WO2005075446A1 - Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer, and resin composition for photoresist - Google Patents

Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer, and resin composition for photoresist Download PDF

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acid
meth
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Hiroshi Koyama
Keizo Inoue
Takahiro Iwahama
Mari Sumida
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Daicel Chemical Industries, Ltd.
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain

Definitions

  • Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer compound and resin composition for photoresist Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer compound and resin composition for photoresist
  • the present invention relates to an unsaturated carboxylic acid useful as a monomer component of a resin for photoresist used when performing fine processing of a semiconductor, etc.
  • the present invention relates to a polymer compound containing a repeating unit corresponding to a myacetal ester, a resin composition for a photoresist containing the polymer compound, and a method for producing a semiconductor.
  • Positive photoresists used in the semiconductor manufacturing process have properties such as the property that the irradiated area changes to alkali-soluble due to light irradiation, adhesion to silicon wafers, plasma etching resistance, and transparency to light used. Must be.
  • the positive type photoresist is generally used as a solution containing a polymer as a main agent, a photoacid generator, and several additives for adjusting the above properties. In order to prepare a polymer, it is extremely important that the polymer as the main agent has the above-mentioned properties in a well-balanced manner.
  • the lithography exposure light source used in semiconductor manufacturing is becoming shorter and shorter each year, and is shifting from a 248 nm wavelength KrF excimer laser to a 193 nm wavelength ArF excimer laser. .
  • the resist polymer used in these KrF or ArF excimer laser exposure machines is desorbed by the acid generated from the photoacid generator upon exposure to Al
  • a monomer unit having a function of being soluble in a re-developing solution a unit having a 2-methyladamantane_2-inole group ⁇ 1-adamantinole 1-methylethyl group is known. (Japanese Patent Laid-Open No. 9-73173, etc.).
  • conventional photoresist resins having these units have not always been satisfactory in terms of sensitivity and degree of development.
  • the balance between substrate adhesion, etching resistance and acid desorption was not sufficient. Disclosure of the invention
  • An object of the present invention is to provide a polymer compound having excellent acid-releasing property or excellent acid-releasing property and excellent substrate adhesion when used for a photoresist, and a monomer thereof, a method for producing the monomer, It is an object of the present invention to provide a resin composition for photoresist containing the polymer compound, and a method for manufacturing a semiconductor using the resin composition.
  • Another object of the present invention is to provide a polymer compound for photoresist having a good balance of substrate adhesion, etching resistance and acid desorption property, a resin composition for photoresist containing the polymer compound, and An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor using the resin composition.
  • Still another object of the present invention is to provide a polymer compound for photoresist, a resin composition for photoresist, and a method for producing a semiconductor, which can form a fine pattern with high accuracy.
  • the present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, it has been found that an unsaturated carboxylic acid having a specific structure containing a polymer compound containing a repeating unit corresponding to a miacetal ester as a resin for photoresist is excellent.
  • the present inventors have found that acid desorption properties or excellent acid desorption properties and excellent substrate adhesion are exhibited, and fine patterns can be formed with high accuracy, and the present invention has been completed.
  • RR aa is a hydrogen atom atom, a hahalogenogen atom atom, an aralkyquill group having a carbon number of 11 to 66 or 5 or a carbon number of 5 to 11
  • RR bb represents a hydrogenated hydrocarbon group having a hydrogen atom atom at the 11-position.
  • RR indicates a hydrogen atom atom or a carbohydrocarbon group
  • RR dd includes a cyclic bone skeleton. Shows organic organic base
  • the aforementioned cyclic skeleton of RR dd may be laratata tonton skeleton or non-aromatic aromatic polycyclic polycyclic 10 skeleton. The case remains good. .
  • R represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group
  • R d represents an organic group having a cyclic skeleton
  • R B and R f each represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group.
  • the present invention also provides the following formula (I):
  • Ra represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms
  • Rb represents a hydrocarbon group having a hydrogen atom at the 1-position.
  • R. represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group
  • R d represents an organic group containing a cyclic skeleton.
  • a polymer compound comprising a repeating unit represented by the formula:
  • the polymer compound further comprises at least one selected from a ratatone skeleton-containing monomer, a cyclic ketone skeleton-containing monomer, an acid anhydride group-containing monomer, and an imido group-containing monomer. And a repeating unit [excluding the repeating unit represented by the formula (I)] corresponding to the monomer of the formula (I). Further, the polymer compound further includes a repeating unit corresponding to at least one monomer selected from a hydroxyl group-containing monomer, a mercapto group-containing monomer, and a carboxyl group-containing monomer. You may go out.
  • the present invention further provides a resin composition for photoresist containing at least the above polymer compound and a photoacid generator.
  • the present invention further provides the resin composition for a photoresist as a substrate or Provided is a method for manufacturing a semiconductor, which comprises a step of forming a resist coating film by coating on a substrate and forming a pattern through exposure and development.
  • the vinyl ether-based monomer and the vinyl ether compound in the present specification include a compound in which a hydrogen atom of a bullet group is substituted with a substituent.
  • a protecting group such as a hydroxyl group, a commonly used protecting group in the field of organic synthesis can be used.
  • the polymer compound and its monomer which show the outstanding acid desorption property or the excellent acid desorption property and substrate adhesiveness when used for photoresists are provided.
  • the resin composition for photoresists of the present invention is excellent in acid desorption properties, and exhibits well-balanced substrate adhesion, etching resistance and acid desorption properties. For this reason, a fine pattern can be accurately formed in the manufacture of a semiconductor.
  • the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester of the present invention is represented by the above formula (1).
  • Ra represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms
  • R b represents a hydrocarbon group having a hydrogen atom at the 1-position.
  • R d represents an organic group having a cyclic skeleton.
  • the halogen atom in Ra includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and the like.
  • alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include methyl, ethynole, propynole, isopropynole, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, pentyl, hexyl and the like. Of these, an alkyl group, particularly a methyl group, is preferred.
  • haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms examples include a chloroalkyl group such as a chloromethyl group; triphenylenomethylinole, 2,2,2-triphenylenoletinole, and pentafluoro.
  • a fluoroanolealkyl group such as an ethyl group (preferably, a d- 3 fluoroalkyl group).
  • hydrocarbon radical having 1-position a hydrogen atom in R b for example, methyl, Echinore, propyl, i Sopuro Pinore, Puchinore, Lee Sopuchiru, alkyl groups such as s one-butyl group (e.g.
  • C I 6 Alkyl groups especially —3 alkynole groups); cyclopropynole groups such as cyclopropynole, cyclopentynole, and cyclohexyl groups (for example, 3- to 6-membered cycloalkynole groups); cyclopentynolemethyl, cyclohexylmethyl groups Cycloalkyl groups such as mono- or di- (3- to 6-membered cycloalkyl) 1 C- 3 alkyl groups; aralkyl groups such as benzinole, 1-methylbenzyl, 1-phenylpentyl, etc. For example, mono- or diphenyl-1-d-3 alkyl group).
  • R b a C ⁇ 3 alkyl group such as a methyl, ethyl, propyl, and isopropyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.
  • hydrocarbon group for R c examples include alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, and s-butyl groups (eg, C ⁇ 6 alkyl groups, especially C t - 3 alkyl groups); Cycloalkynole groups (eg, 3- to 6-membered cycloalkyl groups) such as cyclopropyl, cyclopentynole, and cyclohexyl groups; and aryl groups such as phenyl groups.
  • R. The by a hydrogen atom; methyl, Echiru, propyl, preferably C Bok 3 alkyl groups such as isopropyl, especially, a hydrogen atom, a methyl group good or arbitrary.
  • Examples of the cyclic skeleton in the organic group including the cyclic skeleton of Rd include a lactone skeleton and a cyclic skeleton other than the lactone skeleton.
  • the lactone skeleton includes a lactone ring (for example, a lactone ring such as a lipolactone ring, a ⁇ -valerolactone ring, and an ⁇ -force prolactone ring). Or aromatic carbocyclic or heterocyclic ring fused Skeleton included.
  • a skeleton composed of only a lactone ring, and a skeleton in which a non-aromatic carbon ring or a heterocyclic ring (particularly, a non-aromatic carbon ring) is fused to the lactone ring are preferable.
  • Ring constituting the lactone skeleton ⁇ alkyl group such as a methyl group (e.g., a d 4 alkyl group), Haroanorekiru groups such as preparative Rifuruoromechiru group (e.g., C I 4 haloalkyl group), a chlorine atom Ya off Tsu containing Halogen atom such as atom, hydroxy group optionally protected by a protecting group, hydroxyalkyl group optionally protected by a protecting group, mercapto group optionally protected by a protecting group, protecting group May have a substituent such as a ropoxyl group, an amino group which may be protected with a protecting group, and a sulfonic acid group which may be protected with a protecting group.
  • the protecting group include those commonly used in the field of organic synthesis.
  • lactone skeletons include skeletons (groups) represented by the following formulas (6a), (6b), (6c), (6d), (6e), (6f), and (6g). .
  • R 9 ⁇ R 3 6 are the same or different, a hydrogen atom, a halogen atom, Arukinore group, a haloalkyl group, an optionally protected human Dorokishiru group with a protecting group, is protected with a protecting group
  • a hydroxyalkyl group which may be protected by a protecting group X represents an alkylene group, an oxygen atom, a sulfur atom or no bond
  • Vi V 3 represents the same or different, Indicates CH 2 —, one CO— or one COO—. At least one of ⁇ ′ to ⁇ 3 is one COO—.
  • At least two of R 27 to R 31 may combine to form a ring together with a carbon atom or a carbon-carbon bond.
  • at least two groups out of R 32 to R 36 may be bonded to form a ring together with a carbon atom or a carbon-carbon bond.
  • Equations (6a)-(6g) Examples of the halogen atom in ⁇ to 6 and R 9 to R 36 include a fluorine atom and a chlorine atom.
  • Examples of the alkyl group include straight- or branched-chain carbon atoms such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutynole, s-butyl, t-butyl, hexyl, octyl, decyl, and dodecyl groups. And the like. Among them, carbon number :! Alkyl groups of 4 are preferred.
  • Examples of the noroalkyl group include fluoroalkyl groups having 1 to 13 carbon atoms, such as trifluoromethyl and pentafluoroethyl groups.
  • Examples of the hydroxyl group which may be protected with a protecting group include a hydroxyl group and a substituted oxy group (for example, a C alkoxy group such as methoxy, ethoxy, propoxy group, etc.).
  • Examples of the hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group include a group in which a hydroxyl group which may be protected with the protecting group is bonded via an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Is mentioned.
  • Examples of the mercapto group that may be protected with a protecting group include a mercapto group, a mercapto group protected with the same protecting group as the above-mentioned hydroxyl group, and the like.
  • the carboxyl group which may be protected by a protecting group, and the like one C_ ⁇ _ ⁇ _R y group.
  • R y represents a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group is a straight-chain such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, buty ⁇ , isobutyl, s-butyl, t-butyl, hexyl, etc.
  • the alkylene group for X includes a linear or branched alkylene group having about 1 to 3 carbon atoms (preferably 1 or 2) such as methylene, dimethylmethylene, ethylene, propylene, and trimethylene groups. And the
  • the ring formed together with the carbon bond includes an alicyclic carbocycle (including a bridged carbocycle) such as a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, and a norbornane ring.
  • the rings constituting the skeleton represented by the formulas (6a) to (6g) may have the substituent as described above.
  • the “ring” constituting the cyclic skeleton other than the lactone skeleton includes a monocyclic or polycyclic non-aromatic or aromatic ring.
  • the monocyclic non-aromatic ring includes, for example, an alicyclic ring such as a cycloalkane ring of about 3 to 15 members such as a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a cyclooctane ring, a cyclodecane ring; a tetrahydrofuran ring And a 3- to 15-membered non-aromatic heterocycle such as a pyrrolidine ring, a piperidine ring and a morpholine ring.
  • Is a polycyclic nonaromatic ring for example, Adamantan ring; norbornane ring, Bruno Ruborunen ring, bornane ring, isobornane ring, preparative Rishikuro [. 5.2.1 0 2 '6] decane ring, Te Torashikuro [4. 4. 0. I 2 ' 5.
  • Bridged carbon ring such as bicyclic, tricyclic, or tetracyclic ring such as a pentadecane ring (for example, having about 6 to 20 carbon atoms) A bridged carbon ring).
  • Monocyclic or polycyclic Examples of the aromatic ring include an aromatic carbon ring such as a benzene ring, a naphthalene ring, a pyridine ring and a quinoline ring, and an aromatic heterocyclic ring.
  • a non-aromatic ring is preferable, and a polycyclic non-aromatic ring is more preferable, from the viewpoints of light transmittance and etching resistance when polymerized and used as a photoresist resin.
  • a polycyclic non-aromatic carbocyclic ring bridged carbocyclic ring.
  • a ring containing a norbornane ring or a norbornene ring, or a ring obtained by hydrogenating a polycyclic aromatic condensed ring (particularly, a completely hydrogenated ring) is particularly preferable.
  • a non-aromatic cyclic skeleton is preferable, and a non-aromatic polycyclic skeleton, particularly, a polycyclic non-aromatic carbocyclic skeleton is preferable.
  • Al kill group such as a methyl group (e.g., alkyl group), triflate Ruo b Haroarukinore group such as a methyl group (e.g., C 4 haloalkyl group),
  • a halogen atom such as a chlorine atom or a fluorine atom, a hydroxyl group which may be protected by a protecting group, a hydroxyalkyl group which may be protected by a protecting group, or a mercapto which may be protected by a protecting group May have a substituent such as a group, a carboxyl group which may be protected with a protecting group, an amino group which may be protected with a protecting group, and a sulfonic acid group which may be protected with a protecting group.
  • the protecting group include those commonly used in the field of organic synthesis.
  • the organic group containing a cyclic skeleton in R d includes the following formula (2)
  • A represents a linking group
  • Z 1 represents a ring constituting a cyclic skeleton
  • linking group in A examples include a single bond; methylene, Linear or branched alkylene groups such as methylene, dimethylmethylene, ethylene, propylene, and trimethylene groups; carbonyl groups; oxygen atoms (ether bonds; ___- 1); oxycarbonyl groups (ester bonds; —); An amino lponyl group (amide bond; one CONH—); and a group in which a plurality of these groups are bonded.
  • Preferred linking groups include a single bond, a linear or branched alkylene group (particularly, a d- 3 alkylene group) and the like.
  • the linking group includes, for example, a halogen atom such as a chlorine atom or a fluorine atom, a hydroxyl group optionally protected by a protecting group, a hydroxyalkyl group optionally protected by a protecting group, or a protecting group. Substitution of an optionally protected mercapto group, a carboxyl group optionally protected by a protecting group, an amino group optionally protected by a protecting group, a sulfonate group optionally protected by a protecting group It may have a group.
  • the Uchiraku tons backbone cyclic skeleton in the z 1 skeleton represented by the formula (6a) ⁇ (6g) are exemplified up. Also, as the ring constituting the cyclic skeletal non Lata tons skeleton of the cyclic skeleton in Z 1, include those exemplified above.
  • the group represented by the formula (2) Compounds having an organic group containing a cyclic skeleton other than the ratatone skeleton among the compounds contained therein include the following compounds, but are not limited thereto.
  • the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester represented by the formula (1) is, for example, as shown in the following reaction formula, the unsaturated carboxylic acid represented by the formula (3) and the unsaturated carboxylic acid represented by the formula (4).
  • the reaction can be carried out in a solvent or under a non-solvent with the butyl ether compound to be produced.
  • the product, the compound represented by the formula (5), corresponds to the compound represented by the formula (1).
  • R a , R. and R d are the same as above.
  • R e and R f each represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and one CHR SR f corresponds to R b ).
  • the acid catalyst is not particularly limited, and any of an inorganic acid and an organic acid can be used.
  • the inorganic acid include mineral acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, and boric acid; and polyacids such as phosphomolybdic acid, chemolybdic acid, phosphorus tungstic acid, and silicotungstic acid; Body catalyst and the like.
  • organic acid examples include carboxylic acids such as formic acid, acetic acid, and trifluoroacetic acid; and sulfonic acids such as methanesnolefonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, benzenesnolefonic acid, p-tonolenesnolefonic acid, and naphthalenesulfonic acid.
  • carboxylic acids such as formic acid, acetic acid, and trifluoroacetic acid
  • sulfonic acids such as methanesnolefonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, benzenesnolefonic acid, p-tonolenesnolefonic acid, and naphthalenesulfonic acid.
  • An on-exchange resin may be used.
  • a Lewis acid can be used.
  • a pyridinium salt an ammonium salt, an alkali metal salt, an alkaline
  • the solvent is not particularly limited as long as it is a solvent inert to the reaction.
  • examples thereof include aliphatic hydrocarbons such as hexane and octane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; Alicyclic hydrocarbons such as mouth hexane; halogenated hydrocarbons such as methylene chloride; ethers such as tetrahydrofuran and ethylene glycol—non-resin-methinoleate; non-acetones such as N, N-dimethylformamide Examples include protonic polar solvents.
  • the amount of the unsaturated carboxylic acid represented by the formula (3) is, for example, about 0.5 to 50 mol, preferably 0.9 to 100 mol per 1 mol of the butyl ether compound represented by the formula (4). It is about 10 mol.
  • the amount of the acid catalyst to be used is, for example, about 0.001 :! to about 1 mol, preferably about 0.001 to 0.3 mol, per 1 mol of the vinyl ether compound represented by the formula (4). It is.
  • a polymerization inhibitor such as 4-methoxyphenol
  • the amount of the polymerization inhibitor to be added is, for example, about 0.0001 to 0.05 mol, preferably 0.00001 to 1 mol of the vinyl ether compound represented by the formula (4).
  • O.0.1 is about 1 mole.
  • the reaction temperature varies depending on the type of the reaction raw material, the type of the catalyst used, and the like, but is usually about 10 to 100 ° C, preferably about 0 to 60 ° C.
  • R b and R in the formula (1) are all hydrogen atoms, and are also useful as monomers of polymer compounds for photoresist.
  • R b and R in the formula (1) Is a hydrogen atom [compound represented by the formula (:)], for example, as shown in the following reaction formula, an unsaturated carboxylic acid represented by the formula (3) and a compound represented by the formula (A) It can be produced by reacting the represented halomethyl ether compound in the presence of a base.
  • R a and R d are the same as above.
  • Y represents a halogen atom.
  • Examples of the halogen atom in Y include a chlorine, bromine, and iodine atom.
  • the reaction is performed in the presence or absence of a solvent.
  • the solvent described above can be used as the solvent.
  • As the base for example, an organic base such as triethylamine and pyridine, or an inorganic base such as sodium hydroxide, sodium carbonate and sodium hydrogen carbonate can be used.
  • the amount of the unsaturated carboxylic acid represented by the formula (3) is, for example, about 0.5 to 10 mol, preferably 0.8, per mol of the halomethyl ether compound represented by the formula (A). About 2 moles.
  • the amount of the base used is, for example, about 1 to 5 mol per mol of the unsaturated carboxylic acid represented by the formula (3). Yes.
  • a small amount of a polymerization inhibitor such as 4-methoxyphenol may be added to the system.
  • the reaction temperature is usually about ⁇ 10 ° C. to 100 ° C., preferably about 0 to 60 ° C.
  • the reaction product can be separated and purified by a separation means such as liquid property adjustment, extraction, concentration, distillation, crystallization, recrystallization, column chromatography and the like.
  • the halomethyl ether conjugate represented by the formula (A) is, for example, as shown in the following reaction formula, a hydroxy compound represented by the formula (C) added to formaldehyde or its equivalent (para). Formaldehyde, 1,3,5-trioxane, etc.) and a halogen hydride represented by the formula (D).
  • Examples of the hydrogen halide represented by the formula (D) include hydrogen chloride and hydrogen bromide.
  • the reaction is performed in the presence or absence of a solvent.
  • the solvents described above can be used as the solvent.
  • the amount of formaldehyde or an equivalent thereof used is, for example, about 0.8 to 10 mol, preferably 1 to 1 mol, per mol of the hydroxy compound represented by the formula (C), in terms of formaldehyde. It is about 5 moles.
  • the amount of the hydrogen halide represented by the formula (D) is, for example, about 1 to 5 mol per mol of the hydroxy compound represented by the formula (C), and a large excess may be used.
  • the reaction temperature is usually about ⁇ 10 ° C.
  • reaction product can be separated and purified by a separation means such as adjustment of liquid properties, extraction, concentration, distillation, crystallization, recrystallization, and column chromatography.
  • the polymer compound of the present invention contains a repeating unit (monomer unit) corresponding to the above-mentioned unsaturated carboxylic acid mesacetal ester, that is, a unit represented by the formula (I).
  • the repeating unit may be one kind or two or more kinds.
  • Such a high molecular compound can be obtained by subjecting the above unsaturated carboxylic acid to a miacetal ester to polymerization. Since the repeating unit represented by the formula (I) has a hemiacetal ester structure, it has an acid-eliminating function (alkali-soluble function).
  • the acid generated from the photoacid generator upon exposure removes the alcohol portion (hemiacetal portion) of the ester to form a free carboxyl group, which makes the ester more soluble in the alkaline developer.
  • the hemiacetal ester structure contains three oxygen atoms, it has higher hydrophilicity than the conventional acid-eliminable unit having a simple ester structure (containing two oxygen atoms), and has a resist solvent.
  • the solubility and the wettability with respect to an alkaline developer are improved.
  • the repeating unit represented by the formula (I) has a lactone skeleton, the adhesion to the substrate is excellent.
  • Such a polymer compound having a repeating unit having both an acid-eliminating function and a substrate adhesion function has a higher acid-elimination property than a conventional polymer compound having a repeating unit having only an acid-eliminating function.
  • Substrate adhesion can be significantly increased while maintaining the number of leaving groups, so that high substrate adhesion can be achieved, and the number of acid-labile groups and the number of substrate adhesion groups are maintained
  • R d in the formula (I) is a group containing a polycyclic non-aromatic carbocyclic ring (bridged carbocyclic ring), it exhibits high light transmittance and dry etching resistance.
  • the polymer compound of the present invention can sufficiently perform various functions required as a resist.
  • other repeating units may be provided in addition to the repeating unit represented by the above formula (I).
  • Such another repeating unit can be formed by copolymerizing a polymerizable unsaturated monomer corresponding to the repeating unit with the unsaturated rubonic acid and a miacetal ester.
  • the other repeating unit for example, a repeating unit having a substrate adhesion and a Z or hydrophilic function, a repeating unit improving an acid desorption property, a repeating unit improving an etching resistance function, and improving transparency And repeating units.
  • the hydrophilic function includes a function of increasing solubility in a resist solvent or an alkaline developer.
  • a monomer used to promote copolymerization smoothly or to make the copolymer composition uniform may be used as a comonomer.
  • a repeating unit having substrate adhesion and Z or hydrophilic function can be introduced into a polymer by using a polymerizable unsaturated monomer having a polar group as a comonomer.
  • the polar group include (1) a lactone ring-containing group, a carbonyl group, an acid anhydride group, and an imido group; and (2) a hydroxyl group optionally having a protective group.
  • the polymerizable unsaturated monomer having a polar group include: (a) a monomer containing a ratatone skeleton, a monomer containing a cyclic ketone skeleton, a monomer containing an acid anhydride group, and a monomer containing an imido group.
  • a monomer such as a monomer such as a monomer, (b) a monomer containing a hydroxy group (including a compound in which a hydroxy group is protected), a monomer containing a mercapto group (a compound in which a mercapto group is protected) ), A carboxy group-containing monomer (including a compound having a protected carboxyl group), an amino group-containing monomer (including a compound having a protected amino group), and sulfonate Group-containing monomers (including conjugates in which the sulfonic acid group is protected) And a compound known in the resist field can be used.
  • These monomers can be used alone or in combination of two or more. For example, by combining the monomer belonging to the above (a) and the monomer belonging to the above (b), it is possible to develop a balanced resist property S.
  • the repeating unit that enhances the acid elimination function includes, for example, (c) a hydrocarbon group having a tertiary carbon, a 2-tetrahydrofuranyl group, or a 2-tetrahydro group at a position adjacent to the oxygen atom constituting the ester.
  • the hydrocarbon group is a COOR x group (R x represents a tertiary hydrocarbon group, 2-tetrahydrofuranyl group or 2-tetrahydrovinylyl group).
  • a (meth) acrylate ester derivative or the like bonded directly or via a linking group can be introduced into a polymer by using as a comonomer.
  • a (meth) atalinoleic acid ester derivative a compound known in the field of resist can be used.
  • an unsaturated carboxylic acid used to impart various functions as a resist to the polymer compound of the present invention is represented by the following formula (8a) To (8g). These correspond to the lactone skeleton-containing monomer and the cyclic ketone skeleton-containing monomer.
  • R represents a hydrogen atom or a methyl group. 1 ⁇ to 16 , R 9 to R 36 , X, to V 3 are the same as described above.
  • Representative examples of the compound represented by the formula (8a) include, but are not limited to, the following compounds.
  • Representative examples of the compound represented by the formula (8b) include, but are not limited to, the following compounds.
  • Representative examples of the compound represented by the formula (8c) include the following compounds, but are not limited thereto.
  • Representative examples of the compound represented by the formula (8d) include the following compounds, but are not limited thereto.
  • Representative examples of the compound represented by the formula (8g) include the following compounds, but are not limited thereto.
  • polymerizable unsaturated monomers other than myacetal esters include unsaturated carboxylic acids used to impart various functions as a resist to the polymer compound of the present invention, such as maleic anhydride, Maleimide. These correspond to the acid anhydride group-containing monomer and the imide group-containing monomer.
  • the following are typical examples of polymerizable unsaturated monomers other than myacetal esters used for imparting various functions as a resist to the polymer compound of the present invention.
  • a compound represented by the formula (9). These compounds are the same as those described above for the hydroxyl group-containing monomer, mercapto. It corresponds to a group-containing monomer, a carboxyl group-containing monomer, an amino group-containing monomer, a sulfonic acid group-containing monomer and a cyclic ketone skeleton-containing monomer.
  • ring Z 2 represents an alicyclic hydrocarbon ring having 6 to 20 carbon atoms.
  • R represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 37 represents a substituent bonded to ring Z 2 , Same or different, may be protected by an oxo group, an alkyl group, a hydroxyl group optionally protected by a protecting group, a hydroxyalkyl group optionally protected by a protecting group, or a protecting group A carboxyl group, an amino group which may be protected by a protecting group, or a sulfonic acid group which may be protected by a protecting group, provided that at least one of n R 37s is an oxo group or a protecting group A hydroxyl group which may be protected with a group, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, a carboxyl group which may be protected with a protecting group, an amino which may be protected with a protecting group Group or protected by a protecting group.
  • alicyclic hydrocarbon ring monocyclic having 6 to 20 carbon atoms in the ring Z 2, or may be a polycyclic ring, over fused ring and bridges.
  • Typical alicyclic hydrocarbon rings include, for example, cyclohexane ring, cyclooctane ring, cyclodecane ring, adamantane ring, norbornane ring, norbornene ring, bornane ring, isobornane ring, perhydroindene ring, decalin ring, 'Pahi mud fluorene ring (1, Rishikuro [7.4.3 0.0 3' 8] tridecane ring), Pahi Doroantora Sen ring, tricyclo [5.2.2 1.0 2 '6] decane ring, tricyclo [4.
  • the alicyclic hydrocarbon ring has a methyl group Alkyl group such (e.g., C, etc.
  • haloalkyl group such as group, a fluorine atom or a halogen atom, an optionally protected coercive Mamorumoto human Dorokishiru group such as a chlorine atom, a protecting group Or protected with a hydroxyalkyl group, a mercapto group which may be protected with a protecting group, an oxo group, a carboxyl group which may be protected with a protecting group, or a protecting group. It may have a substituent such as a good amino group or a sulfonate group which may be protected with a protecting group. ⁇
  • ano group for R 37 a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a s-butyl group, a t-butyl group, a hexyl group, an octyl group, a decyl group and a dodecyl group And linear or branched alkyl groups having about 1 to 20 carbon atoms.
  • a protected or unprotected amino group the amino group, substituted amino group (e.g., methylcarbamoyl Ruamino, Echiruamino, etc.
