KR101145240B1 - Apparatus for supporting wafer - Google Patents

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Abstract

본 발명은 지지대에 흡입력이 작용하는 진공홀을 형성하여 웨이퍼가 지지대에 밀착 고정되게 하고, 공정 작업시 웨이퍼의 이탈을 방지할 수 있는 웨이퍼 지지장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 웨이퍼 지지장치는, 본체와; 상기 본체의 상부에 장착되며, 상부에 웨이퍼가 배치되는 플레이트와; 상기 플레이트의 상부에 상기 플레이트의 외주면을 따라 이격 장착되며, 상기 웨이퍼가 상기 플레이트의 상면과 이격되게 지지하는 받침부재와; 상기 플레이트의 상부에 상기 플레이트의 외주면을 따라 이격 장착되며, 상기 웨이퍼의 외주면과 접하여 상기 웨이퍼의 배치 방향을 가이드하는 가이드축과; 상기 본체에 상하 이동되게 장착되며, 상부에 상기 웨이퍼의 하면 가장자리와 접하는 지지대가 형성되어 상기 웨이퍼를 상하 이동시키는 승강모듈을 포함하여 이루어지되, 상기 지지대의 상부에는 진공펌프와 연결되어 흡입력이 작용하는 진공홀이 형성되어 상기 웨이퍼를 상기 지지대 방향으로 밀착 고정시킨다.An object of the present invention is to provide a wafer holding apparatus capable of forming a vacuum hole in which a suction force acts on a support so that the wafer is tightly fixed to a support base,
The wafer supporting apparatus of the present invention comprises: a main body; A plate mounted on an upper portion of the main body and having a wafer disposed thereon; A supporting member mounted on the upper portion of the plate along the outer circumferential surface of the plate and supporting the wafer so as to be spaced apart from the upper surface of the plate; A guide shaft mounted on an upper portion of the plate along an outer circumferential surface of the plate and guiding an arrangement direction of the wafer in contact with an outer circumferential surface of the wafer; And a lifting module mounted on the main body so as to move upward and downward and having a supporter which is in contact with the lower edge of the wafer at an upper portion thereof to move the wafer up and down. A vacuum hole is formed to closely fix the wafer in the direction of the support base.

Description

웨이퍼 지지장치 { Apparatus for supporting wafer }[0001] Apparatus for supporting wafer [0002]

본 발명은 웨이퍼 지지장치에 관한 것으로서, 특히 공정 수행이 이루어지는 공정챔버에 웨이퍼를 안착시키기 위하여 사용되는 웨이퍼 지지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer support apparatus and, more particularly, to a wafer support apparatus used for seating a wafer in a process chamber in which processing is performed.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼에 다수의 공정들을 반복적으로 실시하여 제조된다. Generally, a semiconductor device is manufactured by repeatedly performing a plurality of processes on a wafer.

예를 들자면 웨이퍼 상에 절연막이나 도전체막 등의 물질막을 증착하는 공정, 증착된 물질막을 소자 형성을 위하여 필요한 형태로 패터닝하는 공정 그리고 전 공정을 거치면서 웨이퍼 상에 형성된 잔류물을 제거하는 공정 그리고 웨이퍼나 물질막내에 소정의 불순물을 주입하는 공정이 있다.For example, a process of depositing a material film such as an insulating film or a conductive film on a wafer, a process of patterning the deposited material film in a form necessary for forming the device, a process of removing residues formed on the wafer through the entire process, And a step of injecting a predetermined impurity into the material film.

이러한 공정들을 진행하기 위해서는 각각의 공정을 수행하는 공정 챔버 내부에 설치된 웨이퍼 지지대로 웨이퍼를 로딩하여 필요한 공정을 수행하고, 공정이 완료되면 이 웨이퍼를 외부로 언로딩하여 다음 공정을 위하여 이동시키는 과정을 필요에 따라 반복하게 된다.In order to proceed with these processes, a wafer is loaded onto a wafer support table installed in a process chamber for performing each process, and a necessary process is performed. When the process is completed, the wafer is unloaded to the outside and moved for a next process Repeat as necessary.

반도체 소자 제조를 원활하게 진행하기 위해서는 공정이 수행되는 웨이퍼가 손상되지 않도록 하는 것이 중요하다. In order to facilitate the fabrication of the semiconductor device, it is important that the wafer to be processed is not damaged.

이를 위하여 각각의 공정 챔버에는 로딩된 웨이퍼를 안정적으로 웨이퍼 지지대(12)에 안착시켜야 한다.For this purpose, the loaded wafer must be stably mounted on the wafer support 12 in each of the process chambers.

도 1은 종래기술에 따른 웨이퍼 지지장치의 단면 구조도이다.1 is a cross-sectional structural view of a wafer supporting apparatus according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼 지지대(12)가 공정챔버(10) 내부에 위치하며, 상기 웨이퍼 지지대(12)의 주변에 리프트 핀(23)이 상하로 승강되게 장착된다.As shown in FIG. 1, a wafer support table 12 is located inside the process chamber 10, and a lift pin 23 is vertically mounted on the periphery of the wafer support table 12.

그리고 상기 리프트 핀(23)의 끝단에는 웨이퍼 홀더(25)가 형성된다.A wafer holder 25 is formed at an end of the lift pin 23.

상기 웨이퍼 홀더(25)는 공정챔버(10) 내부로 로딩된 웨이퍼(W)를 홀딩하여 상기 웨이퍼 지지대(12) 상으로 안착시킨다.The wafer holder 25 holds a wafer W loaded into the process chamber 10 and seats on the wafer support table 12.

또한 상기 웨이퍼 홀더(25)의 끝단에는 슬라이딩 방지부(30)가 형성되어 웨이퍼(W)가 좌우로 슬라이딩 되는 것을 방지한다.Further, a sliding prevention part 30 is formed at an end of the wafer holder 25 to prevent the wafer W from sliding to the left and right.

