KR101111691B1 - Pattern roll making apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예는 대상 롤에 패턴을 성형하기 위한 포토 레지스트 코팅, UN 노광, 현상, 식각, 건조 및 세정 공정을 단일 챔버 내에서 수행하는 패턴 롤 성형장치에 관한 것이다.One embodiment of the present invention relates to a pattern roll forming apparatus for performing photoresist coating, UN exposure, development, etching, drying and cleaning processes for forming a pattern on a target roll in a single chamber.
본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 롤 성형장치는, 대상 롤을 수용하는 챔버, 상기 대상 롤에 성형할 패턴을 가지는 마스크, 상기 대상 롤에 포토 레지스트액을 분사하는 포토 레지스트액 분사노즐, 상기 대상 롤 상에서 상기 포토 레지스트액의 두께를 일정하게 형성하는 닥터 블레이드, 상기 마스크를 통하여 상기 대상 롤에 UV를 조사하여 상기 포토 레지스트를 노광하는 UV램프, 상기 UV가 조사된 상기 포토 레지스트에 현상액을 분사하여 현상하는 현상액 분사노즐, 상기 대상 롤에 세정액을 분사하여 이전 단계들에서 발생된 이물질을 세정하는 세정액 분사노즐, 세정된 상기 대상 롤의 상기 패턴을 건조 또는 경화하는 열풍 펜, 및 에칭액을 분사하여 상기 대상 롤에 형성된 상기 패턴을 식각하는 제5 분사노즐을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a pattern roll forming apparatus includes a chamber accommodating a target roll, a mask having a pattern to be molded on the target roll, a photoresist liquid injection nozzle for spraying a photoresist liquid on the target roll, and the target A doctor blade for uniformly forming a thickness of the photoresist liquid on a roll; a UV lamp for exposing the photoresist by irradiating UV to the target roll through the mask; and spraying a developer onto the photoresist irradiated with UV light. A developing solution spray nozzle, a cleaning liquid spray nozzle for spraying a cleaning liquid onto the target roll to clean foreign substances generated in the previous steps, a hot air pen for drying or curing the pattern of the cleaned target roll, and an etching solution And a fifth spray nozzle for etching the pattern formed on the object roll.
패턴 롤, 성형, 노광, 현상, 식각, 세정 Pattern roll, forming, exposure, developing, etching, cleaning
Description
본 발명은 패턴 롤 성형장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대상 롤에 패턴을 성형하기 위한 포토 레지스트 코팅, UN 노광, 현상, 식각, 건조 및 세정 공정들을 단일 챔버 내에서 수행하는 패턴 롤 성형장치에 관한 것이다.The present invention relates to a pattern roll forming apparatus, and more particularly, to a pattern roll forming apparatus which performs photoresist coating, UN exposure, developing, etching, drying and cleaning processes for forming a pattern on a target roll in a single chamber. It is about.
알려진 바와 같이, 그라비아 인쇄(gravure printing) 또는 오프셋인쇄(offset printing)에 사용되는 패턴 롤은 인쇄할 대상의 패턴을 형성하고 있다. 이 패턴 롤은 포토 리소그래피(photo lithography) 방법으로 패터닝 된다.As is known, the pattern rolls used for gravure printing or offset printing form the pattern of the object to be printed. This pattern roll is patterned by photo lithography.
일반적으로 포토 리소그래피 공정은 대상 롤에 포토 레지스트를 코팅하여, 패턴이 형성된 마스크를 통하여 포토 레지스트에 UV를 조사하여 노광하며, UV가 조사된 포토 레지스트에 현상액을 분사하여 현상하고, 세정 후, 대상 롤에 현상된 패턴을 건조하며, 대상 롤에 형성된 패턴을 식각하고, 세정 후, 패턴이 형성된 대상 롤을 건조하는 단계를 통하여, 대상 롤에 패턴을 형성할 수 있다.In general, a photolithography process coats a photoresist on a target roll, exposes the photoresist by irradiating UV through a mask on which a pattern is formed, develops by spraying a developer onto the UV-resisted photoresist, and after cleaning, the target roll The pattern may be formed on the target roll by drying the pattern developed on the substrate, etching the pattern formed on the target roll, and drying the target roll on which the pattern is formed after washing.