  • R z represents a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group is a linear or branched chain such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butynole, t-butynole, and hexyl. And an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • Possible carboxyl groups are the same as described above.
  • Representative examples of the compound represented by the formula (9) include, but are not limited to, the following compounds.
  • carboxyl group-containing monomer for example, acrylic acid, methacrylic acid and the like can be used.
  • polymerizable unsaturated monomer used to enhance the acid-eliminating function of the polymer compound include, for example, 1-1 [(1-1) (meth) atalyloyloxy-1- 1-methylethyl] ridamantane, 2- (Meth) acryloyloxy 2-Methyladamantane, 2- (Meth) acryloyloxy
  • the proportion of the repeating unit represented by formula (I) is limited, and with respect to the total monomer units constituting the polymer, typically. 1 to: 1 0 ⁇ mole 0/0, preferably 1 0-9 0 mole 0/0, more preferably 3 0-8 about 0 mol%.
  • the ratio of [excluding the repeating unit represented by the formula (I)] is 0 to 95 mol%, preferably 0 to 60 mol%, and more preferably about 10 to 40 mol%. .
  • the proportion of the repeating unit corresponding to at least one monomer selected from a monomer containing a hydroxyl group, a monomer containing a mercapto group and a monomer containing a carboxyl group is 0 to 95 mol. %, preferably 5-9 0 mole 0/0, preferably in the al about 1 0-5 0 mol%.
  • the polymerization of the monomer mixture is performed by a conventional method used for producing an acrylic polymer, such as solution polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization, bulk-suspension polymerization, emulsion polymerization, and the like.
  • solution polymerization can be performed.
  • drop polymerization is preferable among solution polymerizations.
  • a monomer solution previously dissolved in an organic solvent and a polymerization initiator solution dissolved in an organic solvent are respectively prepared, and the organic solvent kept at a constant temperature is prepared.
  • ethers chain ethers such as glycol ethers such as methyl alcohol, propylene glycol monomethyl ether and the like, cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane), and esters (esters).
  • the polymer obtained by polymerization can be purified by precipitation or reprecipitation.
  • the precipitation or reprecipitation solvent may be either an organic solvent or water, or may be a mixed solvent.
  • the organic solvent used as the precipitation or reprecipitation solvent include: hydrocarbons (aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, and octane; alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane and methylcyclohexane; benzene, toluene, Aromatic hydrocarbons such as xylene), halogenated hydrocarbons (aliphatic hydrocarbons such as methylene chloride, chloroform, and carbon tetrachloride); hydrogenated aromatics such as benzene and dichlorobenzene Group hydrocarbons), nitro compounds (nitromethane, nitroethane, etc.), nitriles (acetonitrile, benzonitrile, etc.), Monoethers (
  • a solvent containing at least a hydrocarbon is preferable as the organic solvent used as the precipitation or reprecipitation solvent.
  • the resin composition for photoresist of the present invention contains the polymer compound of the present invention and a photoacid generator.
  • the photoacid generator examples include conventional or known compounds which efficiently generate an acid upon exposure to light, such as diazonium salts, odonium salts (e.g., diphenyl hexafluorophosphate), and snorephonium salts (e.g., For example, triphenylenolesnorrefoname hexafluoroantimonate, trifenenoles / levonihexene hexanoleophthalate phosphate, triphenylenolesnorrefonium methanesulfonate, etc.), sulfonic acid ester [ For example, 1-feninole 1-(4-methinolefenole) snorehoninoleoxy 1 1 benzoylmethane, 1,2,3-trisinolephonyloxymethylbenzene, 1, 3-dinitro-1- (4-phenylenolesulfonyloxymethyl) benzene, 1-phenyl
  • Oxathiazole derivatives s-triazine derivatives, disulfone derivatives (such as diphenyldisulfone), imid compounds, oxime sulfonates, diazonaphthoquinone, and benzoin tosylate.
  • These photoacid generators can be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the photoacid generator to be used can be appropriately selected according to the strength of the acid generated by light irradiation, the ratio of each monomer unit (repeat unit) in the polymer compound, and the like. 0. ⁇ ⁇
  • It can be selected from a range of about 30 parts by weight, preferably about 1 to 25 parts by weight, and more preferably about 2 to 20 parts by weight.
  • the resin composition for photoresist includes an alkali-soluble component such as an alkali-soluble resin (for example, a novolak resin, a phenol resin, an imido resin, and a carboxyl group-containing resin), a coloring agent (for example, a dye), and an organic compound.
  • an alkali-soluble component such as an alkali-soluble resin (for example, a novolak resin, a phenol resin, an imido resin, and a carboxyl group-containing resin), a coloring agent (for example, a dye), and an organic compound.
  • Solvents eg, hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, alcohols, esters, amides, ketones, ethers, cellosolves, carbitols, glycol ether esters, mixed solvents of these, etc.
  • Etc. may be included.
  • the coating film (resist film) is exposed to a light beam through a predetermined mask (or, after the exposure, the beta film is exposed).
  • a fine pattern can be formed with high precision by forming a latent image pattern and then developing.
  • Examples of the base material or the substrate include a silicon wafer, metal, plastic, glass, and ceramic.
  • Application of the resin composition for photoresist is performed using a conventional coating method such as a spin coater, dip coater, or roller coater. This can be done using steps.
  • the thickness of the coating film is, for example, about 0.01 to 20 zm, and preferably about 0.05 to 2 m.
  • wavelengths of light such as ultraviolet rays and X-rays
  • Various wavelengths of light can be used for the exposure.
  • semiconductor resists g-rays, i-rays, excimer lasers (eg, XeC1, KrF) are usually used.
  • a r 2 and the like are used.
  • the exposure energy is, for example, about 0.1 to 100 mj / cm 2 .
  • an acid Upon irradiation with light, an acid is generated from the photoacid generator, and the acid generates a protective group (for example, a carboxyl group of a monomer unit having an acid-labile group of the polymer compound (alkaline soluble unit)).
  • a protective group for example, a carboxyl group of a monomer unit having an acid-labile group of the polymer compound (alkaline soluble unit)
  • (Eliminable group) is rapidly eliminated, and a carboxyl group or the like contributing to solubilization is generated. Therefore, a predetermined pattern can be accurately formed by development with water or an alkaline developer.
  • the concentrate is purified by silica gel column chromatography, and the 2- (1-methacryloyl) represented by the following formula (12) is obtained. Ruokishietokishi) to give an 4-O hexa tricyclo [4.2.3 1.0 3 '7] non Hmm 5-one 2 5. 5 g (9 6 mm o 1, 8 1% yield). This substance was a mixture of two isomers, and the abundance was about 1: 1.
  • 3-hydroxy-11-spiroxaspiro [4.5] decane-2-one represented by the formula (13) can be obtained from cyc hexanol and methyl acrylate by the literature [Chem. Commun. 7, 613-614 (2000)], and used after purification by silica gel ram chromatography.
  • reaction solution was washed successively with 170 ml of water, 170 ml (twice) of a 10% by weight aqueous sodium carbonate solution and 170 ml of water, and the organic layer was concentrated under reduced pressure.
  • the concentrate is purified by silica gel column chromatography, and the [1- (adamantan-1-yl) ethoxy] ethyl (meta) acrylate represented by the following formula (17) is obtained. [1-[2-(Adamantane 1-1) ethoxy]] Ethyl (meta) acrylate spectrum data]
  • the concentrate was purified by silica gel column chromatography to obtain 11- (bornyloxy) ethyl methacrylate 22.8 g (85 mmo1, yield 85%) represented by the following formula (19).
  • Bornyl vinyl ether was synthesized from (-)-borneol and propionate bull using the method described in JP-A-2003-73332 and purified by distillation. .
  • PGM Propylene glycol monomethyl ether acetate
  • the obtained reaction solution was added dropwise to a mixed solution of 733 g of heptane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was recovered with Nutsuchi.
  • the obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.5 g of the desired product.
  • the weight average molecular weight (M w ) of the obtained polymer was 110,000, and the molecular weight distribution (M w / M n ) was 1.90 (GPC measurement value, converted to polystyrene).
  • PGM Propylene glycol monomethyl ether acetate
  • the obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 12.6 g of the desired product.
  • the weight average molecular weight (M w ) of the obtained polymer was 990, and the molecular weight distribution (M w / M n ) was 1.91 (measured GPC value, in terms of polystyrene).
  • the obtained reaction solution was dropped into a mixed solution of 733 g of hexane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collected by Nutsche.
  • the obtained polymer is dried under reduced pressure, 12.8 g were obtained.
  • the weight average molecular weight (M w ) of the obtained polymer was 90, and the molecular weight distribution (M W ZMJ was 1.89 (GPC measurement value,-′ in terms of styrene)).
  • PGM EA propylene glycol monomethyl enoate ethereal acetate
  • PGME propylene glycol monomethyl ether
  • the obtained reaction solution was dropped into a mixed solution of 733 g of hexane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collected by Nutsche.
  • the obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 12.5 g of the desired product.
  • the obtained polymer had a weight average molecular weight (M w ) of 110,000 and a molecular weight distribution (M w / M n ) of 1.88. (GPC measurement value, converted to polystyrene).
  • the obtained reaction solution was added dropwise to a mixed solution of 733 g of heptane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collected by Nutsche.
  • the obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.5 g of the desired product.
  • the weight average molecular weight (M w ) of the obtained polymer was 930, and the molecular weight distribution (M W / MJ was 1.92 (GP C measurement value, converted to polystyrene).
  • the obtained reaction solution was added dropwise to a mixed solution of 7333 g of heptane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was recovered with a nut.
  • the obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.5 g of the desired product.
  • the obtained polymer had a weight average molecular weight (M w ) of 980 and a molecular weight distribution (M w ZM n ) of 1.88 (GPC measurement value, converted to polystyrene).

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Abstract

A polymer comprising repeating units corresponding to an unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester represented by the following formula (1): (1) (wherein Ra represents hydrogen, halogeno, C1-6 alkyl, or C1-6 haloalkyl; Rb represents a hydrocarbon group having a hydrogen atom in the 1-position; Rc represents hydrogen or a hydrocarbon group; and Rd represents an organic group containing a cyclic skeleton). The polymer may further contain repeating units corresponding to at least one monomer selected among monomers having a lactone skeleton, monomers having a cyclic ketone skeleton, monomers having an acid anhydride group, and monomers having an imide group [excluding the repeating units corresponding to the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester] and/or repeating units corresponding to at least one monomer selected among monomers having a hydroxy group, etc. When used in a photoresist, this polymer has the excellent property to release an acid.

Description

不飽和カルボン酸へミァセタールエステル、 高分子化合物及びフォ トレ ジス ト用樹脂組成物 技術分野 Unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester, polymer compound and resin composition for photoresist
本発明は、 半導体の微細加工明などを行う際に用いるフォ トレジス ト用 樹脂の単量体成分と して有用な不飽和カルボン酸へミァセタールエステ ルとその製造法、 該不飽和カルボン酸へ書ミァセタールエステルに対応す る繰り返し単位を含む高分子化合物、 該高分子化合物を含有するフォ ト レジス ト用樹脂組成物、 及び半導体の製造方法に関する。 背景技術  The present invention relates to an unsaturated carboxylic acid useful as a monomer component of a resin for photoresist used when performing fine processing of a semiconductor, etc. The present invention relates to a polymer compound containing a repeating unit corresponding to a myacetal ester, a resin composition for a photoresist containing the polymer compound, and a method for producing a semiconductor. Background art
半導体製造工程で用いられるポジ型フォ トレジス トは、 光照射により 照射部がアルカリ可溶性に変化する性質、 シリ コンウェハーへの密着性 、 プラズマエッチング耐性、 用いる光に対する透明性等の特性を兼ね備 えていなくてはならない。 該ポジ型フォ トレジス トは、 一般に、 主剤で あるポリマーと、 光酸発生剤と、 上記特性を調整するための数種の添加 剤を含む溶液と して用いられるが、 用途に応じたレジス トを調製するに は、 主剤であるポリマーが上記の各特性をバランス良く備えていること が極めて重要である。  Positive photoresists used in the semiconductor manufacturing process have properties such as the property that the irradiated area changes to alkali-soluble due to light irradiation, adhesion to silicon wafers, plasma etching resistance, and transparency to light used. Must be. The positive type photoresist is generally used as a solution containing a polymer as a main agent, a photoacid generator, and several additives for adjusting the above properties. In order to prepare a polymer, it is extremely important that the polymer as the main agent has the above-mentioned properties in a well-balanced manner.
半導体の製造に用いられるリ ソグラフィの露光光源は、 年々短波長に なってきており、 波長 2 4 8 n mの K r Fエキシマレーザーから波長 1 9 3 n mの A r Fエキシマレーザーに移行しつつある。 これらの K r F 又は A r Fエキシマレーザー露光機に用いられるレジス ト用ポリマーに おいて、 露光によって光酸発生剤から発生する酸により脱離してアル力 リ現像液に対して可溶になる機能を付与するモノマーュニッ トとして 2 ーメチルァダマンタン _ 2—イノレ基ゃ 1ーァダマンチノレー 1 —メチルェ チル基を有するュ-ッ トなどが知られている (特開平 9— 7 3 1 7 3号 公報等) 。 しかし、 これらのユニッ トを有する従来のフォ トレジスト用 樹脂は、 感度や現像度の点で必ずしも十分満足できるものではなかった 。 また、 基板密着性、 耐エッチング性及び酸脱離性のバランスも十分と は言えなかった。 発明の開示 The lithography exposure light source used in semiconductor manufacturing is becoming shorter and shorter each year, and is shifting from a 248 nm wavelength KrF excimer laser to a 193 nm wavelength ArF excimer laser. . The resist polymer used in these KrF or ArF excimer laser exposure machines is desorbed by the acid generated from the photoacid generator upon exposure to Al As a monomer unit having a function of being soluble in a re-developing solution, a unit having a 2-methyladamantane_2-inole group ゃ 1-adamantinole 1-methylethyl group is known. (Japanese Patent Laid-Open No. 9-73173, etc.). However, conventional photoresist resins having these units have not always been satisfactory in terms of sensitivity and degree of development. In addition, the balance between substrate adhesion, etching resistance and acid desorption was not sufficient. Disclosure of the invention
本発明の目的は、 フォトレジスト用として用いた場合に優れた酸脱離性又は 優れた酸脱離性と基板密着性を示す高分子化合物とその単量体、 該単量体の製造 法、 前記高分子化合物を含むフォトレジスト用榭脂組成物、 及び該榭脂組成物を 用いた半導体の製造方法を提供することにある。  An object of the present invention is to provide a polymer compound having excellent acid-releasing property or excellent acid-releasing property and excellent substrate adhesion when used for a photoresist, and a monomer thereof, a method for producing the monomer, It is an object of the present invention to provide a resin composition for photoresist containing the polymer compound, and a method for manufacturing a semiconductor using the resin composition.
本発明の他の目的は、 基板密着性、 耐エッチング性及び酸脱離性をバランスよ く備えたフォトレジスト用の高分子化合物と、 該高分子化合物を含むフォトレジ スト用樹脂組成物、 及び該樹脂組成物を用いた半導体の製造方法を提供すること にある。  Another object of the present invention is to provide a polymer compound for photoresist having a good balance of substrate adhesion, etching resistance and acid desorption property, a resin composition for photoresist containing the polymer compound, and An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor using the resin composition.
本発明のさらに他の目的は、 微細なパターンを精度よく形成できるフ ォ トレジス ト用の高分子化合物、 フォ トレジスト用樹脂組成物、 及び半 導体の製造方法を提供することにある。  Still another object of the present invention is to provide a polymer compound for photoresist, a resin composition for photoresist, and a method for producing a semiconductor, which can form a fine pattern with high accuracy.
本発明者らは、 上記目的を達成するため鋭意検討した結果、 特定構造 を有する不飽和カルボン酸へミァセタールエステルに対応する繰り返し 単位を含む高分子化合物をフォ トレジス ト用樹脂として用いると、 優れ た酸脱離性又は優れた酸脱離性と基板密着性が発現し、 微細なパターンを精 度よく形成できることを見出し、 本発明を完成した。  The present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, it has been found that an unsaturated carboxylic acid having a specific structure containing a polymer compound containing a repeating unit corresponding to a miacetal ester as a resin for photoresist is excellent. The present inventors have found that acid desorption properties or excellent acid desorption properties and excellent substrate adhesion are exhibited, and fine patterns can be formed with high accuracy, and the present invention has been completed.
すなわち、 本発明は、 下記式 ( 1 )
Figure imgf000005_0001
That is, the present invention provides the following formula (1)
Figure imgf000005_0001
((式式中中、、 RR aaはは水水素素原原子子、、 ハハロロゲゲンン原原子子、、 炭炭素素数数 11〜〜 66ののアアルルキキルル基基又又はは 5 炭炭素素数数 11〜〜 66ののハハロロアアルルキキルル基基をを示示しし、、 RR bbはは 11位位にに水水素素原原子子をを有有すするる炭炭 化化水水素素基基をを示示しし、、 RR。。はは水水素素原原子子又又はは炭炭化化水水素素基基をを示示しし、、 RR ddはは環環式式骨骨格格 をを含含むむ有有機機基基をを示示すす)) (Wherein, RR aa is a hydrogen atom atom, a hahalogenogen atom atom, an aralkyquill group having a carbon number of 11 to 66 or 5 or a carbon number of 5 to 11 RR bb represents a hydrogenated hydrocarbon group having a hydrogen atom atom at the 11-position. In the above, RR indicates a hydrogen atom atom or a carbohydrocarbon group, and RR dd includes a cyclic bone skeleton. Shows organic organic base)))
でで表表さされれるる不不飽飽和和カカルルボボンン酸酸へへミミァァセセタターールルエエスステテルルをを提提供供すするる。。  To provide the unsaturated unsaturated kacarrubovonic acid represented by the formula (1). .
前前記記 RR ddににおおけけるる環環式式骨骨格格ととししててははララタタ トトンン骨骨格格又又はは非非芳芳香香族族性性多多環環式式 10 骨骨格格がが好好ままししいい。。 The aforementioned cyclic skeleton of RR dd may be laratata tonton skeleton or non-aromatic aromatic polycyclic polycyclic 10 skeleton. The case remains good. .
本本発発明明はは、、 ままたた、、 下下記記式式 (( 33 ))
Figure imgf000005_0002
The invention of the present invention is based on the following formula ((33))
Figure imgf000005_0002
1155 ((式式中中、、 RR aaはは水水素素原原子子、、 ハハロロゲゲンン原原子子、、 炭炭素素数数 11〜〜 66ののアアルルキキルル基基又又はは 炭炭素素数数 11〜〜 66ののハハロロアアルルキキルル基基をを示示すす)) 1155 ((wherein, RR aa is a hydrogen atom atom, a hahalogenogen atom atom, an aralkylyl group or a carbon atom number of 11 to 66 carbon atoms) Shows 66 hahaloloaalkylalkyl groups))
でで表表さされれるる不不飽飽和和カカルルボボンン酸酸をを、、 下下記記式式 ((44 ))
Figure imgf000005_0003
The unsaturated unsaturated kacarbobonic acid represented by the formula is converted into the following formula ((44))
Figure imgf000005_0003
(式中、 R。は水素原子又は炭化水素基を示し、 R dは環式骨格を含む有 機基を示し、 R B、 R fはそれぞれ水素原子又は炭化水素基を示す) で表されるビュルエーテル化合物と反応させて、 下記式 (5 ) (In the formula, R represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, R d represents an organic group having a cyclic skeleton, and R B and R f each represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group.) By reacting with a butyl ether compound, the following formula (5)
Figure imgf000005_0004
(式中、 R \ R \ R d、 R R fは前記に同じ)
Figure imgf000005_0004
(Wherein, R \ R \ R d, RR f have the same meanings as defined above)
で表される不飽和カルボン酸へミァセタールエステルを得ることを特徴 とする不飽和カルボン酸へミアセタールェステルの製造法を提供する。 本発明は、 また、 下記式 ( I ) A process for producing a myacetal ester to an unsaturated carboxylic acid represented by the formula: The present invention also provides the following formula (I):
Ra R a
0, (I ) 0, (I)
Rb— C— Rc R b — C— R c
0  0
I ,  I,
Rd R d
(式中、 R aは水素原子、 ハロゲン原子、 炭素数 1〜 6のアルキル基又は 炭素数:!〜 6のハロアルキル基を示し、 R bは 1位に水素原子を有する炭 化水素基を示し、 R。は水素原子又は炭化水素基を示し、 R dは環式骨格 を含む有機基を示す) (Wherein, Ra represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and Rb represents a hydrocarbon group having a hydrogen atom at the 1-position. , R. represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and R d represents an organic group containing a cyclic skeleton.)
で表される繰り返し単位を含む高分子化合物を提供する。 A polymer compound comprising a repeating unit represented by the formula:
こ の高分子化合物は、 さらに、 ラタ トン骨格含有単量体、 環状ケトン 骨格含有単量体、 酸無水物基含有単量体及びイミ ド基含有単量体から選 択された少なく とも 1種の単量体に対応する繰り返し単位 [式 ( I ) で 表される繰り返し単位を除く ] を含んでいてもよい。 また、 前記高分子 化合物は、 さらに、 ヒ ドロキシル基含有単量体、 メルカプト基含有単量 体及びカルボキシル基含有単量体から選択された少なく とも 1種の単量 体に対応する繰り返し単位を含んでいてもよい。  The polymer compound further comprises at least one selected from a ratatone skeleton-containing monomer, a cyclic ketone skeleton-containing monomer, an acid anhydride group-containing monomer, and an imido group-containing monomer. And a repeating unit [excluding the repeating unit represented by the formula (I)] corresponding to the monomer of the formula (I). Further, the polymer compound further includes a repeating unit corresponding to at least one monomer selected from a hydroxyl group-containing monomer, a mercapto group-containing monomer, and a carboxyl group-containing monomer. You may go out.
本発明は、 さらに、 前記の高分子化合物と光酸発生剤とを少なく とも 含むフォ ト レジス ト用樹脂組成物を提供する。  The present invention further provides a resin composition for photoresist containing at least the above polymer compound and a photoacid generator.
本発明は、 さらにまた、 前記フォ ト レジス ト用樹脂組成物を基材又は 基板上に塗布してレジス ト塗膜を形成し、 露光及び現像を経てパターン を形成する工程を含む半導体の製造方法を提供する。 The present invention further provides the resin composition for a photoresist as a substrate or Provided is a method for manufacturing a semiconductor, which comprises a step of forming a resist coating film by coating on a substrate and forming a pattern through exposure and development.
なお、 本明細書におけるビニルエーテル系単量体やビュルエーテル化 合物には、 ビュル基の水素原子が置換基で置換された化合物も含まれる ものとする。 また、 ヒ ドロキシル基等の保護基と しては、 有機合成の分 野で慣用の保護基を使用できる。  It should be noted that the vinyl ether-based monomer and the vinyl ether compound in the present specification include a compound in which a hydrogen atom of a bullet group is substituted with a substituent. Further, as a protecting group such as a hydroxyl group, a commonly used protecting group in the field of organic synthesis can be used.
本発明によれば、 フォトレジスト用として用いた場合に優れた酸脱離性又は 優れた酸脱離性と基板密着性を示す高分子化合物とその単量体が提供される。 ま た、 本発明のフォ トレジスト用榭脂組成物は酸脱離性に優れると共に、 基板密着 性、 耐エッチング性及び酸脱離性をパランスよく発揮する。 このため、 半導体の 製造において、 微細なパターンを精度よく形成することができる。 発明を実施するための最良の形態  ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the polymer compound and its monomer which show the outstanding acid desorption property or the excellent acid desorption property and substrate adhesiveness when used for photoresists are provided. Further, the resin composition for photoresists of the present invention is excellent in acid desorption properties, and exhibits well-balanced substrate adhesion, etching resistance and acid desorption properties. For this reason, a fine pattern can be accurately formed in the manufacture of a semiconductor. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
[不飽和カルボン酸へミァセタールエステル]  [Measetal ester of unsaturated carboxylic acid]
本発明の不飽和カルボン酸へミアセタールエステルは、 前記式 ( 1 ) で表される。 式 ( 1 ) 中、 R aは水素原子、 ハロゲン原子、 炭素数 1〜6 のアルキル基又は炭素数 1〜6 のハロアルキル基を示し、 R bは 1位に水 素原子を有する炭化水素基を示し、 R。は水素原子又は炭化水素基を示し 、 R dは環式骨格を含む有機基を示す。 The unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester of the present invention is represented by the above formula (1). In the formula (1), Ra represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R b represents a hydrocarbon group having a hydrogen atom at the 1-position. Indicates, R. Represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and R d represents an organic group having a cyclic skeleton.
前記 R aにおけるハロゲン原子には、 フッ素原子、 塩素原子、 臭素原子 などが含まれる。 炭素数 1〜 6のアルキル基と しては、 例えば、 メチル 、 ェチノレ、 プロピノレ、 イ ソプロピノレ、 プチル、 イ ソブチル、 s —ブチル 、 t一プチル、 ペンチル、 へキシル基などが挙げられる。 これらの中で も、 アルキル基、 特にメチル基が好ましい。 炭素数 1〜6のハロア ルキル基と しては、 例えば、 クロロメチル基などのクロ口アルキル基 ; ト リ フノレオロメチノレ、 2, 2, 2— ト リ フノレオロェチノレ、 ペンタフルォ 口ェチル基などのフルォロ アノレキル基 (好ましくは、 d— 3フルォロアル キル基) などが挙げられる。 The halogen atom in Ra includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and the like. Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include methyl, ethynole, propynole, isopropynole, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, pentyl, hexyl and the like. Of these, an alkyl group, particularly a methyl group, is preferred. Examples of the haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms include a chloroalkyl group such as a chloromethyl group; triphenylenomethylinole, 2,2,2-triphenylenoletinole, and pentafluoro. Examples include a fluoroanolealkyl group such as an ethyl group (preferably, a d- 3 fluoroalkyl group).
前記 R bにおける 1位に水素原子を有する炭化水素基と しては、 例えば 、 メチル、 ェチノレ、 プロ ピル、 イ ソプロ ピノレ、 プチノレ、 イ ソプチル、 s 一ブチル基などのアルキル基 (例えば Cぃ6アルキル基、 特に — 3アル キノレ基) ; シク ロプロ ピノレ、 シク 口ペンチノレ、 シク 口へキシル基などの シクロアノレキノレ基 (例えば 3〜 6員のシクロアルキノレ基) ; シクロペン チノレメチル、 シク 口へキシルメチル基などのシク口アルキルアルキル基 [ィ列えば、 モノ又はジー ( 3〜 6員シクロアルキル) 一 C — 3アルキル基 ] ; ベンジノレ、 1 —メチルベンジル、 1—フエ-ルペンジル基などのァ ラルキル基 (例えば、 モノ又はジフエニル一 d— 3アルキル基) などが挙 げられる。 R bと しては、 メチル、 ェチル、 プロピル、 イソプロピル基な どの C ^ 3アルキル基が好ましく、 特にメチル基が好ましい。 Wherein is a hydrocarbon radical having 1-position a hydrogen atom in R b, for example, methyl, Echinore, propyl, i Sopuro Pinore, Puchinore, Lee Sopuchiru, alkyl groups such as s one-butyl group (e.g. C I 6 Alkyl groups, especially —3 alkynole groups); cyclopropynole groups such as cyclopropynole, cyclopentynole, and cyclohexyl groups (for example, 3- to 6-membered cycloalkynole groups); cyclopentynolemethyl, cyclohexylmethyl groups Cycloalkyl groups such as mono- or di- (3- to 6-membered cycloalkyl) 1 C- 3 alkyl groups; aralkyl groups such as benzinole, 1-methylbenzyl, 1-phenylpentyl, etc. For example, mono- or diphenyl-1-d-3 alkyl group). As R b , a C ^ 3 alkyl group such as a methyl, ethyl, propyl, and isopropyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.
