KR101098793B1 - Adaptively plasma source and plasma chamber for processing a large-diameter wafer - Google Patents

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Abstract

본 발명의 대구경 웨이퍼 처리를 위한 적응형 플라즈마 소소는, 중앙에 배치되는 CCP 상부전극과, CCP 상부전극을 둘러싸도록 배치되는 도전성 부싱과, 그리고 도전성 부싱으로부터 분지되어 도전성 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 소스코일을 포함한다.The adaptive plasma source for the large-diameter wafer processing of the present invention comprises a CCP upper electrode disposed at the center, a conductive bushing disposed to surround the CCP upper electrode, and branched from the conductive bushing and spirally disposed around the conductive bushing. Contains source coils.

대구경 웨이퍼, CCP 소스, ACP 소스, 플라즈마 밀도, CD 균일도, 식각율 Large Diameter Wafer, CCP Source, ACP Source, Plasma Density, CD Uniformity, Etch Rate

Description

대구경 웨이퍼 처리를 위한 적응형 플라즈마 소스 및 플라즈마 챔버{Adaptively plasma source and plasma chamber for processing a large-diameter wafer}Adaptive plasma source and plasma chamber for processing a large-diameter wafer

본 발명은 반도체웨이퍼 처리를 위한 적응형 플라즈마 소스 및 플라즈마 챔버에 관한 것으로서, 특히 400㎜ 이상의 대구경 웨이퍼 처리를 위한 적응형 플라즈마 소스 및 플라즈마 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to an adaptive plasma source and plasma chamber for semiconductor wafer processing, and more particularly to an adaptive plasma source and plasma chamber for processing large diameter wafers of 400 mm or more.

최근 반도체소자의 집적도가 급격하게 증가하고 있는 추세에 있으며, 이에 따라 대구경 웨이퍼 처리에 대한 연구개발 또한 활발하게 이루어지고 있다. 기존의 200㎜ 웨이퍼에서 현재에는 300㎜ 웨이퍼로 주류가 바뀌었으며, 보다 높은 생산성을 위해 400㎜ 이상의 대구경 웨이퍼 처리기술 개발을 위한 다양한 노력들이 이루어지고 있는 것이다.Recently, the degree of integration of semiconductor devices has been rapidly increasing, and accordingly, research and development on large-diameter wafer processing has been actively performed. The mainstream has changed from the existing 200mm wafer to the 300mm wafer, and various efforts are being made to develop a large diameter wafer processing technology of 400mm or more for higher productivity.

대구경화된 웨이퍼의 적절한 처리를 위해서는, 여러 단위공정을 수행하는 장치들의 개발이 시급히 요구된다. 일 예로 식각이나 적층 등의 단위공정을 수행하는 플라즈마 챔버의 경우, 웨이퍼 가장자리에서의 CD(Critical Dimension) 균일성이나 식각율 조절 등을 일정 수준 이상으로 유지하는 것이 충족되어야 한다. 그러나 웨 이퍼의 대구경화에 따라 웨이퍼 가장자리의 면적 또한 넓어지게 되고, 이에 따라 웨이퍼 가장자리에서의 CD 균일성이나 식각율 조절 등을 일정 수준 이상으로 유지하는 것이 쉽지 않으며, 특히 공정 레시피(process receipe)의 개선을 통해서 이를 달성하는 것은 더욱 더 어렵다고 할 수 있다. 이에 대구경 웨이퍼 처리에 적합한 장치의 개발이 시급하게 요구된다고 할 수 있다.For proper processing of large diameter wafers, the development of devices that perform various unit processes is urgently required. For example, in the case of a plasma chamber which performs a unit process such as etching or lamination, it is necessary to maintain CD (Critical Dimension) uniformity or etching rate control at a wafer edge at a predetermined level or more. However, as the diameter of wafers increases, the area of the wafer edge also becomes wider. Therefore, it is not easy to maintain the CD uniformity or etch rate control at the wafer edge beyond a certain level, and in particular, the process recipe (process receipe) It is even more difficult to achieve this through improvement. Accordingly, it can be said that the development of a device suitable for large-diameter wafer processing is urgently required.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 대구경화된 웨이퍼를 처리하는데 적합한 적응형 플라즈마 소스 및 플라즈마 챔버를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an adaptive plasma source and plasma chamber suitable for processing large diameter wafers.

