KR101095542B1 - Light emitting diode package and fabricating method thereof - Google Patents

Light emitting diode package and fabricating method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR101095542B1
KR101095542B1 KR1020100023424A KR20100023424A KR101095542B1 KR 101095542 B1 KR101095542 B1 KR 101095542B1 KR 1020100023424 A KR1020100023424 A KR 1020100023424A KR 20100023424 A KR20100023424 A KR 20100023424A KR 101095542 B1 KR101095542 B1 KR 101095542B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wire bonding
paste
bonding pad
led package
Prior art date
Application number
KR1020100023424A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110104336A (en
Inventor
황덕기
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100023424A priority Critical patent/KR101095542B1/en
Publication of KR20110104336A publication Critical patent/KR20110104336A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101095542B1 publication Critical patent/KR101095542B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 LED 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 소결 타입의 Ag 페이스트를 이용한 와이어 본딩 패드를 포함하여 구성함으로써 반사막과 와이어 본딩 패드가 한번에 형성되어 제작 공정을 간소화하고 제작 비용을 절감할 뿐 아니라 솔더링이 가능한 LED 패키지를 제공하게 된다.The present invention relates to an LED package and a method of manufacturing the same. Specifically, the present invention includes a wire bonding pad using a sintered Ag paste, so that the reflective film and the wire bonding pad are formed at one time, thereby simplifying the manufacturing process and reducing the manufacturing cost. In addition, the company will offer a solderable LED package.

Description

LED 패키지 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND FABRICATING METHOD THEREOF} LED package and its manufacturing method {LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND FABRICATING METHOD THEREOF}

본 발명은 LED 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 Ag 페이스트로 형성된 와이어 본딩 패드를 포함함으로써 반사막과 와이어 본딩 패드가 한번에 형성되고 Au 프린팅 또는 도금 공정이 따로 필요치 않는 LED 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an LED package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to include a wire bonding pad formed of Ag paste, a reflective film and a wire bonding pad are formed at a time, and Au printing or plating process does not require a separate LED package and its manufacturing method It is about.

발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들어 내고, 이들의 재결합에 의하여 전기 에너지를 빛 에너지로 바꾸어 주어 발광시키는 금속간 화합물 접합 다이오드를 말한다. 즉, 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데 전자와 정공이 떨어져 있을 때보다 작은 에너지가 되므로 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 방출한다. 이러한 LED는 일반적인 표시 장치는 물론이고 조명 장치나 LCD 표시 장치의 백라이트 소자에도 응용되는 등 적용 영역이 점차 다양해지고 있다. 특히 LED는 비교적 낮은 전압으로 구동이 가능하면서도 높은 에너지 효율로 인해 발열이 낮고 수명이 긴 장점을 가지고 있으며, 종래에는 구현이 어려웠던 백색광을 고휘도로 제공할 수 있는 기술이 개발됨에 따라 현재 사용되고 있는 대부분의 광원 장치를 대체할 수 있을 것으로 기대하고 있다.Light Emitting Diodes (LEDs) produce a small number of carriers (electrons or holes) injected using the pn junction structure of a semiconductor, and intermetallic compound junctions that emit light by converting electrical energy into light energy by recombination. Refers to a diode. In other words, when a forward voltage is applied to a semiconductor of a specific element, electrons and holes move through the junction of the anode and the cathode and recombine with each other, which is less energy than when the electrons and holes are separated. Release. Such LEDs are applied to a wide range of applications, such as not only general display devices but also lighting devices or backlight devices of LCD displays. In particular, LED has the advantage of low heat generation and long life due to high energy efficiency while being able to drive at a relatively low voltage, and most of the currently used technologies have been developed to provide high brightness of white light, which was difficult to implement in the past. It is expected to replace the light source device.

