KR101144481B1 - Apparatus and method for removing edge bead of substrate - Google Patents

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Abstract

실시 예는 기판의 에지 비드 제거장치 및 방법에 관한 것이다.
실시 예에 따른 기판의 에지 비드 제거장치는, 제1방향으로 회전운동하는 기판 지지부; 상기 기판의 측면 일부에 배치되어 상기 제1방향과 반대의 방향으로 회전하는 롤러; 및 상기 롤러의 측면에 부착된 비드를 커팅하는 커터를 포함한다. Embodiments relate to an apparatus and method for removing edge beads of a substrate.
An apparatus for removing edge bead of a substrate according to an embodiment includes: a substrate support part rotating in a first direction; A roller disposed on a portion of a side surface of the substrate to rotate in a direction opposite to the first direction; And a cutter for cutting the beads attached to the side of the roller.

Description

기판의 에지 비드 제거장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING EDGE BEAD OF SUBSTRATE}Apparatus and method for removing edge bead of substrate {APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING EDGE BEAD OF SUBSTRATE}

실시 예는 기판의 에지 비드 제거장치 및 방법에 관한 것이다.Embodiments relate to an apparatus and method for removing edge beads of a substrate.

일반적으로 사진 식각 공정에서 포토 레지스트는 주로 스핀 코터에서 도포되는데 기판의 중앙부에 소정의 포토 레지스트를 투여하여 원심력에 의해 기판 가장자리 방향으로 점차 퍼져 나간다. 따라서, 포토 레지스트의 두께는 스핀코터의 속도(예를 들어, 500 내지 6000 RPM)에 의해서 주로 결정된다. In general, a photoresist is applied in a spin coater in a photolithography process, and a predetermined photoresist is applied to a center portion of a substrate and gradually spreads toward a substrate edge by centrifugal force. Thus, the thickness of the photoresist is primarily determined by the speed of the spin coater (eg, 500-6000 RPM).

그러나, 도포가 진행되는 동안, 용제가 증발하여 점성이 점점 증가하게 되고 표면 장력의 작용에 의해 기판의 가장자리에 상대적으로 다량의 포토 레지스트가 쌓이게 되며, 더욱 심각하게는, 기판의 후면에까지 포토 레지스트가 도포되는 경향이 있다.However, during application, the solvent evaporates and the viscosity gradually increases, and a large amount of photoresist is accumulated at the edge of the substrate by the action of the surface tension, and more seriously, the photoresist reaches the back of the substrate. Tends to be applied.

이와 같은 포토 레지스트의 코팅상 문제점은 전체적인 반도체 공정상에서 장비의 오염등의 심각한 문제를 초래할 수 있다. 예를 들어, 기판의 편평도를 저하시켜 노광시의 포커싱, 정렬 등의 공정에 악영향을 미치고, 부위별로 막 두께가 달라져 초박막의 실현도 실질적으로 어려워지며, 기판의 후면까지 포토 레지스트가 도포되면 후속 공정에서의 기판 로딩 등에서 많은 문제점을 초래한다.Such a coating problem of the photoresist may cause serious problems such as contamination of equipment in the overall semiconductor process. For example, lowering the flatness of the substrate adversely affects the processes such as focusing and alignment at the time of exposure, and the thickness of the film is changed for each part, making it extremely difficult to realize the ultra-thin film. It causes a lot of problems in substrate loading and the like.

실시 예는 포토 레지스트의 코팅시 기판의 에지 비드를 제거할 수 있는 에지 비드 제거 장치 및 방법을 제공한다.Embodiments provide an edge bead removal apparatus and method that can remove edge beads of a substrate upon coating of photoresist.

실시 예에 따른 기판의 에지 비드 제거장치는, 제1방향으로 회전운동하는 기판 지지부; 기판의 측면 일부에 배치되어 상기 제1방향과 반대의 방향으로 회전하는 롤러; 및 상기 롤러의 측면에 부착된 비드를 커팅하는 커터를 포함한다. An apparatus for removing edge bead of a substrate according to an embodiment includes: a substrate support part rotating in a first direction; A roller disposed on a portion of a side surface of the substrate and rotating in a direction opposite to the first direction; And a cutter for cutting the beads attached to the side of the roller.

