등을 약 2~3 μm 정도로 두껍게 증착하여 형성한다. In this case, the insulating film 25 is formed by depositing the thick dielectric that is an organic film, for example, picture acrylate (photo acrylate), such as on the structure to be overlap of the electrodes to be about 2 ~ 3 μm.

그다음, 상기 드레인콘택홀(27)을 포함한 절연막(25)상에 투명전극물질층을 증착한후 이를 패터닝하여 화소전극부(31)를 형성한다. Then, after depositing a transparent electrode material layer on the insulating film 25 including the drain contact hole 27 and patterned to form the pixel electrode 31. 이때, 화소전극부(31)는 상기 드레인콘택홀(27)을 통해 드레인전극부(23)와 접속된다. At this time, the pixel electrode 31 is connected to the drain electrode portion 23 through the drain contact hole 27.

또한, 상기 화소전극부(31)는 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(21)이 교차되어 정의되는 화소지역(41)내의 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(21)에 걸쳐 오버랩되어 있다. Further, the pixel electrode 31 is overlapped over the gate wiring 13 and the data line 21 in the pixel area 41 is defined and the gate wiring 13 and the data line 21 is crossed .

이어서, 상기 화소전극부(31)를 포함한 하판(11)상에 전기영동필름(33)을 적층한다. Then, the laminating an electrophoretic film 33 on the lower panel (11) including the pixel electrodes 31. 이때, 상기 전기영동필름(33)은 폴리머중합체(polymer binder)에 전자잉크가 캡슐(35)을 형성하고 있는 것으로, 상기 캡슐(35)내에 분포하는 전자잉크는 화이트잉크(35a)와 블랙잉크(35b)로 이루어져 있다. In this case, the electrophoretic film 33 is an electronic ink on polymer polymer (polymer binder) that forms the capsule 35, the electronic ink distributed in the capsule (35) is black ink and the white ink (35a) ( It consists 35b). 또한, 상기 전자영동필름(33)내에 분포된 화이트잉크(35a)와 블랙잉크(35b)는, 각각 양전하와 음전하 특성을 가진다. In addition, the white ink (35a) and black ink (35b) distributed in the electron-gel film (33), each having a positive and negative charge characteristics. 즉, 상기 화이트잉크(35a)는 양전하로 대전되어 있으며, 블랙잉크(35b)는 음전하로 대전되어 있다. That is, the white ink (35a) has been charged to a positive charge, the black ink (35b) is charged to a negative charge.

그다음, 상기 전자영동필름(33)상에는 투명물질인 ITO로 구성된 공통배선(미도시)을 형성하여 전기영동 디스플레이장치를 완성한다. Then, by forming a common line (not shown) consisting of ITO transparent material on said electron migration film 33 to complete an electrophoretic display device.

상기와 같이 구성되는 종래기술에 따른 전기영동 디스플레이장치에 의하면, 화소전극부가 게이트배선 및 데이터배선에 오버랩되어 있는데, 이는 데이터배선, 게이트배선위의 전자잉크(e-ink)가 연속적인 구동신호에 의해 불필요하게 구동되는 것을 방지하고, 화상표시가 균일하게 되도록 하기 위함이다. According to the electrophoretic display device according to the related art is configured as described above, the pixel electrode addition there is overlap the gate line and the data line, which in the electronic ink (e-ink) is continuous drive signal above the data line, the gate wirings prevent unnecessary driving by, and is to ensure that image display is made uniform.

그런데, 전극들, 즉 게이트배선과 화소전극간, 데이터배선과 화소전극간의 커플링(coupling)에 의해 기생 캐패시터(parasitic capacitor)가 형성되는데, 이는 소스전극-화소전극간 전압, 게이트전극-화소전극간 전압이 발생하게 되어, 정확한 신호 인가가 어렵게 되고, 크로스토크(cross-talk)와 같은 현상이 나타나게 된다. However, the electrodes, i.e., gate wiring and the pixel electrode between the, there is a parasitic capacitor (parasitic capacitor) is formed by a coupling (coupling) between the data line and the pixel electrode, which is the source electrode, the pixel electrode voltage between a gate electrode-pixel electrode It becomes a voltage between the generated and the exact signal applied is difficult, and appears a phenomenon such as cross-talk (cross-talk).

