KR101122719B1 - Apparatus for heating a substrate and method for manufacturing the same and substrate processing apparatus having the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 가열 장치 및 이의 제조 방법 그리고, 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판을 안착시키고 가열하고, 진공 증착에 의해 형성된 발열체막과, 상기 발열체막을 보호하기 위해 진공 증착 공정으로 제작된 보호막을 포함하는 안착 가열판 및 상기 안착 가열판에 결합된 연장축을 포함하는 기판 가열 장치와 이의 제조 방법 그리고, 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention relates to a substrate heating apparatus, a method for manufacturing the same, and a substrate processing apparatus including the same, comprising: a heating element film formed by depositing and heating a substrate, and formed by vacuum deposition; Provided is a substrate heating apparatus including a seating heating plate including a protective film and an extension shaft coupled to the seating heating plate, a method of manufacturing the same, and a substrate processing apparatus including the same.
이과 같이 본 발명은 진공 증착 공정을 통해 발열체막과 보호막을 제작함으로 인해 제작 공정을 단순화시키고, 제작 시간과 제작 단가를 줄일 수 있다. 또한, 박형의 발열체막과 얇은 보호막을 포함하는 장치를 통해 가볍고 슬림할 뿐만 아니라 가열 성능이 우수한 가열 장치를 제작할 수 있다. As described above, the present invention can simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing time and manufacturing cost by manufacturing the heating element film and the protective film through the vacuum deposition process. In addition, a device including a thin heating element film and a thin protective film may be manufactured as well as light and slim, and a heating device having excellent heating performance.
기판 가열 장치, 안착 가열판, 발열체막, 보호막, 커넥터 Substrate heating device, Seating heating plate, Heating element film, Protective film, Connector
Description
본 발명은 기판 가열 장치 및 이의 제조 방법 그리고, 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 제작 시간 및 원가 그리고, 작업 공수를 감소시켜 그 제조 공정을 단순화하고, 제작 단가를 줄일 수 있는 진공 상태에서 기판을 가열하는 기판 가열 장치 및 이의 제조 방법과, 진공 중에서 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate heating apparatus, a method for manufacturing the same, and a substrate processing apparatus including the same. The present invention relates to a substrate processing apparatus including a substrate heating apparatus and a method for manufacturing the same. It relates to a substrate heating apparatus for heating the substrate, a method for producing the same, and a substrate processing apparatus for treating the substrate in a vacuum.
일반적으로, 반도체 소자, 평판 표시 소자, 솔라셀 및 발광 다이오드와 같은 전자 소자 들은 기판 상에 박막을 증착하고, 이러한 박막을 원하는 패턴으로 식각하여 제작된다. 이때, 전자 소자 제작을 위한 기판은 고온의 진공 분위기에서 처리 된다. 따라서, 종래에는 진공 분위기의 공정 챔버에서 기판을 처리하였다. 이러한 챔버 내측에는 기판을 고온으로 가열하는 가열 장치가 장착되어 사용되었다. In general, electronic devices such as semiconductor devices, flat panel display devices, solar cells, and light emitting diodes are manufactured by depositing a thin film on a substrate and etching the thin film into a desired pattern. At this time, the substrate for manufacturing the electronic device is processed in a high temperature vacuum atmosphere. Therefore, conventionally, the substrate was processed in a process chamber in a vacuum atmosphere. Inside this chamber, a heating device for heating the substrate to a high temperature was mounted.
이러한, 종래의 기판 가열 장치는 금속 소재 내부에 금속 열선을 삽입하고, 절연재를 넣어 제작되었다. 물론 비금속 소재 내부에 금속 열선을 삽입하여 제작되기도 하였다. In such a conventional substrate heating apparatus, a metal heating wire is inserted into a metal material, and an insulating material is inserted therein. Of course, it was also produced by inserting a metal heating wire inside the non-metal material.
이와 같이 종래의 제작 방법에 의해 제작된 기판 가열 장치는 그 두께가 두꺼워지는 단점이 있었다. 또한, 기판 가열 장치의 두께가 두꺼워짐으로 인해 기판을 가열하기 위한 시간과, 기판 가열 장치를 냉각시키기 위한 시간이 오래 걸리는 단점이 있다. 이로인해 앞서 언급한 소자 제작을 위한 제조 공정 시간이 증가하게 되는 문제가 발생하게 되었다. Thus, the substrate heating apparatus manufactured by the conventional manufacturing method has the disadvantage that the thickness becomes thick. In addition, the thickness of the substrate heating apparatus has a disadvantage in that it takes a long time for heating the substrate and a long time for cooling the substrate heating apparatus. This causes a problem that the manufacturing process time for manufacturing the above-mentioned device is increased.
또한, 별도의 금속 열선을 제작하고, 이를 금속 소재 내부에 일정한 패턴으로 배치한 다음 금속 소재 내부에 절연재를 충진하는 작업을 개별적으로 수행하여야 하기 때문에 작업 공정 수가 증가하게 되는 단점이 있다. In addition, there is a disadvantage in that the number of work processes increases because a separate metal hot wire is manufactured, and the work is performed by individually filling the insulating material into the metal material and then filling the insulating material into the metal material.
또한, 챔버 및 기판의 사이즈가 증대함에 따라 그 크기가 커짐으로 인해 장치의 무게가 급격하게 증가하게 되는 문제가 있었다. In addition, as the size of the chamber and substrate increases, there is a problem that the weight of the device is rapidly increased due to the increase in the size.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 진공 증착 및 식각 공정을 이용하여 발열체막과 절연막을 형성하여 장치의 제조 공정을 단순화시키고, 다양한 형상으로의 제작이 가능하고, 제작 시간과 제작 단가를 줄일 수 있으며, 슬림하고 가벼우면서도 가열 성능이 우수한 기판 가열 장치 및 이의 제조 방법 그리고, 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. Therefore, the present invention simplifies the manufacturing process of the device by forming the heating element film and the insulating film using a vacuum deposition and etching process to solve the above problems, and can be manufactured in a variety of shapes, manufacturing time and production cost The present invention provides a substrate heating apparatus, a method of manufacturing the same, and a substrate processing apparatus including the same, which can be reduced, slim and light, and have excellent heating performance.
본 발명에 따른 기판을 안착시키고 가열하고, 진공 증착에 의해 형성된 발열체막과, 상기 발열체막을 보호하기 위해 진공 증착 공정으로 제작된 보호막을 포함하는 안착 가열판 및 상기 안착 가열판에 결합된 연장축을 포함하는 기판 가열 장치를 제공한다. A substrate comprising a heating plate comprising a heating element, which is seated and heated, a heating element film formed by vacuum deposition, and a protective film manufactured by a vacuum deposition process to protect the heating element film, and an extension shaft coupled to the mounting heating plate. Provide a heating device.
상기 안착 가열판은, 하측 커버판과, 상기 하측 커버판 상에 마련된 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트 상면에 증착된 상기 발열체막과, 상기 발열체막에 전원을 제공하는 전원 연결 배선과, 상기 발열체막과 상기 전원 연결 배선을 전기적으로 연결하는 연결 커넥터 및 적어도 상기 연결 커넥터와 상기 발열체막을 커버하는 상기 보호막을 포함하는 것이 가능하다.The seat heating plate may include a lower cover plate, a base plate provided on the lower cover plate, the heating element film deposited on an upper surface of the base plate, a power connection wiring for supplying power to the heating element film, and the heating element film; It is possible to include a connection connector for electrically connecting the power connection wiring and the protective film covering at least the connection connector and the heating element film.