그러나 종래에 패턴 롤을 성형하기 위한 공정들은 각각 독립된 공간을 형성하는 독립된 장치에서 수행되므로 하나의 패턴 롤을 성형하기 위하여 많은 장치들을 필요로 한다.However, in the related art, the processes for forming the pattern roll are performed in separate apparatuses, each forming an independent space, and thus, many apparatuses are required to form one pattern roll.
또한, 패턴 성형 중인 대상 롤을 공정들 사이에서 이동시켜야 하므로 공정이 복잡해지고 공정 수행 시간이 길어지며, 또한 이동 중에 대상 롤의 표면에 이물질이 부착되어 패턴 롤 성형을 방해할 수 있다.In addition, since the target roll during pattern molding has to be moved between processes, the process becomes complicated and the process execution time becomes long, and foreign matter may adhere to the surface of the target roll during movement, thereby preventing pattern roll molding.
본 발명의 일 실시예는 대상 롤에 패턴을 성형하기 위한 포토 레지스트 코팅, UN 노광, 현상, 식각, 건조 및 세정 공정을 단일 챔버 내에서 수행하는 패턴 롤 성형장치에 관한 것이다.One embodiment of the present invention relates to a pattern roll forming apparatus for performing photoresist coating, UN exposure, development, etching, drying and cleaning processes for forming a pattern on a target roll in a single chamber.
본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 롤 성형장치는, 대상 롤을 수용하고 밀폐 공간을 형성하는 챔버, 상기 대상 롤에 성형할 패턴을 가지고 상기 챔버 내의 일측에 구비되는 마스크, 상기 대상 롤에 포토 레지스트액을 분사하도록 상기 대상 롤을 향하여 설치되는 포토 레지스트액 분사노즐, 상기 대상 롤 상에서 상기 포토 레지스트액의 두께를 일정하게 형성하도록 상기 대상 롤에 밀착/이격되는 닥터 블레이드, 상기 마스크를 통하여 상기 대상 롤에 UV를 조사하여 상기 포토 레지스트를 노광하도록 상기 마스크의 일측에 구비되는 UV램프, 상기 UV가 조사된 상기 포토 레지스트에 현상액을 분사하여 현상하도록 상기 대상 롤을 향하여 설치되는 현상액 분사노즐, 상기 대상 롤에 세정액을 분사하여 이전 단계들에서 발생된 이물질을 세정하도록 상기 대상 롤을 향하여 설치되는 세정액 분사노즐, 세정된 상기 대상 롤의 상기 패턴을 건조 또는 경화하도록 상기 대상 롤을 향하여 설치되는 열풍 펜, 및 에칭액을 분사하여 상기 대상 롤에 형성된 상기 패턴을 식각하도록 상기 대상 롤을 향하여 설치되는 에칭액 분사노즐을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a pattern roll forming apparatus includes a chamber accommodating a target roll and forming a closed space, a mask provided on one side of the chamber having a pattern to be molded on the target roll, and a photoresist on the target roll. A photoresist liquid jet nozzle provided toward the object roll to eject the liquid, a doctor blade in close contact with and spaced from the object roll to form a constant thickness of the photoresist liquid on the object roll, and the object roll through the mask UV lamp provided on one side of the mask to irradiate UV to expose the photoresist, a developer jet nozzle installed toward the object roll to develop by spraying the developer onto the photoresist irradiated with UV, the target roll Spray the cleaning liquid onto the object to clean the foreign matter generated in the previous steps. The target roll to etch the pattern formed on the target roll by spraying a cleaning liquid jet nozzle installed toward the target, a hot air pen installed toward the target roll to dry or cure the pattern of the cleaned target roll, and an etching solution Etching liquid injection nozzle is provided toward the.
상기 마스크와 상기 UV램프는 상기 챔버의 상방에 설치되고, 상기 챔버에 수직 방향으로 설치되어 직선 작동하는 제1 실린더에 장착될 수 있다.The mask and the UV lamp may be installed above the chamber, and may be installed in a first cylinder that is installed in a vertical direction to the chamber and operates linearly.
