KR101141085B1 - 멀티모드 통신을 위한 스위칭가능-레벨 전압 공급장치 - Google Patents

멀티모드 통신을 위한 스위칭가능-레벨 전압 공급장치 Download PDF

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Abstract

멀티-모드 통신 칩셋 내의 회로를 위한 스위칭가능 전압 레벨 공급장치가 개시된다. 일 실시형태에서, 제 1 세트의 선형성 및/또는 잡음 요건을 갖는 제 1 모드에서 동작하는 TX 회로에 제 1 전압 레벨이 공급된다. 제 1 세트의 요건보다 루즈한 제 2 세트의 선형성 및/또는 잡음 요건을 갖는 제 2 모드에서 동작하는 TX 회로에 제 1 전압 레벨보다 낮은 제 2 전압 레벨이 공급된다. 제 1 모드는 GSM 표준에 따른 동작일 수도 있고, 제 2 모드는 W-CDMA 표준에 따른 동작일 수도 있다.

Description

멀티모드 통신을 위한 스위칭가능-레벨 전압 공급장치{SWITCHABLE-LEVEL VOLTAGE SUPPLIES FOR MULTIMODE COMMUNICATIONS}
본 개시물은 멀티모드 칩셋, 더 상세하게는, 멀티모드 칩셋에 전력공급하는 전압 공급장치에 관한 것이다.
현재의 통신 디바이스는 복수의 통신 표준을 지원할 수도 있다. 예를 들어, "멀티-모드" 셀룰러 폰은 GSM 및 W-CDMA 를 포함하는 복수의 무선 셀룰러 표준을 지원할 수도 있다. 동일한 회로가 다수의 모드 사이에서 공유될 수 있더라도, 이 회로에 대한 요건은 모드 및/또는 시스템 플래닝에 따라 상이할 수도 있다. 예를 들어, 하나의 모드에서의 동작은 다른 모드에서의 동작보다 송신 (TX) 회로로부터 더 높은 선형성을 요구할 수도 있다. TX 회로의 선형성에 영향을 미치는 하나의 파라미터는 전압 공급장치의 레벨이다.
통상적인 멀티모드 설계에서, 모든 동작 모드에 대한 최고 필요 전압 레벨이 이 회로에 공급되어, 잠재적으로 모드 중 하나 이상에 대해 비효율적으로 높은 전력 소비를 초래한다. 동작 모드에 따라, 회로 또는 회로 내의 선택된 블록에 공급되는 전압을 동적으로 조정하는 것이 바람직하다.
개요
본 개시물의 양태는 송신기 회로에 전압을 공급하는 장치를 제공하며, 이 회로는 통신 채널을 통한 송신용 신호를 프로세싱하고, 이 송신기 회로는 더 높은 주파수로 신호를 변환하는 믹서를 포함하며, 이 송신기 회로는 증폭기를 더 포함하고, 이 전압 공급 장치는 송신기 회로를 위한 공급 전압을 발생시키는 전압 발생 모듈을 포함하며, 이 공급 전압은 제 1 페이즈 동안에는 제 1 레벨에 있고, 제 2 페이즈 동안에는 제 2 레벨에 있으며, 제 1 레벨은 제 2 레벨보다 높다.
본 개시물의 다른 양태는 통신 채널을 통한 송신용 신호를 프로세싱하는 송신기 회로에 전압을 공급하는 방법을 제공하며, 이 송신기 회로는 더 높은 주파수로 신호를 변환하는 믹서를 포함하고, 이 송신기 회로는 증폭기를 더 포함하고, 이 전압 공급 방법은 송신기 회로를 위한 공급 전압을 발생시키는 단계를 포함하고, 이 공급 전압은 제 1 페이즈 동안에는 제 1 레벨에 있고, 제 2 페이즈 동안에는 제 2 레벨에 있으며, 제 1 레벨은 제 2 레벨보다 높다.
본 개시물의 또 다른 양태는 통신 채널을 통한 송신용 신호를 프로세싱하는 송신기 회로에 전압을 공급하는 장치를 제공하며, 이 송신기 회로는 더 높은 주파수로 신호를 변환하는 믹서를 포함하고, 이 송신기 회로는 증폭기를 더 포함하며, 이 전압 공급 장치는 송신기 회로를 위한 스위칭가능 공급 전압을 발생시키는 수단을 포함한다.
도 1 은 멀티-모드 TX 회로를 위한 종래의 전압 공급 방식의 블록도이다.
도 2 는 스위칭가능 출력 전압 레벨을 갖는 전압 발생 모듈 (202) 이 변조기/VGA 블록 (104) 에 제공되는 본 개시물의 일 실시형태를 나타낸다.
도 2a 는 복수의 스위칭가능 출력 전압 (202a, 202b, ..., 202z) 이 TX 회로 내의 개별 블록에 별개로 제공될 수도 있는 일 실시형태를 나타낸다.
