KR101146083B1 - Invasion detection apparatus and method for having self-diagnosis function - Google Patents

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오사철
김정수
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한국전력공사
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Abstract

PURPOSE: An intrusion detection apparatus which has a self diagnosis function and a method thereof are provided to reduce malfunction due to a fault of a sensor, thereby accurately determining an intrusion state. CONSTITUTION: A diagnostic circuit part(115) determines malfunction of a hot-wire detector according to a signal transmitted from a second signal processor and a first signal processor. The diagnostic circuit part comprises a transistor(Q3,Q4), a comparator(1151), and a light emitting device(1152). The transistor is operated according to the signal transmitted from a signal processor. The comparator creates an output signal according to a comparison result of a signal transmitted from the transistor. The light emitting device displays a warning sign by detecting an intrusion state and malfunction of internal devices according to the output signal from the comparator.

Description

자가진단 기능을 구비한 침입 감지 장치 및 방법{Invasion detection apparatus and method for having self-diagnosis function}[0001] The present invention relates to an invasion detection apparatus and method having self-diagnosis function,

본 발명은 자가진단 기능을 구비한 침입 감지 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 자가진단 기능을 이용하여 보다 정확히 오작동의 원인을 판단하기 위한 무인변전소의 침입 감지 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an intrusion detection apparatus and method having a self-diagnosis function, and more particularly, to an intrusion detection apparatus and method of an unmanned substation for more accurately determining a cause of a malfunction by using a self-diagnosis function.

최근 건설되는 무인변전소는 대부분 현장을 감시하고 제어하기 위한 무인 침입 관리장치를 운영한다. 이러한 무인 침입 관리장치는 감시카메라, 열선감지기 및 광섬유 등의 감지방식을 주로 이용한다. 특히, 침입여부에 대한 실시간 감시가 가능하고 침입시도에 민감하게 반응하는 열선감지기를 이용하는 방식이 많이 활용되고 있다.Most recently, unmanned substations operate an unmanned intrusion management system to monitor and control the site. Such an unmanned intrusion management apparatus mainly uses a detection method such as a surveillance camera, a heat ray sensor, and an optical fiber. Particularly, a method using a hot wire detector which can be monitored in real time for intrusion and sensitive to an intrusion attempt is widely used.

일반적으로 열선 감지기는 원적외선을 복사하는 이동 물체를 감지하며, 이동 물체를 감지하는 영역을 정하기 위한 반사경 및 렌즈 등의 광학계, 광학계의 초점 위치에 설치된 초전소자 및 신호처리를 시행하는 신호처리부를 포함한다. 즉, 열선 감지기는 이동 물체를 감지하는 감지센서 및 감지센서의 동작에 따른 신호처리 소자에 의해 동작한다.In general, a hot-wire detector includes an optical system such as a reflector and a lens for detecting a moving object that radiates far-infrared rays, and for determining an area for sensing a moving object, a superconducting element installed at a focus position of the optical system, and a signal processing unit for performing signal processing . That is, the heat line sensor is operated by a sensing sensor for sensing a moving object and a signal processing device for sensing the operation of the sensing sensor.

이러한 열선 감지기의 감지센서와 신호처리 소자는 내부 오동작의 주요 요인이며, 순간적으로 동작 및 복귀 동작을 수행함에 따라 오동작이 발생했을 경우 열선 감지기의 내부 요인에 의한 오동작 인지 아니면 외부 요인에 의한 오동작 인지의 여부를 판단하기 불가능한 문제점이 있다. 또한, 동일한 오동작의 반복으로 열선 감지기의 재동작이 주기적으로 반복되는 문제점이 있다.The detection sensor and the signal processing element of the hot wire sensor are the main factors of the internal malfunction. When the malfunction occurs due to the instantaneous operation and the return operation, the malfunction due to the internal factors of the hot wire sensor or the malfunction due to the external factors There is a problem that it is impossible to judge whether or not it is possible. In addition, there is a problem in that the repetitive operation of the hot wire sensor is periodically repeated by repeating the same malfunction.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 센서 불량에 의한 오동작을 감소시키며, 자가진단 기능을 이용하여 오작동의 원인을 보다 명확히 판단하기 위한 무인변전소의 침입 감지 장치 및 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an apparatus and method for intrusion detection of an unmanned substation in order to reduce a malfunction caused by a sensor failure and to more clearly determine a cause of a malfunction by using a self-diagnosis function.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 자가진단 기능을 구비한 열선 감지기를 포함하는 침입 감지 장치에 있어서, 제1 감지 센서를 포함하는 제1 입력부; 제2 감지 센서를 포함하는 제2 입력부; 상기 제1 입력부로부터 전달되는 제1 감지 신호를 전달받아 동작하는 제1 신호처리부; 상기 제2 입력부로부터 전달되는 제2 감지신호를 전달받아 동작하는 제2 신호처리부, 및 상기 제1 신호처리부와 상기 제2 신호처리부에서 전달되는 신호에 따라 상기 열선 감지기의 오동작 여부를 판단하는 진단 회로부를 포함하며, 상기 진단 회로부는, 상기 제1 신호처리부로부터 전달되는 신호에 따라 턴온되는 제1 트랜지스터, 상기 제2 신호처리부로부터 전달되는 신호에 따라 턴온되는 제2 트랜지스터 및 상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터로부터 전달되는 신호를 비교한 결과에 따라 출력 신호 생성하는 비교기를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an intrusion detection apparatus including a hot-wire detector having a self-diagnosis function, the intrusion detection apparatus comprising: a first input unit including a first sensor; A second input including a second sensing sensor; A first signal processor for receiving a first sensing signal transmitted from the first input unit; A second signal processing unit for receiving a second sensing signal transmitted from the second input unit and operating in accordance with a signal transmitted from the first signal processing unit and the second signal processing unit, Wherein the diagnostic circuit unit includes: a first transistor that is turned on in response to a signal transmitted from the first signal processing unit; a second transistor that is turned on in response to a signal transmitted from the second signal processing unit; And a comparator for generating an output signal according to a result of comparing signals transmitted from the two transistors.

