KR101142829B1 - By-directional electric conductive sheet, semiconductor test socket using the same, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A bidirectional conductive sheet, a semi conductor test socket, and a manufacturing method thereof are provided to greatly reduce the production costs of the semiconductor test socket which is used for inspection. CONSTITUTION: A base structure unit(13a) includes a 3D net shaped structure. A conductive metal layer(13b) is spread over the entire surface of the base structure unit. An insulating elastic unit(13c) is provided by an electric insulating material. The insulating elastic unit fills the empty space of the 3D net shaped structure.

Description

양방향 도전성 시트, 이를 이용한 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법{BY-DIRECTIONAL ELECTRIC CONDUCTIVE SHEET, SEMICONDUCTOR TEST SOCKET USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Bidirectional conductive sheet, semiconductor test socket using same, and manufacturing method therefor {BY-DIRECTIONAL ELECTRIC CONDUCTIVE SHEET, SEMICONDUCTOR TEST SOCKET USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 양방향 도전성 시트, 이를 이용한 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자의 제조 과정 중 양불 테스트에 사용되는 반도체 테스트 소켓의 제조 비용을 현저히 감소시킬 수 있는 양방향 도전성 시트, 이를 이용한 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a bidirectional conductive sheet, a semiconductor test socket using the same, and a method for manufacturing the same. The present invention relates to a semiconductor test socket and a method of manufacturing the same.

반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 양불을 판단하기 위한 검사를 수행하게 된다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 테스트 소켓(또는 테스트 콘택터)을 반도체 소자와 검사 회로기판 사이에 삽입한 상태에서 검사가 수행된다.After the semiconductor device is manufactured, the semiconductor device performs a test to determine whether the electrical performance is poor. In the positive inspection of a semiconductor device, a test is performed in a state where a test socket (or test contactor) formed to be in electrical contact with a terminal of the semiconductor device is inserted between the semiconductor device and the test circuit board.

반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 간격도 미세화되는 추세이고, 그에 따라 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 기존의 실리콘 테스트 소켓을 제작하는 방법 중의 하나였던 포고(Pogo) 타입의 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다.With the development and miniaturization of semiconductor device integration technology, the size and spacing of terminals of semiconductor devices, that is, leads, are also miniaturized. Accordingly, there is a demand for a method of forming minute spacing between conductive patterns of test sockets. Therefore, the Pogo type test socket, which is one of the methods of manufacturing the conventional silicon test socket, has a limitation in manufacturing a test socket for testing an integrated semiconductor device.

이와 같은 반도체 소자의 집적화에 부응하여 제안된 기술이, 탄성 재질의 실리콘 소재로 제작되는 반도체 테스트 소켓 상에 수직 방향으로 타공 패턴을 형성한 후, 타공된 패턴 내부에 도전성 분말을 충전하여 도전 패턴을 형성하는 방법이 널리 사용되고 있다.
In response to the integration of the semiconductor device, the proposed technology forms a perforated pattern in a vertical direction on a semiconductor test socket made of an elastic silicon material, and then fills the conductive powder with the conductive pattern to form a conductive pattern. The method of forming is widely used.

그런데, 테스트 소켓을 제작하기 위한 상기와 같은 두 가지 방식은 기본적으로 테스트 소켓의 제조 단가가 상대적으로 높은 단점을 갖고 있다. However, the above two methods for manufacturing a test socket have a disadvantage that the manufacturing cost of the test socket is relatively high.

이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 반도체 소자의 제조 과정 중 양불 테스트에 사용되는 반도체 테스트 소켓의 제조 비용을 현저히 감소시킬 수 있는 양방향 도전성 시트, 이를 이용한 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, a bi-directional conductive sheet that can significantly reduce the manufacturing cost of the semiconductor test socket used for the positive test during the manufacturing process of the semiconductor device, a semiconductor test socket using the same and Its purpose is to provide its manufacturing method.

상기 목적은 본 발명에 따라, 양방향 도전성 시트에 있어서, 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와; 상기 베이스 구조부의 전체 표면을 도포하는 도전성 금속층과; 전기적인 절연 재질로 마련되어 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채우는 절연성 탄성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트에 의해서 달성된다.According to the present invention, the object is a bidirectional conductive sheet, comprising: a base structure having a three-dimensional network structure; A conductive metal layer covering the entire surface of the base structure portion; It is achieved by a bi-directional conductive sheet characterized in that it comprises an insulating elastic portion provided with an electrically insulating material to fill the empty space of the three-dimensional network structure.