그러나 이러한 종래의 웨이퍼 지지장치는 상기 리프트 핀(23)의 하강시 웨이퍼 홀더(25)에 안착된 웨이퍼(W)가 관성에 의해 상하 이동하여 위치가 틀어지거나 이탈되는 문제가 있다.However, in such a conventional wafer holding apparatus, there is a problem that the wafer W placed on the wafer holder 25 when the lift pin 23 is lowered is moved up and down by inertia, causing its position to be twisted or dislocated.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 지지대에 흡입력이 작용하는 진공홀을 형성하여 웨이퍼가 지지대에 밀착 고정되게 하고, 공정 작업시 웨이퍼의 이탈을 방지할 수 있는 웨이퍼 지지장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a wafer holding apparatus capable of forming a vacuum hole in which a suction force is applied to a support base to closely fix the wafer to a support base, There is a purpose.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 웨이퍼 지지장치는, 본체와; 상기 본체의 상부에 장착되며, 상부에 웨이퍼가 배치되는 플레이트와; 상기 플레이트의 상부에 상기 플레이트의 외주면을 따라 이격 장착되며, 상기 웨이퍼가 상기 플레이트의 상면과 이격되게 지지하는 받침부재와; 상기 플레이트의 상부에 상기 플레이트의 외주면을 따라 이격 장착되며, 상기 웨이퍼의 외주면과 접하여 상기 웨이퍼의 배치 방향을 가이드하는 가이드축과; 상기 본체에 상하 이동되게 장착되며, 상부에 상기 웨이퍼의 하면 가장자리와 접하는 지지대가 형성되어 상기 웨이퍼를 상하 이동시키는 승강모듈을 포함하여 이루어지되, 상기 지지대의 상부에는 진공펌프와 연결되어 흡입력이 작용하는 진공홀이 형성되어 상기 웨이퍼를 상기 지지대 방향으로 밀착 고정시킨다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer supporting apparatus comprising: a main body; A plate mounted on an upper portion of the main body and having a wafer disposed thereon; A supporting member mounted on the upper portion of the plate along the outer circumferential surface of the plate and supporting the wafer so as to be spaced apart from the upper surface of the plate; A guide shaft mounted on an upper portion of the plate along an outer circumferential surface of the plate and guiding an arrangement direction of the wafer in contact with an outer circumferential surface of the wafer; And a lifting module mounted on the main body so as to move upward and downward and having a supporter which is in contact with the lower edge of the wafer at an upper portion thereof to move the wafer up and down. A vacuum hole is formed to closely fix the wafer in the direction of the support base.

상기 승강모듈은, 상기 본체에 장착되어 상하 구동력을 발생시키는 실린더와; 상기 본체와 상기 플레이트 사이에 배치되며, 일단이 상기 실린더와 연결되고, 타단은 상기 플레이트의 외주면을 따라 양쪽으로 분기되어 형성된 연결부재와; 하단이 상기 연결부재의 타단에 고정 장착되고, 상단이 상기 플레이트의 외측에 배치되는 승강축과; 상기 승강축의 상단에서 상기 플레이트의 중심부 방향으로 수평하게 돌출 형성되어 상기 삽입홈에 삽입 배치되는 상기 지지대; 를 포함하여 이루어지되, 상기 플레이트에는 상기 승강모듈이 하강했을 때 상기 승강모듈의 지지대가삽입 배치되는 삽입홈이 형성되고, 상기 지지대의 두께는 상기 삽입홈의 깊이와 같거나 작다.The lifting and lowering module includes: a cylinder mounted on the main body to generate a vertical driving force; A connecting member disposed between the main body and the plate, the connecting member having one end connected to the cylinder and the other end branched on both sides along the outer circumferential surface of the plate; An elevation shaft having a lower end fixedly mounted on the other end of the connecting member and an upper end disposed on the outside of the plate; A support plate protruding horizontally from the upper end of the lifting shaft in the direction of the center of the plate and inserted into the insertion groove; Wherein the plate is provided with an insertion groove into which the support of the lifting and lowering module is inserted when the lifting module descends, and the thickness of the support is equal to or smaller than the depth of the insertion groove.

상기 본체에는 상기 연결부재가 삽입 배치되는 안착홈이 형성되고, 상기 안착홈의 깊이는 상기 연결부재의 두께보다 크다.The main body is formed with a seating groove into which the connecting member is inserted, and the depth of the seating groove is larger than the thickness of the connecting member.

상기 플레이트의 상부에는 장착홈이 형성되고, 상기 가이드축의 하단에는 상기 장착홈에 삽입 배치되는 결합부가 돌출 형성되되, 상기 플레이트의 지름 방향으로 상기 장착홈의 길이는 상기 결합부의 길이보다 크게 형성되고, 상기 결합부에는 상기 플레이트의 지름방향으로 긴 장공형상이며, 상기 플레이트와 나사결합되는 볼트가 삽입되는 결합공이 형성된다.Wherein a mounting groove is formed in an upper portion of the plate and a coupling portion inserted and arranged in the mounting groove is protruded from a lower end of the guide shaft. The length of the mounting groove in the radial direction of the plate is longer than the length of the coupling portion, The coupling portion is formed with a long hole in the radial direction of the plate and a coupling hole into which a bolt screwed into the plate is inserted.