상기 제1 신호처리부는 상기 제1 감지 신호에 의해 동작하며, 상기 제1 감지 센서에 일단이 연결되어 있는 제1 포토다이오드; 및 상기 제1 포토다이오드로부터 전달되는 신호에 의해 동작하는 제1 포토트랜지스터를 포함한다.The first signal processing unit being operated by the first sensing signal and having one end connected to the first sensing sensor; And a first phototransistor operated by a signal transmitted from the first photodiode.

상기 제2 신호처리부는 상기 제2 감지 신호에 의해 동작하며, 상기 제2 감지 센서에 일단이 연결되어 있는 제2 포토다이오드; 및 상기 제2 포토다이오드로부터 전달되는 신호에 의해 동작하는 제2 포토트랜지스터를 포함한다.The second signal processing unit being operated by the second sensing signal, the second photodiode having one end connected to the second sensing sensor; And a second phototransistor operated by a signal transmitted from the second photodiode.

상기 진단 회로부는 상기 제1 트랜지스터의 베이스에 일단이 연결되어 있은 제1 저항; 상기 제1 트랜지스터의 베이스와 상기 제1 저항의 접점에 일단이 연결되어 있는 제2 저항; 상기 제2 트랜지스터의 베이스에 일단이 연결되어 있는 제3 저항; 상기 제2 트랜지스터의 베이스와 상기 제3 저항의 접점에 일단이 연결되어 있는 제4 저항; 및 상기 제1 트랜지스터에 일단이 연결되어 있으며, 상기 비교기에 타단이 연결되어 있는 무장신호 스위치를 더 포함한다.Wherein the diagnostic circuit comprises: a first resistor having one end connected to a base of the first transistor; A second resistor whose one end is connected to a base of the first transistor and a contact of the first resistor; A third resistor whose one end is connected to the base of the second transistor; A fourth resistor having one end connected to the base of the second transistor and the third resistor; And an arming signal switch having one end connected to the first transistor and the other end connected to the comparator.

상기 진단 회로부는 상기 비교기의 출력 단자를 통해 출력된 상기 출력 신호에 따라 발광하는 발광소자를 더 포함한다.The diagnostic circuit further includes a light emitting device that emits light according to the output signal output through the output terminal of the comparator.

상기 발광소자는 상기 출력 신호가 제1 전압인 경우, 상기 열선 감지기의 내부소자에 이상이 발생한 것을 표시한다.When the output signal is the first voltage, the light emitting device indicates that an abnormality has occurred in an internal element of the hot wire sensor.

상기 다른 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 자가진단 기능을 구비한 열선 감지기를 포함하는 침입 감지 장치에 있어서,According to another aspect of the present invention, there is provided an intrusion detection device including a hot-wire detector having a self-diagnosis function,

적어도 두 개의 감지센서의 동작에 따라 전달되는 전압을 비교하는 비교기를 포함하며, 상기 비교기로부터 출력되는 오동작 신호를 이용하여 상기 열선 감지기의 내부소자 오동작 여부를 판단하는 오동작 자가 진단부; 및 상기 오동작 신호를 분석한 결과 상기 오동작 신호가 제1 전압인 경우 상기 열선 감지기의 내부소자의 이상이 것으로 판단하며, 상기 오동작 신호가 상기 제1 전압이 아닌 제2 전압인 경우 상기 오동작 자가 진단부와 연결되는 외부장치의 이상이거나 침입이 발생한 것으로 판단하는 동작 상태 판단부를 포함한다.A malfunctioning self-diagnosis unit which includes a comparator that compares a voltage delivered according to an operation of at least two detection sensors, and determines whether a malfunction of an internal device of the hot-wire sensor is detected using a malfunction signal output from the comparator; And when the malfunction signal is the first voltage, it is determined that the internal element of the hot wire sensor is abnormal. When the malfunction signal is the second voltage other than the first voltage, And determines that an external device connected to the external device has an error or an intrusion has occurred.

상기 동작 상태 판단부는 상기 적어도 두 개의 감지센서에 각각 연결되는 포토커플러가 동시에 동일하게 정상동작 하여 상기 제2 전압으로 상기 오동작 신호가 전달되고, 상기 외부장치에 의한 이상이 아닌 경우 상기 침입이 발생한 것으로 판단하여 침입 발생 신호를 생성한다.The operation state determination unit determines that the photocoupler connected to each of the at least two detection sensors operates normally at the same time so that the malfunction signal is transmitted to the second voltage and the intrusion occurs when the malfunction signal is not abnormal by the external apparatus And generates an intrusion occurrence signal.

상기 오동작 자가 진단부는 상기 적어도 두 개의 감지센서 중 제1 감지센서를 포함하는 제1 입력부; 상기 적어도 두 개의 감지센서 중 제2 감지센서를 포함하는 제2 입력부; 상기 제1 입력부와 연결되는 제1 포토커플러를 포함하는 제1 신호처리부; 상기 제2 입력부와 연결되는 제2 포토커플러를 포함하는 제2 신호처리부; 및 상기 제1 신호처리부와 상기 제2 신호처리부에서 전달되는 전압을 상기 비교기를 이용하여 비교한 결과에 따라 상기 제1 전압 또는 상기 제2 전압을 갖는 상기 오동작 신호를 생성하는 진단 회로부를 포함한다.Wherein the malfunctioning self-diagnosis unit includes a first input unit including a first sensing sensor among the at least two sensing sensors; A second input including a second sensing sensor of the at least two sensing sensors; A first signal processor including a first photocoupler connected to the first input unit; A second signal processor including a second photocoupler connected to the second input unit; And a diagnostic circuit for generating the malfunction signal having the first voltage or the second voltage according to the comparison result of the voltage transmitted from the first signal processor and the second signal processor using the comparator.

상기 제1 신호처리부와 상기 제2 신호처리부에서 전달되는 전압을 상기 비교기를 이용하여 비교한 결과에 따라 상기 침입 발생 신호를 출력하는 출력 회로부를 더 포함한다.And an output circuit for outputting the intrusion generating signal according to a result of comparing the voltage transmitted from the first signal processor and the second signal processor using the comparator.

상기 동작 상태 판단부는 상기 오동작 신호가 상기 제1 전압인 경우, 상기 열선 감지기의 내부소자의 수리 및 교체 가능성을 확인할 것을 요청하는 내부소자 점검 요청 신호를 생성한다.The operation state determination unit generates an internal device check request signal requesting confirmation of the possibility of repairing and replacing the internal element of the hot wire sensor when the malfunction signal is the first voltage.