도 3 은 전압 발생 모듈 (202) 이 스위칭 모드 전원 (SMPS, 또는 스위칭-모드 전압 조절기) 으로서 구현된 일 실시형태를 나타낸다.
도 3a 는 2 개의 출력 전압 레벨 (각 전압 레벨은 별개의 전원 또는 전압 조절기에 의해 발생됨) 사이에서의 스위칭을 위한 스위치를 포함하는 전압 발생 모듈 (202) 의 다른 실시형태를 도시한다.
도 4 는, 믹서 (104.1 및 104.2) 및 VGA (104.5) 가 "스택형" 토폴로지를 이용하여 구현되고, VGA (104.5) 에 공급된 단일 전압 레일이 믹서 (104.1 및 104.2) 와 함께 VGA (104.5) 에 전력공급하는 일 실시형태를 도시한다.
도 5 는 스택형 VGA/믹서 토폴로지의 가능한 구현예를 나타낸다.
도 6 은 트랜스포머 (401) 의 2차 측으로부터 듀플렉서 및 안테나 스위치 (108) 로 2 개의 신호 경로가 제공되는 본 개시물의 다른 실시형태를 도시한다.
상세한 설명
동작 모드에 따라 회로 내의 하나 이상의 블록에 공급되는 전압 레벨 또는 레벨들의 선택을 허용하는 기술이 본 명세서에서 개시된다.
도 1 은 멀티-모드 TX 회로를 위한 종래의 전압 공급 방식의 블록도를 나타낸다. 도 1 에서, 배터리 (100) 는 전압 조절기 (102) 에 비조절된 전압 (100a) 을 제공한다. 전압 조절기 (102) 는 직교 변조기/VGA (가변 이득 증폭기) 블록 (104) 에 조절된 전압 (102a) 을 제공한다. 직교 변조기는 믹서 (104.1 및 104.2) 를 포함하는데, 이 믹서는 저역 통과 필터 (103.1 및 103.2) 에 의해 필터링된 기저대역 입력 신호 BB_I (동위상) 및 BB_Q (직교 위상) 를 받아들인다. 믹서 (104.1 및 104.2) 는 기저대역 신호를 로컬 오실레이터 신호 LO_I 및 LO_Q 와 곱함으로써 더 높은 주파수로 변조한다. 변환된 신호는 가변-이득 증폭기 (VGA; 104.5) 에 입력되어, 변조되고 증폭된 신호 (104a) 를 발생시킨다.
전력 증폭기 (PA; 106) 에 신호 (104a) 가 제공된다. 이후, PA (106) 의 출력 신호 (106a) 는 듀플렉서 및 안테나 스위치 (108) 에 제공되며, 이 듀플렉서 및 안테나 스위치 (108) 는 안테나 (110) 에 커플링된다.
도 1 에서, 전압 조절기 (102) 는 TX 회로의 동작 모드와 무관하게 변조기/VGA 블록 (104) 에 V_hi 의 전압 레벨을 제공한다. V_hi 는 통상적으로 최대 요구 선형성 및/또는 스펙트럼 순도 요건을 갖는 동작 모드에 대해 요구되는 공급 전압으로 선택된다. 더 적은 요구 선형성 및/또는 스펙트럼 순도 요건을 갖는 모드에서 동작하는 경우, V_hi 는 통상적으로 그 모드에 대해 요구되는 것보다 더 높아서, 전력이 낭비될 수도 있다.
도 2 는, 스위칭가능 출력 전압 레벨을 갖는 전압 발생 모듈 (202) 이 변조기/VGA 블록 (104) 에 공급 전압 (202a) 을 제공하는 본 개시물의 일 실시형태를 나타낸다.
도 2 에 도시된 실시형태에서, 블록 (104) 내의 믹서 및/또는 VGA 에 제공되는 전압 (202a) 은 제어 신호 V_control 에 따라 2 개의 레벨, V_hi 와 V_lo 사이에서 스위칭될 수 있다. 일 실시형태에서, V_control 은 동작 모드가 GSM 인 경우에는 V_hi 를 출력하며 동작 모드가 W-CDMA 인 경우에는 V_lo 를 출력하도록, 전압 발생 모듈에 명령한다. 일 실시형태에서, V_hi 는 2.7 볼트이고, V_lo 는 2.1 볼트이다.
본 개시물이 듀얼-모드 GSM 및 W-CDMA 를 지원하는 실시형태에 제한될 필요가 없다는 것을 주의한다. 임의의 다른 모드, 및 임의의 수의 모드를 지원하는 회로, 예를 들어, cdma2000 1x, TD-CDMA 등을 지원하는 회로가 손쉽게 수용될 수도 있다. 이러한 회로를 수용하기 위한 본 개시물의 변경이 당업자에게 자명할 것이고, 본 개시물의 범위 내에 있는 것으로 예기된다.