여기서, 상기 베이스 구조부는 다수의 오픈 셀이 형성되어 상기 3차원 망상 구조를 형성하는 스펀지 형태로 마련될 수 있다.Here, the base structure portion may be provided in a sponge form in which a plurality of open cells are formed to form the three-dimensional network structure.

또한, 상기 베이스 구조부는 내부 공간이 형성되도록 다수의 미세 와이어가 엉켜 상기 3차원 망상 구조를 형성하여 마련될 수 있다.In addition, the base structure may be provided by forming a plurality of fine wires by tangling a plurality of fine wires to form an internal space.

그리고, 상기 베이스 구조부의 전체 표면에 코팅되어 상기 베이스 구조부의 표면과 상기 도전성 금속층 사이에 형성되는 금속 재질의 보강층을 더 포함할 수 있다.And, it may further include a reinforcing layer of a metal material is coated on the entire surface of the base structure portion formed between the surface of the base structure portion and the conductive metal layer.

여기서, 상기 보강층은 니켈 또는 구리 재질로 마련될 수 있다.Here, the reinforcing layer may be made of nickel or copper.

그리고, 상기 베이스 구조부는 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르, 플라스틱 재질, 스테인리스 재질 또는 구리 재질로 마련될 수 있다.The base structure may be made of synthetic resin, silicon, polyester, plastic, stainless or copper.

그리고, 상기 도전성 금속층은 금 재질로 마련될 수 있다.The conductive metal layer may be made of gold.

한편, 상기 목적은 본 발명의 다른 실시 형태에 따라, 반도체 테스트 소켓에 있어서, 상기의 양방향 도전성 시트가 단위 크기로 절단되어 형성된 복수의 단위 패턴 시트와; 상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호간에 전기적으로 절연된 상태로 배치되도록 상기 복수의 단위 패턴 시트를 지지하되, 상기 각 단위 패턴 시트가 두께 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 각 단위 패턴 시트를 지지하는 절연성 지지체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓에 의해서도 달성된다.On the other hand, according to another embodiment of the present invention, in the semiconductor test socket, a plurality of unit pattern sheet formed by cutting the bi-directional conductive sheet to a unit size; An insulating support for supporting the plurality of unit pattern sheets so that the plurality of unit pattern sheets are arranged in an electrically insulated state, and supporting the unit pattern sheets so that each unit pattern sheet is electrically conductive in a thickness direction It is also achieved by a semiconductor test socket, characterized in that it comprises a.

여기서, 상기 절연성 지지체는 실리콘 고무 재질 또는 플라스틱 재질로 마련될 수 있다.Here, the insulating support may be provided of a silicon rubber material or a plastic material.

한편, 상기 목적은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따라, 양방향 도전성 시트의 제조방법에 있어서, (a) 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부를 형성하는 단계와; (b) 상기 베이스 구조부의 전체 표면에 도전성 금속층을 형성하는 단계와; (c) 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 전기적인 절연 재질로 충전하여 절연성 탄성부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트의 제조방법에 의해서도 달성될 수 있다.On the other hand, the above object is, according to another embodiment of the present invention, in the method for producing a bidirectional conductive sheet, (a) forming a base structure having a three-dimensional network structure; (b) forming a conductive metal layer on the entire surface of the base structure; (C) it can also be achieved by a method of manufacturing a bi-directional conductive sheet comprising the step of filling the empty space of the three-dimensional network structure with an electrically insulating material to form an insulating elastic portion.

여기서, (d) 상기 (b) 단계의 수행 전에 상기 베이스 구조부의 전체 표면을 금속 재질로 코팅하여 보강층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.Here, the method may further include forming a reinforcing layer by coating the entire surface of the base structure part with a metallic material before performing the step (d).

그리고, 상기 (d) 단계에서 상기 보강층은 니켈 또는 구리를 이용한 도금에 의해 형성될 수 있다.In the step (d), the reinforcing layer may be formed by plating using nickel or copper.

여기서, 상기 (b) 단계에서 상기 도전성 금속층은 금 도금을 통해 형성될 수 있다.Here, in the step (b), the conductive metal layer may be formed through gold plating.

그리고, 상기 베이스 구조부는 상기 베이스 구조부는 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르, 플라스틱 재질, 스테인리스 재질 또는 구리 재질로 마련될 수 있다.The base structure portion may be formed of a synthetic resin material, silicon, polyester, plastic material, stainless steel or copper material.