상기 안착 가열판은, 하측 커버판과, 상기 하측 커버판 상에 마련된 베이스 플레이트와, 일부가 상기 베이스 플레이트 상측면으로 연장된 전원 연결 배선과, 상기 베이스 플레이트 상측면으로 연장된 상기 전원 연결 배선 상부를 포함하는 상기 베이스 플레이트 상면에 증착된 상기 발열체막 및 적어도 상기 발열체막 및 상기 전원 연결 배선을 커버하는 상기 보호막을 포함할 수 있다. The seating heating plate may include a lower cover plate, a base plate provided on the lower cover plate, a power connection wiring partially extending to the upper side of the base plate, and an upper portion of the power connection wiring extending to the upper side of the base plate. The heating element layer and the protective layer covering at least the heating element layer and the power connection wiring may be included.
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상기 발열체막은 직선, 곡선, 링, 바 또는 판 형상 중 적어도 어느 하나의 형상으로 제작되고, 상기 발열체막은 상기 베이스 플레이트 상에서 전기적으로 절연된 복수의 영역으로 분리되고, 이 분리된 영역에 각기 서로 다른 외부 전원을 제공 받을 수 있다. The heating element film is formed in at least one of a straight line, a curved line, a ring, a bar, or a plate shape, and the heating element film is divided into a plurality of electrically insulated regions on the base plate, and the outer regions are different from each other. Power can be provided.
또한, 본 발명에 따른 진공 처리 장치 내에서 그 상측면에 기판을 안착시키고, 상기 기판을 가열하는 기판 가열 장치의 제조 방법에 있어서, 전원 연결 배선이 배치된 하측 커버판을 마련하는 단계와, 상기 하측 커버판 상에 베이스 플레이트를 배치시키는 단계와, 제 1 진공 증착 공정을 통해 상기 베이스 플레이트 상에 발열체막을 증착하는 단계와, 상기 발열체막과 상기 전원 연결 배선을 전기적으로 연결시키는 단계 및 제 2 진공 증착 공정을 통해 적어도 상기 발열체막 상에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 기판 가열 장치의 제조 방법을 제공한다. In addition, in the vacuum processing apparatus according to the present invention, a method of manufacturing a substrate heating apparatus for mounting a substrate on an upper side thereof and heating the substrate, the method comprising: providing a lower cover plate on which a power connection wiring is arranged; Disposing a base plate on the lower cover plate, depositing a heating element film on the base plate through a first vacuum deposition process, electrically connecting the heating element film and the power connection wiring, and a second vacuum; It provides a method for manufacturing a substrate heating apparatus comprising the step of forming a protective film on at least the heating element film through a deposition process.
상기 발열체막을 증착하는 단계는, 상기 베이스 플레이트가 배치된 하측 커버판을 진공 증착 챔버로 로딩시키는 단계와, 마스크를 상기 베이스 플레이트 상측에 배치시키는 단계와, PVD, CVD 및 ALD 중 어느 하나의 증착 공정으로 발열체막을 증착하는 단계를 포함하는 것이 가능하다. The depositing of the heating element film may include loading a lower cover plate on which the base plate is disposed into a vacuum deposition chamber, placing a mask on the base plate, and depositing one of PVD, CVD, and ALD. It is possible to include the step of depositing a heating element film.
상기 발열체막과 상기 전원 연결 배선을 전기적으로 연결시키는 단계는, The step of electrically connecting the heating element film and the power connection wiring,
연결 커넥터를 마련하는 단계 및 상기 연결 커넥터의 일부가 상기 발열체막에 접속되고, 다른 일부가 상기 전원 연결 배선에 접속되도록 상기 연결 커넥터를 베이스 플레이트에 결합시키는 단계를 포함할 수 있다. And providing a connection connector and coupling the connection connector to the base plate such that a part of the connection connector is connected to the heating element film and the other part is connected to the power connection wiring.
또한, 본 발명에 따른 진공 처리 장치 내에서 그 상측면에 기판을 안착시키고, 상기 기판을 가열하는 기판 가열 장치의 제조 방법에 있어서, 전원 연결 배선이 배치된 하측 커버판을 마련하는 단계와, 상기 하측 커버판 상에 베이스 플레이트를 배치시키고, 적어도 상기 베이스 플레이트 측면에 상기 전원 연결 배선을 밀착시키는 단계와, 제 1 진공 증착 공정을 통해 상기 베이스 플레이트와 상기 전원 연결 배선 상에 발열체막을 증착하는 단계 및 제 2 진공 증착 공정을 통해 적어도 상기 발열체막과, 상기 전원 연결 배선 상에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 기판 가열 장치의 제조 방법을 제공한다. In addition, in the vacuum processing apparatus according to the present invention, a method of manufacturing a substrate heating apparatus for mounting a substrate on an upper side thereof and heating the substrate, the method comprising: providing a lower cover plate on which a power connection wiring is arranged; Arranging a base plate on a lower cover plate, bringing the power connection wires into close contact with at least the base plate side, and depositing a heating element film on the base plate and the power connection wires through a first vacuum deposition process; It provides a method of manufacturing a substrate heating apparatus comprising the step of forming a protective film on at least the heating element film and the power connection wiring through a second vacuum deposition process.
상기 발열체막을 증착하는 단계는, 상기 베이스 플레이트가 배치된 하측 커버판을 진공 증착 챔버로 로딩시키는 단계와, 마스크를 상기 베이스 플레이트 상측에 배치시키는 단계 및 PVD, CVD 및 ALD 중 어느 하나의 증착 공정으로 발열체막을 증착하는 단계를 포함하는 것이 가능하다. The depositing of the heating element film may include loading the lower cover plate on which the base plate is disposed into a vacuum deposition chamber, placing a mask on the upper side of the base plate, and depositing one of PVD, CVD, and ALD. It is possible to include the step of depositing a heating element film.
상기 제 1 진공 증착 공정과 상기 제 2 진공 증착 공정을 복수번 수행하는 것이 효과적이다. It is effective to perform the first vacuum deposition process and the second vacuum deposition process a plurality of times.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 공간을 갖는 챔버와, 기판을 지지하고, 가열하는 기판 가열 장치 및 상기 기판 처리 공간에 원료를 공급하는 원료 공급부를 포함하되, 상기 기판 가열 장치는 기판을 안착시키고 가열하고, 진공 증착에 의해 형성된 발열체막과, 상기 발열체막을 보호하기 위해 진공 증착 공정으로 제작된 보호막을 포함하는 안착 가열판 및 상기 안착 가열판에 결합된 연장축을 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. In addition, a chamber having a substrate processing space according to the present invention, a substrate heating apparatus for supporting and heating a substrate, and a raw material supply unit for supplying raw materials to the substrate processing space, the substrate heating apparatus seating and heating the substrate The present invention provides a substrate processing apparatus including a heating plate formed by vacuum deposition, a seat heating plate including a protective film manufactured by a vacuum deposition process to protect the heating element film, and an extension shaft coupled to the seat heating plate.
상술한 바와 같이 본 발명은 베이스 플레이트 상에 진공 증착 공정(즉, 박막 증착 공정)을 통해 발열체막을 형성하고, 그 상측에 보호막을 형성함으로 인해 기판을 지지하고, 지지된 기판을 가열하는 기판 가열 장치를 제작할 수 있다. As described above, the present invention provides a substrate heating apparatus for forming a heating element film through a vacuum deposition process (that is, a thin film deposition process) on a base plate, supporting a substrate by forming a protective film thereon, and heating the supported substrate. Can be produced.