일 실시형태에서, 변조기 (믹서 (104.1 및 104.2)) 및 VGA (104.5) 각각에 공급 전압 (202a) 에 대한 그 고유 접속이 제공된다. 스위칭가능 출력 전압 (202a) 은 변조기 (믹서 (104.1 및 104.2)) 와 VGA (104.5) 둘 다에, 또는 변조기와 VGA 중 하나에 제공될 수도 있다. 도 4 를 참조하여 이후 설명될 다른 실시형태에서, 변조기 및 VGA 는 "스택형" 토폴로지를 가질 수도 있고, 이 둘 다에는 단일 접속에 의해 VGA 를 통해 스위칭가능 공급 전압 (202a) 이 전력공급될 수도 있다.
전압 발생 모듈 (202) 의 스위칭가능 출력 전압 (202a) 은 일반적으로 TX 회로 내의 임의의 컴포넌트 블록에 공급될 수도 있다는 것을 주의한다. 몇몇 실시형태에서, 스위칭가능 출력 전압 (202a) 은 TX 신호 경로의 선형성에 직접적으로 영향을 미치는 그 컴포넌트 블록에 공급될 수도 있다. 도 2 에 도시된 바와 같이, 스위칭가능 전압은 주파수 변조기 (또는 믹서), 및/또는 가변 이득 증폭기 (VGA) 로 공급될 수도 있다. 다른 실시형태 (도시되지 않음) 에서, 스위칭가능 전압은 드라이버 증폭기 (도시되지 않음) 에 공급될 수도 있다.
도 2a 는 복수의 스위칭가능 출력 전압 (202a, 202b, ..., 202z) 이 TX 회로 내의 개별 블록에 별개로 제공될 수도 있는 일 실시형태를 나타낸다. 이 방식으로, TX 회로 내의 각 블록에 (또는 임의의 블록에) 제공되는 특정 출력 전압 레벨은 커스텀-구성될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 스위칭가능 전압 레벨 V1/V0 은 TX 회로 내의 믹서 블록에 출력 전압 (202a) 을 통해 제공될 수도 있는 반면, 제 2 스위칭가능 전압 레벨 V2/V0 는 VGA 블록에 출력 전압 (202b) 을 통해 제공될 수도 있는 등이다. 본 개시물에서 설명의 용이성을 위해, 단 하나의 스위칭가능 출력 전압 (202a) 을 갖는 실시형태를 참조할 수도 있다. 그러나, 이러한 실시형태는 도 2a 에 도시된 바와 같이 다수의 스위칭가능 출력 전압을 포함하도록 변경될 수도 있다는 것이 예기된다.
V_control 은 아날로그 신호 또는 디지털 신호일 수도 있다는 것을 주의한다. 전압 발생 모듈 (202) 에 대한 적절한 출력 전압 레벨의 특정이 수개의 방식으로 행해질 수도 있다. 예를 들어, V_control 은, 전압 발생 모듈 (202) 이 미리 설정된 값 V_hi 또는 V_lo 에 대응하는 것으로 디코딩할 수도 있는 단순한 논리 하이 또는 로우 신호일 수도 있다. 다른 방법으로는, V_control 은, 아날로그 전압 레벨이나 미리 정의된 해상도에 대응하는 디지털 비트 세트 중 하나로서 조절기에 의해 출력될 실제 전압 레벨을 특정할 수도 있다. 이들 실시형태 및 다른 실시형태는 당업자에게는 자명할 것이고, 본 개시물의 범위 내에 있는 것으로 예기된다.
이전에 설명된 바와 같이, V_control 의 셋팅은 회로의 동작 모드, 예를 들어, 회로가 GSM 모드에서 동작하는지 또는 W-CDMA 모드에서 동작하는지 여부에 종속할 수도 있다. 신호는 멀티모드 디바이스에서 실행되거나 멀티모드 디바이스로부터 별개로 위치하는 펌웨어 또는 소프트웨어에 의해 발생될 수도 있다. 2 개보다 많은 모드를 지원하는 디바이스에 있어서, V_control 은 대응하여 변경되어, 전압 발생 모듈 (202) 로 적절한 모드-종속 출력 전압 레벨을 시그널링할 수 있다.
본 개시물에 따르면, V_control 은 회로의 동작 모드에만 종속할 필요가 없다는 것을 주의한다. 일 실시형태에서, V_control 은, 보다 높거나 낮은 전압이 동작에 유리하다고 간주될 될 때마다 이러한 전압을 출력하도록 전압 발생 모듈 (202) 을 구성할 수 있다. 임의의 기준을 기초로 하는 주어진 회로 블록에 대한 공급 전압 레벨의 임의의 선택은 본 개시물의 범위 내에 있는 것으로 예기된다.