한편, 상기 목적은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따라, 반도체 테스트 소켓의 제조방법에 있어서, 상기의 양방향 도전성 시트를 단위 크기로 절단하여 복수의 단위 패턴 시트를 제작하는 단계와; 상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호 이격되어 배치된 상태에서 상기 복수의 단위 패턴 시트 사이를 전기적 절연 재질로 충진하여 절연성 지지체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법에 의해서도 달성될 수 있다.On the other hand, according to another embodiment of the present invention, in the method for manufacturing a semiconductor test socket, the step of cutting the bi-directional conductive sheet in a unit size to produce a plurality of unit pattern sheet; It is also achieved by a method of manufacturing a semiconductor test socket comprising the step of filling an insulating support between the plurality of unit pattern sheets in a state in which the plurality of unit pattern sheets are arranged spaced apart from each other with an electrically insulating material. Can be.

여기서, 상기 절연성 지지체는 실리콘 고무 재질 또는 플라스틱 재질로 마련될 수 있다.
Here, the insulating support may be provided of a silicon rubber material or a plastic material.

상기와 같은 구성에 따라 본 발명에 따르면, 반도체 소자의 제조 과정 중 양불 테스트에 사용되는 반도체 테스트 소켓의 제조 비용을 현저히 감소시킬 수 있는 양방향 도전성 시트, 이를 이용한 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법이 제공된다.According to the present invention according to the above configuration, there is provided a bidirectional conductive sheet, a semiconductor test socket using the same and a method of manufacturing the same which can significantly reduce the manufacturing cost of the semiconductor test socket used for the positive test during the manufacturing process of the semiconductor device. .

또한, 양방향 도전성 시트를 반도체 테스트 소켓에 형성되는 도전 패턴의 사이즈에 맞게 절단하고, 절단된 단위 패턴 시트의 배치를 다양화하여 제작 가능하게 됨으로서, 다양한 도전 패턴을 갖는 테스트 소켓의 제작이 가능하게 되어, 반도체 소자에 형성된 다양한 전극 형상에 맞게 반도체 테스트 소켓의 제작이 가능하게 된다.
In addition, the bidirectional conductive sheet can be cut to fit the size of the conductive pattern formed in the semiconductor test socket, and the arrangement of the cut unit pattern sheet can be diversified, thereby making it possible to manufacture test sockets having various conductive patterns. The semiconductor test socket can be manufactured according to various electrode shapes formed in the semiconductor device.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치의 사시도이고,
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선에 따른 단면도이고,
도 3 내지 도 6은 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트의 구성 및 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 7 내지 도 9는 본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 10은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 양방향 도전성 시트의 베이스 구조부의 예를 도시한 도면이다.1 is a perspective view of a semiconductor test apparatus according to the present invention,
2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1,
3 to 6 are views for explaining the configuration and manufacturing method of the bidirectional conductive sheet according to the present invention,
7 to 9 are views for explaining a method for manufacturing a semiconductor test socket according to the present invention,
It is a figure which shows the example of the base structure part of the bidirectional conductive sheet which concerns on other embodiment of this invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 장치(1)의 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선에 따른 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치(1)는 지지 플레이트(30)와 반도체 테스트 소켓을 포함한다.1 is a perspective view of a semiconductor test apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1. Referring to FIGS. 1 and 2, the semiconductor test apparatus 1 according to the present invention includes a support plate 30 and a semiconductor test socket.

지지 플레이트(30)는 반도체 테스트 소켓이 상하 방향으로 이동 가능하도록 반도체 테스트 소켓(10)을 지지한다. 여기서, 지지 플레이트(30)의 중앙에는 진퇴 가이드용 메인 관통홀(미도시)이 형성되어 있고, 메인 관통홀을 형성하는 가장자리를 따라 가장자리로부터 이격되는 위치에 결합용 관통홀이 상호 이격되게 형성된다.The support plate 30 supports the semiconductor test socket 10 to move the semiconductor test socket in the vertical direction. Here, a main through hole (not shown) is formed in the center of the support plate 30, and coupling through holes are formed to be spaced apart from each other at a position spaced apart from an edge along an edge forming the main through hole. .

반도체 테스트 소켓(10)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 결합용 관통홀에 절연성 실리콘 소재가 상하로 충진되어 지지 플레이트(30)의 상면 및 하면에 접합되는 주변 지지부(50)에 의해 지지 플레이트(30)에 고정된다.As shown in FIG. 2, the semiconductor test socket 10 is filled with an insulating silicon material in a coupling through hole up and down, and is supported by a peripheral support part 50 joined to the upper and lower surfaces of the support plate 30. It is fixed to 30.

여기서, 본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓(10)은 도전 패턴을 형성하는 다수의 단위 패턴 시트(12)와, 절연성 지지체(11)를 포함한다.Here, the semiconductor test socket 10 according to the present invention includes a plurality of unit pattern sheets 12 and an insulating support 11 forming a conductive pattern.