이와 같이 본 발명은 기판 가열 장치를 진공 증착 공정을 통해 제작함으로 인해 장치의 제작 공정을 단순화시키고, 제작 시간과 제작 단가를 줄일 수 있다. As described above, the present invention can simplify the manufacturing process of the apparatus and reduce the manufacturing time and manufacturing cost by manufacturing the substrate heating apparatus through the vacuum deposition process.
또한, 박형의 발열체막과 얇은 보호막으로 이루어진 히팅부를 제작하여 가볍고 슬림한 가열 장치를 제작하고, 가열 성능이 우수한 기판 가열 장치를 제작할 수 있다. In addition, a heating unit consisting of a thin heating element film and a thin protective film may be manufactured to manufacture a light and slim heating device, and a substrate heating device having excellent heating performance may be manufactured.
또한, 박형의 발열체막의 패턴을 증착 공정시 사용되는 마스크를 통해 자유롭게 변경할 수 있어, 다양한 형상의 가열 장치를 제작할 수 있다. In addition, since the pattern of the thin heating element film can be freely changed through a mask used in the deposition process, heating devices having various shapes can be manufactured.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like numbers refer to like elements in the figures.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 가열 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 2는 제 1 실시예에 따른 기판 가열 장치의 평면 개념도이다. 도 3 내지 도 5는 제 1 실시예의 변형예에 따른 기판 가열 장치의 평면 개념도이다. 1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus including a substrate heating apparatus according to a first embodiment of the present invention. 2 is a plan conceptual view of the substrate heating apparatus according to the first embodiment. 3 to 5 are plan view conceptual views of a substrate heating apparatus according to a modification of the first embodiment.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 공간을 갖는 챔버(100)와, 일부가 기판 처리 공간에 위치하여 기판(10)을 지지하고, 가열하는 기판 가열 장치(200)와, 상기 기판(10)에 처리 원료를 공급하는 원료 공급부(300)와, 기판 가열 장치(200)을 승강시키는 스테이지(400)를 구비한다. 1 and 2, the substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a
그리고, 도시되지 않았지만, 기판 처리 공간의 압력을 일정하게 유지하는 압력 유지 장치와, 기판 처리 공간의 반응 부산물 및 미 반응 물질들을 배기하는 배기 장치를 포함할 수 있다. And, although not shown, it may include a pressure maintaining device for maintaining a constant pressure in the substrate processing space, and an exhaust device for exhausting reaction by-products and unreacted materials of the substrate processing space.
챔버(100)는 내부 공간(즉, 기판 처리 공간)을 갖는 통 형상으로 제작된다. 도시되지 않았지만, 챔버(100)는 챔버 몸체와 챔버 리드로 분리된다. 이를 통해 챔버(100)와 챔버 내부에 설치된 장치들을 유지 보수할 수 있다. 그리고, 도시되지 않았지만, 챔버(100) 일측에는 기판(10)이 출입하는 출입구가 마련된다. 그리고, 이러한 출입구를 개폐하기 위해 별도의 개폐 수단(예를 들어, 게이트 밸브, 슬랏 밸브)이 마련된다. The
이어서, 원료 공급부(300)는 챔버(100) 내측에 설치되어 기판 처리 원료를 기판 처리 공간에 분사하는 원료 분사부(310)와, 원료 분사부(310)에 기판 처리 원료를 공급하는 원료 저장부(320)를 구비한다. Subsequently, the raw
여기서, 기판 처리 원료는 챔버(100) 내측에서 수행되는 기판 처리 공정에 따라 다양할 수 있다. 또한, 사용되는 기판(10)에 따라 기판 처리 원료는 다양할 수 있다. 이때, 원료의 형태로는 가스, 액체 또는 전구체를 사용할 수 있다. Here, the substrate processing material may vary depending on the substrate processing process performed inside the
물론 기판 처리 장치는 제공되는 원료를 플라즈마화하기 위한 별도의 플라즈마 발생 장치를 더 구비할 수 있다. Of course, the substrate processing apparatus may further include a separate plasma generating apparatus for plasmalizing the raw material provided.
다음으로 기판 가열 장치(200)는 기판(10)을 안착시키고 가열하는 안착 가열판(210)과, 안착 가열판에 결합된 연장축(220)을 구비한다. Next, the
안착 가열판(210)은 기존의 열선을 사용하지 않고, 진공 증착에 의해 형성된 발열체막(213)을 사용하고, 그 상측에 진공 증착으로 보호막(216)을 형성하여 발열체막(213)을 보호하고, 기판(10)으로의 열전달 능력을 증대시킬 수 있다. 또한, 보호막(216)에 상에 기판(10)이 놓여짐으로 인해 기판(10)이 미끄러지는 것을 방지할 수 있다. The
이러한, 안착 가열판(210)은 하측 커버판(211)과, 하측 커버판(211) 상에 장착된 베이스 플레이트(212)와, 베이스 플레이트(212) 상면에 증착된 발열체막(213)와, 발열체막(213)에 전원을 제공하는 전원 연결 배선(214)과, 상기 발열체막(213)과 전원 연결 배선(214)을 전기적으로 연결하는 연결 커넥터(215)와, 상기 연결 커 넥터(215)와 발열체막(213)을 덮도록 베이스 플레이트(212) 상에 증착된 보호막(216)을 구비한다. The