상기 닥터 블레이드는 상기 챔버의 측방에 설치되고, 상기 챔버에 수평 방향으로 설치되어 직선 작동하는 제2 실린더에 장착될 수 있다.The doctor blade may be installed on the side of the chamber and installed in a horizontally installed second cylinder in a horizontal direction in the chamber.
상기 포토 레지스트액 분사노즐은 상기 대상 롤을 사이에 두고 양측에 대향 배치되어 상기 챔버에 장착되는 제11 분사노즐과 제12 분사노즐을 포함 항 수 있다.The photoresist liquid jet nozzle may include an eleventh jet nozzle and a twelfth jet nozzle which are disposed on both sides of the photoresist jet nozzle with the target roll interposed therebetween.
상기 현상액 분사노즐은 상기 대상 롤을 사이에 두고 양측에 대향 배치되어 상기 챔버에 장착되는 제21 분사노즐과 제22 분사노즐을 포함할 수 있다.The developer injection nozzle may include a twenty-first injection nozzle and a twenty-second injection nozzle disposed opposite to each other with the object roll interposed therebetween and mounted in the chamber.
상기 세정액 분사노즐은 상기 대상 롤에 린스를 분사하여 이전 단계들에서 발생된 이물질을 세정하도록 상기 대상 롤을 향하여 설치되는 린스 분사노즐과, 상기 대상 롤에 초순수를 분사하여 상기 린스를 세정하도록 상기 대상 롤을 향하여 설치되는 초순수 분사노즐을 포함할 수 있다.The cleaning liquid spray nozzle is a rinse spray nozzle installed toward the target roll to spray the rinse on the target roll to clean the foreign substances generated in the previous steps, and the target to clean the rinse by spraying ultra pure water on the target roll. It may include an ultrapure water injection nozzle that is installed toward the roll.
상기 린스 분사노즐은 상기 대상 롤을 사이에 두고 양측에 대향 배치되어 상기 챔버에 장착되는 제31 분사노즐과 제32 분사노즐을 포함할 수 있다.The rinse injection nozzle may include a thirty-first injection nozzle and a thirty-second injection nozzle disposed opposite to each other with the target roll interposed therebetween.
상기 초순수 분사노즐은 상기 대상 롤을 사이에 두고 양측에 대향 배치되어 상기 챔버에 장착되는 제41 분사노즐과 제42 분사노즐을 포함할 수 있다.The ultrapure water injection nozzle may include a forty-first injection nozzle and a forty-second injection nozzle disposed opposite to each other with the target roll interposed therebetween and mounted in the chamber.
상기 에칭액 분사노즐은 상기 대상 롤을 사이에 두고 양측에 대향 배치되어 상기 챔버에 장착되는 제51 분사노즐과 제52 분사노즐을 포함할 수 있다.The etchant injection nozzle may include a fifty-first injection nozzle and a fifty-second injection nozzle disposed opposite to each other with the object roll interposed therebetween and mounted in the chamber.
상기 챔버는 하방에 배출구를 구비할 수 있다.The chamber may have a discharge port below.
이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면, 챔버 내에 대상 롤을 장착하고, 마스크와 UV램프, 닥터 블레이드, 열풍 펜 및 복수의 분사노즐들을 구비하여 단일 챔버 내에서 모든 공정을 수행하므로 대상 롤에 패턴을 성형하는 공정들을 단순하게 하고, 대상 롤의 패턴 성형을 위한 공간을 축소시키는 효과가 있다.Thus, according to an embodiment of the present invention, the target roll is mounted in the chamber, and a mask, a UV lamp, a doctor blade, a hot air pen, and a plurality of injection nozzles are provided to perform all processes in a single chamber, thereby patterning the target roll. There is an effect of simplifying the processes for forming the mold and reducing the space for pattern forming of the target roll.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 롤 성형장치의 구성도이며, 마스크와 대상 롤을 장착하는 단계의 상태도이고, 도2는 도1의 패턴 롤 성형장치로 대상 롤에 패턴을 성형하는 공정도이다.1 is a configuration diagram of a pattern roll forming apparatus according to an embodiment of the present invention, a state diagram of the step of mounting a mask and the target roll, Figure 2 is a pattern roll forming apparatus of FIG. It is a process chart.
