KR101096586B1 - Manufacturing method for semiconductor test socket, by-directional electric conductive multi-layer sheet and semiconductor test socket using the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor test socket, a bidirectional conductive multilayer sheet, and a semiconductor test socket using the same are provided to manufacture the semiconductor test socket corresponding to terminal patterns of various semiconductor devices. CONSTITUTION: Conductive mixture solutions are formed by mixing conductive powder and liquid silicon rubber. A bidirectional conductive sheet is made by thermally curing the conductive mixture solutions. The bidirectional conductive sheet is cut with a unit size. If a plurality of unit pattern sheets(100') are separated, electrically insulated materials are filled between a plurality of unit pattern sheets. An insulating support member(11) is formed.

Description

반도체 테스트 소켓의 제조방법, 양방향 도전성 다층 시트 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓{MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR TEST SOCKET, BY-DIRECTIONAL ELECTRIC CONDUCTIVE MULTI-LAYER SHEET AND SEMICONDUCTOR TEST SOCKET USING THE SAME}Method for manufacturing semiconductor test socket, bidirectional conductive multilayer sheet and semiconductor test socket using same

본 발명은 반도체 테스트 소켓의 제조방법, 양방향 도전성 다층 시트 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자의 제조 과정 중 양불 테스트에 사용되는 반도체 테스트 소켓의 제조 비용을 현저히 감소시킬 수 있는 반도체 테스트 소켓의 제조방법, 양방향 도전성 다층 시트 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor test socket, a bidirectional conductive multilayer sheet and a semiconductor test socket using the same, and more particularly, to significantly reduce the manufacturing cost of a semiconductor test socket used for a positive test during a manufacturing process of a semiconductor device. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor test socket, a bidirectional conductive multilayer sheet, and a semiconductor test socket using the same.

반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 양불을 판단하기 위한 검사를 수행하게 된다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 반도체 테스트 소켓(또는 콘텍터 또는 커넥터)을 반도체 소자와 검사 회로기판 사이에 삽입한 상태에서 검사가 수행된다. 그리고, 반도체 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 양불 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.After the semiconductor device is manufactured, the semiconductor device performs a test to determine whether the electrical performance is poor. In the positive inspection of a semiconductor device, a test is performed in a state where a semiconductor test socket (or a contactor or a connector) formed to be in electrical contact with a terminal of the semiconductor device is inserted between the semiconductor device and the test circuit board. The semiconductor test socket is also used in a burn-in test process during the manufacturing process of the semiconductor device, in addition to the final positive inspection of the semiconductor device.

반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 간격도 미세화되는 추세이고, 그에 따라 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 기존의 포고(Pogo) 타입의 반도체 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 반도체 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다.With the development and miniaturization of semiconductor device integration technology, the size and spacing of terminals of semiconductor devices, that is, leads, are also miniaturized. Accordingly, there is a demand for a method of forming minute spacing between conductive patterns of test sockets. Therefore, the existing Pogo type semiconductor test socket has a limitation in manufacturing a semiconductor test socket for testing the integrated semiconductor device.

이와 같은 반도체 소자의 집적화에 부합하도록 제안된 기술이, 탄성 재질의 실리콘 소재로 제작되는 실리콘 본체 상에 수직 방향으로 타공 패턴을 형성한 후, 타공된 패턴 내부에 도전성 분말을 충진하여 도전 패턴을 형성하는 방법이 널리 사용되고 있다.
The proposed technique to meet the integration of the semiconductor device, the perforated pattern is formed in the vertical direction on the silicon body made of an elastic silicon material, and then filled with conductive powder inside the perforated pattern to form a conductive pattern The method is widely used.

이에, 본 발명은 제조 과정이 단순하면서도 다양한 반도체 소자의 단자 패턴에 대응하는 형상의 반도체 테스트 소켓의 제작이 가능하면서도, 그 제조 비용을 감소시킬 수 있는 반도체 테스트 소켓의 제조방법, 양방향 도전성 다층 시트 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓을 제공하는데 그 목적이 있다.
Accordingly, the present invention enables the manufacture of a semiconductor test socket having a shape corresponding to the terminal pattern of various semiconductor devices while the manufacturing process is simple, but can reduce the manufacturing cost, a method for manufacturing a semiconductor test socket, a bidirectional conductive multilayer sheet and The purpose is to provide a semiconductor test socket using the same.

상기 목적은 본 발명에 따라, 반도체 테스트 소켓의 제조방법에 있어서, (a) 도전성 분말과 액상의 실리콘 고무를 혼합하여 도전성 혼합액을 마련하는 단계와; (b) 상기 도전성 혼합액을 열경화시켜 양방향 도전성 시트를 제작하는 단계와; (c) 상기 양방향 도전성 시트를 단위 크기로 절단하여 복수의 단위 패턴 시트를 제작하는 단계와; (d) 상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호 이격되어 배치된 상태에서 상기 복수의 단위 패턴 시트 사이를 전기적 절연 재질로 채워 절연성 지지체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법에 의해서 달성된다.According to the present invention, in the method for manufacturing a semiconductor test socket, (a) mixing the conductive powder and the liquid silicone rubber to prepare a conductive mixture; (b) thermosetting the conductive liquid mixture to produce a bidirectional conductive sheet; (c) cutting the bidirectional conductive sheet into unit sizes to produce a plurality of unit pattern sheets; and (d) forming an insulating support by filling the plurality of unit pattern sheets with an electrically insulating material in a state in which the plurality of unit pattern sheets are spaced apart from each other. Is achieved by

여기서, 상기 (d) 단계에서 상기 전기적 절연 재질은 실리콘 고무 재질 또는 플라스틱 재질로 마련될 수 있다.Here, in the step (d), the electrically insulating material may be provided of a silicon rubber material or a plastic material.

또한, 상기 (a) 단계에서 상기 도전성 혼합액은 액상의 접착용 프라이머가 함께 혼합되어 마련될 수 있다.In addition, the conductive mixture in step (a) may be prepared by mixing a liquid adhesion primer.

그리고, 상기 (b) 단계에서 상기 도전성 혼합액은 금형에 주입된 상태로 열경화되어 상기 양방향 도전성 시트로 제작될 수 있다.In addition, in the step (b), the conductive mixed solution may be thermoset in a state injected into a mold to produce the bidirectional conductive sheet.

그리고, (e) 상기 (c) 단계의 수행 전에 상기 양방향 도전성 시트의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 2차원의 망상 구조를 갖는 적어도 한 층의 도전성 메쉬층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.And (e) forming at least one conductive mesh layer having a two-dimensional network structure on either or both of an upper surface and a lower surface of the bidirectional conductive sheet before performing the step (c). can do.

여기서, 상기 도전성 메쉬층은 2차원의 망상 구조를 갖는 적어도 2 이상의 메쉬가 적층되고, 상기 메쉬 사이와 상기 각 메쉬의 2차원의 망상 구조 사이에 도전성 분말과 실리콘 고무가 혼합된 도전성 혼합액이 충진 및 경화되어 형성될 수 있다.Here, the conductive mesh layer is laminated with at least two or more mesh having a two-dimensional network structure, filled with a conductive mixed liquid mixed with conductive powder and silicone rubber between the mesh and the two-dimensional network structure of each mesh and It can be cured and formed.

한편, 상기 목적은 본 발명의 다른 실시 형태에 따라, 양방향 도전성 다층 시트에 있어서, 적어도 하나의 제1 양방향 도전성 시트와 적어도 하나의 제2 양방향 도전성 시트가 교대로 적층되어 형성되며; 상기 제1 양방향 도전성 시트는 실리콘 고무 재질의 시트 본체와, 상기 시트 본체 내부에 분포되어 상기 제1 양방향 도전성 시트에 도전성을 형성하는 도전성 분말을 포함하고; 상기 제2 양방향 도전성 시트는 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와, 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와, 전기적인 절연 재질로 마련되어 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채우는 절연성 탄성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트에 의해서도 달성될 수 있다.On the other hand, according to another embodiment of the present invention, in the bidirectional conductive multilayer sheet, at least one first bidirectional conductive sheet and at least one second bidirectional conductive sheet are formed alternately stacked; The first bidirectional conductive sheet includes a sheet main body made of silicone rubber and conductive powder distributed inside the sheet main body to form conductivity in the first bidirectional conductive sheet; The second bidirectional conductive sheet may include a base structure having a three-dimensional network structure, a conductive metal portion for applying a surface of the three-dimensional network structure of the base structure, and an electrical insulating material to provide a three-dimensional network structure. It can also be achieved by a bi-directional conductive multilayer sheet comprising an insulating elastic portion filling the void space.