R cにおける炭化水素基と しては、 例えば、 メチル、 ェチル、 プロピル 、 イソプロピル、 ブチル、 イソブチル、 s —プチル基などのアルキル基 (例えば Cぃ6アルキル基、 特に C t3アルキル基) ; シクロプロピル、 シク口ペンチノレ、 シク 口へキシル基などのシクロアルキノレ基 (例えば 3 〜 6員のシクロアルキル基) ; フエニル基などのァリール基などが挙げ られる。 R。と しては、 水素原子 ; メチル、 ェチル、 プロピル、 イソプロ ピルなどの C卜3アルキル基が好ましく、 特に、 水素原子、 メチル基が好 ま しい。 Examples of the hydrocarbon group for R c include alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, and s-butyl groups (eg, C ぃ6 alkyl groups, especially C t - 3 alkyl groups); Cycloalkynole groups (eg, 3- to 6-membered cycloalkyl groups) such as cyclopropyl, cyclopentynole, and cyclohexyl groups; and aryl groups such as phenyl groups. R. The by a hydrogen atom; methyl, Echiru, propyl, preferably C Bok 3 alkyl groups such as isopropyl, especially, a hydrogen atom, a methyl group good or arbitrary.
R dの環式骨格を含む有機基における環式骨格と して、 ラク トン骨格、 及ぴラク トン骨格以外の環式骨格が挙げられる。 Examples of the cyclic skeleton in the organic group including the cyclic skeleton of Rd include a lactone skeleton and a cyclic skeleton other than the lactone skeleton.
ラク トン骨格には、 ラク トン環 (例えば、 Ί 一プチ口ラク トン環、 δ 一バレロラク トン環、 ε —力プロラク トン環等) のみからなる骨格のほ 力 該ラク トン環に非芳香族性又は芳香族性の炭素環又は複素環が縮合 した骨格が含まれる。 なかでも、 ラク トン環のみからなる骨格、 ラク ト ン環に非芳香族性の炭素環又は複素環 (特に、 非芳香族性炭素環) が縮 合した骨格が好ましい。 ラク トン骨格を構成する環は、 メチル基等のァ ルキル基 (例えば、 d 4アルキル基など) 、 ト リフルォロメチル基など のハロアノレキル基 (例えば、 Cぃ4ハロアルキル基など) 、 塩素原子ゃフ ッ素原子等のハロゲン原子、 保護基で保護されていてもよいヒ ドロキシ ル基、 保讓基で保護されていてもよいヒ ドロキシアルキル基、 保護基で 保護されていてもよいメルカプト基、 保護基で保護されていてもよい力 ルポキシル基、 保護基で保護されていてもよいアミノ基、 保護基で保護さ れていてもよいスルホン酸基などの置換基を有していてもよい。 保護基と しては有機合成の分野で通常用いられる保護基が挙げられる。 The lactone skeleton includes a lactone ring (for example, a lactone ring such as a lipolactone ring, a δ-valerolactone ring, and an ε-force prolactone ring). Or aromatic carbocyclic or heterocyclic ring fused Skeleton included. Of these, a skeleton composed of only a lactone ring, and a skeleton in which a non-aromatic carbon ring or a heterocyclic ring (particularly, a non-aromatic carbon ring) is fused to the lactone ring are preferable. Ring constituting the lactone skeleton, § alkyl group such as a methyl group (e.g., a d 4 alkyl group), Haroanorekiru groups such as preparative Rifuruoromechiru group (e.g., C I 4 haloalkyl group), a chlorine atom Ya off Tsu containing Halogen atom such as atom, hydroxy group optionally protected by a protecting group, hydroxyalkyl group optionally protected by a protecting group, mercapto group optionally protected by a protecting group, protecting group May have a substituent such as a ropoxyl group, an amino group which may be protected with a protecting group, and a sulfonic acid group which may be protected with a protecting group. Examples of the protecting group include those commonly used in the field of organic synthesis.
代表的なラク トン骨格と して、 下記式 (6a) 、 ( 6b) 、 ( 6c) 、 ( 6d ) 、 ( 6e ) 、 ( 6f) 、 ( 6g) で表される骨格 (基) が挙げられる。  Representative lactone skeletons include skeletons (groups) represented by the following formulas (6a), (6b), (6c), (6d), (6e), (6f), and (6g). .
Figure imgf000009_0001
Figure imgf000009_0001
(6b) (6c) (6d)  (6b) (6c) (6d)
Figure imgf000009_0002
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( 6e) (6f) (6g)  (6e) (6f) (6g)
[式中、 !^ 1〜!^ 6、 R 9〜R 3 6は、 同一又は異なって、 水素原子、 ハロゲン原子 、 アルキノレ基、 ハロアルキル基、 保護基で保護されていてもよいヒ ドロキシル基 、 保護基で保護されていてもよいヒ ドロキシアルキル基、 保護基で保護されてい てもよいメルカプト基、 又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示 し、 Xはアルキレン基、 酸素原子、 硫黄原子又は無結合を示し、 Vi V3は、 同 一又は異なって、 一 CH2—、 一 CO—又は一COO—を示す。 伹し、 ν'〜ν 3の少なくとも 1つは一 COO—である。 式 (6f) において、 R27〜R31のう ち少なく とも 2つの基が結合して炭素原子又は炭素一炭素結合と共に環を形成し てもよい。 また、 式 (6g) において、 R32〜R36のうち少なくとも 2つの基 が結合して炭素原子又は炭素一炭素結合と共に環を形成してもよい] [In the formula,! ^ 1 ~! ^ 6, R 9 ~R 3 6 are the same or different, a hydrogen atom, a halogen atom, Arukinore group, a haloalkyl group, an optionally protected human Dorokishiru group with a protecting group, is protected with a protecting group A hydroxyalkyl group which may be protected by a protecting group X represents an alkylene group, an oxygen atom, a sulfur atom or no bond, and Vi V 3 represents the same or different, Indicates CH 2 —, one CO— or one COO—. At least one of ν ′ to ν 3 is one COO—. In the formula (6f), at least two of R 27 to R 31 may combine to form a ring together with a carbon atom or a carbon-carbon bond. In the formula (6g), at least two groups out of R 32 to R 36 may be bonded to form a ring together with a carbon atom or a carbon-carbon bond.
式 (6a) 〜 (6g) 中、 !^〜 6、 R9〜R36におけるハロゲン原子としては 、 フッ素、 塩素原子などが挙げられる。 アルキル基としては、 メチル、 ェチル 、 プロピル、 イソプロピル、 プチル、 イソブチノレ、 s —ブチル、 tーブ チル、 へキシル、 ォクチル、 デシル、 ドデシル基などの直鎖状又は分岐 鎖状の炭素数 1〜 1 3のアルキル基等が挙げられる。 これらの中でも、 炭素数:!〜 4のアルキル基が好ましい。 ノヽロアルキル基としては、 トリ フルォロメチル、 ペンタフルォロェチル基などの炭素数 1〜 1 3のフル ォロアルキル基などが挙げられる。 保護基で保護されていてもよいヒ ド 口キシル基と しては、 例えば、 ヒ ドロキシル基、 置換ォキシ基 (例えば 、 メ トキシ、 エトキシ、 プロポキシ基等の C アルコキシ基など) など が挙げられる。 保護基で保護されていてもよいヒ ドロキシアルキル基と しては、 前記保護基で保護されていてもよいヒ ドロキシル基が炭素数 1 〜6 のアルキレン基を介して結合している基などが挙げられる。 保護基 で保護されていてもよいメルカプト基と しては、 メルカプト基のほか、 前記ヒ ドロキシル基と同様の保護基で保護されたメルカプト基などが挙 げられる。 保護基で保護されていてもよいカルボキシル基としては、 一 C〇〇Ry基などが挙げられる。 前記 Ryは水素原子又はアルキル基を示 し、 アルキル基と しては、 メチル、 ェチル、 プロピル、 イソプロピル、 ブチ^^、 イソブチル、 s —ブチル、 tーブチル、 へキシル基などの直鎖 状又は分岐鎖状の炭素数 1〜 6のアルキル基などが挙げられる。 Xにお けるアルキレン基と しては、 メチレン、 ジメチルメチレン、 エチレン、 プロピレン、 ト リ メチレン基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素数 1〜 3 程度の (好ましく は 1又は 2) のアルキレン基などが挙げられる。 Equations (6a)-(6g) Medium! Examples of the halogen atom in ^ to 6 and R 9 to R 36 include a fluorine atom and a chlorine atom. Examples of the alkyl group include straight- or branched-chain carbon atoms such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutynole, s-butyl, t-butyl, hexyl, octyl, decyl, and dodecyl groups. And the like. Among them, carbon number :! Alkyl groups of 4 are preferred. Examples of the noroalkyl group include fluoroalkyl groups having 1 to 13 carbon atoms, such as trifluoromethyl and pentafluoroethyl groups. Examples of the hydroxyl group which may be protected with a protecting group include a hydroxyl group and a substituted oxy group (for example, a C alkoxy group such as methoxy, ethoxy, propoxy group, etc.). Examples of the hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group include a group in which a hydroxyl group which may be protected with the protecting group is bonded via an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Is mentioned. Examples of the mercapto group that may be protected with a protecting group include a mercapto group, a mercapto group protected with the same protecting group as the above-mentioned hydroxyl group, and the like. The carboxyl group which may be protected by a protecting group, and the like one C_〇_〇_R y group. R y represents a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group is a straight-chain such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, buty ^^, isobutyl, s-butyl, t-butyl, hexyl, etc. And branched or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms. The alkylene group for X includes a linear or branched alkylene group having about 1 to 3 carbon atoms (preferably 1 or 2) such as methylene, dimethylmethylene, ethylene, propylene, and trimethylene groups. And the like.
R27〜R31のう ち少なくとも 2つの基が結合して炭素原子又は炭素一炭素結 合と共に形成する環、 R32〜R36のうち少なくとも 2つの基が結合して炭素原 子又は炭素一炭素結合と共に形成する環としては、 シクロペンタン環、 シクロへ キサン環、 ノルポルナン環などの脂環式炭素環 (橋架け炭素環を含む) などが挙 げられる。 式 (6a) 〜 (6g) で表される骨格を構成する環は前記のよう な置換基を有していてもよい。 A ring formed by bonding at least two groups out of R 27 to R 31 together with a carbon atom or a carbon-carbon bond; and bonding a carbon atom or carbon atom by bonding at least two groups out of R 32 to R 36. The ring formed together with the carbon bond includes an alicyclic carbocycle (including a bridged carbocycle) such as a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, and a norbornane ring. The rings constituting the skeleton represented by the formulas (6a) to (6g) may have the substituent as described above.
前記ラク トン骨格以外の環式骨格を構成する 「環」 には、 単環又は多 環の非芳香族性又は芳香族性環が含まれる。 単環の非芳香族性環として は、 例えば、 シクロペンタン環、 シクロへキサン環、 シクロオクタン環 、 シクロデカン環などの 3〜 1 5員程度のシクロアルカン環等の脂環式 環 ; テトラヒ ドロフラン環、 ピロ リジン環、 ピぺリジン環、 モルホリ ン 環などの 3〜 1 5員程度の非芳香族性複素環などが挙げられる。 多環の 非芳香族性環と しては、 例えば、 ァダマンタン環 ; ノルボルナン環、 ノ ルボルネン環、 ボルナン環、 イソボルナン環、 ト リシクロ [ 5. 2. 1 . 02' 6] デカン環、 テ トラシクロ [4. 4. 0. I 2' 5. I 7' 10] ドデ カン環等のノルボルナン環又はノルボルネン環を含む環 ; パーヒ ドロイ ンデン環、 デカ リ ン環 (パーヒ ドロナフタレン環) 、 パーヒ ドロフルォ レン環 (トリシクロ [ 7. 4. 0. 03' 8] トリデカン環) 、 パーヒ ドロ アントラセン環などの多環の芳香族縮合環が水素添加された環 (好まし くは完全水素添力 Dされた環) ; トリシクロ [4. 2. 2. I 2' 5] ゥンデ カン環などの 2環系、 3環系、 4環系などの橋架け炭素環 (例えば、 炭 素数 6〜 2 0程度の橋架け炭素環) などが挙げられる。 単環の又は多環 の芳香族環としては、 ベンゼン環、 ナフタレン環、 ピリジン環、 キノ リ ン環等の芳香族性炭素環、 芳香族性複素環が挙げられる。 これらの中で も、 重合してフォ ト レジス ト用樹脂として用いたときの光透過性及び耐 エッチング性等の観点から、 非芳香族性環が好ましく、 さらに好ましく は多環の非芳香族性環であり、 特に好ましくは多環の非芳香族性炭素環 (橋架け炭素環) である。 また、 橋架け炭素環の中でも、 前記ノルポル ナン環又はノルボルネン環を含む環や、 多環の芳香族縮合環が水素添加 された環 (特に完全水素添加された環) がとりわけ好ましい。 従って、 ラタ トン骨格以外の環式骨格としては、 非芳香族性環式骨格が好ましく 、 特に非芳香族性多環式骨格、 なかでも多環の非芳香族性炭素環式骨格 が好ましい。 The “ring” constituting the cyclic skeleton other than the lactone skeleton includes a monocyclic or polycyclic non-aromatic or aromatic ring. The monocyclic non-aromatic ring includes, for example, an alicyclic ring such as a cycloalkane ring of about 3 to 15 members such as a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a cyclooctane ring, a cyclodecane ring; a tetrahydrofuran ring And a 3- to 15-membered non-aromatic heterocycle such as a pyrrolidine ring, a piperidine ring and a morpholine ring. Is a polycyclic nonaromatic ring, for example, Adamantan ring; norbornane ring, Bruno Ruborunen ring, bornane ring, isobornane ring, preparative Rishikuro [. 5.2.1 0 2 '6] decane ring, Te Torashikuro [4. 4. 0. I 2 ' 5. I 7 ' 10 ] A ring containing a norbornane ring or a norbornene ring such as a dodecane ring; a perhydro-indene ring, a decalin ring (a perhydrronaphthalene ring), and a perhydrorofluor Len ring (tricyclo [7.4.3 0.0 3 '8] tridecane ring), polycyclic aromatic condensed ring is hydrogenated ring such Pahi mud anthracene ring (rather preferably are fully hydrogenated添力D Tricyclo [4.2.2. 2. I 2 ' 5 ] Bridged carbon ring such as bicyclic, tricyclic, or tetracyclic ring such as a pentadecane ring (for example, having about 6 to 20 carbon atoms) A bridged carbon ring). Monocyclic or polycyclic Examples of the aromatic ring include an aromatic carbon ring such as a benzene ring, a naphthalene ring, a pyridine ring and a quinoline ring, and an aromatic heterocyclic ring. Among these, a non-aromatic ring is preferable, and a polycyclic non-aromatic ring is more preferable, from the viewpoints of light transmittance and etching resistance when polymerized and used as a photoresist resin. And particularly preferably a polycyclic non-aromatic carbocyclic ring (bridged carbocyclic ring). Further, among the bridged carbon rings, a ring containing a norbornane ring or a norbornene ring, or a ring obtained by hydrogenating a polycyclic aromatic condensed ring (particularly, a completely hydrogenated ring) is particularly preferable. Therefore, as the cyclic skeleton other than the rataton skeleton, a non-aromatic cyclic skeleton is preferable, and a non-aromatic polycyclic skeleton, particularly, a polycyclic non-aromatic carbocyclic skeleton is preferable.
前記ラク トン骨格以外の環式骨格を構成する環は、 メチル基等のアル キル基 (例えば、 4アルキル基など) 、 トリフルォロメチル基などの ハロアルキノレ基 (例えば、 C 4ハロアルキル基など) 、 塩素原子ゃフッ 素原子等のハロゲン原子、 保護基で保護されていてもよいヒ ドロキシル 基、 保護基で保護されていてもよいヒ ドロキシアルキル基、 保護基で保 護されていてもよいメルカプト基、 保護基で保護されていてもよいカル ボキシル基、 保護基で保護されていてもよいアミノ基、 保護基で保護され ていてもよいスルホン酸基などの置換基を有していてもよい。 保護基とし ては有機合成の分野で通常用いられる保護基が挙げられる。 Ring constituting the cyclic skeleton other than the lactone skeleton, Al kill group such as a methyl group (e.g., alkyl group), triflate Ruo b Haroarukinore group such as a methyl group (e.g., C 4 haloalkyl group), A halogen atom such as a chlorine atom or a fluorine atom, a hydroxyl group which may be protected by a protecting group, a hydroxyalkyl group which may be protected by a protecting group, or a mercapto which may be protected by a protecting group May have a substituent such as a group, a carboxyl group which may be protected with a protecting group, an amino group which may be protected with a protecting group, and a sulfonic acid group which may be protected with a protecting group. . Examples of the protecting group include those commonly used in the field of organic synthesis.
R dにおける環式骨格を含む有機基には、 下記式 ( 2 )
Figure imgf000012_0001
The organic group containing a cyclic skeleton in R d includes the following formula (2)
Figure imgf000012_0001
(式中、 Aは連結基を示し、 Z 1は環式骨格を構成する環を示す) で表される基が含まれる。 (Wherein, A represents a linking group, and Z 1 represents a ring constituting a cyclic skeleton).
前記 Aにおける連結基としては、 例えば、 単結合; メチレン、 メ メチレン、 ジメチルメチレン、 ェチレン、 プロピレン、 ト リメチレン基 などの直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基 ; カルボニル基;酸素原子 ( エーテル結合; _〇一) ; ォキシカルボニル基 (エステル結合; 一 CO O—) ; ァミノ力ルポニル基 (アミ ド結合 ; 一 CONH—) ;及びこれ らが複数個結合した基などが挙げられる。 好ましい連結基には、 単結合 、 直鎖状又は分岐鎖状の アルキレン基 (特に、 d— 3アルキレン基 ) 等が含まれる。 連結基には、 例えば、 塩素原子やフッ素原子等のハロ ゲン原子、 保護基で保護されていてもよいヒ ドロキシル基、 保護基で保 護されていてもよいヒ ドロキシアルキル基、 保護基で保護されていても よいメルカプト基、 保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、 保 護基で保護されていてもよいァミノ基、 保護基で保護されていてもよいスル ホン酸基などの置換基を有していてもよい。 前記 z 1における環式骨格の うちラク トン骨格としては、 上記式 (6a) 〜 (6g) で表される骨格が挙 げられる。 また、 Z 1における環式骨格のうちラタ トン骨格以外の環式骨 格を構成する環と しては、 上記例示のものが挙げられる。 Examples of the linking group in A include a single bond; methylene, Linear or branched alkylene groups such as methylene, dimethylmethylene, ethylene, propylene, and trimethylene groups; carbonyl groups; oxygen atoms (ether bonds; ___- 1); oxycarbonyl groups (ester bonds; —); An amino lponyl group (amide bond; one CONH—); and a group in which a plurality of these groups are bonded. Preferred linking groups include a single bond, a linear or branched alkylene group (particularly, a d- 3 alkylene group) and the like. The linking group includes, for example, a halogen atom such as a chlorine atom or a fluorine atom, a hydroxyl group optionally protected by a protecting group, a hydroxyalkyl group optionally protected by a protecting group, or a protecting group. Substitution of an optionally protected mercapto group, a carboxyl group optionally protected by a protecting group, an amino group optionally protected by a protecting group, a sulfonate group optionally protected by a protecting group It may have a group. The Uchiraku tons backbone cyclic skeleton in the z 1, skeleton represented by the formula (6a) ~ (6g) are exemplified up. Also, as the ring constituting the cyclic skeletal non Lata tons skeleton of the cyclic skeleton in Z 1, include those exemplified above.
式 ( 1 ) で表される不飽和カルボン酸へミァセタールエステルのうち ラク トン骨格を含む有機基を有する化合物の代表的な例 [式 (2) で表 される基を含む化合物のうちラク トン骨格を有する化合物] として以下 の化合物が挙げられる力 これらに限定されるものではない。  Representative examples of the compound having an organic group containing a lactone skeleton among the unsaturated carboxylic acid hemiacetal esters represented by the formula (1) [Lactone among the compounds containing the group represented by the formula (2)] The following compounds may be mentioned as examples of the compound having a skeleton. The present invention is not limited thereto.
[1-1] 1一 [ 1 — (メ タ) アタ リロイルォキシエトキシ] — 4ーォキ サトリシクロ [4. 3. 1. I 3' 8] ゥンデカン一 5—オン [Z '=式 ( 6a) 、 A =単結合] [1-1] 1-1 [1 — (meta) atalyloyloxyethoxy] — 4-oxosatricyclo [4.3.1. I 3 ' 8 ] pentane-5-one [Z' = Formula (6a), A = single bond]
[1-2] 2— [ 1 一 (メ タ) アタ リ ロイルォキシェ トキシ] — 4ーォキ サトリシクロ [4. 2. 1. 03' 7] ノナン一 5—オン [Z】=式 (6b) 、 A =単結合] [1-2] 2- [1 one (meth) Atta Li Roiruokishe butoxy] - 4 Oki Satorishikuro [4.2.3 1.0 3 '7] nonane one 5- ON [Z] = formula (6b), A = Single bond]
[1-3] 2― [ 1 一 (メ タ) アタ リ ロイルォキシェトキシ] — 6—メチ ルー 4ーォキサトリ シクロ [4. 2. 1. 03' 7] ノナン一 5—オン [Z '=式 (6b) 、 A =単結合] [1-3] 2-[1- (meta) atari roiroxhetoxy] — 6-meth Lou 4 Okisatori cyclo [4.2.3 1.0 3 '7] nonane one 5- ON [Z' = formula (6b), A = single bond]
[1-4] 2― [ 1一 (メタ) ァク リ ロイルォキシェ トキシ] — 6 _ トリ フルォロメチルー 4ーォキサト リ シクロ [4. 2. 1. 03' 7] ノナン一 5—オン [Z 1^式 (6b) 、 A =単結合] [1-4] 2- [1 one (meth) § click Re Roiruokishe butoxy] - 6 _ tri Furuoromechiru 4 Okisato Li cyclo [4.2.3 1.0 3 '7] nonane one 5- ON [Z 1 ^ formula (6b), A = single bond]
[1-5] 2― [ 1一 (メタ) ァク リ ロイルォキシエトキシ] 一 9—メチ ル一 4—ォキサトリシクロ [4. 2. 1. 03' 7] ノナン一 5—オン [Z 1=式 (6b) 、 A =単結合] [1-5] 2- [1 one (meth) § click Li Roy Ruo ethoxy] one 9-methylation one 4- Okisatorishikuro [4.2.3 1.0 3 '7] nonane one 5- ON [Z 1 = Equation (6b), A = Single bond]
[1-6] 6—フルオロー 2 — [ 1一 (メタ) ァク リ ロイルォキシェトキ シ] 一 4—ォキサト リシクロ [4. 2. 1. 03' 7] ノナンー 5 _オン [ Z 式 (6b) 、 A =単結合] [1-6] 6-Fluoro-2 — [1- (meth) acryloyloxetoxy] 1-4-Oxatolycyclo [4.2.2.1.0 3 ' 7 ] Nonan-5_one [Z formula ( 6b), A = single bond]
[1-7] 9一カルボキシ一 2— [ 1 - (メタ) ァク リ ロイルォキシエト キシ] 一 4—ォキサトリ シクロ [4. 2. 1. 03' 7] ノナン一 5—オン[1-7] 9 one carboxy one 2- [1 - (meth) § click Re Roiruokishieto carboxymethyl] one 4- Okisatori cyclo [4.2.3 1.0 3 '7] nonane one 5- ON
[Zェ=式 (6b) 、 A =単結合] [Ze = Equation (6b), A = Single bond]
[1-8] 2— [ 1 - (メタ) ァク リ ロイルォ: シェトキシ] 一 9ーメ ト キシカルボニノレー 4一ォキサ ト リ シクロ [ 4 2. 1. 03' 7] ノナン' 5 _オン 式 (6b) 、 A =単結合] [1-8] 2— [1- (meta) acryloyllo: shetoxy] 1-9-methoxycarboninole 4-oxatricyclo [4 2.1.0 3 ' 7 ] Nonane' 5 _ ON formula (6b), A = single bond]
[1-9] 9ーェトキシカノレポニノレー 2— [ 1 - (メタ) アタ リ ロイルォ キシエトキシ] 一 4ーォキサトリシクロ [ 4 2. 1. 03' 7] ノナン 5—オン 式 (6b) 、 A =単結合] [1-9] 9-1 E Toki Shikano repo Nino rate 2- [1 - (meth) Ata Li Roiruo Kishietokishi] one 4-O hexa tricyclo [4 2. 1.0 3 '7] nonane 5-on (6b ), A = single bond]
[1-10] 9一 t—ブトキシカルボ二ルー 2— [ 1 (メタ) アタ リ ロイ ルォキシエ トキシ] 一 4 —ォキサトリシクロ [4 2. 1. 03' 7] ノナ ン— 5—オン 式 (6b) 、 A =単結合] [1-10] 9 1 t-butoxycarbonyl 2 -— [1 (meta) attaliloyloxyethoxy] 1-4—oxatricyclo [4 2.1.0 3 ' 7 ] nonan-5-one formula (6b ), A = single bond]
[1-11] 2一 [ 1一 (メ タ) ァク リ ロイルォキシエトキシ] — 4 , 8― ジォキサトリシクロ [4 . 2. 1. 03' 7] ノナン一 5—オン [Z ! =式[1-11] 2 one [1 one (meth) § click Li Roy Ruo ethoxy] - 4, 8-di-O hexa tricyclo [. 4 2. 1.0 3 '7] nonane one 5- one [ Z ! = Expression
(6b) 、 A =単結合] [1-12] 4 - [ 1一 (メタ) ァク リ ロイルォキシエトキシ] ― 6ーォキ サビシクロ [3. 2. 1 ] 才クタン一 7—オン [ Z 1 =式 (6b) 、 A = 単結合] (6b), A = single bond] [1-12] 4-[1- (meta) acryloyloxyethoxy]-6-oxo sabicyclo [3.2.1.1] 7-one [Z 1 = formula (6b), A = single Join]
[1-13] 8一 [ 1— (メタ) ァク リ ロイルォキシェ トキシ] 一 4—ォキ サトリシクロ [5. 2. 1. 02' 6] デカン一 5—オン 式 (6c) 、 A =単結合] [1-13] 8 one [1- (meth) § click Re Roiruokishe butoxy] one 4-O key Satorishikuro [5.2.2 1.0 2 '6] decane one 5--on (6c), A = single Join]
[1-14] 9― [1— (メタ) ァク リ ロイルォキシエトキシ] — 4—ォキ サトリシクロ [5. 2. 1. 02' 6] デカン一 5—オン [ Z 1 =式 (6c) 、 A =単結合] [1-14] 9- [1- (meth) § click Li Roy Ruo ethoxy] - 4-O key Satorishikuro [5.2.2 1.0 2 '6] decane one 5- ON [Z 1 = formula ( 6c), A = single bond]
[1-15] a - [ 1— (メタ) ァクリ ロイルォキシエ トキシ] 一 ' Ύ一 ジメチルー γ—プチロラク トン 式 (6g) 、 A =単結合]  [1-15] a-[1- (Meth) acryloyloxyethoxy] 1'-dimethyl-γ-butyrolactone formula (6g), A = single bond
[1-16] 3 - [1一 (メタ) アタ リ ロイルォキシエ トキシ] 一 2—ォキ ソ一 1ーォキサスピロ [4. 5] デカン [Z 1^式 (6g) 、 A =単結合 ] [1-16] 3-[(1- (meta) atali royloxyethoxy] 12-oxo- 1-oxaspiro [4.5] Decane [Z 1 ^ formula (6g), A = single bond]
[1-17] a― [ 1— (メタ) アタリ ロイルォキシエトキシ] - yーブチ 口ラタ トン [Z 1^式 (6g) 、 A =単結合] [1-17] a- [1- (meta) atali royloxyethoxy]-y-buta-mouth rataton [Z 1 ^ formula (6g), A = single bond]
[1-18] a - [ 1一 (メタ) ァク リ ロイルォキシエ トキシ] - , y , y— トリメチル一 τ; 一ブチロラタ トン [Z 1^式 (6g) 、 A =単結合] [1-19] a — [ 1一 (メタ) ァクリ ロイルォキシエ トキシ] — β , β ― ジメチルー Ίーブチロラク トン [Ζ '=式 (6g) 、 A =単結合] [1-18] a-[1- (meta) acryloyloxyethoxy]-, y, y— trimethyl-1 τ; 1-butyrolatatone [Z 1 ^ formula (6g), A = single bond] [1-19] ] a — [11- (Meth) acryloyloxyethoxy] — β, β- dimethyl- butyrolactone [Ζ '= Formula (6g), A = single bond]
[1-20] 下記式 (7 ) で表される化合物 [Z 1-式 (6g) 、 A =単結合[1-20] Compound represented by the following formula (7) [Z 1 -Formula (6g), A = single bond
] ]
(7)
Figure imgf000015_0001
[1-21] 3― [ 1 - (メタ) ァク リ ロイルォキシエトキシ] 一 2—ォキ ソー 1ーォキサスピロ [4. 4 ] ノナン 式 (6g) 、 A =単結合 ]
(7)
Figure imgf000015_0001
[1-21] 3- [1- (meta) acryloyloxyethoxy] 1-2-oxo 1-oxaspiro [4.4.] Nonane formula (6g), A = single bond]
式 ( 1 ) で表される不飽和力ノレボン酸へミァセタールエステルのうち ラタ トン骨格以外の環式骨格を含む有機基を有する化合物の代表的な例 [式 ( 2) で表される基を含む化合物のうちラタ トン骨格以外の環式骨 格を含む有機基を有する化合物] として以下の化合物が挙げられるが、 これらに限定されるものではない。  A typical example of a compound having an organic group containing a cyclic skeleton other than the ratatone skeleton among the unsaturated phenolic hemiacetal esters represented by the formula (1) [The group represented by the formula (2) Compounds having an organic group containing a cyclic skeleton other than the ratatone skeleton among the compounds contained therein include the following compounds, but are not limited thereto.