각 단위 패턴 시트(12)는 반도체 소자(3)의 단자(3a)와 검사회로기판(5)의 검사 단자(5a)를 전기적으로 연결할 수 있도록 절연성 지지체(11)의 상부 및 하부에 노출되도록 형성된다. 즉, 절연성 지지체(11)는 도전 패턴을 형성하는 다수의 단위 패턴 시트(12)가 상호간에 전기적으로 절연된 상태로 배치되도록 복수의 단위 패턴 시트(12)를 지지하는데, 이 때 각 단위 패턴 시트(12)가 두께 방향 즉 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 각 단위 패턴 시트(12)를 지지하게 된다.Each unit pattern sheet 12 is formed to be exposed to the upper and lower portions of the insulating support 11 so as to electrically connect the terminal 3a of the semiconductor element 3 and the inspection terminal 5a of the inspection circuit board 5. do. That is, the insulating support 11 supports the plurality of unit pattern sheets 12 so that the plurality of unit pattern sheets 12 forming the conductive pattern are arranged in an electrically insulated state with each other. Each unit pattern sheet 12 is supported so that the 12 is electrically conducted in the thickness direction, that is, the vertical direction.

여기서, 절연성 지지체(11)는 탄성을 갖는 실리콘 고무 재질이나 또는 플라스틱 재질로 마련될 수 있으며, 이에 따라, 반도체 소자(3)의 단자와 검사 회로기판의 검사 단자 간의 통전을 위해 반도체 소자(3)가 반도체 테스트 소자를 가압할 때 탄성에 의해 반도체 소자(3)의 단자가 손상되는 것을 방지할 수 있게 된다. 그리고, 절연성 지지체(11)가 탄성을 갖는 것은 필수적인 구성이 아니며, 비탄성 재질로 마련될 수 있음은 물론이다.Here, the insulating support 11 may be made of an elastic silicone rubber material or a plastic material, and thus, the semiconductor element 3 may be energized between the terminal of the semiconductor element 3 and the inspection terminal of the inspection circuit board. When pressing the semiconductor test element, it is possible to prevent the terminal of the semiconductor element 3 from being damaged by elasticity. In addition, it is not essential that the insulating support 11 has elasticity, and of course, the insulating support 11 may be made of an inelastic material.

한편, 반도체 테스트 소켓(10)의 도전 패턴을 형성하기 위한 단위 패턴 시트(12)는 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트(13)를 단위 크기로 절단하여 제작된다. 이하에서는 본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓(10)에 사용되는 양방향 도전성 시트(13)에 대해 상세히 설명한다.Meanwhile, the unit pattern sheet 12 for forming the conductive pattern of the semiconductor test socket 10 is manufactured by cutting the bidirectional conductive sheet 13 according to the present invention into a unit size. Hereinafter, the bidirectional conductive sheet 13 used in the semiconductor test socket 10 according to the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 양방향 도전성 시트(13)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(13a), 도전성 금속층(13b) 및 절연성 탄성부(13c)를 포함한다.The bidirectional conductive sheet 13 according to the present invention, as shown in FIG. 3, includes a base structure portion 13a, a conductive metal layer 13b, and an insulating elastic portion 13c.

베이스 구조부(13a)는 3차원의 망상 구조를 갖는다. 여기서, 3차원의 망상 구조는 규칙적 또는 불규칙적으로 내부에 구멍 또는 공간이 형성되어 있는 형태를 말하며, 구멍 또는 공간은 베이스 구조부(13a)의 외부까지 연장되어 형성된다.The base structure portion 13a has a three-dimensional network structure. Here, the three-dimensional network structure refers to a form in which holes or spaces are formed inside or at regular intervals, and the holes or spaces extend to the outside of the base structure 13a.

본 발명에 따른 베이스 구조부(13a)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 빈 공간인 다수의 오픈 셀(13a')(Open cell)이 형성되어 3차원 망상 구조를 형성하는 스펀지 형태로 마련될 수 있다. 여기서, 베이스 구조부(13a)는 우레탄, 폴리 우레탄과 같은 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르와 같은 플라스틱 재질로 마련될 수 있다.As shown in FIG. 3, the base structure part 13a according to the present invention may be provided in a sponge form in which a plurality of open cells 13a ', which are empty spaces, are formed to form a three-dimensional network structure. have. Here, the base structure portion 13a may be formed of a synthetic resin material such as urethane or polyurethane, and a plastic material such as silicon or polyester.