도 3 은 전압 발생 모듈 (202) 이 스위칭-모드 전원 (SMPS, 또는 스위칭-모드 전압 조절기) 로서 구현된 일 실시형태를 나타내고, SMPS 의 출력 전압 (202a) 은 이 조절기 내에서 스위칭의 듀티 사이클을 달리함으로써 제어될 수도 있다. 일 실시형태에서, SMPS 는 높은 DC 전압을 낮은 DC 전압으로 스텝-다운하도록 설계된 벅 컨버터 (buck converter) 이다. SMPS 및 벅 컨버터의 설계는 당업계에서 공지되어 있고, 본 명세서에서 더 설명되지 않을 것이다.
도 3a 는 2 개의 출력 전압 레벨 (각 전압 레벨은 별개의 전원 또는 전압 조절기에 의해 발생됨) 사이에서의 스위칭을 위한 스위치를 포함하는 전압 발생 모듈 (202) 의 다른 실시형태를 도시한다. 도 3 의 실시형태가 신호 V_control 에 기초하여 2 개의 상이한 출력 전압 레벨을 발생시키는 단일 전압 발생 모듈 (302) 을 도시하는 반면, 도 3a 의 실시형태는 단일 출력 전압 레벨을 각각 발생시키는 2 개의 전압 조절기 (조절기 1 및 조절기 2) 를 나타내며, 여기서 실제 출력 전압 (202a) 은 스위치 (300) 에 의해 2 개의 전압 조절기 출력 사이에서 선택된다. 스위치 (300) 는 신호 V_control 에 의해 제어될 수도 있다.
도 3 및 도 3a 에 도시된 실시형태는 2 개보다 많은 출력 전압 레벨을 수용하도록 손쉽게 변경되어, 2 개보다 많은 모드를 지원하는 회로에 적절한 전압 레벨을 제공할 수도 있다는 것을 주의한다. 이러한 변경은 당업자에게는 자명할 것이고, 본 개시물의 범위 내에 있는 것으로 예기된다. 이러한 실시형태에서, V_control 은 다수의 전압 레벨 중 어떤 전압 레벨이 출력 전압 (202a) 으로서 제공되어야 하는지를 전압 발생 모듈 (202) 로 시그널링하도록 구성될 수도 있다.
도 4 는, 믹서 (104.1 및 104.2) 및 VGA (104.5) 가 "스택형" 토폴로지를 이용하여 구현되고, VGA (104.5) 에 공급된 단일 전압 레일이 믹서 (104.1 및 104.2) 와 함께 VGA (104.5) 에 전력공급하는 일 실시형태를 도시한다. 도 5 는 스택형 VGA/믹서 토폴로지의 가능한 구현예를 나타낸다. 도 5 에서, 기저대역 동위상 신호 (BB_I) 를 동위상 로컬 오실레이터 신호 (LO_I) 로, 그리고 기저대역 직교-위상 신호 (BB_Q) 를 직교-위상 로컬 오실레이터 신호 (LO_Q) 로 믹싱하기 위해 2 개의 길버트 믹서가 제공된다. 도 5 의 구현예는 예시로서만 제공되고, 도시된 특정 토폴로지에 본 개시물을 제한하려고 의도되지 않은 것을 주의한다. 당업자는 VGA 및 믹서가 본 명세서에서 명시적으로 설명되지 않은 수개의 상이한 방식으로 구현될 수도 있다는 것을 인식할 것이다.
도 4 를 다시 참조하면, VGA (104.5) 의 차동 출력 전압은 2 개의 전압 (104.5a 및 104.5b)(둘 다 스위칭가능 공급 전압 (202a) 에 DC-커플링됨) 에 의해 정의된다. VGA (104.5) 는, 트랜스컨덕턴스 증폭기 (402) 에 커플링된 출력을 갖는 트랜스포머 (401) 를 구동한다. 트랜스컨덕턴스 (gm) 증폭기 (402) 는 트랜스포머 (401) 의 2차측 (401.2) 에 걸리는 전압을 전류 출력으로 변환한다. DC 바이어스/공급 레일 (403) 에 커플링된 인덕턴스 (404) 는 402a 에서의 전압 스윙이 공급 레일 (403) 위로 가게 한다. 커패시터 (405) 는 402a 에서의 AC 전압을 전력 증폭기 (106) 에 커플링한다. 신호는 이후 듀플렉서 및 안테나 스위치 (108) 에, 그리고 안테나 (110) 에 공급된다.
일 실시형태 (도시되지 않음) 에서, DC 바이어스/공급 레일 (403) 은 스위칭가능 공급 전압 (202a) 에 커플링된다.