하측 커버판(211)은 도 2에 도시된바와 같이 원형 판 형상으로 제작된다. 물론 이에 한정되지 않고, 기판(10)의 형상에 따라 다양한 형상이 가능하다. 즉, 기판(10)이 원형일 경우, 하측 커버판(211)으로 원형 판을 사용하고, 기판(10)이 다각형일 경우, 하측 커버판(211)으로 다각형 판을 사용한다. The
하측 커버판(211)은 그 상측면에 오목홈이 마련되고, 이 오목홈에 베이스 플레이트(212)의 일부가 실장된다. 물론 오목홈에 베이스 플레이트(212)가 장착 고정된다. 본 실시예에서는 하측 커버판(211)으로 기판 처리 공정시 사용되는 원료에 의해 손상되지 않을 뿐 아니라 원료와 반응하지 않는 물질로 제작되는 것이 효과적이다. 하측 커버판(211)의 재질은 Al2O3, AlN, Y2O3 및 ZrO2 중 적어도 어느 하나를 사용한다.The
베이스 플레이트(212)는 하측 커버판(211)의 상측의 오목홈에 장착 결합된다. 이때, 끼워맞춤 형태로 베이스 플레이트(212)가 하측 커버판(211)에 장착된다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 별도의 고정 수단(예를 들어, 볼트 및/또는 너트)에 의해 베이스 플레이트(212)가 하측 커버판(211)에 장착될 수 있다. 이때, 고정 수단이 베이스 플레이트(212)의 상측면에 노출될 수 있다. 하지만, 이러한 고정 수단 또한 베이스 플레이트(212) 상측면에 증착되는 보호막(216)에 의해 커버된다. The
본 실시예에서는 상기 베이스 플레이트(212)의 상측 영역에 기판(10)이 안치 된다. 그리고, 베이스 플레이트(212) 상측 영역의 기판(10)은 베이스 플레이트(212)의 상부면에 형성된 발열체막(213)에 의해 가열된다. In the present embodiment, the
이에 베이스 플레이트(212)는 기판(10)과 동일한 형상으로 제작된다. 또한, 발열체막(213)의 열을 기판(10)에 균일하게 전달하는 역할을 수행하는 것이 바람직하다. Accordingly, the
본 실시예에서는 Al2O3, AlN, Y2O3 및 ZrO2 중 적어도 어느 하나를 사용하여 베이스 플레이트(212)를 제작하다. In the present embodiment, the
본 실시예의 베이스 플레이트(212)는 그 두께를 얇게 제작하는 것이 효과적이다. 즉, 베이스 플레이트(212)는 기판(10)을 지지하는 역할만을 하기 때문이다. 즉, 본 실시예에서는 베이스 플레이트(212) 상측에 진공 증착 공정을 통해 발열체막(213)을 형성하기 때문에 종래와 같이 베이스 플레이트(212) 내측 공간에 열선과 같은 별도의 가열 수단이 삽입되지 않는다. 따라서, 베이스 플레이트(212)의 두께를 얇게 할 수 있다. 바람직하게는 본 실시예에서는 베이스 플레이트(212)의 두께를 10 내지 5000㎛ 범위 내로 제작하는 것이 효과적이다. The
상기 범위보다 작을 경우에는 베이스 플레이트(212)를 하측 커버판(211)에 장착하는 것이 어렵고, 베이스 플레이트(212) 상에 발열체막(213)의 증착이 어려운 단점이있다. 상기 범위보다 클 경우에는 베이스 플레이트(212)의 두께 감소에 따른 효과가 없어지는 문제가 있다. If it is smaller than the above range, it is difficult to mount the
본 실시예에서는 상기와 같이 베이스 플레이트(212)의 두께를 얇게 제작하는 기판 가열 장치(200)의 두께를 줄일 수 있다. 즉, 기판 가열 장치(200)를 슬림화시켜 장치의 무게를 줄일 수 있게 된다. In the present embodiment, as described above, the thickness of the
앞서와 같이 베이스 플레이트(212)의 상측면에는 발열체막(213)이 증착된다.As described above, the
발열체막(213)은 외부로 부터 인가된 전원에 의해 발열하여 그 상측에 위치한 기판(10)을 가열한다. 발열체막(213)은 베이스 플레이트(212) 상에 패터닝 되고, 이때의 저항값은 3 내지 30Ω인 것이 효과적이다. 그리고, 저항에 의해 1000도 미만의 온도를 승온시키는데 있어서 적정 소비 전력을 유지하는 것이 효과적이다. 이러한 발열체막(213)으로는 융점이 높고, 적정한 비저항을 갖는 물질로 제작하는 것이 효과적이다. 본 실시예에서는 상기 발열체막(213)으로 단일 금속 물질, 금속 화합물질 및 금속 질화물질 중 적어도 어느 하나의 물질을 사용할 수 있다. 즉, 상기 발열체막(213)으로 W, Ta, Mo, Ni/Cr, Fe/Cr, TaW, Wn 및 MoN 중 적어도 어느 하나를 사용하는 것이 효과적이다. The
그리고, 발열체막(213)은 PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition) 및 ALD(Atomic Layer Deposition) 중 어느 하나를 이용하여 베이스 플레이트(212) 상에 증착되는 것이 효과적이다.In addition, the
발열체막(213)은 베이스 플레이트(212) 상측에서 일정한 패턴으로 제작된다. 이는 베이스 플레이트(212)의 상측면의 일부 영역에 발열체막(213)이 증착됨을 의미한다. 본 실시예에서는 도 2에 도시된 바와 같이 메쉬 패턴의 발열체막(213)이 베이스 플레이트(212) 상측에 형성된다. 이와 같은 메쉬 패턴의 발열체막(213)을 통해 기판(10) 전면을 균일하게 가열할 수 있다. The
본 실시예에서는 베이스 플레이트(212)의 상측에 형성된 발열체막(213)에 전원 연결 배선(214)을 통해 외부 전원을 인가한다. In the present embodiment, an external power source is applied to the
이때, 전원 연결 배선(214)은 도 1에 도시된 바와 같이 베이스 플레이트(212)의 측면에 위치하고, 하측 커버판(211)의 상측면과 베이스 플레이트(212)의 하측면 사이로 연장된다. 이때, 하측 커버판(211)의 상측면에 소정의 홈이 마련되어 상기 전원 연결 배선(214)이 수납될 수도 있다. 물론 베이스 플레이트(212)의 하측면에 홈이 마련되어 전원 연결 배선(214)이 끼워 장착될 수도 있다. 또한, 하측 커버판(211)과 베이스 플레이트(212)에 각기 홈이 마련될 수도 있다. 이러한 홈을 통해 하측 커버판(211)과 베이스 플레이트(212)를 결합시킬 경우, 이둘 사이에 연장된 전원 연결 배선(214)에 의해 이둘 사이가 벌어지는 문제를 해결할 수 있다. In this case, the
그리고, 도시되지 않았지만, 하측 커버판(211)의 하측 중앙 영역에는 상기 전원 연결 배선(214)이 외부 배선과 접속될 별도의 콘택부가 마련된다. 물론 콘택부는 전원 연결 배선(214)의 일부가 연장되어 형성될 수도 있다. 또한, 별도의 콘택 부재(예를 들어 커넥터, 소켓 또는 패드)를 이용하여 제작할 수도 있다. 이때, 전원 연결 배선(214)의 일부는 절연성 튜브에 의해 절연되어 있는 것이 효과적이다. 즉, 상기 베이스 플레이트(212)의 측면을 제외한 영역과 상기 콘택부와 접속되는 영역을 제외한 영역의 전원 연결 배선(214)이 절연성 튜브에 의해 절연된다. 이를 통해 전원 연결 배선(214)을 통해 인가되는 외부 전원의 누설을 방지할 수 있다. Although not shown, a separate contact portion for connecting the