상기 동작 상태 판단부는 상기 오동작 신호가 상기 제2 전압이고 상기 외부장치에 의한 오동작인 경우, 상기 외부장치의 점검을 요청하는 외부장치 점검 요청 신호를 생성한다.The operation state determiner generates an external device check request signal for requesting the external device to check if the malfunction signal is the second voltage and the malfunction caused by the external device.

상기 동작 상태 판단부는 상기 오동작 신호가 상기 제2 전압이고 상기 침입이 발생한 경우, 상기 침입 발생 신호를 생성한다.The operation state determination unit generates the intrusion generation signal when the malfunction signal is the second voltage and the intrusion occurs.

본 발명의 실시예에서는 적어도 두 개의 감지센서에 의해 침입상태를 판단함에 따라 센서 불량에 의한 오동작을 방지하여 침입상태를 보다 정확하게 판단할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to more precisely determine the intrusion state by preventing the malfunction caused by the sensor failure by determining the intrusion state by at least two detection sensors.

그리고, 본 발명의 실시예에서는 열선 감지기의 내부소자의 오동작과 외부장치의 오동작을 구분하여 표시하므로 적절한 시기에 내부소자의 교체 및 수리할 수 있고, 초기 대응으로 중대 고장을 방지할 수 있으므로 비용절감 및 설비의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In the embodiment of the present invention, the malfunction of the internal elements of the heat ray sensor and the malfunction of the external apparatus are separately displayed, so that the internal elements can be replaced and repaired in an appropriate time. And the reliability of the equipment can be improved.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 송전선로 보호장치를 포함하는 송전선로 보호시스템의 개념도이다.
도 2는 도 1에 도시한 송전선로 보호시스템에서 고장이 발생한 한 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시한 차단기의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.1 is a conceptual diagram of a transmission line protection system including a transmission line protection apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a diagram showing an example of a failure occurring in the transmission line protection system shown in Fig. 1. Fig.
Fig. 3 is a diagram showing a schematic configuration of the circuit breaker shown in Fig. 1. Fig.

본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서, 반복되는 설명, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능, 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 실시형태는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a repeated description, a known function that may obscure the gist of the present invention, and a detailed description of the configuration will be omitted. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings and the like can be exaggerated for clarity.

도 1은 일반적인 침입 감지 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view of a general intrusion detection device. FIG.

도 1에 도시한 바와 같이, 일반적인 침입 감지 장치(1)는 입력부(10), 신호처리부(20) 및 출력회로부(30)를 포함한다.1, a general intrusion detection device 1 includes an input unit 10, a signal processing unit 20, and an output circuit unit 30. [

입력부(10)는 이동물체를 감지하는 감지센서(11) 및 저항(R11)을 포함한다. The input unit 10 includes a sensor 11 and a resistor R11 for sensing a moving object.

신호처리부(20)는 감지센서(11)로부터 전달되는 신호에 따라 동작하는 포토커플러, 즉 포토다이오드(D1) 및 포토트랜지스터(Q11)를 포함한다. The signal processing unit 20 includes a photocoupler, that is, a photodiode D1 and a phototransistor Q11, which operate according to a signal transmitted from the detection sensor 11.

출력회로부(30)는 포토커플러로부터 전달되는 신호에 따라 외부장치(도시하지 않음)와 연결된다.The output circuit unit 30 is connected to an external device (not shown) according to a signal transmitted from the photocoupler.

이처럼 침입 감지 장치(1)는 이동이 감지되는 경우, 감지센서(11)의 동작에 따라 포토다이오드(D11) 및 포토트랜지스터(Q11)가 순차적으로 턴온되어 출력회로부(30)로 출력신호(Sout)를 전달하여 침입여부를 감지한다.When the intrusion detection device 1 senses the movement, the photodiode D11 and the phototransistor Q11 are sequentially turned on in response to the operation of the detection sensor 11 and the output signal Sout is output to the output circuit 30, To detect the intrusion.

이때, 감지센서(11), 포토다이오드(D11) 및 포토트랜지스터(Q11)는 내부 오동작의 주요 원인이 될 수 있으며, 오동작시 순간적으로 출력신호(Sout)가 전달되었다가 전달되지 않는 경우가 발생하여 이동물체의 감지에 따른 동작인지 아니면 내부 회로 문제에 따른 오동작인 지의 여부를 판단하기 불가능하며, 동일한 오동작의 원인에 의해 침입 감지 장치(1)의 재동작이 수시로 발생하는 문제점이 있다.At this time, the detection sensor 11, the photodiode D11 and the phototransistor Q11 may be the main causes of the internal malfunction, and when the malfunction occurs, the output signal Sout is instantaneously transmitted but not transmitted It is impossible to determine whether it is an operation according to the detection of a moving object or a malfunction due to an internal circuit problem, and the same operation of the intrusion detection device 1 occurs frequently due to the same malfunction.

이하, 이러한 침입 감지 장치의 오동작 문제를 해소하기 위해 본 발명의 실시예에 따른 자가 진단 기능을 구비한 침입 감지 장치에 대하여 도 2 및 도 3을 참조하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, an intrusion detection apparatus having a self-diagnosis function according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 and FIG. 3 in order to solve the malfunction problem of the intrusion detection apparatus.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 자가 진단 기능을 구비한 침입 감지 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 2 is a schematic view of an intrusion detection apparatus having a self-diagnosis function according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 자가 진단 기능을 구비한 침입 감지 장치(100)는 무인변전소에 설치되며, 오동작 자가 진단부(110), 동작 상태 판단부(120) 및 결과 알림부(130)를 포함한다.2, an intrusion detection apparatus 100 having a self-diagnosis function according to an embodiment of the present invention is installed in an unmanned substation, and includes a malfunctioning self-diagnosis unit 110, an operation state determination unit 120, And a result notification unit 130.

