KR101115224B1 - Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer, and resin composition for photoresist - Google Patents

Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer, and resin composition for photoresist Download PDF

Info

Publication number
KR101115224B1
KR101115224B1 KR1020067017810A KR20067017810A KR101115224B1 KR 101115224 B1 KR101115224 B1 KR 101115224B1 KR 1020067017810 A KR1020067017810 A KR 1020067017810A KR 20067017810 A KR20067017810 A KR 20067017810A KR 101115224 B1 KR101115224 B1 KR 101115224B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
protected
formula
protecting group
hydrogen atom
Prior art date
Application number
KR1020067017810A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060124738A (en
Inventor
히로시 고야마
게이죠 이노우에
다까히로 이와하마
마리 스미다
Original Assignee
가부시끼가이샤 다이셀
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2004028595A external-priority patent/JP4651283B2/en
Priority claimed from JP2004303478A external-priority patent/JP4780945B2/en
Application filed by 가부시끼가이샤 다이셀 filed Critical 가부시끼가이샤 다이셀
Publication of KR20060124738A publication Critical patent/KR20060124738A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101115224B1 publication Critical patent/KR101115224B1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/94Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom spiro-condensed with carbocyclic rings or ring systems, e.g. griseofulvins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/52Esters of acyclic unsaturated carboxylic acids having the esterified carboxyl group bound to an acyclic carbon atom
    • C07C69/533Monocarboxylic acid esters having only one carbon-to-carbon double bond
    • C07C69/54Acrylic acid esters; Methacrylic acid esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

하기 화학식 1로 표시되는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르에 대응하는 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물.A high molecular compound comprising a repeating unit corresponding to the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester represented by the following formula (1).

<화학식 1><Formula 1>

Figure 112006063458499-pct00038
Figure 112006063458499-pct00038

(식 중, Ra는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기를 나타내고, Rb는 1 위치에 수소 원자를 갖는 탄화수소기를 나타내고, Rc는 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, Rd는 환식 골격을 포함하는 유기기를 나타낸다). 이 고분자 화합물은 추가로 락톤 골격 함유 단량체, 환상 케톤 골격 함유 단량체, 산 무수물기 함유 단량체 및 이미드기 함유 단량체에서 선택된 1종 이상의 단량체에 대응하는 반복 단위[상기 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르에 대응하는 반복 단위를 제외함], 및(또는) 히드록실기 함유 단량체 등에서 선택된 1종 이상의 단량체에 대응하는 반복 단위를 포함할 수 있다. 이 고분자 화합물은 포토레지스트용으로서 이용한 경우에 우수한 산 이탈성을 나타낸다. (Wherein R a represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R b represents a hydrocarbon group having a hydrogen atom at 1 position, and R c represents a hydrogen atom or Hydrocarbon group, R d represents an organic group containing a cyclic skeleton). This high molecular compound further contains a repeating unit corresponding to at least one monomer selected from a lactone skeleton-containing monomer, a cyclic ketone skeleton-containing monomer, an acid anhydride group-containing monomer and an imide group-containing monomer [corresponding to the above unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester Exclusion of repeating units], and / or hydroxyl group-containing monomers, and the like. This polymer compound exhibits excellent acid leaving property when used as a photoresist.

불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르, 고분자 화합물, 포토레지스트, 광산 발생제Unsaturated carboxylic acid hemiacetal esters, high molecular compounds, photoresists, photoacid generators

Description

불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르, 고분자 화합물 및 포토레지스트용 수지 조성물{UNSATURATED CARBOXYLIC ACID HEMIACETAL ESTER, POLYMER, AND RESIN COMPOSITION FOR PHOTORESIST}Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, resin composition for high molecular compound and photoresist {UNSATURATED CARBOXYLIC ACID HEMIACETAL ESTER, POLYMER, AND RESIN COMPOSITION FOR PHOTORESIST}

본 발명은 반도체의 미세 가공 등을 행할 때에 이용하는 포토레지스트용 수지의 단량체 성분으로서 유용한 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르와 그의 제조법, 상기 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르에 대응하는 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물, 상기 고분자 화합물을 함유하는 포토레지스트용 수지 조성물, 및 반도체의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester useful as a monomer component of a resin for photoresists used for fine processing of semiconductors, a method for producing the same, and a high molecular compound comprising repeating units corresponding to the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester. The present invention relates to a resin composition for photoresists containing the polymer compound, and a method for producing a semiconductor.

반도체 제조 공정에서 이용되는 포지티브형 포토레지스트는 광 조사에 의해 조사부가 알칼리 가용성으로 변화되는 성질, 실리콘 웨이퍼에 대한 밀착성, 플라즈마 에칭 내성, 사용하는 빛에 대한 투명성 등의 특성을 겸비하고 있어야만 한다. 상기 포지티브형 포토레지스트는 일반적으로 주요제인 중합체, 광산(光酸) 발생제, 및 상기 특성을 조정하기 위한 수종의 첨가제를 포함하는 용액으로서 이용되지만, 용도에 따른 레지스트를 제조하기 위해서는 주요제인 중합체가 상기 각 특성을 균형적으로 구비하는 것이 매우 중요하다. The positive type photoresist used in the semiconductor manufacturing process should have characteristics such as the property that the irradiated portion is changed to alkali solubility by light irradiation, adhesion to a silicon wafer, plasma etching resistance, transparency to light used, and the like. The positive photoresist is generally used as a solution containing a main polymer, a photoacid generator, and a variety of additives for adjusting the above properties. It is very important to equilibrate each of the above characteristics.

반도체의 제조에 이용되는 리소그래피의 노광 광원은 해마다 단파장화되고 있고, 파장 248 ㎚의 KrF 엑시머 레이저로부터 파장 193 ㎚의 ArF 엑시머 레이저로 이행되고 있다. 이들 KrF 또는 ArF 엑시머 레이저 노광기에 이용되는 레지스트용 중합체에 있어서, 노광에 의해 광산 발생제로부터 발생하는 산에 의해 이탈하여 알칼리 현상액에 대하여 가용이 되는 기능을 부여하는 단량체 유닛으로서 2-메틸아다만탄-2-일기나 1-아다만틸-1-메틸에틸기를 갖는 유닛 등이 알려져 있다(일본 특허 공개 (평)9-73173호 공보 등). 그러나, 이들 유닛을 갖는 종래의 포토레지스트용 수지는 감도나 현상도 면에서 반드시 충분히 만족할 수 있는 것은 아니었다. 또한, 기판 밀착성, 내에칭성 및 산 이탈성의 균형도 충분하다고 할 수 없었다. The lithography exposure light source used for the manufacture of a semiconductor is shortening year by year, and has shifted from the KrF excimer laser of wavelength 248 nm to the ArF excimer laser of wavelength 193 nm. In the polymers for resists used in these KrF or ArF excimer laser exposure machines, 2-methyladamantane is a monomer unit that gives a function of being soluble in an alkaline developer by being separated by an acid generated from a photoacid generator by exposure. The unit etc. which have a 2-yl group and a 1-adamantyl-1-methylethyl group are known (Unexamined-Japanese-Patent No. 9-73173, etc.). However, conventional photoresist resins having these units were not necessarily satisfactory in terms of sensitivity and development. In addition, the balance between substrate adhesiveness, etching resistance and acid leaving property was not sufficient.

본 발명의 목적은 포토레지스트용으로서 이용한 경우에 우수한 산 이탈성 또는 우수한 산 이탈성과 기판 밀착성을 나타내는 고분자 화합물과 그 단량체, 상기 단량체의 제조법, 상기 고분자 화합물을 포함하는 포토레지스트용 수지 조성물, 및 이 수지 조성물을 이용한 반도체의 제조 방법을 제공하는 데에 있다. An object of the present invention is a polymer compound exhibiting excellent acid leaving property or excellent acid leaving property and substrate adhesion when used as a photoresist, a monomer thereof, a method for preparing the monomer, a resin composition for photoresist comprising the polymer compound, and It is providing the manufacturing method of the semiconductor using a resin composition.

본 발명의 다른 목적은 기판 밀착성, 내에칭성 및 산 이탈성을 균형적으로 구비한 포토레지스트용 고분자 화합물과, 상기 고분자 화합물을 포함하는 포토레지스트용 수지 조성물, 및 이 수지 조성물을 이용한 반도체의 제조 방법을 제공하는 데에 있다. Another object of the present invention is to prepare a photoresist polymer compound having a balanced substrate adhesion, etch resistance and acid leaving property, a photoresist resin composition containing the polymer compound, and a semiconductor using the resin composition. To provide a way.

본 발명의 또 다른 목적은 미세한 패턴을 정밀도 좋게 형성할 수 있는 포토레지스트용 고분자 화합물, 포토레지스트용 수지 조성물, 및 반도체의 제조 방법을 제공하는 데에 있다. It is still another object of the present invention to provide a polymer compound for photoresists, a resin composition for photoresists, and a semiconductor manufacturing method capable of forming fine patterns with high precision.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토한 결과, 특정 구조를 갖는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르에 대응하는 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물을 포토레지스트용 수지로서 이용하면, 우수한 산 이탈성 또는 우수한 산 이탈성과 기판 밀착성이 발현되고, 미세한 패턴을 정밀도 좋게 형성할 수 있다는 것을 발견하여 본 발명을 완성하였다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining in order to achieve the said objective, when the high molecular compound containing the repeating unit corresponding to the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester which has a specific structure is used as resin for photoresists, it is excellent in acid leaving property or excellent. The present invention has been completed by discovering that acid leaving property and substrate adhesiveness can be expressed and fine patterns can be formed with high accuracy.

즉, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르를 제공한다. That is, the present invention provides an unsaturated carboxylic hemiacetal ester represented by the following formula (1).

Figure 112006063458499-pct00001
Figure 112006063458499-pct00001

(식 중, Ra는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기를 나타내고, Rb는 1 위치에 수소 원자를 갖는 탄화수소기를 나타내고, Rc는 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, Rd는 환식 골격을 포함하는 유기기를 나타낸다)(Wherein R a represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R b represents a hydrocarbon group having a hydrogen atom at 1 position, and R c represents a hydrogen atom or Hydrocarbon group, R d represents an organic group containing a cyclic skeleton)

상기 Rd에서의 환식 골격으로서는 락톤 골격 또는 비방향족성 다환식 골격이 바람직하다. As said cyclic skeleton in R <d> , a lactone skeleton or a non-aromatic polycyclic skeleton is preferable.

본 발명은 또한, 하기 화학식 3으로 표시되는 불포화 카르복실산을 하기 화학식 4로 표시되는 비닐 에테르 화합물과 반응시켜 하기 화학식 5로 표시되는 불포 화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르를 얻는 것을 특징으로 하는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르의 제조법을 제공한다. The present invention also provides a unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester represented by the following formula (5) by reacting an unsaturated carboxylic acid represented by the following formula (3) with a vinyl ether compound represented by the following formula (4): Provided are methods for preparing the acid hemiacetal ester.

Figure 112006063458499-pct00002
Figure 112006063458499-pct00002

(식 중, Ra는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기를 나타낸다)(Wherein R a represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms)

Figure 112006063458499-pct00003
Figure 112006063458499-pct00003

(식 중, Rc는 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, Rd는 환식 골격을 포함하는 유기기를 나타내고, Re, Rf는 각각 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타낸다)(Wherein R c represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, R d represents an organic group containing a cyclic skeleton, and R e , R f each represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group)

Figure 112006063458499-pct00004
Figure 112006063458499-pct00004

(식 중, Ra, Rc, Rd, Re, Rf는 상기와 동일) Wherein R a , R c , R d , R e , and R f are the same as above.

본 발명은 또한, 하기 화학식 I로 표시되는 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물을 제공한다. The present invention also provides a polymer compound comprising a repeating unit represented by the following formula (I).

Figure 112006063458499-pct00005
Figure 112006063458499-pct00005

(식 중, Ra는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기를 나타내고, Rb는 1 위치에 수소 원자를 갖는 탄화수소기를 나타내고, Rc는 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, Rd는 환식 골격을 포함하는 유기기를 나타낸다)(Wherein R a represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R b represents a hydrocarbon group having a hydrogen atom at 1 position, and R c represents a hydrogen atom or Hydrocarbon group, R d represents an organic group containing a cyclic skeleton)

이 고분자 화합물은 추가로, 락톤 골격 함유 단량체, 환상 케톤 골격 함유 단량체, 산 무수물기 함유 단량체 및 이미드기 함유 단량체에서 선택된 1종 이상의 단량체에 대응하는 반복 단위[화학식 I로 표시되는 반복 단위를 제외함]를 포함할 수 있다. 또한, 상기 고분자 화합물은 추가로, 히드록실기 함유 단량체, 머캅토기 함유 단량체 및 카르복실기 함유 단량체에서 선택된 1종 이상의 단량체에 대응하는 반복 단위를 포함할 수도 있다. The polymer compound further includes a repeating unit corresponding to at least one monomer selected from a lactone skeleton-containing monomer, a cyclic ketone skeleton-containing monomer, an acid anhydride group-containing monomer and an imide group-containing monomer [excluding the repeating unit represented by the formula (I). ] May be included. In addition, the polymer compound may further include a repeating unit corresponding to at least one monomer selected from a hydroxyl group-containing monomer, a mercapto group-containing monomer, and a carboxyl group-containing monomer.

본 발명은 또한, 상기 고분자 화합물과 광산 발생제를 적어도 포함하는 포토레지스트용 수지 조성물을 제공한다.The present invention also provides a resin composition for photoresist comprising at least the polymer compound and a photoacid generator.

본 발명은 또한, 상기 포토레지스트용 수지 조성물을 기재 또는 기판 상에 도포하여 레지스트 도막을 형성하고, 노광 및 현상을 거쳐 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체의 제조 방법을 제공한다. This invention also provides the manufacturing method of the semiconductor which includes the process of apply | coating the said resin composition for photoresists on a base material or a board | substrate, forming a resist coating film, and forming a pattern through exposure and image development.

한편, 본 명세서에서의 비닐 에테르계 단량체나 비닐 에테르 화합물에는 비닐기의 수소 원자가 치환기로 치환된 화합물도 포함되는 것으로 한다. 또한, 히드록실기 등의 보호기로서는 유기 합성 분야에서 관용되는 보호기를 사용할 수 있다. In addition, the vinyl ether monomer and vinyl ether compound in this specification shall also contain the compound by which the hydrogen atom of the vinyl group was substituted by the substituent. As a protecting group such as a hydroxyl group, a protecting group commonly used in the field of organic synthesis can be used.

본 발명에 따르면, 포토레지스트용으로서 사용한 경우에 우수한 산 이탈성 또는 우수한 산 이탈성과 기판 밀착성을 나타내는 고분자 화합물과 그 단량체가 제공된다. 또한, 본 발명의 포토레지스트용 수지 조성물은 산 이탈성이 우수한 동시에, 기판 밀착성, 내에칭성 및 산 이탈성을 균형적으로 발휘한다. 이 때문에, 반도체 제조에 있어서 미세한 패턴을 정밀도 좋게 형성할 수 있다. According to the present invention, when used as a photoresist, there is provided a polymer compound and its monomer which exhibit excellent acid leaving property or excellent acid leaving property and substrate adhesiveness. Moreover, the resin composition for photoresists of this invention is excellent in acid detachability, and exhibits the board | substrate adhesiveness, etching resistance, and acid leaving property in balance. For this reason, in a semiconductor manufacture, a fine pattern can be formed with high precision.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>Best Mode for Carrying Out the Invention

[불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르]Unsaturated Carboxylic Acid Hemiacetal Ester

본 발명의 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르는 상기 화학식 1로 표시된다. 화학식 1 중, Ra는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기를 나타내고, Rb는 1 위치에 수소 원자를 갖는 탄화수소기를 나타내고, Rc는 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, Rd는 환식 골격을 포함하는 유기기를 나타낸다. Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester of the present invention is represented by the formula (1). In formula (1), R a represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R b represents a hydrocarbon group having a hydrogen atom at 1 position, and R c represents a hydrogen atom or Hydrocarbon group is shown and R <d> represents the organic group containing a cyclic skeleton.

상기 Ra에서의 할로겐 원자에는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등이 포함된다. 탄소수 1 내지 6의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로 필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 펜틸, 헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 C1-3알킬기, 특히 메틸기가 바람직하다. 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기로서는, 예를 들면 클로로메틸기 등의 클로로알킬기; 트리플루오로메틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 펜타플루오로에틸기 등의 플루오로알킬기(바람직하게는 C1-3플루오로알킬기) 등을 들 수 있다. The halogen atom in R a includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and the like. Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, pentyl, hexyl group, and the like. Among these, C 1-3 alkyl groups, especially methyl groups are preferable. As a C1-C6 haloalkyl group, For example, Chloroalkyl groups, such as a chloromethyl group; Fluoroalkyl groups (preferably C 1-3 fluoroalkyl groups) such as trifluoromethyl, 2,2,2-trifluoroethyl and pentafluoroethyl groups.

상기 Rb에서의 1 위치에 수소 원자를 갖는 탄화수소기로서는, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸기 등의 알킬기(예를 들면 C1-6알킬기, 특히 C1-3알킬기); 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기(예를 들면 3 내지 6원의 시클로알킬기); 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸기 등의 시클로알킬알킬기 [예를 들면, 모노 또는 디-(3 내지 6원 시클로알킬)-C1-3알킬기]; 벤질, 1-메틸벤질, 1-페닐벤질기 등의 아르알킬기(예를 들면, 모노 또는 디페닐-C1-3알킬기) 등을 들 수 있다. Rb로서는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필기 등의 C1-3알킬기가 바람직하고, 특히 메틸기가 바람직하다. As a hydrocarbon group which has a hydrogen atom in 1 position in said R <b> , For example, Alkyl groups, such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl group (for example, C1-6 alkyl group, Especially a C 1-3 alkyl group); Cycloalkyl groups such as cyclopropyl, cyclopentyl and cyclohexyl groups (for example, 3- to 6-membered cycloalkyl groups); Cycloalkylalkyl groups such as cyclopentylmethyl and cyclohexylmethyl groups [eg, mono or di- (3- to 6-membered cycloalkyl) -C 1-3 alkyl groups]; And aralkyl groups such as benzyl, 1-methylbenzyl, and 1-phenylbenzyl groups (for example, mono or diphenyl-C 1-3 alkyl groups). As R <b> , C 1-3 alkyl groups, such as methyl, ethyl, a propyl, and an isopropyl group, are preferable, and a methyl group is especially preferable.

RC에서의 탄화수소기로서는, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸기 등의 알킬기(예를 들면 C1-6알킬기, 특히 C1-3알킬기); 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기(예를 들면 3 내지 6원의 시클로알킬기); 페닐기 등의 아릴기 등을 들 수 있다. Rc로서는 수소 원자; 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필 등의 C1-3알킬기가 바람직하고, 특히, 수소 원자, 메틸기가 바람직하다.As a hydrocarbon group in R <C> , For example, Alkyl groups, such as a methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl group (for example, a C 1-6 alkyl group, especially a C 1-3 alkyl group); Cycloalkyl groups such as cyclopropyl, cyclopentyl and cyclohexyl groups (for example, 3- to 6-membered cycloalkyl groups); Aryl groups, such as a phenyl group, etc. are mentioned. As R c, a hydrogen atom; C 1-3 alkyl groups, such as methyl, ethyl, propyl, and isopropyl, are preferable, and a hydrogen atom and a methyl group are especially preferable.

Rd의 환식 골격을 포함하는 유기기에 있어서의 환식 골격으로서 락톤 골격, 및 락톤 골격 이외의 환식 골격을 들 수 있다. Examples of the cyclic skeleton in the organic group containing the cyclic skeleton of R d include cyclic skeletons other than the lactone skeleton and the lactone skeleton.

락톤 골격에는 락톤환(예를 들면, γ-부티로락톤환, δ-발레로락톤환, ε-카프로락톤환 등)만으로 이루어지는 골격 외에, 상기 락톤환에 비방향족성 또는 방향족성의 탄소환 또는 복소환이 축합된 골격이 포함된다. 그 중에서도 락톤환만으로 이루어지는 골격, 락톤환에 비방향족성의 탄소환 또는 복소환(특히, 비방향족성 탄소환)이 축합된 골격이 바람직하다. 락톤 골격을 구성하는 환은 메틸기 등의 알킬기(예를 들면, C1-4알킬기 등), 트리플루오로메틸기 등의 할로알킬기(예를 들면, C1-4할로알킬기 등), 염소 원자나 불소 원자 등의 할로겐 원자, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 머캅토기, 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기, 보호기로 보호될 수 있는 아미노기, 보호기로 보호될 수 있는 술폰산기 등의 치환기를 가질 수도 있다. 보호기로서는 유기 합성 분야에서 통상 이용되는 보호기를 들 수 있다. The lactone skeleton has a non-aromatic or aromatic carbocyclic ring or a compound in addition to the skeleton consisting of only a lactone ring (e.g., γ-butyrolactone ring, δ-valerolactone ring, ε-caprolactone ring, etc.). Skeletons containing condensed summons are included. Especially, the skeleton which consists only of a lactone ring, and the skeleton which the non-aromatic carbocyclic ring or heterocycle (especially non-aromatic carbocyclic ring) condensed to the lactone ring are preferable. The ring constituting the lactone skeleton may be an alkyl group such as a methyl group (e.g., a C 1-4 alkyl group), a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group (e.g., a C 1-4 haloalkyl group, etc.), a chlorine atom or a fluorine atom A halogen atom, a hydroxyl group protected by a protecting group, a hydroxyalkyl group protected by a protecting group, a mercapto group protected by a protecting group, a carboxyl group protected by a protecting group, an amino group protected by a protecting group, It may have a substituent such as a sulfonic acid group which can be protected with a protecting group. As a protecting group, the protecting group normally used in the field of organic synthesis is mentioned.