도1 및 도2를 참조하면, 일 실시예에 따른 패턴 롤 성형장치는 챔버(1), 마스크(2), 닥터 블레이드(3), UV램프(4), 열풍 펜(5) 및 복수의 분사노즐들(10, 20, 30, 40, 50)을 포함한다. 예를 들면, 분사노즐들(10, 20, 30, 40, 50)은 포토 레지 스트액 분사노즐(10), 현상액 분사노즐(20), 세정액 분사노즐(더 구체적으로, 린스 분사노즐(30)과 초순수(DeIonize Water) 분사노즐(40)) 및 에칭액 분사노즐(50)을 포함한다.1 and 2, a pattern roll forming apparatus according to an embodiment includes a
챔버(1)는 대상 롤(6)에 패턴을 성형하는 전체 공정들을 수행할 수 있는 공간을 제공한다. 챔버(1)는 내부에서 복수의 분사노즐들(10, 20, 30, 40, 50)을 통하여, 여러 종류의 액체를 분사하므로 분사시 액체의 비산을 방지하기 위하여 밀폐 공간을 형성한다.The
또한, 챔버(1)는 대상 롤(6)을 수평 상태로 장착하여 각 공정들을 진행하면서 회전시킬 수 있도록 형성된다. 챔버(1) 내에 대상 롤(6)을 장착하고 회전시키는 구성은 다양하게 가능하고 본 발명의 요지에서 벗어나므로 구체적인 설명을 생략한다.In addition, the
마스크(2)는 대상 롤(6)에 성형할 패턴을 구비하고 있으며, 대상 롤(6)을 향하여 챔버(1) 내의 일측에 구비되어, 공정의 종류에 따라 대상 롤(6)에 접근할 수도 있고, 멀어질 수도 있다. 마스크(2)는 UV 노광시, 대상 롤(6)에 인접하여 위치하고, 그 외의 공정시, 대상 롤(6)로부터 멀리 이격되어 챔버(1)의 상방에 위치한다.The
포토 레지스트액 분사노즐(10)은 대상 롤(6)에 포토 레지스트액을 분사하도록 대상 롤(6)을 향하여 챔버(1)의 일측에 설치된다. 포토 레지스트액 분사노즐(10)은 대상 롤(6)을 사이에 두고 양측에 대향 배치되는 제11 분사노즐(11)과 제12 분사노즐(12)을 포함한다.The photoresist
제11 분사노즐(11)과 제12 분사노즐(12)은 대상 롤(6)의 양측에 대향 배치되므로 대상 롤(6)의 1/2 회전으로 대상 롤(6)에 대한 포토 레지스트액의 분사 및 코팅을 완료할 수 있게 한다. 즉 포토 레지스트액의 코팅 공정 시간이 단축될 수 있다.Since the
닥터 블레이드(3)는 대상 롤(6) 상에서 분사 코팅된 포토 레지스트액의 두께를 일정하게 형성하도록 대상 롤(6)을 향하여 챔버(1)의 일측에 설치된다. 닥터 블레이드(6)는 대상 롤(6)의 닥터 블레이딩 공정시 회전하는 대상 롤(6)에 밀착되어, 대상 롤(6)의 표면에 포토 레이스트 박막을 형성하고, 그 외의 공정시 대상 롤(6)로부터 멀리 이격되어 위치한다.The
UV램프(4)는 마스크(20)의 일측에 구비되어 마스크(2)를, 보다 구체적으로는 마스크(20)에 형성된 패턴을 통하여 대상 롤(6)에 UV를 조사함으로써 포토 레지스트 박막을 노광하도록 챔버(1)의 일측에 설치된다. 즉 챔버(1) 내에서 대상 롤(6)을 향하여 마스크(2)와 UV램프(4)가 순차적으로 배치된다. 이때, 대상 롤(6)은 회전하므로 대상 롤(6) 표면 전체에 형성된 포토 레지스트 박막이 노광된다.The
따라서 UV램프(4)는 마스크(2)와 함께 챔버(1) 내에서 공정에 따라 대상 롤(6)에 접근할 수도 있고, 멀어질 수도 있다. 즉 UV램프(4)는 마스크(2)와 함께 UV 노광시 대상 롤(6)에 인접하여 위치하고, 그 외의 공정시 대상 롤(6)로부터 멀리 이격되어 위치한다.Thus, the
UV램프(4)와 마스크(2)는 공정에 따라 대상 롤(6)에 대하여 위치 변동할 때, 일체로 이동될 수 있도록 트레이(61)에 장착된다. 트레이(61)는 대상 롤(6)의 상방 에서 제1 실린더(71)를 통하여 챔버(1) 내측에 장착된다. 즉 제1 실린더(71)의 직선 작동에, 예를 들면, 승강 작동에 따라 UV램프(4)와 마스크(2)는 대상 롤(6)에 접근하기도 하고 멀어지기도 한다.The