이러한 LED를 세라믹 기판상에 탑재한 LED 패키지에 있어서 와이어 본딩을 위한 대표적인 방법은 도금을 통한 패드를 형성하거나 금(Au) 프린팅 하는 방법이 있다. 이때 도금을 통한 패드를 형성하는 경우 무전해 도금 또는 전해 도금으로 진행되나, 무전해의 경우 Ag의 두께를 1μm 이상 구현하기 어려우며, 전해 도금의 경우 전해 라인(Line)을 따로 구성해야 하는 문제점이 있다. 또한, Au 프린팅의 경우 재료비의 상승과 반사막을 따로 구성해 주어야 하므로 공정 비용 상승 및 공정 불량 가능성이 존재하는 문제점이 존재한다.In the LED package mounted on the ceramic substrate, a representative method for wire bonding is a method of forming a pad through plating or printing Au. In this case, when the pad is formed through plating, electroless plating or electroplating is performed. However, in the case of electroless, it is difficult to realize Ag thickness of 1 μm or more, and in the case of electrolytic plating, an electrolytic line must be configured separately. . In addition, in the case of Au printing, the material cost is increased and the reflective film must be separately configured, so there is a problem in that process cost and process defects exist.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 LED 패키지에 있어서 Au 와이어 본딩 패드가 아닌 Ag 페이스트로 형성된 와이어 본딩 패드를 이용함으로써 기존의 Au 와이어 본딩의 특성을 유지한 채, 반사막과 와이어 본딩 패드가 한번에 형성되고 와이어 본딩 패드를 구성하기 위해 Au 프린팅 또는 도금 공정과 같은 별도의 공정이 필요치 않게 되어 제작 공정을 간소화 하고 제작 비용을 절감할 수 있을 뿐 만 아니라 솔더링 또한 가능하게 된다.The present invention has been made to solve the above-described problem, an object of the present invention is to maintain the characteristics of the existing Au wire bonding by using a wire bonding pad formed of Ag paste instead of Au wire bonding pad in the LED package In addition, the reflective film and the wire bonding pad are formed at once, and a separate process such as Au printing or plating process is not required to form the wire bonding pad, thereby simplifying the manufacturing process and reducing the manufacturing cost, and also soldering. do.

상술한 과제를 해결하기 위하여 제공되는 본 발명의 구성은 기판; 상기 기판상에 마운팅된 LED칩; 상기 기판상에 은(Ag) 페이스트로 형성된 와이어 본딩 패드; 및 상기 LED칩과 와이어 본딩 패드를 연결하는 와이어;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지를 제공하여 도금에서 구현하는 Ag 패드를 구성 가능하게 하고 동시에 반사막 역할까지 수행할 수 있게 된다.The configuration of the present invention provided to solve the above problems is a substrate; An LED chip mounted on the substrate; A wire bonding pad formed of silver (Ag) paste on the substrate; And a wire connecting the LED chip and the wire bonding pad to enable the Ag pad to be implemented in plating and to serve as a reflective film.

특히, 상기 Ag 페이스트는 0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있으며, 상기 Ag 페이스트는 0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더와 1.5 ~3μm의 입도를 갖는 Ag 파우더가 7:3 내지 5:5의 조성비로 이루어 지는 것을 특징으로 할 수 있다.In particular, the Ag paste may be made of Ag powder having a particle size of 0.2 ~ 0.9μm, the Ag paste is Ag powder having a particle size of 0.2 ~ 0.9μm and Ag powder having a particle size of 1.5 ~ 3μm It may be characterized by consisting of a composition ratio of 7: 3 to 5: 5.

또한, 상기 Ag 페이스트는 구형의 Ag 파우더를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하여 소결성을 증대시킬 수 있다.In addition, the Ag paste may be formed using a spherical Ag powder, it is possible to increase the sinterability.

아울러, 상기 기판은 세라믹 기판인 것을 특징으로 할 수 있으며, 상기 세라믹 기판은 저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기판 또는 알루미나(Al2O3) 기판인 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the substrate may be a ceramic substrate, and the ceramic substrate may be a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate or an alumina (Al 2 O 3 ) substrate.