또한, 상기 목적은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따라, 양방향 도전성 다층 시트에 있어서, 적어도 하나의 제1 양방향 도전성 시트와 적어도 하나의 제2 양방향 도전성 시트가 교대로 적층되어 형성되며; 상기 제1 양방향 도전성 시트는 실리콘 고무 재질의 시트 본체와, 상기 시트 본체 내부에 분포되어 상기 제1 양방향 도전성 시트에 도전성을 형성하는 도전성 분말을 포함하고; 상기 제2 양방향 도전성 시트는 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와, 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와, 도전성 분말이 포함되어 마련되며, 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 충진되는 도전성 충진부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트에 의해서도 달성될 수 있다.In addition, the above object is, according to another embodiment of the present invention, in the bidirectional conductive multilayer sheet, at least one first bidirectional conductive sheet and at least one second bidirectional conductive sheet are alternately formed; The first bidirectional conductive sheet includes a sheet main body made of silicone rubber and conductive powder distributed inside the sheet main body to form conductivity in the first bidirectional conductive sheet; The second bidirectional conductive sheet includes a base structure portion having a three-dimensional network structure, a conductive metal portion for applying a surface of the three-dimensional network structure of the base structure portion, and a conductive powder. It can also be achieved by a bi-directional conductive multilayer sheet comprising a conductive filler filled in the void of the structure.

또한, 상기 목적은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따라, 양방향 도전성 다층 시트에 있어서, 적어도 하나의 제1 양방향 도전성 시트와 적어도 하나의 제2 양방향 도전성 시트가 교대로 적층되어 형성되며; 상기 제1 양방향 도전성 시트는 실리콘 고무 재질의 시트 본체와, 상기 시트 본체 내부에 분포되어 상기 제1 양방향 도전성 시트에 도전성을 형성하는 도전성 분말을 포함하고; 상기 제2 양방향 도전성 시트는 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와, 도전성 분말이 포함되어 마련되며, 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 충진되는 도전성 충진부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트에 의해서도 달성될 수 있다.In addition, the above object is, according to another embodiment of the present invention, in the bidirectional conductive multilayer sheet, at least one first bidirectional conductive sheet and at least one second bidirectional conductive sheet are alternately formed; The first bidirectional conductive sheet includes a sheet main body made of silicone rubber and conductive powder distributed inside the sheet main body to form conductivity in the first bidirectional conductive sheet; The second bidirectional conductive sheet includes a base structure portion having a three-dimensional network structure and conductive powder, and includes a conductive filling portion filled in an empty space of the three-dimensional network structure. It can also be achieved with a sheet.

여기서, 상기 양방향 도전성 다층 시트의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되며, 2차원의 망상 구조를 갖는 도전성 메쉬층을 더 포함할 수 있다.Here, the bidirectional conductive multilayer sheet is formed on any one or both of the upper surface and the lower surface, and may further include a conductive mesh layer having a two-dimensional network structure.

그리고, 상기 제2 양방향 도전성 시트의 상기 베이스 구조부는 다수의 오픈 셀이 형성되어 상기 3차원 망상 구조를 형성하는 스펀지 형태로 마련될 수 있다.The base structure portion of the second bidirectional conductive sheet may be provided in a sponge form in which a plurality of open cells are formed to form the three-dimensional network structure.

또한, 상기 제2 양방향 도전성 시트의 상기 베이스 구조부는 내부 공간이 형성되도록 다수의 미세 와이어가 엉켜 상기 3차원 망상 구조를 형성하여 마련될 수 있다.In addition, the base structure portion of the second bi-directional conductive sheet may be provided by forming a three-dimensional network structure by tangling a plurality of fine wires to form an internal space.

그리고, 상기 제2 양방향 도전성 시트는 상기 베이스 구조부의 상기 3차원의 망상 구조의 표면에 코팅되어 상기 3차원의 망상 구조의 표면과 상기 도전성 금속부 사이에 형성되는 금속 재질의 보강부를 더 포함할 수 있다.The second bidirectional conductive sheet may further include a reinforcement part of a metal material coated on the surface of the three-dimensional network structure of the base structure to be formed between the surface of the three-dimensional network structure and the conductive metal part. have.

여기서, 상기 보강부는 니켈 또는 구리 재질로 마련될 수 있다.Here, the reinforcing part may be made of nickel or copper material.

그리고, 상기 제2 양방향 도전성 시트의 상기 도전성 금속부는 금 재질로 마련될 수 있다.The conductive metal part of the second bidirectional conductive sheet may be formed of a gold material.

한편, 상기 목적은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따라, 반도체 테스트 소켓에 있어서, 상기의 양방향 도전성 다층 시트가 단위 크기 단위로 절단되어 형성된 복수의 단위 패턴 시트와; 상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호간에 전기적으로 절연된 상태로 배치되도록 상기 복수의 단위 패턴 시트를 지지하되, 상기 각 단위 패턴 시트가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 각 단위 패턴 시트를 지지하는 절연성 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓에 의해서도 달성될 수 있다.On the other hand, according to another embodiment of the present invention, in the semiconductor test socket, a plurality of unit pattern sheet formed by cutting the bi-directional conductive multilayer sheet in a unit size unit; An insulating support part supporting the plurality of unit pattern sheets so that the plurality of unit pattern sheets are disposed in an electrically insulated state, and supporting the respective unit pattern sheets so that the unit pattern sheets are electrically connected in an up and down direction It can also be achieved by a semiconductor test socket characterized in that it comprises a.

여기서, 상기 절연성 지지부는 실리콘 고무 재질로 마련될 수 있다.
Here, the insulating support may be made of a silicon rubber material.

상기와 같은 구성에 따라 본 발명에 따르면, 제조 과정이 단순하면서도 다양한 반도체 소자의 단자 패턴에 대응하는 형상의 반도체 테스트 소켓의 제작이 가능하면서도, 그 제조 비용을 감소시킬 수 있는 반도체 테스트 소켓의 제조방법, 양방향 도전성 다층 시트 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓이 제공된다.According to the present invention according to the configuration as described above, while manufacturing the semiconductor test socket having a simple manufacturing process corresponding to the terminal pattern of the various semiconductor elements can be produced, the manufacturing cost of the semiconductor test socket can be reduced A bidirectional conductive multilayer sheet and a semiconductor test socket using the same are provided.

또한, 양방향 도전성 다층 시트 또는 양방향 도전성 시트를 반도체 테스트 소켓에 형성되는 도전 패턴의 사이즈에 맞게 절단하고, 절단된 단위 패턴 시트의 배치를 다양화하여 제작 가능하게 됨으로서, 다양한 도전 패턴을 갖는 테스트 소켓의 제작이 가능하게 되어, 반도체 소자에 형성된 다양한 전극 형상에 맞게 반도체 테스트 소켓의 제작이 가능하게 된다.
In addition, the bidirectional conductive multilayer sheet or the bidirectional conductive sheet may be cut to fit the size of the conductive pattern formed in the semiconductor test socket, and the arrangement of the cut unit pattern sheet may be diversified to produce the test socket having various conductive patterns. It becomes possible to manufacture, and it becomes possible to manufacture a semiconductor test socket according to the various electrode shapes formed in the semiconductor element.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치의 사시도이고,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치의 단면도이고,
도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 6 내지 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 10은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 양방향 도전성 다층 시트의 베이스 구조부의 예를 도시한 도면이고,
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트의 구성을 설명하기 위한 도면이고,
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트의 구성을 설명하기 위한 도면이고,
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트의 구성을 설명하기 위한 도면이고,
도 14는 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트의 구성을 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view of a semiconductor test apparatus according to the present invention,
2 is a cross-sectional view of a semiconductor test apparatus according to the present invention,
3 to 5 are views for explaining a method for manufacturing a semiconductor test socket according to the present invention,
6 to 9 are views for explaining a bidirectional conductive multilayer sheet and a method of manufacturing the same according to the first embodiment of the present invention,
10 is a view showing an example of a base structure of a bidirectional conductive multilayer sheet according to another embodiment of the present invention,
11 is a view for explaining the configuration of a bi-directional conductive multilayer sheet according to a second embodiment of the present invention,
12 is a view for explaining the configuration of a bidirectional conductive multilayer sheet according to a third embodiment of the present invention;
13 is a view for explaining the configuration of a bi-directional conductive multilayer sheet according to a fourth embodiment of the present invention,
14 is a view for explaining the configuration of a bidirectional conductive multilayer sheet according to a fifth embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치(1)의 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치(1)의 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치(1)는 지지 플레이트(30)와 반도체 테스트 소켓(10)을 포함한다.1 is a perspective view of a semiconductor test device 1 according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor test device 1 according to the present invention. Referring to FIGS. 1 and 2, the semiconductor test apparatus 1 according to the present invention includes a support plate 30 and a semiconductor test socket 10.

