KR101116619B1 - Substrate carrier unit of chemical mechanical polishing appartus - Google Patents

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KR101116619B1 KR1020100045819A KR20100045819A KR101116619B1 KR 101116619 B1 KR101116619 B1 KR 101116619B1 KR 1020100045819 A KR1020100045819 A KR 1020100045819A KR 20100045819 A KR20100045819 A KR 20100045819A KR 101116619 B1 KR101116619 B1 KR 101116619B1
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Abstract

본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛에 관한 것으로, 플래튼 패드를 회전시키는 연마 정반과, 상기 플래튼 패드 상에 슬러리를 공급하는 슬리러 공급유닛과, 기판의 표면이 상기 플래튼 패드에 접촉하도록 상기 기판을 리테이너링에 둘러싸이도록 파지하여 상기 기판을 회전시키는 캐리어 유닛을 구비한 화학 기계적 연마장치에 있어서, 상기 리테이너링에는 상기 플래튼 패드 상의 슬러리가 상기 기판으로 유입되도록 원주 방향을 따라 상호 간격을 두고 다수의 슬러리 유입홈이 형성되되, 상기 슬러리 유입홈의 일측면이 타측면보다 더 길이가 길게 형성되어, 베르누이 원리에 의하여 일측면을 따르는 유동이 타측면을 따르는 유동에 비하여 보다 빠른 속도로 이동하므로, 압력 차이가 발생되어 슬러리 유입홈의 바깥으로부터 기판 캐리어 유닛의 중앙부 내부를 향하는 방향으로 흡입력이 작용하여, 기판 캐리어 유닛 주변의 슬러리를 보다 효과적으로 기판이 위치한 곳까지 유입할 수 있도록 하는 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛을 제공한다. The present invention relates to a substrate carrier unit of a chemical mechanical polishing apparatus, comprising: a polishing plate for rotating a platen pad, a slurry supply unit for supplying a slurry on the platen pad, and a surface of the substrate to the platen pad. A chemical mechanical polishing apparatus having a carrier unit which rotates the substrate by gripping the substrate so as to be surrounded by the retaining ring so as to contact the retaining ring, wherein the retaining ring is mutually circumferentially along the circumferential direction such that slurry on the platen pad is introduced into the substrate. A plurality of slurry inlet grooves are formed at intervals, and one side of the slurry inlet groove is formed longer than the other side, and according to Bernoulli principle, the flow along one side is faster than the flow along the other side. Pressure difference occurs and the substrate catches from the outside of the slurry inlet. The suction force acts in the direction toward the inner central portion of the control unit to effectively than the substrate carrier unit around the slurry provides a substrate carrier unit of the chemical mechanical polishing apparatus to the inlet to where the substrate is located.

Description

화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛 {SUBSTRATE CARRIER UNIT OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARTUS}Substrate carrier unit of chemical mechanical polishing device {SUBSTRATE CARRIER UNIT OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARTUS}

본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판의 표면을 연마하는 공정 중에 화학적 성분에 의해 연마시키도록 공급되는 슬러리가 상기 기판에 보다 충분하게 공급되어 적은 양의 슬러리를 공급하더라도 화학적 연마 작용이 원활히 이루어지도록 하는 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate carrier unit of a chemical mechanical polishing apparatus, and more particularly, a slurry supplied to be polished by a chemical component during a process of polishing a surface of a substrate is more sufficiently supplied to the substrate so that a small amount of The present invention relates to a substrate carrier unit of a chemical mechanical polishing apparatus that allows a chemical polishing action to be performed smoothly even when a slurry is supplied.

일반적으로 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정은 회전하는 연마 정반 상에 웨이퍼 등의 기판이 접촉한 상태로 회전 시키면서 기계적인 연마를 행하고, 동시에 회전하는 연마 정반 상에 슬러리를 공급하여 화학적인 연마도 동시에 행하여, 기판의 울퉁불퉁한 표면을 평탄하게 하는 공정이다. In general, the chemical mechanical polishing (CMP) process performs mechanical polishing while rotating a substrate in contact with a substrate such as a wafer on a rotating polishing plate, and simultaneously supplies a slurry on the rotating polishing plate to provide chemical Polishing is also performed at the same time, thereby making the uneven surface of the substrate flat.

도1은 일반적인 화학 기계적 연마 장치(1)를 도시한 도면이다. 도1에 도시된 바와 같이, 화학 기계적 연마 장치(1)는 표면에 플래튼 패드(10a)가 장착된 연마 정반(10)을 미리 정해진 방향(10r)으로 회전시킨 상태에서, 슬러리 공급 유닛(40)으로부터 슬러리(55)를 플래튼 패드(10a)상에 공급하고, 기판(w)을 파지하는 기판 캐리지 유닛(20)이 스핀들(30)에 의해 회전(20r)하며, 이와 동시에 스핀들(30)의 내부에 수용된 로터리 유니언(미도시)에 의해 기판(w)이 플래튼 패드(10a)를 향하는 방향(20v)으로 가압되도록 작동한다. 1 shows a general chemical mechanical polishing apparatus 1. As shown in Fig. 1, the chemical mechanical polishing apparatus 1 is a slurry supply unit 40 in a state in which a polishing plate 10 having a platen pad 10a mounted on a surface thereof is rotated in a predetermined direction 10r. The substrate carriage unit 20 for supplying the slurry 55 on the platen pad 10a and holding the substrate w rotates 20r by the spindle 30, and at the same time the spindle 30 The substrate w is pressed by a rotary union (not shown) accommodated in the inside of the substrate 20 in the direction 20v toward the platen pad 10a.

이 때, 도3에 도시된 바와 같이 기판 캐리지 유닛(20)은 플래튼 패드(10a)의 회전 방향과 동일한 방향으로 회전될 수도 있고 다른 방향으로 회전되기도 하며, 회전 방향을 번갈아가면서 변경할 수도 있다. 이와 동시에, 기판 캐리지 유닛(20)은 기판(w)의 표면이 플래튼 패드(10a)의 여러 부위에 골고루 접촉하도록 기판(w)을 회전(20r)시킬 뿐만 아니라, 일정한 거리를 반복하여 왕복 운동(20t)도 병행할 수 있다. In this case, as shown in FIG. 3, the substrate carriage unit 20 may be rotated in the same direction as the rotation direction of the platen pad 10a, may be rotated in another direction, or may be alternately rotated. At the same time, the substrate carriage unit 20 not only rotates the substrate w 20r so that the surface of the substrate w evenly contacts various portions of the platen pad 10a, but also repeatedly reciprocates a certain distance. 20t can also be used.