대표적인 락톤 골격으로서 하기 화학식 6a, 6b, 6c, 6d, 6e, 6f, 6g로 표시되는 골격(기)을 들 수 있다. As typical lactone skeleton, the skeleton (group) represented by the following general formula (6a, 6b, 6c, 6d, 6e, 6f, 6g) is mentioned.

Figure 112006063458499-pct00006
Figure 112006063458499-pct00006

[식 중, R1 내지 R6, R9 내지 R36은 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 할로알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 머캅토기, 또는 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기를 나타내고, X는 알킬렌기, 산소 원자, 황 원자 또는 무결합을 나타내고, V1 내지 V3은 동일 또는 상이하고, -CH2-, -CO- 또는 -COO-를 나타낸다. 단, V1 내지 V3 중 1개 이상은 -COO-이다. 화학식 6f에 있어서, R27 내지 R31 중 2개 이상의 기가 결합하여 탄소 원자 또는 탄소-탄소 결합과 함께 환을 형성할 수도 있다. 또한, 화학식 6g에 있어서, R32 내지 R36 중 2개 이상의 기가 결합하여 탄소 원자 또는 탄소-탄소 결합과 함께 환을 형성할 수도 있다][Wherein, R 1 to R 6 , R 9 to R 36 are the same or different and a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a haloalkyl group, a hydroxyl group which can be protected with a protecting group, a hydroxy that can be protected with a protecting group An alkyl group, a mercapto group which can be protected with a protecting group, or a carboxyl group that can be protected with a protecting group, X represents an alkylene group, an oxygen atom, a sulfur atom or no bond, and V 1 to V 3 are the same or different,- CH 2- , -CO- or -COO-. Provided that at least one of V 1 to V 3 is -COO-. In Formula 6f, two or more groups of R 27 to R 31 may combine to form a ring together with a carbon atom or a carbon-carbon bond. In addition, in Formula 6g, two or more groups of R 32 to R 36 may be bonded to form a ring together with a carbon atom or a carbon-carbon bond.]

화학식 6a 내지 화학식 6g 중, R1 내지 R6, R9 내지 R36에 있어서의 할로겐 원자로서는 불소, 염소 원자 등을 들 수 있다. 알킬기로서는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 헥실, 옥틸, 데실, 도데실기 등의 직쇄상 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 13의 알킬기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 탄소수 1 내지 4의 알킬기가 바람직하다. 할로알킬기로서는 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸기 등의 탄소수 1 내지 13의 플루오로알킬기 등을 들 수 있다. 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기로서는, 예를 들면 히드록실기, 치환 옥시기(예를 들면, 메톡시, 에톡시, 프로폭시기 등의 C1-4알콕시기 등) 등을 들 수 있다. 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기로서는 상기 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기가 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기를 통해 결합되어 있는 기 등을 들 수 있다. 보호기로 보호될 수 있는 머캅토기로서는 머캅토기 외에, 상기 히드록실기와 동일한 보호기로 보호된 머캅토기 등을 들 수 있다. 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기로서는 -COORy기 등을 들 수 있다. 상기 Ry는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 알킬기로서는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 헥실기 등의 직쇄상 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 6의 알킬기 등을 들 수 있다. X에서의 알킬렌기로서는 메틸렌, 디메틸메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 트리메틸렌기 등의 직쇄상 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 3 정도의 (바람직하게는 1 또는 2)의 알킬렌기 등을 들 수 있다. In the formulas (6a) to (6g), examples of the halogen atom in R 1 to R 6 and R 9 to R 36 include fluorine and chlorine atoms. Examples of the alkyl group include linear or branched alkyl groups having 1 to 13 carbon atoms such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, hexyl, octyl, decyl, and dodecyl groups. have. Among these, alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms are preferable. As a haloalkyl group, C1-C13 fluoroalkyl groups, such as a trifluoromethyl and a pentafluoroethyl group, etc. are mentioned. As the hydroxyl group which may be protected by a protective group, for example, there may be mentioned a hydroxyl group, a substituted oxy group (e.g., methoxy, ethoxy, C 1-4 alkoxy groups such as a propoxy group), etc. . As a hydroxyalkyl group which can be protected by a protecting group, the group etc. which the hydroxyl group which can be protected by the said protecting group is couple | bonded through the alkylene group of C1-C6 are mentioned. As a mercapto group which can be protected by a protecting group, in addition to a mercapto group, the mercapto group etc. which were protected by the same protecting group as the said hydroxyl group are mentioned. As a carboxyl group which can be protected by a protecting group, -COOR y group etc. are mentioned. R <y> represents a hydrogen atom or an alkyl group, and as an alkyl group, C1-C6 linear or branched carbons, such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, a hexyl group, etc. Alkyl group etc. are mentioned. Examples of the alkylene group in X include linear or branched alkylene groups having 1 to 3 carbon atoms (preferably 1 or 2), such as methylene, dimethyl methylene, ethylene, propylene, and trimethylene groups.

R27 내지 R31 중 2개 이상의 기가 결합하여 탄소 원자 또는 탄소-탄소 결합과 함께 형성하는 환, R32 내지 R36 중 2개 이상의 기가 결합하여 탄소 원자 또는 탄소-탄소 결합과 함께 형성하는 환으로서는 시클로펜탄환, 시클로헥산환, 노르보르난환 등의 지환식 탄소환(가교 탄소환을 포함) 등을 들 수 있다. 화학식 6a 내지 6g로 표시되는 골격을 구성하는 환은 상기한 바와 같은 치환기를 가질 수도 있다.Rings formed by bonding two or more groups of R 27 to R 31 together with carbon atoms or carbon-carbon bonds, and rings formed by combining two or more groups of R 32 through R 36 together with carbon atoms or carbon-carbon bonds include Alicyclic carbocyclic rings (including a crosslinked carbocyclic ring), such as a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, and a norbornane ring, etc. are mentioned. The ring constituting the skeleton represented by the formulas (6a to 6g) may have a substituent as described above.

상기 락톤 골격 이외의 환식 골격을 구성하는 "환"에는 단환 또는 다환의 비방향족성 또는 방향족성 환이 포함된다. 단환의 비방향족성 환으로서는, 예를 들면 시클로펜탄환, 시클로헥산환, 시클로옥탄환, 시클로데칸환 등의 3 내지 15원 정도의 시클로알칸환 등의 지환식 환; 테트라히드로푸란환, 피롤리딘환, 피페리딘환, 모르폴린환 등의 3 내지 15원 정도의 비방향족성 복소환 등을 들 수 있다. 다환의 비방향족성 환으로서는 예를 들면 아다만탄환; 노르보르난환, 노르보르넨환, 보르난환, 이소보르난환, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸환, 테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸환 등의 노르보르난환 또는 노르보르넨환을 포함하는 환; 퍼히드로인덴환, 데칼린환(퍼히드로나프탈렌환), 퍼히드로플루오렌환(트리시클로[7.4.0.03,8]트리데칸환), 퍼히드로안트라센환 등의 다환의 방향족 축합환이 수소 첨가된 환(바람직하게는 완전 수소 첨가된 환); 트리시클로[4.2.2.12,5] 운데칸환 등의 2환계, 3환계, 4환계 등의 가교 탄소환(예를 들면 탄소수 6 내지 20 정도의 가교 탄소환) 등을 들 수 있다. 단환 또는 다환의 방향족환으로서는 벤젠환, 나프탈렌환, 피리딘환, 퀴놀린환 등의 방향족성 탄소환, 방향족성 복소환을 들 수 있다. 이들 중에서도 중합하여 포토레지스트용 수지로서 이용했을 때의 광 투과성 및 내에칭성 등의 측면에서 비방향족성 환이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 다환의 비방향족성 환이고, 특히 바람직하게는 다환의 비방향족성 탄소환(가교 탄소환)이다. 또한, 가교 탄소 환 중에서도 상기 노르보르난환 또는 노르보르넨환을 포함하는 환이나, 다환의 방향족 축합환이 수소 첨가된 환(특히 완전 수소 첨가된 환)이 특히 바람직하다. 따라서, 락톤 골격 이외의 환식 골격으로서는 비방향족성 환식 골격이 바람직하고, 특히 비방향족성 다환식 골격, 그 중에서도 다환의 비방향족성 탄소환식 골격이 바람직하다. The "ring" constituting a cyclic skeleton other than the lactone skeleton includes monocyclic or polycyclic non-aromatic or aromatic rings. As a monocyclic non-aromatic ring, For example, alicyclic rings, such as a cycloalkane ring of about 3 to 15 members, such as a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a cyclooctane ring, and a cyclodecane ring; Non-aromatic heterocycles of about 3 to 15 members, such as a tetrahydrofuran ring, a pyrrolidine ring, a piperidine ring, and a morpholine ring, are mentioned. Examples of the polycyclic nonaromatic ring include adamantane rings; Norbornane rings such as norbornane ring, norbornene ring, bornan ring, isobornane ring, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 .1 7,10 ] dodecane ring Or a ring including a norbornene ring; Rings in which polycyclic aromatic condensed rings such as perhydroindene ring, decalin ring (perhydronaphthalene ring), perhydrofluorene ring (tricyclo [7.4.0.0 3,8 ] tridecane ring), and perhydroanthracene ring are hydrogenated (Preferably fully hydrogenated rings); And cross-linked carbocyclic rings such as tricyclic [4.2.2.1 2,5 ] undecane rings, such as bicyclic, tricyclic, and tetracyclic systems (for example, crosslinked carbocyclic rings having about 6 to 20 carbon atoms). As a monocyclic or polycyclic aromatic ring, aromatic carbocyclic rings and aromatic heterocycles, such as a benzene ring, a naphthalene ring, a pyridine ring, and quinoline ring, are mentioned. Among them, non-aromatic rings are preferable in terms of light transmittance and etch resistance when polymerized and used as a resin for photoresist, more preferably polycyclic non-aromatic rings, and particularly preferably polycyclic non-aromatic rings. It is a sex carbocyclic ring (crosslinked carbocyclic ring). Among the crosslinked carbon rings, the ring containing the norbornane ring or the norbornene ring or the ring in which the polycyclic aromatic condensed ring is hydrogenated (particularly a completely hydrogenated ring) is particularly preferable. Therefore, as a cyclic skeleton other than a lactone skeleton, a non-aromatic cyclic skeleton is preferable, and especially a non-aromatic polycyclic skeleton, especially a polycyclic non-aromatic carbocyclic skeleton is preferable.

상기 락톤 골격 이외의 환식 골격을 구성하는 환은 메틸기 등의 알킬기(예를 들면, C1-4알킬기 등), 트리플루오로메틸기 등의 할로알킬기(예를 들면, C1-4할로알킬기 등), 염소 원자나 불소 원자 등의 할로겐 원자, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 머캅토기, 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기, 보호기로 보호될 수 있는 아미노기, 보호기로 보호될 수 있는 술폰산기 등의 치환기를 가질 수도 있다. 보호기로서는 유기 합성 분야에서 통상 이용되는 보호기를 들 수 있다. Rings constituting a cyclic skeleton other than the lactone skeleton include an alkyl group such as a methyl group (for example, a C 1-4 alkyl group), a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group (for example, a C 1-4 haloalkyl group, and the like), Halogen atoms such as chlorine or fluorine atoms, hydroxyl groups protected by protecting groups, hydroxyalkyl groups protected by protecting groups, mercapto groups protected by protecting groups, carboxyl groups protected by protecting groups, protected by protecting groups It may have a substituent such as an amino group which can be, a sulfonic acid group which can be protected with a protecting group. As a protecting group, the protecting group normally used in the field of organic synthesis is mentioned.

Rd에서의 환식 골격을 포함하는 유기기에는 하기 화학식 2로 표시되는 기가 포함된다. The organic group containing the cyclic skeleton in R d includes a group represented by the following formula (2).

Figure 112006063458499-pct00007
Figure 112006063458499-pct00007

(식 중, A는 연결기를 나타내고, Z1은 환식 골격을 구성하는 환을 나타낸다)(Wherein A represents a linking group and Z 1 represents a ring constituting a cyclic skeleton)

상기 A에서의 연결기로서는, 예를 들면 단일 결합; 메틸렌, 메틸메틸렌, 디 메틸메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 트리메틸렌기 등의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬렌기; 카르보닐기; 산소 원자(에테르 결합; -0-); 옥시카르보닐기(에스테르 결합; -COO-); 아미노카르보닐기(아미드 결합; -CONH-); 및 이들이 복수개 결합된 기 등을 들 수 있다. 바람직한 연결기로는 단일 결합, 직쇄상 또는 분지쇄상의 C1-6알킬렌기(특히, C1-3알킬렌기) 등이 포함된다. 연결기에는 예를 들면, 염소 원자나 불소 원자 등의 할로겐 원자, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 머캅토기, 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기, 보호기로 보호될 수 있는 아미노기, 보호기로 보호될 수 있는 술폰산기 등의 치환기를 가질 수도 있다. 상기 Z1에 있어서의 환식 골격 중 락톤 골격으로서는 상기 화학식 6a 내지 6g로 표시되는 골격을 들 수 있다. 또한, Z1에 있어서의 환식 골격 중, 락톤 골격 이외의 환식 골격을 구성하는 환으로서는 상기에서 예시한 것을 들 수 있다. As a linking group in said A, For example, A single bond; Linear or branched alkylene groups such as methylene, methylmethylene, dimethylmethylene, ethylene, propylene and trimethylene groups; Carbonyl group; Oxygen atom (ether bond; -0-); Oxycarbonyl group (ester bond; -COO-); Aminocarbonyl group (amide bond; -CONH-); And groups in which a plurality of these are bonded to each other. Preferred linking groups include single bonds, straight or branched C 1-6 alkylene groups (particularly C 1-3 alkylene groups) and the like. The linking group may be, for example, a halogen atom such as a chlorine atom or a fluorine atom, a hydroxyl group protected by a protecting group, a hydroxyalkyl group protected by a protecting group, a mercapto group protected by a protecting group, or a protecting group. It may have a substituent such as a carboxyl group, an amino group that can be protected with a protecting group, a sulfonic acid group that can be protected with a protecting group. Examples of the lactone skeleton in the cyclic skeleton in Z 1 include a skeleton represented by the above formulas 6a to 6g. Moreover, what was illustrated above is mentioned as a ring which comprises cyclic skeletons other than a lactone skeleton among the cyclic skeleton in Z <1> .

화학식 1로 표시되는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르 중, 락톤 골격을 포함하는 유기기를 갖는 화합물의 대표적인 예[화학식 2로 표시되는 기를 포함하는 화합물 중, 락톤 골격을 갖는 화합물]로서 이하의 화합물을 들 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. The following compounds are mentioned as a typical example of the compound which has an organic group containing a lactone skeleton among the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester represented by General formula (1) [The compound which has a lactone skeleton among the compounds containing the group represented by Formula 2]. Can be, but is not limited thereto.

[1-1] 1-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-4-옥사트리시클로[4.3.1.13,8]운데칸-5-온[Z1=화학식 6a, A=단일 결합][1-1] 1- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -4- oxatricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecane-5-one [Z 1 = Formula 6a, A = Single Combination]

[1-2] 2-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온[Z1=화학식 6b, A=단일 결합][1-2] 2- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one [Z 1 = Formula 6b, A = Single bond ]

[1-3] 2-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-6-메틸-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온[Z1=화학식 6b, A=단일 결합][1-3] 2- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -6-methyl-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one [Z 1 = Formula 6b, A = single bond]

[1-4] 2-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-6-트리플루오로메틸-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온[Z1=화학식 6b, A=단일 결합][1-4] 2- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -6-trifluoromethyl-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one [Z 1 = Formula 6b, A = single bond]

[1-5] 2-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-9-메틸-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온[Z1=화학식 6b, A=단일 결합][1-5] 2- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -9-methyl-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one [Z 1 = Formula 6b, A = single bond]

[1-6] 6-플루오로-2-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온[Z1=화학식 6b, A=단일 결합][1-6] 6-fluoro-2- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one [Z 1 = Formula 6b , A = single bond]

[1-7] 9-카르복시-2-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온[Z1=화학식 6b, A=단일 결합][1-7] 9-carboxy-2- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one [Z 1 = Formula 6b, A = single bond]

[1-8] 2-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-9-메톡시카르보닐-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온[Z1=화학식 6b, A=단일 결합][1-8] 2- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -9-methoxycarbonyl-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one [Z 1 = Formula 6b, A = single bond]

[1-9] 9-에톡시카르보닐-2-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온[Z1=화학식 6b, A=단일 결합][1-9] 9-ethoxycarbonyl-2- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one [Z 1 = Formula 6b, A = single bond]

[1-10] 9-t-부톡시카르보닐-2-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-4-옥사트리시클로로[4.2.1.03,7]노난-5-온[Z1=화학식 6b, A=단일 결합][1-10] 9-t-butoxycarbonyl-2- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one [ Z 1 = Formula 6b, A = single bond]

[1-11] 2-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-4,8-디옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온[Z1=화학식 6b, A=단일 결합][1-11] 2- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -4,8-dioxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one [Z 1 = Formula 6b, A = Single combination]

[1-12] 4-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-6-옥사비시클로[3.2.1]옥탄-7-온[Z1=화학식 6b, A=단일 결합][1-12] 4- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -6-oxabicyclo [3.2.1] octane-7-one [Z 1 = Formula 6b, A = Single bond]

[1-13] 8-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-4-옥사트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-5-온[Z1=화학식 6c, A=단일 결합][1-13] 8- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -4-oxatricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-5-one [Z 1 = Formula 6c, A = Single bond ]

[1-14] 9-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-4-옥사트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-5-온[Z1=화학식 6c, A=단일 결합][1-14] 9- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -4-oxatricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-5-one [Z 1 = Formula 6c, A = Single bond ]

[1-15] α-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-γ,γ-디메틸-γ-부티로락톤[Z1=화학식 6g, A=단일 결합][1-15] α- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -γ, γ-dimethyl-γ-butyrolactone [Z 1 = Formula 6g, A = Single bond]

[1-16] 3-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-2-옥소-1-옥사스피로[4.5]데칸[Z1=화학식 6g, A=단일 결합][1-16] 3- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -2-oxo-1-oxaspiro [4.5] decane [Z 1 = Formula 6g, A = Single bond]

[1-17] α-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-γ-부티로락톤[Z1=화학식 6g, A=단일 결합][1-17] α- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -γ-butyrolactone [Z 1 = Formula 6g, A = Single bond]

[1-18] α-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-α,γ,γ-트리메틸-γ-부티로락톤[Z1=화학식 6g, A=단일 결합][1-18] α- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -α, γ, γ-trimethyl-γ-butyrolactone [Z 1 = Formula 6g, A = single bond]

[1-19] α-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-β,β-디메틸-γ-부티로락톤[Z1=화학식 6g, A=단일 결합][1-19] α- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -β, β-dimethyl-γ-butyrolactone [Z 1 = Formula 6g, A = Single bond]

[1-20] 하기 화학식 7로 표시되는 화합물[Z1=화학식 6g, A=단일 결합][1-20] A compound represented by the following Formula 7 [Z 1 = Formula 6g, A = Single bond]

Figure 112006063458499-pct00008
Figure 112006063458499-pct00008

[1-21] 3-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]-2-옥소-1-옥사스피로[4.4]노난[Z1=화학식 6g, A=단일 결합][1-21] 3- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] -2-oxo-1-oxaspiro [4.4] nonane [Z 1 = Formula 6g, A = single bond]

화학식 1로 표시되는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르 중, 락톤 골격 이외의 환식 골격을 포함하는 유기기를 갖는 화합물의 대표적인 예[화학식 2로 표시되는 기를 포함하는 화합물 중, 락톤 골격 이외의 환식 골격을 포함하는 유기기를 갖는 화합물]로서 이하의 화합물을 들 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. Representative examples of the compound having an organic group containing a cyclic skeleton other than the lactone skeleton in the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester represented by the formula (1) [In the compound containing a group represented by the formula (2), including a cyclic skeleton other than the lactone skeleton Although the following compounds are mentioned as a compound which has an organic group to make], It is not limited to this.