상기 가이드축은, 상기 웨이퍼의 외주면을 따라 이격 배치된 제1정렬축과; 상기 제1정렬축 사이에 배치되며, 상기 웨이퍼의 플렛존과 접하는 제2정렬축; 을 포함하여 이루어지되, 상기 제2정렬축에서 상기 플레이트의 중심부까지의 직선 거리는 상기 제1정렬축에서 상기 플레이트의 중심부까지의 직선 거리보다 짧다.The guide shaft includes: a first alignment axis spaced apart along an outer peripheral surface of the wafer; A second alignment axis disposed between the first alignment axes and in contact with a flat zone of the wafer; Wherein the linear distance from the second alignment axis to the center of the plate is shorter than the linear distance from the first alignment axis to the center of the plate.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 웨이퍼 지지장치는 다음과 같은 효과가 있다. The wafer holding apparatus of the present invention as described above has the following effects.

상기 지지대의 상부에 진공펌프와 연결되어 흡입력이 작용하는 진공홀을 형성함으로써, 웨이퍼가 상기 지지대 방향으로 밀착 고정되어 상기 지지대의 승강시 상기 웨이퍼가 상기 지지대에서 이탈되는 것을 방지하고, 이로 인해 작업시 불량발생을 감소시키는 효과가 있다. A vacuum hole is formed in the upper portion of the support frame so as to apply a suction force to the wafer, thereby preventing the wafer from being detached from the support when the support frame is lifted or lowered, There is an effect of reducing occurrence of defects.

상기 지지대의 두께는 상기 삽입홈의 깊이와 같거나 작게 형성됨으로써, 상기 지지대가 하강하여 상기 삽입홈에 삽입 배치될 때 상기 지지대가 상기 플레이트의 상부로 돌출되지 않아 가공 작업을 용이하게 하는 효과가 있다.The thickness of the support is formed to be equal to or smaller than the depth of the insertion groove, so that when the support is lowered and inserted into the insertion groove, the support does not protrude to the upper portion of the plate, .

상기 본체에 상기 연결부재가 삽입 배치되는 상기 안착홈을 형성하고, 상기 안착홈의 깊이는 상기 연결부재의 두께보다 크게 형성됨으로써, 상기 연결부재의 하강시 상기 연결부재가 상기 본체의 상부로 돌출되지 않도록 하여 전체적인 높이를 줄이는 효과가 있다.Wherein the connection groove is formed in the main body such that the connection groove is formed at a depth greater than the thickness of the connection member so that the connection member protrudes from the upper portion of the main body when the connection member is lowered So that the overall height is reduced.

상기 결합공은 상기 플레이트의 지름 방향으로 긴 장공형상으로 형성됨으로써, 상기 가이드축을 상기 플레이트에 고정할 때 상기 결합부의 위치를 상기 장착홈 내에서 자유롭게 조절할 수 있어 조립성을 향상시키는 효과가 있다.When the guide shaft is fixed to the plate, the position of the engaging portion can be freely adjusted in the mounting groove, thereby improving the assembling property.

상기 제2정렬축에서 상기 플레이트의 중심부까지의 직선 거리는 상기 제1정렬축에서 상기 플레이트의 중심부까지의 직선 거리보다 짧게 형성됨으로써, 상기 웨이퍼를 상기 플레이트에 안착할 때 상기 웨이퍼의 플렛존이 상기 제2정렬축과 접하여 플렛존의 위치가 상기 제1정렬축 방향으로 일정하게 배치되도록 할 수 있다.The straight line distance from the second alignment axis to the center of the plate is shorter than the straight line distance from the first alignment axis to the center of the plate so that when the wafer is placed on the plate, The position of the flat zone can be arranged to be constant in the first alignment axis direction by contacting the two alignment axes.

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 지지장치의 단면 구조도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치의 사시도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치의 분해 사시도,
도 4는 도 2의 A-A에서 바라본 단면도,
도 5는 도 2의 B-B에서 바라본 단면도,
도 6은 플레이트의 상부에서 바라본 가이드축의 배치도,
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치의 동작 과정도,BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-
2 is a perspective view of a wafer support apparatus according to an embodiment of the present invention,
3 is an exploded perspective view of the wafer supporting apparatus according to the embodiment of the present invention,
Fig. 4 is a sectional view taken along the line AA of Fig. 2,
FIG. 5 is a sectional view taken along the line BB of FIG. 2,
6 is an arrangement view of the guide shaft viewed from above the plate,
FIGS. 7 and 8 are diagrams illustrating an operation process of the wafer holding apparatus according to the embodiment of the present invention,

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치의 사시도, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치의 분해 사시도, 도 4는 도 2의 A-A에서 바라본 단면도, 도 5는 도 2의 B-B에서 바라본 단면도, 도 6은 플레이트의 상부에서 바라본 가이드축의 배치도, 도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치의 동작 과정도이다.2 is a perspective view of the wafer supporting apparatus according to the embodiment of the present invention, Fig. 3 is an exploded perspective view of the wafer supporting apparatus according to the embodiment of the present invention, Fig. 4 is a cross- FIG. 6 is an arrangement view of the guide shaft viewed from the top of the plate, and FIGS. 7 and 8 are operational flowcharts of the wafer support apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 8에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치는 본체(100), 플레이트(300), 받침부재(400), 가이드축(500) 및 승강모듈(600)을 포함하여 이루어진다.2 to 8, the wafer supporting apparatus according to the embodiment of the present invention includes a main body 100, a plate 300, a supporting member 400, a guide shaft 500, and an elevating module 600 .

상기 본체(100)는 사각형의 판 형상으로 형성되며, 상부에는 중공 형상의 커버부재(200)가 안착된다.The main body 100 is formed in a rectangular plate shape, and a hollow cover member 200 is seated thereon.

상기 커버부재(200)는 상기 본체(100)상부에서 상하 이동되게 장착되며, 하단 내경이 후술할 상기 플레이트(300)의 외경보다 작게 형성되고, 내부에는 상기 플레이트(300)가 삽입 배치된다.The cover member 200 is mounted to move up and down from the main body 100. The lower end inner diameter of the cover member 200 is smaller than the outer diameter of the plate 300 to be described later and the plate 300 is inserted therein.