[1-22] 1一 (ァダマンタン一 1—ィルォキシ) ェチル (メタ) アタ リ レ一卜  [1-22] 1- (Adamantane 1-yloxy) ethyl (meta)
[1 - 23] 1 - (ァダマンタン一 1 _ィルメ トキシ) ェチル (メタ) ァク リ レー ト  [1-23] 1-(Adamantane 1 _ilmethoxy) ethyl (meta) acrylate
[1-24] 1一 [ 2— (ァダマンタン一 1ーィノレ) エ トキシ] ェチル (メ タ) アタ リ レート  [1-24] 1 1 [2— (Adamantane 1 1-inole) Ethoxy] ethyl (meta) acrylate
[1-25] 1 - [ 1 - (ァダマンタン一 1一ィル) 一 1 一メチルエトキシ ] ェチル (メタ) アタ リ レート  [1-25] 1-[1-(Adamantane 11-yl) 1-1-methylethoxy] ethyl (meth) acrylate
[1-26] 1 - ( 2—メチルァダマンタン一 2—ィルォキシ) ェチル (メ タ) アタ リ レー ト  [1-26] 1- (2-Methyladamantane-2-yloxy) ethyl (meta) acrylate
[1-27] 1 - ( 3—ヒ ドロキシァダマンタン一 1一ィルォキシ) ェチル (メタ) ァク リ レー卜  [1-27] 1-(3-Hydroxydamantane 1-yloxy) ethyl (meth) acrylate
[1 - 28] 1 一 ( 3, 5—ジヒ ドロキシァダマンタンー 1 —ィルォキシ) ェチル (メタ) アタ リ レート  [1-28] 1 1 (3,5-dihydroxy-amantane 1-yloxy) ethyl (meta) acrylate
[1-29] 1 ― ( 3—カルボキシァダマンタン一 1一ィルォキシ) ェチル (メタ) ァク リ レー ト  [1-29] 1- (3-carboxy adamantane 1-yloxy) ethyl (meth) acrylate
[1-30] 1一 ( 3 , 5—ジカノレポキシァダマンタン一 1ーィルォキシ) ェチル (メタ) アタリ レー ト [1-31]! 1 一 (ノルボノレナン一 2—ィルォキシ) ェチル (メタ) アタ リ レート [1-30] 1- (3,5-dicanolepox-adamantane-1-yloxy) ethyl (meta) atalilate [1-31]! 1 1 (Norbonorenan 1-2-yloxy) ethyl (meta) acrylate
1  1
1  1
[1-32] 1 一 (ノルボノレナン一 2—ィルメ トキシ) ェチル (メタ) ァク リ レート  [1-32] 1- (norbornolenane-2-ylmethoxy) ethyl (meth) acrylate
( 2 —メチルノルボルナン一 2—ィルォキシ) ェチル (メ タ) アタ リ レ一ト  (2-Methylnorbornane-1-yloxy) ethyl (meta)
[1-34] 1 一 [ 1 - (ノルボルナン一 2—ィル) 一 1 一メチルエ トキシ [1-34] 1 1 [1-(Norbornane 1-2-yl) 1 1 1 Methylethoxy
] ェチル (メタ) アタリ レート ] Ethyl (meta) atari rate
( 3 —ヒ ドロキシノルボノレナン一 2一イノレオキシ) ェチノレ (3 — Hydroxynorbonorenane 21-inoleoxy)
(メタ) ァク リ レ一ト (Meta) factory
[1-36] 1 - ( 3 —ヒ ドロキシメチノレノノレボノレナンー 2—ィルメ トキシ [1-36] 1-(3 —Hydroxymethinorenolenolevonolenane 2—Ilmethoxy
) ェチル (メタ) アタリ レート ) Ethyl (meta) Atari rate
( 5 , 6—ジヒ ドロキシノノレボノレナン一 2—ィルメ トキシ (5, 6-dihydroxy-noroxy-bononorenane 2-irmethoxy
) ェチル (メタ) アタリ レート ) Ethyl (meta) atari rate
[1 - 38] 1 一 ( 3一メチルノルボルナン一 2—ィルメ トキシ) ェチル ( メタ) アタ リ レー卜  [1-38] 1 (3 -methylnorbornane 1-2-methoxy) ethyl (meta) acrylate
[1-39] 1 - (デカリン一 1—ィルォキシ) ェチル (メタ) アタ リ レー 卜  [1-39] 1- (decalin-1-yloxy) ethyl (meta) acrylate
[1-40] 1 - (デカリン一 2 _ィルォキシ) ェチル (メタ) ァク リ レー ト  [1-40] 1-(decalin-2-yloxy) ethyl (meth) acrylate
[1-41] 1 — ( 5—ヒ ドロキシデカリ ン一 1 —ィルォキシ) ェチル (メ タ) アタリ レート  [1-41] 1 — (5—Hydroxydecalin 1—Iroxy) ethyl (meta) atalilate
[1-42] 8 _ヒ ドロキシメチルー 4 一 [ 1 — (メタ) アタ リ ロイルォキ シェトキシメチル] トリ シクロ [ 5. 2. 1 · 0 6] デカン [1-42] 8 _ arsenide Dorokishimechiru 4 one [1 - (meth) Ata Li Roiruoki Shetokishimechiru] tricyclo [5.2.1 & 0 6] decane
[1-43] 4—ヒ ドロキシメチルー 8 - [ 1 — (メタ) アタ リ ロイルォキ シエトキシメチル] トリシクロ 「 5. 2. 1 . 02' 6] デカン [1-44] 1 - (ボルニルォキシ) ェチ /レ (メタ) アタ リ レート [1-43] 4-Hydroxymethyl-8- [1— (meta) aryloyloxyethoxymethyl] tricyclo “5.2.1.0 2 ' 6 ] decane [1-44] 1- (Bornyloxy) ethy / le (meta) acrylate
[1-45] 1一 (イソポルニルォキシ) ェチル (メタ) アタ リ レート  [1-45] 1- (Isopolnyroxy) ethyl (meth) acrylate
[1-46] 3—カルボキシ一 8— [ 1— (メタ) アタ リ ロイルォキシエト キシ] テ トラシクロ [4. 4. 0. I 2' 5. I 7' 10] ドデカン [1-46] 3-carboxy-1 8— [1- (meta) aryloyloxyethoxy] tetracyclo [4. 4. 0. I 2 ' 5. I 7 ' 10 ] dodecane
[1-47] 3一カルボキシ— 9一 [ 1― (メタ) アタ リ ロイルォキシエト キシ] テ トラシクロ [4. 4. 0. I 2' 5. I 7' 10] ドデカン [1-47] 3-Carboxy-9-1 [1- (Meth) aryloyloxyethoxy] tetracyclo [4. 4. 0. I 2 ' 5. I 7 ' 10 ] Dodecane
式 ( 1 ) で表される不飽和カルボン酸へミアセタールエステルは、 例 えば、 下記反応式に示されるように、 式 ( 3 ) で表される不飽和カルボ ン酸と式 (4 ) で表されるビュルエーテル化合物とを、 溶媒中又は無溶 媒下で反応させることにより製造することができる。 生成物である式 ( 5 ) で表される化合物は前記式 ( 1 ) で表される化合物に相当する。  The unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester represented by the formula (1) is, for example, as shown in the following reaction formula, the unsaturated carboxylic acid represented by the formula (3) and the unsaturated carboxylic acid represented by the formula (4). The reaction can be carried out in a solvent or under a non-solvent with the butyl ether compound to be produced. The product, the compound represented by the formula (5), corresponds to the compound represented by the formula (1).
Figure imgf000018_0001
Figure imgf000018_0001
(3) (4) (5)  (3) (4) (5)
(式中、 Ra、 R。、 Rdは前記に同じ。 Re、 R fはそれぞれ水素原子又は 炭化水素基を示し、 一 CHR SR fは前言己 R bに相当する) (Wherein, R a , R. and R d are the same as above. R e and R f each represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and one CHR SR f corresponds to R b ).
上記反応は無触媒でも進行するが、 酸触媒を用いることにより反応を 促進できる。 酸触媒としては特に限定されず、 無機酸及び有機酸の何れ も使用できる。 無機酸としては、 例えば、 塩酸、 硫酸、 硝酸、 リン酸、 ホウ酸などの鉱酸; リンモリプデン酸、 ケィモリブデン酸、 リンタング ステン酸、 ケイタングステン酸などのへテ口ポリ酸; ゼォライ ト等の固 体触媒などが挙げられる。 有機酸としては、 例えば、 ギ酸、 酢酸、 トリ フルォロ酢酸などのカルボン酸; メタンスノレホン酸、 トリフルォロメタ ンスルホン酸、 ベンゼンスノレホン酸、 p— トノレエンスノレホン酸、 ナフタ レンスルホン酸などのスルホン酸などが挙げられる。 酸触媒として陽ィ オン交換樹脂を用いてもよい。 また、 ルイス酸を用いることもできる。 さらに、 上記の酸のうち塩を形成しうるものは、 そのピリジニゥム塩、 アンモ-ゥム塩、 アルカ リ金属塩、 アルカ リ土類金属塩、 遷移金属塩な どを使用することも可能である。 これらの中でも、 目的化合物の収率及 び選択率の点で、 特にリン酸が好ましい。 Although the above reaction proceeds without a catalyst, the reaction can be promoted by using an acid catalyst. The acid catalyst is not particularly limited, and any of an inorganic acid and an organic acid can be used. Examples of the inorganic acid include mineral acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, and boric acid; and polyacids such as phosphomolybdic acid, chemolybdic acid, phosphorus tungstic acid, and silicotungstic acid; Body catalyst and the like. Examples of the organic acid include carboxylic acids such as formic acid, acetic acid, and trifluoroacetic acid; and sulfonic acids such as methanesnolefonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, benzenesnolefonic acid, p-tonolenesnolefonic acid, and naphthalenesulfonic acid. Can be As an acid catalyst An on-exchange resin may be used. Also, a Lewis acid can be used. Further, among the above-mentioned acids which can form a salt, it is also possible to use a pyridinium salt, an ammonium salt, an alkali metal salt, an alkaline earth metal salt, a transition metal salt, or the like. . Among these, phosphoric acid is particularly preferred in terms of the yield and selectivity of the target compound.
溶媒としては、 反応に不活性な溶媒であれば特に限定されず、 例えば 、 へキサン、 オクタンなどの脂肪族炭化水素 ;ベンゼン、 トルエン、 キ シレンなどの芳香族炭化水素 ; シク 口へキサン、 メチルシク口へキサン などの脂環式炭化水素;塩化メチレンなどのハロゲン化炭化水素 ; テト ラヒ ドロフラン、 エチレングリ コ——ノレジメチノレエーテノレなどのエーテノレ ; N, N—ジメチルホルムァミ ドなどの非プロ トン性極性溶媒などが挙 げられる。  The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent inert to the reaction. Examples thereof include aliphatic hydrocarbons such as hexane and octane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; Alicyclic hydrocarbons such as mouth hexane; halogenated hydrocarbons such as methylene chloride; ethers such as tetrahydrofuran and ethylene glycol—non-resin-methinoleate; non-acetones such as N, N-dimethylformamide Examples include protonic polar solvents.
式 ( 3) で表される不飽和カルボン酸の使用量は、 式 (4) で表され るビュルエーテル化合物 1モルに対して、 例えば 0. 5〜 5 0モル程度 、 好ましくは 0. 9〜 1 0モル程度である。 酸触媒の使用量は、 式 (4 ) で表されるビュルエーテル化合物 1モルに対して、 例えば 0. 0 0 0 :!〜 1モル程度、 好ましくは 0. 0 0 1〜 0. 3モル程度である。  The amount of the unsaturated carboxylic acid represented by the formula (3) is, for example, about 0.5 to 50 mol, preferably 0.9 to 100 mol per 1 mol of the butyl ether compound represented by the formula (4). It is about 10 mol. The amount of the acid catalyst to be used is, for example, about 0.001 :! to about 1 mol, preferably about 0.001 to 0.3 mol, per 1 mol of the vinyl ether compound represented by the formula (4). It is.
式 (4) で表されるビニルエーテル化合物や反応生成物の重合を抑制 するため、 系内に 4ーメ トキシフエノールなどの重合禁止剤を少量添加 するのが好ましい。 重合禁止剤の添加量は、 式 (4) で表されるビュル エーテル化合物 1モルに対して、 例えば 0. 0 0 0 0 1〜 0. 0 5モル 程度、 好ましくは 0. 0 0 0 1〜 O . 0 1モル程度である。  In order to suppress polymerization of the vinyl ether compound represented by the formula (4) and the reaction product, it is preferable to add a small amount of a polymerization inhibitor such as 4-methoxyphenol to the system. The amount of the polymerization inhibitor to be added is, for example, about 0.0001 to 0.05 mol, preferably 0.00001 to 1 mol of the vinyl ether compound represented by the formula (4). O.0.1 is about 1 mole.
反応温度は反応原料の種類や用レヽる触媒の種類等によっても異なるが 、 通常一 1 0°C〜 1 0 0°C、 好ましくは 0〜 6 0°C程度である。  The reaction temperature varies depending on the type of the reaction raw material, the type of the catalyst used, and the like, but is usually about 10 to 100 ° C, preferably about 0 to 60 ° C.
反応終了後、 反応生成物は、 液 1生調節、 抽出、 濃縮、 蒸留、 晶析、 再 結晶、 カラムクロマトグラフィ一等の分離手段により分離精製できる。 なお、 式 ( 1 ) で表される不飽和カルボン酸へミアセタールエステル のほか、 式 ( 1 ) において Rb及び R。が何れも水素原子である化合物も フォ トレジス ト用の高分子化合物の単量体として有用である。 この化合 物に対応する繰り返し単位は、 高分子化合物において、 酸脱離性機能や 親水性機能を発揮する。 このような化合物としては、 前記式 ( 1 ) で表 される不飽和カルボン酸へミアセタールエステルの例に対応する化合物 (Rb=R。 = Hである化合物) などが挙げられる。 After completion of the reaction, the reaction product can be separated and purified by a separation means such as liquid 1 production control, extraction, concentration, distillation, crystallization, recrystallization, and column chromatography. In addition, in addition to the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester represented by the formula (1), R b and R in the formula (1). Are all hydrogen atoms, and are also useful as monomers of polymer compounds for photoresist. The repeating unit corresponding to this compound exerts an acid-eliminating function and a hydrophilic function in the polymer compound. Examples of such a compound include compounds corresponding to the examples of the unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester represented by the above formula (1) (compounds in which R b = R. = H) and the like.
式 ( 1 ) において Rb及び R。が何れも水素原子である化合物 [式 (: ) で表される化合物] は、 例えば、 下記反応式に示されるように、 式 ( 3) で表される不飽和カルボン酸と式 (A) で表されるハロメチルエー テル化合物とを塩基の存在下で反応させることにより製造することがで きる。
Figure imgf000020_0001
R b and R in the formula (1). Is a hydrogen atom [compound represented by the formula (:)], for example, as shown in the following reaction formula, an unsaturated carboxylic acid represented by the formula (3) and a compound represented by the formula (A) It can be produced by reacting the represented halomethyl ether compound in the presence of a base.
Figure imgf000020_0001
(3) (B)  (3) (B)
(式中、 Ra、 Rdは前記に同じ。 Yはハロゲン原子を示す) (In the formula, R a and R d are the same as above. Y represents a halogen atom.)
Yにおけるハロゲン原子として、 塩素、 臭素、 ヨウ素原子などが挙げ られる。 反応は溶媒の存在下又は非存在下で行われる。 溶媒としては前 記の溶媒を使用できる。 塩基としては、 例えば、 トリェチルァミン、 ピ リジン等の有機塩基、 又は水酸化ナトリ ウム、 炭酸ナトリ ウム、 炭酸水 素ナトリウムなどの無機塩基を使用できる。 式 (3 ) で表される不飽和 カルボン酸の使用量は、 式 (A) で表されるハロメチルエーテル化合物 1モルに対して、 例えば 0. 5〜 1 0モル程度、 好ましくは 0. 8〜 2 モル程度である。 塩基の使用量は、 式 ( 3 ) で表される不飽和カルボン 酸 1モルに対して、 例えば 1 ~ 5モル程度であり、 大過剰量用いてもよ い。 式 (A) で表されるハロメチルエーテル化合物や反応生成物の重合 を抑制するため、 系内に 4—メ トキシフエノーノレなどの重合禁止剤を少 量添加してもよい。 反応温度は、 通常— 1 0°C〜 1 0 0°C、 好ましくは 0〜6 0°C程度である。 反応終了後、 反応生成物は、 液性調節、 抽出、 濃縮、 蒸留、 晶析、 再結晶、 カラムクロマ トグラフィ一等の分離手段に より分離精製できる。 Examples of the halogen atom in Y include a chlorine, bromine, and iodine atom. The reaction is performed in the presence or absence of a solvent. The solvent described above can be used as the solvent. As the base, for example, an organic base such as triethylamine and pyridine, or an inorganic base such as sodium hydroxide, sodium carbonate and sodium hydrogen carbonate can be used. The amount of the unsaturated carboxylic acid represented by the formula (3) is, for example, about 0.5 to 10 mol, preferably 0.8, per mol of the halomethyl ether compound represented by the formula (A). About 2 moles. The amount of the base used is, for example, about 1 to 5 mol per mol of the unsaturated carboxylic acid represented by the formula (3). Yes. In order to suppress the polymerization of the halomethyl ether compound represented by the formula (A) and the reaction product, a small amount of a polymerization inhibitor such as 4-methoxyphenol may be added to the system. The reaction temperature is usually about −10 ° C. to 100 ° C., preferably about 0 to 60 ° C. After the completion of the reaction, the reaction product can be separated and purified by a separation means such as liquid property adjustment, extraction, concentration, distillation, crystallization, recrystallization, column chromatography and the like.
前記式 (A) で表されるハロメチルエーテルィ匕合物は、 例えば、 下記 反応式に示されるように、 式 (C) で表される ヒ ドロキシ化合物にホル ムアルデヒ ド又はその等価物 (パラホルムアルデヒ ド、 1 , 3 , 5— ト リォキサン等) と式 (D) で表されるハロゲンィヒ水素とを反応させるこ とにより製造することができる。  The halomethyl ether conjugate represented by the formula (A) is, for example, as shown in the following reaction formula, a hydroxy compound represented by the formula (C) added to formaldehyde or its equivalent (para). Formaldehyde, 1,3,5-trioxane, etc.) and a halogen hydride represented by the formula (D).
Rd-OH ^隱 : Y-C¾-0-Rd Rd-OH ^ Oki: Y-C¾-0-R d
(C) ?D) ) (式中、 Rd、 Yは前記に同じ) ( C )? D)) (where R d and Y are the same as above)
式 (D) で表されるハロゲン化水素としては、 例えば、 塩化水素、 臭 化水素などが挙げられる。 反応は溶媒の存在下又は非存在下で行われる 。 溶媒としては前記の溶媒を使用できる。 ホルムアルデヒ ド又はその等 価物の使用量は、 ホルムアルデヒ ド換算で、 式 (C) で表されるヒ ドロ キシ化合物 1モルに対して、 例えば 0. 8〜 1 0モル程度、 好ましくは 1〜 1 . 5モル程度である。 式 (D) で表されるハロゲン化水素の使用 量は、 式 (C) で表されるヒ ドロキシ化合物 1 モルに対して、 例えば 1 〜 5モル程度であり、 大過剰量用いてもよい。 反応温度は、 通常— 1 0 °C〜 1 0 0°C、 好ましくは 0〜6 0°C程度である。 反応終了後、 反応生 成物は、 液性調節、 抽出、 濃縮、 蒸留、 晶析、 再結晶、 カラムクロマ ト グラフィ一等の分離手段により分離精製できる。 [高分子化合物] Examples of the hydrogen halide represented by the formula (D) include hydrogen chloride and hydrogen bromide. The reaction is performed in the presence or absence of a solvent. The solvents described above can be used as the solvent. The amount of formaldehyde or an equivalent thereof used is, for example, about 0.8 to 10 mol, preferably 1 to 1 mol, per mol of the hydroxy compound represented by the formula (C), in terms of formaldehyde. It is about 5 moles. The amount of the hydrogen halide represented by the formula (D) is, for example, about 1 to 5 mol per mol of the hydroxy compound represented by the formula (C), and a large excess may be used. The reaction temperature is usually about −10 ° C. to 100 ° C., preferably about 0 to 60 ° C. After completion of the reaction, the reaction product can be separated and purified by a separation means such as adjustment of liquid properties, extraction, concentration, distillation, crystallization, recrystallization, and column chromatography. [Polymer compound]
本発明の高分子化合物は、 上記不飽和カルボン酸へミァセタールエス テルに対応する繰り返し単位 (モノマー単位) 、 すなわち式 ( I ) で表 される単位を含んでいる。 該繰り返し単位は 1種であってもよく 2種以 上であってもよい。 このような高分子化合物は、 上記不飽和カルボン酸 へミァセタールエステルを重合に付すことにより得ることができる。 式 ( I ) で表される繰り返し単位はへミアセタールエステル構造を有 しているため、 酸脱離性機能 (アルカリ可溶性機能) を有している。 す なわち、 露光によって光酸発生剤から発生する酸によりエステルのアル コール部分 (へミアセタール部分) が脱離して遊離のカルボキシル基が 生成するため、 アルカ リ現像液により可溶性となる。 また、 へミアセタ ールエステル構造には酸素原子が 3個含まれているので、 従来の単なる エステル構造 (酸素原子を 2個含む) を有する酸脱離性ユニッ トよりも 親水性が高く、 レジス ト溶媒やアルカリ現像液に対する溶解性及ぴ濡れ 性が向上するという利点がある。 また、 式 ( I ) で表される繰り返し単 位がラク トン骨格を有している場合には、 基板密着性に優れる。 このよ うな酸脱離性機能と基板密着性機能とを併有する繰り返し単位を有する 高分子化合物は、 従来の酸脱離性機能のみを有する繰り返し単位を含む 高分子化合物と比較して、 酸脱離性基の数を維持しつつ基板密着性基を 大幅に増やすことができるため、 高度の基板密着性を達成できる点、 お よび酸脱離性基の数及び基板密着性基の数を維持しつつ、 親水性等他の 機能を有する繰り返し単位を導入することにより、 酸脱離性、 基板密着 性と他の機能をともに十分備えられるという点で優れている。 また、 式 ( I ) における R dが多環の非芳香族性炭素環 (橋架け炭素環) を含む基 である場合には、 高い光透過性及びドライエッチング耐性を示す。 The polymer compound of the present invention contains a repeating unit (monomer unit) corresponding to the above-mentioned unsaturated carboxylic acid mesacetal ester, that is, a unit represented by the formula (I). The repeating unit may be one kind or two or more kinds. Such a high molecular compound can be obtained by subjecting the above unsaturated carboxylic acid to a miacetal ester to polymerization. Since the repeating unit represented by the formula (I) has a hemiacetal ester structure, it has an acid-eliminating function (alkali-soluble function). In other words, the acid generated from the photoacid generator upon exposure removes the alcohol portion (hemiacetal portion) of the ester to form a free carboxyl group, which makes the ester more soluble in the alkaline developer. In addition, since the hemiacetal ester structure contains three oxygen atoms, it has higher hydrophilicity than the conventional acid-eliminable unit having a simple ester structure (containing two oxygen atoms), and has a resist solvent. There is an advantage that the solubility and the wettability with respect to an alkaline developer are improved. Further, when the repeating unit represented by the formula (I) has a lactone skeleton, the adhesion to the substrate is excellent. Such a polymer compound having a repeating unit having both an acid-eliminating function and a substrate adhesion function has a higher acid-elimination property than a conventional polymer compound having a repeating unit having only an acid-eliminating function. Substrate adhesion can be significantly increased while maintaining the number of leaving groups, so that high substrate adhesion can be achieved, and the number of acid-labile groups and the number of substrate adhesion groups are maintained In addition, by introducing a repeating unit having another function such as hydrophilicity, it is excellent in that both acid elimination property, substrate adhesion and other functions can be sufficiently provided. When R d in the formula (I) is a group containing a polycyclic non-aromatic carbocyclic ring (bridged carbocyclic ring), it exhibits high light transmittance and dry etching resistance.