실시 예에 따른 기판의 에지 비드 제거방법은, 기판 및 상기 기판의 측면 일측에 배치된 롤러가 각각 회전하는 단계; 상기 기판 위에 포토 레지스트를 코팅하는 단계; 및 상기 기판의 가장 자리에 쌓이는 에지 비드를 상기 롤러 및 상기 롤러 표면에 배치된 커터에 의해 제거하는 단계를 포함한다.According to an embodiment, an edge bead removing method of a substrate may include: rotating the substrate and rollers disposed on one side of the substrate; Coating a photoresist on the substrate; And removing the edge beads accumulated at the edge of the substrate by the roller and a cutter disposed on the roller surface.

실시 예는 기판의 에지 비드를 제거할 수 있다.Embodiments may remove edge beads of the substrate.

실시 예는 에지 비드의 크기를 줄여줄 수 있다.The embodiment can reduce the size of the edge bead.

실시 예는 기판 로딩시 에지 비드에 따른 문제를 해소할 수 있다.Embodiments can solve the problem of the edge bead when loading the substrate.

실시 예는 기판의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the substrate.

실시 예는 기판 상에 제조된 반도체 소자의 수율을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the yield of the semiconductor device manufactured on the substrate.

도 1은 기판의 포토 레지스트 도포장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에 따른 기판의 에지 비드 제거장치의 측 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 실시 예에 따른 기판의 에지 비드 제거방법을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a photoresist coating device of a substrate.
Figure 2 is a schematic cross-sectional view of the edge bead removal device of the substrate according to the embodiment.
3 is a schematic view showing the top view of FIG. 2.
4 is a view illustrating a method for removing edge bead of a substrate according to an embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 대하여 설명하면 다음과 같다. 이하, 실시 예를 설명함에 있어서, 각 층의 도면의 일 예이며, 도면의 두께로 한정하지는 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, in describing an embodiment, it is an example of the drawings of each layer, and is not limited to the thickness of drawing.

도 1은 포토 레지스트 도포 장치를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a photoresist coating device.

도 1을 참조하면, 기판(W)이 놓여지는 기판 지지부(1)가 구비되며, 상기 기판 지지부(1)는 스핀 척 또는 스핀 코터 등을 포함한다. Referring to FIG. 1, a substrate support 1 on which a substrate W is placed is provided, and the substrate support 1 includes a spin chuck or a spin coater.

상기 기판 지지부(1)는 소정의 회전 속도로 제1방향으로 회전하며, 상기 기판(W)에 원심력을 제공한다. 상기 기판 지지부(1) 상에는 제1분사 노즐(2)이 위치하며, 상기 제1분사 노즐(2)은 기판(W) 상부로부터 벗어난 대기 영역에 위치하다가 용액의 공급 단계에서 기판 상부로 이동하여 포토 레지스트 용액(10)을 분사할 수 있다. 이에 따라 상기 포토 레지스트 용액(10)는 상기 원심력에 의해 상기 기판 표면에 도포된다. 이때 상기 기판(W)의 중앙에 공급되는 포토 레지스트 용액(10)은 원심력에 의해 기판(W)의 가장 자리로 펼쳐지면서 도포되고, 그 일부는 상기 기판 측면과 상기 기판의 가장 자리 하면으로 이동하게 된다. The substrate support 1 rotates in the first direction at a predetermined rotational speed and provides centrifugal force to the substrate W. As shown in FIG. The first spray nozzle 2 is positioned on the substrate support 1, and the first spray nozzle 2 is located in an atmospheric region deviating from the upper portion of the substrate W, and then moves to the upper portion of the substrate in a solution supply step. The resist solution 10 may be sprayed. Accordingly, the photoresist solution 10 is applied to the surface of the substrate by the centrifugal force. In this case, the photoresist solution 10 supplied to the center of the substrate W is applied while being unfolded to the edge of the substrate W by centrifugal force, and a part of the photoresist solution moves to the side surface of the substrate and the bottom surface of the substrate. do.