한편, 플래튼 패드(10a) 상에 공급된 액체 상태의 슬러리(55)는 플래튼 패드(10a)의 회전(10r)에 따라 호(弧, 55)를 그리며 이동하여, 기판 캐리지 유닛(20)에 고정된 기판(w)으로 공급되어, 기판(w)의 표면을 화학적으로 연마시키는 역할을 한다. On the other hand, the slurry 55 in the liquid state supplied on the platen pad 10a moves in an arc 55 in accordance with the rotation 10r of the platen pad 10a, and thus the substrate carriage unit 20 It is supplied to the substrate (w) fixed to the, serves to chemically polish the surface of the substrate (w).

이를 위하여, 기판 캐리지 유닛(20)은 도2에 도시된 바와 같이 기판(w)을 수용하는 중앙부 공간(23s)을 감싸는 리테이너 링(22)이 케리지 본체(21)에 결합되고, 도4에 도시된 바와 같이 리테이너 링(220)에는 플래튼 패드(10a) 상의 슬러리(55)가 유입되도록 원주 방향을 따라 돌기(22b) 사이에 위치한 홈(22a)이 형성된다. 그리고,기판(w)을 파지하기 위하여 부압이 작용하는 부압공(23a)이 중앙부 공간(23s)의 중앙부에 형성된다. To this end, the substrate carriage unit 20 has a retainer ring 22 coupled to the carriage body 21 which surrounds the central space 23s for accommodating the substrate w, as shown in FIG. As shown, the retainer ring 220 is formed with a groove 22a positioned between the protrusions 22b along the circumferential direction so that the slurry 55 on the platen pad 10a flows in. Subsequently, a negative pressure hole 23a in which negative pressure acts to hold the substrate w is formed in the central portion of the central space 23s.

이와 같이 구성된 화학 기계적 연마 장치(1)은 플래튼 패드(10a)과 기판 캐리지 유닛(20)이 도3에 도시된 바와 같이 회전하면, 플래튼 패드(10a) 상의 슬러리(55)는 호 형상(55s)의 경로를 타고 이동하여, 도면부호 2055로 표시된 슬러리 유입 영역에서 기판 캐리어 유닛(20)와 만나게 된다. 여기서, 슬러리(55)는 기판 캐리어 유닛(20)의 리테이너 링(20)에 형성된 다수의 홈(22a)을 통해 유입되고자 하지만, 도4에 도시된 바와 같이, 도면부호 55s 방향으로 이동하는 슬러리는 기판 캐리어 유닛(20)의 리테이너 링(22)의 홈(22a)에 도달하더라도, 기판 캐리어 유닛(20)이 회전하고 있으므로, 기판 캐리어 유닛(20)에 도달한 슬러리의 일부만 도면부호 55x로 표시된 방향을 따라 홈(22a)을 통과하여 기판(w)이 파지되는 중앙부 공간(23s)로 유입되고, 슬러리의 대부분은 홈(22a)에 유입되려다가 도면부호 55x'로 표시된 방향으로 되튕겨나가 기판(w)에 도달하지 못하는 문제가 발생된다.When the chemical mechanical polishing apparatus 1 configured as described above rotates the platen pad 10a and the substrate carriage unit 20 as shown in FIG. 3, the slurry 55 on the platen pad 10a has an arc shape ( Traveling along the path 55s), it encounters the substrate carrier unit 20 in the slurry inlet region, indicated by reference numeral 2055. Here, the slurry 55 is to be introduced through a plurality of grooves 22a formed in the retainer ring 20 of the substrate carrier unit 20, but as shown in FIG. 4, the slurry moving in the direction 55s is Even when the groove 22a of the retainer ring 22 of the substrate carrier unit 20 is reached, since the substrate carrier unit 20 is rotating, only a portion of the slurry that reaches the substrate carrier unit 20 is indicated by the reference numeral 55x. Along the groove 22a and into the central space 23s where the substrate w is held, and most of the slurry flows into the groove 22a and bounces back in the direction indicated by 55x '. The problem of not reaching w) occurs.

이에 따라, 기판(w)의 화학적 연마 공정은 슬러리(55)가 원활히 공급되지 못함에 따라 충분히 이루어지지 않는 문제가 발생되는 한계가 있었다.
Accordingly, the chemical polishing process of the substrate (w) has a limit in that a problem that the slurry 55 is not sufficiently supplied does not occur sufficiently.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여, 기판의 표면을 연마하는 공정 중에 화학적 성분에 의해 연마시키도록 공급되는 슬러리가 상기 기판에 보다 충분하게 공급되도록 하는 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛 및 그 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention provides a substrate carrier unit of a chemical mechanical polishing apparatus for supplying a sufficient amount of a slurry supplied to be polished by a chemical component during a process of polishing a surface of a substrate in order to solve the above conventional problems. And a method thereof.

이를 통해, 본 발명은 기계적 연마 작용 뿐만 아니라 화학적 연마 작용도 원활히 이루어지는 화학 기계적 연마 장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다. Accordingly, another object of the present invention is to provide a chemical mechanical polishing apparatus which performs not only mechanical polishing but also chemical polishing.

그리고, 본 발명은 기판 캐리어 유닛이 어느 일방으로만 회전하지 않고 양 방향으로 회전하더라도 플래튼 패드 상의 슬러리를 충분하게 기판에 공급할 수 있도록 하는 것을 다른 목적으로 한다. Another object of the present invention is to enable the slurry on the platen pad to be sufficiently supplied to the substrate even if the substrate carrier unit rotates in both directions instead of rotating in only one direction.

본 발명은 상기와 같은 과제을 달성하기 위하여, 플래튼 패드를 회전시키는 연마 정반과, 상기 플래튼 패드 상에 슬러리를 공급하는 슬리러 공급유닛과, 기판의 표면이 상기 플래튼 패드에 접촉하도록 상기 기판을 리테이너링에 둘러싸이도록 파지하여 상기 기판을 회전시키는 캐리어 유닛을 구비한 화학 기계적 연마장치에 있어서, 상기 리테이너링에는 상기 플래튼 패드 상의 슬러리가 상기 기판으로 유입되도록 원주 방향을 따라 상호 간격을 두고 다수의 슬러리 유입홈이 형성되되, 상기 슬러리 유입홈의 일측면이 타측면보다 더 길이가 긴 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛을 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a polishing plate for rotating a platen pad, a slurry supply unit for supplying a slurry on the platen pad, and a surface of the substrate in contact with the platen pad. A chemical mechanical polishing apparatus having a carrier unit which rotates the substrate by holding it so as to be surrounded by a retaining ring, wherein the retaining ring has a plurality of spaced intervals along the circumferential direction such that slurry on the platen pad flows into the substrate. Slurry inlet groove is formed, one side of the slurry inlet groove is longer than the other side provides a substrate carrier unit of the chemical mechanical polishing apparatus.

