KR101131832B1 - 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막 식각액조성물 - Google Patents

알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막 식각액조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR101131832B1
KR101131832B1 KR1020040100901A KR20040100901A KR101131832B1 KR 101131832 B1 KR101131832 B1 KR 101131832B1 KR 1020040100901 A KR1020040100901 A KR 1020040100901A KR 20040100901 A KR20040100901 A KR 20040100901A KR 101131832 B1 KR101131832 B1 KR 101131832B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
aluminum
molybdenum
weight
alloy
clo
Prior art date
Application number
KR1020040100901A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060033689A (ko
Inventor
이승용
이준우
최용석
박영철
이재연
천승환
김성수
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Publication of KR20060033689A publication Critical patent/KR20060033689A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101131832B1 publication Critical patent/KR101131832B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/20—Acidic compositions for etching aluminium or alloys thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/42—Aqueous compositions containing a dispersed water-immiscible liquid

Abstract

본 발명은 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막을 식각하기 위한 새로운 형태의 식각액 조성물에 관한 것으로, 전체 조성물 총 중량에 대하여 인산 56 ~ 70 중량%, 질산 1 ~ 9 중량%, 아세트산 7 ~ 15 중량%, 첨가제 0.1 ~ 10 중량% 및 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물을 함유하는 식각액 조성물을 제공한다. 여기서 첨가제는 특히 마그네슘 화합물, 칼슘 화합물 또는 알루미늄계 화합물 및 이들의 혼합으로 사용 가능하다. 본 발명에 의하면, 기판의 크기가 커지면서 기존의 인산, 질산, 아세트산 타입으로는 제어하기가 힘들었던 게이트 및 데이터용으로 사용되는 금속의 테이퍼 각의 균일성을 제어할 수 있을 뿐만 아니라 양호한 식각 특성을 제공할 수 있다.
식각액 조성물