또한, 상기 와이어는 금(Au) 와이어인 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the wire may be characterized in that the gold (Au) wire.

또한, (A) 기판상에 회로패턴과 Ag 페이스트로 이루어진 와이어 본딩 패드를 형성하는 단계; (B) 상기 기판상에 LED칩을 마운팅 하는 단계; (C) 상기 와이어 본딩 패드와 LED칩을 와이어 본딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법을 제공하여 반사막과 와이어 본딩 패드를 한번에 형성할 수 있다.Also, (A) forming a wire bonding pad made of a circuit pattern and Ag paste on the substrate; (B) mounting an LED chip on the substrate; (C) wire-bonding the wire bonding pad and the LED chip; providing a method of manufacturing an LED package, comprising: forming a reflective film and a wire bonding pad at a time.

특히, 상기 (A)단계는 저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기판 또는 알루미나(Al2O3) 기판 상에 상기 회로 패턴과 와이어 본딩 패드를 형성하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.In particular, step (A) may be a step of forming the circuit pattern and the wire bonding pad on a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate or an alumina (Al 2 O 3 ) substrate.

또한, 상기 (A)단계는 0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더로 Ag 페이스트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the step (A) may be characterized in that the Ag paste is formed of Ag powder having a particle size of 0.2 ~ 0.9μm.

아울러, 상기 (A)단계는 0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더와 1.5 ~ 3μm의 입도를 갖는 Ag 파우더의 비율이 7:3 내지 5:5가 되도록 Ag 페이스트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the step (A) is a step of forming an Ag paste so that the ratio of the Ag powder having a particle size of 0.2 ~ 0.9μm and the Ag powder having a particle size of 1.5 ~ 3μm is 7: 3 to 5: 5. can do.

특히, 상기 (A)단계는 구형의 Ag 파우더를 이용하여 Ag 페이스트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하여 소결성을 증대시킬 수 있다.In particular, step (A) is characterized in that the step of forming an Ag paste using a spherical Ag powder can increase the sinterability.

또한, 상기 (C)단계는 금(Au) 와이어로 상기 와이어 본딩 패드와 LED칩을 와이어 본딩하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, step (C) may be a step of wire bonding the wire bonding pad and the LED chip with gold (Au) wire.

본 발명에 따르면, LED 패키지에서의 와이어 본딩 패드에 있어서, Au 패드가 아닌 Ag 페이스트를 이용한 Ag 패드를 형성함으로써 와이어 본딩 패드 뿐 만이 아니라 반사막도 함께 형성되고, 별도의 Au 프린팅 또는 도금 공정이 필요치 않게 되어 LED 패키지의 제작 공정을 간소화하고 제작 비용을 절감할 수 있는 효과를 가지게 된다. 또한, Ag의 소결 조직을 치밀화시키고 표면 특성을 개선하여 솔더링 또한 가능하게 되는 효과도 제공하게 된다.According to the present invention, in the wire bonding pad in the LED package, not only the wire bonding pad but also the reflective film is formed together by forming the Ag pad using Ag paste instead of the Au pad, so that no separate Au printing or plating process is required. This simplifies the manufacturing process of the LED package and reduces the manufacturing cost. It also provides the effect of densifying the sintered structure of Ag and improving the surface properties to enable soldering.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 일반적인 Ag 페이스트의 소결 조직과 본 발명에 따른 Ag 페이스트의 소결 조직을 확대한 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 BST(Ball Share Test) 와 WPT(Wire Pull Test) 결과를 나타낸 도면이다.
1 is a cross-sectional view of an LED package according to a preferred embodiment of the present invention.
2A and 2B are enlarged views of a sintered structure of a general Ag paste and a sintered structure of an Ag paste according to the present invention.
3A and 3B are diagrams illustrating a ball share test (BST) and a wire pull test (WPT) result according to the present invention.