本発明の高分子化合物は、 レジストと して要求される諸機能を充分に バランスよく具備するため、 上記式 ( I ) で表される繰り返し単位に加 えて、 他の繰り返し単位を有していてもよレ、。 このよ うな他の繰り返し 単位は、 該繰り返し単位に対応する重合性不飽和単量体を前記不飽和力 ルボン酸へミァセタールエステルと共重合させること により形成できる 。 前記他の繰り返し単位としては、 例えば、 基板密着性及ぴ Z又は親水 性機能を有する繰り返し単位、 酸脱離性機能を高める繰り返し単位、 耐 エツチング性機能を高める繰り返し単位、 透明性を髙める繰り返し単位 などが挙げられる。 前記親水性機能には、 レジス ト溶媒やアルカ リ現像 液に対する溶解性を高める機能が含まれる。 また、 本発明の高分子化合 物の調製に際しては、 共重合を円滑に進行させたり、 共重合体組成を均 一にするために用いる単量体をコモノマーとして用いることもできる。 基板密着性及び Z又は親水性機能を有する繰り返し単位は、 極性基を 有する重合性不飽和単量体をコモノマーと して用いる ことによりポリマ 一に導入できる。 前記極性基と して、 例えば、 ( 1 ) ラク トン環含有基 、 カルボ二ル基、 酸無水物基、 イミ ド基などの基、 ( 2 ) 保護基を有し ていてもよいヒ ドロキシル基、 保護基を有していても よいメルカプト基 、 保護基を有していてもよいカルボキシル基、 保護基を有していてもよ ぃァミノ基、 保護基を有していてもよいスルホン酸基などの基が挙げら れる。 また、 極性基を有する重合性不飽和単量体と しては、 ( a ) ラタ トン骨格含有単量体、 環状ケトン骨格含有単量体、 酸無水物基含有単量 体、 イミ ド基含有単量体などの単量体、 (b ) ヒ ドロ キシル基含有単量 体 (ヒ ドロキシル基が保護されている化合物を含む) 、 メルカプト基含 有単量体 (メルカプト基が保護されている化合物を含む) 、 カルボキシ ル基含有単量体 (カルボキシル基が保護されているィ匕合物を含む) 、 ァ ミノ基含有単量体 (ァミノ基が保護されている化合物を含む) 、 スルホ ン酸基含有単量体 (スルホン酸基が保護されているィ匕合物を含む) など の単量体が例示され、 それぞれ、 レジス トの分野で公知の化合物を使用 できる。 これらの単量体は 1種又は 2種以上組み合わせて使用できる。 例えば、 前記 ( a ) に属する単量体と (b ) に属する単量体とを組み合 わせることにより、 バランスのとれたレジス ト特性を発現させること力 S できる。 The polymer compound of the present invention can sufficiently perform various functions required as a resist. In order to provide a good balance, other repeating units may be provided in addition to the repeating unit represented by the above formula (I). Such another repeating unit can be formed by copolymerizing a polymerizable unsaturated monomer corresponding to the repeating unit with the unsaturated rubonic acid and a miacetal ester. As the other repeating unit, for example, a repeating unit having a substrate adhesion and a Z or hydrophilic function, a repeating unit improving an acid desorption property, a repeating unit improving an etching resistance function, and improving transparency And repeating units. The hydrophilic function includes a function of increasing solubility in a resist solvent or an alkaline developer. In preparing the polymer compound of the present invention, a monomer used to promote copolymerization smoothly or to make the copolymer composition uniform may be used as a comonomer. A repeating unit having substrate adhesion and Z or hydrophilic function can be introduced into a polymer by using a polymerizable unsaturated monomer having a polar group as a comonomer. Examples of the polar group include (1) a lactone ring-containing group, a carbonyl group, an acid anhydride group, and an imido group; and (2) a hydroxyl group optionally having a protective group. A mercapto group which may have a protecting group, a carboxyl group which may have a protecting group, a diamino group which may have a protecting group and a sulfonic acid group which may have a protecting group And the like. Examples of the polymerizable unsaturated monomer having a polar group include: (a) a monomer containing a ratatone skeleton, a monomer containing a cyclic ketone skeleton, a monomer containing an acid anhydride group, and a monomer containing an imido group. A monomer such as a monomer, (b) a monomer containing a hydroxy group (including a compound in which a hydroxy group is protected), a monomer containing a mercapto group (a compound in which a mercapto group is protected) ), A carboxy group-containing monomer (including a compound having a protected carboxyl group), an amino group-containing monomer (including a compound having a protected amino group), and sulfonate Group-containing monomers (including conjugates in which the sulfonic acid group is protected) And a compound known in the resist field can be used. These monomers can be used alone or in combination of two or more. For example, by combining the monomer belonging to the above (a) and the monomer belonging to the above (b), it is possible to develop a balanced resist property S.
酸脱離性機能を高める繰り返し単位は、 例えば、 ( c ) エステルを構 成する酸素原子の隣接位に、 第 3級炭素を有する炭化水素基や 2—テ ト ラヒ ドロフラニル基、 2—テ トラヒ ドロビラニル基などが結合した (メ タ) アク リル酸エステル誘導体、 (d ) エステルを構成する酸素原子の 隣接位に炭化水素基 (脂環式炭化水素基、 脂肪族炭化水素基、 これらが 結合した基など) を有しており、 且つ該炭化水素基に一 C O O R x基 (R xは第 3級炭化水素基、 2—テ トラヒ ドロフラニル基又は 2—テ トラヒ ド ロビラ二ル基を示す) が直接又は連結基を介して結合している (メタ) アタ リル酸エステル誘導体などをコモノマーと して用いることによりポ リマーに導入できる。 このような (メタ) アタ リノレ酸エステル誘導体と してはレジス トの分野で公知の化合物を使用できる。 The repeating unit that enhances the acid elimination function includes, for example, (c) a hydrocarbon group having a tertiary carbon, a 2-tetrahydrofuranyl group, or a 2-tetrahydro group at a position adjacent to the oxygen atom constituting the ester. (Meta) acrylic acid ester derivatives having a drobilanyl group, etc., and (d) hydrocarbon groups (alicyclic hydrocarbon groups, aliphatic hydrocarbon groups, etc.) bonded adjacent to the oxygen atoms constituting the ester And the hydrocarbon group is a COOR x group (R x represents a tertiary hydrocarbon group, 2-tetrahydrofuranyl group or 2-tetrahydrovinylyl group). A (meth) acrylate ester derivative or the like bonded directly or via a linking group can be introduced into a polymer by using as a comonomer. As such a (meth) atalinoleic acid ester derivative, a compound known in the field of resist can be used.
本発明の高分子化合物にレジストとしての諸機能を付与するために用 いられる不飽和カルボン酸へミァセタールエステノレ以外の重合性不飽和 単量体の代表的な例として、 下記式 (8a) 〜 (8g) で表される化合物が 挙げられる。 これらは前記ラク トン骨格含有単量体及び環状ケトン骨格 含有単量体に相当する。 As a typical example of a polymerizable unsaturated monomer other than myacetal ester, an unsaturated carboxylic acid used to impart various functions as a resist to the polymer compound of the present invention is represented by the following formula (8a) To (8g). These correspond to the lactone skeleton-containing monomer and the cyclic ketone skeleton-containing monomer.
Figure imgf000025_0001
Figure imgf000025_0001
Figure imgf000025_0002
(式中、 Rは水素原子又はメチル基を示す。 1^〜1 6、 R9〜R36、 X、 〜 V 3は前記に同じ)
Figure imgf000025_0002
(In the formula, R represents a hydrogen atom or a methyl group. 1 ^ to 16 , R 9 to R 36 , X, to V 3 are the same as described above.)
式 (8a) で表される化合物の代表的な例と して下記化合物が挙げられ るが、 これらに限定されるものではない。  Representative examples of the compound represented by the formula (8a) include, but are not limited to, the following compounds.
[2-1] 1一 (メタ) ァク リ ロイルォキシ _ 4ーォキソァダマンタン ( R = H又は CH3、 R x = R 2= R 3 = HN V =— C〇一、 V2= V 3 = - C H2 -) [2-1] 1 one (meth) § click Li Roiruokishi _ 4-O Kiso § Dammann Tan (R = H or CH 3, R x = R 2 = R 3 = H N V = - C_〇 one, V 2 = V 3 =-CH 2- )
[2-2] 1一 (メタ) ァク リロイルォキシ一 4ーォキサト リシクロ [ 4 • 3. 1. I 3' 8] ゥンデカン一 5—オン (R = H又は CH3、 R ^R2 = R3 = H、 V2 = - CO-0- (左側が R2の結合している炭素原子側) 、 Vx = V3 = - CH2-) [2-2] 1- (Meth) acryloyloxy-4-oxatricyclo [4 • 3. 1. I 3 ' 8 ] pentane-5-one (R = H or CH 3 , R ^ R 2 = R 3 = H, V 2 =-CO-0- (left side is the side of the carbon atom to which R 2 is bonded), V x = V 3 =-CH 2- )
[2-3] 1一 (メタ) ァク リロイルォキシー 4, 7—ジォキサ ト リ シク 口 [ 4. 4. 1 . 1 3· 9] ドデカン一 5 , 8—ジオン (1 = ^1又は〇1"13 、 R ^ R^R^H, V ^- C O-O- (左側が R 1の結合してレ、る炭 素原子側) 、 V2=— C O— 0— (左側が R 2の結合している炭素原子側 ) 、 V3 =— CH2_) [2-3] 1- (meta) acryloyloxy 4,7-dioxatrisic Mouth [. 4.4.1 1 3.9] dodecane one 5, 8- dione (1 = ^ 1 or Rei_1 "1 3, R ^ R ^ R ^ H, V ^ - C OO- ( left R 1 binding to Les, Ru carbon atom side), V 2 = - CO- 0- ( left carbon atoms side bonded to R 2), V 3 = - CH 2 _)
[2-4] 1 - (メタ) ァク リロイルォキシー 4, 8—ジォキサトリ シク 口 [ 4. 4. 1 . I 3' 9] ドデカン一 5, 7—ジオン (R = H又は C H3 、 R ^R^R^H, V^- O- C O- (左側が R 1の結合してレ、る炭 素原子側) 、 V 2=— C O— O— (左側が R 2の結合している炭素原子側 ) 、 V3 = - CH2-) [2-4] 1- (meta) acryloyloxy 4,8-dioxatrisic mouth [4.4.1. I 3 ' 9 ] Dodecane-1,5,7-dione (R = H or CH 3 , R ^ R ^ R ^ H, V ^-O- CO- (left side is carbon atom side with R 1 bonded), V 2 = — CO— O— (left side is carbon atom with R 2 bonded) Atomic side), V 3 =-CH 2- )
[2-5] 1 一 (メタ) ァクリロイルォキシ一 5, 7—ジォキサトリシク 口 [ 4. 4. 1 . I 3' 9] ドデカン一 4 , 8—ジオン (R = H又は C H3 、 R ^R^R^H, V^- C O- O- (左側が R 1の結合してレヽる炭 素原子側) 、 V2=—〇— C O— (左側が R 2の結合している炭素原子側 ) 、 V3 = - CH2-) [2-5] 1- (Meth) acryloyloxy-5,7-dioxatricic mouth [4.4.1. I 3 ' 9 ] Dodecane-1,4,8-dione (R = H or CH 3 , R ^ R ^ R ^ H, V ^-C O- O- (left side is carbon atom side bonded with R 1 ), V 2 = —〇— CO— (left side is R 2 side Carbon atom), V 3 =-CH 2- )
式 (8b) で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられ るが、 これらに限定されるものではない。  Representative examples of the compound represented by the formula (8b) include, but are not limited to, the following compounds.
[2-6] 2― (メタ) ァク リロイルォキシー 4ーォキサトリシクロ [ 4 • 2. 1. 03' 7] ノナン— 5—オン (= 5— (メタ) ァク リ ロイ /レオキ シ一 2 , 6 _ノルボルナンカルボラク トン) ( R = H又は C H 3、 R " = R 5 = R6 = H、 X =メチレン基) [2-6] 2- (Meth) acryloyloxy 4-oxatricyclo [4 • 2.1.0 3 ' 7 ] Nonane-5-one (= 5— (Meth) acryloylo / reoxy one 2, 6 _ norbornanecarbolacton lactone) (R = H or CH 3, R "= R 5 = R 6 = H, X = methylene group)
[2-7] 2— (メタ) ァク リ ロイルォキシー 2—メチル一 4一ォキサ ト リシクロ [ 4. 2. 1 . 03' 7] ノナン一 5 —オン (R = H又は CH3、 R4= CH3、 R 5= R 6 = H, X =メチレン基) [2-7] 2- (meth) § click Li Roiruokishi methyl one 4 one Okisa preparative Rishikuro [4.2.1 0 3 '7.] Nonane one 5 - one (R = H or CH 3, R 4 = CH 3 , R 5 = R 6 = H, X = methylene group)
[2-8] 2― (メタ) アタ リロイルォキシ一 6—メチル一 4一ォキサト リシクロ [ 4. 2. 1 . 03' 7] ノナン一 5 —オン (R二 H又は Cti3、 R 5= CH3、 R4= R 6 = H、 X =メチレン基) [2-9] 2 - (メタ) ァク リ ロイルォキシー 9ーメチルー 4—ォキサ ト リシクロ [ 4. 2. 1 . 03' 7] ノナン— 5—オン ( R = H又は C H 3、 R6= CH3、 R4=R5 = H、 X =メチレン基) [2-8] 2- (meth) Ata Riroiruokishi one 6-methyl one 4 one Okisato Rishikuro [4.2.1 0 3 '7.] Nonane one 5 - one (R two H or Cti 3, R 5 = CH 3, R 4 = R 6 = H, X = methylene group) [2-9] 2 - (meth) § click Li Roiruokishi 9-methyl-4-Okisa preparative Rishikuro [4.2.1 0 3 '7.] Nonan - 5- ON (R = H or CH 3, R 6 = CH 3, R 4 = R 5 = H, X = methylene group)
[2-10] 2 - (メタ) ァク リ ロイルォキシ一 9 —カルボキシー 4一才キ サトリ シクロ [4. 2. 1 . 03' 7] ノナン一 5—オン (R = H又は C H 3、 R4=R 5 = H、 R6= C O OH、 X =メチレン基) [2-10] 2 - (meth) § click Li Roiruokishi one 9 - Karubokishi 4 one year old key Satori cyclo [. 4.2.1 0 3 '7] nonane one 5- ON (R = H or CH 3, R 4 = R 5 = H, R 6 = CO OH, X = methylene group)
[2-11] 2 - (メタ) ァク リ ロイルォキシ一 9—メ トキシカルボニノレー 4ーォキサトリシクロ [ 4. 2. 1. 03' 7] ノナン一 5—オン (R =H 又は CH3、 R4=R 5 = H、 R6=メ トキシカルボ-ル基、 X =メチレン 基) [2-11] 2 - (meth) § click Li Roiruokishi one 9- main butoxy carbonitrile Nino laser 4-O hexa tricyclo [4.2.3 1.0 3 '7] nonane one 5- ON (R = H or CH 3 , R 4 = R 5 = H, R 6 = Methoxycarbol group, X = Methylene group)
[2 - 12]· 2一 (メタ) ァク リ ロイルォキシ一 9 _エトキシカルボニノレー 4ーォキサトリシクロ [ 4. 2. 1 . 03' 7] ノナン一 5—オン (R = H 又は CH3、 R4=R 5 = H、 R 6 =エトキシカルボニル基、 X =メチレン 基) [2-12] · 21- (Meth) acryloyloxy 9 _ethoxycarboninole 4-oxatricyclo [4.2.1. 0 3 ' 7 ] Nonan-5-one (R = H or CH 3 , R 4 = R 5 = H, R 6 = ethoxycarbonyl group, X = methylene group)
[2-13] 2— (メタ) ァク リ ロイルォキシ _ 9 一 t—ブトキシカルボ二 ルー 4—ォキサトリシクロ [ 4. 2. 1. 03' 7] ノナン一 5—オン (R =11又はじ113、 R4 = R5 = H、 R 6= t—ブトキシカルボ二ル基、 X = メチレン基) [2-13] 2- (Meth) acryloyloxy _ 9 1 t-butoxycarbonyl 2- 4-oxatricyclo [4.2.1.0 3 ' 7 ] Nonane 5-one (R = 11 or 11 3 , R 4 = R 5 = H, R 6 = t—butoxycarbonyl group, X = methylene group)
式 (8c) で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられ るが、 これらに限定されるものではない。  Representative examples of the compound represented by the formula (8c) include the following compounds, but are not limited thereto.
[2 - 14] 8一 (メタ) ァク リ ロイルォキシ一 4ーォキサト リシクロ [ 5 . 2. 1 . 02' 6] デカン一 5—オン (R = H又は CH3) [2 - 14] 8 one (meth) § click Li Roiruokishi one 4 Okisato Rishikuro [.. 5 2.1 0 2 '6] decane one 5- ON (R = H or CH 3)
[2-15] 9 - (メタ) ァク リ ロイルォキシ一 4一ォキサト リ シク口 [ 5 . 2. 1 . 02' 6] デカン一 5—オン (R = H又は CH3) [2-15] 9 - (meth) § click Li Roiruokishi one 4 one Okisato Li consequent opening [.. 5 2.1 0 2 '6] decane one 5- ON (R = H or CH 3)
式 (8d) で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられ るが、 これらに限定されるものではない。 [2-16] 4 - (メタ) ァク リ ロイルォキシ一 6—ォキサビシクロ [3. 2. 1 ] オクタン一 7 _オン (R = H又は CH3、 R 9 = R 10= R 1 R 12=R13=R14=R15 = R16=R17 = H) Representative examples of the compound represented by the formula (8d) include the following compounds, but are not limited thereto. [2-16] 4 - (meth) § click Li Roiruokishi one 6- Okisabishikuro [3.2.1] octan one 7 _ On (R = H or CH 3, R 9 = R 10 = R 1 R 12 = R (13 = R 14 = R 15 = R 16 = R 17 = H)
[2-17] 4― (メタ) ァク リ ロイルォキシ一 4—メチルー 6—ォキサビ シクロ [ 3. 2. 1 ] オクタン一 7—オン (R = H又は CH3、 R I 0= R 11 = R12=R13=R14=R15=R16=R17 = H R9= CH3) [2-17] 4- (Meth) acryloyloxy 4- 4-methyl-6-oxabicyclo [3.2.1] octane-7-one (R = H or CH 3 , RI 0 = R 11 = R 12 = R 13 = R 14 = R 15 = R 16 = R 17 = HR 9 = CH 3 )
[2 - 18] 4― (メタ) アタリ ロイルォキシー 5—メチルー 6—ォキサビ シクロ [ 3. 2. 1 ] オクタン一 7—オン ( R = H又は C H 3、 R 9 = R 11 = R12=R13=R14=R15=Rl6=R17 = H, R 10= C H3) [2 - 18] 4- (meth) Atari Roiruokishi 5- methyl-6- Okisabi cyclo [3.2.1] octan one 7- ON (R = H or CH 3, R 9 = R 11 = R 12 = R 13 = R 14 = R 15 = R l6 = R 17 = H, R 10 = CH 3 )
[2-19] 4一 (メタ) ァク リ ロイルォキシ一 4 , 5—ジメチル一 6—ォ キサビシクロ [ 3. 2. 1 ] オクタン一 7—オン ( R = H又は C H 3、 R 11 = R12=R 13=R14=R15=R16 = R17 = H R9=R10=CH3) 式 (8e) で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられ るが、 これらに限定されるものではない。 [2-19] 4 one (meth) § click Li Roiruokishi one 4, 5- dimethyl one 6-O Kisabishikuro [3.2.1] octan one 7- ON (R = H or CH 3, R 11 = R 12 = R 13 = R 14 = R 15 = R 16 = R 17 = HR 9 = R 10 = CH 3 ) Typical examples of the compound represented by the formula (8e) include the following compounds. It is not limited.
[2-20] 6― (メタ) ァクリ ロイルォキシー 2—ォキサビシクロ [2. 2. 2 ] オクタン一 3—オン (R = H又は CH3、 R18 = R19=R2。=R[2-20] 6- (meth) Akuri Roiruokishi 2- Okisabishikuro [2.2.2] octan one 3-one (R = H or CH 3, R 18 = R 19 = R 2. = R
21=R22=R23=R24:=R25=R26 = H) 21 = R 22 = R 23 = R 24 : = R 25 = R 26 = H)
[2-21] 6 - (メタ) ァクリ ロイルォキシー 6—メチル一 2—ォキサビ シクロ [2. 2. 2 ] オクタン一 3—オン ( R = H又は C H 3、 R 18= R 20=R21 = R22=R23=R24=R25=R26 = H, R 19= C H3) [2-21] 6 - (meth) Akuri Roiruokishi 6-methyl one 2- Okisabi cyclo [2.2.2] octan one 3-one (R = H or CH 3, R 18 = R 20 = R 21 = R 22 = R 23 = R 24 = R 25 = R 26 = H, R 19 = CH 3 )
[2-22] 6― (メタ) ァクリ ロイルォキシー 1—メチル _ 2—ォキサビ シクロ [ 2. 2. 2] オクタン一 3—オン ( R = H又は C H 3、 R ' 9 = R 20=R21 = R22=R23=R24=R25=R26 = H, R 18= CH3) [2-22] 6- (meth) Akuri Roiruokishi 1-methyl _ 2- Okisabi cyclo [2.2.2] octan one 3-one (R = H or CH 3, R '9 = R 20 = R 21 = (R 22 = R 23 = R 24 = R 25 = R 26 = H, R 18 = CH 3 )
[2 - 23] 6― (メタ) ァクリ ロイルォキシ一 1, 6—ジメチルー 2—ォ キサビシクロ [ 2. 2. 2] オクタン一 3 _オン ( R = H又は C H 3、 R 20=R21 = R22=R23=R24=R25=R26 = H、 R18 = R19= CH3) 式 (8f) で表される化合物の代表的な例と して下記化合物が挙げられ るが、 これらに限定されるものではない。 [2 - 23] 6- (meth) Akuri Roiruokishi one 1, 6-dimethyl-2- O Kisabishikuro [2.2.2] octan one 3 _ ON (R = H or CH 3, R 20 = R 21 = R 22 = R 23 = R 24 = R 25 = R 26 = H, R 18 = R 19 = CH 3 ) Representative examples of the compound represented by the formula (8f) include the following compounds, but are not limited thereto.
[2-24] β — (メタ) アタ リ ロイルォキシー γ —プチロラク トン (R = は R 27 = R 28 = R 2 9 = R 30 = R 3 1 = H ) [2-24] β - (meth) Ata Li Roiruokishi gamma - Puchiroraku tons (R = is R 27 = R 28 = R 2 9 = R 30 = R 3 1 = H)
H又 C H 3、  H or C H 3,
[2 - 25] β 一 (メタ) アタ リ ロイルォキシ一 , C —ジメチル一 "Y—ブ チロラタ トン (R = H又は C H 3、 R 27= R 28= C H3、 R 29= R 30= R[2 - 25] β i (meth) Ata Li Roiruokishi one, C - dimethyl one "Y- Bed Chirorata tons (R = H or CH 3, R 27 = R 28 = CH 3, R 29 = R 30 = R
31 = Η) 31 = Η)
[2 - 26] β 一 (メタ) アタ リ ロイルォキシ- , γ——ジメチノレー γ ——フ' チロラク トン (R = H又は C H 3、 R 30= R ^ C H3 R 27= R 28= R[2-26] β- (meta) atalyloyloxy-, γ-dimethinolate γ -—- futylolactone (R = H or CH 3 , R 30 = R ^ CH 3 R 27 = R 28 = R
29 = Η) 29 = Η)
[2-27] β 一 (メタ) ァク リ ロイルォキシー α, ひ |3— トリメチル— ーブチロラク トン ( R = Η又は C Η 3、 R 27= R 2 = R 29 = C H a , R [2-27] β- (meth) acryloyloxy α, hi | 3-trimethyl-butyrolactone (R = Η or C Η 3 , R 27 = R 2 = R 29 = CH a , R
[2-28] β 一 (メタ) アタ リ ロイルォキシ一 ]3 , y トリメチル一 y —ブチロラク トン (R = H又は C H 3、 R 29 = R 3 ^ C H― R 27 = R 28 = H) [2-28] beta one (meth) Ata Li Roiruokishi one] 3, y-trimethyl one y - butyrolactone tons (R = H or CH 3, R 29 = R 3 ^ CH- R 27 = R 28 = H)
[2-29] β — (メタ) アタ リ ロイルォキシ一 α, a , β , γ , γ 一ペン タメチルー γ —プチロラク トン ( R = Η又は C Η 3、 R 27= R 28= R 29 =[2-29] β — (meth) atalyloyloxy α, a, β, γ, γ-pentamethyl-γ — butyrolactone (R = Η or C Η 3 , R 27 = R 28 = R 29 =
R 30 = R 3 1 = C H 3 ) 式 (8g) で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられ るが、 これらに限定されるものではない。 R 30 = R 31 = CH 3 ) Representative examples of the compound represented by the formula (8g) include the following compounds, but are not limited thereto.
[2-30] a一 (メタ) ァク リ ロイルォキシー 一ブチロラタ トン (R =- H又は C H 3、 R 32= R 33 = R 34= R 35= R 36 = H) [2-30] a- (meth) acryloyloxy-butyrolataton (R =-H or CH 3 , R 32 = R 33 = R 34 = R 35 = R 36 = H)
[2 - 31] a一 (メタ) ァク リ ロイルォキシ一ひ 一メチル一 γ —プチロラ タ トン (R = H又は C H 3、 R 32= C H3、 R 33 = R 34 = R 35 = R 36 = H[2-31] a- (meth) acryloyloxy-methyl-γ-butyrolatatone (R = H or CH 3 , R 32 = CH 3 , R 33 = R 34 = R 35 = R 36 = H
) [2-32] ひ - (メタ) アタ リ ロイルォキシ一 β , jS —ジメチルー γ—ブ チロラタ トン (R = H又は C H3、 R33=R34= CH3、 R32=R 35=R 36 = H) ) [2-32] HI-(meth) atalyloyloxy β, jS — dimethyl γ — butyrolataton (R = H or CH 3 , R 33 = R 34 = CH 3 , R 32 = R 35 = R 36 = H)
[2-33] a 一 (メタ) ァク リ ロイルォキシーひ , β , ]3 _ ト リメチルー γ—ブチロラタ トン (R = H又は CH3、 R 32 = R 33 = R 34 = C H 3、 R[2-33] a- (Meth) acryloyloxy, β,] 3_trimethyl-γ-butyrolatatone (R = H or CH 3 , R 32 = R 33 = R 34 = CH 3 , R
35 = R 36 = W、 35 = R 36 = W,
[2-34] a - (メタ) ァク リ ロイノレォキシ一 γ, ジメチルー γ—ブ チロラク トン (R = H又は CH3、 R 35 = R36= CH3、 R 32= R 33= R 34 = H) [2-34] a - (meth) § click Li Roinoreokishi one gamma, dimethyl γ- Bed Chiroraku tons (R = H or CH 3, R 35 = R 36 = CH 3, R 32 = R 33 = R 34 = H )
[2 - 35] a― (メタ) ァク リ ロ イルォキシーひ , y , γ— トリメチル一 γ—プチ口ラタ トン (R = H又は CH3、 R 32= R 35= R 36= C H3、 R[2-35] a- (meth) acryloyloxy, y, γ-trimethyl- γ -petit mouth (R = H or CH 3 , R 32 = R 35 = R 36 = CH 3 , R
3 3 = R 34 = H) 3 3 = R 34 = H)
[2-36] a 一 (メタ) ァク リ ロイルォキシー β , β , y , 一テ トラメ チル _ γ—プチロラク トン (R = H又は CH3、 R33= R34 = R 35=R3 6= CH3、 R32 = H) [2-36] a one (meth) § click Li Roiruokishi β, β, y, Ichite Torame chill _ .gamma. Puchiroraku tons (R = H or CH 3, R 33 = R 34 = R 35 = R 3 6 = CH 3, R 32 = H)
[2-37] a - (メタ) ァク リ ロイルォキシー α , β , β , y , y —ペン タメチル _ γ —プチロラク トン ( R = Η又は C Η 3、 R 32= R33 = R 3" = R35=R36 ;= CH3) [2-37] a-(Meth) acryloyloxy α, β, β, y, y —pentamethyl_γ —ptyrolactone (R = Η or C Η 3 , R 32 = R 33 = R 3 "= R 35 = R 36; = CH 3 )
本発明の高分子化合物にレジス トとしての諸機能を付与するために用 いられる不飽和カルボン酸へミァセタールエステル以外の重合性不飽和 単量体の他の例と して、 無水マレイン酸、 マレイミ ドが挙げられる。 こ れらは前記酸無水物基含有単量体及ぴィミ ド基含有単量体に相当する。 本発明の高分子化合物にレジス トと しての諸機能を付与するために用 いられる不飽和カルボン酸へミァセタールエステル以外の重合性不飽和 単量体の他の代表的な例として、 下記式 ( 9 ) で表される化合物が挙げ られる。 これらの化合物は前記ヒ ドロキシル基含有単量体、 メルカプト 基含有単量体、 カルボキシル基含有単量体、 アミノ基含有単量体、 スル ホン酸基含有単量体及ぴ環状ケトン骨格含有単量体に相当する。 Other examples of polymerizable unsaturated monomers other than myacetal esters include unsaturated carboxylic acids used to impart various functions as a resist to the polymer compound of the present invention, such as maleic anhydride, Maleimide. These correspond to the acid anhydride group-containing monomer and the imide group-containing monomer. The following are typical examples of polymerizable unsaturated monomers other than myacetal esters used for imparting various functions as a resist to the polymer compound of the present invention. And a compound represented by the formula (9). These compounds are the same as those described above for the hydroxyl group-containing monomer, mercapto. It corresponds to a group-containing monomer, a carboxyl group-containing monomer, an amino group-containing monomer, a sulfonic acid group-containing monomer and a cyclic ketone skeleton-containing monomer.