그리고, 전원 연결 배선(214)은 베이스 플레이트(212)의 측면에 위치하고, 연결 커넥터(215)에 의해 발열체막(213)에 전기적으로 접속된다. The
전원 연결 배선(214)는 다수의 라인으로 제작될 수 있다. 즉, 적어도 하나의 전원 라인과, 적어도 하나의 접지 라인을 구비할 수 있다. 이때, 상기 라인들은 하측 커버판(211)의 중심에 마련된 콘택부에 접속된다. 따라서, 라인들은 방사상 형태로 연장된다. 본 실시예에서는 4개의 연결 커넥터(215)에 의해 전원 연결 배선(214)과 발열체막(213)이 접속된다. 이때, 적어도 2개의 연결 커넥터(215)는 전원 연결 배선(214)의 전원 라인에 접속되고, 적어도 1개의 연결 커넥터(215)는 접지 라인에 접속되는 것이 효과적이다. 이와 같이 다수의 연결 커넥터(215)를 통해 전원 연결 배선(214)의 전원 라인과 발열체막(213)을 연결함으로 인해 발열체막(213)에 균일한 전원을 인가할 수 있다. 이와 같이 발열체막(213)에 균일한 전원이 인가됨으로인해 발열체막(213)이 균일하게 열을 발산할 수 있다. The
연결 커넥터(215)는 베이스 플레이트(212) 상측면의 발열체막(213)과, 베이스 플레이트(212)의 측면에 밀착 고정된 전원 연결 배선(214) 간을 연결한다. 따라서, 연결 커넥터(215)는 도 1에 도시된 바와 같이 뒤집힌 'L'자 형상으로 제작되는 것이 효과적이다. 즉, 연결 커넥터(215)는 발열체막(213)에 접속되어 베이스 플레이트(212)의 상측면과 동일 면으로 연장된 수평 연장부와, 수평 연장부에서 수직 방향으로 연장되어 전원 연결 배선(214)에 접속된 수직 연장부를 구비한다. 그리고, 도 1에서와 같이 수직 연장부와 수평 연장부 사이의 빈 공간 발생을 방지하기 위한 별도의 돌기부를 구비할 수 있다. 이와 같은 돌기부를 둠으로 인해 진공 증착 공정시 연결 커넥터(215)가 분리되는 현상을 방지할 수 있다. The connecting
이러한 연결 커넥터(215)는 전도성이 우수한 금속 물질로 제작되는 것이 효과적이다. 물론 이에 한정되지 않고, 연결 커넥터(215)로 전도성 페이스트 또는 전도성 본드를 사용할 수도 있다. 이때, 전도성 페이스트를 사용하는 경우 단차진 영역까지 페이스트가 침투하여 전도성 접착력이 향상됨은 물론 연결 커넥터(215)의 분리 현상을 방지할 수 있다. 이때, 상기 연결 커넥터(215)를 분리된 링 형상으로 제작할 수도 있다. 연결 커넥터(215)을 단일 몸체의 링 형상으로 제작하지 않고, 적어도 2 부분으로 분리된 링 형상으로 제작하는 것이 효과적이다. 이는 전원 연결 배선(214)의 라인 중 하나는 양의 전원이 다른 하나는 음의 전원이 제공되기 때문이다. 따라서, 연결 커넥터(215) 또한 양의 전원 영역과 음의 전원 영역에 각기 접속되기 위한 2개의 몸체로 제작되는 것이 바람직하다. The
본 실시예에서는 상기의 연결 커넥터(215)와 발열체막(213)을 보호하기 위한 보호막(216)이 이들 상측영역에 형성된다. 이때, 보호막(216) 또한 진공 증착 공정을 통해 제작되는 것이 효과적이다. 이를 통해 본 실시예의 안착 가열판(210)을 구비하는 기판 가열 장치(200)의 제작 공정을 단순화시킬 수 있고, 경량화시킬 수 있다. In this embodiment, a
여기서, 보호막(216)은 발열체막(213)이 형성된 베이스 플레이트(212)의 상측면 뿐만 아니라 베이스 플레이트(212)의 가장자리 영역에 위치한 하측 커버판(211)의 상측면 상에도 증착된다. Here, the
이를 통해 보호막(216)은 발열체막(213) 전체를 커버하여 발열체막(213)이 챔버(100)의 기판 처리 공간에 노출되지 않도록 할 수 있다. 또한, 베이스 플레이 트(212)의 가장자리 영역에 위치한 연결 커넥터(215)도 기판 처리 공간에 노출되지 않도록 할 수 있다. 이는 상기 발열체막(213)과 연결 커넥터(215)는 도전성을 갖는 금속 물질로 제작된다. 따라서, 챔버(100)의 기판 처리 공간에서 공급되는 원료 중 산성 가스 성분에 이들이 노출되는 경우 쉽게 부식될 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 보호막(216)으로 이들을 커버하여 이러한 가스 성분과 발열체막(213)과 연결 커넥터(215) 간의 반응에 의한 부식을 방지할 수 있다. As a result, the
보호막(216)은 부도체의 재질로 제작되고, 산성에 강한 물질로 제작하는 것이 효과적이다. 여기서, 베이스 플레이트(212)와의 증착에 의한 결합 특성 향상을 위해 베이스 플레이트(212)와 동일 물질로 보호막(216)을 제작하는 것이 효과적이다. 본 실시예에서는 상기 보호막(216)으로 Al2O3막을 사용하는 것이 바람직하다. The
이때, 보호막(216)은 균일 두께로 증착되지 않고, 베이스 플레이트(212) 상측 영역의 평균 증착 두께가 하측 커버판(211) 상측 영역의 평균 증착 두께보다 더 두꺼운 것이 효과적이다. At this time, the
이를 통해 베이스 플레이트(212) 상측의 보호막(216)의 증착 두께를 균일하게 할 수 있다. 이는 베이스 플레이트(212) 상측면에는 발열체막(213)이 증착되어 있다. 따라서, 베이스 플레이트(212) 상측면에 보호막(216)을 얇게 증착하는 경우에는 발열체막(213)의 두께에 의한 돌출과 오목 패턴이 형성된다. 하지만, 보호막(216)의 두께를 두껍게 증착하는 경우, 이러한 돌출과 오목 패턴의 영향이 사라지게 되어 보호막(216) 상측 표면을 평탄화시킬 수 있다. 또한, 베이스 플레이 트(212)의 가장자리 영역과 하측 커버판(211)에 걸쳐 연결 커넥터(215)가 위치한다. 따라서, 연결 커넥터(215) 상측 영역의 증착 두께를 얇게하여 보호막(216) 표면의 평탄도를 높일 수 있다. 또한, 보호막(216)의 표면을 평탄화하기 위한 평탄화 공정이 수행될 수 있다. As a result, the deposition thickness of the
그리고, 보호막(216) 상측에 부식 방지용막을 더 형성할 수도 있다. 물론 보호막(216) 형성하기 전에 부식 방지용 막을 먼저 형성할 수도 있다. 이때, 부식 방지용 막은 코팅 또는 프린팅 공정을 통해 제작하는 것이 효과적이다. The anti-corrosion film may be further formed on the
본 실시예의 안착 가열판(210)은 상술한 구성에 한정되지 않고, 다양한 변형이 가능하다. 하기 변형예에서 설명된 기술은 앞선 실시예에 용이하게 적용될 수 있다. The
먼저, 도 3의 변형예에서와 같이 하측 커버판(211)과 베이스 플레이트(212)가 사각형 형상으로 제작될 수 있다. 이때, 기판(10)은 점선에서와 같이 사각형 형상인 것이 효과적이다. First, as in the modification of FIG. 3, the