[1-22] 1-(아다만탄-1-일옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-22] 1- (adamantane-1-yloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-23] 1-(아다만탄-1-일메톡시)에틸(메트)아크릴레이트[1-23] 1- (adamantane-1-ylmethoxy) ethyl (meth) acrylate

[1-24] 1-[2-(아다만탄-1-일)에톡시]에틸(메트)아크릴레이트[1-24] 1- [2- (adamantan-1-yl) ethoxy] ethyl (meth) acrylate

[1-25] 1-[1-(아다만탄-1-일)-1-메틸에톡시]에틸(메트)아크릴레이트[1-25] 1- [1- (adamantan-1-yl) -1-methylethoxy] ethyl (meth) acrylate

[1-26] 1-(2-메틸아다만탄-2-일옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-26] 1- (2-methyladamantan-2-yloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-27] 1-(3-히드록시아다만탄-1-일옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-27] 1- (3-hydroxyadamantane-1-yloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-28] 1-(3,5-디히드록시아다만탄-1-일옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-28] 1- (3,5-dihydroxyadamantan-1-yloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-29] 1-(3-카르복시아다만탄-1-일옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-29] 1- (3-Carboxydamantan-1-yloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-30] 1-(3,5-디카르복시아다만탄-1-일옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-30] 1- (3,5-dicarboxylamantan-1-yloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-31] 1-(노르보르난-2-일옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-31] 1- (norbornane-2-yloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-32] 1-(노르보르난-2-일메톡시)에틸(메트)아크릴레이트[1-32] 1- (norbornane-2-ylmethoxy) ethyl (meth) acrylate

[1-33] 1-(2-메틸노르보르난-2-일옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-33] 1- (2-methylnorbornane-2-yloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-34] 1-[1-(노르보르난-2-일)-1-메틸에톡시]에틸(메트)아크릴레이트[1-34] 1- [1- (Norbornan-2-yl) -1-methylethoxy] ethyl (meth) acrylate

[1-35] 1-(3-히드록시노르보르난-2-일옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-35] 1- (3-hydroxynorbornan-2-yloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-36] 1-(3-히드록시메틸노르보르난-2-일메톡시)에틸(메트)아크릴레이트[1-36] 1- (3-hydroxymethylnorbornane-2-ylmethoxy) ethyl (meth) acrylate

[1-37] 1-(5,6-디히드록시노르보르난-2-일메톡시)에틸(메트)아크릴레이트[1-37] 1- (5,6-dihydroxynorbornan-2-ylmethoxy) ethyl (meth) acrylate

[1-38] 1-(3-메틸노르보르난-2-일메톡시)에틸(메트)아크릴레이트[1-38] 1- (3-methylnorbornane-2-ylmethoxy) ethyl (meth) acrylate

[1-39] 1-(데칼린-1-일옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-39] 1- (decalin-1-yloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-40] 1-(데칼린-2-일옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-40] 1- (Decalin-2-yloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-41] 1-(5-히드록시데칼린-1-일옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-41] 1- (5-hydroxydecalin-1-yloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-42] 8-히드록시메틸-4-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시메틸]트리시클로[5.2.1.02,6]데칸[1-42] 8-hydroxymethyl-4- [1- (meth) acryloyloxyethoxymethyl] tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane

[1-43] 4-히드록시메틸-8-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시메틸]트리시클로[5.2.1.02,6]데칸[1-43] 4-hydroxymethyl-8- [1- (meth) acryloyloxyethoxymethyl] tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane

[1-44] 1-(보르닐옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-44] 1- (Bornyloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-45] 1-(이소보르닐옥시)에틸(메트)아크릴레이트[1-45] 1- (isobornyloxy) ethyl (meth) acrylate

[1-46] 3-카르복시-8-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸[1-46] 3-carboxy-8- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] tetracyclo [4.4.0.1 2,5 .1 7,10 ] dodecane

[1-47] 3-카르복시-9-[1-(메트)아크릴로일옥시에톡시]테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸[1-47] 3-carboxy-9- [1- (meth) acryloyloxyethoxy] tetracyclo [4.4.0.1 2,5 .1 7,10 ] dodecane

화학식 1로 표시되는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르는 예를 들면, 하기 반응식에 나타낸 바와 같이, 화학식 3으로 표시되는 불포화 카르복실산과 화학식 4로 표시되는 비닐 에테르 화합물을 용매 중 또는 무용매하에서 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 생성물인 화학식 5로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 상당한다. The unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester represented by the formula (1) is, for example, by reacting the unsaturated carboxylic acid represented by the formula (3) with the vinyl ether compound represented by the formula (4) in a solvent or in a solvent-free manner, as shown in the following scheme. It can manufacture. The compound represented by the formula (5) as a product corresponds to the compound represented by the formula (1).

Figure 112006063458499-pct00009
Figure 112006063458499-pct00009

(식 중, Ra, Rc, Rd는 상기와 동일. Re, Rf는 각각 수소 원자 또는 탄화수소 기를 나타내고, -CHReRf는 상기 Rb에 상당한다)(Wherein, R a , R c , R d are the same as above. R e , R f each represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and -CHR e R f corresponds to R b above).

상기 반응은 무촉매에서도 진행되지만, 산 촉매를 이용함으로써 반응을 촉진할 수 있다. 산 촉매로서는 특별히 한정되지 않으며, 무기산 및 유기산을 모두 사용할 수 있다. 무기산으로서는, 예를 들면 염산, 황산, 질산, 인산, 붕산 등의 광산; 인 몰리브덴산, 규소 몰리브덴산, 인 텅스텐산, 규소 텅스텐산 등의 헤테로폴리산; 제올라이트 등의 고체 촉매 등을 들 수 있다. 유기산으로서는, 예를 들면 포름산, 아세트산, 트리플루오로아세트산 등의 카르복실산; 메탄술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산, 나프탈렌술폰산 등의 술폰산 등을 들 수 있다. 산 촉매로서 양이온 교환 수지를 이용할 수도 있다. 또한, 루이스산을 이용할 수도 있다. 또한, 상기 산 중, 염을 형성할 수 있는 것은 그 피리디늄염, 암모늄염, 알칼리 금속염, 알칼리 토금속염, 전이 금속염 등을 사용하는 것도 가능하다. 이들 중에서도 목적 화합물의 수율 및 선택율 면에서 특히 인산이 바람직하다. Although the reaction proceeds even without a catalyst, the reaction can be promoted by using an acid catalyst. The acid catalyst is not particularly limited, and both inorganic and organic acids can be used. As an inorganic acid, For example, mineral acids, such as hydrochloric acid, a sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, a boric acid; Heteropolyacids such as phosphorus molybdate, silicon molybdate, phosphorus tungstic acid and silicon tungstic acid; Solid catalysts, such as a zeolite, etc. are mentioned. As an organic acid, For example, carboxylic acids, such as formic acid, acetic acid, and trifluoroacetic acid; And sulfonic acids such as methanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid and naphthalenesulfonic acid. Cation exchange resin can also be used as an acid catalyst. Lewis acids may also be used. It is also possible to use pyridinium salts, ammonium salts, alkali metal salts, alkaline earth metal salts, transition metal salts, and the like, among which the salts can be formed. Among them, phosphoric acid is particularly preferable in terms of yield and selectivity of the target compound.

용매로서는 반응에 불활성인 용매이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 헥산, 옥탄 등의 지방족 탄화수소; 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소; 시클로헥산, 메틸시클로헥산 등의 지환식 탄화수소; 염화메틸렌 등의 할로겐화 탄화수소; 테트라히드로푸란, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 등의 에테르; N,N-디메틸포름아미드 등의 비양성자성 극성 용매 등을 들 수 있다. The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent inert to the reaction, and examples thereof include aliphatic hydrocarbons such as hexane and octane; Aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; Alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane and methylcyclohexane; Halogenated hydrocarbons such as methylene chloride; Ethers such as tetrahydrofuran and ethylene glycol dimethyl ether; Aprotic polar solvents, such as N, N- dimethylformamide, etc. are mentioned.

화학식 3으로 표시되는 불포화 카르복실산의 사용량은 화학식 4로 표시되는 비닐 에테르 화합물 1몰에 대하여 예를 들면 0.5 내지 50몰 정도, 바람직하게는 0.9 내지 10몰 정도이다. 산 촉매의 사용량은 화학식 4로 표시되는 비닐 에테르 화합물 1몰에 대하여 예를 들면 0.0001 내지 1몰 정도, 바람직하게는 0. 001 내지 0.3몰 정도이다. The amount of the unsaturated carboxylic acid represented by the general formula (3) is, for example, about 0.5 to 50 moles, preferably about 0.9 to 10 moles, per 1 mole of the vinyl ether compound represented by the general formula (4). The amount of the acid catalyst used is, for example, about 0.0001 to 1 mol, preferably about 0.01 to 0.3 mol, based on 1 mol of the vinyl ether compound represented by the formula (4).

화학식 4로 표시되는 비닐 에테르 화합물이나 반응 생성물의 중합을 억제하기 위해, 계 내에 4-메톡시페놀 등의 중합 금지제를 소량 첨가하는 것이 바람직하다. 중합 금지제의 첨가량은 화학식 4로 표시되는 비닐 에테르 화합물 1몰에 대하여 예를 들면 0.00001 내지 0.05몰 정도, 바람직하게는 0.0001 내지 0.01몰 정도이다. In order to suppress the polymerization of the vinyl ether compound and the reaction product represented by the formula (4), it is preferable to add a small amount of a polymerization inhibitor such as 4-methoxyphenol in the system. The addition amount of the polymerization inhibitor is, for example, about 0.00001 to 0.05 mole, preferably about 0.0001 to 0.01 mole with respect to 1 mole of the vinyl ether compound represented by the formula (4).

반응 온도는 반응 원료의 종류나 사용하는 촉매의 종류 등에 따라서도 다르지만, 통상적으로 -10 ℃ 내지 100 ℃, 바람직하게는 0 내지 60 ℃ 정도이다. Although reaction temperature changes also with the kind of reaction raw material, the kind of catalyst used, etc., it is usually -10 degreeC-100 degreeC, Preferably it is about 0-60 degreeC.

반응 종료 후, 반응 생성물은 액성 조절, 추출, 농축, 증류, 정석, 재결정, 칼럼 크로마토그래피 등의 분리 수단에 의해 분리 정제할 수 있다. After completion of the reaction, the reaction product can be separated and purified by separation means such as liquid control, extraction, concentration, distillation, crystallization, recrystallization, column chromatography, and the like.

한편, 화학식 1로 표시되는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르 외에, 화학식 1에서 Rb 및 Rc가 모두 수소 원자인 화합물도 포토레지스트용 고분자 화합물의 단량체로서 유용하다. 이 화합물에 대응하는 반복 단위는 고분자 화합물에 있어서 산 이탈성 기능이나 친수성 기능을 발휘한다. 이러한 화합물로서는, 상기 화학식 1로 표시되는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르의 예에 대응하는 화합물(Rb=Rc=H인 화합물) 등을 들 수 있다. On the other hand, in addition to the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester represented by the general formula (1), compounds in which R b and R c are both hydrogen atoms in the general formula (1) are also useful as monomers of the polymer compound for photoresist. The repeating unit corresponding to this compound exhibits an acid leaving function or a hydrophilic function in a high molecular compound. As such a compound, there may be mentioned a compound (R b = R c = H in the compound) or the like corresponding to the examples of the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester of the formula (1).

화학식 1에 있어서 Rb 및 Rc가 모두 수소 원자인 화합물[화학식 B로 표시되는 화합물]은 예를 들면, 하기 반응식에 나타낸 바와 같이, 화학식 3으로 표시되는 불포화 카르복실산과 화학식 A로 표시되는 할로메틸에테르 화합물을 염기의 존재하에서 반응시킴으로써 제조할 수 있다. In Formula 1, a compound in which R b and R c are both hydrogen atoms [compound represented by Formula B] is, for example, an unsaturated carboxylic acid represented by Formula 3 and a halo represented by Formula A, as shown in the following scheme. It can be prepared by reacting a methyl ether compound in the presence of a base.

Figure 112006063458499-pct00010
Figure 112006063458499-pct00010

(식 중, Ra, Rd는 상기와 동일. Y는 할로겐 원자를 나타낸다)(Wherein R a and R d are the same as described above, Y represents a halogen atom)

Y에서의 할로겐 원자로서, 염소, 브롬, 요오드 원자 등을 들 수 있다. 반응은 용매의 존재하 또는 비존재하에서 수행된다. 용매로서는 상기 용매를 사용할 수 있다. 염기로서는, 예를 들면 트리에틸아민, 피리딘 등의 유기 염기, 또는 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨 등의 무기 염기를 사용할 수 있다. 화학식 3으로 표시되는 불포화 카르복실산의 사용량은 화학식 A로 표시되는 할로메틸에테르 화합물 1몰에 대하여 예를 들면 0.5 내지 10몰 정도, 바람직하게는 0.8 내지 2몰 정도이다. 염기의 사용량은 화학식 3으로 표시되는 불포화 카르복실산 1몰에 대하여 예를 들면 1 내지 5몰 정도이고, 대과잉량으로 이용할 수도 있다. 화학식 A로 표시되는 할로메틸에테르 화합물이나 반응 생성물의 중합을 억제하기 위해, 계 내에 4-메톡시페놀 등의 중합 금지제를 소량 첨가할 수도 있다. 반응 온도는 통상적으로 -10 ℃ 내지 100 ℃, 바람직하게는 0 내지 60 ℃ 정도이다. 반응 종료 후, 반응 생성물은 액성 조절, 추출, 농축, 증류, 정석, 재결정, 칼럼 크로마토그래피 등의 분리 수단에 의해 분리 정제할 수 있다. Examples of the halogen atom in Y include chlorine, bromine and iodine atoms. The reaction is carried out in the presence or absence of a solvent. The solvent can be used as the solvent. As a base, organic bases, such as triethylamine and pyridine, or inorganic bases, such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydrogencarbonate, can be used, for example. The amount of the unsaturated carboxylic acid represented by the formula (3) is, for example, about 0.5 to 10 mol, preferably about 0.8 to 2 mol, relative to 1 mol of the halomethyl ether compound represented by the formula (A). The use amount of base is about 1-5 mol with respect to 1 mol of unsaturated carboxylic acids represented by General formula (3), and can also be used in large excess. In order to suppress the polymerization of the halomethyl ether compound and the reaction product represented by the formula (A), a small amount of a polymerization inhibitor such as 4-methoxyphenol may be added to the system. The reaction temperature is usually from -10 deg. C to 100 deg. C, preferably from 0 to 60 deg. After completion of the reaction, the reaction product can be separated and purified by separation means such as liquid control, extraction, concentration, distillation, crystallization, recrystallization, column chromatography, and the like.

상기 화학식 A로 표시되는 할로메틸에테르 화합물은 예를 들면 하기 반응식에 나타난 바와 같이, 화학식 C로 표시되는 히드록시 화합물에 포름알데히드 또는 그 등가물(파라포름알데히드, 1,3,5-트리옥산 등)과 화학식 D로 표시되는 할로겐화수소를 반응시킴으로써 제조할 수 있다. The halomethyl ether compound represented by Chemical Formula A is, for example, formaldehyde or an equivalent thereof (paraformaldehyde, 1,3,5-trioxane, etc.) to the hydroxy compound represented by Chemical Formula C, as shown in the following scheme. It can manufacture by reacting with the hydrogen halide represented by general formula (D).

Figure 112006063458499-pct00011
Figure 112006063458499-pct00011

(식 중, Rd, Y는 상기와 동일)(Wherein R d and Y are the same as above)

화학식 D로 표시되는 할로겐화수소로서는, 예를 들면 염화수소, 브롬화수소 등을 들 수 있다. 반응은 용매의 존재하 또는 비존재하에서 수행된다. 용매로서는 상기 용매를 사용할 수 있다. 포름알데히드 또는 그 등가물의 사용량은 포름알데히드 환산으로, 화학식 C로 표시되는 히드록시 화합물 1몰에 대하여 예를 들면 0.8 내지 10몰 정도, 바람직하게는 1 내지 1.5몰 정도이다. 화학식 D로 표시되는 할로겐화수소의 사용량은 화학식 C로 표시되는 히드록시 화합물 1몰에 대하여 예를 들면 1 내지 5몰 정도이고, 대과잉량으로 이용할 수도 있다. 반응 온도는 통상적으로 -10 ℃ 내지 100℃, 바람직하게는 0 내지 60 ℃ 정도이다. 반응 종료 후, 반응 생성물은 액성 조절, 추출, 농축, 증류, 정석, 재결정, 칼럼 크로마토그래피 등의 분리 수단에 의해 분리 정제할 수 있다. As hydrogen halide represented by general formula (D), hydrogen chloride, hydrogen bromide, etc. are mentioned, for example. The reaction is carried out in the presence or absence of a solvent. The solvent can be used as the solvent. The amount of formaldehyde or its equivalent used is, for example, about 0.8 to 10 moles, preferably about 1 to 1.5 moles, relative to 1 mole of the hydroxy compound represented by the formula (C). The amount of the hydrogen halide represented by the formula (D) is, for example, about 1 to 5 moles with respect to 1 mole of the hydroxy compound represented by the formula (C), and may be used in an excessive amount. The reaction temperature is usually from -10 deg. C to 100 deg. C, preferably from 0 to 60 deg. After completion of the reaction, the reaction product can be separated and purified by separation means such as liquid control, extraction, concentration, distillation, crystallization, recrystallization, column chromatography, and the like.

[고분자 화합물][Polymer compound]

본 발명의 고분자 화합물은 상기 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르에 대응하는 반복 단위(단량체 단위), 즉 화학식 I로 표시되는 단위를 포함하고 있다. 상기 반복 단위는 1종일 수도 있고, 2종 이상일 수도 있다. 이러한 고분자 화합물은 상기 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르를 중합시킴으로써 얻을 수 있다.The high molecular compound of this invention contains the repeating unit (monomer unit) corresponding to the said unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, ie, the unit represented by General formula (I). The repeating unit may be one kind or two or more kinds. Such a high molecular compound can be obtained by polymerizing the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester.

화학식 I로 표시되는 반복 단위는 헤미아세탈 에스테르 구조를 갖기 때문에, 산 이탈성 기능(알칼리 가용성 기능)을 갖는다. 즉, 노광에 의해 광산 발생제로부터 발생하는 산에 의해 에스테르의 알코올 부분(헤미아세탈 부분)이 이탈하여 유리된 카르복실기가 생성되기 때문에, 알칼리 현상액에 의해 가용성이 된다. 또한, 헤미아세탈 에스테르 구조에는 산소 원자가 3개 포함되어 있기 때문에, 종래의 단순한 에스테르 구조(산소 원자를 2개 포함)를 갖는 산 이탈성 유닛보다 친수성이 높고, 레지스트 용매나 알칼리 현상액에 대한 용해성 및 습윤성이 향상된다는 이점이 있다. 또한, 화학식 I로 표시되는 반복 단위가 락톤 골격을 갖는 경우에는 기판 밀착성이 우수하다. 이러한 산 이탈성 기능과 기판 밀착성 기능을 겸비한 반복 단위를 갖는 고분자 화합물은, 종래의 산 이탈성 기능만을 갖는 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물과 비교하여 산 이탈성기의 수를 유지하면서 기판 밀착성기를 대폭 늘릴 수 있기 때문에, 고도의 기판 밀착성을 달성할 수 있는 점, 및 산 이탈성기의 수 및 기판 밀착성기의 수를 유지하면서, 친수성 등 다른 기능을 갖는 반복 단위를 도입함으로써, 산 이탈성, 기판 밀착성과 다른 기능을 함께 충분히 구비할 수 있다는 점에서 우수하다. 또한, 화학식 I에서의 Rd가 다환의 비방향족성 탄소환(가교 탄소환)을 포함하는 기인 경우에는 높은 광 투과성 및 건식 에칭 내성을 나타낸다.Since the repeating unit represented by the formula (I) has a hemiacetal ester structure, it has an acid leaving function (alkali soluble function). That is, since the alcohol part (hemiacetal part) of ester leaves | separates by the acid which generate | occur | produces from a photo-acid generator by exposure, and a free carboxyl group is produced, it becomes soluble by alkaline developing solution. In addition, since the hemiacetal ester structure contains three oxygen atoms, the hydrophilicity is higher than that of a conventional acid ester dissociable unit having a simple ester structure (including two oxygen atoms), and solubility and wettability in a resist solvent or an alkaline developer. This has the advantage of being improved. In addition, when the repeating unit represented by the formula (I) has a lactone skeleton, the substrate adhesion is excellent. The polymer compound having a repeating unit having both an acid leaving function and a substrate adhesion function greatly increases the substrate adhesive group while maintaining the number of acid leaving groups compared with a polymer compound containing a repeating unit having only an acid leaving function. It is possible to achieve high substrate adhesiveness, and by introducing repeating units having other functions such as hydrophilicity while maintaining the number of acid leaving groups and the number of substrate adhesive groups, thereby providing acid leaving properties and substrate adhesion properties. It is excellent in that it can fully provide other functions together. In addition, when R d in the general formula (I) is a group containing a polycyclic non-aromatic carbocyclic ring (crosslinked carbocyclic ring), it exhibits high light transmittance and dry etching resistance.

본 발명의 고분자 화합물은 레지스트로서 요구되는 여러 기능을 충분히 균형적으로 구비하기 때문에, 상기 화학식 I로 표시되는 반복 단위뿐 아니라, 다른 반복 단위를 가질 수도 있다. 이러한 다른 반복 단위는 상기 반복 단위에 대응하는 중합성 불포화 단량체를 상기 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르와 공중합시킴으로써 형성할 수 있다. 상기 다른 반복 단위로서는, 예를 들면 기판 밀착성 및(또는) 친수성 기능을 갖는 반복 단위, 산 이탈성 기능을 높이는 반복 단위, 내에칭성 기능을 높이는 반복 단위, 투명성을 높이는 반복 단위 등을 들 수 있다. 상기 친수성 기능에는 레지스트 용매나 알칼리 현상액에 대한 용해성을 높이는 기능이 포함된다. 또한, 본 발명의 고분자 화합물의 제조시에는 공중합을 원활히 진행시키거나, 공중합체 조성을 균일하게 하기 위해 이용하는 단량체를 공단량체로서 이용할 수도 있다. Since the polymer compound of the present invention has a sufficient balance of various functions required as a resist, not only the repeating unit represented by the above formula (I) but may have other repeating units. Such another repeating unit can be formed by copolymerizing a polymerizable unsaturated monomer corresponding to the repeating unit with the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester. As said other repeating unit, the repeating unit which has a board | substrate adhesiveness and / or a hydrophilic function, the repeating unit which raises an acid leaving property, the repeating unit which raises a etch resistance function, the repeating unit which raises transparency, etc. are mentioned, for example. . The hydrophilic function includes a function of increasing solubility in a resist solvent or an alkaline developer. In the production of the polymer compound of the present invention, a monomer used to smoothly copolymerize or to uniformize the copolymer composition may be used as a comonomer.