이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shapes and the like of the elements in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description, and elements denoted by the same symbols in the drawings denote the same elements.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따른 LED 패키지의 단면도를 도시한 도면이다. 본 발명은 기판, 상기 기판상에 마운팅된 LED칩, 상기 기판상에 은(Ag) 페이스트로 형성된 와이어 본딩 패드 및 상기 LED 칩과 와이어 본딩 패드를 연결하는 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 및 그 제조 방법을 요지로 하는 것으로 Ag 페이스트를 이용하여 도금에서 구현하는 Ag 패드를 구성 가능하게 하고, 동시에 반사막 역할까지 수행할 수 있는 LED 패키지를 제공하는 것을 그 핵심으로 한다. 도면을 참조하여 살펴보면, 패턴이 형성되어 있는 기판(100)상에는 와이어 본딩 패드(110)가 형성되어 있고, LED 칩(130)이 마운팅(Mounting)되어 있으며 상기 LED 칩(130)과 패드(110)는 와이어(120)로 본딩되어 있다. 상기 와이어(120)는 금(Au) 와이어인 것이 바람직하다. 또한, 상기 기판(100)은 세라믹 기판, 그 중 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic : LTCC) 기판이나 알루미나(Al2O3) 기판인 것이 바람직하다. LTCC는 1000℃ 이하의 저온에서 소성한 저온 소성다층 세라믹으로, 전기적인 특성의 우수성과 초소형화가 가능하면서도 저항이 낮고, 가공 정밀도가 우수하여 복합적인 기능을 발휘할 수 있는 특징이 있어 여러 기술 분야에서 사용되고 있다.1 is a cross-sectional view of an LED package according to a preferred embodiment of the present invention. The present invention provides a LED package comprising a substrate, an LED chip mounted on the substrate, a wire bonding pad formed of silver (Ag) paste on the substrate, and a wire connecting the LED chip and the wire bonding pad. The key point is to provide an LED package capable of constituting an Ag pad implemented by plating using Ag paste and at the same time serving as a reflective film by using the manufacturing method as a summary. Referring to the drawings, a wire bonding pad 110 is formed on the substrate 100 on which the pattern is formed, the LED chip 130 is mounted, and the LED chip 130 and the pad 110 are formed. Is bonded with wire 120. The wire 120 is preferably a gold (Au) wire. The substrate 100 may be a ceramic substrate, a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate or an alumina (Al 2 O 3 ) substrate. LTCC is a low-temperature calcined multi-layer ceramic fired at low temperature below 1000 ℃. It is used in many technical fields because of its excellent electrical characteristics and miniaturization, low resistance, and excellent processing precision. have.