여기서, 도 3에서는 베이스 구조부(13a)의 단면을 도시하고 있어, 오픈 셀(13a')이 상호 연결되지 않은 형태로 도시되어 있으나, 실제 입체적으로 접근하는 경우, 오픈 셀(13a')들이 상호 연통되어 있다. 따라서, 후술할 도전성 금속층(13b)이 베이스 구조부(13a) 전체 표면, 즉 오픈 셀(13a)을 형성하는 내부 표면을 포함하는 전체 표면이 도전성 금속층(13b)으로 코팅되는 경우, 상하 방향, 즉 두께 방향으로 전기적으로 도통될 수 있다. 본 명세서에서 표현되는 '전체 표면'은 베이스 구조부(13a) 외부 표면만을 의미하지 않고, 내부의 3차원 망상 구조를 형상하는 내부 표면을 모두 포함하는 의미로 사용된다.Here, in FIG. 3, the cross section of the base structure 13a is illustrated, and the open cells 13a 'are illustrated as not connected to each other. However, when the three-dimensional approach is actually performed, the open cells 13a' communicate with each other. It is. Therefore, when the conductive metal layer 13b to be described later is coated with the conductive metal layer 13b when the entire surface including the entire surface of the base structure portion 13a, that is, the inner surface forming the open cell 13a, the thickness thereof, that is, the thickness Can be electrically conducted in a direction. As used herein, the term "total surface" is used to mean not only the outer surface of the base structure portion 13a, but all the inner surfaces of the inner three-dimensional network structure.

도전성 금속층(13b)은 베이스 구조부(13a)의 전체 표면을 도포한다. 여기서, 도전성 금속층(13b)의 베이스 구조부(13a)의 전체 표면을 도포함으로써, 베이스 구조부(13a)에 도전성이 부여된다.The conductive metal layer 13b covers the entire surface of the base structure 13a. Here, electroconductivity is provided to the base structure part 13a by apply | coating the whole surface of the base structure part 13a of the conductive metal layer 13b.

여기서, 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트(13)는 베이스 구조부(13a)의 전체 표면에 코팅되어 베이스 구조부(13a)의 표면과 도전성 금속층(13b) 사이에 형성되는 금속 재질의 보강층(13d)을 더 포함할 수 있다.Here, the bidirectional conductive sheet 13 according to the present invention is coated on the entire surface of the base structure portion 13a to further add a metal reinforcement layer 13d formed between the surface of the base structure portion 13a and the conductive metal layer 13b. It may include.

본 발명에서는 보강층(13d)은 니켈 또는 구리 재질의 도금을 통해 형성되는 것을 예로 하며, 보강층(13d)의 도금 후에 금 도금을 통해 도전성 금속층(13b)을 형성하는 것을 예로 한다.In the present invention, the reinforcing layer 13d is formed by nickel or copper plating, for example, and the conductive metal layer 13b is formed by gold plating after plating of the reinforcing layer 13d.

한편, 절연성 탄성부(13c)는 전기적인 절연 재질로 마련되며, 도 5에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(13a)의 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채운다. 여기서, 절연성 탄성부(13c)는 전기적인 절연 재질인 실리콘 고무 재질로 마련되는 것을 예로 한다. 이에 따라, 스폰지 형태의 베이스 구조부(13a)가 일정 정도의 힘을 유지하면서 탄성을 갖는 시트 형태를 유지할 수 있게 된다.On the other hand, the insulating elastic portion 13c is made of an electrically insulating material, as shown in Figure 5, fills the empty space of the three-dimensional network structure of the base structure portion (13a). Here, the insulating elastic portion 13c is an example of being provided with a silicon rubber material which is an electrically insulating material. Accordingly, the sponge-based base structure 13a can maintain the elastic sheet form while maintaining a certain degree of force.

이하에서는, 상기와 같은 구성을 갖는 양방향 도전성 시트(13)의 제조 과정을 도 3 내지 도 6을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of the bidirectional conductive sheet 13 having the above configuration will be described with reference to FIGS. 3 to 6.

먼저, 도 4에 도시된 바와 같이 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부(13a)를 형성한다. 그런 다음, 베이스 구조부(13a)의 전체 표면에 도전성 금속층(13b)을 형성한다. 여기서, 본 발명에서는 도 5에 도시된 바와 같이, 상술한 바와 같이 도전성 금속층(13b)의 형성 전에 베이스 구조부(13a)의 전체 표면을 금속 재질로 코팅하여 보강층(13d)을 형성한다. 여기서, 보강층(13d)은 니켈 또는 구리를 이용한 도금을 통해 형성된다.First, as shown in FIG. 4, a base structure 13a having a three-dimensional network structure is formed. Then, the conductive metal layer 13b is formed on the entire surface of the base structure 13a. In the present invention, as shown in FIG. 5, as described above, the entire surface of the base structure portion 13a is coated with a metal material to form the reinforcement layer 13d before the formation of the conductive metal layer 13b. Here, the reinforcing layer 13d is formed by plating using nickel or copper.

그런 다음, 도 6에 도시된 바와 같이, 보강층(13d)의 표면에 금 도금을 통해 도전성 금속층(13b)을 형성하게 된다. 이와 같이, 베이스 구조부(13a)에 형성된 3차원의 망상 구조의 전체 표면이 도전체인 금으로 도금되어 베이스 구조부(13a) 전체가 전기가 도통되는 도전체가 된다.Then, as shown in FIG. 6, the conductive metal layer 13b is formed on the surface of the reinforcing layer 13d through gold plating. In this way, the entire surface of the three-dimensional network structure formed in the base structure portion 13a is plated with gold, which is a conductor, so that the entire base structure portion 13a becomes a conductor in which electricity is conducted.

상기와 같이 베이스 구조부(13a)에 보강층(13d)과 도전성 금속층(13b)을 순차적으로 형성한 후, 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 전기적인 절연 재질로 충전하여 절연성 탄성부(13c)를 형성함으로서, 도 3 및 도 에 도시된 바와 같은 양방향 도전성 시트(13)의 제작이 완료된다.As described above, the reinforcement layer 13d and the conductive metal layer 13b are sequentially formed in the base structure portion 13a, and the insulating elastic portion 13c is formed by filling the empty space of the three-dimensional network structure with an electrically insulating material. By doing so, the production of the bidirectional conductive sheet 13 as shown in FIG. 3 and FIG.

여기서, 절연성 탄성부(13c)은 3차원 망상 구조의 빈 공간을 채움으로서 양방향 도전성 시트(13)의 전기 전도성에는 영향을 미치지 않고, 절연성 탄성부(13c)가 갖는 탄성의 정도에 따라 양방향 도전성 시트(13)의 탄성의 정도를 결정할 수 있게 된다.Here, the insulating elastic portion 13c fills the empty space of the three-dimensional network structure, and does not affect the electrical conductivity of the bidirectional conductive sheet 13, and according to the degree of elasticity of the insulating elastic portion 13c, the bidirectional conductive sheet The degree of elasticity of (13) can be determined.

이하에서는, 상기와 같은 양방향 도전성 시트(13)를 이용하여 반도체 테스트 소켓(10)을 제조하는 과정을, 도 7 내지 도 9를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a process of manufacturing the semiconductor test socket 10 using the bidirectional conductive sheet 13 as described above will be described with reference to FIGS. 7 to 9.

먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 양방향 도전성 시트(13)의 제작이 완료되면, 도 8에 도시된 바와 같이, 반도체 테스트 소켓(10)의 도전 패턴의 형상에 대응하도록 양방향 도전성 시트(13)를 절단하여 단위 패턴 시트(12)를 제작한다. 여기서, 양방향 도전성 시트(13)의 절단 방법으로는 레이저를 이용하는 방법이 적용 가능하며, 이외에도 양방향 도전성 시트(13)의 절단이 가능한 물리적, 화학적 방법이 적용 가능함은 물론이다.First, as illustrated in FIG. 7, when fabrication of the bidirectional conductive sheet 13 is completed, as illustrated in FIG. 8, the bidirectional conductive sheet 13 may correspond to the shape of the conductive pattern of the semiconductor test socket 10. Was cut to produce the unit pattern sheet 12. Here, a method using a laser is applicable to the cutting method of the bidirectional conductive sheet 13, and of course, a physical and chemical method capable of cutting the bidirectional conductive sheet 13 is applicable.

그런 다음, 단위 패턴 시트(12)를, 반도체 테스트 소켓(10)의 도전 패턴 형태, 즉 상호 이격되어 배치된 상태에서, 복수의 단위 패턴 시트(12) 사이를 전기적 절연 재질로 충진하여, 도 9에 도시된 바와 같이 절연성 지지체(11)를 형성함으로써, 반도체 테스트 소켓(10)의 제작이 완료된다.Then, the unit pattern sheet 12 is filled with an electrically insulating material between the plurality of unit pattern sheets 12 in the form of a conductive pattern of the semiconductor test socket 10, that is, spaced apart from each other. By forming the insulating support 11 as shown in, the fabrication of the semiconductor test socket 10 is completed.