지지 플레이트(30)는 반도체 테스트 소켓(10)이 상하 방향으로 이동 가능하도록 반도체 테스트 소켓(10)을 지지한다. 여기서, 지지 플레이트(30)의 중앙에는 진퇴 가이드용 메인 관통홀(미도시)이 형성되어 있고, 메인 관통홀을 형성하는 가장자리를 따라 가장자리로부터 이격되는 위치에 결합용 관통홀이 상호 이격되게 형성된다. 그리고, 반도체 테스트 소켓(10)은 지지 플레이트(30)의 상면 및 하면에 접합되는 주변 지지부(50)에 의해 지지 플레이트(30)에 고정된다.The support plate 30 supports the semiconductor test socket 10 to move the semiconductor test socket 10 in the vertical direction. Here, a main through hole (not shown) is formed in the center of the support plate 30, and coupling through holes are formed to be spaced apart from each other at a position spaced apart from an edge along an edge forming the main through hole. . In addition, the semiconductor test socket 10 is fixed to the support plate 30 by the peripheral support part 50 joined to the upper and lower surfaces of the support plate 30.

본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓(10)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 도전 패턴을 형성하는 다수의 단위 패턴 시트(100')와, 절연성 지지체(11)를 포함한다.As illustrated in FIG. 2, the semiconductor test socket 10 according to the present invention includes a plurality of unit pattern sheets 100 ′ forming an electrically conductive pattern and an insulating support 11.

각각의 단위 패턴 시트(100')는 반도체 소자(3)의 단자(3a)와, 검사회로기판(5)의 검사 단자(5a)를 전기적으로 연결할 수 있도록 절연성 지지체(11)의 상부 및 하부에 노출되도록 형성된다. 즉, 절연성 지지체(11)는 도전 패턴을 형성하는 다수의 단위 패턴 시트(100')가 상호간에 전기적으로 절연된 상태로 배치되도록 복수의 단위 패턴 시트(100')를 지지하는데, 이 때 각 단위 패턴 시트(100')가 두께 방향 즉 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 각 단위 패턴 시트(100')를 지지하게 된다.Each unit pattern sheet 100 ′ is provided on the upper and lower portions of the insulating support 11 to electrically connect the terminal 3a of the semiconductor device 3 and the test terminal 5a of the test circuit board 5. It is formed to be exposed. That is, the insulating support 11 supports the plurality of unit pattern sheets 100 'such that a plurality of unit pattern sheets 100' forming a conductive pattern are electrically insulated from each other, wherein each unit Each unit pattern sheet 100 ′ is supported such that the pattern sheet 100 ′ is electrically connected in a thickness direction, that is, in a vertical direction.

여기서, 본 발명에 따른 절연성 지지체(11)는 탄성을 갖는 실리콘 고무 재질이나 플라스틱 재질로 마련될 수 있으며, 이에 따라 반도체 소자(3)의 단자(3a)와 검사 회로기판(5)의 검사 단자(5a) 간의 통전을 위해 반도체 소자(3)가 반도체 테스트 소켓(10)을 가압할 때 탄성에 의해 반도체 소자(3)의 단자(3a)가 손상되는 것을 방지할 수 있게 된다. 여기서, 절연성 지지체(11)가 탄성을 갖는 것은 필수적인 구성이 아니며, 비탄성 재질로 마련될 수 있는데, 이는 단위 패턴 시트(100')의 형성에 사용되는 후술할 양방향 도전성 시트(100) 자체가 탄성체 성질을 가져 단위 패턴 시트(100') 또한 탄성체 성질을 가지므로 절연성 지지체(11)가 비탄성 재질로 형성되는 것이 가능하다.Here, the insulating support 11 according to the present invention may be provided with a silicone rubber material or a plastic material having elasticity, and thus the terminal 3a of the semiconductor device 3 and the test terminal of the test circuit board 5 It is possible to prevent the terminal 3a of the semiconductor element 3 from being damaged by elasticity when the semiconductor element 3 presses the semiconductor test socket 10 for energization between 5a. Here, it is not essential that the insulating support 11 has elasticity, and may be formed of an inelastic material, which is a bidirectional conductive sheet 100 to be described later used for forming the unit pattern sheet 100 ′ itself. Since the unit pattern sheet 100 ′ also has elastic properties, the insulating support 11 may be formed of an inelastic material.

한편, 반도체 테스트 소켓(10)의 도전 패턴을 형성하는 단위 패턴 시트(100')는 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트(100)를 단위 크기로 절단하여 제작되는데, 이에 대한 상세한 설명은 후술할 반도체 테스트 소켓(10)의 제조방법을 통해 상세히 설명한다.Meanwhile, the unit pattern sheet 100 ′ forming the conductive pattern of the semiconductor test socket 10 is manufactured by cutting the bidirectional conductive sheet 100 according to the present invention into a unit size, which will be described later. It will be described in detail through the manufacturing method of the socket (10).

이하에서는 반도체 테스트 소켓(10)의 제조방법을 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the semiconductor test socket 10 will be described with reference to FIGS. 3 to 5.

먼저, 도전성 분말과 액상의 실리콘 고무를 혼합하여 도전성 혼합액을 마련한다. 여기서, 도전성 분말로는 금(Au)이 코팅된 니켈 분말, 은 분말, 금 분말 자체, 니켈 분말, 구리 분말 등과 같이 도전성이 우수한 다양한 형태의 분말이 하나 또는 그 이상이 섞여서 사용될 수 있다.First, the conductive powder and the liquid silicone rubber are mixed to prepare a conductive mixed liquid. Here, as the conductive powder, one or more powders of various types having excellent conductivity such as nickel (Au) coated nickel powder, silver powder, gold powder itself, nickel powder, copper powder, etc. may be used.

또한, 도전성 혼합액을 형성하는데 있어, 액상의 접착용 프라이머를 함께 온합하여 도전성 혼합액을 형성함으로서, 도전성 분말과 실리콘 고무 간의 결합을 보다 견고히 할 수 있다.In addition, in forming the conductive mixture, by bonding the liquid adhesion primers together to form the conductive mixture, the bond between the conductive powder and the silicone rubber can be further strengthened.

상기와 같이 도전성 혼합액이 마련되면, 도전성 혼합액을 열경화시켜, 도 3에 도시된 바와 같은 형상의 양방향 도전성 시트(100)를 제작한다. 여기서, 도 3에 도시된 양방향 도전성 시트(100)의 형성은 도전성 혼합액을 금형에 주입한 후, 열경화시킴으로써 제작될 수 있다.When the conductive mixed liquid is provided as described above, the conductive mixed liquid is thermoset to produce a bidirectional conductive sheet 100 having a shape as shown in FIG. 3. Here, the bidirectional conductive sheet 100 shown in FIG. 3 may be formed by injecting a conductive mixture into a mold and then thermosetting.

그런 다음, 양방향 도전성 시트(100)의 제작이 완료되면, 양방향 도전성 시트(100)를 단위 크기로 절단하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 단위 패턴 시트(100')를 제작한다. 여기서, 양방향 도전성 시트(100)는 레이저를 이용하여 절단할 수 있으며, 이외에도 다른 물리적 또는 화학적 절단 방법을 통해 절단 가능함은 물론이다.Then, when fabrication of the bidirectional conductive sheet 100 is completed, the bidirectional conductive sheet 100 is cut to a unit size, and as illustrated in FIG. 4, a plurality of unit pattern sheets 100 ′ are manufactured. Here, the bidirectional conductive sheet 100 may be cut using a laser, and in addition to the bidirectional conductive sheet 100, may be cut by other physical or chemical cutting methods.