본 발명의 일 실시예에 따른 적응형 플라즈마 소소는, 중앙에 배치되는 CCP 상부전극과, CCP 상부전극을 둘러싸도록 배치되는 도전성 부싱과, 그리고 도전성 부싱으로부터 분지되어 도전성 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 소스코일을 포함한다.Adaptive plasma source according to an embodiment of the present invention, the CCP upper electrode disposed in the center, the conductive bushing disposed to surround the CCP upper electrode, and branched from the conductive bushing is disposed spirally around the conductive bushing Contains source coils.

일 예에서, CCP 상부전극 및 도전성 부싱에 연결되는 상부 RF 전원을 더 포함할 수 있다.In one example, it may further include an upper RF power source connected to the CCP upper electrode and the conductive bushing.

일 예에서, CCP 상부전극은 알루미늄(Al)막 재질로 이루어지고, 부싱은 구리(Cu) 재질로 이루어질 수 있다.In one example, the CCP upper electrode may be made of an aluminum (Al) film material, and the bushing may be made of copper (Cu) material.

일 예에서, 소스코일은 복수개의 단위코일들로 이루어질 수 있다. 이 경우 일 예에서, 복수개의 단위코일들은 수평면을 따라 배치될 수 있다. 다른 예에서, 복수개의 단위코일들은 부싱으로부터 멀어질수록 위로 향하도록 배치될 수도 있다. 또 다른 예에서, 복수개의 단위코일들은 부싱으로부터 멀어질수록 아래로 향하도록 배치될 수 있다.In one example, the source coil may be composed of a plurality of unit coils. In this case, the plurality of unit coils may be disposed along a horizontal plane. In another example, the plurality of unit coils may be arranged to face upward away from the bushing. In another example, the plurality of unit coils may be arranged to face downwards away from the bushing.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 챔버는, 대구경 웨이퍼 처리를 위한 플라즈마 챔버에 있어서, 플라즈마 챔버의 하부에서 상기 대구경 웨이퍼를 지지하 는 하부전극과, 하부전극에 연결되는 하부 RF 전원과, 플라즈마 챔버의 상부에 배치되는 돔과, 그리고 돔 위에 배치되며, 중앙에 배치되는 CCP 상부전극과, CCP 상부전극을 둘러싸도록 배치되는 도전성 부싱과, 그리고 도전성 부싱으로부터 분지되어 도전성 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 소스코일을 포함하는 적응형 플라즈마 소스를 구비한다.A plasma chamber according to an embodiment of the present invention is a plasma chamber for processing a large diameter wafer, the lower electrode supporting the large diameter wafer at a lower portion of the plasma chamber, a lower RF power source connected to the lower electrode, and a plasma chamber. A dome disposed over the dome, and a CCP upper electrode disposed over the dome, the conductive bushing disposed to surround the CCP upper electrode, and branched from the conductive bushing and spirally disposed around the conductive bushing. An adaptive plasma source comprising a source coil is provided.

일 예에서, 하부 RF 전원은 상호 병렬로 연결되는 제1 하부 RF 전원 및 제2 하부 RF 전원을 포함할 수 있다.In one example, the lower RF power source may include a first lower RF power source and a second lower RF power source connected in parallel with each other.

본 발명에 따르면, 중앙부는 CCP 소스기능에 의해 플라즈마 밀도를 조절하고, 가장자리부는 ACP 소스기능을 통해 플라즈마 밀도를 조절함으로써, 400㎜ 이상의 대구경 웨이퍼의 넓은 가장자리에서의 플라즈마 밀도를 정밀하게 조절할 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼 전체적인 CD 균일도를 향상시키고 식각율을 정밀하게 제어할 수 있다는 이점이 제공된다.According to the present invention, the center portion adjusts the plasma density by the CCP source function, the edge portion by adjusting the plasma density through the ACP source function, it is possible to precisely control the plasma density at the wide edge of the large diameter wafer of 400mm or more, This provides the advantage of improved CD uniformity across the wafer and precise control of the etch rate.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 적응형 플라즈마 소스 및 플라즈마 챔버를 나타내 보인 단면도이다. 그리고 도 2는 도 1의 적응형 플라즈마 소스의 평면구조를 나타내 보인 평면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 적응형 플라즈마 소스(200)는, CCP 상부전극(210)이 중앙에 배치되고, 부싱(220)이 그 둘레를 감싸며, 소스코일(230)이 부싱(220)으로부터 분지되어 부싱(220) 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 구조를 갖는다.1 is a cross-sectional view showing an adaptive plasma source and a plasma chamber according to a first embodiment of the present invention. 2 is a plan view illustrating a planar structure of the adaptive plasma source of FIG. 1. 1 and 2, in the adaptive plasma source 200 according to the present embodiment, the CCP upper electrode 210 is disposed at the center, the bushing 220 is wrapped around the source coil 230, and the source coil 230 is disposed. It is branched from the bushing 220 and has a structure arranged spirally around the bushing 220.

CCP 상부전극(210)은 원형의 형상으로 이루어지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라서는 타원형이나 각진 형상으로 이루어질 수도 있다. CCP 상부전극(210)은 도전성재질로 구성되며, 일 예에서 알루미늄(Al) 재질로 구성된다. 이 CCP 상부전극(210)은 플라즈마 챔버(100)의 하부에 배치되는 하부전극(120)과 함께 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 소스로 작용한다.The CCP upper electrode 210 is formed in a circular shape, but is not necessarily limited thereto. In some cases, the CCP upper electrode 210 may be formed in an elliptical or angular shape. The CCP upper electrode 210 is made of a conductive material, and in one example, is made of aluminum (Al). The CCP upper electrode 210 serves as a Capacitively Coupled Plasma (CCP) source together with the lower electrode 120 disposed under the plasma chamber 100.

부싱(220)은 CCP 상부전극(210) 둘레를 감싸도록 배치되므로, CCP 상부전극(210) 형상에 의해 그 형상이 결정된다. CCP 상부전극(210)이 원형으로 이루어진 경우, 부싱(220)은 원형의 고리 형상을 갖게 된다. 부싱(220) 또한 도전성 재질로 이루어지며, 일 예에서 구리(Cu) 재질로 이루어진다. 부싱(220)과 CCP 상부전극(210)은 상부 RF 전원(240)의 일단에 연결된다. 상부 RF 전원(240)의 타단은 접지된다. 비록 본 실시예에서는 하나의 상부 RF 전원(240)을 예로 들었지만, 경우에 따라서는 CCP 상부전극(210)에 연결되는 RF 전원과 부싱(220)에 연결되는 RF 전원을 별도로 배치시킬 수도 있다.Since the bushing 220 is disposed to surround the CCP upper electrode 210, its shape is determined by the shape of the CCP upper electrode 210. When the CCP upper electrode 210 is formed in a circular shape, the bushing 220 has a circular ring shape. Bushing 220 is also made of a conductive material, in one example made of a copper (Cu) material. The bushing 220 and the CCP upper electrode 210 are connected to one end of the upper RF power supply 240. The other end of the upper RF power supply 240 is grounded. Although one exemplary embodiment has one upper RF power source 240, in some cases, an RF power source connected to the CCP upper electrode 210 and an RF power source connected to the bushing 220 may be separately disposed.

소스코일(230)은 부싱(220)으로부터 분지되며, 따라서 바이어스 또한 부싱(220)을 통해 인가받는다. 소스코일(230)은 복수개의 단위코일들(231, 232, 233)을 포함한다. 본 실시예에서, 소스코일(230)은 3개의 단위코일들(231, 232, 233)을 포함하지만, 이는 단지 예시로서 단위코일의 갯수는 더 많을 수도 있고 더 적을 수도 있다. 3개의 단위코일들(231, 232, 233)은 상호 균등한 간격을 갖도록 배치되며, 부싱(220)을 둘러싸는 횟수에는 제한이 없다.The source coil 230 is branched from the bushing 220, so that a bias is also applied through the bushing 220. The source coil 230 includes a plurality of unit coils 231, 232, and 233. In this embodiment, the source coil 230 includes three unit coils 231, 232, 233, but this is merely illustrative and the number of unit coils may be more or less. The three unit coils 231, 232, and 233 are arranged to have an even interval between each other, and there is no limitation on the number of times surrounding the bushing 220.

부싱(220)과 소스코일(230)은 CCP와 ICP(Inductively Coupled Plasma)가 혼 합된 ACP(Adaptively Coupled Plasma) 소스로서 작용한다. 따라서 본 실시예에 따른 플라즈마 소스(200)는 CCP 소스 기능이 강화된 ACP 소스로 정의할 수 있다. 따라서 대구경의 웨이퍼(180)의 중앙부는 CCP 소스로서 플라즈마 밀도를 조절하고, 대구경의 웨이퍼(180)의 가장자리부는 ACP 소스로서 플라즈마 밀도를 조절하여, 대구경 웨이퍼 전체적인 CD 균일성이나 식각율 조절 등을 적절하게 조절할 수 있다.The bushing 220 and the source coil 230 serve as an adaptively coupled plasma source (ACP) in which CCP and inductively coupled plasma (ICP) are mixed. Therefore, the plasma source 200 according to the present embodiment may be defined as an ACP source with enhanced CCP source function. Therefore, the center portion of the large-diameter wafer 180 adjusts the plasma density as the CCP source, and the edge portion of the large-diameter wafer 180 adjusts the plasma density as the ACP source, thereby appropriately adjusting the CD uniformity and etching rate of the large-diameter wafer. Can be adjusted.

이와 같은 플라즈마 소스(200)를 갖는 플라즈마 챔버(100)는 챔버외벽에 의해 한정되는 반응공간(110)을 갖는다. 반응공간(110) 내에는 일정 조건하에서 플라즈마(112)가 형성된다. 플라즈마 챔버(100)의 하부에는 대구경의 웨이퍼(180)를 지지하는 하부전극(120)이 배치된다. 하부전극(120)은 하부 RF 전원(130)에 연결된다. 하부 RF 전원(130)은 듀얼 바이어스 구조로서, 제1 하부 RF 전원(131)과 제2 하부 RF 전원(132)이 병렬로 연결되는 구조를 갖는다. 즉 제1 하부 RF 전원(131)과 제2 하부 RF 전원(132)의 상부단은 하부전극(120)과 공통으로 연결되고 하부단은 공통으로 접지된다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 하부전극(120) 내에는 웨이퍼(180)의 온도 제어를 위한 히팅(heating) 수단이 배치될 수 있으며, 웨이퍼(180)의 적절한 지지를 위해 정전척(ESC; ElectroStatic Chuck)을 포함할 수도 있다.The plasma chamber 100 having the plasma source 200 has a reaction space 110 defined by the chamber outer wall. The plasma 112 is formed in the reaction space 110 under certain conditions. The lower electrode 120 supporting the large diameter wafer 180 is disposed under the plasma chamber 100. The lower electrode 120 is connected to the lower RF power supply 130. The lower RF power supply 130 has a dual bias structure in which the first lower RF power supply 131 and the second lower RF power supply 132 are connected in parallel. That is, upper ends of the first lower RF power source 131 and the second lower RF power source 132 are commonly connected to the lower electrode 120, and the lower end is commonly grounded. Although not shown in the drawings, a heating means for controlling temperature of the wafer 180 may be disposed in the lower electrode 120, and an electrostatic chuck (ESC) may be used for proper support of the wafer 180. ) May be included.

플라즈마 챔버(100)의 상부에는 돔(dome)(140)이 배치되며, 플라즈마 소스(200)는 돔(140) 위에 배치된다. 돔(141)은 중앙의 CCP 상부전극(210) 아래에 배치되는 중앙 돔(141)과, 중앙 돔(141)을 둘러싸는 가장자리 돔(142)을 포함한다. 일 예에서, 중앙 돔(141)은 실리콘(Si) 재질로 이루어지며, 가장자리 돔(142)은 실 리콘산화막(SiO2) 재질로 이루어진다. 가장자리 돔(142)과 플라즈마 소스(200) 사이에는 유전체막(150)이 배치된다. 일 예에서 유전체막(150)은 알루미늄산화막(Al2O3) 재질로 이루어진다. 중앙 돔(141)의 내부에는, 도면에서 점선으로 나타낸 바와 같이, 소스 가스 공급을 위한 가스 주입구(160)가 배치된다. 이와 같은 가스 주입구(160)의 위치 및 갯수는 공정 종류 등에 의해 다양하게 변화될 수 있다.A dome 140 is disposed above the plasma chamber 100, and the plasma source 200 is disposed above the dome 140. The dome 141 includes a central dome 141 disposed below the central CCP upper electrode 210 and an edge dome 142 surrounding the central dome 141. In one example, the central dome 141 is made of silicon (Si) material, the edge dome 142 is made of silicon oxide (SiO 2 ) material. The dielectric film 150 is disposed between the edge dome 142 and the plasma source 200. In one example, the dielectric film 150 is made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) material. Inside the central dome 141, a gas inlet 160 for supplying a source gas is disposed, as indicated by a dotted line in the figure. The location and number of such gas injection holes 160 may be changed in various ways depending on the type of process.

본 실시예에 따른 플라즈마 챔버(100)에 있어서, 400㎜ 이상의 대구경 웨이퍼(300) 중앙부의 플라즈마 밀도는 하부전극(120) 및 CCP 상부전극(210)에 의한 CCP 소스 기능으로 조절하고, 반면에 대구경 웨이퍼(180) 가장자리부의 플라즈마 밀도는 부싱(220) 및 소스코일(230)에 의한 ACP 소스 기능으로 조절할 수 있다. 특히 대구경 웨이퍼(180)의 넓어진 가장자리 부분에서의 플라즈마 밀도를 보다 정밀하게 조절할 수 있으며, 이에 따라 대구경 웨이퍼(180) 전체적인 CD 균일도 및 균일한 식각율을 얻을 수 있다.In the plasma chamber 100 according to the present embodiment, the plasma density of the center portion of the large diameter wafer 300 of 400 mm or more is controlled by the CCP source function by the lower electrode 120 and the CCP upper electrode 210, while the large diameter is large. The plasma density of the edge of the wafer 180 may be controlled by the ACP source function by the bushing 220 and the source coil 230. In particular, the plasma density at the wider edge portion of the large-diameter wafer 180 can be more precisely adjusted, and thus, the overall CD uniformity and uniform etching rate of the large-diameter wafer 180 can be obtained.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 적응형 플라즈마 소스 및 플라즈마 챔버를 나타내 보인 단면도이다. 도 3에서 도 1과 동일한 참조부호는 동일한 요소를 의미한다. 또한 본 실시예에 따른 적응형 플라즈마 소스의 평면구조는 도 2에 나타낸 평면구조와 동일하다. 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 챔버(300)는 적응형 플라즈마 소스의 구조만 상이할 뿐, 나머지는 제1 실시예에 따른 플라즈마 챔버(도 1의 100)와 동일하다. 따라서 도 1을 참조하여 설명한 중복된 내용은 생략하기로 한다. 본 실시예에 따른 플라즈마 소스는, CCP 상부전극(310)이 중앙에 배치되고, 부싱(320)이 그 둘레를 감싸며, 소스코일(330)이 부싱(320)으로부터 분지되어 부싱(320) 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 구조를 갖는다. CCP 상부전극(310)과 부싱(320)은 상부 RF 전원(340)의 일단에 연결된다. 특히 소스코일(330)을 구성하는 단위코일들(331, 332, 333)은, 플라즈마 챔버(300)의 가장자리로 갈수록 점점 위로 향하는 점선(A)을 중심축으로 배치되며, 이에 따라 대구경 웨이퍼(180)의 가장자리로 갈수록 웨이퍼(180)로부터 점점 멀어지도록 배치된다. 이와 같은 플라즈마 소스에 따르면, 웨이퍼(180) 가장자리로 갈수록 플라즈마 밀도는 점점 감소하게 된다. 따라서 이 경우는 웨이퍼(180) 가장자리로 갈수록 플라즈마 밀도가 상대적으로 높아서 공정 균일성이 떨어지는 경우 적용할 수 있다.3 is a cross-sectional view illustrating an adaptive plasma source and a plasma chamber according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 3, the same reference numerals as used in FIG. 1 mean the same elements. In addition, the planar structure of the adaptive plasma source according to the present embodiment is the same as the planar structure shown in FIG. Referring to FIG. 3, the plasma chamber 300 according to the present embodiment differs only in the structure of the adaptive plasma source, and the rest is the same as the plasma chamber 100 in FIG. 1 according to the first embodiment. Therefore, duplicate descriptions described with reference to FIG. 1 will be omitted. In the plasma source according to the present embodiment, the CCP upper electrode 310 is disposed at the center, the bushing 320 surrounds the circumference, and the source coil 330 is branched from the bushing 320 to surround the bushing 320. Along the helical structure. The CCP upper electrode 310 and the bushing 320 are connected to one end of the upper RF power source 340. In particular, the unit coils 331, 332, and 333 constituting the source coil 330 are disposed along the dotted line A, which is gradually upward toward the edge of the plasma chamber 300, with a central axis, and thus the large-diameter wafer 180. And toward the edge of the wafer). According to such a plasma source, the plasma density gradually decreases toward the edge of the wafer 180. Therefore, in this case, the plasma density is relatively higher toward the edge of the wafer 180, so that the process uniformity may be applied.

도 4은 본 발명의 제3 실시예에 따른 적응형 플라즈마 소스 및 플라즈마 챔버를 나타내 보인 단면도이다. 도 4에서 도 1과 동일한 참조부호는 동일한 요소를 의미한다. 또한 본 실시예에 따른 적응형 플라즈마 소스의 평면구조는 도 2에 나타낸 평면구조와 동일하다. 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 챔버(400)는 적응형 플라즈마 소스의 구조만 상이할 뿐, 나머지는 제1 실시예에 따른 플라즈마 챔버(도 1의 100)와 동일하다. 따라서 도 1을 참조하여 설명한 중복된 내용은 생략하기로 한다. 본 실시예에 따른 플라즈마 소스는, CCP 상부전극(410)이 중앙에 배치되고, 부싱(420)이 그 둘레를 감싸며, 소스코일(430)이 부싱(420)으로부터 분지되어 부싱(420) 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 구조를 갖는다. CCP 상부전극(410)과 부싱(420)은 상부 RF 전원(440)의 일단에 연결된다. 특히 소스코일(430)을 구성하는 단위코일들(431, 432, 433)은, 플라즈마 챔버(400)의 가장자리로 갈수 록 점점 아래로 향하는 점선(A)을 중심축으로 배치되며, 이에 따라 대구경 웨이퍼(180)의 가장자리로 갈수록 웨이퍼(180)로부터 점점 가까워지도록 배치된다. 이와 같은 플라즈마 소스에 따르면, 웨이퍼(180) 가장자리로 갈수록 플라즈마 밀도는 점점 증가하게 된다. 따라서 이 경우는 웨이퍼(180) 가장자리로 갈수록 플라즈마 밀도가 상대적으로 낮아져서 공정 균일성이 떨어지는 경우 적용할 수 있다.4 is a cross-sectional view illustrating an adaptive plasma source and a plasma chamber according to a third embodiment of the present invention. In FIG. 4, the same reference numerals as used in FIG. 1 mean the same elements. In addition, the planar structure of the adaptive plasma source according to the present embodiment is the same as the planar structure shown in FIG. Referring to FIG. 4, the plasma chamber 400 according to the present embodiment differs only in the structure of the adaptive plasma source, and the rest is the same as the plasma chamber (100 of FIG. 1) according to the first embodiment. Therefore, duplicate descriptions described with reference to FIG. 1 will be omitted. In the plasma source according to the present embodiment, the CCP upper electrode 410 is disposed at the center, the bushing 420 surrounds the circumference, and the source coil 430 is branched from the bushing 420 to surround the bushing 420. Along the helical structure. The CCP upper electrode 410 and the bushing 420 are connected to one end of the upper RF power source 440. In particular, the unit coils 431, 432, and 433 constituting the source coil 430 are disposed around the dotted line A gradually descending toward the edge of the plasma chamber 400, with a large diameter wafer. The closer to the edge of 180, the closer to the wafer 180 is disposed. According to such a plasma source, the plasma density gradually increases toward the edge of the wafer 180. Therefore, in this case, the plasma density is relatively lower toward the edge of the wafer 180, so that the process uniformity may be applied.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 적응형 플라즈마 소스 및 플라즈마 챔버를 나타내 보인 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an adaptive plasma source and a plasma chamber according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 적응형 플라즈마 소스의 평면구조를 나타내 보인 평면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating a planar structure of the adaptive plasma source of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 적응형 플라즈마 소스 및 플라즈마 챔버를 나타내 보인 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating an adaptive plasma source and a plasma chamber according to a second embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 적응형 플라즈마 소스 및 플라즈마 챔버를 나타내 보인 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating an adaptive plasma source and a plasma chamber according to a third embodiment of the present invention.