이는, 상기 슬러리 유입홈의 일측면이 타측면보다 더 길이가 길면, 베르누이 원리에 의하여 일측면을 따르는 유동이 타측면을 따르는 유동에 비하여 보다 빠른 속도로 이동하므로, 압력 차이가 발생되어 슬러리 유입홈의 바깥으로부터 기판 캐리어 유닛의 중앙부 내부를 향하는 방향으로 흡입력이 작용하여, 기판 캐리어 유닛 주변의 슬러리를 보다 효과적으로 기판이 위치한 곳까지 유입할 수 있도록 하기 위함이다. This means that if one side of the slurry inlet groove is longer than the other side, the flow along one side moves faster than the flow along the other side according to the Bernoulli principle, resulting in a pressure difference resulting in a slurry inlet groove. The suction force acts toward the inside of the central portion of the substrate carrier unit from the outside of the substrate carrier, so that the slurry around the substrate carrier unit can be introduced more effectively to the position where the substrate is located.

이 때, 상기 일측면은 보다 긴 길이를 갖기 위하여 곡면이고 상기 타측면은 보다 짧은 길이를 갖기 위하여 평탄면으로 형성될 수 있다. At this time, the one side may be curved to have a longer length and the other side may be formed as a flat surface to have a shorter length.

그리고, 상기 슬러리 유입홈의 곡면과 평탄면은 모두 동일한 방향으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 슬러리 유입홈은 원주 방향을 따라 돌출 형성된 돌출부의 사이 틈새로 형성되는 데, 상기 슬러리 유입홈을 이루는 상기 돌출부의 일측면은 곡면으로 형성되고 타측면은 평탄면으로 형성되어, 원주 ??향을 따라 돌출된 돌출부의 곡면/평탄면의 방향이 동일하게 형성될 수 있다. 이는, 기판 캐리어 유닛이 어느 한 방향으로 회전할 경우에 유용하다.In addition, both the curved surface and the flat surface of the slurry inlet groove may be formed in the same direction. That is, the slurry inlet groove is formed as a gap between the protrusions protruding along the circumferential direction, one side of the protrusion constituting the slurry inlet groove is formed in a curved surface and the other side is formed in a flat surface, circumferential ?? The curved / flat surfaces of the protrusions protruding along the direction may be formed in the same direction. This is useful when the substrate carrier unit rotates in either direction.

이와 달리, 상기 슬러리 유입홈의 곡면과 평탄면은 인접한 슬러리 유입홈과 서로 다른 방향으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 슬러리 유입홈은 원주 방향을 따라 돌출 형성된 돌출부의 사이 틈새로 형성되는 데, 상기 슬러리 유입홈을 이루는 상기 돌출부의 양측벽은 곡면으로 형성되고 상기 돌출부와 인접한 돌출부의 양측벽은 평탄면으로 형성되어, 원주 방향을 따라 돌출된 돌출부의 곡면/평탄면의 방향이 교대로 바뀌는 서로 다른 방향으로 형성될 수 있다. 이는, 기판 캐리어 유닛이 시계 방향으로 회전하다가 다시 반시계 방향으로 회전하는 경우에 유용하다. Alternatively, the curved surface and the flat surface of the slurry inlet groove may be formed in a different direction from the adjacent slurry inlet groove. That is, the slurry inlet groove is formed as a gap between the protrusions protruding along the circumferential direction, and both side walls of the protrusions forming the slurry inlet groove are formed in a curved surface, and both side walls of the protrusion adjacent to the protrusion are flat surfaces. And the curved / flat surfaces of the protrusions projecting along the circumferential direction may be formed in different directions alternately changing. This is useful when the substrate carrier unit rotates clockwise and then counterclockwise again.

이 때, 상기 슬러리가 외부로부터 유입되는 입구는 상기 슬러리 유입홈의 중간부보다 더 넓게 형성되어, 넓은 입구를 통해 보다 많은 슬러리가 기판으로 유입되기 시작하도록 한다. At this time, the inlet through which the slurry is introduced from the outside is formed wider than the middle portion of the slurry inlet groove, so that more slurry begins to flow into the substrate through the wide inlet.

그리고, 상기 기판 캐리어 유닛은 상기 플래튼 패드에 대하여 회전 운동만 하는 것이 아니라 왕복 직선 운동(oscillation movement)을 병행하여, 기판 캐리어 유닛에 의해 파지되어 있는 유입되는 양을 보다 많이 늘일 수 있다. In addition, the substrate carrier unit may not only perform a rotational movement with respect to the platen pad but also perform a reciprocating linear movement (oscillation movement) in parallel, thereby increasing the amount of inflow held by the substrate carrier unit more.

한편, 본 발명은 전술한 기판 캐리어 유닛을 구비한 화학 기계적 연마 장치를 제공한다. On the other hand, the present invention provides a chemical mechanical polishing apparatus provided with the substrate carrier unit described above.

그리고, 발명의 다른 분야에 따르면, 본 발명은, 화학 기계적 연마 장치에서 플래튼 패드에 대하여 상대 회전하는 캐리어 유닛에 파지된 웨이퍼에 플래튼 패드에 공급되는 슬러리를 유입시키는 방법으로서, 상기 플래튼 패드를 일방으로 회전시키는 단계와; 상기 플래튼 패드에 슬러리를 공급하는 단계와; 상기 웨이퍼를 파지하면서 둘러싸고 원주 방향을 따라 상기 웨이퍼를 향하여 상기 슬러리가 유입되는 통로가 마련되되, 상기 통로의 일측면은 타측면보다 더 긴 길이로 형성된 리테이러 링을 구비한 캐리어 유닛을 회전시키는 제3단계를; 포함하여 구성된 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛의 슬러리 유입 방법을 제공한다. According to another aspect of the present invention, the present invention provides a method for introducing a slurry supplied to a platen pad to a wafer held by a carrier unit that rotates relative to the platen pad in a chemical mechanical polishing apparatus. Rotating in one direction; Supplying a slurry to the platen pad; A passage for enclosing and holding the wafer and inflowing the slurry toward the wafer along the circumferential direction, wherein one side of the passage rotates a carrier unit having a retainer ring having a length longer than the other side; Step 3; It provides a slurry inflow method of the substrate carrier unit of the chemical mechanical polishing apparatus configured to include.