또한, 기존에는 커플링(coupling)을 최소화하기 위해, 상기 전극들의 오버랩되는 구조위에 저유전체인 유기막, 예를들어 포토 아크릴레이트(photo acrylate) 등을 약 2~3 μm 정도로 두껍게 증착하였다. In addition, the past, in order to minimize the coupling (coupling), on the structure of the electrodes overlapping the organic low-dielectric film, such as picture acrylate was deposited thicker and the like (photo acrylate) to about 2 ~ 3 μm.

그러나, 이와 같이 유기막을 두껍게 증착한다 하더라도 게이트배선과 화소전극간, 데이터배선과 화소전극간의 커플링 (coupling)에 의해 기생 캐패시터 (parasitic capacitor)가 여전히 존재하게 되어, 정확한 신호 인가가 어렵게 되고, 크로스토크(cross-talk)와 같은 현상이 계속적으로 나타난다. However, in this manner even if the deposition thick organic film, the parasitic capacitor (parasitic capacitor) by a coupling (coupling) between the between the gate wiring and the pixel electrode, the data line and the pixel electrode becomes still present, is difficult to correct the signal applied, cross this phenomenon such as the torque (cross-talk) appears continuously.

이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 전자종이에서 발생하는 크로스토크(cross talk)나 픽셀전압(pixel voltage)의 바이브레이션(vibration)으로 부터 발생하는 불량, 화질저하 문제를 해 결할 수 있는 전기영동 디스플레이장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다. The present invention is one made in view of solving the various problems of the prior art, the cross-talk generated in the electronic paper (cross talk) or a pixel voltage (pixel voltage) of the vibration (vibration) defective, image quality degradation arising from a the solution to provide an electrophoretic display apparatus and a manufacturing method that can connect it is an object.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전기영동 디스플레이장치는, 하판상에 형성된 게이트배선; The electrophoretic display device according to the present invention for achieving the above objects, a gate wiring formed on the lower plate; 상기 게이트배선을 포함한 상기 하판전체에 형성된 게이트절연막과 활성층; A gate insulating film and an active layer formed on the whole of the lower substrate including the gate wiring; 상기 하판상에 형성되고 상기 게이트배선과 교차되게 배치되는 데이터배선과 상기 활성층으로부터 대향되게 배치된 소스전극부와 드레인전 극 부; The lower plate is formed on the gate line and the counter be arranged from the data wiring and the active layer is arranged to cross the source electrode part and a sub-drain electrode; 상기 데이터배선과 소스전극부 및 드레인전극부를 포함한 하판전체에 형성 되고, 상기 데이터배선과 게이트배선상에 위치하는 부분에 에어갭이 형성된 절연막; The data line and the source electrode portions and are formed on the entire lower plate including a drain electrode portion, the insulating air gap is formed in a portion positioned on the data line and the gate wirings; 상기 절연막상에 형성되고 상기 드레인전극부와 접속되는 화소전극부; The pixel electrode portion is formed on the insulating film to be connected with the drain electrode part; 및 상기 화소전극부를 포함한 하판상에 형성된 전기영동필름;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다. And an electrophoretic film formed on the lower plate including parts of the pixel electrode, is characterized in that comprises a.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전기영동 디스플레이장치 제조방법은, 하판상에 게이트배선을 형성하는 단계; In addition, the electrophoretic display device manufacturing method according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of forming a gate wiring on the lower plate; 상기 게이트배선을 포함한 상기 하판전체에 게이트절연막과 활성층을 형성하는 단계; Forming a gate insulating film and the active layer to the whole of the lower panel including the gate wiring; 상기 하판상에 상기 게이트배선과 교차되게 배치되는 데이터배선과 상기 활성층으로부터 대향되게 배치되는 소스전극부와 드레인전극부을 형성하는 단계; Forming the lower plate in the pouring drain electrode and the source electrode unit disposed opposite to the active layer from the data line crossing the gate wiring to be arranged; 상기 데이터배선과 소스전극부 및 드레인전극부를 포함한 하판전체에 절연막을 형성하는 단계; Forming an insulating film on the entire lower plate, including the data line and a source electrode part and a drain electrode part; 상기 데이터배선과 게이트배선상에 위치하는 절연막부분에 에어갭을 형성하는 단계; Forming an air gap in the insulating film portion positioned in the data wirings and gate wirings; 상기 절연막상에 상기 드레인전극부와 접속되는 화소전극부을 형성하는 단계; Forming on the insulating film swells pixel electrode connected with the drain electrode part; 및 상기 화소전극부를 포함한 하판상에 전기영동필름을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로한 다. And forming an electrophoretic film on the lower panel portion including the pixel electrode, the one characterized in that comprises a.