그리고, 발열체막(213) 또한, 사행 형상으로 제작될 수 있다. 즉, 복수의 굴곡부와 이 굴곡부를 연결하는 연결 선부를 구비할 수 있다. 그리고, 발열체막(213)을 하나의 라인 형태로 제작한다. 그리고 이 발열체 라인의 양 끝단을 연결 커넥터(215)를 이용하여 전원 연결 배선(214)에 접속 시킬 수 있다. The
물론 이때, 도시되지 않았지만, 사행의 패턴의 간격은 중심 영역이 소하고, 주변 영역이 밀한 것이 효과적이다. 즉, 연결 선부들 간의 이격 거리가 중심 영역보다 주변 영역에서 더 가까운 것이 효과적이다. 이를 통해 발열체막(213)에 의해 기판(10)이 가열되는 경우 기판(10) 중심 영역에 열이 집중되는 것을 방지할 수 있다. Of course, although not shown at this time, it is effective that the spacing of the meandering patterns is small in the center region and dense in the peripheral region. In other words, it is effective that the separation distance between the connecting lines is closer to the peripheral area than to the central area. As a result, when the
또한, 도 4의 변형예에서와 같이 발열체막(213)이 베이스 플레이트(212)의 중심을 지나는 다수의 직선과, 지름이 서로 다른 다수의 원형 띠가 중첩된 형상으로 제작될 수 있다. 이때, 상기 직선과 원형띠가 서로 연결되어 있다. 따라서, 직선의 일측이 연결 커넥터(215)를 통해 전원 연결 배선(214)에 접속되는 것이 가능하다. In addition, as in the modification of FIG. 4, the
또한, 도 5의 변형예에서와 같이 발열체막(213)이 각기 서로 다른 전원 연결 배선(214)에 의해 구동하도록 분리된 적어도 하나의 영역으로 제작될 수 있다. 또한, 발열체막(213) 패턴이 직선, 사선, 곡선 및 띠 형상이 아닌 바 또는 판 형상으로 제작될 수도 있다. 즉, 본 변형예에서와 같이 발열체막(213)은 제 1 발열 영역(213-1)과 제 2 발열 영역(213-2)으로 분리될 수 있다. 제 1 발열 영역(213-1)은 베이스 플레이트 일측 가장자리에서 연장되어 연결 커넥터(214)에 전기적으로 접속된 제 1 연장 선(213-1a)과, 상기 제 1 연장선(213-1a)에서 바 형태로 연장된 다수의 제 1 가열부(213-1b)를 구비한다. 또한, 제 2 발열 영역(213-2)은 제 1 연장선(213-1a)에 대응하는 제 2 연장선(213-2a)와, 제 1 가열부(213-1b)에 대응하는 제 2 가열부(213-2b)를 구비한다. 이때, 제 1 가열부(213-1b)와 제 2 가열부(213-2b)은 베이스 플레이트(212) 상측면에서 서로 교번으로 배치되는 것이 효과적이다. 이를 통해 제 1 발열 영역(213-1)과 제 2 발열 영역(213-2) 중 어느 한 영역에만 전원을 인가하더라도 기판(10) 전체를 균일하게 가열할 수 있다. In addition, as in the modified example of FIG. 5, the
물론 이에 한정되지 않고, 베이스 플레이트(212)를 다수의 영역으로 분할하고, 이 분할된 영역에 각기 발열체막(213)의 가열 영역을 형성한다. 그리고, 이 가열 영역에 각기 독립적으로 전원 전압을 인가하여 기판(10)에 제공되는 열을 기판(10) 영역별로 조절할 수 있다. 이를 통해 기판(10)의 일부 영역에 열이 집중 되는 것을 방지할 수 있다. Of course, the present invention is not limited thereto, and the
상술한 구조의 안착 가열판(210) 상측에 기판(10)이 위치한다. 그리고, 안착 가열판(210)에 제공된 전원에 의해 발열체막(213)은 열을 발산하고, 이를 통해 기판(10)을 가열한다. 이때, 연장축(220)은 안착 가열판(210)을 지지하고, 외부 전원을 안착 가열판(210)에 제공한다. The
연장축(220)은 안착 가열판(210)을 지지하는 지지축(221)과, 지지축(221) 내축에서 연장되어 안착 가열판(210)의 전원 연결 배선(214)에 전기적으로 접속된 외부 전원 배선(222)을 구비한다. The
이때, 지지축(221)은 챔버(100)의 내부 공간 외축으로 연장된다. 여기서, 챔버(100)의 바닥면에는 지지축(221)이 관통하는 관통홈이 마련된다. 그리고, 상기 관통홀 둘레를 따라 챔버(100) 내부 공간을 밀봉하는 벨로우즈가 마련된다. At this time, the
지지축(221)의 일단은 안착 가열판(210)에 접속되고, 타단은 스테이지(400)에 접속된다. 이를 통해 지지축(221)은 스테이지(400)의 구동력을 안착 가열판(210)에 제공한다. 물론 본 실시예에서는 도시되지 않았지만, 상기 스테이지(400)에 접속되어 기판(10)의 로딩과 언로딩을 돕기 위한 적어도 하나의 리프트 핀을 더 구비할 수 있다. 이때, 상기 안착 가열판(210)에는 상기 리프트 핀이 관통 하는 적어도 하나의 관통홀이 형성되는 것이 바람직하다. One end of the
그리고, 지지축(221)의 내측에는 외부 전원 배선(222)이 연장된다. 이때, 도시되지 않았지만, 지지축(221)의 일단에는 상기 외부 전원 배선(222)과 안착 가열판(210)의 전원 연결 배선(214) 간을 전기적으로 연결하기 위한 별도의 수단(예를 들어 콘택부)를 구비할 수 있다. 이를 통해 지지축(221)의 콘택부와 안착 가열판(210)의 콘택부 간의 접속을 통해 외부 전원 배선(222)과 전원 연결 배선(214) 간이 전기적으로 접속될 수 있다. The external
또한, 상기 지지축(221)의 외부 전원 배선(222)은 스테이지(400)를 통해 별도의 전원 공급 장치(500)에 전기적으로 접속된다. 이를 통해 외부 전원 배선(222)은 외부 전원을 제공받고, 이를 안착 가열판(210)의 전원 연결 배선(214)에 외부 전원을 제공할 수 있게 된다. In addition, the
하기에서는 상술한 구성을 갖는 본 실시예의 기판 가열 장치의 제조 방법을 도면을 참조하여 설명한다. Hereinafter, the manufacturing method of the board | substrate heating apparatus of this embodiment which has the structure mentioned above is demonstrated with reference to drawings.
도 6 내지 도 10은 제 1 실시예에 따른 기판 가열 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 6 to 10 are diagrams for explaining the manufacturing method of the substrate heating apparatus according to the first embodiment.