또한 닥터 블레이드(3)는 공정에 따라 대상 롤(6)에 대하여 위치 변동할 수 있도록 대상 롤(6)의 측방에서 제2 실린더(72)를 통하여 챔버(1) 내측에 장착된다. 즉 제2 실린더(72)의 직선 작동에, 예를 들면, 좌우 왕복 작동에 따라 닥터 블레이드(3)는 대상 롤(6)에 접근하기도 하고 멀어지기도 한다.In addition, the
현상액 분사노즐(20)은 UV가 조사된 포토 레지스트 박막에 현상액을 분사하도록 대상 롤(6)을 향하여 챔버(1)의 일측에 설치된다. 현상액 분사노즐(20)은 대상 롤(6)을 사이에 두고 양측에 대향 배치되는 제21 분사노즐(21)과 제22 분사노즐(22)을 포함한다.The
제21 분사노즐(21)과 제22 분사노즐(22)은 대상 롤(6)의 양측에 대향 배치됨으로써, 대상 롤(6)의 1/2 회전으로 대상 롤(6)에 대한 현상액의 분사를 완료할 수 있게 한다. 즉 현상액의 분사 공정 시간이 단축될 수 있다.The twenty-
세정액 분사노즐은 앞 공정들 중에 발생되어 대상 롤(6)에 부착된 이물질을 제거하는 세정액을 대상 롤(6)에 분사하도록 챔버(1)의 일측에 설치된다. 세정액 분사노즐은 하나로 형성되어 복수의 세정액을 선택적으로 분사할 수도 있으나(미도시), 본 실시예에서는 복수로 형성되어 복수의 세정액, 즉 린스와 초순수를 독립적으로 분사한다. 예를 들면, 세정액 분사노즐은 린스 분사노즐(30)과 초순수 분사노즐(40)을 포함할 수 있다.The cleaning liquid spray nozzle is installed at one side of the
린스 분사노즐(30)은 대상 롤(6)에 린스를 분사하여 이전 단계들에서 발생된 이물질을 세정하도록 대상 롤(6)을 향하여 설치된다. 린스 분사노즐(30)은 대상 롤(6)을 사이에 두고 양측에 대향 배치되는 제31 분사노즐(31)과 제32 분사노즐(32)를 포함한다.The rinse
제31 분사노즐(31)과 제32 분사노즐(32)은 대상 롤(6)의 양측에 대향 배치되므로 대상 롤(6)의 1/2 회전으로 대상 롤(6)에 대한 린스의 분사를 완료하여, 이전 단계들, 예를 들면, 노광 및 현상 공정에서 발생된 이물질을 세정할 수 있게 한다. 린스를 분사하는 세정 공정 시간이 단축될 수 있다.Since the thirty-
초순수 분사노즐(40)은 대상 롤(6)에 초순수를 분사하여 린스를 세정하도록 대상 롤(6)을 향하여 설치된다. 초순수 분사노즐(40)은 대상 롤(6)을 사이에 두고 양측에 대향 배치되는 제41 분사노즐(41)과 제42 분사노즐(42)을 포함한다.The ultrapure
제41 분사노즐(41)과 제42 분사노즐(42)은 대상 롤(6)의 양측에 대향 배치되므로 대상 롤(6)의 1/2 회전으로 대상 롤(6)에 대한 초순수의 분사를 완료하여, 이전 단계의 린스를 세정할 수 있다. 초순수를 분사하는 세정 공정 시간이 단축될 수 있다.Since the forty-
또한, 린스 분사노즐(30)을 구비하지 않는 경우, 초순수 분사노즐(40)은 노광 및 현상 공정에서 발생되어 대상 롤(6)에 부착된 이물질들을 세정할 수도 있다(미도시).In addition, when the rinse
열풍 펜(5)은 세정된 대상 롤(6)의 노광된 패턴을 건조 또는 경화하도록 대상 롤(6)을 향하여 챔버(1) 내의 일측에 설치된다. 열풍 펜(5)은 마크스(2)와 UV램 프(4)의 승강을 방해하지 않도록 마스크(20)와 UV램프(4)의 승강 범위 밖에 설치되어 열풍의 조사 방향을 대상 롤(6)에 일치시킨다.The
에칭액 분사노즐(50)은 에칭액을 분사하여, 건조 또는 경화된 패턴을 이용하여 대상 롤(6)의 표면을 식각하도록 대상 롤(6)을 향하여 챔버(1)의 일측에 설치된다. 에칭액 분사노즐(50)은 대상 롤(6)을 사이에 두고 양측에 대향 배치되는 제51 분사노즐(51)과 제52 분사노즐(52)을 포함한다.The etching