이하, 본 발명에 따른 전기영동 디스플레이장치 및 그 제조방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. With reference to the accompanying drawings for an electrophoretic display device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail.

도 4는 본 발명에 따른 전기영동 디스플레이장치를 개략적으로 설명하기 위한 레이아웃도이다. Figure 4 is a layout diagram for an overview of the electrophoretic display device according to the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 전기영동 디스플레이장치는, 하판(111)상에 수평방향으로 게이트배선(113)과 함께 상기 게이트배선(113)과 동일방향으로 일정간격만큼 이격되어 스토리지 공통배선(115)이 형성되어 있다. 4, the electrophoretic display device according to the invention, the lower panel 111 in the horizontal direction in the with the gate wiring 113 by the gate wiring 113 and the same direction and spaced by a predetermined interval storage common line there are 115 are formed.

또한, 상기 게이트배선(113)과 교차되는 수직방향으로 데이터배선(121)이 형성되어 있으며, 이 데이터배선(121)과 일정간격 이격되어 드레인전극부(123)가 형성되어 있다. In addition, there is a direction perpendicular to the data line 121 crossing the gate wiring 113 is formed, is separated from the data line 121 and the predetermined interval has a drain electrode 123 are formed. 여기서, 상기 게이트배선(113)에는 게이트전극(113a)이 연장되어져 상기 데이트배선(121)의 소스전극부(121a)와 드레인전극부(123)에 오버랩되어 있다. Here, the gate wiring 113 has been extended a gate electrode (113a) overlaps the source electrode (121a) and the drain electrode 123 of the date line 121. 이때, 상기 게이트전극(113a)과 소스전극부(121a) 및 드레인전극부(123)는 박막트랜지스터부를 이룬다. In this case, the gate electrode (113a) and the source electrode (121a) and the drain electrode unit 123 constitute parts of the thin film transistor.

그리고, 상기 게이트배선(113)과 데이터배선(121)이 교차되어 정의되는 화소지역(141)내에는 화소전극(131)이 오버랩되어져 상기 드레인전극부(123)와 접속되어 있다. Further, in the gate wiring 113 and the data line, the pixel area 141, that is 121, is cross-definition been overlaps the pixel electrode 131 is connected with the drain electrode 123. 여기서, 상기 화소전극(131)은 상기 게이트배선(113)과 데이터배선(121)이 교차되어 이루는 화소지역내에 오버랩되어 있다. Here, the pixel electrode 131 are overlapped in the pixel region forms the gate wire 113 and data wire 121 are crossed. 즉, 상기 화소전극(113)은 기존과 다르게 상기 게이트배선(113) 및 데이터배선(121)과는 오버랩되지 않는다. That is, the pixel electrode 113 is not different from the original is not overlapping with the gate wiring 113 and the data line 121. 하 지만, 상기 화소전극(13)은 상기 게이트전극부(113a) 및 소스전극부(121a)와는 오버랩된다. However, the pixel electrode 13 are overlapped different from the gate electrode portion (113a) and the source electrode portions (121a).