Description

알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막 식각액 조성물{ETCHANT COMPOSITION FOR SINGLE LAYER AND MULTI LAYERS CONSISTING OF ALUMINUM OR ALUMINUM ALLOY OR/AND MOLYBDENUM OR MOLYBDENUM ALLOY}
본 발명은 반도체 장치에서 금속막의 습식 식각용으로 사용되는 새로운 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 구체적으로 박막트랜지스터 액정표시장치(TFT-LCD; Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)를 포함한 평판디스플레이의 박막트랜지스터(TFT)를 구성하는 게이트전극, 소스전극 및 드레인 전극으로 사용되는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막을 식각하기 위한 새로운 형태의 식각액 조성물에 관한 것이다.
반도체 장치에서 기판 위에 금속 배선을 형성하는 과정은 통상적으로 스퍼터링에 의한 금속막 형성공정, 포토레지스트 도포, 노광 및 현상에 의한 선택적인 영역에서의 포토레지스트 형성공정, 및 식각 공정에 의한 단계로 구성되고, 개별적인 단위 공정 전후의 세정 공정 등을 포함한다. 이러한 식각 공정은 포토레지스트 마스크를 사용하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미하며, 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식 식각 또는 식각 용액을 사용하는 습식 식각이 사용된다.
이러한 반도체 장치에서, TFT-LCD의 배선재료로서 일반적으로 사용되는 금속은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로서, 순수한 알루미늄은 화학물질에 대한 내성이 약하고 후속 공정에서 배선 결합 문제를 야기할 수있으므로 알루미늄 합금 형태로 사용되거나, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 층 위에 또 다른 금속 층, 예컨대 몰리브덴, 크롬, 텅스텐, 주석 등의 금속층을 갖는 다층의 적층 구조가 적용될 수 있다.
이러한 알루미늄 또는 알루미늄 합금과, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 조합으로 이루어진 단일막 및 다층막에는 Al, Mo, Al-Nd, Mo-W 등의 단일막, Mo/Al-Nd, Mo-W/Al 등의 이중막, Mo/Al/Mo, Mo/Al-Nd/Mo, Mo-W/Al/Mo-W 등의 삼중막 등이 있지만, 사용자가 요구하는 전기적 특성을 구현하기 위한 목적으로나, 현재 금속 배선 재료로 많이 사용되고 있는Al이나 Mo 같은 순수한 금속은 화학물질에 대한 내성이 약하고 후속 공정에서 배선 결함 문제를 야기할 수도 있으므로 인해 사용자가 요구하는 금속 배선의 특성을 맞추기 위해 Mo이나 Al을 주성분으로 하는 합금 형태로 사용될 수도 있다.
Mo이나 Al을 주성분으로 하는 합금 형태에는 Nd, W, Ti, Cr, Ta, Hf, Zr, Nb, V 등이 있으며, 이외에도 Mo이나 Al의 질화물, 규화물, 탄화물 형태 또는 Mo이나 Al을 주성분으로 하는 합금 형태의 질화물, 규화물, 탄화물 형태 등 다양하게 사용될 수 있다.
예컨대, Mo/Al-Nd 이중막의 경우 통상 인산-주성분 알루미늄 식각액으로 식각할 수 있으나, 두 층간의 식각 속도 차이로 인하여 몰리브덴 오버행(overhang)이 발생하므로 후속공정으로 이러한 오버행을 건식 식각하는 것으로 알려져 있다.
이와 같이, TFT-LCD 등의 반도체 장치의 배선을 형성하기 위한 금속막을 다중 층 구조로 할 경우에는 습식 공정과 건식 공정을 함께 적용함으로써 서로의 단점을 보완하는 것이 일반적이다.
Mo/Al-Nd 이중막을 종래 기술에 의한 알루미늄 식각액으로 습식 식각할 경우, 상부 몰리브덴 층의 식각 속도가 알루미늄 합금 층의 식각 속도보다 작기 때문에 상부 몰리브덴 층이 하부 Al-Nd 합금 층의 외부로 돌출되는 단면을 갖게 되는 불량한 프로파일을 나타낸다. 이러한 불량한 프로파일로 인해 후속 공정에서 단차 커버리지(coverage)가 불량하게 되고 상부 층이 경사면에서 단선되든가 또는 상하부 금속이 단락 될 확률이 커지게 된다. 이러한 경우, 1 차로 알루미늄 식각 용액으로 습식 식각하고, 2 차로 식각 속도의 차이로 인해 미처 식각 되지 못하고 하부 층 바깥으로 돌출된 상부 층을 다시 건식 식각하는 2 단계 공정을 적용하는 것이 일반적이나, 공정이 복잡하여 생산성 및 비용적인 측면에서 불리하며, 제품 손상 등의 문제점이 존재한다.