이러한 상기 커버부재(200)는 웨이퍼(W) 가공 작업시 상승하여 상기 플레이트(300)에 안착된 상기 웨이퍼(W)의 외측을 감싸게 배치된다.The cover member 200 is disposed so as to cover the outer side of the wafer W mounted on the plate 300 when the wafer W is processed.

또한 상기 본체(100)의 상부에는 후술하는 바와 같이 상기 승강모듈(600)의 연결부재(620)가 삽입되는 안착홈(120)이 형성된다.In addition, a seating groove 120 is formed in the upper portion of the main body 100 in which the connecting member 620 of the elevating module 600 is inserted.

상기 안착홈(120)은 상기 후술할 상기 플레이트(300)의 외주면을 따라 원호 형상으로 형성되며, 상방향으로 개방된다.The seating groove 120 is formed in an arc shape along the outer circumferential surface of the plate 300, which will be described later, and is opened upward.

상기 플레이트(300)는 원통형 형상으로 형성되며, 상기 본체(100)의 상부에 배치되며, 상기 커버부재(200)의 내부에 삽입 배치된다.The plate 300 is formed in a cylindrical shape and disposed on the upper part of the main body 100 and inserted into the cover member 200.

그리고 상기 플레이트(300)의 상부에는 상기 웨이퍼(W)가 배치된다.The wafer (W) is disposed on the plate (300).

상기 웨이퍼(W)는 반도체소자 제조의 재료이며, 실리콘 반도체의 소재의 종류 결정을 원주상에 성장시킨 주괴를 얇게 깎아낸 원모양의 판이다.The wafer W is a material for manufacturing a semiconductor device, and is a circular plate obtained by thinly cutting an ingot grown on a circumference of a crystal of a kind of a material of a silicon semiconductor.

또한 상기 플레이트(300)의 상부에는 상기 승강모듈(600)이 하강했을 때 상기 승강모듈(600)의 지지대(640)가 삽입 배치되는 삽입홈(310)이 형성된다. An insertion groove 310 is formed in the upper portion of the plate 300 in which the supporting part 640 of the elevating module 600 is inserted when the elevating module 600 descends.

상기 삽입홈(310)은 상방향 및 외측 방향으로 개방 형성되며, 다수개로 이루어져 상기 플레이트(300)의 외주면을 따라 각각 이격 배치된다.The insertion grooves 310 are formed in the upward and outward directions and are spaced apart from each other along the outer circumferential surface of the plate 300.

또한 상기 플레이트(300)의 상부에는 상기 가이드축(500)의 결합부(530)가 삽입 배치되는 장착홈(320)이 형성된다.Further, a mounting groove 320 is formed in the upper portion of the plate 300, in which the engaging portion 530 of the guide shaft 500 is inserted.

상기 장착홈(320)은 상기 플레이트(300)의 지름 방향으로 긴 직사각형 형상이며, 상방향으로 개방 형성된다.The mounting groove 320 has a rectangular shape elongated in the radial direction of the plate 300 and is formed to open upward.

그리고 상기 장착홈(320)은 다수개로 이루어져 상기 플레이트(300)의 원주 방향으로 이격 배치되며, 상기 삽입홈(310)의 측부에 근접하게 배치된다.The plurality of mounting grooves 320 are disposed in the circumferential direction of the plate 300 and are disposed close to the side of the insertion groove 310.

상기 받침부재(400)는 상기 플레이트(300)의 상부에 상기 플레이트(300)의 외주면을 따라 이격 장착되며, 상기 장착홈(320) 사이에 배치된다.The support member 400 is mounted on the upper portion of the plate 300 along the outer circumferential surface of the plate 300 and is disposed between the mounting grooves 320.

좀더 구체적으로 상기 받침부재(400)는 도 4에 도시된 바와 같이 받침돌기(410) 및 가이드돌기(420)로 이루어진다.More specifically, the receiving member 400 includes a receiving protrusion 410 and a guide protrusion 420 as shown in FIG.

상기 받침돌기(410)는 납작한 원형 형상으로 상방향으로 돌출 형성되며, 상부에 상기 웨이퍼(W)가 안착 된다.The support protrusion 410 protrudes upward in a flat circular shape, and the wafer W is seated on the support protrusion 410.

즉 상기 받침돌기(410)의 상면은 상기 웨이퍼(W)의 가장자리 하면과 접한다.That is, the upper surface of the receiving projection 410 is in contact with the lower surface of the wafer W. [

상기 가이드돌기(420)는 상기 받침돌기(410)의 상부에서 상방향으로 지름이 점점 작아지는 원뿔 형상으로 형성된다.The guide protrusion 420 is formed in a conical shape whose diameter gradually decreases upward from the upper portion of the receiving protrusion 410.

그리고 상기 가이드돌기(420)의 하단 지름은 상기 받침돌기(410)의 지름보다 작다.The lower end diameter of the guide protrusion 420 is smaller than the diameter of the support protrusion 410.

이러한 상기 가이드돌기(420)는 상기 웨이퍼(W)가 상기 받침돌기(410)에 안착될 때 상기 웨이퍼(W)가 상기 가이드돌기(420)의 외주면을 따라 서서히 가이드 되면서 하강하여 상기 받침돌기(410)에 안정적으로 안착되게 한다.When the wafer W is mounted on the support protrusion 410, the guide protrusion 420 is guided along the outer circumferential surface of the guide protrusion 420 and descends while the wafer protrusion 410 ).

한편 상기 가이드축(500)은 상기 플레이트(300)의 상부에 상기 플레이트(300)의 외주면을 따라 이격 장착되며, 상기 웨이퍼(W)의 외주면과 접하여 상기 웨이퍼(W)의 배치 방향을 일정하게 가이드한다.The guide shaft 500 is mounted on the upper part of the plate 300 along the outer circumferential surface of the plate 300 and contacts the outer circumferential surface of the wafer W, do.