이 때, 상기 일측면은 곡면이고 상기 타측면은 평탄면으로 형성될 수 있다.
At this time, the one side is a curved surface and the other side may be formed as a flat surface.

이상에서 기재된 바와 같이, 본 발명은, 플래튼 패드를 회전시키는 연마 정반과, 상기 플래튼 패드 상에 슬러리를 공급하는 슬리러 공급유닛과, 기판의 표면이 상기 플래튼 패드에 접촉하도록 상기 기판을 리테이너링에 둘러싸이도록 파지하여 상기 기판을 회전시키는 캐리어 유닛을 구비한 화학 기계적 연마장치에 있어서, 상기 리테이너링에는 상기 플래튼 패드 상의 슬러리가 상기 기판으로 유입되도록 원주 방향을 따라 상호 간격을 두고 다수의 슬러리 유입홈이 형성되되, 상기 슬러리 유입홈의 일측면이 타측면보다 더 길이가 길게 형성되어, 베르누이 원리에 의하여 일측면을 따르는 유동이 타측면을 따르는 유동에 비하여 보다 빠른 속도로 이동하므로, 압력 차이가 발생되어 슬러리 유입홈의 바깥으로부터 기판 캐리어 유닛의 중앙부 내부를 향하는 방향으로 흡입력이 작용하여, 기판 캐리어 유닛 주변의 슬러리를 보다 효과적으로 기판이 위치한 곳까지 유입할 수 있도록 하는 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛 및 이를 구비한 화학 기계적 연마 장치를 제공한다. As described above, the present invention provides a polishing plate for rotating a platen pad, a slurer supply unit for supplying a slurry on the platen pad, and a surface of the substrate in contact with the platen pad. In a chemical mechanical polishing apparatus having a carrier unit for holding a retaining ring to rotate the substrate, the retaining ring includes a plurality of spacers spaced apart from each other along the circumferential direction such that slurry on the platen pad is introduced into the substrate. Slurry inlet groove is formed, one side of the slurry inlet groove is formed longer than the other side, by the Bernoulli principle, the flow along one side moves faster than the flow along the other side, the pressure Differences occur from the outside of the slurry inlet to the inside of the center of the substrate carrier unit Provides a substrate carrier unit and a chemical mechanical polishing apparatus having the same chemical mechanical polishing apparatus by a suction force acting in a direction, to be introduced to more effectively place the substrate in a slurry of the substrate around the carrier unit.

또한, 본 발명은, 슬러리 유입홈을 이루는 상기 돌출부의 양측벽은 곡면으로 형성되고 상기 돌출부와 인접한 돌출부의 양측벽은 평탄면으로 형성되어, 원주 방향을 따라 돌출된 돌출부의 곡면/평탄면의 방향이 교대로 바뀌는 서로 다른 방향으로 형성됨에 따라, 기판 캐리어 유닛이 시계 방향으로 회전하다가 다시 반시계 방향으로 방향 전환되면서 캐리어 유닛이 회전하는 경우에도, 플래튼 패드 상의 슬러리를 파지된 기판으로 충분한 양 만큼 유입시킬 수 있는 장점이 얻어진다.In addition, in the present invention, both side walls of the protrusion constituting the slurry inlet groove is formed in a curved surface and both side walls of the protrusion adjacent to the protrusion is formed in a flat surface, the direction of the curved surface / flat surface of the protrusion projecting along the circumferential direction As these alternately formed in different directions, even when the carrier unit is rotated while the substrate carrier unit is rotated clockwise and then counterclockwise, the slurry on the platen pad is sufficiently transferred to the held substrate. The advantage to be introduced is obtained.

이를 통해, 본 발명은 슬러리의 사용량을 줄이면서도 기판의 표면이 화학적 연마 작용에 의해 얻고자하는 연마 효과를 얻게 되어, 기계적 연마 작용 뿐만 아니라 화학적 연마 작용도 원활히 이루어지는 화학 기계적 연마 장치를 제공할 수 있게 된다.
Through this, the present invention, while reducing the amount of slurry used, the surface of the substrate to obtain the polishing effect to be obtained by the chemical polishing action, it is possible to provide a chemical mechanical polishing device that not only mechanical polishing but also chemical polishing action smoothly do.

도1은 일반적인 화학 기계적 연마장치의 개략 사시도
도2는 도1의 기판 캐리어 유닛의 저면 사시도
도3은 도1의 연마 정반 및 기판 캐리어 유닛의 상대 운동 형태를 도시한 도면
도4는 도2의 'A'부분의 확대 사시도
도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛의 저면 사시도
도6은 도5의 리테이너 링의 사시도
도7은 도6의 'B'부분의 확대 사시도
도8은 도6의 'C'부분의 확대 사시도
도9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛의 저면 사시도
1 is a schematic perspective view of a general chemical mechanical polishing apparatus
Figure 2 is a bottom perspective view of the substrate carrier unit of Figure 1
FIG. 3 shows the relative motion patterns of the polishing platen and the substrate carrier unit of FIG.
4 is an enlarged perspective view of portion 'A' of FIG.
5 is a bottom perspective view of the substrate carrier unit of the chemical mechanical polishing apparatus according to the embodiment of the present invention.
Figure 6 is a perspective view of the retainer ring of Figure 5
7 is an enlarged perspective view of a portion 'B' of FIG.
FIG. 8 is an enlarged perspective view of portion 'C' of FIG. 6
9 is a bottom perspective view of a substrate carrier unit of a chemical mechanical polishing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛(100)을 상세히 설명한다. Hereinafter, a substrate carrier unit 100 of a chemical mechanical polishing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid obscuring the subject matter of the present invention.