그리고, 복수의 단위 패턴 시트가 상호 이격되어 배치된 상태로 복수의 단위 패턴 시트(100') 사이를 전기적 절연 재질로 채워, 도 5에 도시된 바와 같이, 절연성 지지체(11)를 형성함으로써, 반도체 테스트 소켓(10)이 제작된다. 여기서, 절연성 지지체(11)를 형성하기 위한 전기적 절연 재질로는 실리콘 고무 재질 또는 플라스틱 재질이 사용될 수 있다.Then, as the plurality of unit pattern sheets are spaced apart from each other, the plurality of unit pattern sheets 100 ′ are filled with an electrically insulating material, and as shown in FIG. 5, the insulating support 11 is formed to form a semiconductor. The test socket 10 is made. Here, a silicon rubber material or a plastic material may be used as an electrically insulating material for forming the insulating support 11.

상기와 같이, 양방향 도전성 시트(100)를 반도체 테스트 소켓(10)에 형성되는 도전 패턴의 사이즈에 맞게 절단하고, 절단된 단위 패턴 시트(100')의 배치를 다양화하여 제작 가능하게 됨으로서, 다양한 도전 패턴을 갖는 반도체 테스트 소켓(10)의 제작이 가능하게 되어, 반도체 소자(3)에 형성된 다양한 단자(3a) 형상에 맞게 반도체 테스트 소켓(10)의 제작이 가능하게 된다.As described above, the bidirectional conductive sheet 100 may be cut to fit the size of the conductive pattern formed in the semiconductor test socket 10, and the arrangement of the cut unit pattern sheet 100 ′ may be diversified. Since the semiconductor test socket 10 having the conductive pattern can be manufactured, the semiconductor test socket 10 can be manufactured to match the shape of the various terminals 3a formed on the semiconductor device 3.

이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(10)에 대해 설명한다. 이하에서 설명할 반도체 테스트 소켓(10)은 단위 패턴 시트(100')를 형성하기 위해 양방향 도전성 다층 시트(300,300a,300b,300c,300d)가 적용되는 것을 예로 한다.
Hereinafter, a semiconductor test socket 10 according to another embodiment of the present invention will be described. In the semiconductor test socket 10 to be described below, the bidirectional conductive multilayer sheets 300, 300a, 300b, 300c, and 300d are applied to form the unit pattern sheet 100 ′.

제1 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트Bidirectional conductive multilayer sheet according to the first embodiment

본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트는, 도 6에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 제1 양방향 도전성 시트와 적어도 하나의 제2 양방향 도전성 시트가 교대로 적층되어 형성된다.In the bidirectional conductive multilayer sheet according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 6, at least one first bidirectional conductive sheet and at least one second bidirectional conductive sheet are alternately stacked.

도 6에서는 2개씩의 제1 양방향 도전성 시트 및 제2 양방향 도전성 시트가 교대로 적층되는 것을 예로 하고 있으며, 또한 하부로부터 제2 양방향 도전성 시트, 제1 양방향 도전성 시트, 제2 양방향 도전성 시트 및 제2 양방향 도전성 시트가 순차적으로 적층된 것을 예로 하고 있다.In FIG. 6, the two first bidirectional conductive sheets and the second bidirectional conductive sheets are alternately stacked, and the second bidirectional conductive sheet, the first bidirectional conductive sheet, the second bidirectional conductive sheet, and the second bidirectional conductive sheet are alternately stacked from the bottom. It is assumed that the bidirectional conductive sheets are sequentially stacked.

여기서, 본 발명에 따른 양방향 도전성 다층 시트를 구성하는 제1 양방향 도전성 시트는 상술한 양방향 도전성 시트가 적용되는 것을 예로 한다. 보다 구체적으로 설명하면, 상술한 바와 같은 제조방법으로 제작된 양방향 도전성 시트, 즉 제1 양방향 도전성 시트는 실리콘 고무 재질의 시트 본체와, 시트 본체 내부에 분포되어 제1 양방향 도전성 시트에 도전성을 형성하는 도전성 분말을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 양방향 도전성 시트는 상술한 바와 같이, 액상의 접착성 프라이머와 함께 혼합된 도전성 혼합액을 통해 제조 가능하며 제1 양방향 도전성 시트의 제조 방법은 상술한 바와 같은 바 그 상세한 설명은 생략한다.Here, the first bidirectional conductive sheet constituting the bidirectional conductive multilayer sheet according to the present invention is an example that the above-mentioned bidirectional conductive sheet is applied. In more detail, the bidirectional conductive sheet, that is, the first bidirectional conductive sheet manufactured by the manufacturing method as described above, is distributed in the sheet main body of the silicon rubber material and the sheet main body to form conductivity in the first bidirectional conductive sheet. It may include a conductive powder. Here, as described above, the first bidirectional conductive sheet may be manufactured through the conductive mixed solution mixed with the liquid adhesive primer, and the method of manufacturing the first bidirectional conductive sheet is as described above, and thus the detailed description thereof will be omitted.

한편, 제2 양방향 도전성 시트는, 도 6에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110a), 도전성 금속부(130a) 및 절연성 탄성부(140a)를 포함할 수 있다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 6, the second bidirectional conductive sheet may include a base structure part 110a, a conductive metal part 130a, and an insulating elastic part 140a.

베이스 구조부(110a)는 3차원의 망상 구조를 갖는다. 여기서, 3차원의 망상 구조는 규칙적 또는 불규칙적으로 내부에 구멍 또는 공간이 형성되어 있는 형태를 말하며, 구멍 또는 공간은 베이스 구조부(110a)의 외부까지 연장되어 형성된다.The base structure 110a has a three-dimensional network structure. Here, the three-dimensional network structure refers to a form in which a hole or a space is formed therein regularly or irregularly, the hole or space is formed to extend to the outside of the base structure (110a).

그리고, 3차원의 망상 구조의 내부 구멍 또는 공간은 서로 규칙적 또는 불규칙적으로 연결된다. 즉, 베이스 구조부(110a)의 상부와 하부는 공간적으로 연통된 상태를 갖게 된다.The inner holes or spaces of the three-dimensional network structure are regularly or irregularly connected to each other. In other words, the upper and lower portions of the base structure 110a are in spatial communication.

본 발명에 따른 베이스 구조부(110a)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 빈 공간인 다수의 오픈 셀(140')(Open cell)이 형성되어 3차원 망상 구조를 형성하는 스펀지 형태로 마련되는 것을 예로 한다. 여기서, 도 6에서는 베이스 구조부(110a)의 단면을 도시하고 있어, 오픈 셀(140')이 상호 연결되지 않은 형태로 도시되어 있으나, 실제 입체적으로 접근하는 경우, 오픈 셀(140')들이 상호 연통되어 있다.As shown in FIG. 7, the base structure 110a according to the present invention is provided in a sponge form in which a plurality of open cells 140 '(open cells) which are empty spaces are formed to form a three-dimensional network structure. Yes. Here, in FIG. 6, the cross section of the base structure 110a is illustrated so that the open cells 140 'are not connected to each other. However, when the three-dimensional approach is actually performed, the open cells 140' are in communication with each other. It is.

따라서, 후술할 도전성 금속부(130a)가 베이스 구조부(110a) 전체 표면, 즉 오픈 셀(140')을 형성하는 내부 표면을 포함하는 전체 표면이 도전성 금속부(130a)로 코팅되는 경우, 상하 방향, 즉 두께 방향으로 전기적으로 도통될 수 있다. 본 명세서에서 표현되는 '전체 표면'은 베이스 구조부(110a) 외부 표면만을 의미하지 않고, 내부의 3차원 망상 구조를 형상하는 내부 표면을 모두 포함하는 의미로 사용된다.Therefore, when the conductive metal portion 130a to be described later is coated with the conductive metal portion 130a when the entire surface including the entire surface of the base structure portion 110a, that is, the inner surface forming the open cell 140 'is coated with the conductive metal portion 130a, That is, it can be electrically conducted in the thickness direction. The term "total surface" as used herein does not mean only the outer surface of the base structure 110a, but is used to include all inner surfaces that form an inner three-dimensional network structure.

도전성 금속부(130a)는 베이스 구조부(110a)의 3차원 망상 구조의 전체 표면을 도포한다. 여기서, 도전성 금속부(130a)가 베이스 구조부(110a)의 전체 표면을 도포함으로써, 베이스 구조부(110a)에 도전성이 부여된다. 즉, 상술한 바와 같이 베이스 구조부(110a)에 형성되는 3차원의 망상 구조 상의 내부 공간은 베이스 구조부(110a)의 상부와 하부가 공간적으로 연통되도록 형성되는 바, 그 전체 표면에 도전성 금속부(130a)를 형성하게 되면, 베이스 구조부(110a) 전체가 전기적인 도전체를 형성하게 된다.The conductive metal portion 130a covers the entire surface of the three-dimensional network structure of the base structure portion 110a. Here, electroconductivity is provided to the base structure part 110a by apply | coating the whole surface of the base structure part 110a by the conductive metal part 130a. That is, as described above, the inner space on the three-dimensional network structure formed in the base structure 110a is formed such that the upper and lower portions of the base structure 110a are spatially communicated, and the conductive metal portion 130a is formed on the entire surface thereof. ), The entire base structure 110a forms an electrical conductor.