구체적으로 상기 가이드축(500)은 제1정렬축(510)과 제2정렬축(520)으로 이루어진다.Specifically, the guide shaft 500 includes a first alignment axis 510 and a second alignment axis 520.

상기 제1정렬축(510)은 상하 방향으로 긴 원통형 형상으로 형성되며, 하단에는 상기 장착홈(320)에 삽입 배치되는 결합부(530)가 형성된다.The first alignment shaft 510 is formed in a vertically long cylindrical shape and a coupling portion 530 inserted into the mounting groove 320 is formed at a lower end thereof.

이러한 상기 제1정렬축(510)은 4개로 이루어져 상기 웨이퍼(W)의 외주면을 따라 이격 배치되며, 각각 상기 장착홈(320)에 삽입되어 상기 플레이트(300)에 나사 결합된다.The first alignment axes 510 are arranged in the circumferential direction of the wafer W. The first alignment axes 510 are inserted into the mounting grooves 320 and are screwed to the plate 300.

상기 제2정렬축(520)은 상기 제1정렬축(510)과 마찬가지로 상하 방향으로 긴 원통형 형상으로 형성된다.Like the first alignment axis 510, the second alignment axis 520 is formed in a vertically long cylindrical shape.

도 6에 도시된 바와 같이 상기 제2정렬축(520)은 2개로 이루어지며, 2개의 상기 제1정렬축(510) 사이에 이격 배치되고, 상기 웨이퍼(W)의 플렛존(P)과 접한다.As shown in FIG. 6, the second alignment axis 520 is formed of two pieces, is spaced apart from the two first alignment axes 510, and contacts the flat zone P of the wafer W .

또한 도 6에 도시된 바와 같이 상기 제2정렬축(520)에서 상기 플레이트(300)의 중심부까지의 직선거리(L2)는 상기 제1정렬축(510)에서 상기 플레이트(300)의 중심부까지의 직선거리(L1)보다 짧다.6, the straight line distance L2 from the second alignment axis 520 to the center of the plate 300 is greater than the straight line distance L2 from the first alignment axis 510 to the center of the plate 300, Is shorter than the straight line distance (L1).

즉 상기 제2정렬축(520)은 상기 제1정렬축(510)보다 상기 플레이트(300)의 중심부에 더 가깝게 배치된다.That is, the second alignment axis 520 is disposed closer to the center of the plate 300 than the first alignment axis 510.

이와 같이 상기 제2정렬축(520)에서 상기 플레이트(300)의 중심부까지의 직선거리(L2)는 상기 제1정렬축(510)에서 상기 플레이트(300)의 중심부까지의 직선거리(L1)보다 짧게 형성됨으로써, 상기 웨이퍼(W)를 상기 플레이트(300)에 안착할 때 상기 웨이퍼(W)의 플렛존이 상기 제2정렬축(520)과 접하여 플렛존의 위치가 상기 제1정렬축(510) 방향으로 일정하게 배치되도록 할 수 있다.The linear distance L2 from the second alignment axis 520 to the center of the plate 300 is less than the linear distance L1 from the first alignment axis 510 to the center of the plate 300, The flat zone of the wafer W is brought into contact with the second alignment axis 520 so that the position of the flat zone is aligned with the first alignment axis 510 ) Direction.

또한 상기 제1정렬축(510)과 상기 제2정렬축(520)의 하단에는 각각 결합부(530)가 형성된다.Further, a coupling portion 530 is formed at the lower end of the first alignment axis 510 and the second alignment axis 520, respectively.

상기 결합부(530)는 도 4에 도시된 바와 같이 상기 플레이트(300)의 지름 방향으로 긴 사각형 형상으로 형성되며, 상기 플레이트(300)의 지름 방향으로 상기 결합부(530)의 길이는 상기 장착홈(320)의 길이보다 작게 형성된다.4, the length of the coupling part 530 in the radial direction of the plate 300 is set to be longer than the length of the coupling part 530 in the radial direction of the plate 300, Is formed to be smaller than the length of the groove (320).

이러한 상기 결합부(530)는 상기 장착홈(320)에서 상기 플레이트(300)의 지름 방향으로 이동되게 장착된다.The coupling portion 530 is mounted to move in the radial direction of the plate 300 in the mounting groove 320.

또한 상기 결합부(530)에는 상기 플레이트(300)의 지름 방향으로 긴 장공형상의 결합공(531)이 형성된다.The engaging portion 530 is formed with a long hole 533 in the radial direction of the plate 300.

상기 결합공(531)은 상하 개방 형성되며, 내부에 상기 플레이트(300)와 나사결합되는 볼트(미도시)가 삽입 관통한다.The coupling hole 531 is vertically opened and a bolt (not shown) threaded into the plate 300 is inserted into the coupling hole 531.

이와 같이 상기 결합공(531)은 상기 플레이트(300)의 지름 방향으로 긴 장공형상으로 형성됨으로써, 상기 가이드축(500)을 상기 플레이트(300)에 고정할 때 상기 결합부(530)의 위치를 상기 장착홈(320) 내에서 자유롭게 조절할 수 있어 조립성을 향상시키고, 상기 웨이퍼(W)의 크기에 따라 상기 가이드축(500)간의 간격을 조절할 수 있어 여러 사이즈의 웨이퍼에 대응할 수 있는 효과가 있다.The coupling hole 531 is elongated in the radial direction of the plate 300 so that the position of the coupling portion 530 when the guide shaft 500 is fixed to the plate 300 It is possible to adjust the distance between the guide shafts 500 according to the size of the wafer W and to cope with various sizes of wafers .