도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛의 저면 사시도, 도6은 도5의 리테이너 링의 사시도, 도7은 도6의 'B'부분의 확대 사시도, 도8은 도6의 'C'부분의 확대 사시도이다.5 is a bottom perspective view of a substrate carrier unit of a chemical mechanical polishing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a perspective view of the retainer ring of FIG. 5, FIG. 7 is an enlarged perspective view of part 'B' of FIG. Is an enlarged perspective view of a portion 'C' of FIG.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치는 플래튼 패드(10a)를 회전시키는 연마 정반(10)과, 기판(w)의 표면이 플래튼 패드(10a)에 접촉하도록 기판(w)을 리테이너링(120)에 둘러싸이도록 파지하는 기판 캐리어 유닛(20)과, 기판 캐리어 유닛(20)을 회전시키는 스핀들(30)과, 스핀들(30)의 내부에 수용되어 기판 캐리어 유닛(20)을 플래튼 패드(10a를 향하여 가압하는 로터리 유니온(미도시)과, 플래튼 패드(10a) 상에 슬러리(55)를 흥건하게 공급하는 슬리러 공급유닛(40)과, 플래튼 패드(10a)에 공급된 슬러리(55)를 플래튼 패드(10a) 상에 골고루 분포되도록 하는 컨디셔너(미도시)로 구성된다. 즉, 기판 캐리어 유닛(100)은 로터리 유니온에 의하여 기판(w)이 플래튼 패드(10a)를 향하는 방향으로 기판(w)을 가압하고, 동시에 스핀들(30)에 의하여 기판(w)이 플래튼 패드(10a)에 접촉한 상태로 기판(w)을 회전시킨다. As shown in the figure, in the chemical mechanical polishing apparatus according to an embodiment of the present invention, the surface plate 10 for rotating the platen pad 10a, and the surface of the substrate w on the platen pad 10a A substrate carrier unit 20 for holding the substrate w so as to be surrounded by the retainer ring 120, a spindle 30 for rotating the substrate carrier unit 20, and a substrate housed in the spindle 30. A rotary union (not shown) for pressing the carrier unit 20 toward the platen pad 10a, a slurer supply unit 40 for supplying the slurry 55 on the platen pad 10a, and a platen And a conditioner (not shown) to distribute the slurry 55 supplied to the pad 10a evenly on the platen pad 10a. That is, the substrate carrier unit 100 is formed of a substrate w by a rotary union. Presses the substrate w in the direction toward the platen pad 10a, and simultaneously In contact pads on a substrate (10a) button (w) the flag to rotate the substrate (w).

상기 기판 캐리어 유닛(100)은 도5에 도시된 바와 같이 스핀들(30)에 고정되는 캐리어 본체(110)와, 플래튼 패드(10a)와 접촉하도록 캐리어 본체(110)의 둘레를 감싸는 리테이너 링(120)과, 리테이너 링(120)에 의해 둘러싸이고 흡입력이 작용하는 흡입구(131)가 형성된 기판 수용부(130)로 구성된다. 도5의 도면부호 130으로 표시된 기판 수용부의 일면은 로터리 유니온에 의해 팽창과 수축이 가능하여, 이 팽창에 의하여 기판(w)이 플래튼 패드(10a)에 가압되는 작용이 구현된다. As shown in FIG. 5, the substrate carrier unit 100 includes a carrier body 110 fixed to the spindle 30 and a retainer ring surrounding the carrier body 110 to contact the platen pad 10a. 120 and a substrate accommodating part 130 formed by a retainer ring 120 and having a suction port 131 on which suction force is applied. One surface of the substrate receiving portion 130, which is indicated by reference numeral 130 of FIG. 5, can be expanded and contracted by a rotary union, and thus, the substrate w is pressed against the platen pad 10a by the expansion.

여기서, 리테이너 링(120)은 도5 및 도6에 도시된 바와 같이 기판 캐리어 유닛(100)의 원주 방향을 따라 다수의 돌출부(121, 122)가 형성되어, 기판(w)이 플래튼 패드(10)에 접촉한 상태에서는 돌출부(121, 122)사이의 틈새에 의해 기판 캐리어 유닛(100)의 외부와 내부(130)를 연통시켜 슬러리를 기판(w)으로 유입시키는 슬러리 유입홈(123, 124)이 형성된다. Here, as shown in FIGS. 5 and 6, the retainer ring 120 has a plurality of protrusions 121 and 122 formed along the circumferential direction of the substrate carrier unit 100, so that the substrate w is a platen pad ( 10, the slurry inlet grooves 123 and 124 which communicate the outside and the inside 130 of the substrate carrier unit 100 by the gap between the protrusions 121 and 122 so as to introduce the slurry into the substrate w. ) Is formed.

이 때, 리테이너 링(120)의 돌출부(121, 122)에 의해 형성되는 슬러리 유입홈(123, 124)은 각각 일측면이 곡면으로 형성되고 타측면이 평탄면으로 형성되며, 서로 인접하는 슬러리 유입홈에 대하여 곡면과 평탄면으로 이루어지는 벽면의 방향이 교대로 바뀐 상태로 배열된다. 즉, 도면부호 123으로 표시된 제1슬러리 유입홈은 도6을 기준으로 좌측벽이 곡면으로 형성되고 우측벽이 평탄면으로 형성되지만, 제1슬러리 유입홈(123)과 인접한 제2슬러리 유입홈(124)은 도6을 기준으로 좌측벽이 평탄면으로 형성되고 우측벽이 곡면으로 형성된다. 이와 같이, 제1슬러리 유입홈(123)과 제2슬러리 유입홈(124)은 원주 방향을 따라 번갈아가며 교대로 위치하도록 배열된다.At this time, the slurry inlet grooves 123 and 124 formed by the protrusions 121 and 122 of the retainer ring 120 are formed with curved surfaces on one side and flat surfaces on the other side, respectively, and inflow of adjacent slurry from each other. The direction of the wall surface consisting of a curved surface and a flat surface is alternately arranged with respect to the groove. That is, although the first slurry inlet groove, indicated by reference numeral 123, is formed with a curved surface on the left side wall and a right side wall with respect to FIG. 6, the second slurry inflow groove adjacent to the first slurry inflow groove 123 ( Referring to FIG. 6, the left wall is formed with a flat surface and the right wall is formed with a curved surface with reference to FIG. 6. As such, the first slurry inlet groove 123 and the second slurry inlet groove 124 are arranged to be alternately positioned alternately along the circumferential direction.

이와 같이 슬러리 유입홈(123, 124)의 곡면과 평탄면의 방향이 교대로 번갈아가면서 바뀌도록 배열됨에 따라, 후술하는 바와 같이 기판 캐리어 유닛(100)이 시계 방향과 반시계 방향으로 번갈아가며 회전하더라도 주변의 슬러리가 기판(w)으로 충분한 양만큼 유입될 수 있게 된다. As such, the direction of the curved surfaces and the flat surfaces of the slurry inlet grooves 123 and 124 are alternately alternately arranged, so that the substrate carrier unit 100 rotates alternately clockwise and counterclockwise as will be described later. Surrounding slurry can be introduced into the substrate (w) by a sufficient amount.