이러한 종래 기술에 대응하여, 본 출원인에 의해 출원된 특허출원 제 1999-41119 호 (공개번호 제 2001-28729 호) 는 인산-주성분 식각액을 개시하고 있으며, 인산, 질산 및 아세트산의 조성비를 특정하게 변화시킴으로써, 상부 몰리브덴 층이 하부 알루미늄 합금 층의 외부로 돌출되는 단면을 갖게 되는 불량 프로파일이 없어 지고, 추가의 건식 식각이 필요하지 않을 정도로 우수한 프로파일을 수득할 수 있으므로, 2 단계 공정의 종래 기술에 비해 매우 간단하고 경제적으로 식각을 행할 수 있었다.
그러나, 금속막질의 형태가 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막 등 막질이 다양해지고 유리기판의 크기가 커짐에 따라 기존의 제품으로는 균일한 테이퍼 각을 가지게 하는데 한계가 있다. 또한 이러한 균일성의 저하로 인해 얼룩 발생이 심하게 발생한다.
이에 본 발명자들은 이러한 문제점을 해결하고자 예의 노력한 결과, 종래의 알루미늄 식각액 즉, 인산, 질산, 아세트산에 첨가제를 첨가하여 기존의 타입과는 새로운 특성을 갖는 식각액을 개발할 수 있었으며, 본 발명에 의한 새로운 형태의 식각액은 Al, Al-Nd, Mo, Mo-W, Mo/Al-Nd, Mo-W/Al-Nd, Mo/Al/Mo, Mo/Al-Nd/Mo 등 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴
또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막에 사용함으로써 상부나 하부 금속의 식각 불량 문제, 알루미늄 경사각의 불량, 균일성 문제, 패널과 패드 식각의 차이에 의한 사이드 식각 증가의 단점을 완전히 해결할 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명에 의하면, 기존 인산계에서는 패널의 크기가 커지면서 패널의 부분적인 식각 시간의 차이에 의한 균일성 저하, 이로 인한 얼룩현상이 발생, 상부나 하부 금속의 식각 불량 문제, 경사각의 불량 문제를 모두 해결될 수 있는 장점이 있다.
결국, 본 발명의 목적은, TFT-LCD 공정 중에 사용되는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막의 패널의 크기가 커지면서 인산계 형태의 에천트에서 문제시되는 균일성의 문제점을 해결하는 식각액 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명을 실현하기 위한 수단으로서, 인산, 질산, 아세트산, 첨가제, 물로 이루어진 식각액 조성물을 제공한다.
더욱 구체적으로, 전체 조성물 총중량에 대하여 인산 56 ~ 70 중량%, 질산 1 ~ 9 중량%, 아세트산 7 ~ 15 중량%, 첨가제0.1 ~ 10 중량% 및 전체 조성물 총 중량이 100 중량% 가 되도록 물을 함유하는 식각액 조성물을 제공한다.
보다 바람직한 구현 예로서의 본 발명은 전체 조성물 총 중량에 대하여 인산 60 ~ 70 중량%, 질산 4 ~ 9 중량%, 아세트산 8 ~ 11 중량%, 첨가제0.1 ~ 5 중량%와 전체 조성물 총 중량이 100 중량% 가 되도록 하는 물을 함유하는 식각액 조성물을 제공한다.
이와 같이 종래의 인산, 질산, 아세트산으로 구성된 알루미늄계 식각용액에 특정한 식각특성을 완성하기 위해 사용되는 첨가제는, (NH4)ClO4, KClO4, NaClO4, Mg(ClO4)2, Al(ClO4)3, Ba(ClO4)2, Ca(ClO 4)2, Cu(ClO4)2, Fe(ClO4)2, Fe(ClO 4)3, Li(ClO4), Mn(ClO4)2, Ni(ClO4)2, Ag(ClO4 ), NH4NO3, Ca(NO3)2, NaNO3, Al(NO3 )3, Ba(NO3)2, Ce(NO3)3, Cu(NO3)2, Fe(NO 3)3, LiNO3, Mg(NO3)2, Mn(NO3)2 , AgNO3, NH4OOCCH3, NaOOCCH3, KOOCCH3, Al2O(OOCCH3 )4, Mg(OOCCH3)2, Ca(OOCCH3)2, Sb(OOCCH3)3, Ba(OOCCH3)2, Mo(OOCCH3)2, Li(OOCCH3), Ni(OOCCH3)2, Ag(OOCCH3), Cu(OOCCH3), Fe(OOCCH3)2, Na3PO4, Na2HPO 4, NaH2PO4, AlPO4, K3PO4, K2 HPO4, KH2PO4, NH4PO4, (NH4)H2(PO4), MoPO4, Ca3 (PO4)2, Fe(PO4)2, Ag3PO4, FePO 4, CaHPO4, CuHPO4, Li3PO4, Mg3(PO4)2, MgHPO4, H2 SO4, (NH4)2SO4, KHSO4, Na2SO 4, (NH4)HSO4, K2SO4, NaHSO4, AlNH4(SO4)2, Al2(SO4)3, Fe(NH4 )2(SO4)2, BaSO4, CaSO4, FeSO4, Li2SO4, MgSO4, MnSO4, Nd2SO4 등을 들 수 있다.
이러한 첨가제는 요구되는 식각특성에 따라 그 단독 또는 혼합형태로 사용될 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 첨가제는 특히 마그네슘계 화합물, 칼슘계 화합물, 알루미늄계 화합물 및 이들의 혼합형태로도 사용될 수 있다.