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(式中、 環 Z2は炭素数 6〜20の脂環式炭化水素環を示す。 Rは水素原子又は メチル基を示す。 R37は環 Z 2に結合している置換基であって、 同一又は異なつ て、 ォキソ基、 アルキル基、 保護基で保護されていてもよいヒ ドロキシル基、 保 護基で保護されていてもよいヒ ドロキシアルキル基、 保護基で保護されていても よいカルボキシル基、 保護基で保護されていてもよいアミノ基、 又は保護基で保 護されていてもよいスルホン酸基を示す。 但し、 n個の R37のうち少なくとも 1 つは、 ォキソ基、 保護基で保護されていてもよいヒ ドロキシル基、 保護基で保護 されていてもよいヒ ドロキシアルキル基、 保護基で保護されていてもよいカルボ キシル基、 保護基で保護されていてもよいアミノ基、 又は保護基で保護されてい てもよぃスルホン酸基を示す。 nは 1〜3の整数を示す) (Wherein, ring Z 2 represents an alicyclic hydrocarbon ring having 6 to 20 carbon atoms. R represents a hydrogen atom or a methyl group. R 37 represents a substituent bonded to ring Z 2 , Same or different, may be protected by an oxo group, an alkyl group, a hydroxyl group optionally protected by a protecting group, a hydroxyalkyl group optionally protected by a protecting group, or a protecting group A carboxyl group, an amino group which may be protected by a protecting group, or a sulfonic acid group which may be protected by a protecting group, provided that at least one of n R 37s is an oxo group or a protecting group A hydroxyl group which may be protected with a group, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, a carboxyl group which may be protected with a protecting group, an amino which may be protected with a protecting group Group or protected by a protecting group. Represents a sulfonic acid group, and n represents an integer of 1 to 3)
環 Z2における炭素数 6〜20の脂環式炭化水素環は単環であっても、 縮合環 や橋かけ環等の多環であってもよい。 代表的な脂環式炭化水素環と して、 例 えば、 シク口へキサン環、 シクロオクタン環、 シクロデカン環、 ァダマ ンタン環、 ノルボルナン環、 ノルボルネン環、 ボルナン環、 イソボルナ ン環、 パーヒ ドロインデン環、 デカリン環、' パーヒ ドロフルオレン環 ( 1、 リシクロ [ 7. 4. 0. 03' 8] トリデカン環) 、 パーヒ ドロアントラ セン環、 トリシクロ [ 5. 2. 1. 02' 6] デカン環、 トリシクロ [4. 2. 2. I 2' 5] ゥンデカン環、 テ トラシクロ [4. 4. 0. I 2' 5. 1 7> 10] ドデカン環などが挙げられる。 脂環式炭化水素環には、 メチル基 等のアルキル基 (例えば、 C ,_4アルキル基など) 、 ト リフルォロメチル 基などのハロアルキル基、 フッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子、 保 護基で保護されていてもよいヒ ドロキシル基、 保護基で保護されていて もよぃヒ ドロキシアルキル基、 保護基で保護されていてもよいメルカプ ト基、 ォキソ基、 保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、 保護 基で保護されていてもよいァミノ基、 保護基で保護されていてもよいスルホ ン酸基などの置換基を有していてもよい。 ■ It is an alicyclic hydrocarbon ring monocyclic having 6 to 20 carbon atoms in the ring Z 2, or may be a polycyclic ring, over fused ring and bridges. Typical alicyclic hydrocarbon rings include, for example, cyclohexane ring, cyclooctane ring, cyclodecane ring, adamantane ring, norbornane ring, norbornene ring, bornane ring, isobornane ring, perhydroindene ring, decalin ring, 'Pahi mud fluorene ring (1, Rishikuro [7.4.3 0.0 3' 8] tridecane ring), Pahi Doroantora Sen ring, tricyclo [5.2.2 1.0 2 '6] decane ring, tricyclo [4. 2. 2. I 2 '5 ] Undekan ring, Te Torashikuro [4. 4. 0. I 2' 5 . 1 7> 10] dodecane ring. The alicyclic hydrocarbon ring has a methyl group Alkyl group such (e.g., C, etc. _ 4 alkyl group), preparative Rifuruoromechiru haloalkyl group such as group, a fluorine atom or a halogen atom, an optionally protected coercive Mamorumoto human Dorokishiru group such as a chlorine atom, a protecting group Or protected with a hydroxyalkyl group, a mercapto group which may be protected with a protecting group, an oxo group, a carboxyl group which may be protected with a protecting group, or a protecting group. It may have a substituent such as a good amino group or a sulfonate group which may be protected with a protecting group. ■
式 ( 9) 中、 R37におけるァノ:キル基と しては、 メチル、 ェチル、 プ 口ピル、 イソプロピノレ、 プチノレ、 イソブチル、 s ーブチル、 t 一プチル 、 へキシル、 ォクチル、 デシル、 ドデシル基などの直鎖状又は分岐鎖状 の炭素数 1〜 2 0程度のアルキル基が挙げられる。 保護基で保護されて いてもよいアミノ基と しては、 アミノ基、 置換アミノ基 (例えば、 メチ ルァミノ、 ェチルァミノ、 プロピルアミノ基等の cェ一 4アルキルアミノ基 など) などが挙げられる。 保護基で保護されていてもよいスルホン酸基とし ては、 _ S 03RZ基などが挙げられる。 前記 R zは水素原子又はアルキル 基を示し、 アルキル基と しては、 メチル、 ェチル、 プロピル、 イソプロ ピル、 ブチル、 イソプチル、 s ーブチノレ、 t —ブチノレ、 へキシル基など の直鎖状又は分岐鎖状の炭素数 1〜 6のアルキル基などが挙げられる。 R37における保護基で保護されていてもよいヒ ドロキシル基、 保護基で 保護されていてもよいヒ ドロキシアルキル基、 保護基で保護されていて もよいメルカプト基、 保護基で保護されていてもよいカルボキシル基は 前記と同様である。 In the formula (9), as the ano group for R 37 : a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a s-butyl group, a t-butyl group, a hexyl group, an octyl group, a decyl group and a dodecyl group And linear or branched alkyl groups having about 1 to 20 carbon atoms. As a protected or unprotected amino group, the amino group, substituted amino group (e.g., methylcarbamoyl Ruamino, Echiruamino, etc. c E one 4 alkylamino group such as a propylamino group). It is a protected or unprotected sulfonic group with a protective group, and the like _ S 0 3 R Z group. R z represents a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group is a linear or branched chain such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butynole, t-butynole, and hexyl. And an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. A hydroxy group which may be protected by a protecting group, a hydroxyalkyl group which may be protected by a protecting group, a mercapto group which may be protected by a protecting group, and a protecting group which are protected by R 37 Possible carboxyl groups are the same as described above.
式 ( 9) で表される化合物の代表的な例と して下記化合物が挙げられ るが、 これらに限定されるものではない。  Representative examples of the compound represented by the formula (9) include, but are not limited to, the following compounds.
[3-1] 1—ヒ ドロキシー 3— (メタ) ァク リ ロイルォキシァダマンタ ン (R = H又は CH3、 R37=OH、 n = l、 Z 2 =ァダマンタン環) [3-2] 1 , 3—ジヒ ドロキシ一 5— (メタ) アタ リ ロイルォキシァダ マンタン (R = H又は CH3、 R 37= O H、 n = 2、 Z 2 =ァダマンタン 環) [3-1] 1—Hydroxy 3— (Meth) acryloyloxy-adamantane (R = H or CH 3 , R 37 = OH, n = l, Z 2 = adamantane ring) [3-2] 1, 3-dihydrazide Dorokishi one 5- (meth) Ata Li Roiruokishiada Kalimantan (R = H or CH 3, R 37 = OH, n = 2, Z 2 = Adamantan ring)
[3-3] 1 _カルボキシ一 3— (メタ) ァク リ ロイルォキシァダマンタ ン (R = H又は CH3、 R37=COOH、 n = l、 Z 2=ァダマンタン環 ) [3-3] 1 _ carboxy one 3- (meth) § click Li Roy Ruo carboxymethyl § Da manta emissions (R = H or CH 3, R 37 = COOH, n = l, Z 2 = Adamantan ring)
[3-4] 1 , 3一ジカルボキシー 5— (メタ) アタ リ ロイルォキシァダ マンタン ( R = H又は C H 3、 R 37 = C O O H、 n = 2、 Z 2 =ァダマン タン環) [3-4] 1, 3 one Jikarubokishi 5- (meth) Ata Li Roiruokishiada Kalimantan (R = H or CH 3, R 37 = COOH, n = 2, Z 2 = Adaman monocyclic)
[3-5] 1一カルボキシ一 3—ヒ ドロキシー 5— (メタ) ァクリ ロイル ォキシァダマンタン ( R = H又は C H 3、 R37=OH, C〇 OH、 n = 2 、 Z 2 =ァダマンタン環) [3-5] 1 one carboxy one 3- arsenide Dorokishi 5- (meth) Akuri Royle O carboxymethyl § Dammann Tan (R = H or CH 3, R 37 = OH, C_〇 OH, n = 2, Z 2 = Adamantan ring)
[3-6] 1— t—ブトキシカルボニル一 3 - (メタ) ァク リ ロイルォキ シァダマンタン ( R = H又は C H 3、 R 37= t—ブトキシカルボニル基、 n = 1、 Z 2 =ァダマンタン環) [3-6] 1-t-butoxycarbonyl one 3 - (meth) § click Re Roiruoki Shiadamantan (R = H or CH 3, R 37 = t- butoxycarbonyl group, n = 1, Z 2 = Adamantan ring)
[3-7] 1, 3—ビス ( t—ブトキシカルボニル) - 5 - (メタ) ァク Vロイルォキシァダマンタン [ R = H又は C H 3、 R37= t—ブトキシカ ルポ-ル基、 n = 2、 Z 2 =ァダマンタン環] [3-7] 1, 3-bis (t-butoxycarbonyl) - 5 - (meth) § click V Roy Ruo carboxymethyl § Dammann Tan [R = H or CH 3, R 37 = t- Butokishika Lupo - group, n = 2, Z 2 = adamantane ring]
[3-8] 1— t—ブトキシカルボニル一 3—ヒ ドロキシ一 5— (メタ) ァク リ ロイルォキシァダマンタン ( R = H又は C I-I 3、 R 37 = O H, t - ブトキシカルボニル基、 n = 2、 Z 2 =ァダマンタン環) [3-8] 1-t-butoxycarbonyl one 3-arsenide Dorokishi one 5- (meth) § click Li Roy Ruo carboxymethyl § Dammann Tan (R = H or C II 3, R 37 = OH , t - butoxycarbonyl group , N = 2, Z 2 = adamantane ring)
[3-9] 1― ( 2—テ トラヒ ドロビラニルォキシカルボニル) — 3— ( メタ) ァク リ ロイルォキシァダマンタン ( R = H又は C H 3、 R 37= 2 - テ トラヒ ドロビラニルォキシカルボ-ル基、 n = 1、 Z 2 =ァダマンタン 環) [3-9] 1- (2-te Torahi mud Vila sulfonyl O alkoxycarbonyl) - 3- (meth) § click Li Roy Ruo carboxymethyl § Dammann Tan (R = H or CH 3, R 37 = 2 - Te Torahi mud Vilanyloxycarbol group, n = 1, Z 2 = adamantane ring)
[3-10] 1, 3—ビス ( 2—テ トラヒ ドロビラ-ルォキシカルボ-ル) - 5 - (メタ) ァク リ ロイルォキシァダマンタン ( R = H又は C H 3、 R 7= 2ーテ トラヒ ドロビラニルォキシカルボニル基、 n = 2、 Z 2 =ァダ マンタン環) [3-10] 1,3-bis (2-tetrahidrobilo-roxycarbol) - 5 - (meth) § click Li Roy Ruo carboxymethyl § Dammann Tan (R = H or CH 3, R 7 = 2 over Te Torahi mud Vila sulfonyl O alkoxycarbonyl group, n = 2, Z 2 = § da Kalimantan ring)
[3-11] 1—ヒ ドロキシ一 3— ( 2—テ トラヒ ドロビラニルォキシカル ポニル) 一 5— (メタ) ァク リ ロイルォキシァダマンタン ( R = H又は CH3、 R37 = OH, 2—テトラヒ ドロビラニルォキシカルボニル基、 n = 2、 Z 2 =ァダマンタン環) [3-11] 1—Hydroxy-1 3— (2-Tetrahydrobilanyloxycarponyl) -1 5— (Meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 37 = OH, 2-tetrahydrobiranyloxycarbonyl group, n = 2, Z 2 = adamantane ring
また、 前記カルボキシル基含有単量体と して、 例えば、 アク リル酸、 メタタ リル酸などを使用すること.もできる。  Further, as the carboxyl group-containing monomer, for example, acrylic acid, methacrylic acid and the like can be used.
高分子化合物の酸脱離性機能を高めるために用いられる重合性不飽和 単量体の代表的な例として、 例えば、 1一 [ 1一 (メタ) アタ リ ロイル ォキシ一 1ーメチルェチル] 了ダマンタン、 2— (メタ) ァク リ ロイル ォキシ一 2—メチルァダマンタン、 2 - (メタ) ァク リ ロイルォキシー Representative examples of the polymerizable unsaturated monomer used to enhance the acid-eliminating function of the polymer compound include, for example, 1-1 [(1-1) (meth) atalyloyloxy-1- 1-methylethyl] ridamantane, 2- (Meth) acryloyloxy 2-Methyladamantane, 2- (Meth) acryloyloxy
2—ェチルァダマンタン、 2 - [ 1— (メタ) ァク リ ロイルォキシー 1 一メチルェチル] ノルポルナン、 2― (メタ) ァク リ ロイルォキシ一 2 一メチルノルボルナン、 1 - [ 1— (メタ) ァク リ ロイルォキシー 1一 メチノレエチノレ] シク口へキサン、 1一 (メタ) ァク リ ロイノレォキシ一 1 ーメチルシク口へキサン、 3 - [ 1— (メタ) ァク リ ロイルォキシー 1 ーメチルェチル] テ トラシクロ [4. 4. 0. I 2' 5. I 7' 10] ドデカン 、 (メタ) アク リル酸 t _プチル、 1― ( t—ブトキシカルボニル) ―2-Ethyladamantane, 2- [1- (Meth) acryloyloxy 1-methylethyl] norpornan, 2- (Meth) acryloyloxy-1 2-Methylnorbornane, 1- [1- (Meth) α Cryloyloxy 1-methyl ethynole] Hexane hex, 1- (meth) acryloylonoxy 1-methylcyclohexyl hexane, 3- [1- (meth) acryloyloxy 1-methylethyl) Tetracyclo [4. 4. 0. I 2 ' 5. I 7 ' 10 ] dodecane, t-butyl (meth) acrylate, 1- (t-butoxycarbonyl)
3 - (メタ) ァク リ ロイルォキシァダマンタン、 2 - ( t—ブトキシカ ルボニル) 一 5又は 6— (メタ) アタ リ ロイルォキシノルボルナン、 及 びこれらの類縁体 (メチル基の代わりにェチル基等の他のアルキル基や トリフルォロメチル基等のハロアルキル基が結合している化合物等) な どが挙げられる。 3- (meth) acryloyloxyadamantane, 2- (t-butoxycarbonyl)-1- or 6- (meth) atalyloyloxynorbornane, and analogs thereof (ethyl group instead of methyl group) And other compounds to which an alkyl group or a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group is bonded.
なお、 上記式 (8a) 〜 (8g) 、 ( 9 ) で表される各単量体における ( メタ) ァク リ ロイルォキシ基をビニル基 ( 1ーメチルビニル基、 クロチ ル基等の置換基を有するビニル基を含む) に置き換えた対応するビニル エーテル化合物を本発明の高分子化合物の単量体成分として用いること もできる。 In addition, in each monomer represented by the above formulas (8a) to (8g) and (9), The corresponding vinyl ether compound in which a (meth) acryloyloxy group is replaced by a vinyl group (including a vinyl group having a substituent such as a 1-methylvinyl group or a chloro group) is used as a monomer component of the polymer compound of the present invention. It can also be used.
本発明の高分子化合物において、 式 ( I ) で表される繰り返し単位の 割合は特に限定されないが、 ポリマーを構成する全モノマー単位に対し て、 一般には 1〜: 1 0 ◦モル0 /0、 好ましくは 1 0〜 9 0モル0 /0、 さらに 好ましくは 3 0〜 8 0モル%程度である。 ラク トン骨格含有単量体、 環 状ケトン骨格含有単量体、 酸無水物基含有単量体及びイミ ド基含有単量 体から選択された少なく とも 1種の単量体に対応する繰り返し単位 [式 ( I ) で表される繰り返し単位を除く ] の割合は、 0〜 9 5モル%、 好 ましくは 0〜 6 0モル%、 さらに好ましくは 1 0〜4 0モル%程度であ る。 ヒ ドロキシル基含有単量体、 メルカプト基含有単量体及びカルボキ シル基含有単量体から選択された少なく とも 1種の単量体に対応する繰 り返し単位の割合は、 0〜 9 5モル%、 好ましくは 5〜 9 0モル0 /0、 さ らに好ましくは 1 0〜 5 0モル%程度である。 In the polymer compound of the present invention, but the proportion of the repeating unit represented by formula (I) is limited, and with respect to the total monomer units constituting the polymer, typically. 1 to: 1 0 ◦ mole 0/0, preferably 1 0-9 0 mole 0/0, more preferably 3 0-8 about 0 mol%. A repeating unit corresponding to at least one monomer selected from a lactone skeleton-containing monomer, a cyclic ketone skeleton-containing monomer, an acid anhydride group-containing monomer, and an imido group-containing monomer The ratio of [excluding the repeating unit represented by the formula (I)] is 0 to 95 mol%, preferably 0 to 60 mol%, and more preferably about 10 to 40 mol%. . The proportion of the repeating unit corresponding to at least one monomer selected from a monomer containing a hydroxyl group, a monomer containing a mercapto group and a monomer containing a carboxyl group is 0 to 95 mol. %, preferably 5-9 0 mole 0/0, preferably in the al about 1 0-5 0 mol%.
本発明の高分子化合物を得るに際し、 モノマー混合物の重合は、 溶液 重合、 塊状重合、 懸濁重合、 塊状一懸濁重合、 乳化重合など、 アクリル 系ポリマー等を製造する際に用いる慣用の方法により行うことができる 、 特に、 溶液重合が好適である。 さらに、 溶液重合のなかでも滴下重 合が好ましい。 滴下重合は、 具体的には、 例えば、 ( i ) 予め有機溶媒 に溶解した単量体溶液と、 有機溶媒に溶解した重合開始剤溶液とをそれ ぞれ調製し、 一定温度に保持した有機溶媒中に前記単量体溶液と重合開 始剤溶液とを各々滴下する方法、 (ii) 単量体と重合開始剤とを有機溶 媒に溶解した混合溶液を、 一定温度に保持した有機溶媒中に滴下する方 法、 (iii) 予め有機溶媒に溶解した単量体溶液と、 有機溶媒に溶解し た重合開始剤溶液とをそれぞれ調製し、 一定温度に保持した前記単量体 溶液中に重合開始剤溶液を滴下する方法などの方法により行われる。 重合溶媒としては公知の溶媒を使用でき、 例えば、 エーテル (ジェチ ノレエーテノレ、 プロピレンダリ コールモノメチルエーテル等グリ コールェ 一テル類などの鎖状エーテル、 テ トラヒ ドロフラン、 ジォキサン等の環 状エーテルなど) 、 エステル (酢酸メチル、 酢酸ェチル、 酢酸ブチル、 乳酸ェチル、 プロピレングリ コールモノメチルエーテルァセテ一ト等の グリ コーノレエーテノレエステノレ類など) 、 ケトン (ァセ トン、 メチノレエチ ルケトン、 メチルイソブチルケ トン、 シクロへキサノンなど) 、 アミ ド ( N , N—ジメチルァセ トアミ ド、 N, N—ジメチルホルムアミ ドなど ) 、 スルホキシド (ジメチノレスルホキシドなど) 、 ァノレコール (メタノ ール、 エタノール、 プロパノールなど) 、 炭化水素 (ベンゼン、 トルェ ン、 キシレン等の芳香族炭化水素、 へキサン等の脂肪族炭化水素、 シク 口へキサン等の脂環式炭化水素など) 、 これらの混合溶媒などが挙げら れる。 また、 重合開始剤として公知の重合開始剤を使用できる。 重合温 度は、 例えば 3 0 〜 1 5 0 °C程度の範囲で適宜選択できる。 In obtaining the polymer compound of the present invention, the polymerization of the monomer mixture is performed by a conventional method used for producing an acrylic polymer, such as solution polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization, bulk-suspension polymerization, emulsion polymerization, and the like. In particular, solution polymerization can be performed. Further, drop polymerization is preferable among solution polymerizations. In the drop polymerization, for example, (i) a monomer solution previously dissolved in an organic solvent and a polymerization initiator solution dissolved in an organic solvent are respectively prepared, and the organic solvent kept at a constant temperature is prepared. (Ii) a method in which the monomer solution and the polymerization initiator solution are respectively dropped into the organic solvent, and (ii) a mixed solution obtained by dissolving the monomer and the polymerization initiator in an organic solvent in an organic solvent maintained at a constant temperature. (Iii) a monomer solution previously dissolved in an organic solvent and a The polymerization initiator solution is prepared, and the polymerization initiator solution is dropped into the monomer solution maintained at a constant temperature. As the polymerization solvent, known solvents can be used, and examples thereof include ethers (chain ethers such as glycol ethers such as methyl alcohol, propylene glycol monomethyl ether and the like, cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane), and esters (esters). Methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and other glycolone ethers, etc.), ketones (acetone, methylinoethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexane) Xanone), amides (N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, etc.), sulfoxides (dimethinolesulfoxide, etc.), anorecols (methanol, ethanol, propanol, etc.), hydrocarbons (benzol, etc.) Emissions, Torue emissions, aromatic hydrocarbons such as xylene, to the aliphatic hydrocarbons hexane and the like, and alicyclic hydrocarbons cyclohexane and the like consequent opening), and mixtures of these solvents like et be. Further, a known polymerization initiator can be used as the polymerization initiator. The polymerization temperature can be appropriately selected, for example, in the range of about 30 to 150 ° C.
重合により得られたポリマーは、 沈殿又は再沈殿により精製できる。 沈殿又は再沈殿溶媒は有機溶媒及び水の何れであってもよく、 また混合 溶媒であってもよい。 沈殿又は再沈殿溶媒として用いる有機溶媒として 、 例えば、 炭化水素 (ペンタン、 へキサン、 ヘプタン、 オクタンなどの 脂肪族炭化水素 ; シクロへキサン、 メチルシクロへキサンなどの脂環式 炭化水素 ; ベンゼン、 トルエン、 キシレンなどの芳香族炭化水素) 、 ハ ロゲン化炭化水素 (塩化メチレン、 クロ口ホルム、 四塩化炭素などのハ 口ゲン化脂肪族炭化水素 ; ク口口ベンゼン、 ジクロ口ベンゼンなどのノヽ ロゲン化芳香族炭化水素など) 、 ニトロ化合物 (ニトロメタン、 ニトロ ェタンなど) 、 二トリル (ァセトニトリル、 ベンゾニトリルなど) 、 ェ 一テル (ジェチルエーテル、 ジィソプロピルエーテル、 ジメ トキシエタ ンなどの鎖状エーテル ; テトラヒ ドロフラン、 ジォキサンなどの環状ェ 一テル) 、 ケトン (アセトン、 メチルェチルケ トン、 ジィソブチルケト ンなど) 、 エステル (酢酸ェチル、 酢酸プチルなど) 、 カーボネート ( ジメチノレカーボネー ト 、 ジ工チノレカーボネー ト 、 エチレンカーボネー ト 、 プロピレンカーボネートなど) 、 アルコール (メタノール、 エタノー ノレ、 プロパノーノレ、 イソプロピルアルコール、 ブタノ一ノレなど) 、 力ノレ ボン酸 (酢酸など) 、 これらの溶媒を含む混合溶媒等が挙げられる。 中でも、 前記沈殿又は再沈殿溶媒として用いる有機溶媒と して、 少な く とも炭化水素 (特に、 へキサンなどの脂肪族炭化水素) を含む溶媒が 好ましい。 このような少なく とも炭化水素を含む溶媒において、 炭化水 素 (例えば、 へキサンなどの脂肪族炭化水素) と他の溶媒との比率は、 例えば前者/後者 (体積比 ; 2 5 °C ) = 1 0 Z 9 0〜 9 9 / 1、 好まし くは前者/後者 (体積比 ; 2 5 °C ) = 3 0 / 7 0〜 9 8 / 2、 さらに好 ましくは前者/後者 (体積比 ; 2 5 °C ) = 5 0 / 5 0〜 9 7 / 3程度で ある。 The polymer obtained by polymerization can be purified by precipitation or reprecipitation. The precipitation or reprecipitation solvent may be either an organic solvent or water, or may be a mixed solvent. Examples of the organic solvent used as the precipitation or reprecipitation solvent include: hydrocarbons (aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, and octane; alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane and methylcyclohexane; benzene, toluene, Aromatic hydrocarbons such as xylene), halogenated hydrocarbons (aliphatic hydrocarbons such as methylene chloride, chloroform, and carbon tetrachloride); hydrogenated aromatics such as benzene and dichlorobenzene Group hydrocarbons), nitro compounds (nitromethane, nitroethane, etc.), nitriles (acetonitrile, benzonitrile, etc.), Monoethers (chain ethers such as getyl ether, diisopropyl ether and dimethoxyethane; cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane), ketones (acetone, methylethyl ketone, diisobutyl ketone, etc.), esters (ethyl acetate, Butyl acetate, etc.), carbonates (dimethinole carbonate, dithiotin carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, etc.), alcohols (methanol, ethanol, propanol, isopropyl alcohol, butanol, etc.), phenolic acid (Such as acetic acid) and a mixed solvent containing these solvents. Among them, a solvent containing at least a hydrocarbon (particularly, an aliphatic hydrocarbon such as hexane) is preferable as the organic solvent used as the precipitation or reprecipitation solvent. In such solvents containing at least hydrocarbons, the ratio of hydrocarbons (for example, aliphatic hydrocarbons such as hexane) to other solvents is, for example, the former / the latter (volume ratio; 25 ° C) = 10 0 90-99 / 1, preferably the former / latter (volume ratio; 25 ° C) = 30 / 70-98 / 2, more preferably the former / latter (volume ratio) 25 ° C) = about 50/50 to 97/3.
本発明のフォ トレジス ト用樹脂組成物は、 前記本発明の高分子化合物 と光酸発生剤とを含んでいる。  The resin composition for photoresist of the present invention contains the polymer compound of the present invention and a photoacid generator.
光酸発生剤と しては、 露光により効率よく酸を生成する慣用乃至公知 の化合物、 例えば、 ジァゾニゥム塩、 ョードニゥム塩 (例えば、 ジフエ ニルョードへキサフルォロホスフエ一トなど) 、 スノレホニゥム塩 (例え ば、 トリフエニノレスノレホ-ゥムへキサフルォロアンチモネ一ト、 トリフ ェニノレス/レホニゥムへキサフノレオ口ホスフエ一ト、 ト リ フエニノレスノレホ ニゥムメタンスルホネートなど) 、 スルホン酸エステル [例えば、 1 ― フエ二ノレ一 1 — ( 4—メチノレフエ二ノレ) スノレホニノレォキシ一 1 一べンゾ ィルメタン、 1 , 2 , 3— トリスノレホニルォキシメチルベンゼン、 1 , 3—ジニトロ一 2— ( 4一フエュノレスノレホニノレォキシメチル) ベンゼン 、 1 一フエニル一 1— ( 4—メチルフエニルスルホニルォキシメチル) 一 1ーヒ ドロキシ一 1 一べンゾィルメタンなど] 、 ォキサチアゾール誘 導体、 s — トリァジン誘導体、 ジスルホン誘導体 (ジフ ニルジスルホ ンなど) 、 ィミ ド化合物、 ォキシムスルホネート、 ジァゾナフ トキノン 、 ベンゾイントシレートなどを使用できる。 これらの光酸発生剤は単独 で又は 2種以上組み合わせて使用できる。 Examples of the photoacid generator include conventional or known compounds which efficiently generate an acid upon exposure to light, such as diazonium salts, odonium salts (e.g., diphenyl hexafluorophosphate), and snorephonium salts (e.g., For example, triphenylenolesnorrefoname hexafluoroantimonate, trifenenoles / levonihexene hexanoleophthalate phosphate, triphenylenolesnorrefonium methanesulfonate, etc.), sulfonic acid ester [ For example, 1-feninole 1-(4-methinolefenole) snorehoninoleoxy 1 1 benzoylmethane, 1,2,3-trisinolephonyloxymethylbenzene, 1, 3-dinitro-1- (4-phenylenolesulfonyloxymethyl) benzene, 1-phenyl-1- (4-methylphenylsulfonyloxymethyl) 1-1-hydroxy-1 1-benzoylmethane, etc. ], Oxathiazole derivatives, s-triazine derivatives, disulfone derivatives (such as diphenyldisulfone), imid compounds, oxime sulfonates, diazonaphthoquinone, and benzoin tosylate. These photoacid generators can be used alone or in combination of two or more.