기판 밀착성 및(또는) 친수성 기능을 갖는 반복 단위는 극성기를 갖는 중합성 불포화 단량체를 공단량체로서 이용함으로써 중합체에 도입할 수 있다. 상기 극성기로서, 예를 들면, (1) 락톤환 함유기, 카르보닐기, 산 무수물기, 이미드기 등의 기, (2) 보호기를 가질 수도 있는 히드록실기, 보호기를 가질 수도 있는 머캅토기, 보호기를 가질 수도 있는 카르복실기, 보호기를 가질 수도 있는 아미노기, 보호기를 가질 수도 있는 술폰산기 등의 기를 들 수 있다. 또한, 극성기를 갖는 중합성 불포화 단량체로서는 (a) 락톤 골격 함유 단량체, 환상 케톤 골격 함유 단량체, 산 무수물기 함유 단량체, 이미드기 함유 단량체 등의 단량체, (b) 히드록실기 함유 단량체(히드록실기가 보호되어 있는 화합물을 포함), 머캅토기 함유 단량체(머캅토기가 보호되어 있는 화합물을 포함), 카르복실기 함유 단량체(카르복실기가 보호되어 있는 화합물을 포함), 아미노기 함유 단량체(아미노기가 보호되어 있는 화합물을 포함), 술폰산기 함유 단량체(술폰산기가 보호되어 있는 화합물을 포함) 등의 단량체가 예시되고, 각각, 레지스트 분야에서 공지된 화합물을 사용할 수 있다. 이들 단량체는 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 상기 (a)에 속하는 단량체와 (b)에 속하는 단량체를 조합함으로써 균형 잡힌 레지스트 특성을 발현시킬 수 있다.Repeating units having a substrate adhesion and / or a hydrophilic function can be introduced into the polymer by using a polymerizable unsaturated monomer having a polar group as a comonomer. As said polar group, For example, (1) group, such as a lactone ring containing group, a carbonyl group, an acid anhydride group, an imide group, (2) the hydroxyl group which may have a protecting group, the mercapto group which may have a protecting group, and a protecting group Groups, such as the carboxyl group which may have, the amino group which may have a protecting group, and the sulfonic acid group which may have a protecting group are mentioned. Moreover, as a polymerizable unsaturated monomer which has a polar group, (a) lactone frame | skeleton containing monomer, cyclic ketone frame | skeleton containing monomer, monomers, such as an acid anhydride group containing monomer, an imide group containing monomer, (b) hydroxyl group containing monomer (hydroxyl group Mercurto group-containing monomers (including compounds protected by mercapto groups), carboxyl group-containing monomers (including compounds protected by carboxyl groups), amino group-containing monomers (compounds protected by amino groups) Monomers such as a sulfonic acid group-containing monomer (including a compound in which a sulfonic acid group is protected), and compounds known in the resist field can be used. These monomers can be used 1 type or in combination of 2 or more types. For example, a balanced resist characteristic can be expressed by combining the monomer which belongs to said (a), and the monomer which belongs to (b).

산 이탈성 기능을 높이는 반복 단위는 예를 들면, (c) 에스테르를 구성하는 산소 원자의 인접 위치에 제3급 탄소를 갖는 탄화수소기나 2-테트라히드로푸라닐기, 2-테트라히드로피라닐기 등이 결합된 (메트)아크릴산 에스테르 유도체, (d) 에스테르를 구성하는 산소 원자의 인접 위치에 탄화수소기(지환식 탄화수소기, 지방족 탄화수소기, 이들이 결합된 기 등)을 갖고 있고, 또한 상기 탄화수소기에 -COORx기(Rx는 제3급 탄화수소기, 2-테트라히드로푸라닐기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타냄)가 직접 또는 연결기를 통해 결합되어 있는 (메트)아크릴산 에스테르 유도체 등을 공단량체로서 이용함으로써 중합체에 도입할 수 있다. 이러한 (메트)아크 릴산 에스테르 유도체로서는 레지스트 분야에서 공지된 화합물을 사용할 수 있다. The repeating unit for enhancing the acid leaving function is, for example, (c) a hydrocarbon group having a tertiary carbon, a 2-tetrahydrofuranyl group, a 2-tetrahydropyranyl group, or the like bonded to an oxygen atom constituting the ester. A (meth) acrylic acid ester derivative and a hydrocarbon group (alicyclic hydrocarbon group, aliphatic hydrocarbon group, a group to which they are bonded, etc.) adjacent to an oxygen atom constituting the (d) ester, and further -COOR x The polymer is obtained by using a (meth) acrylic acid ester derivative or the like, in which a group (R x represents a tertiary hydrocarbon group, 2-tetrahydrofuranyl group or 2-tetrahydropyranyl group) is bonded directly or through a linking group. Can be introduced in As such a (meth) acrylic acid ester derivative, a compound known in the resist field can be used.

본 발명의 고분자 화합물에 레지스트로서의 여러 기능을 부여하기 위해 사용되는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르 이외의 중합성 불포화 단량체의 대표적인 예로서, 하기 화학식 8a 내지 8g로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 이들은 상기 락톤 골격 함유 단량체 및 환상 케톤 골격 함유 단량체에 상당한다. Representative examples of the polymerizable unsaturated monomers other than the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester used to impart various functions as resists to the polymer compound of the present invention include compounds represented by the following formulas (8a) to (8g). These correspond to the said lactone skeleton containing monomer and cyclic ketone skeleton containing monomer.

Figure 112006063458499-pct00012
Figure 112006063458499-pct00012

(식 중, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. R1 내지 R6, R9 내지 R36, X, V1 내지 V3은 상기와 동일)(Wherein R represents a hydrogen atom or a methyl group. R 1 to R 6 , R 9 to R 36 , X, and V 1 to V 3 are the same as above).

화학식 8a로 표시되는 화합물의 대표적인 예로서 하기 화합물을 들 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. Although the following compound is mentioned as a typical example of a compound represented by General formula (8a), It is not limited to this.

[2-1] 1-(메트)아크릴로일옥시-4-옥소아다만탄(R=H 또는 CH3, R1=R2=R3= H, V1=-CO-, V2=V3=-CH2-)[2-1] 1- (meth) acryloyloxy-4-oxoadamantane (R = H or CH 3 , R 1 = R 2 = R 3 = H, V 1 = -CO-, V 2 = V 3 = -CH 2- )

[2-2] 1-(메트)아크릴로일옥시-4-옥사트리시클로[4.3.1.13,8]운데칸-5-온(R=H 또는 CH3, R1=R2=R3=H, V2=-CO-O-(좌측이 R2가 결합된 탄소 원자측), V1=V3=-CH2-)[2-2] 1- (meth) acryloyloxy-4- oxatricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecane-5-one (R = H or CH 3 , R 1 = R 2 = R 3 = H, V 2 = -CO-O- (left side is the carbon atom side where R 2 is bonded), V 1 = V 3 = -CH 2- )

[2-3] 1-(메트)아크릴로일옥시-4,7-디옥사트리시클로[4.4.1.13,9]도데칸-5,8-디온(R=H 또는 CH3, R1=R2=R3=H, V1=-CO-O-(좌측이 R1가 결합된 탄소 원자측), V2=-CO-O-(좌측이 R2가 결합된 탄소 원자측), V3=-CH2-) [2-3] 1- (meth) acryloyloxy-4,7- dioxatricyclo [4.4.1.1 3,9 ] dodecane-5,8-dione (R = H or CH 3 , R 1 = R 2 = R 3 = H, V 1 = -CO-O- (left side is the carbon atom side to which R 1 is bonded), V 2 = -CO-O- (the left side is the carbon atom side to which R 2 is bonded), V 3 = -CH 2- )

[2-4] 1-(메트)아크릴로일옥시-4,8-디옥사트리시클로[4.4.1.13,9]도데칸-5,7-디온(R=H 또는 CH3, R1=R2=R3=H, V1=-O-CO-(좌측이 R1이 결합된 탄소 원자측), V2=-CO-O-(좌측이 R2가 결합된 탄소 원자측), V3=-CH2-) [2-4] 1- (meth) acryloyloxy-4,8-dioxatricyclo [4.4.1.1 3,9 ] dodecane-5,7-dione (R = H or CH 3 , R 1 = R 2 = R 3 = H, V 1 = -O-CO- (left side is the carbon atom side where R 1 is bonded), V 2 = -CO-O- (left side is the carbon atom side where R 2 is bonded), V 3 = -CH 2- )

[2-5] 1-(메트)아크릴로일옥시-5,7-디옥사트리시클로로[4.4.1.13,9]도데칸-4,8-디온(R=H 또는 CH3, R1=R2=R3=H, V1=-CO-O-(좌측이 R1가 결합된 탄소 원자측), V2=-O-CO-(좌측이 R2가 결합된 탄소 원자측), V3=-CH2-)[2-5] 1- (meth) acryloyloxy-5,7- dioxatricyclo [4.4.1.1 3,9 ] dodecane-4,8-dione (R = H or CH 3 , R 1 = R 2 = R 3 = H, V 1 = -CO-O- (left side is the carbon atom side to which R 1 is bonded), V 2 = -O-CO- (left side is the carbon atom side to which R 2 is bonded) , V 3 = -CH 2- )

화학식 8b로 표시되는 화합물의 대표적인 예로서 하기 화합물을 들 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. Although the following compound is mentioned as a typical example of a compound represented by General formula (8b), It is not limited to this.

[2-6] 2-(메트)아크릴로일옥시-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온(=5-(메트)아크릴로일옥시-2,6-노르보르난카르보락톤)(R=H 또는 CH3, R4=R5=R6=H, X=메틸렌기)[2-6] 2- (meth) acryloyloxy-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one (= 5- (meth) acryloyloxy-2,6-nor Borancarbolactone) (R = H or CH 3 , R 4 = R 5 = R 6 = H, X = methylene group)

[2-7] 2-(메트)아크릴로일옥시-2-메틸-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온(R=H 또는 CH3, R4=CH3, R5=R6=H, X=메틸렌기) [2-7] 2- (meth) acryloyloxy-2-methyl-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one (R = H or CH 3 , R 4 = CH 3 , R 5 = R 6 = H, X = methylene group)

[2-8] 2-(메트)아크릴로일옥시-6-메틸-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온(R=H 또는 CH3, R5=CH3, R4=R6=H, X=메틸렌기) [2-8] 2- (meth) acryloyloxy-6-methyl-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one (R = H or CH 3 , R 5 = CH 3 , R 4 = R 6 = H, X = methylene group)

[2-9] 2-(메트)아크릴로일옥시-9-메틸-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온(R=H 또는 CH3, R6=CH3, R4=R5=H, X=메틸렌기) [2-9] 2- (meth) acryloyloxy-9-methyl-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one (R = H or CH 3 , R 6 = CH 3 , R 4 = R 5 = H, X = methylene group)

[2-10] 2-(메트)아크릴로일옥시-9-카르복시-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온(R=H 또는 CH3, R4=R5=H, R6=COOH, X=메틸렌기) [2-10] 2- (meth) acryloyloxy-9-carboxy-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one (R = H or CH 3 , R 4 = R 5 = H, R 6 = COOH, X = methylene group)

[2-11] 2-(메트)아크릴로일옥시-9-메톡시카르보닐-4-옥사트리시클로 [4.2.1.03,7]노난-5-온(R=H 또는 CH3, R4=R5=H, R6=메톡시카르보닐기, X=메틸렌기)[2-11] 2- (meth) acryloyloxy-9-methoxycarbonyl-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one (R = H or CH 3 , R 4 = R 5 = H, R 6 = methoxycarbonyl group, X = methylene group)

[2-12] 2-(메트)아크릴로일옥시-9-에톡시카르보닐-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온(R=H 또는 CH3, R4=R5=H, R6=에톡시카르보닐기, X=메틸렌기)[2-12] 2- (meth) acryloyloxy-9-ethoxycarbonyl-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one (R = H or CH 3 , R 4 = R 5 = H, R 6 = ethoxycarbonyl group, X = methylene group)

[2-13] 2-(메트)아크릴로일옥시-9-t-부톡시카르보닐-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온(R=H 또는 CH3, R4=R5=H, R6=t-부톡시카르보닐기, X=메틸렌기)[2-13] 2- (meth) acryloyloxy-9-t-butoxycarbonyl-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one (R = H or CH 3 , R 4 = R 5 = H, R 6 = t-butoxycarbonyl group, X = methylene group)

화학식 8c로 표시되는 화합물의 대표적인 예로서 하기 화합물을 들 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. Although the following compound is mentioned as a typical example of a compound represented by General formula (8c), It is not limited to this.

[2-14] 8-(메트)아크릴로일옥시-4-옥사트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-5-온(R=H 또는 CH3) [2-14] 8- (meth) acryloyloxy-4-oxatricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-5-one (R = H or CH 3 )

[2-15] 9-(메트)아크릴로일옥시-4-옥사트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-5-온(R=H 또는 CH3) [2-15] 9- (meth) acryloyloxy-4-oxatricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-5-one (R = H or CH 3 )

화학식 8d로 표시되는 화합물의 대표적인 예로서 하기 화합물을 들 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. Although the following compound is mentioned as a typical example of a compound represented by General formula (8d), It is not limited to this.

[2-16] 4-(메트)아크릴로일옥시-6-옥사비시클로[3.2.1]옥탄-7-온(R=H 또는 CH3, R9=R10=R11=R12=R13=R14=R15=R16=R17=H) [2-16] 4- (meth) acryloyloxy-6-oxabicyclo [3.2.1] octane-7-one (R = H or CH 3 , R 9 = R 10 = R 11 = R 12 = R 13 = R 14 = R 15 = R 16 = R 17 = H)

[2-17] 4-(메트)아크릴로일옥시-4-메틸-6-옥사비시클로[3.2.1]옥탄-7-온(R=H 또는 CH3, R10=R11=R12=R13=R14=R15=R16=R17=H, R9=CH3) [2-17] 4- (meth) acryloyloxy-4-methyl-6-oxabicyclo [3.2.1] octan-7-one (R = H or CH 3 , R 10 = R 11 = R 12 = R 13 = R 14 = R 15 = R 16 = R 17 = H, R 9 = CH 3 )

[2-18] 4-(메트)아크릴로일옥시-5-메틸-6-옥사비시클로[3.2.1]옥탄-7-온(R=H 또는 CH3, R9=R11=R12=R13=R14=R15=R16=R17=H, R10=CH3)[2-18] 4- (meth) acryloyloxy-5-methyl-6-oxabicyclo [3.2.1] octan-7-one (R = H or CH 3 , R 9 = R 11 = R 12 = R 13 = R 14 = R 15 = R 16 = R 17 = H, R 10 = CH 3 )

[2-19] 4-(메트)아크릴로일옥시-4,5-디메틸-6-옥사비시클로[3.2.1]옥탄-7-온(R=H 또는 CH3, R11=R12=R13=R14=R15=R16=R17=H, R9=R10=CH3) [2-19] 4- (meth) acryloyloxy-4,5-dimethyl-6-oxabicyclo [3.2.1] octane-7-one (R = H or CH 3 , R 11 = R 12 = R 13 = R 14 = R 15 = R 16 = R 17 = H, R 9 = R 10 = CH 3 )

화학식 8e로 표시되는 화합물의 대표적인 예로서 하기 화합물을 들 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. Although the following compound is mentioned as a typical example of the compound represented by General formula (8e), It is not limited to this.

[2-20] 6-(메트)아크릴로일옥시-2-옥사비시클로[2.2.2]옥탄-3-온(R=H 또는 CH3, R18=R19=R20=R21=R22=R23=R24=R25=R26=H) [2-20] 6- (meth) acryloyloxy-2-oxabicyclo [2.2.2] octan-3-one (R = H or CH 3 , R 18 = R 19 = R 20 = R 21 = R 22 = R 23 = R 24 = R 25 = R 26 = H)

[2-21] 6-(메트)아크릴로일옥시-6-메틸-2-옥사비시클로[2.2.2]옥탄-3-온(R=H 또는 CH3, R18=R20=R21=R22=R23=R24=R25=R26=H, R19=CH3) [2-21] 6- (meth) acryloyloxy-6-methyl-2-oxabicyclo [2.2.2] octan-3-one (R = H or CH 3 , R 18 = R 20 = R 21 = R 22 = R 23 = R 24 = R 25 = R 26 = H, R 19 = CH 3 )

[2-22] 6-(메트)아크릴로일옥시-1-메틸-2-옥사비시클로[2.2.2]옥탄-3-온(R= H 또는 CH3, R19=R20=R21=R22=R23=R24=R25=R26=H, R18=CH3) [2-22] 6- (meth) acryloyloxy-1-methyl-2-oxabicyclo [2.2.2] octan-3-one (R = H or CH 3 , R 19 = R 20 = R 21 = R 22 = R 23 = R 24 = R 25 = R 26 = H, R 18 = CH 3 )

[2-23] 6-(메트)아크릴로일옥시-1,6-디메틸-2-옥사비시클로[2.2.2]옥탄-3-온(R=H 또는 CH3, R20=R21=R22=R23=R24=R25=R26=H, R18=R19=CH3) [2-23] 6- (meth) acryloyloxy-1,6-dimethyl-2-oxabicyclo [2.2.2] octan-3-one (R = H or CH 3 , R 20 = R 21 = R 22 = R 23 = R 24 = R 25 = R 26 = H, R 18 = R 19 = CH 3 )

화학식 8f로 표시되는 화합물의 대표적인 예로서 하기 화합물을 들 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. Although the following compound is mentioned as a typical example of a compound represented by General formula (8f), It is not limited to this.

[2-24] β-(메트)아크릴로일옥시-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R27=R28=R29=R30=R31=H) [2-24] β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 27 = R 28 = R 29 = R 30 = R 31 = H)

[2-25] β-(메트)아크릴로일옥시-α,α-디메틸-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R27=R28=CH3, R29=R30=R31=H)[2-25] β- (meth) acryloyloxy-α, α-dimethyl-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 27 = R 28 = CH 3 , R 29 = R 30 = R 31 = H)

[2-26] β-(메트)아크릴로일옥시-γ,γ-디메틸-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R30=R31=CH3, R27=R28=R29=H)[2-26] β- (meth) acryloyloxy-γ, γ-dimethyl-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 30 = R 31 = CH 3 , R 27 = R 28 = R 29 = H)

[2-27] β-(메트)아크릴로일옥시-α,α,β-트리메틸-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R27=R28=R29=CH3, R30=R31=H)[2-27] β- (meth) acryloyloxy-α, α, β-trimethyl-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 27 = R 28 = R 29 = CH 3 , R 30 = R 31 = H)

[2-28] β-(메트)아크릴로일옥시-β,γ,γ-트리메틸-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R29=R30=R31=CH3, R27=R28=H) [2-28] β- (meth) acryloyloxy-β, γ, γ-trimethyl-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 29 = R 30 = R 31 = CH 3 , R 27 = R 28 = H)

[2-29] β-(메트)아크릴로일옥시-α,α,β,γ,γ-펜타메틸-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R27=R28=R29=R30=R31=CH3)[2-29] β- (meth) acryloyloxy-α, α, β, γ, γ-pentamethyl-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 27 = R 28 = R 29 = R 30 = R 31 = CH 3 )

화학식 8g로 표시되는 화합물의 대표적인 예로서 하기 화합물을 들 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. Although the following compound is mentioned as a typical example of a compound represented by General formula (8g), It is not limited to this.

[2-30] α-(메트)아크릴로일옥시-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R32=R33=R34=R35=R36=H)[2-30] α- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 32 = R 33 = R 34 = R 35 = R 36 = H)

[2-31] α-(메트)아크릴로일옥시-α-메틸-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R32=CH3, R33=R34=R35=R36=H)[2-31] α- (meth) acryloyloxy-α-methyl-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 32 = CH 3 , R 33 = R 34 = R 35 = R 36 = H)

[2-32] α-(메트)아크릴로일옥시-β,β-디메틸-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R33=R34=CH3, R32=R35=R36=H)[2-32] α- (meth) acryloyloxy-β, β-dimethyl-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 33 = R 34 = CH 3 , R 32 = R 35 = R 36 = H)

[2-33] α-(메트)아크릴로일옥시-α,β,β-트리메틸-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R32=R33=R34=CH3, R35=R36=H)[2-33] α- (meth) acryloyloxy-α, β, β-trimethyl-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 32 = R 33 = R 34 = CH 3 , R 35 = R 36 = H)

[2-34] α-(메트)아크릴로일옥시-γ,γ-디메틸-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R35=R36=CH3, R32=R33=R34=H)[2-34] α- (meth) acryloyloxy-γ, γ-dimethyl-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 35 = R 36 = CH 3 , R 32 = R 33 = R 34 = H)

[2-35] α-(메트)아크릴로일옥시-α,γ,γ-트리메틸-γ-부티로락톤(R=H 또 는 CH3, R32=R35=R36=CH3, R33=R34=H) [2-35] α- (meth) acryloyloxy-α, γ, γ-trimethyl-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 32 = R 35 = R 36 = CH 3 , R 33 = R 34 = H)

[2-36] α-(메트)아크릴로일옥시-β,β,γ,γ-테트라메틸-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R33=R34=R35=R36=CH3, R32=H) [2-36] α- (meth) acryloyloxy-β, β, γ, γ-tetramethyl-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 33 = R 34 = R 35 = R 36 = CH 3 , R 32 = H)

[2-37] α-(메트)아크릴로일옥시-α,β,β,γ,γ-펜타메틸-γ-부티로락톤(R=H 또는 CH3, R32=R33=R34=R35=R36=CH3) [2-37] α- (meth) acryloyloxy-α, β, β, γ, γ-pentamethyl-γ-butyrolactone (R = H or CH 3 , R 32 = R 33 = R 34 = R 35 = R 36 = CH 3 )

본 발명의 고분자 화합물에 레지스트로서의 여러 기능을 부여하기 위해 이용되는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르 이외의 중합성 불포화 단량체의 다른 예로서, 무수 말레산, 말레이미드를 들 수 있다. 이들은 상기 산 무수물기 함유 단량체 및 이미드기 함유 단량체에 상당한다. Maleic anhydride and maleimide are mentioned as another example of the polymerizable unsaturated monomers other than the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester used in order to provide the high molecular compound as a resist to the high molecular compound of this invention. These correspond to the said acid anhydride group containing monomer and imide group containing monomer.