전술한 실시예에서는 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트(13)의 베이스 구조부(13a)가, 도 3에 도시된 바와 같이, 3차원 망상 구조가 형성된 스펀지 형태로 마련되는 것을 예로 하여 설명하였다. 이외에도 도전성 베이스 구조부(13a)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 내부 공간이 형성되도록 다수의 미세 와이어가 엉켜 3차원 망상 구조를 형성하도록 마련될 수 있다.In the above-described embodiment, the base structure portion 13a of the bidirectional conductive sheet 13 according to the present invention has been described as an example in which a three-dimensional network structure is formed in a sponge form as shown in FIG. 3. In addition, the conductive base structure portion 13a may be provided to entangle a plurality of fine wires to form a three-dimensional network structure so that an inner space is formed, as shown in FIG. 10.

여기서, 미세 와이어의 재질은 우레탄, 폴리 우레탄과 같은 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르와 같은 플라스틱 재질이나, 스테인리스 재질, 또는 구리 재질 등과 같이, 미세 와이어의 형성이 가능한 다양한 재질로 마련될 수 있다.Here, the material of the fine wire may be provided with a variety of materials capable of forming a fine wire, such as a plastic material such as urethane, polyurethane, a plastic material such as silicon, polyester, a stainless steel material, or a copper material.

그리고, 도 10에 도시된 바와 같이 미세 와이어에 의해 베이스 구조부(13a)가 형성되면, 상술한 바와 같은 보강층(13d) 및 도전성 금속층(13b)이 순차적으로 도금되어 형성되는 경우 양방향 전기 전도성을 갖게 되며, 미세 와이어 간의 공간에 절연성 탄성층이 형성됨으로써, 양방향 도전성 시트(13)의 제작이 가능하게 된다. 그리고, 양방향 도전성 시트(13)의 전단을 통한 도전 패턴의 형상은 상술한 바와 같다.When the base structure portion 13a is formed of the fine wire as shown in FIG. 10, when the reinforcement layer 13d and the conductive metal layer 13b are sequentially plated as described above, bidirectional electrical conductivity is obtained. By forming the insulating elastic layer in the space between the fine wires, the bidirectional conductive sheet 13 can be manufactured. The shape of the conductive pattern through the front end of the bidirectional conductive sheet 13 is as described above.

비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
Although several embodiments of the present invention have been shown and described, those skilled in the art will appreciate that various modifications may be made without departing from the principles and spirit of the invention . It is intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.

1 : 반도체 테스트 장치 10 : 반도체 테스트 소켓
11 : 절연성 지지체 12 : 단위 패턴 시트
13 : 양방향 도전성 시트 13a : 베이스 구조부
13b : 도전성 금속층 13c : 절연성 탄성부
13d : 보강층 30 : 지지 플레이트 1: semiconductor test apparatus 10: semiconductor test socket
11: insulating support 12: unit pattern sheet
13 bidirectional conductive sheet 13a base structure
13b: conductive metal layer 13c: insulating elastic portion
13d: reinforcement layer 30: support plate

Claims (16)