한편 상기 승강모듈(600)은 상기 본체(100)에 상하 이동되게 장착되며, 상부에 상기 웨이퍼(W)의 하면 가장자리와 접하는 상기 지지대(640)가 형성되어 상기 웨이퍼(W)를 상하 이동시킨다.The lifting and lowering module 600 is vertically movably mounted on the main body 100 and the supporting table 640 contacting the lower edge of the wafer W is formed on the upper part to move the wafer W up and down.

구체적으로 상기 승강모듈(600)은 실린더(600), 연결부재(620), 승강축(630) 및 상기 지지대(640)를 포함하여 이루어진다.Specifically, the elevating module 600 includes a cylinder 600, a connecting member 620, an elevating shaft 630, and the support 640.

상기 실린더(600)는 도 2에 도시된 바와 같이 상기 본체(100)의 좌측에 장착되며, 상기 연결부재(620)와 연결되어 상기 연결부재(620)를 상하 이동시킨다.2, the cylinder 600 is mounted on the left side of the main body 100 and is connected to the connecting member 620 to move the connecting member 620 up and down.

상기 연결부재(620)는 상기 본체(100)와 상기 플레이트(300) 사이에 배치되며, 일단 즉 좌측단이 상기 실린더(600)와 연결되고, 타단 즉 우측단은 상기 플레이트(300)의 외주면을 따라 양쪽으로 분기되어 돌출 형성된다.The connecting member 620 is disposed between the main body 100 and the plate 300 and has one end connected to the cylinder 600 and the other end connected to the outer circumferential surface of the plate 300 And is branched and protruded from both sides.

상기 승강축(630)은 상하 방향으로 긴 원통형 형상이며, 다수개로 이루어져 상기 플레이트(300)의 외주면을 따라 이격 배치된다.The lifting shaft 630 is vertically long and cylindrically shaped. The lifting shaft 630 is spaced along the outer circumferential surface of the plate 300.

또한 상기 승강축(630)은 하단이 상기 연결부재(620)의 타단에 고정 장착되고, 상단이 상기 커버부재(200)를 관통하여 상기 플레이트(300)의 외측에 배치된다.The lower end of the lifting shaft 630 is fixedly mounted on the other end of the connecting member 620 and the upper end of the lifting shaft 630 is disposed on the outer side of the plate 300 through the cover member 200.

상기 지지대(640)는 사각형 형상으로 상기 승강축(630)의 상단에서 상기 플레이트(300)의 중심부 방향으로 수평하게 돌출 형성된다.The support base 640 has a rectangular shape and is horizontally protruded from the upper end of the lifting shaft 630 toward the center of the plate 300.

또한 상기 지지대(640)의 상하 두께는 상기 삽입홈(310)의 깊이와 같거나 작게 형성된다.The upper and lower thickness of the support base 640 is formed to be equal to or smaller than the depth of the insertion groove 310.

이와 같이 상기 지지대(640)의 두께는 상기 삽입홈(310)의 깊이와 같거나 작게 형성됨으로써, 상기 지지대(640)가 하강하여 상기 삽입홈(310)에 삽입 배치될 때 상기 지지대(640)가 상기 플레이트(300)의 상부로 돌출되지 않아 상기 웨이퍼(W) 가공 공정을 용이하게 하는 효과가 있다.The support base 640 is formed to have a thickness equal to or smaller than the depth of the insertion groove 310 so that when the support base 640 is lowered and inserted into the insertion groove 310, And is not protruded to the upper portion of the plate 300, thereby facilitating the processing of the wafer W.

또한 상기 지지대(640)의 상부에는 진공펌프(미도시)와 연결되어 흡입력이 작용하는 진공홀(641)이 형성된다.A vacuum hole 641 is formed in the upper portion of the support base 640 to be connected to a vacuum pump (not shown) to apply a suction force thereto.

상기 진공홀(641)은 상기 지지대(640)에 안착되는 상기 웨이퍼(W)의 하부에 배치되며, 흡입력으로 상기 웨이퍼(W)를 상기 지지대(640) 방향으로 밀착 고정시킨다.The vacuum hole 641 is disposed at a lower portion of the wafer W that is seated on the support base 640 and closely contacts the wafer W in the direction of the support base 640 by a suction force.

이와 같이 상기 지지대(640)의 상부에 진공펌프(미도시)와 연결되어 흡입력이 작용하는 진공홀(641)을 형성함으로써, 웨이퍼(W)가 상기 지지대(640) 방향으로 밀착 고정되어 상기 지지대(640)의 승강시 상기 웨이퍼(W)가 상기 지지대(640)에서 이탈되는 것을 방지하고, 이로 인해 작업시 불량발생을 감소시키는 효과가 있다.
The wafer W is closely fixed in the direction of the support base 640 by the vacuum hole 641 which is connected to the upper part of the support base 640 by a vacuum pump 640 to prevent the wafer W from being detached from the support base 640, thereby reducing the occurrence of defects during the operation.

위 구성으로 이루어진 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치의 동작 과정을 상세히 설명한다.The operation of the wafer holding apparatus according to the embodiment of the present invention will be described in detail.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치의 초기 상태를 나타낸 것이다.5 shows an initial state of a wafer holding apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이 초기에 상기 지지대(640)는 상기 삽입홈(310)에 삽입 배치되어 상기 플레이트(300)의 상부로 돌출되지 않는다.5, the supporter 640 is inserted into the insertion groove 310 and does not protrude from the upper portion of the plate 300. As shown in FIG.

도 7에 도시된 바와 같이 상기 플레이트(300)에 상기 웨이퍼(W)를 안착시킬 때에는, 먼저 상기 지지대(640)가 상기 연결부재(620) 및 상기 승강축(630)과 함께 상승한다.7, when the wafer W is placed on the plate 300, the support table 640 is raised together with the connecting member 620 and the elevating shaft 630.