또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기와 같이 구성되는 전기영동 디스플레이장치에 적용되는 하판(미도시)상에 전기영동필름(미도시)이 적층되어 있고, 그 위에는 투명전극이나 기타 전극물질층으로 구성된 상판(미도시)이 적층되어져 전기영동 디스플레이장치를 구성한다. In the drawings although not shown, it is the electrophoretic film (not shown) stacked on the lower plate (not shown) that is applied to an electrophoretic display device configured as described above, thereon made of a transparent electrode or any other electrode material layer the top plate (not shown) are laminated been constitutes an electrophoretic display device.

한편, 상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 전기영동 디스플레이장치의 제조방법에 대해 도 5 및 도 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다. On the other hand, it will be described with reference to FIGS. 5 and 6 for producing the electrophoretic display device according to the present invention constituted as described above as follows.

도 5는 본 발명에 따른 전기 영동 디스플레이장치에 있어서, 도 4의 Ⅴ-Ⅴ선에 따른 단면도이다. 5 is according to the electrophoretic display device according to the present invention, a cross-sectional view along the Ⅴ Ⅴ-line in Fig.

도 6은 본 발명에 따른 전기 영동 디스플레이장치에 있어서, 도 4의 Ⅵ-Ⅵ선에 따른 단면도이다. Figure 6 is according to the electrophoretic display device according to the present invention, a cross-sectional view along the Ⅵ Ⅵ-line in Fig.

도 5 및 도 6을 참조하면, 먼저 하판(111)상에 게이트배선을 형성하기 위한 도전층을 증착한후 이를 선택적으로 패터닝하여 게이트배선(113)을 형성한다. Even if 5 and 6, the first conductive layer to form a gate wiring 113 by selectively patterning it by depositing a for forming a gate wiring on the lower panel 111. The 이때, 상기 도전층 패터닝시에 상기 게이트배선(113)과 함께 이 게이트배선(113)과 일정간격 이격되어 동일방향으로 스토리지공통배선(115)을 동시에 형성한다. In this case, the spaced apart the gate line 113 and the predetermined distance together with the gate wiring 113 at the time the conductive layer is patterned to form a storage common wiring 115 in the same direction at the same time.

그다음, 게이트절연막(117)과 활성층(미도시)을 차례로 적층한후 그 위에 도전층을 증착하고 이를 패터닝하여 상기 게이트배선(113)과 교차되게 배열되는 데이터배선(121)을 형성한다. Then, a gate insulation film 117 and the active layer (not shown) to turn the laminate after the data line 121 is arranged in the deposition and patterning them crossing the gate wiring 113, a conductive layer thereon. 이때, 상기 도전층 패터닝시에 상기 데이터배선(121)과 함께 이 데이터배선(121)과 일정간격 이격되게 드레인전극부(123)가 동시에 형성된 다. At this time, when the conductive layer is patterned is formed at the same time, the data line 121 and the drain electrode to be spaced a certain unit 123 interval with the data line 121. 또한, 상기 데이터배선(121)은 소스전극부(121a)가 연장되어져 드레인전극부(123)와 함께 상기 게이트배선(113)에서 연장된 게이트전극(113a)과 오버랩되어져 박막트랜지스터부를 이룬다. In addition, the data line 121 been overlapped with the gate electrode (113a) extending from the gate wiring 113 with been extended, the source electrode (121a), the drain electrode 123 constitute parts of the thin film transistor.

이어서, 상기 하판(111)전체에 유기막 또는 기타 절연물질을 이용하여 보호막(passivation layer)용 절연막(125)을 증착한후 상기 절연막(125)을 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극부(123)를 노출시키는 드레인콘택홀(미도시; 도 4의 127)을 형성한다. Then, the lower plate 111 to the entire organic film or after using the other insulating material is deposited an insulating film 125 for protecting film (passivation layer), the insulating film 125, the drain electrode 123 is selectively patterned in the to form, (127 of FIG. 4 not shown) exposing the drain contact hole that. 이때, 상기 절연막(125) 패터닝시에 상기 드레인콘택홀 형성과 함께 상기 게이트배선(113)과 데이터배선(121)상측에 위치하는 절연막(125)의 일부두께를 식각하여 에어갭(129)을 동시에 형성한다. At this time, the insulating film 125, the air gap 129 by etching a portion thickness at the time of patterning the insulating film 125 located above the gate wire 113 and data wire 121 with the formation of the drain contact hole at the same time forms.