즉, 도포 공정에서 포토 레지스트층 용액(10)은 주로 스핀 코팅 방식으로 도포되는데, 기판(W)의 중앙부에 점성있는 소정량의 포토 레지스트 용액(10)를 공급하여 원심력에 의해 기판 가장자리 방향으로 점차 퍼져 나간다. 따라서 포토 레지스트의 두께는 기판 지지부의 회전 속도에 의해서 평탄하게 형성된다.That is, in the coating process, the photoresist layer solution 10 is mainly applied by spin coating, and the viscous predetermined amount of the photoresist solution 10 is supplied to the center portion of the substrate W and gradually moved toward the substrate edge by centrifugal force. Spread out Therefore, the thickness of the photoresist is formed flat by the rotational speed of the substrate support.

이러한 포토 레지스트 공정은 반도체층, 전극층, 절연층 등의 원하는 패턴으로 형성하기 위해 사용되는 공정이다. 즉, 사진 식각 공정은 원하는 패턴을 형성하기 위한 공정으로서, 화학기상증착(CVD), 스퍼터링 등의 증착공정, 스핀코터(spin-coater) 등에 의한 포토 레지스트 즉, 감광제를 도포하는 공정, 마스크를 사용한 노광(exposure)공정, 현상(develop)공정, 식각(etching)공정 등으로 이루어진다. 이와 같은 공정에서 포토 레지스트는 적당한 마스크를 통해 선택적으로 노광됨에 따라서 특정파장의 광에 반응하도록 한다. 그런 다음 현상공정에서 선택된 영역에서만 포토 레지스트가 제거되어 이후의 식각 공정에서 선택적인 패턴을 가진 막의 형성이 가능하게 된다. 포토 레지스트는 네가티브형과 포지티브형이 있으며, 이들은 조사된 광에 의해 현상액에 대하여 용해도를 달리하게 되고, 포지티브형은 광 조사된 부분이 현상액에 용해되고, 네가티브형은 그 반대로 반응한다.This photoresist process is a process used for forming in a desired pattern, such as a semiconductor layer, an electrode layer, an insulating layer. That is, the photolithography process is a process for forming a desired pattern, and is a process for depositing a photoresist, that is, a photoresist by using a vapor deposition process such as chemical vapor deposition (CVD) or sputtering, a spin coater, or the like, using a mask. It consists of an exposure process, a development process, an etching process, etc. In this process the photoresist is made to react to light of a particular wavelength as it is selectively exposed through a suitable mask. Then, the photoresist is removed only in the region selected in the developing process, so that a film having a selective pattern can be formed in a subsequent etching process. The photoresist has a negative type and a positive type, and these have different solubility with respect to the developer by the irradiated light.

그런데 용재가 증발하여 점성이 점점 증가하게 되고 표면장력의 작용에 의해 기판의 가장자리에 상대적으로 다량의 포토 레지스트가 쌓이게 되고, 더욱 심각한 것은 기판의 가장자리 하면까지 포토 레지스트가 쌓이게 되고, 이를 에지비드(edge bead)(12)라 한다.
However, due to the evaporation of the solvent, the viscosity increases and a large amount of photoresist is accumulated on the edge of the substrate due to the action of surface tension, and more seriously, photoresist is accumulated up to the bottom surface of the substrate. bead) (12).

도 2 및 도 3은 실시 예에 있어서, 기판의 에지 비드 제거 장치를 나타낸 도면이며, 도 4는 에지 비드 제거 과정을 나타낸 도면이다.2 and 3 are views illustrating an edge bead removal apparatus of a substrate according to an embodiment, and FIG. 4 is a view illustrating an edge bead removal process.

도 2 및 도 3을 참조하면, 에지 비드 제거 장치는 에지 비드 제거 유닛(30), 제2분사 노즐(40) 및 제3분사 노즐(33)을 포함하며, 상기 포토 레지스트 코팅 공정시 또는 공정 후 상기 기판의 에지 비드를 제거하는 과정을 수행할 수 있다. 상기 에지 비드 제거 유닛(30)은 롤러(31) 및 비드 커터(32)를 포함한다.2 and 3, the edge bead removal apparatus includes an edge bead removal unit 30, a second injection nozzle 40, and a third injection nozzle 33, and during or after the photoresist coating process. A process of removing edge beads of the substrate may be performed. The edge bead removal unit 30 includes a roller 31 and a bead cutter 32.