상기 지지대(640)가 상승한 후 로봇암으로 상기 지지대(640)의 상부에 상기 웨이퍼(W)를 안착시킨다.After the support table 640 is lifted, the wafer W is placed on the support table 640 with a robot arm.

상기 지지대(640)에 상기 웨이퍼(W)를 안착시킬 때 상기 가이드축(500)은 상기 웨이퍼(W)의 외주면과 접하여 상기 웨이퍼(W)의 플렛존이 상기 제2정렬축(520)에 배치되게 가이드한다.The guide shaft 500 contacts the outer circumferential surface of the wafer W so that the flat zone of the wafer W is placed on the second alignment axis 520 when the wafer W is placed on the support table 640 Guide.

그리고 상기 지지대(640)에 안착된 상기 웨이퍼(W)는 상기 진공홀(641)에서 작용하는 흡입력에 의해 상기 지지대(640)에 밀착 고정된다.The wafer W mounted on the support table 640 is closely fixed to the support table 640 by a suction force acting on the vacuum hole 641.

이 후 도 8에 도시된 바와 같이 상기 지지대(640)가 하강하면 상기 웨이퍼(W)의 가장자리 하면은 상기 받침돌기(410)의 상면과 접하여 상기 받침돌기(410)의 상부에 안착된다.8, the lower edge of the wafer W contacts the upper surface of the receiving protrusion 410 and is seated on the upper surface of the receiving protrusion 410 when the supporting table 640 is lowered.

이때 상기 가이드돌기(420)는 상기 웨이퍼(W)와 접하여 상기 웨이퍼(W)의 중심부 위치를 가이드하고, 상기 진공펌프(미도시)는 상기 진공홀(641)의 흡입력을 약하게 하여 상기 웨이퍼(W)가 상기 가이드돌기(420)에 의해 수평방향으로 유동 가능하게 한다.At this time, the guide protrusion 420 contacts the wafer W to guide the central position of the wafer W, and the vacuum pump (not shown) weakens the suction force of the vacuum hole 641, Is allowed to flow in the horizontal direction by the guide protrusion 420.

그리고 상기 지지대(640)는 상기 웨이퍼(W)의 하면과 이격되어 상기 삽입홈(310)에 삽입 배치된다.The support 640 is spaced apart from the lower surface of the wafer W and inserted into the insertion groove 310.

이때 상기 진공펌프(미도시)는 정지하여 상기 진공홀(641)에서 흡입력이 작용하지 않도록 한다.At this time, the vacuum pump (not shown) stops to prevent the suction force from acting on the vacuum hole 641.

이 후 상기 웨이퍼(W)는 다양한 가공 공정을 통해 반도체 소자로 제작된다.Thereafter, the wafer W is fabricated as a semiconductor device through various processing steps.

그리고 가공공정이 끝나면 상기 지지대(640)는 다시 상승하여 상기 웨이퍼(W)를 상승시키며, 이때 상기 진공펌프(미도시)가 다시 작동하여 상기 웨이퍼(W)를 상기 지지대(640)에 밀착시킨다.At this time, the vacuum pump (not shown) is operated again to closely contact the wafer W to the support base 640. [0052] As shown in FIG.

이 후 상기 웨이퍼(W)는 로봇암(미도시)에 의해 다른 공정으로 이동되며, 이때 상기 진공펌프(미도시)는 정지하여 상기 웨이퍼(W)가 상기 지지대(640)에서 잘 분리되게 한다.Thereafter, the wafer W is moved to another process by a robot arm (not shown), at which time the vacuum pump (not shown) is stopped to allow the wafer W to be well separated from the support table 640.

이와 같이 상기 지지대(640)의 상부에 진공펌프와 연결되어 흡입력이 작용하는 진공홀(641)을 형성함으로써, 웨이퍼(W)가 상기 지지대(640) 방향으로 밀착 고정되어 상기 지지대(640)의 승강시 상기 웨이퍼(W)가 상기 지지대(640)에서 이탈되는 것을 방지하고, 이로 인해 작업시 불량발생을 감소시키는 효과가 있다. The wafer W is tightly fixed in the direction of the support base 640 so that the support base 640 is raised and lowered by the vacuum hole 641 formed in the upper portion of the support base 640, It is possible to prevent the wafer W from being detached from the support base 640, thereby reducing the occurrence of defects during the operation.

본 발명인 웨이퍼 지지장치는 전술한 실시예에 국한하지 않고, 본 발명의 기술사상이 허용되는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다. The wafer holding apparatus of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be variously modified and practiced within the scope of the technical idea of the present invention.

W : 웨이퍼, 100 : 본체, 120 : 안착홈, 200 : 커버부재, 300 : 플레이트, 310 : 삽입홈, 320 : 장착홈, 400 : 받침부재, 410 : 받침돌기, 420 : 가이드돌기, 500 : 가이드축, 510 : 제1정렬축, 520 : 제2정렬축, 530 : 결합부, 531 : 결합공, 600 : 승강모듈, 610 : 실린더, 620 : 연결부재, 630 : 승강축, 640 : 지지대, 641 : 진공홀,W: wafer 100: main body 120: seating groove 200: cover member 300: plate 310: insertion groove 320: mounting groove 400: supporting member 410: receiving protrusion 420: guide protrusion 500: guide A first alignment axis of the first alignment axis and a second alignment axis of the second alignment axis of the first alignment axis; : Vacuum hole,

Claims (5)