본 발명의 고분자 화합물에 레지스트로서의 여러 기능을 부여하기 위해 이용되는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르 이외의 중합성 불포화 단량체의 다른 대표적인 예로서, 하기 화학식 9로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 이들 화합물은 상기 히드록실기 함유 단량체, 머캅토기 함유 단량체, 카르복실기 함유 단량체, 아미노기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체 및 환상 케톤 골격 함유 단량체에 상당한다. As another representative example of a polymerizable unsaturated monomer other than the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester used to impart various functions as a resist to the polymer compound of the present invention, a compound represented by the following formula (9) may be mentioned. These compounds correspond to the said hydroxyl group containing monomer, a mercapto group containing monomer, a carboxyl group containing monomer, an amino group containing monomer, a sulfonic acid group containing monomer, and a cyclic ketone skeleton containing monomer.

Figure 112006063458499-pct00013
Figure 112006063458499-pct00013

(식 중, 환 Z2는 탄소수 6 내지 20의 지환식 탄화수소환을 나타낸다. R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. R37은 환 Z2에 결합되어 있는 치환기이며, 동일 또는 상이하고, 옥소기, 알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기, 보호기로 보호될 수 있는 아미노기, 또는 보호기로 보호될 수 있는 술폰산기를 나타낸다. 단, n개의 R37 중 적어도 1개는 옥소기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기, 보호기로 보호될 수 있는 아미노기, 또는 보호기로 보호될 수 있는 술폰산기를 나타낸다. n은 1 내지 3의 정수를 나타낸다)(Wherein, ring Z 2 represents an alicyclic hydrocarbon ring having 6 to 20 carbon atoms. R represents a hydrogen atom or a methyl group. R 37 is a substituent bonded to ring Z 2 , the same or different, and an oxo group, An alkyl group, a hydroxyl group which can be protected by a protecting group, a hydroxyalkyl group which can be protected by a protecting group, a carboxyl group which can be protected by a protecting group, an amino group which can be protected by a protecting group, or a sulfonic acid group which can be protected by a protecting group. at least one of n R 37 is an oxo group, a hydroxyl group which may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, a carboxyl group which may be protected with a protecting group, an amino group which may be protected with a protecting group, or A sulfonic acid group which may be protected by a protecting group, n represents an integer of 1 to 3)

환 Z2에 있어서의 탄소수 6 내지 20의 지환식 탄화수소환은 단환일 수도 있고, 축합환이나 가교환 등의 다환일 수도 있다. 대표적인 지환식 탄화수소환으로서, 예를 들면, 시클로헥산환, 시클로옥탄환, 시클로데칸환, 아다만탄환, 노르보르난환, 노르보르넨환, 보르난환, 이소보르난환, 퍼히드로인덴환, 데칼린환, 퍼히드로플루오렌환(트리시클로[7.4.0.03,8]트리데칸환), 퍼히드로안트라센환, 트리시클로 [5.2.1.02,6]데칸환, 트리시클로[4.2.2.12,5]운데칸환, 테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸환 등을 들 수 있다. 지환식 탄화수소환에는 메틸기 등의 알킬기(예를 들면, C1-4알킬기 등), 트리플루오로메틸기 등의 할로알킬기, 불소 원자나 염소 원자 등의 할로겐 원자, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 머캅토기, 옥소기, 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기, 보호기로 보호될 수 있는 아미노기, 보호기로 보호될 수 있는 술폰산기 등의 치환기를 가질 수도 있다.The alicyclic hydrocarbon ring having 6 to 20 carbon atoms in ring Z 2 may be monocyclic or may be polycyclic such as condensed ring or temporary exchange. As typical alicyclic hydrocarbon rings, for example, cyclohexane ring, cyclooctane ring, cyclodecane ring, adamantane ring, norbornane ring, norbornene ring, bornan ring, isobornane ring, perhydroindene ring, decalin ring, Perhydrofluorene ring (tricyclo [7.4.0.0 3,8 ] tridecane ring), perhydroanthracene ring, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring, tricyclo [4.2.2.1 2,5 ] A kan ring, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 .1 7,10 ] dodecane ring, etc. are mentioned. The alicyclic hydrocarbon ring includes an alkyl group such as a methyl group (for example, a C 1-4 alkyl group), a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group, a halogen atom such as a fluorine atom or a chlorine atom, and a hydroxyl group that can be protected with a protecting group. Substituents such as hydroxyalkyl groups which may be protected with protecting groups, mercapto groups which may be protected with protecting groups, oxo groups, carboxyl groups which may be protected with protecting groups, amino groups which may be protected with protecting groups, and sulfonic acid groups which may be protected with protecting groups May have

화학식 9에서, R37에 있어서의 알킬기로서는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 헥실, 옥틸, 데실, 도데실기 등의 직쇄상 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 20 정도의 알킬기를 들 수 있다. 보호기로 보호될 수 있는 아미노기로서는 아미노기, 치환 아미노기(예를 들면, 메틸아미노, 에틸아미노, 프로필아미노기 등의 C1-4알킬아미노기 등) 등을 들 수 있다. 보호기로 보호될 수 있는 술폰산기로서는 -SO3Rz기 등을 들 수 있다. 상기 Rz는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 알킬기로서는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 헥실기 등의 직쇄상 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 6의 알킬기 등을 들 수 있다. R37에 있어서의 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 머캅토기, 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기는 상기와 동일하다.In the formula (9), the alkyl group for R 37 is a linear or branched carbon number such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, hexyl, octyl, decyl or dodecyl group. Alkyl groups of about 1-20 are mentioned. As the amino group which may be protected by a protective group may include an amino group, a substituted amino group (e.g., C 1-4 alkylamino group such as methylamino, ethylamino, propylamino group, etc.), and the like. The sulfonic acid group which can be protected with a protecting group includes -SO 3 R z group and the like. R z represents a hydrogen atom or an alkyl group, and examples of the alkyl group include linear or branched carbon atoms having 1 to 6 carbon atoms such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, and hexyl groups. Alkyl group etc. are mentioned. The hydroxyl group which can be protected by the protecting group for R 37 , the hydroxyalkyl group which can be protected by the protecting group, the mercapto group which can be protected by the protecting group, and the carboxyl group which can be protected by the protecting group are the same as above.

화학식 9로 표시되는 화합물의 대표적인 예로서 하기 화합물을 들 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. Although the following compound is mentioned as a typical example of the compound represented by General formula (9), It is not limited to this.

[3-1] 1-히드록시-3-(메트)아크릴로일옥시아다만탄(R=H 또는 CH3, R37=OH, n=1, Z2=아다만탄환)[3-1] 1-hydroxy-3- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 37 = OH, n = 1, Z 2 = adamantane ring)

[3-2] 1,3-디히드록시-5-(메트)아크릴로일옥시아다만탄(R=H 또는 CH3, R37=OH, n=2, Z2=아다만탄환)[3-2] 1,3-dihydroxy-5- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 37 = OH, n = 2, Z 2 = adamantane ring)

[3-3] 1-카르복시-3-(메트)아크릴로일옥시아다만탄(R=H 또는 CH3, R37=COOH, n=1, Z2=아다만탄환)[3-3] 1-carboxy-3- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 37 = COOH, n = 1, Z 2 = adamantane ring)

[3-4] 1,3-디카르복시-5-(메트)아크릴로일옥시아다만탄(R=H 또는 CH3, R37=COOH, n=2, Z2=아다만탄환)[3-4] 1,3-dicarboxy-5- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 37 = COOH, n = 2, Z 2 = adamantane ring)

[3-5] 1-카르복시-3-히드록시-5-(메트)아크릴로일옥시아다만탄(R=H 또는 CH3, R37=OH, COOH, n=2, Z2=아다만탄환)[3-5] 1-carboxy-3-hydroxy-5- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 37 = OH, COOH, n = 2, Z 2 = adamantane ring )

[3-6] 1-t-부톡시카르보닐-3-(메트)아크릴로일옥시아다만탄(R=H 또는 CH3, R37=t-부톡시카르보닐기, n=1, Z2=아다만탄환)[3-6] 1-t-butoxycarbonyl-3- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 37 = t-butoxycarbonyl group, n = 1, Z 2 = A Just bullet)

[3-7] 1,3-비스(t-부톡시카르보닐)-5-(메트)아크릴로일옥시아다만탄[R=H 또는 CH3, R37=t-부톡시카르보닐기, n=2, Z2=아다만탄환][3-7] 1,3-bis (t-butoxycarbonyl) -5- (meth) acryloyloxyadamantane [R = H or CH 3 , R 37 = t-butoxycarbonyl group, n = 2 , Z 2 = adamantane]

[3-8] 1-t-부톡시카르보닐-3-히드록시-5-(메트)아크릴로일옥시아다만탄(R=H 또는 CH3, R37=OH, t-부톡시카르보닐기, n=2, Z2=아다만탄환)[3-8] 1-t-butoxycarbonyl-3-hydroxy-5- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 37 = OH, t-butoxycarbonyl group, n = 2, Z 2 = adamantane ring)

[3-9] 1-(2-테트라히드로피라닐옥시카르보닐)-3-(메트)아크릴로일옥시아다만탄(R=H 또는 CH3, R37=2-테트라히드로피라닐옥시카르보닐기, n=1, Z2=아다만탄환)[3-9] 1- (2-tetrahydropyranyloxycarbonyl) -3- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 37 = 2-tetrahydropyranyloxycarbonyl group, n = 1, Z 2 = adamantane ring)

[3-10] 1,3-비스(2-테트라히드로피라닐옥시카르보닐)-5-(메트)아크릴로일옥시아다만탄(R=H 또는 CH3, R37=2-테트라히드로피라닐옥시카르보닐기, n=2, Z2=아다만탄환)[3-10] 1,3-bis (2-tetrahydropyranyloxycarbonyl) -5- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 37 = 2-tetrahydropyranyl Oxycarbonyl group, n = 2, Z 2 = adamantane ring)

[3-11] 1-히드록시-3-(2-테트라히드로피라닐옥시카르보닐)-5-(메트)아크릴로일옥시아다만탄(R=H 또는 CH3, R37=OH, 2-테트라히드로피라닐옥시카르보닐기, n=2, Z2=아다만탄환)[3-11] 1-hydroxy-3- (2-tetrahydropyranyloxycarbonyl) -5- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 37 = OH, 2- tetrahydropyranyl oxy group, n = 2, Z 2 = adamantyl bullet)

또한, 상기 카르복실기 함유 단량체로서, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산 등을 사용할 수도 있다.Moreover, acrylic acid, methacrylic acid, etc. can also be used as said carboxyl group-containing monomer.

고분자 화합물의 산 이탈성 기능을 높이기 위해 이용되는 중합성 불포화단량체의 대표적인 예로서, 예를 들면 1-[1-(메트)아크릴로일옥시-1-메틸에틸]아다만탄, 2-(메트)아크릴로일옥시-2-메틸아다만탄, 2-(메트)아크릴로일옥시-2-에틸아다만탄, 2-[1-(메트)아크릴로일옥시-1-메틸에틸]노르보르난, 2-(메트)아크릴로일옥시-2-메틸노르보르난, 1-[1-(메트)아크릴로일옥시-1-메틸에틸]시클로헥산, 1-(메트)아크릴로일옥시-1-메틸시클로헥산, 3-[1-(메트)아크릴로일옥시-1-메틸에틸]테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸, (메트)아크릴산 t-부틸, 1-(t-부톡시카르보닐)-3-(메트)아크릴로일옥시아다만탄, 2-(t-부톡시카르보닐)-5 또는 6-(메트)아크릴로일옥시노르보르난, 및 이들 유연체(메틸기 대신에 에틸기 등의 다른 알킬기나 트리플루오로메틸기 등의 할로알킬기가 결합되어 있는 화합물 등) 등을 들 수 있다. Representative examples of the polymerizable unsaturated monomers used to enhance the acid leaving function of the polymer compound include, for example, 1- [1- (meth) acryloyloxy-1-methylethyl] adamantane, 2- (meth ) Acryloyloxy-2-methyladamantane, 2- (meth) acryloyloxy-2-ethyladamantane, 2- [1- (meth) acryloyloxy-1-methylethyl] norbor Egg, 2- (meth) acryloyloxy-2-methylnorbornane, 1- [1- (meth) acryloyloxy-1-methylethyl] cyclohexane, 1- (meth) acryloyloxy- 1-methylcyclohexane, 3- [1- (meth) acryloyloxy-1-methylethyl] tetracyclo [4.4.0.1 2,5 .1 7,10 ] dodecane, t-butyl (meth) acrylate, 1- (t-butoxycarbonyl) -3- (meth) acryloyloxyadamantane, 2- (t-butoxycarbonyl) -5 or 6- (meth) acryloyloxynorbornan, and These flexible bodies (instead of methyl groups, other alkyl groups such as ethyl groups or haloalkyl groups such as trifluoromethyl groups That may be mentioned compounds, etc.), and the like.

한편, 상기 화학식 8a 내지 8g, 9로 표시되는 각 단량체에 있어서의 (메트)아크릴로일옥시기를 비닐기(1-메틸비닐기, 크로틸기 등의 치환기를 갖는 비닐기를 포함)로 치환한 대응하는 비닐 에테르 화합물을 본 발명의 고분자 화합물의 단량체 성분으로서 이용할 수도 있다. On the other hand, the corresponding (meth) acryloyloxy group in each monomer represented by the above formulas (8a) to (8g) and (9) is substituted with a vinyl group (including vinyl groups having substituents such as 1-methylvinyl group and crotyl group). A vinyl ether compound can also be used as a monomer component of the high molecular compound of this invention.

본 발명의 고분자 화합물에 있어서, 화학식 I로 표시되는 반복 단위의 비율은 특별히 한정되지 않지만, 중합체를 구성하는 전체 단량체 단위에 대하여 일반적으로는 1 내지 100몰%, 바람직하게는 10 내지 90몰%, 더욱 바람직하게는 30 내지 80몰% 정도이다. 락톤 골격 함유 단량체, 환상 케톤 골격 함유 단량체, 산 무수물기 함유 단량체 및 이미드기 함유 단량체에서 선택된 1종 이상의 단량체에 대응 하는 반복 단위[화학식 I로 표시되는 반복 단위를 제외함]의 비율은 0 내지 95몰%, 바람직하게는 0 내지 60몰%, 더욱 바람직하게는 10 내지 40몰% 정도이다. 히드록실기 함유 단량체, 머캅토기 함유 단량체 및 카르복실기 함유 단량체에서 선택된 1종 이상의 단량체에 대응하는 반복 단위의 비율은 0 내지 95몰%, 바람직하게는 5 내지 90몰%, 더욱 바람직하게는 10 내지 50몰% 정도이다. In the polymer compound of the present invention, the ratio of the repeating unit represented by the formula (I) is not particularly limited, but is generally 1 to 100 mol%, preferably 10 to 90 mol%, based on the total monomer units constituting the polymer, More preferably, it is about 30-80 mol%. The ratio of repeating units (except for repeating units represented by Formula I) corresponding to at least one monomer selected from lactone skeleton-containing monomers, cyclic ketone skeleton-containing monomers, acid anhydride group-containing monomers and imide group-containing monomers is 0 to 95. It is mol%, Preferably it is 0-60 mol%, More preferably, it is about 10-40 mol%. The proportion of the repeating unit corresponding to at least one monomer selected from the hydroxyl group-containing monomer, the mercapto group-containing monomer and the carboxyl group-containing monomer is 0 to 95 mol%, preferably 5 to 90 mol%, more preferably 10 to 50 It is about mol%.

본 발명의 고분자 화합물을 수득함에 있어서, 단량체 혼합물의 중합은 용액 중합, 괴상 중합, 현탁 중합, 괴상-현탁 중합, 유화 중합 등, 아크릴계 중합체 등을 제조할 때에 이용하는 관용되는 방법에 의해 수행할 수 있지만, 특히, 용액 중합이 바람직하다. 또한, 용액 중합 중에서도 적하 중합이 바람직하다. 적하 중합은 구체적으로는 예를 들면, (i) 미리 유기 용매에 용해한 단량체 용액과, 유기 용매에 용해한 중합 개시제 용액을 각각 제조하고, 일정 온도로 유지한 유기 용매 중에 상기 단량체 용액과 중합 개시제 용액을 각각 적하하는 방법, (ii) 단량체와 중합 개시제를 유기 용매에 용해한 혼합 용액을, 일정 온도로 유지한 유기 용매 중에 적하하는 방법, (iii) 미리 유기 용매에 용해한 단량체 용액과, 유기 용매에 용해한 중합 개시제 용액을 각각 제조하고, 일정 온도로 유지한 상기 단량체 용액 중에 중합 개시제 용액을 적하하는 방법 등의 방법에 의해 수행된다.In obtaining the polymer compound of the present invention, the polymerization of the monomer mixture can be carried out by conventional methods used for producing acrylic polymers, such as solution polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization, block-suspension polymerization, emulsion polymerization, and the like. In particular, solution polymerization is preferred. Moreover, dripping polymerization is preferable also in solution polymerization. Specifically, the dropping polymerization is, for example, (i) preparing a monomer solution previously dissolved in an organic solvent and a polymerization initiator solution dissolved in an organic solvent, respectively, and the monomer solution and the polymerization initiator solution in an organic solvent maintained at a constant temperature. Method to drop each, (ii) Method to drop the mixed solution which melt | dissolved the monomer and the polymerization initiator in the organic solvent in the organic solvent hold | maintained at constant temperature, (iii) The monomer solution melt | dissolved in the organic solvent previously, and the polymerization melt | dissolved in the organic solvent. Each initiator solution is prepared and carried out by a method such as dropping a polymerization initiator solution into the monomer solution maintained at a constant temperature.

중합 용매로서는 공지된 용매를 사용할 수 있고, 예를 들면, 에테르(디에틸에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 등 글리콜 에테르류 등의 쇄상 에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 환상 에테르 등), 에스테르(아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 락트산에틸, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 등의 글리콜 에테르 에스테르류 등), 케톤(아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등), 아미드(N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 등), 술폭시드(디메틸술폭시드 등), 알코올(메탄올, 에탄올, 프로판올 등), 탄화수소(벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소, 헥산 등의 지방족 탄화수소, 시클로헥산 등의 지환식 탄화수소 등), 이들 혼합 용매 등을 들 수 있다. 또한, 중합 개시제로서 공지된 중합 개시제를 사용할 수 있다. 중합 온도는 예를 들면 30 내지 150 ℃ 정도의 범위에서 적절히 선택할 수 있다. As a polymerization solvent, a well-known solvent can be used, For example, ether (chain ether, such as glycol ethers, such as diethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, cyclic ether, such as tetrahydrofuran, dioxane, etc.), ester ( Glycol ether esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and the like), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, etc.), amides (N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, etc.), sulfoxide (dimethyl sulfoxide, etc.), alcohol (methanol, ethanol, propanol, etc.), hydrocarbons (aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, hexane, etc.) Alicyclic hydrocarbons such as aliphatic hydrocarbons and cyclohexane); and mixed solvents thereof. Moreover, a well-known polymerization initiator can be used as a polymerization initiator. Polymerization temperature can be suitably selected, for example in the range of about 30-150 degreeC.