Claims (9)

플라즈마 챔버의 중앙에 배치되어 CCP 소스를 구성하는 CCP 상부전극; 및A CCP upper electrode disposed in the center of the plasma chamber to constitute a CCP source; And 상기 CCP 상부전극을 둘러싸도록 배치되는 도전성 부싱과, 상기 도전성 부싱으로부터 분지되어 상기 도전성 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 소스코일로 이루어진 적응형 소스를 포함하는 적응형 플라즈마 소스.And an adaptive source comprising a conductive bushing disposed to surround the CCP upper electrode, and a source coil branched from the conductive bushing and spirally disposed around the conductive bushing. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 CCP 상부전극 및 도전성 부싱에 연결되는 상부 RF 전원을 더 포함하는 적응형 플라즈마 소스.And a top RF power source coupled to the CCP top electrode and the conductive bushing. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 CCP 상부전극은 알루미늄(Al)막 재질로 이루어지고, 상기 도전성 부싱은 구리(Cu) 재질로 이루어진 적응형 플라즈마 소스.The CCP upper electrode is made of aluminum (Al) film material, the conductive bushing is an adaptive plasma source made of copper (Cu) material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소스코일은 복수개의 단위코일들로 이루어진 적응형 플라즈마 소스.The source coil is an adaptive plasma source consisting of a plurality of unit coils. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 복수개의 단위코일들은 수평면을 따라 배치되는 적응형 플라즈마 소스.The plurality of unit coils are arranged along a horizontal plane. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 복수개의 단위코일들은 상기 부싱으로부터 멀어질수록 위로 향하여 웨이퍼 가장자리로 갈수록 플라즈마 챔버와의 간격이 점점 커지도록 배치되는 적응형 플라즈마 소스.And the plurality of unit coils are disposed such that a distance from the bushing increases upward and a distance from the plasma chamber increases toward a wafer edge. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 복수개의 단위코일들은 상기 부싱으로부터 멀어질수록 아래로 향하여 웨이퍼 가장자리로 갈수록 플라즈마 챔버와의 간격이 점점 작아지도록 배치되는 적응형 플라즈마 소스.And the plurality of unit coils are disposed such that a distance from the bushing toward the edge of the unit coil decreases gradually away from the bushing. 대구경 웨이퍼 처리를 위한 플라즈마 챔버에 있어서,A plasma chamber for processing large diameter wafers, 상기 플라즈마 챔버의 하부에서 상기 대구경 웨이퍼를 지지하는 하부전극;A lower electrode supporting the large-diameter wafer under the plasma chamber; 상기 하부전극에 연결되는 하부 RF 전원;A lower RF power source connected to the lower electrode; 상기 플라즈마 챔버의 상부에 배치되는 돔; 및A dome disposed above the plasma chamber; And 상기 돔 위에 배치되며, 상기 돔의 중앙에 배치되어 CCP 소스를 구성하는 CCP 상부전극과, 그리고 상기 CCP 상부전극을 둘러싸도록 배치되는 도전성 부싱과, 상기 도전성 부싱으로부터 분지되어 상기 도전성 부싱 둘레를 따라 나선형으로 배치되는 소스코일로 이루어진 적응형 소스를 포함하는 플라즈마 챔버.A CCP upper electrode disposed on the dome and disposed at the center of the dome to form a CCP source, and a conductive bushing disposed to surround the CCP upper electrode, and branched from the conductive bushing to spiral around the conductive bushing. Plasma chamber comprising an adaptive source consisting of a source coil disposed in the. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 하부 RF 전원은 상호 병렬로 연결되는 제1 하부 RF 전원 및 제2 하부 RF 전원을 포함하는 플라즈마 챔버.The lower RF power source includes a first lower RF power source and a second lower RF power source connected in parallel to each other.
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