여기서, 본 발명에 따른 제2 양방향 도전성 시트(100a)는 베이스 구조부(110a)의 전체 표면에 코팅되어 베이스 구조부(110a)의 전체 표면과 도전성 금속부(130a) 사이에 형성되는 금속 재질의 보강부(120a)를 더 포함할 수 있다.Here, the second bidirectional conductive sheet 100a according to the present invention is coated on the entire surface of the base structure 110a and is a reinforcing part of a metal material formed between the entire surface of the base structure 110a and the conductive metal portion 130a. It may further include 120a.

본 발명에서는 보강부(120a)는 니켈 또는 구리 재질의 도금을 통해 형성되는 것을 예로 하며, 보강부(120a)의 도금 후에 금 도금을 통해 도전성 금속부(130a)를 형성하는 것을 예로 한다.In the present invention, the reinforcement part 120a is formed by plating of nickel or copper, for example, and the conductive metal part 130a is formed by gold plating after plating of the reinforcement part 120a.

한편, 절연성 탄성부(140a)는 전기적인 절연 재질로 마련되며, 도 6에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110a)의 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채운다. 여기서, 절연성 탄성부(140a)는 전기적인 절연 재질인 실리콘 고무 재질로 마련되는 것을 예로 한다. 이에 따라, 스펀지 형태의 베이스 구조부(110a)가 일정 정도의 힘을 유지하면서 탄성을 갖는 시트 형태를 유지할 수 있게 된다.On the other hand, the insulating elastic portion 140a is provided with an electrically insulating material, as shown in Figure 6, fill the empty space of the three-dimensional network structure of the base structure portion (110a). Here, the insulating elastic portion 140a is an example of being provided with a silicon rubber material which is an electrical insulating material. Accordingly, the sponge-based base structure 110a can maintain a sheet form having elasticity while maintaining a predetermined force.

이하에서는, 상기와 같은 구성을 갖는 제2 양방향 도전성 시트(100a)의 제조 과정을 도 6 내지 도 9를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of the second bidirectional conductive sheet 100a having the above configuration will be described with reference to FIGS. 6 to 9.

먼저, 도 7에 도시된 바와 같이 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부(110a)를 형성한다. 그런 다음, 베이스 구조부(110a)의 전체 표면, 즉 3차원의 망상 구조 내부 표면을 포함하는 전체 표면에 도전성 금속부(130a)를 형성한다. First, as shown in FIG. 7, the base structure 110a having a three-dimensional network structure is formed. Then, the conductive metal portion 130a is formed on the entire surface of the base structure 110a, that is, the entire surface including the three-dimensional network structure inner surface.

여기서, 본 발명에서는 도 8에 도시된 바와 같이, 도전성 금속부(130a)의 형성 전에 베이스 구조부(110a)의 전체 표면을 금속 재질로 코팅하여 보강부(120a)를 형성한다. 그리고, 보강부(120a)는 니켈 또는 구리를 이용한 도금을 통해 형성된다.Here, in the present invention, as shown in Figure 8, before the formation of the conductive metal portion 130a, the entire surface of the base structure 110a is coated with a metal material to form the reinforcement portion 120a. In addition, the reinforcement part 120a is formed by plating using nickel or copper.

그런 다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 보강부(120a)의 표면에 금 도금을 통해 도전성 금속부(130a)를 형성하게 된다. 이와 같이, 베이스 구조부(110a)에 형성된 3차원의 망상 구조의 전체 표면이 도전체인 금으로 도금되어 베이스 구조부(110a) 전체가 전기가 도통되는 도전체가 된다.Then, as shown in FIG. 9, the conductive metal portion 130a is formed on the surface of the reinforcement portion 120a through gold plating. In this way, the entire surface of the three-dimensional network structure formed on the base structure 110a is plated with gold, which is a conductor, so that the entire base structure 110a becomes a conductor in which electricity is conducted.

상기와 같이 베이스 구조부(110a)에 보강부(120a)와 도전성 금속부(130a)를 순차적으로 형성한 후, 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 전기적인 절연 재질로 충전하여 절연성 탄성부(140a)를 형성함으로서, 도 6에 도시된 바와 같은 제2 양방향 도전성 시트(100a)의 제작이 완료된다.As described above, the reinforcement part 120a and the conductive metal part 130a are sequentially formed in the base structure part 110a, and the empty space of the three-dimensional network structure is filled with an electrically insulating material to form the insulating elastic part 140a. Formation of the second bidirectional conductive sheet 100a as shown in FIG. 6 is completed.

여기서, 절연성 탄성부(140a)는 3차원 망상 구조의 빈 공간을 채움으로서 양방향 도전성 시트(100a)의 전기 전도성에는 영향을 미치지 않고, 절연성 탄성부(140a)가 갖는 탄성의 정도에 따라 제2 양방향 도전성 시트(100a)의 탄성의 정도를 결정할 수 있게 된다.Here, the insulating elastic part 140a fills the empty space of the three-dimensional network structure, and thus does not affect the electrical conductivity of the bidirectional conductive sheet 100a, and according to the degree of elasticity of the insulating elastic part 140a, the second bidirectional direction. The degree of elasticity of the conductive sheet 100a can be determined.

전술한 실시예에서는 본 발명에 따른 제2 양방향 도전성 시트(100a)의 베이스 구조부(110a)가, 도 6에 도시된 바와 같이, 3차원 망상 구조가 형성된 스펀지 형태로 마련되는 것을 예로 하여 설명하였다. 이외에도 베이스 구조부(110a)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 내부 공간이 형성되도록 다수의 미세 와이어가 엉켜 3차원 망상 구조를 형성하도록 마련될 수 있다. 도 10의 (a)는 미세 와이어가 엉켜 형성된 3차원 망상 구조를 확대 촬영한 도면이고, 도 10의 (b)는 (a)를 보다 높은 배율로 확대 촬영한 도면이다.In the above-described embodiment, the base structure 110a of the second bidirectional conductive sheet 100a according to the present invention has been described as an example in which a sponge having a three-dimensional network structure is formed, as shown in FIG. 6. In addition, as shown in FIG. 10, the base structure 110a may be provided to form a three-dimensional network structure in which a plurality of fine wires are entangled to form an internal space. FIG. 10A is an enlarged image of a three-dimensional network structure in which fine wires are entangled, and FIG. 10B is an enlarged image of (a) at a higher magnification.

여기서, 미세 와이어의 재질은 우레탄, 폴리 우레탄과 같은 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르와 같은 플라스틱 재질이나, 스테인리스 재질, 또는 구리 재질 등과 같이, 미세 와이어의 형성이 가능한 다양한 재질로 마련될 수 있다.Here, the material of the fine wire may be provided with a variety of materials capable of forming a fine wire, such as a plastic material such as urethane, polyurethane, a plastic material such as silicon, polyester, a stainless steel material, or a copper material.

그리고, 미세 와이어에 의해 베이스 구조부가 형성되면, 상술한 바와 같은 보강부(120a) 및 도전성 금속부(130a)이 순차적으로 도금되어 형성되는 경우 양방향 전기 전도성을 갖게 되며, 미세 와이어 간의 공간에 절연성 탄성층이 형성됨으로써, 제2 양방향 도전성 시트(100a)의 제작이 가능하게 된다.
When the base structure is formed by the fine wire, when the reinforcement part 120a and the conductive metal part 130a as described above are sequentially plated and formed, the base structure part has bidirectional electrical conductivity, and has an insulating elasticity in the space between the fine wires. By forming the layer, the second bidirectional conductive sheet 100a can be manufactured.