그다음, 상기 드레인콘택홀(미도시; 도 4의 127)을 포함한 절연막(125)상에 ITO와 같은 투명전극물질층을 증착한후 이를 패터닝하여 화소전극부(131)를 형성한다. Then, the drain contact holes; depositing a transparent electrode material layer such as ITO on an insulating film 125 including the (not shown in 127 of FIG. 4) patterned to form a pixel electrode 131. 이때, 상기 화소전극부(131)는 상기 드레인콘택홀(미도시; 도 4의 127)을 통해 드레인전극부(123)와 접속된다. In this case, the pixel electrode 131 is a drain contact holes; is connected to the drain electrode unit 123 via the (not shown in 127 in Fig. 4). 또한, 상기 화소전극부(131)는 상기 게이트배선(113)과 데이터배선(121)이 교차되어 정의되는 화소지역(141)안쪽에 위치한다. Further, the pixel electrode 131 is located on the inside of the pixel region 141 is defined above the gate wire 113 and data wire 121 are crossed.

이어서, 상기 화소전극부(131)를 포함한 하판(111)상에 전기영동필름(133)을 적층한다. Then, the laminating an electrophoretic film 133 on the lower panel 111 including the pixel electrode 131. 이때, 상기 전기영동필름(133)은 폴리머중합체(polymer binder)에 전자잉크가 캡슐(135)을 형성하고 있는 것으로, 상기 캡슐(135)내에 분포하는 전자잉크는 화이트잉크(135a)와 블랙잉크(135b)로 이루어져 있다. In this case, the electrophoretic film 133 is the e-ink to the polymeric polymer (polymer binder) that forms the capsule 135, the e-ink distributed in the capsule 135 is a black ink and a white ink (135a) ( It consists 135b). 또한, 상기 전자영동필름(133)내에 분포된 화이트잉크(135a)와 블랙잉크(135b)는, 각각 양전하와 음전하 특성을 가진다. In addition, the white ink (135a) and black ink (135b) distributed in the electron-gel film 133, and each has a characteristic positive and negative charges. 즉, 상기 화이트잉크(135a)는 양전하로 대전되어 있으며, 블랙잉크 (135b)는 음전하로 대전되어 있다. That is, the white ink (135a) has been charged to a positive charge, the black ink (135b) is charged to a negative charge. 그리고, 상기 전기영동필름(133)은 일체형으로 접착층(미도시)에 의해 하판(111)에 적층된다. In addition, the electrophoretic film 133 is stacked on the lower plate 111 by an adhesive layer (not shown) integrally. 따라서, 패터닝후에도 최상층인 화소전극부와 충분한 면적으로 존재하므로 전기영동필름이 접착(adhesion)하는데는 큰 무리가 없게 된다. Therefore, since it is present in an uppermost portion of the pixel electrode with a sufficient area even after the patterning in an electrophoretic film adhesion (adhesion) it is not a great crowd.

한편, 화소전극부의 패터닝시에 상기 데이터배선과 게이트배선과 일정간격만큼 이격되게 패터닝하게 되면, 화소전압(pixel voltage)을 기생 캐피시터(parasitic capacitor) 손실로 부터 근본적으로 보호할 수가 있어, 정확한 구동(driving)이 가능하다. On the other hand, if at the time of patterning of the pixel electrode that is patterned to be spaced apart by the data line and the gate wirings with a predetermined interval, the pixel voltage (pixel voltage) of the parasitic capacitors it can be essentially protected from the (parasitic capacitor) to the loss, precise drive ( the driving) is possible.

그다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 전자영동필름(133)상에는 투명물질인 ITO로 구성된 공통배선(미도시) 또는 기타 전극물질을 형성하므로써 전기영동 디스플레이장치를 완성한다. Then, although not shown in the drawing, to complete an electrophoretic display device By forming a common line (not shown), or any other electrode material composed of an ITO film, the electron-gel 133 formed on the transparent material.