마그네슘 화합물에는 그 종류는 특별히 한정되지는 않으나, 예컨대 Mg(C2H3O2)2, MgCl2, MgSO4, Mg(NO3 )2, Mg(ClO4)2, MgMoO4, MgI2, MgHPO4 , Mg3(PO4)2 및 MgS2O3 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 Mg(C2H3O2) 2, Mg(NO3)2, Mg(ClO4)2 이다. 칼슘계 화합물에는, 그 종류는 특별히 한정되지는 않으나, 예컨대 Ca(C2H3O2) 2, CaCl2, CaSO4, Ca(NO3)2, Ca(ClO4)2, CaMoO4, CaI2, CaHPO4, Ca(H2PO4)2, Ca3(PO4 )2등을 들 수 있으며, 바람직하게는 Ca(C2H3O2)2, Ca(NO3)2 , Ca(ClO4)2이다. 알루미늄계 화합물로는 (CH3CO2)2AlOH, (CH3CO2)Al(OH)2, Al(NO 3)3, Al(ClO4)3, AlPO4, AlK(SO4)2 , Al2(SO4)3 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 Al(NO3)3, Al(ClO4)3, (CH3 CO2)2AlOH, (CH3CO2)Al(OH)2 이다.
본 발명에 의한 식각액 조성물은 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 몰리브덴 및 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막을 식각하기 위한 식각액이다.
본 발명에서의 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막이란 그 형태가 다양하며, 예를 들면 Mo/Al-Nd 이중막의 경우, 몰리브덴 막을 상부 막으로 하고 Al-Nd 을 하부 막으로 하거나, 그의 역으로도 이중막을 형성할 수 있으며, Mo-W/Al-Nd 이중막의 경우는 Mo-W 합금막을 상부막으로 하고, Al-Nd 합금막을 하부막으로 사용할 수 있다. Mo/Al/Mo, Mo/Al-Nd/Mo 삼중막인 경우에는 몰리브덴을 상하부 막으로 하고 순수한 알루미늄 및 Al-Nd 을 중간 막으로 사용할 수 있다. 또한 본 막질의 구성에서 몰리브덴의 경우 텅스텐 등의 금속과의 합금형태로도 사용될 수 있다. 또한 위에서 설명한 다층막의 경우는 물론 Al, Al-Nd, Mo, Mo-W 등의 단일막 형태로도 사용되고 있다.
실시예 1 내지 60
Mo 단일막, Mo/Al-Nd이중막, Mo/Al/Mo삼중막 기판을 준비하였다. 인산, 질산, 아세트산, 첨가제, 나머지 물을 표 1, 표2, 표3, 표 4, 표5 에 기재된 조성비 로 함유하는 식각액을 180 kg이 되도록 제조하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비 (KDNS사 제조, 모델명: ETCHER(TFT)) 내에 제조된 식각액을 넣고 온도를 40℃로 세팅하여 가온 한 후, 온도가 40 ±0.5℃에 도달하면 식각 공정을 수행하였다. 오버에치(O/E : Over Etch)를 패드부분의 EPD(End Point Detection)를 기준으로 하여 30% 및 50%를 주어 실시하였다. 기판을 넣고 분사를 시작하여 식각이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 포토 레지스트(PR) 박리기(stripper)를 이용하여 포토 레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경 (SEM ; HITACHI사 제조, 모델명: S-4700)을 이용하여 식각 프로파일을 경사각, 편측 CD (critical dimension) 손실, 식각 잔류물 등으로 평가하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 기판 조성(중량%)
(인산/질산/아세트산/
Mg(CH3CO2)2/물)		 경사각
(°(도))		 편측CD손실
(㎛)		 잔사
여부		 종합
평가
30% 50% 30% 50%
1 Mo 70/3/10/0.5/16.5 64 62 0.30 0.45 없음 양호
2 65/4/10/2/19 64 65 0.38 0.5 없음 양호
3 60/7/10/5/18 40 40 0.40 0.6 없음 양호
4 65/9/10/1/15 38 38 0.45 0.6 없음 양호
5 Mo/Al-Nd 70/3/10/0.5/16.5 65 32 0.35 0.55 없음 양호
6 65/4/10/2/19 65 65 0.40 0.50 없음 양호
7 60/7/10/5/18 50 48 0.45 0.57 없음 양호
8 65/9/10/1/15 45 40 0.40 0.60 없음 양호
9 Mo/Al/Mo 70/3/10/0.5/16.5 65 65 0.30 0.40 없음 양호
10 65/4/10/2/19 62 60 0.30 0.40 없음 양호
11 60/7/10/5/18 55 50 0.35 0.45 없음 양호
12 65/9/10/1/15 45 45 0.4 0.60 없음 양호