상기 와이어 본딩 패드(110)는 Ag 페이스트를 이용하여 형성된 것으로 본 발명에서 사용되는 Ag 페이스트의 경우 0.2 ~ 0.9㎛의 입도를 갖는 Ag 파우더(Powder)를 단독으로 사용하여도 특성 구현에는 문제가 없다. 다만, 공정의 안정성이나 편의성을 위하여 0.2 ~ 0.9㎛의 입도를 갖는 Ag 파우더와 입성장 제어를 위해 1.5 ~ 3㎛의 Ag 파우더를 7:3 내지 5:5의 비율로 혼합하여 제조한 페이스트인 것이 바람직하다. 특히, 파우더의 형태는 소결성의 증대를 위하여 구형의 파우더를 사용하는 것이 바람직하다. 일반적인 Ag 페이스트를 사용할 경우 도 2a와 같이 Ag의 소결 조직이 불균질하여, 와이어 본딩시 본딩면이 고르지 못하여 최종적으로 와이어 본딩 실패의 원인이 되며, 표면이 거칠어 빛을 조사시에 난반사에 의한 광량이 감소하는 문제가 발생한다. 또한, 더욱이 솔더에 의한 리칭(Leaching)과 젖음성 저하로 인하여 솔더링이 불가능하게 된다. 따라서 본 발명에 따른 와이어 본딩 패드(110)는 도 2b에서와 같이 Ag의 소결 조직이 치밀화되고 표면 모폴로지(Morphology)가 1㎚ ~ 5㎛로 형성하여 상기의 문제점을 해결할 수 있게 된다. 또한, 솔더링의 경우 표면 특성이 개선되어 납의 젖음성이 향상되며, 그레인(Grain) 사이즈의 증가로 인하여 리칭 특성이 개선되는 효과가 생기게 된다. 따라서 본 발명은 기존의 Au 패드를 대체하여 별도의 Au 프린팅이나 도금 공정을 거치지 않게 되므로 제작 공정이 단순화 되고 제작 비용이 절감된다. 또한, 본 발명의 소결 타입의 Ag 페이스트를 이용하여 와이어 본딩 패드(110)를 형성함으로써 반사막도 동시에 형성할 수 있으며 솔더링이 가능한 패드(110)가 형성될 수 있다.The wire bonding pad 110 is formed by using an Ag paste. In the case of the Ag paste used in the present invention, an Ag powder (Powder) having a particle size of 0.2 to 0.9 μm may be used alone. However, the paste prepared by mixing the Ag powder having a particle size of 0.2 to 0.9 μm and the Ag powder having a particle size of 1.5 to 3 μm in a ratio of 7: 3 to 5: 5 for the stability or convenience of the process. desirable. In particular, the powder is preferably in the form of a spherical powder in order to increase the sinterability. In the case of using a general Ag paste, as shown in FIG. 2A, the sintered structure of Ag is uneven, resulting in uneven bonding at the time of wire bonding, resulting in wire bonding failure, and the amount of light due to diffuse reflection when irradiating light due to the rough surface. There is a decreasing problem. In addition, soldering is impossible due to deterioration and wetting of the solder. Accordingly, in the wire bonding pad 110 according to the present invention, as shown in FIG. 2B, the sintered structure of Ag is densified and the surface morphology (Morphology) is formed at 1 nm to 5 μm. In addition, in the case of soldering, the surface properties are improved, so that the wettability of lead is improved, and the lining characteristics are improved due to the increase in grain size. Therefore, the present invention does not undergo a separate Au printing or plating process in place of the existing Au pad, thereby simplifying the manufacturing process and reducing the manufacturing cost. In addition, by forming the wire bonding pad 110 by using the sintered Ag paste of the present invention, a reflective film may be formed at the same time and a solderable pad 110 may be formed.

LED의 와이어(120) 접합에 있어 접합 강도를 측정하는 방법으로는 볼 쉐어 테스트(Ball Share Test : BST) 와이어 풀 테스트(Wire Pull Test : WPT)가 대표적인데 도 3a 및 도 3b는 이를 측정한 결과를 도시한 도면이다. 이는 본 발명에 따른 Ag 페이스트를 이용하여 알루미나 기판(100) 위에 패턴을 구성하여 약 850℃에서 30분 가량 열처리하여 측정한 결과이다. 도 3a 와 도 3b에서와 같이 BST 값은 Au와 동등하거나 그 이상의 결과를 얻을 수 있었으며 WPT 값은 기준치인 8g 이상의 결과를 얻을 수 있었다.Ball joint test (BST) wire pull test (WPT) is a representative method for measuring the strength of the bonding in the LED wire 120, Figure 3a and 3b is the result of measuring this Figure is a diagram. This is a result of measuring the heat treatment at about 850 ℃ for 30 minutes by constructing a pattern on the alumina substrate 100 using the Ag paste according to the present invention. As shown in FIGS. 3A and 3B, the BST value was equal to or greater than Au, and the WPT value was 8g or more.