상기 에지 비드 제거 유닛의 롤러(31)는 상기 기판(W) 상에 포토 레지스트 용액(10)의 코팅시 회전하게 된다(S101). 상기 롤러(31)의 위치는 상기 기판(W)의 측면 일부에 근접하게 배치되며, 그 근접 정도는 상기 기판(W)의 가장 자리의 에지 비드가 제거될 수 있는 정도로 배치될 수 있다. The roller 31 of the edge bead removal unit is rotated when the photoresist solution 10 is coated on the substrate W (S101). The position of the roller 31 is disposed close to a portion of the side surface of the substrate (W), the degree of proximity may be disposed to the extent that the edge bead of the edge of the substrate (W) can be removed.

상기 롤러(31)는 상기 기판(W)의 제1회전 방향의 역 방향인 제2회전 방향으로 회전하게 된다. 상기 롤러(31)의 회전 속도는 변경될 수 있으며, 상기 롤러(31)의 회전 동작은 상기 기판(W)과 연동하게 설정할 수 있다. The roller 31 is rotated in the second rotation direction which is the reverse direction of the first rotation direction of the substrate (W). The rotational speed of the roller 31 may be changed, and the rotational motion of the roller 31 may be set to interlock with the substrate (W).

상기 기판(W)의 가장 자리에 있는 에지 비드는 떨어져 나가거나 상기 롤러(31)의 표면으로 이동하면서 상기 기판(W)에서 제거된다(S103). 상기 롤러(31)는 회전되면서 상기 기판(W)의 에지 비드를 제거하거나 롤러(31)의 표면으로 이동시켜 주게 되며, 상기 롤러(31)의 표면에 부착된 비드는 상기 롤러(31)의 회전에 따라 비드 커터(32)에 의해 커팅되는 형태로 제거된다. 상기 비드 커터(32)는 회전하지 않고 상기 롤러(31)에 접촉되거나 근접하게 배치되어 있어서, 상기 롤러(31)의 표면에 부착된 비드를 제거하게 된다.The edge bead at the edge of the substrate W is removed from the substrate W while falling off or moving to the surface of the roller 31 (S103). The roller 31 is rotated to remove the edge bead of the substrate (W) or to move to the surface of the roller 31, the bead attached to the surface of the roller 31, the rotation of the roller 31 As a result, it is removed in the form of being cut by the bead cutter 32. The bead cutter 32 is disposed in contact with or in close proximity to the roller 31 without rotating, thereby removing the beads attached to the surface of the roller 31.

이때 상기 제2분사 노즐(40)은 솔벤트(solvent) 용액을 상기 기판(W)의 하면 가장 자리로 분사하게 된다(S105). 상기 제2분사 노즐(40)은 상기 롤러(31)의 회전시 거의 동시에 동작할 수 있으며, 상기 분사된 솔벤트 용액은 원심력에 의해 상기 기판(W)의 하면에서 측면으로 이동하게 된다. 이때 상기 롤러(31)와 상기 제2분사 노즐(40)의 솔벤트 용액에 의해 상기 기판(W)의 가장 자리에 남아있는 미량의 에지 비드는 거의 제거할 수 있다.In this case, the second spray nozzle 40 sprays a solvent solution to the edge of the lower surface of the substrate W (S105). The second spray nozzle 40 may operate almost simultaneously when the roller 31 is rotated, and the injected solvent solution is moved from the lower surface of the substrate W to the side by centrifugal force. At this time, the trace amount of the edge beads remaining on the edge of the substrate (W) by the solvent solution of the roller 31 and the second spray nozzle 40 can be almost removed.

그리고, 상기 제3분사 노즐(33)은 상기 롤러(31)의 표면에 DI(Deionize) 워터 용액을 분사하게 된다(S107). 상기 DI 워터 용액은 상기 솔벤트 용액이 공급될 때 거의 동시에 공급되어, 상기 기판(W)의 측면을 따라 상기 기판의 상면 가장 자리로 상기 솔벤트 용액이 올라가는 것을 방지하게 된다. 즉, 상기 DI 워터 용액은 상기 포토 레지스트가 코팅된 가장 자리 상면에 손해를 주는 것을 보호할 수 있다. In addition, the third spray nozzle 33 sprays DI (Deionize) water solution on the surface of the roller 31 (S107). The DI water solution is supplied at about the same time as the solvent solution is supplied, thereby preventing the solvent solution from rising to the top edge of the substrate along the side of the substrate (W). That is, the DI water solution may protect the photoresist from damage to the top surface of the edge.