光酸発生剤の使用量は、 光照射により生成する酸の強度や前記高分子 化合物における各モノマー単位 (繰り返し単位) の比率などに応じて適 宜選択でき、 例えば、 前記高分子化合物 1 0 0重量部に対して 0 . ι〜 The amount of the photoacid generator to be used can be appropriately selected according to the strength of the acid generated by light irradiation, the ratio of each monomer unit (repeat unit) in the polymer compound, and the like. 0.ι ~
3 0重量部、 好ましくは 1〜 2 5重量部、 さらに好ましくは 2〜 2 0重 量部程度の範囲から選択できる。 It can be selected from a range of about 30 parts by weight, preferably about 1 to 25 parts by weight, and more preferably about 2 to 20 parts by weight.
フォ トレジス ト用樹脂組成物は、 アルカリ可溶性樹脂 (例えば、 ノボ ラック樹脂、 フエノール樹脂、 イミ ド樹脂、 カルボキシル基含有樹脂な ど) などのアルカリ可溶成分、 着色剤 (例えば、 染料など) 、 有機溶媒 (例えば、 炭化水素類、 ハロゲン化炭化水素類、 アルコール類、 エステ ル類、 アミ ド類、 ケトン類、 エーテル類、 セロソルブ類、 カルビトール 類、 グリ コールエーテルエステル類、 これらの混合溶媒など) などを含 んでいてもよい。  The resin composition for photoresist includes an alkali-soluble component such as an alkali-soluble resin (for example, a novolak resin, a phenol resin, an imido resin, and a carboxyl group-containing resin), a coloring agent (for example, a dye), and an organic compound. Solvents (eg, hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, alcohols, esters, amides, ketones, ethers, cellosolves, carbitols, glycol ether esters, mixed solvents of these, etc.) Etc. may be included.
このフォ トレジス ト用樹脂組成物を基材又は基板上に塗布し、 乾燥し た後、 所定のマスクを介して、 塗膜 (レジス ト膜) に光線を露光して ( 又は、 さらに露光後ベータを行い) 潜像パターンを形成し、 次いで現像 することにより、 微細なパターンを高い精度で形成できる。  After coating the resin composition for photoresist on a base material or a substrate and drying, the coating film (resist film) is exposed to a light beam through a predetermined mask (or, after the exposure, the beta film is exposed). A fine pattern can be formed with high precision by forming a latent image pattern and then developing.
基材又は基板と しては、 シリ コンウェハ、 金属、 プラスチック、 ガラ ス、 セラミ ックなどが挙げられる。 フォ トレジス ト用樹脂組成物の塗布 は、 スピンコータ、 ディ ップコータ、 ローラコータなどの慣用の塗布手 段を用いて行うことができる。 塗膜の厚みは、 例えば 0. 0 1〜 2 0 z m、 好ましくは 0. 0 5〜 2 m程度である。 Examples of the base material or the substrate include a silicon wafer, metal, plastic, glass, and ceramic. Application of the resin composition for photoresist is performed using a conventional coating method such as a spin coater, dip coater, or roller coater. This can be done using steps. The thickness of the coating film is, for example, about 0.01 to 20 zm, and preferably about 0.05 to 2 m.
露光には、 種々の波長の光線、 .例えば、 紫外線、 X線などが利用でき 、 半導体レジス ト用では、 通常、 g線、 i線、 エキシマレーザー (例え ば、 X e C 1 、 K r F、 K r C l、 A r F、 A r C 1 、 F 2、 K r 2、 K r A r、 A r 2など) などが使用される。 露光エネルギーは、 例えば 0. l〜 1 0 0 0 m j / c m 2程度である。 Various wavelengths of light, such as ultraviolet rays and X-rays, can be used for the exposure. For semiconductor resists, g-rays, i-rays, excimer lasers (eg, XeC1, KrF) are usually used. , K r C l, A r F, A r C 1, F 2, K r 2, K r A r, etc. A r 2) and the like are used. The exposure energy is, for example, about 0.1 to 100 mj / cm 2 .
光照射により光酸発生剤から酸が生成し、 この酸により、 例えば前記 高分子化合物の酸脱離性基を有するモノマー単位 (アル力リ可溶性ュニ ッ ト) のカルボキシル基等の保護基 (脱離性基) が速やかに脱離して、 可溶化に寄与するカルボキシル基等が生成する。 そのため、 水又はアル 力リ現像液による現像により、 所定のパターンを精度よく形成できる。  Upon irradiation with light, an acid is generated from the photoacid generator, and the acid generates a protective group (for example, a carboxyl group of a monomer unit having an acid-labile group of the polymer compound (alkaline soluble unit)). (Eliminable group) is rapidly eliminated, and a carboxyl group or the like contributing to solubilization is generated. Therefore, a predetermined pattern can be accurately formed by development with water or an alkaline developer.
実施例 Example
以下に、 実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、 本発明はこれらの 実施例により限定されるものではない。  Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
製造例 1  Production Example 1
下記式 ( 1 0) で表される 2 -ビュルォキシ一 4ーォキサトリシクロ [4. 2. 1. 03' 7] ノナン一 5 _オン 2 1. 3 g ( 0. 1 1 8 m o 1 ;) 、 メタク リル酸 5 0. 8 g ( 0. 5 9 m 0 1 ) 、 リ ン酸 1 2 0 m g ( 1 2 m m o l ) 、 4ーメ トキシフエノーノレ 1 5 m g ( 0. 1 2 mm o 1 ) 、 トルエン 2 1 0 m l の混合物を 4つ口フラスコに入れ、 窒素雰囲気 下、 2 0°Cで 6時間撹拌した。 反応終了後、 反応液を 1 0重量%炭酸ナ トリ ゥム水溶液 2 0 0 m l で 2回、 1 0重量%食塩水 2 0 0 m 1 で 1回 洗浄し、 有機層を減圧濃縮した。 濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグ ラフィ一で精製し、 下記式 ( 1 2) で表される 2— ( 1—メタク リ ロイ ルォキシエトキシ) 一 4ーォキサトリシクロ [4. 2. 1. 03' 7] ノナ ンー 5—オン 2 5. 5 g (9 6 mm o 1、 収率 8 1 %) を得た。 この物 質は 2つの異性体の混合物で、 存在比は約 1 : 1であった。 なお、 式 ( 1 0) で表される 2—ビニルォキシ一 4—ォキサ トリシクロ [4. 2. 1. 03' 7] ノナン一 5—オンは、 下記式 ( 1 1 ) 表される 2—ヒ ドロキ シ一 4—ォキサト リ シクロ [4. 2. 1. 03' 7] ノナン _ 5—オンとプ 口ピオン酸ビニルから、 特開 2 0 0 3— 7 3 3 2 1号公報に記載の方法 を用いて合成し、 蒸留精製したものを用いた。 2-Buroxy-1- 4-oxatricyclo [4. 2. 1. 0 3 ' 7 ] nonan-5-one represented by the following formula (10) ;), Methacrylic acid 50.8 g (0.59 m 01), phosphoric acid 120 mg (12 mmol), 4-methoxyphenolone 15 mg (0.12 mm o 1), a mixture of toluene (210 ml) was placed in a four-necked flask, and stirred at 20 ° C for 6 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the reaction solution was washed twice with 200 ml of a 10% by weight aqueous sodium carbonate solution and once with 200 ml of a 10% by weight saline solution, and the organic layer was concentrated under reduced pressure. The concentrate is purified by silica gel column chromatography, and the 2- (1-methacryloyl) represented by the following formula (12) is obtained. Ruokishietokishi) to give an 4-O hexa tricyclo [4.2.3 1.0 3 '7] non Hmm 5-one 2 5. 5 g (9 6 mm o 1, 8 1% yield). This substance was a mixture of two isomers, and the abundance was about 1: 1. Incidentally, the formula represented by (1 0) 2- Biniruokishi one 4- Okisa tricyclo [4.2.3 1.0 3 '7] nonane one 5-on, the following equation (1 1) represented by 2-arsenide Doroki sheet one 4- Okisato Li cyclo from 4.2.3 1.0 3 '7] nonane _ 5-one and flop port propionate vinyl, JP 2 0 0 3 7 3 3 2 1 No. described in Synthesized using the method and purified by distillation.
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[ 2— ( 1—メタタ リ ロイルォキシェ トキシ) 一 4一ォキサトリシク 口 [4. 2. 1. 03' 7] ノナン一 5—オンのスペク トルデータ] [2-(1-Metalloyloxetoxy) 1-4-1-7-mouth] [4. 2. 1. 0 3 ' 7 ] Nonan 1-5 -on spectrum data]
1H— NMR (CDC13) δ : 1.40-1.44 (m, 3H) , 1.56-1.63 (m, 2H) , 1. 95 (s, 3H), 1.97-2.08 (m, 2H) , 3.13— 3.16 (m, 1H) , 3.59 (m, 0.5H) , 3.67 (m, 0.5H), 4.49 (d, 0.5H), 4.57(d, 0.5H) , 5.62 (m, 1H), 6.05 (m, 1H) , 6.14 (m, 1H) 1 H- NMR (CDC1 3) δ : 1.40-1.44 (m, 3H), 1.56-1.63 (m, 2H), 1. 95 (s, 3H), 1.97-2.08 (m, 2H), 3.13- 3.16 ( m, 1H), 3.59 (m, 0.5H), 3.67 (m, 0.5H), 4.49 (d, 0.5H), 4.57 (d, 0.5H), 5.62 (m, 1H), 6.05 (m, 1H) , 6.14 (m, 1H)
製造例 2  Production Example 2
Dean- Stark装置、 温度計を備えた反応容器に、 下記式 ( 1 3 ) で表さ れる 3—ヒ ドロキシー 1ーォキサスピロ [4. 5 ] デカン一 2—オン 8 5 g ( 5 0 0 mm o l ) 、 炭酸ナトリ ウム 3 1. 8 g ( 3 0 0 mm o 1 ) 、 トルエン 6 0 0 m l を入れ、 窒素雰囲気下、 撹拌しつつ 1 0 0°Cに 加熱した。 反応容器に I r 2C 1 2 (C8H12) 2 [ジ一 μ—クロ口ビス ( 1, 5—シクロォクタジェン) ニイ リジゥム ( I ) ] 3. 3 6 g ( 5 m m o 1 ) を入れ、 さらにプロピオン酸ビュル 1 0 0 g ( 1 m 0 1 ) を 2 時間かけて滴下しつつ、 加熱還流させることで、 共沸脱水しながら反応 させた。 滴下終了後、 さらに 3時間反応を続けた。 反応終了後、 反応液 を放冷し、 7 0 0 m l の水で洗浄し、 減圧濃縮した。 濃縮残渣を蒸留精 製し、 下記式 ( 1 4) で表される 3—ビニロキシー 1—ォキサスピロ [ 4. 5 ] デカン一 2—オンの無色透明液体 2 2. 5 g ( 1 1 4 mm o 1 、 2 3 %) を得た。 なお、 式 ( 1 3 ) で表される 3—ヒ ドロキシ一 1一 ォキサスピロ [4. 5 ] デカン一 2—オンは、 シク口へキサノールとァ ク リル酸メチルから、 文献 [Chem. Commun. , 7, 613-614(2000)] に記 載の方法により合成し、 シリ力ゲル力ラムクロマ トグラフィーにて精製 したものを用いた。 In a reaction vessel equipped with a Dean-Stark device and thermometer, the following formula (13) is used. 3-hydroxy-1-oxaspiro [4.5] decane-2-one 85 g (500 mmol), sodium carbonate 31.8 g (300 mmo1), toluene 600 ml And heated to 100 ° C. with stirring under a nitrogen atmosphere. The reaction vessel I r 2 C 1 2 (C 8 H 12) 2 [ di one mu - black port bis (1, 5-cyclopropyl O Kuta Zhen) Nii Rijiumu (I)] 3. 3 6 g (5 mmo 1) Was added, and 100 g (1 m 0 1) of propionate butyl was added dropwise over 2 hours, and the mixture was heated and refluxed to conduct a reaction while azeotropically dehydrating. After completion of the dropwise addition, the reaction was continued for another 3 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was allowed to cool, washed with 700 ml of water, and concentrated under reduced pressure. The concentrated residue is purified by distillation, and a colorless transparent liquid of 3-vinyloxy-1-oxaspiro [4.5] decane-2-one represented by the following formula (14) 22.5 g (114 mm o 1 , 23%). In addition, 3-hydroxy-11-spiroxaspiro [4.5] decane-2-one represented by the formula (13) can be obtained from cyc hexanol and methyl acrylate by the literature [Chem. Commun. 7, 613-614 (2000)], and used after purification by silica gel ram chromatography.
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[ 3—ビニロキシー 1—ォキサスピロ [4. 5 ] デカン一 2—オンの スぺク トルデータ] XH- NMR (CDCI3) δ : 1.35-1.89 (in, 10H), 2.04 (dd, IH) , 2.50 ( dd, IH), 4.20 (dd, IH), 4.42 (dd, IH) , 4.65(t, IH) , 6.48 (q, IH) 得られた 3—ビニロキシー 1ーォキサスピロ [4. 5] デカン一 2— オン 1 7. 1 g ( 8 7 mm o 1 ) 、 メタク リル酸 3 7. 4 g (4 3 5 m m o 1 ) 、 リン酸 0. 8 5 g ( 8. 7 mm o 1 ) 、 4—メ トキシフエノ ール 1 7. 1 m g (0. 1 4 mm o 1 ) 、 トルエン 1 7 0 m l の混合物 を反応容器に入れ、 乾燥空気雰囲気下、 5 0°Cで 4. 5時間撹拌した。 反応終了後、 反応液を水 1 7 0 m l、 1 0重量%炭酸ナトリ ウム水溶液 1 7 0 m l ( 2回) 、 水 1 7 0 m lで順次洗浄し、 有機層を減圧濃縮し た。 濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、 下記式 ( 1 5 ) で表される 3 - ( 1—メタタ リ ロイルォキシェトキシ) 一 1 - ォキサスピロ [4. 5] デカン一 2—オン [= 3— ( 1—メタタ リ ロイ ルォキシエ トキシ) 一 2—ォキソ一 1—ォキサスピロ [4. 5 ] デカン ] の無色液体 1 7. 3 g ( 6 1 mm o 1、 収率 Ί 0 %) を得た。 この物 質は異性体 Α、 異性体 Βの混合物であり、 その存在比はおよそ A : B = 3 : 1であった。 [3-vinyloxy 1-oxaspiro [4.5] Decane 1-one spectrum data] X H-NMR (CDCI3) δ: 1.35-1.89 (in, 10H), 2.04 (dd, IH), 2.50 (dd, IH), 4.20 (dd, IH), 4.42 (dd, IH), 4.65 (t, IH), 6.48 (q, IH) The resulting 3-vinyloxy-1-oxaspiro [4.5] decane-2-one 17.1 g (87 mmo 1), methacrylic acid 37.4 g (4 A mixture of 35 mmo 1), 0.85 g of phosphoric acid (8.7 mm o 1), 17.1 mg of 4-methoxyphenol (0.14 mm o 1), and 170 ml of toluene Was placed in a reaction vessel, and stirred at 50 ° C. for 4.5 hours in a dry air atmosphere. After completion of the reaction, the reaction solution was washed successively with 170 ml of water, 170 ml (twice) of a 10% by weight aqueous sodium carbonate solution and 170 ml of water, and the organic layer was concentrated under reduced pressure. The concentrated residue is purified by silica gel column chromatography, and is expressed by the following formula (15): 3-(1 -metharyloyloxhetoxy) 1-oxaspiro [4.5] decane 1-2 -one [= This gave 17.3 g (61 mmo1, yield Ί 0%) of a colorless liquid of 3- (1-metharyloyloxyethoxy) -12-oxo-1-oxoxaspiro [4.5] decane]. . This substance was a mixture of isomer Α and isomer 、, and the abundance was approximately A: B = 3: 1.
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[ 3— ( 1—メタク リ ロイルォキシエトキシ) 一 1 —ォキサスピロ [ 4. 5 ] デカン一 2—オンのスペク トルデータ] [3- (1-methacryloyloxyethoxy) 1-1-oxaspiro [4.5] Decane 1-2-on spectral data]
異性体 A  Isomer A
!H-NMR (CDCI3) δ : 1.34-1.84(m, 13H), 1.92— 1.97(m, 4H) , 2 .40 (dd, 1Η), 4.76 (t, IH), 5.64 (m, IH) , 6.16 (m, IH), 6.28 (q, IH) 異性体 B 'H-NMR (CDCI3) δ 1.35-1.86 (m, 13H), 1.94 - 1.99(m, 4H) , 2 .53 (dd, 1H), 4.63(t, 1H), 5.64 (m, 1H), 6.09 (q, 1H), 6.21 (m, 1H) 製造例 3 ! H-NMR (CDCI3) δ : 1.34-1.84 (m, 13H), 1.92- 1.97 (m, 4H), 2 .40 (dd, 1Η), 4.76 (t, IH), 5.64 (m, IH), 6.16 (m, IH), 6.28 (q, IH) isomer B 'H-NMR (CDCI3) δ 1.35-1.86 (m, 13H), 1.94-1.99 (m, 4H), 2.53 (dd, 1H), 4.63 (t, 1H), 5.64 (m, 1H), 6.09 (q, 1H), 6.21 (m, 1H) Production example 3
ァダマンタンエタノール 4 3. 2 g、 プロピオン酸ビニル 4 8. 1 g 、 炭酸ナ ト リ ウム 1 5. 3 g、 トルェン 1 2 0 m 1 、 ジ一 一ク ロロ ビ ス ( 1 , 5—シク ロォクタジェン) ニイ リ ジゥム ( I ) 1. 6 2 gの混 合物を 4つ口フラスコに入れ、 窒素雰囲気下、 1 0 0°Cで加熱しつつ、 4時間撹拌した。 反応液中の沈殿を濾別し、 濾液を減圧濃縮した。 濃縮 物を減圧蒸留精製し、 下記式 ( 1 6 ) で表される 2— (ァダマンタン— 1—ィル) ェチルビ-ノレエーテル 3 4. 8 gを得た。
Figure imgf000043_0001
Adamantane ethanol 43.2 g, vinyl propionate 48.1 g, sodium carbonate 15.3 g, toluene 1200 m 1, dichlorobis (1,5-six) Loctadiene) Nitridium (I) 1.62 g of the mixture was placed in a four-necked flask and stirred for 4 hours while heating at 100 ° C. under a nitrogen atmosphere. The precipitate in the reaction solution was separated by filtration, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. The concentrate was purified by distillation under reduced pressure to obtain 34.8 g of 2- (adamantane-1-yl) ethylvinyl-ether represented by the following formula (16).
Figure imgf000043_0001
[ 2— (ァダマンタン一 1一ィノレ) ェチノレビニノレエーテノレのスぺク ト ルデータ]  [2— (Adamantane 1 1 1 Nore) Spectral data of Echinorebininoreethenore]
JH- NMR (CDCI3) δ : 1.46(t, 2H) , 1.53(d, 6Η) , 1.62 - 1.72(m, 6H), 1.95 (m, 3H) , 3.73(t, 2H) , 3.96 (ra, 1H), 4.16 (m, 1H) , 6.46 (m, 1 JH-NMR (CDCI3) δ: 1.46 (t, 2H), 1.53 (d, 6Η), 1.62-1.72 (m, 6H), 1.95 (m, 3H), 3.73 (t, 2H), 3.96 (ra, 1H) ), 4.16 (m, 1H), 6.46 (m, 1
H) H)
製造例 4  Production Example 4
2 - (ァダマンタンー 1—ィル) ェチルビニノレエーテノレ 3 2 · 8 g、 メ タタ リル酸 6 8. 4 g、 リ ン酸 0. 1 6 g、 4ーメ トキシフエノール 0. 1 6 4 g、 トルエン 2 9 0 m 1 の混合物を 4つ口フラスコに入れ、 窒素雰囲気下、 2 0°Cで 6時間撹拌した。 反応終了後、 反応液を 1 0重 量%炭酸ナトリ ゥム水溶液 5 0 0 m lで 2回、 1 0重量%食塩水 5 0 0 m lで 1回洗浄し、 有機層を減圧濃縮した。 濃縮物をシリカゲルカラム クロマトグラフィ一で精製し、 下記式 ( 1 7) で表される 1一 [ 2— ( ァダマンタン一 1—ィル) エ トキシ] ェチル (メ タ) ァク リ レー ト 3 8
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[ 1 - [ 2 - (ァダマンタン一 1 _ィル) ェ トキシ] ェチル (メタ) ァク リ レートのスぺク トルデータ]
2- (adamantan-1-yl) ethylvinylinoleate 32,8 g, methacrylic acid 6,8.4 g, phosphoric acid 0.16 g, 4-methoxyphenol 0.16 4 g, and a mixture of toluene (290 ml) was placed in a four-necked flask, and stirred at 20 ° C for 6 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the reaction solution was washed twice with 500 ml of a 10% by weight aqueous sodium carbonate solution and once with 500 ml of a 10% by weight saline solution, and the organic layer was concentrated under reduced pressure. The concentrate is purified by silica gel column chromatography, and the [1- (adamantan-1-yl) ethoxy] ethyl (meta) acrylate represented by the following formula (17) is obtained.
Figure imgf000044_0001
[1-[2-(Adamantane 1-1) ethoxy]] Ethyl (meta) acrylate spectrum data]
XH-NMR (CDC13) δ : 1.37-1.41 (m, 2H) , 1.43 (d, 3H) , 1.50(d, 6H), 1.60— 1.71 (m, 6H) , 1.93 (m, 3H) , 1.96 (m, 3H) , 3.53 (m, 1H), 3.7 2(m, 1H), 5.60 (m, 1H) , 5.97 (m, 1H), 6.16 (m, 1H) X H-NMR (CDC1 3) δ: 1.37-1.41 (m, 2H), 1.43 (d, 3H), 1.50 (d, 6H), 1.60- 1.71 (m, 6H), 1.93 (m, 3H), 1.96 (m, 3H), 3.53 (m, 1H), 3.7 2 (m, 1H), 5.60 (m, 1H), 5.97 (m, 1H), 6.16 (m, 1H)
製造例 5  Production Example 5
下記式 ( 1 8) で表されるボル-ルビニルエーテル 1 8. 0 g ( 0. 1 m 0 1 ) 、 メタクリル酸 4 3. 0 g (0. 5 m 0 1 ) 、 リン酸 9 8 m g ( 1 mm o 1 ) 、 4ーメ トキシフエノーノレ 1 2 m g (0. 1 mm o l ) 、 トルエン 1 8 0 m l の混合物を 4つ口フラスコに入れ、 窒素雰囲気 下、 2 0°Cで 6時間撹拌した。 反応終了後、 反応液を 1 0重量%炭酸ナ トリ ゥム水溶液 2 0 0 m lで 2回、 1 0重量%食塩水 2 0 0 m 1で 1回 洗浄し、 有機層を減圧濃縮した。 濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグ ラフィ一で精製し、 下記式 ( 1 9) で表される 1一 (ボルニルォキシ) ェチルメタクリ レート 2 2. 8 g ( 8 5 mm o 1 , 収率 8 5 %) を得た 。 なお、 ボルニルビニルエーテルは、 (-) -ボルネオールとプロピオ ン酸ビュルから、 特開 2 0 0 3— 7 3 3 2 1号公報に記載の方法を用い て合成し、 蒸留精製したものを用いた。  18.0 g (0.1 m 01) of vol vinyl ether represented by the following formula (18), 43.0 g (0.5 m 01) of methacrylic acid, 98 mg of phosphoric acid ( A mixture of 1 mm o 1), 12 mg (0.1 mmol) of 4-methoxyphenol and 180 ml of toluene was placed in a four-necked flask, and placed in a nitrogen atmosphere at 20 ° C for 6 hours. Stirred. After completion of the reaction, the reaction solution was washed twice with 100 ml of a 10% by weight aqueous sodium carbonate solution and once with 200 ml of a 10% by weight saline solution, and the organic layer was concentrated under reduced pressure. The concentrate was purified by silica gel column chromatography to obtain 11- (bornyloxy) ethyl methacrylate 22.8 g (85 mmo1, yield 85%) represented by the following formula (19). . Bornyl vinyl ether was synthesized from (-)-borneol and propionate bull using the method described in JP-A-2003-73332 and purified by distillation. .
Figure imgf000044_0002
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[ 1一 (ボノレニノレオキシ) ェチルメタク リ レー 卜のスぺク トノレデータ[11 (bonoleninoleoxy) methyl methacrylate
] ]
'H- NMR (CDClg) δ : 0.80-0.84 (m, 9H), 0.86 (d, 1H) , 1.18-1. 27 (m, 2H), 1.42— 1.45 (d, 3H) , 1.57— 1.70 (m, 2H) , 1.94 (s, 3H), 1.95—1 • 99 (m, 1H), 2.05—2.20 (m, 1H), 3.79— 3.82 (m, 1H), 5.56 (m, 1H) , 5.97- 6.00 (m, 1H), 6.12 (m, 1H)  'H-NMR (CDClg) δ: 0.80-0.84 (m, 9H), 0.86 (d, 1H), 1.18-1.27 (m, 2H), 1.42—1.45 (d, 3H), 1.57—1.70 (m , 2H), 1.94 (s, 3H), 1.95—1 • 99 (m, 1H), 2.05—2.20 (m, 1H), 3.79—3.82 (m, 1H), 5.56 (m, 1H), 5.97- 6.00 (m, 1H), 6.12 (m, 1H)
実施例 1  Example 1
下記構造の樹脂の合成  Synthesis of resin with the following structure
Figure imgf000045_0002
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撹拌機、 温度計、 滴下ロート及び窒素導入管を備えたセパラブルフラ ス コに、 プロピレングリ コールモノメチルエーテルアセテート (P GM E A) とプロピレングリ コールモノメチルエーテル (P GME) をそれ ぞれ 1 6. 5 g導入し、 8 5 °Cに昇温後、 1—メタク リロイルォキシ一 4ーォキサトリシクロ [4. 3. 1. I 3' 8] ゥンデカンー 5—オン 4. 9 3 g、 1 —ヒ ドロキシ一 3—メタクリ ロイルォキシァダマンタン 4. 6 6 g、 2 ― ( 1 一メタク リ ロイルォキシェトキシ) _ 4一ォキサトリ シクロ [ 4. 2. 1 . 03' 7] ノナン一 5 —オン 5. 4 1 g と、 ジメチル - 2 , 2 ' ーァゾビス ( 2 _メチルプロピオネート) (開始剤 ;和光純 薬工業製、 商品名 「V_ 6 0 1」 ) 0. 6 0 gを、 P GME Aと P GM Eそれぞれ 3 4. 2 gの混合溶液とし、 これらを 4時間かけて滴下した 。 滴下後 2時間熟成した。 得られた反応液をヘプタン 7 3 3 gと酢酸ェ チル 8 1 gの混合液中に滴下し、 沈殿したポリマーをヌツチヱにて回収 した。 得られたポリマーを減圧下で乾燥し、 目的物 1 3. 8 gを得た。 得られたポリマーの重量平均分子量 (Mw) は 9 8 0 0、 分子量分布 (M W/Mn) は 1 . 8 8であった (G P C測定値、 ポリスチレン換算) i 。 実施例 2 In a separable flask equipped with a stirrer, thermometer, dropping funnel and nitrogen inlet tube, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGM EA) and propylene glycol monomethyl ether (P GME) (16.5 g each) After introducing the mixture and raising the temperature to 85 ° C, 1-methacryloyloxy 4-oxatricyclo [4.3.1.I 3 ' 8 ] pentane-5-one 4.93 g, 1-hydroxyl 3-Methacryloylocydamantane 4. 6 6 g, 2-(1 -methacryloyloxyshetoxy) _ 4 -oxatricyclo [4.2.1. 0 3 ' 7 ] nonane-5-one 5.41 g and dimethyl -2, 2'-azobis (2-methylpropionate) (Initiator: Wako Pure Chemical Industries, trade name "V_601") 0.60 g, 34.2 g each for PGME A and PGME , And these were added dropwise over 4 hours. After dropping, the mixture was aged for 2 hours. The resulting reaction solution was added dropwise to a mixed solution of 7333 g of heptane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collected with a nut. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.8 g of the desired product. The weight average molecular weight (M w ) of the obtained polymer was 980, and the molecular weight distribution (M W / M n ) was 1.88 (GPC measurement value, converted to polystyrene) i. Example 2
下記構造の樹脂の合成  Synthesis of resin with the following structure
Figure imgf000046_0001
撹拌機、 温度計、 滴下ロート及び窒素導入管を備えたセパラブルフラ スコに、 プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート (P GM
Figure imgf000046_0001
Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGM) was added to a separable flask equipped with a stirrer, thermometer, dropping funnel and nitrogen inlet tube.