이상 도면과 명세서에서 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.The best embodiments have been disclosed in the drawings and specification above. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not used to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from this. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

100: 기판 110: 와이어 본딩 패드
120: 와이어 130: LED 칩
100: substrate 110: wire bonding pad
120: wire 130: LED chip

Claims (13)

기판;
상기 기판상에 마운팅된 LED칩;
상기 기판상에 은(Ag) 페이스트로 형성된 와이어 본딩 패드; 및
상기 LED칩과 와이어 본딩 패드를 연결하는 와이어;를 포함하며,
상기 Ag 페이스트는,
0.2 ~ 0.9㎛의 입도를 갖는 Ag 파우더로 이루어진 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
Board;
An LED chip mounted on the substrate;
A wire bonding pad formed of silver (Ag) paste on the substrate; And
Includes; wire for connecting the LED chip and the wire bonding pad,
The Ag paste is,
LED package, characterized in that made of Ag powder having a particle size of 0.2 ~ 0.9㎛.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 Ag 페이스트는,
0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더와 1.5 ~ 3μm의 입도를 갖는 Ag 파우더가 7:3 내지 5:5의 조성비로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method according to claim 1,
The Ag paste is,
LED package, characterized in that the Ag powder having a particle size of 0.2 ~ 0.9μm and Ag powder having a particle size of 1.5 ~ 3μm are made of a composition ratio of 7: 3 to 5: 5.
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,
상기 Ag 페이스트는,
구형의 Ag 파우더를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method according to claim 1 or 3,
The Ag paste is,
LED package, characterized in that formed using spherical Ag powder.
청구항 1에 있어서,
상기 기판은,
세라믹 기판인 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method according to claim 1,
The substrate,
LED package, characterized in that the ceramic substrate.
청구항 5에 있어서,
상기 세라믹 기판은,
저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기판 또는 알루미나(Al2O3) 기판인 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method according to claim 5,
The ceramic substrate,
An LED package, characterized in that the low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate or an alumina (Al 2 O 3 ) substrate.
청구항 1에 있어서,
상기 와이어는,
금(Au) 와이어인 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method according to claim 1,
The wire,
LED package, characterized in that the gold (Au) wire.
(A) 기판상에 회로패턴과 Ag 페이스트로 이루어진 와이어 본딩 패드를 형성하는 단계;
(B) 상기 기판상에 LED칩을 마운팅 하는 단계;
(C) 상기 와이어 본딩 패드와 LED칩을 와이어 본딩하는 단계;
를 포함하며,
상기 (A)단계는,
0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더로 Ag 페이스트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법.
(A) forming a wire bonding pad made of a circuit pattern and Ag paste on the substrate;
(B) mounting an LED chip on the substrate;
(C) wire bonding the wire bonding pad and the LED chip;
Including;
Step (A) is
LED package manufacturing method, characterized in that the step of forming an Ag paste from Ag powder having a particle size of 0.2 ~ 0.9μm.
청구항 8에 있어서,
상기 (A)단계는,
저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기판 또는 알루미나(Al2O3) 기판 상에 상기 회로 패턴과 와이어 본딩 패드를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법.
The method according to claim 8,
Step (A) is
And forming the circuit pattern and the wire bonding pad on a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate or an alumina (Al 2 O 3 ) substrate.
삭제delete 청구항 8에 있어서,
상기 (A)단계는,
0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더와 1.5 ~ 3μm의 입도를 갖는 Ag 파우더의 비율이 7:3 내지 5:5가 되도록 Ag 페이스트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법.
The method according to claim 8,
Step (A) is
The method of manufacturing an LED package, characterized in that the Ag paste is formed so that the ratio of Ag powder having a particle size of 0.2 ~ 0.9μm and Ag powder having a particle size of 1.5 ~ 3μm is 7: 3 to 5: 5.
청구항 8 또는 청구항 11에 있어서,
상기 (A)단계는,
구형의 Ag 파우더를 이용하여 Ag 페이스트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법.
The method according to claim 8 or 11,
Step (A) is
LED package manufacturing method comprising the step of forming an Ag paste using a spherical Ag powder.
청구항 8에 있어서,
상기 (C)단계는,
금(Au) 와이어로 상기 와이어 본딩 패드와 LED칩을 와이어 본딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법.
The method according to claim 8,
Step (C) is,
The method of manufacturing an LED package, characterized in that the step of wire bonding the wire bonding pad and the LED chip with gold (Au) wire.
KR1020100023424A 2010-03-16 2010-03-16 Light emitting diode package and fabricating method thereof KR101095542B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100023424A KR101095542B1 (en) 2010-03-16 2010-03-16 Light emitting diode package and fabricating method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100023424A KR101095542B1 (en) 2010-03-16 2010-03-16 Light emitting diode package and fabricating method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110104336A KR20110104336A (en) 2011-09-22
KR101095542B1 true KR101095542B1 (en) 2011-12-19