중합에 의해 얻어진 중합체는 침전 또는 재침전에 의해 정제할 수 있다. 침전 또는 재침전 용매는 유기 용매 및 물 중 어느 하나일 수 있고, 또한 혼합 용매일 수도 있다. 침전 또는 재침전 용매로서 이용하는 유기 용매로서, 예를 들면, 탄화수소(펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄 등의 지방족 탄화수소; 시클로헥산, 메틸시클로헥산 등의 지환식 탄화수소; 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소), 할로겐화 탄화수소(염화메틸렌, 클로로포름, 사염화탄소 등의 할로겐화 지방족 탄화수소; 클로로벤젠, 디클로로벤젠 등의 할로겐화 방향족 탄화수소 등), 니트로 화합물(니트로메탄, 니트로에탄 등), 니트릴(아세토니트릴, 벤조니트릴 등), 에테르(디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디메톡시에탄 등의 쇄상 에테르; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 환상 에테르), 케톤(아세톤, 메틸에틸케톤, 디이소부틸케톤 등), 에스테르(아세트산에틸, 아세트산부틸 등), 카르보네이트(디메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트, 에틸렌카르보네이트, 프로필렌카르보네이트 등), 알코올(메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로필알코올, 부탄올 등), 카르복실산(아세트산 등), 이들 용매를 포함하는 혼합 용매 등을 들 수 있다. The polymer obtained by polymerization can be purified by precipitation or reprecipitation. The precipitation or reprecipitation solvent can be either an organic solvent or water, and can also be a mixed solvent. As an organic solvent used as a precipitation or reprecipitation solvent, For example, hydrocarbon (aliphatic hydrocarbons, such as pentane, hexane, heptane, octane; alicyclic hydrocarbons, such as cyclohexane and methylcyclohexane; aromatic hydrocarbons, such as benzene, toluene, and xylene) ), Halogenated hydrocarbons (halogenated aliphatic hydrocarbons such as methylene chloride, chloroform, carbon tetrachloride; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene and dichlorobenzene), nitro compounds (nitromethane, nitroethane, etc.), nitrile (acetonitrile, benzonitrile, etc.) , Ethers (chain ethers such as diethyl ether, diisopropyl ether, dimethoxyethane; cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, diisobutyl ketone, etc.), esters (acetic acid) Ethyl, butyl acetate, etc.), carbonate (dimethyl carbonate, diethyl carbonate, ethylene carbonate There may be mentioned propylene carbonate, and the like), alcohols (methanol, ethanol, propanol, isopropyl alcohol, butanol, etc.), carboxylic acids (acetic acid, etc.), mixed solvents containing these solvents.

그 중에서도 상기 침전 또는 재침전 용매로서 이용하는 유기 용매로서, 적어도 탄화수소(특히, 헥산 등의 지방족 탄화수소)를 포함하는 용매가 바람직하다. 이러한 적어도 탄화수소를 포함하는 용매에 있어서, 탄화수소(예를 들면, 헥산 등의 지방족 탄화수소) 와 다른 용매의 비율은 예를 들면 전자/후자(부피비; 25 ℃)=10/90 내지 99/1, 바람직하게는 전자/후자(부피비; 25 ℃)=30/70 내지 98/2, 더욱 바람직하게는 전자/후자(부피비; 25 ℃)=50/50 내지 97/3 정도이다. Especially, as an organic solvent used as said precipitation or reprecipitation solvent, the solvent containing at least a hydrocarbon (especially aliphatic hydrocarbons, such as hexane), is preferable. In the solvent containing at least such a hydrocarbon, the ratio of the hydrocarbon (for example, aliphatic hydrocarbon such as hexane) and other solvent is, for example, the former / the latter (volume ratio; 25 ° C.) = 10/90 to 99/1, preferably Preferably, the former / the latter (volume ratio; 25 ° C.) = 30/70 to 98/2, and more preferably the former / the latter (volume ratio; 25 ° C.) = 50/50 to 97/3.

본 발명의 포토레지스트용 수지 조성물은 상기 본 발명의 고분자 화합물과 광산 발생제를 포함하고 있다.The resin composition for photoresists of the present invention contains the polymer compound of the present invention and a photoacid generator.

광산 발생제로서는 노광에 의해 효율적으로 산을 생성하는 관용 내지 공지된 화합물, 예를 들면 디아조늄염, 요오도늄염(예를 들면, 디페닐요오도헥사플루오로포스페이트 등), 술포늄염(예를 들면, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 트리페닐술포늄메탄술포네이트 등), 술폰산 에스테르[예를 들면, 1-페닐-1-(4-메틸페닐)술포닐옥시-1-벤조일메탄, 1,2,3-트리술포닐옥시메틸벤젠, 1,3-디니트로-2-(4-페닐술포닐옥시메틸)벤젠, 1-페닐-1-(4-메틸페닐술포닐옥시메틸)-1-히드록시-1-벤조일메탄 등], 옥사티아졸 유도체, s-트리아진 유도체, 디술폰 유도체(디페닐디술폰 등), 이미드 화합물, 옥심 술포네이트, 디아조나프토퀴논, 벤조인 토실레이트 등을 사용할 수 있다. 이들 광산 발생제는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. As the photoacid generator, conventional or known compounds which efficiently generate an acid by exposure, for example, diazonium salt, iodonium salt (for example, diphenyliodohexafluorophosphate, etc.), sulfonium salt (for example, For example, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium hexafluorophosphate, triphenylsulfonium methanesulfonate, etc.), sulfonic acid ester [for example, 1-phenyl-1- (4-methylphenyl) Sulfonyloxy-1-benzoylmethane, 1,2,3-trisulfonyloxymethylbenzene, 1,3-dinitro-2- (4-phenylsulfonyloxymethyl) benzene, 1-phenyl-1- (4 -Methylphenylsulfonyloxymethyl) -1-hydroxy-1-benzoylmethane and the like], oxatizol derivatives, s-triazine derivatives, disulfone derivatives (such as diphenyldisulfone), imide compounds, oxime sulfonates, Diazonaptoquinone, benzoin tosylate, etc. can be used. These photo-acid generators can be used individually or in combination of 2 or more types.

광산 발생제의 사용량은 광 조사에 의해 생성되는 산의 강도나 상기 고분자 화합물에 있어서의 각 단량체 단위(반복 단위)의 비율 등에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면, 상기 고분자 화합물 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부, 바람직하게는 1 내지 25 중량부, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 중량부 정도의 범위에서 선택할 수 있다. The amount of the photoacid generator can be appropriately selected according to the strength of the acid generated by light irradiation, the ratio of each monomer unit (repeated unit) in the polymer compound, and the like, for example, to 100 parts by weight of the polymer compound. 0.1-30 weight part, Preferably it is 1-25 weight part, More preferably, it can select from the range of about 2-20 weight part.

포토레지스트용 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지(예를 들면 노볼락 수지, 페놀 수지, 이미드 수지, 카르복실기 함유 수지 등) 등의 알칼리 가용 성분, 착색제(예를 들면, 염료 등), 유기 용매(예를 들면, 탄화수소류, 할로겐화 탄화수소류, 알코올류, 에스테르류, 아미드류, 케톤류, 에테르류, 셀로솔브류, 카르비톨류, 글리콜 에테르 에스테르류, 이들 혼합 용매 등) 등을 포함할 수 있다. Resin compositions for photoresists include alkali-soluble components such as alkali-soluble resins (e.g., novolak resins, phenol resins, imide resins, carboxyl group-containing resins, etc.), colorants (e.g., dyes), organic solvents (e.g. For example, hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, alcohols, esters, amides, ketones, ethers, cellosolves, carbitols, glycol ether esters, these mixed solvents, and the like) may be included.

이 포토레지스트용 수지 조성물을 기재 또는 기판 상에 도포하고, 건조한 후, 소정 마스크를 통해 도막(레지스트막)에 광선을 노광하여(또는 추가로 노광 후 소성을 수행하여) 잠상 패턴을 형성하고, 이어서 현상함으로써, 미세한 패턴을 높은 정밀도로 형성할 수 있다. The resin composition for photoresist is applied onto a substrate or a substrate, dried, and then exposed to light (or further post-exposure bake) on a coating film (resist film) through a predetermined mask to form a latent image pattern. By developing, a fine pattern can be formed with high precision.

기재 또는 기판으로서는 실리콘 웨이퍼, 금속, 플라스틱, 유리, 세라믹 등을 들 수 있다. 포토레지스트용 수지 조성물의 도포는 스핀 코터, 딥 코터, 롤러 코터 등의 관용되는 도포 수단을 이용하여 수행할 수 있다. 도막의 두께는 예를 들면 0.01 내지 20 ㎛, 바람직하게는 0.05 내지 2 ㎛ 정도이다. Examples of the substrate or substrate include silicon wafers, metals, plastics, glass, ceramics, and the like. Application of the resin composition for photoresist can be performed using conventional coating means, such as a spin coater, a dip coater, and a roller coater. The thickness of a coating film is 0.01-20 micrometers, Preferably it is about 0.05-2 micrometers.

노광에는 다양한 파장의 광선, 예를 들면 자외선, X선 등을 이용할 수 있고, 반도체 레지스트용으로서는 통상적으로 g선, i선, 엑시머 레이저(예를 들면, XeCl, KrF, KrCl, ArF, ArCl, F2, Kr2, KrAr, Ar2 등) 등이 사용된다. 노광에너지는 예를 들면 0.1 내지 1000 mJ/㎠ 정도이다.Light of various wavelengths, for example, ultraviolet rays, X-rays, and the like can be used for exposure, and g-rays, i-rays, and excimer lasers (for example, XeCl, KrF, KrCl, ArF, ArCl, F) are generally used for semiconductor resists. 2 , Kr 2 , KrAr, Ar 2, etc.) may be used. Exposure energy is about 0.1-1000 mJ / cm <2>, for example.

광 조사에 의해 광산 발생제로부터 산이 생성되고, 이 산에 의해, 예를 들면 상기 고분자 화합물의 산 이탈성기를 갖는 단량체 단위(알칼리 가용성 유닛)의 카르복실기 등의 보호기(이탈성기)가 빠르게 이탈하여, 가용화에 기여하는 카르복실기 등이 생성된다. 그 때문에, 물 또는 알칼리 현상액에 의한 현상에 의해 소정 패턴을 정밀도 좋게 형성할 수 있다.An acid is produced | generated from a photo-acid generator by light irradiation, and by this acid, protecting groups, such as a carboxyl group of the monomeric unit (alkali-soluble unit) which has an acid leaving group of the said high molecular compound, (e.g. The carboxyl group etc. which contribute to solubilization are produced | generated. Therefore, a predetermined pattern can be formed with high precision by image development by water or an alkaline developing solution.

이하에 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. The present invention will be described in more detail based on Examples below, but the present invention is not limited to these Examples.

제조예 1Preparation Example 1

하기 화학식 10으로 표시되는 2-비닐옥시-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온 21.3 g(0.118 mol), 메타크릴산 50.8 g(0.59 mol), 인산 120 mg(12 mmol), 4-메톡시페놀 15 mg(0.12 mmol), 톨루엔 210 ml의 혼합물을 사구 플라스크에 넣고, 질소 분위기하, 20 ℃에서 6 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 반응액을 10 중량% 탄산나트륨 수용액 200 ml로 2회, 10 중량% 식염수 200 ml로 1회 세정하고, 유기층을 감압 농축하였다. 농축물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여 하기 화학식 12로 표시되는 2-(1-메타크릴로일옥시에톡시)-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온 25.5 g(96 mmol, 수율 81%)을 얻었다. 이 물질은 두 이성체의 혼합물 로, 존재비는 약 1:1였다. 한편, 화학식 10으로 표시되는 2-비닐옥시-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온은 하기 화학식 11로 표시되는 2-히드록시-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온과 프로피온산비닐로부터, 일본 특허 공개 제2003-73321호 공보에 기재된 방법을 이용하여 합성하고, 증류 정제한 것을 이용하였다. 21.3 g (0.118 mol) of 2-vinyloxy-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one represented by the following formula (10), methacrylic acid 50.8 g (0.59 mol), phosphoric acid 120 mg ( 12 mmol), a mixture of 15 mg (0.12 mmol) of 4-methoxyphenol, and 210 ml of toluene were put into a four-necked flask and stirred at 20 ° C. for 6 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the reaction solution was washed twice with 200 ml of 10 wt% aqueous sodium carbonate solution and once with 200 ml of 10 wt% saline, and the organic layer was concentrated under reduced pressure. The concentrate was purified by silica gel column chromatography to give 2- (1-methacryloyloxyethoxy) -4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one 25.5 represented by the following formula (12): g (96 mmol, yield 81%) was obtained. This material is a mixture of two isomers with an abundance ratio of about 1: 1. On the other hand, 2-vinyloxy-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one represented by the formula (10) is 2-hydroxy-4-oxatricyclo [4.2. 1.0 3,7 ] The nonan-5-one and vinyl propionate were synthesize | combined using the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-73321, and the distillation refine | purified was used.

Figure 112006063458499-pct00014
Figure 112006063458499-pct00014

Figure 112006063458499-pct00015
Figure 112006063458499-pct00015

Figure 112006063458499-pct00016
Figure 112006063458499-pct00016

[2-(1-메타크릴로일옥시에톡시)-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온의 스펙트럼 데이타][Spectral data of 2- (1-methacryloyloxyethoxy) -4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one]

1H-NMR(CDCl3) δ: 1.40-1.44(m, 3H), 1.56-1.63(m, 2H), 1.95(s, 3H), 1.97-2.08(m, 2H), 3.13-3.16(m, 1H), 3.59(m, 0.5H), 3.67(m, 0.5H), 4.49(d, 0.5H), 4.57(d, 0.5H), 5.62(m, 1H), 6.05(m, 1H), 6.14(m, 1H) 1 H-NMR (CDCl 3 ) δ: 1.40-1.44 (m, 3H), 1.56-1.63 (m, 2H), 1.95 (s, 3H), 1.97-2.08 (m, 2H), 3.13-3.16 (m, 1H), 3.59 (m, 0.5H), 3.67 (m, 0.5H), 4.49 (d, 0.5H), 4.57 (d, 0.5H), 5.62 (m, 1H), 6.05 (m, 1H), 6.14 (m, 1 H)

제조예 2Production Example 2

딘스탁(Dean-Stark) 장치, 온도계를 구비한 반응 용기에 하기 화학식 13으로 표시되는 3-히드록시-1-옥사스피로[4.5]데칸-2-온 85 g(500 mmol), 탄산나트륨 31.8 g(300 mmol), 톨루엔 600 ml를 넣고, 질소 분위기하에서 교반하면서 100 ℃로 가열하였다. 반응 용기에 Ir2Cl2(C8H12)2[디-μ-클로로비스(1,5-시클로옥타디엔)2이리듐(I)] 3.36 g(5 mmol)을 넣고, 추가로 프로피온산비닐 100 g(1 mol)을 2 시간에 걸쳐 적하하면서 가열 환류시킴으로써, 공비 탈수하면서 반응시켰다. 적하 종료 후, 추가로 3 시간 반응을 계속하였다. 반응 종료 후, 반응액을 방냉하고, 700 ml의 물로 세정하고, 감압 농축하였다. 농축 잔사를 증류 정제하고, 하기 화학식 14로 표시되는 3-히드록시-1-옥사스피로[4.5]데칸-2-온의 무색 투명 액체 22.5 g(114 mmol, 23%)을 얻었다. 한편, 화학식 13으로 표시되는 3-히드록시-1-옥사스피로[4.5]데칸-2-온은 시클로헥산올과 아크릴산메틸로부터, 문헌 [Chem. Commun., 7, 613-614(2000)]에 기재된 방법에 의해 합성하고, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제한 것을 이용하였다.85 g (500 mmol) of 3-hydroxy-1-oxaspiro [4.5] decan-2-one represented by the following Chemical Formula 13 in a reaction vessel equipped with a Dean-Stark apparatus and a thermometer, and 31.8 g of sodium carbonate ( 300 mmol) and 600 ml of toluene were added thereto, and the mixture was heated to 100 ° C. while stirring under a nitrogen atmosphere. 3.36 g (5 mmol) of Ir 2 Cl 2 (C 8 H 12 ) 2 [di-μ-chlorobis (1,5-cyclooctadiene) 2iridium (I)] was added to the reaction vessel, followed by further addition of vinyl propionate 100 The reaction was carried out while azeotropic dehydration by heating and refluxing g (1 mol) dropwise over 2 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction was continued for 3 hours. After the reaction was completed, the reaction solution was allowed to cool, washed with 700 ml of water, and concentrated under reduced pressure. The concentrated residue was distilled and purified to obtain 22.5 g (114 mmol, 23%) of a colorless transparent liquid of 3-hydroxy-1-oxaspiro [4.5] decane-2-one represented by the following formula (14). On the other hand, 3-hydroxy-1-oxaspiro [4.5] decan-2-one represented by the formula (13) is selected from cyclohexanol and methyl acrylate, which are described in Chem. Commun., 7, 613-614 (2000)] and synthesized by the method described in silica gel column chromatography were used.

Figure 112006063458499-pct00017
Figure 112006063458499-pct00017

Figure 112006063458499-pct00018
Figure 112006063458499-pct00018

[3-비닐옥시-1-옥사스피로[4.5]데칸-2-온의 스펙트럼 데이터][Spectral data of 3-vinyloxy-1-oxaspiro [4.5] decan-2-one]

1H-NMR(CDCl3) δ: 1.35-1.89(m, 10H), 2.04(dd, 1H), 2.50(dd, 1H), 4.20 (dd, 1H), 4.42(dd, 1H), 4.65(t, 1H), 6.48(q, 1H) 1 H-NMR (CDCl 3 ) δ: 1.35-1.89 (m, 10H), 2.04 (dd, 1H), 2.50 (dd, 1H), 4.20 (dd, 1H), 4.42 (dd, 1H), 4.65 (t , 1H), 6.48 (q, 1H)

얻어진 3-비닐옥시-1-옥사스피로[4.5]데칸-2-온 17.1 g(87 mmol), 메타크릴산 37.4 g(435 mmol), 인산 0.85 g(8.7 mmol), 4-메톡시페놀 17.1 mg(0.14 mmol), 톨루엔 170 ml의 혼합물을 반응 용기에 넣고, 건조 공기 분위기하, 50 ℃에서 4.5 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 반응액을 물 170 ml, 10 중량% 탄산나트륨 수용액 170 ml(2회), 물 170 ml로 차례로 세정하고, 유기층을 감압 농축하였다. 농축 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하고, 하기 화학식 15로 표시되는 3-(1-메타크릴로일옥시에톡시)-1-옥사스피로[4.5]데칸-2-온[=3-(1-메타크릴로일옥시에톡시)-2-옥소-1-옥사스피로[4.5]데칸]의 무색 액체 17.3 g(61 mmol, 수율 70%)을 얻었다. 이 물질은 이성체 A, 이성체 B의 혼합물이고, 그 존재비는 대략 A:B=3:1이었다. 17.1 g (87 mmol) of 3-vinyloxy-1-oxaspiro [4.5] decan-2-one obtained, 37.4 g (435 mmol) of methacrylic acid, 0.85 g (8.7 mmol) of phosphoric acid, and 17.1 mg of 4-methoxyphenol (0.14 mmol) and a mixture of 170 ml of toluene were put into a reaction vessel, and the mixture was stirred at 50 ° C. for 4.5 hours under a dry air atmosphere. After the reaction was completed, the reaction solution was washed with 170 ml of water, 170 ml of a 10% by weight aqueous sodium carbonate solution (twice), and 170 ml of water, and the organic layer was concentrated under reduced pressure. The concentrated residue was purified by silica gel column chromatography, and 3- (1-methacryloyloxyethoxy) -1-oxaspiro [4.5] decan-2-one [= 3- (1) represented by the following formula (15): 17.3 g (61 mmol, yield 70%) of a colorless liquid of -methacryloyloxyethoxy) -2-oxo-1-oxaspiro [4.5] decane] were obtained. This substance was a mixture of Isomer A and Isomer B, and its abundance ratio was approximately A: B = 3: 1.

Figure 112006063458499-pct00019
Figure 112006063458499-pct00019

[3-(1-메타크릴로일옥시에톡시)-1-옥사스피로[4.5]데칸-2-온의 스펙트럼 데이타][Spectral data of 3- (1-methacryloyloxyethoxy) -1-oxaspiro [4.5] decan-2-one]

이성체 AIsomer A

1H-NMR(CDCl3) δ: 1.34-1.84(m, 13H), 1.92-1.97(m, 4H), 2.40(dd, 1H), 4.76(t, 1H), 5.64(m, 1H), 6.16(m, 1H), 6.28(q, 1H) 1 H-NMR (CDCl 3 ) δ: 1.34-1.84 (m, 13H), 1.92-1.97 (m, 4H), 2.40 (dd, 1H), 4.76 (t, 1H), 5.64 (m, 1H), 6.16 (m, 1 H), 6.28 (q, 1 H)

이성체 BIsomer B

1H-NMR(CDCl3) δ: 1.35-1.86(m, 13H), 1.94-1.99(m, 4H), 2.53(dd, 1H), 4.63(t, 1H), 5.64(m, 1H), 6.09(q, 1H), 6.21(m, 1H) 1 H-NMR (CDCl 3 ) δ: 1.35-1.86 (m, 13H), 1.94-1.99 (m, 4H), 2.53 (dd, 1H), 4.63 (t, 1H), 5.64 (m, 1H), 6.09 (q, 1H), 6.21 (m, 1H)

제조예 3Production Example 3

아다만탄에탄올 43.2 g, 프로피온산비닐 48.1 g, 탄산나트륨 15.3 g, 톨루엔 120 ml, 디-μ-클로로비스(1,5-시클로옥타디엔)2이리듐 (I) 1.62 g의 혼합물을 사구 플라스크에 넣고, 질소 분위기하, 100 ℃에서 가열하면서 4 시간 교반하였다. 반응액 중의 침전을 여과 분별하고, 여액을 감압 농축하였다. 농축물을 감압 증류 정제하여 하기 화학식 16으로 표시되는 2-(아다만탄-1-일)에틸비닐 에테르 34.8 g을 얻었다. A mixture of 43.2 g of adamantaneethanol, 48.1 g of vinyl propionate, 15.3 g of sodium carbonate, 120 ml of toluene, and 1.62 g of di-μ-chlorobis (1,5-cyclooctadiene) 2iridium (I) was placed in a sand dune flask, It stirred for 4 hours, heating at 100 degreeC by nitrogen atmosphere. The precipitate in the reaction solution was filtered off, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. The concentrate was distilled off under reduced pressure to obtain 34.8 g of 2- (adamantan-1-yl) ethylvinyl ether represented by the following formula (16).