EA) とプロピレングリ コールモノメチルエーテル (P GME) をそれ ぞれ 1 6. 5 g導入し、 8 5 °Cに昇温後、 1 —ヒ ドロキシー 3—メタク リ ロイルォキシァダマンタン 4. 1 3 g、 2 - ( 1 —メタク リ ロイルォ キシェ トキシ) 一 4—ォキサトリシクロ [4. 2. 1 . 03' 7] ノナン一 5—オン 1 0. 8 7 g と、 ジメチル一 2 , 2 ' ーァゾビス ( 2—メチル プロピオネート) (開始剤 ;和光純薬工業製、 商品名 「V— 6 0 1」 ) 0. 6 0 gを、 P GME Aと P GMEそれぞれ 34. 2 gの混合溶液と し、 これらを 4時間かけて滴下した。 滴下後 2時間熟成した。 得られた 反応液をへプタン 7 3 3 gと酢酸ェチル 8 1 gの混合液中に滴下し、 沈 殿したポリマーをヌツチ: にて回収した。 得られたポリマーを減圧下で 乾燥し、 目的物 1 3. 5 gを得た。 得られたポリマーの重量平均分子量 (Mw) は 1 0 1 0 0、 分子量分布 (Mw/Mn) は 1. 9 0であった (G P C測定値、 ポリスチレン換算) 。 EA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) (16.5 g each) were introduced, and after heating to 85 ° C, 1-hydroxy-3-methacryloyloxydamantane 4.1 3 g, 2-(1-methacryloyloxetoxy) 1-4-oxatricyclo [4.2.1. 0 3 ' 7 ] nonane-1-one 10. 8 7 g and dimethyl-1, 2, 2 -azobis (2-Methyl (Propionate) (Initiator: Wako Pure Chemical Industries, trade name “V-601”) 0.60 g was mixed with 34.2 g of PGME A and 34.2 g of PGME each, and these were treated for 4 hours. The solution was dropped. After dropping, the mixture was aged for 2 hours. The obtained reaction solution was added dropwise to a mixed solution of 733 g of heptane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was recovered with Nutsuchi. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.5 g of the desired product. The weight average molecular weight (M w ) of the obtained polymer was 110,000, and the molecular weight distribution (M w / M n ) was 1.90 (GPC measurement value, converted to polystyrene).
実施例 3  Example 3
下記構造の樹脂の合成  Synthesis of resin with the following structure
Figure imgf000047_0001
撹拌機、 温度計、 滴下ロート及び窒素導入管を備えたセパラブルフラ スコに、 プロピレングリ コーノレモノメチノレエーテルアセテート (P GM E A) とプロピレンダリ コールモノメチルエーテル (P GME) をそれ ぞれ 1 6. 5 g導入し、 8 5 °Cに昇温後、 1—ヒ ドロキシ一 3—メタク リ ロイルォキシァダマンタン 4. 4 4 g、 2 - ( 1ーメタク リ ロイルォ キシェトキシ) 一 4—ォキサト リシクロ [4. 2. 1. 03' 7] ノナン - 5一オン 1 0 · 0 2 g、 メタク リル酸 0. 5 4 gと、 ジメチル一 2 , 2 , ーァゾビス ( 2—メチルプロピオネート) (開始剤 ;和光純薬工業製 、 商品名 「V— 6 0 1」 ) 0. 6 0 gを、 P GMEAと P GMEそれぞ れ 3 4. 2 gの混合溶液とし、 これらを 4時間かけて滴下した。 滴下後 2時間熟成した。 得られた反応液をヘプタン7 3 3 gと酢酸ェチル 8 1 gの混合液中に滴下し、 沈殿したポリマーをヌッチェにて回収した。 得 られたポリマーを減圧下で乾燥し、 目的物 1 3. 5 gを得た。 得られた ポリマーの重量平均分子量 (Mw) は 1 0 0 0 0、 分子量分布 (Mw/M J は 1 . 9 0であった ( G P C測定値、 ポリスチレン換算) 。
Figure imgf000047_0001
In a separable flask equipped with a stirrer, thermometer, dropping funnel and nitrogen inlet tube, propylene glycol monomethinole ether acetate (PGM EA) and propylene glycol alcohol monomethyl ether (PGME) were added, respectively. After introducing 5 g and raising the temperature to 85 ° C, 1-hydroxy-13-methacryloyloxyadamantane 4.44 g, 2- (1-methacryloyloxyxetoxy) -14-oxatotricyclo [ 4. 2. 1. 0 3 ' 7 ] Nonane-5-one 10-0.2 g, methacrylic acid 0.54 g, dimethyl-1,2,2-azobis (2-methylpropionate) (start Agent; Wako Pure Chemical Industries, trade name "V-601") 0.60 g, PGMEA and PGME A mixed solution of 34.2 g was added dropwise over 4 hours. After dropping, the mixture was aged for 2 hours. The resulting reaction solution was added dropwise to a mixture of heptane 7 3 3 g of acetic acid Echiru 8 1 g, and the precipitated polymer was collected by Buchner funnel. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.5 g of the desired product. The weight average molecular weight (M w ) of the obtained polymer was 100,000, and the molecular weight distribution (Mw / MJ was 1.90 (measured GPC value, converted to polystyrene)).
実施例 4  Example 4
下記構造の樹脂の合成  Synthesis of resin with the following structure
Figure imgf000048_0001
Figure imgf000048_0001
撹拌機、 温度計、 滴下ロート及び窒素導入管を備えたセパラプルブラ スコに、 プロピレングリ コールモノメチルエーテルァセテ一ト ( P GM Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGM) was placed in a separable glass equipped with a stirrer, thermometer, dropping funnel and nitrogen inlet tube.
E A) とプロピレンダリ コールモノメチルエーテル (P GME) をそれ ぞれ 1 6. 5 g導入し、 8 5 °Cに昇温後、 1 —メタク リ ロイルォキシ一 4—ォキサトリシクロ [4. 3. 1. I 3' 8] ゥンデカン一 5—オン 4. 8 8 g、 1 —ヒ ドロキシー 3—メタク リ ロイルォキシァダマンタン 4. 6 1 g、 3 ― ( 1 —メタク リ ロイルォキシェトキシ) — 1ーォキサスピ 口 [ 4. 5 ] デカン一 2—オン 5. 5 1 gと、 ジメチルー 2, 2 ' —ァ ゾビス ( 2 _メチルプロピオネート) (開始剤 ;和光純薬工業製、 商品 名 「V— 6 0 1」 ) 0. 6 0 gを、 P GME Aと P GMEそれぞれ 3 4 . 2 gの混合溶液とし、 これらを 4時間かけて滴下した。 滴下後 2時間 熟成した。 得られた反応液をへキサン 7 3 3 gと酢酸ェチル 8 1 gの混 合液中に滴下し、 沈殿したポリマーをヌッチェにて回収した。 得られた ポリマーを減圧下で乾燥し、 目的物 1 2. 6 gを得た。 得られたポリマ 一の重量平均分子量 (Mw) は 9 9 0 0、 分子量分布 (Mw/Mn) は 1. 9 1であった (G P C測定値、 ポリスチレン換算) 。 EA) and 16.5 g of propylene daricol monomethyl ether (PGME) were introduced, and the temperature was raised to 85 ° C. After that, 1-methacryloyloxy-1-4-oxatricyclo [4.3.1.1.I 3 '8] Undekan one 5-on-4. 8 8 g, 1 - human Dorokishi 3 Metaku Li Roy Ruo carboxymethyl § Dammann Tan 4. 6 1 g, 3 - (1 - Metaku Li Roy Ruo key shell butoxy) - 1 [4.5] decane-2-one 5.51 g, dimethyl-2,2'-azobis (2_methylpropionate) (Initiator: Wako Pure Chemical Industries, trade name "V- 0.61)) 0.60 g was made into a mixed solution of 34.2 g each of PGME A and PGME, and these were added dropwise over 4 hours. 2 hours after dripping Matured. The obtained reaction solution was added dropwise to a mixture of 733 g of hexane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collected by Nutsche. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 12.6 g of the desired product. The weight average molecular weight (M w ) of the obtained polymer was 990, and the molecular weight distribution (M w / M n ) was 1.91 (measured GPC value, in terms of polystyrene).
実施例 5  Example 5
下記構造の樹脂の合成  Synthesis of resin with the following structure
Figure imgf000049_0001
Figure imgf000049_0001
撹拌機、 温度計、 滴下ロート及び窒素導入管を備えたセパラブルフラ スコに、 プロピレングリ コールモノメチノレエーテノレアセテート ( P GM In a separable flask equipped with a stirrer, thermometer, dropping funnel and nitrogen inlet tube, propylene glycol monomethinoleate enorea acetate (PGM
E A) とプロピレングリ コールモノメチルエーテル ( P GME) をそれ ぞれ 1 6. 5 g導入し、 8 5 °Cに昇温後、 1—ヒ ドロキシ一 3—メタク リ ロイルォキシァダマンタン 3. 9 6 g、 3― ( 1ーメタク リ ロイルォ キシェトキシ) 一 1 ーォキサスピロ [4. 5] デカン一 2—オン 1 1. 0 4 g と、 ジメチル _ 2, 2, ーァゾビス ( 2—メチルプロピオネート ) (開始剤 ;和光純薬工業製、 商品名 「V— 6 0 1」 ) 0. 6 0 gを、 P GME Aと P GMEそれぞれ 34. 2 gの混合溶液とし、 これらを 4 時間かけて滴下した。 滴下後 2時間熟成した。 得られた反応液をへキサ ン 7 3 3 gと酢酸ェチル 8 1 gの混合液中に滴下し、 沈殿したポリマー をヌッチェにて回収した。 得られたポリマーを減圧下で乾燥し、 目的物 1 2. 8 gを得た。 得られたポリマーの重量平均分子量 (Mw) は 9 0、 分子量分布 (MWZMJ は 1. 8 9であった (G P C測定値、 -' スチレン換算) 。 EA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) (16.5 g each) were introduced, and after heating to 85 ° C, 1-hydroxy-13-methacryloyloxyadamantane 3. 9 6 g, 3- (1-methacryloyloxyxetoxy) -1-1-oxaspiro [4.5] decane-2-one-1.04 g, dimethyl_2,2, -azobis (2-methylpropionate) ( Initiator: Wako Pure Chemical Industries, trade name "V-601") 0.60 g was made into a mixed solution of 34.2 g each of PGME A and PGME, and these were added dropwise over 4 hours. . After dropping, the mixture was aged for 2 hours. The obtained reaction solution was dropped into a mixed solution of 733 g of hexane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collected by Nutsche. The obtained polymer is dried under reduced pressure, 12.8 g were obtained. The weight average molecular weight (M w ) of the obtained polymer was 90, and the molecular weight distribution (M W ZMJ was 1.89 (GPC measurement value,-′ in terms of styrene)).
実施例 6  Example 6
下記構造の榭脂の合成  Synthesis of resin with the following structure
Figure imgf000050_0001
Figure imgf000050_0001
撹拌機、 温度計、 滴下ロート及び窒素導入管を備えたセパラブルブラ スコに、 プロピレングリ コーノレモノメチノレエーテノレアセテート (P GM E A) とプロピレングリ コールモノメチルエーテル (P GME) をそれ ぞれ 1 6. 5 g導入し、 8 5 °Cに昇温後、 1—ヒ ドロキシ _ 3—メタク リ ロイルォキシァダマンタン 4. 2 7 g、 3 - ( 1 —メタタ リ 口イノレオ キシェトキシ) 一 1ーォキサスピロ [ 4. 5 ] デカン一 2—オン 1 0. 2 1 g、 メタク リル酸 0. 5 2 gと、 ジメチルー 2, 2 ' —ァゾビス ( 2—メチルプロピオネート) (開始剤 ;和光純薬工業製、 商品名 「V— 6 0 1」 ) 0. 6 0 gを、 P GME Aと P GMEそれぞれ 3 4. 2 gの 混合溶液とし、 これらを 4時間かけて滴下した。 滴下後 2時間熟成した 。 得られた反応液をへキサン 7 3 3 gと酢酸ェチル 8 1 gの混合液中に 滴下し、 沈殿したポリマーをヌッチェにて回収した。 得られたポリマー を減圧下で乾燥し、 目的物 1 2. 5 gを得た。 得られたポリマーの重量 平均分子量 (Mw) は 1 0 1 0 0、 分子量分布 (Mw/Mn) は 1 . 8 8で あった (G P C測定値、 ポリスチレン換算) 。 In a separable glass equipped with a stirrer, thermometer, dropping funnel and nitrogen inlet tube, propylene glycol monomethyl enoate ethereal acetate (PGM EA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) were added. After introducing 5 g and raising the temperature to 85 ° C, 1-hydroxy_ 3 -methacryloyloxyadamantane 4.27 g, 3-(1 -metali- tal inoleoxetoxy) 1-1-oxaspiro [4.5] Decane-2-one 10.2 g, methacrylic acid 0.52 g, dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate) (Initiator: Wako Pure Chemical Industries 0.66 g was prepared as a mixed solution of 34.2 g each of PGME A and PGME, and these were added dropwise over 4 hours. After dropping, it was aged for 2 hours. The obtained reaction solution was dropped into a mixed solution of 733 g of hexane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collected by Nutsche. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 12.5 g of the desired product. The obtained polymer had a weight average molecular weight (M w ) of 110,000 and a molecular weight distribution (M w / M n ) of 1.88. (GPC measurement value, converted to polystyrene).
実施例 7  Example 7
下記構造の樹脂の合成  Synthesis of resin with the following structure
) )
Figure imgf000051_0001
Figure imgf000051_0001
撹拌機、 温度計、 滴下ロート及び窒素導入管を備えたセパラブルフラ スコに、 プロピレングリ コールモノメチルエーテルアセテート (P GM EA) とプロピレングリ コールモノメチルエーテル (P GME) をそれ ぞれ 1 6. 5 g導入し、 8 5 °Cに昇温後、 1ーメタク リ ロイルォキシー 4—ォキサトリシクロ [4. 3. 1. I 3' 8] ゥンデカン一 5—オン 4. 7 7 g、 1ーヒ ドロキシー 3—メタク リ ロイルォキシァダマンタン 4. 5 0 g、 1一 [ 2 - (ァダマンタン一 1—ィル) エトキシ] ェチルメタ タ リ レート 5. 7 4 g と、 ジメチル一 2, 2 ' ーァゾビス ( 2—メチル プロピオネート) (開始剤 ;和光純薬工業製、 商品名 「V— 6 0 1」 ) 0. 6 0 gを、 P GME Aと P GMEそれぞれ 34. 2 gの混合溶液と し、 これらを 4時間かけて滴下した。 滴下後 2時間熟成した。 得られた 反応液をへプタン 7 3 3 gと酢酸ェチル 8 1 gの混合液中に滴下し、 沈 殿したポリマーをヌッチェにて回収した。 得られたポリマーを減圧下で 乾燥し、 目的物 1 3. 5 gを得た。 得られたポリマーの重量平均分子量 (Mw) は 9 3 0 0、 分子量分布 (MW/MJ は 1. 9 2であった (G P C測定値、 ポリスチレン換算) 。 16.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and 16.5 g of propylene glycol monomethyl ether (PGME) were introduced into a separable flask equipped with a stirrer, thermometer, dropping funnel and nitrogen inlet tube. After raising the temperature to 85 ° C, 1-methacryloyloxy 4-oxatricyclo [4.3.1.I 3 ' 8 ] pentane-5-one 4.77 g, 1-hydroxyl 3-methacryloyl Oxyadamantane 4.50 g, 1- [2- (adamantane 1-yl) ethoxy] ethyl methacrylate 5.74 g and dimethyl-1,2,2'-azobis (2-methylpropionate) (Initiator: Wako Pure Chemical Industries, trade name "V-601") 0.60 g was mixed with 34.2 g of PGME A and 34.2 g of PGME each, and these were taken over 4 hours. It was dropped. After dropping, the mixture was aged for 2 hours. The obtained reaction solution was added dropwise to a mixed solution of 733 g of heptane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collected by Nutsche. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.5 g of the desired product. The weight average molecular weight (M w ) of the obtained polymer was 930, and the molecular weight distribution (M W / MJ was 1.92 (GP C measurement value, converted to polystyrene).
実施例 8  Example 8
下記構造の樹脂の合成  Synthesis of resin with the following structure
Figure imgf000052_0001
撹拌機、 温度計、 滴下ロート及び窒素導入管を備えたセパラブルフラ スコに、 プロ ピレングリ コールモノメチルエーテルアセテー ト (PGM
Figure imgf000052_0001
In a separable flask equipped with a stirrer, thermometer, dropping funnel and nitrogen inlet tube, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGM
EA) とプロ ピレングリ コールモノメチルエーテル ( P GME ) をそれ ぞれ 1 6. 5 g導入し、 85 °Cに昇温後、 1—メタク リロイルォキシー 4ーォキサ ト リ シク ロ [4. 3. 1. I 3' 8] ゥンデカン一 5—オン 4. 9 3 g、 1ーヒ ドロキシー 3—メタクリ 口イノレオキシァダマンタン 4. 6 6 g、 1一 (ボルニノレオキシ) ェチルメ タク リ レー ト 5. 4 1 gと、 ジメチルー 2, 2 ' ーァゾビス ( 2—メチルプロ ピオネー ト) (開始剤 ;和光純薬工業製、 商品名 「V— 6 0 1」 ) 0. 6 0 gを、 P GMEA と P GMEそれぞれ3 4. 2 gの混合溶液とし、 これらを 4時間かけて 滴下した。 滴下後 2時間熟成した。 得られた反応液をヘプタン 7 3 3 g と酢酸ェチル 8 1 gの混合液中に滴下し、 沈殿したポリマーをヌッチェ にて回収した。 得られたポリマーを減圧下で乾燥し、 目的物 1 3. 2 g を得た。 得られたポリマーの重量平均分子量 (Mw) は 9 4 00、 分子量 分布 (Mw/Mn) は 1. 90であった (G P C測定値、 ポリ スチレン換 算) 。 比較例 1 EA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) (16.5 g each) were introduced, and after heating to 85 ° C, 1-methacryloyloxy 4-oxatricyclo [4.3.1.I 3 '8] Undekan one 5-on 4. 9 3 g, 1 over human Dorokishi 3- methacrylic port Ino les oxy § Dammann Tan 4. 6 6 g, 1 i (Boruninoreokishi) Echirume Tak Li rate 5. 4 1 g And dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (initiator: Wako Pure Chemical Industries, trade name "V-601") 0.60 g, PGMEA and PGME each 34 2 g of a mixed solution was added dropwise over 4 hours. After dropping, the mixture was aged for 2 hours. The resulting reaction solution was added dropwise to a mixed solution of 733 g of heptane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was collected by Nutsche. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.2 g of the desired product. The weight average molecular weight (M w ) of the obtained polymer was 9400, and the molecular weight distribution (M w / M n ) was 1.90 (GPC measurement value, polystyrene conversion). Comparative Example 1
下記構造の樹脂の合成  Synthesis of resin with the following structure
Figure imgf000053_0001
Figure imgf000053_0001
撹拌機、 温度計、 滴下ロート及び窒素導入管を備えたセパラプルフラ スコに、 プロピレングリ コーノレモノメチルエーテノレアセテート (P GM E A) とプロピレングリ コールモノメチルエーテル' ( p GME) をそれ ぞれ 1 6. 5 g導入し、 8 5 °Cに昇温後、 1 —メタタ リ ロイルォキシ一 4ーォキサトリシクロ [ 4. 3. 1. I 3' 8] ゥンデカン一 5—オン 5. 1 6 g、 1 —ヒ ドロキシー 3—メタク リ ロイルォキシァダマンタン 4. 8 7 g、 2—メタク リ ロイルォキシ一 2—メチルァダマンタン 4. 9 7 gと、 ジメチルー 2, 2, —ァゾビス ( 2—メチルプロピオネート) ( 開始剤 ;和光純薬工業製、 商品名 「V— 6 0 1」 ) 0. 6 0 gを、 P G ME Aと P GMEそれぞれ 3 4. 2 gの混合溶液とし、 これらを 4時間 かけて滴下した。 滴下後 2時間熟成した。 得られた反応液をヘプタン 7 3 3 gと酢酸ェチル 8 1 gの混合液中に滴下し、 沈殿したポリマーをヌ ツチヱにて回収した。 得られたポリマーを減圧下で乾燥し、 目的物 1 3 . 5 gを得た。 得られたポリマーの重量平均分子量 (Mw) は 9 8 0 0、 分子量分布 (MwZMn) は 1 . 8 8であった (G P C測定値、 ポリスチ レン換算) 。 In a separate flask equipped with a stirrer, thermometer, dropping funnel and nitrogen inlet tube, propylene glycol monomethyl ether enorea acetate (PGM EA) and propylene glycol monomethyl ether '(pGME) were each added. After introducing 5 g and raising the temperature to 85 ° C, 1—metharyloyloxy-4-oxatricyclo [4.3.1 1. I 3 ' 8 ] pentane-5-one 5.16 g, 1 —Hydroxy-3—methacryloyloxyadamantane 4.87 g, 2-methacryloyloxy-2-methyladamantane 4.97 g, and dimethyl 2,2, —azobis (2-methylprod Pionate) (Initiator: Wako Pure Chemical Industries, trade name “V-601”) 0.60 g was made into a mixed solution of 34.2 g each of PGME A and PGME. It was dropped over time. After dropping, the mixture was aged for 2 hours. The obtained reaction solution was added dropwise to a mixed solution of 7333 g of heptane and 81 g of ethyl acetate, and the precipitated polymer was recovered with a nut. The obtained polymer was dried under reduced pressure to obtain 13.5 g of the desired product. The obtained polymer had a weight average molecular weight (M w ) of 980 and a molecular weight distribution (M w ZM n ) of 1.88 (GPC measurement value, converted to polystyrene).
評価試験  Evaluation test
上記実施例及び比較例で得られた各ポリマーについて、 該ポリマー 1 0 0重量 部と トリフェニ^^スルホニゥムへキサフルォロアンチモネ一ト 10重量部とを溶 媒であるプロピレングリコールモノメチルエーテル (PGME) と混合して、 ポ リマー濃度 1 7重量%のフォ トレジスト用樹脂組成物を調製した。 この組成物を シリオンウェハー上にスピンコーティング法により塗布し、 厚み 1. 0 μπαの感 光層を形成した。 ホットプレートにより温度 1 00 で 1 50秒間プリベークし た後、 波長 247 nmの K r Fエキシマレーザーを用い、 マスクを介して、 照射 量 30m jZcm2で露光した後、 温度 100°Cで 60秒間ポストベータした。 次いで、 0. 3Mのテトラメチルアンモ-ゥムヒ ドロキシド水溶液により 60秒 間現像し、 純水でリンスした。 その結果、 実施例のポリマーを用いた場合は何れ も、 0. 20 μηιのライン ' アンド ' スペースパターンが鮮明に精度よく得られ たが、 比較例のポリマーを用いた場合には、 該パターンの精度は悪く鮮明さに欠 けていた。 For each polymer obtained in the above Examples and Comparative Examples, 100% by weight of the polymer Of phenylglycol monomethyl ether (PGME) as a solvent, and 10 parts by weight of triphenyl ^^ sulfoniumhexafluoroantimonate in a resin composition for photoresists having a polymer concentration of 17% by weight. Was prepared. This composition was applied on a silicon wafer by spin coating to form a light-sensitive layer having a thickness of 1.0 μπα. After prebaking 1 50 seconds at 1 00 a hot plate, using the K r F excimer laser with a wavelength of 247 nm, through a mask, after exposure in dose 30m jZcm 2, 60 seconds post at a temperature 100 ° C Beta. Then, the film was developed with a 0.3 M aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 60 seconds, and rinsed with pure water. As a result, in each case where the polymer of the example was used, a line 'and' space pattern of 0.20 μηι was clearly and accurately obtained, but when the polymer of the comparative example was used, the pattern of the pattern was obtained. Accuracy was poor and lacked clarity.

Claims

請 求 の 範 囲 The scope of the claims
1. 下記式 ( 1 ) 1. The following equation (1)
(i)(i)
Figure imgf000055_0001
Figure imgf000055_0001
(式中、 R aは水素原子、 ハロゲン原子、 炭素数 1〜 6のアルキル基又は 炭素数 1〜 6のハロアルキル基を示し、 Rbは 1位に水素原子を有する炭 化水素基を示し、 R。は水素原子又は炭化水素基を示し、 Rdは環式骨格 を含む有機基を示す) (Wherein, R a represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R b represents a hydrocarbon group having a hydrogen atom at the 1-position, R represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and R d represents an organic group containing a cyclic skeleton.)
で表される不飽和カルボン酸へミァセタールエステル。 A methacetal ester to an unsaturated carboxylic acid represented by
2. Rdにおける環式骨格がラク トン骨格又は非芳香族性多環式骨格で ある請求の範囲第 1項記載の不飽和カルボン酸へミァセタールエステル 2. The unsaturated carboxylic acid hemiacetal ester according to claim 1, wherein the cyclic skeleton in R d is a lactone skeleton or a non-aromatic polycyclic skeleton.
3. 下記式 ( 3 ) Ra 3. The following formula (3) R a
^OH (3)  ^ OH (3)
0  0
(式中、 R aは水素原子、 ハロゲン原子、 炭素数 1〜 6のアルキル基又は 炭素数 1〜 6のハロアルキル基を示す) (In the formula, Ra represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms.)
で表される不飽和カルボン酸を、 下記式 (4) The unsaturated carboxylic acid represented by the following formula (4)
Figure imgf000055_0002
Figure imgf000055_0002
(式中、 R。は水素原子又は炭化水素基を示し、 Rdは環式骨格を含む有 機基を示し、 RB、 R fはそれぞれ水素原子又は炭化水素基を示す) 対応する繰り返し単位を含む請求の範囲第 4項又は第 5項記載の高分子 化合物。 (In the formula, R represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, R d represents an organic group having a cyclic skeleton, and R B and R f each represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group.) 6. The polymer compound according to claim 4, which comprises a corresponding repeating unit.
7 . 請求の範囲第 4項〜第 6項の何れかの項に記載の高分子化合物と 光酸発生剤とを少なく とも含むフォトレジス ト用樹脂組成物。  7. A photoresist resin composition comprising at least the polymer compound according to any one of claims 4 to 6 and a photoacid generator.
8 . 請求の範囲第 7項記載のフォ トレジス ト用樹脂組成物を基材又は 基板上に塗布してレジス ト塗膜を形成し、 露光及び現像を経てパターン を形成する工程を含む半導体の製造方法。  8. Manufacturing of a semiconductor comprising a step of forming a resist coating by applying the resin composition for photoresist according to claim 7 onto a substrate or a substrate, and forming a pattern through exposure and development. Method.
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