도 6 은 트랜스포머 (401) 의 2차 측 (401.2) 으로부터 듀플렉서 및 안테나 스위치 (108) 로 2 개의 신호 경로가 제공되는 본 개시물의 다른 실시형태를 도시한다. 도 6 에서, 엘리먼트 (402.1, 403.1, 404.1, 405.1, 106.1) 를 포함하는 상위 신호 경로는 제 1 모드 중의 신호 송신에 이용된다. 엘리먼트 (402.2, 403.2, 404.2, 405.2, 406, 106.2) 를 포함하는 하위 신호 경로는 제 2 모드 중의 신호 송신에 이용된다. 일 실시형태에서, 단순히 원하는 신호 경로에 대응하는 엘리먼트 중 하나 이상을 파워-온하고, 다른 신호 경로에 대응하는 엘리먼트 중 하나 이상을 파워-오프함으로써 적절한 신호 경로가 선택될 수도 있다.
전력 증폭기 (106.2) 에 의한 증폭 이전에 송신될 신호로부터 채널외 송출을 제거하는 표면 탄성파 (SAW) 필터 (406) 가 하위 신호 경로에 제공된다. 따라서, SAW 필터 (406) 는 회로의 나머지의 잡음 및/또는 스펙트럼 순도 요건이 제 2 모드 중에 릴렉스되게 한다. 본 개시물에 따르면, 제 2 모드에서의 동작 중에 TX 회로의 모든 블록 또는 임의의 블록에 더 낮은 공급 전압이 공급될 수도 있다. 일 실시형태에서, 제 1 모드는 GSM 모드에 대응하는 반면, 제 2 모드는 W-CDMA 모드에 대응한다.
일 실시형태에서, 공급 전압 (403.1 및 403.2) 은 또한 본 개시물에 따른 스위칭가능 공급 전압에 커플링될 수도 있다.
동작 모드 중 하나의 동작 모드 중의 SAW 필터링의 준비는 도시되지 않은 다른 실시형태에 따라 수행될 수도 있다는 것을 주의한다. 예를 들어, 스위치는 제 1 모드 중의 동작을 위해 커패시터 (405.1) 와 PA (106.1) 사이에 놓인 SAW 필터를 바이패스하는데 이용될 수도 있다. 이러한 변경은 당업자에게는 자명할 것이고, 본 개시물의 범위 내에 있는 것으로 예기된다.
본 명세서에서 설명된 교시에 기초하여, 본 명세서에서 개시된 양태가 임의의 다른 양태와 독립적으로 구현될 수도 있고 이들 양태 중 2 개 이상의 양태가 다양한 방식으로 결합될 수도 있다는 것이 명백하여야 한다. 본 명세서에서 설명된 기술은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수도 있다. 하드웨어로 구현되면, 이 기술은 디지털 하드웨어, 아날로그 하드웨어 또는 이들의 조합을 이용하여 실현될 수도 있다. 소프트웨어로 구현되면, 이 기술은 하나 이상의 명령 또는 코드가 저장되는 컴퓨터 판독가능 매체를 포함하는 컴퓨터-프로그램 제품에 의해 적어도 부분적으로 실현될 수도 있다.
제한적이 아니라, 예시적으로, 이러한 컴퓨터-판독가능 매체는 SDRAM (synchronous dynamic random access memory) 와 같은 RAM, ROM (read-only memory), NVRAM (non-volatile random access memory), ROM, EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory), EPROM (erasable programmable read-only memory), FLASH 메모리, CD-ROM 또는 다른 광학 디스크 저장 디바이스, 자기 디스크 저장 디바이스 또는 다른 자기 저장 디바이스, 또는 명령 또는 데이터 구조의 형태로 원하는 프로그램 코드를 반송 또는 저장하는데 이용될 수 있으며 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 다른 유형 매체를 포함할 수 있다.
컴퓨터 프로그램 제품의 컴퓨터-판독가능 매체와 연관된 명령 또는 코드는 컴퓨터, 예를 들어, 하나 이상의 DSP (digital signal processor), 범용 마이크로프로세서, ASIC, FPGA, 또는 다른 등가의 집적 또는 이산 로직 회로와 같은 하나 이상의 프로세서에 의해 실행될 수도 있다.
수개의 양태 및 실시예가 설명되었다. 그러나, 이들 실시예에 대한 다양한 변형이 가능하고, 본 명세서에서 제시된 원리는 다른 양태에도 적용될 수도 있다. 이들 양태 및 다른 양태는 다음의 청구범위의 범주 내에 있다.
이 명세서 및 청구범위에서, 엘리먼트가 다른 엘리먼트에 "접속" 또는 "커플링"되는 것으로 지칭되는 경우, 이는 다른 엘리먼트에 직접 접속 또는 커플링될 수 있거나, 개재 엘리먼트가 존재할 수도 있다는 것이 이해될 것이다. 반대로, 엘리먼트가 다른 엘리먼트에 "직접 접속" 또는 "직접 커플링"되는 것으로 지칭되는 경우, 존재하는 개재 엘리먼트가 없다.