Figure 112006063458499-pct00020
Figure 112006063458499-pct00020

[2-(아다만탄-1-일)에틸비닐 에테르의 스펙트럼 데이터][Spectral data of 2- (adamantan-1-yl) ethylvinyl ether]

1H-NMR(CDCl3) δ: 1.46(t, 2H), 1.53(d, 6H), 1.62-1.72(m, 6H), 1.95(m, 3H), 3.73(t, 2H), 3.96(m, 1H), 4.16(m, 1H), 6.46(m, 1H) 1 H-NMR (CDCl 3 ) δ: 1.46 (t, 2H), 1.53 (d, 6H), 1.62-1.72 (m, 6H), 1.95 (m, 3H), 3.73 (t, 2H), 3.96 (m , 1H), 4.16 (m, 1H), 6.46 (m, 1H)

제조예 4Preparation Example 4

2-(아다만탄-1-일)에틸비닐 에테르 32.8 g, 메타크릴산 68.4 g, 인산 0.16 g, 4-메톡시페놀 0.164 g, 톨루엔 290 ml의 혼합물을 사구 플라스크에 넣고, 질소 분위기하, 20 ℃에서 6 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 반응액을 10 중량% 탄산나트륨 수용액 500 ml로 2회, 10 중량% 식염수 500 ml로 1회 세정하고, 유기층을 감압 농축하였다. 농축물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여 하기 화학식 17로 표시되는 1-[2-(아다만탄-1-일)에톡시]에틸(메트)아크릴레이트 386 g을 얻었다. A mixture of 32.8 g of 2- (adamantan-1-yl) ethylvinyl ether, 68.4 g of methacrylic acid, 0.16 g of phosphoric acid, 0.164 g of 4-methoxyphenol, and 290 ml of toluene was placed in a sand dune flask, under a nitrogen atmosphere, It stirred at 20 degreeC for 6 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was washed twice with 500 ml of 10 wt% aqueous sodium carbonate solution and once with 500 ml of 10 wt% saline, and the organic layer was concentrated under reduced pressure. The concentrate was purified by silica gel column chromatography to obtain 386 g of 1- [2- (adamantan-1-yl) ethoxy] ethyl (meth) acrylate represented by the following formula (17).

Figure 112006063458499-pct00021
Figure 112006063458499-pct00021

[1-[2-(아다만탄-1-일)에톡시]에틸(메트)아크릴레이트의 스펙트럼 데이터][Spectral data of [1- [2- (adamantan-1-yl) ethoxy] ethyl (meth) acrylate]

1H-NMR(CDCl3) δ: 1.37-1.41(m, 2H), 1.43(d, 3H), 1.50(d, 6H), 1.60- 1.71(m, 6H), 1.93(m, 3H), 1.96(m, 3H), 3.53(m, 1H), 3.72(m, 1H), 5.60(m, 1H), 5.97(m, 1H), 6.16(m, 1H) 1 H-NMR (CDCl 3 ) δ: 1.37-1.41 (m, 2H), 1.43 (d, 3H), 1.50 (d, 6H), 1.60- 1.71 (m, 6H), 1.93 (m, 3H), 1.96 (m, 3H), 3.53 (m, 1H), 3.72 (m, 1H), 5.60 (m, 1H), 5.97 (m, 1H), 6.16 (m, 1H)

제조예 5Preparation Example 5

하기 화학식 18로 표시되는 보르닐비닐 에테르 18.0 g(0.1 mol), 메타크릴산 43.0 g(0.5 mol), 인산 98 mg(1 mmol), 4-메톡시페놀 12 mg(0.1 mmol), 톨루엔 180 ml의 혼합물을 4구 플라스크에 넣고, 질소 분위기하, 20 ℃에서 6 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 반응액을 10 중량% 탄산나트륨 수용액 200 ml로 2회, 10 중량% 식염수 200 ml로 1회 세정하여 유기층을 감압 농축하였다. 농축물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여 하기 화학식 19로 표시되는 1-(보르닐옥시)에틸메타크릴레이트 22.8 g(85 mmol, 수율 85%)을 얻었다. 한편, 보르닐비닐 에테르는 (-)-보르네올와 프로피온산비닐로부터, 일본 특허 공개 제2003-73321호 공보에 기재된 방법을 이용하여 합성하고, 증류 정제한 것을 이용하였다.Borylvinyl ether represented by the formula (18) 18.0 g (0.1 mol), methacrylic acid 43.0 g (0.5 mol), phosphoric acid 98 mg (1 mmol), 4-methoxyphenol 12 mg (0.1 mmol), toluene 180 ml Was added to a four-necked flask and stirred at 20 ° C. for 6 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the reaction solution was washed twice with 200 ml of 10 wt% aqueous sodium carbonate solution and once with 200 ml of 10 wt% saline solution, and the organic layer was concentrated under reduced pressure. The concentrate was purified by silica gel column chromatography to obtain 22.8 g (85 mmol, yield 85%) of 1- (bornyloxy) ethyl methacrylate represented by the following formula (19). In addition, bornyl vinyl ether was synthesize | combined from (-)-borneneol and vinyl propionate using the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-73321, and the distillation refinement was used.

Figure 112006063458499-pct00022
Figure 112006063458499-pct00022

Figure 112006063458499-pct00023
Figure 112006063458499-pct00023

[1-(보르닐옥시)에틸메타크릴레이트의 스펙트럼 데이터][Spectral data of 1- (bornyloxy) ethyl methacrylate]

1H-NMR(CDCl3) δ: 0.80-0.84(m, 9H), 0.86(d, 1H), 1.18-1.27(m, 2H), 1.42-1.45(d, 3H), 1.57-1.70(m, 2H), 1.94(s, 3H), 1.95-1.99(m, 1H), 2.05-2.20(m, 1H), 3.79-3.82(m, 1H), 5.56(m, 1H), 5.97-6.00(m, 1H), 6.12(m, 1H) 1 H-NMR (CDCl 3 ) δ: 0.80-0.84 (m, 9H), 0.86 (d, 1H), 1.18-1.27 (m, 2H), 1.42-1.45 (d, 3H), 1.57-1.70 (m, 2H), 1.94 (s, 3H), 1.95-1.99 (m, 1H), 2.05-2.20 (m, 1H), 3.79-3.82 (m, 1H), 5.56 (m, 1H), 5.97-6.00 (m, 1H), 6.12 (m, 1H)

실시예 1Example 1

하기 구조의 수지 합성Resin Synthesis of the Following Structure

Figure 112006063458499-pct00024
Figure 112006063458499-pct00024

교반기, 온도계, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 분리 플라스크에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 각각 16.5 g 도입하고, 85 ℃로 승온한 후, 1-메타크릴로일옥시-4-옥사트리시클로[4.3.1.13,8]운데칸-5-온 4.93 g, 1-히드록시-3-메타크릴로일옥시아다만탄 4.66 g, 2-(1-메타크릴로일옥시에톡시)-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온 5.41 g과, 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(개시제; 와코 쥰야쿠 고교사 제조, 상품명 "V-601") 0.60 g을, PGMEA와 PGME 각각 34.2 g의 혼합 용액으 로 하여 이들을 4 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 후 2 시간 숙성하였다. 얻어진 반응액을 헵탄 733 g과 아세트산에틸 81 g의 혼합액 중에 적하하고, 침전한 중합체를 흡인여과기로 회수하였다. 얻어진 중합체를 감압하에서 건조하여 목적물 13.8 g을 얻었다. 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 9800, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.88이었다(GPC 측정치, 폴리스티렌 환산). 16.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) were respectively introduced into a separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and heated to 85 ° C. Methacryloyloxy-4- oxatricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecane-5-one 4.93 g, 1-hydroxy-3-methacryloyloxyadamantane 4.66 g, 2- (1- 5.41 g of methacryloyloxyethoxy) -4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one and dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (initiator 0.60 g of Wako Pure Chemical Industries, Ltd. brand name "V-601") was added dropwise over 4 hours as a mixed solution of 34.2 g each of PGMEA and PGME. Aged 2 hours after dropping. The obtained reaction liquid was dripped in the mixture liquid of 733 g of heptanes and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collect | recovered with the suction filter. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.8 g of the target product. The weight average molecular weight of the resulting polymer (M w) is 9800, and the molecular weight distribution (M w / M n) was 1.88 (GPC measurement, polystyrene).

실시예 2Example 2

하기 구조의 수지 합성Resin Synthesis of the Following Structure

Figure 112006063458499-pct00025
Figure 112006063458499-pct00025

교반기, 온도계, 적하 깔대기 및 질소 도입관을 구비한 분리 플라스크에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 각각 16.5 g 도입하고, 85 ℃로 승온한 후, 1-히드록시-3-메타크릴로일옥시아다만탄 4.13 g, 2-(1-메타크릴로일옥시에톡시)-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온 10.87 g과, 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(개시제; 와코 쥰야쿠 고교사 제조, 상품명 "V-601") 0.60 g을, PGMEA와 PGME 각각 34.2 g의 혼합 용액으로 하여 이들을 4 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 후 2 시간 숙성하였다. 얻어진 반응액을 헵탄 733 g과 아세트산에틸 81 g의 혼합액 중에 적하하고, 침전한 중합체를 흡인여과기로 회수하였다. 얻어진 중합체를 감압하에서 건조하여 목적물 13.5 g을 얻었다. 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 10100, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.90이었다(GPC 측정치, 폴리스티렌 환산). 16.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) were respectively introduced into a separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and heated to 85 ° C. 4.13 g of hydroxy-3-methacryloyloxyadamantane, 10.87 g of 2- (1-methacryloyloxyethoxy) -4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one; , 0.60 g of dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (initiator; Wako Pure Chemical Industries, Ltd., trade name "V-601") as a mixed solution of 34.2 g each of PGMEA and PGME These were dripped over 4 hours. Aged 2 hours after dropping. The obtained reaction liquid was dripped in the mixture liquid of 733 g of heptanes and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collect | recovered with the suction filter. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.5 g of the target product. The weight average molecular weight of the resulting polymer (M w) was 10100, and the molecular weight distribution (M w / M n) was 1.90 is (GPC measurement, polystyrene).

실시예 3Example 3

하기 구조의 수지 합성Resin Synthesis of the Following Structure

Figure 112006063458499-pct00026
Figure 112006063458499-pct00026

교반기, 온도계, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 분리 플라스크에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 각각 16.5 g 도입하고, 85 ℃로 승온한 후, 1-히드록시-3-메타크릴로일옥시아다만탄 4.44 g, 2-(1-메타크릴로일옥시에톡시)-4-옥사트리시클로[4.2.1.03,7]노난-5-온 10.02 g, 메타크릴산 0.54 g과, 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(개시제; 와코 쥰야쿠 고교사 제조, 상품명 "V-601") 0.60 g을, PGMEA와 PGME 각각 34.2 g의 혼합 용액으로 하여 이들을 4 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 후 2 시간 숙성하였다. 얻어진 반응액을 헵탄 733 g과 아세트산에틸 81 g의 혼합액 중에 적하하고, 침전한 중합체를 흡인여과기로 회수하였다. 얻어진 중합체를 감압하에서 건조하여 목적물 13.5 g을 얻었다. 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 10000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.90이었다(GPC 측정치, 폴리스티렌 환산).16.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) were respectively introduced into a separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and heated to 85 ° C. 4.44 g of hydroxy-3-methacryloyloxyadamantane, 10.02 g of 2- (1-methacryloyloxyethoxy) -4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one, 0.54 g of methacrylic acid and 0.60 g of dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (initiator; Wako Pure Chemical Industries, Ltd., trade name "V-601") were 34.2 each of PGMEA and PGME. They were dripped over 4 hours as g mixed solution. Aged 2 hours after dropping. The obtained reaction liquid was dripped in the mixture liquid of 733 g of heptanes and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collect | recovered with the suction filter. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.5 g of the target product. The weight average molecular weight of the resulting polymer (M w) is 10,000, and the molecular weight distribution (M w / M n) was 1.90 is (GPC measurement, polystyrene).

실시예 4Example 4

하기 구조의 수지 합성Resin Synthesis of the Following Structure

Figure 112006063458499-pct00027
Figure 112006063458499-pct00027

교반기, 온도계, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 분리 플라스크에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 각각 16.5 g 도입하고, 85 ℃로 승온한 후, 1-메타크릴로일옥시-4-옥사트리시클로[4.3.1.13,8]운데칸-5-온 4.88 g, 1-히드록시-3-메타크릴로일옥시아다만탄 4.61 g, 3-(1-메타크릴로일옥시에톡시)-1-옥사스피로[4.5]데칸-2-온 5.51 g과, 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(개시제; 와코 쥰야쿠 고교사 제조, 상품명 "V-601") 0.60 g을, PGMEA와 PGME 각각 34.2 g의 혼합 용액으로 하여 이들을 4 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 후 2 시간 숙성하였다. 얻어진 반응액을 헥산 733 g과 아세트산에틸 81 g의 혼합액 중에 적하하고, 침전한 중합체를 흡인여과기로 회수하였다. 얻어진 중합체를 감압하에서 건조하여 목적물 12.6 g을 얻었다. 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 9900, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.91였다(GPC 측정치, 폴리스티렌 환산). 16.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) were respectively introduced into a separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and heated to 85 ° C. 4.88 g of methacryloyloxy-4- oxatricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecane-5-one, 4.61 g of 1-hydroxy-3-methacryloyloxyadamantane, 3- (1- 5.51 g of methacryloyloxyethoxy) -1-oxaspiro [4.5] decan-2-one, and dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (initiator; Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.60 g of manufacture and the brand name "V-601" were used as the mixed solution of 34.2 g each of PGMEA and PGME, and these were dripped over 4 hours. Aged 2 hours after dropping. The obtained reaction liquid was dripped at the mixture liquid of 733 g of hexane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collect | recovered with the suction filter. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 12.6 g of the target product. The weight average molecular weight of the resulting polymer (M w) is 9900, and the molecular weight distribution (M w / M n) was 1.91 (GPC measurement, in terms of polystyrene).

실시예 5Example 5

하기 구조의 수지 합성Resin Synthesis of the Following Structure

Figure 112006063458499-pct00028
Figure 112006063458499-pct00028

교반기, 온도계, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 분리 플라스크에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 각각 16.5 g 도입하고, 85 ℃로 승온한 후, 1-히드록시-3-메타크릴로일옥시아다만탄 3.96 g, 3-(1-메타크릴로일옥시에톡시)-1-옥사스피로[4.5]데칸-2-온 11.04 g과, 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(개시제; 와코 쥰야쿠 고교사 제조, 상품명 "V-601") 0.60 g을, PGMEA와 PGME 각각 34.2 g의 혼합 용액으로 하여 이들을 4 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 후 2 시간 숙성하였다. 얻어진 반응액을 헥산 733 g과 아세트산에틸 81 g의 혼합액 중에 적하하고, 침전한 중합체 를 흡인여과기로 회수하였다. 얻어진 중합체를 감압하에서 건조하여 목적물 12.8 g을 얻었다. 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 9800, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.89였다(GPC 측정치, 폴리스티렌 환산). 16.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) were respectively introduced into a separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and heated to 85 ° C. 3.96 g of hydroxy-3-methacryloyloxyadamantane, 11.04 g of 3- (1-methacryloyloxyethoxy) -1-oxaspiro [4.5] decane-2-one, and dimethyl-2,2 0.60 g of '-azobis (2-methylpropionate) (initiator; Wako Pure Chemical Industries, Ltd., trade name "V-601") was added dropwise over 4 hours using a mixture solution of 34.2 g each of PGMEA and PGME. It was. Aged 2 hours after dropping. The obtained reaction liquid was dripped at 733 g of hexane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collect | recovered with the suction filter. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 12.8 g of the target product. The weight average molecular weight of the resulting polymer (M w) is 9800, and the molecular weight distribution (M w / M n) was 1.89 (GPC measurement, in terms of polystyrene).

실시예 6Example 6

하기 구조의 수지 합성Resin Synthesis of the Following Structure

Figure 112006063458499-pct00029
Figure 112006063458499-pct00029

교반기, 온도계, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 분리 플라스크에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 각각 16.5 g 도입하고, 85 ℃로 승온한 후, 1-히드록시-3-메타크릴로일옥시아다만탄 4.27 g, 3-(1-메타크릴로일옥시에톡시)-1-옥사스피로[4.5]데칸-2-온 10.21 g, 메타크릴산 0.52 g과, 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(개시제; 와코 쥰야쿠 고교사 제조, 상품명 "V-601") 0.60 g을, PGMEA와 PGME 각각 34.2 g의 혼합 용액으로 하여 이들을 4 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 후 2 시간 숙성하였다. 얻어진 반응액을 헥산 733 g과 아세트산에틸 81 g의 혼합액 중에 적하하고, 침전한 중합체를 흡인여과기로 회수하였다. 얻어진 중합체를 감압하에서 건조하여 목적물 12.5 g을 얻었다. 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 10100, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.88이었다(GPC 측정치, 폴리스티렌 환산).16.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) were respectively introduced into a separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and heated to 85 ° C. 4.27 g of hydroxy-3-methacryloyloxyadamantane, 10.21 g of 3- (1-methacryloyloxyethoxy) -1-oxaspiro [4.5] decane-2-one, and 0.52 g of methacrylic acid , 0.60 g of dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (initiator; Wako Pure Chemical Industries, Ltd., trade name "V-601") as a mixed solution of 34.2 g each of PGMEA and PGME These were dripped over 4 hours. Aged 2 hours after dropping. The obtained reaction liquid was dripped at the mixture liquid of 733 g of hexane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collect | recovered with the suction filter. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 12.5 g of the target product. The weight average molecular weight of the resulting polymer (M w) was 10100, and the molecular weight distribution (M w / M n) was 1.88 (GPC measurement, polystyrene).

실시예 7Example 7

하기 구조의 수지 합성Resin Synthesis of the Following Structure

Figure 112006063458499-pct00030
Figure 112006063458499-pct00030

교반기, 온도계, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 분리 플라스크에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 각각 16.5 g 도입하고, 85 ℃로 승온한 후, 1-메타크릴로일옥시-4-옥사트리시클로[4.3.1.13,8]운데칸-5-온 4.77 g, 1-히드록시-3-메타크릴로일옥시아다만탄 4.50 g, 1-[2-(아다만탄-1-일)에톡시]에틸메타크릴레이트 5.74 g과, 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(개시제; 와코 쥰야쿠 고교사 제조, 상품명 "V-601") 0.60 g을, PGMEA와 PGME 각각 34.2 g의 혼합 용액으로 하여 이들을 4 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 후 2 시간 숙성하였다. 얻어진 반응액을 헵탄 733 g과 아세트산에틸 81 g의 혼합액 중에 적하하고, 침전한 중합체를 흡인여과기로 회 수하였다. 얻어진 중합체를 감압하에서 건조하여 목적물 13.5 g을 얻었다. 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 9300, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.92였다(GPC 측정치, 폴리스티렌 환산). 16.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) were respectively introduced into a separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and heated to 85 ° C. 4.77 g of methacryloyloxy-4- oxatricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecane-5-one, 4.50 g of 1-hydroxy-3-methacryloyloxyadamantane, 1- [2- 5.74 g of (adamantan-1-yl) ethoxy] ethyl methacrylate and dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (initiator; manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., trade name "V -601 ") were added dropwise over 4 hours using a mixed solution of 34.2 g each of PGMEA and PGME. Aged 2 hours after dropping. The obtained reaction liquid was dripped in the mixed liquid of 733 g of heptanes and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collect | recovered with the suction filter. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.5 g of the target product. The weight average molecular weight of the resulting polymer (M w) is 9300, and the molecular weight distribution (M w / M n) was 1.92 (GPC measurement, in terms of polystyrene).

실시예 8Example 8

하기 구조의 수지 합성Resin Synthesis of the Following Structure

Figure 112006063458499-pct00031
Figure 112006063458499-pct00031

교반기, 온도계, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 분리 플라스크에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 각각 16.5 g 도입하고, 85 ℃로 승온한 후, 1-메타크릴로일옥시-4-옥사트리시클로[4.3.1.13,8]운데칸-5-온 4.93 g, 1-히드록시-3-메타크릴로일옥시아다만탄 4.66 g, 1-(보르닐옥시)에틸메타크릴레이트 5.41 g과, 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(개시제; 와코 쥰야쿠 고교사 제조, 상품명 "V-601") 0.60 g을, PGMEA와 PGME 각각 34.2 g의 혼합 용액으로 하여 이들을 4 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 후 2 시간 숙성하였다. 얻어진 반응액을 헵탄 733 g과 아세트산에틸 81 g의 혼합액 중에 적하하고, 침전한 중합체를 흡인여과기로 회수하였다. 얻 어진 중합체를 감압하에서 건조하여 목적물 13.2 g을 얻었다. 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 9400, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.90이었다(GPC 측정치, 폴리스티렌 환산). 16.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) were respectively introduced into a separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and heated to 85 ° C. Methacryloyloxy-4- oxatricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecane-5-one 4.93 g, 1-hydroxy-3-methacryloyloxyadamantane 4.66 g, 1- (bornyl 5.41 g of oxy) ethyl methacrylate and 0.60 g of dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (initiator; Wako Pure Chemical Industries, Ltd., trade name "V-601") 34.2 g of mixed solution of PGME each was added dropwise over 4 hours. Aged 2 hours after dropping. The obtained reaction liquid was dripped in the mixture liquid of 733 g of heptanes and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collect | recovered with the suction filter. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.2 g of the target product. The weight average molecular weight of the resulting polymer (M w) is 9400, and the molecular weight distribution (M w / M n) was 1.90 is (GPC measurement, polystyrene).