도 6에 도시된 바와 같이, 연장축(220)과, 하측 커버판(211)을 결합한다. 이때, 연장축(220)의 외부 전원 배선(222)과 하측 커버판(211) 상의 전원 연결 배선(214)이 전기적으로 접속된다. 여기서, 연장축(220)은 지지축(221) 내측에 외부 전원 배선(222)을 삽입하여 제작한다. 이때, 앞서와 같이 지지축(221)의 상하측에는 외부 전원 배선(222)과 다른 배선들간의 전기적 접속을 용이하게 하기 위한 별 도의 콘택부(예를 들어 커넥터, 소켓, 플러그 또는 패드)가 마련될 수도 있다. As shown in FIG. 6, the
이때, 연장축(220)와 하측 커버판(211)의 결합을 결합 부재(예를 들어, 볼트 또는 너트)를 통해 결합하는 것이 효과적이다. 물론 이에 한정되지 않고, 용접을 통해 결합될 수도 있다. At this time, it is effective to couple the coupling of the
상기 전원 연결 배선(214)와 외부 전원 배선(222)은 별도의 콘택부를 이용하여 연결될 수도 있고, 도전성 페이스트와 같이 전도성을 갖는 접착제를 통해 연결될 수도 있다. 물론 용접을 통해 서로 연결될 수도 있다. The
본 실시예의 제조 방법에서는 연장축(220)와 하측 커버판(211)이 결합된 상태에서 공정이 진행됨을 중심으로 설명한다. 이는 하측 커버판(211) 상에 증착 공정을 통해 얇은 두께(즉, 박막 형태)의 발열체막(213)이 형성되고, 그 상부에 진공 증착을 통해 보호막(216)이 형성되기 때문이다. 따라서, 이러한 발열체막(213)과 보호막(216)이 기판 가열 장치(200)의 제조 공정 중에 손상되는 것을 최소화 할 수 있다. 물론 본 발명은 이에 한정되지 않고, 하측 커버판(211)을 이용하여 안착 가열판(210)을 제작한 다음 상기 연장축(220)과 안착 가열판(210)을 결합시켜 가열 장치를 제작할 수도 있다. In the manufacturing method of the present embodiment will be described focusing on the process proceeds in a state in which the
이어서, 도 7에 도시된 바와 같이 하측 커버판(211) 상측에 베이스 플레이트(212)를 위치시킨다. 하측 커버판(211)의 상측면에는 오목홈이 형성되고, 이 오목홈 영역에 베이스 플레이트(212)가 위치하는 것이 효과적이다. 그리고, 하측 커버판(211)의 상측면에 위치한 전원 연결 배선(214)의 끝단 일부가 상기 베이스 플레이트(212)의 측면에 위치하도록 배치한다. 여기서, 별도의 결합 부재(예를 들어 볼트, 나사 또는 후크)를 이용하여 하측 커버판(211)에 베이스 플레이트(212)를 고정시킬 수 있다. Subsequently, as shown in FIG. 7, the
또한, 베이스 플레이트(212)의 측면 일부가 중심 영역으로 오목하게 들어가 하측 커버판(211) 사이에 배선 수납 공간이 형성될 수도 있다. 따라서, 배선 수납 공간에 전원 연결 배선(214)이 위치할 수도 있다. 물론 하측 커버판(211)에 이러한 배선 수납 공간 형성을 위한 홈이 마련될 수도 있다. In addition, a wiring accommodating space may be formed between the
이어서, 도 8에 도시된 바와 같이 제 1 진공 증착 장치를 이용하여 베이스 플레이트(212) 상측면에 발열체막(213)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 8, the
제 1 진공 증착 장치는 도 8에 도시된 바와 같이 진공 증착 챔버(1000)와, 상기 하측 커버판(211)에 베이스 플레이트(212)가 결합된 몸체를 지지하는 지지부(1100)와, 진공 증착 챔버(1000)의 내부 공간에 발열체막(213) 증착을 위한 원료를 제공하는 원료 공급부(1200)와, 상기 베이스 플레이트(212) 상측에 위치하여 베이스 플레이트(212)의 일부 영역을 노출시키는 마스크(1300)를 구비한다. 물론 도시되지 않았지만, 진공 증착 챔버(1000) 내부를 가열하는 가열 장치와, 미반응 부산물을 배기하는 배기 장치 그리고, 내부 압력을 조절하는 압력 조절 장치들을 구비할 수도 있다. As shown in FIG. 8, the first vacuum deposition apparatus includes a
도 8에서는 화학 기상 증착을 수행하는 진공 증착 장치를 중심으로 설명하였다. 하지만, 진공 증착 장치는 이에 한정되지않고, 물리 기상 증착을 수행하는 장치가 사용될 수 있다. 예를 들어 스퍼터 장치를 사용하는 경우 상기 원료 공급부(1200) 대신 스퍼터용 타겟이 진공 증착 챔버(1000)의 내측에 위치할 수 있다. 그리고, 플라즈마 또는 양 이온을 발생시켜 타겟을 때리는 활성화 장치를 더 구비할 수도 있다. In FIG. 8, a description will be given of a vacuum deposition apparatus that performs chemical vapor deposition. However, the vacuum deposition apparatus is not limited thereto, and an apparatus for performing physical vapor deposition may be used. For example, when using a sputtering apparatus, a target for sputtering may be located inside the
또한, 제 1 진공 증착 장치로 이외에 다양한 진공 증착을 수행하는 장치를 사용할 수 있다. 예를 들어 플라즈마를 이용한 화학 기상 증착 장치 및 원자층 증착 장치등을 사용할 수도 있다. 이와 같이 다양한 진공 증착 장치를 통해 베이스 플레이트(212) 상측에 발열체막(213)을 증착한다. In addition, a device for performing various vacuum depositions may be used in addition to the first vacuum deposition apparatus. For example, a chemical vapor deposition apparatus and an atomic layer deposition apparatus using plasma may be used. As described above, the
이때, 앞서 언급한 마스크(1300)를 통해 베이스 플레이트(212) 상에 원하는 패턴의 발열체막(213)을 제작할 수 있다. 예를 들어 도 8에서와 같이 베이스 플레이트(212)를 제외한 영역을 마스크(1300)로 차폐하여 원료 물질이 이러한 영역에 침투하는 것을 방지한다. 이로인해 마스크(1300)는 마스크(1300)에 의해 차폐되지 않는 영역에만 선택적으로 발열체막(213)을 형성한다. In this case, the
이어서, 도 9에 도시된 바와 같이 베이스 플레이트(212) 상측에 형성된 발열체막(213)과 베이스 플레이트(212) 측면으로 돌출된 전원 연결 배선(214)을 연결 커넥터(215)를 통해 전기적으로 연결한다. Subsequently, as shown in FIG. 9, the
이어서, 도 10에 도시된 바와 같이 제 2 진공 증착 장치를 이용하여 발열체막(213)과 연결 커넥터(215)를 포함하는 하측 커버판(211) 및 베이스 플레이트(212)의 상측 영역에 보호막(216)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 10, the
여기서, 제 2 진공 증착 장치는 도 10에 도시된 바와 같이 진공 증착 챔버(2000)와, 상기 하측 커버판(211)에 베이스 플레이트(212)가 결합된 몸체를 지지하는 지지부(2100)와, 진공 증착 챔버(2000)에 원료를 공급하는 원료 공급부(2200) 를 구비한다. 여기서, 제 2 진공 증착 장치로 제 1 진공 증착 장치를 사용하는 것이 가능하다. Here, as shown in FIG. 10, the second vacuum deposition apparatus includes a
여기서, 제 2 진공 증착 장치를 통해 베이스 플레이트(212)와 하측 커버판(211) 상측에 보호막(216)을 증착한다. 이때, 베이스 플레이트(212) 상측에 형성되는 보호막(216)의 두께를 두껍게 증착하여 그 평탄도를 향상시키는 것이 효과적이다. 물론 이에 한정되지 않고, 별도의 평탄화 공정을 통해 보호막(216)의 표면을 평탄화할 수 있다. 이때, 평탄화 공정으로 기계적 연마 또는 식각을 수행할 수 있다. Here, the
또한, 본 실시예의 기판 가열 장치(200)는 그 제조 방법에 따라 다양한 구성이 가능하다. 하기에서는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 가열 장치에 관해 설명한다. 후술되는 설명중 상술한 실시예와 중복되는 설명은 생략한다. 그리고, 후술되는 설명의 기술은 제 1 실시예에 적용될 수 있다. In addition, the board |
도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 가열 장치의 단면도이다. 도 12 내지 도 14는 제 2 실시예의 변형예에 따른 기판 가열 장치의 단면도이다. 11 is a sectional view of a substrate heating apparatus according to a second embodiment of the present invention. 12 to 14 are cross-sectional views of the substrate heating apparatus according to the modification of the second embodiment.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 가열 장치(200)는 안착 가열판(210)와 연장축(220)을 구비한다. Referring to FIG. 11, the
안착 가열판(210)은 하측 커버판(211)과, 베이스 플레이트(212), 발열체막(213), 전원 연결 배선(214) 그리고, 보호막(216)을 구비한다. The
이때, 베이스 플레이트(212)의 측면에 전원 연결 배선(214)가 밀착된다. 그리고, 발열체막(213)은 베이스 플레이트(212)의 상측면과 전원 연결 배선(214) 상 에 증착된다. 이를 통해 별도의 연결 부재를 사용하지 않고도 발열체막(213)과 전원 연결 배선(214)를 전기적을 연결할 수 있다. 여기서, 베이스 플레이트(212)의 측면에 전원 연결 배선(214)을 밀착시키기 위해 별도의 도전성 접착제를 사용할 수도 있다. 또한, 본 실시예에서 발열체막(213) 증착을 위해 스텝 커버리지 특성이 우수한 단원자층 증착 기술이 사용될 수 있다. 이를 통해 베이스 플레이트(212)의 측면과 전원 연결 배선(214) 사이 공간에도 발열체막(213)이 형성되어 이들 간의 전기적 접촉 특성을 향상시킬 수 있다. At this time, the
또한, 상기와 같이 발열체막(213) 증착 공정시 발열체막(213)과 전원 연결 배선(214)을 전기적을 연결함으로 인해 공정 수를 감소시킬 수 있고, 발열체막(213)이 외부로 노출됨으로 인한 막질 저하를 방지할 수 있다. 즉, 본 실시예에서는 발열체막(213)을 커버하는 보호막(216) 또한, 진공 증착에 의해 형성된다. 따라서, 진공 분위기를 파기하지 않은 상태에서 보호막(216)을 발열체막(213) 상에 형성할 수 있다. 예를 들어 다수의 진공 증착 장치와 이들 간을 연결하는 연결 장치를 이용하여 일 장치에서 발열체막(213)을 형상하고, 다른 장치에서 보호막(216)을 형성하는 것이 가능하다. In addition, the number of processes can be reduced by electrically connecting the
또한, 앞선 실시예에서는 안착 가열판(210)의 하측 커버판(211)에 연장축(220)을 결합한 몸체를 진공 증착 장치 내부로 로딩 및 언로딩하였다. 하지만, 본 실시예에서는 먼저 상술한 구조의 안착 가열판(210)을 제작한 다음 별도의 조립 공정을 통해 안착 가열판(210)과 연장축(220)을 결합시킬 수 있다. In addition, in the above embodiment, the body coupled with the
본 실시예는 이에 한정되지 않고, 다양한 변형예가 가능하다. The present embodiment is not limited to this, and various modifications are possible.