상기에서 설명한 바와같이, 본 발명에 따른 전기영동 디스플레이장치 및 그 제조방법에 의하면, 전극간 커플링을 방지하기 위해, 기존에 게이트배선과 데이터배선 및 화소전극부가 서로 오버랩되는 부분위로 두껍게 증착하였던 유기막, 즉 절연막을 일정두께만큼 식각하여 에어갭(air gap)을 형성하여 주므로써, 전자 종이에서 발생하는 크로스토크(cross-talk)나 픽셀전압(pixel voltage)의 바이브레이션(vibration)으로 부터 발생하는 불량, 화질 저하 문제를 해결할 수 있다. As described above, according to the electrophoretic display device and a method of manufacturing the same according to the present invention, in order to prevent the coupling between the electrodes, who existing in the gate line and data line, the pixel electrode portion thick deposited over the portion overlapping each other organic film, that is, by etching the insulating film by a predetermined thickness meurosseo state to form an air gap (air gap), arising from a vibration (vibration) of the cross-talk (cross-talk) or a pixel voltage (pixel voltage) generated in the electronic paper poor, it can resolve image quality degradation.

또한, 이렇게 전자종이용 패턴구조에서 게이트배선과 데이터배선과 오버랩되는 유기막부분을 식각하여 에어갭을 형성하여 상호 이격시켜 주므로써 픽셀전압을 기생캐패시터의 손실로부터 보호할 수 있다. Further, it is possible to protect this electronic Paper pattern structure gate line and the data line and overlapping the pixel voltage to the main meurosseo spaced apart from each other to form an air gap by etching the organic film from a portion in the loss of the parasitic capacitor.

한편, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. On the other hand, the in variously modifying the invention within the scope not departing from the spirit and scope of the invention defined in the claims of has been described with reference to a preferred embodiment of the invention, those skilled in the art is to and it will be understood that it can be changed.

Claims (11)