비교예 1Comparative Example 1

하기 구조의 수지 합성Resin Synthesis of the Following Structure

Figure 112006063458499-pct00032
Figure 112006063458499-pct00032

교반기, 온도계, 적하 깔대기 및 질소 도입관을 구비한 분리 플라스크에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 각각 16.5 g 도입하고, 85 ℃로 승온한 후, 1-메타크릴로일옥시-4-옥사트리시클로[4.3.1.13,8]운데칸-5-온 5.16 g, 1-히드록시-3-메타크릴로일옥시아다만탄 4.87 g, 2-메타크릴로일옥시-2-메틸아다만탄 4.97 g과, 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(개시제; 와코 쥰야쿠 고교사 제조, 상품명 "V-601") 0.60 g을, PGMEA와 PGME 각각 34.2 g의 혼합 용액으로 하여 이들을 4 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 후 2 시간 숙성하였다. 얻어진 반응액을 헵탄733 g과 아세트산에틸 81 g의 혼합액 중에 적하하고, 침전한 중합체를 흡인여과기로 회수하였다. 얻어진 중합체를 감압하에서 건조하여 목적물 13.5 g을 얻었다. 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 9800, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1. 88이었다(GPC 측정치, 폴리스티렌 환산). 16.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) were respectively introduced into a separate flask equipped with a stirrer, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube, and heated to 85 ° C. 5.16 g of methacryloyloxy-4- oxatricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecane-5-one, 4.87 g of 1-hydroxy-3-methacryloyloxyadamantane, 2-methacrylo 4.97 g of yloxy-2-methyladamantane and 0.60 g of dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (initiator; Wako Pure Chemical Industries, Ltd. make, brand name "V-601") , 34.2 g of PGMEA and PGME, respectively, were added dropwise over 4 hours. Aged 2 hours after dropping. The obtained reaction liquid was dripped at the mixture liquid of heptane 733 g and ethyl acetate 81g, and the precipitated polymer was collect | recovered with the suction filter. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.5 g of the target product. The weight average molecular weight of the resulting polymer (M w) is 9800, and the molecular weight distribution (M w / M n) is 1 was 88 (in terms of GPC measurement, polystyrene).

평가 시험Evaluation test

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 각 중합체에 대하여 상기 중합체 100 중량부와 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트 10 중량부를 용매인 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(PGME)와 혼합하여 중합체 농도 17 중량%의 포토레지스트용 수지 조성물을 제조하였다. 이 조성물을 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅법에 의해 도포하여 두께 1.0 ㎛의 감광층을 형성하였다. 핫 플레이트에 의해 온도 100 ℃에서 150초간 프리베이킹한 후, 파장 247 ㎚의 KrF 엑시머 레이저를 이용하고, 마스크를 통해 조사량 30 mJ/㎠으로 노광한 후, 온도 100 ℃에서 60초간 포스트베이킹하였다. 이어서, 0.3 M의 테트라메틸암모늄 히드록시드 수용액에 의해 60초간 현상하고, 순수로 린스하였다. 그 결과, 실시예의 중합체를 이용한 경우에는 모두 0.20 ㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 선명하게 정밀도 좋게 얻어졌지만, 비교예의 중합체를 이용한 경우에는 상기 패턴의 정밀도는 나빠 선명함이 결여되었다.For each polymer obtained in Examples and Comparative Examples, 100 parts by weight of the polymer and 10 parts by weight of triphenylsulfonium hexafluoroantimonate were mixed with propylene glycol monomethyl ether (PGME) as a solvent to obtain a polymer concentration of 17% by weight. A resin composition for photoresist was prepared. This composition was applied onto a silicon wafer by spin coating to form a photosensitive layer having a thickness of 1.0 mu m. After prebaking at a temperature of 100 ° C. for 150 seconds by a hot plate, a KrF excimer laser having a wavelength of 247 nm was used and exposed at an irradiation dose of 30 mJ / cm 2 through a mask, followed by postbaking at a temperature of 100 ° C. for 60 seconds. Subsequently, it developed for 60 second by 0.3 M tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, and rinsed with pure water. As a result, when the polymer of the Example was used, the line and space pattern of 0.20 micrometer was all obtained clearly and with high precision, but when the polymer of the comparative example was used, the precision of the said pattern was bad and it lacked clearness.

Claims (8)

하기 화학식 1로 표시되는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르. An unsaturated carboxylic hemiacetal ester represented by the following formula (1). <화학식 1><Formula 1>
Figure 112011059294410-pct00033
Figure 112011059294410-pct00033
[식 중, Ra는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 3의 플루오로알킬기를 나타내고, Rb는 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, Rc는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, Rd는 하기 화학식 6b 및 6g로 표시되는 락톤 골격, 아다만탄환 골격 또는 보르난환 골격을 포함하는 유기기를 나타낸다[Wherein, R a represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms or a fluoroalkyl group of 1 to 3 carbon atoms, R b represents an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms, R c represents a hydrogen atom or carbon number An alkyl group of 1 to 3 is represented, and R d represents an organic group including a lactone skeleton, an adamantane ring skeleton or a bornan ring skeleton represented by the following formulas (6b) and (6g).
Figure 112011059294410-pct00039
Figure 112011059294410-pct00039
(식 중, R4 내지 R6, R32 내지 R36은 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 할로알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 머캅토기, 또는 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기를 나타내고, X는 알킬렌기, 산소 원자, 황 원자 또는 무결합을 나타내며, 화학식 6g에 있어서, R32 내지 R36 중 2개 이상의 기가 결합하여 탄소 원자 또는 탄소-탄소 결합과 함께 환을 형성할 수도 있다)](Wherein R 4 to R 6 , R 32 to R 36 are the same or different and are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a haloalkyl group, a hydroxyl group which may be protected with a protecting group, a hydroxy that may be protected with a protecting group An alkyl group, a mercapto group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, X represents an alkylene group, an oxygen atom, a sulfur atom or a non-bonding, and in Formula 6g, 2 of R 32 to R 36 Two or more groups may combine to form a ring with a carbon atom or carbon-carbon bond)]
제1항에 있어서, Ra는 수소 원자 또는 메틸기이고, Rb는 메틸기이고, Rc는 수소 원자이고, Rd
Figure 112011059294410-pct00040
,
Figure 112011059294410-pct00041
,
Figure 112011059294410-pct00042
또는
Figure 112011059294410-pct00043
(식 중, *는 결합손을 나타낸다)인 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르.
The compound of claim 1, wherein R a is a hydrogen atom or a methyl group, R b is a methyl group, R c is a hydrogen atom, and R d is
Figure 112011059294410-pct00040
,
Figure 112011059294410-pct00041
,
Figure 112011059294410-pct00042
or
Figure 112011059294410-pct00043
(Wherein * represents a bond) unsaturated carboxylic hemiacetal ester.
하기 화학식 3으로 표시되는 불포화 카르복실산을 하기 화학식 4로 표시되는 비닐 에테르 화합물과 반응시켜 하기 화학식 5로 표시되는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르를 얻는 것을 특징으로 하는 불포화 카르복실산 헤미아세탈 에스테르의 제조법. Of an unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester characterized by reacting an unsaturated carboxylic acid represented by the following formula (3) with a vinyl ether compound represented by the following formula (4) to obtain an unsaturated carboxylic hemiacetal ester represented by the following formula (5): Recipe. <화학식 3><Formula 3>
Figure 112011059294410-pct00034
Figure 112011059294410-pct00034
(식 중, Ra는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 3의 플루오로알킬기를 나타낸다)(Wherein R a represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a fluoroalkyl group having 1 to 3 carbon atoms) <화학식 4><Formula 4>
Figure 112011059294410-pct00035
Figure 112011059294410-pct00035
[식 중, Rc는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, Rd는 하기 화학식 6b 또는 6g로 표시되는 락톤 골격, 아다만탄환 골격 또는 보르난환 골격을 포함하는 유기기를 나타내고, Re, Rf는 각각 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다[In formula, R <c> represents a hydrogen atom or a C1-C3 alkyl group, R <d> represents the organic group containing a lactone skeleton, adamantane ring skeleton, or bornan ring skeleton represented by following formula (6b) or 6g, R e And R f each represent a hydrogen atom or a methyl group.
Figure 112011059294410-pct00044
Figure 112011059294410-pct00044
(식 중, R4 내지 R6, R32 내지 R36은 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 할로알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 머캅토기, 또는 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기를 나타내고, X는 알킬렌기, 산소 원자, 황 원자 또는 무결합을 나타내며, 화학식 6g에 있어서, R32 내지 R36 중 2개 이상의 기가 결합하여 탄소 원자 또는 탄소-탄소 결합과 함께 환을 형성할 수도 있다)](Wherein R 4 to R 6 , R 32 to R 36 are the same or different and are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a haloalkyl group, a hydroxyl group which may be protected with a protecting group, a hydroxy that may be protected with a protecting group An alkyl group, a mercapto group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, X represents an alkylene group, an oxygen atom, a sulfur atom or a non-bonding, and in Formula 6g, 2 of R 32 to R 36 Two or more groups may combine to form a ring with a carbon atom or carbon-carbon bond)] <화학식 5><Formula 5>
Figure 112011059294410-pct00036
Figure 112011059294410-pct00036
(식 중, Ra, Rc, Rd, Re, Rf는 상기와 동일하다) (Wherein R a , R c , R d , R e , R f are the same as above)
하기 화학식 I로 표시되는 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물. A polymer compound comprising a repeating unit represented by the following formula (I). <화학식 I><Formula I>
Figure 112011059294410-pct00037
Figure 112011059294410-pct00037
[식 중, Ra는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 3의 플루오로알킬기를 나타내고, Rb는 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, Rc는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, Rd는 하기 화학식 6b 또는 6g로 표시되는 락톤 골격, 아다만탄환 골격 또는 보르난환 골격을 포함하는 유기기를 나타낸다[Wherein, R a represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms or a fluoroalkyl group of 1 to 3 carbon atoms, R b represents an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms, R c represents a hydrogen atom or carbon number An alkyl group of 1 to 3 is represented, and R d represents an organic group including a lactone skeleton, an adamantane ring skeleton or a bornan ring skeleton represented by the following formula (6b) or (6g).
Figure 112011059294410-pct00045
Figure 112011059294410-pct00045
(식 중, R4 내지 R6, R32 내지 R36은 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 할로알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 머캅토기, 또는 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기를 나타내고, X는 알킬렌기, 산소 원자, 황 원자 또는 무결합을 나타내며, 화학식 6g에 있어서, R32 내지 R36 중 2개 이상의 기가 결합하여 탄소 원자 또는 탄소-탄소 결합과 함께 환을 형성할 수도 있다)](Wherein R 4 to R 6 , R 32 to R 36 are the same or different and are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a haloalkyl group, a hydroxyl group which may be protected with a protecting group, a hydroxy that may be protected with a protecting group An alkyl group, a mercapto group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, X represents an alkylene group, an oxygen atom, a sulfur atom or a non-bonding, and in Formula 6g, 2 of R 32 to R 36 Two or more groups may combine to form a ring with a carbon atom or carbon-carbon bond)]
제4항에 있어서, 추가로 하기 화학식 8a로 표시되는 락톤 골격 함유 단량체에 대응하는 반복 단위[화학식 I로 표시되는 반복 단위를 제외함]를 포함하는 고분자 화합물.The polymer compound according to claim 4, further comprising repeating units corresponding to the lactone skeleton-containing monomer represented by the following formula (8a), excluding repeating units represented by the formula (I).
Figure 112011059294410-pct00046
Figure 112011059294410-pct00046
(식 중, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R1 내지 R3은 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 할로알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 머캅토기, 또는 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기를 나타내고, V1 내지 V3은 동일 또는 상이하고, -CH2-, -CO- 또는 -COO-를 나타내되, 단 V1 내지 V3 중 1개 이상은 -COO-이다)(Wherein R represents a hydrogen atom or a methyl group, R 1 to R 3 are the same or different, and may be protected with a hydroxyl group, a protecting group which may be protected with a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a haloalkyl group, a protecting group) Hydroxyalkyl group, a mercapto group which can be protected by a protecting group, or a carboxyl group which can be protected by a protecting group, and V 1 to V 3 are the same or different and represent -CH 2- , -CO- or -COO-. Provided that at least one of V 1 to V 3 is -COO-)
제4항 또는 제5항에 있어서, 추가로 하기 화학식 9로 표시되는 히드록실기 함유 단량체, 또는 아크릴산 또는 메타크릴산인 카르복실기 함유 단량체에서 선택된 1종 이상의 단량체에 대응하는 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물.The polymer compound according to claim 4 or 5, further comprising a repeating unit corresponding to at least one monomer selected from a hydroxyl group-containing monomer represented by the following formula (9) or a carboxyl group-containing monomer which is acrylic acid or methacrylic acid. <화학식 9><Formula 9>
Figure 112011059294410-pct00047
Figure 112011059294410-pct00047
(식 중, 환 Z2는 아다만탄환을 나타내고, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R37은 환 Z2에 결합되어 있는 치환기이며, 동일 또는 상이하고, 옥소기, 알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기, 보호기로 보호될 수 있는 아미노기, 또는 보호기로 보호될 수 있는 술폰산기를 나타내되, 단 n개의 R37 중 적어도 1개는 옥소기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록실기, 보호기로 보호될 수 있는 히드록시알킬기, 보호기로 보호될 수 있는 카르복실기, 보호기로 보호될 수 있는 아미노기, 또는 보호기로 보호될 수 있는 술폰산기를 나타내고, n은 1 내지 3의 정수를 나타낸다)(Wherein, ring Z 2 represents an adamantane ring, R represents a hydrogen atom or a methyl group, R 37 is a substituent bonded to ring Z 2 and is the same or different and is protected from an oxo group, an alkyl group, a protecting group) A hydroxyl group which can be protected, a hydroxyalkyl group which can be protected by a protecting group, a carboxyl group which can be protected by a protecting group, an amino group which can be protected by a protecting group, or a sulfonic acid group which can be protected by a protecting group, wherein only n of R 37 At least one is an oxo group, a hydroxyl group protected by a protecting group, a hydroxyalkyl group protected by a protecting group, a carboxyl group protected by a protecting group, an amino group protected by a protecting group, or a protecting group Sulfonic acid group, n represents an integer of 1 to 3)
제4항 또는 제5항에 기재된 고분자 화합물과 광산 발생제를 적어도 포함하는 포토레지스트용 수지 조성물. The resin composition for photoresists containing at least the high molecular compound of Claim 4 or 5, and a photo-acid generator. 제7항에 기재된 포토레지스트용 수지 조성물을 기재 또는 기판 상에 도포하여 레지스트 도막을 형성하고, 노광 및 현상을 거쳐 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체의 제조 방법.The manufacturing method of the semiconductor which includes the process of apply | coating the resin composition for photoresists of Claim 7 on a base material or a board | substrate, forming a resist coating film, and forming a pattern through exposure and image development.
KR1020067017810A 2004-02-04 2005-01-17 Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer, and resin composition for photoresist KR101115224B1 (en)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004028595A JP4651283B2 (en) 2004-02-04 2004-02-04 Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer compound, and resin composition for photoresist
JPJP-P-2004-00028594 2004-02-04
JP2004028594 2004-02-04
JPJP-P-2004-00028595 2004-02-04
JP2004303478A JP4780945B2 (en) 2004-02-04 2004-10-18 Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer compound, and resin composition for photoresist
JPJP-P-2004-00303478 2004-10-18
PCT/JP2005/000794 WO2005075446A1 (en) 2004-02-04 2005-01-17 Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer, and resin composition for photoresist

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060124738A KR20060124738A (en) 2006-12-05
KR101115224B1 true KR101115224B1 (en) 2012-02-14

Family

ID=34841513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067017810A KR101115224B1 (en) 2004-02-04 2005-01-17 Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer, and resin composition for photoresist

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101115224B1 (en)
WO (1) WO2005075446A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160079696A (en) * 2014-12-26 2016-07-06 주식회사 엘지화학 Coupling agent of hemiacetal ester group, styrene-butadiene block copolymer using the same, and hot-melt adhesive composition comprising the same

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4191150B2 (en) 2005-02-16 2008-12-03 東京応化工業株式会社 Positive resist composition and resist pattern forming method
JP4754265B2 (en) * 2005-05-17 2011-08-24 東京応化工業株式会社 Positive resist composition and resist pattern forming method
JP2006330180A (en) * 2005-05-24 2006-12-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive photoresist composition, thick film photoresist laminated body, method for manufacturing thick film resist pattern, and method for manufacturing connecting terminal
JP2007133208A (en) 2005-11-11 2007-05-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition and resist pattern forming method
JP4937587B2 (en) 2006-01-17 2012-05-23 東京応化工業株式会社 Positive resist composition for immersion exposure and method for forming resist pattern
JP2008065282A (en) * 2006-09-11 2008-03-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition and resist pattern forming method
JP5978139B2 (en) * 2013-01-22 2016-08-24 東京応化工業株式会社 Resist pattern forming method
JP7117900B2 (en) * 2018-06-05 2022-08-15 株式会社日本触媒 Photo-Lewis acid generator for chemically amplified resist, and chemically amplified resist composition
CN111198479B (en) * 2018-11-20 2024-05-28 东京应化工业株式会社 Resist composition and resist pattern forming method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000187327A (en) * 1998-10-15 2000-07-04 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photoresist composition for far ultraviolet exposure
JP2002363225A (en) * 2001-05-28 2002-12-18 Korea Kumho Petrochem Co Ltd Polymer for chemically amplified resist and chemically amplified resist composition containing the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2845225B2 (en) * 1995-12-11 1999-01-13 日本電気株式会社 Polymer compound, photosensitive resin composition and pattern forming method using the same
JP4253996B2 (en) * 1999-10-18 2009-04-15 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000187327A (en) * 1998-10-15 2000-07-04 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photoresist composition for far ultraviolet exposure
JP2002363225A (en) * 2001-05-28 2002-12-18 Korea Kumho Petrochem Co Ltd Polymer for chemically amplified resist and chemically amplified resist composition containing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160079696A (en) * 2014-12-26 2016-07-06 주식회사 엘지화학 Coupling agent of hemiacetal ester group, styrene-butadiene block copolymer using the same, and hot-melt adhesive composition comprising the same
KR101706869B1 (en) 2014-12-26 2017-02-15 주식회사 엘지화학 Coupling agent of hemiacetal ester group, styrene-butadiene block copolymer using the same, and hot-melt adhesive composition comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005075446A9 (en) 2005-10-06
WO2005075446A1 (en) 2005-08-18
KR20060124738A (en) 2006-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101115224B1 (en) Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer, and resin composition for photoresist
JP4651283B2 (en) Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer compound, and resin composition for photoresist
US8637623B2 (en) Monomer having electron-withdrawing substituent and lactone skeleton, polymeric compound, and photoresist composition
KR101604623B1 (en) Acrylate ester derivatives and polymer comounds
US20130034813A1 (en) CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ArF IMMERSION LITHOGRAPHY AND PATTERN FORMING PROCESS
US6692889B1 (en) Photoresist polymeric compound and photoresist resin composition
KR20120052884A (en) Base reactive photoacid generators and photoresists comprising the same
KR20090094769A (en) Chemically amplified resist composition and chemically amplified resist composition for immersion lithography
JP2004323704A (en) (meth)acrylate for synthesizing polymer for photoresist, and its manufacturing method
KR102281960B1 (en) (meth)acrylate compound, (meth)acrylic copolymer and photosensitive resin composition containing same
US20060160247A1 (en) Unsaturated carboxylic acid hemicacetal ester, polymeric compound and photoresist resin composition
JP2004155874A (en) Polymer compound for photoresist and resin composition for photoresist
JP5107089B2 (en) Immersion photoresist polymer compound and composition
JP4780945B2 (en) Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer compound, and resin composition for photoresist
KR102465737B1 (en) Monomer having n-acyl carbamoyl group and lactone skeleton, and polymeric compound
KR20060018894A (en) Polymerizable monomer, polymer compound, resin composition for photoresist and method for producing semiconductor
JPWO2016125782A1 (en) Novel alicyclic ester compound, (meth) acrylic copolymer, and functional resin composition containing the same
JP6274205B2 (en) Novel alicyclic ester compound, (meth) acrylic copolymer and photosensitive resin composition containing the same
JP5586898B2 (en) Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer compound, and resin composition for photoresist
JP5483458B2 (en) Monomer, polymer compound and photoresist composition containing lactone skeleton
JP5466511B2 (en) High molecular compound
JPWO2015122470A1 (en) Method for producing novel alicyclic ester compound, novel alicyclic ester compound, (meth) acrylic copolymer obtained by polymerizing the same, and photosensitive resin composition containing the same
JPWO2015122468A1 (en) (Meth) acrylic acid ester compound and method for producing the same
JP3803932B1 (en) Method for producing resin solution for photoresist
JP5085057B2 (en) Method for producing resin for photoresist and method for producing photoresist resin composition

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee