KR101102077B1 - 발광 모듈 및 이를 갖는 발광 장치 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 238000011076 safety test Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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Abstract
방열 효율을 향상시킬 수 있는 발광 모듈 및 이를 갖는 발광 장치가 개시된다. 발광 모듈은 세라믹 기판, 전극 및 파워 발광다이오드를 포함한다. 세라믹 기판은 방사전열을 통해 열을 방출하는 알루미나 계열의 물질로 형성된다. 전극은 세라믹 기판 상에 형성되며, 외부 전원과 전기적으로 연결된다. 파워 발광다이오드는 세라믹 기판 상에 적어도 하나가 실장되며, 전극과 전기적으로 연결되어 외부 전원의 전원 인가에 따라 광을 발생시킨다. 세라믹 기판은 방사율(ε)이 0.97이고, 절연내력이 10KV/mm 이상인 세라믹 물질을 포함한다. 이와 같이, 원적외선 방사율이 높고, 절연성이 우수한 알루미나 계열의 세라믹 기판을 사용함으로써, 방사전열을 이용한 방열 효율을 극대화시키고, 절연 기판과 히트 싱크의 기능을 일체화시킴으로써, 제조 원가를 절감할 수 있다.
Description
본 발명은 발광 모듈 및 이를 갖는 발광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 파워 발광다이오드에서 발생되는 열을 효율적으로 방출시킬 수 있는 발광 모듈 및 이를 갖는 발광 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 광을 발생시키는 광원으로서 발광다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 발광 효율이 높고, 수명이 길고, 소비전력이 낮으며, 친환경적이라는 많은 장점들을 갖고 있다. 그로 인해, 발광다이오드를 사용하는 기술분야가 계속해서 증가하고 있는 추세이다.
최근 들어, 형광등, 백열등 등이 주로 사용되던 조명분야에 파워 발광다이오드를 이용한 발광다이오드(LED) 램프가 사용되기 시작하였다. 일반적으로, 발광다이오드 램프는 인쇄회로기판에 파워 발광다이오드가 실장된 발광 모듈이 케이스에 실장된 구조를 갖는다.
그러나, 엘이디 램프의 동작시 파워 발광다이오드에서 발생되는 열로 인하여 발광다이오드 램프의 온도가 상승하게 되고, 이로 인하여 발광다이오드 램프의 효율이 저하되는 단점이 있다. 이러한 단점을 보완하기 위하여, 기존에는 인쇄회로기판에 히트 싱크(heat sink)를 부착하는 방법, 히트 싱크에 팬을 부착하는 방법, 히트 싱크의 접촉면을 넓게하는 방법, 히트 싱크에 열전소자를 부착하여 냉각시키는 방법 등을 이용하였으나, 효율과 비용면에서 많은 단점을 가지고 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명은 비용의 증가 없이 간단하게 발광다이오드 램프의 방열 효율을 향상시킬 수 있는 발광 모듈을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기한 발광 모듈을 갖는 발광 장치를 제공한다.
본 발명의 일 특징에 따른 발광 모듈은 세라믹 기판, 전극 및 파워 발광다이오드를 포함한다. 상기 세라믹 기판은 방사전열을 통해 열을 방출하는 알루미나 계열의 물질로 형성된다. 상기 전극은 상기 세라믹 기판 상에 형성되며, 외부 전원과 전기적으로 연결된다. 상기 파워 발광다이오드는 상기 세라믹 기판 상에 적어도 하나가 실장되며, 상기 전극과 전기적으로 연결되어 상기 외부 전원의 전원 인가에 따라 광을 발생시킨다.
상기 세라믹 기판은 방사율(ε)이 0.97이고, 절연내력이 10KV/mm 이상인 세라믹 물질을 포함한다.
상기 전극은 상기 세라믹 기판 상에 형성된 도전 페이스트층, 상기 도전 페 이스트층의 보호 및 산화 방지를 위해 상기 도전 페이스트층 상에 형성된 보호층을 포함할 수 있다. 상기 보호층은 상기 도전 페이스트층 상에 도금된 니켈 도금층 및 상기 니켈 도금층 상에 도금된 금 도금층을 포함할 수 있다. 상기 전극은 정극성의 전원을 인가하기 위한 제1 전극부 및 부극성의 전원을 인가하기 위한 제2 전극부를 포함한다. 이때, 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부는 주변의 다른 회로나 전극으로부터 6.3㎜ 이상의 간격을 유지하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 특징에 따른 발광 장치는 발광 모듈, 케이스 및 전원 접속부를 포함한다. 상기 발광 모듈은 방사전열을 통해 열을 방출하는 알루미나 계열의 세라믹 기판, 상기 세라믹 기판 상에 형성된 전극 및 상기 세라믹 기판 상에 실장되어 상기 전극과 전기적으로 연결되는 파워 발광다이오드를 포함한다. 상기 케이스는 상기 발광 모듈을 수납한다. 상기 전원 접속부는 외부 전원을 상기 발광 모듈에 공급하기 위해 상기 케이스에 결합된다. 상기 세라믹 기판은 방사율(ε)이 0.97이고, 절연내력이 10Kv/mm 이상인 세라믹 물질을 포함한다.
상기 전극은 상기 세라믹 기판 상에 형성된 도전 페이스트층, 상기 도전 페이스트층 상에 도금된 니켈 도금층 및 상기 니켈 도금층 상에 도금된 금 도금층을 포함할 수 있다.
상기 케이스는 방사율이 0.96 이상인 알루미나 계열의 세라믹 물질을 포함할 수 있다.
이와 같은 발광 모듈 및 이를 갖는 발광 장치에 따르면, 원적외선 방사율이 높고, 절연성이 우수한 알루미나 계열의 세라믹 기판을 사용함으로써, 방사전열을 이용한 방열 효율을 극대화시키고, 절연 기판과 히트 싱크의 기능을 일체화시킴으로써, 제조 원가를 절감할 수 있다.
또한, 발광 장치에서, 세라믹 기판을 사용함과 동시에 세라믹 케이스를 사용함으로써, 방열 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
더욱이, 방열을 위한 냉각 팬이나 알루미늄 핀 등을 제거할 수 있어, 팬에 의한 소음과 알루미늄 핀에 의한 노이즈 발생을 제거하고 제조 비용을 절감할 수 있다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이며, 도 2는 도 1에 도시된 발광 모듈의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈(100)은 세라믹 기판(110), 전극(120) 및 파워 발광다이오드(130)를 포함한다.
세라믹 기판(110)은 방사전열을 통해 열을 방출하는 알루미나 계열의 물질로 형성된다. 전극(120)은 세라믹 기판(110) 상에 형성되며, 외부 전원과 전기적으로 연결된다. 파워 발광다이오드(130)는 적어도 하나가 세라믹 기판(110) 상에 실장되며, 전극(120)과 전기적으로 연결되어 외부 전원의 전원 인가에 따라 광을 발생시킨다.
본 발명에 따른 세라믹 기판(110)은 기존의 인쇄회로기판과 히트 싱크의 기능을 하나로 일체화하기 위하여, 방열 특성과 절연 특성이 우수한 알루미나 계열의 세라믹 물질로 형성된다. 특히, 본 발명에 따른 세라믹 기판(110)은 기존의 히트 싱크가 열전도 및 대류전열을 통해 열을 방출하는 것과는 달리, 방사전열 즉, 원적외선 영역의 열에너지 방출에 의한 열이동 방식을 통해 파워 발광다이오드(130)에서 발생되는 열을 방출한다. 이를 위해, 세라믹 기판(110)은 열전도율은 낮은 대신 방사율이 높으며, 절연내력이 높은 세라믹 물질로 형성된다. 이러한 특성을 만족하는 알루미나 계열의 세라믹 물질로는 일본 니시무라사의 N-9H를 예로 들 수 있다. 상기 N-9H는 96% 이상의 알루미나(Al2O3)에 소량의 불순물이 포함된 구성을 갖는다.
표 1은 재질에 따른 방사율 및 열전도율을 나타낸 표이다.
재질 | 방사율(ε) | 열전도율(W/mK) |
N-9H | 0.97 | 39 |
구리 | 0.1이하 | 394 |
알루미늄(Al) | 0.1이하 | 238 |
질화알루미늄(AlN) | 0.93 | 200 |
표 1을 참조하면, 구리 또는 알루미늄 등의 금속은 열전도율이 높은 대신 방사율이 상당히 낮게 나타난 반면, N-9H는 0.97의 가장 높은 방사율(ε)과 39W/mK의 가장 낮은 열전도율을 갖는 것으로 나타났다. 또한, N-9H는 절연내력이 10KV/mm 이상으로 절연 특성이 높은 물질이다. 질화알루미늄은 방사율과 열전도율이 모두 비교적 높게 나타났으나, N-9H에 비해 방사율이 다소 낮은 것으로 나타났다. 질화알루미늄은 사이리스터 등의 절연 방열 기판으로서 사용되고 있으나, N-9H와 비교해 5~10배 정도 가격이 비싸다는 단점이 있다.
따라서, 방사율 및 절연성이 우수하고 가격이 저렴한 N-9H 등의 세라믹 재질을 이용하여 세라믹 기판(110)을 형성함으로써, 방사전열을 이용한 방열 효율을 극대화시키고, 절연 기판과 히트 싱크의 기능을 일체화시킴으로써, 제조 원가를 절감할 수 있다.
세라믹 기판(110)은 발광다이오드 램프의 제품 사양에 따라 다양한 크기 및 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 세라믹 기판(110)은 20㎜×20㎜의 크기와 2.5㎜의 두께로 형성된다. 세라믹 기판(110)의 두께는 전기안전시험규격을 고려하여 최소 2.0㎜ 이상으로 형성하는 것이 바람직하다. 세라믹 기판(110)에는 기판의 고정 및 전선의 이동을 가이드하기 위한 하나 이상의 가이드 홀(112)이 형성될 수 있다. 가이드 홀(112)은 예를 들어, 세라믹 기판(110)의 네 모서리에 형성된다. 이 외에도, 가이드 홀(112)의 형상 및 형성 위치는 다양하게 변형될 수 있다.
전극(120)은 외부로부터 인가되는 전원을 파워 발광다이오드(130)에 인가하기 위하여 세라믹 기판(110) 상에 형성된다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 전극(120)은 세라믹 기판(110) 상에 형성된 도전 페이스트층(120a) 및 도전 페이스트층(120a)의 보호 및 산화 방지를 위해 도전 페이스트층(120a) 상에 형성되는 보호층을 포함할 수 있다.
도전 페이스트층(120a)은 일반 세라믹 기판을 이용한 HIC(Hybrid Integrated Circuit) 생성공정을 통해 형성될 수 있다. 이 외에도, 도전 페이스트층(120a)은 인쇄 방식 또는 증착 방식을 통해 형성될 수 있다. 도전 페이스트층(120a)은 예를 들어, 약 10 ~ 15㎛의 두께로 형성된다.
상기 보호층은 도전 페이스트층(120a) 상에 도금된 니켈 도금층(120b) 및 니켈(Ni) 도금층(120b) 상에 도금된 금(Au) 도금층(120c)을 포함할 수 있다. 니켈 도금층(120b)은 예를 들어, 약 3㎛의 두께로 형성되며, 금 도금층(120c)은 예를 들어, 약 0.3㎛의 두께로 형성된다.
전극(120)은 파워 발광다이오드(130)에 전원을 인가하기 위하여, 정극성의 전원을 인가하기 위한 제1 전극부(122) 및 부극성의 전원을 제2 전극부(124)를 포함한다. 제1 전극부(122)와 제2 전극부(124)는 전기적 절연을 위해 서로 소정의 간격으로 이격되어 있다. 예를 들어, 제1 전극부(122)와 제2 전극부(124)는 3W급 발광바이오드 전류 용량을 기준으로, UL 규격에 맞추기 위하여 주변의 다른 회로나 전극으로부터 약 6.3㎜ 이상의 간격을 유지하도록 형성된다.
한편, 도시되지는 않았으나, 세라믹 기판(110) 상에는 전극(120) 외에도 HIC 공정을 통해 전기 회로가 형성될 수 있다.
파워 발광다이오드(130)는 세라믹 기판(110) 상에 실장되며, 전극(120)과 전기적으로 연결되어 전극(120)을 통한 전원 인가에 따라 광을 발생시킨다. 파워 발광다이오드(130)는 제1 전극부(122)와 제2 전극부(124) 사이에 실장되며, 납땜 또는 와이어 본딩을 통해 제1 전극부(122) 및 제2 전극부(124)에 각각 전기적으로 연결된다.
표 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 N-9H 세라믹 기판과 금속 알루미늄(핀 부착)의 방열특성을 비교한 표이다. 측정조건은 목재판에 절연재를 놓고, 그 위에 발열체를 세워 놓고, 발열체의 후면에 시험재료를 각각 밀착시켜 온도 변화를 측정하였다. 외부 기온을 차단하기 위해 박스에 담고, 온도는 발열체의 측면에서 측정하였다.