삭제delete 본체와; 상기 본체의 상부에 장착되며, 상부에 웨이퍼가 배치되는 플레이트와; 상기 플레이트의 상부에 상기 플레이트의 외주면을 따라 이격 장착되며, 상기 웨이퍼가 상기 플레이트의 상면과 이격되게 지지하는 받침부재와; 상기 플레이트의 상부에 상기 플레이트의 외주면을 따라 이격 장착되며, 상기 웨이퍼의 외주면과 접하여 상기 웨이퍼의 배치 방향을 가이드하는 가이드축과; 상기 본체에 상하 이동되게 장착되며, 상부에 상기 웨이퍼의 하면 가장자리와 접하는 지지대가 형성되어 상기 웨이퍼를 상하 이동시키는 승강모듈을 포함하여 이루어지되,
상기 지지대의 상부에는 진공펌프와 연결되어 흡입력이 작용하는 진공홀이 형성되어 상기 웨이퍼를 상기 지지대 방향으로 밀착 고정시키고,
상기 승강모듈은,
상기 본체에 장착되어 상하 구동력을 발생시키는 실린더와; 상기 본체와 상기 플레이트 사이에 배치되며, 일단이 상기 실린더와 연결되고, 타단은 상기 플레이트의 외주면을 따라 양쪽으로 분기되어 형성된 연결부재와; 하단이 상기 연결부재의 타단에 고정 장착되고, 상단이 상기 플레이트의 외측에 배치되는 승강축과; 상기 승강축의 상단에서 상기 플레이트의 중심부 방향으로 수평하게 돌출 형성되는 상기 지지대; 를 포함하여 이루어지며,
상기 플레이트에는 상기 승강모듈이 하강했을 때 상기 승강모듈의 지지대가삽입 배치되는 삽입홈이 형성되고, 상기 지지대의 두께는 상기 삽입홈의 깊이와 같거나 작은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.A body; A plate mounted on an upper portion of the main body and having a wafer disposed thereon; A supporting member mounted on the upper portion of the plate along the outer circumferential surface of the plate and supporting the wafer so as to be spaced apart from the upper surface of the plate; A guide shaft mounted on an upper portion of the plate along an outer circumferential surface of the plate and guiding an arrangement direction of the wafer in contact with an outer circumferential surface of the wafer; And a lift module mounted on the main body so as to be moved up and down and having a support on an upper surface thereof in contact with a lower edge of the wafer,
A vacuum hole is formed in the upper part of the support frame to be connected to a vacuum pump and to which a suction force is applied to fix the wafer in the direction of the support,
The elevating module includes:
A cylinder mounted on the body to generate a vertical driving force; A connecting member disposed between the main body and the plate, the connecting member having one end connected to the cylinder and the other end branched on both sides along the outer circumferential surface of the plate; An elevation shaft having a lower end fixedly mounted on the other end of the connecting member and an upper end disposed on the outside of the plate; The support being horizontally protruded from the upper end of the lifting shaft in the direction of the center of the plate; And,
Wherein the plate is provided with an insertion groove into which a support of the lift module is inserted when the lift module descends, and the thickness of the support is equal to or smaller than the depth of the insertion groove. 제 2 항에 있어서,
상기 본체에는 상기 연결부재가 삽입 배치되는 안착홈이 형성되고,
상기 안착홈의 깊이는 상기 연결부재의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.3. The method of claim 2,
Wherein the main body is formed with a seating groove into which the connecting member is inserted,
Wherein the depth of the seating groove is greater than the thickness of the connecting member. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 플레이트의 상부에는 장착홈이 형성되고,
상기 가이드축의 하단에는 상기 장착홈에 삽입 배치되는 결합부가 돌출 형성되되,
상기 플레이트의 지름 방향으로 상기 장착홈의 길이는 상기 결합부의 길이보다 크게 형성되고,
상기 결합부에는 상기 플레이트의 지름방향으로 긴 장공형상이며, 상기 플레이트와 나사결합되는 볼트가 삽입되는 결합공이 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.The method according to claim 2 or 3,
A mounting groove is formed in an upper portion of the plate,
A coupling portion inserted and arranged in the mounting groove is formed at a lower end of the guide shaft,
Wherein a length of the mounting groove in a radial direction of the plate is larger than a length of the engaging portion,
Wherein the coupling portion is formed with a long hole in the radial direction of the plate, and a coupling hole into which a bolt screwed with the plate is inserted is formed. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 가이드축은,
상기 웨이퍼의 외주면을 따라 이격 배치된 제1정렬축과;
상기 제1정렬축 사이에 배치되며, 상기 웨이퍼의 플렛존과 접하는 제2정렬축; 을 포함하여 이루어지되,
상기 제2정렬축에서 상기 플레이트의 중심부까지의 직선 거리는 상기 제1정렬축에서 상기 플레이트의 중심부까지의 직선 거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.



The method according to claim 2 or 3,
The guide shaft
A first alignment axis spaced apart along an outer circumferential surface of the wafer;
A second alignment axis disposed between the first alignment axes and in contact with a flat zone of the wafer; , ≪ / RTI >
Wherein the linear distance from the second alignment axis to the center of the plate is shorter than the linear distance from the first alignment axis to the center of the plate.



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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN108039336B (en) * 2017-11-23 2024-02-20 中国电子科技集团公司第五十五研究所 Graphite boat centering device
CN109159014A (en) * 2018-10-08 2019-01-08 江苏英锐半导体有限公司 A kind of control device for wafer production CVD oxide thickness

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030014841A (en) * 2001-08-13 2003-02-20 삼성전자주식회사 Lift apparature for a wafer
KR20050045300A (en) * 2003-11-11 2005-05-17 삼성전자주식회사 Wafer guide pin and wafer holder having the same
KR20090110325A (en) * 2007-02-09 2009-10-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Placing bed structure, treating apparatus using the structure, and method for using the apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030014841A (en) * 2001-08-13 2003-02-20 삼성전자주식회사 Lift apparature for a wafer
KR20050045300A (en) * 2003-11-11 2005-05-17 삼성전자주식회사 Wafer guide pin and wafer holder having the same
KR20090110325A (en) * 2007-02-09 2009-10-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Placing bed structure, treating apparatus using the structure, and method for using the apparatus

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