  1. 하판상에 형성된 게이트배선; A gate wiring formed on the lower plate;
    상기 게이트배선을 포함한 상기 하판 상에 형성된 게이트절연막과 활성층; A gate insulating film and an active layer formed on the lower substrate including the gate wiring;
    상기 하판상에 형성되고 상기 게이트배선과 교차되게 배치되는 데이터배선과 상기 활성층으로부터 대향되게 배치된 소스전극부와 드레인전극부; The lower plate is formed on the gate line and the counter be arranged from the data wiring and the active layer is arranged to cross the source electrode part and a drain electrode part;
    상기 데이터배선과 소스전극부 및 드레인전극부를 포함한 하판전체에 형성되고, 상기 데이터배선과 게이트배선상에 위치하는 부분에 에어갭이 형성된 절연막; The data line and the source electrode portions and are formed on the entire lower plate including a drain electrode portion, the insulating air gap is formed in a portion positioned on the data line and the gate wirings;
    상기 절연막상에 형성되고 상기 드레인전극부와 접속되는 화소전극부; The pixel electrode portion is formed on the insulating film to be connected with the drain electrode part; And
    상기 화소전극부를 포함한 하판상에 형성된 전기영동필름;를 포함하여 구성되며, It is configured including,; electrophoretic film formed on the lower panel portion including the pixel electrode
    상기 에어갭은 상기 데이터배선 및 게이트배선과 오버랩되는 상기 절연막에 형성되며, 상기 에어갭에 의해 상기 화소전극부가 상기 데이터배선 및 게이트배선과 이격되는 것을 특징으로하는 전기영동 디스플레이장치. The air gap is an electrophoretic display device, it characterized in that the data line and overlapping with the gate wiring is formed on the insulating film, by the air gap portion of the pixel electrode that is spaced apart from the data line, the gate wiring.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화소전극부는 상기 게이트배선과 데이터배선이 교차하여 이루는 화소지역 내에 위치하는 것을 특징으로하는 전기영동 디스플레이장치. The method of claim 1, wherein the pixel electrode portion electrophoretic display device, characterized in that located in the pixel areas make up across the gate wire and the data wire.
  3. 삭제 delete
  4. 제1항에 있어서, 상기 절연막으로는 유기막 또는 보호막 재질로 형성하는 것을 특징으로하는 전기영동 디스플레이장치. The method of claim 1, wherein the insulating film is an electrophoretic display device, characterized in that for forming of an organic film or a protective film material.
  5. 제1항에 있어서, 상기 하판상에 상기 게이트배선과 일정간격 이격되어 스토리지공통배선이 형성되어 있는 것을 특징으로하는 전기영동 디스플레이장치. The method of claim 1, wherein the electrophoretic display device characterized in that the gate line and are spaced apart a predetermined interval storage common wiring on said lower panel is formed.
  6. 하판상에 게이트배선을 형성하는 단계; Forming a gate wiring on the lower plate;
    상기 게이트배선을 포함한 상기 하판전체에 게이트절연막과 활성층을 형성하는 단계; Forming a gate insulating film and the active layer to the whole of the lower panel including the gate wiring;
    상기 하판상에 상기 게이트배선과 교차되게 배치되는 데이터배선과 상기 활성층으로부터 대향되게 배치되는 소스전극부와 드레인전극부을 형성하는 단계; Forming the lower plate in the pouring drain electrode and the source electrode unit disposed opposite to the active layer from the data line crossing the gate wiring to be arranged;
    상기 데이터배선과 소스전극부 및 드레인전극부를 포함한 하판전체에 절연막을 형성하는 단계; Forming an insulating film on the entire lower plate, including the data line and a source electrode part and a drain electrode part;
    상기 데이터배선과 게이트배선상에 위치하는 절연막부분에 에어갭을 형성하는 단계; Forming an air gap in the insulating film portion positioned in the data wirings and gate wirings;
    상기 절연막상에 상기 드레인전극부와 접속되는 화소전극부을 형성하는 단계; Forming on the insulating film swells pixel electrode connected with the drain electrode part; And
    상기 화소전극부를 포함한 하판상에 전기영동필름을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되며, It is configured, including,, forming an electrophoretic film on the lower panel portion including the pixel electrode
    상기 에어갭은 상기 데이터배선 및 게이트배선과 오버랩되는 상기 절연막에 형성되며, 상기 에어갭에 의해 상기 화소전극부가 상기 데이터배선 및 게이트배선과 이격되는 것을 특징으로하는 전기영동 디스플레이장치 제조방법. It said air gap A method of manufacturing an electrophoretic display device, characterized in that the data line and overlapping with the gate wiring is formed on the insulating film, by the air gap portion of the pixel electrode that is spaced apart from the data line, the gate wiring.
  7. 제6항에 있어서, 상기 화소전극부는 상기 게이트배선과 데이터배선이 교차하여 이루는 화소지역 내에 위치하는 것을 특징으로하는 전기영동 디스플레이장치 제조방법. The method of claim 6, wherein the pixel electrode portions method electrophoretic display device, characterized in that located in the pixel areas make up across the gate wire and the data wire.
  8. 삭제 delete
  9. 제6항에 있어서, 상기 절연막으로는 유기막 또는 보호막 재질로 형성하는 것을 특징으로하는 전기영동 디스플레이장치 제조방법. The method of claim 6, wherein said insulating film is a method of manufacturing the electrophoretic display device so as to form a protective film or organic film material.
  10. 제6항에 있어서, 상기 게이트배선 형성시에 이 게이트배선과 일정간격 이격되게 스토리지공통배선을 형성하는 것을 특징으로하는 전기영동 디스플레이장치 제조방법. The method of claim 6, wherein the method of manufacturing the electrophoretic display device so as to form the gate line and a predetermined distance apart so the storage common wiring at the time of forming the gate wiring.
  11. 제6항에 있어서, 상기 절연막상에 상기 화소전극부를 드레인전극부와 접속시켜 주는 드레인콘택홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로하는 전기영동 디스플레이장치 제조방법. The method of claim 6, wherein the method of producing the insulating layer and an electrophoretic display device according to claim 1, further comprising the step of forming a drain contact hole that was connected to the drain electrode unit parts of the pixel electrode.
KR20050056580A 2005-06-28 2005-06-28 Electrophoretic display device and method for fabricating the same KR101148500B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20050056580A KR101148500B1 (en) 2005-06-28 2005-06-28 Electrophoretic display device and method for fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20050056580A KR101148500B1 (en) 2005-06-28 2005-06-28 Electrophoretic display device and method for fabricating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070000910A true KR20070000910A (en) 2007-01-03
KR101148500B1 true KR101148500B1 (en) 2012-05-23