제2 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트Bidirectional conductive multilayer sheet according to a second embodiment

도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300a)의 구성을 도시한 도면이다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300a)는 제1 양방향 도전성 시트(100)와 제2 양방향 도전성 시트(100a)의 적층 순서가 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300)와 상이하다.11 is a diagram showing the configuration of a bidirectional conductive multilayer sheet 300a according to a second embodiment of the present invention. In the bidirectional conductive multilayer sheet 300a according to the second embodiment of the present invention, the stacking order of the first bidirectional conductive sheet 100 and the second bidirectional conductive sheet 100a is the bidirectional conductive multilayer sheet 300 according to the first embodiment. )

도 11을 참조하여 설명하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300a)는 하부로부터 제1 양방향 도전성 시트(100), 제2 양방향 도전성 시트(100a), 제1 양방향 도전성 시트(100) 및 제2 양방향 도전성 시트(100a)가 순차적으로 적층된 것을 예로 하고 있다. 여기서, 제1 양방향 도전성 시트(100) 및 제2 양방향 도전성 시트(100a)의 구성은 제1 실시예에 대응하는 바 그 상세한 설명은 생략한다.
Referring to FIG. 11, the bidirectional conductive multilayer sheet 300a according to the second exemplary embodiment of the present invention may include a first bidirectional conductive sheet 100, a second bidirectional conductive sheet 100a, and a first bidirectional conductive sheet from below. It is assumed that 100 and the second bidirectional conductive sheet 100a are sequentially stacked. Here, the configurations of the first bidirectional conductive sheet 100 and the second bidirectional conductive sheet 100a correspond to the first embodiment, and thus detailed description thereof will be omitted.

제3 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트Bidirectional conductive multilayer sheet according to a third embodiment

도 12은 본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300b)의 구성을 도시한 도면이다. 여기서, 본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300b)를 설명하는데 있어, 제1 실시예에 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하여 설명하며, 그 설명은 생략할 수 있다.12 is a diagram illustrating a configuration of a bidirectional conductive multilayer sheet 300b according to a third embodiment of the present invention. Here, in describing the bidirectional conductive multilayer sheet 300b according to the third embodiment of the present invention, components corresponding to the first embodiment will be described using the same reference numerals, and description thereof may be omitted. .

본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300b)는 양방향 도전성 다층 시트(300b)의 상부 표면 및 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되는 도전성 메쉬층(150)을 포함할 수 있다. 여기서, 도 12에서는 양방향 도전성 다층 시트(300b)의 상부 표면, 즉 양방향 도전성 다층 시트(300b)의 최상부 층을 형성하는 제1 양방향 도전성 시트(100)의 표면에만 도전성 메쉬층(150)이 형성되는 것을 예로 하고 있다.
The bidirectional conductive multilayer sheet 300b according to the third exemplary embodiment of the present invention may include a conductive mesh layer 150 formed on one or both sides of an upper surface and a lower surface of the bidirectional conductive multilayer sheet 300b. Here, in FIG. 12, the conductive mesh layer 150 is formed only on the upper surface of the bidirectional conductive multilayer sheet 300b, that is, the surface of the first bidirectional conductive sheet 100 forming the uppermost layer of the bidirectional conductive multilayer sheet 300b. For example.

한편, 본 발명에 따른 도전성 메쉬층(150)은 2차원의 망상 구조를 갖는다. 도 12를 참조하여 설명하면, 도전성 메쉬층(150)은 2차원의 망상 구조를 갖는 2 이상의 메쉬(150a)가 적층되고, 적층된 메쉬(150a) 사이와 각각의 메쉬(150a)에 형성된 2차원의 망상 구조 사이에 도전성 혼합액(150b)이 충진 및 경화되어 형성된다. 여기서, 도전성 혼합액(150a)은 도전성 분말과, 실리콘 고무가 혼합되어 마련될 수 있으며, 상술한 바와 같이 접착용 프라이머가 함께 혼합될 수 있음은 물론이다.On the other hand, the conductive mesh layer 150 according to the present invention has a two-dimensional network structure. 12, two or more meshes 150a having a two-dimensional network structure are stacked, and the two-dimensional conductive mesh layer 150 is formed between the stacked meshes 150a and each of the meshes 150a. The conductive mixed liquid 150b is filled and cured between the network structures of. Here, the conductive mixed solution 150a may be provided by mixing conductive powder and silicon rubber, and of course, the primer for adhesion may be mixed together as described above.

이와 같이, 양방향 도전성 다층 시트(300b)의 상부 표면 및/또는 하부 표면에 도전성 메쉬층(150)을 형성함으로써, 양방향 도전성 다층 시트(300b)의 최상부 또는 최하부에 제1 양방향 도전성 시트(100), 즉 도전성 분말을 통해 도전성을 형성하는 양방향 도전성 시트(100)가 마련되는 경우, 도전성 메쉬층(150)에 의해 도전성 분말의 이탈이 방지되어, 양방향 도전성 다층 시트(300b)가 반도체 테스트 소켓(10)의 도전 패턴을 형성하더라도 도전성 분말의 이탈에 의한 수명 저하 및 접속 불량을 제거할 수 있게 된다.Thus, by forming the conductive mesh layer 150 on the upper surface and / or lower surface of the bi-directional conductive multilayer sheet 300b, the first bi-directional conductive sheet 100, That is, when the bidirectional conductive sheet 100 for forming conductivity through the conductive powder is provided, the separation of the conductive powder is prevented by the conductive mesh layer 150, so that the bidirectional conductive multilayer sheet 300b is the semiconductor test socket 10 Even if the conductive pattern is formed, it is possible to eliminate the decrease in lifespan and poor connection due to separation of the conductive powder.

여기서, 도전성 메쉬층(150)이 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300b)에 형성되는 것을 예로 하여 설명하였으나, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300,300a,300c,300d)에도 도전성 메쉬층(150)이 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 양방향 도전성 시트(100)가 단독으로 단위 패턴 시트(100')를 형성하는 경우에도, 양방향 도전성 시트(100)의 상부 표면 및/또는 하부 표면에 도전성 메쉬층(150)이 형성될 수 있음은 물론이다.
Here, the conductive mesh layer 150 is formed on the bidirectional conductive multilayer sheet 300b according to the third embodiment as an example, but the bidirectional conductive multilayer sheets 300, 300a, 300c, Of course, the conductive mesh layer 150 may also be formed on 300d). In addition, as shown in FIG. 3, even when the bidirectional conductive sheet 100 forms the unit pattern sheet 100 ′ alone, a conductive mesh layer is formed on the upper surface and / or the lower surface of the bidirectional conductive sheet 100. Of course, 150 may be formed.

제4 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트Bidirectional conductive multilayer sheet according to a fourth embodiment

도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300c)의 구성을 도시한 도면이다. 여기서, 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300c)를 설명하는데 있어, 제1 실시예에 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하여 설명하며, 그 설명은 생략할 수 있다.13 is a diagram showing the configuration of a bidirectional conductive multilayer sheet 300c according to a fourth embodiment of the present invention. Here, in describing the bidirectional conductive multilayer sheet 300c according to the fourth embodiment of the present invention, the components corresponding to the first embodiment will be described using the same reference numerals, and description thereof may be omitted. .

본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300c)를 구성하는 제2 양방향 도전성 시트(100b)는, 도 13에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110a), 도전성 금속부(130a) 및 도전성 충진부(140b)를 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300c)를 구성하는 제2 양방향 도전성 시트(100b)는 보강부(120a)를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 13, the second bidirectional conductive sheet 100b constituting the bidirectional conductive multilayer sheet 300c according to the fourth embodiment of the present invention includes a base structure 110a, a conductive metal portion 130a, and The conductive filler 140b may be included. In addition, the second bidirectional conductive sheet 100b constituting the bidirectional conductive multilayer sheet 300c according to the fourth embodiment of the present invention may further include a reinforcing portion 120a.

여기서, 본 발명의 제4 실시예에 따른 제2 양방향 도전성 시트(100b)의 베이스 구조부(110a), 도전성 금속부(130a) 및 보강부(120a)의 구성은 상술한 제1 실시예의 구성에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.Here, the configuration of the base structure portion 110a, the conductive metal portion 130a, and the reinforcement portion 120a of the second bidirectional conductive sheet 100b according to the fourth embodiment of the present invention corresponds to the configuration of the first embodiment described above. The detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 제4 실시예에 따른 제2 양방향 도전성 시트(100b)는, 제1 실시예와 달리, 베이스 구조부(110a)의 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 비도전성의 절연성 탄성부(140a)가 형성되지 않고, 도전성 충진부(140b)가 형성된다. 즉, 본 발명의 제4 실시예에 따른 제2 양방향 도전성 시트(100b)에서는 도전성 분말을 포함하는 도전성 충진부(140b)가 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 채워져 형성됨으로써, 도전성 충진부(140b) 자체가 도전체로서의 기능을 수행하게 된다.Unlike the first embodiment, the second bidirectional conductive sheet 100b according to the fourth embodiment of the present invention has a non-conductive insulating elastic portion 140a in the empty space of the three-dimensional network structure of the base structure portion 110a. Is not formed, and the conductive filler 140b is formed. That is, in the second bi-directional conductive sheet 100b according to the fourth embodiment of the present invention, the conductive filler 140b including the conductive powder is filled in the empty space of the three-dimensional network structure, thereby forming the conductive filler 140b. ) Itself serves as a conductor.

따라서, 베이스 구조부(110a)의 전체 표면, 즉 3차원 망상 구조의 전체 표면에 도금된 도전성 금속부(130a)에 의해 베이스 구조부(110a)에 도전성이 형성되는 것에 더하여, 베이스 구조부(110a)의 3차원 망상 구조 내부를 채우는 도전성 충진부(140b)에 의해서도 도전성이 형성됨으로써, 제2 양방향 도전성 시트(100b)의 도전성을 높일 수 있게 된다.Accordingly, in addition to the electroconductivity being formed on the base structure portion 110a by the conductive metal portion 130a plated on the entire surface of the base structure portion 110a, that is, the entire surface of the three-dimensional network structure, Conductive is also formed by the conductive filler 140b filling the inside of the dimensional network structure, thereby increasing the conductivity of the second bidirectional conductive sheet 100b.

또한, 도전성 충진부(140a)를 도전성 분말과 실리콘 고무를 혼합하여 사용함으로써, 실리콘 고무에 의한 탄성의 부가가 가능하게 되어 제1 실시예에 따른 절연성 탄성부(140a)가 제공하는 탄성적 성질도 가질 수 있게 된다.
In addition, by using the conductive filler 140a in combination with the conductive powder and the silicone rubber, elasticity can be added by the silicone rubber, and the elastic properties provided by the insulating elastic portion 140a according to the first embodiment are also provided. I can have it.

제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트Bidirectional conductive sheet according to a fifth embodiment

이하에서는 도 14를 참조하여 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300c)에 대해 상세히 설명한다. 여기서, 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300c)는 제4 실시예의 변형된 실시 형태이다.Hereinafter, the bidirectional conductive multilayer sheet 300c according to the fifth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 14. Here, the bidirectional conductive multilayer sheet 300c according to the fifth embodiment of the present invention is a modified embodiment of the fourth embodiment.

본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300c)를 형성하는 제2 양방향 도전성 시트(100c)는, 도 14에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110a) 및 도전성 충진부(140b)를 포함할 수 있다. 즉, 본 발명의 제5 실시예에 따른 제2 양방향 도전성 시트(100c)는 제4 실시예에서의 도전성 금속부(130a) 및 보강부(120a)가 제거된 상태, 즉 베이스 구조부(110a) 상태에서 도전성 충진부(140b)가 형성되는 것을 예로 하고 있다.As shown in FIG. 14, the second bidirectional conductive sheet 100c forming the bidirectional conductive multilayer sheet 300c according to the fifth embodiment of the present invention includes the base structure 110a and the conductive filler 140b. It may include. That is, in the second bidirectional conductive sheet 100c according to the fifth embodiment of the present invention, the conductive metal portion 130a and the reinforcement portion 120a of the fourth embodiment are removed, that is, the base structure portion 110a. In this example, the conductive filler 140b is formed.

따라서, 본 발명의 제5 실시예에 따른 제2 양방향 도전성 시트(100c)에서는 베이스 구조부(110a)의 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 채워지는 도전성 충진부(140a)가 제2 양방향 도전성 시트(100c) 전체에 도전성을 부가하도록 마련된다. 여기서, 본 발명의 제5 실시예에 따른 제2 양방향 도전성 시트(100c)의 도전성 충진부(140b)의 구성은 제4 실시예에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.
Therefore, in the second bidirectional conductive sheet 100c according to the fifth embodiment of the present invention, the conductive filler 140a filled in the empty space of the three-dimensional network structure of the base structure 110a includes the second bidirectional conductive sheet ( 100c) is provided to add conductivity to the whole. Here, the configuration of the conductive filler 140b of the second bidirectional conductive sheet 100c according to the fifth embodiment of the present invention corresponds to the fourth embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

한편, 본 발명의 실시예들에 따른 양방향 도전성 시트(100) 또는 양방향 도전성 다층 시트(300,300a,300b,300c,300d)의 두께, 즉 상하 방향으로의 길이는 0.1mm~ 6mm로 형성되는 것을 예로 한다. 따라서, 상술한 실시예들에 따른 양방향 도전성 시트(100) 또는 양방향 도전성 다층 시트(300,300a,300b,300c,300d)로 단위 패턴 시트(100')를 형성하는 경우 반도체 테스트 소켓(10)의 두께가 0.1mm~ 6mm로 형성 가능하게 된다.On the other hand, the thickness of the bi-directional conductive sheet 100 or the bi-directional conductive multilayer sheet (300,300a, 300b, 300c, 300d) according to the embodiments of the present invention, that is, the length in the vertical direction is formed to 0.1mm ~ 6mm as an example do. Therefore, the thickness of the semiconductor test socket 10 when the unit pattern sheet 100 ′ is formed of the bidirectional conductive sheet 100 or the bidirectional conductive multilayer sheets 300, 300a, 300b, 300c, and 300d according to the above-described embodiments. It can be formed into 0.1mm ~ 6mm.

따라서, 종래의 PCR 타입의 반도체 테스트 소켓이 그 특성상 두께의 제약을 받아 포고 타입의 테스트 소켓을 사용하여야 했던 문제점이 해소되어, 기존의 포고 타입의 반도체 테스트 소켓 및 PCR 타입의 반도체 테스트 소켓이 적용되었던 모든 분야에 본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓(10)이 적용 가능하게 된다.Therefore, the problem of having to use the pogo type test socket due to the thickness constraint of the conventional PCR type semiconductor test socket is solved, and the conventional pogo type semiconductor test socket and the PCR type semiconductor test socket have been applied. The semiconductor test socket 10 according to the present invention can be applied to all fields.

비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
Although several embodiments of the present invention have been shown and described, those skilled in the art will appreciate that various modifications may be made without departing from the principles and spirit of the invention . It is intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.

1 : 반도체 테스트 장치 10 : 반도체 테스트 소켓
11 : 절연성 지지체 12 : 도전 패턴부
100' : 단위 패턴 시트 100 : 양방향 도전성 시트
300, 300a, 300b, 300c, 300d : 양방향 도전성 다층 시트1: semiconductor test apparatus 10: semiconductor test socket
11 insulating support 12 conductive pattern portion
100 ': unit pattern sheet 100: bidirectional conductive sheet
300, 300a, 300b, 300c, 300d: Bidirectional Conductive Multilayer Sheet

Claims (17)