실시예 기판 조성(중량%)
(인산/질산/아세트산/
Mg(NO3)2/물)		 경사각
(°(도))		 편측CD손실
(㎛)		 잔사
여부		 종합
평가
30% 50% 30% 50%
13 Mo 70/3/10/0.5/16.5 64 62 0.30 0.40 없음 양호
14 65/4/10/2/19 63 65 0.35 0.50 없음 양호
15 60/7/10/5/18 45 45 0.40 0.55 없음 양호
16 65/9/10/1/15 40 40 0.40 0.60 없음 양호
17 Mo/Al-Nd 70/3/10/0.5/16.5 64 64 0.30 0.50 없음 양호
18 65/4/10/2/19 65 62 0.30 0.55 없음 양호
19 60/7/10/5/18 48 45 0.35 0.55 없음 양호
20 65/9/10/1/15 42 40 0.40 0.60 없음 양호
21 Mo/Al/Mo 70/3/10/0.5/16.5 65 65 0.30 0.50 없음 양호
22 65/4/10/2/19 65 64 0.30 0.50 없음 양호
23 60/7/10/5/18 54 52 0.35 0.55 없음 양호
24 65/9/10/1/15 42 40 0.40 0.60 없음 양호

실시예 기판 조성(중량%)
(인산/질산/아세트산/
Ca(C2H3O2)2/물)		 경사각
(°(도))		 편측CD손실
(㎛)		 잔사
여부		 종합
평가
30% 50% 30% 50%
25 Mo 70/3/10/0.5/16.5 65 64 0.32 0.48 없음 양호
26 65/4/10/2/19 64 63 0.35 0.48 없음 양호
27 60/7/10/5/18 45 45 0.30 0.50 없음 양호
28 65/9/10/1/15 40 40 0.35 0.60 없음 양호
29 Mo/Al-Nd 70/3/10/0.5/16.5 65 65 0.30 0.40 없음 양호
30 65/4/10/2/19 64 62 0.30 0.45 없음 양호
31 60/7/10/5/18 45 45 0.32 0.48 없음 양호
32 65/9/10/1/15 40 40 0.35 0.60 없음 양호
33 Mo/Al/Mo 70/3/10/0.5/16.5 65 65 0.30 0.40 없음 양호
34 65/4/10/2/19 63 62 0.31 0.45 없음 양호
35 60/7/10/5/18 48 44 0.35 0.56 없음 양호
36 65/9/10/1/15 42 40 0.40 0.60 없음 양호

실시예 기판 조성(중량%)
(인산/질산/아세트산/
(AlPO4)3/물)		 경사각
(°(도))		 편측CD손실
(㎛)		 잔사
여부		 종합
평가
30% 50% 30% 50%
37 Mo 70/3/10/0.5/16.5 65 65 0.30 0.40 없음 양호
38 65/4/10/2/19 64 63 0.30 0.40 없음 양호
39 60/7/10/5/18 48 46 0.33 0.43 없음 양호
40 65/9/10/1/15 40 40 0.30 0.60 없음 양호
41 Mo/Al-Nd 70/3/10/0.5/16.5 65 64 0.30 0.40 없음 양호
42 65/4/10/2/19 64 64 0.32 0.45 없음 양호
43 60/7/10/5/18 46 45 0.35 0.55 없음 양호
44 65/9/10/1/15 40 40 0.40 0.60 없음 양호
45 Mo/Al/Mo 70/3/10/0.5/16.5 63 63 0.30 0.45 없음 양호
46 65/4/10/2/19 62 62 0.35 0.50 없음 양호
47 60/7/10/5/18 47 45 0.35 0.56 없음 양호
48 65/9/10/1/15 42 40 0.40 0.60 없음 양호