즉, 도 12의 변형예에서와 같이 베이스 플레이트(212)의 상측 영역에는 배선 수납 홈이 마련되고, 이 배선 수납홈에 전원 연결 배선(214)의 일부가 수납될 수 있다. 그리고, 이 수납 홈 영역 상측에 발열체막(213)을 형성하여 발열체막(213)과 전원 연결 배선(214) 간을 전기적으로 연결할 수도 있다. That is, as in the modification of FIG. 12, a wiring accommodating groove may be provided in an upper region of the
따라서, 전원 연결 배선(214)은 베이스 플레이트(212)의 상측면으로 연장 절곡된 제 1 연장 절곡부와, 베이스 플레이트(212)의 측면으로 연장된 제 2 연장 절곡부와, 베이스 플레이트(212)와 하측 커버판(211) 사이 영역으로 연장된 제 3 연장 절곡부와, 하측 커버판(211)의 하측면으로 연장된 제 4 연장 절곡부를 구비한다. Accordingly, the
상기와 같이 전원 연결 배선(214)의 일부가 베이스 플레이트(212) 상측면으로 연장됨으로 인해 발열체막(213)과의 전기적 접촉력이 증가할 수 있게 된다. As described above, since a part of the
또한, 도 13의 변형예에서와 같이 전원 연결 배선(214)의 상측으로 연장되고, 이 전원 연결 배선(214)과 발열체막(213)을 연결하는 도전성 연결부(217)를 포함할 수 있다. 그리고, 이 도전성 연결부의 하측 영역의 노출을 방지하는 절연 커버(218)을 구비한다. 이때, 도전성 연결부(217)는 베이스 플레이트(212)의 상측면에서 외측 방향으로 연장된다. 즉, 절연 커버(218) 상측으로 연장된다. 절연 커버(218)는 베이스 플레이트(212)의 측면에 위치하고 하측 커버판(211)의 가장자리 영역에 위치한다. 도면에서와 같에 절연 커버(218)에는 홈이 마련되고, 이 홈 내측에 도전성 연결부(217)의 일부가 고정된다. 절연 커버(218)는 도전성 연결부(217)의 하측 영역이 노출되는 것을 방지할 수 있다. In addition, as in the modified example of FIG. 13, the
또한, 도 14의 변형예에서와 같이 발열체막(213-1, 213-2)과 보호막(216-1, 216-2)을 다층으로 형성할 수 있다. 즉, 베이스 플레이트(212) 상에 제 1 발열체막(213-1)을 증착하고, 그 상부에 제 1 보호막(216-1)을 증착한다. 이후에 제 1 보호막(216-1) 상에 제 2 발열체막(213-2)을 증착하고, 제 2 발열체막(213-2)이 형성된 제 1 보호막(216-1) 상에 제 2 보호막(216-1)을 형성하여 다층의 발열체막과 보호막을 갖는 기판 가열 장치를 제작할 수 있다. 이때, 제 1 및 제 2 발열체막(213-1, 213-2)과 전원 연결 배선(214) 간의 연결은 앞서 언급한 바와같이 별도의 연결 커넥터와 같은 연결 부재를 통해 연결되거나, 발열체막의 증착에 의해 자동으로 연결될 수도 있다. 물론 필요에 따라 식각 공정을 수행한 이후에 연결 부재를 사용하여 전기적으로 연결시킬 수도 있다. In addition, as in the modification of FIG. 14, the heating element films 213-1 and 213-2 and the protective films 216-1 and 216-2 may be formed in multiple layers. That is, the first heating element film 213-1 is deposited on the
본 발명은 상기에서 서술된 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be implemented in various forms. That is, the above embodiments are provided to make the disclosure of the present invention complete and to fully inform those skilled in the art the scope of the present invention, and the scope of the present invention should be understood by the claims of the present application. .
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 가열 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 단면도. 1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus including a substrate heating apparatus according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 제 1 실시예에 따른 기판 가열 장치의 평면 개념도. 2 is a plan conceptual view of the substrate heating apparatus according to the first embodiment;
도 3 내지 도 5는 제 1 실시예의 변형예에 따른 기판 가열 장치의 평면 개념도. 3 to 5 are plan view conceptual views of a substrate heating apparatus according to a modification of the first embodiment.
도 6 내지 도 10은 제 1 실시예에 따른 기판 가열 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면. 6 to 10 are views for explaining the method for manufacturing the substrate heating apparatus according to the first embodiment.
도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 가열 장치의 단면도. 11 is a cross-sectional view of a substrate heating apparatus according to a second embodiment of the present invention.
도 12 내지 도 14는 제 2 실시예의 변형예에 따른 기판 가열 장치의 단면도. 12 to 14 are sectional views of a substrate heating apparatus according to a modification of the second embodiment.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100, 1000, 2000 : 챔버 200 : 기판 가열 장치100, 1000, 2000: chamber 200: substrate heating apparatus
210 : 안착 가열판 211 : 하측 커버판210: seating heating plate 211: lower cover plate
212 : 베이스 플레이트 213 : 발열체막212: base plate 213: heating element film
214 : 전원 연결 배선 215 : 연결 커넥터214: power connection wiring 215: connection connector
216 : 보호막 300 : 원료 공급부216: protective film 300: raw material supply unit
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