이를 상세히 살펴보면, 기판 캐리어 유닛(100)이 시계 방향(120r)으로 회전하는 경우에는 도7에 도시된 바와 같이 제1슬러리 유입홈(123)에 의하여 플래튼 패드(10a)상의 외부에 위치한 슬러리(55)가 내부(130)로 유입된다. 먼저, 슬러리(55)가 호(弧) 형태의 이동 경로(55y)를 따라 기판 캐리어 유닛(100)의 슬러리 유입 영역(2055)에 이르면, 일측면(121S)이 곡면으로 형성됨에 따라 종래에 비해 넓어진 폭(B)의 입구를 갖고 형성됨에슬러리(55)의 접근 경로(55y)에 대하여 수용하는 각이 보다 넓은 제1슬러리 유입홈(123)으로 종래보다 많은 양의 슬러리(55)가 유입된다. 따라서, 제1슬러리 유입홈(123)의 주변에 이르러 도면부호 55y'로 표시된 경로로 되튕겨나가는 슬러리(55)의 양을 최소화할 수 있게 된다.Looking at this in detail, when the substrate carrier unit 100 is rotated in the clockwise direction (120r) as shown in Figure 7, the slurry located on the outside on the platen pad (10a) by the first slurry inlet groove 123 ( 55 is introduced into the interior (130). First, when the slurry 55 reaches the slurry inflow region 2055 of the substrate carrier unit 100 along the arc-shaped movement path 55y, one side 121S is formed into a curved surface, compared with the conventional art. The slurry 55 is formed with an inlet of a wider width B, so that a larger amount of slurry 55 flows into the first slurry inlet groove 123 having a larger angle to accommodate the access path 55y of the slurry 55. . Accordingly, the amount of the slurry 55 that reaches the periphery of the first slurry inflow groove 123 and bounces back along the path indicated by the reference numeral 55y 'may be minimized.

또한, 제1슬러리 유입홈(123)의 일측면(121S)은 곡면으로 형성되고 타측면(122S)은 평탄면으로 형성됨에 따라, 동시에 제1슬러리 유입홈(123)의 입구의 폭(B)에 비하여 중심측의 폭(B')이 더 작게 형성됨에 따라, 베르누이 원리에 의하여 일측면(121S)을 따라 이동하는 슬러리(55)의 유동 속도(121v)가 타측면(122S)을 따라 이동하는 슬러리의 유동 속도(122v)에 비하여 더 빠르게 되고, 이에 의해 곡면으로 형성된 일측면(121S)의 근방은 주변에 비하여 압력이 낮아져, 주변의 슬러리(55)가 일측면(121S)을 향하여 빨려 이동시키는 부압(P)이 작용한다. 따라서, 도면부호 55y'로 표시된 경로로 되튕겨나가는 슬러리(55)의 양을 보다 줄일 수 있게 되므로, 기판 캐리어 유닛(100)의 외부에 위치한 슬러리(55)가 충분하게 내부(130)로 유입될 수 있다.
In addition, as one side 121S of the first slurry inflow groove 123 is formed as a curved surface and the other side 122S is formed as a flat surface, the width B of the inlet of the first slurry inflow groove 123 at the same time. As the width B ′ of the center side is smaller than that of the center side, the flow velocity 121v of the slurry 55 moving along one side 121S moves along the other side 122S according to the Bernoulli principle. It is faster than the flow rate 122v of the slurry, whereby the vicinity of one side surface 121S formed as a curved surface is lower in pressure than the periphery, so that the surrounding slurry 55 is sucked and moved toward one side 121S. Negative pressure P acts. Therefore, since the amount of the slurry 55 bounced back to the path denoted by 55y 'can be further reduced, the slurry 55 located outside the substrate carrier unit 100 is sufficiently introduced into the inside 130. Can be.

이와 마찬가지로, 기판 캐리어 유닛(100)이 반시계 방향(120r')으로 회전하는 경우에는 도8에 도시된 바와 같이 제2슬러리 유입홈(124)에 의하여 플래튼 패드(10a)상의 외부에 위치한 슬러리(55)가 내부(130)로 유입된다. 먼저, 슬러리(55)가 호(弧) 형태의 이동 경로(55z)를 따라 기판 캐리어 유닛(100)의 슬러리 유입 영역(2055)에 이르면, 타측면(121S)이 곡면으로 형성됨에 따라 종래에 비해 넓어진 폭(B)의 입구를 갖고 동시에 슬러리(55)의 접근 경로(55z)에 대하여 수용하는 각이 보다 넓은 제2슬러리 유입홈(124)으로 종래보다 많은 양의 슬러리(55)가 유입된다. 따라서, 제2슬러리 유입홈(124)의 주변에 이르러 도면부호 55z'로 표시된 경로로 되튕겨나가는 슬러리(55)의 양을 최소화할 수 있게 된다.Similarly, when the substrate carrier unit 100 rotates in the counterclockwise direction 120r ', the slurry located outside on the platen pad 10a by the second slurry inlet groove 124 as shown in FIG. 55 flows into the interior 130. First, when the slurry 55 reaches the slurry inflow region 2055 of the substrate carrier unit 100 along the arc-shaped movement path 55z, the other side 121S is formed into a curved surface, compared to the conventional art. A larger amount of slurry 55 is introduced into the second slurry inlet groove 124 having an inlet of a wider width B and at the same time receiving an angle with respect to the access path 55z of the slurry 55. Therefore, the amount of the slurry 55 that reaches the periphery of the second slurry inlet groove 124 and bounces back along the path indicated by reference numeral 55z 'may be minimized.

또한, 제2슬러리 유입홈(124)의 타측면(121S)은 곡면으로 형성되고 일측면(121S)은 평탄면으로 형성됨에 따라, 동시에 제2슬러리 유입홈(124)의 입구의 폭(B)에 비하여 중심측의 폭이 더 작게 형성됨에 따라, 베르누이 원리에 의하여 타측면(121S)을 따라 이동하는 슬러리(55)의 유동 속도(121v')가 일측면(122S)을 따라 이동하는 슬러리의 유동 속도(122v')에 비하여 더 빠르게 되고, 이에 의해 곡면으로 형성된 타측면(121S)의 근방은 주변에 비하여 압력이 낮아져, 주변의 슬러리(55)가 타측면(121S)을 향하여 빨려 이동시키는 부압(P)이 작용한다. 따라서, 도면부호 55z'로 표시된 경로로 되튕겨나가는 슬러리(55)의 양을 보다 줄일 수 있게 되므로, 기판 캐리어 유닛(100)의 외부에 위치한 슬러리(55)가 충분하게 내부(130)로 유입될 수 있다. In addition, as the other side surface 121S of the second slurry inflow groove 124 is formed as a curved surface and one side surface 121S is formed as a flat surface, the width B of the inlet of the second slurry inflow groove 124 at the same time. As the width of the center is smaller than that of the center, the flow velocity of the slurry 55 moving along the other side 121S moves along one side 122S according to the Bernoulli principle. It becomes faster than the speed 122v ', and the pressure of the vicinity of the other side surface 121S formed by the curved surface becomes low compared with the periphery, and the negative pressure which the surrounding slurry 55 sucks and moves toward the other side 121S ( P) works. Therefore, since the amount of the slurry 55 bounced back to the path indicated by 55z 'can be further reduced, the slurry 55 located outside the substrate carrier unit 100 is sufficiently introduced into the inside 130. Can be.