Claims (25)

  1. 송신기 회로에 전압을 공급하는 장치로서,
    상기 송신기 회로를 위한 공급 전압을 발생시키는 전압 발생 모듈을 포함하고,
    상기 공급 전압은 제 1 페이즈 동안에는 제 1 레벨에 있고, 제 2 페이즈 동안에는 제 2 레벨에 있으며, 상기 제 1 레벨은 상기 제 2 레벨보다 높고,
    상기 송신기 회로는 통신 채널을 통한 송신용 신호를 프로세싱하고, 신호를 더 높은 주파수로 변환하는 믹서를 포함하며, 증폭기를 더 포함하고,
    상기 전압 발생 모듈은 상기 송신기 회로를 위한 제 2 공급 전압을 또한 발생시키며,
    상기 제 2 공급 전압은 상기 제 1 페이즈 동안에는 제 3 레벨에 있고, 상기 제 2 페이즈 동안에는 제 4 레벨에 있는, 전압 공급 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전압 발생 모듈은 스위칭 모드 전압 조절기를 포함하며,
    상기 스위칭-모드 전압 조절기는 제 1 레벨 및 제 2 레벨을 발생시키기 위해 조정가능한 스위칭 사이클을 갖는, 전압 공급 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전압 발생 모듈은 적어도 2 개의 전압 조절기를 포함하며,
    상기 전압 발생 모듈의 출력은 스위치에 의해 상기 적어도 2 개의 전압 조절기의 출력 중에서 선택되는, 전압 공급 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 2 개의 전압 조절기 중 적어도 하나의 전압 조절기는 벅 컨버터 (buck converter) 인, 전압 공급 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 페이즈는 상기 송신기 회로가 제 1 모드에서 동작하는 시간에 대응하고, 상기 제 2 페이즈는 상기 송신기 회로가 제 2 모드에서 동작하는 시간에 대응하는, 전압 공급 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 모드는 GSM 모드이고, 상기 제 2 모드는 W-CDMA 모드인, 전압 공급 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 공급 전압의 레벨은 상기 전압 발생 모듈로 공급되는 제어 신호에 의해 구성되고,
    상기 제어 신호는 상기 GSM 모드 동안에는 제 1 값을 갖고, 상기 제어 신호는 상기 W-CDMA 모드 동안에는 제 2 값을 갖는, 전압 공급 장치.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 공급 전압의 레벨은 상기 전압 발생 모듈로 공급되는 제어 신호에 의해 구성되는, 전압 공급 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급 전압은 또한 제 3 페이즈 동안에는 제 3 레벨에 있는, 전압 공급 장치.
  11. 송신기 회로에 전압을 공급하는 장치로서,
    상기 송신기 회로를 위한 공급 전압을 발생시키는 전압 발생 모듈을 포함하고,
    상기 공급 전압은 제 1 페이즈 동안에는 제 1 레벨에 있고, 제 2 페이즈 동안에는 제 2 레벨에 있으며, 상기 제 1 레벨은 상기 제 2 레벨보다 높고,
    상기 송신기 회로는 통신 채널을 통한 송신용 신호를 프로세싱하고, 신호를 더 높은 주파수로 변환하는 믹서를 포함하며, 증폭기를 더 포함하고,
    상기 공급 전압은 상기 송신기 회로의 상기 믹서로 공급되는, 전압 공급 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 증폭기는 가변-이득 증폭기이며, 상기 공급 전압은 상기 송신기 회로의 상기 가변-이득 증폭기로 공급되는, 전압 공급 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 믹서 및 상기 가변-이득 증폭기는 스택형 토폴로지를 이용하여 구현되는, 전압 공급 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 증폭기는 전력 증폭기이고,
    상기 공급 전압은 상기 전력 증폭기로 공급되는, 전압 공급 장치.
  15. 송신기 회로에 전압을 공급하는 장치로서,
    상기 송신기 회로를 위한 공급 전압을 발생시키는 전압 발생 모듈을 포함하고,
    상기 공급 전압은 제 1 페이즈 동안에는 제 1 레벨에 있고, 제 2 페이즈 동안에는 제 2 레벨에 있으며, 상기 제 1 레벨은 상기 제 2 레벨보다 높고,
    상기 송신기 회로는 통신 채널을 통한 송신용 신호를 프로세싱하고, 신호를 더 높은 주파수로 변환하는 믹서를 포함하며, 증폭기를 더 포함하고,
    상기 송신기 회로는 디지털-아날로그 컨버터를 더 포함하고,
    상기 디지털-아날로그 컨버터의 출력은 상기 믹서의 입력 신호에 커플링되며,
    상기 공급 전압은 상기 디지털-아날로그 컨버터로 공급되는, 전압 공급 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 전압 발생 모듈은 복수의 스위칭-모드 전압 조절기를 포함하고,
    상기 전압 발생 모듈의 출력은 상기 복수의 스위칭-모드 전압 발생기의 출력 중에서 선택되는, 전압 공급 장치.