제51 분사노즐(51)과 제52 분사노즐(52)은 대상 롤(6)의 양측에 대향 배치되므로 대상 롤(6)의 1/2 회전으로 대상 롤(6)에 대한 에칭액의 분사를 완료한다. 에칭액을 분사하는 식각 공정 시간이 단축될 수 있다. 식각 후, 대상 롤(6)에 잔류하는 포토 레지스트 박막을 제거함으로써 패턴 롤이 완성된다.Since the
포토 레지스트액 분사노즐(10), 현상액 분사노즐(20), 린스 분사노즐(30), 초순수 분사노즐(40) 및 에칭액 분사노즐(50)은 서로 간섭되지 않으면서 각각 대상 롤(6)을 향하여 분사 방향을 형성하도록 챔버(1)의 내부 일측에 설치된다.The photoresist
예를 들면, 제11 분사노즐(11), 제21 분사노즐(21), 제31 분사노즐(31), 제41 분사노즐(41) 및 제51 분사노즐(51)은 대상 롤(6)의 일측(도1의 좌측)에 구비되고, 제12 분사노즐(12), 제22 분사노즐(22), 제32 분사노즐(32), 제42 분사노즐(42) 및 제52 분사노즐(52)은 대상 롤(6)의 반대측(도1의 우측)에 구비될 수 있다.For example, the
열풍 펜(5)은 노광, 현상 및 세정 공정 후, 현상된 포토 레지스트 박막 패턴을 건조 또는 경화하도록 작동하고, 또한 식각 및 세정 공정 후, 식각된 패턴을 건 조 또는 경화하도록 작동한다.The
한편, 챔버(1)는 하방에 배출구(81)를 구비하여, 각 대상 롤(6)에 분사되어 각 공정을 완료한 액상의 물질들을 배출하여, 다음 공정을 원활히 수행할 수 있게 한다.On the other hand, the chamber (1) is provided with a
도1 내지 도13을 참조하여 대상 롤(6)에 패턴을 성형하는 공정에 대하여 설명한다. 도1을 참조하면, 제1 단계(ST1)는 챔버(1)에 패턴을 형성하기 위한 대상 롤(6)과, 패턴을 가지는 마스크(2)를 장착한다. UV램프(4)는 챔버(1)에 설치되어 있다.A process of molding a pattern on the
도3은 포토 레지스트액 코팅 단계의 상태도이다. 도3을 참조하면, 제2 단계(ST2)는 제1 단계(ST1) 완료 후, 포토 레지스트액 분사노즐(10)을 작동시켜 포토 레지스트액을 대상 롤(6)에 분사하여 코팅한다. 이때, 제11, 제12 분사노즐(11, 12)이 동시에 포토 레지스트액을 분사하며, 대상 롤(6)은 회전한다.3 is a state diagram of the photoresist liquid coating step. Referring to FIG. 3, in the second step ST2, after the completion of the first step ST1, the photoresist
도4는 닥터 블레이딩 단계의 상태도이다. 도4를 참조하면, 제3 단계(ST3)는 제2 단계(ST2) 완료 후, 제2 실린더(72)를 작동시켜 닥터 블레이드(3)를 대상 롤(6)의 표면에 접근시킴으로써, 회전하는 대상 롤(6)에 도포된 포토 레지스트액의 두께를 일정한 박막으로 닥터 블레이딩한다.4 is a state diagram of a doctor blading step. Referring to FIG. 4, after the third step ST3 is completed, the third step ST3 is rotated by operating the
도5는 UV 노광 단계의 상태도이다. 도5를 참조하면, 제4 단계(ST4)는 제3 단계(ST3) 완료 후, 제1 실린더(71)를 작동시켜 마스크(2)와 UV램프(4)를 대상 롤(6)에 접근시키고 UV램프(4)를 작동시킴으로써, 마스크(2)의 패턴을 통과한 UV로 대상 롤(6)의 표면에 형성된 포토 레지스트 박막을 노광한다.5 is a state diagram of a UV exposure step. Referring to FIG. 5, after the fourth step ST4 completes the third step ST3, the