즉, 기판 캐리지 유닛(100)이 시계 방향(120r)으로 회전하는 경우에는 플래튼 패드(10a) 상의 슬러리가 주로 제1슬러리 유입홈(123)을 통해 기판(w)으로 유입되며, 기판 캐리지 유닛(100)이 반시계 방향(120r')으로 회전하는 경우에는 플래튼 패드(10a) 상의 슬러리가 주로 제2슬러리 유입홈(124)을 통해 기판(w)으로 유입된다.
That is, when the substrate carriage unit 100 rotates in the clockwise direction 120r, the slurry on the platen pad 10a mainly flows into the substrate w through the first slurry inlet groove 123, and the substrate carriage unit When the 100 is rotated in the counterclockwise direction 120r ', the slurry on the platen pad 10a is mainly introduced into the substrate w through the second slurry inlet groove 124.

이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛(100)은 화학적 연마 작용을 위하여 기판(w)으로 슬러리(55)를 유입시키는 슬러리 유입홈(123, 124)의 일측면과 타측면을 각각 볼록한 곡면과 직선 형태의 평탄면으로 형성하여 슬러리가 유입되기 시작하는 입구로부터 기판(w)이 위치한 내부(130)까지 이르는 경로 길이를 각각 다르게 설정하고, 입구의 폭(B)을 넓히면서, 호 형상의 경로를 따라 이동하는 슬러리(55)의 이동 경로(55y, 55z)에 대한 수용각을 보다 크게 형성함으로써, 기판 캐리어 유닛(100)의 바깥쪽에 위치한 슬러리(55)가 충분히 기판(w)으로 유입될 수 있도록 함으로써, 슬러리(55)의 사용량을 줄이면서 기판(w)의 충분한 화학적 연마 작용이 이루어지도록 하는 장점을 얻을 수 있다. As such, the substrate carrier unit 100 of the chemical mechanical polishing apparatus according to an embodiment of the present invention may include one of the slurry inlet grooves 123 and 124 for introducing the slurry 55 into the substrate w for chemical polishing. The side and the other side are each formed with a convex curved surface and a straight flat surface to set different path lengths from the inlet where the slurry starts to flow to the inside 130 where the substrate w is located, and the width of the inlet B ), While forming a larger receiving angle with respect to the movement paths 55y and 55z of the slurry 55 moving along the arc-shaped path, the slurry 55 outside the substrate carrier unit 100 is sufficiently formed. By allowing it to flow into the substrate w, it is possible to obtain an advantage that a sufficient chemical polishing action of the substrate w is achieved while reducing the amount of the slurry 55 used.

한편, 상기와 같이 슬러리(55)의 사용량을 줄이면서 기판(w)이 충분한 화학적 연마 작용을 거치도록 하는 효과를 극대화하기 위하여, 기판 캐리어 유닛(100)은 시계 방향 및 반시계 방향으로 회전하는 것에 그치지 않고, 미리 정해진 짧은 경로만큼 왕복운동(oscillation)하는 것을 병행하는 것이 바람직하다.
On the other hand, in order to maximize the effect of reducing the amount of slurry 55 used while the substrate w undergoes sufficient chemical polishing, the substrate carrier unit 100 rotates clockwise and counterclockwise. In addition, it is preferable to simultaneously perform oscillation by a predetermined short path.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치는 기판(w)을 파지하는 기판 캐리어 유닛(200)이 어느 한 방향(220r)으로만 회전하는 경우에 관한 것으로, 도9에 도시된 바와 같이, 캐리지 본체(210)에 결합되는 리테이너 링(220)의 슬러리 유입홈(223)의 일측면(221s')은 모두 볼록한 곡면으로 형성되고 슬러리 유입홈(223)의 타측면(221s)은 평탄면으로 형성된다는 점에서 전술한 실시예와 구성상 차이가 있다. On the other hand, the chemical mechanical polishing apparatus according to another embodiment of the present invention relates to a case in which the substrate carrier unit 200 holding the substrate w rotates only in one direction 220r, as shown in FIG. 9. Similarly, one side 221s' of the slurry inlet groove 223 of the retainer ring 220 coupled to the carriage body 210 is formed in a convex curved surface, and the other side 221s of the slurry inlet groove 223 is flat. There is a difference in configuration from the above-described embodiment in that it is formed as a surface.

이와 같이 구성된 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 캐리어 유닛(200)은 한 방향(220r)으로만 회전하므로 슬러리 유입홈(223)의 개수가 전술한 실시예에 따른 리테이너 링(120)에 비하여 적게 형성되더라도 기판(w)에 유입되는 슬러리의 양을 일정한 수준으로 유지시킬 수 있는 장점이 있다.
Since the substrate carrier unit 200 according to another embodiment of the present invention configured as described above rotates only in one direction 220r, the number of slurry inlet grooves 223 is less than that of the retainer ring 120 according to the above-described embodiment. Even if it is formed, there is an advantage that can maintain the amount of slurry flowing into the substrate (w) at a constant level.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구 범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
100: 기판 캐리어 유닛 110: 캐리지 본체
120: 리테이너 링 121: 제1돌출부
121s: 곡면벽 122: 제2돌출부
122s: 평탄면벽 123: 제1슬러리 유입홈
124: 제2슬러리 유입홈 130: 중앙부 공간
131: 흡입구 10: 연마 정반
10a: 플래튼 패드 40: 슬러리 공급부
55: 슬러리 DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS
100: substrate carrier unit 110: carriage body
120: retainer ring 121: first projection
121s: curved wall 122: second protrusion
122s: flat surface wall 123: first slurry inflow groove
124: second slurry inlet groove 130: central space
131: suction port 10: polishing table
10a: platen pad 40: slurry supply
55: slurry