오동작 자가 진단부(110)는 침입여부를 감지하기 위한 열선 감지기를 포함하며, 열선 감지기의 내부소자에 의해 오동작이 발생하였는지 아니면 오동작 자가 진단부(110)에 연결되는 외부장치(도시하지 않음)에서 오동작이 발생하였는지의 여부를 자가 진단한다. 오동작 자가 진단부(110)는 진단 결과가 열선 감지기의 내부소자에 의한 오동작인 경우 오동작 신호(S1)를 생성하여 동작 상태 판단부(120)로 전달한다. The malfunction self-diagnosis unit 110 includes a heat line sensor for detecting whether or not the malfunction occurs. The malfunctioning self-diagnosis unit 110 detects whether a malfunction occurs due to an internal element of the heat line sensor or an external device (not shown) connected to the diagnosis unit 110 It is automatically diagnosed whether a malfunction has occurred or not. The malfunction self-diagnosis unit 110 generates a malfunction signal S1 and transmits the malfunction signal S1 to the operation state determination unit 120 when the diagnosis result is a malfunction due to an internal element of the hot wire sensor.

오동작 자가 진단부(110)는 진단 결과 내부소자에 의한 오동작이 아닌 경우 외부장치(도시하지 않음)에 의한 오동작이거나 또는 침입을 감지한 것으로 판단한다. 본 발명의 실시예에 따른 오동작 신호(S1)는 이상이 감지되는 경우 제1 전압으로 인가되며, 침입이 발생하였거나 또는 외부장치에 이상이 생긴 경우 제1 전압과 다른 제 2 전압으로 인가된다.The malfunctioning self-diagnosis unit 110 judges that there is a malfunction due to an external device (not shown) or an intrusion if it is not a malfunction due to an internal device as a result of the diagnosis. The malfunction signal S1 according to the embodiment of the present invention is applied to the first voltage when an abnormality is detected and to a second voltage different from the first voltage when an intrusion occurs or an external device malfunctions.

동작 상태 판단부(120)는 오동작 자가 진단부(110)로부터 오동작 신호(S1)를 전달받는다. 동작 상태 판단부(120)는 오동작 신호(S1)를 분석한 결과 제1 전압인 경우, 열선 감지기의 내부소자의 이상이 발생한 것으로 판단하여 내부소자의 수리 및 교차 가능성을 확인할 것을 요청하는 내부소자 점검 요청 신호를 생성한다.The operation state determination unit 120 receives the malfunction signal S1 from the malfunctioning self-diagnosis unit 110. [ The operation state determination unit 120 determines whether an internal element of the hot wire sensor is abnormal when the voltage is the first voltage as a result of analyzing the malfunction signal S1, And generates a request signal.

그리고, 동작 상태 판단부(120)는 오동작 신호(S1)를 분석한 결과 제2 전압인 경우 침입이 발생하였거나 외부장치에 의한 오동작인 지의 여부를 판단한다.The operation state determination unit 120 determines whether an intrusion occurs or a malfunction due to an external device in the case of the second voltage as a result of analyzing the malfunction signal S1.

구체적으로, 동작 상태 판단부(120)는 제2 전압을 갖는 오동작 신호(S1)가 전달되고 외부장치에 의한 오동작인 경우, 외부 점검 요청 신호를 생성하여 결과 알림부(130)로 전달한다. 한편, 동작 상태 판단부(120)는 제2 전압을 갖는 오동작 신호(S1)가 전달되고 외부장치에 의한 오동작이 아닌 경우, 침입 감지 장치(100)가 무장 해제 상태인지 아니며 경계 상태인지를 판단한 결과에 따라 침입 발생 신호를 생성하여 결과 알림부(130)로 전달한다. 여기서, 무장 해제 상태는 사용자의 설정에 의해 침입여부가 감지되어도 침입 감지 장치가 동작하지 않도록 설정된 모드이며, 경계 상태는 사용자의 설정에 의해 침입여부를 감지하여 경보를 발생하도록 설정된 모드이다.Specifically, when the malfunction signal S1 having the second voltage is transmitted and the malfunction is caused by the external device, the operation state determination unit 120 generates an external inspection request signal and transmits the signal to the result notification unit 130. [ Meanwhile, when the malfunction signal S1 having the second voltage is delivered and the malfunction is not caused by the external device, the operation state determination unit 120 determines that the intrusion detection device 100 is not in the disarmed state and the boundary state And transmits the generated intrusion signal to the result notification unit 130. Herein, the disarmed state is a mode set so that the intrusion detection device does not operate even if the intrusion is detected by the user's setting, and the boundary state is a mode set to generate an alarm by detecting the intrusion according to the user's setting.

그리고, 동작 상태 판단부(120)는 내부소자 점검 요청 신호, 외부 점검 요청 신호 및 침입 발생 신호를 결과 알림부(130)로 전달한다. The operation state determination unit 120 transmits an internal device check request signal, an external check request signal, and an intrusion occurrence signal to the result notification unit 130.

결과 알림부(130)는 동작 상태 판단부(120)로부터 내부소자 점검 요청 신호, 외부장치 점검 요청 신호 및 침입 발생 신호를 전달받는다. 결과 알림부(130)는 내부소자 점검 요청 신호가 전달된 경우, 무인변전소를 관리하는 근무자에게 열선 감지기의 내부소자를 점검할 것을 요청한다. 결과 알림부(130)는 외부장치 점검 요청 신호가 전달된 경우, 무인변전소를 관리하는 근무자에게 외부장치를 점검할 것을 요청한다. 한편, 결과 알림부(130)는 침입 발생 신호가 전달된 경우, 무인변전소를 관리하는 근무자에게 침입이 발생하였음을 경고하여 대응할 것을 요청한다.The result notification unit 130 receives an internal device check request signal, an external device check request signal, and an intrusion occurrence signal from the operation state determination unit 120. When the internal device check request signal is transmitted, the result informing unit 130 requests the worker who manages the unmanned substation to check internal elements of the hot wire sensor. When the external device check request signal is transmitted, the result informing unit 130 requests the worker who manages the unmanned substation to check the external device. On the other hand, when the intrusion generating signal is transmitted, the result informing unit 130 alerts a worker who manages the unmanned substation that an intrusion has occurred, and requests the worker to respond.