도6은 현상 단계의 상태도이다. 도6을 참조하면, 제5 단계(ST5)는 제4 단계(ST4) 완료 후, 현상액 분사노즐(20)을 작동시켜 현상액을 대상 롤(6)에 형성된 포토 레지스트 박막에 분사함으로써 노광된 포토 레지스트 박막을 현상한다. 이때, 제21, 제22 분사노즐(21, 22)이 동시에 현상액을 분사하며, 대상 롤(6)은 회전한다.6 is a state diagram of a developing step. Referring to FIG. 6, in the fifth step ST5, after completion of the fourth step ST4, the
도7은 린스 세정 단계의 상태도이고, 도8은 초순수 세정 단계의 상태도이다. 도7 및 도8을 참조하면, 제6 단계(ST6)는 제5 단계(ST5) 완료 후, 대상 롤(6)에 린스 및 초순수를 분사하여 대상 롤(6)을 세정한다. 제6 단계(ST6)는 린스를 분사하는 제61 단계(ST61)와, 초순수를 분사하는 제62 단계(ST62) 중 어느 한 가지 단계로 이루어질 수 있고, 두 가지 단계로 이루어질 수 있다. 본 실시예에서는 두 가지 단계가 순차적으로 진행되는 공정을 예로 들어 설명한다.7 is a state diagram of the rinse cleaning step, and FIG. 8 is a state diagram of the ultrapure water cleaning step. 7 and 8, in the sixth step ST6, after completion of the fifth step ST5, the
도7을 참조하면, 제61 단계(ST61)는 린스 분사노즐(30)을 작동시켜 린스를 대상 롤(6)에 분사하여 이전 단계에서 발생된 이물질을 제거한다. 즉 대상 롤(6)을 1차로 세정한다. 이때, 제31, 제32 분사노즐(31, 32)이 동시에 린스를 분사하며, 대상 롤(6)은 회전한다.Referring to FIG. 7, in
도8을 참조하면, 제62 단계(ST62)는 제5 단계(ST5) 또는 제61 단계(ST61) 완료 후, 초순수 분사노즐(40)을 작동시켜 초순수를 대상 롤(6)에 분사함으로써 이전 단계에서 발생된 이물질 및 린스을 제거한다. 즉 대상 롤(6)을 1차 또는 2차로 세정한다. 이때, 제41, 제42 분사노즐(41, 42)이 동시에 린스를 분사하며, 대상 롤(6)은 회전한다.Referring to FIG. 8, after the fifth step ST62 or the sixty-first step ST61 is completed, the previous step is performed by operating the ultrapure
도9는 건조 또는 경화 단계의 상태도이다. 도9를 참조하면, 제7 단계(ST7)는 제61 또는 제62 단계(ST61 또는 ST62)를 완료 후, 열풍 펜(5)을 작동시켜, 대상 롤(6)에 포토 레지스트 박막으로 형성된 패턴을 건조 및 경화시킨다. 이때, 대상 롤(6)은 회전한다.9 is a state diagram of a drying or curing step. Referring to FIG. 9, in the seventh step ST7, after the sixty-first or sixty-second step ST61 or ST62 is completed, the
도10은 식각 단계의 상태도이다. 도10을 참조하면, 제8 단계(ST8)는 제7 단계(ST7) 완료 후, 에칭액 분사노즐(50)을 작동시켜 에칭액을 대상 롤(6)에 분사함으로써 포토 레지스트 박막으로 형성된 패턴을 이용하여 대상 롤(6)의 표면을 식각한다. 이때, 대상 롤(6)은 회전한다. 식각 후, 대상 롤(6)의 표면에 잔류하는 포토 레이스크 박막을 제거한다.10 is a state diagram of an etching step. Referring to FIG. 10, after the seventh step ST8 is completed, the etching