양방향 도전성 시트에 있어서,
3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와;
상기 베이스 구조부의 전체 표면을 도포하는 도전성 금속층과;
전기적인 절연 재질로 마련되어 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채우는 절연성 탄성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.In the bidirectional conductive sheet,
A base structure having a three-dimensional network structure;
A conductive metal layer covering the entire surface of the base structure portion;
Bi-directional conductive sheet comprising an insulating elastic portion provided with an electrically insulating material to fill the empty space of the three-dimensional network structure. 제1항에 있어서,
상기 베이스 구조부는 다수의 오픈 셀이 형성되어 상기 3차원 망상 구조를 형성하는 스펀지 형태로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.The method of claim 1,
The base structure portion is bi-directional conductive sheet, characterized in that provided with a sponge form a plurality of open cells are formed to form the three-dimensional network structure. 제1항에 있어서,
상기 베이스 구조부는 내부 공간이 형성되도록 다수의 미세 와이어가 엉켜 상기 3차원 망상 구조를 형성하여 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.The method of claim 1,
The base structure portion is a bi-directional conductive sheet, characterized in that the plurality of fine wires are tangled to form the three-dimensional network structure so that the inner space is formed. 제1항에 있어서,
상기 베이스 구조부의 전체 표면에 코팅되어 상기 베이스 구조부의 표면과 상기 도전성 금속층 사이에 형성되는 금속 재질의 보강층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.The method of claim 1,
And a reinforcing layer of a metal material coated on the entire surface of the base structure to be formed between the surface of the base structure and the conductive metal layer. 제4항에 있어서,
상기 보강층은 니켈 또는 구리 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.The method of claim 4, wherein
The reinforcing layer is a bidirectional conductive sheet, characterized in that provided with a nickel or copper material. 제1항에 있어서,
상기 베이스 구조부는 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르, 플라스틱 재질, 스테인리스 재질 또는 구리 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.The method of claim 1,
The base structure is a bi-directional conductive sheet, characterized in that the synthetic resin material, silicon, polyester, plastic material, stainless steel or copper material. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도전성 금속층은 금 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.The method according to any one of claims 1 to 6,
The conductive metal layer is a bidirectional conductive sheet, characterized in that provided with a gold material. 반도체 테스트 소켓에 있어서,
제7항에 따른 양방향 도전성 시트가 단위 크기로 절단되어 형성된 복수의 단위 패턴 시트와;
상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호간에 전기적으로 절연된 상태로 배치되도록 상기 복수의 단위 패턴 시트를 지지하되, 상기 각 단위 패턴 시트가 두께 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 각 단위 패턴 시트를 지지하는 절연성 지지체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.In a semiconductor test socket,
A plurality of unit pattern sheets formed by cutting the bidirectional conductive sheet according to claim 7 into unit sizes;
An insulating support for supporting the plurality of unit pattern sheets so that the plurality of unit pattern sheets are arranged in an electrically insulated state, and supporting the unit pattern sheets so that each unit pattern sheet is electrically conductive in a thickness direction Semiconductor test socket comprising a. 제8항에 있어서,
상기 절연성 지지체는 실리콘 고무 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.The method of claim 8,
The insulating support is a semiconductor test socket, characterized in that provided with a silicon rubber material. 양방향 도전성 시트의 제조방법에 있어서,
(a) 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부를 형성하는 단계와;
(b) 상기 베이스 구조부의 전체 표면에 도전성 금속층을 형성하는 단계와;
(c) 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 전기적인 절연 재질로 충전하여 절연성 탄성부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트의 제조방법.In the manufacturing method of the bidirectional conductive sheet,
(a) forming a base structure having a three-dimensional network structure;
(b) forming a conductive metal layer on the entire surface of the base structure;
and (c) filling the empty space of the three-dimensional network structure with an electrically insulating material to form an insulating elastic part. 제10항에 있어서,
(d) 상기 (b) 단계의 수행 전에 상기 베이스 구조부의 전체 표면을 금속 재질로 코팅하여 보강층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트의 제조방법.The method of claim 10,
(d) coating the entire surface of the base structure part with a metallic material before performing step (b) to form a reinforcing layer. 제11항에 있어서,
상기 (d) 단계에서 상기 보강층은 니켈 또는 구리를 이용한 도금에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트의 제조방법.The method of claim 11,
In the step (d), the reinforcing layer is a method of manufacturing a bidirectional conductive sheet, characterized in that formed by plating with nickel or copper. 제10항에 있어서,
상기 (b) 단계에서 상기 도전성 금속층은 금 도금을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트의 제조방법.The method of claim 10,
In the step (b), the conductive metal layer is a method of manufacturing a bidirectional conductive sheet, characterized in that formed through gold plating. 제10항에 있어서,
상기 베이스 구조부는 상기 베이스 구조부는 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르, 플라스틱 재질, 스테인리스 재질 또는 구리 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트의 제조방법.The method of claim 10,
The base structure portion manufacturing method of the bidirectional conductive sheet, characterized in that the base structure portion is provided with a synthetic resin material, silicon, polyester, plastic material, stainless steel or copper material. 반도체 테스트 소켓의 제조방법에 있어서,
제7항에 따른 양방향 도전성 시트를 단위 크기로 절단하여 복수의 단위 패턴 시트를 제작하는 단계와;
상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호 이격되어 배치된 상태에서 상기 복수의 단위 패턴 시트 사이를 전기적 절연 재질로 충진하여 절연성 지지체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.In the method of manufacturing a semiconductor test socket,
Manufacturing a plurality of unit pattern sheets by cutting the bidirectional conductive sheet according to claim 7 to a unit size;
And filling an electrically insulating material between the plurality of unit pattern sheets in a state in which the plurality of unit pattern sheets are spaced apart from each other, thereby forming an insulating support. 제15항에 있어서,
상기 절연성 지지체는 실리콘 고무 재질 또는 플라스틱 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.16. The method of claim 15,
The insulating support is a manufacturing method of a semiconductor test socket, characterized in that provided with a silicon rubber material or a plastic material.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05151822A (en) * 1991-11-28 1993-06-18 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd Conductive elastic body and manufacture thereof and battery using the body
JP2001351445A (en) 2000-06-09 2001-12-21 Jsr Corp Manufacturing method of compound sheet and compound sheet
KR20040023776A (en) * 2002-09-11 2004-03-18 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 Contact sheet for inspecting an electric device and manufacturing method of the same
JP2006196475A (en) 2006-04-20 2006-07-27 Jsr Corp Anisotropic conductive sheet, connector, and method of manufacturing anisotropic conductive sheet

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