도 3은 도 2에 도시한 오동작 자가 진단부를 구체적으로 나타내는 도면이다. 3 is a diagram specifically showing a malfunctioning self-diagnosis unit shown in Fig.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 오동작 자가 진단부(110)는 제1 입력부(111), 제2 입력부(112), 제1 신호처리부(113), 제2 신호처리부(114), 진단 회로부(115) 및 출력 회로부(116)를 포함한다.3, the malfunctioning self-diagnosis unit 110 according to the embodiment of the present invention includes a first input unit 111, a second input unit 112, a first signal processing unit 113, a second signal processing unit 114, a diagnostic circuit unit 115, and an output circuit unit 116.

제1 입력부(111)는 감지센서(DS1) 및 저항(R1)을 포함한다. 저항(R1)의 일단은 감지센서(DS1)에 연결되어 있으며, 타단은 제1 신호처리부(113)에 연결되어 있다.The first input unit 111 includes a detection sensor DS1 and a resistor R1. One end of the resistor R1 is connected to the detection sensor DS1 and the other end is connected to the first signal processor 113. [

제2 입력부(112)는 감지센서(DS2) 및 저항(R1)을 포함한다. 저항(R2)의 일단은 감지센서(DS2)에 연결되어 있으며, 타단은 제2 신호처리부(114)에 연결되어 있다.The second input unit 112 includes a detection sensor DS2 and a resistor R1. One end of the resistor R2 is connected to the detection sensor DS2 and the other end is connected to the second signal processing unit 114. [

제1 신호처리부(113)는 제1 포토커플러, 즉 포토다이오드(D1) 및 포토트랜지스터(Q1)를 포함한다. 포토다이오드(D1)는 제1 입력부(111)로부터 전달되는 제1 감지 신호에 의해 발광하여 포토트랜지스터(Q1)로 전류를 인가한다.The first signal processing unit 113 includes a first photocoupler, that is, a photodiode D1 and a phototransistor Q1. The photodiode D1 emits light by a first sensing signal transmitted from the first input unit 111 and applies a current to the phototransistor Q1.

구체적으로, 포토다이오드(D1)의 애노드는 제1 입력부(111)의 저항(R1)에 연결되어 있으며, 캐소드는 접지(GND)에 연결되어 있다. 포토트랜지스터(Q1)의 일단은 전원(VCC)에 연결되어 있으며, 타단은 출력 회로부(116)에 연결되어 있다. Specifically, the anode of the photodiode D1 is connected to the resistor R1 of the first input 111, and the cathode thereof is connected to the ground GND. One end of the phototransistor Q1 is connected to the power source VCC and the other end is connected to the output circuit portion 116. [

제2 신호처리부(114)는 제2 포토커플러, 즉 포토다이오드(D2) 및 포토트랜지스터(Q2)를 포함한다. 포토다이오드(D2)는 제2 입력부(112)로부터 전달되는 제2 감지 신호에 의해 발광하여 포토트랜지스터(Q2)로 전류를 인가한다.The second signal processing unit 114 includes a second photocoupler, that is, a photodiode D2 and a phototransistor Q2. The photodiode D2 emits light by a second sensing signal transmitted from the second input unit 112 and applies a current to the phototransistor Q2.

구체적으로, 포토다이오드(D2)의 애노드는 제2 입력부(112)의 저항(R2)에 연결되어 있으며, 캐소드는 접지(GND)에 연결되어 있다. 포토트랜지스터(Q2)의 일단은 출력 회로부(116)에 연결되어 있으며, 타단은 접지(GND)에 연결되어 있다.Specifically, the anode of the photodiode D2 is connected to the resistor R2 of the second input portion 112, and the cathode thereof is connected to the ground GND. One end of the phototransistor Q2 is connected to the output circuit portion 116, and the other end is connected to the ground GND.

진단 회로부(115)는 트랜지스터(Q3, Q4), 저항(R3, R4, R5, R6, R7), 무장신호 스위치(SW1), 리셋 스위치(SW2), 비교기(1151) 및 발광소자(light emitting diode LED)(1152)를 포함한다.The diagnostic circuit unit 115 includes transistors Q3 and Q4, resistors R3 and R4, R5, R6 and R7, an arming signal switch SW1, a reset switch SW2, a comparator 1151 and a light emitting diode LED) < / RTI >

저항(R3)의 일단은 전원(VCC)에 연결되어 있으며, 타단은 저항(R4)의 일단에 연결되어 있다. 저항(R4)의 타단은 제2 신호처리부(114)와 출력 회로부(116) 사이의 접점(N1)에 연결되어 있다. 저항(R5)의 일단은 제1 신호처리부(113)와 출력 회로부(116) 사이의 접점(N2)에 연결되어 있으며, 타단은 저항(R6)의 일단에 연결되어 있다. 이때, 저항(R6)의 타단은 접지(GND)에 연결되어 있다.One end of the resistor R3 is connected to the power source VCC and the other end is connected to one end of the resistor R4. The other end of the resistor R4 is connected to the contact N1 between the second signal processing unit 114 and the output circuit unit 116. [ One end of the resistor R5 is connected to the contact N2 between the first signal processing unit 113 and the output circuit unit 116 and the other end is connected to one end of the resistor R6. At this time, the other end of the resistor R6 is connected to the ground GND.

트랜지스터(Q3)의 컬렉터는 전원(VCC)에 연결되어 있으며, 베이스는 저항(R3)의 타단과 저항(R4)의 일단 사이의 접점(N3)에 연결되어 있다. 트랜지스터(Q4)의 베이스는 저항(R5)의 타단과 저항(R6)의 일단 사이의 접점(N4)에 연결되어 있고, 컬렉터는 전원(VCC)에 연결되어 있으며, 이미터는 무장신호 스위치(SW1)의 일단에 연결되어 있다.The collector of the transistor Q3 is connected to the power source VCC and the base is connected to the contact N3 between the other end of the resistor R3 and one end of the resistor R4. The base of the transistor Q4 is connected to the contact N4 between the other end of the resistor R5 and one end of the resistor R6 and the collector is connected to the power supply VCC and the emitter is connected to the armature signal switch SW1, As shown in FIG.