Claims (12)

플래튼 패드를 회전시키는 연마 정반과, 상기 플래튼 패드 상에 슬러리를 공급하는 슬리러 공급유닛과, 기판의 표면이 상기 플래튼 패드에 접촉하도록 상기 기판을 리테이너링에 둘러싸이도록 파지하여 상기 기판을 회전시키는 캐리어 유닛을 구비한 화학 기계적 연마장치에 있어서,
상기 리테이너링에는 상기 플래튼 패드 상의 슬러리가 상기 기판으로 유입되도록 원주 방향을 따라 상호 간격을 두고 다수의 슬러리 유입홈이 형성되되, 상기 슬러리 유입홈의 일측면이 타측면보다 더 길이가 길게 형성되면서 상기 슬러리가 외부로부터 유입되는 입구는 상기 슬러리 유입홈의 중간부보다 더 넓게 형성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛.
A polishing plate for rotating the platen pad, a slurer supply unit for supplying slurry on the platen pad, and holding the substrate surrounded by the retainer ring so that the surface of the substrate contacts the platen pad. In the chemical mechanical polishing apparatus having a carrier unit for rotating,
The retaining ring is formed with a plurality of slurry inlet grooves at intervals along the circumferential direction so that the slurry on the platen pad flows into the substrate, while one side of the slurry inlet groove is formed longer than the other side. The inlet through which the slurry is introduced from the outside is formed wider than the middle portion of the slurry inlet groove.
제 1항에 있어서,
상기 일측면은 곡면이고 상기 타측면은 평탄면인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛.
The method of claim 1,
The substrate carrier unit of the chemical mechanical polishing apparatus, wherein the one side is a curved surface and the other side is a flat surface.
제 2항에 있어서,
상기 슬러리 유입홈은 원주 방향을 따라 돌출 형성된 돌출부의 사이 틈새로 형성되며, 상기 슬러리 유입홈을 이루는 상기 돌출부의 일측면은 곡면으로 형성되고 타측면은 평탄면으로 형성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛.
The method of claim 2,
The slurry inlet groove is formed as a gap between the protrusions protruding along the circumferential direction, one side of the protrusions forming the slurry inlet groove is formed in a curved surface and the other side is formed in a flat surface chemical mechanical polishing apparatus Substrate carrier unit.
제 2항에 있어서,
상기 슬러리 유입홈은 원주 방향을 따라 돌출 형성된 돌출부의 사이 틈새로 형성되며, 상기 슬러리 유입홈을 이루는 상기 돌출부의 양측벽은 곡면으로 형성되고 상기 돌출부와 인접한 돌출부의 양측벽은 평탄면으로 형성되어, 상기 원주 방향을 따라 상기 슬러리 유입홈의 곡면과 평탄면은 인접한 슬러리 유입홈과 방향이 서로 다른 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛.
The method of claim 2,
The slurry inlet groove is formed as a gap between the protrusions protruding along the circumferential direction, both side walls of the protrusions forming the slurry inlet grooves are formed in a curved surface and both side walls of the protrusions adjacent to the protrusions are formed in a flat surface, The curved surface and the flat surface of the slurry inlet groove along the circumferential direction is different from the adjacent slurry inlet groove, the substrate carrier unit of the chemical mechanical polishing apparatus.
제 1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 캐리어 유닛은 상기 플래튼 패드에 대하여 왕복 직선 운동을 회전 운동과 함께 행하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛.
The method according to any one of claims 1 to 4,
And the substrate carrier unit performs a reciprocating linear motion with respect to the platen pad together with a rotational motion.
제 4항에 있어서,
상기 기판 캐리어 유닛은 상기 플래튼 패드에 대하여 시계 방향의 회전 운동과 반시계 방향의 회전 운동을 번갈아가며 행하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛.
The method of claim 4, wherein
And the substrate carrier unit alternately rotates a clockwise rotation and a counterclockwise rotation with respect to the platen pad.
제 1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 기판 캐리어 유닛을 구비한 화학 기계적 연마 장치.
A chemical mechanical polishing apparatus comprising the substrate carrier unit according to any one of claims 1 to 4.
제 7항에 있어서,
상기 기판 캐리어 유닛은 상기 플래튼 패드에 대하여 왕복 직선 운동을 회전 운동과 함께 행하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
The method of claim 7, wherein
And the substrate carrier unit performs a reciprocating linear motion with respect to the platen pad together with a rotational motion.
제 7항에 있어서,
상기 기판 캐리어 유닛은 상기 플래튼 패드에 대하여 시계 방향의 회전 운동과 반시계 방향의 회전 운동을 번갈아가며 행하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
The method of claim 7, wherein
And the substrate carrier unit alternately rotates a clockwise rotation and a counterclockwise rotation with respect to the platen pad.
화학 기계적 연마 장치에서 플래튼 패드에 대하여 상대 회전하는 캐리어 유닛에 파지된 웨이퍼에 플래튼 패드에 공급되는 슬러리를 유입시키는 방법으로서,
상기 플래튼 패드를 일방으로 회전시키는 단계와;
상기 플래튼 패드에 슬러리를 공급하는 단계와;
상기 웨이퍼를 파지하면서 둘러싸고 원주 방향을 따라 상기 웨이퍼를 향하여 상기 슬러리가 유입되는 통로가 마련되되, 상기 통로의 일측면은 타측면보다 더 긴 길이로 형성되면서, 상기 통로의 입구는 상기 통로의 중간부보다 더 넓게 형성된 리테이러 링을 구비한 캐리어 유닛을 회전시키는 제3단계를;
포함하여 구성된 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛의 슬러리 유입 방법.
A method of introducing a slurry supplied to a platen pad to a wafer held in a carrier unit which rotates relative to the platen pad in a chemical mechanical polishing apparatus,
Rotating the platen pad in one direction;
Supplying a slurry to the platen pad;
A passage is provided for enclosing and holding the wafer and inflowing the slurry toward the wafer along the circumferential direction. Rotating a carrier unit having a retainer ring that is wider than the third step;
A slurry introduction method of a substrate carrier unit of a chemical mechanical polishing apparatus comprising a.
제 10항에 있어서,
상기 일측면은 곡면이고 상기 타측면은 평탄면인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 기판 캐리어 유닛의 슬러리 유입 방법. The method of claim 10,
Wherein one side is a curved surface and the other side is a slurry inflow method of the substrate carrier unit of the chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that the flat surface. 삭제delete
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