반도체 테스트 소켓의 제조방법에 있어서,
(a) 도전성 분말과 액상의 실리콘 고무를 혼합하여 도전성 혼합액을 마련하는 단계와;
(b) 상기 도전성 혼합액을 열경화시켜 양방향 도전성 시트를 제작하는 단계와;
(c) 상기 양방향 도전성 시트를 단위 크기로 절단하여 복수의 단위 패턴 시트를 제작하는 단계와;
(d) 상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호 이격되어 배치된 상태에서 상기 복수의 단위 패턴 시트 사이를 전기적 절연 재질로 채워 절연성 지지체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.In the method of manufacturing a semiconductor test socket,
(a) mixing the conductive powder and the liquid silicone rubber to prepare a conductive mixed liquid;
(b) thermosetting the conductive liquid mixture to produce a bidirectional conductive sheet;
(c) cutting the bidirectional conductive sheet into unit sizes to produce a plurality of unit pattern sheets;
and (d) forming an insulating support by filling the plurality of unit pattern sheets with an electrically insulating material in a state where the plurality of unit pattern sheets are spaced apart from each other. 제1항에 있어서,
상기 (d) 단계에서 상기 전기적 절연 재질은 실리콘 고무 재질 또는 플라스틱 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.The method of claim 1,
In the step (d), the electrically insulating material is a manufacturing method of a semiconductor test socket, characterized in that the silicon rubber material or a plastic material. 제1항에 있어서,
상기 (a) 단계에서 상기 도전성 혼합액은 액상의 접착용 프라이머가 함께 혼합되어 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.The method of claim 1,
In the step (a), the conductive mixed solution is a manufacturing method of a semiconductor test socket, characterized in that the liquid adhesion primer is prepared by mixing together. 제1항에 있어서,
상기 (b) 단계에서 상기 도전성 혼합액은 금형에 주입된 상태로 열경화되어 상기 양방향 도전성 시트로 제작되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.The method of claim 1,
The method of manufacturing a semiconductor test socket, characterized in that in the step (b) the conductive liquid mixture is thermally cured while being injected into a mold to produce the bidirectional conductive sheet. 제1항에 있어서,
(e) 상기 (c) 단계의 수행 전에 상기 양방향 도전성 시트의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 2차원의 망상 구조를 갖는 적어도 한 층의 도전성 메쉬층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.The method of claim 1,
(e) forming at least one conductive mesh layer having a two-dimensional network structure on either or both of the upper surface and the lower surface of the bidirectional conductive sheet before performing the step (c). A method of manufacturing a semiconductor test socket. 제5항에 있어서,
상기 도전성 메쉬층은 2차원의 망상 구조를 갖는 적어도 2 이상의 메쉬가 적층되고, 상기 메쉬 사이와 상기 각 메쉬의 2차원의 망상 구조 사이에 도전성 분말과 실리콘 고무가 혼합된 도전성 혼합액이 충진 및 경화되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.The method of claim 5,
The conductive mesh layer is laminated with at least two or more meshes having a two-dimensional network structure, and the conductive mixed liquid mixed with conductive powder and silicone rubber is filled and cured between the meshes and the two-dimensional network structure of each mesh. Method for manufacturing a semiconductor test socket, characterized in that formed. 양방향 도전성 다층 시트에 있어서,
적어도 하나의 제1 양방향 도전성 시트와 적어도 하나의 제2 양방향 도전성 시트가 교대로 적층되어 형성되며;
상기 제1 양방향 도전성 시트는,
실리콘 고무 재질의 시트 본체와,
상기 시트 본체 내부에 분포되어 상기 제1 양방향 도전성 시트에 도전성을 형성하는 도전성 분말을 포함하고;
상기 제2 양방향 도전성 시트는,
3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와,
상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와,
전기적인 절연 재질로 마련되어 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채우는 절연성 탄성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트.In the bidirectional conductive multilayer sheet,
At least one first bidirectional conductive sheet and at least one second bidirectional conductive sheet are alternately stacked;
The first bidirectional conductive sheet,
The seat body of the silicon rubber material,
A conductive powder distributed inside the sheet body to form conductivity in the first bidirectional conductive sheet;
The second bidirectional conductive sheet,
A base structure having a three-dimensional network structure,
A conductive metal portion for coating the surface of the three-dimensional network structure of the base structure portion;
Bidirectional conductive multilayer sheet provided with an electrically insulating material comprising an insulating elastic portion to fill the empty space of the three-dimensional network structure. 양방향 도전성 다층 시트에 있어서,
적어도 하나의 제1 양방향 도전성 시트와 적어도 하나의 제2 양방향 도전성 시트가 교대로 적층되어 형성되며;
상기 제1 양방향 도전성 시트는,
실리콘 고무 재질의 시트 본체와,
상기 시트 본체 내부에 분포되어 상기 제1 양방향 도전성 시트에 도전성을 형성하는 도전성 분말을 포함하고;
상기 제2 양방향 도전성 시트는,
3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와,
상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와,
도전성 분말이 포함되어 마련되며, 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 충진되는 도전성 충진부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트.In the bidirectional conductive multilayer sheet,
At least one first bidirectional conductive sheet and at least one second bidirectional conductive sheet are alternately stacked;
The first bidirectional conductive sheet,
The seat body of the silicon rubber material,
A conductive powder distributed inside the sheet body to form conductivity in the first bidirectional conductive sheet;
The second bidirectional conductive sheet,
A base structure having a three-dimensional network structure,
A conductive metal portion for coating the surface of the three-dimensional network structure of the base structure portion;
A bidirectional conductive multilayer sheet including conductive powder, wherein the conductive powder is filled in an empty space of the three-dimensional network structure. 양방향 도전성 다층 시트에 있어서,
적어도 하나의 제1 양방향 도전성 시트와 적어도 하나의 제2 양방향 도전성 시트가 교대로 적층되어 형성되며;
상기 제1 양방향 도전성 시트는,
실리콘 고무 재질의 시트 본체와,
상기 시트 본체 내부에 분포되어 상기 제1 양방향 도전성 시트에 도전성을 형성하는 도전성 분말을 포함하고;
상기 제2 양방향 도전성 시트는,
3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와,
도전성 분말이 포함되어 마련되며, 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 충진되는 도전성 충진부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트.In the bidirectional conductive multilayer sheet,
At least one first bidirectional conductive sheet and at least one second bidirectional conductive sheet are alternately stacked;
The first bidirectional conductive sheet,
The seat body of the silicon rubber material,
A conductive powder distributed inside the sheet body to form conductivity in the first bidirectional conductive sheet;
The second bidirectional conductive sheet,
A base structure having a three-dimensional network structure,
A bidirectional conductive multilayer sheet including conductive powder, wherein the conductive powder is filled in an empty space of the three-dimensional network structure. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 양방향 도전성 다층 시트의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되며, 2차원의 망상 구조를 갖는 도전성 메쉬층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트.The method according to any one of claims 7 to 9,
The bidirectional conductive multilayer sheet is formed on any one or both of the upper surface and the lower surface of the bidirectional conductive multilayer sheet, further comprising a conductive mesh layer having a two-dimensional network structure. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 양방향 도전성 시트의 상기 베이스 구조부는 다수의 오픈 셀이 형성되어 상기 3차원 망상 구조를 형성하는 스펀지 형태로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트.The method according to any one of claims 7 to 9,
The base structure portion of the second bi-directional conductive sheet is a bi-directional conductive multilayer sheet, characterized in that provided in the form of a sponge in which a plurality of open cells are formed to form the three-dimensional network structure. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 양방향 도전성 시트의 상기 베이스 구조부는 내부 공간이 형성되도록 다수의 미세 와이어가 엉켜 상기 3차원 망상 구조를 형성하여 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트.The method according to any one of claims 7 to 9,
The base structure portion of the second bi-directional conductive sheet bidirectional conductive multilayer sheet, characterized in that the plurality of fine wires are tangled to form the three-dimensional network structure so that the internal space is formed. 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 제2 양방향 도전성 시트는,
상기 베이스 구조부의 상기 3차원의 망상 구조의 표면에 코팅되어 상기 3차원의 망상 구조의 표면과 상기 도전성 금속부 사이에 형성되는 금속 재질의 보강부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트.The method according to claim 7 or 8,
The second bidirectional conductive sheet,
And a reinforcing part of a metal material coated on the surface of the three-dimensional network structure of the base structure part and formed between the surface of the three-dimensional network structure and the conductive metal part. 제13항에 있어서,
상기 보강부는 니켈 또는 구리 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트.The method of claim 13,
The reinforcement part is bidirectional conductive multilayer sheet, characterized in that provided with a nickel or copper material. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 양방향 도전성 시트의 상기 도전성 금속부는 금 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트.The method according to any one of claims 7 to 9,
The conductive metal part of the second bidirectional conductive sheet is a bidirectional conductive multilayer sheet, characterized in that provided with a gold material. 반도체 테스트 소켓에 있어서,
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 양방향 도전성 다층 시트가 단위 크기 단위로 절단되어 형성된 복수의 단위 패턴 시트와;
상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호간에 전기적으로 절연된 상태로 배치되도록 상기 복수의 단위 패턴 시트를 지지하되, 상기 각 단위 패턴 시트가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 각 단위 패턴 시트를 지지하는 절연성 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.In a semiconductor test socket,
A plurality of unit pattern sheets formed by cutting the bidirectional conductive multilayer sheet according to any one of claims 7 to 9 in unit size units;
An insulating support part supporting the plurality of unit pattern sheets so that the plurality of unit pattern sheets are disposed in an electrically insulated state, and supporting the respective unit pattern sheets so that the unit pattern sheets are electrically connected in an up and down direction Semiconductor test socket comprising a. 제16항에 있어서,
상기 절연성 지지부는 실리콘 고무 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.The method of claim 16,
The insulating support portion is a semiconductor test socket, characterized in that provided with a silicon rubber material.
KR1020100120160A 2010-10-27 2010-11-30 Manufacturing method for semiconductor test socket, by-directional electric conductive multi-layer sheet and semiconductor test socket using the same KR101096586B1 (en)

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