  17. 송신기 회로에 전압을 공급하는 장치로서,
    상기 송신기 회로를 위한 공급 전압을 발생시키는 전압 발생 모듈을 포함하고,
    상기 공급 전압은 제 1 페이즈 동안에는 제 1 레벨에 있고, 제 2 페이즈 동안에는 제 2 레벨에 있으며, 상기 제 1 레벨은 상기 제 2 레벨보다 높고,
    상기 송신기 회로는 통신 채널을 통한 송신용 신호를 프로세싱하고, 신호를 더 높은 주파수로 변환하는 믹서를 포함하며, 증폭기를 더 포함하고,
    상기 송신기 회로는 상기 제 2 페이즈 동안에는 표면 탄성파 (SAW) 필터에 커플링되고, 상기 송신기 회로는 상기 제 1 페이즈 동안에는 상기 SAW 필터에 커플링되지 않는, 전압 공급 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 증폭기는 가변-이득 증폭기이고,
    상기 송신기 회로는 상기 가변-이득 증폭기의 출력을 제 1 트랜스컨덕턴스 증폭기 및 제 2 트랜스컨덕턴스 증폭기에 커플링하는 트랜스포머를 더 포함하고;
    상기 제 1 트랜스컨덕턴스 증폭기의 출력은 제 1 인덕터에 커플링되고, 상기 제 1 인덕터는 제 1 공급 전압에 커플링되며;
    상기 제 2 트랜스컨덕턴스 증폭기의 출력은 제 2 인덕터에 커플링되고, 상기 제 2 인덕터는 제 2 공급 전압에 커플링되며, 상기 제 2 트랜스컨덕턴스 증폭기의 출력은 상기 SAW 필터에 또한 커플링되는, 전압 공급 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 공급 전압은 상기 제 2 공급 전압보다 높고,
    상기 제 2 트랜스컨덕턴스 증폭기는 상기 제 1 페이즈 동안에 파워-오프되며,
    상기 제 1 트랜스컨덕턴스 증폭기는 상기 제 2 페이즈 동안에 파워-온되는, 전압 공급 장치.
  20. 송신기 회로에 전압을 공급하는 장치로서,
    상기 송신기 회로를 위한 공급 전압을 발생시키는 전압 발생 모듈을 포함하고,
    상기 공급 전압은 제 1 페이즈 동안에는 제 1 레벨에 있고, 제 2 페이즈 동안에는 제 2 레벨에 있으며, 상기 제 1 레벨은 상기 제 2 레벨보다 높고,
    상기 송신기 회로는 통신 채널을 통한 송신용 신호를 프로세싱하고, 신호를 더 높은 주파수로 변환하는 믹서를 포함하며, 증폭기를 더 포함하고,
    상기 증폭기는 가변-이득 증폭기이고,
    상기 송신기 회로는 상기 가변 이득 증폭기의 출력을 트랜스컨덕턴스 증폭기에 커플링하는 트랜스포머를 더 포함하는, 전압 공급 장치.
  21. 송신기 회로에 전압을 공급하는 방법으로서,
    상기 송신기 회로를 위한 공급 전압을 발생시키는 단계로서, 상기 공급 전압은 제 1 페이즈 동안에는 제 1 레벨에 있고, 제 2 페이즈 동안에는 제 2 레벨에 있으며, 상기 제 1 레벨은 상기 제 2 레벨보다 높은, 상기 공급 전압을 발생시키는 단계; 및
    상기 송신기 회로를 위한 제 2 공급 전압을 발생시키는 단계로서, 상기 제 2 공급 전압은 상기 제 1 페이즈 동안에는 제 3 레벨에 있고, 상기 제 2 페이즈 동안에는 제 4 레벨에 있는, 상기 제 2 공급 전압을 발생시키는 단계를 포함하며,
    상기 송신기 회로는 통신 채널을 통한 송신용 신호를 프로세싱하고, 신호를 더 높은 주파수로 변환하는 믹서를 포함하고, 증폭기를 더 포함하는, 전압 공급 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 공급 전압을 발생시키는 단계는 스위칭-모드 전압 조절기에 의해 수행되는, 전압 공급 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 제 1 페이즈는 상기 송신기 회로가 제 1 모드에서 동작하는 시간에 대응하고, 상기 제 2 페이즈는 상기 송신기 회로가 제 2 모드에서 동작하는 시간에 대응하는, 전압 공급 방법.