시간(분) | 0 | 2 | 4 | 10 | 15 | 25 | 40 | 60 | 효과 |
발열원 | 32 | 55 | 105 | 115 | 119 | 122 | 122 | 122 | |
알루미늄 | 32 | 62 | 75 | 82 | 85 | 85 | 85 | 85 | -37 |
N-9H | 28 | 46 | 70 | 78 | 80 | 80 | 80 | 80 | -42 |
표 2를 참조하면, N-9H 세라믹 기판을 사용한 경우, 핀이 부착된 알루미늄 기판을 사용한 경우에 비하여 약 -5℃의 방열 향상 효과가 나타나는 것을 확인할 수 있다.
표 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 N-9H 세라믹 기판과 질화알루미늄(AlN)의 방열특성을 비교한 표이다. 측정조건은 목재판에 절연재를 놓고, 그 위에 발열체를 평형하게 놓고 발열체의 상부에 시험재료를 각각 밀착시켜 온도변화를 측정하였다. 외부 기온을 차단하기 위해 박스에 담고, 온도는 발열체의 측면에서 측정하였다.
시간(분) | 0 | 5 | 10 | 15 | 20 | 30 | 60 | 90 | 120 | 효과 |
발열원 | 27 | 90 | 94 | 95 | 95 | 95 | 95 | 95 | 95 | |
AlN | 28 | 54.8 | 61.4 | 63.1 | 67 | 70 | 72.6 | 73.1 | 73.1 | -21.9 |
N-9H | 27 | 51.5 | 54.5 | 57.5 | 63 | 68 | 70.4 | 71.1 | 71.1 | -23.9 |
표 3을 참조하면, N-9H 세라믹 기판을 사용한 경우, 질화알루미늄 기판을 사용한 경우에 비하여 약 -2℃의 방열 향상 효과가 나타나는 것을 확인할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치(200)는 발광 모듈(100), 케이스(210) 및 전원 접속부(220)를 포함한다.
발광 모듈(100)는 케이스(210) 내부에 수납된다. 발광 모듈(100)은 도 1 내지 도 3에 도시된 것과 동일한 구성을 가지므로, 동일한 참조 부호를 사용하며, 그 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.
케이스(210)는 발광 모듈(100)을 수용하기 위한 수납 공간이 내부에 마련되어 있으며, 수납된 발광 모듈(100)로부터 광이 방출될 수 있도록 상부가 개구된 형상을 갖는다. 케이스(210)의 형상은 이에 한정되지 않고 발광 모듈(100)을 수납하면서 외부의 전원 소켓과 결합될 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
발광 장치(200)의 방열 효율을 향상시키기 위해, 케이스(210)는 방열 특성과 절연 특성이 우수한 알루미나 계열의 세라믹 물질로 형성된다. 특히, 본 실시예 따른 케이스(210)는 열전도 및 대류전열을 통해 열을 방출하는 것과는 달리, 방사전열 즉, 원적외선 영역의 열에너지 방출에 의한 열이동 방식을 통해 발광 모듈(100)에서 발생되는 열을 방출한다. 이를 위해, 케이스(210)는 열전도율은 낮은 대신 방사율이 높으며, 절연내력이 높은 세라믹 물질로 형성된다. 이러한 특성을 만족하는 알루미나 계열의 세라믹 물질로는 일본 니시무라사의 N-6H와 앞서 설명한 N-9H를 예로 들 수 있다. N-6H는 0.963의 높은 방사율(ε)과 21.8W/mK의 낮은 열전도율을 갖는다. 또한, N-6H는 절연내력이 10KV/mm 이상으로 절연 특성이 높은 물질이다.
전원 접속부(220)는 외부 전원을 발광 모듈(100)에 공급하기 위해 케이스(210)의 하단에 결합된다. 전원 접속부(220)는 외부의 전원 소켓과 체결될 수 있는 다양한 형상을 가질 수 있다. 전원 접속부(220)는 전선 등의 수단을 통해 발광 모듈(100)의 전극(120)과 전기적으로 연결된다.