이러한 기판(W)의 포토 레지스트 코팅시 생기는 에지 비드를 제거하거나 그 형성을 줄여줄 수 있어, 기판에서의 수율 저하를 개선하여 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. 실시 예는 상기 포토 레지스트 코팅 공정, 롤러에 의해 에지 비드 제거 공정, 상기 솔벤트 용액을 이용하여 남아있는 에지 비드를 제거하는 공정, 상기 DI 워터 용액을 이용하여 솔벤트 용액의 기판 상면으로의 이동을 차단하는 공정들은 거의 동시에 이루어질 수 있으며, 각 단계에 따른 시간적인 차이는 변경될 수 있다.The edge bead generated during the photoresist coating of the substrate W may be removed or the formation thereof may be reduced, thereby improving reliability by improving yield reduction in the substrate. In an embodiment, the photoresist coating process, an edge bead removal process using a roller, a process of removing the remaining edge beads using the solvent solution, and blocking the movement of the solvent solution to the upper surface of the substrate using the DI water solution The processes can be performed at about the same time and the time difference between each step can be changed.

이상에서 본 발명에 대하여 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the present invention has been described above with reference to the embodiments, these are only examples and are not intended to limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may have an abnormality within the scope not departing from the essential characteristics of the present invention. It will be appreciated that various modifications and applications are not illustrated. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

1 : 기판 지지부, W : 기판, 2,40,33 : 분사노즐, 30 : 에지비드 제거유닛, 31 : 롤러, 32 : 비드 커터1: substrate support, W: substrate, 2,40,33: injection nozzle, 30: edge bead removal unit, 31: roller, 32: bead cutter

Claims (6)

제1방향으로 회전운동하는 기판 지지부;
기판의 측면 일부에 배치되어 상기 제1방향과 반대의 방향으로 회전하는 롤러;
상기 롤러의 측면에 부착된 비드를 커팅하는 커터; 및
상기 롤러에 DI(Deionize) 워터 용액을 분사하는 제3분사 노즐;을 포함하는 기판의 에지 비드 제거장치.A substrate support part rotating in a first direction;
A roller disposed on a portion of a side surface of the substrate and rotating in a direction opposite to the first direction;
A cutter for cutting the beads attached to the side of the roller; And
And a third spray nozzle for spraying DI (Deionize) water solution on the roller. 제1항에 있어서, 상기 기판의 상부에 포토레지스트 용액을 분사하는 제1분사 노즐을 포함하는 기판의 에지 비드 제거장치.The apparatus of claim 1, further comprising a first spray nozzle spraying a photoresist solution on the substrate. 제1항에 있어서, 상기 기판의 하면 가장 자리에 솔벤트 용액을 분사하는 제2분사 노즐을 포함하는 기판의 에지 비드 제거장치.The apparatus of claim 1, further comprising a second spray nozzle for spraying a solvent solution on a lower edge of the substrate. 삭제delete 기판 및 상기 기판의 측면 일측에 배치된 롤러가 각각 회전하는 단계;
상기 기판 위에 포토 레지스트를 코팅하는 단계;
상기 기판의 가장 자리에 쌓이는 에지 비드를 상기 롤러 및 상기 롤러 표면에 배치된 커터에 의해 제거하는 단계; 및
상기 기판의 하면 가장 자리에 솔벤트 용액을 분사하고, 상기 롤러 표면에 DI 워터 용액을 분사하는 단계;를 포함하는 기판의 에지 비드 제거 방법.Rotating the substrate and rollers disposed on one side of the substrate, respectively;
Coating a photoresist on the substrate;
Removing edge beads accumulated at an edge of the substrate by a cutter disposed on the roller and the roller surface; And
And spraying a solvent solution on a lower edge of the substrate and spraying a DI water solution on the surface of the roller. 삭제delete
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010009814A1 (en) * 1996-10-15 2001-07-26 Rolfson J. Brett Method for removing contaminants from a semiconductor wafer
US6497784B1 (en) * 1998-02-11 2002-12-24 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer edge bead removal method and tool

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010009814A1 (en) * 1996-10-15 2001-07-26 Rolfson J. Brett Method for removing contaminants from a semiconductor wafer
US6497784B1 (en) * 1998-02-11 2002-12-24 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer edge bead removal method and tool

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