제8 단계(ST8) 완료 후, 도7 및 도8에 도시된 바와 같이, 린스 및 초순수로 대상 롤(6)을 세정하고, 도9에 도시된 바와 같이, 식각된 대상 롤(6)의 패턴을 건조 및 경화시킨다.After completion of the eighth step ST8, as shown in Figs. 7 and 8, the
제9 단계(ST)는 대상 롤(6)에 패턴을 성형하여 완성된 패턴 롤을 챔버(1)로부터 분리한다.In the ninth step ST, a pattern is formed on the
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the scope of the invention.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 롤 성형장치의 구성도이며, 마스크와 대상 롤을 장착하는 단계의 상태도이다.1 is a configuration diagram of a pattern roll forming apparatus according to an embodiment of the present invention, and is a state diagram of a step of mounting a mask and a target roll.
도2는 도1의 패턴 롤 성형장치로 대상 롤에 패턴을 성형하는 공정도이다.FIG. 2 is a process diagram of molding a pattern on a target roll by the pattern roll forming apparatus of FIG.
도3은 포토 레지스트액 코팅 단계의 상태도이다.3 is a state diagram of the photoresist liquid coating step.
도4는 닥터 블레이딩 단계의 상태도이다.4 is a state diagram of a doctor blading step.
도5는 UV 노광 단계의 상태도이다.5 is a state diagram of a UV exposure step.
도6은 현상 단계의 상태도이다.6 is a state diagram of a developing step.
도7은 린스 세정 단계의 상태도이다.7 is a state diagram of a rinse cleaning step.
도8은 초순수 세정 단계의 상태도이다.8 is a state diagram of the ultrapure water cleaning step.
도9는 건조 또는 경화 단계의 상태도이다.9 is a state diagram of a drying or curing step.
도10은 식각 단계의 상태도이다.10 is a state diagram of an etching step.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1 : 챔버 2 : 마스크1: chamber 2: mask
3 : 닥터 블레이드 4 : UV 램프3: doctor blade 4: UV lamp
5 : 열풍 펜 6 : 대상 롤5: hot air pen 6: target roll
10 : 포토 레지스트액 분사노즐 20 : 현상액 분사노즐10: photoresist liquid injection nozzle 20: developer spray nozzle
30 : 린스 분사노즐 40 : 초순수 분사노즐30: Rinse spray nozzle 40: Ultrapure water spray nozzle
50 : 에칭액 분사노즐 11, 12 : 제11, 12 분사노즐50: etching
21, 22 : 제21, 제22 분사노즐 31, 32 : 제31, 제32 분사노즐21, 22: 21st,
41, 42 : 제41, 제42 분사노즐 51, 52 : 제51, 제52 분사노즐41, 42: 41st,
61 : 트레이 71, 72 : 제1, 제2 실린더61
81 : 배출구81: outlet
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