비교기(1151)의 제1 입력단자(IN1)는 무장신호 스위치(SW1)의 타단에 연결되어 있으며, 제2 입력단자(IN2)는 전원(VCC)과 트랜지스터(Q4)의 컬렉터 사이의 접점(N5)에 일단이 연결되어 있는 저항(R7)에 연결되어 있다. 이때, 저항(R7)의 타단은 제2 입력단자(IN2)와 접지(GND)사이의 접점(N6)에 연결되어 있다. 그리고, 비교기(1151)의 출력단자(OUT)는 발광소자(1152)일 일단과 리셋 스위치(SW2)의 일단에 연결되어 있다. 이때, 발광소자(1152)의 타단과 리셋 스위치(SW2)의 타단은 전원(VCC)에 연결되어 있다.The first input terminal IN1 of the comparator 1151 is connected to the other terminal of the arm state signal switch SW1 and the second input terminal IN2 is connected to the contact N5 between the power source VCC and the collector of the transistor Q4 And is connected to a resistor R7, to which one end is connected. At this time, the other end of the resistor R7 is connected to the contact N6 between the second input terminal IN2 and the ground GND. The output terminal OUT of the comparator 1151 is connected to one end of the light emitting element 1152 and one end of the reset switch SW2. At this time, the other end of the light emitting element 1152 and the other end of the reset switch SW2 are connected to the power source VCC.

출력 회로부(116)는 오동작 자가 진단부(110)와 외부장치 및 동작 상태 판단부(120)를 연결한다.The output circuit unit 116 connects the malfunctioning self-diagnosis unit 110 to the external device and the operation state determination unit 120.

다음은 이러한 오동작 자가 진단부(110)의 동작에 대하여 구체적으로 설명한다.The operation of the malfunctioning self-diagnosis unit 110 will be described in detail below.

먼저, 감지센서(DS1)와 감지센서(DS2)가 정상적으로 동작하여 침입자를 감지하는 경우에 대하여 설명한다. 이때, 무장신호 스위치(SW1)는 턴온되어 침입을 감지하는 것으로 가정한다.First, a case where the detection sensor DS1 and the detection sensor DS2 operate normally to detect an intruder will be described. At this time, it is assumed that the armed signal switch SW1 is turned on to detect an intrusion.

제1 입력부(111)의 감지센서(DS1)가 동작하여 저항(R1)을 통해 감지 신호가 포토다이오드(D1)에 전달되고, 포토다이오드(D1)에 의해 포토트랜지스터(Q1)가 턴온된다. 이와 동시에 제2 입력부(112)의 감지센서(DS2)가 동작하여 저항(R2)을 통해 감지 신호가 포토다이오드(D2)에 전달되고, 포토다이오드(D2)에 의해 포토트랜지스터(Q2)가 턴온된다. 포토트랜지스터(Q1)와 포토트랜지스터(Q2)의 정상 동작에 따라 출력 회로부(116)를 통해 침입 감지 신호(S2)가 출력된다.The detection sensor DS1 of the first input unit 111 operates and a detection signal is transmitted to the photodiode D1 through the resistor R1 and the photodiode Q1 is turned on by the photodiode D1. At the same time, the detection sensor DS2 of the second input unit 112 operates to transmit a detection signal to the photodiode D2 through the resistor R2, and the phototransistor Q2 is turned on by the photodiode D2 . The intrusion detection signal S2 is output through the output circuit portion 116 in accordance with normal operation of the phototransistor Q1 and the phototransistor Q2.

이때, 포토트랜지스터(Q1)가 턴온되면 저항(R5) 및 저항(R6)을 통해 저항(R6)에 인가되는 전압에 의해 트랜지스터(Q3)가 턴온되어 무장신호 스위치(SW1)를 통해 비교기(1151)의 제1 입력단자(IN1)로 전압이 전달된다. 그리고, 포토트랜지스터(Q2)가 턴온되어 저항(R3) 및 저항(R4)을 통해 저항(R4)에 인가되는 전압에 의해 트랜지스터(Q4)가 턴온되어 비교기(1151)의 제2 입력단자(IN2)로 전압이 전달된다.At this time, when the phototransistor Q1 is turned on, the transistor Q3 is turned on by the voltage applied to the resistor R6 through the resistor R5 and the resistor R6 and is supplied to the comparator 1151 through the arming signal switch SW1. The voltage is transmitted to the first input terminal IN1. The transistor Q4 is turned on by the voltage applied to the resistor R4 through the resistor R3 and the resistor R4 and the second input terminal IN2 of the comparator 1151 is turned on by turning on the phototransistor Q2, As shown in FIG.

그러면, 비교기(1151)는 제1 입력단자(IN1)와 제2 입력단자(IN2)에 전달되는 신호의 크기가 동일하므로 자기 유지 기능으로 동작되어 발광소자(1152)에 신호를 전달하지 않는다. 따라서, 침입자가 감지된 경우 발광소자(1152)는 동작되지 않는다.Therefore, the comparator 1151 operates in a self-maintaining function and does not transmit a signal to the light emitting device 1152 because the signals transmitted to the first input terminal IN1 and the second input terminal IN2 are the same. Therefore, the light emitting element 1152 is not operated when an intruder is detected.

이어서, 오동작 자가 진단부(110)의 내부소자가 정상적으로 동작하지 않아 오동작이 발생 경우를 감지하는 동작에 대하여 구체적으로 설명한다. 이때, 무장신호 스위치(SW1)는 턴온되어 침입을 감지하며, 포토다이오드(D1)가 오동작하는 것으로 가정한다.Next, an operation for detecting the occurrence of a malfunction due to failure of the internal elements of the malfunctioning self-diagnosis unit 110 to operate normally will be described in detail. At this time, the arming signal switch SW1 is turned on to detect the intrusion, and it is assumed that the photodiode D1 malfunctions.

제1 입력부(111)의 감지센서(DS1)로부터 전달되는 신호가 없는 상태에서 제1 신호처리부(113)의 포토다이오드(D1)가 동작하여 포토트랜지스터(Q1)가 턴온되면, 포토트랜지스터(Q1)에 의해 저항(R5) 및 저항(R6)을 통해 저항(R6)에 인가되는 전압에 의해 트랜지스터(Q3)가 턴온된다. 그러면, 트랜지스터(Q3)의 턴온에 의해 무장신호 스위치(SW1)를 통해 비교기(1151)의 제1 입력단자(IN1)로 전압이 전달된다.When the photodiode D1 of the first signal processing unit 113 operates and the phototransistor Q1 is turned on in the state where there is no signal transmitted from the detection sensor DS1 of the first input unit 111, The transistor Q3 is turned on by the voltage applied to the resistor R6 through the resistor R5 and the resistor R6. Then, when the transistor Q3 is turned on, the voltage is transferred to the first input terminal IN1 of the comparator 1151 through the arming signal switch SW1.