Family

ID=37868634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20050056580A KR101148500B1 (en) 2005-06-28 2005-06-28 Electrophoretic display device and method for fabricating the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101148500B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101332048B1 (en) * 2007-03-30 2013-11-22 엘지디스플레이 주식회사 Display device and method of manufacturing the same
KR101396940B1 (en) * 2007-12-05 2014-05-20 엘지디스플레이 주식회사 Organic Thin Film Transistor for Electrophoretic Display device and method for fabricating the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100284710B1 (en) * 1999-03-17 2001-03-15 구본준 A liquid crystaldisplay and a fabricating method thereof
KR20010028837A (en) * 1999-09-27 2001-04-06 윤종용 Capacitor array preventing crosstalk between adjacent capacitors in semiconductor device and method for fabricating the same
KR20020034271A (en) * 2000-10-31 2002-05-09 구본준, 론 위라하디락사 method for fabricating array substrate for LCD and the same
KR20030074472A (en) * 2002-03-14 2003-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Display device and method of fabricating the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100284710B1 (en) * 1999-03-17 2001-03-15 구본준 A liquid crystaldisplay and a fabricating method thereof
KR20010028837A (en) * 1999-09-27 2001-04-06 윤종용 Capacitor array preventing crosstalk between adjacent capacitors in semiconductor device and method for fabricating the same
KR20020034271A (en) * 2000-10-31 2002-05-09 구본준, 론 위라하디락사 method for fabricating array substrate for LCD and the same
KR20030074472A (en) * 2002-03-14 2003-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Display device and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date Type
KR20070000910A (en) 2007-01-03 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5835177A (en) Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers
US20010046027A1 (en) Liquid crystal display having stripe-shaped common electrodes formed above plate-shaped pixel electrodes
US20040119903A1 (en) Method of fabricating array substrate having color filter on thin film transistor structure
JPH09230380A (en) Active matrix substrate and liquid crystal display device
JPH10339880A (en) Liquid crystal display device
JP2005077822A (en) Manufacturing method of transistor array substrate, and transistor array substrate
JPH11109390A (en) The liquid crystal display device
JP2008003118A (en) Electrooptical device, electronic apparatus, and manufacturing method of electrooptical device
US20100109993A1 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
CN101713883A (en) Liquid crystal device, electronic apparatus, and method of manufacturing liquid crystal device
JP2004363170A (en) Method of forming conductive pattern, electrooptic device, method of manufacturing the same, and electronic equipment
JPH1124101A (en) Active element array substrate and manufacture thereof
JP2004053815A (en) Liquid crystal display device
JPH1096949A (en) Active matrix liquid crystal display device
JP2000164874A (en) Thin-film transistor array substrate, manufacturing method for it, and liquid-crystal display device
US20120113347A1 (en) Liquid crystal display panel and method for fabricating the same
US20110177639A1 (en) Method for manufacturing a thin film transistor array panel
KR20060030630A (en) Electro phoretic display and manufacturing method thereof
JP2001142095A (en) Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
KR19990079262A (en) Method of producing a flat-driving type liquid crystal display device
JP2007057724A (en) Particle transfer type display apparatus
JP2006195098A (en) Matrix array substrate, manufacturing method for the same, and flat display apparatus
CN103605241A (en) Liquid crystal display panel
US20100155734A1 (en) Electrophoretic display device and method of manufacturing and repairing the same
JP2005099301A (en) Packaged structure, electrooptical device, electronic equipment, and method for manufacturing packaged structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150429

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160428

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170413

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180416

Year of fee payment: 7