한편, 케이스(210)에 수납된 발광 모듈(100)의 상부에는 발광 모듈(100)을 보호하고 고정하기 위한 투명한 재질의 몰딩부재(미도시)가 형성될 수 있다. 또한, 밀폐된 공간을 형성하기 위해, 케이스(210)의 상단에는 벌브 타입의 커버(미도시)가 결합될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 기판과 세라믹 케이스를 사용했을 경우의 방열효과를 측정한 그래프이며, 하기 표 4는 측정 데이터이다. 측정조건은 발열체만을 측정한 경우, 발열체를 N-9H 세라믹 기판에 실장하여 측정한 경우, 발열체가 N-9H 세라믹 기판에 실장된 발광 모듈을 N-6H 세라믹 케이스에 실장한 경우를 나눠 온도를 측정하였다.
시간(분) | 0 | 2 | 5 | 10 | 15 | 30 | 60 | 120 | 효과 | |
A | 발열원 | 30.0 | 75.0 | 94.0 | 100.0 | 102.1 | 102.1 | 102.1 | 102.1 | |
B | 발열원+(N-9H) | 32.0 | 45.0 | 56.0 | 64.0 | 69.0 | 76.3 | 76.3 | 76.3 | -25.8 |
C | 발열원+(N-9H)+(N-6H) | 30.0 | 40.0 | 49.0 | 56.0 | 60.0 | 66.5 | 68.5 | 68.5 | -33.6 |
도 5 및 표 4를 참조하면, N-9H 세라믹 기판을 사용한 경우, 약 25.8℃의 방열 효과가 나타나는 것을 확인할 수 있고, N-9H 세라믹 기판에 N-6H의 세라믹 케이스를 사용한 경우, 약 33.6℃의 방열 효과가 나타나는 것을 확인할 수 있었다.
이와 같이, 원적외선 방사율이 높고, 절연성이 우수한 알루미나 계열의 세라믹 기판을 사용함으로써, 방사전열을 이용한 방열 효율을 극대화시키고, 절연 기판과 히트 싱크의 기능을 일체화시킴으로써, 제조 원가를 절감할 수 있다. 또한, 발광다이오드를 사용하는 발광 장치에서, 세라믹 기판을 사용함과 동시에 세라믹 케이스를 사용함으로써, 방열 효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 더욱이, 방열을 위한 냉각 팬이나 알루미늄 핀 등을 제거할 수 있어, 팬에 의한 소음과 알루미늄 핀에 의한 노이즈 발생을 제거하고 제조 비용을 절감할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이다. 따라서, 전술한 설명 및 아래의 도면은 본 발명의 기술사상을 한정하는 것이 아닌 본 발명을 예시하는 것으로 해석되어져야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 모듈의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 구조를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 기판과 세라믹 케이스를 사용했을 경우의 방열효과를 측정한 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 발광 모듈 110 : 세라믹 기판
120 : 전극 130 : 파워 발광다이오드
200 : 발광 장치 210 : 케이스
220 : 전원 접속부
Claims (9)
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- 방사전열을 통해 열을 방출하는 알루미나 계열의 세라믹 기판, 상기 세라믹 기판 상에 형성된 전극 및 상기 세라믹 기판 상에 실장되어 상기 전극과 전기적으로 연결되는 파워 발광다이오드를 포함하는 발광 모듈;상기 발광 모듈을 수납하는 케이스; 및외부 전원을 상기 발광 모듈에 공급하기 위해 상기 케이스에 결합되는 전원 접속부를 포함하며,상기 세라믹 기판은 방사율(ε)이 0.97이고, 절연내력이 10Kv/mm 이상인 세라믹 물질(N-9H)을 포함하고,상기 케이스는 방사율이 0.96 이상인 알루미나 계열의 세라믹 물질(N-6H)을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 전극은상기 세라믹 기판 상에 형성된 도전 페이스트층;상기 도전 페이스트층 상에 도금된 니켈 도금층; 및상기 니켈 도금층 상에 도금된 금 도금층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 삭제
- 제6항에 있어서,상기 전극은 정극성의 전원을 인가하기 위한 제1 전극부 및 부극성의 전원을 인가하기 위한 제2 전극부를 포함하며,상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부는 주변의 외부 회로로부터 6.3mm 이상의 간격을 유지하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090070716A KR101102077B1 (ko) | 2009-07-31 | 2009-07-31 | 발광 모듈 및 이를 갖는 발광 장치 |
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KR (1) | KR101102077B1 (ko) |
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