Family

ID=44955137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100023424A KR101095542B1 (en) 2010-03-16 2010-03-16 Light emitting diode package and fabricating method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101095542B1 (en)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
WO2012109225A1 (en) 2011-02-07 2012-08-16 Cree, Inc. Components and methods for light emitting diode (led) lighting
US8895998B2 (en) 2012-03-30 2014-11-25 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components and methods
US9786825B2 (en) 2012-02-07 2017-10-10 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US9806246B2 (en) 2012-02-07 2017-10-31 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US9538590B2 (en) 2012-03-30 2017-01-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
USD738542S1 (en) 2013-04-19 2015-09-08 Cree, Inc. Light emitting unit
US9826581B2 (en) 2014-12-05 2017-11-21 Cree, Inc. Voltage configurable solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11284018A (en) 1998-03-31 1999-10-15 Sony Corp Semiconductor device and its manufacture
KR100890468B1 (en) * 2005-06-15 2009-03-26 한빔 주식회사 Light emitting diode device using conductive interconnection part

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11284018A (en) 1998-03-31 1999-10-15 Sony Corp Semiconductor device and its manufacture
KR100890468B1 (en) * 2005-06-15 2009-03-26 한빔 주식회사 Light emitting diode device using conductive interconnection part

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110104336A (en) 2011-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101095542B1 (en) Light emitting diode package and fabricating method thereof
Hamidnia et al. Application of micro/nano technology for thermal management of high power LED packaging–A review
US9318674B2 (en) Submount-free light emitting diode (LED) components and methods of fabricating same
KR101114305B1 (en) Light-emitting device and illuminating device
JP5370372B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100593937B1 (en) Led package using si substrate and fabricating method thereof
JP3978451B2 (en) Light emitting device
US9660161B2 (en) Light emitting diode (LED) components including contact expansion frame
US20140061709A1 (en) Wafer level led package and method of fabricating the same
KR101049698B1 (en) Led array module and manufacturing method thereof
US9214607B1 (en) Wire bonded light emitting diode (LED) components including reflective layer
JP2015144147A (en) LED module
KR20110031946A (en) Solid state lighting component
JP5036222B2 (en) Light emitting device
JP2007194675A (en) Light emitting device
TWI590494B (en) Optical semiconductor device package, its manufacturing method, and optical semiconductor device and its manufacturing method
JP2007214592A (en) Light emitting apparatus
JP2007036199A (en) Light-emitting apparatus
KR20080088140A (en) Heat-sink board and light emitting diode having the same
TWI393273B (en) Method for manufacturing light emitting diode assembly
TW201205882A (en) Manufacturing method for LED light emitting device
JP6776347B2 (en) Light emitting element, manufacturing method of light emitting element and light emitting module
US9954144B2 (en) Wafer level contact pad solder bumping for surface mount devices with non-planar recessed contacting surfaces
WO2009103285A1 (en) Optoelectronic component
KR20140122389A (en) Structure and Method for Radiant Heat Treatment of LED Package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141106

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151105

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161104

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171107

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181112

Year of fee payment: 8