실시예 기판 조성(중량%)
(인산/질산/아세트산/
(AlNO3)3/ Mg(C2H3O2)2/물)		 경사각
(°(도))		 편측CD손실
(㎛)		 잔사
여부		 종합
평가
30% 50% 30% 50%
49 Mo 70/3/10/0.1/0.5/16.5 65 64 0.30 0.40 없음 양호
50 65/4/10/1/1/19 65 63 0.35 0.42 없음 양호
51 60/7/10/5/18 45 42 0.35 0.55 없음 양호
52 65/9/10/1/0.5/15 40 40 0.40 0.60 없음 양호
53 Mo/Al-Nd 70/3/10/0.1/0.5/16.5 65 65 0.30 0.40 없음 양호
54 65/4/10/1/1/19 64 63 0.35 0.45 없음 양호
55 60/7/10/5/18 46 44 0.35 0.55 없음 양호
56 65/9/10/1/0.5/15 40 40 0.40 0.60 없음 양호
57 Mo/Al/Mo 70/3/10/0.1/0.5/16.5 65 63 0.30 0.40 없음 양호
58 65/4/10/1/1/19 64 64 0.35 0.42 없음 양호
59 60/7/10/5/18 45 44 0.35 0.55 없음 양호
60 65/9/10/1/0.5/15 42 40 0.40 0.60 없음 양호

본 발명은 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막을 식각하기 위한 새로운 형태의 식각액 조성 물에 관한 것으로, 장비의 의존성이 전혀 없고, 다양한 종류의 기판을 식각 할 수 있어 양호한 식각 특성을 갖는 식각액을 제공할 수 있다.

Claims (7)

  1. 전체 조성물 총중량에 대하여 인산 56 ~ 70 중량%, 질산 1 ~ 9 중량%, 아세트산 7 ~ 15 중량%, 마그네슘 화합물, 칼슘계 화합물, 및 알루미늄계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 0.1 ~ 10 중량%의 첨가제 및 전체 조성물 총 중량이 100 중량% 가 되도록 물을 함유하는 식각액 조성물로서,
    상기 마그네슘 화합물은 Mg(C2H3O2)2, MgCl2, MgSO4, Mg(NO3)2, Mg(ClO4)2, MgMoO4, MgI2, MgHPO4, Mg3(PO4)2 및 MgS2O3 로 구성된 군에서 선택되는 1 종 이상이고, 상기 칼슘계 화합물은 Ca(C2H3O2)2, CaCl2, CaSO4, Ca(NO3)2, Ca(ClO4)2, CaMoO4, CaI2, CaHPO4, Ca(H2PO4)2, 및 Ca3(PO4)2 로 구성된 군에서 선택되는 1 종 이상이며, 상기 알루미늄계 화합물은 (CH3CO2)2AlOH, (CH3CO2)Al(OH)2, Al(NO3)3, Al(ClO4)3, AlPO4, AlK(SO4)2, 및 Al2(SO4)3 로 구성된 군에서 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 단일막, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막, 및 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 다층막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 막을 식각하기 위한 식각액 조성물.
  2. 전체 조성물 총 중량에 대하여 인산 60 ~ 70 중량%, 질산 4 ~ 9 중량%, 아세트산 8 ~ 11 중량%, 마그네슘 화합물, 칼슘계 화합물, 및 알루미늄계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 0.1 ~ 5 중량%의 첨가제 및 전체 조성물 총 중량이 100 중량% 가 되도록 물을 함유하는 식각액 조성물로서,
    상기 마그네슘 화합물은 Mg(C2H3O2)2, MgCl2, MgSO4, Mg(NO3)2, Mg(ClO4)2, MgMoO4, MgI2, MgHPO4, Mg3(PO4)2 및 MgS2O3 로 구성된 군에서 선택되는 1 종 이상이고, 상기 칼슘계 화합물은 Ca(C2H3O2)2, CaCl2, CaSO4, Ca(NO3)2, Ca(ClO4)2, CaMoO4, CaI2, CaHPO4, Ca(H2PO4)2, 및 Ca3(PO4)2 로 구성된 군에서 선택되는 1 종 이상이며, 상기 알루미늄계 화합물은 (CH3CO2)2AlOH, (CH3CO2)Al(OH)2, Al(NO3)3, Al(ClO4)3, AlPO4, AlK(SO4)2, 및 Al2(SO4)3 로 구성된 군에서 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 단일막, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막, 및 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 다층막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 막을 식각하기 위한 식각액 조성물.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 　제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 첨가제는 Mg(C2H3O2)2, Mg(NO3)2, Mg(ClO4)2, Ca(C2H3O2)2, Ca(NO3)2, Ca(ClO4)2, Al(NO3)3, Al(ClO4)3, (CH3CO2)2AlOH, 및 (CH3CO2)Al(OH)2로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 단일막, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막, 및 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 다층막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 막을 식각하기 위한 식각액 조성물.
KR1020040100901A 2004-10-15 2004-12-03 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막 식각액조성물 KR101131832B1 (ko)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040082484 2004-10-15
KR1020040082483 2004-10-15
KR20040082485 2004-10-15
KR1020040082484 2004-10-15
KR1020040082485 2004-10-15
KR20040082483 2004-10-15
KR1020040084673 2004-10-22
KR1020040084674 2004-10-22
KR20040084674 2004-10-22
KR20040084673 2004-10-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060033689A KR20060033689A (ko) 2006-04-19
KR101131832B1 true KR101131832B1 (ko) 2012-07-17