그러면, 비교기(1151)는 제1 입력단자(IN1)와 제2 입력단자(IN2)에 전달되는 신호의 크기가 동일하지 않으므로 출력단자(OUT)를 통해 제1 전압을 갖는 오동작 신호(S1)를 출력하여 발광소자(1152)와 리셋 스위치(SW2)로 전달한다. Since the signals transmitted to the first input terminal IN1 and the second input terminal IN2 are not the same in size, the comparator 1151 outputs the malfunction signal S1 having the first voltage through the output terminal OUT And transmits it to the light emitting element 1152 and the reset switch SW2.

발광소자(1152)는 오동작 신호(S1)가 제1 전압으로 인가되었으므로 발광하여 열선 감지기의 내부소자에 이상이 있음을 표시한다.The light emitting element 1152 emits light because the malfunction signal S1 is applied as the first voltage, indicating that there is an abnormality in the internal element of the heat ray sensor.

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 침입 감지 장치의 오동작 자가 진단부는 적어도 두 개의 감지센서에 의해 침입상태를 판단함에 따라 센서 불량에 의한 오동작을 방지하여 침입상태를 보다 정확하게 판단할 수 있다. As described above, the malfunctioning self-diagnosis unit of the intrusion detection apparatus according to the embodiment of the present invention can determine the intrusion state more accurately by preventing the malfunction due to the sensor failure by determining the intrusion state by the at least two detection sensors.

그리고, 본 발명의 실시예에서는 열선 감지기의 내부소자의 오동작과 외부장치의 오동작을 구분하여 표시하므로 적절한 시기에 내부소자의 교체 및 수리할 수 있고, 초기 대응으로 중대 고장을 방지할 수 있으므로 비용절감 및 설비의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. In the embodiment of the present invention, the malfunction of the internal elements of the heat ray sensor and the malfunction of the external apparatus are separately displayed, so that the internal elements can be replaced and repaired in an appropriate time. And the reliability of the equipment can be improved.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적의 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, an optimal embodiment has been disclosed in the drawings and specification. Although specific terms have been employed herein, they are used for purposes of illustration only and are not intended to limit the scope of the invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent embodiments are possible without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

100: 침입 감지 장치
110: 오동작 자가 진단부
120: 동작 상태 판단부
130: 결과 실행부100: intrusion detection device
110: malfunction self diagnosis unit
120:
130: Result Execution Unit

Claims (13)