  24. 삭제
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 2 페이즈 동안에는 SAW 필터에 상기 송신용 신호를 커플링하고, 상기 제 1 페이즈 동안에는 상기 SAW 필터에 상기 송신용 신호를 커플링하지 않는 단계를 더 포함하는, 전압 공급 방법.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7944294B2 (en) * 2008-06-27 2011-05-17 Cambridge Silicon Radio Limited Signal amplification
WO2010025556A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Icera Canada ULC A passive transmitter architecture with switchable outputs for wireless applications
US8145157B2 (en) * 2008-09-30 2012-03-27 Infineon Technologies Ag High efficiency modulation
US8374196B2 (en) * 2010-02-19 2013-02-12 Qualcomm, Incorporated Methods and apparatus for a switchable balun for combined Bluetooth® and WLAN operation
WO2012038579A1 (en) * 2010-09-20 2012-03-29 Nokia Corporation Providing power to a component
US8693961B2 (en) * 2011-08-11 2014-04-08 Intel IP Corporation System and method for improving power efficiency of a transmitter
CN102523353A (zh) * 2011-12-29 2012-06-27 上海华勤通讯技术有限公司 具有双信号处理模块的移动终端及通信方法
US9287912B2 (en) * 2013-03-15 2016-03-15 Mstar Semiconductor, Inc. Multimode receiver with complex filter
US9961632B2 (en) 2014-09-26 2018-05-01 Apple Inc. DSP assisted and on demand RF and analog domain processing for low power wireless transceivers
WO2016195514A1 (en) * 2015-06-03 2016-12-08 Powerbyproxi Limited Inductive power receiver
CN114650069A (zh) * 2020-12-18 2022-06-21 Oppo广东移动通信有限公司 射频模组及其控制方法、电子设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6137355A (en) * 1994-04-17 2000-10-24 Sevic; John F. Dual-mode amplifier with high efficiency and high linearity
WO2002017478A1 (en) * 2000-08-24 2002-02-28 Nokia Corporation Power amplifier arrangement

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR9305438A (pt) 1992-03-13 1994-08-02 Motorola Inc Rede combinada amplificadora de potência de sinal de radiofrequência (RF) e dispositivo de comunicações de sinal de radiofrequência de modo duplo
US5251331A (en) 1992-03-13 1993-10-05 Motorola, Inc. High efficiency dual mode power amplifier apparatus
US5423078A (en) 1993-03-18 1995-06-06 Ericsson Ge Mobile Communications Inc. Dual mode power amplifier for analog and digital cellular telephones
JP3103712B2 (ja) 1994-03-14 2000-10-30 松下電子工業株式会社 電力増幅器及び増幅方法
WO1995034121A1 (en) 1994-06-03 1995-12-14 Philips Electronics N.V. Power supply with improved efficiency, transmitter comprising such a power supply
FI96466C (fi) * 1994-06-10 1996-06-25 Nokia Mobile Phones Ltd Menetelmä elektronisen laitteen tehonkulutuksen pienentämiseksi ja menetelmän mukainen laite
KR100266806B1 (ko) 1996-12-11 2000-09-15 윤종용 휴대용무선통신단말기의전력제어회로및방법
US6212369B1 (en) 1998-06-05 2001-04-03 Maxim Integrated Products, Inc. Merged variable gain mixers
US20020146993A1 (en) * 2001-04-04 2002-10-10 Charles Persico Bias adjustment for power amplifier
JP2003258563A (ja) 2002-03-05 2003-09-12 Hitachi Kokusai Electric Inc プリディストーション方式歪み補償増幅装置
US6819941B2 (en) 2001-10-11 2004-11-16 Rf Micro Devices, Inc. Single output stage power amplification for multimode applications
JP3522251B2 (ja) * 2001-11-27 2004-04-26 日本電気株式会社 電源システム
US7345537B2 (en) * 2002-09-20 2008-03-18 Triquint Semiconductor, Inc. Linear power amplifier with multiple output power levels
JP2004363867A (ja) 2003-06-04 2004-12-24 Alps Electric Co Ltd 送信回路
JP2005020476A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Renesas Technology Corp 高周波電力増幅回路および無線通信システム
WO2005109618A1 (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 共振型スイッチング電源装置
JP4178420B2 (ja) 2004-06-30 2008-11-12 日立金属株式会社 高周波回路、高周波部品及びマルチバンド通信装置
US7474880B2 (en) * 2005-03-24 2009-01-06 Broadcom Corporation Linear and non-linear dual mode transmitter
US7245180B2 (en) 2005-08-02 2007-07-17 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Intelligent RF power control for wireless modem devices
US20070064833A1 (en) 2005-09-12 2007-03-22 Sahota Gurkanwal S Multi-band radio frequency modulator
US20070223615A1 (en) 2006-03-24 2007-09-27 Sathwant Dosanjh Transceiver interface architecture
US20070270111A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-22 Broadcom Corporation Dual power mode transmitter
US7860467B2 (en) * 2006-08-29 2010-12-28 Broadcom Corporation Power control for a dual mode transmitter

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6137355A (en) * 1994-04-17 2000-10-24 Sevic; John F. Dual-mode amplifier with high efficiency and high linearity
WO2002017478A1 (en) * 2000-08-24 2002-02-28 Nokia Corporation Power amplifier arrangement

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