Family

ID=37142788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040100901A KR101131832B1 (ko) 2004-10-15 2004-12-03 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막 식각액조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101131832B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57207342A (en) 1981-06-15 1982-12-20 Fuji Electric Co Ltd Etchant for metallic wiring
WO2003036707A1 (fr) * 2001-10-22 2003-05-01 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Procede de gravure pour film lamine en aluminium-molybdene

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57207342A (en) 1981-06-15 1982-12-20 Fuji Electric Co Ltd Etchant for metallic wiring
WO2003036707A1 (fr) * 2001-10-22 2003-05-01 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Procede de gravure pour film lamine en aluminium-molybdene

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060033689A (ko) 2006-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101057360B1 (ko) 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막 식각액 조성물
KR100839428B1 (ko) 식각액, 및 이를 이용한 박막트랜지스터를 갖는 기판의제조 방법
KR101216651B1 (ko) 에칭 조성물
KR101299131B1 (ko) 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각 조성물
KR20180009687A (ko) 금속막 식각액 조성물 및 이를 사용한 표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR100639594B1 (ko) 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속 전극용식각액 조성물
KR101293387B1 (ko) 금속배선 형성을 위한 저점도 식각용액
KR20090061756A (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법
KR101264421B1 (ko) 금속막 식각용액
KR101453088B1 (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법
KR102344034B1 (ko) 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법, 및 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 식각액 조성물, 및 박막트렌지스터의 제조방법 및 박막트랜지스터
KR101026983B1 (ko) 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물
KR101131832B1 (ko) 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및/또는 몰리브덴 또는몰리브덴 합금으로 이루어진 단일막 및 다층막 식각액조성물
KR101348515B1 (ko) 금속배선 형성을 위한 저점도 식각용액
KR101342051B1 (ko) 금속배선 형성을 위한 저점도 식각용액
KR101099365B1 (ko) 금속배선형성용 식각액 조성물
KR102160296B1 (ko) 금속 배선 형성을 위한 다층막 식각액 조성물
KR101461180B1 (ko) 비과산화수소형 구리 에칭제
KR101353123B1 (ko) 금속막 식각용액
KR101236133B1 (ko) 금속 식각액 조성물
KR101347446B1 (ko) 금속배선 형성을 위한 저점도 식각용액
KR100639299B1 (ko) 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속 전극용식각액 조성물
KR20190065227A (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법
KR20070062259A (ko) 액정표시장치의 전극 식각용 식각액 조성물
KR20080016290A (ko) 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조공정에 사용되는금속막에 대한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150116

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151209

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161222

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171204

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181211

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191210

Year of fee payment: 9