자가진단 기능을 구비한 열선 감지기를 포함하는 침입 감지 장치에 있어서,
제1 감지 센서를 포함하는 제1 입력부;
제2 감지 센서를 포함하는 제2 입력부;
상기 제1 입력부로부터 전달되는 제1 감지 신호를 전달받아 동작하는 제1 신호처리부;
상기 제2 입력부로부터 전달되는 제2 감지신호를 전달받아 동작하는 제2 신호처리부, 및
상기 제1 신호처리부와 상기 제2 신호처리부에서 전달되는 신호에 따라 상기 열선 감지기의 오동작 여부를 판단하는 진단 회로부를 포함하며,
상기 진단 회로부는,
상기 제1 신호처리부로부터 전달되는 신호에 따라 턴온되는 제1 트랜지스터, 상기 제2 신호처리부로부터 전달되는 신호에 따라 턴온되는 제2 트랜지스터 및 상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터로부터 전달되는 신호를 비교한 결과에 따라 출력 신호 생성하는 비교기;
상기 비교기로부터 출력된 출력 신호에 따라 상기 열선 감자기의 내부소자 오동작과 침입자의 침입상태를 구분하여 표시하는 발광소자;
를 포함하는 침입 감지 장치.An intrusion detection device including a hot wire sensor having a self-diagnosis function,
A first input including a first sensing sensor;
A second input including a second sensing sensor;
A first signal processor for receiving a first sensing signal transmitted from the first input unit;
A second signal processor for receiving a second sensing signal transmitted from the second input unit,
And a diagnostic circuit unit for determining whether the hot wire detector is malfunctioning according to a signal transmitted from the first signal processor and the second signal processor,
The diagnostic circuit unit,
A second transistor that is turned on in response to a signal transmitted from the second signal processing unit, and a second transistor that is turned on in response to a signal transmitted from the first signal processing unit, A comparator for generating an output signal according to the result;
A light emitting element for distinguishing an intrusion of an intruder from a malfunction of an internal device of the hot wire electromagnet according to an output signal output from the comparator;
And an intrusion detection device. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 신호처리부는,
상기 제1 감지 신호에 의해 동작하며, 상기 제1 감지 센서에 일단이 연결되어 있는 제1 포토다이오드; 및
상기 제1 포토다이오드로부터 전달되는 신호에 의해 동작하는 제1 포토트랜지스터를 포함하는 침입 감지 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first signal processor comprises:
A first photodiode operated by the first sensing signal and having one end connected to the first sensing sensor; And
And a first phototransistor operated by a signal transmitted from the first photodiode. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 신호처리부는,
상기 제2 감지 신호에 의해 동작하며, 상기 제2 감지 센서에 일단이 연결되어 있는 제2 포토다이오드; 및
상기 제2 포토다이오드로부터 전달되는 신호에 의해 동작하는 제2 포토트랜지스터를 포함하는 침입 감지 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second signal processing unit comprises:
A second photodiode which is operated by the second sensing signal and whose one end is connected to the second sensing sensor; And
And a second phototransistor operated by a signal transmitted from the second photodiode. 청구항 1에 있어서,
상기 진단 회로부는,
상기 제1 트랜지스터의 베이스에 일단이 연결되어 있은 제1 저항;
상기 제1 트랜지스터의 베이스와 상기 제1 저항의 접점에 일단이 연결되어 있는 제2 저항;
상기 제2 트랜지스터의 베이스에 일단이 연결되어 있는 제3 저항;
상기 제2 트랜지스터의 베이스와 상기 제3 저항의 접점에 일단이 연결되어 있는 제4 저항; 및
상기 제1 트랜지스터에 일단이 연결되어 있으며, 상기 비교기에 타단이 연결되어 있는 무장신호 스위치를 더 포함하는 침입 감지 장치.The method according to claim 1,
The diagnostic circuit unit,
A first resistor whose one end is connected to the base of the first transistor;
A second resistor whose one end is connected to a base of the first transistor and a contact of the first resistor;
A third resistor whose one end is connected to the base of the second transistor;
A fourth resistor having one end connected to the base of the second transistor and the third resistor; And
And an arming signal switch having one end connected to the first transistor and the other end connected to the comparator. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 발광소자는,
상기 출력 신호가 제1 전압인 경우, 상기 열선 감지기의 내부소자에 이상이 발생한 것을 표시하는 침입 감지 장치.The method according to claim 1,
The light-
Wherein the controller detects that an abnormality has occurred in an internal element of the hot-wire detector when the output signal is the first voltage. 자가진단 기능을 구비한 열선 감지기를 포함하는 침입 감지 장치에 있어서,
적어도 두 개의 감지센서의 동작에 따라 전달되는 전압을 비교하는 비교기를 포함하며, 상기 비교기로부터 출력되는 오동작 신호를 이용하여 상기 열선 감지기의 내부소자 오동작 여부를 판단하는 오동작 자가 진단부; 및
상기 오동작 신호를 분석한 결과 상기 오동작 신호가 제1 전압인 경우 상기 열선 감지기의 내부소자의 이상이 것으로 판단하고, 상기 오동작 신호가 상기 제1 전압이 아닌 제2 전압인 경우 상기 오동작 자가 진단부와 연결되는 외부장치의 이상이거나 침입이 발생한 것으로 판단하며, 판단하며, 상기 침입이 발생한 것으로 판단되는 경우는 상기 적어도 두 개의 감지센서에 각각 연결되는 포토커플러가 동시에 동일하게 정상 동작하면 제2 전압으로 상기 오동작 신호가 전달되면 침입 발생 신호를 생성하는 동작 상태 판단부;
를 포함하는 침입 감지 장치.An intrusion detection device including a hot wire sensor having a self-diagnosis function,
A malfunctioning self-diagnosis unit which includes a comparator that compares a voltage delivered according to an operation of at least two detection sensors, and determines whether a malfunction of an internal device of the hot-wire sensor is detected using a malfunction signal output from the comparator; And
If it is determined that the malfunction signal is the first voltage and the malfunction signal is the second voltage other than the first voltage when the malfunction signal is analyzed, When the photocoupler connected to each of the at least two detection sensors operates normally at the same time, if it is determined that the intrusion has occurred, An operation state determination unit for generating an intrusion occurrence signal when a malfunction signal is transmitted;
And an intrusion detection device. 삭제delete 청구항 7에 있어서,
상기 오동작 자가 진단부는,
상기 적어도 두 개의 감지센서 중 제1 감지센서를 포함하는 제1 입력부;
상기 적어도 두 개의 감지센서 중 제2 감지센서를 포함하는 제2 입력부;
상기 제1 입력부와 연결되는 제1 포토커플러를 포함하는 제1 신호처리부;
상기 제2 입력부와 연결되는 제2 포토커플러를 포함하는 제2 신호처리부; 및
상기 제1 신호처리부와 상기 제2 신호처리부에서 전달되는 전압을 상기 비교기를 이용하여 비교한 결과에 따라 상기 제1 전압 또는 상기 제2 전압을 갖는 상기 오동작 신호를 생성하는 진단 회로부
를 포함하는 침입 감지 장치.The method of claim 7,
The malfunctioning self-
A first input including a first sensing sensor of the at least two sensing sensors;
A second input including a second sensing sensor of the at least two sensing sensors;
A first signal processor including a first photocoupler connected to the first input unit;
A second signal processor including a second photocoupler connected to the second input unit; And
A first signal processing unit for generating a first voltage or a second voltage for generating a malfunction signal according to a result of comparison between the voltages transmitted from the first signal processing unit and the second signal processing unit using the comparator,
And an intrusion detection device. 청구항 9에 있어서,
상기 제1 신호처리부와 상기 제2 신호처리부에서 전달되는 전압을 상기 비교기를 이용하여 비교한 결과에 따라 상기 침입 발생 신호를 출력하는 출력 회로부를 더 포함하는 침입 감지 장치.The method of claim 9,
And an output circuit unit for outputting the intrusion generation signal according to a result of comparing the voltage transmitted from the first signal processing unit and the second signal processing unit using the comparator. 청구항 7에 있어서,
상기 동작 상태 판단부는,
상기 오동작 신호가 상기 제1 전압인 경우, 상기 열선 감지기의 내부소자의 수리 및 교체 가능성을 확인할 것을 요청하는 내부소자 점검 요청 신호를 생성하는 침입 감지 장치.The method of claim 7,
Wherein the operation state determination unit determines,
And generates an internal device check request signal requesting confirmation of the possibility of repair and replacement of the internal element of the hot wire sensor when the malfunction signal is the first voltage. 청구항 7에 있어서,
상기 동작 상태 판단부는,
상기 오동작 신호가 상기 제2 전압이고 상기 외부장치에 의한 오동작인 경우, 상기 외부장치의 점검을 요청하는 외부장치 점검 요청 신호를 생성하는 침입 감지 장치.The method of claim 7,
Wherein the operation state determination unit determines,
And generates an external device check request signal for requesting a check of the external device when the malfunction signal is the second voltage and the malfunction caused by the external device. 청구항 7에 있어서,
상기 동작 상태 판단부는,
상기 오동작 신호가 상기 제2 전압이고 상기 침입이 발생한 경우, 상기 침입 발생 신호를 생성하는 침입 감지 장치.The method of claim 7,
Wherein the operation state determination unit determines,
And generates the intrusion generation signal when the malfunction signal is the second voltage and the intrusion occurs.
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KR200214025Y1 (en) 2000-09-27 2001-02-15 주식회사한국기전 Infrared sensor adding wrong pulse sensing function
JP2003344159A (en) 2002-05-27 2003-12-03 Matsushita Electric Works Ltd Heat ray detector
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